JP2003309140A - はんだバンプ形成方法及びはんだバンプ形成装置 - Google Patents

はんだバンプ形成方法及びはんだバンプ形成装置

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bump
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Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明ははんだバンプ形成用電極上に簡単かつ
高精度に高さの揃ったはんだバンプを形成するはんだバ
ンプ形成方法及びはんだバンプ形成装置を提供する。 【解決手段】はんだバンプ形成用電極基板１０に複数形
成されているはんだバンプ形成用電極１１上にはんだバ
ンプ１２を形成するのに、はんだバンプ形成用電極１１
上に予めはんだバンプ１２を形成した後、複数のバンプ
高さ補正用電極２１の形成されたバンプ高さ補正用電極
基板２０とはんだバンプ形成用電極基板１０とを、相対
的なギャップを管理した状態で接近させて、はんだバン
プ形成用電極１１上のはんだバンプ１２の過剰な量のは
んだをバンプ高さ補正用電極２１に転写させて、複数の
はんだバンプ形成用電極１１上のはんだバンプ１２の高
さを揃える。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、はんだバンプ形成
方法及びはんだバンプ形成装置に関し、詳細には、はん
だバンプ形成用電極上に簡単かつ高精度に高さの揃った
はんだバンプを形成するはんだバンプ形成方法及びはん
だバンプ形成装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体素子の電極は、一般に、Ａ
ｌあるいはＡｌを主体とする合金からなっている。これ
らのＡｌを用いた電極表面には、非常に安定な自然酸化
膜が形成されており、この酸化膜は、溶接ハンダとの濡
れ性が悪いため、酸化膜が形成されている状態では、バ
ンプ形成を行うことができない。
【０００３】そこで、従来、転写用キャリア基板に一回
目のはんだ層を形成して、ＬＤの電極と位置合わせし、
はんだを溶接して電極上にはんだバンプを形成する。さ
らに二回目のはんだ層を形成した第二の転写用キャリア
基板を用いて、一回目のはんだバンプにはんだ層を位置
合わせして溶融し、所望の大きさの第二のはんだバンプ
を得るはんだバンプの接続方法が提案されている（特開
平１０−２４２１４９号公報参照）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記公
報記載の技術にあっては、はんだ濡れ性に劣る転写用キ
ャリア基板上にはんだ層を形成し、そのはんだ層を溶融
転写する工程を複数回行うことでばらつきの小さいはん
だバンプ高さを得ていたため、複数回はんだ層を形成す
る必要があり、多くのバンプ形成工数を必要とし、作業
性が悪いという問題があった。
【０００５】また、はんだ濡れ性の劣る転写用キャリア
基板上に、はんだ層を形成する方法としては、真空蒸着
法等ドライプロセスにより形成する必要があるため、転
写キャリアへのはんだ層形成コストが高くなるという問
題があった。
【０００６】そこで、請求項１記載の発明は、はんだバ
ンプ形成用電極基板に複数形成されているはんだバンプ
形成用電極上に、所定高さのはんだバンプを形成するに
際して、はんだバンプ形成用電極上に予めはんだバンプ
を形成した後、複数のバンプ高さ補正用電極の形成され
たバンプ高さ補正用電極基板とはんだバンプ形成用電極
基板とを、相対的な間隔を管理した状態で、所定間隔に
接近させて、はんだバンプ形成用電極上のはんだバンプ
の過剰な量のはんだをバンプ高さ補正用電極に転写させ
て、複数のはんだバンプ形成用電極上のはんだバンプの
高さを揃えることにより、簡単かつ容易に複数のはんだ
バンプ形成用電極上のはんだバンプの高さ、すなわち、
バンダ量のバラツキを調整し、安価かつ高精度に高さの
揃ったはんだバンプを形成することのできるはんだバン
プ形成方法を提供することを目的としている。
【０００７】請求項２記載の発明は、はんだバンプ形成
用電極基板に複数形成されているはんだバンプ形成用電
極上に、所定高さのはんだバンプを形成するに際して、
複数のバンプ高さ補正用電極の形成されたバンプ高さ補
正用電極基板とはんだバンプ形成用電極上に予めはんだ
バンプの形成されたはんだバンプ形成用電極基板とを、
相対的な間隔を管理した状態で、所定間隔に接近させ
て、はんだバンプ形成用電極上のはんだバンプの過剰な
量のはんだを前記バンプ高さ補正用電極に転写させて、
複数のはんだバンプ形成用電極上のはんだバンプの高さ
を揃えることにより、簡単かつ容易に複数のはんだバン
プ形成用電極上のはんだバンプの高さ、すなわち、バン
ダ量のバラツキを調整し、安価かつ高精度に高さの揃っ
たはんだバンプを形成することのできるはんだバンプ形
成装置を提供することを目的としている。
【０００８】請求項３記載の発明は、バンプ高さ補正用
電極の電極面積を、はんだバンプ形成用電極の電極面積
よりも小さく形成することにより、はんだバンプ形成用
電極からバンプ高さ補正用電極に転写されるはんだの転
写量を細かく制御し、安価かつより一層高精度に高さの
揃ったはんだバンプを形成することのできるはんだバン
プ形成方法及びはんだバンプ形成装置を提供することを
目的としている。
【０００９】請求項４記載の発明は、バンプ高さ補正用
電極の電極面積を、はんだバンプ形成用電極の電極面積
よりも小さく形成するとともに、当該バンプ高さ補正用
電極の電極面積を徐々に小さくして、はんだバンプ形成
用電極上の過剰な量のはんだを当該徐々に小さくなるは
んだバンプ高さ補正用電極に転写させることにより、は
んだバンプ形成用電極からバンプ高さ補正用電極に転写
されるはんだの転写量をより一層細かく制御し、安価か
つより一層高精度に高さの揃ったはんだバンプを形成す
ることのできるはんだバンプ形成方法及びはんだバンプ
形成装置を提供することを目的としている。
【００１０】請求項５記載の発明は、バンプ高さ補正用
電極基板とはんだバンプ形成用電極基板との間隔を徐々
に狭めて、はんだバンプ形成用電極上の過剰な量のはん
だをはんだバンプ高さ補正用電極に転写させることによ
り、はんだバンプ形成用電極からバンプ高さ補正用電極
に転写されるはんだの転写量をより一層細かく制御し、
安価かつより一層高精度に高さの揃ったはんだバンプを
形成することのできるはんだバンプ形成方法及びはんだ
バンプ形成装置を提供することを目的としている。
【００１１】請求項６記載の発明は、バンプ高さ補正用
電極基板をロール状に形成し、当該ロール状のバンプ高
さ補正用電極基板の表面にバンプ高さ補正用電極を複数
形成して、当該ロール状のバンプ高さ補正用電極基板
を、所定方向に回転させつつ、はんだバンプ形成用電極
基板との相対的な間隔を管理した状態で、所定間隔に接
近させて、はんだバンプ形成用電極上のはんだバンプの
過剰な量のはんだをバンプ高さ補正用電極に転写させる
ことにより、はんだバンプ形成用電極からバンプ高さ補
正用電極により簡単にかつ連続的に過剰な量のはんだを
転写させ、より一層安価かつ高精度に高さの揃ったはん
だバンプを形成することのできるはんだバンプ形成方法
及びはんだバンプ形成装置を提供することを目的として
いる。
【００１２】請求項７記載の発明は、ロール状のバンプ
高さ補正用電極基板のバンプ高さ補正用電極の形成され
ている面に、フラックスを塗布して、当該バンプ高さ補
正用電極基板とはんだバンプ形成用電極基板とを接近さ
せることにより、バンプ高さ補正用電極へのはんだ濡れ
性を向上させるとともに、はんだバンプ形成用電極側の
はんだ表面張力の低減を抑え、安定してはんだバンプの
形成を制御して、安価かつより一層高精度に高さの揃っ
たはんだバンプを形成することのできるはんだバンプ形
成方法及びはんだバンプ形成装置を提供することを目的
としている。
【００１３】請求項８記載の発明は、少なくともはんだ
バンプ形成用電極上のはんだバンプの過剰な量のはんだ
をバンプ高さ補正用電極に転写する期間は、バンプ形成
用電極基板を、はんだバンプ形成用電極上のはんだバン
プの溶融温度まで加熱し、バンプ高さ補正用電極基板
を、１００℃以上であって、当該バンプ高さ補正用電極
にフラックスが塗布されているときには、当該フラック
スが活性力を維持する温度範囲に予備加熱することによ
り、はんだバンプ形成用電極からバンプ高さ補正用電極
へのはんだの転写性を向上させるとともに、バンプ高さ
補正用電極上にツララ状のはんだが形成されることを防
止し、安価かつより一層高精度に高さの揃ったはんだバ
ンプを形成することのできるはんだバンプ形成方法及び
はんだバンプ形成装置を提供することを目的としてい
る。
【００１４】請求項９記載の発明は、ローラ状のバンプ
高さ補正用電極基板の回転に伴って、当該ローラ状のバ
ンプ高さ補正用電極基板のバンプ高さ補正用電極の形成
されている面へのフラックスの塗布、はんだバンプ形成
用電極からはんだ高さ補正用電極に転写されたはんだの
除去及び当該はんだの除去されたはんだ高さ補正用電極
の洗浄、を当該バンプ高さ補正用電極基板の近傍であっ
て、回転方向に沿って順次配設されたフラックス塗布手
段、除去手段及び洗浄手段で順次処理することにより、
フラックス塗布処理、はんだ高さ補正用電極上のはんだ
除去処理及びはんだ高さ補正用電極の洗浄処理を連続的
に行って、より一位層効率的にかつコンパクトにはんだ
バンプの高さ調整処理を行い、より一層安価かつより一
層高精度に高さの揃ったはんだバンプを形成することの
できるはんだバンプ形成方法及びはんだバンプ形成装置
を提供することを目的としている。
【００１５】請求項１０記載の発明は、はんだバンプ形
成用電極基板に複数形成されているはんだバンプ形成用
電極上に、所定高さのはんだバンプを形成するに際し
て、はんだバンプ形成用電極の電極面積よりも小さい電
極面積のはんだ供給用電極が多数形成されたはんだ供給
用電極基板の当該はんだ供給用電極上に供給用はんだを
予め形成し、当該はんだ供給用電極基板とはんだバンプ
形成用電極基板との間隔を所定間隔に管理して、はんだ
供給用電極上の供給用はんだをはんだバンプ形成用電極
に転写供給し、はんだバンプ形成用電極上にはんだバン
プを形成することにより、簡易な方法ではんだ供給用電
極上に形成した供給用はんだを表面張力を利用してはん
だバンプ形成用電極上に転写し、安価かつ高精度に高さ
の揃ったはんだバンプを形成することのできるはんだバ
ンプ形成方法を提供することを目的としている。
【００１６】請求項１１記載の発明は、はんだ供給用電
極基板のはんだ供給用電極の電極面積を、徐々に小さく
して、供給用はんだをはんだバンプ形成用電極に転写供
給して、はんだバンプ形成用電極上にはんだバンプを形
成することにより、簡易な方法ではんだ供給用電極上に
形成した供給用はんだを表面張力を利用してはんだバン
プ形成用電極上により精度よく転写し、安価かつより一
層高精度に高さの揃ったはんだバンプを形成することの
できるはんだバンプ形成方法を提供することを目的とし
ている。
【００１７】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明のは
んだバンプ形成方法は、はんだバンプ形成用電極基板に
複数形成されているはんだバンプ形成用電極上に、所定
高さのはんだバンプを形成するはんだバンプ形成方法に
おいて、前記はんだバンプ形成用電極上に予めはんだバ
ンプを形成した後、複数のバンプ高さ補正用電極の形成
されたバンプ高さ補正用電極基板と前記はんだバンプ形
成用電極基板とを、相対的な間隔を管理した状態で、所
定間隔に接近させて、前記はんだバンプ形成用電極上の
はんだバンプの過剰な量のはんだを前記バンプ高さ補正
用電極に転写させて、前記複数のはんだバンプ形成用電
極上のはんだバンプの高さを揃えることにより、上記目
的を達成している。
【００１８】上記構成によれば、はんだバンプ形成用電
極基板に複数形成されているはんだバンプ形成用電極上
に、所定高さのはんだバンプを形成するに際して、はん
だバンプ形成用電極上に予めはんだバンプを形成した
後、複数のバンプ高さ補正用電極の形成されたバンプ高
さ補正用電極基板とはんだバンプ形成用電極基板とを、
相対的な間隔を管理した状態で、所定間隔に接近させ
て、はんだバンプ形成用電極上のはんだバンプの過剰な
量のはんだをバンプ高さ補正用電極に転写させて、複数
のはんだバンプ形成用電極上のはんだバンプの高さを揃
えているので、簡単かつ容易に複数のはんだバンプ形成
用電極上のはんだバンプの高さ、すなわち、バンダ量の
バラツキを調整することができ、安価かつ高精度に高さ
の揃ったはんだバンプを形成することができる。
【００１９】請求項２記載の発明のはんだバンプ形成装
置は、はんだバンプ形成用電極基板に複数形成されてい
るはんだバンプ形成用電極上に、所定高さのはんだバン
プを形成するはんだバンプ形成装置において、複数のバ
ンプ高さ補正用電極の形成されたバンプ高さ補正用電極
基板と前記はんだバンプ形成用電極上に予めはんだバン
プの形成された前記はんだバンプ形成用電極基板とを、
相対的な間隔を管理した状態で、所定間隔に接近させ
て、前記はんだバンプ形成用電極上のはんだバンプの過
剰な量のはんだを前記バンプ高さ補正用電極に転写させ
て、前記複数のはんだバンプ形成用電極上のはんだバン
プの高さを揃えることにより、上記目的を達成してい
る。
【００２０】上記構成によれば、はんだバンプ形成用電
極基板に複数形成されているはんだバンプ形成用電極上
に、所定高さのはんだバンプを形成するに際して、複数
のバンプ高さ補正用電極の形成されたバンプ高さ補正用
電極基板とはんだバンプ形成用電極上に予めはんだバン
プの形成されたはんだバンプ形成用電極基板とを、相対
的な間隔を管理した状態で、所定間隔に接近させて、は
んだバンプ形成用電極上のはんだバンプの過剰な量のは
んだを前記バンプ高さ補正用電極に転写させて、複数の
はんだバンプ形成用電極上のはんだバンプの高さを揃え
ているので、簡単かつ容易に複数のはんだバンプ形成用
電極上のはんだバンプの高さ、すなわち、バンダ量のバ
ラツキを調整することができ、安価かつ高精度に高さの
揃ったはんだバンプを形成することができる。
【００２１】上記各場合において、例えば、請求項３に
記載するように、前記バンプ高さ補正用電極の電極面積
は、前記はんだバンプ形成用電極の電極面積よりも小さ
く形成されていてもよい。
【００２２】上記構成によれば、バンプ高さ補正用電極
の電極面積を、はんだバンプ形成用電極の電極面積より
も小さく形成しているので、はんだバンプ形成用電極か
らバンプ高さ補正用電極に転写されるはんだの転写量を
細かく制御することができ、安価かつより一層高精度に
高さの揃ったはんだバンプを形成することができる。
【００２３】また、例えば、請求項４に記載するよう
に、前記バンプ高さ補正用電極の電極面積は、前記はん
だバンプ形成用電極の電極面積よりも小さく形成されて
いるとともに、当該バンプ高さ補正用電極の電極面積を
徐々に小さくして、前記はんだバンプ形成用電極上の過
剰な量のはんだを当該徐々に小さくなるはんだバンプ高
さ補正用電極に転写させてもよい。
【００２４】上記構成によれば、バンプ高さ補正用電極
の電極面積を、はんだバンプ形成用電極の電極面積より
も小さく形成するとともに、当該バンプ高さ補正用電極
の電極面積を徐々に小さくして、はんだバンプ形成用電
極上の過剰な量のはんだを当該徐々に小さくなるはんだ
バンプ高さ補正用電極に転写させているので、はんだバ
ンプ形成用電極からバンプ高さ補正用電極に転写される
はんだの転写量をより一層細かく制御することができ、
安価かつより一層高精度に高さの揃ったはんだバンプを
形成することができる。
【００２５】さらに、例えば、請求項５に記載するよう
に、前記はんだバンプ形成方法または前記はんだバンプ
形成装置は、前記バンプ高さ補正用電極基板と前記はん
だバンプ形成用電極基板との間隔を徐々に狭めて、前記
はんだバンプ形成用電極上の過剰な量のはんだを前記は
んだバンプ高さ補正用電極に転写させてもよい。
【００２６】上記構成によれば、バンプ高さ補正用電極
基板とはんだバンプ形成用電極基板との間隔を徐々に狭
めて、はんだバンプ形成用電極上の過剰な量のはんだを
はんだバンプ高さ補正用電極に転写させているので、は
んだバンプ形成用電極からバンプ高さ補正用電極に転写
されるはんだの転写量をより一層細かく制御することが
でき、安価かつより一層高精度に高さの揃ったはんだバ
ンプを形成することができる。
【００２７】また、例えば、請求項６に記載するよう
に、前記はんだバンプ形成方法または前記はんだバンプ
形成装置は、前記バンプ高さ補正用電極基板がロール状
に形成され、当該ロール状のバンプ高さ補正用電極基板
の表面に前記バンプ高さ補正用電極が複数形成されて、
当該ロール状のバンプ高さ補正用電極基板を、所定方向
に回転させつつ、前記はんだバンプ形成用電極基板との
相対的な間隔を管理した状態で、所定間隔に接近させ
て、前記はんだバンプ形成用電極上のはんだバンプの過
剰な量のはんだを前記バンプ高さ補正用電極に転写させ
てもよい。
【００２８】上記構成によれば、バンプ高さ補正用電極
基板をロール状に形成し、当該ロール状のバンプ高さ補
正用電極基板の表面にバンプ高さ補正用電極を複数形成
して、当該ロール状のバンプ高さ補正用電極基板を、所
定方向に回転させつつ、はんだバンプ形成用電極基板と
の相対的な間隔を管理した状態で、所定間隔に接近させ
て、はんだバンプ形成用電極上のはんだバンプの過剰な
量のはんだをバンプ高さ補正用電極に転写させているの
で、はんだバンプ形成用電極からバンプ高さ補正用電極
により簡単にかつ連続的に過剰な量のはんだを転写させ
ることができ、より一層安価かつ高精度に高さの揃った
はんだバンプを形成することができる。
【００２９】さらに、例えば、請求項７に記載するよう
に、前記はんだバンプ形成方法または前記はんだバンプ
形成装置は、前記ロール状のバンプ高さ補正用電極基板
の前記バンプ高さ補正用電極の形成されている面に、フ
ラックスを塗布して、当該バンプ高さ補正用電極基板と
前記はんだバンプ形成用電極基板とを接近させてもよ
い。
【００３０】上記構成によれば、ロール状のバンプ高さ
補正用電極基板のバンプ高さ補正用電極の形成されてい
る面に、フラックスを塗布して、当該バンプ高さ補正用
電極基板とはんだバンプ形成用電極基板とを接近させて
いるので、バンプ高さ補正用電極へのはんだ濡れ性を向
上させることができるとともに、はんだバンプ形成用電
極側のはんだ表面張力の低減を抑えることができ、安定
してはんだバンプの形成を制御して、安価かつより一層
高精度に高さの揃ったはんだバンプを形成することがで
きる。
【００３１】また、例えば、請求項８に記載するよう
に、前記はんだバンプ形成方法または前記はんだバンプ
形成装置は、少なくとも前記はんだバンプ形成用電極上
のはんだバンプの過剰な量のはんだを前記バンプ高さ補
正用電極に転写する期間は、前記バンプ形成用電極基板
を、前記はんだバンプ形成用電極上のはんだバンプの溶
融温度まで加熱し、前記バンプ高さ補正用電極基板を、
１００℃以上であって、当該バンプ高さ補正用電極に前
記フラックスが塗布されているときには、当該フラック
スが活性力を維持する温度範囲に予備加熱してもよい。
【００３２】上記構成によれば、少なくともはんだバン
プ形成用電極上のはんだバンプの過剰な量のはんだをバ
ンプ高さ補正用電極に転写する期間は、バンプ形成用電
極基板を、はんだバンプ形成用電極上のはんだバンプの
溶融温度まで加熱し、バンプ高さ補正用電極基板を、１
００℃以上であって、当該バンプ高さ補正用電極にフラ
ックスが塗布されているときには、当該フラックスが活
性力を維持する温度範囲に予備加熱しているので、はん
だバンプ形成用電極からバンプ高さ補正用電極へのはん
だの転写性を向上させることができるとともに、バンプ
高さ補正用電極上にツララ状のはんだが形成されること
を防止することができ、安価かつより一層高精度に高さ
の揃ったはんだバンプを形成することができる。
【００３３】さらに、例えば、請求項９に記載するよう
に、前記はんだバンプ形成方法または前記はんだバンプ
形成装置は、前記ローラ状のバンプ高さ補正用電極基板
の回転に伴って、当該ローラ状のバンプ高さ補正用電極
基板の前記バンプ高さ補正用電極の形成されている面へ
のフラックスの塗布、前記はんだバンプ形成用電極から
前記はんだ高さ補正用電極に転写されたはんだの除去及
び当該はんだの除去された前記はんだ高さ補正用電極の
洗浄、を当該バンプ高さ補正用電極基板の近傍であっ
て、前記回転方向に沿って順次配設されたフラックス塗
布手段、除去手段及び洗浄手段で順次処理してもよい。
【００３４】上記構成によれば、ローラ状のバンプ高さ
補正用電極基板の回転に伴って、当該ローラ状のバンプ
高さ補正用電極基板のバンプ高さ補正用電極の形成され
ている面へのフラックスの塗布、はんだバンプ形成用電
極からはんだ高さ補正用電極に転写されたはんだの除去
及び当該はんだの除去されたはんだ高さ補正用電極の洗
浄、を当該バンプ高さ補正用電極基板の近傍であって、
回転方向に沿って順次配設されたフラックス塗布手段、
除去手段及び洗浄手段で順次処理するので、フラックス
塗布処理、はんだ高さ補正用電極上のはんだ除去処理及
びはんだ高さ補正用電極の洗浄処理を連続的に行って、
より一位層効率的にかつコンパクトにはんだバンプの高
さ調整処理を行うことができ、より一層安価かつより一
層高精度に高さの揃ったはんだバンプを形成することが
できる。
【００３５】請求項１０記載の発明のはんだバンプ形成
方法は、はんだバンプ形成用電極基板に複数形成されて
いるはんだバンプ形成用電極上に、所定高さのはんだバ
ンプを形成するはんだバンプ形成方法において、前記は
んだバンプ形成用電極の電極面積よりも小さい電極面積
のはんだ供給用電極が多数形成されたはんだ供給用電極
基板の当該はんだ供給用電極上に供給用はんだを予め形
成し、当該はんだ供給用電極基板と前記はんだバンプ形
成用電極基板との間隔を所定間隔に管理して、前記はん
だ供給用電極上の供給用はんだを前記はんだバンプ形成
用電極に転写供給し、前記はんだバンプ形成用電極上に
前記はんだバンプを形成することにより、上記目的を達
成している。
【００３６】上記構成によれば、はんだバンプ形成用電
極基板に複数形成されているはんだバンプ形成用電極上
に、所定高さのはんだバンプを形成するに際して、はん
だバンプ形成用電極の電極面積よりも小さい電極面積の
はんだ供給用電極が多数形成されたはんだ供給用電極基
板の当該はんだ供給用電極上に供給用はんだを予め形成
し、当該はんだ供給用電極基板とはんだバンプ形成用電
極基板との間隔を所定間隔に管理して、はんだ供給用電
極上の供給用はんだをはんだバンプ形成用電極に転写供
給し、はんだバンプ形成用電極上にはんだバンプを形成
しているので、簡易な方法ではんだ供給用電極上に形成
した供給用はんだを表面張力を利用してはんだバンプ形
成用電極上に転写することができ、安価かつ高精度に高
さの揃ったはんだバンプを形成することができる。
【００３７】この場合、例えば、請求項１１に記載する
ように、前記はんだバンプ形成方法は、前記はんだ供給
用電極基板の前記はんだ供給用電極の電極面積を、徐々
に小さくして、前記供給用はんだを前記はんだバンプ形
成用電極に転写供給し、前記はんだバンプ形成用電極上
に前記はんだバンプを形成してもよい。
【００３８】上記構成によれば、はんだ供給用電極基板
のはんだ供給用電極の電極面積を、徐々に小さくして、
供給用はんだをはんだバンプ形成用電極に転写供給し
て、はんだバンプ形成用電極上にはんだバンプを形成し
ているので、簡易な方法ではんだ供給用電極上に形成し
た供給用はんだを表面張力を利用してはんだバンプ形成
用電極上により精度よく転写することができ、安価かつ
より一層高精度に高さの揃ったはんだバンプを形成する
ことができる。
【００３９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
を添付図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下に述
べる実施の形態は、本発明の好適な実施の形態であるか
ら、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本
発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定す
る旨の記載がない限り、これらの態様に限られるもので
はない。
【００４０】図１〜図３は、本発明のはんだバンプ形成
方法及びはんだバンプ形成装置の第１の実施の形態を示
す図であり、図１は、本発明の第１の実施の形態のはん
だバンプ形成方法及びはんだバンプ形成装置の適用され
るはんだバンプ形成用電極基板の正面図、図２は、図１
のはんだバンプ形成用電極基板上のはんだバンプの高さ
のバラツキをバンプ高さ補正用電極基板で補正している
状態の正面図である。
【００４１】本実施の形態のはんだバンプ形成方法及び
はんだバンプ形成装置は、図１に示すように、まず、は
んだバンプ形成用電極基板１０の各はんだ形成用電極１
１上に、安価なはんだバンプ形成方法ではんだバンプ１
２を形成した後、このはんだバンプ１２の高さのバラツ
キを、図２に示すように、バンプ高さ補正用電極基板２
０を使用して、補正する。
【００４２】すなわち、まず、図１に示すように、はん
だバンプ形成用電極基板１０のはんだ形成用電極１１上
に、はんだボール搭載工法またははんだメッキ工法等の
安価なはんだバンプ形成方法で、はんだバンプ１２を形
成する。
【００４３】このように安価なはんだバンプ形成方法で
はんだバンプ１２を形成すると、図１に示すように、は
んだ形成用電極１１上に形成されるはんだバンプ１２
は、その高さにバラツキが発生し、高精度なはんだバン
プを形成することができない。
【００４４】そこで、本実施の形態のはんだバンプ形成
方法及びはんだバンプ形成装置は、図２に示すように、
はんだバンプ１２の高さのバラツキを、バンプ高さ補正
用電極基板２０を使用して、補正する。
【００４５】すなわち、バンプ高さ補正用電極基板２０
には、図２に示すように、複数のバンプ高さ補正用電極
２１が形成されており、このバンプ高さ補正用電極２１
は、その面積が、はんだ形成用電極基板１０に形成され
ているはんだ形成用電極１１の面積よりも所定量小さく
形成されている。
【００４６】そして、上記はんだバンプ形成用電極基板
１０の各はんだバンプ形成用電極１１上に形成されたは
んだバンプ１２を溶融状態とし、バンプ高さ補正用電極
２１とはんだバンプ１２とのギャップ（間隔）を管理し
た状態で、バンプ高さ補正用電極基板２０をはんだバン
プ形成用電極基板１０に所定間隔まで近づける。
【００４７】このとき、はんだバンプ高さの高いはんだ
バンプ１２とバンプ高さ補正用電極２１との距離がはん
だバンプ高さの低いはんだバンプ１２とバンプ高さ補正
用電極２１との距離よりも短いため、はんだバンプ高さ
の高いはんだバンプ１２の過剰なはんだ３０のみが、バ
ンプ高さ補正用電極２１に接触し、当該はんだバンプ高
さの高いはんだバンプ１２のはんだ３０が、バンプ高さ
補正電極２１に濡れるとともにはんだバンプ高さの高い
はんだバンプ１２の過剰なはんだ３０がバンプ高さ補正
電極２１に転写される。
【００４８】この場合、はんだバンプ１２の高さ補正
は、はんだの酸化を防止するために、窒素雰囲気中にて
実施することが望ましい。
【００４９】そして、バンプ高さ補正用電極２１の面積
をはんだバンプ形成用電極１１の面積よりも小さくして
いるので、バンプ高さ補正用電極２１へのはんだの転写
量を少なくし、はんだバンプ高さの制御を精度よく行う
ことができる。
【００５０】例えば、はんだバンプ形成用電極１１の面
積が１００μｍφである場合、バンプ高さ補正用電極２
１の面積も１００μｍφとすると、必要以上にはんだの
転写が発生しやすく、はんだバンプ高さが低くなりすぎ
るおそれがある。
【００５１】ところが、はんだバンプ形成用電極１１の
面積が１００μｍφである場合、バンプ高さ補正用電極
２１の面積を５０μｍφとすると、はんだの転写量が、
バンプ高さ補正用電極２１の電極面積により制限され、
安定して精度よくはんだの転写除去を行うことができ
る。
【００５２】そして、この場合、バンプ高さ補正電極２
１の面積を小さくすると、はんだ転写量を少なく抑える
ことができ、バンプ高さ補正用電極２１の面積を徐々に
小さくすることにより、転写効率の向上とはんだバンプ
の高精度な形状制御を行うことができる。
【００５３】また、はんだバンプ形成用電極１１とバン
プ高さ補正用電極２１とのギャップを徐々に狭くする
と、はんだバンプ高さのばらつきを補正することができ
るとともに、バンダバンプ１２のバンプ高さを所定のバ
ンプ高さに形成することができる。
【００５４】このように、本実施の形態においては、は
んだバンプ形成用電極基板１０に複数形成されているは
んだバンプ形成用電極１１上に、所定高さのはんだバン
プ１２を形成するに際して、はんだバンプ形成用電極１
１上に予めはんだバンプ１２を形成した後、複数のバン
プ高さ補正用電極２１の形成されたバンプ高さ補正用電
極基板２０とはんだバンプ形成用電極基板１０とを、相
対的な間隔（ギャップ）を管理した状態で、所定間隔に
接近させて、はんだバンプ形成用電極１１上のはんだバ
ンプ１２の過剰な量のはんだ３０をバンプ高さ補正用電
極２１に転写させて、複数のはんだバンプ形成用電極１
１上のはんだバンプ１２の高さを揃えている。
【００５５】したがって、簡単かつ容易に複数のはんだ
バンプ形成用電極１１上のはんだバンプ１２の高さ、す
なわち、バンダ量のバラツキを調整することができ、安
価かつ高精度に高さの揃ったはんだバンプ１２を形成す
ることができる。
【００５６】また、本実施の形態においては、バンプ高
さ補正用電極２１の電極面積を、はんだバンプ形成用電
極１１の電極面積よりも小さく形成している。
【００５７】したがって、はんだバンプ形成用電極１１
からバンプ高さ補正用電極２１に転写されるはんだ３０
の転写量を細かく制御することができ、安価かつより一
層高精度に高さの揃ったはんだバンプ１２を形成するこ
とができる。
【００５８】さらに、本実施の形態においては、バンプ
高さ補正用電極２１の電極面積を、はんだバンプ形成用
電極１１の電極面積よりも小さく形成するとともに、当
該バンプ高さ補正用電極２１の電極面積を徐々に小さく
して、はんだバンプ形成用電極１１上の過剰な量のはん
だ３０を当該徐々に小さくなるはんだバンプ高さ補正用
電極２１に転写させている。
【００５９】したがって、はんだバンプ形成用電極１１
からバンプ高さ補正用電極２１に転写されるはんだ３０
の転写量をより一層細かく制御することができ、安価か
つより一層高精度に高さの揃ったはんだバンプ１２を形
成することができる。
【００６０】また、本実施の形態においては、バンプ高
さ補正用電極基板２０とはんだバンプ形成用電極基板１
０との間隔を徐々に狭めて、はんだバンプ形成用電極１
１上の過剰な量のはんだ３０をはんだバンプ高さ補正用
電極２１に転写させている。
【００６１】したがって、はんだバンプ形成用電極１１
からバンプ高さ補正用電極２１に転写されるはんだの転
写量をより一層細かく制御することができ、安価かつよ
り一層高精度に高さの揃ったはんだバンプ１２を形成す
ることができる。
【００６２】そして、本実施の形態の場合、バンプ高さ
補正用電極基板２０のバンプ高さ補正用電極２１の形成
面に、図３に示すように、フラックス４０を供給しても
よい。
【００６３】すなわち、図３に示すように、はんだ３０
の転写前に、バンプ高さ補正用電極基板２０のバンプ高
さ補正用電極２１の形成されている面に、フラックス４
０を供給する。このようにすると、バンプ高さ補正用電
極２１へのはんだ濡れ性を向上させることができる。
【００６４】例えば、はんだバンプ形成用電極１１にフ
ラックスを供給した後、バンプ高さ補正用電極２１を接
触させると、はんだバンプ形成用電極１１上の表面張力
が低下するため、バンプ高さ補正用電極２１へはんだバ
ンプのほとんどが転写されてしまう現象が発生する。
【００６５】一方、バンプ高さ補正用電極基板２０のバ
ンプ高さ補正用電極２１の形成されている面に、フラッ
クス４０を供給すると、はんだバンプ１２へのフラック
ス供給を必要最低限に抑えることができ、はんだバンプ
形成用電極１１上の表面張力低下を防止することができ
る。
【００６６】このフラックス４０をバンプ高さ補正用電
極基板２０に供給する方式としては、フラックス４０の
塗布量を少なく抑える上で、スプレーフラクサ方式が望
ましい。
【００６７】このようにすると、バンプ高さ補正用電極
２１へのはんだ濡れ性を向上させることができるととも
に、はんだバンプ形成用電極１１側のはんだ表面張力の
低減を抑えることができ、安定してはんだバンプ１２の
形成を制御して、安価かつより一層高精度に高さの揃っ
たはんだバンプ１２を形成することができる。
【００６８】図４は、本発明のはんだバンプ形成方法及
びはんだバンプ形成装置の第２の実施の形態の適用され
たはんだバンプ形成装置５０の正面概略構成図である。
【００６９】なお、本実施の形態の説明においては、上
記第１の実施の形態と同様の構成部分には、同一の符号
を付して、その詳細な説明を省略する。
【００７０】図４において、はんだバンプ形成装置５０
は、バンプ形成用電極加熱装置５１、バンプ高さ補正用
電極５２が多数形成されたバンプ高さ補正用電極ロール
板５３、バンプ高さ補正用電極ロール板５３を送り出す
送り出しローラ５４、バンプ高さ補正用電極ロール板５
３を巻き取る巻き取りローラ５５、バンプ高さ補正用電
極ロール板５３を予備加熱するバンプ高さ補正用電極予
備加熱装置５６及びバンプ高さ補正用電極ロール板５３
にフラックス５７を供給するフラックス供給装置５８等
を備えている。
【００７１】バンプ形成用電極加熱装置５１上には、上
記第１の実施の形態と同様のはんだバンプ形成用電極基
板１０が載置され、はんだバンプ形成用電極基板１０の
はんだバンプ形成用電極１１上には、安価なはんだバン
プ形成方法ではんだバンプ１２が形成されている。
【００７２】バンプ形成用電極加熱装置５１は、はんだ
バンプ形成用電極基板１０のはんだバンプ形成用電極１
１上に形成されているはんだバンプ１２を常時当該はん
だバンプ１２が溶融する温度まで加熱し、はんだ転写を
容易なものとする。
【００７３】バンプ高さ補正用電極ロール板５３は、ロ
ール状に送り出しローラ５４に巻き付けられており、こ
の送り出しローラ５４からバンプ形成用電極加熱装置５
１上のはんだバンプ形成用電極基板１０の上部を通っ
て、所定のテンションがかけられた状態で、巻き取りロ
ーラ５５に巻き取られる。
【００７４】フラックス供給装置５８は、送り出しロー
ラ５４の近傍に配設されており、送り出しローラ５４か
ら巻き取りローラ５５に送り出されるバンプ高さ補正用
電極ロール板５３のバンプ高さ補正用電極５２の形成面
にフラックス５７を供給して、はんだの濡れ性及び適度
なはんだボールの酸化防止を行う。
【００７５】バンプ高さ補正用電極予備加熱装置５６
は、送り出しローラ５４から巻き取りローラ５５に巻き
取られるバンプ高さ補正用電極ロール板５３のはんだバ
ンプ形成用電極基板１０とは反対側の面に配設されてお
り、１００℃以上であって、バンプ高さ補正用電極ロー
ル板５３に供給されたフラックス５７が活性力を失わな
い程度の温度にバンプ高さ補正用電極ロール板５３を予
備加熱する。
【００７６】このはんだバンプ形成装置５０は、バンプ
形成用電極加熱装置５１の上面に、そのバンプ形成用電
極１１上にはんだバンプ１２の形成されたはんだバンプ
形成用電極基板１０が載置され、このはんだバンプ１２
は、上述のように、その高さにバラツキが発生してい
る。
【００７７】そして、はんだバンプ形成装置５０は、バ
ンプ高さ補正用電極ロール板５３とバンプ形成用電極基
板１０とのギャップ、具体的には、バンプ高さ補正用電
極ロール板５３上のバンプ高さ補正用電極５２とバンプ
形成用電極基板１０のバンプ形成用電極１１上のはんだ
バンプ１２とのギャップを高精度に管理しつつ、バンプ
高さ補正用電極ロール板５３をバンプ高さ補正用電極予
備加熱装置５６で予備加熱した状態で、バンプ高さ補正
用電極板５３を送り出しローラ５４から巻き取りローラ
５５に巻き取って、所定速度でバンプ形成用電極基板１
０上を移動させる。
【００７８】このとき、バンプ高さ補正用電極ロール板
５３のバンプ高さ補正用電極５２の形成されている面
に、フラックス５７を供給して、はんだの濡れ性及び適
度なはんだボールの酸化防止を行う。
【００７９】このようにして、バンプ高さ補正用電極ロ
ール板５３をバンプ形成用電極基板１０と所定のギャッ
プを管理しつつ移動させると、バンプ形成用電極基板１
０のバンプ形成用電極１１上のはんだバンプ１２の過剰
はんだが、バンプ高さ補正用電極ロール板５３のバンプ
高さ補正用電極５２に転写され、バンプ形成用電極１１
上のはんだバンプ１２が精度よく均一な高さに補正され
る。
【００８０】そして、このとき、バンプ高さ補正用電極
予備加熱装置５６でバンプ高さ補正用電極ロール板５３
をバンプ高さ補正用電極ロール板５３に供給されたフラ
ックス５７が活性力を失わない程度の温度にバンプ高さ
補正用電極ロール板５３を予備加熱しているため、バン
プ形成用電極１１上のはんだバンプ１２の過剰はんだ
を、効率よくバンプ高さ補正用電極ロール板５３のバン
プ高さ補正用電極５２に転写することができる。
【００８１】すなわち、バンプ高さ補正用電極ロール板
５３を予備加熱しないと、はんだ濡れまでに時間がかか
り、フラックス５７がバンプ形成用基板１０の過熱によ
り活性力が落ちてくるため、バンプ高さ補正用電極５２
上にツララ状のはんだが形成されてしまう。
【００８２】一方、バンプ高さ補正用電極ロール板５３
の予備加熱温度が高すぎると、フラックス５７の活性力
がなくなり、はんだ濡れ性が低下するとともに、ツララ
状のはんだが形成されてしまう。
【００８３】ところが、本実施の形態では、バンプ高さ
補正用電極予備加熱装置５６でバンプ高さ補正用電極ロ
ール板５３をバンプ高さ補正用電極ロール板５３に供給
されたフラックス５７が活性力を失わない程度の温度に
バンプ高さ補正用電極ロール板５３を予備加熱している
ため、バンプ形成用電極１１上のはんだバンプ１２の過
剰はんだを、効率よくバンプ高さ補正用電極ロール板５
３のバンプ高さ補正用電極５２に転写することができ
る。そして、この予備加熱温度としては、１００℃〜１
７０℃が望ましい。
【００８４】このように、本実施の形態においては、バ
ンプ高さ補正用電極基板をロール状のバンプ高さ補正用
電極ロール板５３とし、バンプ高さ補正用電極ロール板
５３の表面にバンプ高さ補正用電極５２を複数形成し
て、当該バンプ高さ補正用電極ロール板５３を、所定方
向に回転させつつ、はんだバンプ形成用電極基板１０と
の相対的な間隔を管理した状態で、所定間隔に接近させ
て、はんだバンプ形成用電極１１上のはんだバンプ１２
の過剰な量のはんだをバンプ高さ補正用電極５２に転写
させている。
【００８５】したがって、はんだバンプ形成用電極１１
からバンプ高さ補正用電極５２により簡単にかつ連続的
に過剰な量のはんだを転写させることができ、より一層
安価かつ高精度に高さの揃ったはんだバンプ１２を形成
することができる。
【００８６】また、本実施の形態においては、バンプ高
さ補正用電極ルール板５３のバンプ高さ補正用電極５２
の形成されている面に、フラックス５７を塗布して、当
該バンプ高さ補正用電極基板５３とはんだバンプ形成用
電極基板１０とを接近させている。
【００８７】したがって、バンプ高さ補正用電極５２へ
のはんだ濡れ性を向上させることができるとともに、は
んだバンプ形成用電極１１側のはんだ表面張力の低減を
抑えることができ、安定してはんだバンプ１２の形成を
制御して、安価かつより一層高精度に高さの揃ったはん
だバンプ１２を形成することができる。
【００８８】さらに、本実施の形態においては、少なく
ともはんだバンプ形成用電極１１上のはんだバンプ１２
の過剰な量のはんだをバンプ高さ補正用電極５２に転写
する期間は、バンプ形成用電極基板１０を、はんだバン
プ形成用電極１１上のはんだバンプ１２の溶融温度まで
バンプ形成用電極加熱装置５１で加熱し、バンプ高さ補
正用電極ロール板５３を、１００℃以上であって、当該
バンプ高さ補正用電極５２に塗布されているフラックス
５７が活性力を維持する温度範囲に、バンプ高さ補正用
電極予備加熱装置５６で予備加熱している。
【００８９】したがって、はんだバンプ形成用電極１１
からバンプ高さ補正用電極５２へのはんだの転写性を向
上させることができるとともに、バンプ高さ補正用電極
５２上にツララ状のはんだが形成されることを防止する
ことができ、安価かつより一層高精度に高さの揃ったは
んだバンプ１２を形成することができる。
【００９０】図５は、本発明のはんだバンプ形成方法及
びはんだバンプ形成装置の第３の実施の形態の適用され
たはんだバンプ形成装置６０の正面概略構成図である。
【００９１】なお、本実施の形態の説明においては、上
記第１の実施の形態と同様の構成部分には、同一の符号
を付して、その詳細な説明を省略する。
【００９２】図５において、はんだバンプ形成装置６０
は、バンプ形成用電極加熱装置６１、バンプ高さ補正用
電極６２が多数形成されているバンプ高さ補正用電極ロ
ーラ６３、バンプ高さ補正用電極ローラ６３にフラック
ス６４を供給するフラックス供給装置（フラックス塗布
手段）６５、はんだ除去装置（除去手段）６６、電極ロ
ーラ洗浄機（洗浄手段）６７等を備えている。
【００９３】バンプ形成用電極加熱装置６１上には、上
記第１の実施の形態と同様のはんだバンプ形成用電極基
板１０が載置され、はんだバンプ形成用電極基板１０の
はんだバンプ形成用電極１１上には、安価なはんだバン
プ形成方法ではんだバンプ１２が形成されている。
【００９４】バンプ形成用電極加熱装置６１は、はんだ
バンプ形成用電極基板１０のはんだバンプ形成用電極１
１上に形成されているはんだバンプ１２を常時当該はん
だバンプ１２が溶融する温度まで、加熱し、はんだの転
写を容易なものとする。
【００９５】はんだ高さ補正用電極ローラ６３は、ロー
ラ状に形成されており、表面の基板にバンプ高さ補正用
電極６２が多数形成されている。はんだ高さ補正用電極
ローラ６３は、バンプ形成用電極加熱装置６１上のはん
だバンプ形成用電極基板１０の上部に配設されており、
図５に矢印で示す反時計方向に回転される。
【００９６】このはんだ高さ補正用電極ローラ６３のは
んだ高さ補正用電極６２は、その電極面積が、はんだバ
ンプ形成用電極基板１０のはんだバンプ形成用電極１１
の電極面積よりも小さく形成されている。
【００９７】フラックス供給装置６５は、はんだ高さ補
正用電極ローラ６３の近傍であって、バンプ形成用電極
加熱装置６１上のはんだバンプ形成用電極基板１０より
もはんだ高さ補正用電極ローラ６３の回転方向に手前側
に配設されており、当該はんだ高さ補正用電極ローラ６
３の表面にフラックス６４を供給して、はんだの濡れ性
及び適度なはんだボールの酸化防止を行う。
【００９８】はんだ除去装置６６は、はんだ高さ補正用
電極ローラ６３のはんだ高さ補正用電極６２上のはんだ
７０を除去する。このはんだ除去装置６６によるはんだ
高さ補正用電極６２上からのはんだの除去方法は、例え
ば、はんだ形成用電極１１上からはんだ高さ補正用電極
ローラ６３のはんだ高さ補正用電極６２に転写されたは
んだ７０を、回転研磨により機械的に除去する方法、は
んだ濡れ性の良い細線ワイヤを加熱した状態で接触させ
て除去する方法または加熱溶融状態ではんだ７０を吸い
取って除去する方法等を用いることができるが、これら
の方法に限るものではない。
【００９９】電極ローラ洗浄機６７は、溶剤を含浸させ
た研磨テープ６８と当該研磨テープ６８をはんだ高さ補
正用電極ローラ６３に押しつけるローラ６９等を備えて
おり、ローラ６９により研磨テープ６８をはんだ高さ補
正用電極ローラ６３に押しつけて、フラックス残さ等を
除去する。
【０１００】このはんだバンプ形成装置６０は、バンプ
形成用電極加熱装置６１の上面に、そのバンプ形成用電
極１１上にはんだバンプ１２の形成されたはんだバンプ
形成用電極基板１０が載置され、このはんだバンプ１２
は、上述のように、その高さにバラツキが発生してい
る。
【０１０１】そして、はんだバンプ形成装置６０は、バ
ンプ高さ補正用電極ローラ６３とバンプ形成用電極基板
１０とのギャップ（間隔）、具体的には、バンプ高さ補
正用電極ローラ６３上のバンプ高さ補正用電極６２とバ
ンプ形成用電極基板１０のバンプ形成用電極１１上のは
んだバンプ１２とのギャップを高精度に管理しつつ、バ
ンプ高さ補正用電極ローラ６３を図５の矢印で示す反時
計方向に回転させながら、例えば、図５に矢印で示す方
向に、所定速度でバンプ形成用電極基板１０上を、その
はんだ高さ補正用電極６２を移動させる。
【０１０２】このとき、バンプ高さ補正用電極ローラ６
３のバンプ高さ補正用電極６２の形成されている表面
に、フラックス供給装置６４からフラックス６４を供給
して、はんだの濡れ性及び適度なはんだボールの酸化防
止を行う。
【０１０３】このようにして、バンプ高さ補正用電極ロ
ーラ６３をバンプ形成用電極基板１０と所定のギャップ
を管理しつつ回転させると、バンプ形成用電極基板１０
のバンプ形成用電極１１上のはんだバンプ１２の過剰は
んだが、バンプ高さ補正用電極ローラ６３のバンプ高さ
補正用電極６２に転写され、バンプ形成用電極１１上の
はんだバンプ１２が精度よく均一な高さに補正される。
【０１０４】このように、本実施の形態によれば、バン
プ高さ補正用電極ローラ６３の回転に伴って、当該バン
プ高さ補正用電極ローラ６３のバンプ高さ補正用電極６
２の形成されている面へのフラックス６４の塗布、はん
だバンプ形成用電極１１からはんだ高さ補正用電極６２
に転写されたはんだ７０の除去及び当該はんだ７０の除
去されたはんだ高さ補正用電極６２の洗浄、を当該バン
プ高さ補正用電極ローラ６３の近傍であって、回転方向
に沿って順次配設されたフラックス供給装置６５、はん
だ除去装置６６及び電極ローラ洗浄機６７で順次処理し
ている。
【０１０５】したがって、フラックス６４の塗布処理、
はんだ高さ補正用電極６２上のはんだ７０の除去処理及
びはんだ高さ補正用電極６２の洗浄処理を連続的に行っ
て、より一位層効率的にかつコンパクトにはんだバンプ
１２の高さ調整処理を行うことができ、より一層安価か
つより一層高精度に高さの揃ったはんだバンプ１２を形
成することができる。
【０１０６】図６は、本発明のはんだバンプ形成方法及
びはんだバンプ形成装置の第４の実施の形態の適用され
たはんだバンプ形成用電極基板８０とはんだ供給用基板
９０の概略正面図である。
【０１０７】図６において、はんだバンプ形成用電極基
板８０の表面には、はんだバンプ形成用電極８１が多数
形成されており、このはんだバンプ形成用電極８１上
に、はんだ供給用基板９０を用いて、はんだバンプ８２
が形成される。
【０１０８】はんだ供給用基板９０の表面には、多数の
はんだ供給用電極９１が形成されており、はんだ供給用
電極９１は、その電極面積がはんだバンプ形成用電極８
１上の電極面積に比較して、相対的に小さく形成されて
いる。
【０１０９】はんだ供給用基板９０は、はんだ供給用電
極９１上に供給された供給用はんだ９２をはんだバンプ
形成用電極基板８０のはんだバンプ形成用電極８１上に
供給し、はんだバンプ形成用電極８１上にはんだバンプ
８２を形成する。
【０１１０】このはんだ供給用電極９１上への供給用は
んだ９２の供給は、例えば、はんだメッキやはんだペー
スト印刷等で行うことができる。
【０１１１】このはんだ供給用電極基板９０を用いては
んだバンプ形成用電極基板８０のはんだバンプ形成用電
極８１上にはんだバンプ８２を形成するには、まず、は
んだバンプ形成用電極８１上に、例えば、はんだメッキ
やはんだペースト印刷等の方法で供給用はんだ９２を供
給し、はんだバンプ形成用電極基板８０とはんだ供給用
電極基板９０とのギャップ（間隔）、具体的には、はん
だバンプ形成用電極基板８０のはんだバンプ形成用電極
８１とはんだ供給用電極基板９０のはんだ供給用電極９
１とのギャップを精度よく管理して近づけ、はんだ供給
用電極９１上の供給用はんだ９２をはんだバンプ形成用
電極８１上に転写する。
【０１１２】このとき、はんだ供給用電極９１の電極面
積が、はんだバンプ形成用電極８１よりも小さく形成さ
れているため、はんだ供給用電極９１上への供給用はん
だ９２の供給量にばらつきがあっても、はんだバンプ形
成電極８１に転写されて、はんだバンプ８２となる際に
は、そのばらつきが相対的に小さくなる。
【０１１３】そして、はんだ供給用電極９１からはんだ
バンプ形成用電極８１へのはんだ供給量を高精度に制御
するためには、例えば、はんだバンプ形成用電極基板８
０とはんだ供給用基板９０を所定方向に相対移動させ
て、当該相対移動方向に対して、はんだ供給用電極９１
の電極面積を徐々に小さくすると、供給用はんだ９２の
はんだバンプ形成用電極８１への転写供給効率を向上さ
せることができるとともに、はんだバンプの形状精度を
向上させることができる。
【０１１４】このように、本実施の形態のはんだバンプ
形成方法は、はんだバンプ形成用電極基板８０に複数形
成されているはんだバンプ形成用電極８１上に、所定高
さのはんだバンプ８２を形成するに際して、はんだバン
プ形成用電極８１の電極面積よりも小さい電極面積のは
んだ供給用電極９１が多数形成されたはんだ供給用電極
基板９０の当該はんだ供給用電極９１上に供給用はんだ
９２を予め形成し、当該はんだ供給用電極基板９０とは
んだバンプ形成用電極基板８０との間隔を所定間隔（ギ
ャップ）に管理して、はんだ供給用電極９１上の供給用
はんだ９２をはんだバンプ形成用電極８１に転写供給
し、はんだバンプ形成用電極８１上にはんだバンプ８２
を形成している。
【０１１５】したがって、簡易な方法ではんだ供給用電
極９１上に形成した供給用はんだ９２を表面張力を利用
してはんだバンプ形成用電極８１上に転写することがで
き、安価かつ高精度に高さの揃ったはんだバンプ８２を
形成することができる。
【０１１６】また、本実施の形態においては、はんだ供
給用電極基板９０のはんだ供給用電極９１の電極面積
を、徐々に小さくして、供給用はんだ９２をはんだバン
プ形成用電極８１に転写供給して、はんだバンプ形成用
電極８１上にはんだバンプ８２を形成している。
【０１１７】したがって、簡易な方法ではんだ供給用電
極９１上に形成した供給用はんだ９２を表面張力を利用
してはんだバンプ形成用電極８１上により精度よく転写
することができ、安価かつより一層高精度に高さの揃っ
たはんだバンプ８２を形成することができる。
【０１１８】以上、本発明者によってなされた発明を好
適な実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
上記のものに限定されるものではなく、その要旨を逸脱
しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもな
い。
【０１１９】
【発明の効果】請求項１記載の発明のはんだバンプ形成
方法によれば、はんだバンプ形成用電極基板に複数形成
されているはんだバンプ形成用電極上に、所定高さのは
んだバンプを形成するに際して、はんだバンプ形成用電
極上に予めはんだバンプを形成した後、複数のバンプ高
さ補正用電極の形成されたバンプ高さ補正用電極基板と
はんだバンプ形成用電極基板とを、相対的な間隔を管理
した状態で、所定間隔に接近させて、はんだバンプ形成
用電極上のはんだバンプの過剰な量のはんだをバンプ高
さ補正用電極に転写させて、複数のはんだバンプ形成用
電極上のはんだバンプの高さを揃えているので、簡単か
つ容易に複数のはんだバンプ形成用電極上のはんだバン
プの高さ、すなわち、バンダ量のバラツキを調整するこ
とができ、安価かつ高精度に高さの揃ったはんだバンプ
を形成することができる。
【０１２０】請求項２記載の発明のはんだバンプ形成装
置によれば、はんだバンプ形成用電極基板に複数形成さ
れているはんだバンプ形成用電極上に、所定高さのはん
だバンプを形成するに際して、複数のバンプ高さ補正用
電極の形成されたバンプ高さ補正用電極基板とはんだバ
ンプ形成用電極上に予めはんだバンプの形成されたはん
だバンプ形成用電極基板とを、相対的な間隔を管理した
状態で、所定間隔に接近させて、はんだバンプ形成用電
極上のはんだバンプの過剰な量のはんだを前記バンプ高
さ補正用電極に転写させて、複数のはんだバンプ形成用
電極上のはんだバンプの高さを揃えているので、簡単か
つ容易に複数のはんだバンプ形成用電極上のはんだバン
プの高さ、すなわち、バンダ量のバラツキを調整するこ
とができ、安価かつ高精度に高さの揃ったはんだバンプ
を形成することができる。
【０１２１】請求項３記載の発明のはんだバンプ形成方
法及びはんだバンプ形成装置によれば、バンプ高さ補正
用電極の電極面積を、はんだバンプ形成用電極の電極面
積よりも小さく形成しているので、はんだバンプ形成用
電極からバンプ高さ補正用電極に転写されるはんだの転
写量を細かく制御することができ、安価かつより一層高
精度に高さの揃ったはんだバンプを形成することができ
る。
【０１２２】請求項４記載の発明のはんだバンプ形成方
法及びはんだバンプ形成装置によれば、バンプ高さ補正
用電極の電極面積を、はんだバンプ形成用電極の電極面
積よりも小さく形成するとともに、当該バンプ高さ補正
用電極の電極面積を徐々に小さくして、はんだバンプ形
成用電極上の過剰な量のはんだを当該徐々に小さくなる
はんだバンプ高さ補正用電極に転写させているので、は
んだバンプ形成用電極からバンプ高さ補正用電極に転写
されるはんだの転写量をより一層細かく制御することが
でき、安価かつより一層高精度に高さの揃ったはんだバ
ンプを形成することができる。
【０１２３】請求項５記載の発明のはんだバンプ形成方
法及びはんだバンプ形成装置によれば、バンプ高さ補正
用電極基板とはんだバンプ形成用電極基板との間隔を徐
々に狭めて、はんだバンプ形成用電極上の過剰な量のは
んだをはんだバンプ高さ補正用電極に転写させているの
で、はんだバンプ形成用電極からバンプ高さ補正用電極
に転写されるはんだの転写量をより一層細かく制御する
ことができ、安価かつより一層高精度に高さの揃ったは
んだバンプを形成することができる。
【０１２４】請求項６記載の発明のはんだバンプ形成方
法及びはんだバンプ形成装置によれば、バンプ高さ補正
用電極基板をロール状に形成し、当該ロール状のバンプ
高さ補正用電極基板の表面にバンプ高さ補正用電極を複
数形成して、当該ロール状のバンプ高さ補正用電極基板
を、所定方向に回転させつつ、はんだバンプ形成用電極
基板との相対的な間隔を管理した状態で、所定間隔に接
近させて、はんだバンプ形成用電極上のはんだバンプの
過剰な量のはんだをバンプ高さ補正用電極に転写させて
いるので、はんだバンプ形成用電極からバンプ高さ補正
用電極により簡単にかつ連続的に過剰な量のはんだを転
写させることができ、より一層安価かつ高精度に高さの
揃ったはんだバンプを形成することができる。
【０１２５】請求項７記載の発明のはんだバンプ形成方
法及びはんだバンプ形成装置によれば、ロール状のバン
プ高さ補正用電極基板のバンプ高さ補正用電極の形成さ
れている面に、フラックスを塗布して、当該バンプ高さ
補正用電極基板とはんだバンプ形成用電極基板とを接近
させているので、バンプ高さ補正用電極へのはんだ濡れ
性を向上させることができるとともに、はんだバンプ形
成用電極側のはんだ表面張力の低減を抑えることがで
き、安定してはんだバンプの形成を制御して、安価かつ
より一層高精度に高さの揃ったはんだバンプを形成する
ことができる。
【０１２６】請求項８記載の発明のはんだバンプ形成方
法及びはんだバンプ形成装置によれば、少なくともはん
だバンプ形成用電極上のはんだバンプの過剰な量のはん
だをバンプ高さ補正用電極に転写する期間は、バンプ形
成用電極基板を、はんだバンプ形成用電極上のはんだバ
ンプの溶融温度まで加熱し、バンプ高さ補正用電極基板
を、１００℃以上であって、当該バンプ高さ補正用電極
にフラックスが塗布されているときには、当該フラック
スが活性力を維持する温度範囲に予備加熱しているの
で、はんだバンプ形成用電極からバンプ高さ補正用電極
へのはんだの転写性を向上させることができるととも
に、バンプ高さ補正用電極上にツララ状のはんだが形成
されることを防止することができ、安価かつより一層高
精度に高さの揃ったはんだバンプを形成することができ
る。
【０１２７】請求項９記載の発明のはんだバンプ形成方
法及びはんだバンプ形成装置によれば、ローラ状のバン
プ高さ補正用電極基板の回転に伴って、当該ローラ状の
バンプ高さ補正用電極基板のバンプ高さ補正用電極の形
成されている面へのフラックスの塗布、はんだバンプ形
成用電極からはんだ高さ補正用電極に転写されたはんだ
の除去及び当該はんだの除去されたはんだ高さ補正用電
極の洗浄、を当該バンプ高さ補正用電極基板の近傍であ
って、回転方向に沿って順次配設されたフラックス塗布
手段、除去手段及び洗浄手段で順次処理するので、フラ
ックス塗布処理、はんだ高さ補正用電極上のはんだ除去
処理及びはんだ高さ補正用電極の洗浄処理を連続的に行
って、より一位層効率的にかつコンパクトにはんだバン
プの高さ調整処理を行うことができ、より一層安価かつ
より一層高精度に高さの揃ったはんだバンプを形成する
ことができる。
【０１２８】請求項１０記載の発明のはんだバンプ形成
方法によれば、はんだバンプ形成用電極基板に複数形成
されているはんだバンプ形成用電極上に、所定高さのは
んだバンプを形成するに際して、はんだバンプ形成用電
極の電極面積よりも小さい電極面積のはんだ供給用電極
が多数形成されたはんだ供給用電極基板の当該はんだ供
給用電極上に供給用はんだを予め形成し、当該はんだ供
給用電極基板とはんだバンプ形成用電極基板との間隔を
所定間隔に管理して、はんだ供給用電極上の供給用はん
だをはんだバンプ形成用電極に転写供給し、はんだバン
プ形成用電極上にはんだバンプを形成しているので、簡
易な方法ではんだ供給用電極上に形成した供給用はんだ
を表面張力を利用してはんだバンプ形成用電極上に転写
することができ、安価かつ高精度に高さの揃ったはんだ
バンプを形成することができる。
【０１２９】請求項１１記載の発明のはんだバンプ形成
方法によれば、はんだ供給用電極基板のはんだ供給用電
極の電極面積を、徐々に小さくして、供給用はんだをは
んだバンプ形成用電極に転写供給して、はんだバンプ形
成用電極上にはんだバンプを形成しているので、簡易な
方法ではんだ供給用電極上に形成した供給用はんだを表
面張力を利用してはんだバンプ形成用電極上により精度
よく転写することができ、安価かつより一層高精度に高
さの揃ったはんだバンプを形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のはんだバンプ形成方法及びはんだバン
プ形成装置の第１の実施の形態のはんだバンプ形成方法
及びはんだバンプ形成装置の適用されるはんだバンプ形
成用電極基板の正面図。
【図２】図１のはんだバンプ形成用電極基板上のはんだ
バンプの高さのバラツキをバンプ高さ補正用電極基板で
補正している状態の正面図。
【図３】図２のバンプ高さ補正用電極基板のバンプ高さ
補正用電極の形成面にフラックスを供給した状態の正面
図。
【図４】本発明のはんだバンプ形成方法及びはんだバン
プ形成装置の第２の実施の形態の適用されたはんだバン
プ形成装置の正面概略構成図。
【図５】本発明のはんだバンプ形成方法及びはんだバン
プ形成装置の第３の実施の形態の適用されたはんだバン
プ形成装置の正面概略構成図。
【図６】本発明のはんだバンプ形成方法及びはんだバン
プ形成装置の第４の実施の形態の適用されたはんだバン
プ形成用電極基板とはんだ供給用基板の概略正面図。
【符号の説明】
１０ はんだバンプ形成用電極基板 １１ はんだ形成用電極 １２ はんだバンプ ２０ バンプ高さ補正用電極基板 ２１ バンプ高さ補正用電極 ３０ はんだ ４０ フラックス ５０ はんだバンプ形成装置 ５１ バンプ形成用電極加熱装置 ５２ バンプ高さ補正用電極 ５３ バンプ高さ補正用電極ロール板 ５４ 送り出しローラ ５５ 巻き取りローラ ５６ バンプ高さ補正用電極予備加熱装置 ５７ フラックス ５８ フラックス供給装置 ６０ はんだバンプ形成装置 ６１ バンプ形成用電極加熱装置 ６２ バンプ高さ補正用電極 ６３ バンプ高さ補正用電極ローラ ６４ フラックス ６５ フラックス供給装置 ６６ はんだ除去装置 ６７ 電極ローラ洗浄機 ６８ 研磨テープ ６９ ローラ ７０ はんだ ８０ はんだバンプ形成用電極基板 ８１ はんだバンプ形成用電極 ８２ はんだバンプ ９０ はんだ供給用基板 ９１ はんだ供給用電極 ９２ 供給用はんだ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5E319 AA03 AC01 BB04 CD04 CD26 CD60 GG15

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】はんだバンプ形成用電極基板に複数形成さ
    れているはんだバンプ形成用電極上に、所定高さのはん
    だバンプを形成するはんだバンプ形成方法において、前
    記はんだバンプ形成用電極上に予めはんだバンプを形成
    した後、複数のバンプ高さ補正用電極の形成されたバン
    プ高さ補正用電極基板と前記はんだバンプ形成用電極基
    板とを、相対的な間隔を管理した状態で、所定間隔に接
    近させて、前記はんだバンプ形成用電極上のはんだバン
    プの過剰な量のはんだを前記バンプ高さ補正用電極に転
    写させて、前記複数のはんだバンプ形成用電極上のはん
    だバンプの高さを揃えることを特徴とするはんだバンプ
    形成方法。
  2. 【請求項２】はんだバンプ形成用電極基板に複数形成さ
    れているはんだバンプ形成用電極上に、所定高さのはん
    だバンプを形成するはんだバンプ形成装置において、複
    数のバンプ高さ補正用電極の形成されたバンプ高さ補正
    用電極基板と前記はんだバンプ形成用電極上に予めはん
    だバンプの形成された前記はんだバンプ形成用電極基板
    とを、相対的な間隔を管理した状態で、所定間隔に接近
    させて、前記はんだバンプ形成用電極上のはんだバンプ
    の過剰な量のはんだを前記バンプ高さ補正用電極に転写
    させて、前記複数のはんだバンプ形成用電極上のはんだ
    バンプの高さを揃えることを特徴とするはんだバンプ形
    成装置。
  3. 【請求項３】前記バンプ高さ補正用電極の電極面積は、
    前記はんだバンプ形成用電極の電極面積よりも小さく形
    成されていることを特徴とする請求項１記載のはんだバ
    ンプ形成方法または請求項２記載のはんだバンプ形成装
    置。
  4. 【請求項４】前記バンプ高さ補正用電極の電極面積は、
    前記はんだバンプ形成用電極の電極面積よりも小さく形
    成されているとともに、当該バンプ高さ補正用電極の電
    極面積を徐々に小さくして、前記はんだバンプ形成用電
    極上の過剰な量のはんだを当該徐々に小さくなるはんだ
    バンプ高さ補正用電極に転写させることを特徴とする請
    求項１記載のはんだバンプ形成方法または請求項２記載
    のはんだバンプ形成装置。
  5. 【請求項５】前記はんだバンプ形成方法または前記はん
    だバンプ形成装置は、前記バンプ高さ補正用電極基板と
    前記はんだバンプ形成用電極基板との間隔を徐々に狭め
    て、前記はんだバンプ形成用電極上の過剰な量のはんだ
    を前記はんだバンプ高さ補正用電極に転写させることを
    特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載のは
    んだバンプ形成方法またははんだバンプ形成装置。
  6. 【請求項６】前記はんだバンプ形成方法または前記はん
    だバンプ形成装置は、前記バンプ高さ補正用電極基板が
    ロール状に形成され、当該ロール状のバンプ高さ補正用
    電極基板の表面に前記バンプ高さ補正用電極が複数形成
    されて、当該ロール状のバンプ高さ補正用電極基板を、
    所定方向に回転させつつ、前記はんだバンプ形成用電極
    基板との相対的な間隔を管理した状態で、所定間隔に接
    近させて、前記はんだバンプ形成用電極上のはんだバン
    プの過剰な量のはんだを前記バンプ高さ補正用電極に転
    写させることを特徴とする請求項１から請求項５のいず
    れかに記載のはんだバンプ形成方法またははんだバンプ
    形成装置。
  7. 【請求項７】前記はんだバンプ形成方法または前記はん
    だバンプ形成装置は、前記ロール状のバンプ高さ補正用
    電極基板の前記バンプ高さ補正用電極の形成されている
    面に、フラックスを塗布して、当該バンプ高さ補正用電
    極基板と前記はんだバンプ形成用電極基板とを接近させ
    ることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれかに
    記載のはんだバンプ形成方法またははんだバンプ形成装
    置。
  8. 【請求項８】前記はんだバンプ形成方法または前記はん
    だバンプ形成装置は、少なくとも前記はんだバンプ形成
    用電極上のはんだバンプの過剰な量のはんだを前記バン
    プ高さ補正用電極に転写する期間は、前記バンプ形成用
    電極基板を、前記はんだバンプ形成用電極上のはんだバ
    ンプの溶融温度まで加熱し、前記バンプ高さ補正用電極
    基板を、１００℃以上であって、当該バンプ高さ補正用
    電極に前記フラックスが塗布されているときには、当該
    フラックスが活性力を維持する温度範囲に予備加熱する
    ことを特徴とする請求項１から請求項７のいずれかに記
    載のはんだバンプ形成方法またははんだバンプ形成装
    置。
  9. 【請求項９】前記はんだバンプ形成方法または前記はん
    だバンプ形成装置は、前記ローラ状のバンプ高さ補正用
    電極基板の回転に伴って、当該ローラ状のバンプ高さ補
    正用電極基板の前記バンプ高さ補正用電極の形成されて
    いる面へのフラックスの塗布、前記はんだバンプ形成用
    電極から前記はんだ高さ補正用電極に転写されたはんだ
    の除去及び当該はんだの除去された前記はんだ高さ補正
    用電極の洗浄、を当該バンプ高さ補正用電極基板の近傍
    であって、前記回転方向に沿って順次配設されたフラッ
    クス塗布手段、除去手段及び洗浄手段で順次処理するこ
    とを特徴とする請求項６から請求項８のいずれかに記載
    のはんだバンプ形成方法またははんだバンプ形成装置。
  10. 【請求項１０】はんだバンプ形成用電極基板に複数形成
    されているはんだバンプ形成用電極上に、所定高さのは
    んだバンプを形成するはんだバンプ形成方法において、
    前記はんだバンプ形成用電極の電極面積よりも小さい電
    極面積のはんだ供給用電極が多数形成されたはんだ供給
    用電極基板の当該はんだ供給用電極上に供給用はんだを
    予め形成し、当該はんだ供給用電極基板と前記はんだバ
    ンプ形成用電極基板との間隔を所定間隔に管理して、前
    記はんだ供給用電極上の供給用はんだを前記はんだバン
    プ形成用電極に転写供給し、前記はんだバンプ形成用電
    極上に前記はんだバンプを形成することを特徴とするは
    んだバンプ形成方法。
  11. 【請求項１１】前記はんだバンプ形成方法は、前記はん
    だ供給用電極基板の前記はんだ供給用電極の電極面積
    を、徐々に小さくして、前記供給用はんだを前記はんだ
    バンプ形成用電極に転写供給し、前記はんだバンプ形成
    用電極上に前記はんだバンプを形成することを特徴とす
    る請求項１０記載のはんだバンプ形成方法。
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