JP2003311435A5 - - Google Patents
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Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002118797A JP4302933B2 (ja) | 2002-04-22 | 2002-04-22 | イオンビームによる穴埋め方法及びイオンビーム装置 |
| US10/322,591 US7709062B2 (en) | 2002-04-22 | 2002-12-19 | Refilling method by ion beam, instrument for fabrication and observation by ion beam, and manufacturing method of electronic device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002118797A JP4302933B2 (ja) | 2002-04-22 | 2002-04-22 | イオンビームによる穴埋め方法及びイオンビーム装置 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003311435A JP2003311435A (ja) | 2003-11-05 |
| JP2003311435A5 true JP2003311435A5 (enExample) | 2005-08-25 |
| JP4302933B2 JP4302933B2 (ja) | 2009-07-29 |
Family
ID=29207926
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002118797A Expired - Fee Related JP4302933B2 (ja) | 2002-04-22 | 2002-04-22 | イオンビームによる穴埋め方法及びイオンビーム装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7709062B2 (enExample) |
| JP (1) | JP4302933B2 (enExample) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4205992B2 (ja) | 2003-06-19 | 2009-01-07 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | イオンビームによる試料加工方法、イオンビーム加工装置、イオンビーム加工システム、及びそれを用いた電子部品の製造方法 |
| US20080078750A1 (en) * | 2004-08-24 | 2008-04-03 | Sela Semiconductor Engineering Laboratories Ltd. | Directed Multi-Deflected Ion Beam Milling of a Work Piece and Determining and Controlling Extent Thereof |
| JP5033314B2 (ja) | 2004-09-29 | 2012-09-26 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | イオンビーム加工装置及び加工方法 |
| JP5127148B2 (ja) | 2006-03-16 | 2013-01-23 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | イオンビーム加工装置 |
| EP2106555B1 (en) | 2006-10-20 | 2015-01-07 | FEI Company | Method for s/tem sample analysis |
| WO2008051880A2 (en) | 2006-10-20 | 2008-05-02 | Fei Company | Method and apparatus for sample extraction and handling |
| US8373427B2 (en) | 2010-02-10 | 2013-02-12 | Skyworks Solutions, Inc. | Electron radiation monitoring system to prevent gold spitting and resist cross-linking during evaporation |
| DE102010003056B9 (de) * | 2010-03-19 | 2014-07-31 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Verfahren zur Erzeugung von Bildern einer Probe |
| JP2014038742A (ja) * | 2012-08-13 | 2014-02-27 | Tokyo Electron Ltd | X線発生用ターゲットの製造方法、及びx線発生用ターゲット |
| TWI616923B (zh) * | 2012-12-31 | 2018-03-01 | Fei公司 | 使用帶電粒子束引發沈積填充一孔之方法、填充一高縱橫比孔之方法、帶電粒子束系統 |
| US9882113B1 (en) * | 2014-06-23 | 2018-01-30 | National Technology & Engineering Solutions Of Sandia, Llc | Gallium beam lithography for superconductive structure formation |
| DE112016004214T5 (de) * | 2015-09-16 | 2018-07-26 | Tel Epion Inc. | Verfahren für hohen Durchsatz unter Verwendung von Strahl-Scangröße und Strahlen-Position in einem Strahlen-Bearbeitungssystem |
| JP6829660B2 (ja) * | 2017-06-26 | 2021-02-10 | 株式会社日立製作所 | Memsセンサの製造方法 |
| WO2021220508A1 (ja) * | 2020-05-01 | 2021-11-04 | 株式会社日立ハイテク | ピンセット、搬送装置および試料片の搬送方法 |
| US12165832B2 (en) | 2021-12-31 | 2024-12-10 | Fei Company | Systems and methods for performing sample lift-out for highly reactive materials |
Family Cites Families (48)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4548883A (en) * | 1983-05-31 | 1985-10-22 | At&T Bell Laboratories | Correction of lithographic masks |
| US4639301B2 (en) * | 1985-04-24 | 1999-05-04 | Micrion Corp | Focused ion beam processing |
| CH665428A5 (de) * | 1985-07-26 | 1988-05-13 | Balzers Hochvakuum | Verfahren zur beschichtung von mikrovertiefungen. |
| JPH0763064B2 (ja) * | 1986-03-31 | 1995-07-05 | 株式会社日立製作所 | Ic素子における配線接続方法 |
| JP2650930B2 (ja) * | 1987-11-24 | 1997-09-10 | 株式会社日立製作所 | 超格子構作の素子製作方法 |
| US4902530A (en) * | 1988-02-19 | 1990-02-20 | Seiko Instruments Inc. | Method of correcting a pattern film |
| JP2595024B2 (ja) * | 1988-03-16 | 1997-03-26 | 株式会社日立製作所 | 膜形成方法及び膜形成装置 |
| JP2753306B2 (ja) * | 1988-03-18 | 1998-05-20 | 株式会社日立製作所 | イオンビーム加工方法及び集束イオンビーム装置 |
| US4874493A (en) * | 1988-03-28 | 1989-10-17 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Method of deposition of metal into cavities on a substrate |
| JP2733244B2 (ja) * | 1988-04-07 | 1998-03-30 | 株式会社日立製作所 | 配線形成方法 |
| JP2779414B2 (ja) * | 1988-12-01 | 1998-07-23 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | ミクロ断面の加工・観察方法 |
| US5104684A (en) * | 1990-05-25 | 1992-04-14 | Massachusetts Institute Of Technology | Ion beam induced deposition of metals |
| JP2971529B2 (ja) * | 1990-06-25 | 1999-11-08 | 松下電子工業株式会社 | 集積回路の故障解析方法 |
| US5140164A (en) * | 1991-01-14 | 1992-08-18 | Schlumberger Technologies, Inc. | Ic modification with focused ion beam system |
| JP2774884B2 (ja) * | 1991-08-22 | 1998-07-09 | 株式会社日立製作所 | 試料の分離方法及びこの分離方法で得た分離試料の分析方法 |
| US5429730A (en) * | 1992-11-02 | 1995-07-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of repairing defect of structure |
| JPH06252233A (ja) | 1993-02-24 | 1994-09-09 | Hitachi Ltd | 集束イオンビーム加工方法及びその加工装置 |
| JP3117836B2 (ja) | 1993-03-02 | 2000-12-18 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 集束イオンビーム装置 |
| US5504340A (en) * | 1993-03-10 | 1996-04-02 | Hitachi, Ltd. | Process method and apparatus using focused ion beam generating means |
| JP3310136B2 (ja) * | 1994-09-17 | 2002-07-29 | 株式会社東芝 | 荷電ビーム装置 |
| US5700526A (en) * | 1995-05-04 | 1997-12-23 | Schlumberger Technologies Inc. | Insulator deposition using focused ion beam |
| US5844416A (en) * | 1995-11-02 | 1998-12-01 | Sandia Corporation | Ion-beam apparatus and method for analyzing and controlling integrated circuits |
| US6376781B1 (en) * | 1996-05-03 | 2002-04-23 | Micron Technology, Inc. | Low resistance contacts fabricated in high aspect ratio openings by resputtering |
| JP3942213B2 (ja) | 1996-10-08 | 2007-07-11 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体の製造方法及び検査方法並びにそのための装置 |
| US6828566B2 (en) * | 1997-07-22 | 2004-12-07 | Hitachi Ltd | Method and apparatus for specimen fabrication |
| AU1994699A (en) | 1997-08-27 | 1999-04-23 | Micrion Corporation | In-line fib process monitoring with wafer preservation |
| JPH11274255A (ja) * | 1998-03-19 | 1999-10-08 | Seiko Instruments Inc | 断面加工観察方法 |
| JP3695181B2 (ja) | 1998-11-20 | 2005-09-14 | 株式会社日立製作所 | 基板抽出方法及びそれを用いた電子部品製造方法 |
| WO2000065406A1 (en) * | 1999-04-21 | 2000-11-02 | Seiko Instruments Inc. | Method of correcting phase shift mask and focused ion beam device |
| US6322935B1 (en) * | 2000-02-28 | 2001-11-27 | Metron Technology | Method and apparatus for repairing an alternating phase shift mask |
| JP4223672B2 (ja) * | 2000-10-31 | 2009-02-12 | エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 | 梁状の膜パターン形成方法 |
| JP4178741B2 (ja) * | 2000-11-02 | 2008-11-12 | 株式会社日立製作所 | 荷電粒子線装置および試料作製装置 |
| EP1209737B2 (en) * | 2000-11-06 | 2014-04-30 | Hitachi, Ltd. | Method for specimen fabrication |
| US7326445B2 (en) * | 2000-11-29 | 2008-02-05 | Sii Nanotechnology Inc. | Method and apparatus for manufacturing ultra fine three-dimensional structure |
| JP4472882B2 (ja) * | 2001-01-16 | 2010-06-02 | エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 | マスクの欠陥修正方法 |
| US6670717B2 (en) * | 2001-10-15 | 2003-12-30 | International Business Machines Corporation | Structure and method for charge sensitive electrical devices |
| JP2003151479A (ja) * | 2001-11-15 | 2003-05-23 | Hitachi Ltd | 帯電中和制御方法、及びそれを用いた荷電粒子線装置 |
| US20040121069A1 (en) * | 2002-08-08 | 2004-06-24 | Ferranti David C. | Repairing defects on photomasks using a charged particle beam and topographical data from a scanning probe microscope |
| JP4088533B2 (ja) * | 2003-01-08 | 2008-05-21 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 試料作製装置および試料作製方法 |
| US7315023B2 (en) * | 2004-07-22 | 2008-01-01 | Omniprobe, Inc. | Method of preparing a sample for examination in a TEM |
| US7132673B2 (en) * | 2004-07-30 | 2006-11-07 | E.A. Fischione Instruments, Inc. | Device and method for milling of material using ions |
| JP4671223B2 (ja) * | 2005-04-22 | 2011-04-13 | エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 | 集束イオンビームによる加工方法及び集束イオンビーム加工装置 |
| JP2006331847A (ja) * | 2005-05-26 | 2006-12-07 | Hitachi High-Technologies Corp | イオンビーム加工・観察装置及び方法 |
| JP4627682B2 (ja) * | 2005-05-27 | 2011-02-09 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 試料作製装置および方法 |
| JP2007115587A (ja) * | 2005-10-21 | 2007-05-10 | Sii Nanotechnology Inc | 荷電粒子ビーム加工方法及び荷電粒子ビーム装置 |
| JP4685627B2 (ja) * | 2005-12-28 | 2011-05-18 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 試料加工方法 |
| JP5099291B2 (ja) * | 2006-02-14 | 2012-12-19 | エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 | 集束イオンビーム装置及び試料の断面加工・観察方法 |
| JP5127148B2 (ja) * | 2006-03-16 | 2013-01-23 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | イオンビーム加工装置 |
-
2002
- 2002-04-22 JP JP2002118797A patent/JP4302933B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2002-12-19 US US10/322,591 patent/US7709062B2/en not_active Expired - Fee Related
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