JP2003303703A - Ｐｔｃサーミスタ - Google Patents
ＰｔｃサーミスタInfo
- Publication number
- JP2003303703A JP2003303703A JP2003029685A JP2003029685A JP2003303703A JP 2003303703 A JP2003303703 A JP 2003303703A JP 2003029685 A JP2003029685 A JP 2003029685A JP 2003029685 A JP2003029685 A JP 2003029685A JP 2003303703 A JP2003303703 A JP 2003303703A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- molecular weight
- thermistor
- polymer matrix
- ptc thermistor
- organic compound
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Abstract
(57)【要約】
【課題】熱衝撃試験後に得られる抵抗値が０.０３Ω以
下であり、１００℃以下の動作温度で繰り返し動作させ
た場合であっても使用初期に得られる抵抗値を充分に維
持することのできる信頼性に優れたＰＴＣサーミスタの
提供。 【解決手段】互いに対向した状態で配置された１対の電
極2及び電極3と、電極2及び電極3の間に配置されており
かつ正の抵抗-温度特性を有するサーミスタ素体と、を
少なくとも有するＰＴＣサーミスタであって、サーミス
タ素体は、高分子マトリックスと、低分子有機化合物
と、電子伝導性を有する導電性粒子とからなる成形体で
あり、高分子マトリックスの分子量が1万〜40万であ
り、低分子有機化合物の分子量が100〜3000であり、高
分子マトリックスが８５〜９５℃の融解開始温度を有す
るオレフィン系高分子化合物であることを特徴とする。
下であり、１００℃以下の動作温度で繰り返し動作させ
た場合であっても使用初期に得られる抵抗値を充分に維
持することのできる信頼性に優れたＰＴＣサーミスタの
提供。 【解決手段】互いに対向した状態で配置された１対の電
極2及び電極3と、電極2及び電極3の間に配置されており
かつ正の抵抗-温度特性を有するサーミスタ素体と、を
少なくとも有するＰＴＣサーミスタであって、サーミス
タ素体は、高分子マトリックスと、低分子有機化合物
と、電子伝導性を有する導電性粒子とからなる成形体で
あり、高分子マトリックスの分子量が1万〜40万であ
り、低分子有機化合物の分子量が100〜3000であり、高
分子マトリックスが８５〜９５℃の融解開始温度を有す
るオレフィン系高分子化合物であることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＰＴＣ（Positive
Temperature Coefficient）サーミスタに関する。より
詳しくは、本発明は、１対の電極の間に配置されたサー
ミスタ素体を有し、このサーミスタ素体が、高分子マト
リックス、低分子有機化合物および導電性粒子との成形
体からなるＰＴＣサーミスタに関する。本発明のＰＴＣ
サーミスタは、温度センサ及び過電流保護素子（例えば
リチウムイオン電池の過電流保護素子）として好適に使
用可能である。
Temperature Coefficient）サーミスタに関する。より
詳しくは、本発明は、１対の電極の間に配置されたサー
ミスタ素体を有し、このサーミスタ素体が、高分子マト
リックス、低分子有機化合物および導電性粒子との成形
体からなるＰＴＣサーミスタに関する。本発明のＰＴＣ
サーミスタは、温度センサ及び過電流保護素子（例えば
リチウムイオン電池の過電流保護素子）として好適に使
用可能である。
【０００２】
【従来の技術】ＰＴＣ（Positive Temperature Coeffic
ient）サーミスタは、互いに対向した状態で配置された
１対の電極と、当該１対の電極の間に配置されたサーミ
スタ素体を少なくとも備える構成を有している。そし
て、上記サーミスタ素体は、その抵抗値が、一定の温度
範囲において、温度の上昇とともに急激に増大する「正
の抵抗-温度特性」を有している。
ient）サーミスタは、互いに対向した状態で配置された
１対の電極と、当該１対の電極の間に配置されたサーミ
スタ素体を少なくとも備える構成を有している。そし
て、上記サーミスタ素体は、その抵抗値が、一定の温度
範囲において、温度の上昇とともに急激に増大する「正
の抵抗-温度特性」を有している。
【０００３】ＰＴＣサーミスタは、上記の特性を利用し
て、例えば、自己制御型発熱体、温度センサ、限流素
子、過電流保護素子等として、電子機器の回路保護に使
用される。このＰＴＣサーミスタには、上記の用途等に
使用する観点から、非動作時の室温抵抗値が低く、非動
作時の室温抵抗値と動作時の抵抗値との変化率が大きい
こと、繰り返し動作させた場合における抵抗値の変化量
（使用初期の抵抗値と繰り返し動作させた後の抵抗値と
の差）が小さいこと、遮断特性に優れること、及び、素
子の発熱温度が低いこと、並びに、小型化、軽量化及び
低コスト化が図れることが要求される。
て、例えば、自己制御型発熱体、温度センサ、限流素
子、過電流保護素子等として、電子機器の回路保護に使
用される。このＰＴＣサーミスタには、上記の用途等に
使用する観点から、非動作時の室温抵抗値が低く、非動
作時の室温抵抗値と動作時の抵抗値との変化率が大きい
こと、繰り返し動作させた場合における抵抗値の変化量
（使用初期の抵抗値と繰り返し動作させた後の抵抗値と
の差）が小さいこと、遮断特性に優れること、及び、素
子の発熱温度が低いこと、並びに、小型化、軽量化及び
低コスト化が図れることが要求される。
【０００４】ＰＴＣサーミスタは、セラミクス材料から
なるサーミスタ素体を搭載するタイプのものが一般的で
あるが、このタイプのＰＴＣサーミスタは、遮断特性に
劣り、サーミスタ素体の発熱温度が高く、小型化、軽量
化、低コスト化が困難であった。特に、リチウムイオン
電池を代表とする電池の過電流保護素子として用いる場
合、ＰＴＣサーミスタの動作温度は１００℃以下、好ま
しくは８０〜９５℃が望まれているが、上記のタイプの
ＰＴＣサーミスタはこの動作温度を満足することが困難
であった。
なるサーミスタ素体を搭載するタイプのものが一般的で
あるが、このタイプのＰＴＣサーミスタは、遮断特性に
劣り、サーミスタ素体の発熱温度が高く、小型化、軽量
化、低コスト化が困難であった。特に、リチウムイオン
電池を代表とする電池の過電流保護素子として用いる場
合、ＰＴＣサーミスタの動作温度は１００℃以下、好ま
しくは８０〜９５℃が望まれているが、上記のタイプの
ＰＴＣサーミスタはこの動作温度を満足することが困難
であった。
【０００５】そこで、上述の動作温度の低温化等の要求
に応えるために、熱可塑性樹脂（高分子マトリクス）と
導電性微粒子とからなる成形体をサーミスタ素体として
備えるタイプのＰＴＣサーミスタ（以下、必要に応じて
「Ｐ−ＰＴＣサーミスタ」という）の検討がなされてい
る。
に応えるために、熱可塑性樹脂（高分子マトリクス）と
導電性微粒子とからなる成形体をサーミスタ素体として
備えるタイプのＰＴＣサーミスタ（以下、必要に応じて
「Ｐ−ＰＴＣサーミスタ」という）の検討がなされてい
る。
【０００６】このようなＰ−ＰＴＣサーミスタとして
は、例えば、高分子マトリクスとして低密度ポリエチレ
ン、導電性粒子（導電性フィラー）としてニッケル粉末
をそれぞれ用いて形成したサーミスタ素体を搭載したも
のが提案されている（例えば、下記特許文献１参照）。
このＰ−ＰＴＣサーミスタは、比較的低い動作温度（１
００℃以下、好ましくは８０℃〜９５℃）を意図したも
のである。
は、例えば、高分子マトリクスとして低密度ポリエチレ
ン、導電性粒子（導電性フィラー）としてニッケル粉末
をそれぞれ用いて形成したサーミスタ素体を搭載したも
のが提案されている（例えば、下記特許文献１参照）。
このＰ−ＰＴＣサーミスタは、比較的低い動作温度（１
００℃以下、好ましくは８０℃〜９５℃）を意図したも
のである。
【０００７】
【特許文献１】特開平１１−１６８００５号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記特
許文献１に記載のＰ−ＰＴＣサーミスタをはじめとする
従来のＰ−ＰＴＣサーミスタは、１００℃以下の動作温
度、好ましくは８０〜９５℃の動作温度で繰り返し動作
させた場合に要求される以下の電気的特性条件を満たし
ていないため、未だ充分な信頼性を得られていないこと
を本発明者らは見出した。
許文献１に記載のＰ−ＰＴＣサーミスタをはじめとする
従来のＰ−ＰＴＣサーミスタは、１００℃以下の動作温
度、好ましくは８０〜９５℃の動作温度で繰り返し動作
させた場合に要求される以下の電気的特性条件を満たし
ていないため、未だ充分な信頼性を得られていないこと
を本発明者らは見出した。
【０００９】ＰＴＣサーミスタには、昇温と降温とを所
定の回数以上繰り返して動作させた後においても、動作
後の抵抗値｛室温（２５℃）で測定される値｝が使用初
期の抵抗値｛室温（２５℃）で測定される値｝とほぼ同
等の低い値を継続的に再現できるという電気的特性（繰
り返し動作に対する信頼性）を有していることが要求さ
れる。また、この抵抗値が大きくなるとＰＴＣサーミス
タの消費電力が増加するので、特にＰＴＣサーミスタが
搭載される電子機器が携帯電話などの小型の機器である
場合に問題となる。
定の回数以上繰り返して動作させた後においても、動作
後の抵抗値｛室温（２５℃）で測定される値｝が使用初
期の抵抗値｛室温（２５℃）で測定される値｝とほぼ同
等の低い値を継続的に再現できるという電気的特性（繰
り返し動作に対する信頼性）を有していることが要求さ
れる。また、この抵抗値が大きくなるとＰＴＣサーミス
タの消費電力が増加するので、特にＰＴＣサーミスタが
搭載される電子機器が携帯電話などの小型の機器である
場合に問題となる。
【００１０】上記の昇温と降温のサイクルの回数は、Ｐ
ＴＣサーミスタを温度センサや電源（例えば、リチウム
イオン二次電池）に対する過電流保護素子等として搭載
する電子機器（例えば、携帯電話）に要求される性能や
寿命により変化するものである。しかし、ＰＴＣサーミ
スタの上記電気的特性（繰り返し動作に対する信頼性）
は、一般に、ＪＩＳ Ｃ ００２５規定、又はＭＩＬ−
ＳＴＤ−２０２Ｆ １０７規定の「熱衝撃試験」により
測定される抵抗値｛室温（２５℃）で測定される値｝を
基準（指標）として評価することができる。
ＴＣサーミスタを温度センサや電源（例えば、リチウム
イオン二次電池）に対する過電流保護素子等として搭載
する電子機器（例えば、携帯電話）に要求される性能や
寿命により変化するものである。しかし、ＰＴＣサーミ
スタの上記電気的特性（繰り返し動作に対する信頼性）
は、一般に、ＪＩＳ Ｃ ００２５規定、又はＭＩＬ−
ＳＴＤ−２０２Ｆ １０７規定の「熱衝撃試験」により
測定される抵抗値｛室温（２５℃）で測定される値｝を
基準（指標）として評価することができる。
【００１１】上記「熱衝撃試験」は、ＰＴＣサーミスタ
に対して下記（ｉ）工程〜（ｉｖ）工程からなる１つの
熱処理サイクルを２００回繰り返し、その後に抵抗値
｛室温（２５℃）で測定される値｝を測定することによ
り行われる試験である。すなわち、１つの熱処理サイク
ルは、（ｉ）ＰＴＣサーミスタを、これに搭載されてい
るサーミスタ素体の温度が−４０℃となる温度条件のも
とで３０分保持する工程、（ｉｉ）上記保持時間の１０
％の時間（３分）以内にサーミスタ素体の温度を８５℃
まで昇温する工程、（ｉｉｉ）サーミスタ素体の温度が
８５℃となる温度条件のもとで３０分保持する工程、
（ｉｖ）上記保持時間の１０％の時間（３分）以内にサ
ーミスタ素体の温度を−４０℃まで降温する工程とから
なる。
に対して下記（ｉ）工程〜（ｉｖ）工程からなる１つの
熱処理サイクルを２００回繰り返し、その後に抵抗値
｛室温（２５℃）で測定される値｝を測定することによ
り行われる試験である。すなわち、１つの熱処理サイク
ルは、（ｉ）ＰＴＣサーミスタを、これに搭載されてい
るサーミスタ素体の温度が−４０℃となる温度条件のも
とで３０分保持する工程、（ｉｉ）上記保持時間の１０
％の時間（３分）以内にサーミスタ素体の温度を８５℃
まで昇温する工程、（ｉｉｉ）サーミスタ素体の温度が
８５℃となる温度条件のもとで３０分保持する工程、
（ｉｖ）上記保持時間の１０％の時間（３分）以内にサ
ーミスタ素体の温度を−４０℃まで降温する工程とから
なる。
【００１２】本発明者らは、動作温度が１００℃以下
（好ましくは８０〜９５℃）である使用環境のもとで使
用される「Ｐ−ＰＴＣサーミスタ」の場合、上述の熱衝
撃試験の後に測定される抵抗値｛室温（２５℃）で測定
される値｝が０．０３Ω以下であれば、１００℃以下の
動作温度での繰り返し動作に対する信頼性を有している
と評価することができることを見出した。
（好ましくは８０〜９５℃）である使用環境のもとで使
用される「Ｐ−ＰＴＣサーミスタ」の場合、上述の熱衝
撃試験の後に測定される抵抗値｛室温（２５℃）で測定
される値｝が０．０３Ω以下であれば、１００℃以下の
動作温度での繰り返し動作に対する信頼性を有している
と評価することができることを見出した。
【００１３】そして、本発明者らは、上記特許文献１に
記載のＰ−ＰＴＣサーミスタをはじめとする従来のＰ−
ＰＴＣサーミスタは、熱衝撃試験後の抵抗値を０．０３
Ω以下とすることができず、繰り返し動作させる場合の
信頼性が充分得られていないことを見出した。また、本
発明者らは、従来のＰ−ＰＴＣサーミスタは、熱衝撃試
験後の抵抗値を０．０３Ω以下とすることができないの
で、動作に伴う消費電力が大きくなるため、電子機器に
搭載して繰り返し使用することが困難となることを見出
した。特に、従来のＰ−ＰＴＣサーミスタは、携帯電話
用のリチウムイオン二次電池等の電源の過電流保護素子
として使用することが困難となる。
記載のＰ−ＰＴＣサーミスタをはじめとする従来のＰ−
ＰＴＣサーミスタは、熱衝撃試験後の抵抗値を０．０３
Ω以下とすることができず、繰り返し動作させる場合の
信頼性が充分得られていないことを見出した。また、本
発明者らは、従来のＰ−ＰＴＣサーミスタは、熱衝撃試
験後の抵抗値を０．０３Ω以下とすることができないの
で、動作に伴う消費電力が大きくなるため、電子機器に
搭載して繰り返し使用することが困難となることを見出
した。特に、従来のＰ−ＰＴＣサーミスタは、携帯電話
用のリチウムイオン二次電池等の電源の過電流保護素子
として使用することが困難となる。
【００１４】本発明は、このような従来技術の問題点に
鑑み、熱衝撃試験後に得られる抵抗値が０.０３Ω以下
であり、１００℃以下の動作温度で繰り返し動作させた
場合であっても使用初期に得られる抵抗値を充分に維持
することのできる信頼性に優れたＰＴＣサーミスタを提
供すること目的とする。
鑑み、熱衝撃試験後に得られる抵抗値が０.０３Ω以下
であり、１００℃以下の動作温度で繰り返し動作させた
場合であっても使用初期に得られる抵抗値を充分に維持
することのできる信頼性に優れたＰＴＣサーミスタを提
供すること目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記目的
を達成すべく鋭意研究を重ねた結果、サーミスタ素体を
高分子マトリックスと、低分子有機化合物と、電子伝導
性を有する導電性粒子とからなる成形体から構成する場
合、（Ｉ）特定の範囲の融解開始温度を有する高分子マ
トリックスをサーミスタ素体に含有させること、（Ｉ
Ｉ）特定の範囲の密度を有する高分子マトリックスをサ
ーミスタ素体に含有させること、（ＩＩＩ）特定の範囲
の線膨張係数を有する高分子マトリックスをサーミスタ
素体に含有させること、（ＩＶ）特定の範囲の針入度を
有する低分子有機化合物をサーミスタ素体に含有させる
こと、（Ｖ）特定の範囲の分岐比率総和を有する低分子
有機化合物をサーミスタ素体に含有させること、（Ｖ
Ｉ）融点の差が特定の範囲にある高分子マトリックスと
低分子有機化合物とを用いてサーミスタ素体を形成する
こと、（ＶＩＩ）特定の形状、特定の範囲の比表面積を
有するニッケルからなる粒子をサーミスタ素体に含有さ
せること、が上記目的を達成することに対して非常に有
効であることを見出した。
を達成すべく鋭意研究を重ねた結果、サーミスタ素体を
高分子マトリックスと、低分子有機化合物と、電子伝導
性を有する導電性粒子とからなる成形体から構成する場
合、（Ｉ）特定の範囲の融解開始温度を有する高分子マ
トリックスをサーミスタ素体に含有させること、（Ｉ
Ｉ）特定の範囲の密度を有する高分子マトリックスをサ
ーミスタ素体に含有させること、（ＩＩＩ）特定の範囲
の線膨張係数を有する高分子マトリックスをサーミスタ
素体に含有させること、（ＩＶ）特定の範囲の針入度を
有する低分子有機化合物をサーミスタ素体に含有させる
こと、（Ｖ）特定の範囲の分岐比率総和を有する低分子
有機化合物をサーミスタ素体に含有させること、（Ｖ
Ｉ）融点の差が特定の範囲にある高分子マトリックスと
低分子有機化合物とを用いてサーミスタ素体を形成する
こと、（ＶＩＩ）特定の形状、特定の範囲の比表面積を
有するニッケルからなる粒子をサーミスタ素体に含有さ
せること、が上記目的を達成することに対して非常に有
効であることを見出した。
【００１６】そして、本発明者らは、上記（Ｉ）〜（Ｖ
ＩＩ）の条件のうちの少なくとも１つを満たすサーミス
タ素体を備えるＰＴＣサーミスタを構成することによ
り、上記目的が達成可能であることを見出し、本発明に
到達した。
ＩＩ）の条件のうちの少なくとも１つを満たすサーミス
タ素体を備えるＰＴＣサーミスタを構成することによ
り、上記目的が達成可能であることを見出し、本発明に
到達した。
【００１７】すなわち、本発明は、互いに対向した状態
で配置された１対の電極と、１対の電極の間に配置され
ておりかつ正の抵抗-温度特性を有するサーミスタ素体
と、を少なくとも有するＰＴＣサーミスタであって、サ
ーミスタ素体は、高分子マトリックスと、低分子有機化
合物と、電子伝導性を有する導電性粒子とからなる成形
体であり、高分子マトリックスの分子量が１００００〜
４０００００であり、低分子有機化合物の分子量が１０
０〜３０００であり、高分子マトリックスが、８５〜９
５℃の融解開始温度を有するオレフィン系高分子化合物
であること、を特徴とするＰＴＣサーミスタを提供す
る。
で配置された１対の電極と、１対の電極の間に配置され
ておりかつ正の抵抗-温度特性を有するサーミスタ素体
と、を少なくとも有するＰＴＣサーミスタであって、サ
ーミスタ素体は、高分子マトリックスと、低分子有機化
合物と、電子伝導性を有する導電性粒子とからなる成形
体であり、高分子マトリックスの分子量が１００００〜
４０００００であり、低分子有機化合物の分子量が１０
０〜３０００であり、高分子マトリックスが、８５〜９
５℃の融解開始温度を有するオレフィン系高分子化合物
であること、を特徴とするＰＴＣサーミスタを提供す
る。
【００１８】上述のように、融解開始温度が８５〜９５
℃の範囲の高分子マトリックス（ここではオレフィン系
高分子化合物）をサーミスタ素体に含有させることによ
り、動作温度が８０〜１００℃のＰＴＣサーミスタに搭
載可能なサーミスタ素体を容易かつ確実に構成すること
が可能となる。そして、上記の条件を満たすサーミスタ
素体を備えたこのタイプのＰＴＣサーミスタ（以下、
「ＰＴＣサーミスタ（Ｉ）」という）は、熱衝撃試験後
に得られる抵抗値が０.０３Ω以下となる。そのため、
ＰＴＣサーミスタ（Ｉ）は、１００℃以下（好ましくは
８０〜９５℃）の動作温度で繰り返し動作させた場合で
あっても使用初期に得られる抵抗値を充分に維持するこ
とができ、優れた信頼性を得ることができる。
℃の範囲の高分子マトリックス（ここではオレフィン系
高分子化合物）をサーミスタ素体に含有させることによ
り、動作温度が８０〜１００℃のＰＴＣサーミスタに搭
載可能なサーミスタ素体を容易かつ確実に構成すること
が可能となる。そして、上記の条件を満たすサーミスタ
素体を備えたこのタイプのＰＴＣサーミスタ（以下、
「ＰＴＣサーミスタ（Ｉ）」という）は、熱衝撃試験後
に得られる抵抗値が０.０３Ω以下となる。そのため、
ＰＴＣサーミスタ（Ｉ）は、１００℃以下（好ましくは
８０〜９５℃）の動作温度で繰り返し動作させた場合で
あっても使用初期に得られる抵抗値を充分に維持するこ
とができ、優れた信頼性を得ることができる。
【００１９】ここで、本発明において、ＰＴＣサーミス
タの「動作温度」とは、通電中のＰＴＣサーミスタのサ
ーミスタ素体と熱平衡にある電極表面の部分の表面温度
を示す。より詳しくは、ＰＴＣサーミスタの１対の電極
間に６Ｖの電圧を掛けて短絡電流を流した後の１００秒
後の電極表面の部分の表面温度を示す。
タの「動作温度」とは、通電中のＰＴＣサーミスタのサ
ーミスタ素体と熱平衡にある電極表面の部分の表面温度
を示す。より詳しくは、ＰＴＣサーミスタの１対の電極
間に６Ｖの電圧を掛けて短絡電流を流した後の１００秒
後の電極表面の部分の表面温度を示す。
【００２０】ここで、本明細書において、高分子マトリ
ックスの「融解開始温度」とは、高分子マトリックスを
測定試料として示差走査熱量測定法（ＤＳＣ）により分
析した際に得られるＤＳＣ曲線を用いて以下のように定
義される温度である。
ックスの「融解開始温度」とは、高分子マトリックスを
測定試料として示差走査熱量測定法（ＤＳＣ）により分
析した際に得られるＤＳＣ曲線を用いて以下のように定
義される温度である。
【００２１】すなわち、測定試料及び標準物質を室温
（２５℃）から一定の昇温速度（２℃／ｍｉｎ）で昇温
することにより得られるＤＳＣ曲線において、最初にあ
らわれる吸熱ピークの最も低温側にあらわれる変曲点に
おける接線とベースライン｛測定開始点を通る示差走査
熱量が約０ｍＷの直線であって温度軸（横軸）に平行な
直線｝との交点における温度を示す（後述の図２、図３
を参照）。なお、本発明においては、上記の示差走査熱
量測定法に使用する標準物質（熱的に安定な物質）とし
て、α−Ａｌ2Ｏ3からなる粉末を使用するものとする。
（２５℃）から一定の昇温速度（２℃／ｍｉｎ）で昇温
することにより得られるＤＳＣ曲線において、最初にあ
らわれる吸熱ピークの最も低温側にあらわれる変曲点に
おける接線とベースライン｛測定開始点を通る示差走査
熱量が約０ｍＷの直線であって温度軸（横軸）に平行な
直線｝との交点における温度を示す（後述の図２、図３
を参照）。なお、本発明においては、上記の示差走査熱
量測定法に使用する標準物質（熱的に安定な物質）とし
て、α−Ａｌ2Ｏ3からなる粉末を使用するものとする。
【００２２】また、本明細書において、「熱衝撃試験」
とは、先に述べたＪＩＳ Ｃ ００２５規定に従って行
われる試験であり、ＰＴＣサーミスタに対して先に述べ
た（ｉ）工程〜（ｉｖ）工程からなる１つの熱処理サイ
クルを２００回繰り返し、その後に抵抗値｛室温（２５
℃）で測定される値｝を測定することにより行われる試
験である。熱衝撃試験を行うための装置としては、エス
ペック社製の商品名：「ＴＳＥ−１１−Ａ」の装置及び
商品名：「ＴＳＡ−７１Ｈ−Ｗ」の装置がある。
とは、先に述べたＪＩＳ Ｃ ００２５規定に従って行
われる試験であり、ＰＴＣサーミスタに対して先に述べ
た（ｉ）工程〜（ｉｖ）工程からなる１つの熱処理サイ
クルを２００回繰り返し、その後に抵抗値｛室温（２５
℃）で測定される値｝を測定することにより行われる試
験である。熱衝撃試験を行うための装置としては、エス
ペック社製の商品名：「ＴＳＥ−１１−Ａ」の装置及び
商品名：「ＴＳＡ−７１Ｈ−Ｗ」の装置がある。
【００２３】ここで、本発明のＰＴＣサーミスタ（Ｉ）
において、高分子マトリックスの融解開始温度が８５℃
未満となると熱衝撃試験後の抵抗値が０．０３Ωを超え
ることになる。また、高分子マトリックスの融解開始温
度が９５℃を超えると動作温度が１００℃を超える。更
に、融解開始温度が９５℃を超えると熱衝撃試験後の抵
抗値が０．０３Ωを超えることになる。
において、高分子マトリックスの融解開始温度が８５℃
未満となると熱衝撃試験後の抵抗値が０．０３Ωを超え
ることになる。また、高分子マトリックスの融解開始温
度が９５℃を超えると動作温度が１００℃を超える。更
に、融解開始温度が９５℃を超えると熱衝撃試験後の抵
抗値が０．０３Ωを超えることになる。
【００２４】また、本発明のＰＴＣサーミスタ（Ｉ）
｛及び後述のＰＴＣサーミスタ（ＩＩ）〜（ＶＩＩ）｝
においては、高分子マトリックスの分子量（数平均分子
量）が１００００未満であると、動作温度が低くなりす
ぎて、目的の動作温度（１００℃以下、好ましくは８０
〜９５℃）を確保できなくなる。この場合、例えば、携
帯電話等の携帯用機器の電源であるリチウムイオン二次
電池の過電流保護素子としてＰＴＣサーミスタを使用し
た場合、異常ではない低い温度領域でＰＴＣサーミスタ
が動作することになる。
｛及び後述のＰＴＣサーミスタ（ＩＩ）〜（ＶＩＩ）｝
においては、高分子マトリックスの分子量（数平均分子
量）が１００００未満であると、動作温度が低くなりす
ぎて、目的の動作温度（１００℃以下、好ましくは８０
〜９５℃）を確保できなくなる。この場合、例えば、携
帯電話等の携帯用機器の電源であるリチウムイオン二次
電池の過電流保護素子としてＰＴＣサーミスタを使用し
た場合、異常ではない低い温度領域でＰＴＣサーミスタ
が動作することになる。
【００２５】更に、本発明のＰＴＣサーミスタ（Ｉ）
｛及び後述のＰＴＣサーミスタ（ＩＩ）〜（ＶＩＩ）｝
においては、高分子マトリックスの分子量（数平均分子
量）が４０００００を超えると、動作温度が高くなりす
ぎて、目的の動作温度（１００℃以下、好ましくは８０
〜９５℃）を確保できなくなる。この場合、例えば、携
帯電話等の携帯用機器の電源であるリチウムイオン二次
電池の過電流保護素子としてＰＴＣサーミスタを使用し
た場合、異常な高い温度領域でしかＰＴＣサーミスタが
動作せず、リチウムイオン二次電池等の電子部品が故障
することになる。以上の観点から、本発明のＰＴＣサー
ミスタ（Ｉ）｛及び後述のＰＴＣサーミスタ（ＩＩ）〜
（ＶＩＩ）｝においては、高分子マトリックスの分子量
（数平均分子量）は、１００００〜４０００００であ
り、より好ましくは１０００００〜２０００００であ
る。
｛及び後述のＰＴＣサーミスタ（ＩＩ）〜（ＶＩＩ）｝
においては、高分子マトリックスの分子量（数平均分子
量）が４０００００を超えると、動作温度が高くなりす
ぎて、目的の動作温度（１００℃以下、好ましくは８０
〜９５℃）を確保できなくなる。この場合、例えば、携
帯電話等の携帯用機器の電源であるリチウムイオン二次
電池の過電流保護素子としてＰＴＣサーミスタを使用し
た場合、異常な高い温度領域でしかＰＴＣサーミスタが
動作せず、リチウムイオン二次電池等の電子部品が故障
することになる。以上の観点から、本発明のＰＴＣサー
ミスタ（Ｉ）｛及び後述のＰＴＣサーミスタ（ＩＩ）〜
（ＶＩＩ）｝においては、高分子マトリックスの分子量
（数平均分子量）は、１００００〜４０００００であ
り、より好ましくは１０００００〜２０００００であ
る。
【００２６】また、本発明のＰＴＣサーミスタ（Ｉ）
｛及び後述のＰＴＣサーミスタ（ＩＩ）〜（ＶＩＩ）｝
においては、低分子有機化合物の分子量（数平均分子
量）が１００未満であると、サーミスタ素体が室温でも
軟化して形状変形しやすく、目的の動作温度（１００℃
以下、好ましくは８０〜９５℃）における熱衝撃試験後
の抵抗値が０．０３Ωを超えてしまう。
｛及び後述のＰＴＣサーミスタ（ＩＩ）〜（ＶＩＩ）｝
においては、低分子有機化合物の分子量（数平均分子
量）が１００未満であると、サーミスタ素体が室温でも
軟化して形状変形しやすく、目的の動作温度（１００℃
以下、好ましくは８０〜９５℃）における熱衝撃試験後
の抵抗値が０．０３Ωを超えてしまう。
【００２７】また、本発明のＰＴＣサーミスタ（Ｉ）
｛及び後述のＰＴＣサーミスタ（ＩＩ）〜（ＶＩＩ）｝
においては、低分子有機化合物の分子量（数平均分子
量）が３０００を超えると、動作温度が高くなりすぎ
て、目的の動作温度（１００℃以下、好ましくは８０〜
９５℃）を確保できなくなる。以上の観点から、本発明
のＰＴＣサーミスタ（Ｉ）｛及び後述のＰＴＣサーミス
タ（ＩＩ）〜（ＶＩＩ）｝においては、低分子有機化合
物の分子量（数平均分子量）は、１００〜３０００であ
り、好ましくは５００〜１０００である。
｛及び後述のＰＴＣサーミスタ（ＩＩ）〜（ＶＩＩ）｝
においては、低分子有機化合物の分子量（数平均分子
量）が３０００を超えると、動作温度が高くなりすぎ
て、目的の動作温度（１００℃以下、好ましくは８０〜
９５℃）を確保できなくなる。以上の観点から、本発明
のＰＴＣサーミスタ（Ｉ）｛及び後述のＰＴＣサーミス
タ（ＩＩ）〜（ＶＩＩ）｝においては、低分子有機化合
物の分子量（数平均分子量）は、１００〜３０００であ
り、好ましくは５００〜１０００である。
【００２８】更に、本明細書において、「オレフィン系
高分子化合物」とは、分子内に少なくとも１つのエチレ
ン性不飽和結合（エチレン２重結合）を有する高分子化
合物を示す。
高分子化合物」とは、分子内に少なくとも１つのエチレ
ン性不飽和結合（エチレン２重結合）を有する高分子化
合物を示す。
【００２９】また、本発明は、互いに対向した状態で配
置された１対の電極と、１対の電極の間に配置されてお
りかつ正の抵抗-温度特性を有するサーミスタ素体と、
を少なくとも有するＰＴＣサーミスタであって、サーミ
スタ素体は、高分子マトリックスと、低分子有機化合物
と、電子伝導性を有する導電性粒子とからなる成形体で
あり、高分子マトリックスの分子量が１００００〜４０
００００であり、低分子有機化合物の分子量が１００〜
３０００であり、高分子マトリックスの密度が９２０〜
９２８ｋｇ・ｍ-3であること、を特徴とするＰＴＣサー
ミスタを提供する。
置された１対の電極と、１対の電極の間に配置されてお
りかつ正の抵抗-温度特性を有するサーミスタ素体と、
を少なくとも有するＰＴＣサーミスタであって、サーミ
スタ素体は、高分子マトリックスと、低分子有機化合物
と、電子伝導性を有する導電性粒子とからなる成形体で
あり、高分子マトリックスの分子量が１００００〜４０
００００であり、低分子有機化合物の分子量が１００〜
３０００であり、高分子マトリックスの密度が９２０〜
９２８ｋｇ・ｍ-3であること、を特徴とするＰＴＣサー
ミスタを提供する。
【００３０】上述のように、密度が９２０〜９２８ｋｇ
・ｍ-3の範囲の高分子マトリックスをサーミスタ素体に
含有させることにより、動作温度が８０〜１００℃のＰ
ＴＣサーミスタに搭載可能なサーミスタ素体を容易かつ
確実に構成することが可能となる。そして、上記の条件
を満たすサーミスタ素体を備えたこのタイプのＰＴＣサ
ーミスタ（以下、「ＰＴＣサーミスタ（ＩＩ）」とい
う）は、熱衝撃試験後に得られる抵抗値が０.０３Ω以
下となる。そのため、ＰＴＣサーミスタ（ＩＩ）は、１
００℃以下（好ましくは８０〜９５℃）の動作温度で繰
り返し動作させた場合であっても使用初期に得られる抵
抗値を充分に維持することができ、優れた信頼性を得る
ことができる。
・ｍ-3の範囲の高分子マトリックスをサーミスタ素体に
含有させることにより、動作温度が８０〜１００℃のＰ
ＴＣサーミスタに搭載可能なサーミスタ素体を容易かつ
確実に構成することが可能となる。そして、上記の条件
を満たすサーミスタ素体を備えたこのタイプのＰＴＣサ
ーミスタ（以下、「ＰＴＣサーミスタ（ＩＩ）」とい
う）は、熱衝撃試験後に得られる抵抗値が０.０３Ω以
下となる。そのため、ＰＴＣサーミスタ（ＩＩ）は、１
００℃以下（好ましくは８０〜９５℃）の動作温度で繰
り返し動作させた場合であっても使用初期に得られる抵
抗値を充分に維持することができ、優れた信頼性を得る
ことができる。
【００３１】一般に、熱衝撃試験中の加熱と冷却との繰
り返しによる温度変化により、高分子マトリックス中の
非晶質部の割合及び構造が、初期状態から大きく変化す
ることが知られている。本発明者らは、高分子マトリッ
クス中の非晶質部の割合及び構造の変化が、熱衝撃試験
後の抵抗値に影響していると推察している。そして、本
発明者らは、密度が上述の範囲にある比較的密度の高い
高分子マトリクスは、比較的結晶性が高く初期状態にお
いて非晶質部の割合が少ないため、熱衝撃試験中の加熱
と冷却との繰り返しによる温度変化が起こっても、非晶
質部の割合及び構造の変化が充分に抑制される安定な構
造を有していると推察している。これにより、本発明者
らは、密度が上述の範囲にある高分子マトリクスを含む
サーミスタ素体を搭載したＰＴＣサーミスタ（ＩＩ）
は、熱衝撃試験後において０．０３Ω以下の抵抗値が得
られるものと推察している。
り返しによる温度変化により、高分子マトリックス中の
非晶質部の割合及び構造が、初期状態から大きく変化す
ることが知られている。本発明者らは、高分子マトリッ
クス中の非晶質部の割合及び構造の変化が、熱衝撃試験
後の抵抗値に影響していると推察している。そして、本
発明者らは、密度が上述の範囲にある比較的密度の高い
高分子マトリクスは、比較的結晶性が高く初期状態にお
いて非晶質部の割合が少ないため、熱衝撃試験中の加熱
と冷却との繰り返しによる温度変化が起こっても、非晶
質部の割合及び構造の変化が充分に抑制される安定な構
造を有していると推察している。これにより、本発明者
らは、密度が上述の範囲にある高分子マトリクスを含む
サーミスタ素体を搭載したＰＴＣサーミスタ（ＩＩ）
は、熱衝撃試験後において０．０３Ω以下の抵抗値が得
られるものと推察している。
【００３２】ここで、本発明のＰＴＣサーミスタ（Ｉ
Ｉ）において、高分子マトリックスの密度が９２０ｋｇ
・ｍ-3未満となると熱衝撃試験後の抵抗値が０．０３Ω
を超えることになる。また、高分子マトリックスの密度
が９２８ｋｇ・ｍ-3を超えると融点が上昇し、動作温度
が１００℃を超えてしまい、本発明の効果が得られな
い。
Ｉ）において、高分子マトリックスの密度が９２０ｋｇ
・ｍ-3未満となると熱衝撃試験後の抵抗値が０．０３Ω
を超えることになる。また、高分子マトリックスの密度
が９２８ｋｇ・ｍ-3を超えると融点が上昇し、動作温度
が１００℃を超えてしまい、本発明の効果が得られな
い。
【００３３】更に、本発明は、互いに対向した状態で配
置された１対の電極と、１対の電極の間に配置されてお
りかつ正の抵抗-温度特性を有するサーミスタ素体と、
を少なくとも有するＰＴＣサーミスタであって、サーミ
スタ素体は、高分子マトリックスと、低分子有機化合物
と、電子伝導性を有する導電性粒子とからなる成形体で
あり、高分子マトリックスの分子量が１００００〜４０
００００であり、低分子有機化合物の分子量が１００〜
３０００であり、高分子マトリックスの線膨張係数が
１．００×１０-4〜５．４３×１０-4であること、を特
徴とするＰＴＣサーミスタを提供する。
置された１対の電極と、１対の電極の間に配置されてお
りかつ正の抵抗-温度特性を有するサーミスタ素体と、
を少なくとも有するＰＴＣサーミスタであって、サーミ
スタ素体は、高分子マトリックスと、低分子有機化合物
と、電子伝導性を有する導電性粒子とからなる成形体で
あり、高分子マトリックスの分子量が１００００〜４０
００００であり、低分子有機化合物の分子量が１００〜
３０００であり、高分子マトリックスの線膨張係数が
１．００×１０-4〜５．４３×１０-4であること、を特
徴とするＰＴＣサーミスタを提供する。
【００３４】ここで、本明細書において、高分子マトリ
ックスの「線膨張係数」とは、高分子マトリックスの
「融点開始温度」未満の温度（好ましくは２５℃〜８０
℃）で測定される値である。
ックスの「線膨張係数」とは、高分子マトリックスの
「融点開始温度」未満の温度（好ましくは２５℃〜８０
℃）で測定される値である。
【００３５】上述のように、線膨張係数が１．００×１
０-4〜５．４３×１０-4の範囲の高分子マトリックスを
サーミスタ素体に含有させることにより、動作温度が８
０〜１００℃のＰＴＣサーミスタに搭載可能なサーミス
タ素体を容易かつ確実に構成することが可能となる。そ
して、上記の条件を満たすサーミスタ素体を備えたこの
タイプのＰＴＣサーミスタ（以下、「ＰＴＣサーミスタ
（ＩＩＩ）」という）は、熱衝撃試験後に得られる抵抗
値が０.０３Ω以下となる。そのため、ＰＴＣサーミス
タ（ＩＩＩ）は、１００℃以下（好ましくは８０〜９５
℃）の動作温度で繰り返し動作させた場合であっても使
用初期に得られる抵抗値を充分に維持することができ、
優れた信頼性を得ることができる。
０-4〜５．４３×１０-4の範囲の高分子マトリックスを
サーミスタ素体に含有させることにより、動作温度が８
０〜１００℃のＰＴＣサーミスタに搭載可能なサーミス
タ素体を容易かつ確実に構成することが可能となる。そ
して、上記の条件を満たすサーミスタ素体を備えたこの
タイプのＰＴＣサーミスタ（以下、「ＰＴＣサーミスタ
（ＩＩＩ）」という）は、熱衝撃試験後に得られる抵抗
値が０.０３Ω以下となる。そのため、ＰＴＣサーミス
タ（ＩＩＩ）は、１００℃以下（好ましくは８０〜９５
℃）の動作温度で繰り返し動作させた場合であっても使
用初期に得られる抵抗値を充分に維持することができ、
優れた信頼性を得ることができる。
【００３６】上述の線膨張係数の範囲の高分子マトリッ
クスをサーミスタ素体に含有させることは、本発明者ら
が、熱衝撃試験を行うとサーミスタ素体中に含まれる導
電性粒子と高分子マトリックスの線膨張係数差によって
高分子マトリックス中に内部応力が発生し、この内部応
力によりサーミスタ素体中の微小な部分領域の変形が起
こって抵抗値が上昇するものと考え、高分子マトリック
スとしてのポリエチレンの線膨張係数が熱衝撃試験後の
抵抗値に与える影響について検討した結果得られたもの
である。上述の範囲の比較的小さい線膨張係数を有する
高分子マトリックスをサーミスタ素体に含有させること
により、熱衝撃試験後の抵抗値の上昇を充分に低減する
ことができる。
クスをサーミスタ素体に含有させることは、本発明者ら
が、熱衝撃試験を行うとサーミスタ素体中に含まれる導
電性粒子と高分子マトリックスの線膨張係数差によって
高分子マトリックス中に内部応力が発生し、この内部応
力によりサーミスタ素体中の微小な部分領域の変形が起
こって抵抗値が上昇するものと考え、高分子マトリック
スとしてのポリエチレンの線膨張係数が熱衝撃試験後の
抵抗値に与える影響について検討した結果得られたもの
である。上述の範囲の比較的小さい線膨張係数を有する
高分子マトリックスをサーミスタ素体に含有させること
により、熱衝撃試験後の抵抗値の上昇を充分に低減する
ことができる。
【００３７】ここで、本発明のＰＴＣサーミスタ（ＩＩ
Ｉ）において、高分子マトリックスの線膨張係数が１．
００×１０-4未満となると融点が上昇し、動作温度が１
００℃を超えてしまい、本発明の効果が得られない。ま
た、高分子マトリックスの線膨張係数が５．４３×１０
-4を超えると熱衝撃試験後の抵抗値が０．０３Ωを超え
ることになる。
Ｉ）において、高分子マトリックスの線膨張係数が１．
００×１０-4未満となると融点が上昇し、動作温度が１
００℃を超えてしまい、本発明の効果が得られない。ま
た、高分子マトリックスの線膨張係数が５．４３×１０
-4を超えると熱衝撃試験後の抵抗値が０．０３Ωを超え
ることになる。
【００３８】更に、本発明は、互いに対向した状態で配
置された１対の電極と、１対の電極の間に配置されてお
りかつ正の抵抗-温度特性を有するサーミスタ素体と、
を少なくとも有するＰＴＣサーミスタであって、サーミ
スタ素体は、高分子マトリックスと、低分子有機化合物
と、電子伝導性を有する導電性粒子とからなる成形体で
あり、高分子マトリックスの分子量が１００００〜４０
００００であり、低分子有機化合物の分子量が１００〜
３０００であり、低分子有機化合物の２５℃における針
入度が０．５〜６．５であること、を特徴とするＰＴＣ
サーミスタを提供する。
置された１対の電極と、１対の電極の間に配置されてお
りかつ正の抵抗-温度特性を有するサーミスタ素体と、
を少なくとも有するＰＴＣサーミスタであって、サーミ
スタ素体は、高分子マトリックスと、低分子有機化合物
と、電子伝導性を有する導電性粒子とからなる成形体で
あり、高分子マトリックスの分子量が１００００〜４０
００００であり、低分子有機化合物の分子量が１００〜
３０００であり、低分子有機化合物の２５℃における針
入度が０．５〜６．５であること、を特徴とするＰＴＣ
サーミスタを提供する。
【００３９】上述のように、２５℃における針入度が
０．５〜６．５の範囲の低分子有機化合物をサーミスタ
素体に含有させることにより、動作温度が８０〜１００
℃のＰＴＣサーミスタに搭載可能なサーミスタ素体を容
易かつ確実に構成することが可能となる。そして、上記
の条件を満たすサーミスタ素体を備えたこのタイプのＰ
ＴＣサーミスタ（以下、「ＰＴＣサーミスタ（ＩＶ）」
という）は、熱衝撃試験後に得られる抵抗値が０.０３
Ω以下となる。そのため、ＰＴＣサーミスタ（ＩＶ）
は、１００℃以下（好ましくは８０〜９５℃）の動作温
度で繰り返し動作させた場合であっても使用初期に得ら
れる抵抗値を充分に維持することができ、優れた信頼性
を得ることができる。
０．５〜６．５の範囲の低分子有機化合物をサーミスタ
素体に含有させることにより、動作温度が８０〜１００
℃のＰＴＣサーミスタに搭載可能なサーミスタ素体を容
易かつ確実に構成することが可能となる。そして、上記
の条件を満たすサーミスタ素体を備えたこのタイプのＰ
ＴＣサーミスタ（以下、「ＰＴＣサーミスタ（ＩＶ）」
という）は、熱衝撃試験後に得られる抵抗値が０.０３
Ω以下となる。そのため、ＰＴＣサーミスタ（ＩＶ）
は、１００℃以下（好ましくは８０〜９５℃）の動作温
度で繰り返し動作させた場合であっても使用初期に得ら
れる抵抗値を充分に維持することができ、優れた信頼性
を得ることができる。
【００４０】ここで、本明細書において、低分子有機化
合物の２５℃における「針入度」とは、ＪＩＳ Ｋ−２
２３５−５．４規定の針入度測定により求められる値を
示す。針入度測定は、試料（ここでは低分子有機化合物
からなる試料）の硬さを測定する方法であり、規定温度
下、規定質量の針に100gの荷重をかけながら、その先端
を試料中に垂直に進入させ、針の試料中に進入した部分
の長さに基づいて試料の硬さを表すものである。より具
体的には、針入度は、針の先端部分が５秒間で試料に侵
入する長さＺ［ｍｍ］を求め、この１０倍の数値（１０
Ｚ）で表す。針入度の値は、１／１０ｍｍが針入度１で
あり、数字が大きいほど柔らかい材料となる。
合物の２５℃における「針入度」とは、ＪＩＳ Ｋ−２
２３５−５．４規定の針入度測定により求められる値を
示す。針入度測定は、試料（ここでは低分子有機化合物
からなる試料）の硬さを測定する方法であり、規定温度
下、規定質量の針に100gの荷重をかけながら、その先端
を試料中に垂直に進入させ、針の試料中に進入した部分
の長さに基づいて試料の硬さを表すものである。より具
体的には、針入度は、針の先端部分が５秒間で試料に侵
入する長さＺ［ｍｍ］を求め、この１０倍の数値（１０
Ｚ）で表す。針入度の値は、１／１０ｍｍが針入度１で
あり、数字が大きいほど柔らかい材料となる。
【００４１】従来のＰ−ＰＴＣサーミスタに含有される
低分子有機化合物としては、針入度が８〜３５程度のも
の（ＡＳＴＭ Ｄ１３２１に基づく測定データ）を用い
ていた。これに対して、本発明者らは、低分子有機化合
物の分子量が同程度であっても、針入度が熱衝撃試験後
の抵抗値に大きく影響することを見出した。そして、上
述のように針入度が０．５〜６．５の範囲にある従来と
比較して極めて硬い低分子有機化合物をサーミスタ素体
に含有させることにより熱衝撃試験後の抵抗値を０．０
３Ω以下とすることが容易にできることを見出した。針
入度が０．５〜６．５の範囲の低分子有機化合物をサー
ミスタ素体に含有させる場合、その含有率は、サーミス
タ素体の体積を基準として３〜３５体積％であることが
好ましい。
低分子有機化合物としては、針入度が８〜３５程度のも
の（ＡＳＴＭ Ｄ１３２１に基づく測定データ）を用い
ていた。これに対して、本発明者らは、低分子有機化合
物の分子量が同程度であっても、針入度が熱衝撃試験後
の抵抗値に大きく影響することを見出した。そして、上
述のように針入度が０．５〜６．５の範囲にある従来と
比較して極めて硬い低分子有機化合物をサーミスタ素体
に含有させることにより熱衝撃試験後の抵抗値を０．０
３Ω以下とすることが容易にできることを見出した。針
入度が０．５〜６．５の範囲の低分子有機化合物をサー
ミスタ素体に含有させる場合、その含有率は、サーミス
タ素体の体積を基準として３〜３５体積％であることが
好ましい。
【００４２】ここで、本発明のＰＴＣサーミスタ（Ｉ
Ｖ）において、２５℃における針入度が０．５未満の低
分子有機化合物は安定に得ること極めて困難となる。ま
た、低分子有機化合物の２５℃における針入度が６．５
を超えると熱衝撃試験後の抵抗値が０．０３Ωを超える
ことになる。上述の観点から、好ましい針入度の範囲は
０．５〜６．５であり、より好ましくは０．５〜２．
０、さらに好ましくは０．５〜１．５である。
Ｖ）において、２５℃における針入度が０．５未満の低
分子有機化合物は安定に得ること極めて困難となる。ま
た、低分子有機化合物の２５℃における針入度が６．５
を超えると熱衝撃試験後の抵抗値が０．０３Ωを超える
ことになる。上述の観点から、好ましい針入度の範囲は
０．５〜６．５であり、より好ましくは０．５〜２．
０、さらに好ましくは０．５〜１．５である。
【００４３】更に、本発明は、互いに対向した状態で配
置された１対の電極と、１対の電極の間に配置されてお
りかつ正の抵抗-温度特性を有するサーミスタ素体と、
を少なくとも有するＰＴＣサーミスタであって、サーミ
スタ素体は、高分子マトリックスと、低分子有機化合物
と、電子伝導性を有する導電性粒子とからなる成形体で
あり、高分子マトリックスの分子量が１００００〜４０
００００であり、低分子有機化合物の分子量が１００〜
３０００であり、低分子有機化合物は、分岐比率総和が
３以下のエチレンホモポリマーであること、を特徴とす
るＰＴＣサーミスタを提供する。
置された１対の電極と、１対の電極の間に配置されてお
りかつ正の抵抗-温度特性を有するサーミスタ素体と、
を少なくとも有するＰＴＣサーミスタであって、サーミ
スタ素体は、高分子マトリックスと、低分子有機化合物
と、電子伝導性を有する導電性粒子とからなる成形体で
あり、高分子マトリックスの分子量が１００００〜４０
００００であり、低分子有機化合物の分子量が１００〜
３０００であり、低分子有機化合物は、分岐比率総和が
３以下のエチレンホモポリマーであること、を特徴とす
るＰＴＣサーミスタを提供する。
【００４４】上述のように、分岐比率総和が３以下のエ
チレンホモポリマーを低分子有機化合物としてサーミス
タ素体に含有させることにより、動作温度が８０〜１０
０℃のＰＴＣサーミスタに搭載可能なサーミスタ素体を
容易かつ確実に構成することが可能となる。そして、上
記の条件を満たすサーミスタ素体を備えたこのタイプの
ＰＴＣサーミスタ（以下、「ＰＴＣサーミスタ（Ｖ）」
という）は、熱衝撃試験後に得られる抵抗値が０.０３
Ω以下となる。そのため、ＰＴＣサーミスタ（Ｖ）は、
１００℃以下（好ましくは８０〜９５℃）の動作温度で
繰り返し動作させた場合であっても使用初期に得られる
抵抗値を充分に維持することができ、優れた信頼性を得
ることができる。
チレンホモポリマーを低分子有機化合物としてサーミス
タ素体に含有させることにより、動作温度が８０〜１０
０℃のＰＴＣサーミスタに搭載可能なサーミスタ素体を
容易かつ確実に構成することが可能となる。そして、上
記の条件を満たすサーミスタ素体を備えたこのタイプの
ＰＴＣサーミスタ（以下、「ＰＴＣサーミスタ（Ｖ）」
という）は、熱衝撃試験後に得られる抵抗値が０.０３
Ω以下となる。そのため、ＰＴＣサーミスタ（Ｖ）は、
１００℃以下（好ましくは８０〜９５℃）の動作温度で
繰り返し動作させた場合であっても使用初期に得られる
抵抗値を充分に維持することができ、優れた信頼性を得
ることができる。
【００４５】本発明者等は、熱衝撃試験によりサーミス
タ素体中に含まれる低分子有機化合物が変質し、このこ
とが熱衝撃試験後の抵抗値の上昇に影響を与えているこ
とを見出した。そして、本発明者等は、リチウムイオン
二次電池を代表とする電池の過電流保護素子等の動作温
度が比較的低い（１００℃以下、好ましくは８０〜１０
０℃）のＰ−ＰＴＣサーミスタのサーミスタ素体中に含
有させる低分子有機化合物について検討した結果、低分
子有機化合物として上述の分岐比率総和の条件を満たす
エチレンホモポリマーを使用することにより、上述の低
分子有機化合物の変質に起因する熱衝撃試験後の抵抗値
の上昇を充分に低減できることを見出した。
タ素体中に含まれる低分子有機化合物が変質し、このこ
とが熱衝撃試験後の抵抗値の上昇に影響を与えているこ
とを見出した。そして、本発明者等は、リチウムイオン
二次電池を代表とする電池の過電流保護素子等の動作温
度が比較的低い（１００℃以下、好ましくは８０〜１０
０℃）のＰ−ＰＴＣサーミスタのサーミスタ素体中に含
有させる低分子有機化合物について検討した結果、低分
子有機化合物として上述の分岐比率総和の条件を満たす
エチレンホモポリマーを使用することにより、上述の低
分子有機化合物の変質に起因する熱衝撃試験後の抵抗値
の上昇を充分に低減できることを見出した。
【００４６】ここで、本明細書において、「分岐比率総
和が３以下のエチレンホモポリマー」とは、下記化学式
（１）で表現されるようなエチレンに基づく繰り返し単
位を主鎖の主成分とするポリマーであって、１分子当り
の主鎖から分岐する側鎖の数が０〜３のポリマーを示
す。この側鎖を有する構造としては、主鎖のメチレン基
の炭素に結合する水素がアルキル基で置換された側鎖を
有する構造（例えば、下記化学式（２）で表現されるメ
チル基が結合した構造）、主鎖の２つのメチレン基の間
に２つの炭素原子間に不飽和結合（π結合）を有する特
性基が挿入された構造（例えば、下記化学式（３）で表
現されるビニリデン基が結合した構造）、又は、主鎖の
２つのメチレン基の間にカルボニル基が挿入された構造
（例えば、下記化学式（４）で表現される構造）が挙げ
られる。例えば、エチレンに基づく繰り返し単位のみか
らなるポリマーの場合、分岐比率総和が０のエチレンホ
モポリマーとなる。
和が３以下のエチレンホモポリマー」とは、下記化学式
（１）で表現されるようなエチレンに基づく繰り返し単
位を主鎖の主成分とするポリマーであって、１分子当り
の主鎖から分岐する側鎖の数が０〜３のポリマーを示
す。この側鎖を有する構造としては、主鎖のメチレン基
の炭素に結合する水素がアルキル基で置換された側鎖を
有する構造（例えば、下記化学式（２）で表現されるメ
チル基が結合した構造）、主鎖の２つのメチレン基の間
に２つの炭素原子間に不飽和結合（π結合）を有する特
性基が挿入された構造（例えば、下記化学式（３）で表
現されるビニリデン基が結合した構造）、又は、主鎖の
２つのメチレン基の間にカルボニル基が挿入された構造
（例えば、下記化学式（４）で表現される構造）が挙げ
られる。例えば、エチレンに基づく繰り返し単位のみか
らなるポリマーの場合、分岐比率総和が０のエチレンホ
モポリマーとなる。
【００４７】
【化１】
【００４８】
【化２】
【００４９】
【化３】
【００５０】
【化４】
【００５１】また、本明細書において、「分岐比率総
和」は以下のようにして決定される値である。即ち、低
分子有機化合物をＮＭＲ（核磁気共鳴）スペクトル法に
より分析（13Ｃ測定（標準） 1Ｈ完全デカップリング
測定、積算回数 ５００００回）することにより算出さ
れる値である。先ず、得られる低分子有機化合物のＮＭ
Ｒスペクトルのうち、低分子有機化合物の分岐末端の炭
素原子に帰属される化学シフト（ｐｐｍ）のピーク面積
を、低分子有機化合物の全炭素原子についての全ピーク
面積で除して１００百分率（以下、「分岐比率」とい
う）で表示する。そして、各化学シフト（ｐｐｍ）にお
ける分岐比率の総和を低分子有機化合物の「分岐比率総
和」とする。
和」は以下のようにして決定される値である。即ち、低
分子有機化合物をＮＭＲ（核磁気共鳴）スペクトル法に
より分析（13Ｃ測定（標準） 1Ｈ完全デカップリング
測定、積算回数 ５００００回）することにより算出さ
れる値である。先ず、得られる低分子有機化合物のＮＭ
Ｒスペクトルのうち、低分子有機化合物の分岐末端の炭
素原子に帰属される化学シフト（ｐｐｍ）のピーク面積
を、低分子有機化合物の全炭素原子についての全ピーク
面積で除して１００百分率（以下、「分岐比率」とい
う）で表示する。そして、各化学シフト（ｐｐｍ）にお
ける分岐比率の総和を低分子有機化合物の「分岐比率総
和」とする。
【００５２】ここで、本発明のＰＴＣサーミスタ（Ｖ）
において、エチレンホモポリマーの分岐比率総和３を超
えると熱衝撃試験後の抵抗値が０．０３Ωを超えること
になる。上述の観点から、エチレンホモポリマーの分岐
比率総和は２以下であることが好ましく、１以下である
ことがより好ましく、０であることが更に好ましい。
において、エチレンホモポリマーの分岐比率総和３を超
えると熱衝撃試験後の抵抗値が０．０３Ωを超えること
になる。上述の観点から、エチレンホモポリマーの分岐
比率総和は２以下であることが好ましく、１以下である
ことがより好ましく、０であることが更に好ましい。
【００５３】更に、本発明は、互いに対向した状態で配
置された１対の電極と、１対の電極の間に配置されてお
りかつ正の抵抗-温度特性を有するサーミスタ素体と、
を少なくとも有するＰＴＣサーミスタであって、サーミ
スタ素体は、高分子マトリックスと、低分子有機化合物
と、電子伝導性を有する導電性粒子とからなる成形体で
あり、高分子マトリックスの分子量が１００００〜４０
００００であり、低分子有機化合物の分子量が１００〜
３０００であり、高分子マトリックスの融点Ｔ１［℃］
と、低分子有機化合物の融点Ｔ２［℃］とが下記式
（Ａ）で表される条件を満たしていること、を特徴とす
るＰＴＣサーミスタを提供する。７℃≦（Ｔ１−Ｔ２）
≦４０．５℃…（Ａ）
置された１対の電極と、１対の電極の間に配置されてお
りかつ正の抵抗-温度特性を有するサーミスタ素体と、
を少なくとも有するＰＴＣサーミスタであって、サーミ
スタ素体は、高分子マトリックスと、低分子有機化合物
と、電子伝導性を有する導電性粒子とからなる成形体で
あり、高分子マトリックスの分子量が１００００〜４０
００００であり、低分子有機化合物の分子量が１００〜
３０００であり、高分子マトリックスの融点Ｔ１［℃］
と、低分子有機化合物の融点Ｔ２［℃］とが下記式
（Ａ）で表される条件を満たしていること、を特徴とす
るＰＴＣサーミスタを提供する。７℃≦（Ｔ１−Ｔ２）
≦４０．５℃…（Ａ）
【００５４】上述のように、Ｔ１−Ｔ２が７〜４０．５
℃の範囲となる高分子マトリックスと低分子有機化合物
との組み合せを選択してサーミスタ素体を構成すること
により、動作温度が８０〜１００℃のＰＴＣサーミスタ
に搭載可能なサーミスタ素体を容易かつ確実に構成する
ことが可能となる。そして、上記の条件を満たすサーミ
スタ素体を備えたこのタイプのＰＴＣサーミスタ（以
下、「ＰＴＣサーミスタ（ＶＩ）」という）は、熱衝撃
試験後に得られる抵抗値が０.０３Ω以下となる。その
ため、ＰＴＣサーミスタ（ＶＩ）は、１００℃以下（好
ましくは８０〜９５℃）の動作温度で繰り返し動作させ
た場合であっても使用初期に得られる抵抗値を充分に維
持することができ、優れた信頼性を得ることができる。
℃の範囲となる高分子マトリックスと低分子有機化合物
との組み合せを選択してサーミスタ素体を構成すること
により、動作温度が８０〜１００℃のＰＴＣサーミスタ
に搭載可能なサーミスタ素体を容易かつ確実に構成する
ことが可能となる。そして、上記の条件を満たすサーミ
スタ素体を備えたこのタイプのＰＴＣサーミスタ（以
下、「ＰＴＣサーミスタ（ＶＩ）」という）は、熱衝撃
試験後に得られる抵抗値が０.０３Ω以下となる。その
ため、ＰＴＣサーミスタ（ＶＩ）は、１００℃以下（好
ましくは８０〜９５℃）の動作温度で繰り返し動作させ
た場合であっても使用初期に得られる抵抗値を充分に維
持することができ、優れた信頼性を得ることができる。
【００５５】また、Ｔ１−Ｔ２が７〜４０．５℃の範囲
となる高分子マトリックスと低分子有機化合物との組み
合せを選択してサーミスタ素体を構成する場合、非常に
理想の特性に近い良好なＰＴＣサーミスタの抵抗−温度
特性を得ることができる。すなわち、Ｔ１−Ｔ２の条件
を満たすサーミスタ素体を搭載したＰＴＣサーミスタの
抵抗−温度特性曲線は、８０〜１００℃の温度領域内の
比較的狭い温度領域（動作温度領域）のみで、抵抗値が
低温側から急激かつスムーズに所望の抵抗値まで上昇
し、動作温度領域外の温度領域では抵抗値は大きな変化
をせずほぼ一定となる。特に、動作温度領域よりも低い
温度領域では抵抗値が０.０３Ω以下の低い抵抗値が保
持される（後述の図４〜図９参照）。
となる高分子マトリックスと低分子有機化合物との組み
合せを選択してサーミスタ素体を構成する場合、非常に
理想の特性に近い良好なＰＴＣサーミスタの抵抗−温度
特性を得ることができる。すなわち、Ｔ１−Ｔ２の条件
を満たすサーミスタ素体を搭載したＰＴＣサーミスタの
抵抗−温度特性曲線は、８０〜１００℃の温度領域内の
比較的狭い温度領域（動作温度領域）のみで、抵抗値が
低温側から急激かつスムーズに所望の抵抗値まで上昇
し、動作温度領域外の温度領域では抵抗値は大きな変化
をせずほぼ一定となる。特に、動作温度領域よりも低い
温度領域では抵抗値が０.０３Ω以下の低い抵抗値が保
持される（後述の図４〜図９参照）。
【００５６】ここで、本発明のＰＴＣサーミスタ（Ｖ
Ｉ）において、Ｔ１−Ｔ２が７℃未満となると熱衝撃試
験後の抵抗値が０．０３Ωを超えることになる。また、
この場合、良好なＰＴＣサーミスタの抵抗−温度特性を
得ることができなくなる。例えば、動作温度領域よりも
低い温度領域での抵抗値の変動量が０．０３Ωを超える
大きなものとなったり、動作温度領域において抵抗値が
低温側から急激かつスムーズに所望の抵抗値まで上昇し
なかったり、動作温度領域よりも高温の温度領域でも抵
抗値の大きな低下及び上昇が更に起こったりする。
Ｉ）において、Ｔ１−Ｔ２が７℃未満となると熱衝撃試
験後の抵抗値が０．０３Ωを超えることになる。また、
この場合、良好なＰＴＣサーミスタの抵抗−温度特性を
得ることができなくなる。例えば、動作温度領域よりも
低い温度領域での抵抗値の変動量が０．０３Ωを超える
大きなものとなったり、動作温度領域において抵抗値が
低温側から急激かつスムーズに所望の抵抗値まで上昇し
なかったり、動作温度領域よりも高温の温度領域でも抵
抗値の大きな低下及び上昇が更に起こったりする。
【００５７】一方、Ｔ１−Ｔ２が４０．５℃を超える場
合にも、熱衝撃試験後の抵抗値が０．０３Ωを超えるこ
とになる。また、この場合、良好なＰＴＣサーミスタの
抵抗−温度特性を得ることができなくなる。例えば、動
作温度領域よりも低い温度領域での抵抗値の変動量が
０．０３Ωを超える大きなものとなったり、動作温度領
域において抵抗値が低温側から急激かつスムーズに所望
の抵抗値まで上昇しなかったり、動作温度領域よりも高
温の温度領域でも抵抗値の大きな低下及び上昇が更に起
こったりする。上述の観点から、好ましいＴ１−Ｔ２の
範囲は１３〜３２である。
合にも、熱衝撃試験後の抵抗値が０．０３Ωを超えるこ
とになる。また、この場合、良好なＰＴＣサーミスタの
抵抗−温度特性を得ることができなくなる。例えば、動
作温度領域よりも低い温度領域での抵抗値の変動量が
０．０３Ωを超える大きなものとなったり、動作温度領
域において抵抗値が低温側から急激かつスムーズに所望
の抵抗値まで上昇しなかったり、動作温度領域よりも高
温の温度領域でも抵抗値の大きな低下及び上昇が更に起
こったりする。上述の観点から、好ましいＴ１−Ｔ２の
範囲は１３〜３２である。
【００５８】更に、本発明は、互いに対向した状態で配
置された１対の電極と、１対の電極の間に配置されてお
りかつ正の抵抗-温度特性を有するサーミスタ素体と、
を少なくとも有するＰＴＣサーミスタであって、サーミ
スタ素体は、高分子マトリックスと、低分子有機化合物
と、電子伝導性を有する導電性粒子とからなる成形体で
あり、高分子マトリックスの分子量が１００００〜４０
００００であり、低分子有機化合物の分子量が１００〜
３０００であり、導電性粒子がニッケルからなるフィラ
メント状の粒子であり、かつ、該粒子の比表面積が１．
５〜２．５ｍ2・ｇ-1であること、を特徴とするＰＴＣ
サーミスタを提供する。
置された１対の電極と、１対の電極の間に配置されてお
りかつ正の抵抗-温度特性を有するサーミスタ素体と、
を少なくとも有するＰＴＣサーミスタであって、サーミ
スタ素体は、高分子マトリックスと、低分子有機化合物
と、電子伝導性を有する導電性粒子とからなる成形体で
あり、高分子マトリックスの分子量が１００００〜４０
００００であり、低分子有機化合物の分子量が１００〜
３０００であり、導電性粒子がニッケルからなるフィラ
メント状の粒子であり、かつ、該粒子の比表面積が１．
５〜２．５ｍ2・ｇ-1であること、を特徴とするＰＴＣ
サーミスタを提供する。
【００５９】上述のように、比表面積が１．５〜２．５
ｍ2・ｇ-1の範囲となるニッケルからなるフィラメント
状の粒子をサーミスタ素体に含有させることにより、動
作温度が８０〜１００℃のＰＴＣサーミスタに搭載可能
なサーミスタ素体を容易かつ確実に構成することが可能
となる。そして、上記の条件を満たすサーミスタ素体を
備えたこのタイプのＰＴＣサーミスタ（以下、「ＰＴＣ
サーミスタ（ＶＩＩ）」という）は、熱衝撃試験後に得
られる抵抗値が０.０３Ω以下となる。そのため、ＰＴ
Ｃサーミスタ（ＶＩＩ）は、１００℃以下（好ましくは
８０〜９５℃）の動作温度で繰り返し動作させた場合で
あっても使用初期に得られる抵抗値を充分に維持するこ
とができ、優れた信頼性を得ることができる。
ｍ2・ｇ-1の範囲となるニッケルからなるフィラメント
状の粒子をサーミスタ素体に含有させることにより、動
作温度が８０〜１００℃のＰＴＣサーミスタに搭載可能
なサーミスタ素体を容易かつ確実に構成することが可能
となる。そして、上記の条件を満たすサーミスタ素体を
備えたこのタイプのＰＴＣサーミスタ（以下、「ＰＴＣ
サーミスタ（ＶＩＩ）」という）は、熱衝撃試験後に得
られる抵抗値が０.０３Ω以下となる。そのため、ＰＴ
Ｃサーミスタ（ＶＩＩ）は、１００℃以下（好ましくは
８０〜９５℃）の動作温度で繰り返し動作させた場合で
あっても使用初期に得られる抵抗値を充分に維持するこ
とができ、優れた信頼性を得ることができる。
【００６０】ここで、本明細書において、「ニッケルか
らなるフィラメント状の粒子」とは、ニッケルからなる
一次粒子（平均粒子径１００〜２０００ｎｍ）が１０〜
１０００個程度、鎖状に連結した形状を有する粒子を示
す。また、本明細書において、ニッケルからなるフィラ
メント状の粒子の「比表面積」とは、ＢＥＴ一点法に基
づく窒素ガス吸着法により求められる比表面積を示す。
らなるフィラメント状の粒子」とは、ニッケルからなる
一次粒子（平均粒子径１００〜２０００ｎｍ）が１０〜
１０００個程度、鎖状に連結した形状を有する粒子を示
す。また、本明細書において、ニッケルからなるフィラ
メント状の粒子の「比表面積」とは、ＢＥＴ一点法に基
づく窒素ガス吸着法により求められる比表面積を示す。
【００６１】ここで、本発明のＰＴＣサーミスタ（ＶＩ
Ｉ）において、ニッケルからなるフィラメント状の粒子
の比表面積が１．５ｍ2・ｇ-1未満となると熱衝撃試験
後の抵抗値が０．０３Ωを超えることになる。また、ニ
ッケルからなるフィラメント状の粒子の比表面積が２．
５ｍ2・ｇ-1を超える場合には、熱衝撃試験後の抵抗値
が０．０３Ωを超えることになる。上述の観点から、ニ
ッケルからなるフィラメント状の粒子の比表面積は１．
５〜２．０ｍ2・ｇ-1であることが好ましい。
Ｉ）において、ニッケルからなるフィラメント状の粒子
の比表面積が１．５ｍ2・ｇ-1未満となると熱衝撃試験
後の抵抗値が０．０３Ωを超えることになる。また、ニ
ッケルからなるフィラメント状の粒子の比表面積が２．
５ｍ2・ｇ-1を超える場合には、熱衝撃試験後の抵抗値
が０．０３Ωを超えることになる。上述の観点から、ニ
ッケルからなるフィラメント状の粒子の比表面積は１．
５〜２．０ｍ2・ｇ-1であることが好ましい。
【００６２】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
のＰＴＣサーミスタの好適な実施形態について詳細に説
明する。なお、以下の説明では、同一または相当部分に
は同一符号を付し、重複する説明は省略する。
のＰＴＣサーミスタの好適な実施形態について詳細に説
明する。なお、以下の説明では、同一または相当部分に
は同一符号を付し、重複する説明は省略する。
【００６３】［第１実施形態］図１は、本発明のＰＴＣ
サーミスタの第１実施形態の基本構成を示す模式断面図
である。図１に示すＰＴＣサーミスタ１０は、先に述べ
たＰＴＣサーミスタ（Ｉ）の好適な一実施形態の基本構
成を示すものである。
サーミスタの第１実施形態の基本構成を示す模式断面図
である。図１に示すＰＴＣサーミスタ１０は、先に述べ
たＰＴＣサーミスタ（Ｉ）の好適な一実施形態の基本構
成を示すものである。
【００６４】図１に示すＰＴＣサーミスタ１０は、主と
して、互いに対向した状態で配置された１対の電極２及
び電極３と、電極２と電極３との間に配置されておりか
つ正の抵抗-温度特性を有するサーミスタ素体１と、電
極２に電気的に接続されたリード４と、電極３に電気的
に接続されたリード５とから構成されている。
して、互いに対向した状態で配置された１対の電極２及
び電極３と、電極２と電極３との間に配置されておりか
つ正の抵抗-温度特性を有するサーミスタ素体１と、電
極２に電気的に接続されたリード４と、電極３に電気的
に接続されたリード５とから構成されている。
【００６５】電極２及び電極３は、例えば、平板状の形
状を有しており、ＰＴＣサーミスタの電極として機能す
る電子伝導性を有するものであれば特に限定されない。
また、リード４及びリード５は、それぞれ電極２及び電
極３から外部に電荷を放出又は注入することが可能な電
子伝導性を有していれば特に限定されない。
状を有しており、ＰＴＣサーミスタの電極として機能す
る電子伝導性を有するものであれば特に限定されない。
また、リード４及びリード５は、それぞれ電極２及び電
極３から外部に電荷を放出又は注入することが可能な電
子伝導性を有していれば特に限定されない。
【００６６】図１に示すＰＴＣサーミスタ１０のサーミ
スタ素体１は、高分子マトリックスと、低分子有機化合
物と、電子伝導性を有する導電性粒子とからなる成形体
である。そして、このサーミスタ素体１は、熱衝撃試験
後に得られるＰＴＣサーミスタ１０の抵抗値が０.０３
Ω以下であり、１００℃以下の動作温度で繰り返し動作
させた場合であっても使用初期に得られる抵抗値を充分
に維持可能とするために以下の構成を有している。
スタ素体１は、高分子マトリックスと、低分子有機化合
物と、電子伝導性を有する導電性粒子とからなる成形体
である。そして、このサーミスタ素体１は、熱衝撃試験
後に得られるＰＴＣサーミスタ１０の抵抗値が０.０３
Ω以下であり、１００℃以下の動作温度で繰り返し動作
させた場合であっても使用初期に得られる抵抗値を充分
に維持可能とするために以下の構成を有している。
【００６７】サーミスタ素体１に含有される高分子マト
リックスは、先に述べたようにその分子量（数平均分子
量）が１００００〜４０００００、好ましくは１０００
００〜２０００００であるオレフィン系高分子化合物で
ある。そして、この高分子マトリックスはその融解開始
温度が８５〜９５℃である。
リックスは、先に述べたようにその分子量（数平均分子
量）が１００００〜４０００００、好ましくは１０００
００〜２０００００であるオレフィン系高分子化合物で
ある。そして、この高分子マトリックスはその融解開始
温度が８５〜９５℃である。
【００６８】高分子マトリックス、低分子有機化合物及
び導電性粒子からなるサーミスタ素体１を搭載するＰＴ
Ｃサーミスタ１０において、熱衝撃試験後の抵抗値が上
昇する原因の一つに、熱衝撃試験後中の熱処理によりサ
ーミスタ素体中の高分子マトリックスが溶融してしまう
ことが挙げられる。上記の観点から、高分子マトリック
スの融点は、動作温度の観点から９０〜１３８℃である
ことが好ましく、１００〜１２５℃であることがより好
ましい。
び導電性粒子からなるサーミスタ素体１を搭載するＰＴ
Ｃサーミスタ１０において、熱衝撃試験後の抵抗値が上
昇する原因の一つに、熱衝撃試験後中の熱処理によりサ
ーミスタ素体中の高分子マトリックスが溶融してしまう
ことが挙げられる。上記の観点から、高分子マトリック
スの融点は、動作温度の観点から９０〜１３８℃である
ことが好ましく、１００〜１２５℃であることがより好
ましい。
【００６９】また、上記の観点から、この第１実施形態
のＰＴＣサーミスタ１０の場合、高分子マトリックスの
密度は、９１５〜９３５ｋｇ・ｍ-3であることが好まし
く、９２０〜９２８ｋｇ・ｍ-3であることがより好まし
い。
のＰＴＣサーミスタ１０の場合、高分子マトリックスの
密度は、９１５〜９３５ｋｇ・ｍ-3であることが好まし
く、９２０〜９２８ｋｇ・ｍ-3であることがより好まし
い。
【００７０】また、サーミスタ素体１を搭載するＰＴＣ
サーミスタ１０において、熱衝撃試験後の抵抗値が上昇
する原因の一つに、高分子マトリックス中に内部応力が
発生し、この内部応力によりサーミスタ素体１中の微小
な部分領域の変形が起こることが考えられる。これによ
り、サーミスタ素体中の微小な部分領域の変形が起こっ
て抵抗値が上昇すると考えられる。そのため、導電性粒
子に対して線膨張係数の差が低い結晶性ポリマーを高分
子マトリックスとして用いることが好ましい。この観点
から、この第１実施形態のＰＴＣサーミスタ１０の場
合、高分子マトリックスの線膨張係数は、１．００×１
０-4〜５．４３×１０-4であることがより好ましい。
サーミスタ１０において、熱衝撃試験後の抵抗値が上昇
する原因の一つに、高分子マトリックス中に内部応力が
発生し、この内部応力によりサーミスタ素体１中の微小
な部分領域の変形が起こることが考えられる。これによ
り、サーミスタ素体中の微小な部分領域の変形が起こっ
て抵抗値が上昇すると考えられる。そのため、導電性粒
子に対して線膨張係数の差が低い結晶性ポリマーを高分
子マトリックスとして用いることが好ましい。この観点
から、この第１実施形態のＰＴＣサーミスタ１０の場
合、高分子マトリックスの線膨張係数は、１．００×１
０-4〜５．４３×１０-4であることがより好ましい。
【００７１】また、先に述べたように良好な抵抗−温度
特性を得る観点から、高分子マトリックスの融点Ｔ１
［℃］と、低分子有機化合物の融点Ｔ２［℃］との差Ｔ
１−Ｔ２は、７〜４８℃であることが好ましく、７〜４
０．５℃であることがより好ましい。これにより抵抗−
温度特性曲線におけるヒステリシスの小さなＰＴＣサー
ミスタ１０を得ることが容易にできる。
特性を得る観点から、高分子マトリックスの融点Ｔ１
［℃］と、低分子有機化合物の融点Ｔ２［℃］との差Ｔ
１−Ｔ２は、７〜４８℃であることが好ましく、７〜４
０．５℃であることがより好ましい。これにより抵抗−
温度特性曲線におけるヒステリシスの小さなＰＴＣサー
ミスタ１０を得ることが容易にできる。
【００７２】このような高分子マトリックスとしては、
例えば、特開平１１−１６８００６号公報に記載された
高分子材料のうち、上述の分子量及び融解開始温度の条
件を少なくとも満たすオレフィン系高分子化合物（更
に、好ましくは上述の密度の条件、線膨張係数の条件及
び低分子有機化合物との融点差の条件のうちの少なくと
も１つの条件を更に満たす高分子化合物）を単独或いは
２種以上を任意に組み合せて使用してもよい。更に、高
分子マトリックスとしては、ポリエチレンであることが
好ましく、低密度ポリエチレンがより好ましく、メタロ
セン系触媒を用いた重合反応により製造された直鎖状の
低密度ポリエチレンが更に好ましい。
例えば、特開平１１−１６８００６号公報に記載された
高分子材料のうち、上述の分子量及び融解開始温度の条
件を少なくとも満たすオレフィン系高分子化合物（更
に、好ましくは上述の密度の条件、線膨張係数の条件及
び低分子有機化合物との融点差の条件のうちの少なくと
も１つの条件を更に満たす高分子化合物）を単独或いは
２種以上を任意に組み合せて使用してもよい。更に、高
分子マトリックスとしては、ポリエチレンであることが
好ましく、低密度ポリエチレンがより好ましく、メタロ
セン系触媒を用いた重合反応により製造された直鎖状の
低密度ポリエチレンが更に好ましい。
【００７３】このような直鎖状の低密度ポリエチレンを
サーミスタ素体１に含有させることにより、リチウムイ
オン二次電池の過電流保護素子等の用途に適した比較的
低温の動作温度のサーミスタを容易に得ることができ
る。
サーミスタ素体１に含有させることにより、リチウムイ
オン二次電池の過電流保護素子等の用途に適した比較的
低温の動作温度のサーミスタを容易に得ることができ
る。
【００７４】ここで、「直鎖状の低密度ポリエチレン」
とは、メタロセン系触媒を用いた重合反応により製造さ
れた中・低圧法ポリエチレンであり、その分子量分布が
比較的狭いものである。ここで、「メタロセン系触媒」
とは、ビス（シクロペンタジニエル）金属錯体系の触媒
であり、下記一般式（５）で表現される化合物を示す。
とは、メタロセン系触媒を用いた重合反応により製造さ
れた中・低圧法ポリエチレンであり、その分子量分布が
比較的狭いものである。ここで、「メタロセン系触媒」
とは、ビス（シクロペンタジニエル）金属錯体系の触媒
であり、下記一般式（５）で表現される化合物を示す。
【００７５】
【化５】
【００７６】上記式（５）中、Ｍは４配位中心となる金
属又はその金属イオンを示し、Ｘ及びＹは同一であって
も異なっていてもよく、ハロゲン又はハロゲン化物イオ
ンを示す。Ｍとしては、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ又
はＴａが好ましく、Ｚｒがより好ましい。Ｘ及びＹとし
ては、Ｃｌが好ましい。また、一般式（５）で表現され
る化合物は１種類を単独で使用してもよく、２種類以上
を任意に組み合せて使用してもよい。
属又はその金属イオンを示し、Ｘ及びＹは同一であって
も異なっていてもよく、ハロゲン又はハロゲン化物イオ
ンを示す。Ｍとしては、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ又
はＴａが好ましく、Ｚｒがより好ましい。Ｘ及びＹとし
ては、Ｃｌが好ましい。また、一般式（５）で表現され
る化合物は１種類を単独で使用してもよく、２種類以上
を任意に組み合せて使用してもよい。
【００７７】直鎖状の低密度ポリエチレンは、上記式
（５）のメタロセン系触媒を用いて、公知の低密度ポリ
エチレン製造技術により製造することができる。原料の
モノマーとしては、エチレンの他に、ブテン−１、ヘキ
セン−１、オクテン−１をコモノマーとして使用しても
よい。
（５）のメタロセン系触媒を用いて、公知の低密度ポリ
エチレン製造技術により製造することができる。原料の
モノマーとしては、エチレンの他に、ブテン−１、ヘキ
セン−１、オクテン−１をコモノマーとして使用しても
よい。
【００７８】また、下記一般式（６）及び一般式（７）
で表される化合物をメタロセン系触媒とともに使用して
もよい。
で表される化合物をメタロセン系触媒とともに使用して
もよい。
【００７９】
【化６】
【００８０】
【化７】
【００８１】上記式（６）中Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4及びＲ
5は、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ炭
素数１〜３のアルキル基を示し、ｎは２〜２０の整数を
示す。Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5としてはメチル基が
好ましい。上記式（７）中Ｒ6、Ｒ7及びＲ8は、同一で
あっても異なっていてもよく、それぞれ炭素数１〜３の
アルキル基を示し、ｍは２〜２０の整数を示す。Ｒ6、
Ｒ7及びＲ8としてはメチル基が好ましい。
5は、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ炭
素数１〜３のアルキル基を示し、ｎは２〜２０の整数を
示す。Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5としてはメチル基が
好ましい。上記式（７）中Ｒ6、Ｒ7及びＲ8は、同一で
あっても異なっていてもよく、それぞれ炭素数１〜３の
アルキル基を示し、ｍは２〜２０の整数を示す。Ｒ6、
Ｒ7及びＲ8としてはメチル基が好ましい。
【００８２】サーミスタ素体１中における高分子マトリ
ックスの含有量は、サーミスタ素体１の体積を基準とし
て、３５〜７０体積％であることが好ましく、４０〜６
５体積％であることがより好ましい。
ックスの含有量は、サーミスタ素体１の体積を基準とし
て、３５〜７０体積％であることが好ましく、４０〜６
５体積％であることがより好ましい。
【００８３】低分子有機化合物は、熱衝撃試験における
熱処理によりＰＴＣサーミスタ１０の抵抗−温度特性曲
線にあらわれるヒステリシスを低減するために添加され
るものである。この低分子有機化合物は、先に述べたよ
うにその分子量（数平均分子量）が１００〜３０００、
好ましくは５００〜１０００である。
熱処理によりＰＴＣサーミスタ１０の抵抗−温度特性曲
線にあらわれるヒステリシスを低減するために添加され
るものである。この低分子有機化合物は、先に述べたよ
うにその分子量（数平均分子量）が１００〜３０００、
好ましくは５００〜１０００である。
【００８４】また、先に述べた本発明の効果をより確実
に得る観点から、低分子化合物の融点は９０〜１１５が
好ましい。また、上記と同様の観点から、この低分子有
機化合物の２５℃における針入度は、２〜７であること
が好ましく０．５〜６．５であることことがより好まし
い。
に得る観点から、低分子化合物の融点は９０〜１１５が
好ましい。また、上記と同様の観点から、この低分子有
機化合物の２５℃における針入度は、２〜７であること
が好ましく０．５〜６．５であることことがより好まし
い。
【００８５】このような低分子有機化合物としては、例
えば、パラフィンワックス（ポリエチレンワックス、マ
イクロクリスタリンワックス）のうち、上述の分子量の
条件を満たす化合物（更に、好ましくは上述の針入度の
条件を更に満たす化合物）を単独或いは２種以上を任意
に組み合せて使用してもよい。更に、先に述べた本発明
の効果をより確実に得る観点から、低分子有機化合物
は、分岐比率総和が６以下のエチレンホモポリマーが好
ましく、分岐比率総和が３以下のエチレンホモポリマー
であることがより好ましい。
えば、パラフィンワックス（ポリエチレンワックス、マ
イクロクリスタリンワックス）のうち、上述の分子量の
条件を満たす化合物（更に、好ましくは上述の針入度の
条件を更に満たす化合物）を単独或いは２種以上を任意
に組み合せて使用してもよい。更に、先に述べた本発明
の効果をより確実に得る観点から、低分子有機化合物
は、分岐比率総和が６以下のエチレンホモポリマーが好
ましく、分岐比率総和が３以下のエチレンホモポリマー
であることがより好ましい。
【００８６】サーミスタ素体１中における低分子有機化
合物の含有量は、サーミスタ素体１の体積を基準とし
て、２〜３０体積％であることが好ましく、２〜２５体
積％であることがより好ましい。
合物の含有量は、サーミスタ素体１の体積を基準とし
て、２〜３０体積％であることが好ましく、２〜２５体
積％であることがより好ましい。
【００８７】導電性粒子は、電子伝導性を有していれば
特に限定されないが、先に述べた本発明の効果をより確
実に得る観点から、導電性セラミック粉（例えば、Ｔｉ
Ｃ、ＷＣなど）、カーボンブラック、銀、タングステ
ン、及び、ニッケルからなる群より選択される少なくと
も１種の導電性物質からなる粒子であることが好まし
く、比表面積が１．５〜２．５ｍ2・ｇ-1であるニッケ
ルからなるフィラメント状の粒子であることがより好ま
しい。
特に限定されないが、先に述べた本発明の効果をより確
実に得る観点から、導電性セラミック粉（例えば、Ｔｉ
Ｃ、ＷＣなど）、カーボンブラック、銀、タングステ
ン、及び、ニッケルからなる群より選択される少なくと
も１種の導電性物質からなる粒子であることが好まし
く、比表面積が１．５〜２．５ｍ2・ｇ-1であるニッケ
ルからなるフィラメント状の粒子であることがより好ま
しい。
【００８８】サーミスタ素体１中における導電性粒子の
含有量は、サーミスタ素体１の体積を基準として、２０
〜６０体積％であることが好ましく、２５〜５０体積％
であることがより好ましい。
含有量は、サーミスタ素体１の体積を基準として、２０
〜６０体積％であることが好ましく、２５〜５０体積％
であることがより好ましい。
【００８９】このＰＴＣサーミスタは、上述の条件を満
たすように高分子マトリックス、低分子有機化合物及び
導電性粒子を選択し、更にそれぞれの含有量を調節して
サーミスタ素体１を形成すること以外は、公知のＰＴＣ
サーミスタの製造技術により製造することができる。
たすように高分子マトリックス、低分子有機化合物及び
導電性粒子を選択し、更にそれぞれの含有量を調節して
サーミスタ素体１を形成すること以外は、公知のＰＴＣ
サーミスタの製造技術により製造することができる。
【００９０】［第２実施形態］次に、本発明のＰＴＣサ
ーミスタの第２実施形態｛先に述べたＰＴＣサーミスタ
（ＩＩ）の好適な一実施形態｝について説明する。
ーミスタの第２実施形態｛先に述べたＰＴＣサーミスタ
（ＩＩ）の好適な一実施形態｝について説明する。
【００９１】第２実施形態のＰＴＣサーミスタ（図示せ
ず）は、後述するサーミスタ素体（図示せず）を有して
いること以外は、上述の第１実施形態のＰＴＣサーミス
タと同様の構成を有する。
ず）は、後述するサーミスタ素体（図示せず）を有して
いること以外は、上述の第１実施形態のＰＴＣサーミス
タと同様の構成を有する。
【００９２】このＰＴＣサーミスタのサーミスタ素体
は、高分子マトリックスと、低分子有機化合物と、電子
伝導性を有する導電性粒子とからなる成形体である。そ
して、このサーミスタ素体は、熱衝撃試験後に得られる
ＰＴＣサーミスタの抵抗値が０.０３Ω以下であり、１
００℃以下の動作温度で繰り返し動作させた場合であっ
ても使用初期に得られる抵抗値を充分に維持可能とする
ために以下の構成を有している。
は、高分子マトリックスと、低分子有機化合物と、電子
伝導性を有する導電性粒子とからなる成形体である。そ
して、このサーミスタ素体は、熱衝撃試験後に得られる
ＰＴＣサーミスタの抵抗値が０.０３Ω以下であり、１
００℃以下の動作温度で繰り返し動作させた場合であっ
ても使用初期に得られる抵抗値を充分に維持可能とする
ために以下の構成を有している。
【００９３】サーミスタ素体に含有される高分子マトリ
ックスは、先に述べたようにその分子量（数平均分子
量）が１００００〜４０００００、好ましくは１０００
００〜２０００００である。また、高分子マトリックス
の密度は９２０〜９２８ｋｇ・ｍ-3である。
ックスは、先に述べたようにその分子量（数平均分子
量）が１００００〜４０００００、好ましくは１０００
００〜２０００００である。また、高分子マトリックス
の密度は９２０〜９２８ｋｇ・ｍ-3である。
【００９４】更に、上述の本発明の効果をより確実に得
る観点から、高分子マトリックスの融解開始温度は、８
０〜１１５℃であることが好ましく、８５〜９５℃であ
ることがより好ましい。また、上記と同様の観点から、
高分子マトリックスの融点は、動作温度の観点から９０
〜１３８℃であることが好ましく、１００〜１２５℃で
あることがより好ましい。
る観点から、高分子マトリックスの融解開始温度は、８
０〜１１５℃であることが好ましく、８５〜９５℃であ
ることがより好ましい。また、上記と同様の観点から、
高分子マトリックスの融点は、動作温度の観点から９０
〜１３８℃であることが好ましく、１００〜１２５℃で
あることがより好ましい。
【００９５】また、導電性粒子に対して線膨張係数の差
が低い結晶性ポリマーを高分子マトリックスとして用い
る観点から、このＰＴＣサーミスタの場合、高分子マト
リックスの線膨張係数は、１．００×１０-4〜５．４３
×１０-4であることが好ましい。
が低い結晶性ポリマーを高分子マトリックスとして用い
る観点から、このＰＴＣサーミスタの場合、高分子マト
リックスの線膨張係数は、１．００×１０-4〜５．４３
×１０-4であることが好ましい。
【００９６】また、先に述べたように良好な抵抗−温度
特性を得る観点から、高分子マトリックスの融点Ｔ１
［℃］と、低分子有機化合物の融点Ｔ２［℃］との差Ｔ
１−Ｔ２は、７〜４８℃であることが好ましく、７〜４
０．５℃であることがより好ましい。これにより抵抗−
温度特性曲線におけるヒステリシスの小さなＰＴＣサー
ミスタを得ることが容易にできる。
特性を得る観点から、高分子マトリックスの融点Ｔ１
［℃］と、低分子有機化合物の融点Ｔ２［℃］との差Ｔ
１−Ｔ２は、７〜４８℃であることが好ましく、７〜４
０．５℃であることがより好ましい。これにより抵抗−
温度特性曲線におけるヒステリシスの小さなＰＴＣサー
ミスタを得ることが容易にできる。
【００９７】このような高分子マトリックスとしては、
例えば、特開平１１−１６８００６号公報に記載された
高分子材料のうち、上述の分子量及び密度の条件を少な
くとも満たす化合物（更に、好ましくは上述の融解開始
温度の条件、線膨張係数の条件及び低分子有機化合物と
の融点差の条件のうちの少なくとも１つの条件を更に満
たす化合物）を単独或いは２種以上を任意に組み合せて
使用してもよい。更に、高分子マトリックスとしては、
ポリエチレンであることが好ましく、低密度ポリエチレ
ンがより好ましく、メタロセン系触媒を用いた重合反応
により製造された直鎖状の低密度ポリエチレンが更に好
ましい。
例えば、特開平１１−１６８００６号公報に記載された
高分子材料のうち、上述の分子量及び密度の条件を少な
くとも満たす化合物（更に、好ましくは上述の融解開始
温度の条件、線膨張係数の条件及び低分子有機化合物と
の融点差の条件のうちの少なくとも１つの条件を更に満
たす化合物）を単独或いは２種以上を任意に組み合せて
使用してもよい。更に、高分子マトリックスとしては、
ポリエチレンであることが好ましく、低密度ポリエチレ
ンがより好ましく、メタロセン系触媒を用いた重合反応
により製造された直鎖状の低密度ポリエチレンが更に好
ましい。
【００９８】この「直鎖状の低密度ポリエチレン」も、
先に述べたメタロセン系触媒を用いた重合反応により製
造された中・低圧法ポリエチレンであり、その分子量分
布が比較的狭いものである。「メタロセン系触媒」も、
ビス（シクロペンタジニエル）金属錯体系の触媒であ
り、先に述べた一般式（５）で表現される化合物を示
す。
先に述べたメタロセン系触媒を用いた重合反応により製
造された中・低圧法ポリエチレンであり、その分子量分
布が比較的狭いものである。「メタロセン系触媒」も、
ビス（シクロペンタジニエル）金属錯体系の触媒であ
り、先に述べた一般式（５）で表現される化合物を示
す。
【００９９】このＰＴＣサーミスタの場合、サーミスタ
素体中における高分子マトリックスの含有量は、サーミ
スタ素体の体積を基準として、３５〜７０体積％である
ことが好ましく、４５〜６５体積％であることがより好
ましい。
素体中における高分子マトリックスの含有量は、サーミ
スタ素体の体積を基準として、３５〜７０体積％である
ことが好ましく、４５〜６５体積％であることがより好
ましい。
【０１００】低分子有機化合物は、熱衝撃試験における
熱処理によりＰＴＣサーミスタの抵抗−温度特性曲線に
あらわれるヒステリシスを低減するために添加されるも
のである。この低分子有機化合物は、先に述べたように
その分子量（数平均分子量）が１００〜３０００、好ま
しくは５００〜１０００である。
熱処理によりＰＴＣサーミスタの抵抗−温度特性曲線に
あらわれるヒステリシスを低減するために添加されるも
のである。この低分子有機化合物は、先に述べたように
その分子量（数平均分子量）が１００〜３０００、好ま
しくは５００〜１０００である。
【０１０１】また、先に述べた本発明の効果をより確実
に得る観点から、低分子化合物の融点は９０〜１１５が
好ましい。また、上記と同様の観点から、この低分子有
機化合物の２５℃における針入度は、２〜７であること
が好ましく０．５〜６．５であることことがより好まし
い。
に得る観点から、低分子化合物の融点は９０〜１１５が
好ましい。また、上記と同様の観点から、この低分子有
機化合物の２５℃における針入度は、２〜７であること
が好ましく０．５〜６．５であることことがより好まし
い。
【０１０２】このような低分子有機化合物としては、例
えば、パラフィンワックス（ポリエチレンワックス、マ
イクロクリスタリンワックス）のうち、上述の分子量の
条件を満たす化合物（更に、好ましくは上述の針入度の
条件を更に満たす化合物）を単独或いは２種以上を任意
に組み合せて使用してもよい。更に、先に述べた本発明
の効果をより確実に得る観点から、低分子有機化合物
は、分岐比率総和が６以下のエチレンホモポリマーが好
ましく、分岐比率総和が３以下のエチレンホモポリマー
であることがより好ましい。
えば、パラフィンワックス（ポリエチレンワックス、マ
イクロクリスタリンワックス）のうち、上述の分子量の
条件を満たす化合物（更に、好ましくは上述の針入度の
条件を更に満たす化合物）を単独或いは２種以上を任意
に組み合せて使用してもよい。更に、先に述べた本発明
の効果をより確実に得る観点から、低分子有機化合物
は、分岐比率総和が６以下のエチレンホモポリマーが好
ましく、分岐比率総和が３以下のエチレンホモポリマー
であることがより好ましい。
【０１０３】サーミスタ素体中における低分子有機化合
物の含有量は、サーミスタ素体の体積を基準として、２
〜３０体積％であることが好ましく、２〜２５体積％で
あることがより好ましい。
物の含有量は、サーミスタ素体の体積を基準として、２
〜３０体積％であることが好ましく、２〜２５体積％で
あることがより好ましい。
【０１０４】導電性粒子は、電子伝導性を有していれば
特に限定されないが、先に述べた本発明の効果をより確
実に得る観点から、導電性セラミック粉（例えば、Ｔｉ
Ｃ、ＷＣなど）、カーボンブラック、銀、タングステ
ン、及び、ニッケルからなる群より選択される少なくと
も１種の導電性物質からなる粒子であることが好まし
く、比表面積が１．５〜２．５ｍ2・ｇ-1であるニッケ
ルからなるフィラメント状の粒子であることがより好ま
しい。
特に限定されないが、先に述べた本発明の効果をより確
実に得る観点から、導電性セラミック粉（例えば、Ｔｉ
Ｃ、ＷＣなど）、カーボンブラック、銀、タングステ
ン、及び、ニッケルからなる群より選択される少なくと
も１種の導電性物質からなる粒子であることが好まし
く、比表面積が１．５〜２．５ｍ2・ｇ-1であるニッケ
ルからなるフィラメント状の粒子であることがより好ま
しい。
【０１０５】サーミスタ素体１中における導電性粒子の
含有量は、サーミスタ素体１の体積を基準として、２０
〜６０体積％であることが好ましく、２５〜５０体積％
であることがより好ましい。
含有量は、サーミスタ素体１の体積を基準として、２０
〜６０体積％であることが好ましく、２５〜５０体積％
であることがより好ましい。
【０１０６】このＰＴＣサーミスタも、上述の条件を満
たすように高分子マトリックス、低分子有機化合物及び
導電性粒子を選択し、更にそれぞれの含有量を調節して
サーミスタ素体を形成すること以外は、公知のＰＴＣサ
ーミスタの製造技術により製造することができる。
たすように高分子マトリックス、低分子有機化合物及び
導電性粒子を選択し、更にそれぞれの含有量を調節して
サーミスタ素体を形成すること以外は、公知のＰＴＣサ
ーミスタの製造技術により製造することができる。
【０１０７】［第３実施形態］次に、本発明のＰＴＣサ
ーミスタの第３実施形態｛先に述べたＰＴＣサーミスタ
（ＩＩＩ）の好適な一実施形態｝について説明する。
ーミスタの第３実施形態｛先に述べたＰＴＣサーミスタ
（ＩＩＩ）の好適な一実施形態｝について説明する。
【０１０８】第３実施形態のＰＴＣサーミスタ（図示せ
ず）も、後述するサーミスタ素体（図示せず）を有して
いること以外は、上述の第１実施形態のＰＴＣサーミス
タ１０と同様の構成を有する。
ず）も、後述するサーミスタ素体（図示せず）を有して
いること以外は、上述の第１実施形態のＰＴＣサーミス
タ１０と同様の構成を有する。
【０１０９】このＰＴＣサーミスタのサーミスタ素体
は、高分子マトリックスと、低分子有機化合物と、電子
伝導性を有する導電性粒子とからなる成形体である。そ
して、このサーミスタ素体は、熱衝撃試験後に得られる
ＰＴＣサーミスタの抵抗値が０.０３Ω以下であり、１
００℃以下の動作温度で繰り返し動作させた場合であっ
ても使用初期に得られる抵抗値を充分に維持可能とする
ために以下の構成を有している。
は、高分子マトリックスと、低分子有機化合物と、電子
伝導性を有する導電性粒子とからなる成形体である。そ
して、このサーミスタ素体は、熱衝撃試験後に得られる
ＰＴＣサーミスタの抵抗値が０.０３Ω以下であり、１
００℃以下の動作温度で繰り返し動作させた場合であっ
ても使用初期に得られる抵抗値を充分に維持可能とする
ために以下の構成を有している。
【０１１０】サーミスタ素体に含有される高分子マトリ
ックスは、先に述べたようにその分子量（数平均分子
量）が１００００〜４０００００、好ましくは１０００
００〜２０００００である。また、高分子マトリックス
の線膨張係数は１．００×１０ -4〜５．４３×１０-4で
ある。
ックスは、先に述べたようにその分子量（数平均分子
量）が１００００〜４０００００、好ましくは１０００
００〜２０００００である。また、高分子マトリックス
の線膨張係数は１．００×１０ -4〜５．４３×１０-4で
ある。
【０１１１】更に、上述の本発明の効果をより確実に得
る観点から、高分子マトリックスの密度は、９１５〜９
３５℃であることが好ましく、９２０〜９２８ｋｇ・ｍ
-3であることがより好ましい。同様の観点から、高分子
マトリックスの融解開始温度は、８０〜１１５℃である
ことが好ましく、８５〜９５℃であることがより好まし
い。また、上記と同様の観点から、高分子マトリックス
の融点は、動作温度の観点から９０〜１３８℃であるこ
とが好ましく、１００〜１２５℃であることがより好ま
しい。
る観点から、高分子マトリックスの密度は、９１５〜９
３５℃であることが好ましく、９２０〜９２８ｋｇ・ｍ
-3であることがより好ましい。同様の観点から、高分子
マトリックスの融解開始温度は、８０〜１１５℃である
ことが好ましく、８５〜９５℃であることがより好まし
い。また、上記と同様の観点から、高分子マトリックス
の融点は、動作温度の観点から９０〜１３８℃であるこ
とが好ましく、１００〜１２５℃であることがより好ま
しい。
【０１１２】また、先に述べたように良好な抵抗−温度
特性を得る観点から、高分子マトリックスの融点Ｔ１
［℃］と、低分子有機化合物の融点Ｔ２［℃］との差Ｔ
１−Ｔ２は、７〜４８℃であることが好ましく、７〜４
０．５℃であることがより好ましい。これにより抵抗−
温度特性曲線におけるヒステリシスの小さなＰＴＣサー
ミスタを得ることが容易にできる。
特性を得る観点から、高分子マトリックスの融点Ｔ１
［℃］と、低分子有機化合物の融点Ｔ２［℃］との差Ｔ
１−Ｔ２は、７〜４８℃であることが好ましく、７〜４
０．５℃であることがより好ましい。これにより抵抗−
温度特性曲線におけるヒステリシスの小さなＰＴＣサー
ミスタを得ることが容易にできる。
【０１１３】このような高分子マトリックスとしては、
例えば、特開平１１−１６８００６号公報に記載された
高分子材料のうち、上述の分子量及び線膨張係数の条件
を少なくとも満たす化合物（更に、好ましくは上述の融
解開始温度の条件、密度の条件及び低分子有機化合物と
の融点差の条件のうちの少なくとも１つの条件を更に満
たす高分子化合物）を単独或いは２種以上を任意に組み
合せて使用してもよい。更に、高分子マトリックスとし
ては、ポリエチレンであることが好ましく、低密度ポリ
エチレンがより好ましく、メタロセン系触媒を用いた重
合反応により製造された直鎖状の低密度ポリエチレンが
更に好ましい。
例えば、特開平１１−１６８００６号公報に記載された
高分子材料のうち、上述の分子量及び線膨張係数の条件
を少なくとも満たす化合物（更に、好ましくは上述の融
解開始温度の条件、密度の条件及び低分子有機化合物と
の融点差の条件のうちの少なくとも１つの条件を更に満
たす高分子化合物）を単独或いは２種以上を任意に組み
合せて使用してもよい。更に、高分子マトリックスとし
ては、ポリエチレンであることが好ましく、低密度ポリ
エチレンがより好ましく、メタロセン系触媒を用いた重
合反応により製造された直鎖状の低密度ポリエチレンが
更に好ましい。
【０１１４】この「直鎖状の低密度ポリエチレン」も、
先に述べたメタロセン系触媒を用いた重合反応により製
造された中・低圧法ポリエチレンであり、その分子量分
布が比較的狭いものである。「メタロセン系触媒」も、
ビス（シクロペンタジニエル）金属錯体系の触媒であ
り、先に述べた一般式（５）で表現される化合物を示
す。
先に述べたメタロセン系触媒を用いた重合反応により製
造された中・低圧法ポリエチレンであり、その分子量分
布が比較的狭いものである。「メタロセン系触媒」も、
ビス（シクロペンタジニエル）金属錯体系の触媒であ
り、先に述べた一般式（５）で表現される化合物を示
す。
【０１１５】このＰＴＣサーミスタの場合、サーミスタ
素体中における高分子マトリックスの含有量は、サーミ
スタ素体の体積を基準として、３５〜７０体積％である
ことが好ましく、４０〜６５体積％であることがより好
ましい。
素体中における高分子マトリックスの含有量は、サーミ
スタ素体の体積を基準として、３５〜７０体積％である
ことが好ましく、４０〜６５体積％であることがより好
ましい。
【０１１６】低分子有機化合物は、熱衝撃試験における
熱処理によりＰＴＣサーミスタの抵抗−温度特性曲線に
あらわれるヒステリシスを低減するために添加されるも
のである。この低分子有機化合物は、先に述べたように
その分子量（数平均分子量）が１００〜３０００、好ま
しくは５００〜１０００である。
熱処理によりＰＴＣサーミスタの抵抗−温度特性曲線に
あらわれるヒステリシスを低減するために添加されるも
のである。この低分子有機化合物は、先に述べたように
その分子量（数平均分子量）が１００〜３０００、好ま
しくは５００〜１０００である。
【０１１７】また、先に述べた本発明の効果をより確実
に得る観点から、低分子化合物の融点は９０〜１１５が
好ましい。また、上記と同様の観点から、この低分子有
機化合物の２５℃における針入度は、２〜７であること
が好ましく０．５〜６．５であることことがより好まし
い。
に得る観点から、低分子化合物の融点は９０〜１１５が
好ましい。また、上記と同様の観点から、この低分子有
機化合物の２５℃における針入度は、２〜７であること
が好ましく０．５〜６．５であることことがより好まし
い。
【０１１８】このような低分子有機化合物としては、例
えば、パラフィンワックス（ポリエチレンワックス、マ
イクロクリスタリンワックス）のうち、上述の分子量の
条件を満たす化合物（更に、好ましくは上述の針入度の
条件を更に満たす化合物）を単独或いは２種以上を任意
に組み合せて使用してもよい。更に、先に述べた本発明
の効果をより確実に得る観点から、低分子有機化合物
は、分岐比率総和が６以下のエチレンホモポリマーが好
ましく、分岐比率総和が３以下のエチレンホモポリマー
であることがより好ましい。
えば、パラフィンワックス（ポリエチレンワックス、マ
イクロクリスタリンワックス）のうち、上述の分子量の
条件を満たす化合物（更に、好ましくは上述の針入度の
条件を更に満たす化合物）を単独或いは２種以上を任意
に組み合せて使用してもよい。更に、先に述べた本発明
の効果をより確実に得る観点から、低分子有機化合物
は、分岐比率総和が６以下のエチレンホモポリマーが好
ましく、分岐比率総和が３以下のエチレンホモポリマー
であることがより好ましい。
【０１１９】サーミスタ素体中における低分子有機化合
物の含有量は、サーミスタ素体の体積を基準として、２
〜３０体積％であることが好ましく、２〜２５体積％で
あることがより好ましい。
物の含有量は、サーミスタ素体の体積を基準として、２
〜３０体積％であることが好ましく、２〜２５体積％で
あることがより好ましい。
【０１２０】導電性粒子は、電子伝導性を有していれば
特に限定されないが、先に述べた本発明の効果をより確
実に得る観点から、導電性セラミック粉（例えば、Ｔｉ
Ｃ、ＷＣなど）、カーボンブラック、銀、タングステ
ン、及び、ニッケルからなる群より選択される少なくと
も１種の導電性物質からなる粒子であることが好まし
く、比表面積が１．５〜２．５ｍ2・ｇ-1であるニッケ
ルからなるフィラメント状の粒子であることがより好ま
しい。
特に限定されないが、先に述べた本発明の効果をより確
実に得る観点から、導電性セラミック粉（例えば、Ｔｉ
Ｃ、ＷＣなど）、カーボンブラック、銀、タングステ
ン、及び、ニッケルからなる群より選択される少なくと
も１種の導電性物質からなる粒子であることが好まし
く、比表面積が１．５〜２．５ｍ2・ｇ-1であるニッケ
ルからなるフィラメント状の粒子であることがより好ま
しい。
【０１２１】サーミスタ素体１中における導電性粒子の
含有量は、サーミスタ素体１の体積を基準として、２０
〜６０体積％であることが好ましく、２５〜５０体積％
であることがより好ましい。
含有量は、サーミスタ素体１の体積を基準として、２０
〜６０体積％であることが好ましく、２５〜５０体積％
であることがより好ましい。
【０１２２】このＰＴＣサーミスタも、上述の条件を満
たすように高分子マトリックス、低分子有機化合物及び
導電性粒子を選択し、更にそれぞれの含有量を調節して
サーミスタ素体を形成すること以外は、公知のＰＴＣサ
ーミスタの製造技術により製造することができる。
たすように高分子マトリックス、低分子有機化合物及び
導電性粒子を選択し、更にそれぞれの含有量を調節して
サーミスタ素体を形成すること以外は、公知のＰＴＣサ
ーミスタの製造技術により製造することができる。
【０１２３】［第４実施形態］次に、本発明のＰＴＣサ
ーミスタの第４実施形態｛先に述べたＰＴＣサーミスタ
（ＩＶ）の好適な一実施形態｝について説明する。
ーミスタの第４実施形態｛先に述べたＰＴＣサーミスタ
（ＩＶ）の好適な一実施形態｝について説明する。
【０１２４】第４実施形態のＰＴＣサーミスタ（図示せ
ず）は、後述するサーミスタ素体（図示せず）を有して
いること以外は、上述の第１実施形態のＰＴＣサーミス
タ１０と同様の構成を有する。
ず）は、後述するサーミスタ素体（図示せず）を有して
いること以外は、上述の第１実施形態のＰＴＣサーミス
タ１０と同様の構成を有する。
【０１２５】このＰＴＣサーミスタのサーミスタ素体
は、高分子マトリックスと、低分子有機化合物と、電子
伝導性を有する導電性粒子とからなる成形体である。そ
して、このサーミスタ素体は、熱衝撃試験後に得られる
ＰＴＣサーミスタの抵抗値が０.０３Ω以下であり、１
００℃以下の動作温度で繰り返し動作させた場合であっ
ても使用初期に得られる抵抗値を充分に維持可能とする
ために以下の構成を有している。
は、高分子マトリックスと、低分子有機化合物と、電子
伝導性を有する導電性粒子とからなる成形体である。そ
して、このサーミスタ素体は、熱衝撃試験後に得られる
ＰＴＣサーミスタの抵抗値が０.０３Ω以下であり、１
００℃以下の動作温度で繰り返し動作させた場合であっ
ても使用初期に得られる抵抗値を充分に維持可能とする
ために以下の構成を有している。
【０１２６】サーミスタ素体に含有される高分子マトリ
ックスは、先に述べたようにその分子量（数平均分子
量）が１００００〜４０００００、好ましくは１０００
００〜２０００００である。
ックスは、先に述べたようにその分子量（数平均分子
量）が１００００〜４０００００、好ましくは１０００
００〜２０００００である。
【０１２７】更に、上述の本発明の効果をより確実に得
る観点から、高分子マトリックスの融解開始温度は、８
０〜１１５℃であることが好ましく、８５〜９５℃であ
ることがより好ましい。また、上記と同様の観点から、
高分子マトリックスの融点は、動作温度の観点から９０
〜１３８℃であることが好ましく、１００〜１２５℃で
あることがより好ましい。更に、上記と同様の観点か
ら、高分子マトリックスの密度は９１５〜９３５ｋｇ・
ｍ-3であることが好ましく、９２０〜９２８ｋｇ・ｍ-3
であることがより好ましい。
る観点から、高分子マトリックスの融解開始温度は、８
０〜１１５℃であることが好ましく、８５〜９５℃であ
ることがより好ましい。また、上記と同様の観点から、
高分子マトリックスの融点は、動作温度の観点から９０
〜１３８℃であることが好ましく、１００〜１２５℃で
あることがより好ましい。更に、上記と同様の観点か
ら、高分子マトリックスの密度は９１５〜９３５ｋｇ・
ｍ-3であることが好ましく、９２０〜９２８ｋｇ・ｍ-3
であることがより好ましい。
【０１２８】また、導電性粒子に対して線膨張係数の差
が低い結晶性ポリマーを高分子マトリックスとして用い
る観点から、このＰＴＣサーミスタの場合、高分子マト
リックスの線膨張係数は、１．００×１０-4〜５．４３
×１０-4であることが好ましい。
が低い結晶性ポリマーを高分子マトリックスとして用い
る観点から、このＰＴＣサーミスタの場合、高分子マト
リックスの線膨張係数は、１．００×１０-4〜５．４３
×１０-4であることが好ましい。
【０１２９】また、先に述べたように良好な抵抗−温度
特性を得る観点から、高分子マトリックスの融点Ｔ１
［℃］と、低分子有機化合物の融点Ｔ２［℃］との差Ｔ
１−Ｔ２は、７〜４８℃であることが好ましく、７〜４
０．５℃であることがより好ましい。これにより抵抗−
温度特性曲線におけるヒステリシスの小さなＰＴＣサー
ミスタを得ることが容易にできる。
特性を得る観点から、高分子マトリックスの融点Ｔ１
［℃］と、低分子有機化合物の融点Ｔ２［℃］との差Ｔ
１−Ｔ２は、７〜４８℃であることが好ましく、７〜４
０．５℃であることがより好ましい。これにより抵抗−
温度特性曲線におけるヒステリシスの小さなＰＴＣサー
ミスタを得ることが容易にできる。
【０１３０】このような高分子マトリックスとしては、
例えば、特開平１１−１６８００６号公報に記載された
高分子材料のうち、上述の分子量を少なくとも満たす化
合物（更に、好ましくは上述の融解開始温度の条件、線
膨張係数の条件、密度の条件及び低分子有機化合物との
融点差の条件のうちの少なくとも１つの条件を更に満た
す化合物）を単独或いは２種以上を任意に組み合せて使
用してもよい。更に、高分子マトリックスとしては、ポ
リエチレンであることが好ましく、低密度ポリエチレン
がより好ましく、メタロセン系触媒を用いた重合反応に
より製造された直鎖状の低密度ポリエチレンが更に好ま
しい。
例えば、特開平１１−１６８００６号公報に記載された
高分子材料のうち、上述の分子量を少なくとも満たす化
合物（更に、好ましくは上述の融解開始温度の条件、線
膨張係数の条件、密度の条件及び低分子有機化合物との
融点差の条件のうちの少なくとも１つの条件を更に満た
す化合物）を単独或いは２種以上を任意に組み合せて使
用してもよい。更に、高分子マトリックスとしては、ポ
リエチレンであることが好ましく、低密度ポリエチレン
がより好ましく、メタロセン系触媒を用いた重合反応に
より製造された直鎖状の低密度ポリエチレンが更に好ま
しい。
【０１３１】この「直鎖状の低密度ポリエチレン」も、
先に述べたメタロセン系触媒を用いた重合反応により製
造された中・低圧法ポリエチレンであり、その分子量分
布が比較的狭いものである。「メタロセン系触媒」も、
ビス（シクロペンタジニエル）金属錯体系の触媒であ
り、先に述べた一般式（５）で表現される化合物を示
す。
先に述べたメタロセン系触媒を用いた重合反応により製
造された中・低圧法ポリエチレンであり、その分子量分
布が比較的狭いものである。「メタロセン系触媒」も、
ビス（シクロペンタジニエル）金属錯体系の触媒であ
り、先に述べた一般式（５）で表現される化合物を示
す。
【０１３２】このＰＴＣサーミスタの場合、サーミスタ
素体中における高分子マトリックスの含有量は、サーミ
スタ素体の体積を基準として、３５〜７０体積％である
ことが好ましく、４０〜６５体積％であることがより好
ましい。
素体中における高分子マトリックスの含有量は、サーミ
スタ素体の体積を基準として、３５〜７０体積％である
ことが好ましく、４０〜６５体積％であることがより好
ましい。
【０１３３】低分子有機化合物は、熱衝撃試験における
熱処理によりＰＴＣサーミスタの抵抗−温度特性曲線に
あらわれるヒステリシスを低減するために添加されるも
のである。この低分子有機化合物は、先に述べたように
その分子量（数平均分子量）が１００〜３０００、好ま
しくは５００〜１０００である。
熱処理によりＰＴＣサーミスタの抵抗−温度特性曲線に
あらわれるヒステリシスを低減するために添加されるも
のである。この低分子有機化合物は、先に述べたように
その分子量（数平均分子量）が１００〜３０００、好ま
しくは５００〜１０００である。
【０１３４】また、このＰＴＣサーミスタの場合、先に
述べた本発明の効果を得る観点から、この低分子有機化
合物の２５℃における針入度は、０．５〜６．５であ
る。更に、先に述べた本発明の効果をより確実に得る観
点から、低分子化合物の融点は９０〜１１５が好まし
い。
述べた本発明の効果を得る観点から、この低分子有機化
合物の２５℃における針入度は、０．５〜６．５であ
る。更に、先に述べた本発明の効果をより確実に得る観
点から、低分子化合物の融点は９０〜１１５が好まし
い。
【０１３５】このような低分子有機化合物としては、例
えば、パラフィンワックス（ポリエチレンワックス、マ
イクロクリスタリンワックス）のうち、上述の分子量及
び針入度の条件を満たす化合物を単独或いは２種以上を
任意に組み合せて使用してもよい。更に、先に述べた本
発明の効果をより確実に得る観点から、低分子有機化合
物は、分岐比率総和が６以下のエチレンホモポリマーが
好ましく、分岐比率総和が３以下のエチレンホモポリマ
ーであることがより好ましい。
えば、パラフィンワックス（ポリエチレンワックス、マ
イクロクリスタリンワックス）のうち、上述の分子量及
び針入度の条件を満たす化合物を単独或いは２種以上を
任意に組み合せて使用してもよい。更に、先に述べた本
発明の効果をより確実に得る観点から、低分子有機化合
物は、分岐比率総和が６以下のエチレンホモポリマーが
好ましく、分岐比率総和が３以下のエチレンホモポリマ
ーであることがより好ましい。
【０１３６】サーミスタ素体中における低分子有機化合
物の含有量は、サーミスタ素体の体積を基準として、２
〜３０体積％であることが好ましく、２〜２５体積％で
あることがより好ましい。
物の含有量は、サーミスタ素体の体積を基準として、２
〜３０体積％であることが好ましく、２〜２５体積％で
あることがより好ましい。
【０１３７】導電性粒子は、電子伝導性を有していれば
特に限定されないが、先に述べた本発明の効果をより確
実に得る観点から、導電性セラミック粉（例えば、Ｔｉ
Ｃ、ＷＣなど）、カーボンブラック、銀、タングステ
ン、及び、ニッケルからなる群より選択される少なくと
も１種の導電性物質からなる粒子であることが好まし
く、比表面積が１．５〜２．５ｍ2・ｇ-1であるニッケ
ルからなるフィラメント状の粒子であることがより好ま
しい。
特に限定されないが、先に述べた本発明の効果をより確
実に得る観点から、導電性セラミック粉（例えば、Ｔｉ
Ｃ、ＷＣなど）、カーボンブラック、銀、タングステ
ン、及び、ニッケルからなる群より選択される少なくと
も１種の導電性物質からなる粒子であることが好まし
く、比表面積が１．５〜２．５ｍ2・ｇ-1であるニッケ
ルからなるフィラメント状の粒子であることがより好ま
しい。
【０１３８】サーミスタ素体１中における導電性粒子の
含有量は、サーミスタ素体１の体積を基準として、２０
〜６０体積％であることが好ましく、２５〜５０体積％
であることがより好ましい。
含有量は、サーミスタ素体１の体積を基準として、２０
〜６０体積％であることが好ましく、２５〜５０体積％
であることがより好ましい。
【０１３９】このＰＴＣサーミスタも、上述の条件を満
たすように高分子マトリックス、低分子有機化合物及び
導電性粒子を選択し、更にそれぞれの含有量を調節して
サーミスタ素体を形成すること以外は、公知のＰＴＣサ
ーミスタの製造技術により製造することができる。
たすように高分子マトリックス、低分子有機化合物及び
導電性粒子を選択し、更にそれぞれの含有量を調節して
サーミスタ素体を形成すること以外は、公知のＰＴＣサ
ーミスタの製造技術により製造することができる。
【０１４０】［第５実施形態］次に、本発明のＰＴＣサ
ーミスタの第５実施形態｛先に述べたＰＴＣサーミスタ
（Ｖ）の好適な一実施形態｝について説明する。
ーミスタの第５実施形態｛先に述べたＰＴＣサーミスタ
（Ｖ）の好適な一実施形態｝について説明する。
【０１４１】第５実施形態のＰＴＣサーミスタ（図示せ
ず）は、後述するサーミスタ素体（図示せず）を有して
いること以外は、上述の第１実施形態のＰＴＣサーミス
タ１０と同様の構成を有する。
ず）は、後述するサーミスタ素体（図示せず）を有して
いること以外は、上述の第１実施形態のＰＴＣサーミス
タ１０と同様の構成を有する。
【０１４２】このＰＴＣサーミスタのサーミスタ素体
は、高分子マトリックスと、低分子有機化合物と、電子
伝導性を有する導電性粒子とからなる成形体である。そ
して、このサーミスタ素体は、熱衝撃試験後に得られる
ＰＴＣサーミスタの抵抗値が０.０３Ω以下であり、１
００℃以下の動作温度で繰り返し動作させた場合であっ
ても使用初期に得られる抵抗値を充分に維持可能とする
ために以下の構成を有している。
は、高分子マトリックスと、低分子有機化合物と、電子
伝導性を有する導電性粒子とからなる成形体である。そ
して、このサーミスタ素体は、熱衝撃試験後に得られる
ＰＴＣサーミスタの抵抗値が０.０３Ω以下であり、１
００℃以下の動作温度で繰り返し動作させた場合であっ
ても使用初期に得られる抵抗値を充分に維持可能とする
ために以下の構成を有している。
【０１４３】サーミスタ素体に含有される高分子マトリ
ックスは、先に述べたようにその分子量（数平均分子
量）が１００００〜４０００００、好ましくは１０００
００〜２０００００である。
ックスは、先に述べたようにその分子量（数平均分子
量）が１００００〜４０００００、好ましくは１０００
００〜２０００００である。
【０１４４】更に、上述の本発明の効果をより確実に得
る観点から、高分子マトリックスの融解開始温度は、８
０〜１１５℃であることが好ましく、８５〜９５℃であ
ることがより好ましい。また、上記と同様の観点から、
高分子マトリックスの融点は、動作温度の観点から９０
〜１３８℃であることが好ましく、１００〜１２５℃で
あることがより好ましい。更に、上記と同様の観点か
ら、高分子マトリックスの密度は９１５〜９３５ｋｇ・
ｍ-3であることが好ましく、９２０〜９２８ｋｇ・ｍ-3
であることがより好ましい。
る観点から、高分子マトリックスの融解開始温度は、８
０〜１１５℃であることが好ましく、８５〜９５℃であ
ることがより好ましい。また、上記と同様の観点から、
高分子マトリックスの融点は、動作温度の観点から９０
〜１３８℃であることが好ましく、１００〜１２５℃で
あることがより好ましい。更に、上記と同様の観点か
ら、高分子マトリックスの密度は９１５〜９３５ｋｇ・
ｍ-3であることが好ましく、９２０〜９２８ｋｇ・ｍ-3
であることがより好ましい。
【０１４５】また、導電性粒子に対して線膨張係数の差
が低い結晶性ポリマーを高分子マトリックスとして用い
る観点から、このＰＴＣサーミスタの場合、高分子マト
リックスの線膨張係数は、１．００×１０-4〜５．４３
×１０-4であることが好ましい。
が低い結晶性ポリマーを高分子マトリックスとして用い
る観点から、このＰＴＣサーミスタの場合、高分子マト
リックスの線膨張係数は、１．００×１０-4〜５．４３
×１０-4であることが好ましい。
【０１４６】また、先に述べたように良好な抵抗−温度
特性を得る観点から、高分子マトリックスの融点Ｔ１
［℃］と、低分子有機化合物の融点Ｔ２［℃］との差Ｔ
１−Ｔ２は、７〜４８℃であることが好ましく、７〜４
０．５℃であることがより好ましい。これにより抵抗−
温度特性曲線におけるヒステリシスの小さなＰＴＣサー
ミスタを得ることが容易にできる。
特性を得る観点から、高分子マトリックスの融点Ｔ１
［℃］と、低分子有機化合物の融点Ｔ２［℃］との差Ｔ
１−Ｔ２は、７〜４８℃であることが好ましく、７〜４
０．５℃であることがより好ましい。これにより抵抗−
温度特性曲線におけるヒステリシスの小さなＰＴＣサー
ミスタを得ることが容易にできる。
【０１４７】このような高分子マトリックスとしては、
例えば、特開平１１−１６８００６号公報に記載された
高分子材料のうち、上述の分子量を少なくとも満たす化
合物（更に、好ましくは上述の融解開始温度の条件、線
膨張係数の条件、密度の条件及び低分子有機化合物との
融点差の条件のうちの少なくとも１つの条件を更に満た
す化合物）を単独或いは２種以上を任意に組み合せて使
用してもよい。更に、高分子マトリックスとしては、ポ
リエチレンであることが好ましく、低密度ポリエチレン
がより好ましく、メタロセン系触媒を用いた重合反応に
より製造された直鎖状の低密度ポリエチレンが更に好ま
しい。
例えば、特開平１１−１６８００６号公報に記載された
高分子材料のうち、上述の分子量を少なくとも満たす化
合物（更に、好ましくは上述の融解開始温度の条件、線
膨張係数の条件、密度の条件及び低分子有機化合物との
融点差の条件のうちの少なくとも１つの条件を更に満た
す化合物）を単独或いは２種以上を任意に組み合せて使
用してもよい。更に、高分子マトリックスとしては、ポ
リエチレンであることが好ましく、低密度ポリエチレン
がより好ましく、メタロセン系触媒を用いた重合反応に
より製造された直鎖状の低密度ポリエチレンが更に好ま
しい。
【０１４８】この「直鎖状の低密度ポリエチレン」も、
先に述べたメタロセン系触媒を用いた重合反応により製
造された中・低圧法ポリエチレンであり、その分子量分
布が比較的狭いものである。「メタロセン系触媒」も、
ビス（シクロペンタジニエル）金属錯体系の触媒であ
り、先に述べた一般式（５）で表現される化合物を示
す。
先に述べたメタロセン系触媒を用いた重合反応により製
造された中・低圧法ポリエチレンであり、その分子量分
布が比較的狭いものである。「メタロセン系触媒」も、
ビス（シクロペンタジニエル）金属錯体系の触媒であ
り、先に述べた一般式（５）で表現される化合物を示
す。
【０１４９】このＰＴＣサーミスタの場合、サーミスタ
素体中における高分子マトリックスの含有量は、サーミ
スタ素体の体積を基準として、３５〜７０体積％である
ことが好ましく、４０〜６５体積％であることがより好
ましい。
素体中における高分子マトリックスの含有量は、サーミ
スタ素体の体積を基準として、３５〜７０体積％である
ことが好ましく、４０〜６５体積％であることがより好
ましい。
【０１５０】低分子有機化合物は、熱衝撃試験における
熱処理によりＰＴＣサーミスタの抵抗−温度特性曲線に
あらわれるヒステリシスを低減するために添加されるも
のである。この低分子有機化合物は、先に述べたように
その分子量（数平均分子量）が１００〜３０００、好ま
しくは５００〜１０００である。
熱処理によりＰＴＣサーミスタの抵抗−温度特性曲線に
あらわれるヒステリシスを低減するために添加されるも
のである。この低分子有機化合物は、先に述べたように
その分子量（数平均分子量）が１００〜３０００、好ま
しくは５００〜１０００である。
【０１５１】このＰＴＣサーミスタの場合、先に述べた
本発明の効果を得る観点から、低分子有機化合物は、分
岐比率総和が３以下のエチレンホモポリマーである。先
に述べた本発明の効果をより確実に得る観点から、この
エチレンホモポリマーの分岐比率総和は、２以下である
ことが好ましく、１以下であることがより好ましく、０
であることが更に好ましい。
本発明の効果を得る観点から、低分子有機化合物は、分
岐比率総和が３以下のエチレンホモポリマーである。先
に述べた本発明の効果をより確実に得る観点から、この
エチレンホモポリマーの分岐比率総和は、２以下である
ことが好ましく、１以下であることがより好ましく、０
であることが更に好ましい。
【０１５２】また、先に述べた本発明の効果をより確実
に得る観点から、この低分子有機化合物の２５℃におけ
る針入度は、２〜７であることが好ましく、０．５〜
６．５であることがより好ましい。更に、先に述べた本
発明の効果をより確実に得る観点から、低分子化合物の
融点は９０〜１１５が好ましい。
に得る観点から、この低分子有機化合物の２５℃におけ
る針入度は、２〜７であることが好ましく、０．５〜
６．５であることがより好ましい。更に、先に述べた本
発明の効果をより確実に得る観点から、低分子化合物の
融点は９０〜１１５が好ましい。
【０１５３】サーミスタ素体中における低分子有機化合
物の含有量は、サーミスタ素体の体積を基準として、２
〜３０体積％であることが好ましく、２〜２５体積％で
あることがより好ましい。
物の含有量は、サーミスタ素体の体積を基準として、２
〜３０体積％であることが好ましく、２〜２５体積％で
あることがより好ましい。
【０１５４】導電性粒子は、電子伝導性を有していれば
特に限定されないが、先に述べた本発明の効果をより確
実に得る観点から、導電性セラミック粉（例えば、Ｔｉ
Ｃ、ＷＣなど）、カーボンブラック、銀、タングステ
ン、及び、ニッケルからなる群より選択される少なくと
も１種の導電性物質からなる粒子であることが好まし
く、比表面積が１．５〜２．５ｍ2・ｇ-1であるニッケ
ルからなるフィラメント状の粒子であることがより好ま
しい。
特に限定されないが、先に述べた本発明の効果をより確
実に得る観点から、導電性セラミック粉（例えば、Ｔｉ
Ｃ、ＷＣなど）、カーボンブラック、銀、タングステ
ン、及び、ニッケルからなる群より選択される少なくと
も１種の導電性物質からなる粒子であることが好まし
く、比表面積が１．５〜２．５ｍ2・ｇ-1であるニッケ
ルからなるフィラメント状の粒子であることがより好ま
しい。
【０１５５】サーミスタ素体中における導電性粒子の含
有量は、サーミスタ素体の体積を基準として、２０〜６
０体積％であることが好ましく、２５〜５０体積％であ
ることがより好ましい。
有量は、サーミスタ素体の体積を基準として、２０〜６
０体積％であることが好ましく、２５〜５０体積％であ
ることがより好ましい。
【０１５６】このＰＴＣサーミスタも、上述の条件を満
たすように高分子マトリックス、低分子有機化合物及び
導電性粒子を選択し、更にそれぞれの含有量を調節して
サーミスタ素体を形成すること以外は、公知のＰＴＣサ
ーミスタの製造技術により製造することができる。
たすように高分子マトリックス、低分子有機化合物及び
導電性粒子を選択し、更にそれぞれの含有量を調節して
サーミスタ素体を形成すること以外は、公知のＰＴＣサ
ーミスタの製造技術により製造することができる。
【０１５７】［第６実施形態］次に、本発明のＰＴＣサ
ーミスタの第２実施形態｛先に述べたＰＴＣサーミスタ
（ＶＩ）の好適な一実施形態｝について説明する。
ーミスタの第２実施形態｛先に述べたＰＴＣサーミスタ
（ＶＩ）の好適な一実施形態｝について説明する。
【０１５８】第２実施形態のＰＴＣサーミスタ（図示せ
ず）は、後述するサーミスタ素体（図示せず）を有して
いること以外は、上述の第１実施形態のＰＴＣサーミス
タ１０と同様の構成を有する。
ず）は、後述するサーミスタ素体（図示せず）を有して
いること以外は、上述の第１実施形態のＰＴＣサーミス
タ１０と同様の構成を有する。
【０１５９】このＰＴＣサーミスタのサーミスタ素体
は、高分子マトリックスと、低分子有機化合物と、電子
伝導性を有する導電性粒子とからなる成形体である。そ
して、このサーミスタ素体は、熱衝撃試験後に得られる
ＰＴＣサーミスタの抵抗値が０.０３Ω以下であり、１
００℃以下の動作温度で繰り返し動作させた場合であっ
ても使用初期に得られる抵抗値を充分に維持可能とする
ために以下の構成を有している。
は、高分子マトリックスと、低分子有機化合物と、電子
伝導性を有する導電性粒子とからなる成形体である。そ
して、このサーミスタ素体は、熱衝撃試験後に得られる
ＰＴＣサーミスタの抵抗値が０.０３Ω以下であり、１
００℃以下の動作温度で繰り返し動作させた場合であっ
ても使用初期に得られる抵抗値を充分に維持可能とする
ために以下の構成を有している。
【０１６０】サーミスタ素体に含有される高分子マトリ
ックスは、先に述べたようにその分子量（数平均分子
量）が１００００〜４０００００、好ましくは１０００
００〜２０００００である。
ックスは、先に述べたようにその分子量（数平均分子
量）が１００００〜４０００００、好ましくは１０００
００〜２０００００である。
【０１６１】更に、上述の本発明の効果をより確実に得
る観点から、高分子マトリックスの融解開始温度は、８
０〜１１５℃であることが好ましく、８５〜９５℃であ
ることがより好ましい。また、上記と同様の観点から、
高分子マトリックスの融点は、動作温度の観点から９０
〜１３８℃であることが好ましく、１００〜１２５℃で
あることがより好ましい。更に、上記と同様の観点か
ら、高分子マトリックスの密度は９１５〜９３５ｋｇ・
ｍ-3であることが好ましく、９２０〜９２８ｋｇ・ｍ-3
であることが好ましい。
る観点から、高分子マトリックスの融解開始温度は、８
０〜１１５℃であることが好ましく、８５〜９５℃であ
ることがより好ましい。また、上記と同様の観点から、
高分子マトリックスの融点は、動作温度の観点から９０
〜１３８℃であることが好ましく、１００〜１２５℃で
あることがより好ましい。更に、上記と同様の観点か
ら、高分子マトリックスの密度は９１５〜９３５ｋｇ・
ｍ-3であることが好ましく、９２０〜９２８ｋｇ・ｍ-3
であることが好ましい。
【０１６２】また、導電性粒子に対して線膨張係数の差
が低い結晶性ポリマーを高分子マトリックスとして用い
る観点から、このＰＴＣサーミスタの場合、高分子マト
リックスの線膨張係数は、１．００×１０-4〜５．４３
×１０-4であることが好ましい。
が低い結晶性ポリマーを高分子マトリックスとして用い
る観点から、このＰＴＣサーミスタの場合、高分子マト
リックスの線膨張係数は、１．００×１０-4〜５．４３
×１０-4であることが好ましい。
【０１６３】また、先に述べたように、このＰＴＣサー
ミスタの場合、本発明の効果を得る観点及び良好な抵抗
−温度特性を得る観点から、高分子マトリックスの融点
Ｔ１［℃］と、低分子有機化合物の融点Ｔ２［℃］との
差Ｔ１−Ｔ２は、７〜４０．５℃である。これにより抵
抗−温度特性曲線におけるヒステリシスの小さなＰＴＣ
サーミスタを得ることが容易にできる。
ミスタの場合、本発明の効果を得る観点及び良好な抵抗
−温度特性を得る観点から、高分子マトリックスの融点
Ｔ１［℃］と、低分子有機化合物の融点Ｔ２［℃］との
差Ｔ１−Ｔ２は、７〜４０．５℃である。これにより抵
抗−温度特性曲線におけるヒステリシスの小さなＰＴＣ
サーミスタを得ることが容易にできる。
【０１６４】このような高分子マトリックスとしては、
例えば、特開平１１−１６８００６号公報に記載された
高分子材料のうち、上述の分子量及び低分子有機化合物
との融点差の条件を少なくとも満たす化合物（更に、好
ましくは上述の融解開始温度の条件、線膨張係数の条件
及び密度の条件の条件のうちの少なくとも１つの条件を
更に満たす化合物）を単独或いは２種以上を任意に組み
合せて使用してもよい。更に、高分子マトリックスとし
ては、ポリエチレンであることが好ましく、低密度ポリ
エチレンがより好ましく、メタロセン系触媒を用いた重
合反応により製造された直鎖状の低密度ポリエチレンが
更に好ましい。
例えば、特開平１１−１６８００６号公報に記載された
高分子材料のうち、上述の分子量及び低分子有機化合物
との融点差の条件を少なくとも満たす化合物（更に、好
ましくは上述の融解開始温度の条件、線膨張係数の条件
及び密度の条件の条件のうちの少なくとも１つの条件を
更に満たす化合物）を単独或いは２種以上を任意に組み
合せて使用してもよい。更に、高分子マトリックスとし
ては、ポリエチレンであることが好ましく、低密度ポリ
エチレンがより好ましく、メタロセン系触媒を用いた重
合反応により製造された直鎖状の低密度ポリエチレンが
更に好ましい。
【０１６５】この「直鎖状の低密度ポリエチレン」も、
先に述べたメタロセン系触媒を用いた重合反応により製
造された中・低圧法ポリエチレンであり、その分子量分
布が比較的狭いものである。「メタロセン系触媒」も、
ビス（シクロペンタジニエル）金属錯体系の触媒であ
り、先に述べた一般式（５）で表現される化合物を示
す。
先に述べたメタロセン系触媒を用いた重合反応により製
造された中・低圧法ポリエチレンであり、その分子量分
布が比較的狭いものである。「メタロセン系触媒」も、
ビス（シクロペンタジニエル）金属錯体系の触媒であ
り、先に述べた一般式（５）で表現される化合物を示
す。
【０１６６】このＰＴＣサーミスタの場合、サーミスタ
素体中における高分子マトリックスの含有量は、サーミ
スタ素体の体積を基準として、３５〜７０体積％である
ことが好ましく、４０〜６５体積％であることがより好
ましい。
素体中における高分子マトリックスの含有量は、サーミ
スタ素体の体積を基準として、３５〜７０体積％である
ことが好ましく、４０〜６５体積％であることがより好
ましい。
【０１６７】低分子有機化合物は、熱衝撃試験における
熱処理によりＰＴＣサーミスタの抵抗−温度特性曲線に
あらわれるヒステリシスを低減するために添加されるも
のである。この低分子有機化合物は、先に述べたように
その分子量（数平均分子量）が１００〜３０００、好ま
しくは５００〜１０００である。
熱処理によりＰＴＣサーミスタの抵抗−温度特性曲線に
あらわれるヒステリシスを低減するために添加されるも
のである。この低分子有機化合物は、先に述べたように
その分子量（数平均分子量）が１００〜３０００、好ま
しくは５００〜１０００である。
【０１６８】また、先に述べた本発明の効果をより確実
に得る観点から、低分子化合物の融点は９０〜１１５が
好ましい。また、上記と同様の観点から、この低分子有
機化合物の２５℃における針入度は、２〜７であること
が好ましく０．５〜６．５であることことがより好まし
い。
に得る観点から、低分子化合物の融点は９０〜１１５が
好ましい。また、上記と同様の観点から、この低分子有
機化合物の２５℃における針入度は、２〜７であること
が好ましく０．５〜６．５であることことがより好まし
い。
【０１６９】このような低分子有機化合物としては、例
えば、パラフィンワックス（ポリエチレンワックス、マ
イクロクリスタリンワックス）のうち、上述の分子量の
条件を満たす化合物（更に、好ましくは上述の針入度の
条件を更に満たす化合物）を単独或いは２種以上を任意
に組み合せて使用してもよい。更に、先に述べた本発明
の効果をより確実に得る観点から、低分子有機化合物
は、分岐比率総和が６以下のエチレンホモポリマーが好
ましく、分岐比率総和が３以下のエチレンホモポリマー
であることがより好ましい。
えば、パラフィンワックス（ポリエチレンワックス、マ
イクロクリスタリンワックス）のうち、上述の分子量の
条件を満たす化合物（更に、好ましくは上述の針入度の
条件を更に満たす化合物）を単独或いは２種以上を任意
に組み合せて使用してもよい。更に、先に述べた本発明
の効果をより確実に得る観点から、低分子有機化合物
は、分岐比率総和が６以下のエチレンホモポリマーが好
ましく、分岐比率総和が３以下のエチレンホモポリマー
であることがより好ましい。
【０１７０】サーミスタ素体中における低分子有機化合
物の含有量は、サーミスタ素体の体積を基準として、２
〜３０体積％であることが好ましく、２〜２５体積％で
あることがより好ましい。
物の含有量は、サーミスタ素体の体積を基準として、２
〜３０体積％であることが好ましく、２〜２５体積％で
あることがより好ましい。
【０１７１】導電性粒子は、電子伝導性を有していれば
特に限定されないが、先に述べた本発明の効果をより確
実に得る観点から、導電性セラミック粉（例えば、Ｔｉ
Ｃ、ＷＣなど）、カーボンブラック、銀、タングステ
ン、及び、ニッケルからなる群より選択される少なくと
も１種の導電性物質からなる粒子であることが好まし
く、比表面積が１．５〜２．５ｍ2・ｇ-1であるニッケ
ルからなるフィラメント状の粒子であることがより好ま
しい。
特に限定されないが、先に述べた本発明の効果をより確
実に得る観点から、導電性セラミック粉（例えば、Ｔｉ
Ｃ、ＷＣなど）、カーボンブラック、銀、タングステ
ン、及び、ニッケルからなる群より選択される少なくと
も１種の導電性物質からなる粒子であることが好まし
く、比表面積が１．５〜２．５ｍ2・ｇ-1であるニッケ
ルからなるフィラメント状の粒子であることがより好ま
しい。
【０１７２】サーミスタ素体中における導電性粒子の含
有量は、サーミスタ素体の体積を基準として、２０〜６
０体積％であることが好ましく、２５〜５０体積％であ
ることがより好ましい。
有量は、サーミスタ素体の体積を基準として、２０〜６
０体積％であることが好ましく、２５〜５０体積％であ
ることがより好ましい。
【０１７３】このＰＴＣサーミスタも、上述の条件を満
たすように高分子マトリックス、低分子有機化合物及び
導電性粒子を選択し、更にそれぞれの含有量を調節して
サーミスタ素体を形成すること以外は、公知のＰＴＣサ
ーミスタの製造技術により製造することができる。
たすように高分子マトリックス、低分子有機化合物及び
導電性粒子を選択し、更にそれぞれの含有量を調節して
サーミスタ素体を形成すること以外は、公知のＰＴＣサ
ーミスタの製造技術により製造することができる。
【０１７４】［第７実施形態］次に、本発明のＰＴＣサ
ーミスタの第７実施形態｛先に述べたＰＴＣサーミスタ
（ＶＩＩ）の好適な一実施形態｝について説明する。
ーミスタの第７実施形態｛先に述べたＰＴＣサーミスタ
（ＶＩＩ）の好適な一実施形態｝について説明する。
【０１７５】第７実施形態のＰＴＣサーミスタ（図示せ
ず）は、後述するサーミスタ素体（図示せず）を有して
いること以外は、上述の第１実施形態のＰＴＣサーミス
タ１０と同様の構成を有する。
ず）は、後述するサーミスタ素体（図示せず）を有して
いること以外は、上述の第１実施形態のＰＴＣサーミス
タ１０と同様の構成を有する。
【０１７６】このＰＴＣサーミスタのサーミスタ素体
は、高分子マトリックスと、低分子有機化合物と、電子
伝導性を有する導電性粒子とからなる成形体である。そ
して、このサーミスタ素体は、熱衝撃試験後に得られる
ＰＴＣサーミスタの抵抗値が０.０３Ω以下であり、１
００℃以下の動作温度で繰り返し動作させた場合であっ
ても使用初期に得られる抵抗値を充分に維持可能とする
ために以下の構成を有している。
は、高分子マトリックスと、低分子有機化合物と、電子
伝導性を有する導電性粒子とからなる成形体である。そ
して、このサーミスタ素体は、熱衝撃試験後に得られる
ＰＴＣサーミスタの抵抗値が０.０３Ω以下であり、１
００℃以下の動作温度で繰り返し動作させた場合であっ
ても使用初期に得られる抵抗値を充分に維持可能とする
ために以下の構成を有している。
【０１７７】サーミスタ素体に含有される高分子マトリ
ックスは、先に述べたようにその分子量（数平均分子
量）が１００００〜４０００００、好ましくは１０００
００〜２０００００である。
ックスは、先に述べたようにその分子量（数平均分子
量）が１００００〜４０００００、好ましくは１０００
００〜２０００００である。
【０１７８】更に、上述の本発明の効果をより確実に得
る観点から、高分子マトリックスの融解開始温度は、８
０〜１１５℃であることが好ましく、８５〜９５℃であ
ることがより好ましい。また、上記と同様の観点から、
高分子マトリックスの融点は、動作温度の観点から９０
〜１３８℃であることが好ましく、１００〜１２５℃で
あることがより好ましい。更に、上記と同様の観点か
ら、高分子マトリックスの密度は９１５〜９３５ｋｇ・
ｍ-3であることが好ましく、９２０〜９２８ｋｇ・ｍ-3
であることがより好ましい。
る観点から、高分子マトリックスの融解開始温度は、８
０〜１１５℃であることが好ましく、８５〜９５℃であ
ることがより好ましい。また、上記と同様の観点から、
高分子マトリックスの融点は、動作温度の観点から９０
〜１３８℃であることが好ましく、１００〜１２５℃で
あることがより好ましい。更に、上記と同様の観点か
ら、高分子マトリックスの密度は９１５〜９３５ｋｇ・
ｍ-3であることが好ましく、９２０〜９２８ｋｇ・ｍ-3
であることがより好ましい。
【０１７９】また、導電性粒子に対して線膨張係数の差
が低い結晶性ポリマーを高分子マトリックスとして用い
る観点から、このＰＴＣサーミスタの場合、高分子マト
リックスの線膨張係数は、１．００×１０-4〜５．４３
×１０-4であることが好ましい。
が低い結晶性ポリマーを高分子マトリックスとして用い
る観点から、このＰＴＣサーミスタの場合、高分子マト
リックスの線膨張係数は、１．００×１０-4〜５．４３
×１０-4であることが好ましい。
【０１８０】また、先に述べたように良好な抵抗−温度
特性を得る観点から、高分子マトリックスの融点Ｔ１
［℃］と、低分子有機化合物の融点Ｔ２［℃］との差Ｔ
１−Ｔ２は、７〜４８℃であることが好ましく、７〜４
０．５℃であることがより好ましい。これにより抵抗−
温度特性曲線におけるヒステリシスの小さなＰＴＣサー
ミスタを得ることが容易にできる。
特性を得る観点から、高分子マトリックスの融点Ｔ１
［℃］と、低分子有機化合物の融点Ｔ２［℃］との差Ｔ
１−Ｔ２は、７〜４８℃であることが好ましく、７〜４
０．５℃であることがより好ましい。これにより抵抗−
温度特性曲線におけるヒステリシスの小さなＰＴＣサー
ミスタを得ることが容易にできる。
【０１８１】このような高分子マトリックスとしては、
例えば、特開平１１−１６８００６号公報に記載された
高分子材料のうち、上述の分子量を少なくとも満たす化
合物（更に、好ましくは上述の融解開始温度の条件、線
膨張係数の条件、密度の条件及び低分子有機化合物との
融点差の条件のうちの少なくとも１つの条件を更に満た
す化合物）を単独或いは２種以上を任意に組み合せて使
用してもよい。更に、高分子マトリックスとしては、ポ
リエチレンであることが好ましく、低密度ポリエチレン
がより好ましく、メタロセン系触媒を用いた重合反応に
より製造された直鎖状の低密度ポリエチレンが更に好ま
しい。
例えば、特開平１１−１６８００６号公報に記載された
高分子材料のうち、上述の分子量を少なくとも満たす化
合物（更に、好ましくは上述の融解開始温度の条件、線
膨張係数の条件、密度の条件及び低分子有機化合物との
融点差の条件のうちの少なくとも１つの条件を更に満た
す化合物）を単独或いは２種以上を任意に組み合せて使
用してもよい。更に、高分子マトリックスとしては、ポ
リエチレンであることが好ましく、低密度ポリエチレン
がより好ましく、メタロセン系触媒を用いた重合反応に
より製造された直鎖状の低密度ポリエチレンが更に好ま
しい。
【０１８２】この「直鎖状の低密度ポリエチレン」も、
先に述べたメタロセン系触媒を用いた重合反応により製
造された中・低圧法ポリエチレンであり、その分子量分
布が比較的狭いものである。「メタロセン系触媒」も、
ビス（シクロペンタジニエル）金属錯体系の触媒であ
り、先に述べた一般式（５）で表現される化合物を示
す。
先に述べたメタロセン系触媒を用いた重合反応により製
造された中・低圧法ポリエチレンであり、その分子量分
布が比較的狭いものである。「メタロセン系触媒」も、
ビス（シクロペンタジニエル）金属錯体系の触媒であ
り、先に述べた一般式（５）で表現される化合物を示
す。
【０１８３】このＰＴＣサーミスタの場合、サーミスタ
素体中における高分子マトリックスの含有量は、サーミ
スタ素体の体積を基準として、３５〜７０体積％である
ことが好ましく、４０〜６５体積％であることがより好
ましい。
素体中における高分子マトリックスの含有量は、サーミ
スタ素体の体積を基準として、３５〜７０体積％である
ことが好ましく、４０〜６５体積％であることがより好
ましい。
【０１８４】低分子有機化合物は、熱衝撃試験における
熱処理によりＰＴＣサーミスタの抵抗−温度特性曲線に
あらわれるヒステリシスを低減するために添加されるも
のである。この低分子有機化合物は、先に述べたように
その分子量（数平均分子量）が１００〜３０００、好ま
しくは５００〜１０００である。
熱処理によりＰＴＣサーミスタの抵抗−温度特性曲線に
あらわれるヒステリシスを低減するために添加されるも
のである。この低分子有機化合物は、先に述べたように
その分子量（数平均分子量）が１００〜３０００、好ま
しくは５００〜１０００である。
【０１８５】また、先に述べた本発明の効果をより確実
に得る観点から、低分子化合物の融点は９０〜１１５が
好ましい。また、上記と同様の観点から、この低分子有
機化合物の２５℃における針入度は、２〜７であること
が好ましく０．５〜６．５であることことがより好まし
い。
に得る観点から、低分子化合物の融点は９０〜１１５が
好ましい。また、上記と同様の観点から、この低分子有
機化合物の２５℃における針入度は、２〜７であること
が好ましく０．５〜６．５であることことがより好まし
い。
【０１８６】このような低分子有機化合物としては、例
えば、パラフィンワックス（ポリエチレンワックス、マ
イクロクリスタリンワックス）のうち、上述の分子量の
条件を満たす化合物（更に、好ましくは上述の針入度の
条件を更に満たす化合物）を単独或いは２種以上を任意
に組み合せて使用してもよい。更に、先に述べた本発明
の効果をより確実に得る観点から、低分子有機化合物
は、分岐比率総和が６以下のエチレンホモポリマーが好
ましく、分岐比率総和が３以下のエチレンホモポリマー
であることがより好ましい。
えば、パラフィンワックス（ポリエチレンワックス、マ
イクロクリスタリンワックス）のうち、上述の分子量の
条件を満たす化合物（更に、好ましくは上述の針入度の
条件を更に満たす化合物）を単独或いは２種以上を任意
に組み合せて使用してもよい。更に、先に述べた本発明
の効果をより確実に得る観点から、低分子有機化合物
は、分岐比率総和が６以下のエチレンホモポリマーが好
ましく、分岐比率総和が３以下のエチレンホモポリマー
であることがより好ましい。
【０１８７】サーミスタ素体中における低分子有機化合
物の含有量は、サーミスタ素体の体積を基準として、２
〜３０体積％であることが好ましく、２〜２５体積％で
あることがより好ましい。
物の含有量は、サーミスタ素体の体積を基準として、２
〜３０体積％であることが好ましく、２〜２５体積％で
あることがより好ましい。
【０１８８】導電性粒子は、このＰＴＣサーミスタの場
合には、先に述べたように本発明の効果を得る観点か
ら、比表面積が１．５〜２．５ｍ2・ｇ-1であるニッケ
ルからなるフィラメント状の粒子である。
合には、先に述べたように本発明の効果を得る観点か
ら、比表面積が１．５〜２．５ｍ2・ｇ-1であるニッケ
ルからなるフィラメント状の粒子である。
【０１８９】サーミスタ素体中におけるニッケルからな
るフィラメント状の粒子の含有量は、サーミスタ素体の
体積を基準として、２０〜６０体積％であることが好ま
しく、２５〜５０体積％であることがより好ましい。
るフィラメント状の粒子の含有量は、サーミスタ素体の
体積を基準として、２０〜６０体積％であることが好ま
しく、２５〜５０体積％であることがより好ましい。
【０１９０】このＰＴＣサーミスタも、上述の条件を満
たすように高分子マトリックス、低分子有機化合物及び
導電性粒子を選択し、更にそれぞれの含有量を調節して
サーミスタ素体を形成すること以外は、公知のＰＴＣサ
ーミスタの製造技術により製造することができる。
たすように高分子マトリックス、低分子有機化合物及び
導電性粒子を選択し、更にそれぞれの含有量を調節して
サーミスタ素体を形成すること以外は、公知のＰＴＣサ
ーミスタの製造技術により製造することができる。
【０１９１】
【実施例】以下、実施例及び比較例を挙げて本発明のＰ
ＴＣサーミスタについて更に詳しく説明するが、本発明
はこれらの実施例に何ら限定されるものではない。
ＴＣサーミスタについて更に詳しく説明するが、本発明
はこれらの実施例に何ら限定されるものではない。
【０１９２】［実施例１］高分子マトリクスとしてメタ
ロセン系触媒を使用して製造した直鎖状の低密度ポリエ
チレン（融解開始温度８５℃、融点１２２℃、比重０．
９３、数平均分子量：３６，０００）を４５体積％、低
分子有機化合物としてのポリエチレンワックス（融点９
０℃、数平均分子量：６００）を２５体積％、導電性粒
子としてニッケルからなるフィラメント状の粒子（平均
粒径：０．７μｍ）３０体積％を、ミルに投入し、１５
０℃の温度で３０分間加熱混練した。
ロセン系触媒を使用して製造した直鎖状の低密度ポリエ
チレン（融解開始温度８５℃、融点１２２℃、比重０．
９３、数平均分子量：３６，０００）を４５体積％、低
分子有機化合物としてのポリエチレンワックス（融点９
０℃、数平均分子量：６００）を２５体積％、導電性粒
子としてニッケルからなるフィラメント状の粒子（平均
粒径：０．７μｍ）３０体積％を、ミルに投入し、１５
０℃の温度で３０分間加熱混練した。
【０１９３】混練終了後、この混練物の両面を厚さ２５
μｍのニッケル箔（電極）で挟み、熱プレス機により１
５０℃で混練物とニッケル箔を圧着し、全体で厚さ０．
３ｍｍ、直径１００ｍｍの成形品を得た。そして成形品
の両面に２００ｋＧｙの条件で電子線照射することによ
り、成形品内部の高分子材料の架橋反応を進行させ、熱
的、機械的に安定化させた後、縦横の寸法が９ｍｍ×３
ｍｍの角型に打ち抜いた。このようにして、低分子有機
化合物と高分子マトリックスと導電性粒子とを含む混練
成形シート（サーミスタ素体）が、ニッケル箔により形
成された２枚の電極の間に密着した状態で配置された
（挟持された）構造を有するＰＴＣサーミスタを得た。
μｍのニッケル箔（電極）で挟み、熱プレス機により１
５０℃で混練物とニッケル箔を圧着し、全体で厚さ０．
３ｍｍ、直径１００ｍｍの成形品を得た。そして成形品
の両面に２００ｋＧｙの条件で電子線照射することによ
り、成形品内部の高分子材料の架橋反応を進行させ、熱
的、機械的に安定化させた後、縦横の寸法が９ｍｍ×３
ｍｍの角型に打ち抜いた。このようにして、低分子有機
化合物と高分子マトリックスと導電性粒子とを含む混練
成形シート（サーミスタ素体）が、ニッケル箔により形
成された２枚の電極の間に密着した状態で配置された
（挟持された）構造を有するＰＴＣサーミスタを得た。
【０１９４】［実施例２］高分子マトリクスとして表１
に示す特性（例えば、融点開始温度：９５℃）を有する
メタロセン系触媒を使用して製造した直鎖状の低密度ポ
リエチレンを用いたこと以外は実施例１と同様の手順及
び条件でＰＴＣサーミスタを作製した。
に示す特性（例えば、融点開始温度：９５℃）を有する
メタロセン系触媒を使用して製造した直鎖状の低密度ポ
リエチレンを用いたこと以外は実施例１と同様の手順及
び条件でＰＴＣサーミスタを作製した。
【０１９５】［実施例３］高分子マトリックスとしてメ
タロセン系触媒を使用して製造した直鎖状の低密度ポリ
エチレン（融点：１２２℃、密度：９２５ｋｇ／ｍ3）
を４０．０体積％、低分子有機化合物としてのポリエチ
レンワックス（融点：９０℃）を２５体積％、導電性粒
子としてニッケルからなるフィラメント状の粒子（平均
粒径：０．７μｍ）３５体積％を、ミルに投入し、１５
０℃の温度で３０分間加熱混練したこと以外は、実施例
１と同様の手順及び条件でＰＴＣサーミスタを作製し
た。 ［実施例４］高分子マトリックスとしてのメタロセン系
触媒を使用して製造した直鎖状の低密度ポリエチレン
（融点１１６℃、密度９１５ｋｇ／ｍ3）を４５．０体
積％、低分子有機化合物として、一分子当たりの分岐比
率総和が０〜３のエチレンホモポリマー（融点：９９
℃）を２５体積％、導電性粒子としてニッケルからなる
フィラメント状の粒子（平均粒径０．７μｍ）３０体積
％を、ミルに投入し、１５０℃の温度で３０分間加熱混
練したこと以外は、実施例１と同様の手順及び条件でＰ
ＴＣサーミスタを作製した。
タロセン系触媒を使用して製造した直鎖状の低密度ポリ
エチレン（融点：１２２℃、密度：９２５ｋｇ／ｍ3）
を４０．０体積％、低分子有機化合物としてのポリエチ
レンワックス（融点：９０℃）を２５体積％、導電性粒
子としてニッケルからなるフィラメント状の粒子（平均
粒径：０．７μｍ）３５体積％を、ミルに投入し、１５
０℃の温度で３０分間加熱混練したこと以外は、実施例
１と同様の手順及び条件でＰＴＣサーミスタを作製し
た。 ［実施例４］高分子マトリックスとしてのメタロセン系
触媒を使用して製造した直鎖状の低密度ポリエチレン
（融点１１６℃、密度９１５ｋｇ／ｍ3）を４５．０体
積％、低分子有機化合物として、一分子当たりの分岐比
率総和が０〜３のエチレンホモポリマー（融点：９９
℃）を２５体積％、導電性粒子としてニッケルからなる
フィラメント状の粒子（平均粒径０．７μｍ）３０体積
％を、ミルに投入し、１５０℃の温度で３０分間加熱混
練したこと以外は、実施例１と同様の手順及び条件でＰ
ＴＣサーミスタを作製した。
【０１９６】［実施例５］高分子マトリックスとしての
メタロセン系触媒を使用して製造した直鎖状の低密度ポ
リエチレンを４５．０体積％、低分子有機化合物とし
て、エチレンホモポリマー（融点：９９℃、２５℃にお
ける針入度：２．０）を２５体積％、導電性粒子として
ニッケルからなるフィラメント状の粒子（平均粒径：
２．５μｍ）３５体積％を、ミルに投入し、１５０℃の
温度で３０分間加熱混練したこと以外は、実施例１と同
様の手順及び条件でＰＴＣサーミスタを作製した。
メタロセン系触媒を使用して製造した直鎖状の低密度ポ
リエチレンを４５．０体積％、低分子有機化合物とし
て、エチレンホモポリマー（融点：９９℃、２５℃にお
ける針入度：２．０）を２５体積％、導電性粒子として
ニッケルからなるフィラメント状の粒子（平均粒径：
２．５μｍ）３５体積％を、ミルに投入し、１５０℃の
温度で３０分間加熱混練したこと以外は、実施例１と同
様の手順及び条件でＰＴＣサーミスタを作製した。
【０１９７】［実施例６］高分子マトリックスとして、
メタロセン系触媒を使用して製造した直鎖状の低密度ポ
リエチレン（融解開始温度：８５℃，密度：９２５ｋｇ
／ｍ3）を４５．０体積％、低分子有機化合物として、
一分子当たりの分岐比率総和が０〜３、針入度が２のエ
チレンホモポリマーを２５体積％、導電性粒子としてニ
ッケルからなるフィラメント状の粒子（平均粒径２．５
μｍ）３５体積％を、ミルに投入し、１５０℃の温度で
３０分間加熱混練したこと以外は、実施例１と同様の手
順及び条件でＰＴＣサーミスタを作製した。
メタロセン系触媒を使用して製造した直鎖状の低密度ポ
リエチレン（融解開始温度：８５℃，密度：９２５ｋｇ
／ｍ3）を４５．０体積％、低分子有機化合物として、
一分子当たりの分岐比率総和が０〜３、針入度が２のエ
チレンホモポリマーを２５体積％、導電性粒子としてニ
ッケルからなるフィラメント状の粒子（平均粒径２．５
μｍ）３５体積％を、ミルに投入し、１５０℃の温度で
３０分間加熱混練したこと以外は、実施例１と同様の手
順及び条件でＰＴＣサーミスタを作製した。
【０１９８】［実施例７］〜［実施例１２］高分子マト
リクスとして表１に示す特性を有するメタロセン系触媒
を使用して製造した直鎖状の低密度ポリエチレンを用
い、低分子有機化合物として表１に示す特性を有するエ
チレンホモポリマーを用い、導電性粒子として、表１に
示す特性を有するニッケルからなるフィラメント状の粒
子を用いたこと以外は実施例１と同様の手順及び条件で
各ＰＴＣサーミスタを作製した。なお、［実施例７］〜
［実施例１２］の各々のＰＴＣサーミスタについて、高
分子マトリクスの含有量（体積％）、低分子有機化合物
の含有量（体積％）、導電性粒子の含有量（体積％）は
実施例１のＰＴＣサーミスタと同じ値とした。
リクスとして表１に示す特性を有するメタロセン系触媒
を使用して製造した直鎖状の低密度ポリエチレンを用
い、低分子有機化合物として表１に示す特性を有するエ
チレンホモポリマーを用い、導電性粒子として、表１に
示す特性を有するニッケルからなるフィラメント状の粒
子を用いたこと以外は実施例１と同様の手順及び条件で
各ＰＴＣサーミスタを作製した。なお、［実施例７］〜
［実施例１２］の各々のＰＴＣサーミスタについて、高
分子マトリクスの含有量（体積％）、低分子有機化合物
の含有量（体積％）、導電性粒子の含有量（体積％）は
実施例１のＰＴＣサーミスタと同じ値とした。
【０１９９】［実施例１３］〜［実施例２０］高分子マ
トリクスとして表２に示す特性を有するポリエチレンを
用い、低分子有機化合物として表２に示す特性を有する
エチレンホモポリマーを用い、導電性粒子として、表１
に示す特性を有するニッケルからなるフィラメント状の
粒子を用いたこと以外は実施例１と同様の手順及び条件
で各ＰＴＣサーミスタを作製した。なお、［実施例１
３］〜［実施例２０］の各々のＰＴＣサーミスタについ
て、高分子マトリクスの含有量（体積％）、低分子有機
化合物の含有量（体積％）、導電性粒子の含有量（体積
％）は実施例１のＰＴＣサーミスタと同じ値とした。
トリクスとして表２に示す特性を有するポリエチレンを
用い、低分子有機化合物として表２に示す特性を有する
エチレンホモポリマーを用い、導電性粒子として、表１
に示す特性を有するニッケルからなるフィラメント状の
粒子を用いたこと以外は実施例１と同様の手順及び条件
で各ＰＴＣサーミスタを作製した。なお、［実施例１
３］〜［実施例２０］の各々のＰＴＣサーミスタについ
て、高分子マトリクスの含有量（体積％）、低分子有機
化合物の含有量（体積％）、導電性粒子の含有量（体積
％）は実施例１のＰＴＣサーミスタと同じ値とした。
【０２００】［実施例２１］高分子マトリクスとして表
２に示す特性を有する低密度ポリエチレンを用い、低分
子有機化合物として表２に示す特性を有するエチレンホ
モポリマーを用い、導電性粒子として、表１に示す特性
を有するニッケルからなるフィラメント状の粒子を用い
たこと以外は実施例１と同様の手順及び条件でＰＴＣサ
ーミスタを作製した。なお、［実施例２１］のＰＴＣサ
ーミスタについて、高分子マトリクスの含有量（体積
％）、低分子有機化合物の含有量（体積％）、導電性粒
子の含有量（体積％）は実施例１のＰＴＣサーミスタと
同じ値とした。 ［実施例２２］高分子マトリクスとして表２に示す特性
を有するメタロセン系触媒を使用して製造した直鎖状の
低密度ポリエチレンを用い、低分子有機化合物として表
２に示す特性を有するエチレンホモポリマーを用い、導
電性粒子として、表１に示す特性を有するニッケルから
なるフィラメント状の粒子を用いたこと以外は実施例１
と同様の手順及び条件でＰＴＣサーミスタを作製した。
なお、［実施例２１］のＰＴＣサーミスタについて、高
分子マトリクスの含有量（体積％）、低分子有機化合物
の含有量（体積％）、導電性粒子の含有量（体積％）は
実施例１のＰＴＣサーミスタと同じ値とした。
２に示す特性を有する低密度ポリエチレンを用い、低分
子有機化合物として表２に示す特性を有するエチレンホ
モポリマーを用い、導電性粒子として、表１に示す特性
を有するニッケルからなるフィラメント状の粒子を用い
たこと以外は実施例１と同様の手順及び条件でＰＴＣサ
ーミスタを作製した。なお、［実施例２１］のＰＴＣサ
ーミスタについて、高分子マトリクスの含有量（体積
％）、低分子有機化合物の含有量（体積％）、導電性粒
子の含有量（体積％）は実施例１のＰＴＣサーミスタと
同じ値とした。 ［実施例２２］高分子マトリクスとして表２に示す特性
を有するメタロセン系触媒を使用して製造した直鎖状の
低密度ポリエチレンを用い、低分子有機化合物として表
２に示す特性を有するエチレンホモポリマーを用い、導
電性粒子として、表１に示す特性を有するニッケルから
なるフィラメント状の粒子を用いたこと以外は実施例１
と同様の手順及び条件でＰＴＣサーミスタを作製した。
なお、［実施例２１］のＰＴＣサーミスタについて、高
分子マトリクスの含有量（体積％）、低分子有機化合物
の含有量（体積％）、導電性粒子の含有量（体積％）は
実施例１のＰＴＣサーミスタと同じ値とした。
【０２０１】［比較例１］高分子マトリクスとして表２
に示す特性を有するポリエチレンを用い、低分子有機化
合物として表２に示す特性を有するエチレンホモポリマ
ーを用い、導電性粒子として、表１に示す特性を有する
ニッケルからなるフィラメント状の粒子を用いたこと以
外は実施例１と同様の手順及び条件で各ＰＴＣサーミス
タを作製した。［比較例１］のＰＴＣサーミスタについ
て、高分子マトリクスの含有量（体積％）、低分子有機
化合物の含有量（体積％）、導電性粒子の含有量（体積
％）は実施例１のＰＴＣサーミスタと同じ値とした。
に示す特性を有するポリエチレンを用い、低分子有機化
合物として表２に示す特性を有するエチレンホモポリマ
ーを用い、導電性粒子として、表１に示す特性を有する
ニッケルからなるフィラメント状の粒子を用いたこと以
外は実施例１と同様の手順及び条件で各ＰＴＣサーミス
タを作製した。［比較例１］のＰＴＣサーミスタについ
て、高分子マトリクスの含有量（体積％）、低分子有機
化合物の含有量（体積％）、導電性粒子の含有量（体積
％）は実施例１のＰＴＣサーミスタと同じ値とした。
【０２０２】［熱衝撃試験］このようにして作製した実
施例１〜実施例２２、及び、比較例１のＰＴＣサーミス
タについて、ＪＩＳ Ｃ ００２５規定に基づく熱衝撃
試験を行い、試験後の抵抗値を測定した。より詳しく
は、各ＰＴＣサーミスタに対して先に述べた（ｉ）工程
〜（ｉｖ）工程からなる１つの熱処理サイクルを２００
回繰り返し、その後に抵抗値｛室温（２５℃）で測定さ
れる値｝を測定した。その結果を表１及び表２に示す。
なお、表１及び表２には、各ＰＴＣサーミスタについて
熱衝撃試験を行う前の室温（２５℃）における初期抵抗
値は全て０.０３Ω以下であることを確認した。また、
熱衝撃試験を行うための装置として、エスペック社製の
商品名：「ＴＳＥ−１１−Ａ」及び商品名：「ＴＳＡ−
７１Ｈ−Ｗ」を使用した。
施例１〜実施例２２、及び、比較例１のＰＴＣサーミス
タについて、ＪＩＳ Ｃ ００２５規定に基づく熱衝撃
試験を行い、試験後の抵抗値を測定した。より詳しく
は、各ＰＴＣサーミスタに対して先に述べた（ｉ）工程
〜（ｉｖ）工程からなる１つの熱処理サイクルを２００
回繰り返し、その後に抵抗値｛室温（２５℃）で測定さ
れる値｝を測定した。その結果を表１及び表２に示す。
なお、表１及び表２には、各ＰＴＣサーミスタについて
熱衝撃試験を行う前の室温（２５℃）における初期抵抗
値は全て０.０３Ω以下であることを確認した。また、
熱衝撃試験を行うための装置として、エスペック社製の
商品名：「ＴＳＥ−１１−Ａ」及び商品名：「ＴＳＡ−
７１Ｈ−Ｗ」を使用した。
【０２０３】更に、表１及び表２に示す各サーミスタに
含まれる高分子マトリックスの融解開始温度は、先に述
べたように、高分子マトリックスを測定試料として示差
走査熱量測定法（ＤＳＣ）により分析した際に得られる
ＤＳＣ曲線を用いて決定した。これについて図２及び図
３を用いて説明する。図２は実施例１のＰＴＣサーミス
タに含まれる高分子マトリックスのＤＳＣ曲線を示すグ
ラフである。また、図３は実施例２のＰＴＣサーミスタ
に含まれる高分子マトリックスのＤＳＣ曲線を示すグラ
フである。
含まれる高分子マトリックスの融解開始温度は、先に述
べたように、高分子マトリックスを測定試料として示差
走査熱量測定法（ＤＳＣ）により分析した際に得られる
ＤＳＣ曲線を用いて決定した。これについて図２及び図
３を用いて説明する。図２は実施例１のＰＴＣサーミス
タに含まれる高分子マトリックスのＤＳＣ曲線を示すグ
ラフである。また、図３は実施例２のＰＴＣサーミスタ
に含まれる高分子マトリックスのＤＳＣ曲線を示すグラ
フである。
【０２０４】すなわち、図２に示す実施例１のＰＴＣサ
ーミスタ及び図３に示す実施例２のＰＴＣサーミスタの
場合、得られるそれぞれのＤＳＣ曲線の最初にあらわれ
る吸熱ピークの最も低温側にあらわれる変曲点における
接線Ｌ１とベースライン｛示差走査熱量＝０ｍＷを示す
直線であって温度軸（横軸）に平行な直線｝Ｌ２との交
点における温度を融解開始温度とした。
ーミスタ及び図３に示す実施例２のＰＴＣサーミスタの
場合、得られるそれぞれのＤＳＣ曲線の最初にあらわれ
る吸熱ピークの最も低温側にあらわれる変曲点における
接線Ｌ１とベースライン｛示差走査熱量＝０ｍＷを示す
直線であって温度軸（横軸）に平行な直線｝Ｌ２との交
点における温度を融解開始温度とした。
【０２０５】示差走査熱量測定は、示差走査熱量測定装
置（島津製作所製、商品名：「ＤＳＣ−５０」）を使用
した。測定条件は、昇温速度：２℃／ｍｉｎ、測定試料
量：１９.８ｍｇ、試料を収容するセル：アルミニウム
製セル、雰囲気ガス：空気（流量：２０ｍＬ／ｍｉ
ｎ）、標準物質（熱的に安定な物質）：α−Ａｌ2Ｏ3か
らなる粉末とした。
置（島津製作所製、商品名：「ＤＳＣ−５０」）を使用
した。測定条件は、昇温速度：２℃／ｍｉｎ、測定試料
量：１９.８ｍｇ、試料を収容するセル：アルミニウム
製セル、雰囲気ガス：空気（流量：２０ｍＬ／ｍｉ
ｎ）、標準物質（熱的に安定な物質）：α−Ａｌ2Ｏ3か
らなる粉末とした。
【０２０６】更に、表１及び表２に示す各サーミスタに
含まれる高分子マトリックスの線膨張係数の測定は以下
の手順により行った。即ち、測定試料となる高分子マト
リックスを、厚さ０．８ｍｍ、幅１０ｍｍ、長さ３０ｍ
ｍの短冊状とした。線膨張係数の測定装置（セイコー電
子社製、商品名：「ＴＭＡＳＳ６１００」）を使用し、
短冊状サンプルの長手方向の両端を治具にチャッキング
し、長手方向への引っ張りモードについて測定を行っ
た。測定温度は−４０〜８５℃の範囲で変化させ、サン
プルに与える振動周波数は１Ｈｚとし、長さの変化の測
定を行った。得られた膨張曲線から、最も安定した直線
が得られる温度範囲（２５〜６９℃）で線膨張係数を計
算した。
含まれる高分子マトリックスの線膨張係数の測定は以下
の手順により行った。即ち、測定試料となる高分子マト
リックスを、厚さ０．８ｍｍ、幅１０ｍｍ、長さ３０ｍ
ｍの短冊状とした。線膨張係数の測定装置（セイコー電
子社製、商品名：「ＴＭＡＳＳ６１００」）を使用し、
短冊状サンプルの長手方向の両端を治具にチャッキング
し、長手方向への引っ張りモードについて測定を行っ
た。測定温度は−４０〜８５℃の範囲で変化させ、サン
プルに与える振動周波数は１Ｈｚとし、長さの変化の測
定を行った。得られた膨張曲線から、最も安定した直線
が得られる温度範囲（２５〜６９℃）で線膨張係数を計
算した。
【０２０７】また、実施例７〜実施例１２の各ＰＴＣサ
ーミスタについては、それぞれの抵抗−温度特性を示す
グラフを、図４〜図９にそれぞれ示す。
ーミスタについては、それぞれの抵抗−温度特性を示す
グラフを、図４〜図９にそれぞれ示す。
【０２０８】更に、各ＰＴＣサーミスタの動作温度は、
６Ｖの電圧を掛けて短絡電流を流した後の１００秒後の
表面温度を動作温度として測定した。その結果、実施例
１のＰＴＣサーミスタは９０℃、実施例２のＰＴＣサー
ミスタは９５℃、実施例３のＰＴＣサーミスタは９０
℃、実施例４のＰＴＣサーミスタは９０℃、実施例５の
ＰＴＣサーミスタは８８℃、実施例６のＰＴＣサーミス
タは９０℃、実施例７のＰＴＣサーミスタは８２℃、実
施例８のＰＴＣサーミスタは８８℃、実施例９のＰＴＣ
サーミスタは８９℃、実施例１０のＰＴＣサーミスタは
９０℃、実施例１１のＰＴＣサーミスタは９５℃、実施
例１２のＰＴＣサーミスタは１００℃、実施例１３のＰ
ＴＣサーミスタは１００℃、実施例１４のＰＴＣサーミ
スタは９９℃、実施例１５のＰＴＣサーミスタは９７
℃、実施例１６のＰＴＣサーミスタは９５℃、実施例１
７のＰＴＣサーミスタは９７℃、実施例１８のＰＴＣサ
ーミスタは９５℃、実施例１９のＰＴＣサーミスタは９
７℃、実施例２０のＰＴＣサーミスタは９０℃、実施例
２１のＰＴＣサーミスタは９０℃、実施例２２のＰＴＣ
サーミスタは９５℃、比較例１のＰＴＣサーミスタは８
０℃であった。
６Ｖの電圧を掛けて短絡電流を流した後の１００秒後の
表面温度を動作温度として測定した。その結果、実施例
１のＰＴＣサーミスタは９０℃、実施例２のＰＴＣサー
ミスタは９５℃、実施例３のＰＴＣサーミスタは９０
℃、実施例４のＰＴＣサーミスタは９０℃、実施例５の
ＰＴＣサーミスタは８８℃、実施例６のＰＴＣサーミス
タは９０℃、実施例７のＰＴＣサーミスタは８２℃、実
施例８のＰＴＣサーミスタは８８℃、実施例９のＰＴＣ
サーミスタは８９℃、実施例１０のＰＴＣサーミスタは
９０℃、実施例１１のＰＴＣサーミスタは９５℃、実施
例１２のＰＴＣサーミスタは１００℃、実施例１３のＰ
ＴＣサーミスタは１００℃、実施例１４のＰＴＣサーミ
スタは９９℃、実施例１５のＰＴＣサーミスタは９７
℃、実施例１６のＰＴＣサーミスタは９５℃、実施例１
７のＰＴＣサーミスタは９７℃、実施例１８のＰＴＣサ
ーミスタは９５℃、実施例１９のＰＴＣサーミスタは９
７℃、実施例２０のＰＴＣサーミスタは９０℃、実施例
２１のＰＴＣサーミスタは９０℃、実施例２２のＰＴＣ
サーミスタは９５℃、比較例１のＰＴＣサーミスタは８
０℃であった。
【０２０９】
【表１】
【０２１０】
【表２】
【０２１１】表１及び表２に示した結果から明らかなよ
うに、実施例１〜実施例２２の各ＰＴＣサーミスタは、
熱衝撃試験後に得られる抵抗値が０.０３Ω以下であ
り、１００℃以下の動作温度で繰り返し動作させた場合
であっても、使用初期に得られる充分に低い抵抗値を充
分に維持することができ、優れた信頼性を有しているこ
とが確認された。
うに、実施例１〜実施例２２の各ＰＴＣサーミスタは、
熱衝撃試験後に得られる抵抗値が０.０３Ω以下であ
り、１００℃以下の動作温度で繰り返し動作させた場合
であっても、使用初期に得られる充分に低い抵抗値を充
分に維持することができ、優れた信頼性を有しているこ
とが確認された。
【０２１２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
熱衝撃試験後に得られる抵抗値が０.０３Ω以下であ
り、１００℃以下の動作温度で繰り返し動作させた場合
であっても、使用初期に得られる充分に低い抵抗値を充
分に維持することのできる信頼性に優れたＰＴＣサーミ
スタを得ることができる。
熱衝撃試験後に得られる抵抗値が０.０３Ω以下であ
り、１００℃以下の動作温度で繰り返し動作させた場合
であっても、使用初期に得られる充分に低い抵抗値を充
分に維持することのできる信頼性に優れたＰＴＣサーミ
スタを得ることができる。
【図１】本発明のＰＴＣサーミスタの第１実施形態の基
本構成を示す模式断面図である。
本構成を示す模式断面図である。
【図２】実施例１のＰＴＣサーミスタに含まれる高分子
マトリックスのＤＳＣ曲線を示すグラフである。
マトリックスのＤＳＣ曲線を示すグラフである。
【図３】実施例２のＰＴＣサーミスタに含まれる高分子
マトリックスのＤＳＣ曲線を示すグラフである。
マトリックスのＤＳＣ曲線を示すグラフである。
【図４】実施例７のＰＴＣサーミスタの場合の抵抗−温
度特性を示すグラフである。
度特性を示すグラフである。
【図５】実施例８のＰＴＣサーミスタの場合の抵抗−温
度特性を示すグラフである。
度特性を示すグラフである。
【図６】実施例９のＰＴＣサーミスタの場合の抵抗−温
度特性を示すグラフである。
度特性を示すグラフである。
【図７】実施例１０のＰＴＣサーミスタの場合の抵抗−
温度特性を示すグラフである。
温度特性を示すグラフである。
【図８】実施例１１のＰＴＣサーミスタの場合の抵抗−
温度特性を示すグラフである。
温度特性を示すグラフである。
【図９】実施例１２のＰＴＣサーミスタの場合の抵抗−
温度特性を示すグラフである。
温度特性を示すグラフである。
１…サーミスタ素体、２…電極、３…電極、４…リード
線、５…リード線、１０…ＰＴＣサーミスタ。
線、５…リード線、１０…ＰＴＣサーミスタ。
Claims (30)
- 【請求項１】 互いに対向した状態で配置された１対の
電極と、前記１対の電極の間に配置されておりかつ正の
抵抗-温度特性を有するサーミスタ素体と、を少なくと
も有するＰＴＣサーミスタであって、 前記サーミスタ素体は、高分子マトリックスと、低分子
有機化合物と、電子伝導性を有する導電性粒子とからな
る成形体であり、 前記高分子マトリックスの分子量が１００００〜４００
０００であり、 前記低分子有機化合物の分子量が１００〜３０００であ
り、 前記高分子マトリックスが、８５〜９５℃の融解開始温
度を有するオレフィン系高分子化合物であること、を特
徴とするＰＴＣサーミスタ。 - 【請求項２】 前記高分子マトリックスの密度が９２０
〜９２８ｋｇ・ｍ-3であること、を特徴とする請求項１
に記載のＰＴＣサーミスタ。 - 【請求項３】 前記高分子マトリックスの線膨張係数が
１．００×１０-4〜５．４３×１０-4であること、を特
徴とする請求項１又は２に記載のＰＴＣサーミスタ。 - 【請求項４】 前記高分子マトリックスがポリエチレン
であること、を特徴とする請求項１〜３のうちの何れか
１項に記載のＰＴＣサーミスタ。 - 【請求項５】 前記ポリエチレンがメタロセン系触媒を
用いた重合反応により得られる直鎖状の低密度ポリエチ
レンであることを特徴とする請求項４に記載のＰＴＣサ
ーミスタ。 - 【請求項６】 前記低分子有機化合物の２５℃における
針入度が０．５〜６．５であること、を特徴とする請求
項１〜５のうちの何れか１項に記載のＰＴＣサーミス
タ。 - 【請求項７】 前記低分子有機化合物は、分岐比率総和
が３以下のエチレンホモポリマーであること、を特徴と
する請求項１〜６のうちの何れか１項に記載のＰＴＣサ
ーミスタ。 - 【請求項８】 前記高分子マトリックスの融点Ｔ１
［℃］と、前記低分子有機化合物の融点Ｔ２［℃］とが
下記式（Ａ）で表される条件を満たしていること、を特
徴とする請求項１〜７のうちの何れか１項に記載のＰＴ
Ｃサーミスタ。 ７℃≦（Ｔ１−Ｔ２）≦４０．５℃…（Ａ） - 【請求項９】 前記導電性粒子がニッケルからなるフィ
ラメント状の粒子であり、かつ、該粒子の比表面積が
１．５〜２．５ｍ2・ｇ-1であること、を特徴とする請
求項１〜８のうちの何れか１項に記載のＰＴＣサーミス
タ。 - 【請求項１０】 互いに対向した状態で配置された１対
の電極と、前記１対の電極の間に配置されておりかつ正
の抵抗-温度特性を有するサーミスタ素体と、を少なく
とも有するＰＴＣサーミスタであって、 前記サーミスタ素体は、高分子マトリックスと、低分子
有機化合物と、電子伝導性を有する導電性粒子とからな
る成形体であり、 前記高分子マトリックスの分子量が１００００〜４００
０００であり、 前記低分子有機化合物の分子量が１００〜３０００であ
り、 前記高分子マトリックスの密度が９２０〜９２８ｋｇ・
ｍ-3であること、を特徴とするＰＴＣサーミスタ。 - 【請求項１１】 前記高分子マトリックスの線膨張係数
が１．００×１０-4〜５．４３×１０-4であること、を
特徴とする請求項１０に記載のＰＴＣサーミスタ。 - 【請求項１２】 前記低分子有機化合物の２５℃におけ
る針入度が０．５〜６．５であること、を特徴とする請
求項１０又は１１に記載のＰＴＣサーミスタ。 - 【請求項１３】 前記低分子有機化合物は、分岐比率総
和が３以下のエチレンホモポリマーであること、を特徴
とする請求項１０〜１２のうちの何れか１項に記載のＰ
ＴＣサーミスタ。 - 【請求項１４】 前記高分子マトリックスの融点Ｔ１
［℃］と、前記低分子有機化合物の融点Ｔ２［℃］とが
下記式（Ａ）で表される条件を満たしていること、を特
徴とする請求項１０〜１３のうちの何れか１項に記載の
ＰＴＣサーミスタ。 ７℃≦（Ｔ１−Ｔ２）≦４０．５℃…（Ａ） - 【請求項１５】 前記導電性粒子がニッケルからなるフ
ィラメント状の粒子であり、かつ、該粒子の比表面積が
１．５〜２．５ｍ2・ｇ-1であること、を特徴とする請
求項１０〜１４のうちの何れか１項に記載のＰＴＣサー
ミスタ。 - 【請求項１６】 互いに対向した状態で配置された１対
の電極と、前記１対の電極の間に配置されておりかつ正
の抵抗-温度特性を有するサーミスタ素体と、を少なく
とも有するＰＴＣサーミスタであって、 前記サーミスタ素体は、高分子マトリックスと、低分子
有機化合物と、電子伝導性を有する導電性粒子とからな
る成形体であり、 前記高分子マトリックスの分子量が１００００〜４００
０００であり、 前記低分子有機化合物の分子量が１００〜３０００であ
り、 前記高分子マトリックスの線膨張係数が１．００×１０
-4〜５．４３×１０-4であること、を特徴とするＰＴＣ
サーミスタ。 - 【請求項１７】 前記低分子有機化合物の２５℃におけ
る針入度が０．５〜６．５であること、を特徴とする請
求項１６に記載のＰＴＣサーミスタ。 - 【請求項１８】 前記低分子有機化合物は、分岐比率総
和が３以下のエチレンホモポリマーであること、を特徴
とする請求項１６又は１７に記載のＰＴＣサーミスタ。 - 【請求項１９】 前記高分子マトリックスの融点Ｔ１
［℃］と、前記低分子有機化合物の融点Ｔ２［℃］とが
下記式（Ａ）で表される条件を満たしていること、を特
徴とする請求項１６〜１８のうちの何れか１項に記載の
ＰＴＣサーミスタ。 ７℃≦（Ｔ１−Ｔ２）≦４０．５℃…（Ａ） - 【請求項２０】 前記導電性粒子がニッケルからなるフ
ィラメント状の粒子であり、かつ、該粒子の比表面積が
１．５〜２．５ｍ2・ｇ-1であること、を特徴とする請
求項１６〜１９のうちの何れか１項に記載のＰＴＣサー
ミスタ。 - 【請求項２１】 互いに対向した状態で配置された１対
の電極と、前記１対の電極の間に配置されておりかつ正
の抵抗-温度特性を有するサーミスタ素体と、を少なく
とも有するＰＴＣサーミスタであって、 前記サーミスタ素体は、高分子マトリックスと、低分子
有機化合物と、電子伝導性を有する導電性粒子とからな
る成形体であり、 前記高分子マトリックスの分子量が１００００〜４００
０００であり、 前記低分子有機化合物の分子量が１００〜３０００であ
り、 前記低分子有機化合物の２５℃における針入度が０．５
〜６．５であること、を特徴とするＰＴＣサーミスタ。 - 【請求項２２】 前記低分子有機化合物は、分岐比率総
和が３以下のエチレンホモポリマーであること、を特徴
とする請求項２１に記載のＰＴＣサーミスタ。 - 【請求項２３】 前記高分子マトリックスの融点Ｔ１
［℃］と、前記低分子有機化合物の融点Ｔ２［℃］とが
下記式（Ａ）で表される条件を満たしていること、を特
徴とする請求項２１又は２２に記載のＰＴＣサーミス
タ。 ７℃≦（Ｔ１−Ｔ２）≦４０．５℃…（Ａ） - 【請求項２４】 前記導電性粒子がニッケルからなるフ
ィラメント状の粒子であり、かつ、該粒子の比表面積が
１．５〜２．５ｍ2・ｇ-1であること、を特徴とする請
求項２１〜２３のうちの何れか１項に記載のＰＴＣサー
ミスタ。 - 【請求項２５】 互いに対向した状態で配置された１対
の電極と、前記１対の電極の間に配置されておりかつ正
の抵抗-温度特性を有するサーミスタ素体と、を少なく
とも有するＰＴＣサーミスタであって、 前記サーミスタ素体は、高分子マトリックスと、低分子
有機化合物と、電子伝導性を有する導電性粒子とからな
る成形体であり、 前記高分子マトリックスの分子量が１００００〜４００
０００であり、 前記低分子有機化合物の分子量が１００〜３０００であ
り、 前記低分子有機化合物は、分岐比率総和が３以下のエチ
レンホモポリマーであること、を特徴とするＰＴＣサー
ミスタ。 - 【請求項２６】 前記高分子マトリックスの融点Ｔ１
［℃］と、前記低分子有機化合物の融点Ｔ２［℃］とが
下記式（Ａ）で表される条件を満たしていること、を特
徴とする請求項２５に記載のＰＴＣサーミスタ。 ７℃≦（Ｔ１−Ｔ２）≦４０．５℃…（Ａ） - 【請求項２７】 前記導電性粒子がニッケルからなるフ
ィラメント状の粒子であり、かつ、該粒子の比表面積が
１．５〜２．５ｍ2・ｇ-1であること、を特徴とする請
求項２５又は２６に記載のＰＴＣサーミスタ。 - 【請求項２８】 互いに対向した状態で配置された１対
の電極と、前記１対の電極の間に配置されておりかつ正
の抵抗-温度特性を有するサーミスタ素体と、を少なく
とも有するＰＴＣサーミスタであって、 前記サーミスタ素体は、高分子マトリックスと、低分子
有機化合物と、電子伝導性を有する導電性粒子とからな
る成形体であり、 前記高分子マトリックスの分子量が１００００〜４００
０００であり、 前記低分子有機化合物の分子量が１００〜３０００であ
り、 前記高分子マトリックスの融点Ｔ１［℃］と、前記低分
子有機化合物の融点Ｔ２［℃］とが下記式（Ａ）で表さ
れる条件を満たしていること、を特徴とするＰＴＣサー
ミスタ。 ７℃≦（Ｔ１−Ｔ２）≦４０．５℃…（Ａ） - 【請求項２９】 前記導電性粒子がニッケルからなるフ
ィラメント状の粒子であり、かつ、該粒子の比表面積が
１．５〜２．５ｍ2・ｇ-1であること、を特徴とする請
求項２８に記載のＰＴＣサーミスタ。 - 【請求項３０】 互いに対向した状態で配置された１対
の電極と、前記１対の電極の間に配置されておりかつ正
の抵抗-温度特性を有するサーミスタ素体と、を少なく
とも有するＰＴＣサーミスタであって、 前記サーミスタ素体は、高分子マトリックスと、低分子
有機化合物と、電子伝導性を有する導電性粒子とからな
る成形体であり、 前記高分子マトリックスの分子量が１００００〜４００
０００であり、 前記低分子有機化合物の分子量が１００〜３０００であ
り、 前記導電性粒子がニッケルからなるフィラメント状の粒
子であり、かつ、該粒子の比表面積が１．５〜２．５ｍ
2・ｇ-1であること、を特徴とするＰＴＣサーミスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003029685A JP3820228B2 (ja) | 2002-02-08 | 2003-02-06 | Ｐｔｃサーミスタ |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002032906 | 2002-02-08 | ||
| JP2002-32906 | 2002-02-08 | ||
| JP2003029685A JP3820228B2 (ja) | 2002-02-08 | 2003-02-06 | Ｐｔｃサーミスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003303703A true JP2003303703A (ja) | 2003-10-24 |
| JP3820228B2 JP3820228B2 (ja) | 2006-09-13 |
Family
ID=29405021
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003029685A Expired - Fee Related JP3820228B2 (ja) | 2002-02-08 | 2003-02-06 | Ｐｔｃサーミスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3820228B2 (ja) |
-
2003
- 2003-02-06 JP JP2003029685A patent/JP3820228B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3820228B2 (ja) | 2006-09-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5985182A (en) | High temperature PTC device and conductive polymer composition | |
| TWI281677B (en) | Electrically conductive polymer composition | |
| US5837164A (en) | High temperature PTC device comprising a conductive polymer composition | |
| JP3749504B2 (ja) | Ｐｔｃ組成物、サーミスタ素子およびこれらの製造方法 | |
| US7341679B2 (en) | Organic positive temperature coefficient thermistor and manufacturing method therefor | |
| JP2000188206A (ja) | 重合体ｐｔｃ組成物及びｐｔｃ装置 | |
| JP2001102039A (ja) | 電気デバイスおよびアセンブリ | |
| TWI440616B (zh) | 過電流保護元件 | |
| JP3914899B2 (ja) | Ｐｔｃサーミスタ素体及びｐｔｃサーミスタ並びにｐｔｃサーミスタ素体の製造方法及びｐｔｃサーミスタの製造方法 | |
| US7368069B2 (en) | PTC thermistor | |
| JP3820228B2 (ja) | Ｐｔｃサーミスタ | |
| JP2001167905A (ja) | 有機ｐｔｃ組成物 | |
| JP3911455B2 (ja) | 有機質正特性サーミスタおよびその製造方法 | |
| JP2970422B2 (ja) | Ｐｔｃ素子 | |
| JP2001085203A (ja) | Ｐｔｃ組成物 | |
| JP3028979B2 (ja) | 有機質正特性サーミスタ | |
| JP2002164201A (ja) | 有機正特性サーミスタ組成物および有機正特性サーミスタ素子 | |
| JP4299215B2 (ja) | 有機質ｐｔｃサーミスタ | |
| JPH1187106A (ja) | Ｐｔｃ素子の製造方法 | |
| JPS6140360A (ja) | 導電性樹脂組成物および該組成物を用いた電流制限素子 | |
| JP2005086038A (ja) | Ｐ−ｐｔｃサーミスタ組成物の製造方法、ｐ−ｐｔｃサーミスタ組成物、ｐ−ｐｔｃサーミスタ素体及びｐ−ｐｔｃサーミスタ | |
| JP2002353002A (ja) | 有機正特性サーミスタ組成物および有機正特性サーミスタ素子 | |
| JP2002208504A (ja) | 高分子ｐｔｃ素子及びその製造方法 | |
| JPH11144906A (ja) | Ｐｔｃ組成物 | |
| JP2004172181A (ja) | ポリマー正特性サーミスタ素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040113 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050621 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051101 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051214 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060613 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060616 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090623 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100623 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110623 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120623 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120623 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130623 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140623 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |