JP2003338714A - 増幅装置 - Google Patents
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G3/00—Gain control in amplifiers or frequency changers
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- B25B11/00—Work holders not covered by any preceding group in the subclass, e.g. magnetic work holders, vacuum work holders
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- F16L—PIPES; JOINTS OR FITTINGS FOR PIPES; SUPPORTS FOR PIPES, CABLES OR PROTECTIVE TUBING; MEANS FOR THERMAL INSULATION IN GENERAL
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 アイソレータを用いることなくアンテナにお
いて反射波が生じても歪み特性を損なわないで、マイク
ロ波などの高周波信号を増幅する増幅装置を提供する。 【解決手段】 増幅器1の出力とアンテナ4との間に接
続された進行波用カプラ8から進行波の電力に応じた信
号を取出すとともに、反射用カップラ9から反射した電
力に応じた信号を取出し、演算回路10によって増幅器
1に供給する電圧が演算され、制御電圧Vggが増幅器
1に供給されるとともに、その演算結果に基づいて設定
された電源電圧VddがDC−DCコンバータ7から増
幅器1に供給される。
いて反射波が生じても歪み特性を損なわないで、マイク
ロ波などの高周波信号を増幅する増幅装置を提供する。 【解決手段】 増幅器1の出力とアンテナ4との間に接
続された進行波用カプラ8から進行波の電力に応じた信
号を取出すとともに、反射用カップラ9から反射した電
力に応じた信号を取出し、演算回路10によって増幅器
1に供給する電圧が演算され、制御電圧Vggが増幅器
1に供給されるとともに、その演算結果に基づいて設定
された電源電圧VddがDC−DCコンバータ7から増
幅器1に供給される。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は増幅装置に関し、
特に、携帯電話機に使用され、マイクロ波などの高周波
信号を増幅する増幅装置に関する。
特に、携帯電話機に使用され、マイクロ波などの高周波
信号を増幅する増幅装置に関する。
【0002】
【従来の技術】図15は従来の携帯電話機に使用される
電力増幅装置を示す回路図である。図15において、増
幅器1はGaAsFETやHBTなどの半導体装置によ
り構成されており、増幅器1の出力端子はアイソレータ
2の入力に接続され、増幅器1の入力端はマイクロ波入
力端子3に接続されている。アイソレータ2の出力はア
ンテナ4に接続されている。増幅器1の電圧供給端子5
には電源電圧Vddが供給され、制御電圧端子6には制
御電圧Vggが与えられている。この制御電圧Vggに
応じて増幅器1に流れる電流値が設定される。
電力増幅装置を示す回路図である。図15において、増
幅器1はGaAsFETやHBTなどの半導体装置によ
り構成されており、増幅器1の出力端子はアイソレータ
2の入力に接続され、増幅器1の入力端はマイクロ波入
力端子3に接続されている。アイソレータ2の出力はア
ンテナ4に接続されている。増幅器1の電圧供給端子5
には電源電圧Vddが供給され、制御電圧端子6には制
御電圧Vggが与えられている。この制御電圧Vggに
応じて増幅器1に流れる電流値が設定される。
【0003】マイクロ波入力端子3に電力PiのRF
(高周波)信号が印加されると、増幅器1によりそのR
F信号が増幅され、アイソレータ2を介してアンテナ4
より空中に電波が輻射されて通信が行なわれる。一般
に、電源電圧Vddは電池から供給されるため、ほぼ一
定電圧となる。
(高周波)信号が印加されると、増幅器1によりそのR
F信号が増幅され、アイソレータ2を介してアンテナ4
より空中に電波が輻射されて通信が行なわれる。一般
に、電源電圧Vddは電池から供給されるため、ほぼ一
定電圧となる。
【0004】携帯電話機などでは一般にアンテナ4の近
傍に壁や導体が位置する可能性があるため、設計値の5
0Ωのインピーダンスから外れてしまい、アンテナ4で
輻射した送信電力が増幅器1に戻ってくる場合がある。
この反射波が増幅器1まで戻ってくると、増幅器1の出
力インピーダンスが所望の50Ωから大きくずれてしま
う。これにより、一般にACP(隣接チャネル漏洩電
力)などの歪み規格を満足しなくなるため、通信チャネ
ル以外の帯域に電波を出すことになる問題を生じてい
た。これを防止するために、増幅器1とアンテナ4との
間にアイソレータ2が介挿されている。
傍に壁や導体が位置する可能性があるため、設計値の5
0Ωのインピーダンスから外れてしまい、アンテナ4で
輻射した送信電力が増幅器1に戻ってくる場合がある。
この反射波が増幅器1まで戻ってくると、増幅器1の出
力インピーダンスが所望の50Ωから大きくずれてしま
う。これにより、一般にACP(隣接チャネル漏洩電
力)などの歪み規格を満足しなくなるため、通信チャネ
ル以外の帯域に電波を出すことになる問題を生じてい
た。これを防止するために、増幅器1とアンテナ4との
間にアイソレータ2が介挿されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、アイソ
レータ2はその取付け面積が5×5mm2と大きく、小
型化の障害になっており、またアイソレータ2は磁石を
用いているため、その高さが1.7〜1.5mmと高
く、薄型化の障害にもなっていた。さらに、アイソレー
タ2で0.68dB程度の損失が生じ、効率を損なって
いるばかりでなく、アイソレータ2を設けているため
に、その分だけ高コストになるという問題があった。
レータ2はその取付け面積が5×5mm2と大きく、小
型化の障害になっており、またアイソレータ2は磁石を
用いているため、その高さが1.7〜1.5mmと高
く、薄型化の障害にもなっていた。さらに、アイソレー
タ2で0.68dB程度の損失が生じ、効率を損なって
いるばかりでなく、アイソレータ2を設けているため
に、その分だけ高コストになるという問題があった。
【0006】それゆえに、この発明の主たる目的は、ア
イソレータを用いることなく、アンテナにおいて反射波
が生じても歪み特性を損なわないで、マイクロ波などの
高周波信号を増幅できる増幅装置を提供することであ
る。
イソレータを用いることなく、アンテナにおいて反射波
が生じても歪み特性を損なわないで、マイクロ波などの
高周波信号を増幅できる増幅装置を提供することであ
る。
【0007】
【課題を解決するための手段】この発明は、アンテナに
流れる高周波信号を増幅する増幅装置であって、入力波
信号を増幅して出力波信号をアンテナに導出する増幅器
と、この増幅器の出力側のアンテナからの反射波量を検
知する反射波量検知手段と、この反射波量検知手段の検
知出力に応じて、増幅器に供給する電圧の制御を行っ
て、増幅器の動作状態を変化させる制御手段を備えたこ
とを特徴とする。
流れる高周波信号を増幅する増幅装置であって、入力波
信号を増幅して出力波信号をアンテナに導出する増幅器
と、この増幅器の出力側のアンテナからの反射波量を検
知する反射波量検知手段と、この反射波量検知手段の検
知出力に応じて、増幅器に供給する電圧の制御を行っ
て、増幅器の動作状態を変化させる制御手段を備えたこ
とを特徴とする。
【0008】また、制御手段は反射波量検知手段の検知
出力の増加に応じて、増幅器に供給される電源電圧が高
くなるように制御することを特徴とする。
出力の増加に応じて、増幅器に供給される電源電圧が高
くなるように制御することを特徴とする。
【0009】反射波量検知手段は増幅器の出力とアンテ
ナとの間に接続される方向性結合器であることを特徴と
する。
ナとの間に接続される方向性結合器であることを特徴と
する。
【0010】増幅器への供給電流を検出する供給電流検
出手段を含み、制御手段は供給電流検出手段からの電流
検出出力が大きければ、増幅器に供給される電源電圧を
低くする方向に変化させることを特徴とする。
出手段を含み、制御手段は供給電流検出手段からの電流
検出出力が大きければ、増幅器に供給される電源電圧を
低くする方向に変化させることを特徴とする。
【0011】増幅器の入力波量を検知する入力波量検知
手段を含み、制御手段は反射波量検知手段および入力波
量検知手段の各検知出力に応じて増幅器に供給される電
源電圧を変化させることを特徴とする。
手段を含み、制御手段は反射波量検知手段および入力波
量検知手段の各検知出力に応じて増幅器に供給される電
源電圧を変化させることを特徴とする。
【0012】外部から利得設定値が与えられ、増幅器の
前段に接続される可変利得増幅器を含み、制御手段は可
変利得増幅器の利得設定値に基づいて、増幅器に供給さ
れる電源電圧を変化させることを特徴とする。
前段に接続される可変利得増幅器を含み、制御手段は可
変利得増幅器の利得設定値に基づいて、増幅器に供給さ
れる電源電圧を変化させることを特徴とする。
【0013】増幅器の出力波量を検知する出力波量検知
手段を含み、制御手段は反射波量検知手段および出力波
量検知手段の各検知出力に応じて増幅器に供給される電
源電圧を変化させることを特徴とする。
手段を含み、制御手段は反射波量検知手段および出力波
量検知手段の各検知出力に応じて増幅器に供給される電
源電圧を変化させることを特徴とする。
【0014】出力波量検知手段は増幅器の出力とアンテ
ナとの間に接続される方向性結合器であることを特徴と
する。
ナとの間に接続される方向性結合器であることを特徴と
する。
【0015】増幅器の出力と反射波量検知手段との間に
接続され、可変容量コンデンサを有するフィルタ手段を
含み、制御手段は反射波量検知手段の検知出力に基づい
て、可変容量コンデンサの容量値を変化させて増幅器の
出力インピーダンスを変化させることを特徴とする。
接続され、可変容量コンデンサを有するフィルタ手段を
含み、制御手段は反射波量検知手段の検知出力に基づい
て、可変容量コンデンサの容量値を変化させて増幅器の
出力インピーダンスを変化させることを特徴とする。
【0016】制御手段は増幅器に流れる電流を設定する
ための制御電圧を制御することを特徴とする。
ための制御電圧を制御することを特徴とする。
【0017】制御手段は予め制御値を記憶するメモリテ
ーブルを含み、検知出力に応じてメモリテーブルから対
応する制御値を読み出し、電源電圧を制御するための制
御信号を出力することを特徴とする。
ーブルを含み、検知出力に応じてメモリテーブルから対
応する制御値を読み出し、電源電圧を制御するための制
御信号を出力することを特徴とする。
【0018】
【発明の実施の形態】実施の形態1.図1はこの発明の
第1の実施の形態における増幅装置を示す回路図であ
る。図1において、増幅器1の入力端はマイクロ波入力
端子3に接続されており、増幅器1の出力は出力波量検
知手段としての進行波用カップラ8と、反射波量検知手
段としての反射波用カップラ9とを介してアンテナ4に
接続されており、従来例におけるアイソレータは用いら
れていない。増幅器1の電圧供給端子5には電源コンバ
ータとしてのDC−DCコンバータ7から電源電圧Vd
dが供給され、制御電圧端子6には制御電圧Vggが与
えられている。この制御電圧Vggに応じて増幅器1に
流れる電流値が設定される。
第1の実施の形態における増幅装置を示す回路図であ
る。図1において、増幅器1の入力端はマイクロ波入力
端子3に接続されており、増幅器1の出力は出力波量検
知手段としての進行波用カップラ8と、反射波量検知手
段としての反射波用カップラ9とを介してアンテナ4に
接続されており、従来例におけるアイソレータは用いら
れていない。増幅器1の電圧供給端子5には電源コンバ
ータとしてのDC−DCコンバータ7から電源電圧Vd
dが供給され、制御電圧端子6には制御電圧Vggが与
えられている。この制御電圧Vggに応じて増幅器1に
流れる電流値が設定される。
【0019】進行波用カップラ8は進行波の電力に応じ
た信号を取出す。この信号に応じた電圧Vaがコンデン
サ11によって取出されて演算回路10に与えられる。
反射波用カップラ9はアンテナ4より反射した反射波の
電力に応じた信号を取出し、コンデンサ12により取出
された電圧Vbが演算回路10に与えられる。演算回路
10はSi−MOSFETやバイポーラトランジスタな
どにより構成され、コンデンサ11,12から与えられ
る電圧Va,Vbに応じた電圧Vcnt(=fn(V
a,Vb))を発生して、DC−DCコンバータ7に与
える。DC−DCコンバータ7はその電圧Vcntに応
じて電源電圧Vddを発生する。
た信号を取出す。この信号に応じた電圧Vaがコンデン
サ11によって取出されて演算回路10に与えられる。
反射波用カップラ9はアンテナ4より反射した反射波の
電力に応じた信号を取出し、コンデンサ12により取出
された電圧Vbが演算回路10に与えられる。演算回路
10はSi−MOSFETやバイポーラトランジスタな
どにより構成され、コンデンサ11,12から与えられ
る電圧Va,Vbに応じた電圧Vcnt(=fn(V
a,Vb))を発生して、DC−DCコンバータ7に与
える。DC−DCコンバータ7はその電圧Vcntに応
じて電源電圧Vddを発生する。
【0020】図2は図1に示した増幅器1の具体的な回
路図の一例である。図2において、マイクロ波入力端子
3に入力されたマイクロ波の入力波信号はコンデンサC
1および整合回路M1を介してFETQ1のゲートに与
えられる。コンデンサC1と整合回路M1との接続点に
は抵抗R1を介して制御電圧Vggが与えられる。FE
TQ1のドレインは整合回路M2を介してFETQ2の
ゲートに接続され、しかもこのドレインには整合回路M
4と抵抗R2とを介して電源電圧Vddが与えられる。
FETQ1のソースは接地され、FETQ2のゲートに
は整合回路M3と抵抗R3とを介して制御電圧Vggが
与えられる。
路図の一例である。図2において、マイクロ波入力端子
3に入力されたマイクロ波の入力波信号はコンデンサC
1および整合回路M1を介してFETQ1のゲートに与
えられる。コンデンサC1と整合回路M1との接続点に
は抵抗R1を介して制御電圧Vggが与えられる。FE
TQ1のドレインは整合回路M2を介してFETQ2の
ゲートに接続され、しかもこのドレインには整合回路M
4と抵抗R2とを介して電源電圧Vddが与えられる。
FETQ1のソースは接地され、FETQ2のゲートに
は整合回路M3と抵抗R3とを介して制御電圧Vggが
与えられる。
【0021】FETQ2のドレインはコンデンサC2を
介して出力端に接続され、しかもFETQ2のドレイン
には整合回路M4と抵抗R4とを介して電源電圧Vdd
が与えられる。FETQ2のソースは接地される。整合
回路M1〜M4は、たとえばインダクタとコンデンサと
抵抗とを組み合わせて構成される。このように構成され
た増幅器1は、マイクロ波入力端子3に入力された入力
波信号をFETQ1,Q2の所定の増幅率により増幅し
て出力端に導出する。
介して出力端に接続され、しかもFETQ2のドレイン
には整合回路M4と抵抗R4とを介して電源電圧Vdd
が与えられる。FETQ2のソースは接地される。整合
回路M1〜M4は、たとえばインダクタとコンデンサと
抵抗とを組み合わせて構成される。このように構成され
た増幅器1は、マイクロ波入力端子3に入力された入力
波信号をFETQ1,Q2の所定の増幅率により増幅し
て出力端に導出する。
【0022】なお、図2に示した増幅器1はFETで構
成されているが、バイポーラトランジスタで構成しても
よい。図2に示した増幅器1ではFETQ1,Q2のド
レインに電源電圧Vddが供給され、ゲートに制御電圧
Vggが与えられているが、バイポーラトランジスタで
構成した場合には、コレクタに電源電圧Vddが供給さ
れ、ベースに制御電圧Vggが供給される。
成されているが、バイポーラトランジスタで構成しても
よい。図2に示した増幅器1ではFETQ1,Q2のド
レインに電源電圧Vddが供給され、ゲートに制御電圧
Vggが与えられているが、バイポーラトランジスタで
構成した場合には、コレクタに電源電圧Vddが供給さ
れ、ベースに制御電圧Vggが供給される。
【0023】図3は図1に示した進行波用カップラ8を
構成する方向性結合器の一例を示す図である。基板上に
帯状の導電パターンL1とL2とがそれぞれ平行に配置
され、導電パターンL1の一端に入力信号が与えられ、
他端から信号が出力される。導電パターンL2の一端お
よび他端は直角に折り曲げられており、一端側の先端と
接地間に抵抗R5が接続され、他端側の先端にはコンデ
ンサC3が接続され、このコンデンサC3を介して進行
波の電力に応じた信号が取出される。
構成する方向性結合器の一例を示す図である。基板上に
帯状の導電パターンL1とL2とがそれぞれ平行に配置
され、導電パターンL1の一端に入力信号が与えられ、
他端から信号が出力される。導電パターンL2の一端お
よび他端は直角に折り曲げられており、一端側の先端と
接地間に抵抗R5が接続され、他端側の先端にはコンデ
ンサC3が接続され、このコンデンサC3を介して進行
波の電力に応じた信号が取出される。
【0024】増幅器1からの出力信号が導電パターンL
1の一端に入力されて他端から取出されると、導電パタ
ーンL2にはその進行波に応じた電力が誘起され、コン
デンサC3を介してその進行波の電力に応じた信号が取
出される。一方、アンテナ4からの反射波が導電パター
ンL1の他端から入力されて、導電パターンL2に反射
波の電力が誘起されると、その信号成分は抵抗R5を介
して接地側に流れるので、進行波の電力に基づく進行波
成分のみ取出すことができる。
1の一端に入力されて他端から取出されると、導電パタ
ーンL2にはその進行波に応じた電力が誘起され、コン
デンサC3を介してその進行波の電力に応じた信号が取
出される。一方、アンテナ4からの反射波が導電パター
ンL1の他端から入力されて、導電パターンL2に反射
波の電力が誘起されると、その信号成分は抵抗R5を介
して接地側に流れるので、進行波の電力に基づく進行波
成分のみ取出すことができる。
【0025】なお、反射波カップラ9を図3に示した方
向性結合器と同様の構成としてもよく、具体的には、反
射波カップラ9は、図3の抵抗R5とコンデンサC3の
接続を逆にして構成され、これにより、反射波の電力に
応じた信号が取出される。
向性結合器と同様の構成としてもよく、具体的には、反
射波カップラ9は、図3の抵抗R5とコンデンサC3の
接続を逆にして構成され、これにより、反射波の電力に
応じた信号が取出される。
【0026】図4は図1に示した増幅器の入力電力対出
力電力特性を示す図である。一般に、増幅器1の特性は
図4に示すように、電源電圧Vddが高い程、出力電力
が伸びる。すなわち、電源電圧Vddが高い電圧V1に
設定されている場合と、低い電圧V2に設定されている
場合とを比較すると、入力電力Pinに対する出力電力
Pout,歪み(ACP)の依存性は低い電圧V1に比
べて、高い電圧V2の方がPoutが伸び、歪み(AC
P)が劣化する入力電力Pinも伸びる。このため、同
一の出力電力Poutで比べると低い電圧V1よりも高
い電圧V2の方がACPを低くできる傾向にある。
力電力特性を示す図である。一般に、増幅器1の特性は
図4に示すように、電源電圧Vddが高い程、出力電力
が伸びる。すなわち、電源電圧Vddが高い電圧V1に
設定されている場合と、低い電圧V2に設定されている
場合とを比較すると、入力電力Pinに対する出力電力
Pout,歪み(ACP)の依存性は低い電圧V1に比
べて、高い電圧V2の方がPoutが伸び、歪み(AC
P)が劣化する入力電力Pinも伸びる。このため、同
一の出力電力Poutで比べると低い電圧V1よりも高
い電圧V2の方がACPを低くできる傾向にある。
【0027】図5および図6は、それぞれVdd=3.
4V,4.0Vにおける増幅器中の最終段トランジスタ
のロードプル特性を示す図である。このロードプル特性
は、出力側のインピーダンスに対して特性がどのように
変化するかを示しており、周波数f=1GHz,出力電
力Pout=1W,制御電圧Vggは一定値の条件で、
トランジスタの出力側のインピーダンスごとの電流Id
および歪みを示している。
4V,4.0Vにおける増幅器中の最終段トランジスタ
のロードプル特性を示す図である。このロードプル特性
は、出力側のインピーダンスに対して特性がどのように
変化するかを示しており、周波数f=1GHz,出力電
力Pout=1W,制御電圧Vggは一定値の条件で、
トランジスタの出力側のインピーダンスごとの電流Id
および歪みを示している。
【0028】なお、インピーダンスは中心のZ0をトラ
ンジスタの出力インピーダンス6Ωで規格化したスミス
チャートにより表示している。図5および図6中の斜線
部は歪み(ACP)が規格値以下となる領域を示してい
る。
ンジスタの出力インピーダンス6Ωで規格化したスミス
チャートにより表示している。図5および図6中の斜線
部は歪み(ACP)が規格値以下となる領域を示してい
る。
【0029】電流Idは電源電圧Vddによらず、ほぼ
同じであり、左下から右上にかけて増加する傾向があ
る。すなわち、電流Idが大きくなるほど歪みが少なく
なっていることが分かる。図5では中心部の歪みが良好
であるのに対して、図6では広範囲にわたり歪みが良く
なっているが、電源電圧Vddが高いために消費される
電力は大きくなる。このため、アイソレータが無くても
歪みを満足するように電源電圧Vddを高くすると、ス
ミスチャートの中心部の消費電力も大きくなり、効率が
悪化する問題がある。
同じであり、左下から右上にかけて増加する傾向があ
る。すなわち、電流Idが大きくなるほど歪みが少なく
なっていることが分かる。図5では中心部の歪みが良好
であるのに対して、図6では広範囲にわたり歪みが良く
なっているが、電源電圧Vddが高いために消費される
電力は大きくなる。このため、アイソレータが無くても
歪みを満足するように電源電圧Vddを高くすると、ス
ミスチャートの中心部の消費電力も大きくなり、効率が
悪化する問題がある。
【0030】そこで、この実施の形態では図7に示す出
力電力Poutに比例した電圧Vaと、反射電力に比例
した電圧Vbとを用いて、電源電圧Vddを設定する。
図7において横軸は出力電力Poutに比例した電圧V
aを示し、縦軸は出力電力Poutに比例した電圧Va
と反射電力に比例した電圧Vbとの比を示しており、実
験の結果得られた値を示している。この図7から反射電
力が大きくなる程電源電圧Vddを高く設定する必要の
あることが分かる。なお、点線は出力電力Pout=1
Wのときにおける電圧Vaのラインを示している。
力電力Poutに比例した電圧Vaと、反射電力に比例
した電圧Vbとを用いて、電源電圧Vddを設定する。
図7において横軸は出力電力Poutに比例した電圧V
aを示し、縦軸は出力電力Poutに比例した電圧Va
と反射電力に比例した電圧Vbとの比を示しており、実
験の結果得られた値を示している。この図7から反射電
力が大きくなる程電源電圧Vddを高く設定する必要の
あることが分かる。なお、点線は出力電力Pout=1
Wのときにおける電圧Vaのラインを示している。
【0031】このように図7に示す出力電力Poutに
比例した電圧Vaと、反射電力に比例した電圧Vbとの
関係を利用して電源電圧Vddを設定すれば、反射のな
いスミスチャートの中心部では低い電源電圧Vdd
(3.4V)で消費電力を少なくしながら、反射の大き
さ(Vb/Va)に応じて、電源電圧Vddを上げるの
で歪みを満足することが可能となる。
比例した電圧Vaと、反射電力に比例した電圧Vbとの
関係を利用して電源電圧Vddを設定すれば、反射のな
いスミスチャートの中心部では低い電源電圧Vdd
(3.4V)で消費電力を少なくしながら、反射の大き
さ(Vb/Va)に応じて、電源電圧Vddを上げるの
で歪みを満足することが可能となる。
【0032】図8は図7の関係を用いて電源電圧Vdd
を変化させた場合の最終段トランジスタのロードプル例
を示す図である。図8の中心では電源電圧Vdd=3.
4Vになっているが、反射係数P=Vb/Vaが大きく
なるにつれて電源電圧Vddを大きく設定している。こ
のため、図8の斜線で示す電源電圧Vdd=4.8Vの
内側の全領域で歪み(ACP)が規格を満足している。
図1に示した演算回路10によってVcntを図7の関
係で設定することにより、増幅器1の電源電圧Vddを
DC−DCコンバータ7で変えられるので、増幅器1の
トランジスタの出力のロードプル特性を図8に示すよう
に、広範囲に歪みを満足するようにできる。
を変化させた場合の最終段トランジスタのロードプル例
を示す図である。図8の中心では電源電圧Vdd=3.
4Vになっているが、反射係数P=Vb/Vaが大きく
なるにつれて電源電圧Vddを大きく設定している。こ
のため、図8の斜線で示す電源電圧Vdd=4.8Vの
内側の全領域で歪み(ACP)が規格を満足している。
図1に示した演算回路10によってVcntを図7の関
係で設定することにより、増幅器1の電源電圧Vddを
DC−DCコンバータ7で変えられるので、増幅器1の
トランジスタの出力のロードプル特性を図8に示すよう
に、広範囲に歪みを満足するようにできる。
【0033】このため、アイソレータを用いることな
く、アンテナ4による反射が生じてもACPを満足でき
る増幅器1を構成できる。また、アンテナ4で反射が生
じないときの電源電圧Vddは低いことから、通常の使
用状態での消費電力を大きくすることもない。このよう
にアイソレータを除くことが可能となったので、アイソ
レータ分の面積が不要となり、小型化できるとともに、
アイソレータの構成部品である磁石を用いないことによ
り、高さを小さくできて薄型化が可能となる。また、ア
イソレータ分のコストが不要となって低コスト化を図る
ことができるとともに、アイソレータの損失分を除ける
ため、増幅器1の効率を向上できる。
く、アンテナ4による反射が生じてもACPを満足でき
る増幅器1を構成できる。また、アンテナ4で反射が生
じないときの電源電圧Vddは低いことから、通常の使
用状態での消費電力を大きくすることもない。このよう
にアイソレータを除くことが可能となったので、アイソ
レータ分の面積が不要となり、小型化できるとともに、
アイソレータの構成部品である磁石を用いないことによ
り、高さを小さくできて薄型化が可能となる。また、ア
イソレータ分のコストが不要となって低コスト化を図る
ことができるとともに、アイソレータの損失分を除ける
ため、増幅器1の効率を向上できる。
【0034】なお、この実施の形態では、電源電圧Vd
dを、図7の関係において線形近似により設定したが、
より実際に近い曲線などの他の関数によりVddを変化
させてもよい。
dを、図7の関係において線形近似により設定したが、
より実際に近い曲線などの他の関数によりVddを変化
させてもよい。
【0035】また、Va,Vb/Vaに応じて、Vcn
tだけでなく増幅器1の制御電圧Vggを変化させるこ
とにより、増幅器1の歪み・効率特性をより細かくコン
トロールできるので、増幅器1の効率を向上することが
可能となる。
tだけでなく増幅器1の制御電圧Vggを変化させるこ
とにより、増幅器1の歪み・効率特性をより細かくコン
トロールできるので、増幅器1の効率を向上することが
可能となる。
【0036】実施の形態2.図9はこの発明の第2の実
施の形態における増幅装置を示す図である。図9におい
て、この実施の形態は、増幅器1への供給電流Idをモ
ニタするIdモニタ回路17を設け、モニタ出力を演算
回路10に与えるようにしたものであり、それ以外の構
成は図1と同じである。演算回路10はIdモニタ回路
17からの供給電流Idのモニタ出力に応じた電圧Vc
ntまたは電流を発生する。
施の形態における増幅装置を示す図である。図9におい
て、この実施の形態は、増幅器1への供給電流Idをモ
ニタするIdモニタ回路17を設け、モニタ出力を演算
回路10に与えるようにしたものであり、それ以外の構
成は図1と同じである。演算回路10はIdモニタ回路
17からの供給電流Idのモニタ出力に応じた電圧Vc
ntまたは電流を発生する。
【0037】図10は、図9に示した実施の形態におけ
る増幅器の最終段トランジスタのロードプル特性を示す
図である。この実施の形態では、Idモニタ回路17に
よって供給電流Idをモニタし、供給電流Idが大きい
領域で電源電圧Vddが低くなるように、演算回路10
で演算することにより、より広い範囲で電源電圧Vdd
を低く設定できる。
る増幅器の最終段トランジスタのロードプル特性を示す
図である。この実施の形態では、Idモニタ回路17に
よって供給電流Idをモニタし、供給電流Idが大きい
領域で電源電圧Vddが低くなるように、演算回路10
で演算することにより、より広い範囲で電源電圧Vdd
を低く設定できる。
【0038】前述の図5および図6に示すように、一般
に供給電流Idが大きい方が歪みは小さい傾向にあるた
め、図10に示すように供給電流Idの大きい領域で電
源電圧Vddを下げても歪みを満足できる。このため、
供給電流Idの大きい領域での消費電力を抑制できる効
果がある。したがって、アンテナのインピーダンスが変
化してもより広いインピーダンス範囲で低消費電力動作
が可能となる。
に供給電流Idが大きい方が歪みは小さい傾向にあるた
め、図10に示すように供給電流Idの大きい領域で電
源電圧Vddを下げても歪みを満足できる。このため、
供給電流Idの大きい領域での消費電力を抑制できる効
果がある。したがって、アンテナのインピーダンスが変
化してもより広いインピーダンス範囲で低消費電力動作
が可能となる。
【0039】この図10と前述の図8とを対比すれば分
かるように、図8では斜線で示す規格を満足する範囲
が、電源電圧Vddが大きくなるにつれて同心円的に広
がって行くのに対して、図10では右上に伸びる楕円形
に広がっており、たとえば電源電圧Vddが4Vであっ
ても図10の交差した斜線で示す部分が図8に比べて改
善されているのが分かる。
かるように、図8では斜線で示す規格を満足する範囲
が、電源電圧Vddが大きくなるにつれて同心円的に広
がって行くのに対して、図10では右上に伸びる楕円形
に広がっており、たとえば電源電圧Vddが4Vであっ
ても図10の交差した斜線で示す部分が図8に比べて改
善されているのが分かる。
【0040】実施の形態3.図11はこの発明の第3の
実施の形態における増幅装置を示す図である。この実施
の形態は、図1に示した進行波用カップラ8を用いず
に、増幅器1の入力波信号からコンデンサ15によって
電圧VTをモニタして演算回路10に与えるとともに、
反射波用カップラ9を介してコンデンサ12によってア
ンテナ4で反射した電力に応じた信号を取出し、電圧V
bを演算回路10に与える。演算回路10はこれら電圧
VTとVbとに基づいて電源電圧Vddを演算して増幅
器1に設定する。この場合、逆方向利得は小さいことか
ら、Va∝VTであるから、進行波用カップラを用いる
ことなく図1に示す増幅装置と同様の演算が可能とな
る。
実施の形態における増幅装置を示す図である。この実施
の形態は、図1に示した進行波用カップラ8を用いず
に、増幅器1の入力波信号からコンデンサ15によって
電圧VTをモニタして演算回路10に与えるとともに、
反射波用カップラ9を介してコンデンサ12によってア
ンテナ4で反射した電力に応じた信号を取出し、電圧V
bを演算回路10に与える。演算回路10はこれら電圧
VTとVbとに基づいて電源電圧Vddを演算して増幅
器1に設定する。この場合、逆方向利得は小さいことか
ら、Va∝VTであるから、進行波用カップラを用いる
ことなく図1に示す増幅装置と同様の演算が可能とな
る。
【0041】また、この実施の形態では、カップラを1
個省略したことにより、面積を小さくすることができる
とともに、カップラのロスも1個分減らすことができ、
増幅器1の効率も改善できる。
個省略したことにより、面積を小さくすることができる
とともに、カップラのロスも1個分減らすことができ、
増幅器1の効率も改善できる。
【0042】実施の形態4.図12はこの発明の第4の
実施の形態における増幅装置を示す図である。
実施の形態における増幅装置を示す図である。
【0043】前述の図11に示した実施の形態では、増
幅器(AMP)1の入力側で入力電力をモニタするよう
にしたが、この図12に示した実施の形態では、可変利
得増幅器(VGA)18の利得設定値により可変利得増
幅器18の出力電力を計算できるので、その値により増
幅器1の入力値を計算することにより、入力電力のモニ
タを行なわないようにした。このようにしても実施の形
態3と同様の効果を奏する。
幅器(AMP)1の入力側で入力電力をモニタするよう
にしたが、この図12に示した実施の形態では、可変利
得増幅器(VGA)18の利得設定値により可変利得増
幅器18の出力電力を計算できるので、その値により増
幅器1の入力値を計算することにより、入力電力のモニ
タを行なわないようにした。このようにしても実施の形
態3と同様の効果を奏する。
【0044】実施の形態5.図13はこの発明の第5の
実施の形態における増幅装置を示す図である。この実施
の形態は、増幅器1の出力と接地との間に可変容量コン
デンサ14を接続し、増幅器1の出力と反射波カップラ
9との間にインダクタ16を直列接続してローパスフィ
ルタを構成したものである。可変容量コンデンサ14は
たとえばFETやダイオードなどにより構成される。可
変容量コンデンサ14には、たとえばLSIなどによっ
て容量値を設定するための容量設定電圧Vcが演算回路
10から与えられる。なお、この例ではローパスフィル
タのインダクタ16は可変容量コンデンサの後に設けた
が、前であってもよい。
実施の形態における増幅装置を示す図である。この実施
の形態は、増幅器1の出力と接地との間に可変容量コン
デンサ14を接続し、増幅器1の出力と反射波カップラ
9との間にインダクタ16を直列接続してローパスフィ
ルタを構成したものである。可変容量コンデンサ14は
たとえばFETやダイオードなどにより構成される。可
変容量コンデンサ14には、たとえばLSIなどによっ
て容量値を設定するための容量設定電圧Vcが演算回路
10から与えられる。なお、この例ではローパスフィル
タのインダクタ16は可変容量コンデンサの後に設けた
が、前であってもよい。
【0045】また、この実施の形態では、第1ないし第
4の実施の形態とは異なり、電源電圧Vddの制御は行
わないためにDC−DCコンバータ7が設けられておら
ず、増幅器1の出力インピーダンスの制御が行なわれ
る。すなわち、この実施の形態では、演算回路10が容
量設定電圧Vcを出力し、この容量設定電圧Vcに応じ
て可変容量コンデンサ14の容量を変えることにより、
増幅器1の出力インピーダンスが変化される。そして、
演算回路10は反射波カップラ9からの反射波量をモニ
タして検知し、その検知出力に応じて、ACPを満足し
ない程反射量が増加した場合にACPの良好な方へ、増
幅器1の出力インピーダンスが変化するように容量設定
電圧Vcを制御する。
4の実施の形態とは異なり、電源電圧Vddの制御は行
わないためにDC−DCコンバータ7が設けられておら
ず、増幅器1の出力インピーダンスの制御が行なわれ
る。すなわち、この実施の形態では、演算回路10が容
量設定電圧Vcを出力し、この容量設定電圧Vcに応じ
て可変容量コンデンサ14の容量を変えることにより、
増幅器1の出力インピーダンスが変化される。そして、
演算回路10は反射波カップラ9からの反射波量をモニ
タして検知し、その検知出力に応じて、ACPを満足し
ない程反射量が増加した場合にACPの良好な方へ、増
幅器1の出力インピーダンスが変化するように容量設定
電圧Vcを制御する。
【0046】この実施の形態では、DC−DCコンバー
タ7を用いなくて済むので、DC−DCコンバータ7の
分だけコストを削減できるとともに、その分だけサイズ
を小型化することができる。
タ7を用いなくて済むので、DC−DCコンバータ7の
分だけコストを削減できるとともに、その分だけサイズ
を小型化することができる。
【0047】また、この実施の形態による容量設定電圧
Vcの制御に加えて、制御電圧Vggの制御を並用する
ようにしてもよい。もちろん、前述の電源電圧Vddの
制御を併用してもかまわない。
Vcの制御に加えて、制御電圧Vggの制御を並用する
ようにしてもよい。もちろん、前述の電源電圧Vddの
制御を併用してもかまわない。
【0048】実施の形態6.上述の各実施の形態で用い
られる演算回路10はオペアンプなどによって構成され
るが、演算回路を図14に示す構成としてもよい。すな
わち、メモリ21には制御電圧値がテーブルとして記憶
されており、各検出電圧が制御回路20に与えられ、制
御回路20によりメモリ21から対応する制御電圧値を
読み出し、その制御電圧値をD/Aコンバータ22でア
ナログ値に変換して制御信号VcntをDC−DCコン
バータ7に与えるようにしてもよい。
られる演算回路10はオペアンプなどによって構成され
るが、演算回路を図14に示す構成としてもよい。すな
わち、メモリ21には制御電圧値がテーブルとして記憶
されており、各検出電圧が制御回路20に与えられ、制
御回路20によりメモリ21から対応する制御電圧値を
読み出し、その制御電圧値をD/Aコンバータ22でア
ナログ値に変換して制御信号VcntをDC−DCコン
バータ7に与えるようにしてもよい。
【0049】この実施の形態では、メモリ21に記憶し
ているテーブルの制御値に基づいてより細かな電圧制御
が可能になる。
ているテーブルの制御値に基づいてより細かな電圧制御
が可能になる。
【0050】今回開示された実施の形態はすべての点で
例示であって制限的なものではないと考えられるべきで
ある。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求
の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味お
よび範囲内でのすべての変更が含まれることが意図され
る。
例示であって制限的なものではないと考えられるべきで
ある。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求
の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味お
よび範囲内でのすべての変更が含まれることが意図され
る。
【0051】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、アン
テナからの反射波量の検知出力に応じて、増幅器に供給
する電圧の制御を行って増幅器の動作状態を変化させる
ことにより、アイソレータを用いることなくアンテナに
おいて反射波が生じても歪み特性を損なわないで、マイ
クロ波などの高周波信号を増幅できる。
テナからの反射波量の検知出力に応じて、増幅器に供給
する電圧の制御を行って増幅器の動作状態を変化させる
ことにより、アイソレータを用いることなくアンテナに
おいて反射波が生じても歪み特性を損なわないで、マイ
クロ波などの高周波信号を増幅できる。
【0052】また、そのため、アイソレータ分の面積が
不要となり、小型化できるとともに磁石を用いないこと
により、高さを小さくできて薄型化が可能となる。ま
た、アイソレータ分のコストが不要となって低コスト化
を図ることができるとともに、アイソレータの損失分を
除けるため、増幅器の効率を向上できる。
不要となり、小型化できるとともに磁石を用いないこと
により、高さを小さくできて薄型化が可能となる。ま
た、アイソレータ分のコストが不要となって低コスト化
を図ることができるとともに、アイソレータの損失分を
除けるため、増幅器の効率を向上できる。
【図1】 この発明の第1の実施の形態における増幅装
置を示すブロック図である。
置を示すブロック図である。
【図2】 図1に示した増幅器の具体的な回路図の一例
である。
である。
【図3】 方向性結合器の一例を示す図である。
【図4】 図1に示した増幅器の入力電力対出力電力特
性を示す図である。
性を示す図である。
【図5】 Vdd=3.4Vにおける増幅器中の最終段
トランジスタのロードプル特性を示す図である。
トランジスタのロードプル特性を示す図である。
【図6】 Vdd=4.0Vにおける増幅器中の最終段
トランジスタのロードプル特性を示す図である。
トランジスタのロードプル特性を示す図である。
【図7】 出力電力Poutに比例した電圧Vaと、反
射電力に比例した電圧Vbとを用いて、設定した電源電
圧Vddを示す図である。
射電力に比例した電圧Vbとを用いて、設定した電源電
圧Vddを示す図である。
【図8】 図7の関係を用いて電源電圧Vddを変化さ
せた場合の最終段トランジスタのロードプル例を示す図
である。
せた場合の最終段トランジスタのロードプル例を示す図
である。
【図9】 この発明の第2の実施の形態における増幅装
置を示すブロック図である。
置を示すブロック図である。
【図10】 図9に示した実施の形態における増幅器の
最終段トランジスタのロードプル特性を示す図である。
最終段トランジスタのロードプル特性を示す図である。
【図11】 この発明の第3の実施の形態における増幅
装置を示すブロック図である。
装置を示すブロック図である。
【図12】 この発明の第4の実施の形態における増幅
装置を示すブロック図である。
装置を示すブロック図である。
【図13】 この発明の第5の実施の形態における増幅
装置を示すブロック図である。
装置を示すブロック図である。
【図14】 演算回路の第6の実施の形態を示す図であ
る。
る。
【図15】 従来の携帯電話機に使用される電力増幅器
を示す回路図である。
を示す回路図である。
1 増幅器、3 マイクロ波入力端子、4 アンテナ、
5 電圧供給端子、6制御電圧端子、7 DC−DCコ
ンバータ、8 進行波用カップラ、9 反射波用カップ
ラ、10 演算回路、11,12,15,19,C1〜
C3 コンデンサ、14 可変容量コンデンサ、16
インダクタ、17 Idモニタ、18可変利得増幅器、
20 制御回路、21 メモリ、22 D/Aコンバー
タ、L1,L2 導電パターン、R1〜R5 抵抗、M
1〜M4 整合回路。
5 電圧供給端子、6制御電圧端子、7 DC−DCコ
ンバータ、8 進行波用カップラ、9 反射波用カップ
ラ、10 演算回路、11,12,15,19,C1〜
C3 コンデンサ、14 可変容量コンデンサ、16
インダクタ、17 Idモニタ、18可変利得増幅器、
20 制御回路、21 メモリ、22 D/Aコンバー
タ、L1,L2 導電パターン、R1〜R5 抵抗、M
1〜M4 整合回路。
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フロントページの続き
Fターム(参考) 5J092 AA01 AA41 CA21 CA92 FA01
GR01 HA09 HA24 HA29 HA30
HA33 KA26 KA28 KA29 MA11
MA20 MA21 SA14 TA00 TA01
TA02 TA07 VL03
5J100 JA01 LA00 QA01 SA01
5J500 AA01 AA41 AC21 AC92 AF01
AH09 AH24 AH29 AH30 AH33
AK26 AK28 AK29 AM11 AM20
AM21 AS14 AT00 AT01 AT02
AT07 LV03 RG01
Claims (11)
- 【請求項1】 アンテナに流れる高周波信号を増幅する
増幅装置であって、 入力波信号を増幅して出力波信号を前記アンテナに導出
する増幅器と、 前記増幅器の出力側の前記アンテナからの反射波量を検
知する反射波量検知手段と、 前記反射波量検知手段の検知出力に応じて、前記増幅器
に供給する電圧の制御を行って、該増幅器の動作状態を
変化させる制御手段を備えたことを特徴とする、増幅装
置。 - 【請求項2】 前記制御手段は、前記反射波量検知手段
の検知出力の増加に応じて、前記増幅器に供給される電
源電圧が高くなるように制御することを特徴とする、請
求項1に記載の増幅装置。 - 【請求項3】 前記反射波量検知手段は、前記増幅器の
出力と前記アンテナとの間に接続される方向性結合器で
あることを特徴とする、請求項1または2に記載の増幅
装置。 - 【請求項4】 前記増幅器への供給電流を検出する供給
電流検出手段を含み、 前記制御手段は、前記供給電流検出手段からの電流検出
出力が大きければ、前記増幅器に供給される電源電圧を
低くする方向に変化させることを特徴とする、請求項1
ないし3のいずれか1項に記載の増幅装置。 - 【請求項5】 前記増幅器の入力波量を検知する入力波
量検知手段を含み、前記制御手段は、前記反射波量検知
手段および前記入力波量検知手段の各検知出力に応じて
前記増幅器に供給される電源電圧を変化させることを特
徴とする、請求項1ないし4のいずれか1項に記載の増
幅装置。 - 【請求項6】 外部から利得設定値が与えられ、前記増
幅器の前段に接続される可変利得増幅器を含み、 前記制御手段は前記可変利得増幅器の利得設定値に基づ
いて、前記増幅器に供給される電源電圧を変化させるこ
とを特徴とする、請求項1ないし4のいずれか1項に記
載の増幅装置。 - 【請求項7】 前記増幅器の出力波量を検知する出力波
量検知手段を含み、 前記制御手段は、前記反射波量検知手段および前記出力
波量検知手段の各検知出力に応じて前記増幅器に供給さ
れる電源電圧を変化させることを特徴とする、請求項1
ないし4のいずれか1項に記載の増幅装置。 - 【請求項8】 前記出力波量検知手段は、前記増幅器の
出力と前記アンテナとの間に接続される方向性結合器で
あることを特徴とする、請求項7に記載の増幅装置。 - 【請求項9】 前記増幅器の出力と前記反射波量検知手
段との間に接続され、可変容量コンデンサを有するフィ
ルタ手段を含み、 前記制御手段は前記反射波量検知手段の検知出力に基づ
いて、前記可変容量コンデンサの容量値を変化させて前
記増幅器の出力インピーダンスを変化させることを特徴
とする、請求項1に記載の増幅装置。 - 【請求項10】 前記制御手段は、前記増幅器に流れる
電流を設定するための制御電圧を制御することを特徴と
する、請求項1ないし9のいずれか1項に記載の増幅装
置。 - 【請求項11】 前記制御手段は、予め制御値を記憶す
るメモリテーブルを含み、前記検知出力に応じて前記メ
モリテーブルから対応する制御値を読み出し、前記電源
電圧を制御するための制御信号を出力することを特徴と
する、請求項1ないし10のいずれか1項に記載の増幅
装置。
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Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007006046A (ja) * | 2005-06-22 | 2007-01-11 | Kenwood Corp | 電力制御回路 |
JP2007124038A (ja) * | 2005-10-25 | 2007-05-17 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波増幅器 |
JP2007525901A (ja) * | 2004-02-27 | 2007-09-06 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 負荷不感性電力増幅器 |
JP2007535274A (ja) * | 2004-04-28 | 2007-11-29 | ソニー エリクソン モバイル コミュニケーションズ, エービー | 送信電力増幅器入力電力調節を伴う無線端末、方法、及びコンピュータプログラム製品 |
JP2008066867A (ja) * | 2006-09-05 | 2008-03-21 | Sony Ericsson Mobilecommunications Japan Inc | 電力増幅器制御装置および移動体通信端末装置 |
WO2008050440A1 (fr) * | 2006-10-26 | 2008-05-02 | Panasonic Corporation | Amplificateur de puissance |
JP2008288678A (ja) * | 2007-05-15 | 2008-11-27 | Panasonic Corp | 信号増幅装置 |
JP2009253809A (ja) * | 2008-04-09 | 2009-10-29 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波増幅器 |
WO2011077615A1 (ja) * | 2009-12-21 | 2011-06-30 | パナソニック株式会社 | 電力増幅回路及び通信機器 |
JP2011193259A (ja) * | 2010-03-15 | 2011-09-29 | Fujitsu Ltd | 電力増幅装置 |
JP2012010082A (ja) * | 2010-06-24 | 2012-01-12 | Netcomsec Co Ltd | 送信電力増幅装置 |
WO2013136558A1 (ja) * | 2012-03-13 | 2013-09-19 | 株式会社 東芝 | デジタル振幅変調装置及びデジタル振幅変調装置の制御方法 |
JP2014507100A (ja) * | 2011-03-01 | 2014-03-20 | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 | マルチゲインステップrfパワーアンプのための電力供給コントローラ |
WO2014132338A1 (ja) * | 2013-02-26 | 2014-09-04 | 三菱電機株式会社 | インピーダンスチューナ及び電力増幅装置 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
ATE551773T1 (de) * | 2003-02-20 | 2012-04-15 | Sony Ericsson Mobile Comm Ab | Effizienter modulation von hochfrequenzsignalen |
JP2005191791A (ja) * | 2003-12-25 | 2005-07-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電力増幅器の保護回路 |
JP2005244479A (ja) * | 2004-02-25 | 2005-09-08 | Fujitsu Ltd | 伝送装置 |
KR100690772B1 (ko) * | 2005-03-23 | 2007-03-09 | 엘지전자 주식회사 | 휴대단말기의 전력증폭기 전원부 보호장치 및 방법 |
JP2010206377A (ja) * | 2009-03-02 | 2010-09-16 | Fujitsu Ltd | 無線通信装置 |
JP2011172206A (ja) * | 2010-01-21 | 2011-09-01 | Panasonic Corp | 高周波電力増幅器及びそれを備える無線通信装置 |
CN101938258B (zh) | 2010-08-27 | 2013-06-05 | 华为终端有限公司 | 一种控制射频功率放大器发射信号的方法和装置 |
DE102011106234A1 (de) * | 2011-06-27 | 2012-12-27 | Tesat-Spacecom Gmbh & Co.Kg | Verfahren und Vorrichtung zum Schutz eines Hochfrequenz-Leistungsverstärkers gegen Fehlabschluss |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60145712A (ja) * | 1984-01-09 | 1985-08-01 | Nec Corp | 電力増幅器の保護用制御信号検出回路 |
KR940001233Y1 (ko) * | 1990-07-21 | 1994-03-07 | 삼성전자 주식회사 | 고주파 전력증폭기 보호회로 |
KR940017279A (ko) * | 1992-12-03 | 1994-07-26 | 백중영 | 무선기기의 안테나 부정합 검출장치 및 방법 |
JPH07202604A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Mitsubishi Electric Corp | 送信出力制御装置 |
DE19638129C2 (de) * | 1996-09-18 | 2001-05-23 | Siemens Ag | Verfahren und Schaltungsanordnung zur Steuerung der Ausgangsleistung von Sendeendstufen |
-
2002
- 2002-05-21 JP JP2002146682A patent/JP2003338714A/ja not_active Withdrawn
- 2002-09-20 US US10/247,433 patent/US20030218507A1/en not_active Abandoned
- 2002-09-23 DE DE10244167A patent/DE10244167B4/de not_active Expired - Fee Related
- 2002-12-12 KR KR1020020079019A patent/KR20030090484A/ko active IP Right Grant
-
2005
- 2005-04-29 KR KR1020050036261A patent/KR20050058306A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007525901A (ja) * | 2004-02-27 | 2007-09-06 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 負荷不感性電力増幅器 |
JP2007535274A (ja) * | 2004-04-28 | 2007-11-29 | ソニー エリクソン モバイル コミュニケーションズ, エービー | 送信電力増幅器入力電力調節を伴う無線端末、方法、及びコンピュータプログラム製品 |
JP2007006046A (ja) * | 2005-06-22 | 2007-01-11 | Kenwood Corp | 電力制御回路 |
JP2007124038A (ja) * | 2005-10-25 | 2007-05-17 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波増幅器 |
JP2008066867A (ja) * | 2006-09-05 | 2008-03-21 | Sony Ericsson Mobilecommunications Japan Inc | 電力増幅器制御装置および移動体通信端末装置 |
WO2008050440A1 (fr) * | 2006-10-26 | 2008-05-02 | Panasonic Corporation | Amplificateur de puissance |
JP2008288678A (ja) * | 2007-05-15 | 2008-11-27 | Panasonic Corp | 信号増幅装置 |
JP2009253809A (ja) * | 2008-04-09 | 2009-10-29 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波増幅器 |
WO2011077615A1 (ja) * | 2009-12-21 | 2011-06-30 | パナソニック株式会社 | 電力増幅回路及び通信機器 |
JP2011193259A (ja) * | 2010-03-15 | 2011-09-29 | Fujitsu Ltd | 電力増幅装置 |
JP2012010082A (ja) * | 2010-06-24 | 2012-01-12 | Netcomsec Co Ltd | 送信電力増幅装置 |
JP2014507100A (ja) * | 2011-03-01 | 2014-03-20 | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 | マルチゲインステップrfパワーアンプのための電力供給コントローラ |
WO2013136558A1 (ja) * | 2012-03-13 | 2013-09-19 | 株式会社 東芝 | デジタル振幅変調装置及びデジタル振幅変調装置の制御方法 |
JP2013191997A (ja) * | 2012-03-13 | 2013-09-26 | Toshiba Corp | デジタル振幅変調装置及びデジタル振幅変調装置の制御方法 |
US9184700B2 (en) | 2012-03-13 | 2015-11-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Digital amplitude modulator and control method for digital amplitude modulator |
WO2014132338A1 (ja) * | 2013-02-26 | 2014-09-04 | 三菱電機株式会社 | インピーダンスチューナ及び電力増幅装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20050058306A (ko) | 2005-06-16 |
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