JP2014235187A - 液晶表示装置および液晶表示装置の駆動方法 - Google Patents

液晶表示装置および液晶表示装置の駆動方法 Download PDF

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Abstract

【課題】電源オフ時に各絵素に電荷が蓄積されにくい液晶表示装置を提供する。【解決手段】絵素に備えられる薄膜トランジスタからなるスイッチング素子のソース端子に画像データに応じて印加される電位(ソース波形(VS))の最小値をグランド電位よりも低い値に設定する。【選択図】図15

Description

本発明は、液晶表示装置の電源オフ時に各絵素の電荷を除去するための技術に関するものである。
従来、液晶表示装置において絵素(あるいは画素)に対して同一極性の電界を印加し続けると、液晶分子の分極が生じて絵素特性の変化や画像の焼き付き等の不具合が生じることが知られている。
また、画像を表示させたまま液晶表示装置の電源をオフにした場合、各絵素には電源がオフされる直前の印加電圧が印加されたままになり、同じ画像を描画させ続けることになるので、この場合にも焼付き現象が生じることが知られている。
このため、従来の液晶表示装置では、電源をオフにする際、液晶表示パネルの各絵素に印加された電荷を放出させるための所定のオフシーケンスを実行するようになっている。
例えば、特許文献1には、電源回路に電解コンデンサを備えておき、液晶表示装置の電源がオフされたときに、この電解コンデンサに蓄えられた電荷を用いて液晶表示パネルの全画面に所定の固定パターンを描画する処理を行うことで絵素に蓄積される電荷を低減する技術が記載されている。
特開2000−131671号公報(2000年5月12日公開)
ところで、近年、酸化物半導体(例えばインジウムガリウム亜鉛酸化物半導体)などからなるオフリーク電流の少ないTFT(薄膜トランジスタ)を用いることにより、縦シャドーの低減、および間欠駆動による消費電力の低減を図った液晶表示装置が開発されている。
しかしながら、この種の液晶表示装置は、従来のアモルファスシリコンや低温ポリシリコンなどからなるTFTを用いた液晶表示装置に比べてオフリーク電流が非常に少ないため、電源オフ時に絵素に蓄積された電荷が抜けにくいという特性を有している。
図17は、インジウムガリウム亜鉛酸化物半導体からなるTFT、低温ポリシリコン(LTPS)からなるTFT、およびアモルファスシリコン(a−Si)からなるTFTのオフリーク電流特性を比較したグラフである。図17の横軸はTFTのゲート−ソース間の電位差(Vg−Vs)、縦軸はソース−ドレイン間を流れる電流を示している。
図17に示したように、インジウムガリウム亜鉛酸化物半導体からなるTFTは、オフリーク電流がアモルファスシリコンからなるTFTの1/1000以下、低温ポリシリコンからなるTFTの1/10000以下であるという特性を有している。
酸化物半導体からなるTFTが有する上記のオフリーク電流が少ないという特性は、駆動時の特性の向上(低消費電力の低減等)をもたらすが、その一方で、液晶表示装置の電源がオフされた時に絵素電極にチャージされた電荷が抜けにくいという問題がある。絵素電極に電荷が残っていると、絵素電極と対向電極との間の電位差によって液晶層に一定方向の電界がかかり、有極性分子からなる液晶分子に分極が生じて特性ずれや画像の焼き付き等の不具合が生じる場合がある。
このため、酸化物半導体等からなるオフリーク電流の少ないTFTを用いる場合、上記特許文献1に開示されている処理により電源オフ時に絵素に蓄積される電荷を低減しても、当該処理では除去しきれずに絵素に残留した電荷により、焼き付き等の不具合が生じる場合がある。また、特許文献1の技術には、オフシーケンスを実行する回路やオフシーケンスを実行するための電力を充電しておく電界コンデンサ等の充電手段を設ける必要があるので、製造コストの増大を招くという問題もある。
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、電源オフ時に絵素に電荷が蓄積されにくい液晶表示装置を提供することにある。
本発明の一態様にかかる液晶表示装置は、薄膜トランジスタからなるスイッチング素子を有する絵素を複数備え、上記薄膜トランジスタのゲート端子に当該薄膜トランジスタをオンするための電位が印加されている期間中に当該薄膜トランジスタのソース端子に画像データに応じた電位を印加することで当該薄膜トランジスタに対応する絵素を画像データに応じて駆動する液晶表示装置であって、画像データに応じて上記ソース端子に印加される電位の最小値がグランド電位よりも低い値に設定されていることを特徴としている。
上記の構成によれば、画像データに応じてソース端子に印加される電位の最小値がグランド電位である従来の液晶表示装置に比べて、液晶表示装置の電源がオフされたときのソース端子の電位をグランド電位に近づけることができる。これにより、電源オフ時のスイッチング素子のオフリーク電流を増大させ、絵素に蓄積された電荷を抜けやすくすることができる。
本発明の一実施形態にかかる液晶表示装置の概略構成を示す説明図である。 図1に示した液晶表示装置に備えられる液晶パネルの構成を示す説明図である。 図2に示した液晶パネルに備えられるTFT基板の構成を示す説明図である。 図2に示した液晶パネルに備えられる絵素の構成を示す説明図である。 図4に示した絵素の等価回路図である。 図1に示した液晶表示装置に備えられるソース電源回路に設けられるローレベル側電源回路の構成例を示す説明図である。 図1に示した液晶表示装置に備えられるゲートドライバの構成を示す説明図である。 図7に示したゲートドライバの出力信号の波形を示す説明図である。 図7に示したゲートドライバの出力段に備えられる回路の構成例を示す説明図である。 図1に示した液晶表示装置に備えられる階調用DACの構成例を示す説明図である。 図1に示した液晶表示装置に備えられるソースドライバの構成を示す説明図である。 図1に示した液晶表示装置におけるソースバスラインおよびゲートバスラインに対する電圧印加タイミングを示す説明図である。 図11に示したソースドライバ内に備えられる階調電位生成回路の構成を示す説明図である。 図11に示したソースドライバの出力段に備えられる回路の構成例を示す説明図である。 (a)は図1に示した液晶表示装置における各絵素への印加電圧を示す説明図であり、(b)は従来例にかかる液晶表示装置における各絵素への印加電圧の例を示す説明図である。 図1に示した液晶表示装置における階調値に対応する印加電圧の調整方法を示す説明図である。 TFTの種類に応じたオフリーク電流特性を示す説明図である。
本発明の一実施形態について説明する。
図1は本実施形態にかかる液晶表示装置1の概略構成を示す説明図であり、図2は液晶表示装置1に備えられる液晶パネル20の構成を示す説明図である。
図2に示すように、液晶パネル20は、スペーサ23を介して互いに対向配置されたTFT基板21および対向基板22と、TFT基板21と対向基板22との間に封入された液晶材料からなる液晶層24と、TFT基板21の裏面側(対向基板22との対向面とは反対側の面側)に配置された第1偏光板25と、対向基板22の表面側(TFT基板21との対向面とは反対側の面側)に配置された第2偏光板26とを備えている。また、液晶パネル20の裏面側には、バックライト30が配置されている。
第1偏光板25は、バックライト30から照射された光のうち、当該第1偏光板25の偏光軸方向に応じた偏光を有する光のみを透過させる。また、各絵素の液晶層24には画像データに応じた電圧が印加されるようになっており、これによって各絵素における液晶の複屈折が画像データに応じて変化し、各絵素を通過する光の偏光方向は画像データに応じて変化する。また、第2偏光板26は、液晶層24を通過した光のうち、当該第2偏光板26の偏光軸方向に応じた偏光を有する光のみを透過させる。これにより、液晶パネル20を透過する光の光量を画像データに応じて絵素毎に制御して画像表示を行うようになっている。
また、対向基板22における各絵素(サブピクセル)に対応する領域には、R(赤),G(緑),B(青)のいずれかのカラーフィルタが形成されており、R,G,Bの3つの絵素の組み合わせによって1つの画素(ピクセル)が形成されている。これにより、各画素のR,G,Bの透過光量が画像データに応じて画素毎に制御され、画像データに応じた画像が表示される。
図3はTFT基板21の概略構成を示す説明図である。この図に示すように、TFT基板21上には、多数のゲートバスライン31と、各ゲートバスライン31と交差するように配置された多数のソースバスライン32と、ゲートバスライン31とソースバスライン32との交差部毎に設けられた絵素33とが設けられている。
図4は液晶パネル20に備えられる絵素33の絵素構造を示す説明図である。
各絵素33は、図4に示すように、スイッチング素子としてのTFT(Thin Film Transistor、薄膜トランジスタ)34と、絵素電極35と、対向電極36とを備えている。また、TFT34のゲート端子はゲートバスライン31に接続されており、ソース端子はソースバスライン32に接続されており、ドレイン端子は絵素電極35に接続されている。
なお、本実施形態では、TFT34として、インジウムガリウム亜鉛酸化物半導体(酸化物半導体)からなるチャネル層を有するTFTを用いている。ただし、TFT34の構成はこれに限るものではなく、例えば、インジウムガリウム亜鉛酸化物半導体以外の酸化物半導体からなるチャネル層を有するものを用いてもよく、酸化物半導体以外の材質(例えば、アモルファスシリコン、低温ポリシリコンなど)からなるチャネル層を有するものを用いてもよい。
また、各ゲートバスライン31はゲートドライバ4に接続されており、各ソースバスライン32はソースドライバ5に接続されている。また、対向電極36は対向基板22上に配置された対向配線(図示せず)を介して対向基準電位(本実施形態ではグランド(GND)電位)に接続されている。
画像表示時には、ゲートドライバ4が書込対象のゲートバスライン31を周期的に切り替え、ソースドライバ5がゲートドライバ4と同期して、書込対象として選択されているゲートバスライン31に接続されている各絵素33に対応するソースバスライン32に画像データの階調値に応じた印加電圧を印加する。これにより、各絵素33の液晶層24に画像データに応じた電圧を印加して液晶分子の配向方向を制御し、表示を行う。
図5は、絵素33の等価回路図である。TFT34のゲート端子の電位が当該TFT34のソース端子の電位よりも所定値以上高くなるとTFT34がオンになり、ソース端子とドレイン端子との間を電流が流れ、ソースバスライン32の電位が液晶容量(液晶層24)に印加される。図5に示した等価回路図では、絵素電極35、対向電極36、および液晶層24はコンデンサとして表されている。なお、図5に示す例では、液晶容量(絵素電極35、液晶層24、および対向電極36)に対して並列に配置された、各絵素33の電位を維持するための液晶補助容量(CS容量)37が備えられているが、この液晶補助容量37は必須の構成ではなく、省略してもよい。また、本実施形態では、液晶補助容量37におけるTFT34側の電極とは反対側の電極の電位を対向電極36と同じくグランド(GND)電位としている。ただし、これに限らず、対向電極36の電位と異なる電位に設定してもよい。
なお、本実施形態では、R,G,Bの絵素を備えているものとしているが、これに限るものではなく、他の色の絵素を備えていてもよい。
図1に示したように、液晶表示装置1は、液晶パネル20およびバックライト30に加えて、タイミングコントローラ2、階調用DAC(階調用デジタルアナログコンバータ)3、ゲートドライバ4、ソースドライバ5、ゲート電源回路8、ソース電源回路9、およびロジック電源回路10を備えている。
ロジック電源回路10は、タイミングコントローラ2、階調用DAC3、ゲートドライバ4、およびソースドライバ5に備えられるロジック回路(図示せず)に電力を供給する。
ゲート電源回路8は、ゲートドライバ4に駆動電力を供給するものであり、ゲートドライバ4にハイレベル側電圧を供給するハイレベル側電源回路8aと、ローレベル側電圧を供給するローレベル側電源回路8bとを備えている。ハイレベル側電源回路8aおよびローレベル側電源回路8bの構成は特に限定されるものではなく、従来から公知の電源回路を用いることができる。
ソース電源回路9は、ソースドライバ5に駆動電力を供給するものであり、ソースドライバ5にハイレベル側の電源電力を供給するハイレベル側電源回路9aと、ローレベル側の電源電力を供給するローレベル側電源回路9bとを備えている。なお、ハイレベル側電源回路9aは、階調用DAC3にもアナログ電源電力を供給する。また、ローレベル側電源回路9bは、階調用DAC3のグランド(GND)端子にも電力を供給する。
また、本実施形態では、詳細は後述するが、ローレベル側電源回路9bからソースドライバ5に供給されるローレベル側電圧に対応する電位の最低値がグランド(GND)電位よりも低くなるように設定されている。
図6は、ローレベル側電源回路9bの構成例を示す説明図である。この図に示すように、ローレベル側電源回路9bは、降圧コンバータ91を備えており、入力電圧(入力電位)VINをグランド(GND)電位よりも低い出力電圧(出力電位)VOUTに変換して出力する。本実施形態では、ソース電源回路9に対して電力供給源(図示せず)から入力電圧12Vが供給され、ローレベル側電源回路9bはこの入力電圧12Vに基づいて出力電圧−6Vを生成して出力する。降圧コンバータ91の構成は特に限定されるものではないが、例えば、テキストインスツルメンツ社製のTPS54050(商品名)などを用いることができる。このような構成からなるローレベル側電源回路9bを用いることにより、高容量の電源を安価に構成することができる。なお、ローレベル側電源回路9bの構成は図6に示した構成に限るものではなく、グランド(GND)電位よりも低い電圧(電位)を出力できる構成であればよい。また、ハイレベル側電源回路9aの構成については特に限定されるものではなく、従来から公知の電源回路を用いることができる。
タイミングコントローラ2は、外部(例えば液晶表示装置1の制御部)から入力される画像データに基づいてゲートドライバ4およびソースドライバ5の動作を制御するための制御信号を生成し、ゲートドライバ4およびソースドライバ5に出力する。
ゲートドライバ4は、タイミングコントローラ2から入力される制御信号に基づいて、液晶パネル20のTFT基板21に備えられる各ゲートバスライン31に印加する電圧を制御することにより、書込対象のゲートバスライン31を周期的に切り替える。
図7は、ゲートドライバ4の構成を示す説明図である。この図に示すように、ゲートドライバ4には、ゲートバスライン31に印加するハイレベル側電圧VGH、ゲートバスライン31に印加するローレベル側電圧VGL、ロジック電源電圧VL、ロジックのグランド電位(基準電位)GNDが入力される。なお、ハイレベル側電圧VGHはハイレベル側電源回路8aから入力され、ローレベル側電圧VGLはローレベル側電源回路8bから入力され、ロジック電源電圧VLはロジック電源回路10から入力される。
また、ゲートドライバ4には、タイミングコントローラ2からゲートスタートパルスGSP、ゲートクロック信号GCK、およびゲートイネーブル信号GOEが入力される。G1,G2,・・・,G2160は、液晶パネル20のゲートバスライン31の1番目,2番目,・・・2160番目のゲートバスライン31にそれぞれ接続されている。
図8は、ゲートドライバ4の駆動波形(ゲートドライバ4から各ゲートバスライン31への出力信号波形)である。この図に示すように、ゲートスタートパルスGSPが入力された後、ゲートクロック信号GCKのパルスが入力されるごとに、ゲートバスライン31に1本ずつ順次ハイレベル電圧が印加される。ただし、ゲートドライバ4の駆動波形はこれに限るものではなく、従来から公知の駆動方法を用いることができる。
図9は、ゲートドライバ4の出力段の回路構成の一例を示す説明図である。この図に示すように、ゲートドライバ4の出力段では、インバータI1、インバータI2、および出力端子PADが直列に接続されており、インバータI2と出力端子PADとの間に、ダイオードD1を介してハイレベル側電源(ハイレベル側電圧VGHの供給源)が接続され、ダイオードD2を介してローレベル側電源(ローレベル側電圧VGHの供給源)が接続されている。また、出力端子PADは各ゲートバスライン31に接続されている。これにより、ゲートドライバ4の内部回路から出力されるデータ信号のハイレベル側がハイレベル側電圧VGH、ローレベル側がローレベル側電圧VGLにレベルシフトされて各ゲートバスライン31に順次印加される。
具体的には、図8に示したように、各ゲートバスライン31にハイレベル電圧を1本ずつ順次印加していく。これにより、各ゲートバスライン31に接続された絵素33のTFT34が1本のゲートバスライン31毎に順次オンされていき、TFT34がオンされた絵素33にのみソースバスライン32を介して画像データに応じた電圧が印加(チャージ)される。なお、このように1ゲートバスラインずつ表示を行っていく方法は線順次駆動と呼ばれ、1ゲートバスラインずつ絵素33に画像データに応じた電圧を印加していき、すべてのゲートバスラインに電圧を印加することによって一画面分の表示が行われる。
階調用DAC3は、外部(例えば液晶表示装置1の制御部)から入力される階調基準データ(出力電圧値データ)に基づいて、ソースドライバ5において階調値に応じた電圧を生成する際に用いられる階調基準電圧を生成し、ソースドライバ5に出力する。なお、上記の階調基準データは、液晶パネル毎に異なる絵素の浮遊容量に起因する最適な階調電圧のばらつきを調整するように、例えば液晶表示装置1の生産時などに設定される。
図10は、階調用DAC3の構成例を示す説明図である。この図に示すように、階調用DAC3は、AVDD端子、VSD端子、SET端子、SCL端子、SDA端子、OUT/INPCOM端子、OUTCOM端子,INNCOM端子,REFIN端子,およびGND端子を備えている。AVDD端子にはソース電源回路9のハイレベル側電源回路からアナログ電源電圧が入力され、VSD端子にはロジック電源回路10からデジタル電源電圧が入力される。なお、デジタル電源電圧のローレベル側はグランド(GND)に接続される。SET,DVR,OUT/INPCOM,OUTCOM,およびINNCOMは対向電圧用の端子であるが、本実施形態では対向電極をグランドに接続(グランド電位(0V)に固定)しているので、これら各端子については使用しない。SCL端子およびSDA端子は外部に接続されるI2Cの通信ポートであり、本実施形態ではこれら各端子を用いて外部からBANKA/Bメモリ(記憶部)の書き換え処理を行えるようになっている。BANKA/Bメモリは、複数の階調値に対応する電圧設定値(階調設定電圧)を保存する不揮発のメモリであり、それらの電圧設定値をDATA1からDATA10に出力する。DATA1からDATA10はそれぞれの電圧設定値を格納し、その内容を10bitDACに入力する。10bitDACは画像データの階調値に対応するデジタルデータを上記電圧設定値に基づいて電圧に変換する。例えば、デジタルデータの階調値が356である場合、(REFIN端子の電圧−GND端子の電圧)×356/1023+GNDの電圧が出力される。なお、REFIN端子の電圧は図10の上部に示されている2つの抵抗Ra,Rbによって設定され、GND端子にはソース電源回路9のローレベル側電源回路9bから電源供給が行われる。10bitDACの出力はアンプで増幅されて出力端子OUT1〜OUT10からソースドライバ5に階調基準電圧として出力される。
ソースドライバ5は、タイミングコントローラ2から入力される制御信号と、階調用DAC3から入力される階調基準電圧とに基づいて、液晶パネル20のTFT基板21に備えられる各ソースバスライン43に印加する電圧を制御する。具体的には、ソースドライバ5は、各ソースバスライン32に印加するための電位(各ソースバスライン32に接続された絵素33のうち書き込み対象の絵素33に印加するための電位)を生成し、生成した電位をゲートドライバ4による書込対象のゲートバスライン31の切替動作と同期したタイミングで各ソースバスライン32に印加する。
図11はソースドライバ5の構成を示す説明図である。なお、本実施形態では、絵素33に電位が印加されていない時に当該絵素33が黒表示になるノーマリブラックの液晶パネル20を使用している。ただし、これに限らず、ノーマリーホワイトの液晶パネル20を用いてもよい。
図11に示したように、ソースドライバ5には、アナログ電源のグランド電位AGND、アナログ電源VLS、ロジックのグランド電位DGND/LRGND、ロジック電源VCC/LRVDD、ソースバスライン32に対する印加電圧の極性を−極性にする時の階調基準電源VL0・・・VL1023、+極性にする時の階調基準電源VH0・・・VH1023、複数のソースドライバ5を使用する場合のカスケード用信号DIO2,DIO1、入力信号に対応するデータの並び(ピクセルデータの順序が1から240に向かう順序であるか、240から1に向かう順序であるか)の切替信号LBR、絵素のデータLV0A/B・・・LV7A/B、クロック信号CLKA/CLKB、出力データの切り替えタイミングを制御するラッチパルスLS、およびソースバスライン32に対する印加電圧の極性を切り替えるための極性反転信号REVが入力される。
XO(1),Y0(1),ZO(1),XO(2),Y0(2),ZO(2),・・・XO(240),Y0(240),ZO(240)は互いに異なるソースバスライン32に接続され、それぞれのソースバスライン32に接続された絵素33を駆動する。X,Y,Zは各絵素の色に対応しており、R,G,Bの各絵素の配列順に応じてR,G,Bの3原色のいずれかを表す。
ところで、液晶分子は有極性分子であるため、同一方向の電界を長時間印加し続けると分極してしまい、焼き付けや特性ずれを起こしてしまう。このため、本実施形態では、ソースドライバ5が、タイミングコントローラ2から入力される制御信号に基づいて、各絵素電極35に印加する電位を対向電位よりも高い+極性の電位と対向電位よりも低い−極性の低い電位とに交互に切り替える交流駆動(極性反転駆動)を行う。極性反転信号REVには上記の切り替えを行うための信号であり、極性反転信号REVがハイレベル(H)の場合にはXO(1),Y0(1),ZO(1),XO(2),Y0(2),ZO(2),・・・に対する印加電圧の極性が+,−,+,−,+,−,・・・とされ、ローレベル(L)の場合にはXO(1),Y0(1),ZO(1),XO(2),Y0(2),ZO(2),・・・に対する印加電圧の極性が−,+,−,+,−,+,・・・に切り替えられる。なお、ソースバスライン32の延伸方向に隣接する絵素毎に印加電圧の極性を反転させてもよく、複数の絵素毎に反転させてもよい。また、ゲートバスライン31の延伸方向に隣接する絵素についても、1または複数の絵素毎に印加電圧の極性を反転させてもよい。また、本実施形態では、1または複数のフレーム毎に各絵素に対する印加電圧の極性を反転させるようになっている。
図12は、ソースバスライン32およびゲートバスライン31に対する電圧印加のタイミングを示す説明図である。この図に示すように、ソースドライバ5は、画像データに応じた1ゲートバスライン分の電位をラッチパルスLSに応じたタイミングで各ソースバスライン32に出力する。また、ゲートドライバ4は、ソースドライバ5の出力タイミングと同期したタイミングでソースドライバ5の出力に対応するゲートバスライン31への供給電圧をハイレベルに切り替える。すなわち、nライン目のゲートバスライン31の電圧がハイレベルである期間中にソースドライバ5から各ソースバスライン32にnライン目のデータが出力される。この処理を全てのゲートバスライン31について順次行うことで、各絵素33に画像データに応じた電荷をチャージして一画面分の表示を行う。
図13は、ソースドライバ5内に備えられる階調電位生成回路51の構成を示す説明図である。上述したように、液晶パネル20における各絵素の透過率は、当該各絵素の絵素電極に印加する電圧を制御することによって調整され、それによって階調表示が行われる。また、本実施形態では、隣接する絵素に対する印加電圧を逆極性とし、各絵素に対する印加電圧の極性を1フレーム毎に切り替える交流駆動を行うようになっている。このため、本実施形態では、交流駆動を行うために、階調電位生成回路51が階調用DAC3から入力される基準電圧に基づいて、1つの階調値に対して+極性を印加する場合の電位と−極性を印加する場合の電位の2つの電位を生成する。具体的には、本実施形態では10ビットのソースドライバ5を用いており、階調電位生成回路51は、+極性用にVH0〜VH1023の1024種類の電位、−極性用にVL0〜VL1023の1024種類の電位の合計2048種の電位を生成する。なお、図13に示した抵抗R1〜R20の抵抗値は液晶の特性に合わせて設定されている。階調用DAC3から階調基準電圧が入力されない場合には、この抵抗R1〜R20による抵抗分割で基準電圧を生成してもよい。
図14は、ソースドライバ5の出力段の回路構成の一例を示す説明図である。この図に示すように、ソースドライバ5の出力段には、ソースドライバ5の内部回路と出力端子Oとの間にオペアンプ92が備えられており、オペアンプ92と出力端子Oとの間に、ダイオードDaを介してアナログ電源VLSが接続され、ダイオードDbを介してアナログ電源のグランド電位AGNDが接続されている。ソースドライバ5の内部回路において図13に示した階調電圧の中から画像データにおける絵素の階調値に応じた電圧が選択され、出力段のオペアンプ92で増幅されてソースバスライン32に出力される。
図15の(a)は、本実施形態にかかる液晶表示装置1における各絵素33に印加される電圧波形の一例を示す説明図である。ゲート波形(VG)はTFT34のゲート端子に印加される電圧、ソース波形(VS)はTFT34のソース端子に印加される電圧、対向電位は対向電極36に印加される電圧を示している。この図に示すように、本実施形態では、ゲート端子に印加される電圧はハイレベル側が28V、ローレベル側が−14Vに設定されている。また、ソース端子に印加される電圧は、+極性の場合の最大値(VH1023)が8V、−極性の場合の最小値(VL1023)が−8Vに設定されている。また、対向電圧は0V(GND電位)に設定されている。なお、ゲート電源回路8、ソース電源回路9、およびロジック電源回路10に対する入力電圧は12Vであり、ロジック電源回路10の出力電圧(ロジック電圧)は3.3Vである。
このように、ゲート端子に印加されるハイレベル側の電圧は、ソース端子の印加電圧にかかわらずTFT34をオンさせることができるように、ソース端子に印加される電圧の最大値よりも十分高く設定されている。また、ゲート端子に印加されるローレベル側の電圧は、ソース端子の印加電圧にかかわらずTFT34をオフさせることができるように、ソース端子に印加される電圧の最小値よりも十分低く設定されている。これにより、ゲート端子に印加される電圧がハイレベルである場合にTFT34がオンしてソース端子とドレイン端子との間を電流が流れ、絵素電極35の電位がソースバスライン32の電位と等しくなって絵素33への書き込みが行われる。
一方、図15の(b)は、従来の印加電圧の設定例を示す説明図であり、ゲートバスライン31およびソースバスライン32に対する印加電圧の設定が異なる以外は本実施形態にかかる液晶表示装置1と略同様の構成の液晶表示装置に対する設定例を想定したものである。
図15の(b)に示すように、従来の印加電圧の設定方法では、ソース端子に印加される電圧は、+極性の場合の最大値(VH1023)が16V程度に設定され、−極性の場合の最小値(VL1023)が0V(GND電位)に設定され、対向電圧は6Vに設定されていた。なお、ソース端子に印加される電圧の最大値と対向電圧との差(16V−6V=10V)と、対向電圧とソース端子に印加される電圧の最小値と差(6V−0V=6V)とが異なるのは、絵素電極に充電を行う際のGNDへの引き込み(GNDへの引き込みについては後述する)の影響を考慮しているためである。
すなわち、従来の液晶表示装置では、絵素のTFTにおけるソース端子に対する印加電圧の最小値がGND電位に設定され、対向電圧がプラスの値に設定されており、絵素のソース端子に対する印加電圧は、当該印加電圧の極性を+極性にする場合も−極性にする場合も、0V(GND電位)以上の電圧に設定されていた。これに対して、本実施形態にかかる液晶表示装置1では、絵素33のTFT34におけるソース端子に対する印加電圧の最小値をGND電位よりも低い電圧に設定し、対向電圧をGND電位に設定している。
なお、液晶表示装置では、一般に、液晶パネル内の浮遊容量により、GND電位に対する引き込みが発生するため、絵素電極に対する印加電圧は、+極性の場合も−極性の場合もGND側にずれる。すなわち、GNDに対する引き込みにより、印加電圧がGNDに対して+極性の場合は印加電圧が下がり、−極性の場合は印加電圧が上がる。この際、+極性の場合と−極性の場合とでGNDに対する引き込みの特性がずれていると、同じ階調値を表示する場合であっても+極性の絵素と−極性の絵素とで絵素に印加される電荷が異なってしまい、画面がちらついて見えてしまう、所謂フリッカーと呼ばれる現象が生じてしまう。
このため、従来の液晶表示装置では、この浮遊容量に起因する引き込みの影響を、対向電圧を調整することによって解消していた。また、浮遊容量は液晶パネル毎に異なるため、上記の調整は液晶表示装置1台ずつ個々に行われていた。
これに対して、本実施形態にかかる液晶表示装置1では、対向電圧を0V(GND電位)に固定していることから、上述した階調用DAC3におけるBANKA/Bメモリの値を液晶パネル毎の特性(液晶表示装置1の個体特性)に応じて書き換えることにより、各階調に対応する電圧値を調整して上記の浮遊容量に起因する引き込みの影響を除去している。
図16は、階調値に対応する印加電圧の調整の様子を示す説明図である。階調用DAC3におけるBANKA/Bメモリの設定値を調整することにより、この設定値に基づいてソースドライバ5で生成される階調電圧が調整することができる。
以上のように、本実施形態にかかる液晶表示装置1は、絵素33のTFT34のソース端子に印加される電位の最小値がグランド(GND)電位よりも低い電位に設定されている。これにより、液晶表示装置1の電源がオフされた際に、絵素33に蓄積された電荷を抜けやすくすることができる。
すなわち、液晶表示装置1の電源がオフされると、ゲート電源回路8、ソース電源回路9、およびロジック電源回路10の出力電圧はグランドに対して電荷が抜けるので0Vになる。また、対向電圧も0Vのままになる。
一方、ソースバスライン32には、当該ソースバスライン32に接続された各絵素33の電荷がリークしてくるので、ソースバスライン32の電位はそれら各絵素に対する書き込み電圧の平均値に対応する電位になる。このため、図15の(b)に示した従来の印加電圧の設定方法の場合、ソースバスライン32の電位は約8Vになる。これに対して、本実施形態にかかる液晶表示装置1では、通常駆動時に絵素33のTFT34のソース端子に印加される電位の最小値をグランド(GND)電位よりも低い電位に設定しているので、電源オフ時のソースバスライン32の電位は約0Vになる。
このため、上述した図17に示したTFTにおけるオフリーク電流の特性から明らかなように、本実施形態のようにTFT34のソース端子に印加される電位の最小値をグランド電位よりも低い電位に設定しておくことで、電源オフ時のTFTのオフリーク電流を増大させ、絵素33に蓄積された電荷を抜けやすくすることができる。
また、図15の(b)に示した従来の印加電圧の設定方法の場合、電源オフ時には対向電極の電位は駆動時の設定電位(6V)からグランド電位(0V)に変化するので、各絵素にチャージされている電圧はその変化分だけ上昇し、その分だけ絵素から抜く必要のある電荷が増大する。
これに対して、本実施形態では、駆動時における対向電極36の電位をグランド電位(0V)に設定しているので、液晶表示装置1の電源がオフされても対向電極36の電位は変化しない。したがって、電源オフ時に絵素33から抜く必要のある電荷を従来よりも低減することができる。
また、駆動時における対向電極36の電位をグランド電位(0V)に設定することにより、絵素電極35から電荷が抜けやすくすることができる。すなわち、対向電極36の電位を調整可能な構成にした場合、対向電極36がグランド電位に対して高抵抗になって対向電極36の電位が安定しにくくなり、絵素電極35から電荷が抜けにくくなる。これに対して、駆動時における対向電極36の電位をグランド電位(0V)に設定することにより、対向電極36の電位を安定させ、絵素電極35から電荷が抜けやすくすることができる。
また、従来の液晶表示装置では、例えば上述した特許文献1のように、電源オフ時に絵素電極から電荷を抜くための処理を行う回路と、当該回路を電源供給が遮断された状態でも駆動できるようにするためのコンデンサ等の充電手段とを設ける必要があった。これに対して、本実施形態によれば、ソース電源回路9にローレベル側電源回路9bを設けるだけで、上記回路および上記充電手段を設けなくても電源オフ時に各絵素の電荷を抜くことができる。したがって、液晶表示装置1の製造コストを低減することができる。
ただし、本実施形態にかかる液晶表示装置1において、駆動時の印加電圧を上述したように設定するとともに、上記回路および上記充電手段を設け、電源オフ時に各絵素に蓄積される電荷を低減するための電位(グランド電位またはそれに近い電位)を各絵素に書き込む処理を行うようにしてもよい。
また、本実施形態では、対向電極36の電位をグランド電位(0V)に設定する構成について説明したが、これに限るものではなく、少なくとも画像データに応じてソースバスライン32に印加される電位の最低値をグランド電位よりも低く設定し、最大値をグランド電位よりも高く設定し、上記最低値および上記最低値に応じて対向電極36の電位を適宜設定すればよい。
また、本実施形態では、液晶表示装置1がバックライト30から出射される光を用いて表示を行う透過型の液晶表示装置である場合について説明したが、これに限るものではない。例えば、外部からの入射光を反射させて表示光として用いる反射型の液晶表示装置であってもよく、透過型の液晶表示装置の機能と反射型の液晶表示装置の機能とを併せ持った半透過型の液晶表示装置であってもよい。
また、本実施形態では、絵素電極がTFT基板21に備えられ、対向電極が対向基板22に備えられた液晶表示装置について説明したが、これに限らず、絵素電極および対向電極の両方が同一基板に備えられた構成であってもよい。
〔まとめ〕
本発明の態様1にかかる液晶表示装置は、薄膜トランジスタからなるスイッチング素子を有する絵素を複数備え、上記薄膜トランジスタのゲート端子に当該薄膜トランジスタをオンするための電位が印加されている期間中に当該薄膜トランジスタのソース端子に画像データに応じた電位を印加することで当該薄膜トランジスタに対応する絵素を画像データに応じて駆動する液晶表示装置であって、画像データに応じて上記ソース端子に印加される電位の最小値がグランド電位よりも低い値に設定されていることを特徴としている。
上記の構成によれば、画像データに応じてソース端子に印加される電位の最小値がグランド電位である従来の液晶表示装置に比べて、液晶表示装置の電源がオフされたときのソース端子の電位をグランド電位に近づけることができる。これにより、電源オフ時のスイッチング素子のオフリーク電流を増大させ、絵素に蓄積された電荷を抜けやすくすることができる。
本発明の態様2にかかる液晶表示装置は、態様1において、上記薄膜トランジスタは、酸化物半導体からなるチャネル層を有している構成である。
酸化物半導体からなるチャネル層を備えた薄膜トランジスタはオフリーク電流が非常に少ないという特性を有しているが、上記の構成によれば、電源オフ時のスイッチング素子のオフリーク電流をソース端子に印加される電位の最小値がグランド電位である従来の液晶表示装置よりも増大させ、絵素に蓄積された電荷を抜けやすくすることができる。
本発明の態様3にかかる液晶表示装置は、上記態様1または2において、上記絵素は、上記薄膜トランジスタのドレイン端子に接続された絵素電極と、液晶層を介して上記絵素電極と対向するように配置された対向電極とを備え、上記絵素を画像データに応じて駆動する際の上記対向電極の電位がグランド電位に設定されている構成である。
上記の構成によれば、駆動時における対向電極の電位がグランド電位に設定されているので、液晶表示装置の電源がオフされても対向電極の電位は変化しない。このため、対向電極の電位の変化によって絵素から抜く必要のある電荷が増加することがないので、絵素の電荷をより抜けやすくすることができる。また、対向電極の電位をグランド電位で安定させることができるので、対向電極の電位が変動する場合に比べて絵素の電荷をより抜けやすくすることができる。
本発明の態様4にかかる液晶表示装置は、上記態様3において、画像データの階調値と当該階調値に対応する上記ソース端子に対する印加電位とを対応付けた階調基準データを記憶した記憶部を備え、上記階調基準データは、当該液晶表示装置の個体特性に応じて変更可能である構成である。
上記の構成によれば、液晶表示装置毎の個体特性に応じて、画像データの階調値に対応する各絵素のソース端子への印加電圧を調整することができるので、フリッカー等の不具合を防止して表示品位を向上させることができる。
本発明の態様5にかかる液晶表示装置は、上記態様3または4において、複数のゲートバスラインと、上記各ゲートバスラインと交差する複数のソースバスラインとを備え、上記絵素は上記ゲートバスラインと上記ソースバスラインとの交差部毎に設けられ、各絵素に備えられる薄膜トランジスタのゲート端子は上記ゲートバスラインのうちのいずれかに接続され、ソース端子は上記ソースバスラインのうちのいずれかに接続されており、共通のソースバスラインに接続された各絵素のソース端子に印加される電位の極性が、当該ソースバスラインの延伸方向に沿って隣接する1絵素毎または複数の絵素毎に反転するように設定されている構成である。
上記の構成によれば、電源オフ時におけるソースバスラインの電位は当該ソースバスラインに接続された各絵素に印加される電位の平均値に近い値になる。このため、電源オフ時におけるソースバスラインの電位をグランド電位により近づけることができるので、各絵素の電荷をより抜けやすくすることができる。
本発明の一態様にかかる液晶表示装置の駆動方法は、薄膜トランジスタからなるスイッチング素子を有する絵素を複数備え、上記薄膜トランジスタのゲート端子に当該薄膜トランジスタをオンするための電位が印加されている期間中に当該薄膜トランジスタのソース端子に画像データに応じた電位を印加することで当該薄膜トランジスタに対応する絵素を画像データに応じて駆動する液晶表示装置の駆動方法であって、画像データに応じて上記ソース端子に印加される電位の最小値をグランド電位よりも低い値に設定することを特徴としている。
上記の方法によれば、画像データに応じてソース端子に印加される電位の最小値がグランド電位である従来の液晶表示装置に比べて、液晶表示装置の電源がオフされたときのソース端子の電位をグランド電位に近づけることができる。これにより、電源オフ時のスイッチング素子のオフリーク電流を増大させ、絵素に蓄積された電荷を抜けやすくすることができる。
本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能である。すなわち、請求項に示した範囲で適宜変更した技術的手段を組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
本発明は、液晶表示装置に適用できる。また、スイッチング素子としてオフリーク電流が少ない酸化物半導体等からなる薄膜トランジスタを用いた液晶表示装置に特に好適に適用できる。
1 液晶表示装置
2 タイミングコントローラ
3 階調用DAC
4 ゲートドライバ
5 ソースドライバ
8 ゲート電源回路
8a ハイレベル側電源回路
8b ローレベル側電源回路
9 ソース電源回路
9a ハイレベル側電源回路
9b ローレベル側電源回路
10 ロジック電源回路
20 液晶パネル
21 TFT基板
22 対向基板
23 スペーサ
24 液晶層
25 第1偏光板
26 第2偏光板
30 バックライト
31 ゲートバスライン
32 ソースバスライン
33 絵素
34 TFT
35 絵素電極
36 対向電極
37 液晶補助容量
51 階調電位生成回路
91 降圧コンバータ
92 オペアンプ
D1,D2 ダイオード
I1,I2 インバータ
Ra,Rb 抵抗
R1〜R20 抵抗

Claims (6)

  1. 薄膜トランジスタからなるスイッチング素子を有する絵素を複数備え、上記薄膜トランジスタのゲート端子に当該薄膜トランジスタをオンするための電位が印加されている期間中に当該薄膜トランジスタのソース端子に画像データに応じた電位を印加することで当該薄膜トランジスタに対応する絵素を画像データに応じて駆動する液晶表示装置であって、
    画像データに応じて上記ソース端子に印加される電位の最小値がグランド電位よりも低い値に設定されていることを特徴とする液晶表示装置。
  2. 上記薄膜トランジスタは、酸化物半導体からなるチャネル層を有していることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
  3. 上記絵素は、上記薄膜トランジスタのドレイン端子に接続された絵素電極と、液晶層を介して上記絵素電極と対向するように配置された対向電極とを備え、
    上記絵素を画像データに応じて駆動する際の上記対向電極の電位がグランド電位に設定されていることを特徴とする請求項1または2に記載の液晶表示装置。
  4. 画像データの階調値と当該階調値に対応する上記ソース端子に対する印加電位とを対応付けた階調基準データを記憶した記憶部を備え、
    上記階調基準データは、当該液晶表示装置の個体特性に応じて変更可能であることを特徴とする請求項3に記載の液晶表示装置。
  5. 複数のゲートバスラインと、上記各ゲートバスラインと交差する複数のソースバスラインとを備え、上記絵素は上記ゲートバスラインと上記ソースバスラインとの交差部毎に設けられ、各絵素に備えられる薄膜トランジスタのゲート端子は上記ゲートバスラインのうちのいずれかに接続され、ソース端子は上記ソースバスラインのうちのいずれかに接続されており、
    共通のソースバスラインに接続された各絵素のソース端子に印加される電位の極性が、当該ソースバスラインの延伸方向に沿って隣接する1または複数の絵素毎に反転するように設定されていることを特徴とする請求項3に記載の液晶表示装置。
  6. 薄膜トランジスタからなるスイッチング素子を有する絵素を複数備え、上記薄膜トランジスタのゲート端子に当該薄膜トランジスタをオンするための電位が印加されている期間中に当該薄膜トランジスタのソース端子に画像データに応じた電位を印加することで当該薄膜トランジスタに対応する絵素を画像データに応じて駆動する液晶表示装置の駆動方法であって、
    画像データに応じて上記ソース端子に印加される電位の最小値をグランド電位よりも低い値に設定することを特徴とする液晶表示装置の駆動方法。
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