JP2003279929A - 液晶表示装置の駆動方法及びその液晶表示装置 - Google Patents

液晶表示装置の駆動方法及びその液晶表示装置

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 動画を表示するときの応答性に優れる新規な
交流駆動方式のアクティブマトリクス型の液晶表示装置
の駆動方法を提供する。 【解決手段】 液晶表示装置１００は、交流駆動方式の
アクティブマトリクス型のものである。補助容量ＣSの
他端の電位から対向電極１２１の電位を引いた電位差が
繰り返し大小変化すると共に、その電位差が画素電極１
１４への電荷の書き込み時と同じときに画素電極１１４
と対向電極１２１との間に印加される第１の電圧の絶対
値が、その電位差が画素電極１１４への電荷の書き込み
時と異なるときに画素電極１１４と対向電極１２１との
間に印加される第２の電圧の絶対値以下となるように、
ソース信号、補助容量ＣSの他端及び対向電極１２１の
それぞれの電位を設定する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、交流駆動方式のア
クティブマトリクス型の液晶表示装置の駆動方法及びそ
の液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、スイッチング素子として薄膜トラ
ンジスタ（以下「ＴＦＴ」という）を用いたアクティブ
マトリクス型の液晶表示装置が広く使用されている。
【０００３】かかる液晶表示装置は、ＴＦＴ基板と対向
側基板との一対の基板で液晶層を狭持した構成となって
いる。ＴＦＴ基板には、相互に並行して延びる複数のゲ
ート線と、それらのゲート線と直交する方向に相互に並
行して延びる複数のソース線とが設けられている。ま
た、ゲート線とソース線との各交差部には、それに対応
して画素を構成する画素電極が設けられおり、画素電極
が全体としてマトリクスを構成している。さらに、各画
素電極に対応してＴＦＴが設けられており、ＴＦＴのゲ
ート電極がゲート線に、ソース電極がソース線に、及び
ドレイン電極が画素電極にそれぞれ接続されている。ま
た、各画素電極に対応してその画素電極に一端が接続さ
れた補助容量が設けられており、補助容量は、さらに他
端が隣接するゲート線（ＣS−ｏｎ−Ｇａｔｅ型）又は
補助容量線（ＣS−ｏｎ−Ｃｏｍｍｏｎ型）に接続され
ている。一方、対向側基板には、対向共通電極が設けら
れている。そして、画素電極と対向共通電極との間で液
晶容量を形成し、その液晶容量と補助容量とによって画
素容量が構成されている。
【０００４】ところで、一般的に、液晶表示装置の応答
は遅く、その原因として以下のようなものがある。
【０００５】上記のようなＴＦＴをスイッチング素子と
する典型的なアクティブマトリクス方式の液晶表示装置
は、ゲート線を介してゲート電極にゲート信号が送られ
ることにより画素電極に接続されたＴＦＴが選択状態と
され、その際、ソース線を介してソース電極にソース信
号が送られることにより、ソース電極に繋がったドレイ
ン電極を介して画素電極に電荷が書き込まれ、そして、
それによって画素容量（＝液晶容量＋補助容量）に所定
量の電荷が充電され、液晶層の液晶分子を所望の配向状
態にさせて表示を行うようにしたものである。なお、補
助容量は、液晶容量に充電された電荷量が保持されるよ
うにする機能を果たす。また、液晶層を直流電圧で駆動
するとその寿命が短くなること等のため、ソース電極か
らのソース信号の送信は、液晶層が交流電圧で駆動され
るように充電の度にその極性が反転するように行われる
（フレーム反転）。
【０００６】このとき、画素容量に充電された電荷量
は、理想的には、次にＴＦＴが選択状態となるまで変化
しないことが望まれる。ここで、電荷量Ｑ、画素容量Ｃ
Pixel、（＝液晶容量ＣLC＋補助容量ＣS）、液晶容量に
印加される電圧ＶLC、すなわち、ソース信号の電位から
対向電極の電位を引いた電位差ＶSとし、対向電極を接
地しているとすると下記関係式が成立する、Ｑ＝Ｃ
Pixel・ＶS一方、例えば、ノーマリーホワイトのＴＮモ
ードの場合、白表示から黒表示に応答させようとする
と、液晶分子の誘電率が増加することになる。つまり、
ＣPi xel（白）＜ＣPixel（黒）となる。よって、白表示
状態において、黒表示状態を示すはずの所定の電圧を画
素容量に印加しても、液晶分子の誘電率が増加するため
に実際に画素容量に印加される電圧が所定の電圧よりも
低下してしまい（以下この現象を「電圧変動」とい
う）、黒表示状態になりえないこととなる。但し、何度
かこの電圧の印加（充電）を繰り返すといずれ黒表示状
態に到達する。従って、この過程のために、液晶分子の
応答が見かけ上遅くなる。なお、この電圧変動は、原理
上あらゆる階調間応答、すなわち、動画表示において発
生し、従って、あらゆる階調間応答が電圧変動により遅
くなっているということになる。
【０００７】この問題を解決するために、例えば、特開
平３−３５２１８公報には、ＣS−ｏｎ−Ｇａｔｅ型の
ＴＦＴ液晶表示装置において、従来２値であったゲート
線のゲート信号（ＴＦＴのオン状態を得る高電位とオフ
状態を得る低電位）にさらに２値を加えて４値とし、新
たに加えた２値による変調信号により補助容量との間で
電荷のやり取りを発生させ、それによって画素容量に所
定の電圧が印加されるようにすることで電圧変動を軽減
し、結果として液晶分子の応答を速めるという容量結合
法の技術が開示されている。
【０００８】容量結合法では、ゲート線方向に隣接する
画素の極性を反転させることができず、フリッカー（ち
らつき）が見えやすいという欠点がある。そこで、特開
平１１−２１８７３６号公報には、隣接する画素毎に補
助容量を接続するゲート線を前後に振り分けた構造と
し、この構造とソース線の延びる方向に隣接する画素の
極性が反転するようにするＨライン反転駆動とを組み合
わせることにより、上下左右に隣接した全ての画素の極
性が互いに異なるようにし、それによってフリッカーを
軽減する技術が開示されている。
【０００９】さらに、特開平４−１４５４９０号公報に
は、ＣS−ｏｎ−Ｃｏｍｍｏｎ型の液晶表示装置での容
量結合法について、補助容量線をゲート線毎に独立させ
て駆動することにより変調信号を液晶容量に重畳させる
ことでＣS−ｏｎ−Ｇａｔｅ型のものの場合と同様な効
果を得ることができることが開示されている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本出願は、動画を表示
するときの応答性に優れる新規な交流駆動方式のアクテ
ィブマトリクス型の液晶表示装置の駆動方法及びその液
晶表示装置を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、補助容量の他
端の電位から対向電極の電位を引いた電位差が繰り返し
大小変化するものとすると共に、その電位差が画素電極
への電荷の書き込み時と同じときに画素電極と対向電極
との間に印加される第１の電圧の絶対値が、その電位差
が画素電極への電荷の書き込み時と異なるときに画素電
極と対向電極との間に印加される第２の電圧の絶対値以
下となるようにしたものである。
【００１２】具体的には、本発明は、相互に並行に延び
るように設けられゲート信号が順次送られる複数のゲー
ト線と、該複数のゲート線が延びる方向と角度をなす方
向に相互に並行に延びるように設けられソース信号が送
られる複数のソース線と、該ゲート線と該ソース線との
各交差部に対応して設けられてマトリクスを構成し各々
がスイッチング素子を有する複数の画素電極と、該複数
の画素電極の各々に対応して設けられ該対応した画素電
極に一端が接続された複数の補助容量と、を有する素子
側基板と、上記素子側基板に対向するように設けられ対
向電極を有する対向側基板と、上記素子側基板と上記対
向側基板との間に狭持されるように設けられ液晶分子を
含有してなる液晶層と、を備え、上記ゲート線より上記
スイッチング素子にゲート信号が送られて選択状態とな
ったときに、上記ソース線より該スイッチング素子に対
応した画素電極にソース信号が送られることにより該画
素電極に電荷が書き込まれて該画素電極と上記対向電極
との間に形成される液晶容量及びそれに対応した補助容
量に電荷が充電されるように構成された交流駆動方式の
アクティブマトリクス型の液晶表示装置の駆動方法であ
って、上記補助容量の他端の電位から上記対向電極の電
位を引いた電位差が繰り返し大小変化すると共に、該電
位差が上記画素電極への電荷の書き込み時と同じときに
上記画素電極と上記対向電極との間に印加される第１の
電圧の絶対値が、該電位差が該画素電極への電荷の書き
込み時と異なるときに該画素電極と該対向電極との間に
印加される第２の電圧の絶対値以下となるように、上記
ソース信号、上記補助容量の他端及び上記対向電極のそ
れぞれの電位を設定することを特徴とする。
【００１３】上記のようにすれば、補助容量の他端の電
位から対向電極の電位を引いた電位差が繰り返し大小変
化し、その電位差が画素電極への電荷の書き込み時と同
じときに画素電極と対向電極との間に印加される第１の
電圧の絶対値が、その電位差が画素電極への電荷の書き
込み時と異なるときに画素電極と対向電極との間に印加
される第２の電圧の絶対値以下となるようにしており、
例えば、一の階調を表示する場合、液晶容量の変化のな
い一の階調の静止画を表示するときには、液晶容量に実
質的に印加される電圧は、一の階調の液晶容量に対応し
た第１及び第２の電圧間の所定電圧となる一方、液晶容
量の変化のある他の階調から一の階調へと動画を表示す
るときには、液晶容量に実質的に印加される第１及び第
２の電圧間の所定電圧は、液晶容量の変化に伴って第２
の電圧が変化するために変化し、最終的に一の階調の静
止画を表示するときに液晶容量に実質的に印加される所
定電圧へ収束する、すなわち、同一階調を表示する場合
でも、静止画を表示するときと動画を表示するときとで
液晶容量に実質的に印加される電圧が異なるものとな
り、その電圧の差により電荷の移動が促進され、液晶分
子の応答を加速させることができるので、表示の階調を
変化させて動画を表示するときの応答性を優れたものと
することができる。
【００１４】本発明の駆動方法は、上記補助容量の他端
及び上記対向電極のそれぞれの電位を、該補助容量の他
端の電位から該対向電極の電位を引いた電位差が、上記
画素電極へのプラス極性の電荷の書き込み時に相対的に
小となり且つ該画素電極へのマイナス極性の電荷の書き
込み時に相対的に大となる波形を構成するように設定す
るものであってもよい。
【００１５】典型的なものとしては、例えば、補助容量
の他端の電位から対向電極の電位を引いた電位差により
矩形波を構成することを挙げることができる。
【００１６】この場合、本発明の駆動方法は、上記補助
容量の他端の電位から上記対向電極の電位を引いた電位
差を、上記液晶層の液晶分子が応答不能な周波数のもの
とするものであってもよい。
【００１７】上記電位差が液晶層の液晶分子が応答可能
な周波数のものであると、その電位差の変化による液晶
分子の応答によりフリッカーが発生し、表示品位が低い
ものとなってしまう。しかしながら、上記のようにすれ
ば、上記電位差の変化に対して液晶分子が応答しないの
で、かかるフリッカーの発生を防止することができる。
【００１８】また、本発明の駆動方法は、上記電位差の
周波数を、上記液晶表示装置の水平周波数に一致させる
ようにしてもよい。
【００１９】このようにすれば、液晶層の液晶分子が応
答不能なほどに充分に周波数が高く、また、駆動回路を
簡略化することができる。
【００２０】さらに、本発明の駆動方法は、上記電位差
の波形の振幅がΔ（Δ＞０）となるように上記補助容量
の他端及び上記対向電極のそれぞれの電位を設定したと
き、上記画素電極へのプラス極性の電荷の書き込み時に
は上記ソース信号の電位から該対向電極の電位を引いた
電位差ＶSを示す下記関係式（１）が満たされる一方、
該画素電極へのマイナス極性の電荷の書き込み時には下
記関係式（２）が満たされるように該ソース信号の電位
を設定するものであってもよい。
【００２１】
【数７】
【００２２】
【数８】 （ここで、ＣLC：液晶容量、ＶLC：液晶容量ＣLCに対応
して印加すべき電圧、Ｃ S：補助容量）
【００２３】このようにすれば、本発明の作用がより具
体的に営まれることとなる。このような方法は、例え
ば、スイッチング素子がＴＦＴであって、ゲート電極と
ドレイン電極との間の寄生容量を無視できるような場合
に有効である。なお、ここで、振幅Δとは、上記波形の
ピークピーク電圧の半分の値を意味する（以下同じ）。
【００２４】この場合、本発明の駆動方法は、上記電位
差の波形の振幅Δが下記関係式（３）を満たすように上
記補助容量の他端及び上記対向電極のそれぞれの電位を
設定するようにしてもよい。
【００２５】
【数９】 （ここで、ＣLC_min：液晶容量の最低値、ＶLC_min：Ｃ
LC_minに対応して印加すべき電圧）
【００２６】このようにすれば、静止画の表示時と動画
の表示時とでの画素電極と対向電極との間に印加される
電圧の差が最大となり、電荷の移動促進効果が最も高く
なるので、液晶分子の応答を最大限に加速させることが
できる。
【００２７】本発明の駆動方法は、上記スイッチング素
子が、上記ゲート線、上記ソース線及び上記画素電極に
それぞれ接続されたドレイン電極、ソース電極及びドレ
イン電極を有するＴＦＴであり、上記電位差の波形の振
幅がΔ（Δ＞０）となるように上記補助容量の他端及び
上記対向電極のそれぞれの電位を設定したとき、上記画
素電極へのプラス極性の電荷の書き込み時には上記ソー
ス信号の電位から該対向電極の電位を引いた電位差ＶS
を示す下記関係式（４）が満たされる一方、該画素電極
へのマイナス極性の電荷の書き込み時には下記関係式
（５）が満たされるように該ソース信号の電位を設定す
るものであってもよい。
【００２８】
【数１０】
【００２９】
【数１１】 （ここで、ＣLC：液晶容量、ＶLC：液晶容量ＣLCに対応
して印加すべき電圧、Ｃ S：補助容量、Ｃgd：ゲート電
極とドレイン電極との間の寄生容量、Ｃtotal：Ｃ LC＋
ＣS＋Ｃgd、Ｖgh：選択時のゲート電極の電位、Ｖgl：
非選択時のゲート電極の電位）
【００３０】このようにすれば、スイッチング素子がＴ
ＦＴで、ゲート電極とドレイン電極との間の寄生容量を
無視できないような場合であっても、本発明の作用がよ
り具体的に営まれることとなる。
【００３１】この場合、本発明の駆動方法は、上記電位
差の波形の振幅Δが下記関係式（６）を満たすように上
記補助容量の他端及び上記対向電極のそれぞれの電位を
設定するようにしてもよい。
【００３２】
【数１２】 （ここで、ＣLC_min：液晶容量の最低値、ＶLC_min：Ｃ
LC_minに対応して印加すべき電圧）
【００３３】このようにすれば、静止画の表示時と動画
の表示時とでの画素電極と対向電極との間に印加される
電圧の差が最大となり、電荷の移動促進効果が最も高く
なるので、液晶分子の応答を最大限に加速させることが
できる。
【００３４】本発明の駆動方法は、上記補助容量の他端
が接続された補助容量線を有するＣ S−ｏｎ−Ｃｏｍｍ
ｏｎ型の液晶表示装置のものであってもよい。
【００３５】この場合、本発明の駆動方法は、上記液晶
表示装置が、ゲート線の延びる方向に配列した補助容量
の他端のそれぞれが同一の補助容量線に接続されている
一方、ゲート線の延びる方向に配列したスイッチング素
子の相互に隣接したスイッチング素子のそれぞれが異な
るゲート線に接続されており、同一フレームでの画素電
極への電荷の書き込みの際に、ゲート線の延びる方向に
配列したスイッチング素子の相互に隣接したスイッチン
グ素子のそれぞれを異なるゲート線のゲート信号により
選択状態とすることにより、ゲート線の延びる方向に相
互に隣接した画素電極のそれぞれに極性の異なる電荷を
書き込むようにしてもよい。
【００３６】このようにすれば、ゲート線の延びる方向
に相互に隣接した画素電極のそれぞれに極性の異なる電
荷が書き込まれるので、その方向でのフリッカーの発生
を抑止することができる。また、これに、いわゆるＨラ
イン反転駆動を組み合わせるとソース線の延びる方向で
のフリッカーの発生をも抑止することができる。
【００３７】また、本発明の駆動方法は、上記液晶表示
装置が、ゲート線の延びる方向に配列したスイッチング
素子のそれぞれが同一のゲート線に接続されている一
方、ゲート線の延びる方向に配列した補助容量の相互に
隣接した補助容量のそれぞれが異なる補助容量線に接続
されており、同一フレームでの画素電極への電荷の書き
込みの際に、ゲート線の延びる方向に配列したスイッチ
ング素子を同一のゲート線のゲート信号により選択状態
とすると共に該スイッチング素子に対応して配列した画
素電極の相互に隣接した画素電極のそれぞれに逆相のソ
ース信号を送ることにより、ゲート線の延びる方向に相
互に隣接した画素電極のそれぞれに極性の異なる電荷を
書き込むようにしてもよい。
【００３８】このようにすれば、ゲート線の延びる方向
に相互に隣接した画素電極のそれぞれに極性の異なる電
荷が書き込まれるので、その方向でのフリッカーの発生
を抑止することができる。また、ゲート線の延びる方向
に配列したスイッチング素子を同一のゲート線のゲート
信号により選択状態とするようにしている、すなわち、
それらのスイッチング素子に対応した画素電極に同時に
電荷の書き込みを行うようにしているので、ゲート線の
延びる方向に配列したスイッチング素子を分類してそれ
ぞれ異なるゲート線のゲート信号により選択状態とする
場合に必要となるラインメモリが不要となる。さらに、
これに、いわゆるＨライン反転駆動を組み合わせるとソ
ース線の延びる方向でのフリッカーの発生をも抑止する
ことができる。
【００３９】この場合、本発明の駆動方法は、上記液晶
表示装置が、同一フレームでの画素電極への電荷の書き
込みの際に極性の同じ電荷が書き込まれる画素電極に対
応した補助容量が補助容量線を介して全て繋がれている
ものであってもよい。
【００４０】このようにすれば、補助容量線を２種に分
類して結線すればよいので、液晶表示装置として構成の
簡略化が図られ、また、その２種の補助容量線のそれぞ
れの制御だけを行えばよいので、制御が容易である。
【００４１】また、本発明の駆動方法は、上記液晶表示
装置が、上記補助容量線が各ゲート線間に設けられてい
ると共に、該各補助容量線に他端が接続された補助容量
の一端がそれに対応した画素電極の端部に接続され、且
つ該画素電極がゲート線上に該画素電極と該ゲート線と
の間の容量形成を阻止する絶縁膜を介して設けられてい
るものであってもよい。
【００４２】このようにすれば、ゲート線上に画素電極
が設けられているにもかかわらず、それらの間に容量が
形成されるのが阻止されるので、画素電極への正常な電
荷の書き込みを行うことができる。
【００４３】本発明の駆動方法は、上記補助容量の他端
がそれに対応したゲート線以外のゲート線に接続された
ＣS-ｏｎ−Ｇａｔｅ型の液晶表示装置のものであっても
よい。
【００４４】そして、本発明の駆動方法によって駆動さ
れる本発明の液晶表示装置は、相互に並行に延びるよう
に設けられゲート信号が順次送られる複数のゲート線
と、該複数のゲート線が延びる方向と角度をなす方向に
相互に並行に延びるように設けられソース信号が送られ
る複数のソース線と、該ゲート線と該ソース線との各交
差部に対応して設けられてマトリクスを構成し各々がス
イッチング素子を有する複数の画素電極と、該複数の画
素電極の各々に対応して設けられ該対応した画素電極に
一端が接続された複数の補助容量と、を有する素子側基
板と、上記素子側基板に対向するように設けられ対向電
極を有する対向側基板と、上記素子側基板と上記対向側
基板との間に狭持されるように設けられ液晶分子を含有
してなる液晶層と、を備え、上記ゲート線より上記スイ
ッチング素子にゲート信号が送られて選択状態となった
ときに、上記ソース線より該スイッチング素子に対応し
た画素電極にソース信号が送られることにより該画素電
極に電荷が書き込まれて該画素電極と上記対向電極との
間に形成される液晶容量及びそれに対応した補助容量に
電荷が充電されるように構成された交流駆動方式のアク
ティブマトリクス型のものであって、上記補助容量の他
端の電位から上記対向電極の電位を引いた電位差が繰り
返し大小変化すると共に、該電位差が上記画素電極への
電荷の書き込み時と同じときに上記画素電極と上記対向
電極との間に印加される第１の電圧の絶対値が、該電位
差が該画素電極への電荷の書き込み時と異なるときに該
画素電極と該対向電極との間に印加される第２の電圧の
絶対値以下となるように、上記ソース信号、上記補助容
量の他端及び上記対向電極のそれぞれの電位が設定され
ることを特徴とする。
【００４５】本発明の液晶表示装置は、上記補助容量の
他端が接続された補助容量線を有するＣS−ｏｎ−Ｃｏ
ｍｍｏｎ型のものであってもよい。
【００４６】この場合、本発明の液晶表示装置は、ゲー
ト線の延びる方向に配列した補助容量の他端のそれぞれ
が同一の補助容量線に接続されている一方、ゲート線の
延びる方向に配列したスイッチング素子の相互に隣接し
たスイッチング素子のそれぞれが異なるゲート線に接続
されており、同一フレームでの画素電極への電荷の書き
込みの際に、ゲート線の延びる方向に配列したスイッチ
ング素子の相互に隣接したスイッチング素子のそれぞれ
が異なるゲート線のゲート信号により選択状態とされる
ことにより、ゲート線の延びる方向に相互に隣接した画
素電極のそれぞれに極性の異なる電荷が書き込まれるよ
うに構成されているものであってもよい。
【００４７】また、本発明の液晶表示装置は、ゲート線
の延びる方向に配列したスイッチング素子のそれぞれが
同一のゲート線に接続されている一方、ゲート線の延び
る方向に配列した補助容量の相互に隣接した補助容量の
他端のそれぞれが異なる補助容量線に接続されており、
同一フレームでの画素電極への電荷の書き込みの際に、
ゲート線の延びる方向に配列したスイッチング素子が同
一のゲート線のゲート信号により選択状態とされると共
に該スイッチング素子に対応して配列した画素電極の相
互に隣接した画素電極のそれぞれに逆相のソース信号が
送られることにより、ゲート線の延びる方向に相互に隣
接した画素電極のそれぞれに極性の異なる電荷が書き込
まれるように構成されているものであってもよい。
【００４８】この場合、本発明の液晶表示装置は、同一
フレームでの画素電極への電荷の書き込みの際に極性の
同じ電荷が書き込まれる画素電極に対応した補助容量が
補助容量線を介して全て繋がれているものであってもよ
い。
【００４９】また、本発明の液晶表示装置は、上記補助
容量線が各ゲート線間に設けられていると共に、該各補
助容量線に他端が接続された補助容量の一端がそれに対
応した画素電極の端部に接続され、且つ該画素電極がゲ
ート線上に該画素電極と該ゲート線との間の容量形成を
阻止する絶縁膜を介して設けられているものであっても
よい。
【００５０】本発明の液晶表示装置は、上記補助容量の
他端がそれに対応したゲート線以外のゲート線に接続さ
れたＣS-ｏｎ−Ｇａｔｅ型のものであってもよい。
【００５１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて詳細に説明する。
【００５２】（実施形態１） ＜液晶表示装置の構成＞図１及び２は、本発明の実施形
態１に係る液晶表示装置１００を示す。
【００５３】この液晶表示装置１００は、ＴＦＴ基板
（素子側基板）１１０と、ＴＦＴ基板１１０に対向して
設けられた対向側基板と、それらの両基板で狭持される
ように設けられた液晶層と、を備えている。
【００５４】ＴＦＴ基板１１０には、ガラス製又はプラ
スチック製の基板本体内側に、相互に並行に延びる複数
のゲート線１１１が設けられ、また、それらのゲート線
１１１と絶縁体を介して層を異にしてゲート線１１１が
延びる方向に直交する方向に相互に並行に延びる複数の
ソース線１１２が設けられ、さらに、それらと絶縁体を
介して層を異にしてゲート線１１１とソース線１１２と
の各交差部に対応し相互に隣接する一対のゲート線１１
１及び一対のソース線１１２で囲まれた領域にＩＴＯ
（酸化インジウムと酸化スズとを主成分とする柱状結晶
質の酸化物）等の透明電極からなる略矩形の画素電極１
１４が設けられている。複数の画素電極１１４は、全体
としてマトリクスを構成している。各画素電極１１４
は、対応するゲート線１１１とソース線１１２との交差
部に近い角部にスイッチング素子としてのＴＦＴ１１３
を有している。各ＴＦＴ１１３は、そのゲート電極１１
３ａ、ソース電極１１３ｂ及びドレイン電極１１３ｃが
それぞれ対応したゲート線１１１、ソース線１１２及び
画素電極１１４に接続されている。また、ゲート線１１
１と同じ層には、各ゲート線１１１間にゲート線１１１
と並行して延びる補助容量線１１５が設けられており、
画素電極１１４とこの補助容量線１１５との間で狭持さ
れた絶縁体により、一端が画素電極１１４に接続され且
つ他端が補助容量線１１５に接続された補助容量ＣSが
構成されている。すなわち、この液晶表示装置１００
は、ＣS−ｏｎ−Ｃｏｍｍｏｎ型のものである。各ゲー
ト線１１１間に設けられた補助容量線１１５は、全てが
１つに結線されている。なお、基板本体内側の画素電極
１１４上には、他にラビング処理された配向膜が設けら
れている一方、基板本体外側には、偏光板が設けられて
いる。
【００５５】対向側基板には、ガラス製又はプラスチッ
ク製の基板本体の内側に、ＩＴＯ等の透明電極からなる
対向共通電極（対向電極）１２１が設けられている。な
お、基板本体内側には、他にカラー表示用のＲＧＢのカ
ラーフィルタ及びラビング処理された配向膜が設けられ
ている一方、基板本体外側には、入射光の状態を制御す
るための位相差板、偏光板、及び反射防止膜が設けられ
ている。
【００５６】液晶層には、誘電性のネマチック液晶等の
液晶分子が含まれている。
【００５７】このような構成の液晶表示装置１００は、
スイッチング素子としてＴＦＴ１１３を有する各画素電
極１１４に対応して１つの画素が規定されるアクティブ
マトリクス型のものであり、ゲート線１１１よりＴＦＴ
１１３にゲート信号が送られて選択状態となったとき
に、ソース線１１２よりそのＴＦＴ１１３に対応した画
素電極１１４にソース信号が送られることにより画素電
極１１４に電荷が書き込まれ、そして、画素電極１１４
と対向共通電極１２１との間に形成される液晶容量ＣLC
及び補助容量ＣS、すなわち、これらの画素容量に電荷
が充電されるように構成され、その液晶容量ＣLCへの充
電量を操作して液晶層の液晶分子の配向状態を調整し、
それによって光の透過度を制御して表示を行うようにし
たものである。
【００５８】＜液晶表示装置の駆動方法１＞この液晶表
示装置１００の第１の駆動方法について説明する。
【００５９】図３（ａ）は、ソース線１１２の電位
ＶS、補助容量線１１５の電位ＶCS及び対向共通電極１
２１の電位Ｖcomのそれぞれの波形を示す。図３（ｂ）
は、第Ｎ行〜第Ｎ＋３行の各ゲート線１１１の電位のそ
れぞれの波形を示す。図３（ｃ）は、第Ｎ行〜第Ｎ＋３
行の各行の画素における画素電極１１４と対向共通電極
１２１との間に印加される電圧のそれぞれの波形を示
す。
【００６０】第１の駆動方法では、前提として、ゲート
電極１１３ａとドレイン電極１１３ｃとの間の寄生容量
を無視し、対向共通電極１２１が接地されているものと
する。従って、図３（ａ）に示すように、対向共通電極
１２１の電位Ｖcomは、Ｖcom＝０Ｖ（一定）である。
【００６１】図３（ｂ）に示すように、第Ｎ行〜第Ｎ＋
３行のゲート線１１１にはゲート信号が順次送られる。
ゲート信号が送られたとき、その行のＴＦＴ１１３は全
てオン状態となって選択状態となり、それによってソー
ス電極１１３ｂとドレイン電極１１３ｃとが導通され
る。
【００６２】図３（ａ）に示すように、ソース信号の電
位ＶSは交流の矩形波を構成する。ＴＦＴ１１３がオン
状態となってソース電極１１３ｂとドレイン電極１１３
ｃとが導通された際には、対向共通電極１２１が接地さ
れていることから、画素電極１１４と対向共通電極１２
１との間にはソース信号の電位ＶSに等しい信号電圧が
印加され、その信号電圧の極性と同じ極性の電荷が画素
電極１１４に書き込まれる。この画素電極１１４への電
荷の書き込みは、フレーム毎に異なる極性の電荷が書き
込まれるようにソース信号の制御がなされており、すな
わち、液晶表示装置１００がいわゆる交流駆動方式とさ
れており、それによって直流電圧が印加されると寿命が
短くなる液晶層の信頼性が高められている。また、例え
ば図３（ａ）及び（ｂ）に示すように、第Ｎ行及び第Ｎ
＋２行の選択時にはプラス極性の電荷及び第Ｎ＋１行及
び第Ｎ＋３行の選択時にはマイナス極性の電荷が各行の
画素電極１１４に書き込まれることとなり、同一フレー
ムでの全ての画素電極１１４への電荷の書き込み後に
は、電荷の極性分布は、図４に示すように、ゲート線１
１１の延びる方向に配列した画素電極１１４には全て同
一極性の電荷が書き込まれる一方、ソース線１１２の延
びる方向に配列した画素電極１１４には極性の異なる電
荷が交互に書き込まれたものとなり、これによってソー
ス線１１２の延びる方向でのフリッカーの発生が抑止さ
れることとなる。すなわち、この液晶表示装置１００
は、Ｈライン反転駆動方式のものである。
【００６３】図３（ａ）に示すように、補助容量線１１
５の電位ＶCS、すなわち、補助容量ＣSの他端の電位
は、中心電位が０Ｖ（対向共通電極１２１の電位
Ｖcom）で且つ振幅がΔ（Δ＞０）であるソース信号の
電位とは逆相の交流の矩形波を構成する。従って、補助
容量線１１５の電位ＶCSから対向共通電極１２１の電位
Ｖcomを引いた電位差は、＋Δと−Δとの間を大小変化
する交流の矩形波の信号電圧となる。この電位差の信号
電圧の周波数は、ソース信号の周波数と同一である、す
なわち、液晶表示装置１００の水平周波数に一致してい
るので、これによって制御回路の簡略化を図ることがで
きる。また、かかる周波数は、液晶層の液晶分子が応答
不能なものであるので、その電位差の変化に起因するフ
リッカーの発生を防止することができる。
【００６４】画素電極１１４にある電荷が書き込まれて
から次の電荷が書き込まれるまでの動作について図５を
参照しながら説明する。
【００６５】画素電極１１４への電荷の書き込み時及び
それと同じ状態となったとき、すなわち、補助容量ＣS
の他端の電位（補助容量線１１５の電位ＶCS）が画素電
極１１４への電荷の書き込み時と同じものとなったとき
（プラス極性の書き込みのときには−Δ、マイナス極性
の書き込みのときには＋Δ）、ドレイン電極１１３ｃの
電荷量Ｑdは次の関係式（７）
【００６６】
【数１３】
【００６７】で表される。なお、複合符号の上側は画素
電極１１４へのプラス極性の電荷の書き込みのとき、下
側は画素電極１１４へのマイナス極性の書き込みのとき
にそれぞれ対応する（以下同じ）。
【００６８】一方、画素電極１１４への電荷の書き込み
後、それと異なる状態となったとき、すなわち、補助容
量ＣSの他端の電位（補助容量線１１５の電位ＶCS）が
画素電極１１４への電荷の書き込み時と異なるものとな
ったとき（プラス極性の書き込みのときにはΔ、マイナ
ス極性の書き込みのときには−Δ）、ドレイン電極１１
３ｃの電荷量Ｑd’は下記関係式（８）
【００６９】
【数１４】
【００７０】で表される。ここで、ＶS’は、補助容量
ＣSの他端の電位（補助容量線１１５の電位ＶCS）が画
素電極１１４への電荷の書き込み時と異なるものとなっ
たときの画素電極１１４の電位であり、また、ＶCS’
は、そのときの補助容量線１１５の電位ＶCSである。
【００７１】電荷の漏れがないものとすれば、Ｑd＝
Ｑd’とすることができるので、これより、下記関係式
（９）
【００７２】
【数１５】
【００７３】が導かれる。
【００７４】対向共通電極１２１は接地されているの
で、ＶS及びＶS’は、画素電極１１４と対向共通電極１
２１との間に印加される電圧に等しいと考えることがで
きる。従って、画素電極１１４にプラス極性又はマイナ
ス極性の電荷が書き込まれた後には、補助容量線１１５
の電位ＶCSが画素電極１１４への電荷書き込み時と同じ
ときに（プラス極性の書き込みのときには−Δ、マイナ
ス極性の書き込みのときには＋Δ）、画素電極１１４と
対向共通電極１２１との間にＶSの電圧（第１の電圧）
が印加される一方、補助容量線１１５の電位ＶCSが画素
電極１１４への電荷書き込み時と異なるときに（プラス
極性の書き込みのときにはΔ、マイナス極性の書き込み
のときには−Δ）、画素電極１１４と対向共通電極１２
１との間にＶS’（第２の電圧）の電圧が印加される。
つまり、画素電極１１４と対向共通電極１２１との間に
印加される電圧が１水平期間毎にＶSとＶS’とに交互に
変化することとなる。
【００７５】ここで、図６及び表１に透過率と電圧との
関係の一例を示す。透過率が０の場合、ＶSとＶS’とは
絶対値が等しく且つ極性が逆となるが、透過率が０より
も高い場合、プラス極性の書き込みではＶS＜ＶS’とな
る一方、マイナス書き込みではＶS＞ＶS’となる。従っ
て、第１の電圧であるＶSの絶対値が第２の電圧である
ＶS’の絶対値以下となるということができる。
【表１】
【００７６】図３（ｃ）に示すように、第Ｎ行及び第Ｎ
＋２行における画素電極１１４と対向共通電極１２１と
の間にはプラス極性のＶS及びＶS’が交互に印加される
一方、第Ｎ＋１行及び第Ｎ＋３行における画素電極１１
４と対向共通電極１２１との間にはマイナス極性のＶS
及びＶS’が交互に印加され、前者にＶSが印加されると
きと後者にＶS’が印加されるときとは一致しており、
同様に、前者にＶS’が印加されるときと後者にＶSが印
加されるときも一致している。これは、相互に隣接した
画素電極１１４のそれぞれに極性の異なる電荷が充電さ
れていても、すべての補助信号線１１５が結線されてお
り、どの補助容量ＣSの他端も同一の電位とされること
によるものである。
【００７７】実際に液晶層に印加される電圧ＶLCは、そ
れらの実効値を考えればよいので、下記関係式（１０）
【００７８】
【数１６】
【００７９】が成立し、これに関係式（９）を代入して
ＶSについて求めると、下記関係式（１１）
【００８０】
【数１７】
【００８１】が導かれる。
【００８２】次に、表示の階調を変化させない静止画を
表示する場合（液晶容量がＣLC1のまま維持される場
合）と、表示の階調を変化させる動画を表示する場合
（液晶容量がＣLC0からＣLC1変化する場合）と、につい
て説明する。
【００８３】画素電極１１４への電荷の書き込み時及び
それと同じ状態となったとき、すなわち、補助容量ＣS
の他端の電位（補助容量線１１５の電位ＶCS）が画素電
極１１４への電荷の書き込み時と同じものとなったとき
の画素電極１１４と対向共通電極１２１との間に印加さ
れる電圧ＶS1は、画素電極１１４への電荷の書き込み時
のソース信号の信号電圧に等しいので、いずれの場合に
おいても、下記関係式（１２）
【００８４】
【数１８】
【００８５】に示すものとなる。
【００８６】しかしながら、画素電極１１４への電荷の
書き込み後、それと異なる状態となったとき、すなわ
ち、補助容量ＣSの他端の電位（補助容量線１１５の電
位ＶCS）が画素電極１１４への電荷の書き込み時と異な
るものとなったときの画素電極１１４と対向共通電極１
２１との間に印加される電圧は、それぞれの場合で異な
るものとなる。
【００８７】静止画を表示する場合（液晶容量がＣLC1
のまま維持される場合）では、画素電極１１４と対向共
通電極１２１との間に印加される電圧ＶS11’は、下記
関係式（１３）
【００８８】
【数１９】
【００８９】に示すものとなる。
【００９０】一方、動画を表示する場合（液晶容量がＣ
LC0からＣLC1に変化する場合）では、画素電極１１４と
対向共通電極１２１との間に印加される電圧ＶS11’
は、下記関係式（１４）
【００９１】
【数２０】
【００９２】に示すものとなる。
【００９３】このことは、ＶSとＶS’との差である２Ｃ
S・Δ／（ＣLC＋ＣS）が動画を表示する場合にはＣLCの
変化に伴って変化することを意味するものである。
【００９４】そして、静止画を表示する場合、液晶容量
ＣLCに印加される電圧の実効値ＶLC 11は、下記関係式
（１５）
【００９５】
【数２１】
【００９６】に示すものとなる。
【００９７】一方、動画を表示する場合、液晶容量ＣLC
に印加される電圧の実効値ＶLC01は、下記関係式（１
６）
【００９８】
【数２２】
【００９９】に示すものとなる。
【０１００】従って、下記関係式（１７）
【０１０１】
【数２３】
【０１０２】が成立する。つまり、静止画を表示する場
合と動画を表示する場合とで液晶容量ＣLCに印加される
実効電圧が異なることとなる。そして、これらに電圧の
差があることにより、電荷の移動が促されるとこととな
り、液晶分子の応答を加速させることができるので、表
示の階調を変化させて動画を表示するときの応答性を優
れたものとすることができる。なお、ＣLC0は漸次変化
してＣLC1に近づくこととなるが、それに伴ってＶS01’
もＶS11’へと収束することとなる。
【０１０３】以上より、Δを調整することで、動画を表
示する場合にＶLC01をＶLC11よりも大きくも、また、小
さくもすることができることが分かる。液晶分子の応答
を加速させる効果はδＶの大きさに比例するが、その効
果を最大にするためには関係式（１３）〜（１７）から
Δを最大値Δmaxにすればよいということが導かれる。
一方、関係式（１１）の平方根の中は０以上であり、ま
た、同式よりΔを最大にする場合には液晶容量ＣLCの最
小値ＣLC_minを考えればよいので、Δmaxは、下記関係
式（１８）
【０１０４】
【数２４】
【０１０５】で表される。ここで、ＶLC_minはＣLC_min
に対応して印加すべき電圧である。
【０１０６】このとき、関係式（１８）を関係式（１
１）に代入して求められるＶSの最小値ＶS_minは、下記
関係式（１９）
【０１０７】
【数２５】
【０１０８】のようになる。すなわち、これは、ノーマ
リーブラックモードの場合にはいわゆる黒電圧、ノーマ
リーホワイトモードの場合にはいわゆる白電圧を表すも
のである。
【０１０９】次に、上記構成の液晶表示装置であってノ
ーマリーブラックモードで且つ垂直配向モードのものを
用いて行った実験結果について説明する。黒表示、５０
％中間調表示及び白表示のそれぞれのＶLC、ＣLC及びＣ
Sを表２に示す。これらの値は、液晶表示装置の構成に
よって決まる不変値である。また、これらより算出した
Δmax、各表示の静止画表示時のＶS及びＶS’をも表２
に示す。これらの値は、関係式（１８）並びに（１２）
及び（１３）からそれぞれ算出したものである。なお、
電圧の単位はＶ（ボルト）であり、また、容量は黒表示
のＣLC＝１．０００として規格化したものである。
【０１１０】
【表２】
【０１１１】また、白表示から黒表示、黒表示から中間
調表示、黒表示から白表示、中間調表示から黒表示、白
表示から中間調表示、及び中間調表示から白表示へのそ
れぞれの動画表示時のＶS、ＶS’、ＶLC及びδＶを表３
び４示す。これらの値は、関係式（１２）、（１４）、
（１６）及び（１７）からそれぞれ算出したものであ
る。
【０１１２】
【表３】
【０１１３】
【表４】
【０１１４】表２〜４によれば、例えば、黒表示の静止
画を表示する場合のＶLC＝１．４８８（Ｖ）と白表示か
ら黒表示の動画を表示する場合のＶLC＝１．１８２
（Ｖ）とが異なり、そのためにδＶ＝−０．３０６
（Ｖ）≠０となっているのが分かる。補助容量線１１５
の電位ＶCSを変化させなければ、動画を表示する場合も
静止画を表示する場合と同じＶLCとなるが、この電圧の
差があることにより、電荷の移動が促進されることとな
る。
【０１１５】同じ液晶表示装置を用い、本発明のように
補助容量線の電位を変化させた場合と従来のように変化
させない場合とについて、黒表示、中間調表示及び白表
示のそれぞれを開始階調として、異なる階調を表示す
る、すなわち、動画を表示するのに要する応答時間を測
定した。補助容量線の電位を変化させた場合の結果を表
５に及び変化させなかった場合の結果を表６にそれぞれ
示す。
【０１１６】
【表５】
【０１１７】
【表６】
【０１１８】表５及び６によれば、いずれの組み合わせ
の動画を表示する場合も、補助容量線の電位を変化させ
た場合の方が変化させなかった場合よりも応答時間が短
いことが分かる。これは、動画を表示する場合と静止画
を表示する場合とで、後者ではＶLCが同一であるのに対
して前者ではＶLCが異なるために、その電圧の差がある
ことによって電荷の移動が促進されたためであると考え
られる。
【０１１９】次に、ゲート電極１１３ａとドレイン電極
１１３ｃとの間の寄生容量Ｃgdを考慮した場合について
説明する。
【０１２０】この場合について、Ｃgdを無視した場合と
同様の理論展開を行うと、ソース信号の電位ＶSは下記
関係式（２０）
【０１２１】
【数２６】
【０１２２】で表される。ここで、ＣtotalはＣLC＋ＣS
＋Ｃgd、Ｖghは選択時のゲート電極１１３ａの電位、Ｖ
glは非選択時のゲート電極１１３ａの電位である。
【０１２３】また、ＶS’は、Ｃgdを無視した場合と同
様に下記関係式（２１）
【０１２４】
【数２７】
【０１２５】で表される。
【０１２６】さらに、液晶容量ＣLCに印加される電圧の
実効値ＶLCも同様に下記関係式（２２）
【０１２７】
【数２８】
【０１２８】で表される。
【０１２９】そして、液晶分子の応答の加速効果を最大
にするΔmaxは、下記関係式（２３）
【０１３０】
【数２９】
【０１３１】で表される。
【０１３２】従って、ゲート電極１１３ａとドレイン電
極１１３ｃとの間の寄生容量を無視し得ないような場合
には、以上の式に基づいてソース信号、補助容量線１１
５（補助容量ＣSの他端）及び対向共通電極１２１のそ
れぞれの電位を設定することで、動画を表示するときの
良好な応答性を得ることができる。
【０１３３】＜液晶表示装置の駆動方法２＞この液晶表
示装置１００の第２の駆動方法について説明する。
【０１３４】第２の駆動方法では、図７に示すように、
補助容量線１１５の電位ＶCS（ＶCS’）の中心が接地さ
れた対向共通電極１２１の電位ＶcomからＶoffsetだけ
低くオフセットされている。その他の駆動方法は第１の
駆動方法と同一である。
【０１３５】この場合、補助容量線１１５の電位ＶCSが
オフセットされているものの 駆動態様１と同一の作用
が営まれ、同一の効果を得ることができる。
【０１３６】＜液晶表示装置の駆動方法３＞この液晶表
示装置１００の第３の駆動方法について説明する。
【０１３７】第３の駆動方法では、図８に示すように、
対向共通電極１２１の電位Ｖcomは、プラス極性の書き
込みのときにはＶcom（＋）となる一方、マイナス極性
の書き込みのときにはＶcom（−）、すなわち、ピーク
ピーク電圧Ｖcom_ppで大小変化する矩形波を構成する。
また、補助容量線１１５の電位ＶCSは、中心電位がＶ
com（＋）からＶoffset（＋）だけ且つＶcom（−）から
Ｖoffset（−）だけ低くオフセットされた電位で且つ振
幅がΔ’（Δ’＞０）であるソース信号の電位とは逆相
の交流の矩形波を構成する。これにより、補助容量線１
１５の電位ＶCSから対向共通電極１２１の電位Ｖcomを
引いた電位差は、Δ＝Δ’−Ｖcom_pp／２とすると、ピ
ークピーク電圧が２Δで大小変化する矩形波の信号電圧
となる。
【０１３８】この場合でも、駆動態様１と同一の作用が
営まれ、同一の効果を得ることができる。
【０１３９】（実施形態２） ＜液晶表示装置の構成＞図９及び１０は、本発明の実施
形態２に係る液晶表示装置２００を示す。
【０１４０】この液晶表示装置２００では、例えば図８
及び９に示すように、第Ｎ行・第Ｍ列の画素電極２１４
がＴＦＴ２１３を介してその画素電極２１４に対応した
第Ｎ行のゲート線２１１に接続されている一方、第Ｎ行
・第Ｍ＋１列の画素電極２１４がＴＦＴ２１３を介して
その画素電極２１４に対応していない次の行の第Ｎ＋１
行のゲート線２１１に接続されている。つまり、第Ｍ
列、第Ｍ＋２列、…の画素電極２１４がそれに対応した
ゲート線２１１に接続されており、第Ｍ＋１列、第Ｍ＋
３列、…の画素電極２１４がそれに対応していない次の
行のゲート線２１１に接続されている。その結果、ゲー
ト線２１１の延びる方向に配列した画素電極２１４は、
対応したゲート線２１１に接続されたものと対応してい
ない次の行のゲート線２１１に接続されたものとが交互
に並んだものとなっている。
【０１４１】その他の構成は、実施形態１と同一であ
る。
【０１４２】＜液晶表示装置の駆動方法＞この液晶表示
装置２００を実施形態１と同様に交流駆動すると共にＨ
ライン反転駆動すると、例えば、第Ｎ＋２行のゲート線
２１１にゲート信号が送られたとき、第Ｍ列、第Ｍ＋２
列、…、では、第Ｎ＋２行のＴＦＴ２１３が選択状態と
なって画素電極２１４に電荷が書き込まれ、第Ｍ＋１
列、第Ｍ＋３列、…では、第Ｎ＋１行のＴＦＴ２１３が
選択状態となって画素電極２１４に電荷が書き込まれる
こととなる。なお、第Ｎ＋２行の第Ｍ＋１列、第Ｍ＋３
列、…のデータはラインメモリに保持される。そして、
このとき、画素電極２１４にプラス極性の電荷が書き込
まれたものとすると、次に、第Ｎ＋３行のゲート線２１
１にゲート信号が送られたとき、第Ｍ列、第Ｍ＋２列、
…、では、第Ｎ＋３行のＴＦＴ２１３が選択状態となっ
て画素電極２１４にマイナス極性の電荷が書き込まれ、
第Ｍ＋１列、第Ｍ＋３列、…では、第Ｎ＋２行のＴＦＴ
２１３が選択状態となって画素電極２１４にマイナス極
性の電荷が書き込まれることとなる。つまり、ゲート線
２１１の延びる方向に配列したＴＦＴ２１３の相互に隣
接したＴＦＴ２１３のそれぞれが異なるゲート線２１１
のゲート信号により選択状態とすることにより、ゲート
線２１１の延びる方向に相互に隣接した画素電極２１４
のそれぞれに極性の異なる電荷が書き込まれることとな
る。しかも、これにＨライン反転駆動が組み合わされ
て、同一フレームでの画素電極２１４への電荷の書き込
み後には、図１１に示すように、電荷の極性分布は、ゲ
ート線２１１及びソース線２１２のそれぞれの延びる方
向に相互に隣接した画素電極２１４のそれぞれに異なる
極性の電荷が書き込まれたものとなり、これによってゲ
ート線２１１及びソース線２１２のそれぞれの延びる方
向でのフリッカーの発生が抑止されることとなる。
【０１４３】また、同時に行われる画素電極２１４への
電荷の書き込みは同じ極性の書き込みであり、また、補
助容量線２１５は全てが繋がれているので、実施形態１
と同一の補助容量線２１５の電位ＶCSの制御がされるこ
とにより、動画を表示するときの良好な応答性を得るこ
とができる。
【０１４４】（実施形態３） ＜液晶表示装置の構成＞図１２及び１３は、本発明の実
施形態３に係る液晶表示装置３００を示す。
【０１４５】この液晶表示装置３００では、相互に隣接
する一対の補助容量線３１５及び一対のソース線３１２
で囲まれる領域に画素電極３１４が設けられている。各
画素電極３１４は、一方の長辺側端中央にスイッチング
素子としてのＴＦＴ３１３を有している。そして、例え
ば図１２及び１３に示すように、第Ｎ行・第Ｍ列の画素
電極３１４の短辺側端部がその画素電極３１４に対応し
た第Ｎ行の補助容量線３１５の上に設けられ、図１４に
示すように、それらの間のゲート絶縁膜３１７で補助容
量ＣSを形成している一方、第Ｎ行・第Ｍ＋１列の画素
電極３１４の短辺側端部がその画素電極３１４に対応し
ていない次の行の第Ｎ＋１行の補助容量線３１５の上に
設けられて補助容量ＣSを形成している。つまり、第Ｍ
列、第Ｍ＋２列、…の画素電極３１４がそれに対応した
補助容量線３１５との間で補助容量ＣSを形成してお
り、第Ｍ＋１列、第Ｍ＋３列、…の画素電極３１４がそ
れに対応していない次の行の補助容量線３１５との間で
補助容量ＣSを形成している。その結果、ゲート線３１
１の延びる方向に配列した画素電極３１４は、対応した
補助容量線３１５との間で補助容量ＣSを形成するもの
と対応していない次の行の補助容量線３１５との間で補
助容量ＣSを形成するものとが交互に並んだものとなっ
ている。また、第Ｎ行、第Ｎ＋２行、…の補助容量線３
１５が結線されていると共に、第Ｎ＋１行、第Ｎ＋３
行、…の補助容量線３１５が結線されている。つまり、
補助容量線３１５が第Ｎ行系と第Ｎ＋１行系の２群に分
かれている。さらに、画素電極３１４は基板本体３１６
上のそれに対応したゲート線３１１の上に設けられてい
るが、それらの間に低誘電率の透明樹脂膜（例えば、比
誘電率＝３、厚さ３μｍ）３１８が介設されており、こ
れによって画素電極３１４とゲート線３１１との間に容
量が形成されるのが阻止され、画素電極３１４への正常
な電荷の書き込みを行うことができる。
【０１４６】その他の構成は、実施形態１と同一であ
る。
【０１４７】＜液晶表示装置の駆動方法＞図１５（ａ）
は、ソース線３１２の電位、補助容量線３１５の電位Ｖ
CS及び対向共通電極３２１の電位Ｖcomのそれぞれの波
形を示す。図１５（ｂ）は、第Ｎ行〜第Ｎ＋１行の各ゲ
ート線３１１の電位のそれぞれの波形を示す。図１５
（ｃ）は、画素電極３１４と対向共通電極３２１との間
に印加される電圧の波形を示す。
【０１４８】この駆動方法では、実施形態１と同様に交
流駆動すると共にＨライン反転駆動するものではある
が、図１５（ａ）に示すように、第Ｍ列、第Ｍ＋２列、
…に送られるソース信号と、それと同時に第Ｍ＋１列、
第Ｍ＋３列、…に送られるソース信号とが逆相となって
いる。従って、例えば図１５（ａ）及び（ｂ）に示すよ
うに、第Ｎ行のゲート線３１１にゲート信号が送られた
とき、第Ｍ列、第Ｍ＋２列、…の画素電極３１４にはプ
ラス極性の電荷が書き込まれ、第Ｍ＋１列、第Ｍ＋３
列、…の画素電極３１４にはマイナス極性の電荷が書き
込まれることとなる。そして、次に、第Ｎ＋１行のゲー
ト線３１１にゲート信号が送られたとき、第Ｍ列、第Ｍ
＋２列、…の画素電極３１４にはマイナス極性の電荷が
書き込まれ、第Ｍ＋１列、第Ｍ＋３列、…の画素電極３
１４にはプラス極性の電荷が書き込まれることとなる。
つまり、ゲート線３１１の延びる方向に配列したＴＦＴ
３１３が同一のゲート線３１１のゲート信号により選択
状態とされると共にそのＴＦＴ３１３に対応して配列し
た画素電極３１４の相互に隣接した画素電極３１４のそ
れぞれに逆相のソース信号を送ることにより、ゲート線
３１１の延びる方向に相互に隣接した画素電極３１４の
それぞれに極性の異なる電荷が書き込まれることとな
る。しかも、これにＨライン反転駆動が組み合わされ
て、同一フレームでの画素電極３１４への電荷の書き込
み後には、図１６に示すように、電荷の極性分布は、ゲ
ート線３１１及びソース線３１２のそれぞれの延びる方
向に相互に隣接した画素電極３１４のそれぞれに異なる
極性の電荷が書き込まれたものとなり、これによってゲ
ート線３１１及びソース線３１２のそれぞれの延びる方
向でのフリッカーの発生が抑止されることとなる。ま
た、ゲート線３１１の延びる方向に配列したＴＦＴ３１
３を同一のゲート線３１１のゲート信号により選択状態
とするようにしている、すなわち、それらのＴＦＴ３１
３に対応した画素電極３１４に同時に電荷の書き込みを
行うようにしているので、ゲート線３１１の延びる方向
に配列したＴＦＴ３１３を分類してそれぞれ異なるゲー
ト線３１１のゲート信号により選択状態とする場合に必
要となるラインメモリが不要である。
【０１４９】上記した液晶表示装置３００の構成より、
同一フレームでの画素電極３１４への電荷の書き込みの
際に極性の同じ電荷が書き込まれる画素電極３１４に対
応した補助容量ＣSの他端が接続された補助容量線３１
５同士が結線されているということができる。また、補
助容量線３１５の電位ＶCS、すなわち、補助容量ＣSの
他端の電位は、図１５（ａ）に示すような矩形波を構成
し、対向共通電極３２１が接地されているので、補助容
量線３１５の電位ＶCSから対向共通電極３２１の電位Ｖ
comを引いた電位差は、補助容量線３１５の電位ＶCSに
等しい振幅である交流の矩形波の信号電圧となる。そし
て、各画素においては、画素電極３１４に送られるソー
ス信号とその交流の電位差とが逆相となる。従って、例
えば図１５（ｃ）に示すように、プラス極性の電荷が書
き込まれた第Ｎ行・第Ｍ列、第Ｎ＋１行・第Ｍ＋１列等
における画素電極３１４と対向共通電極３２１との間に
はプラス極性の電圧ＶS及びＶS’が交互に印加され、マ
イナス極性の電荷が書き込まれた第Ｎ行・第Ｍ＋１列、
第Ｎ＋１行・第Ｍ列等における画素電極３１４と対向共
通電極３２１との間にはマイナス極性の電圧ＶS及び
ＶS’が交互に印加されることとなり、各画素毎に見れ
ば、実施形態１及び２と同様の補助容量ＣSの他端の電
位の制御がされることにより、動画を表示するときの良
好な応答性を得ることができる。
【０１５０】（実施形態４） ＜液晶表示装置の構成＞図１７及び１８は、本発明の実
施形態４に係る液晶表示装置４００を示す。
【０１５１】この液晶表示装置４００では、例えば図１
６及び１７に示すように、第Ｎ行の画素電極４１４の短
辺部が第Ｎ＋１行のゲート線４１１の上に設けられてい
ることにより、それらの間に補助容量ＣSが形成されて
おり、独立した補助容量線が設けられていない。すなわ
ち、この液晶表示装置４００は、ＣS−ｏｎ−Ｇａｔｅ
型のものである。
【０１５２】その他の構成は、実施形態１と同一であ
る。
【０１５３】＜液晶表示装置の駆動方法＞以上の液晶表
示装置４００は、図７及び８における補助容量線の電位
を、画素電極４１４に電荷が書き込まれる行の次行のゲ
ート線４１１の電位に読み替え、オフセット電圧を調整
してゲート線４１１の電位を非選択電位（例えば、典型
的には−１５〜−５Ｖ）に調整することにより実施形態
１と同様の駆動を行うことができ、それによって動画を
表示するときの良好な応答性を得ることができる。
【０１５４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
同一階調を表示する場合でも、静止画を表示するときと
動画を表示するときとで液晶容量に実質的に印加される
電圧が異なるものとなり、その電圧の差により液晶分子
の応答を加速させることができるので、表示の階調を変
化させて動画を表示したときの応答性を優れたものとす
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施形態１に係る液晶表示装置のＴＦＴ基板の
正面図である。
【図２】実施形態１に係る液晶表示装置の等価回路図で
ある。
【図３】（ａ）は、ソース線の電位、補助容量線の電位
及び対向共通電極の電位のそれぞれの波形を示す図であ
り、（ｂ）は、第Ｎ行〜第Ｎ＋３行の各ゲート線の電位
のそれぞれの波形を示す図であり、（ｃ）は、第Ｎ行〜
第Ｎ＋３行の各行の画素における画素電極と対向共通電
極との間に印加される電圧のそれぞれの波形を示す図で
ある。
【図４】実施形態１の１フレームの画素電極への電荷の
書き込み後の電荷の極性の分布を示す説明図である。
【図５】実施形態１に係る液晶表示装置の第１の駆動方
法の説明図である。
【図６】透過率と電圧との関係を示すグラフである。
【図７】実施形態１に係る液晶表示装置の第２の駆動方
法の説明図である。
【図８】実施形態１に係る液晶表示装置の第３の駆動方
法の説明図である。
【図９】実施形態２に係る液晶表示装置のＴＦＴ基板の
正面図である。
【図１０】実施形態２に係る液晶表示装置の等価回路図
である。
【図１１】実施形態２の１フレームの画素電極への電荷
の書き込み後の電荷の極性の分布を示す説明図である。
【図１２】実施形態３に係る液晶表示装置のＴＦＴ基板
の正面図である。
【図１３】実施形態３に係る液晶表示装置の等価回路図
である。
【図１４】実施形態３に係る液晶表示装置のＴＦＴ基板
の部分断面図である。
【図１５】（ａ）は、ソース線の電位、補助容量線の電
位及び対向共通電極の電位のそれぞれの波形を示す図で
あり、（ｂ）は、第Ｎ行〜第Ｎ＋１行の各ゲート線の電
位のそれぞれの波形を示す図であり、（ｃ）は、画素電
極と対向共通電極との間に印加される電圧の波形を示す
図である。
【図１６】実施形態３の１フレームの画素電極への電荷
の書き込み後の電荷の極性の分布を示す説明図である。
【図１７】実施形態３に係る液晶表示装置のＴＦＴ基板
の正面図である。
【図１８】実施形態３に係る液晶表示装置の等価回路図
である。
【符号の説明】
１００，２００，３００，４００ 液晶表示装置 １１０，２１０，３１０，４１０ ＴＦＴ基板（素子側
基板） １１１，２１１，３１１，４１１ ゲート線 １１２，２１２，３１２，４１２ ソース線 １１３，２１３，３１３，４１３ ＴＦＴ（スイッチン
グ素子） １１３ａ，２１３ａ，３１３ａ，４１３ａ ゲート電極 １１３ｂ，２１３ｂ，３１３ｂ，４１３ｂ ソース電極 １１３ｃ，２１３ｃ，３１３ｃ，４１３ｃ ドレイン電
極 １１４，２１４，３１４，４１４ 画素電極 １１５，２１５，３１５，４１５ 補助容量線 １２１，２２１，３２１，４２１ 対向共通電極（対向
電極） ３１６ 基板本体 ３１７ ゲート絶縁膜 ３１８ 透明樹脂膜 ＣLC 液晶容量 ＣS 補助容量
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０９Ｇ 3/36 Ｇ０９Ｇ 3/36 Ｆターム(参考） 2H092 JA24 JA37 JA41 JB69 NA05 PA01 PA02 PA08 PA10 PA11 PA12 QA07 2H093 NA16 NC34 ND06 ND10 ND32 NE01 NF05 5C006 AA01 AA16 AC24 AC27 BB16 BC06 FA14 FA23 FA56 GA02 5C080 AA10 BB05 CC03 DD06 DD08 EE19 EE29 FF11 JJ02 JJ04 JJ05 JJ06

Claims (21)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 相互に並行に延びるように設けられゲー
    ト信号が順次送られる複数のゲート線と、該複数のゲー
    ト線が延びる方向と角度をなす方向に相互に並行に延び
    るように設けられソース信号が送られる複数のソース線
    と、該ゲート線と該ソース線との各交差部に対応して設
    けられてマトリクスを構成し各々がスイッチング素子を
    有する複数の画素電極と、該複数の画素電極の各々に対
    応して設けられ該対応した画素電極に一端が接続された
    複数の補助容量と、を有する素子側基板と、 上記素子側基板に対向するように設けられ対向電極を有
    する対向側基板と、 上記素子側基板と上記対向側基板との間に狭持されるよ
    うに設けられ液晶分子を含有してなる液晶層と、を備
    え、 上記ゲート線より上記スイッチング素子にゲート信号が
    送られて選択状態となったときに、上記ソース線より該
    スイッチング素子に対応した画素電極にソース信号が送
    られることにより該画素電極に電荷が書き込まれて該画
    素電極と上記対向電極との間に形成される液晶容量及び
    それに対応した補助容量に電荷が充電されるように構成
    された交流駆動方式のアクティブマトリクス型の液晶表
    示装置の駆動方法であって、 上記補助容量の他端の電位から上記対向電極の電位を引
    いた電位差が繰り返し大小変化すると共に、該電位差が
    上記画素電極への電荷の書き込み時と同じときに上記画
    素電極と上記対向電極との間に印加される第１の電圧の
    絶対値が、該電位差が該画素電極への電荷の書き込み時
    と異なるときに該画素電極と該対向電極との間に印加さ
    れる第２の電圧の絶対値以下となるように、上記ソース
    信号、上記補助容量の他端及び上記対向電極のそれぞれ
    の電位を設定することを特徴とする液晶表示装置の駆動
    方法。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載された液晶表示装置の駆
    動方法において、 上記補助容量の他端及び上記対向電極のそれぞれの電位
    を、該補助容量の他端の電位から該対向電極の電位を引
    いた電位差が、上記画素電極へのプラス極性の電荷の書
    き込み時に相対的に小となり且つ該画素電極へのマイナ
    ス極性の電荷の書き込み時に相対的に大となる波形を構
    成するように設定することを特徴とする液晶表示装置の
    駆動方法。
  3. 【請求項３】 請求項２に記載された液晶表示装置の駆
    動方法において、 上記補助容量の他端の電位から上記対向電極の電位を引
    いた電位差を、上記液晶層の液晶分子が応答不能な周波
    数のものとすることを特徴とする液晶表示装置の駆動方
    法。
  4. 【請求項４】 請求項３に記載された液晶表示装置の駆
    動方法において、 上記電位差の周波数を、上記液晶表示装置の水平周波数
    に一致させることを特徴とする液晶表示装置の駆動方
    法。
  5. 【請求項５】 請求項２に記載された液晶表示装置の駆
    動方法において、 上記電位差の波形の振幅がΔ（Δ＞０）となるように上
    記補助容量の他端及び上記対向電極のそれぞれの電位を
    設定したとき、上記画素電極へのプラス極性の電荷の書
    き込み時には上記ソース信号の電位から該対向電極の電
    位を引いた電位差ＶSを示す下記関係式（１）が満たさ
    れる一方、該画素電極へのマイナス極性の電荷の書き込
    み時には下記関係式（２）が満たされるように該ソース
    信号の電位を設定することを特徴とする液晶表示装置の
    駆動方法。 【数１】 【数２】 （ここで、ＣLC：液晶容量、ＶLC：液晶容量ＣLCに対応
    して印加すべき電圧、Ｃ S：補助容量）
  6. 【請求項６】 請求項５に記載された液晶表示装置の駆
    動方法において、 上記電位差の波形の振幅Δが下記関係式（３）を満たす
    ように上記補助容量の他端及び上記対向電極のそれぞれ
    の電位を設定することを特徴とする液晶表示装置の駆動
    方法。 【数３】 （ここで、ＣLC_min：液晶容量の最低値、ＶLC_min：Ｃ
    LC_minに対応して印加すべき電圧）
  7. 【請求項７】 請求項２に記載された液晶表示装置の駆
    動方法において、 上記スイッチング素子は、上記ゲート線、上記ソース線
    及び上記画素電極にそれぞれ接続されたドレイン電極、
    ソース電極及びドレイン電極を有する薄膜トランジスタ
    であり、 上記電位差の波形の振幅がΔ（Δ＞０）となるように上
    記補助容量の他端及び上記対向電極のそれぞれの電位を
    設定したとき、上記画素電極へのプラス極性の電荷の書
    き込み時には上記ソース信号の電位から該対向電極の電
    位を引いた電位差ＶSを示す下記関係式（４）が満たさ
    れる一方、該画素電極へのマイナス極性の電荷の書き込
    み時には下記関係式（５）が満たされるように該ソース
    信号の電位を設定することを特徴とする液晶表示装置の
    駆動方法。 【数４】 【数５】 （ここで、ＣLC：液晶容量、ＶLC：液晶容量ＣLCに対応
    して印加すべき電圧、Ｃ S：補助容量、Ｃgd：ゲート電
    極とドレイン電極との間の寄生容量、Ｃtotal：Ｃ LC＋
    ＣS＋Ｃgd、Ｖgh：選択時のゲート電極の電位、Ｖgl：
    非選択時のゲート電極の電位）
  8. 【請求項８】 請求項７に記載された液晶表示装置の駆
    動方法において、 上記電位差の波形の振幅Δが下記関係式（６）を満たす
    ように上記補助容量の他端及び上記対向電極のそれぞれ
    の電位を設定することを特徴とする液晶表示装置の駆動
    方法。 【数６】 （ここで、ＣLC_min：液晶容量の最低値、ＶLC_min：Ｃ
    LC_minに対応して印加すべき電圧）
  9. 【請求項９】 請求項１に記載された液晶表示装置の駆
    動方法において、 上記液晶表示装置は、上記補助容量の他端が接続された
    補助容量線を有するＣ S−ｏｎ−Ｃｏｍｍｏｎ型である
    ことを特徴とする液晶表示装置の駆動方法。
  10. 【請求項１０】 請求項９に記載された液晶表示装置の
    駆動方法において、 上記液晶表示装置は、ゲート線の延びる方向に配列した
    補助容量の他端のそれぞれが同一の補助容量線に接続さ
    れている一方、ゲート線の延びる方向に配列したスイッ
    チング素子の相互に隣接したスイッチング素子がそれぞ
    れ異なるゲート線に接続されており、 同一フレームでの画素電極への電荷の書き込みの際に、
    ゲート線の延びる方向に配列したスイッチング素子の相
    互に隣接したスイッチング素子のそれぞれを異なるゲー
    ト線のゲート信号により選択状態とすることにより、ゲ
    ート線の延びる方向に相互に隣接した画素電極のそれぞ
    れに極性の異なる電荷を書き込むことを特徴とする液晶
    表示装置の駆動方法。
  11. 【請求項１１】 請求項９に記載された液晶表示装置の
    制御方法において、 上記液晶表示装置は、ゲート線の延びる方向に配列した
    スイッチング素子のそれぞれが同一のゲート線に接続さ
    れている一方、ゲート線の延びる方向に配列した補助容
    量の相互に隣接した補助容量の他端がそれぞれ異なる補
    助容量線に接続されており、 同一フレームでの画素電極への電荷の書き込みの際に、
    ゲート線の延びる方向に配列したスイッチング素子を同
    一のゲート線のゲート信号により選択状態とすると共に
    該スイッチング素子に対応して配列した画素電極の相互
    に隣接した画素電極のそれぞれに逆相のソース信号を送
    ることにより、ゲート線の延びる方向に相互に隣接した
    画素電極のそれぞれに極性の異なる電荷を書き込むこと
    を特徴とする液晶表示装置の駆動方法。
  12. 【請求項１２】 請求項１１に記載された液晶表示装置
    の制御方法において、 上記液晶表示装置は、同一フレームでの画素電極への電
    荷の書き込みの際に極性の同じ電荷が書き込まれる画素
    電極に対応した補助容量が補助容量線を介して全て繋が
    れていることを特徴とする液晶表示装置の駆動方法。
  13. 【請求項１３】 請求項１１に記載された液晶表示装置
    の制御方法において、 上記液晶表示装置は、上記補助容量線が各ゲート線間に
    設けられていると共に、該各補助容量線に他端が接続さ
    れた補助容量の一端がそれに対応した画素電極の端部に
    接続され、且つ該画素電極がゲート線上に該画素電極と
    該ゲート線との間の容量形成を阻止する絶縁膜を介して
    設けられていることを特徴とする液晶表示装置の駆動方
    法。
  14. 【請求項１４】 請求項１に記載された液晶表示装置の
    駆動方法において、 上記液晶表示装置は、上記補助容量の他端がそれに対応
    したゲート線以外のゲート線に接続されたＣS-ｏｎ−Ｇ
    ａｔｅ型であることを特徴とする液晶表示装置の駆動方
    法。
  15. 【請求項１５】 相互に並行に延びるように設けられゲ
    ート信号が順次送られる複数のゲート線と、該複数のゲ
    ート線が延びる方向と角度をなす方向に相互に並行に延
    びるように設けられソース信号が送られる複数のソース
    線と、該ゲート線と該ソース線との各交差部に対応して
    設けられてマトリクスを構成し各々がスイッチング素子
    を有する複数の画素電極と、該複数の画素電極の各々に
    対応して設けられ該対応した画素電極に一端が接続され
    た複数の補助容量と、を有する素子側基板と、 上記素子側基板に対向するように設けられ対向電極を有
    する対向側基板と、 上記素子側基板と上記対向側基板との間に狭持されるよ
    うに設けられ液晶分子を含有してなる液晶層と、を備
    え、 上記ゲート線より上記スイッチング素子にゲート信号が
    送られて選択状態となったときに、上記ソース線より該
    スイッチング素子に対応した画素電極にソース信号が送
    られることにより該画素電極に電荷が書き込まれて該画
    素電極と上記対向電極との間に形成される液晶容量及び
    それに対応した補助容量に電荷が充電されるように構成
    された交流駆動方式のアクティブマトリクス型の液晶表
    示装置であって、 上記補助容量の他端の電位から上記対向電極の電位を引
    いた電位差が繰り返し大小変化すると共に、該電位差が
    上記画素電極への電荷の書き込み時と同じときに上記画
    素電極と上記対向電極との間に印加される第１の電圧の
    絶対値が、該電位差が該画素電極への電荷の書き込み時
    と異なるときに該画素電極と該対向電極との間に印加さ
    れる第２の電圧の絶対値以下となるように、上記ソース
    信号、上記補助容量の他端及び上記対向電極のそれぞれ
    の電位が設定されることを特徴とする液晶表示装置。
  16. 【請求項１６】 請求項１５に記載された液晶表示装置
    において、 上記補助容量の他端が接続された補助容量線を有するＣ
    S−ｏｎ−Ｃｏｍｍｏｎ型であることを特徴とする液晶
    表示装置。
  17. 【請求項１７】 請求項１６に記載された液晶表示装置
    において、 ゲート線の延びる方向に配列した補助容量の他端のそれ
    ぞれが同一の補助容量線に接続されている一方、ゲート
    線の延びる方向に配列したスイッチング素子の相互に隣
    接したスイッチング素子のそれぞれが異なるゲート線に
    接続されており、 同一フレームでの画素電極への電荷の書き込みの際に、
    ゲート線の延びる方向に配列したスイッチング素子の相
    互に隣接したスイッチング素子のそれぞれが異なるゲー
    ト線のゲート信号により選択状態とされることにより、
    ゲート線の延びる方向に相互に隣接した画素電極のそれ
    ぞれに極性の異なる電荷が書き込まれるように構成され
    ていることを特徴とする液晶表示装置。
  18. 【請求項１８】 請求項１６に記載された液晶表示装置
    において、 ゲート線の延びる方向に配列したスイッチング素子のそ
    れぞれが同一のゲート線に接続されている一方、ゲート
    線の延びる方向に配列した補助容量の相互に隣接した補
    助容量の他端のそれぞれが異なる補助容量線に接続され
    ており、 同一フレームでの画素電極への電荷の書き込みの際に、
    ゲート線の延びる方向に配列したスイッチング素子が同
    一のゲート線のゲート信号により選択状態とされると共
    に該スイッチング素子に対応して配列した画素電極の相
    互に隣接した画素電極のそれぞれに逆相のソース信号が
    送られることにより、ゲート線の延びる方向に相互に隣
    接した画素電極のそれぞれに極性の異なる電荷が書き込
    まれるように構成されていることを特徴とする液晶表示
    装置。
  19. 【請求項１９】 請求項１８に記載された液晶表示装置
    において、 同一フレームでの画素電極への電荷の書き込みの際に極
    性の同じ電荷が書き込まれる画素電極に対応した補助容
    量が補助容量線を介して全て繋がれていることを特徴と
    する液晶表示装置。
  20. 【請求項２０】 請求項１８に記載された液晶表示装置
    において、 上記補助容量線が各ゲート線間に設けられていると共
    に、該各補助容量線に他端が接続された補助容量の一端
    がそれに対応した画素電極の端部に接続され、且つ該画
    素電極がゲート線上に該画素電極と該ゲート線との間の
    容量形成を阻止する絶縁膜を介して設けられていること
    を特徴とする液晶表示装置。
  21. 【請求項２１】 請求項１５に記載された液晶表示装置
    において、 上記補助容量の他端がそれに対応したゲート線以外のゲ
    ート線に接続されたＣ S-ｏｎ−Ｇａｔｅ型であることを
    特徴とする液晶表示装置。
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