JP2595024B2 - 膜形成方法及び膜形成装置 - Google Patents
膜形成方法及び膜形成装置Info
- Publication number
- JP2595024B2 JP2595024B2 JP6037888A JP6037888A JP2595024B2 JP 2595024 B2 JP2595024 B2 JP 2595024B2 JP 6037888 A JP6037888 A JP 6037888A JP 6037888 A JP6037888 A JP 6037888A JP 2595024 B2 JP2595024 B2 JP 2595024B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- side wall
- film forming
- micro
- irradiation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、段差部側壁に効率良く再付着膜を形成する
膜形成方法及び膜形成装置に関する。
膜形成方法及び膜形成装置に関する。
従来、集束イオンビーム（FIB）によるスパツタリン
グによつて、段差部下段の構成物質を段差部側壁に再付
着させ膜形成を行なつた例として、アイ・トリプル・イ
ー・エレクトロン・デバイス・レターズ;VOL.EDL−7,N
o.5,MAY 1986,第285頁から287頁（IEEE ELECTRON DEVIC
E LETTERS VOL,EDL−7,No.5,MAY 1986,pp285−287）が
ある（論文１）。これは第２図に示すように、導電層２
と絶縁層３か交互に積層された試料の導電層間の接続を
（ａ）窓開け加工と（ｂ）FIBの偏向領域を小さくした
スパツタリング加工による再付着膜形成により行なつた
ものである。
グによつて、段差部下段の構成物質を段差部側壁に再付
着させ膜形成を行なつた例として、アイ・トリプル・イ
ー・エレクトロン・デバイス・レターズ;VOL.EDL−7,N
o.5,MAY 1986,第285頁から287頁（IEEE ELECTRON DEVIC
E LETTERS VOL,EDL−7,No.5,MAY 1986,pp285−287）が
ある（論文１）。これは第２図に示すように、導電層２
と絶縁層３か交互に積層された試料の導電層間の接続を
（ａ）窓開け加工と（ｂ）FIBの偏向領域を小さくした
スパツタリング加工による再付着膜形成により行なつた
ものである。
側壁に形成される再付着膜は、低抵抗，高許容電流と
するため、厚い事が望まれる。しかし、下層導電層のス
パツタリングできる体積は有限である。従つて、スパツ
タしたものを効率良く再付着させる必要がある。従来技
術は、この点について考慮されていない。
するため、厚い事が望まれる。しかし、下層導電層のス
パツタリングできる体積は有限である。従つて、スパツ
タしたものを効率良く再付着させる必要がある。従来技
術は、この点について考慮されていない。
本発明の課題は、段差部側壁に効率良く再付着膜を形
成することにある。
成することにある。
上記課題は、段差部下段の構成物質をFIBによりスパ
ツタリングする際、FIBビーム径ｄと１回のビーム照射
により形成される微小加工段差ｈとの関係をｈ≧ｄと
し、かつ、微小加工段差側壁にビームを順次照射するこ
とにより達成される。
ツタリングする際、FIBビーム径ｄと１回のビーム照射
により形成される微小加工段差ｈとの関係をｈ≧ｄと
し、かつ、微小加工段差側壁にビームを順次照射するこ
とにより達成される。
ｈｄの条件で、かつ、微小段差部側壁に順次ビーム
を照射すると傾斜させた試料にビーム照射した場合と同
様の効果が期待できる。これにより、スパツタされた試
料物質の飛散方向は斜めにシフトし、スパツタされた試
料物質を効率良く再付着させる事ができる。また、斜め
入射の効果によりスパツタリング率が向上し、加工速度
も向上する。
を照射すると傾斜させた試料にビーム照射した場合と同
様の効果が期待できる。これにより、スパツタされた試
料物質の飛散方向は斜めにシフトし、スパツタされた試
料物質を効率良く再付着させる事ができる。また、斜め
入射の効果によりスパツタリング率が向上し、加工速度
も向上する。
以下、本発明の実施例を図を用いて説明する。第１図
は、従来技術として引用した導電層の接続加工を本発明
の方法を用い実施したものである。（ａ）は試料断面図
で、（ｂ）はビーム照射軌跡を示した試料上面図であ
る。導電層及び絶縁層の材質はそれぞれ、アルミニウ
ム，酸化シリコンである。FIBとしては、30KV加速のAl
＋ビームを0.1μｍに絞つたものを用いた。ビームスキ
ヤンは、（ｂ）に示すようにラスタースキヤンとし、ｙ
軸を高速にｘ軸を低速にスキヤンした。ｘ軸の走査線ピ
ツチは0.05μｍとし、ｙ軸掃引は折返し行なう手法をと
つた。ビーム電流10pAでｙ軸掃引速度を５μm/secとし
てｈｄの条件を満足した。なお、加工穴の開口は４μ
ｍ×４μｍである。
は、従来技術として引用した導電層の接続加工を本発明
の方法を用い実施したものである。（ａ）は試料断面図
で、（ｂ）はビーム照射軌跡を示した試料上面図であ
る。導電層及び絶縁層の材質はそれぞれ、アルミニウ
ム，酸化シリコンである。FIBとしては、30KV加速のAl
＋ビームを0.1μｍに絞つたものを用いた。ビームスキ
ヤンは、（ｂ）に示すようにラスタースキヤンとし、ｙ
軸を高速にｘ軸を低速にスキヤンした。ｘ軸の走査線ピ
ツチは0.05μｍとし、ｙ軸掃引は折返し行なう手法をと
つた。ビーム電流10pAでｙ軸掃引速度を５μm/secとし
てｈｄの条件を満足した。なお、加工穴の開口は４μ
ｍ×４μｍである。
本実施例によれば、再付着膜を効率的に形成できる効
果がある。なお、一方向の壁に選択的に膜形成を行なえ
る利点も有する。全壁面に膜形成するにはビームスキヤ
ンを１フレーム毎に90゜回転させれば良い。
果がある。なお、一方向の壁に選択的に膜形成を行なえ
る利点も有する。全壁面に膜形成するにはビームスキヤ
ンを１フレーム毎に90゜回転させれば良い。
FIBのイオン種としてはスパツタ層と同一元素であるA
lを採用し、再付着膜への不純物混入を緩和した。
lを採用し、再付着膜への不純物混入を緩和した。
なお、上記実施例では導電膜の形成を行なつたが、絶
縁層をスパツタリングし、側壁に絶縁膜形成を行なう事
も原理的に可能であり、この際も、絶縁膜の高耐圧化の
観点から本発明の膜形成方法は有用である。
縁層をスパツタリングし、側壁に絶縁膜形成を行なう事
も原理的に可能であり、この際も、絶縁膜の高耐圧化の
観点から本発明の膜形成方法は有用である。
第３図は本発明の他の実施例を示したものである。
（ａ）は四角穴の四方の側壁に、（ｂ）は円形穴に周囲
側壁に膜形成を行つたもので、ビーム照射軌跡５をら線
状にしている。この様に、ビーム照射軌跡５が膜形成を
行なう壁面の法線６と垂直に交鎖し、その交鎖点が法線
上を壁面から遠ざかる方向にビーム偏向を行なう事で穴
の側壁全面に効率良く均一な膜形成が可能となる。
（ａ）は四角穴の四方の側壁に、（ｂ）は円形穴に周囲
側壁に膜形成を行つたもので、ビーム照射軌跡５をら線
状にしている。この様に、ビーム照射軌跡５が膜形成を
行なう壁面の法線６と垂直に交鎖し、その交鎖点が法線
上を壁面から遠ざかる方向にビーム偏向を行なう事で穴
の側壁全面に効率良く均一な膜形成が可能となる。
上記実施例における膜形成方法は荷電粒子源，荷電粒
子ビームを収束するレンズおよび偏向器を備えたFIB光
学系と、ビーム偏向制御を行なうコンピユータよりなる
膜形成装置により実行される。
子ビームを収束するレンズおよび偏向器を備えたFIB光
学系と、ビーム偏向制御を行なうコンピユータよりなる
膜形成装置により実行される。
荷電粒子源は例えば液体金属イオン源等のイオン源に
より構成される。偏向器，レンズは例えば静電形偏向
器，レンズが使用できる。コンピユータは偏向器を制御
し穴開け工程と付着膜形成工程の間でビーム偏向の速度
及びピツチの変更を行ない上記実施例の方法を実行す
る。例えばビーム電流を10pAとし、ｙ軸掃引速度を５μ
m/secとしてｈｄの条件を満足できる。
より構成される。偏向器，レンズは例えば静電形偏向
器，レンズが使用できる。コンピユータは偏向器を制御
し穴開け工程と付着膜形成工程の間でビーム偏向の速度
及びピツチの変更を行ない上記実施例の方法を実行す
る。例えばビーム電流を10pAとし、ｙ軸掃引速度を５μ
m/secとしてｈｄの条件を満足できる。
本発明によれば、断差部側壁への再付着膜形成を効率
良く、かつ、高速に行える効果がある。
良く、かつ、高速に行える効果がある。
第１図は本発明の一実施例を用いて膜を形成している試
料の（ａ）断面図（ｂ）上面図、第２図は従来技術を用
いて膜を形成している試料の断面図、第３図は本発明の
実施例を用いて膜を形成している試料の上面図である。 １……集束イオンビーム、２……導電層、３……絶縁
層、４……再付着膜、５……ビーム照射軌跡、６……法
線。
料の（ａ）断面図（ｂ）上面図、第２図は従来技術を用
いて膜を形成している試料の断面図、第３図は本発明の
実施例を用いて膜を形成している試料の上面図である。 １……集束イオンビーム、２……導電層、３……絶縁
層、４……再付着膜、５……ビーム照射軌跡、６……法
線。
Claims (4)
- 【請求項１】試料上に形成された段差部の側壁に、段差
部下段の構成物質を、集束イオンビーム（FIB）照射に
よるスパツタリング現象を利用して再付着させ、膜形成
を行なう際、FIBのビーム径ｄと１回のビーム照射によ
り形成される微小加工段差ｈとの関係をｈ≧ｄとし、か
つ、前記微小加工段差部側壁に順次ビーム照射を行なう
事を特徴とする膜形成方法。 - 【請求項２】ビーム照射の軌跡が、膜形成を行なう壁面
の法線とほぼ垂直に交鎖し、この交鎖点が法線上を壁面
から遠ざかる方向に順次移動する様にビーム偏向を行な
う事を特徴とする請求項１記載の膜形成方法。 - 【請求項３】膜形成を行なう段差部をFIB照射により形
成する事を特徴とする請求項１記載の膜形成方法。 - 【請求項４】イオンビームを発生する荷電粒子源と、上
記イオンビームを集束するためのレンズと、上記イオン
ビームを偏向するための偏向器を有し、試料上に形成さ
れた段差部の側壁に、段差部下段の構成物質を、集束イ
オンビーム照射によるスパツタリング現象を利用して再
付着させる膜形成装置において、集束イオンビームのビ
ーム径ｄと１回のビーム照射により形成される微小加工
段差ｈとの関係をｈ≧ｄに制御する手段と、前記微小加
工段差部側壁に順次ビーム照射を行なうように上記偏向
手段を制御することを特徴とする膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6037888A JP2595024B2 (ja) | 1988-03-16 | 1988-03-16 | 膜形成方法及び膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6037888A JP2595024B2 (ja) | 1988-03-16 | 1988-03-16 | 膜形成方法及び膜形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01234564A JPH01234564A (ja) | 1989-09-19 |
| JP2595024B2 true JP2595024B2 (ja) | 1997-03-26 |
Family
ID=13140418
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6037888A Expired - Fee Related JP2595024B2 (ja) | 1988-03-16 | 1988-03-16 | 膜形成方法及び膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2595024B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4302933B2 (ja) * | 2002-04-22 | 2009-07-29 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | イオンビームによる穴埋め方法及びイオンビーム装置 |
-
1988
- 1988-03-16 JP JP6037888A patent/JP2595024B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01234564A (ja) | 1989-09-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4936968A (en) | Ion-beam machining method and apparatus | |
| JP3041565B2 (ja) | 試料加工方法 | |
| US7002152B2 (en) | Sample preparation for transmission electron microscopy | |
| US5270552A (en) | Method for separating specimen and method for analyzing the specimen separated by the specimen separating method | |
| EP0968517B1 (en) | Sem provided with an electrostatic objective and an electrical scanning device | |
| JPS61248346A (ja) | 集束イオンビーム処理装置 | |
| JPH09293654A (ja) | 荷電粒子ビーム露光装置用透過マスク及びそれを利用した露光装置 | |
| JP2003506825A (ja) | レーザー・スポット溶接を使用するマイクロコラムアセンブリ | |
| JPH04242060A (ja) | 反射電子顕微鏡 | |
| JP2000500265A (ja) | 高分解能透過電子顕微鏡におけるイオン薄肉化方法および装置 | |
| JPS62223957A (ja) | ハイブリツド荷電粒子光学系 | |
| JP2595024B2 (ja) | 膜形成方法及び膜形成装置 | |
| JPH0510822B2 (ja) | ||
| US4263514A (en) | Electron beam system | |
| JPH0528950A (ja) | 断面加工方法及び装置 | |
| JPH07105209B2 (ja) | 電子顕微鏡 | |
| JPS60211749A (ja) | スリツト走査による像変換管 | |
| JP3443294B2 (ja) | イオンビーム投影加工方法およびその装置 | |
| JP3240730B2 (ja) | イオンビーム装置、及びイオンビーム装置による加工条件表示方法 | |
| JPH0475246A (ja) | イオンビーム加工装置 | |
| JPH0754683B2 (ja) | 帯電防止法 | |
| JPS61124568A (ja) | イオンビ−ムスパツタ装置 | |
| JP2529057B2 (ja) | マイクロイオンビ―ム加工方法 | |
| JPS6290842A (ja) | 集束イオンビ−ム照射装置 | |
| JPH0586023B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |