JP2003331650A - 誘電体ペーストおよびプラズマディスプレイの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】断線や亀裂などの欠陥なく、電極パターン、誘
電体ペースト塗布膜、隔壁パターンを同時焼成すること
ができるプラズマディスプレイの製造方法を提供する。 【解決手段】少なくともバインダー樹脂、架橋剤、熱重
合開始剤および無機粉末を含み、かつ、バインダー樹脂
および架橋剤１００重量部に対して、熱重合開始剤の含
有量が３〜３０重量部の範囲である誘電体ペーストであ
る。また、電極ペーストにより電極パターンを形成する
工程、誘電体ペーストにより誘電体ペースト塗布膜を形
成する工程、隔壁ペーストにより隔壁パターンを形成す
る工程、および、少なくとも電極パターン、誘電体ペー
スト塗布膜および隔壁パターンを同時に焼成する工程を
この順に含み、かつ、誘電体ペースト塗布膜を形成する
工程の後に、キュアを行う工程を含むプラズマディスプ
レイの製造方法である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、誘電体ペーストお
よびプラズマディスプレイの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】プラズマディスプレイは次世代大型ディ
スプレイとして注目を集めており、高精細なプラズマデ
ィスプレイを低コストで安定して生産する技術が強く望
まれている。そのようなプラズマディスプレイを構成す
る部材において、大きなコストを占める部材として背面
板が挙げられる。

【０００３】背面板は、図１に示すように、少なくとも
基板上に形成された電極１、誘電体層２、ストライプ状
の隔壁３およびＲＧＢの蛍光体層４から構成される。ま
た、最近では図２のように、ストライプ状の主隔壁と垂
直方向に補助隔壁が設けられている場合も多い。いずれ
の形状の隔壁を有する背面板においても、電極パターン
および隔壁パターンの形成に感光性ペースト法を用いる
ことで、高精細な背面板が安定して生産できるようにな
ってきたが、さらなる低コスト化が依然として望まれて
いる。

【０００４】従来、背面板製造工程では、電極パター
ン、誘電体ペースト塗布膜、隔壁パターンおよび蛍光体
パターンの各層を形成する工程の度に、それぞれの材料
を焼成していた（図３）。すなわち、背面板の製造工程
では、最低でも４回の焼成工程が必要であり、生産性が
低く、高コストの原因となっていた。また、焼成工程が
多いことによって、ガラス基板の熱による寸法変化が大
きくなるという問題を生じていた。さらに、電極に銀を
使用した場合には、焼成工程が多いことによって銀のマ
イグレーションが進行し、パネルの信頼性が低下する要
因となっていた。

【０００５】そこで、電極パターン、誘電体ペースト塗
布膜、隔壁パターン、蛍光体パターンのうちのいくつか
を形成した後、同時に焼成するという同時焼成プロセス
が検討されてきた。例えば、無機粉末の作業点を電極、
誘電体、隔壁、蛍光体の順に高くすることにより、電極
パターン、誘電体ペースト塗布膜、隔壁パターン、蛍光
体パターンの４つを同時に焼成する方法が記載されてい
る（特許文献１参照）。しかし、これらの方法を用いて
も、大きな問題が２つあった。

【０００６】１つ目の問題は、隔壁パターンの形成を感
光性ペースト法やサンドブラスト法により行う際に、形
成してある電極パターンのうち誘電体ペースト塗布膜に
覆われていない電極引き出し部分５が、隔壁現像液や研
磨粒子に浸食され、剥がれてしまうという問題である。

【０００７】２つ目の問題は、電極パターン、誘電体ペ
ースト塗布膜および隔壁パターンを同時に焼成すると、
電極パターンおよび隔壁パターンのそれぞれに誘電体層
を引き裂く方向に大きな焼成応力が発生し、電極パター
ンの断線や誘電体層の亀裂といった欠陥が発生するとい
う問題である。

【０００８】また、誘電体ペースト塗布膜および隔壁パ
ターンの２層同時焼成において、誘電体ペースト塗布膜
を熱により硬化して、同時焼成時に隔壁の焼成応力が発
生しても亀裂の発生しない製造方法が開示されている
（特許文献２参照）。しかし、電極パターン、誘電体ペ
ースト塗布膜および隔壁パターンの同時焼成では、さら
に大きな焼成応力が発生するため、この製造方法を用い
ても、誘電体層の亀裂が発生するという問題があった。

【０００９】

【特許文献１】特開平１１−７８９４号公報（第２頁）

【００１０】

【特許文献２】特開平２００１−２６４７７号公報（第
２頁）

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】そこで本発明は、断線
や亀裂などの欠陥が生じることなく、電極パターン、誘
電体ペースト塗布膜および隔壁パターンを同時焼成する
ことができる誘電体ペーストおよびプラズマディスプレ
イの製造方法を提供することを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記した従来
技術の課題を解決するため、以下の構成を有する。すな
わち、少なくともバインダー樹脂、架橋剤、熱重合開始
剤および無機粉末を含み、かつ、バインダー樹脂および
架橋剤１００重量部に対して、熱重合開始剤の含有量が
３〜３０重量部の範囲である誘電体ペーストである。

【００１３】また、電極ペーストにより電極パターンを
形成する工程、誘電体ペーストにより誘電体ペースト塗
布膜を形成する工程、隔壁ペーストにより隔壁パターン
を形成する工程、および、少なくとも電極パターン、誘
電体ペースト塗布膜および隔壁パターンを同時に焼成す
る工程をこの順に含み、かつ、電極パターンを形成する
工程の後および／または誘電体ペースト塗布膜を形成す
る工程の後に、キュアを行う工程を含むプラズマディス
プレイの製造方法である。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下に本発明をプラズマディスプ
レイの作製手順に従って説明する。

【００１５】図４にプラズマディスプレイの作製手順の
一例を示す。基板上に、電極ペーストを用いて、所望の
パターン形状の電極パターン１ａを形成する。電極パタ
ーン１ａを形成した基板上に、誘電体ペーストを用いて
誘電体ペースト塗布膜２ａを形成する。誘電体ペースト
塗布膜２ａ上に隔壁ペーストを用いて、隔壁パターン３
ａを形成する。そして、電極パターン１ａ、誘電体ペー
スト塗布膜２ａおよび隔壁パターン３ａを基板ごと一括
焼成して、電極１、誘電体層２および隔壁３を形成す
る。以下に、各工程について詳述する。

【００１６】プラズマディスプレイの背面板の基板とし
ては、通常、ソーダガラスや旭硝子社製の“ＰＤ−２０
０”、日本電気化学社製の“ＰＰ−８”などの高歪み点
ガラスを用いたガラス基板が用いられる。

【００１７】基板上に、導電性金属およびバインダーを
含む電極ペーストを用いて電極パターンを形成する。電
極パターン形成には、スクリーン印刷法や感光性ペース
ト法、プレス成型法等を用いることができる。パターン
の高精細化や工程の簡略化が可能である点から、感光性
ペースト法が特に好ましい。以下、感光性ペースト法の
手順について説明する。

【００１８】基板上に、感光性電極ペーストを全面に、
もしくは部分的に塗布する。塗布方法としては、スクリ
ーン印刷法、バーコーター、ロールコーター、ダイコー
ター、ブレードコーターなどの方法を用いることができ
る。塗布厚みは、塗布回数、スクリーンのメッシュ、ペ
ーストの粘度および塗出量を選ぶことによって調整でき
る。塗布厚みは、所望の電極の高さと焼成による電極ペ
ーストの収縮率を考慮して決めることができる。通常好
ましい焼成後の電極の高さは１〜１０μｍの範囲であ
り、焼成収縮を考慮すると塗布する電極ペースト塗布膜
の厚さは１〜１５μｍの範囲であることが好ましい。

【００１９】塗布された感光性電極ペーストを乾燥して
露光を行う。露光に使用される活性光線は、紫外線が最
も好ましく、その光源として、例えば、低圧水銀灯、高
圧水銀灯、超高圧水銀灯、ハロゲンランプなどが使用さ
れる。超高圧水銀灯を光源とした平行光線を用いる露光
機が一般的である。

【００２０】露光後、露光部分と未露光部分の現像液に
対する溶解度差を利用して、現像を行い、電極パターン
を形成する。現像には、浸漬法、スプレー法、ブラシ法
などが用いられる。現像液には、感光性の電極ペースト
中の有機成分、特にポリマーが溶解可能な溶液を用いる
とよい。

【００２１】電極パターンの形成は、焼成による収縮を
考慮して行うとよい。焼成後の電極のサイズとしては、
ピッチ１００〜２５０μｍ、高さ１〜１０μｍ、幅１５
〜６０μｍの範囲が好ましい。

【００２２】また、電極パターンを形成した後、熱によ
りキュアすることが好ましい。電極パターンをキュアす
る条件としては、１４０〜３００℃の温度範囲で３〜３
０分の時間範囲が好ましい。より好ましくは、１５０〜
２５０℃の温度範囲で５〜３０分の時間範囲である。こ
こでいうキュアとは、約１２０℃以下で行われる単なる
乾燥を含まない。キュアには熱風乾燥機やＩＲ乾燥機を
用いることができる。

【００２３】電極パターンは現像液に浸食されて基板と
の密着性が低下するため、パターンサイドが基板から剥
離するエッジカールが発生する場合がある。エッジカー
ルが発生すると、誘電体ペースト塗布膜の厚みムラが生
じたり、また電極の焼成応力がより大きくなるという問
題がおこる。電極パターンを形成した後、１４０℃以上
でキュアすることで、ポリマーを一旦柔軟な状態にし、
エッジカールを緩和できる。さらに、電極引き出し部の
残留溶媒が完全に除去されることにより、後の隔壁形成
工程に感光性ペースト法やサンドブラスト法を用いた場
合でも、電極引きだし部が隔壁の現像液や研磨粒子に除
去されないような耐性を付与することができる。また、
３００℃以下でキュアすることで、電極ペーストの熱収
縮を抑え、収縮によるエッジカールを抑制することがで
きる。電極パターンのキュアは、誘電体ペーストを塗布
する前に行うことが好ましい。エッジカールの少ない電
極の上に誘電体層を形成することにより、誘電体層の厚
みムラなどによる耐電圧低下などの問題を抑制できる。

【００２４】次に、誘電体層の形成のために、基板上に
誘電体ペーストを全面に、もしくは部分的に塗布する。
誘電体層は基板上に形成された電極を被覆して保護し絶
縁する作用を有すると共に、その上に形成される隔壁の
形成性を改良する効果を有するものである。

【００２５】本発明で用いられる誘電体ペーストは、少
なくともバインダー樹脂、架橋剤、熱重合開始剤および
無機粉末を含む。バインダー樹脂の具体的な例として
は、ポリビニルブチラール、ポリビニルアセテート、ポ
リビニルアルコール、ポリエチレン、シリコンポリマー
（例えば、ポリメチルシロキサン、ポリメチルフェニル
シロキサン）、ポリスチレン、ブタジエン／スチレンコ
ポリマー、ポリビニルピロリドン、ポリアミド、高分子
量ポリエーテル、エチレンオキシドとプロピレンオキシ
ドのコポリマー、ポリアクリルアミドおよび種々のアク
リルポリマーやセルロース化合物などが挙げられる。ア
クリルポリマーまたはセルロース化合物を用いることが
焼成時の焼成残渣低減の点で好ましい。

【００２６】アクリルポリマーとしては、例えば（メ
タ）アクリル酸または（メタ）アクリル酸アルキル類を
単独または共重合させたものが好ましく、ペーストに好
ましい特性を与えるように適宜に選択することができ
る。具体的には、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、
ポリアクリル酸メチル、ポリアクリル酸エチル、ポリメ
タクリル酸メチル、ポリメタクリル酸エチル、ポリメタ
クリル酸プロピル、ポリメタクリル酸ブチル、ポリメタ
クリル酸ヘキシルなどの単独重合体やこれらの重合体を
構成するモノマーの組合せで得られる共重合体などが好
ましい。セルロース化合物としては、メチルセルロー
ス、エチルセルロース、ヒドロキシセルロース、メチル
ヒドロキシセルロースなどを好ましく用いることができ
る。

【００２７】本発明で用いられる誘電体ペーストは、熱
重合開始剤から発生したラジカルを開始点として、架橋
剤が３次元網目構造を形成する。これにより、後の現像
工程における耐現像液性が向上し、また焼成時に焼成応
力による亀裂や断線が発生することを抑制することがで
きる。その際、３次元網目構造を形成できる点で、架橋
剤が３つ以上の官能基を有する化合物であることが好ま
しい。そのような官能基としては、活性な炭素−炭素二
重結合を有する化合物が好ましく、ビニル基、アリル
基、（メタ）アクリレート基、アクリルアミド基を有す
る化合物が応用される。（メタ）アクリレート化合物に
は多様な種類の化合物が開発されているので、それらか
ら反応性、屈折率などを考慮して選択し、場合によって
はそれらを組み合わせることが可能である。また、ポリ
マーに炭素−炭素２重結合を有する側鎖を導入するなど
の方法を用いることも好ましい。

【００２８】（メタ）アクリレート化合物としては、化
学式（２）、（３）、（４）、（５）で示されるアルキ
ル基を有するアクリル化合物またはメタクリル化合物が
好ましく用いられる。化学式（５）で示される化合物
が、官能基を３つ以上有するので、特に好ましい。

【００２９】 CH₂=CR³COO-R⁴ （２） CH₂=CR³COO-R⁴-OCOCHR¹=CH₂ （３） CH₂=CR³COO-R⁵-OCO-R⁶-COO-R⁵-OCOCHR³=CH₂ （４） (CH₂=CR³COO-(CH₂CHR⁶O)_m)_n-R⁷ （５） ここにおいて、Ｒ³およびＲ⁶は水素またはメチル基、Ｒ
⁴は炭素数１〜２０のアルキル基、Ｒ⁵は炭素数３以上の
ヒドロキシアルキル基、Ｒ⁷は炭素数１〜２０のアルキ
ル基、アリール基、アラルキル基、ｍは０〜３０の整
数、ｎは３〜６の整数である。

【００３０】式（５）で表される化合物の具体例として
は、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレー
ト、エトキシ化トリメチロールプロパントリ（メタ）ア
クリレート、プロポキシ化トリメチロールプロパントリ
（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メ
タ）アクリレート、プロポキシ化グリセリルトリ（メ
タ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メ
タ）アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ
（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヒドロ
キシペンタ（メタ）アクリレート、およびそれらのアル
キレンオキサイド変成物などが挙げられるが、これらに
限定されない。

【００３１】架橋剤の添加量は、バインダー樹脂と架橋
剤の重量比が、６０：４０〜５：９５の範囲であるよう
に調整することが好ましい。添加量をこの範囲にするこ
とによって、誘電体ペースト塗布膜の強度を保ち、かつ
焼成時の焼成残渣を低減することができる。両者の重量
比は、さらに好ましくは、２０：８０〜５：９５の範囲
である。

【００３２】本発明の誘電体ペーストにおいて、バイン
ダー樹脂と架橋剤の合計１００重量部に対して、熱重合
開始剤の含有量は３〜３０重量部の範囲である。より好
ましい含有量は５〜３０重量部の範囲、さらに好ましく
は１０〜３０重量部の範囲である。熱重合開始剤は、熱
により活性ラジカルを発生し、架橋剤の反応を開始する
ことができる。上記の熱重合開始剤の含有量は、一般的
な熱重合開始剤の含有量と比べると極めて大きい値であ
る。本発明の誘電体ペーストでは、熱重合開始剤の含有
量をこの範囲とすることで、ペースト塗布膜中という自
由度のない系中においても、十分に架橋剤を反応させ、
三次元網目構造を形成することができる。これにより誘
電体ペースト塗布膜の強度が向上し、後の焼成工程にお
いて収縮応力がかかっても、電極の断線や誘電体層の亀
裂などの欠陥が発生することを抑制できる。

【００３３】熱重合開始剤は、通常、下式（６）のよう
にラジカルを生成し、下式（７）のように開始反応を起
こす。 式（６）

【００３４】

【数１】

【００３５】式（６）中、Ｉは開始剤、Ｒ・は開始剤か
ら生成した１次ラジカル、ｋ_dは速度定数を示す。 （式７）

【００３６】

【数２】

【００３７】式（７）中、Ｍは架橋剤、Ｍ・は架橋剤ラ
ジカルを示す。

【００３８】ここで、式（６）で生成した一次ラジカル
の全てが式（７）の開始反応に入るとは限らない。生成
した一次ラジカル対は、お互いに十分に離れる前に、高
い確率でお互いに反応してしまう。お互いに反応せずに
十分に離れることができた一次ラジカルのみが、架橋剤
と反応することができる。

【００３９】この式（７）の開始反応に入る一次ラジカ
ルの割合を開始剤効率という。すなわち、開始剤効率は
下式（８）で表される。 （式８）

【００４０】

【数３】

【００４１】式（８）中、ｋ_dは式（６）の速度定数、
Ｒ_iは式（７）の開始速度、［Ｉ］は開始剤濃度であ
る。

【００４２】本発明に用いられる熱重合開始剤の開始剤
効率は、０．８〜１．０の範囲であることが好ましい。
ここで、開始剤効率の値は、ベンゼン中、６０℃でスチ
レンへの開始反応における値である。本発明では、熱重
合開始剤はペースト塗布膜中という自由度のない系中で
開裂するため、開裂により発生した一次ラジカルがお互
いに反応しなくなるところまで拡散することが困難とな
る。従って、開始剤効率が低い熱重合開始剤では、一次
ラジカル同士の反応による失活が起こりやすくなるた
め、十分に架橋剤を架橋させることが難しい。熱重合開
始剤の開始剤効率が０．８以上であることで、熱重合開
始剤から発生する一次ラジカルの失活を防ぎ、十分に架
橋剤を反応させて、誘電体ペースト塗布膜の強度を上げ
ることができる。

【００４３】熱重合開始剤としては、有機過酸化物やア
ゾ化合物が挙げられる。具体例をあげると、有機過酸化
物としては、ジプロピルパーオキシジカーボネート、ジ
（２−エトキシエチル）パーオキシジカーボネート、ジ
（２−エチルヘキシル）パーオキシジカーボネート、ｔ
−ブチルパーオキシネオデカノエート、２，４−ジクロ
ロベンゾイルパーオキサイド、３，５，５−トリメチル
ヘキサノイルパーオキサイド、オクタノイルパーオキサ
イド、デカノイルパーオキサイド、ラウロイルパーオキ
サイド、ｔ−ブチルパーオキシ（２−エチルヘキサノエ
ート）、ベンゾイルパーオキサイド、ｔ−ブチルパーオ
キシイソブチレート、１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオ
キシ）３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、ｔ−ブ
チルパーオキシラウレート、ｔ−ブチルパーオキシ−
３，３，５−トリメチルヘキサノエート、シクロヘキサ
ンパーオキサイド、ｔ−ブチルパーオキシアセテート、
２，２−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）ブタン、ｔ−ブ
チルパーオキシベンゾエート、ジ−ｔ−ブチルジパーオ
キシイソフタレート、メチルエチルケトンパーオキサイ
ド、ジクミルパーオキサイド、２，５−ジメチル−２，
５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサン、ｔ−ブチル
クミルパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド
などが挙げられる。アゾ化合物としては、２，２−アゾ
ビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）、２，２−ア
ゾビスイソブチロニトリル、２，２−アゾビス（２−メ
チルブチロニトリル）、１，１−アゾビス（シクロヘキ
サン−１−カルボニトリル）、１−（（１−シアノ−１
−メチルエチル）アゾ）ホルムアミド（２−（カルバモ
イルアゾ）イソブチロニトリル）、２，２’−アゾビス
（２−メチル−Ｎ−（１，１−ビス（ヒドロキシメチ
ル）−２−ヒドロキシメチル）プロピオンアミド）、
２，２’−アゾビス（２−メチル−Ｎ−（２−（１−ヒ
ドロキシブチル））プロピオンアミド）、２，２’−ア
ゾビス（２−メチル−Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）プ
ロピオンアミド）などが挙げられる。

【００４４】本発明に用いられる熱重合開始剤として
は、有機過酸化物が、開始剤効率が高いので好ましい。
アゾ化合物は、アゾ基の両側の二つの結合が同時に切れ
て２個のラジカルが生成し、生成したラジカル対は生成
後１０^-9秒以内に窒素を放出して再結合や不均化を起こ
して安定な化合物となるため、開始剤効率が低くなるた
め好ましくない。例えば、アゾビスイソブチロニトリル
は、開始剤効率が０．６〜０．７である。また、一部の
過酸化物は、二酸化炭素を放出してしまい、アゾ化合物
と同様に開始剤効率が低くなる。

【００４５】有機過酸化物の中でも、ベンゾイル骨格を
有するものがさらに好ましい。ベンゾイル骨格を有する
有機過酸化物が開裂してできるベンゾイルオキシラジカ
ルは、脱二酸化炭素がおこりにくく、再結合しても再開
始可能なため、高い開始剤効率を有するからである。例
えば過酸化ベンゾイルの開始剤効率は、ほぼ１．０であ
る。

【００４６】特に好ましいのは、次式（１）で表される
化合物である。 式（１）

【００４７】

【化２】

【００４８】ここで、式中、Ｒ¹、Ｒ²はそれぞれ水素ま
たは炭素数１〜５のアルキル基、アラルキル基を示す。

【００４９】一般式（１）で表される化合物において、
Ｒ¹およびＲ²の両方が同時に水素ではないことが好まし
い。そのような非対称な化合物は、有機溶剤への溶解性
が非常に高いため、高濃度であっても用いることができ
る。また、長期間保存しても開始剤が析出したり、開始
剤が失活してしまうといった問題が発生しない。本発明
では、これら上記の熱重合開始剤から選ばれる１種また
は２種以上を使用することができる。

【００５０】本発明で用いられる誘電体ペーストは、さ
らにウレタン化合物を含有することが好ましい。ウレタ
ン化合物を含有することにより、誘電体ペースト塗布膜
の柔軟性が向上し、焼成時の応力を小さくでき、亀裂や
断線などの欠陥を効果的に抑制できるためである。ま
た、ウレタン化合物を含有することにより、熱分解性が
向上し、焼成工程において焼成残渣が発生しにくくな
る。本発明で好ましく使用するウレタン化合物として、
例えば、下記一般式（９）で示される化合物が挙げられ
る。 式（９） Ｒ⁸−（Ｒ¹¹−Ｒ¹⁰）_n−Ｒ¹¹−Ｒ⁹ ここで、Ｒ⁸およびＲ⁹はエチレン性不飽和基を含む置換
基、水素、炭素数１〜２０のアルキル基、アリール基、
アラルキル基およびヒドロキシアラルキル基からなる群
から選ばれた基であり、それぞれ同じであっても異なっ
ていても良い。Ｒ ¹⁰はアルキレンオキサイド基またはア
ルキレンオキサイドオリゴマー、Ｒ¹¹はウレタン結合を
含む有機基である。ｎは１〜１０の自然数である。

【００５１】このようなウレタン化合物としては、エチ
レンオキサイド単位を含む化合物が好ましい。より好ま
しくは、式（９）中、Ｒ¹⁰がエチレンオキサイド単位
（以下、ＥＯと示す）とプロピレンオキサイド単位（以
下、ＰＯと示す）を含むオリゴマーであり、かつ、該オ
リゴマー中のＥＯ含有量が８〜７０重量％の範囲内であ
る化合物である。ＥＯ含有量が７０重量％以下であるこ
とにより、柔軟性がさらに向上し、焼成応力を小さくで
きるため、欠陥を効果的に抑制できる。さらに、熱分解
性が向上し、後の焼成工程において、焼成残渣が発生し
にくくなる。また、ＥＯ含有量が８％以上であることに
より、他の有機成分との相溶性が向上する。

【００５２】また、ウレタン化合物が炭素−炭素二重結
合を有することも好ましい。ウレタン化合物の炭素−炭
素二重結合が他の架橋剤の炭素−炭素二重結合と反応し
て架橋体の中に含有されることにより、さらに重合収縮
を抑制することができる。

【００５３】本発明で好ましく用いられるウレタン化合
物の具体例としては、ＵＡ−２２３５ＰＥ（分子量１８
０００，ＥＯ含有率２０％）、ＵＡ−３２３８ＰＥ（分
子量１９０００，ＥＯ含有率１０％）、ＵＡ−３３４８
ＰＥ（分子量２２０００，ＥＯ含有率１５％）、ＵＡ−
５３４８ＰＥ（分子量３９０００，ＥＯ含有率２３％）
（以上、新中村化学（株）製）などが挙げられるが、こ
れらに限定されるものではない。また、これらの化合物
は混合して用いてもよい。

【００５４】ウレタン化合物の含有量は、誘電体ペース
ト中の０．１〜２０重量％であることが好ましい。含有
量を０．１重量％以上とすることで、誘電体ペースト塗
布膜の柔性を向上することができる。含有量が２０重量
％を超えると、有機成分と無機粉末の分散性が低下し、
また相対的に架橋剤および熱重合開始剤の濃度が低下す
るので、欠陥が生じやすくなる。

【００５５】本発明の誘電体ペーストは、無機粉末とし
て、軟化点４５０〜６００℃の範囲であるガラス粉末
（以下、「低融点ガラス粉末」と称する）を含有するこ
とが好ましい。誘電体層を形成する低融点ガラス粉末の
軟化点を６００℃以下とすることで、高温焼成を必要と
しないため、焼成の際にガラス基板に歪みを生じない。
また、軟化点を４５０℃以上とすることで、後の蛍光体
層形成工程や封着工程において誘電体層に歪みを生じる
ことがなく、膜厚精度を保つこともできる。低融点ガラ
ス粉末の軟化点は、より好ましくは、４７０〜５５０℃
の範囲である。

【００５６】低融点ガラス粉末の添加量は、バインダー
樹脂と架橋剤の合計１００重量部に対して、１５０〜３
００重量部の範囲が好ましい。低融点ガラス粉末の添加
量を１５０重量部以上とすることで、緻密な誘電体層を
得ることができ、また、相対的に有機成分の含有量が低
下するので、焼成時の焼成残渣が低減される。低融点ガ
ラス粉末の添加量を３００重量部以下とすることで、有
機成分の含有量が低くなりすぎることを防ぎ、架橋剤に
よる３次元網目構造を十分密にし、焼成時の誘電体層亀
裂を低減することができる。

【００５７】誘電体ペーストに配合される無機粉末中の
低融点ガラス粉末は、酸化物換算表記で、 酸化ビスマス １０〜８５重量％ 酸化珪素 ３〜５０重量％ 酸化ホウ素 ５〜４０重量％ 酸化亜鉛 ４〜４０重量％ の組成を含有するものが好ましい。この組成範囲である
と５２０〜５８０℃でガラス基板上に焼き付けることが
できる誘電体ペーストが得られる。

【００５８】低融点ガラス粉末中の酸化ビスマスは、１
０〜８５重量％の範囲で配合されることが好ましい。１
０重量％以上とすることで、焼き付け温度や軟化点を制
御する効果が現れ、８５重量％以下にすることによっ
て、ガラスの耐熱温度が低くなりすぎることが防止され
るので、ガラス基板上への焼き付けが適正に行われる。

【００５９】酸化珪素は、３〜５０重量％の範囲で配合
することが好ましい。３重量％以上とすることにより、
ガラス層の緻密性、強度や安定性を向上させ、また熱膨
張係数がガラス基板の値と近いものとなり、従ってガラ
ス基板とのミスマッチを防止することができる。５０重
量％以下とすることによって、軟化点やガラス転移点が
低くなり、５８０℃以下でガラス基板上に緻密に焼き付
けることができる。

【００６０】酸化ホウ素は５〜４０重量％の範囲で配合
することによって、電気絶縁性、強度、熱膨張係数、緻
密性などの電気、機械および熱的特性を向上することが
できる。

【００６１】酸化亜鉛は４〜４０重量％の範囲で添加さ
れることが好ましい。４重量％以上にすることによって
緻密性向上の効果が現れ、４０重量％以下にすることに
よって焼き付け温度が低くなり過ぎて制御できなくなる
ことを防ぎ、また絶縁抵抗を保持することができる。

【００６２】上記ガラス成分は、実質的にアルカリ金属
を含まないことが好ましい。誘電体層は多くの場合、銀
電極やガラス基板に接触して形成されるため、銀電極の
銀イオンやガラス基板の成分とのイオン交換反応に帰因
する黄色化などの問題を防ぐためである。実質的に含ま
ないとは、具体的にはガラス成分中に、アルカリ金属の
合計含有量が０．５重量％以下であること、好ましく
は、０．１重量％以下であることを意味する。

【００６３】さらに、本発明の誘電体ペーストは、軟化
点が６５０℃以上のフィラーを、バインダー樹脂と架橋
剤の合計１００重量部に対して、５０〜２００重量部の
範囲で含有することが好ましい。軟化点が６５０℃以上
のフィラーをこの範囲で添加することにより、焼成時の
収縮率を小さくし、基板にかかる応力を低下させるなど
の効果があるためである。また、特定の物性を有するフ
ィラーを選択することで、誘電体層の反射率や導電性な
どの膜特性を制御することができる。

【００６４】軟化点が６５０℃以上のフィラーの添加量
を５０重量部以上とすることで、焼成収縮率を低くした
り、熱膨張係数を制御する効果が得られる。また、添加
量を２００重量部以下とすることで、焼成後の誘電体層
の緻密性や強度を保つことが可能となり、同時に、クラ
ック発生などの欠陥を防止することができる。

【００６５】軟化点が６５０℃以上のフィラーとして
は、軟化点が６５０〜８５０℃の範囲の高融点ガラス、
酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、チタン酸
バリウムおよび酸化ジルコニウムからなる群から選ばれ
た少なくとも一種が好ましく用いられる。

【００６６】また、本発明の誘電体ペーストは、導電性
粉末を含有することが好ましい。ＡＣ型プラズマディス
プレイにおいて、表示電極とアドレス電極間でプラズマ
放電させると空間電荷が発生し、その大部分が表示電極
の上に形成されている誘電体層に蓄積される。この蓄積
された電荷による電圧で偶発的に放電が生じて画質を悪
くする。このような画質の劣化の原因となる電荷の蓄積
を解消するために、誘電体層に導電性粉末を配合し、蓄
積電荷をリークさせることが有効である。導電性粉末
は、具体的には、クロムまたはニッケルから選んだ金属
粉末や酸化インジュウム、酸化スズ、酸化チタンなどの
金属酸化物に不純物を混入した半導体を使用することが
できる。導電性粉末の添加量は、バインダー樹脂と架橋
剤の合計１００重量部に対して０．１〜５重量部の範囲
であることが好ましい。０．１重量部以上とすること
で、有効に電荷をリークすることができ、偶発放電を防
ぐことができる。５重量部以下とすることで、誘電体層
の緻密性を保持することができる。

【００６７】誘電体ペーストは、有機成分に無機粉末を
分散した様態を有するものであり、無機粉末を有機成分
の中に均一に分散することが良好な塗布性のために好ま
しい。このようなペーストを得るため、無機粉末の平均
粒径、最大粒径およびタップ密度などが適正な範囲にあ
ることが好ましい。

【００６８】無機粉末は、平均粒径が０．２〜１．５μ
ｍの範囲、最大粒径が１０μｍ以下であり、かつ、タッ
プ密度が０．６ｇ／ｃｍ³以上であることが好ましい。
このような範囲の粒径、タップ密度を有するものが、ペ
ーストへの充填性および分散性が良好であり、従って塗
布性の優れたペーストが調製できるので、緻密で均一な
塗布膜を得ることが可能になる。ここで、粒径は、レー
ザ散乱・回折法で測定した値であり、平均粒径は５０％
体積粒径、最大粒径は粒径の最大値である。

【００６９】粒子の凝集力は表面積に依存するため、平
均粒径を０．２μｍ以上とすることで凝集性を抑え、ペ
ースト中での分散性がよくなり、緻密かつ均一な塗布膜
が得られる。また、１．５μｍ以下とすることで形成さ
れた誘電体ペースト塗布膜の緻密性がよくなり、内部に
ボイドなどが発生しない。また、塗布膜表面に不要な凹
凸も生じない。最大粒径を１０μｍ以下にすることも、
内部でのボイド発生や表面の不要な凹凸の発生を防止す
るために有用である。

【００７０】無機粉末のタップ密度を０．６ｇ／ｃｍ³
以上、好ましくは０．７ｇ／ｃｍ³以上とすると、粉末
の充填性および分散性が良くなり、気泡や凝集物を生じ
にくくなる。

【００７１】また、本発明の誘電体ペーストは、これら
の他にもさらに必要に応じて、分散剤、安定剤、消泡
剤、レベリング剤、シランカップリング剤、酸化防止
剤、重合禁止剤、有機溶媒などを添加することもでき
る。

【００７２】誘電体層の厚みは、焼成後で４〜１８μｍ
の範囲、より好ましくは８〜１５μｍの範囲であること
が、均一で緻密な誘電体層を形成するために好ましい。
厚さを１８μｍ以下とすることで、焼成の際の脱バイン
ダー性が良好となり、バインダーの残存に起因するクラ
ックが生じない。またガラス基板にかかる応力も小さく
なるので基板が反るなどの問題も生じない。また、４μ
ｍ以上とすることで平坦性で均一かつ緻密な誘電体層を
形成することができ、電極部分の凹凸によって誘電体層
にクラックが入るなどの問題が生じない。

【００７３】誘電体ペースト塗布膜を形成した後、キュ
アを行う。焼成よりも前の工程でキュアして硬化させる
ことにより、後の焼成工程における電極パターンや隔壁
パターンの収縮による応力に誘電体ペースト塗布膜が耐
えることができるようになるためである。キュアは、焼
成よりも前に行えばよいが、隔壁ペーストを塗布する前
に行うことが好ましい。キュアによって、電極引き出し
部の残留溶媒が完全に除去されることにより、電極引き
出し部の耐性が向上し、後の隔壁パターン形成工程にお
いて、隔壁の現像液や研磨粒子に除去されにくくなる。

【００７４】誘電体ペースト塗布膜をキュアする条件と
しては、１４０〜３００℃の温度範囲で３〜３０分の時
間範囲が好ましい。好ましくは、１５０〜２５０℃の温
度範囲で５〜３０分の時間範囲である。ここでいうキュ
アとは、約１２０℃以下で行われる単なる乾燥を含まな
い。つまり、誘電体ペーストを塗布した後に上記の温
度、時間で塗布膜をキュアすることにより、塗布膜の硬
化が不充分であるためその後の焼成時に誘電体層に亀裂
が発生してしまうという問題がなくなる。キュアには熱
風乾燥機やＩＲ乾燥機を用いることができる。

【００７５】次いで、隔壁パターンを形成する。隔壁パ
ターンの形成には、スクリーン印刷法、サンドブラスト
法、感光性ペースト法、プレス成型法等が用いられる。
パターンの高精細化や工程の簡略化が可能である点か
ら、感光性ペースト法が特に好ましい。以下に、感光性
ペースト法の手順について説明する。

【００７６】誘電体ペースト塗布膜の上に、感光性隔壁
ペーストを全面に、もしくは部分的に塗布する。感光性
ペーストの塗布は、スクリーン印刷法、バーコーター
法、ロールコータ法、ドクターブレード法などの一般的
な方法で行うことができる。塗布厚さは、所望の隔壁の
高さとペーストの焼成による収縮率を考慮して決めるこ
とができる。通常、焼成後の隔壁の好ましい高さは６０
〜１７０μｍの範囲であり、焼成収縮を考慮すると、塗
布する隔壁ペースト塗布膜の厚さは８０〜２２０μｍの
範囲内であることが好ましい。

【００７７】塗布された感光性隔壁ペーストは、乾燥さ
れ、露光される。露光に使用される活性光線は、紫外線
が最も好ましく、その光源として、例えば、低圧水銀
灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、ハロゲンランプなどが
使用される。超高圧水銀灯を光源とした平行光線を用い
る露光機が一般的である。

【００７８】露光後、露光部分と未露光部分の現像液に
対する溶解度差を利用して、現像を行い、隔壁パターン
を形成する。現像には、浸漬法、スプレー法、ブラシ法
などが用いられる。現像液には、感光性隔壁ペースト中
の有機成分、特にポリマーが溶解可能な溶液を用いると
よい。本発明では、アルカリ水溶液で現像することが好
ましい。隔壁のパターニングは、焼成による収縮を考慮
して行うとよい。焼成後の隔壁のサイズとしては、ピッ
チが１００〜２５０μｍの範囲、高さが６０〜１７０μ
ｍの範囲、幅が１５〜６０μｍの範囲内であることが好
ましい。隔壁パターンは、主としてストライプ状に形成
されるが、特に限定されず、格子状である場合もある。
本発明の誘電体ペーストを用いると、格子状の隔壁を形
成した場合でも、誘電体層に亀裂が生じることはない。

【００７９】隔壁パターンを形成した後に、電極パター
ン、誘電体ペースト塗布膜および隔壁パターンを同時に
焼成して、電極、誘電体層および隔壁を形成する。焼成
雰囲気や温度は、ペーストや基板の特性によって異なる
が、通常は空気中で焼成される。焼成炉としては、バッ
チ式の焼成炉やベルト式の連続型焼成炉を用いることが
できる。バッチ式の焼成の場合、誘電体ペースト塗布膜
の上に隔壁パターンが形成されたガラス基板を、室温か
ら５００℃程度まで数時間掛けてほぼ等速で昇温した
後、さらに焼成温度として設定された５００〜５８０℃
に３０〜４０分間で上昇させて、１５〜３０分間保持し
て焼成を行うことが好ましい。

【００８０】焼成温度を５８０℃以下、焼成時間を１５
〜３０分の範囲に設定することで、焼成残渣や隔壁のダ
レなどを抑制することができる。

【００８１】このようにして得られた隔壁に挟まれたセ
ル内に、赤、緑および青に発光する蛍光体層を形成して
プラズマディスプレイ用パネルの背面板が構成される。

【００８２】得られた背面板を前面板と貼り合わせた
後、封着およびガス封入し、駆動用ドライバーＩＣを実
装してプラズマディスプレイが作製される。

【００８３】

【実施例】以下に本発明を実施例を用いて具体的に説明
する。ただし、本発明はこれに限定されるものではな
い。なお、実施例中の濃度は、断りのない限り重量％で
ある。また、実施例表中のバインダー樹脂の添加量は、
溶媒を除いた樹脂のみの添加量を示す。

【００８４】ペースト成分として用いたバインダー樹
脂、重合開始剤、架橋剤、低融点ガラス粉末およびフィ
ラーは次のとおりである。 ＜バインダー樹脂＞ バインダー樹脂Ａ：アクリル系ポリマー（スチレン／メ
チルメタクリレート／メタクリル酸共重合体のカルボキ
シル基に対して０．４当量のグリシジルメタクリレート
を付加反応したもの。重量平均分子量４３０００、酸価
９５）。４０％γ−ブチロラクトン溶液として用いた。 バインダー樹脂Ｂ：エチルセルロース（数平均分子量８
００００）。５％テルピネオール溶液として用いた。 バインダー樹脂Ｃ：ポリメタクリル酸イソブチル（数平
均分子量１００００）。５％３−メトキシ３−メチルブ
タノール溶液として用いた。 ＜架橋剤＞ 架橋剤Ａ：トリメチロールプロパントリアクリレート
（日本化薬（株）製、“ＴＰＡ３３０”、３官能） 架橋剤Ｂ：ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート
（日本化薬（株）製、“ＤＰＨＡ”、６官能） 架橋剤Ｃ：テトラプロピレングリコールジメタクリレー
ト（日本油脂（株）製、“ＰＤＰ４００”、２官能） 架橋剤Ｄ：ビス（２−ヒドロキシ−３−メタクリロオキ
シプロピル）イソプロピルアミン（共栄社化学（株）
製、“ＩＰ−Ｇ”、２官能） ＜ウレタン化合物＞ ウレタン化合物Ａ：ＵＡ−３３４８ＰＥ（分子量２２０
００，ＥＯ含有率１５％） ウレタン化合物Ｂ：ＵＡ−５３４８ＰＥ（分子量３９０
００，ＥＯ含有率２３％） ＜重合開始剤＞ 重合開始剤Ａ：２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１
−（４−モルフォリノフェニル）−１−ブタノン（開始
剤効率１．０） 重合開始剤Ｂ：化合物６（開始剤効率１．０）

【００８５】

【化３】

【００８６】重合開始剤Ｃ：過酸化ベンゾイル（開始剤
効率１．０） 重合開始剤Ｄ：アゾビスイソブチロニトリル（開始剤効
率０．７） ＜無機粉末＞ 低融点ガラス粉末Ａ：酸化ビスマス３８％、酸化ケイ素
６％、酸化ホウ素２０％ 、酸化亜鉛２０％、酸化アルミニウム４％。ガラス転移
点４７５℃、軟化点５１５℃、熱膨張係数７５×１０^-7
／℃、密度４．６１ｇ／ｃｍ³。 低融点ガラス粉末Ｂ：酸化亜鉛６２％、酸化ケイ素１４
％、酸化ホウ素１４％、酸化亜鉛４％、酸化アルミニウ
ム２％。ガラス転移点４３５℃、軟化点４６５℃、熱膨
張係数７５×１０^-7／℃、密度２．５４ｇ／ｃｍ³、平
均屈折率１．５８６、平均粒子径２．６μｍ。 低融点ガラス粉末Ｃ：酸化ビスマス４３．３％、酸化ケ
イ素３０．４％、酸化ホウ素７．６％、酸化リチウム
７．９％、酸化アルミニウム４．５％、酸化ナトリウム
３．４％、酸化ジルコニア３．１％。ガラス転移点４２
３℃、軟化点４４８℃、熱膨張係数１１１×１０^-7／
℃、平均粒子径２．５μｍ。 低融点ガラス粉末Ｄ：酸化鉛４２．５％、酸化ホウ素３
２．５％、酸化ケイ素９％、酸化アルミニウム４％、酸
化ストロンチウム１２％。ガラス転移点５６０℃、軟化
点６０５℃、熱膨張係数７５×１０^-7／℃、密度４．３
２ｇ／ｃｍ³、平均粒子径１．８μｍ。 フィラーＡ：酸化ケイ素（日本アエロジル社製、“アエ
ロジル２００”、軟化点１７００℃） フィラーＢ：導電性酸化チタン（長軸４μｍ、短軸０．
４μｍ径） ＜電極ペーストの調整方法＞電極ペーストＡおよびＢ
は、表１に示された各有機成分とジプロピレングリコー
ルモノメチルエーテル（２０重量部）を５０℃に加熱し
ながら溶解し、続いて、銀微粒子（平均粒子径１．５μ
ｍ、比表面積０．８０ｍ²／ｇ、１５０重量部）および
低融点ガラス粉末（ガラス転移点４６０℃、軟化点４９
５℃、５重量部）を添加し、混練機を用いて混練して作
製した。

【００８７】

【表１】

【００８８】＜誘電体ペーストの調整方法＞誘電体ペー
ストは、表３に示された各有機成分を５０℃に加熱しな
がら溶解し、表３に示された各無機成分を添加して３本
ローラー混練機で混練して作製した。 ＜隔壁ペーストの調整方法＞隔壁ペーストＡおよびＢ
は、表２に示された各有機成分とジプロピレングリコー
ルモノメチルエーテル（２０重量部）を５０℃に加熱し
ながら溶解し、低融点ガラス粉末（ガラス転移点４９１
℃、軟化点５２８℃、２４重量部）およびフィラー（平
均屈折率１．５９、ガラス転移点６５２℃、平均粒子径
２．４μｍ、６重量部）を加熱しながら攪拌し、混練機
を用いて混練して作製した。

【００８９】

【表２】

【００９０】（実施例１）１２５ｍｍ角のガラス基板
（旭硝子社製“ＰＤ２００”）上に、電極ペーストＡを
乾燥後厚みが５μｍになるように、スクリーン印刷法
（印刷版：ＳＵＳ＃３２５）により塗布し、乾燥した。
乾燥後、ピッチ２５０μｍ、線幅５０μｍのストライプ
パターンを有するフォトマスクをセットして露光した。
露光後、０．５％のエタノールアミン水溶液中で現像し
て、ピッチ２５０μｍ、線幅６０μｍのストライプ状電
極パターンを得た。その後、熱風乾燥機を用いて２００
℃、１５分のキュアを行った。

【００９１】その電極パターン付きガラス基板上に、表
３に示す誘電体ペーストを、乾燥後厚み１５μｍになる
ように、スクリーン印刷法（印刷版：ＳＵＳ＃３２５）
により塗布し、熱風乾燥機を用いて１５０℃、１５分キ
ュアした。

【００９２】次に、隔壁ペーストＡを乾燥後厚み９０μ
ｍになるように塗布し、乾燥した。乾燥後、この塗布膜
の上に、ピッチ３０００μｍ、線幅１０００μｍのスト
ライプパターンを有するフォトマスクをアドレス電極と
直交するような配置でセットして露光を行った。露光さ
れた塗布膜の上に、隔壁ペーストＡをさらに塗布し、乾
燥して、乾燥厚さ９０μｍの塗布膜を形成した。この塗
布膜の上に、ピッチ２５０μｍ、線幅３０μｍのストラ
イプパターンを有するフォトマスクをアドレス電極と平
行になるような配置でセットして露光を行った。露光
後、０．５％のエタノールアミン水溶液中で現像し、ピ
ッチ２５０μｍ、線幅４０μｍ、高さ１８０μｍのスト
ライプ状主隔壁パターンとピッチ３０００μｍ、線幅１
０００μｍ、高さ９０μｍの補助隔壁パターンからなる
格子状隔壁パターンを得ることができた。

【００９３】このように電極パターン、誘電体ペースト
塗布層および隔壁パターンを形成した後に、これらを同
時に焼成した。焼成は、ローラーハース式焼成炉を用
い、焼成温度５７０℃で１５分間行った。ピッチ２５０
μｍ、線幅５０μｍ、厚み３μｍのストライプ状電極、
厚み１０μｍの誘電体層、およびピッチ２５０μｍ、線
幅３０μｍ、高さ１２０μｍのストライプ状主隔壁とピ
ッチ３０００μｍ、線幅８００μｍ、高さ６０μｍの補
助隔壁からなる格子状隔壁が得られた。いずれも亀裂、
断線などの欠陥は発生しなかった。

【００９４】誘電体層の亀裂の数は、誘電体層全体の表
面に存在する亀裂の数を数えた。また、誘電体層の気泡
の数と緻密性を評価するために、誘電体層の断面を走査
型電子顕微鏡で観察した。断面１００μｍ²あたりに存
在する直径１μｍ以上の気泡の数を数えた。緻密性の評
価は、断面が均一であるものを「良好」、不均一なもの
を「劣る」とした。評価結果を表３に示す。

【００９５】この隔壁形成した基板に赤、緑、青３色の
蛍光体層を形成し、前面板と合わせて封着し、ガス注入
を行ってプラズマディスプレイパネルを作製した。クロ
ストーク等の表示欠陥のない良好なディスプレイを得る
ことができた。 （実施例２〜６）誘電体ペースト組成およびキュアの条
件を表３に示すように変更した以外は、実施例１を繰り
返した。電極、誘電体層および隔壁のいずれにもほぼ欠
陥はなく、ディスプレイ用として好適な部材を得ること
ができた。 （実施例７）誘電体ペースト組成を表３に示すように変
更した以外は、実施例１を繰り返した。開始剤の添加量
が少なく誘電体ペースト塗布膜の架橋密度が十分ではな
かったので、誘電体層端部に３ヶ所亀裂が発生したが、
ディスプレイ用として使用可能な程度であった。 （実施例８）誘電体ペースト組成を表３に示すように変
更した以外は、実施例１を繰り返した。開始剤の添加量
が多く誘電体ペースト塗布膜の脱バインダー性が低下し
たので、誘電体層中の気泡が増加したが、ディスプレイ
用として使用可能な程度であった。 （実施例９）熱重合開始剤Ｂの代わりに熱重合開始剤Ｃ
を用いた他は、実施例１を繰り返したところ、ほぼ欠陥
はなく、ディスプレイ用として好適な部材を得ることが
できた。しかし、熱重合開始剤Ｃの溶解性が低かったた
め、誘電体ペーストを製造後１週間室温で保存したとこ
ろ、熱重合開始剤が一部析出した。この誘電体ペースト
を用いて実施例１を繰り返したところ、誘電体ペースト
塗布膜の架橋密度が低下し、誘電体層端部に８ヶ所亀裂
が発生した。 （実施例１０）実施例１に用いた誘電体ペーストを、製
造後１週間室温で保存し、その誘電体ペーストを用いて
実施例１を繰り返した。電極、誘電体層および隔壁のい
ずれにも欠陥はなく、ディスプレイ用として好適な部材
を得ることができた。 （実施例１１）熱重合開始剤Ｂの代わりに熱重合開始剤
Ｄを用いた他は、実施例１を繰り返した。熱重合開始剤
Ｄの開始剤効率が低かったため、誘電体ペースト塗布膜
の架橋密度が低下し、誘電体層端部に７ヶ所亀裂が発生
したが、ディスプレイ用として使用可能な程度であっ
た。 （実施例１２）架橋剤Ａの代わりに架橋剤Ｃを用いた他
は、実施例１を繰り返した。架橋剤Ｃが２官能であるた
めに、誘電体ペースト塗布膜の架橋密度が低下し、誘電
体層端部に６ヶ所亀裂が発生したが、ディスプレイ用と
して使用可能な程度であった。 （実施例１３）電極パターン形成後のキュアを１２０℃
で行った他は、実施例１を繰り返した。焼成時に電極に
大きな応力が発生するため、誘電体層端部に５ヶ所亀裂
が発生したが、ディスプレイ用として使用可能な程度で
あった。 （実施例１４）誘電体ペースト塗布膜形成後のキュアを
１２０℃で行った他は、実施例１を繰り返した。誘電体
ペースト塗布膜の硬化が十分でなかったため、誘電体層
端部に９ヶ所亀裂が発生したが、ディスプレイ用として
使用可能な程度であった。 （実施例１５）１２５ｍｍ角のガラス基板（旭硝子社製
“ＰＤ２００”）上に、電極ペーストＢを乾燥後厚み１
０μｍになるように、スクリーン印刷法により塗布、乾
燥した。スクリーン印刷にはピッチ３６０μｍ、線幅８
０μｍのストライプパターンを有するスクリーン印刷板
を用い、ピッチ３６０μｍ、線幅８５μｍのストライプ
状電極パターンを得た。その後、ＩＲ乾燥機を用いて２
５０℃、５分のキュアを行った。

【００９６】その電極パターン付きガラス基板上に表３
の誘電体ペーストを乾燥後厚み２０μｍになるように、
スクリーン印刷法（印刷版：ＳＵＳ＃３２５ベタ面）に
より塗布し、ＩＲ乾燥機を用いて２３０℃、３０分のキ
ュアを行った。

【００９７】次に、隔壁ペーストＢを、スクリーン印刷
法により塗布した。スクリーン印刷板は、ピッチ３６０
μｍ、線幅６０μｍのストライプパターンを有するもの
を、電極パターンと平行になるようにセットして用い
た。塗布、乾燥を繰り返し、ピッチ３６０μｍ、線幅６
０μｍ、高さ２００μｍのストライプ状隔壁パターンを
得ることができた。

【００９８】このように電極パターン、誘電体ペースト
塗布層および隔壁パターンを形成した後に、これらを同
時に焼成した。焼成は、ローラーハース式焼成炉を用
い、焼成温度５９０℃で１０分間行った。ピッチ３６０
μｍ、線幅８０μｍ、厚み５μｍのストライプ状電極、
厚み１４μｍの誘電体層、およびピッチ３６０μｍ、線
幅５０μｍ、高さ１３０μｍのストライプ状隔壁が得ら
れた。電極、誘電体層および隔壁のいずれにも欠陥はな
く、ディスプレイ用として好適な部材を得ることができ
た。 （実施例１６）電極パターン形成後のキュアを行わなか
った他は、実施例１５を繰り返した。電極パターンのエ
ッジカールが大きく、誘電体層端部に１１ヶ所亀裂が発
生したが、ディスプレイ用として使用可能な程度であっ
た。 （比較例１）誘電体ペーストに重合開始剤を添加せず、
さらに電極パターン形成後および誘電体ペースト塗布後
のキュアの両方を行わなかった他は、実施例１５を繰り
返した。電極パターンにおいて多数の断線が観察され、
さらに誘電体層全面に１００ヶ所以上の亀裂が発生し
て、ディスプレイ用として好適な部材を得ることができ
なかった。 （比較例２）誘電体ペースト塗布後のキュアを行わなか
った他は、実施例１５を繰り返した。誘電体ペースト塗
布膜の架橋密度が低下し、誘電体層全面に８０ヶ所程度
の亀裂が発生して、ディスプレイ用として好適な部材を
得ることができなかった。 （比較例３）電極パターン形成後のキュアおよび誘電体
ペースト塗布後のキュアの両方を行わなかった他は、実
施例１５を繰り返した。電極パターンにおいて多数の断
線が観察され、さらに誘電体層全面に１００ヶ所以上の
亀裂が発生して、ディスプレイ用として好適な部材を得
ることができなかった。

【００９９】

【表３】

【０１００】

【発明の効果】本発明の誘電体ペーストおよびプラズマ
ディスプレイの製造方法を用いれば、亀裂や断線などの
欠陥なく、電極パターン、誘電体ペースト塗布膜および
隔壁パターンの同時焼成を行うことができる。これによ
りプラズマディスプレイを低コストで製造できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】ストライプ状の隔壁を有するプラズマディスプ
レイ背面板の分解斜視図である。

【図２】格子状の隔壁を有するプラズマディスプレイ背
面板の分解斜視図である。

【図３】従来のプロセスを示すフロー図である。

【図４】本発明のプロセスを示すフロー図である。

【符号の説明】

１ 電極 ２ 誘電体層 ３ 隔壁 ４ 蛍光体層 ５ 電極引き出し部 ６ 主隔壁 ７ 補助隔壁 １ａ 電極パターン ２ａ 誘電体ペースト塗布膜 ３ａ 隔壁パターン

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｊ 9/02 Ｈ０１Ｊ 9/02 Ｆ 11/02 11/02 Ｂ (72)発明者 奥山 健太郎 滋賀県大津市園山１丁目１番１号 東レ株 式会社滋賀事業場内 (72)発明者 田中 明彦 滋賀県大津市園山１丁目１番１号 東レ株 式会社滋賀事業場内 Ｆターム(参考） 4J002 AB031 BB021 BC031 BC051 BE021 BE061 BF021 BG011 BG041 BG051 BG061 BG131 BJ001 CH001 CH021 CL001 CP031 DE098 DE138 DE148 DE188 DJ018 DL008 EH076 EK037 EK047 EK057 EK067 EK087 EP006 EQ017 ET007 FD018 FD146 FD157 GH00 GQ02 HA00 5C027 AA01 AA06 AA09 5C040 GC18 GC19 GD07 GD09 GF18 GF19 JA15 JA22 JA28 KA15 KA16 KB03 KB17 KB19 MA23 MA26 5G305 AA06 AA11 AB15 AB36 BA09 CA01 CA02 CA05 CA07 CA08 CA13 CA20 CA26 CA32 CA42 CA51 CB14 CC02 CC14 CD05 CD06 CD12 DA22

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】少なくともバインダー樹脂、架橋剤、熱重
   合開始剤および無機粉末を含み、かつ、バインダー樹脂
   および架橋剤１００重量部に対して、熱重合開始剤の含
   有量が３〜３０重量部の範囲である誘電体ペースト。
2. 【請求項２】熱重合開始剤の開始剤効率が０．８〜１．
   ０の範囲である請求項１記載の誘電体ペースト。
3. 【請求項３】熱重合開始剤が過酸化ベンゾイル骨格を有
   する化合物である請求項１または２記載の誘電体ペース
   ト。
4. 【請求項４】熱重合開始剤が式（１）で表される化合物
   である請求項３記載の誘電体ペースト。 【化１】 （式中、Ｒ¹、Ｒ²はそれぞれ水素、炭素数１〜５のアル
   キル基またはアラルキル基を示す）
5. 【請求項５】バインダー樹脂と架橋剤の重量比が、６
   ０：４０〜５：９５の範囲である請求項１記載の誘電体
   ペースト。
6. 【請求項６】架橋剤が３つ以上の官能基を有する化合物
   である請求項１記載の誘電体ペースト。
7. 【請求項７】無機粉末として軟化点４５０〜６００℃の
   ガラス粉末および軟化点６５０℃以上のフィラーを含
   み、かつ、バインダー樹脂および架橋剤１００重量部に
   対して、該ガラス粉末の含有量が１５０〜３００重量部
   の範囲、該フィラーの含有量が５０〜２００重量部の範
   囲である請求項１記載の誘電体ペースト。
8. 【請求項８】電極ペーストにより電極パターンを形成す
   る工程、誘電体ペーストにより誘電体ペースト塗布膜を
   形成する工程、隔壁ペーストにより隔壁パターンを形成
   する工程、および、少なくとも電極パターン、誘電体ペ
   ースト塗布膜および隔壁パターンを同時に焼成する工程
   をこの順に含み、かつ、誘電体ペースト塗布膜を形成す
   る工程の後に、キュアを行う工程を含むプラズマディス
   プレイの製造方法。
9. 【請求項９】キュアを１４０〜３００℃の温度範囲で行
   う請求項８記載のプラズマディスプレイの製造方法。
10. 【請求項１０】誘電体ペースト塗布膜を形成する工程の
    後、隔壁パターンを形成する工程の前にキュアを行う請
    求項８記載のプラズマディスプレイの製造方法。
11. 【請求項１１】電極パターンを形成する工程の後、誘電
    体ペースト塗布膜を形成する工程の前にもキュアを行う
    請求項８記載のプラズマディスプレイの製造方法。
12. 【請求項１２】電極パターンのキュアを１４０〜３００
    ℃の温度範囲で行う請求項１１記載のプラズマディスプ
    レイの製造方法。
13. 【請求項１３】電極ペーストおよび／または隔壁ペース
    トが感光性である請求項８記載のプラズマディスプレイ
    の製造方法。
14. 【請求項１４】電極ペーストにより電極パターンを形成
    する工程、請求項１に記載の誘電体ペーストにより誘電
    体ペースト塗布膜を形成する工程、隔壁ペーストにより
    隔壁パターンを形成する工程、および、少なくとも電極
    パターン、誘電体ペースト塗布膜および隔壁パターンを
    同時に焼成する工程をこの順に含み、かつ、誘電体ペー
    スト塗布膜を形成する工程の後に、キュアを行う工程を
    含むプラズマディスプレイの製造方法。