JP2003340244A - 排気浄化装置 - Google Patents

排気浄化装置

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JP2003340244A JP2002155198A JP2002155198A JP2003340244A JP 2003340244 A JP2003340244 A JP 2003340244A JP 2002155198 A JP2002155198 A JP 2002155198A JP 2002155198 A JP2002155198 A JP 2002155198A JP 2003340244 A JP2003340244 A JP 2003340244A
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  • Exhaust Gas Treatment By Means Of Catalyst (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 HC吸着剤を用いたエンジン排気浄化装置に
おいて、エンジンの冷間始動後に三元触媒が活性温度に
達する前にHC吸着剤からHC脱離が開始されるため始
動後に排出されやすいHCを十分に浄化することができ
なかった。 【解決手段】 HC吸着剤と触媒金属とを担持させた複
数の担体21a〜21dを、ガス流れ方向に隙間gを空
けて配設し、最上流に位置する担体21aの長さをその
下流のものに比較して小とする。隙間gはその前後で隣
接する担体間の伝熱を遮断し、下流への熱伝導を抑制す
るので下流側では担体の温度上昇が遅くなり、HCの捕
捉量が増大すると共に触媒金属の温度上昇量が大きくな
り、HC脱離時の処理効率が向上する。担体のセルに進
入した排ガスは隙間部分で乱れを発生し排ガスがHC吸
着剤に接触する機会を増やすのでHCトラップ性能が向
上する。これにより排気浄化装置の小型化をも図れる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は主としてエンジンの
排気浄化に適用される排気浄化装置に関し、特にHCト
ラップ機能を有する排気浄化装置の改良に関する。
【0002】
【従来の技術と解決すべき課題】三元触媒を備えた排気
浄化システムではエンジン冷間運転時のHCの処理が課
題となっている。触媒が活性温度に達するまでは低温条
件下での燃焼時に排出されやすいHCを十分に浄化でき
ないからである。この問題に対応するものとして、特開
平11−324662号公報には、HC吸着剤を担持し
担体と三元触媒を担持した担体とをガス流れ方向に交互
に複数個配置した排気浄化装置が提案されている。HC
吸着剤は排気ガス中のHCを一時的に捕捉しておく機能
を持っており、捕捉されたHCは温度上昇に伴い吸着剤
から脱離する。そこで前記排気浄化装置では、三元触媒
に隣接して設けたHC吸着剤により、三元触媒が活性温
度に達するまでのHCの排出を抑制している。しかしな
がら、捕捉されたHCが吸着剤から脱離を開始する温度
に達しても、この時点では下流側の三元触媒がまだ十分
に活性化していないため、HCの排出を抑制する効果は
十分ではない。また、HCトラップと三元触媒とを交互
に配置した構造であるので、所要のHCトラップ性能を
確保しようとすると装置が大型化してしまうという問題
もある。
【0003】本発明の目的は、エンジン冷間運転時にお
いてもHCの排出を確実に抑制することのできる小型の
排気浄化装置を提供することである。
【0004】
【発明の概要】本発明では、HC吸着剤と触媒金属とを
担持させた複数の担体を、ガス流れ方向に隙間を空けて
配設する。
【0005】それぞれがHCトラップおよび触媒機能を
備えた複数の担体を隙間を空けて配設した構成において
は、担体間の隙間がその前後で担体内の伝熱を遮断する
作用を有するため、隙間よりも下流への熱伝導が抑制さ
れ触媒担体全体として温度上昇が遅くなる。すなわちH
Cが脱離するまでの時間が長くなるので、それだけ下流
側担体でのHCの捕捉量を増大させることができる。一
方、その間に触媒金属の温度が上昇して転化率が高くな
るので、HC脱離時の処理効率も向上する。また、担体
間に隙間を設けるとこの隙間部分でガス流れに乱れを生
じる。この乱れは、排気ガスがHC吸着剤に接触する機
会を増やすのでそれだけHCトラップ性能を向上させ
る。
【0006】隙間を持たない連続したセル構造の触媒で
は、触媒担体の断面上でガスの流量分布および昇温性に
偏りがあり、言い換えればセル毎にHCトラップ性能や
転化率に偏りを生じるため排気浄化装置が本来有してい
る性能を使いきることは難しい。これに対して隙間を設
けた構成では前記乱流作用により担体の断面方向でのガ
ス流量分布を均一化できるので制御性が向上し、排気浄
化装置本来の性能を十分に発揮させることが可能とな
る。
【0007】他方、前述のようにしてHC吸着剤および
触媒金属の作用が促進されることから、所要の能力を有
する排気浄化装置をより小型化することが可能となる。
【0008】担体または隙間は多数を設けることにより
前記効果をより高めることができ、また詳しくは実施形
態として後述するが、複数の担体のガス流れ方向の寸法
や、担体に担持させる触媒金属またはHC吸着剤の分
布、層構造の設定に応じて固有の有益な特性を与えるこ
とができる。
【0009】
【発明の実施の形態】図1は本発明による排気浄化装置
を適用したエンジンシステムの一例を示している。図に
おいて1はエンジン、2はその吸気通路、3は排気通路
である。4は排気通路3から排気ガスの一部を吸気通路
2へと還流させるEGR通路、5は前記排気還流量を制
御するEGR制御弁である。7は燃料噴射弁、8は点火
プラグである。
【0010】9〜11は排気通路3に介装された排気浄
化装置である。これら3個の排気浄化装置9〜11は、
基本的にはCO,HCの酸化機能とNOxの還元機能を
併有する三元触媒であり、これらのうち何れかまたは全
部はゼオライト等のHC吸着剤によりHCを一時的に捕
捉しておく機能を備えたHCトラップ触媒として構成さ
れている。
【0011】12と13はそれぞれ最上流の排気浄化装
置9の上流と下流にて排気ガスの空燃比もしくは酸素濃
度を検出する排気ガスセンサ、14は中段の排気浄化装
置10の触媒温度を検出する温度センサである。
【0012】15はエンジン回転速度や吸入空気量など
の運転状態信号に基づいて空燃比および点火時期などを
制御するコントローラであり、CPUおよびその周辺装
置からなるマイクロコンピュータにより構成されてい
る。
【0013】図2に、前記排気浄化装置9〜11および
その内部に収容される担体の詳細を示す。本発明では、
基本的には図2に示したように排気のガス流れ方向(矢
印方向)に沿って複数、この場合4個のセラミクス製ハ
ニカム状担体21a〜21dを配設する。各担体21a
〜21dはその長さが上流側に位置するものほど小とな
るように設定してあり、また各々の間には隙間g(g1
〜g3)を設けている。各担体21a〜21dには、図
4に示したように、それぞれのセル24の表面にゼオラ
イトなどのHC吸着剤を含むHCトラップ層25と、P
t、Rh、Pd等の触媒金属を含む触媒金属層26とを
コーティングにより形成してある。
【0014】図中の34は触媒容器、35はセラミクス
ファイバーあるいはアルミナファイバーなどからなる耐
熱マットである。担体21a〜21dはその外周部に巻
回した耐熱マット35を介して触媒容器34内に固定し
てある。この実施形態では、隙間gの周縁部を担体21
と同一の線膨張係数を有するリング状の充填材36で埋
めてある。このように充填材36を設けることにより、
隙間gを一定に維持できると共に、隙間gを抜けてきた
排気によりマット35が風蝕されて摩耗する不具合を防
止することができる。また、担体21と同一の線膨張係
数を有する充填材36を用いることにより、担体21の
強度を確保できる。
【0015】前記構成を有する排気浄化装置により次の
ような効果が得られる。エンジン始動直後は未着火燃料
や不完全燃焼により定常アイドル運転時に比較すると多
くのHCが燃焼室から排出される。このHCは大部分が
排気浄化装置のHCトラップ層25に捕捉され、その後
HCトラップ層25の温度が150℃程度に達すると捕
捉されたHCがHCトラップ層25から脱離を開始す
る。このとき排気に直接晒される触媒金属層26が30
0℃程度の活性温度に達していれば脱離したHCは触媒
反応により酸化処理される。
【0016】本発明では、複数の担体21a〜21dを
隙間gを空けて配設したことにより、担体間の伝熱が抑
制されるため、一体構造の担体に比較して装置全体の温
度上昇が遅れ、それだけHCトラップ層25がHC脱離
温度に達するまでの時間も長くなる。このことは担体に
捕捉されるHC量を増大させるとともにHC脱離が開始
されるまでの触媒金属層26の温度上昇量を大きくする
のでHCの浄化性能も向上する。また、隙間gの部分を
排気ガスが通過するときの乱流の作用によりセル表面の
HC吸着剤がより有効に利用されるので、HCを捕捉す
る性能自体も一体構造のものより向上する。また、この
ようにHCの捕捉性能および触媒の転化効率が高められ
ることにより、排気浄化装置を小型化することができ
る。
【0017】特に、図4のようにセル24の下層側にH
Cトラップ層25を、上層側に触媒金属層26をそれぞ
れ積層した構成においては、隙間gを設けたことによ
り、HCトラップ層25がHC脱離温度に達するまでの
時間を長くし、HC脱離が開始されるまでの触媒金属層
26の温度上昇量を大きくし、さらに前記乱流の作用に
よりHCトラップ層25へのHC捕捉効果を確保しつ
つ、触媒金属層26の活性を均一にできるので高い浄化
性能が発揮される。触媒金属層26で生じる反応熱は既
述したように隙間gにより下流側への伝達が抑制される
ので、下流側HCトラップ層25の温度上昇が遅くなり
HC捕捉性能が向上する。触媒金属層26は隙間gで仕
切られた担体ブロック毎の熱容量が小さいので排気ガス
の流入に伴い上流側から順に活性化しHC脱離時の浄化
性能を向上させる。
【0018】複数の担体21a〜21dはそれぞれの長
さを等しく設定してもよいが、この実施形態のように上
流側のものほど短い構成とした場合には、前述した担体
内の熱伝導の抑制とガスの乱流化をそれだけ上流側で行
わせて、HCトラップ性能および転化効率をより高める
ことができる。また、上流側担体の熱容量が比較的小さ
くなり昇温しやすくなるので、上流側での触媒の早期活
性が促される。このような作用は、例えば上流側担体の
セル数を少なくしたりHCトラップ層25の厚さを小さ
くしたりすることなどによって担体の熱容量を小さくす
ることによっても得られる。
【0019】担体および隙間を設ける数は、ガス流の乱
流化と伝熱の抑制という観点からは多くした方が有効で
ある。担体間の伝熱が隙間gにより抑制される作用はメ
タル担体であっても期待できるが、セラミクス担体はゼ
オライト等のHC吸着剤との相性が良く、コーティング
の強度が高いという利点がある。
【0020】HCの捕捉量を増やすためにHC吸着剤の
担持量を増やすとセルの通路面積が小さくなりそれだけ
排気抵抗が増大してしまう。この点、本発明では前述し
た乱流化および熱伝導抑制の効果によりHCトラップ性
能が向上するのでセル密度を下げて排気抵抗の軽減を図
ることも可能である。具体的には一般的な三元触媒のセ
ル密度が900以上であるのに対して、本発明では30
0以下、少なくとも600以下にすることが可能であ
る。前記セル密度の単位は担体横断面の面積1平方イン
チあたりのセル数であり、当業者による取引上の常用単
位である。また、HC吸着剤の担持量は、例えばセル密
度が300のとき350程度、セル密度が600のとき
250程度とする。前記担持量の単位は触媒担体の見か
け上の容積1立方フィートあたりのグラム数であり、当
業者による取引上の常用単位である。
【0021】図3に、3個以上の担体を有する構成につ
いての他の実施形態を示す。この場合、6個の担体21
a〜21fのうち、最上流に位置する担体21aの長さ
をその下流側の担体21bよりも小さくすると共に、最
下流に位置する担体21fの長さをその上流側の担体2
1eよりも小さくしている。担体21fはその長さを小
さくする代わりに、上流側担体21eや21dに比較し
て熱容量を小さく設定したものとしてもよい。この実施
形態によれば、最下流の担体21fが昇温しやすくなる
ので、担体下流部の温度が上昇しにくい特性を示す場合
に、その昇温を促して転化効率を高められる。
【0022】前記構成において、複数の担体のうちの下
流側に位置するもの、例えば図2の担体21d、図4の
担体21e〜21fについて、そのHC吸着剤または触
媒金属の何れか一方または両方の担持量(重量または密
度)を上流側の担体に比較して大きくした構成をとして
もよい。前記隙間gの断熱作用により下流側の担体ほど
昇温しにくくなるので、下流側担体のHC吸着剤の担持
量を増やすことによりそれだけHC捕捉量を効率的に増
大させられると共に、HCの脱離タイミングを触媒活性
化のタイミングに合致するように遅らせることができ
る。一方、担体の低温下により触媒金属については転化
効率が低下傾向となるが、これは触媒金属の担持量を増
やすことで補うことができる。
【0023】図5〜図8は、HC吸着剤および触媒金属
の層構造に関する他の実施形態である。図5は、HCト
ラップ層25に隣接してアルミナ等からなる断熱層29
を均一な厚さに形成した実施形態である。断熱層29に
より、触媒金属層26からHCトラップ層25への伝熱
量を低減できるので、触媒金属層26の昇温を早めつつ
HCトラップ量を増大して、浄化性能より向上させるこ
とができる。
【0024】前記断熱層29を、図6に示したようにそ
の厚さが担体上流部ほど大となるように形成することに
より、排気熱と触媒反応とで昇温しやすい上流側HCト
ラップ層の温度上昇を抑制してHCトラップ性能をより
高めることができる。
【0025】図7は断熱層29を担体上流側にて触媒金
属層26の表面に近接するように形成した実施形態であ
る。この実施形態によれば、昇温の比較的早い上流部で
のHCトラップ層25の熱容量を増大させて昇温を遅ら
せ、HCトラップ性能を高めることができる。
【0026】図8は断熱層29を下流側にて担体表面に
近接するように形成した実施形態である。この実施形態
によれば、昇温の比較的遅い下流部での触媒金属層26
の活性を早めて、HCトラップ性能とHC脱離後の浄化
性能の向上という相反する性能をさらに改善することが
できる。
【0027】前記図4〜図8の構成において、HCトラ
ップ層25または触媒金属層26を互いに特性が異なる
複数の層から構成するようにしてもよい。例えば、触媒
金属層26については、表層側にPdを適用した場合に
は、深層側にはPd−Rh系、またはPt−Rh系、ま
たは比較的低密度のPd層とする。担体やHC吸着剤の
特性による昇温性に応じてHC脱離タイミングまたは触
媒金属の活性タイミングをより適切に制御することが可
能となる。
【0028】なお、以上の各図は隙間の形成態様や排気
浄化装置の構造を説明するための図面であり、隙間の
幅、ピッチなどは説明の便宜のために実際とは異なる寸
法または比率で描いてある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による排気浄化装置を適用したエンジン
システムの一例を示す概略構成図。
【図2】本発明による排気浄化装置の一実施形態の縦断
面図。
【図3】担体配列に関する他の実施形態の側面図。
【図4】前記担体のセル部詳細断面図。
【図5】担体に関する他の実施形態のセル部詳細断面
図。
【図6】担体に関する他の実施形態のセル部詳細断面
図。
【図7】担体に関する他の実施形態のセル部詳細断面
図。
【図8】担体に関する他の実施形態のセル部詳細断面
図。
【符号の説明】
1 エンジン 2 吸気通路 3 排気通路 9〜11 排気浄化装置 21a〜21e ハニカム状担体 24 セル 25 HCトラップ層 26 触媒金属層 29 断熱層 34 触媒容器 g 隙間
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) F01N 3/28 F01N 3/28 301Q B01D 53/36 103B 101A (72)発明者 三石 俊一 神奈川県横浜市神奈川区宝町2番地 日産 自動車株式会社内 (72)発明者 鵜篭 芳直 神奈川県横浜市神奈川区宝町2番地 日産 自動車株式会社内 Fターム(参考) 3G091 AA11 AA17 AA28 AB03 AB10 BA03 BA14 BA15 BA19 BA39 CB02 DA01 DA02 DC01 EA01 EA03 EA05 EA18 EA34 FA02 FA04 FA12 FA13 FB02 FB10 FB11 FB12 FC07 GA05 GA06 GA19 GB01X GB05W GB06W GB07W GB09Y GB10X GB17X HA07 HA12 HA18 HA32 HA36 HA37 HA39 HA42 HA47 HB05 4D048 AA06 AA13 AA18 AB05 BA10X BA11X BA30X BA31X BA33X BB02 BB16 CA01 CC04 CC05 CC32 CC36 CC45 CC46 CC49 CC55 EA04

Claims (19)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】HC吸着剤と触媒金属とを担持させた複数
    の担体を、ガス流れ方向に隙間を空けて配設したことを
    特徴とする排気浄化装置。
  2. 【請求項2】前記複数の担体のうち、最上流に位置する
    ものの長さをその下流に位置するものに比較して小とし
    た請求項1に記載の排気浄化装置。
  3. 【請求項3】前記複数の担体のうち、最上流に位置する
    ものの熱容量をその下流に位置するものに比較して小と
    した請求項1に記載の排気浄化装置。
  4. 【請求項4】前記担体を3個以上備え、かつ最下流に位
    置するものの長さをその上流に位置するものに比較して
    小とした請求項2または請求項3に記載の排気浄化装
    置。
  5. 【請求項5】前記担体を3個以上備え、かつ最下流に位
    置するものの熱容量をその上流に位置するものに比較し
    て小とした請求項2または請求項3に記載の排気浄化装
    置。
  6. 【請求項6】前記複数の担体のうち、下流に位置するも
    ののHC吸着剤の担持量を上流に位置するものに比較し
    て大とした請求項1に記載の排気浄化装置。
  7. 【請求項7】前記複数の担体のうち、下流に位置するも
    のの触媒金属の担持量を上流に位置するものに比較して
    大とした請求項1に記載の排気浄化装置。
  8. 【請求項8】前記複数の担体のうち、下流に位置するも
    ののHC吸着剤と触媒金属の担持量を上流に位置するも
    のに比較して大とした請求項1に記載の排気浄化装置。
  9. 【請求項9】前記担体はセラミクスから構成した請求項
    1に記載の排気浄化装置。
  10. 【請求項10】前記HC吸着剤を含むHCトラップ層
    と、触媒金属を含む触媒金属層とを、それぞれコーティ
    ングにより積層形成した請求項1に記載の排気浄化装
    置。
  11. 【請求項11】前記HCトラップ層を下層側に、前記触
    媒金属層を上層側に形成した請求項10に記載の排気浄
    化装置。
  12. 【請求項12】前記HCトラップ層と触媒金属層との間
    に断熱層を形成した請求項10または請求項11に記載
    の排気浄化装置。
  13. 【請求項13】前記断熱層は均一な厚さに形成した請求
    項12に記載の排気浄化装置。
  14. 【請求項14】前記断熱層は、上流側の厚さを下流側に
    比較して大とした請求項12に記載の排気浄化装置。
  15. 【請求項15】前記断熱層は、上流側ほど表層に近接す
    るように形成した請求項12に記載の排気浄化装置。
  16. 【請求項16】前記断熱層は、下流側ほど担体表面に近
    接するように形成した請求項12に記載の排気浄化装
    置。
  17. 【請求項17】前記担体のセル密度は600以下である
    請求項1に記載の排気浄化装置。
  18. 【請求項18】前記複数の担体のうち、上流側に位置す
    るもののセル密度を下流側に位置するものに比較して小
    とした請求項1に記載の排気浄化装置。
  19. 【請求項19】前記HC吸着剤のコーティング量は25
    0[g/cf]以上である請求項1に記載の排気浄化装
    置。
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