JPH04242060A - 反射電子顕微鏡 - Google Patents
反射電子顕微鏡Info
- Publication number
- JPH04242060A JPH04242060A JP190791A JP190791A JPH04242060A JP H04242060 A JPH04242060 A JP H04242060A JP 190791 A JP190791 A JP 190791A JP 190791 A JP190791 A JP 190791A JP H04242060 A JPH04242060 A JP H04242060A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- electron beam
- primary electron
- wien
- reflecting electrons
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 37
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 13
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 11
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 15
- 239000013598 vector Substances 0.000 abstract description 13
- 230000004075 alteration Effects 0.000 abstract description 4
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- BGPVFRJUHWVFKM-UHFFFAOYSA-N N1=C2C=CC=CC2=[N+]([O-])C1(CC1)CCC21N=C1C=CC=CC1=[N+]2[O-] Chemical compound N1=C2C=CC=CC2=[N+]([O-])C1(CC1)CCC21N=C1C=CC=CC1=[N+]2[O-] BGPVFRJUHWVFKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、試料に垂直に一次電子
ビームを減速して照射し、その結果発生した反射電子を
結像するようにした反射電子顕微鏡に関する。
ビームを減速して照射し、その結果発生した反射電子を
結像するようにした反射電子顕微鏡に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２は、従来の反射電子顕微鏡（ＬＥＥ
Ｍ：Ｌｏｗ Ｅｎｅｒｇｙ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｒｅｆ
ｌｅｃｔｉｏｎＭｉｃｒｏｓｃｏｐｅ ）を示している
。１は電子銃であり、電子銃１からの一次電子ビームは
、数１０ｋＶに加速され、照射レンズ系２によって集束
される。一次電子ビームは、その光軸上に配置されたセ
クター型マグネット３による紙面に垂直方向の磁場によ
って偏向を受け、試料４に垂直入射する。試料４の前面
には、電極５，６が配置されているが、電極５はアース
電位に保たれ、電極６と試料４にはそれぞれ電源７から
所定の電圧が印加される。試料４への一次電子ビームの
照射に基づいて発生した反射電子は、電極５，６によっ
て一次電子ビームの初期の加速電圧である数１０ｋＶま
で加速され、マグネット３による磁場によって偏向され
、偏向された反射電子は、結像レンズ系８によって蛍光
板９上に結像される。
Ｍ：Ｌｏｗ Ｅｎｅｒｇｙ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｒｅｆ
ｌｅｃｔｉｏｎＭｉｃｒｏｓｃｏｐｅ ）を示している
。１は電子銃であり、電子銃１からの一次電子ビームは
、数１０ｋＶに加速され、照射レンズ系２によって集束
される。一次電子ビームは、その光軸上に配置されたセ
クター型マグネット３による紙面に垂直方向の磁場によ
って偏向を受け、試料４に垂直入射する。試料４の前面
には、電極５，６が配置されているが、電極５はアース
電位に保たれ、電極６と試料４にはそれぞれ電源７から
所定の電圧が印加される。試料４への一次電子ビームの
照射に基づいて発生した反射電子は、電極５，６によっ
て一次電子ビームの初期の加速電圧である数１０ｋＶま
で加速され、マグネット３による磁場によって偏向され
、偏向された反射電子は、結像レンズ系８によって蛍光
板９上に結像される。
【０００３】上記構成において、電子銃１からは約１０
ｋＶの加速電圧の電子ビームが発生され、この一次電子
ビームは、照射レンズ系２によって集束され、更に、マ
グネット３による磁場によって偏向され、試料４に垂直
に入射させられる。この時、試料４の前面に配置された
電極５，６および試料４には、電源７から所定の電圧が
印加されており、これら電極と試料によってカソードレ
ンズが形成される。一次電子ビームは、このカソードレ
ンズによって減速され、１００Ｖ程度の加速電圧で試料
４に入射する。試料への一次電子ビームの入射によって
反射電子が発生するが、この反射電子は、試料前面のカ
ソードレンズによって加速され、最終的には電極５によ
って一次電子ビームの加速電圧と同じ数１０ｋＶに加速
される。加速された反射電子は、マグネット３が形成す
る紙面に垂直な磁場によって偏向され、一次電子ビーム
の光路とはこの磁場によって分離される。マグネット３
によって入射一次電子ビームとは異なった方向に偏向さ
れた反射電子は、結像レンズ系８によって蛍光板９上に
結像され、この蛍光板上に試料の反射電子線像が得られ
る。
ｋＶの加速電圧の電子ビームが発生され、この一次電子
ビームは、照射レンズ系２によって集束され、更に、マ
グネット３による磁場によって偏向され、試料４に垂直
に入射させられる。この時、試料４の前面に配置された
電極５，６および試料４には、電源７から所定の電圧が
印加されており、これら電極と試料によってカソードレ
ンズが形成される。一次電子ビームは、このカソードレ
ンズによって減速され、１００Ｖ程度の加速電圧で試料
４に入射する。試料への一次電子ビームの入射によって
反射電子が発生するが、この反射電子は、試料前面のカ
ソードレンズによって加速され、最終的には電極５によ
って一次電子ビームの加速電圧と同じ数１０ｋＶに加速
される。加速された反射電子は、マグネット３が形成す
る紙面に垂直な磁場によって偏向され、一次電子ビーム
の光路とはこの磁場によって分離される。マグネット３
によって入射一次電子ビームとは異なった方向に偏向さ
れた反射電子は、結像レンズ系８によって蛍光板９上に
結像され、この蛍光板上に試料の反射電子線像が得られ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記反射電子顕微鏡の
反射電子結像系においては、試料の像を得るために光軸
対称な光学特性が要求される。しかしながら、上記した
従来装置では、入射一次電子ビーム光路と反射電子光路
との分離のためにセクター型マグネット３を用いている
が、このセクター型マグネット３は、光軸に対しては非
対称な光学系であり、紙面に平行な方向と、紙面に垂直
な方向では、通過する電子に対しての特性が非常に異な
る。反射電子像に関し、この紙面に対し、平行な方向と
垂直な方向で焦点距離を合わせ、また、倍率を等しくす
ること、更には、収差も小さくしなければならないが、
このような要求を満たすマグネットの形状を決定するこ
とは非常に困難である。
反射電子結像系においては、試料の像を得るために光軸
対称な光学特性が要求される。しかしながら、上記した
従来装置では、入射一次電子ビーム光路と反射電子光路
との分離のためにセクター型マグネット３を用いている
が、このセクター型マグネット３は、光軸に対しては非
対称な光学系であり、紙面に平行な方向と、紙面に垂直
な方向では、通過する電子に対しての特性が非常に異な
る。反射電子像に関し、この紙面に対し、平行な方向と
垂直な方向で焦点距離を合わせ、また、倍率を等しくす
ること、更には、収差も小さくしなければならないが、
このような要求を満たすマグネットの形状を決定するこ
とは非常に困難である。
【０００５】本発明は、このような点に鑑みてなされた
もので、その目的は、反射電子の結像系を実質的に光軸
対称とすることができる反射電子顕微鏡を実現するにあ
る。
もので、その目的は、反射電子の結像系を実質的に光軸
対称とすることができる反射電子顕微鏡を実現するにあ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に基づく反射電子
顕微鏡は、電子ビーム源と、電子ビーム源からの一次電
子ビームを試料に向け照射するための照射レンズ系と、
試料の前方に設けられ、試料に照射される一次電子ビー
ムを減速する減速レンズ系と、試料への一次電子ビーム
の照射によって発生した反射電子を結像する結像系とを
有した反射電子顕微鏡において、試料の前方に電場と磁
場とより成るウィーンフィルターを配置し、該ウィーン
フィルターの電場と磁場の強度を、一次電子ビームがウ
ィーンフィルターを通過した際に偏向され、試料に垂直
に入射するように、および、試料からの反射電子がウィ
ーンフィルターを直進するような値にセットしたことを
特徴としている。
顕微鏡は、電子ビーム源と、電子ビーム源からの一次電
子ビームを試料に向け照射するための照射レンズ系と、
試料の前方に設けられ、試料に照射される一次電子ビー
ムを減速する減速レンズ系と、試料への一次電子ビーム
の照射によって発生した反射電子を結像する結像系とを
有した反射電子顕微鏡において、試料の前方に電場と磁
場とより成るウィーンフィルターを配置し、該ウィーン
フィルターの電場と磁場の強度を、一次電子ビームがウ
ィーンフィルターを通過した際に偏向され、試料に垂直
に入射するように、および、試料からの反射電子がウィ
ーンフィルターを直進するような値にセットしたことを
特徴としている。
【０００７】
【作用】本発明に基づく反射電子顕微鏡は、試料の前方
に電場と磁場とより成るウィーンフィルターを配置し、
該ウィーンフィルターの電場と磁場の強度を、一次電子
ビームがウィーンフィルターを通過した際に偏向され、
試料に垂直に入射するように、および、試料からの反射
電子がウィーンフィルターを直進するような値にセット
して、反射電子が一次電子ビームの偏向場の影響を受け
ることをなくし、反射電子の結像系を実質的に光軸対称
とすることを可能とする。
に電場と磁場とより成るウィーンフィルターを配置し、
該ウィーンフィルターの電場と磁場の強度を、一次電子
ビームがウィーンフィルターを通過した際に偏向され、
試料に垂直に入射するように、および、試料からの反射
電子がウィーンフィルターを直進するような値にセット
して、反射電子が一次電子ビームの偏向場の影響を受け
ることをなくし、反射電子の結像系を実質的に光軸対称
とすることを可能とする。
【０００８】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。図１は、本発明の一実施例である反射電子
顕微鏡を示しており、図２の従来装置と同一部分には同
一番号を付してある。この実施例と図２の従来装置との
相違点は、一次電子ビームと反射電子とを分離するため
に、セクター型マグネット３に代え、一対の電極１１と
一対の磁石１２とより成るウィーンフィルター１３を用
いたことである。そして、試料４からの反射電子の結像
レンズ系８は、ウィーンフィルター１３の上部に配置さ
れ、その光軸は試料４に垂直とされている。
に説明する。図１は、本発明の一実施例である反射電子
顕微鏡を示しており、図２の従来装置と同一部分には同
一番号を付してある。この実施例と図２の従来装置との
相違点は、一次電子ビームと反射電子とを分離するため
に、セクター型マグネット３に代え、一対の電極１１と
一対の磁石１２とより成るウィーンフィルター１３を用
いたことである。そして、試料４からの反射電子の結像
レンズ系８は、ウィーンフィルター１３の上部に配置さ
れ、その光軸は試料４に垂直とされている。
【０００９】このような構成において、照射レンズ系２
からの一次電子ビームは、ウィーンフィルター１３に入
射する。ウィーンフィルター１３においては、電場ベク
トルＥと磁場ベクトルＢが形成されているが、この電場
ベクトルＥと磁場ベクトルＢが入射一次電子ビームに及
ぼす力は、同じ向きとされている。その結果、一次電子
ビームは、電場ベクトルＥと磁場ベクトルＢによって大
きく偏向され、試料４に向け垂直に入射させられる。一
方、試料４から発生し、カソードレンズによって加速さ
れた反射電子は、ウィーンフィルター１３に入射するが
、一次電子ビームに対して同じ向きの力を及ぼす電場ベ
クトルＥと磁場ベクトルＢは、逆の方向から入射する反
射電子に対しては、互いに逆の向きの力となっている。 従って、この電場と磁場の力が丁度釣り合うようにベク
トルＥとベクトルＢとの強さの比を設定すれば、反射電
子に対しては、何の偏向作用も及ぼさないことになる。 なお、この時のＥとＢとの関係は、反射電子の速度をｖ
とすると、Ｅ＝ｖＢとなる。この結果、反射電子に対し
ては、実質的に対称的な光学要素のみによって結像を行
うことができ、軸合わせの調整が容易となり、また、収
差を小さくすることができる。
からの一次電子ビームは、ウィーンフィルター１３に入
射する。ウィーンフィルター１３においては、電場ベク
トルＥと磁場ベクトルＢが形成されているが、この電場
ベクトルＥと磁場ベクトルＢが入射一次電子ビームに及
ぼす力は、同じ向きとされている。その結果、一次電子
ビームは、電場ベクトルＥと磁場ベクトルＢによって大
きく偏向され、試料４に向け垂直に入射させられる。一
方、試料４から発生し、カソードレンズによって加速さ
れた反射電子は、ウィーンフィルター１３に入射するが
、一次電子ビームに対して同じ向きの力を及ぼす電場ベ
クトルＥと磁場ベクトルＢは、逆の方向から入射する反
射電子に対しては、互いに逆の向きの力となっている。 従って、この電場と磁場の力が丁度釣り合うようにベク
トルＥとベクトルＢとの強さの比を設定すれば、反射電
子に対しては、何の偏向作用も及ぼさないことになる。 なお、この時のＥとＢとの関係は、反射電子の速度をｖ
とすると、Ｅ＝ｖＢとなる。この結果、反射電子に対し
ては、実質的に対称的な光学要素のみによって結像を行
うことができ、軸合わせの調整が容易となり、また、収
差を小さくすることができる。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に基づく反
射電子顕微鏡は、試料の前方に電場と磁場とより成るウ
ィーンフィルターを配置し、該ウィーンフィルターの電
場と磁場の強度を、一次電子ビームがウィーンフィルタ
ーを通過した際に偏向され、試料に垂直に入射するよう
に、および、試料からの反射電子がウィーンフィルター
を直進するような値にセットしているので、反射電子が
一次電子ビームの偏向場の影響を受けることがなくなり
、反射電子の結像系を実質的に光軸対称とすることがで
きる。従って、軸合わせや焦点距離、さらには倍率の調
整が容易となり、また、反射電子の結像系の収差も極め
て小さくすることができる。
射電子顕微鏡は、試料の前方に電場と磁場とより成るウ
ィーンフィルターを配置し、該ウィーンフィルターの電
場と磁場の強度を、一次電子ビームがウィーンフィルタ
ーを通過した際に偏向され、試料に垂直に入射するよう
に、および、試料からの反射電子がウィーンフィルター
を直進するような値にセットしているので、反射電子が
一次電子ビームの偏向場の影響を受けることがなくなり
、反射電子の結像系を実質的に光軸対称とすることがで
きる。従って、軸合わせや焦点距離、さらには倍率の調
整が容易となり、また、反射電子の結像系の収差も極め
て小さくすることができる。
【図１】 本発明の一実施例である反射電子顕微鏡を
示す図である。
示す図である。
【図２】 従来の反射電子顕微鏡を示す図である。
１…電子銃 ２…照射レンズ系３…
マグネット ４…試料 ５，６…電極 ７…電源８…結像レンズ
系 ９…蛍光板 １１…電極 １２…磁石１３…ウィ
ーンフィルター
マグネット ４…試料 ５，６…電極 ７…電源８…結像レンズ
系 ９…蛍光板 １１…電極 １２…磁石１３…ウィ
ーンフィルター
Claims (1)
- 【請求項１】 電子ビーム源と、電子ビーム源からの
一次電子ビームを試料に向け照射するための照射レンズ
系と、試料の前方に設けられ、試料に照射される一次電
子ビームを減速する減速レンズ系と、試料への一次電子
ビームの照射によって発生した反射電子を結像する結像
系とを有した反射電子顕微鏡において、試料の前方に電
場と磁場とより成るウィーンフィルターを配置し、該ウ
ィーンフィルターの電場と磁場の強度を、一次電子ビー
ムがウィーンフィルターを通過した際に偏向され、試料
に垂直に入射するように、および、試料からの反射電子
がウィーンフィルターを直進するような値にセットした
ことを特徴とする反射電子顕微鏡。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP190791A JP2810797B2 (ja) | 1991-01-11 | 1991-01-11 | 反射電子顕微鏡 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP190791A JP2810797B2 (ja) | 1991-01-11 | 1991-01-11 | 反射電子顕微鏡 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04242060A true JPH04242060A (ja) | 1992-08-28 |
| JP2810797B2 JP2810797B2 (ja) | 1998-10-15 |
Family
ID=11514653
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP190791A Expired - Fee Related JP2810797B2 (ja) | 1991-01-11 | 1991-01-11 | 反射電子顕微鏡 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2810797B2 (ja) |
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999009582A1 (fr) * | 1997-08-19 | 1999-02-25 | Nikon Corporation | Dispositif et procede servant a observer un objet |
| JPH11312485A (ja) * | 1998-04-28 | 1999-11-09 | Nikon Corp | 荷電粒子線写像投影光学系及びその調整方法 |
| US6011262A (en) * | 1997-03-26 | 2000-01-04 | Nikon Corporation | Object observing apparatus and method for adjusting the same |
| US6184526B1 (en) | 1997-01-08 | 2001-02-06 | Nikon Corporation | Apparatus and method for inspecting predetermined region on surface of specimen using electron beam |
| EP1100111A1 (en) * | 1999-11-12 | 2001-05-16 | Advantest Corporation | Deflection arrangement for separating two particle beams |
| US6259094B1 (en) | 1997-11-14 | 2001-07-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Electron beam inspection method and apparatus |
| US6265719B1 (en) | 1997-10-31 | 2001-07-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Inspection method and apparatus using electron beam |
| US6365897B1 (en) | 1997-12-18 | 2002-04-02 | Nikon Corporation | Electron beam type inspection device and method of making same |
| US6563114B1 (en) | 1999-03-05 | 2003-05-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Substrate inspecting system using electron beam and substrate inspecting method using electron beam |
| US6670602B1 (en) | 1998-06-03 | 2003-12-30 | Nikon Corporation | Scanning device and scanning method |
| KR100518812B1 (ko) * | 2001-11-27 | 2005-10-05 | 슐럼버거 테크놀로지즈, 아이엔씨. | 주사 전자 현미경과 그 유사 장치에서 빈 필터에 의해발생되는 광행차의 감소 |
| US7148479B2 (en) | 2004-03-23 | 2006-12-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Defect inspection apparatus, program, and manufacturing method of semiconductor device |
| US7211796B2 (en) | 2003-05-27 | 2007-05-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Substrate inspection apparatus, substrate inspection method and method of manufacturing semiconductor device |
| US7212017B2 (en) | 2003-12-25 | 2007-05-01 | Ebara Corporation | Electron beam apparatus with detailed observation function and sample inspecting and observing method using electron beam apparatus |
| US7592586B2 (en) | 2003-01-27 | 2009-09-22 | Ebara Corporation | Mapping-projection-type electron beam apparatus for inspecting sample by using electrons reflected from the sample |
| US7608821B2 (en) | 2006-02-13 | 2009-10-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Substrate inspection apparatus, substrate inspection method and semiconductor device manufacturing method |
| US7645988B2 (en) | 2004-05-28 | 2010-01-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Substrate inspection method, method of manufacturing semiconductor device, and substrate inspection apparatus |
| US7838831B2 (en) | 2007-03-23 | 2010-11-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Substrate inspection apparatus, substrate inspection method and semiconductor device manufacturing method |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4066078B2 (ja) | 1999-05-27 | 2008-03-26 | 株式会社ニコン | 写像型電子顕微鏡 |
-
1991
- 1991-01-11 JP JP190791A patent/JP2810797B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6184526B1 (en) | 1997-01-08 | 2001-02-06 | Nikon Corporation | Apparatus and method for inspecting predetermined region on surface of specimen using electron beam |
| US6011262A (en) * | 1997-03-26 | 2000-01-04 | Nikon Corporation | Object observing apparatus and method for adjusting the same |
| WO1999009582A1 (fr) * | 1997-08-19 | 1999-02-25 | Nikon Corporation | Dispositif et procede servant a observer un objet |
| USRE41665E1 (en) | 1997-08-19 | 2010-09-14 | Nikon Corporation | Object observation apparatus and object observation |
| US6479819B1 (en) | 1997-08-19 | 2002-11-12 | Nikon Corporation | Object observation apparatus and object observation |
| USRE40221E1 (en) | 1997-08-19 | 2008-04-08 | Nikon Corporation | Object observation apparatus and object observation |
| US6265719B1 (en) | 1997-10-31 | 2001-07-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Inspection method and apparatus using electron beam |
| US6259094B1 (en) | 1997-11-14 | 2001-07-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Electron beam inspection method and apparatus |
| US6365897B1 (en) | 1997-12-18 | 2002-04-02 | Nikon Corporation | Electron beam type inspection device and method of making same |
| JPH11312485A (ja) * | 1998-04-28 | 1999-11-09 | Nikon Corp | 荷電粒子線写像投影光学系及びその調整方法 |
| US6953944B2 (en) | 1998-06-03 | 2005-10-11 | Nikon Corporation | Scanning device and method including electric charge movement |
| US6670602B1 (en) | 1998-06-03 | 2003-12-30 | Nikon Corporation | Scanning device and scanning method |
| US6563114B1 (en) | 1999-03-05 | 2003-05-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Substrate inspecting system using electron beam and substrate inspecting method using electron beam |
| EP1100111A1 (en) * | 1999-11-12 | 2001-05-16 | Advantest Corporation | Deflection arrangement for separating two particle beams |
| KR100518812B1 (ko) * | 2001-11-27 | 2005-10-05 | 슐럼버거 테크놀로지즈, 아이엔씨. | 주사 전자 현미경과 그 유사 장치에서 빈 필터에 의해발생되는 광행차의 감소 |
| US8124933B2 (en) | 2003-01-27 | 2012-02-28 | Ebara Corporation | Mapping-projection-type electron beam apparatus for inspecting sample by using electrons emitted from the sample |
| US7592586B2 (en) | 2003-01-27 | 2009-09-22 | Ebara Corporation | Mapping-projection-type electron beam apparatus for inspecting sample by using electrons reflected from the sample |
| US7462829B2 (en) | 2003-05-27 | 2008-12-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Substrate inspection apparatus, substrate inspection method and method of manufacturing semiconductor device |
| US7211796B2 (en) | 2003-05-27 | 2007-05-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Substrate inspection apparatus, substrate inspection method and method of manufacturing semiconductor device |
| US7847250B2 (en) | 2003-05-27 | 2010-12-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Substrate inspection apparatus, substrate inspection method and method of manufacturing semiconductor device |
| US7212017B2 (en) | 2003-12-25 | 2007-05-01 | Ebara Corporation | Electron beam apparatus with detailed observation function and sample inspecting and observing method using electron beam apparatus |
| US7148479B2 (en) | 2004-03-23 | 2006-12-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Defect inspection apparatus, program, and manufacturing method of semiconductor device |
| US7645988B2 (en) | 2004-05-28 | 2010-01-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Substrate inspection method, method of manufacturing semiconductor device, and substrate inspection apparatus |
| US7608821B2 (en) | 2006-02-13 | 2009-10-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Substrate inspection apparatus, substrate inspection method and semiconductor device manufacturing method |
| US7838831B2 (en) | 2007-03-23 | 2010-11-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Substrate inspection apparatus, substrate inspection method and semiconductor device manufacturing method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2810797B2 (ja) | 1998-10-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH04242060A (ja) | 反射電子顕微鏡 | |
| US4912326A (en) | Direct imaging type SIMS instrument | |
| US4209702A (en) | Multiple electron lens | |
| JPH06132002A (ja) | 走査電子顕微鏡 | |
| JPH07134964A (ja) | 試料の高さ計測手段を備えた電子ビーム装置 | |
| US3717761A (en) | Scanning electron microscope | |
| JP2004134389A (ja) | ビーム誘導構成体、結像方法、電子顕微鏡システムおよび電子リソグラフィシステム | |
| JP2000228162A (ja) | 電子ビーム装置 | |
| JP3014210B2 (ja) | 直接写像型反射電子顕微鏡 | |
| JPH08138611A (ja) | 荷電粒子線装置 | |
| JPS60185352A (ja) | 荷電粒子光学システム | |
| JP2947440B2 (ja) | 電子エネルギ損失同時計測装置 | |
| JP3649008B2 (ja) | 電子線装置 | |
| US6995378B2 (en) | Lens array with a laterally movable optical axis for corpuscular rays | |
| JPH0955181A (ja) | 走査電子顕微鏡 | |
| JPH10241616A (ja) | 静電レンズ | |
| JP3790646B2 (ja) | 低エネルギー反射電子顕微鏡 | |
| JPS6340019B2 (ja) | ||
| JP3123850B2 (ja) | 直接写像型反射電子顕微鏡 | |
| JPS59171445A (ja) | 立体走査型電子顕微鏡 | |
| JPH0864163A (ja) | 荷電粒子ビーム装置 | |
| JPS63216256A (ja) | 荷電粒子線装置 | |
| US3869611A (en) | Particle-beam device of the raster type | |
| JP2001243904A (ja) | 走査形電子顕微鏡 | |
| JPH063720B2 (ja) | 集束イオンビ−ム装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19980714 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080731 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090731 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090731 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100731 Year of fee payment: 12 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |