JP2002532830A - ディスプレイデバイス - Google Patents
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K50/80—Constructional details
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- H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
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- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/917—Electroluminescent
Abstract
(57)【要約】
発光領域（１２）と、前記発光領域における視聴者側に配置されて第１のタイプの電荷担体を注入する第１の電極（１０）と、前記発光領域における視聴者側とは反対側に配置されて第２のタイプの電荷担体を注入する第２の電極（１１）とを備え、前記発光領域における視聴者側とは反対側にグラファイトおよび／または仕事関数が低い金属のフッ化物もしくは酸化物からなる光吸収層を含む反射率調整構造体（１３）が配置されている発光デバイス。
Description
【０００１】 本発明は、ディスプレイデバイスに関する。
【０００２】 ディスプレイデバイスの１種に、発光材料として有機材料を使用するものが挙
げられる。発光性有機材料は、ＰＣＴ出願されたＷＯ９０／１３１４８号国際公
開公報および米国特許第４，５３９，５０７号に開示されており、両者の内容を
参照して本明細書の一部とする。この種のデバイスの基本的な構造は、発光性有
機層、例えば、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）（「ＰＰＶ」）からなる膜が２
つの電極間に介装されていることにある。一方の電極（アノード）からは負の電
荷担体（電子）が注入され、他方の電極（カソード）からは正の電荷担体（正孔
）が注入される。電子および正孔は、有機層内で結合して光子を生成する。ＰＣ
Ｔ出願されたＷＯ９０／１３１４８号国際公開公報においては、有機発光材料は
高分子である。米国特許第４，５３９，５０７号においては、有機発光材料は、
（８−ヒドロキシキノリノ）アルミニウム（「Ａｌｑ３」）のような低分子材料
として知られている種類のものである。実際のデバイスでは、一方の電極は通常
透明であり、このため、光子がデバイスから離脱することが可能となる。
げられる。発光性有機材料は、ＰＣＴ出願されたＷＯ９０／１３１４８号国際公
開公報および米国特許第４，５３９，５０７号に開示されており、両者の内容を
参照して本明細書の一部とする。この種のデバイスの基本的な構造は、発光性有
機層、例えば、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）（「ＰＰＶ」）からなる膜が２
つの電極間に介装されていることにある。一方の電極（アノード）からは負の電
荷担体（電子）が注入され、他方の電極（カソード）からは正の電荷担体（正孔
）が注入される。電子および正孔は、有機層内で結合して光子を生成する。ＰＣ
Ｔ出願されたＷＯ９０／１３１４８号国際公開公報においては、有機発光材料は
高分子である。米国特許第４，５３９，５０７号においては、有機発光材料は、
（８−ヒドロキシキノリノ）アルミニウム（「Ａｌｑ３」）のような低分子材料
として知られている種類のものである。実際のデバイスでは、一方の電極は通常
透明であり、このため、光子がデバイスから離脱することが可能となる。
【０００３】 図１に、有機発光デバイス（「ＯＬＥＤ」）の典型的な断面構造を示す。ＯＬ
ＥＤは、典型的には、インジウム−スズ酸化物（「ＩＴＯ」）のような透明な第
１電極２が被覆されたガラスまたはプラスチック基板１の上に作製される。この
種の被覆された基板は市販されている。このＩＴＯ被覆基板は、少なくともエレ
クトロルミネッセント有機材料の薄膜３と、典型的には金属または合金からなり
かつ第２の電極４を形成する最終層とで被覆されている。なお、例えば、電極と
エレクトロルミネッセント材料との間の電荷輸送を向上させるために、他の層を
デバイスに付加することもできる。
ＥＤは、典型的には、インジウム−スズ酸化物（「ＩＴＯ」）のような透明な第
１電極２が被覆されたガラスまたはプラスチック基板１の上に作製される。この
種の被覆された基板は市販されている。このＩＴＯ被覆基板は、少なくともエレ
クトロルミネッセント有機材料の薄膜３と、典型的には金属または合金からなり
かつ第２の電極４を形成する最終層とで被覆されている。なお、例えば、電極と
エレクトロルミネッセント材料との間の電荷輸送を向上させるために、他の層を
デバイスに付加することもできる。
【０００４】 ディスプレイに入射した光が視聴者に向かって反射されるような場合、特に本
来暗くしなければならない画素から反射が起こると、ディスプレイの画素間の見
かけ上のコントラストが低減する。このことは、ディスプレイとしての効率性を
低減させてしまう。
来暗くしなければならない画素から反射が起こると、ディスプレイの画素間の見
かけ上のコントラストが低減する。このことは、ディスプレイとしての効率性を
低減させてしまう。
【０００５】 多くのディスプレイデバイスは、省電力性が非常に重要となる用途において使
用されている。例としては、移動電話およびポータブルコンピュータのような電
池を電源とするデバイスが挙げられる。したがって、ディスプレイデバイスの効
率を向上させる駆動部が存在する。
用されている。例としては、移動電話およびポータブルコンピュータのような電
池を電源とするデバイスが挙げられる。したがって、ディスプレイデバイスの効
率を向上させる駆動部が存在する。
【０００６】 本発明の第１の観点によれば、発光領域と、 前記発光領域における視聴者側に配置されて第１のタイプの電荷担体を注入す
る第１の電極と、 前記発光領域における視聴者側とは反対側に配置されて第２のタイプの電荷担
体を注入する第２の電極とを備える発光デバイスであって、 前記発光領域における視聴者側とは反対側にグラファイトおよび／または仕事
関数が低い金属のフッ化物もしくは酸化物からなる光吸収層を含む反射率調整構
造体が配置されていることを特徴とする発光デバイスが提供される。
る第１の電極と、 前記発光領域における視聴者側とは反対側に配置されて第２のタイプの電荷担
体を注入する第２の電極とを備える発光デバイスであって、 前記発光領域における視聴者側とは反対側にグラファイトおよび／または仕事
関数が低い金属のフッ化物もしくは酸化物からなる光吸収層を含む反射率調整構
造体が配置されていることを特徴とする発光デバイスが提供される。
【０００７】 また、本発明の第２の観点によれば、発光領域と、 前記発光領域における視聴者側に配置されて第１のタイプの電荷担体を注入す
る第１の電極と、 前記発光領域における視聴者側とは反対側に配置されて第２のタイプの電荷担
体を注入する第２の電極とを備える発光デバイスであって、 前記発光領域における視聴者側とは反対側に反射率調整構造体が配置され、 さらに、 光反射層と、 前記第２の電極と前記光反射層との間に配置された光透過性のスペーサ層とを
備え、 前記スペーサ層は、前記光反射層の反射面を、少なくとも前記発光領域の一部
から前記デバイスの光学的モードの約半波長だけ離間させるような厚みであるこ
とを特徴とする発光デバイスが提供される。
る第１の電極と、 前記発光領域における視聴者側とは反対側に配置されて第２のタイプの電荷担
体を注入する第２の電極とを備える発光デバイスであって、 前記発光領域における視聴者側とは反対側に反射率調整構造体が配置され、 さらに、 光反射層と、 前記第２の電極と前記光反射層との間に配置された光透過性のスペーサ層とを
備え、 前記スペーサ層は、前記光反射層の反射面を、少なくとも前記発光領域の一部
から前記デバイスの光学的モードの約半波長だけ離間させるような厚みであるこ
とを特徴とする発光デバイスが提供される。
【０００８】 第１電極は、デバイスが放出可能な任意のまたは全ての波長の光に対して少な
くとも部分的に光透過性であることが好ましく、実質的に透明であることが最も
好ましい。第１電極は、例えば、ＩＴＯ（インジウム−スズ酸化物）、ＴＯ（酸
化スズ）または金から形成することができる。第１電極は、発光領域から視聴者
側に配置されていることが好ましい。すなわち、発光領域と視聴者がいると想定
される場所との間に配置するとよい。第１電極は、層の形態であってもよい。デ
バイスが１つ以上の画素を有するものであるときには、１つ以上の第１電極は、
（第２電極との共同作用下に）各画素を個々にアドレスすることができる。
くとも部分的に光透過性であることが好ましく、実質的に透明であることが最も
好ましい。第１電極は、例えば、ＩＴＯ（インジウム−スズ酸化物）、ＴＯ（酸
化スズ）または金から形成することができる。第１電極は、発光領域から視聴者
側に配置されていることが好ましい。すなわち、発光領域と視聴者がいると想定
される場所との間に配置するとよい。第１電極は、層の形態であってもよい。デ
バイスが１つ以上の画素を有するものであるときには、１つ以上の第１電極は、
（第２電極との共同作用下に）各画素を個々にアドレスすることができる。
【０００９】 第２電極は、デバイスが放出可能な任意のまたは全ての波長の光に対して少な
くとも部分的に光透過性であってもよく、実質的に透明であると好適である。こ
れは、第２電極を光透過性の物質で形成したり、第２電極を比較的薄く形成した
りすることにより達成することができる。例えば、第２電極の厚みを２、５、１
０、２０または３０ｎｍ未満にすればよい。第２電極の好適な構成材料としては
、リチウム、カルシウム、ＩＴＯが挙げられる。また、第２電極を、反射体や非
反射体／光吸収体とすることもできる。この場合、第２電極は、第２電極それ自
身が反射率を調整可能な構造のものであることが好ましい。第２電極が光吸収体
である場合には、Ｌｉ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｙｂ、Ｓｍ等の仕事関数が低
い金属のフッ化物や酸化物のような光吸収性物質を使用して形成することができ
る（酸化物やフッ化物とともにＡｌ等の導電性材料を成膜することもできる）。
または、低仕事関数金属のフッ化物や酸化物には、炭素（グラファイト）のよう
な光吸収体が取り込まれていてもよいし、両者がともに成膜されていることも好
ましい。前記低仕事関数金属の仕事関数は、４．０ｅＶ未満であってもよい。前
記低仕事関数金属の仕事関数は、３．５ｅＶ未満であってもよい。前記低仕事関
数金属の仕事関数は、３．２ｅＶ未満であってもよい。前記低仕事関数金属の仕
事関数は、３．０ｅＶ未満であってもよい。第２電極の適切な厚みは５０〜１０
００ｎｍであるが、１００〜３００ｎｍであることが好ましい。
くとも部分的に光透過性であってもよく、実質的に透明であると好適である。こ
れは、第２電極を光透過性の物質で形成したり、第２電極を比較的薄く形成した
りすることにより達成することができる。例えば、第２電極の厚みを２、５、１
０、２０または３０ｎｍ未満にすればよい。第２電極の好適な構成材料としては
、リチウム、カルシウム、ＩＴＯが挙げられる。また、第２電極を、反射体や非
反射体／光吸収体とすることもできる。この場合、第２電極は、第２電極それ自
身が反射率を調整可能な構造のものであることが好ましい。第２電極が光吸収体
である場合には、Ｌｉ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｙｂ、Ｓｍ等の仕事関数が低
い金属のフッ化物や酸化物のような光吸収性物質を使用して形成することができ
る（酸化物やフッ化物とともにＡｌ等の導電性材料を成膜することもできる）。
または、低仕事関数金属のフッ化物や酸化物には、炭素（グラファイト）のよう
な光吸収体が取り込まれていてもよいし、両者がともに成膜されていることも好
ましい。前記低仕事関数金属の仕事関数は、４．０ｅＶ未満であってもよい。前
記低仕事関数金属の仕事関数は、３．５ｅＶ未満であってもよい。前記低仕事関
数金属の仕事関数は、３．２ｅＶ未満であってもよい。前記低仕事関数金属の仕
事関数は、３．０ｅＶ未満であってもよい。第２電極の適切な厚みは５０〜１０
００ｎｍであるが、１００〜３００ｎｍであることが好ましい。
【００１０】 第１電極および／または第２電極は、例えば、金属質材料等の導電性物質から
なることが好ましい。電極の一方（正孔注入電極）は、４．３ｅＶより大きい仕
事関数を有するものであることが好ましい。この層は、金属酸化物、例えばイン
ジウム−スズ酸化物（「ＩＴＯ」）もしくは酸化スズ（「ＴＯ」）であってもよ
いし、または、仕事関数が高い金属、例えばＡｕもしくはＰｔから構成するよう
にしてもよい。この電極が、第１電極または第２電極となる。他方の電極（電子
注入電極）は、３．５ｅＶ未満の仕事関数を有するものであることが好ましい。
この層は、好適には仕事関数が低い金属（Ｃａ、Ｂａ、Ｙｂ、Ｓｍ、Ｌｉ等）も
しくは合金、または、１以上のこの種の金属からなる多層構造体により構成する
ことができる。必要に応じて、他の金属（例えばＡｌ）をともに使用するように
してもよい。この電極が、第２電極または第１電極となる。後方の電極は、少な
くとも部分的に光吸収体であることが好ましい。これは、炭素のような光吸収物
質の層を電極中に取り込むことにより達成することが可能である。また、そのよ
うな物質は、導電体でもあることが好ましい。
なることが好ましい。電極の一方（正孔注入電極）は、４．３ｅＶより大きい仕
事関数を有するものであることが好ましい。この層は、金属酸化物、例えばイン
ジウム−スズ酸化物（「ＩＴＯ」）もしくは酸化スズ（「ＴＯ」）であってもよ
いし、または、仕事関数が高い金属、例えばＡｕもしくはＰｔから構成するよう
にしてもよい。この電極が、第１電極または第２電極となる。他方の電極（電子
注入電極）は、３．５ｅＶ未満の仕事関数を有するものであることが好ましい。
この層は、好適には仕事関数が低い金属（Ｃａ、Ｂａ、Ｙｂ、Ｓｍ、Ｌｉ等）も
しくは合金、または、１以上のこの種の金属からなる多層構造体により構成する
ことができる。必要に応じて、他の金属（例えばＡｌ）をともに使用するように
してもよい。この電極が、第２電極または第１電極となる。後方の電極は、少な
くとも部分的に光吸収体であることが好ましい。これは、炭素のような光吸収物
質の層を電極中に取り込むことにより達成することが可能である。また、そのよ
うな物質は、導電体でもあることが好ましい。
【００１１】 反射率調整構造体は、第２電極に隣接して配置することができる。反射率調整
構造体は、（例えば）概ね光吸収体または概ね光反射体であり、デバイスの後方
（視聴者とは反対側）の反射率を適切に調整可能なものである。反射率調整構造
体は、概ね光吸収性の領域と概ね光反射性の領域とを別個に含むものであっても
よい。
構造体は、（例えば）概ね光吸収体または概ね光反射体であり、デバイスの後方
（視聴者とは反対側）の反射率を適切に調整可能なものである。反射率調整構造
体は、概ね光吸収性の領域と概ね光反射性の領域とを別個に含むものであっても
よい。
【００１２】 本発明の第１の観点では、反射率調整構造体は光吸収層からなるものであって
もよい。そのような層は、発光領域から発せられた光の第２電極による反射ある
いは第２電極を介しての反射を低減したり、第２電極を経由して透過した光を吸
収したり、他の発光源からデバイスに入射した光を吸収したりする際に有用であ
る。そのような光吸収層は、第２電極に隣接して配置することが好ましいが、例
えば、絶縁材料によって第２電極から光吸収層を離間させるようにしてもよい。
第２電極に隣接して、さらに一般的には後方に位置する反射率調整構造体を設け
ることにより、第２電極が、発光領域から発せられた光に対して本質的に非反射
的となる。そのような光吸収層は、光吸収物質から形成されることが好ましい。
例えば、反射率調整構造体からなる光吸収層は、グラファイトから構成すること
ができる。デバイスが独立画素を複数個有するものである場合、光吸収層は複数
個の画素に対して共通するものであることが好ましい。
もよい。そのような層は、発光領域から発せられた光の第２電極による反射ある
いは第２電極を介しての反射を低減したり、第２電極を経由して透過した光を吸
収したり、他の発光源からデバイスに入射した光を吸収したりする際に有用であ
る。そのような光吸収層は、第２電極に隣接して配置することが好ましいが、例
えば、絶縁材料によって第２電極から光吸収層を離間させるようにしてもよい。
第２電極に隣接して、さらに一般的には後方に位置する反射率調整構造体を設け
ることにより、第２電極が、発光領域から発せられた光に対して本質的に非反射
的となる。そのような光吸収層は、光吸収物質から形成されることが好ましい。
例えば、反射率調整構造体からなる光吸収層は、グラファイトから構成すること
ができる。デバイスが独立画素を複数個有するものである場合、光吸収層は複数
個の画素に対して共通するものであることが好ましい。
【００１３】 本発明の第２の観点では、反射率調整構造体を光反射層で構成するようにして
もよい。そのような層は、デバイス内で光学場（例えば光学場の非ノード）と発
光領域の一部とが同時発生することを調整するのに適切である。そのような一部
は、電子と正孔との再結合が幾分かまたは活発に行われる（好ましくは光子が生
成する）領域であることが適切である。前記一部は、発光層において電子と正孔
との再結合が主に行われる部位または面であることが好ましい。前記一部がデバ
イスにおける再結合が最も活発な部位または面であることが最も好ましい。反射
率調整構造体は、発光層から光反射層を適切な所望の間隔で離間させるために、
光透過性のスペーサ層を有することが好ましい。このスペーサ層は、第２の電極
と一体的に形成されることが好ましい。すなわち、スペーサ層は、第２の電極の
厚みによって形成される。そして、スペーサの厚みは、反射率調整構造体の反射
体を、少なくとも前記発光領域の一部から前記デバイスの光学的モードの約半波
長だけ離間させるような厚みであることが好ましい。前記反射体は、反射層の主
面の１つであってもよく（発光層に近い側または遠い側）、反射層によって定義
される反射構造体（例えば、分布型ブラッグ反射体）であってもよい。スペーサ
の厚みは、反射体が、光学場が概ねそのピークにある発光領域の領域から、デバ
イスの光学的モードの概ね半波長分離間させる厚みであることが最も好ましい。
もよい。そのような層は、デバイス内で光学場（例えば光学場の非ノード）と発
光領域の一部とが同時発生することを調整するのに適切である。そのような一部
は、電子と正孔との再結合が幾分かまたは活発に行われる（好ましくは光子が生
成する）領域であることが適切である。前記一部は、発光層において電子と正孔
との再結合が主に行われる部位または面であることが好ましい。前記一部がデバ
イスにおける再結合が最も活発な部位または面であることが最も好ましい。反射
率調整構造体は、発光層から光反射層を適切な所望の間隔で離間させるために、
光透過性のスペーサ層を有することが好ましい。このスペーサ層は、第２の電極
と一体的に形成されることが好ましい。すなわち、スペーサ層は、第２の電極の
厚みによって形成される。そして、スペーサの厚みは、反射率調整構造体の反射
体を、少なくとも前記発光領域の一部から前記デバイスの光学的モードの約半波
長だけ離間させるような厚みであることが好ましい。前記反射体は、反射層の主
面の１つであってもよく（発光層に近い側または遠い側）、反射層によって定義
される反射構造体（例えば、分布型ブラッグ反射体）であってもよい。スペーサ
の厚みは、反射体が、光学場が概ねそのピークにある発光領域の領域から、デバ
イスの光学的モードの概ね半波長分離間させる厚みであることが最も好ましい。
【００１４】 上記した反射率調整構造体からなる光吸収層または光反射層は、発光層からの
光が該光吸収層または光反射層に到達するように、デバイスの発光層に光学的に
接続することが好ましい。
光が該光吸収層または光反射層に到達するように、デバイスの発光層に光学的に
接続することが好ましい。
【００１５】 反射率調整構造体は、導電体であることが好ましい。これにより、該反射率調
整構造体を介しての第２の電極との電気的な接続が確保されるからである。
整構造体を介しての第２の電極との電気的な接続が確保されるからである。
【００１６】 本発明の第３の観点によれば、発光領域と、 前記発光領域における視聴者側に配置されて第１のタイプの電荷担体を注入す
る第１の電極と、 前記発光領域における視聴者側とは反対側に配置されて第２のタイプの電荷担
体を注入する第２の電極とを備える発光デバイスであって、 異なる波長の入射光に対して異なる反射率を有するとともに、その反射率ピー
クが前記発光領域の発光波長を包含する反射構造体を含むコントラスト向上構造
体が前記発光領域における視聴者側とは反対側に配置されることを特徴とする発
光デバイスが提供される。本発明のこの観点では、反射構造体が分布型ブラッグ
反射体であることが好ましい。また、本発明のこの観点では、前記第２の電極が
前記反射構造体における視聴者側とは反対側に配置された層を有し、さらに、該
層と前記発光領域との間を導電させるために前記反射構造体を通過する複数のス
ルーパスを有することが好ましい。スルーパスがデバイスの発光領域を占める割
合は、１５％未満または１０％未満であることが好ましい。本発明のこの態様で
は、カソードが反射体と発光領域との間に介装された透明層からなるものであっ
てもよい。この透明層は、スルーパスに接触していてもよい。
る第１の電極と、 前記発光領域における視聴者側とは反対側に配置されて第２のタイプの電荷担
体を注入する第２の電極とを備える発光デバイスであって、 異なる波長の入射光に対して異なる反射率を有するとともに、その反射率ピー
クが前記発光領域の発光波長を包含する反射構造体を含むコントラスト向上構造
体が前記発光領域における視聴者側とは反対側に配置されることを特徴とする発
光デバイスが提供される。本発明のこの観点では、反射構造体が分布型ブラッグ
反射体であることが好ましい。また、本発明のこの観点では、前記第２の電極が
前記反射構造体における視聴者側とは反対側に配置された層を有し、さらに、該
層と前記発光領域との間を導電させるために前記反射構造体を通過する複数のス
ルーパスを有することが好ましい。スルーパスがデバイスの発光領域を占める割
合は、１５％未満または１０％未満であることが好ましい。本発明のこの態様で
は、カソードが反射体と発光領域との間に介装された透明層からなるものであっ
てもよい。この透明層は、スルーパスに接触していてもよい。
【００１７】 一般的には、発光材料が有機物であることが適切であり、高分子であることが
好ましい。また、発光材料が、半導電性および／または共役高分子であると好適
である。代替として、例えば、昇華性の低分子からなる薄膜や無機発光材料等、
他の種類のものを使用することもできる。発光材料は、１以上の別個の有機材料
、適切には高分子、好ましくは完全にまたは部分的に共役した高分子からなるも
のであってもよい。好適な材料としては、以下に挙げる材料を１以上組み合せる
ことによって得られるものが含まれる。ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）（「Ｐ
ＰＶ」）、ポリ（２−メトキシ−５（２’−エチル）ヘキシロキシフェニレンビ
ニレン）（「ＭＥＨ−ＰＰＶ」）、１以上のＰＰＶ誘導体（例えば、ジアルコキ
シまたはジアルキル誘導体）、ポリフルオレンおよび／またはポリフルオレン部
分を有する共重合体、ＰＰＶｓおよび関連する共重合体、ポリ（２，７−（９，
９−ジ−ｎ−オクチルフルオレン）−（１，４−フェニレン−（（４−ｓｅｃブ
チルフェニル）イミノ）−１，４−フェニレン））（「ＴＦＢ」）、ポリ（２，
７−（９，９−ジ−ｎ−オクチルフルオレン）−（１，４−フェニレン（（４−
メチルフェニル）イミノ）−１，４−フェニレン−（（４−メチルフェニル）イ
ミノ）−１，４−フェニレン））（「ＰＦＭ」）、ポリ（２，７−（９，９−ジ
−ｎ−オクチルフルオレン）−（１，４−フェニレン（（４−メトキシフェニル
）イミノ）−１，４−フェニレン−（（４−メトキシフェニル）イミノ）−１，
４−フェニレン））（「ＰＦＭＯ」）、ポリ（２，７−（９，９−ジ−ｎ−オク
チルフルオレン）（「Ｆ８」）、またはポリ（２，７−（９，９−ジ−ｎ−オク
チルフルオレン）−３，６−ベンゾチアジアゾール）（「Ｆ８ＢＴ」）。代替的
な材料には、Ａｌｑ３のような低分子材料が含まれる。
好ましい。また、発光材料が、半導電性および／または共役高分子であると好適
である。代替として、例えば、昇華性の低分子からなる薄膜や無機発光材料等、
他の種類のものを使用することもできる。発光材料は、１以上の別個の有機材料
、適切には高分子、好ましくは完全にまたは部分的に共役した高分子からなるも
のであってもよい。好適な材料としては、以下に挙げる材料を１以上組み合せる
ことによって得られるものが含まれる。ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）（「Ｐ
ＰＶ」）、ポリ（２−メトキシ−５（２’−エチル）ヘキシロキシフェニレンビ
ニレン）（「ＭＥＨ−ＰＰＶ」）、１以上のＰＰＶ誘導体（例えば、ジアルコキ
シまたはジアルキル誘導体）、ポリフルオレンおよび／またはポリフルオレン部
分を有する共重合体、ＰＰＶｓおよび関連する共重合体、ポリ（２，７−（９，
９−ジ−ｎ−オクチルフルオレン）−（１，４−フェニレン−（（４−ｓｅｃブ
チルフェニル）イミノ）−１，４−フェニレン））（「ＴＦＢ」）、ポリ（２，
７−（９，９−ジ−ｎ−オクチルフルオレン）−（１，４−フェニレン（（４−
メチルフェニル）イミノ）−１，４−フェニレン−（（４−メチルフェニル）イ
ミノ）−１，４−フェニレン））（「ＰＦＭ」）、ポリ（２，７−（９，９−ジ
−ｎ−オクチルフルオレン）−（１，４−フェニレン（（４−メトキシフェニル
）イミノ）−１，４−フェニレン−（（４−メトキシフェニル）イミノ）−１，
４−フェニレン））（「ＰＦＭＯ」）、ポリ（２，７−（９，９−ジ−ｎ−オク
チルフルオレン）（「Ｆ８」）、またはポリ（２，７−（９，９−ジ−ｎ−オク
チルフルオレン）−３，６−ベンゾチアジアゾール）（「Ｆ８ＢＴ」）。代替的
な材料には、Ａｌｑ３のような低分子材料が含まれる。
【００１８】 両電極あるいは一方の電極と発光性材料との間に、１以上の電荷輸送層を設け
るようにしてもよい。電荷輸送層は、適切には１以上の高分子、例えば、ポリス
チレンスルホン酸がドープされたポリエチレンジオキシチオフェン（「ＰＥＤＯ
Ｔ−ＰＳＳ」）、ポリ（２，７−（９，９−ジ−ｎ−オクチルフルオレン）−（
１，４−フェニレン−（４−イミノ（安息香酸））−１，４−フェニレン−（４
−イミノ（安息香酸））−１，４−フェニレン）））（「ＢＦＡ」）、ポリアニ
リン、およびＰＰＶから構成することができる。
るようにしてもよい。電荷輸送層は、適切には１以上の高分子、例えば、ポリス
チレンスルホン酸がドープされたポリエチレンジオキシチオフェン（「ＰＥＤＯ
Ｔ−ＰＳＳ」）、ポリ（２，７−（９，９−ジ−ｎ−オクチルフルオレン）−（
１，４−フェニレン−（４−イミノ（安息香酸））−１，４−フェニレン−（４
−イミノ（安息香酸））−１，４−フェニレン）））（「ＢＦＡ」）、ポリアニ
リン、およびＰＰＶから構成することができる。
【００１９】 本明細書において示されたデバイスの物理的な配置は、必ずしも使用または製
造の際におけるその物理的な配置に合わせたものではない。
造の際におけるその物理的な配置に合わせたものではない。
【００２０】 添付の図面を参照して、本発明の内容を例示的に説明する。なお、図面は、実
際の寸法に合ったものではない。
際の寸法に合ったものではない。
【００２１】 図２に示すデバイスは、アノード電極層１０と、カソード電極層１１とを有し
、両電極層の間には発光材料からなる層が介装されている。アノード電極は透明
なインジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）で形成されており、一方、カソード電極は
カルシウムで形成されている。カソードは、反射率があまり高くならないように
充分に薄膜化されている。カソードの後方には、カーボン層１３が形成されてい
る。両電極間に適切な電圧が印加されると、発光材料から概ね全方向に光が発せ
られる。光の幾らかは前方のアノードに向かって発せられ、このアノードを通過
した後にデバイスから直接外部に発せられる。光の幾らかは後方のカソードに向
かって発せられる。外部の光源から画面上に入射された光は、カーボン層１３に
よって吸収される。このため、この光が視聴者に向かって反射されることはない
。したがって、後述するように、ディスプレイとしての効率性が向上する。
、両電極層の間には発光材料からなる層が介装されている。アノード電極は透明
なインジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）で形成されており、一方、カソード電極は
カルシウムで形成されている。カソードは、反射率があまり高くならないように
充分に薄膜化されている。カソードの後方には、カーボン層１３が形成されてい
る。両電極間に適切な電圧が印加されると、発光材料から概ね全方向に光が発せ
られる。光の幾らかは前方のアノードに向かって発せられ、このアノードを通過
した後にデバイスから直接外部に発せられる。光の幾らかは後方のカソードに向
かって発せられる。外部の光源から画面上に入射された光は、カーボン層１３に
よって吸収される。このため、この光が視聴者に向かって反射されることはない
。したがって、後述するように、ディスプレイとしての効率性が向上する。
【００２２】 図２に示すデバイスは、市販品のＩＴＯ被覆ガラスシートを出発材料として製
造することが可能である。ガラスシート（図２中、１４で示す）は、後述する各
成膜工程において積層される各層の基板として使用される。ガラスシートとして
は、例えば、１ｍｍの厚みを有するソーダライムガラスまたはホウケイ酸ガラス
のシートを用いることができる。ガラスを用いる代わりに、パースペックス（Pe
rspex）を用いるようにしてもよい。ＩＴＯ被覆層の厚みは、約１００〜約１５
０ｎｍとすることが好適であり、ＩＴＯのシート抵抗は、１０〜３０Ω／□とす
ることが好適である。ＩＴＯアノード上には、正孔輸送層または注入層１５が成
膜されている。正孔輸送層は、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳを含有する溶液から成膜され
る。ここで、ＰＥＤＯＴとＰＳＳの比は約１：５である。正孔輸送層の厚みは、
約５０ｎｍとするのが好適である。正孔輸送層は、典型的には、溶液がスピンコ
ートされた後、窒素雰囲気中において２００℃、１時間の熱処理が施されること
によって形成される。５ＢＴＦ８中に２０％のＴＦＢを含むエレクトロルミネッ
セント層（ＥＬ層）１２は、溶液を正孔輸送層上にスピンコートすることによっ
て成膜され、通常は、９０ｎｍの厚みを有する。ここで、５ＢＴＦ８とは、５％
のポリ（２，７−（９，９−ジ−ｎ−オクチルフルオレン）−３，６−ベンゾチ
アジアゾール）（「Ｆ８ＢＴ」）がドープされたポリ（２，７−（９，９−ジ−
ｎ−オクチルフルオレン）（「Ｆ８」）を意味する。さらに、カルシウム等の仕
事関数が低い透明または半透明の層を真空中（基準圧力１０-8ｍｂａｒ未満）で
ＥＬ層に熱蒸着してカソード層１１が形成される。この層の厚みは、１ｎｍを超
えていることが好ましいが、カルシウム層が不透明になるような厚み（通常、約
２０ｎｍ）よりも薄くする。この層の上には、１００〜５００ｎｍの厚みのカー
ボン層１３が基準圧力１０-8ｍｂａｒの電子ビーム蒸着によって成膜されている
。また、この層の上には、１００〜１０００ｎｍの厚みのアルミニウム層１３が
基準圧力１０-8ｍｂａｒのスパッタ蒸着によって成膜されている。本実施の形態
においては、層１１の仕事関数は、発光領域に効果的に電子を注入させることが
可能な程度に低く設定されている。カーボン層１３は、光吸収層として機能する
とともに、デバイスの駆動電圧を大幅に増加させるようなことがない低い導電率
を有する。スパッタ蒸着されたアルミニウム層１６は、ピンホール密度が低く、
粒径が小さな小型の封止材として機能する。デバイスには、接点が設けられてい
る（層１６と層１０との間）。最終的に、デバイスは、周囲を補強するためにエ
ポキシ樹脂内に封止される。
造することが可能である。ガラスシート（図２中、１４で示す）は、後述する各
成膜工程において積層される各層の基板として使用される。ガラスシートとして
は、例えば、１ｍｍの厚みを有するソーダライムガラスまたはホウケイ酸ガラス
のシートを用いることができる。ガラスを用いる代わりに、パースペックス（Pe
rspex）を用いるようにしてもよい。ＩＴＯ被覆層の厚みは、約１００〜約１５
０ｎｍとすることが好適であり、ＩＴＯのシート抵抗は、１０〜３０Ω／□とす
ることが好適である。ＩＴＯアノード上には、正孔輸送層または注入層１５が成
膜されている。正孔輸送層は、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳを含有する溶液から成膜され
る。ここで、ＰＥＤＯＴとＰＳＳの比は約１：５である。正孔輸送層の厚みは、
約５０ｎｍとするのが好適である。正孔輸送層は、典型的には、溶液がスピンコ
ートされた後、窒素雰囲気中において２００℃、１時間の熱処理が施されること
によって形成される。５ＢＴＦ８中に２０％のＴＦＢを含むエレクトロルミネッ
セント層（ＥＬ層）１２は、溶液を正孔輸送層上にスピンコートすることによっ
て成膜され、通常は、９０ｎｍの厚みを有する。ここで、５ＢＴＦ８とは、５％
のポリ（２，７−（９，９−ジ−ｎ−オクチルフルオレン）−３，６−ベンゾチ
アジアゾール）（「Ｆ８ＢＴ」）がドープされたポリ（２，７−（９，９−ジ−
ｎ−オクチルフルオレン）（「Ｆ８」）を意味する。さらに、カルシウム等の仕
事関数が低い透明または半透明の層を真空中（基準圧力１０-8ｍｂａｒ未満）で
ＥＬ層に熱蒸着してカソード層１１が形成される。この層の厚みは、１ｎｍを超
えていることが好ましいが、カルシウム層が不透明になるような厚み（通常、約
２０ｎｍ）よりも薄くする。この層の上には、１００〜５００ｎｍの厚みのカー
ボン層１３が基準圧力１０-8ｍｂａｒの電子ビーム蒸着によって成膜されている
。また、この層の上には、１００〜１０００ｎｍの厚みのアルミニウム層１３が
基準圧力１０-8ｍｂａｒのスパッタ蒸着によって成膜されている。本実施の形態
においては、層１１の仕事関数は、発光領域に効果的に電子を注入させることが
可能な程度に低く設定されている。カーボン層１３は、光吸収層として機能する
とともに、デバイスの駆動電圧を大幅に増加させるようなことがない低い導電率
を有する。スパッタ蒸着されたアルミニウム層１６は、ピンホール密度が低く、
粒径が小さな小型の封止材として機能する。デバイスには、接点が設けられてい
る（層１６と層１０との間）。最終的に、デバイスは、周囲を補強するためにエ
ポキシ樹脂内に封止される。
【００２３】 図３および図４に、図２に示したデバイスを参照して説明した上記の原理を利
用した多画素ディスプレイデバイスを示す。図３および図４のデバイスは、共通
アノード面に設けられた平行なアノード電極ストリップ２０の組と、アノード面
から離間した共通カソード面に設けられた平行なカソード電極ストリップ２１の
組とを有する。アノード電極とカソード電極との間には、発光層２２が存在する
。アノード電極ストリップとカソード電極ストリップとが重なり合う各領域がデ
ィスプレイデバイスの画素として定義される。パッシブマトリックスアドレッシ
ング方式を採用することによって、個々の画素を発光させることができる（デバ
イスには、パッシブマトリックスアドレッシング方式の代わりに、アクティブマ
トリックス方式、または他のアドレッシング方式を採用することもできる）。図
４に示すように、各カソード電極は、注入層７５、中間層７６および導電層７７
の３つの層を有する。注入層７５は、発光層２２に隣接して設けらたカルシウム
等の仕事関数が低い材料からなる層である。中間層７６は、炭素（グラファイト
）等の光吸収材料の層である。また、導電層７７は、アルミニウムなどの高導電
率材料の層である。これらの層によって、カソード面８１が形成されている。一
般的に、注入層は、発光層２２に対する良好な注入特性を示す材料で形成するの
が適している。また、中間層は、良好な光吸収特性を示す材料で形成するのが適
しており、導電層は、導電率が高い材料で形成するのが適している。導電層を他
の層よりも厚くした上、電極構造に均一に電荷が分布しやすくすることが好まし
い。複数の層の機能を有する材料を用いて層の１つを形成することによって、層
の数を減らすことも可能である。例えば、選択された発光性材料が、炭素からの
電荷が良好に注入されるものであれば、層７５を設けなくともよい。また、層７
５や層７６が適度な導電率を有する場合には、層７７を設けなくともよい。光吸
収層７６は、他の２層（２層が存在する場合）の間に介装することが好ましい。
この場合、光吸収層７６は、導電性材料で形成される。また、光吸収層７６を他
の２層の後方に設けてもよい。光吸収層７６の代わりに、または、光吸収層７６
を設けた上で、構造体全体を被覆するような光吸収層（図４において層２９とし
て示す）を設けるようにしてもよい。層が炭素等の導電性材料からなる場合には
、カソードストリップ２１間の短絡を防ぐために、絶縁層２３を設けるようにす
ればよい。
用した多画素ディスプレイデバイスを示す。図３および図４のデバイスは、共通
アノード面に設けられた平行なアノード電極ストリップ２０の組と、アノード面
から離間した共通カソード面に設けられた平行なカソード電極ストリップ２１の
組とを有する。アノード電極とカソード電極との間には、発光層２２が存在する
。アノード電極ストリップとカソード電極ストリップとが重なり合う各領域がデ
ィスプレイデバイスの画素として定義される。パッシブマトリックスアドレッシ
ング方式を採用することによって、個々の画素を発光させることができる（デバ
イスには、パッシブマトリックスアドレッシング方式の代わりに、アクティブマ
トリックス方式、または他のアドレッシング方式を採用することもできる）。図
４に示すように、各カソード電極は、注入層７５、中間層７６および導電層７７
の３つの層を有する。注入層７５は、発光層２２に隣接して設けらたカルシウム
等の仕事関数が低い材料からなる層である。中間層７６は、炭素（グラファイト
）等の光吸収材料の層である。また、導電層７７は、アルミニウムなどの高導電
率材料の層である。これらの層によって、カソード面８１が形成されている。一
般的に、注入層は、発光層２２に対する良好な注入特性を示す材料で形成するの
が適している。また、中間層は、良好な光吸収特性を示す材料で形成するのが適
しており、導電層は、導電率が高い材料で形成するのが適している。導電層を他
の層よりも厚くした上、電極構造に均一に電荷が分布しやすくすることが好まし
い。複数の層の機能を有する材料を用いて層の１つを形成することによって、層
の数を減らすことも可能である。例えば、選択された発光性材料が、炭素からの
電荷が良好に注入されるものであれば、層７５を設けなくともよい。また、層７
５や層７６が適度な導電率を有する場合には、層７７を設けなくともよい。光吸
収層７６は、他の２層（２層が存在する場合）の間に介装することが好ましい。
この場合、光吸収層７６は、導電性材料で形成される。また、光吸収層７６を他
の２層の後方に設けてもよい。光吸収層７６の代わりに、または、光吸収層７６
を設けた上で、構造体全体を被覆するような光吸収層（図４において層２９とし
て示す）を設けるようにしてもよい。層が炭素等の導電性材料からなる場合には
、カソードストリップ２１間の短絡を防ぐために、絶縁層２３を設けるようにす
ればよい。
【００２４】 光吸収層７６を設けることによって、ディスプレイに入射された光が吸収され
、コントラストの低下を引き起こすようなディスプレイからの光の反射を防ぐこ
とができるという効果が得られる。このことを、図４おいて光線８０で示す。光
線８０は、層２３および層２９によって吸収される。したがって、光吸収層はコ
ントラストの向上に役立つ。さらに、光吸収層は、発光層２２から発せられた光
のデバイス内での透過を低減させる。これにより、ある画素から発せられた光が
異なる画素の部位で視認されるようなことがなくなるので、デバイスからそのよ
うな光が出現することを回避することができ、結局、コントラストが向上する。
、コントラストの低下を引き起こすようなディスプレイからの光の反射を防ぐこ
とができるという効果が得られる。このことを、図４おいて光線８０で示す。光
線８０は、層２３および層２９によって吸収される。したがって、光吸収層はコ
ントラストの向上に役立つ。さらに、光吸収層は、発光層２２から発せられた光
のデバイス内での透過を低減させる。これにより、ある画素から発せられた光が
異なる画素の部位で視認されるようなことがなくなるので、デバイスからそのよ
うな光が出現することを回避することができ、結局、コントラストが向上する。
【００２５】 ディスプレイ駆動部からの接点の一方は、層７７に取り付けられる。
【００２６】 環境光の反射をさらに低減するために、炭素層または他の非反射性層を、発光
層２２の前面の各画素の間に存在する間隙に設けてもよい。
層２２の前面の各画素の間に存在する間隙に設けてもよい。
【００２７】 以上のように、図２〜図４に示す装置を参照して説明した上記の原理によって
、傾斜角の付いた発光が低減し、かつ環境光の反射が低減する。これにより、デ
バイスにおける隣接する画素間のコントラストを向上させ、ある一個の画素から
発せられた光のパターンを向上させることができる。
、傾斜角の付いた発光が低減し、かつ環境光の反射が低減する。これにより、デ
バイスにおける隣接する画素間のコントラストを向上させ、ある一個の画素から
発せられた光のパターンを向上させることができる。
【００２８】 図５に別の形態に係るディスプレイデバイスを示す。図５のデバイスは、アノ
ード電極層４０とカソード電極層４１とを有する。両電極層の間には、発光性材
料からなる層４２が設けられる。アノード電極およびカソード電極は、透明ＩＴ
Ｏで形成される。また、例えば、カルシウム等の仕事関数が低い金属からなる薄
層として各電極を形成し、該電極を、ＩＴＯ、ＺｎＳｅ、ＺｎＳ等の材料から形
成された透明スペーサ層に隣接させてもよい。両電極間に適切な電圧が印加され
ると、発光材料から概ね全方向に光が発せられる。光の幾らかは前方のアノード
に向かって発せられ、このアノードを通過してデバイスから直接外部に発せられ
る。光の幾らかは、後方のカソードに向かって発せられ、このカソードを通過し
て４３として示す反射構造体に入射する。反射構造体は、反射層４４と透明スペ
ーサ層４６とからなる。スペーサ層は、カソード４１と反射層４４との間に配置
され、発光領域４２から反射層を離間させる。反射層は、後方に発せられた光を
前方に反射する。その結果、この光は、再びカソード電極４１を通過して、発光
層４２、アノード電極４０およびガラス基板４７を通過した後、デバイスの外部
に発せられる（光線４８参照）。
ード電極層４０とカソード電極層４１とを有する。両電極層の間には、発光性材
料からなる層４２が設けられる。アノード電極およびカソード電極は、透明ＩＴ
Ｏで形成される。また、例えば、カルシウム等の仕事関数が低い金属からなる薄
層として各電極を形成し、該電極を、ＩＴＯ、ＺｎＳｅ、ＺｎＳ等の材料から形
成された透明スペーサ層に隣接させてもよい。両電極間に適切な電圧が印加され
ると、発光材料から概ね全方向に光が発せられる。光の幾らかは前方のアノード
に向かって発せられ、このアノードを通過してデバイスから直接外部に発せられ
る。光の幾らかは、後方のカソードに向かって発せられ、このカソードを通過し
て４３として示す反射構造体に入射する。反射構造体は、反射層４４と透明スペ
ーサ層４６とからなる。スペーサ層は、カソード４１と反射層４４との間に配置
され、発光領域４２から反射層を離間させる。反射層は、後方に発せられた光を
前方に反射する。その結果、この光は、再びカソード電極４１を通過して、発光
層４２、アノード電極４０およびガラス基板４７を通過した後、デバイスの外部
に発せられる（光線４８参照）。
【００２９】 図５において、曲線４９は光学場を示し、領域５０はデバイス内において光子
を生成するための電子と正孔との再結合が最も活発となるゾーンを示している。
図１のデバイスにおいても、同じような特徴が表れる部分が６０および６１によ
って示されている。図５のデバイスにおけるスペーサ層の厚みは、理想的には、
発光を後方へと返す機能を果たす反射層４４の平面（複数の平面が存在する場合
にはそのうちの１つの平面）が、デバイスの少なくとも１つの発光周波数におい
て、全体の反射配列（曲線４９参照）の光学的モードのピークが該デバイスの発
光層内での正孔と電子との再結合ゾーンに一致するような距離をもって発光層か
ら離間するように選定される。このように、光学場のピーク（非ノード）と発光
層の正孔／電子再結合ゾーンとを一致させることにより、図５のデバイスの平面
で、図１のデバイスに比して効率的に光を発生させることができるようになると
いう利点が得られる。すなわち、所定の波長における効率的な光の発生部位を最
適化することができる。最適化されたデバイスの波長は、ピーク強度発光波長と
同じであるか、または近傍である。配列を理想的なものにするためには、極めて
厳密に各層間の距離を設定する必要があるが、概ね上記のように層を配置するこ
とによって、大きな効果が得られる。
を生成するための電子と正孔との再結合が最も活発となるゾーンを示している。
図１のデバイスにおいても、同じような特徴が表れる部分が６０および６１によ
って示されている。図５のデバイスにおけるスペーサ層の厚みは、理想的には、
発光を後方へと返す機能を果たす反射層４４の平面（複数の平面が存在する場合
にはそのうちの１つの平面）が、デバイスの少なくとも１つの発光周波数におい
て、全体の反射配列（曲線４９参照）の光学的モードのピークが該デバイスの発
光層内での正孔と電子との再結合ゾーンに一致するような距離をもって発光層か
ら離間するように選定される。このように、光学場のピーク（非ノード）と発光
層の正孔／電子再結合ゾーンとを一致させることにより、図５のデバイスの平面
で、図１のデバイスに比して効率的に光を発生させることができるようになると
いう利点が得られる。すなわち、所定の波長における効率的な光の発生部位を最
適化することができる。最適化されたデバイスの波長は、ピーク強度発光波長と
同じであるか、または近傍である。配列を理想的なものにするためには、極めて
厳密に各層間の距離を設定する必要があるが、概ね上記のように層を配置するこ
とによって、大きな効果が得られる。
【００３０】 図５のデバイスは、カソード電極の形成に至るまで、図２のデバイスと概ね同
様の手順で作製することができる。図５のデバイスにおいては、さらに、ＩＴＯ
、ＺｎＳｅ、ＺｎＳ等を、好ましくは、カルシウム等の仕事関数が低い金属の薄
膜上に必要な厚みで成膜することによってスペーサ層４６が形成される。ＩＴＯ
スペーサ層上には、アルミニウムなどの反射性材料によって反射層４４が成膜さ
れる。代替的な実施の形態においては、反射部として、導電性の誘電積層体を設
けるようにしてもよい。この誘電積層体は、カソードに隣接させてもよいし、カ
ソードから離間させてもよい。このような積層体は、例えば、ＩＴＯおよびＮｉ
Ｏを交互に積層させることによって形成することができる。
様の手順で作製することができる。図５のデバイスにおいては、さらに、ＩＴＯ
、ＺｎＳｅ、ＺｎＳ等を、好ましくは、カルシウム等の仕事関数が低い金属の薄
膜上に必要な厚みで成膜することによってスペーサ層４６が形成される。ＩＴＯ
スペーサ層上には、アルミニウムなどの反射性材料によって反射層４４が成膜さ
れる。代替的な実施の形態においては、反射部として、導電性の誘電積層体を設
けるようにしてもよい。この誘電積層体は、カソードに隣接させてもよいし、カ
ソードから離間させてもよい。このような積層体は、例えば、ＩＴＯおよびＮｉ
Ｏを交互に積層させることによって形成することができる。
【００３１】 別の実施の形態においては、電極のうちの一方を、反射率調整材料によって形
成することができる。アノードやカソードは、所望の反射特性、導電特性、注入
特性を有する材料を用いることによって、反射体としてもよいし、非反射体（光
吸収体）としてもよい。電気的に好適な材料に対し、処理（例えば、表面処理や
反射率調整材の添加処理等）を施すことによって、所望の反射特性を有する材料
を得ることができる。
成することができる。アノードやカソードは、所望の反射特性、導電特性、注入
特性を有する材料を用いることによって、反射体としてもよいし、非反射体（光
吸収体）としてもよい。電気的に好適な材料に対し、処理（例えば、表面処理や
反射率調整材の添加処理等）を施すことによって、所望の反射特性を有する材料
を得ることができる。
【００３２】 非反射性電極は、後方の電極（視聴者から遠い側の電極）の具体的な例の１つ
である。図１〜図５に示すデバイス構成に概ね準拠したデバイスにおいては、カ
ソードを非反射体とすることが必要である（他のデバイスにおいては、アノード
を後方の電極にしてもよい）。反射性を有するカソード、または、反射性を有さ
ないカソードに好適に用いられる材料の一例は、ＬｉＦ：Ａｌである。ＬｉＦ：
Ａｌ膜におけるＡｌ成分が５０％を超えていれば、このＬｉＦ：Ａｌ膜は反射性
を有する。ＬｉＦ：Ａｌ膜におけるＡｌ成分が３０〜５０％の範囲内であれば、
このＬｉＦ：Ａｌ膜は反射性を有さない。ＬｉＦ：Ａｌ膜におけるＡｌ成分が３
０％未満であれば、このＬｉＦ：Ａｌ膜は半透明になるだけでなく、極めて高い
抵抗率を有するようになる。したがって、ＬｉＦ：Ａｌの比が５０：５０〜７０
：３０となるようなＬｉＦ／Ａｌ膜がブラック（非反射性）カソードを作製する
にあたって好適である。
である。図１〜図５に示すデバイス構成に概ね準拠したデバイスにおいては、カ
ソードを非反射体とすることが必要である（他のデバイスにおいては、アノード
を後方の電極にしてもよい）。反射性を有するカソード、または、反射性を有さ
ないカソードに好適に用いられる材料の一例は、ＬｉＦ：Ａｌである。ＬｉＦ：
Ａｌ膜におけるＡｌ成分が５０％を超えていれば、このＬｉＦ：Ａｌ膜は反射性
を有する。ＬｉＦ：Ａｌ膜におけるＡｌ成分が３０〜５０％の範囲内であれば、
このＬｉＦ：Ａｌ膜は反射性を有さない。ＬｉＦ：Ａｌ膜におけるＡｌ成分が３
０％未満であれば、このＬｉＦ：Ａｌ膜は半透明になるだけでなく、極めて高い
抵抗率を有するようになる。したがって、ＬｉＦ：Ａｌの比が５０：５０〜７０
：３０となるようなＬｉＦ／Ａｌ膜がブラック（非反射性）カソードを作製する
にあたって好適である。
【００３３】 非反射体である後方の電極（この場合、カソード）は、例えば、以下のように
して製造することができる。アノード電極として機能する厚み１５０ｎｍのＩＴ
Ｏ層をガラス基板上に成膜する。次に、正孔輸送層として機能する厚み５０ｎｍ
のＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ層を成膜し、その上に、厚み８０ｎｍのポリフルオレンベ
ースのＥＬポリマー層を形成する。最後に、非反射性のカソード層として、Ｌｉ
ＦとＡｌをともに蒸着させて厚み２００ｎｍの層を成膜する。なお、蒸着された
ＬｉＦ：Ａｌの比は６０：４０である。この層の上に、厚み４００ｎｍのＡｌ層
を成膜する。このデバイスの設計に変更を加える際には、ＬｉＦとＡｌとからな
る層の厚みを、ＬｉＦとＡｌの組成に依存して変化させなければならないことに
留意する必要がある。なぜなら、層に含まれるＬｉＦの割合が大きくなるほど層
の透明度が増加するからである。ＬｉＦ：Ａｌが６０：４０となる組成の層であ
れば、２００ｎｍの厚みは充分な厚みであるといえる。厚みの好適な範囲は、５
０〜１０００ｎｍである。
して製造することができる。アノード電極として機能する厚み１５０ｎｍのＩＴ
Ｏ層をガラス基板上に成膜する。次に、正孔輸送層として機能する厚み５０ｎｍ
のＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ層を成膜し、その上に、厚み８０ｎｍのポリフルオレンベ
ースのＥＬポリマー層を形成する。最後に、非反射性のカソード層として、Ｌｉ
ＦとＡｌをともに蒸着させて厚み２００ｎｍの層を成膜する。なお、蒸着された
ＬｉＦ：Ａｌの比は６０：４０である。この層の上に、厚み４００ｎｍのＡｌ層
を成膜する。このデバイスの設計に変更を加える際には、ＬｉＦとＡｌとからな
る層の厚みを、ＬｉＦとＡｌの組成に依存して変化させなければならないことに
留意する必要がある。なぜなら、層に含まれるＬｉＦの割合が大きくなるほど層
の透明度が増加するからである。ＬｉＦ：Ａｌが６０：４０となる組成の層であ
れば、２００ｎｍの厚みは充分な厚みであるといえる。厚みの好適な範囲は、５
０〜１０００ｎｍである。
【００３４】 非反射性カソード材料の代替的なものとしては、仕事関数が低いＬｉ、Ｃａ、
Ｍｇ、Ｃｓ等の金属の一般的なフッ化物および酸化物が挙げられる。また、Ａｌ
やＣｕなどの本質的に極めて高導電率の金属（Ｃｕはポリマーの蛍光性を弱める
傾向があるので、適さない場合もある）を混合することが好ましい。具体的な例
としては、ＣｓＦ、ＭｇＦ、ＣａＦ、ＬｉＯおよびＣａＯが挙げられる。ＣｓＦ
、ＭｇＦ、ＣａＦ、ＬｉＯおよびＣａＯは、Ａｌとともに蒸着するようにしても
よいし、Ａｌを含有するターゲットからスパッタするようにしてもよい。いずれ
の場合においても、導電体（Ａｌ）と絶縁体であるフッ化物および酸化物の比は
、実験によって簡単に求めることができるが、上述したＬｉＦ：Ａｌ系と同様に
なると考えられる。反射率が低い、または非反射性材料、すなわち、カソードを
作製する別の方法は、仕事関数が低い材料を炭素とともに蒸着やスパッタするこ
とである。仕事関数が低い材料の例としてはＣａ、Ｌｉ等や、上記したフッ化物
および酸化物が挙げられる。
Ｍｇ、Ｃｓ等の金属の一般的なフッ化物および酸化物が挙げられる。また、Ａｌ
やＣｕなどの本質的に極めて高導電率の金属（Ｃｕはポリマーの蛍光性を弱める
傾向があるので、適さない場合もある）を混合することが好ましい。具体的な例
としては、ＣｓＦ、ＭｇＦ、ＣａＦ、ＬｉＯおよびＣａＯが挙げられる。ＣｓＦ
、ＭｇＦ、ＣａＦ、ＬｉＯおよびＣａＯは、Ａｌとともに蒸着するようにしても
よいし、Ａｌを含有するターゲットからスパッタするようにしてもよい。いずれ
の場合においても、導電体（Ａｌ）と絶縁体であるフッ化物および酸化物の比は
、実験によって簡単に求めることができるが、上述したＬｉＦ：Ａｌ系と同様に
なると考えられる。反射率が低い、または非反射性材料、すなわち、カソードを
作製する別の方法は、仕事関数が低い材料を炭素とともに蒸着やスパッタするこ
とである。仕事関数が低い材料の例としてはＣａ、Ｌｉ等や、上記したフッ化物
および酸化物が挙げられる。
【００３５】 図６は別の代替的なデバイスを示す平面図であり、図７はその断面図である。
このデバイスは、アノード電極６０と、正孔輸送層６２と、カソード電極６３と
、発光層６４と、分布型ブラッグ反射層（ＤＢＲ）６５とを有する。ＤＢＲは、
発光層上における視聴者側とは反対側に位置する。カソード６３の大部分（６６
）は、ＤＢＲ上における視聴者側とは反対側に位置する。電荷がカソードを通過
して発光領域に達するようにするため、ＤＢＲにカソードバイアス６７が設けら
れる。このバイアスがデバイスにおいて占める領域は比較的小さく、例えば、約
５％〜１５％である。発光層への電荷の注入を均一にするために、充分に薄くて
透明な別の層６８がＤＢＲと発光領域との間に設けられている。ＤＢＲが導電性
を有する場合、バイアスの間隔が密になっている場合、または、電荷の均一性が
別の何らかの方法によって達成される場合であれば、層６８を設けなくともよい
。バイアスの網目状構造（図６参照）は、シャドウマスクを用いて成膜すること
によって形成することができる。
このデバイスは、アノード電極６０と、正孔輸送層６２と、カソード電極６３と
、発光層６４と、分布型ブラッグ反射層（ＤＢＲ）６５とを有する。ＤＢＲは、
発光層上における視聴者側とは反対側に位置する。カソード６３の大部分（６６
）は、ＤＢＲ上における視聴者側とは反対側に位置する。電荷がカソードを通過
して発光領域に達するようにするため、ＤＢＲにカソードバイアス６７が設けら
れる。このバイアスがデバイスにおいて占める領域は比較的小さく、例えば、約
５％〜１５％である。発光層への電荷の注入を均一にするために、充分に薄くて
透明な別の層６８がＤＢＲと発光領域との間に設けられている。ＤＢＲが導電性
を有する場合、バイアスの間隔が密になっている場合、または、電荷の均一性が
別の何らかの方法によって達成される場合であれば、層６８を設けなくともよい
。バイアスの網目状構造（図６参照）は、シャドウマスクを用いて成膜すること
によって形成することができる。
【００３６】 ＤＢＲは、反射率の高い誘電体と反射率の低い誘電体（光透過性材料）とが、
規則的かつ交互に配置する積層体であり、特定の波長での反射に適したブラッグ
の条件が実現するように構成されている。ブラッグの条件は、誘電積層体におけ
る周期性の光路長が半波長に相当するときに生じ、ＤＢＲ積層体が以下の式に従
っているときに、反射率がより最適化される。
規則的かつ交互に配置する積層体であり、特定の波長での反射に適したブラッグ
の条件が実現するように構成されている。ブラッグの条件は、誘電積層体におけ
る周期性の光路長が半波長に相当するときに生じ、ＤＢＲ積層体が以下の式に従
っているときに、反射率がより最適化される。
【００３７】 １／２λ＝ｎ1ｄ1＋ｎ2ｄ2 上記式において、ｎ1およびｎ2はそれぞれ屈折率であり、ｄ1およびｄ2は対応
する成分のＤＢＲ内での膜厚であり、λは所望の反射波長である。図８は、波長
に対する反射率を示すグラフであり、反射率は、波長がそのように最適化されて
いるときにピークとなり、他の波長の場合にはかなり低くなる。
する成分のＤＢＲ内での膜厚であり、λは所望の反射波長である。図８は、波長
に対する反射率を示すグラフであり、反射率は、波長がそのように最適化されて
いるときにピークとなり、他の波長の場合にはかなり低くなる。
【００３８】 図６および図７のデバイスにおいて、ＤＢＲは、発光層の発光波長（または、
発光主波長）がＤＢＲの反射率のピークの範囲内となるように配置される。最も
好適には、ＤＢＲは、発光層の発光波長が、ＤＢＲの反射率が最大に（概ね最大
に）なるような範囲に配置される。このようにして、ＤＢＲによってデバイスの
効率をさほど低下させることなくコントラストを向上させることができるという
効果が得られる。発光層から後方に発せられた光は、ＤＢＲによって効率的に（
例えば、約９５％〜１００％の反射率で）視聴者に向かって反射する。入射光の
波長が、発光層の発光波長または発光層の発光波長の近傍波長でない場合、すな
わち、入射光の波長が、ＤＢＲの反射率がピークとなる範囲外である場合、この
入射光の反射はかなり少なくなり（例えば、約５％〜１０％）ＤＢＲによって吸
収されてしまうため、デバイスのコントラストが向上する。さらに、ＤＢＲのピ
ーク反射率によって、デバイスから発せられる光の色の純度が高められる。
発光主波長）がＤＢＲの反射率のピークの範囲内となるように配置される。最も
好適には、ＤＢＲは、発光層の発光波長が、ＤＢＲの反射率が最大に（概ね最大
に）なるような範囲に配置される。このようにして、ＤＢＲによってデバイスの
効率をさほど低下させることなくコントラストを向上させることができるという
効果が得られる。発光層から後方に発せられた光は、ＤＢＲによって効率的に（
例えば、約９５％〜１００％の反射率で）視聴者に向かって反射する。入射光の
波長が、発光層の発光波長または発光層の発光波長の近傍波長でない場合、すな
わち、入射光の波長が、ＤＢＲの反射率がピークとなる範囲外である場合、この
入射光の反射はかなり少なくなり（例えば、約５％〜１０％）ＤＢＲによって吸
収されてしまうため、デバイスのコントラストが向上する。さらに、ＤＢＲのピ
ーク反射率によって、デバイスから発せられる光の色の純度が高められる。
【００３９】 バイアスは、ある範囲の波長に対しては反射性を有するようにしてもよい。従
って、バイアスによって占有される領域の割合を最小にするのが好ましい。その
割合は、例えば１５％未満であり、好ましくは１０％未満である。
って、バイアスによって占有される領域の割合を最小にするのが好ましい。その
割合は、例えば１５％未満であり、好ましくは１０％未満である。
【００４０】 次に、上述したデバイスの変形例について説明する。どのようなデバイスであ
っても、発光層と電極（一方または両方の電極）との間に一つ以上の電荷輸送層
（例えば、層１５、７０、７１）を形成することにより、各電極と発光層との電
荷の輸送を支援するとともに逆方向への電荷の輸送が抑制されるようにしてもよ
い。上述した原理は、他の種類の有機または無機のディスプレイディバイスにも
適用可能である。別の具体例の１つは、例えば、「有機ＥＬダイオード」（C．W
．Tang and S．A．VanSlyke，Appl．Phys．Lett．51，913-915 (1987)）に記載
されているような、発光用の昇華性分子膜を用いるタイプのディスプレイデバイ
スである。電極の配置を逆にして、カソードがディスプレイの前面（視聴者に近
い側）に配置させ、アノードを後方に配置させるようにしてもよい。デバイス性
能が低下する可能性があるが、本明細書中で説明したものとは別の材料、または
別の種類の材料を用いるようにしてもよい。
っても、発光層と電極（一方または両方の電極）との間に一つ以上の電荷輸送層
（例えば、層１５、７０、７１）を形成することにより、各電極と発光層との電
荷の輸送を支援するとともに逆方向への電荷の輸送が抑制されるようにしてもよ
い。上述した原理は、他の種類の有機または無機のディスプレイディバイスにも
適用可能である。別の具体例の１つは、例えば、「有機ＥＬダイオード」（C．W
．Tang and S．A．VanSlyke，Appl．Phys．Lett．51，913-915 (1987)）に記載
されているような、発光用の昇華性分子膜を用いるタイプのディスプレイデバイ
スである。電極の配置を逆にして、カソードがディスプレイの前面（視聴者に近
い側）に配置させ、アノードを後方に配置させるようにしてもよい。デバイス性
能が低下する可能性があるが、本明細書中で説明したものとは別の材料、または
別の種類の材料を用いるようにしてもよい。
【００４１】 本発明は、明示的、暗示的または一般的な態様として本明細書中に開示された
如何なる特徴または特徴の組み合わせをも包含し得るものであり、特許請求の範
囲を限定するものではない。上記の開示内容に鑑み、当業者であれば、本発明の
範囲内で種々の改変を行うことができることが理解されよう。
如何なる特徴または特徴の組み合わせをも包含し得るものであり、特許請求の範
囲を限定するものではない。上記の開示内容に鑑み、当業者であれば、本発明の
範囲内で種々の改変を行うことができることが理解されよう。
【図１】 代表的な有機発光デバイス（ＯＬＥＤ）の断面構造を示す図である。
【図２】 第１のデバイスの断面図である。
【図３】 第２のデバイスの平面図である。
【図４】 図３のデバイスのＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【図５】 第３のデバイスの断面図である。
【図６】 第４のデバイスの平面図である。
【図７】 第４のデバイスの断面図である。
【図８】 波長に対するＤＢＲの反射率を示すグラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｂ 33/26 Ｈ０５Ｂ 33/26 Ｚ (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＡＴ，ＡＵ，Ｂ Ｒ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ ，ＧＢ，ＩＬ，ＩＮ，ＪＰ，ＫＲ，ＬＵ，ＭＸ，ＰＴ， ＲＵ，ＳＥ，ＳＧ，ＵＳ (72)発明者 ブラッフズ、ジェレミー、ヘンリー イギリス国、ケンブリッジ シービー３ ０エイチジェイ、マディングリー ロー ド、マディングリー ライズ、グリーンウ ィッチ ハウス、ケンブリッジ ディスプ レイ テクノロジー リミテッド内 (72)発明者 カーター、ジュリアン、チャールズ イギリス国、ケンブリッジ シービー３ ０エイチジェイ、マディングリー ロー ド、マディングリー ライズ、グリーンウ ィッチ ハウス、ケンブリッジ ディスプ レイ テクノロジー リミテッド内 (72)発明者 ヒークス、ステファン、カール イギリス国、ケンブリッジ シービー３ ０エイチジェイ、マディングリー ロー ド、マディングリー ライズ、グリーンウ ィッチ ハウス、ケンブリッジ ディスプ レイ テクノロジー リミテッド内 Ｆターム(参考） 3K007 AB04 AB17 BA06 BB01 CA01 CB01 CB02 CB03 CB04 CC01 CC02 DA01 DB03 EA04 EB00 5C094 AA15 BA03 BA27 CA19 EA04 EA07
Claims (36)
- 【請求項１】 発光領域と、 前記発光領域における視聴者側に配置されて第１のタイプの電荷担体を注入す
る第１の電極と、 前記発光領域における視聴者側とは反対側に配置されて第２のタイプの電荷担
体を注入する第２の電極とを備える発光デバイスであって、 前記発光領域における視聴者側とは反対側にグラファイトおよび／または仕事
関数が低い金属のフッ化物もしくは酸化物からなる光吸収層を含む反射率調整構
造体が配置されていることを特徴とする発光デバイス。 - 【請求項２】 請求項１記載の発光デバイスにおいて、前記第１の電極が少なくとも部分的に
光透過性を有することを特徴とする発光デバイス。 - 【請求項３】 請求項１または２記載の発光デバイスにおいて、前記反射率調整構造体が、前
記第２の電極上で、前記発光領域とは反対側に配置されることを特徴とする発光
デバイス。 - 【請求項４】 請求項３記載の発光デバイスにおいて、前記第２の電極が少なくとも部分的に
光透過性を有することを特徴とする発光デバイス。 - 【請求項５】 請求項３または４記載の発光デバイスにおいて、前記第２の電極の厚みが３０
ｎｍ未満であることを特徴とする発光デバイス。 - 【請求項６】 請求項３〜５のいずれか１項に記載の発光デバイスにおいて、前記反射率調整
構造体が、前記第２の電極に隣接していることを特徴とする発光デバイス。 - 【請求項７】 請求項１または２記載の発光デバイスにおいて、前記第２の電極が前記反射率
調整構造体の機能を有することを特徴とする発光デバイス。 - 【請求項８】 請求項７記載の発光デバイスにおいて、前記第２の電極が低い仕事関数を有す
る金属のフッ化物または酸化物からなることを特徴とする発光デバイス。 - 【請求項９】 請求項８記載の発光デバイスにおいて、前記第２の電極がアルミニウムを含む
ことを特徴とする発光デバイス。 - 【請求項１０】 請求項１〜９のいずれか１項に記載の発光デバイスにおいて、前記反射率調整
構造体は、前記発光領域から発せられて前記第２の電極を通過して到達した光お
よび／または入射光を吸収する機能を有することを特徴とする発光デバイス。 - 【請求項１１】 請求項６に直接的または間接的に従属する請求項７〜１０のいずれか１項に記
載の発光デバイスにおいて、前記反射率調整構造体が前記第２の電極に隣接する
ことにより、前記第２の電極が前記発光領域から発せられた光および／または入
射光に対して実質的に非反射性となっていることを特徴とする発光デバイス。 - 【請求項１２】 請求項１〜１１のいずれか１項に記載の発光デバイスにおいて、前記第２の電
極が導電性材料からなることを特徴とする発光デバイス。 - 【請求項１３】 請求項１〜１２のいずれか１項に記載の発光デバイスにおいて、前記発光層が
有機発光材料からなることを特徴とする発光デバイス。 - 【請求項１４】 請求項１〜１３のいずれか１項に記載の発光デバイスにおいて、前記発光層が
高分子発光材料からなることを特徴とする発光デバイス。 - 【請求項１５】 請求項１〜１４のいずれか１項に記載の発光デバイスにおいて、前記発光層が
共役高分子材料からなることを特徴とする発光デバイス。 - 【請求項１６】 請求項１〜１５のいずれか１項に記載の発光デバイスにおいて、前記反射率調
整層が導電性を有することを特徴とする発光デバイス。 - 【請求項１７】 発光領域と、 前記発光領域における視聴者側に配置されて第１のタイプの電荷担体を注入す
る第１の電極と、 前記発光領域における視聴者側とは反対側に配置されて第２のタイプの電荷担
体を注入する第２の電極とを備える発光デバイスであって、 前記発光領域における視聴者側とは反対側に反射率調整構造体が配置され、 さらに、 光反射層と、 前記第２の電極と前記光反射層との間に配置された光透過性のスペーサ層とを
備え、 前記スペーサ層は、前記光反射層の反射面を、少なくとも前記発光領域の一部
から前記デバイスの光学的モードの約半波長だけ離間させるような厚みであるこ
とを特徴とする発光デバイス。 - 【請求項１８】 請求項１７記載の発光デバイスにおいて、前記発光領域の前記一部において、
デバイスの動作中に、電子と正孔との再結合が活発に行われることを特徴とする
発光デバイス。 - 【請求項１９】 請求項１８記載の発光デバイスにおいて、前記発光領域の前記一部が、電子と
正孔とが再結合する主領域であることを特徴とする発光デバイス。 - 【請求項２０】 請求項１７〜１９のいずれか１項に記載の発光デバイスにおいて、前記光反射
層の前記面は、前記発光領域に近い側の前記光反射層の主面であることを特徴と
する発光デバイス。 - 【請求項２１】 請求項１７〜２０のいずれか１項に記載の発光デバイスにおいて、前記第２の
電極が導電性を有することを特徴とする発光デバイス。 - 【請求項２２】 請求項１７〜２１のいずれか１項に記載の発光デバイスにおいて、前記発光層
が有機発光材料からなることを特徴とする発光デバイス。 - 【請求項２３】 請求項１７〜２２のいずれか１項に記載の発光デバイスにおいて、前記発光層
が高分子発光材料からなることを特徴とする発光デバイス。 - 【請求項２４】 請求項１７〜２３のいずれか１項に記載の発光デバイスにおいて、前記発光層
が共役高分子材料からなることを特徴とする発光デバイス。 - 【請求項２５】 請求項１７〜２４のいずれか１項に記載の発光デバイスにおいて、前記反射調
整層が導電性を有することを特徴とする発光デバイス。 - 【請求項２６】 発光領域と、 前記発光領域における視聴者側に配置されて第１のタイプの電荷担体を注入す
る第１の電極と、 前記発光領域における視聴者側とは反対側に配置されて第２のタイプの電荷担
体を注入する第２の電極とを備える発光デバイスであって、 異なる波長の入射光に対して異なる反射率を有するとともに、その反射率ピー
クが前記発光領域の発光波長を包含する反射構造体を含むコントラスト向上構造
体が前記発光領域における視聴者側とは反対側に配置されることを特徴とする発
光デバイス。 - 【請求項２７】 請求項２６記載の発光デバイスにおいて、前記反射構造体が分布型ブラッグ反
射体であることを特徴とする発光デバイス。 - 【請求項２８】 請求項２６または２７記載の発光デバイスにおいて、前記第２の電極が前記反
射構造体における視聴者側とは反対側に配置された層を有し、さらに、該層と前
記発光領域との間を導電させるために前記反射構造体を通過する複数のスルーパ
スを有することを特徴とする発光デバイス。 - 【請求項２９】 請求項２８記載の発光デバイスにおいて、前記スルーパスの占有する領域が前
記デバイスの発光領域の１５％未満であることを特徴とする発光デバイス。 - 【請求項３０】 請求項２６〜２９のいずれか１項に記載の発光デバイスにおいて、カソードが
前記反射構造体と前記発光領域との間に介装された透明層を有することを特徴と
する発光デバイス。 - 【請求項３１】 請求項２８または２９に従属する請求項３０記載の発光デバイスにおいて、前
記透明層が前記スルーパスに接触していることを特徴とする発光デバイス。 - 【請求項３２】 請求項２６〜３１のいずれか１項に記載の発光デバイスにおいて、前記第２の
電極が導電性材料からなることを特徴とする発光デバイス。 - 【請求項３３】 請求項２６〜３２のいずれか１項に記載の発光デバイスにおいて、前記発光層
が有機発光材料からなることを特徴とする発光デバイス。 - 【請求項３４】 請求項２６〜３３のいずれか１項に記載の発光デバイスにおいて、前記発光層
が高分子発光材料からなることを特徴とする発光デバイス。 - 【請求項３５】 請求項２６〜３４のいずれか１項に記載の発光デバイスにおいて、前記発光層
が共役高分子材料からなることを特徴とする発光デバイス。 - 【請求項３６】 添付の図２〜図８を参照して本明細書中で実質的に開示した発光デバイス。
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|---|---|---|---|
| GBGB9827014.3A GB9827014D0 (en) | 1998-12-08 | 1998-12-08 | Display devices |
| GB9827014.3 | 1998-12-08 | ||
| GBGB9901334.4A GB9901334D0 (en) | 1998-12-08 | 1999-01-21 | Display devices |
| GB9901334.4 | 1999-01-21 | ||
| PCT/GB1999/004050 WO2000035028A1 (en) | 1998-12-08 | 1999-12-07 | Display devices |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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Family
ID=26314805
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000587391A Pending JP2002532830A (ja) | 1998-12-08 | 1999-12-07 | ディスプレイデバイス |
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| Country | Link |
|---|---|
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| AU (1) | AU1573500A (ja) |
| CA (1) | CA2354139C (ja) |
| GB (1) | GB9901334D0 (ja) |
| HK (1) | HK1044223B (ja) |
| WO (1) | WO2000035028A1 (ja) |
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