JP2003270803A - レジスト膜剥離方法 - Google Patents
レジスト膜剥離方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 レジスト膜の除去性能を容易に高めることが
できるようにする。 【解決手段】 レジスト膜３の剥離を行う際、被洗浄物
であるウェハ１に対し剥離液による温度差を与えること
で、被エッチング膜である金属膜２とレジスト膜３との
界面に応力を発生させ、レジスト膜３の密着性を弱める
とともに、その界面にマイクロクラックを生じさせるこ
とにより、その界面への剥離液の浸透性を高めレジスト
膜３の溶解を促進させるようにする。また、低温剥離液
処理槽１０内の剥離液の温度を、レジスト膜３の融点以
上とし、被洗浄物であるウェハ１を低温剥離液処理槽１
０内の剥離液に浸漬した際もレジスト膜３の溶解を促進
させるようにする。
できるようにする。 【解決手段】 レジスト膜３の剥離を行う際、被洗浄物
であるウェハ１に対し剥離液による温度差を与えること
で、被エッチング膜である金属膜２とレジスト膜３との
界面に応力を発生させ、レジスト膜３の密着性を弱める
とともに、その界面にマイクロクラックを生じさせるこ
とにより、その界面への剥離液の浸透性を高めレジスト
膜３の溶解を促進させるようにする。また、低温剥離液
処理槽１０内の剥離液の温度を、レジスト膜３の融点以
上とし、被洗浄物であるウェハ１を低温剥離液処理槽１
０内の剥離液に浸漬した際もレジスト膜３の溶解を促進
させるようにする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置製造に
おけるレジスト膜剥離方法に係り、特に現像工程後の処
理であるレジスト剥離工程でのレジスト膜の剥離を容易
に行うレジスト膜剥離方法に関する。
おけるレジスト膜剥離方法に係り、特に現像工程後の処
理であるレジスト剥離工程でのレジスト膜の剥離を容易
に行うレジスト膜剥離方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置製造における現像工程後のレ
ジスト剥離工程においては、たとえば硫酸と過酸化水素
水との混合液(硫酸過水)からなる剥離液又はアセトン、
エタノール、トルエン等の有機溶剤の薬液によるレジス
ト剥離が行われるようになっている。
ジスト剥離工程においては、たとえば硫酸と過酸化水素
水との混合液(硫酸過水)からなる剥離液又はアセトン、
エタノール、トルエン等の有機溶剤の薬液によるレジス
ト剥離が行われるようになっている。
【０００３】剥離液によるものでは、１００℃前後に加
熱した混合液(硫酸過水)に被洗浄物であるウェハを浸漬
すると、硫酸と過酸化水素水との反応生成物により、硫
酸そのものの酸化性を高めることで、レジスト膜が溶解
される。
熱した混合液(硫酸過水)に被洗浄物であるウェハを浸漬
すると、硫酸と過酸化水素水との反応生成物により、硫
酸そのものの酸化性を高めることで、レジスト膜が溶解
される。
【０００４】一方、有機溶剤によるものでは、７０〜１
００℃前後に加熱したその溶剤に被洗浄物であるウェハ
を浸漬することで、レジスト膜が溶解される。ここで、
一般的に化学反応性は液温に比例するため、安全性との
折衷を見極めて、加熱するようにしている。
００℃前後に加熱したその溶剤に被洗浄物であるウェハ
を浸漬することで、レジスト膜が溶解される。ここで、
一般的に化学反応性は液温に比例するため、安全性との
折衷を見極めて、加熱するようにしている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した剥
離液や有機溶剤の薬液は、その性質、使用温度、工程、
或はデザインルールの微細化に応じて使用されるが、薬
液によっては超音波等の物理的な補助機能を使用するこ
とができない。そのため、液温に比例させた薬液の化学
反応による溶解性のみでレジスト膜の除去性能が決定さ
れてしまうことになり、レジスト膜の除去性能を高めよ
うとすると、安全性にリスクを伴うことになる。この場
合、薬液を新たなものに交換することでも加熱による安
全性を確保しつつレジスト膜の除去性能を高めることが
できるが、薬液の更新頻度を上げることによって薬液の
使用量が増す等の問題が発生する。ちなみに、従来から
被洗浄物に対し揺動等をもたらす装置が一部補助的に用
いられているが、仕掛が大がかりになる割には効果が低
いものであった。
離液や有機溶剤の薬液は、その性質、使用温度、工程、
或はデザインルールの微細化に応じて使用されるが、薬
液によっては超音波等の物理的な補助機能を使用するこ
とができない。そのため、液温に比例させた薬液の化学
反応による溶解性のみでレジスト膜の除去性能が決定さ
れてしまうことになり、レジスト膜の除去性能を高めよ
うとすると、安全性にリスクを伴うことになる。この場
合、薬液を新たなものに交換することでも加熱による安
全性を確保しつつレジスト膜の除去性能を高めることが
できるが、薬液の更新頻度を上げることによって薬液の
使用量が増す等の問題が発生する。ちなみに、従来から
被洗浄物に対し揺動等をもたらす装置が一部補助的に用
いられているが、仕掛が大がかりになる割には効果が低
いものであった。
【０００６】本発明は、このような状況に鑑みてなされ
たものであり、レジスト膜の除去性能を容易に高めるこ
とができるレジスト膜剥離方法を提供することができる
ようにするものである。
たものであり、レジスト膜の除去性能を容易に高めるこ
とができるレジスト膜剥離方法を提供することができる
ようにするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載のレジス
ト剥離方法は、被エッチング膜のエッチングマスクであ
るレジスト膜を薬液により剥離するレジスト膜剥離方法
であって、薬液による処理は、２以上の異なる温度によ
って処理し、レジスト膜の剥離を行うことを特徴とす
る。
ト剥離方法は、被エッチング膜のエッチングマスクであ
るレジスト膜を薬液により剥離するレジスト膜剥離方法
であって、薬液による処理は、２以上の異なる温度によ
って処理し、レジスト膜の剥離を行うことを特徴とす
る。
【０００８】また、異なる温度による薬液処理は、被洗
浄物を、低温薬液処理槽内の低温の薬液に浸漬した後、
高温薬液処理槽内の高温の薬液に浸漬するようにするこ
とができる。
浄物を、低温薬液処理槽内の低温の薬液に浸漬した後、
高温薬液処理槽内の高温の薬液に浸漬するようにするこ
とができる。
【０００９】また、異なる温度による薬液処理は、被洗
浄物に対し、低温薬液処理槽内の低温の薬液への浸漬と
高温薬液処理槽内の高温の薬液への浸漬とを繰返すよう
にすることができる。
浄物に対し、低温薬液処理槽内の低温の薬液への浸漬と
高温薬液処理槽内の高温の薬液への浸漬とを繰返すよう
にすることができる。
【００１０】また、薬液は、硫酸、過酸化水素水、硫酸
と過酸化水素水との混合液の何れかの剥離液であるよう
にすることができる。
と過酸化水素水との混合液の何れかの剥離液であるよう
にすることができる。
【００１１】また、薬液は、有機溶剤であるようにする
ことができる。
ことができる。
【００１２】また、低温の薬液の温度は、薬液の融点以
上であるようにすることができる。
上であるようにすることができる。
【００１３】本発明に係るレジスト膜剥離方法において
は、レジスト膜の剥離を行う際、被洗浄物に対し薬液に
よる温度差を与えることで、被エッチング膜とレジスト
膜との界面に応力を発生させ、レジスト膜の密着性を弱
めるとともに、その界面にマイクロクラックを生じさせ
ることにより、その界面への薬液の浸透性を高めレジス
ト膜の溶解を促進させるようにする。なお、レジスト
は、被エッチング膜と異なる熱膨張率のものを用いるこ
とができる。
は、レジスト膜の剥離を行う際、被洗浄物に対し薬液に
よる温度差を与えることで、被エッチング膜とレジスト
膜との界面に応力を発生させ、レジスト膜の密着性を弱
めるとともに、その界面にマイクロクラックを生じさせ
ることにより、その界面への薬液の浸透性を高めレジス
ト膜の溶解を促進させるようにする。なお、レジスト
は、被エッチング膜と異なる熱膨張率のものを用いるこ
とができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。
て説明する。
【００１５】図１は、本発明のレジスト膜剥離方法の一
実施の形態を示す図、図２及び図３は、図１のレジスト
剥離工程の詳細を説明するための図、図４は、図２の剥
離液を有機溶剤に代えた場合の他の実施の形態を示す
図、図５は、図１のウェハ上の金属膜をガラス膜とした
場合を説明するための図である。
実施の形態を示す図、図２及び図３は、図１のレジスト
剥離工程の詳細を説明するための図、図４は、図２の剥
離液を有機溶剤に代えた場合の他の実施の形態を示す
図、図５は、図１のウェハ上の金属膜をガラス膜とした
場合を説明するための図である。
【００１６】本実施の形態では、現像工程後のレジスト
剥離工程において、低温薬液処理槽内の薬液であるたと
えば過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）の剥離液に被洗浄物であ
るウェハを浸漬した後、高温薬液処理槽内の薬液である
たとえば硫酸（Ｈ２ＳＯ４）の剥離液にウェハを浸漬す
ることで、ウェハに温度差を与えつつレジスト膜剥離を
行うようにしている。
剥離工程において、低温薬液処理槽内の薬液であるたと
えば過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）の剥離液に被洗浄物であ
るウェハを浸漬した後、高温薬液処理槽内の薬液である
たとえば硫酸（Ｈ２ＳＯ４）の剥離液にウェハを浸漬す
ることで、ウェハに温度差を与えつつレジスト膜剥離を
行うようにしている。
【００１７】まず、たとえば洗浄工程、成膜工程、成膜
後の洗浄工程、レジスト塗布工程、露光工程後の図１
（ａ）に示す現像工程において、被洗浄物であるたとえ
ばＳｉＯ２ からなるウェハ１上の被エッチング膜であ
るたとえば金属膜２上に露光工程において焼付けられた
回路パターンに相当するレジストマスクであるレジスト
膜３が形成される。次いで、図１（ｂ）に示すエッチン
グ工程にてレジスト膜３下方以外の金属膜３が除去され
た後、図１（ｃ）に示すレジスト剥離工程にて金属膜３
上のレジスト膜３が除去される。
後の洗浄工程、レジスト塗布工程、露光工程後の図１
（ａ）に示す現像工程において、被洗浄物であるたとえ
ばＳｉＯ２ からなるウェハ１上の被エッチング膜であ
るたとえば金属膜２上に露光工程において焼付けられた
回路パターンに相当するレジストマスクであるレジスト
膜３が形成される。次いで、図１（ｂ）に示すエッチン
グ工程にてレジスト膜３下方以外の金属膜３が除去され
た後、図１（ｃ）に示すレジスト剥離工程にて金属膜３
上のレジスト膜３が除去される。
【００１８】ここでのレジスト剥離工程においては、ま
ず図２（ａ）に示すように、被洗浄物であるウェハ１を
低温薬液処理槽である低温剥離液処理槽１０内の低温の
剥離液に浸漬してウェハ１の温度をなじませた後、その
ウェハ１を高温薬液処理槽である高温剥離液処理槽２０
内の高温の剥離液に浸漬する。
ず図２（ａ）に示すように、被洗浄物であるウェハ１を
低温薬液処理槽である低温剥離液処理槽１０内の低温の
剥離液に浸漬してウェハ１の温度をなじませた後、その
ウェハ１を高温薬液処理槽である高温剥離液処理槽２０
内の高温の剥離液に浸漬する。
【００１９】ここで、低温剥離液処理槽１０内には、た
とえば過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）の剥離液が収容されて
いる。また、その剥離液の温度はたとえば−１５℃の低
温に設定されている。このため、低温の剥離液に浸漬さ
れたウェハ１上の金属膜２及びレジスト膜３には、図３
に示すように、熱収縮が生じる。また、高温剥離液処理
槽２０内には、硫酸（Ｈ２ＳＯ４）の剥離液が収容され
ている。また、その剥離液の温度はたとえば＋１２０℃
の高温に設定されている。このため、高温の剥離液に浸
漬されたウェハ１上の金属膜２及びレジスト膜３には、
図３に示すように、熱膨張が生じる。
とえば過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）の剥離液が収容されて
いる。また、その剥離液の温度はたとえば−１５℃の低
温に設定されている。このため、低温の剥離液に浸漬さ
れたウェハ１上の金属膜２及びレジスト膜３には、図３
に示すように、熱収縮が生じる。また、高温剥離液処理
槽２０内には、硫酸（Ｈ２ＳＯ４）の剥離液が収容され
ている。また、その剥離液の温度はたとえば＋１２０℃
の高温に設定されている。このため、高温の剥離液に浸
漬されたウェハ１上の金属膜２及びレジスト膜３には、
図３に示すように、熱膨張が生じる。
【００２０】このとき、金属膜２及びレジスト膜３のそ
れぞれの熱収縮率や熱膨張率が異なるため、金属膜２と
レジスト膜３との界面に応力が発生し、金属膜２に対す
るレジスト膜３の密着性が弱められるとともに、金属膜
２とレジスト膜３との界面にマイクロクラックが生じ
る。これにより、剥離液の酸化性物質が金属膜２とレジ
スト膜３との界面に浸透し易くなるため、レジスト膜３
の溶解が促進されると同時に、レジスト膜３のリフトオ
フ効果によってレジスト膜３の除去が容易に行われる。
れぞれの熱収縮率や熱膨張率が異なるため、金属膜２と
レジスト膜３との界面に応力が発生し、金属膜２に対す
るレジスト膜３の密着性が弱められるとともに、金属膜
２とレジスト膜３との界面にマイクロクラックが生じ
る。これにより、剥離液の酸化性物質が金属膜２とレジ
スト膜３との界面に浸透し易くなるため、レジスト膜３
の溶解が促進されると同時に、レジスト膜３のリフトオ
フ効果によってレジスト膜３の除去が容易に行われる。
【００２１】ここで、図２（ｂ）に示すように、低温剥
離液処理槽１０内の剥離液を、たとえば硫酸（Ｈ２ＳＯ
４）と過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）との混合液(硫酸過水)
とし、高温剥離液処理槽２０内の剥離液を、たとえば硫
酸（Ｈ２ＳＯ４）としてもよい。また、図２（ｃ）に示
すように、低温剥離液処理槽１０内及び高温剥離液処理
槽２０内の剥離液を、たとえば硫酸（Ｈ２ＳＯ４）とし
てもよい。
離液処理槽１０内の剥離液を、たとえば硫酸（Ｈ２ＳＯ
４）と過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）との混合液(硫酸過水)
とし、高温剥離液処理槽２０内の剥離液を、たとえば硫
酸（Ｈ２ＳＯ４）としてもよい。また、図２（ｃ）に示
すように、低温剥離液処理槽１０内及び高温剥離液処理
槽２０内の剥離液を、たとえば硫酸（Ｈ２ＳＯ４）とし
てもよい。
【００２２】また、図２（ａ）〜（ｃ）の高温剥離液処
理槽２０には、硫酸（Ｈ２ＳＯ４）と過酸化水素水（Ｈ
２Ｏ２）との混合液(硫酸過水)の剥離液を収容してもよ
い。また、図２（ａ）〜（ｃ）においては、低温剥離液
処理槽１０及び高温剥離液処理槽２０への被洗浄物の浸
漬を繰返すようにしてもよい。
理槽２０には、硫酸（Ｈ２ＳＯ４）と過酸化水素水（Ｈ
２Ｏ２）との混合液(硫酸過水)の剥離液を収容してもよ
い。また、図２（ａ）〜（ｃ）においては、低温剥離液
処理槽１０及び高温剥離液処理槽２０への被洗浄物の浸
漬を繰返すようにしてもよい。
【００２３】ちなみに、本実施の形態での被洗浄物に与
えられる温度差ΔＴは、１５℃＋１２０℃＝１３５℃で
ある。これに対し、従来での被洗浄物に与えられる温度
差ΔＴは、１２０℃−２６℃（室温）＝９４℃である。
よって、本実施の形態での温度差ΔＴは、従来より４１
℃だけ大きいことになるため、結果としてレジスト膜３
の除去性能がより高められる。
えられる温度差ΔＴは、１５℃＋１２０℃＝１３５℃で
ある。これに対し、従来での被洗浄物に与えられる温度
差ΔＴは、１２０℃−２６℃（室温）＝９４℃である。
よって、本実施の形態での温度差ΔＴは、従来より４１
℃だけ大きいことになるため、結果としてレジスト膜３
の除去性能がより高められる。
【００２４】このように、本実施の形態では、レジスト
膜３の剥離を行う際、被洗浄物であるウェハ１に対し剥
離液による温度差を与えることで、被エッチング膜であ
る金属膜２とレジスト膜３との界面に応力を発生させ、
レジスト膜３の密着性を弱めるとともに、その界面にマ
イクロクラックを生じさせることにより、その界面への
剥離液の浸透性を高めレジスト膜３の溶解を促進させる
ようにしたので、レジスト膜３の除去性能を容易に高め
ることができ、短時間で効率のよいレジスト膜３の剥離
を行うことができる。なお、金属膜２とレジスト膜３と
の界面に生じる応力は、金属膜２とレジスト膜３との熱
膨張率の違いから生じると考えられる。
膜３の剥離を行う際、被洗浄物であるウェハ１に対し剥
離液による温度差を与えることで、被エッチング膜であ
る金属膜２とレジスト膜３との界面に応力を発生させ、
レジスト膜３の密着性を弱めるとともに、その界面にマ
イクロクラックを生じさせることにより、その界面への
剥離液の浸透性を高めレジスト膜３の溶解を促進させる
ようにしたので、レジスト膜３の除去性能を容易に高め
ることができ、短時間で効率のよいレジスト膜３の剥離
を行うことができる。なお、金属膜２とレジスト膜３と
の界面に生じる応力は、金属膜２とレジスト膜３との熱
膨張率の違いから生じると考えられる。
【００２５】また、本実施の形態では、低温剥離液処理
槽１０内の剥離液の温度を、レジスト膜３の融点以上と
しているので、被洗浄物であるウェハ１を低温剥離液処
理槽１０内の剥離液に浸漬した際もレジスト膜３の溶解
を促進させることができる。
槽１０内の剥離液の温度を、レジスト膜３の融点以上と
しているので、被洗浄物であるウェハ１を低温剥離液処
理槽１０内の剥離液に浸漬した際もレジスト膜３の溶解
を促進させることができる。
【００２６】また、本実施の形態では、レジスト剥離工
程において、被洗浄物であるウェハ１に対し剥離液によ
る温度差を与えるようにしたので、レジスト剥離の前処
理でのたとえば成膜工程、レジスト塗布工程、露光工
程、現像工程においてウェハ１に付着する異物等の除去
も、上記同様の理由から容易かつ確実に行うことができ
る。
程において、被洗浄物であるウェハ１に対し剥離液によ
る温度差を与えるようにしたので、レジスト剥離の前処
理でのたとえば成膜工程、レジスト塗布工程、露光工
程、現像工程においてウェハ１に付着する異物等の除去
も、上記同様の理由から容易かつ確実に行うことができ
る。
【００２７】なお、本実施の形態での低温剥離液処理槽
１０内の剥離液の温度は、上述した−１５℃に限らず、
レジスト膜３の融点以上の低温であればよい。高温剥離
液処理槽２０内の剥離液の温度も上述した＋１２０℃に
限らず、高温処理による安全性が保たれる温度であれば
よい。
１０内の剥離液の温度は、上述した−１５℃に限らず、
レジスト膜３の融点以上の低温であればよい。高温剥離
液処理槽２０内の剥離液の温度も上述した＋１２０℃に
限らず、高温処理による安全性が保たれる温度であれば
よい。
【００２８】また、本実施の形態では、薬液を、過酸化
水素水（Ｈ２Ｏ２）や硫酸（Ｈ２ＳＯ４）等の剥離液と
した場合について説明したが、この例に限らず、その薬
液をアセトン、エタノール、トルエン等の有機溶剤とす
ることもできる。この場合、たとえば図４に示すよう
に、低温薬液処理槽である低温溶剤処理槽１０ａ及び高
温薬液処理槽である高温溶剤処理槽２０ａにそれぞれ有
機溶剤を収容して被洗浄物への浸漬を行うようにする。
水素水（Ｈ２Ｏ２）や硫酸（Ｈ２ＳＯ４）等の剥離液と
した場合について説明したが、この例に限らず、その薬
液をアセトン、エタノール、トルエン等の有機溶剤とす
ることもできる。この場合、たとえば図４に示すよう
に、低温薬液処理槽である低温溶剤処理槽１０ａ及び高
温薬液処理槽である高温溶剤処理槽２０ａにそれぞれ有
機溶剤を収容して被洗浄物への浸漬を行うようにする。
【００２９】またこの場合、低温溶剤処理槽１０ａ内の
有機溶剤の温度は、図示のように−１５℃に限らず、レ
ジスト膜３の融点以上の低温であればよい。また、高温
溶剤処理槽２０内の有機溶剤の温度も図示のように＋１
００℃に限らず、高温処理による安全性が保たれる温度
であればよい。また、低温溶剤処理槽１０内の溶剤は、
剥離液と混合可能な低融点のものであってもよい。
有機溶剤の温度は、図示のように−１５℃に限らず、レ
ジスト膜３の融点以上の低温であればよい。また、高温
溶剤処理槽２０内の有機溶剤の温度も図示のように＋１
００℃に限らず、高温処理による安全性が保たれる温度
であればよい。また、低温溶剤処理槽１０内の溶剤は、
剥離液と混合可能な低融点のものであってもよい。
【００３０】ちなみに、有機溶剤により被洗浄物に与え
られる温度差ΔＴは、１５℃＋１００℃＝１１５℃であ
る。これに対し、従来での被洗浄物に与えられる温度差
ΔＴは、１２０℃−２６℃（室温）＝９４℃である。よ
って、有機溶剤による温度差ΔＴは、従来より２１℃だ
け大きいことになるため、結果としてレジスト膜３の除
去性能が容易に高められる。
られる温度差ΔＴは、１５℃＋１００℃＝１１５℃であ
る。これに対し、従来での被洗浄物に与えられる温度差
ΔＴは、１２０℃−２６℃（室温）＝９４℃である。よ
って、有機溶剤による温度差ΔＴは、従来より２１℃だ
け大きいことになるため、結果としてレジスト膜３の除
去性能が容易に高められる。
【００３１】また、本実施の形態では、被洗浄物である
ウェハ１上の被エッチング膜を金属膜２とした場合につ
いて説明したが、たとえば図５に示すように、被エッチ
ング膜を、エッチングによってたとえばコンタクトホー
ル５が形成されるＢＰＳＧ(Boro-Phospho-Silicate-Gla
ss)やＳＯＧ(Spin-on-Glass)等のガラス膜４とした場合
においても上記同様に、短時間で効率のよいレジスト剥
離を行うことができる。
ウェハ１上の被エッチング膜を金属膜２とした場合につ
いて説明したが、たとえば図５に示すように、被エッチ
ング膜を、エッチングによってたとえばコンタクトホー
ル５が形成されるＢＰＳＧ(Boro-Phospho-Silicate-Gla
ss)やＳＯＧ(Spin-on-Glass)等のガラス膜４とした場合
においても上記同様に、短時間で効率のよいレジスト剥
離を行うことができる。
【００３２】また、本実施の形態では、被洗浄物に対し
薬液である剥離液や有機溶剤による温度差を与えること
で、レジスト膜３の溶解を促進させるようにしているた
め、薬液の加熱温度を必要以上に高める必要がないこと
から、安全性に対するリスクを容易に回避することがで
きる。
薬液である剥離液や有機溶剤による温度差を与えること
で、レジスト膜３の溶解を促進させるようにしているた
め、薬液の加熱温度を必要以上に高める必要がないこと
から、安全性に対するリスクを容易に回避することがで
きる。
【００３３】また、本実施の形態では、被洗浄物に対し
薬液である剥離液や有機溶剤による温度差を与えること
で、レジスト膜３の溶解を促進させるようにしているた
め、薬液の交換頻度を低くすることができ、薬液使用量
の増加を抑制することも可能である。
薬液である剥離液や有機溶剤による温度差を与えること
で、レジスト膜３の溶解を促進させるようにしているた
め、薬液の交換頻度を低くすることができ、薬液使用量
の増加を抑制することも可能である。
【００３４】また、本発明の半導体装置は、半導体基板
上に形成されるものに限定されず、基板上に配線、トラ
ンジスタ、ダイオードを形成するものを含み、たとえば
液晶ディスプレイを含む。
上に形成されるものに限定されず、基板上に配線、トラ
ンジスタ、ダイオードを形成するものを含み、たとえば
液晶ディスプレイを含む。
【００３５】
【発明の効果】以上の如く本発明に係るレジスト膜剥離
方法によれば、レジスト膜の剥離を行う際、被洗浄物に
対し薬液による温度差を与えることで、被エッチング膜
とレジスト膜との界面に応力を発生させ、レジスト膜の
密着性を弱めるとともに、その界面にマイクロクラック
を生じさせることにより、その界面への薬液の浸透性を
高めレジスト膜の溶解を促進させるようにしたので、レ
ジスト膜の除去性能を容易に高めることができる。
方法によれば、レジスト膜の剥離を行う際、被洗浄物に
対し薬液による温度差を与えることで、被エッチング膜
とレジスト膜との界面に応力を発生させ、レジスト膜の
密着性を弱めるとともに、その界面にマイクロクラック
を生じさせることにより、その界面への薬液の浸透性を
高めレジスト膜の溶解を促進させるようにしたので、レ
ジスト膜の除去性能を容易に高めることができる。
【図１】 本発明のレジスト膜剥離方法の一実施の形態
を示す図である。
を示す図である。
【図２】 図１のレジスト剥離工程の詳細を説明するた
めの図である。
めの図である。
【図３】 図１のレジスト剥離工程の詳細を説明するた
めの図である。
めの図である。
【図４】 図２の剥離液を有機溶剤に代えた場合の他の
実施の形態を示す図である。
実施の形態を示す図である。
【図５】 図１のウェハ上の金属膜をガラス膜とした場
合を説明するための図である。
合を説明するための図である。
１ ウェハ
２ 金属膜
３ レジスト膜
４ ガラス膜
５ コンタクトホール
１０ 低温剥離液処理槽
１０ａ 低温溶剤処理槽
２０ 高温剥離液処理槽
２０ａ 高温溶剤処理槽
Claims (6)
- 【請求項１】 被エッチング膜のエッチングマスクであ
るレジスト膜を薬液により剥離するレジスト膜剥離方法
であって、 前記薬液による処理は、２以上の異なる温度によって処
理し、前記レジスト膜の剥離を行うことを特徴とするレ
ジスト膜剥離方法。 - 【請求項２】 前記異なる温度による薬液処理は、被洗
浄物を、低温薬液処理槽内の低温の前記薬液に浸漬した
後、高温薬液処理槽内の高温の前記薬液に浸漬すること
を特徴とする請求項１に記載のレジスト膜剥離方法。 - 【請求項３】 前記異なる温度による薬液処理は、被洗
浄物に対し、低温薬液処理槽内の低温の前記薬液への浸
漬と高温薬液処理槽内の高温の前記薬液への浸漬とを繰
返すことを特徴とする請求項１に記載のレジスト膜剥離
方法。 - 【請求項４】 前記薬液は、硫酸、過酸化水素水、硫酸
と過酸化水素水との混合液の何れかの剥離液であること
を特徴とする請求項１〜３の何れかに記載のレジスト膜
剥離方法。 - 【請求項５】 前記薬液は、有機溶剤であることを特徴
とする請求項１〜３の何れかに記載のレジスト膜剥離方
法。 - 【請求項６】 前記低温の薬液の温度は、前記薬液の融
点以上であることを特徴とする請求項２〜５の何れかに
記載のレジスト膜剥離方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002073078A JP2003270803A (ja) | 2002-03-15 | 2002-03-15 | レジスト膜剥離方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002073078A JP2003270803A (ja) | 2002-03-15 | 2002-03-15 | レジスト膜剥離方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003270803A true JP2003270803A (ja) | 2003-09-25 |
Family
ID=29202905
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002073078A Withdrawn JP2003270803A (ja) | 2002-03-15 | 2002-03-15 | レジスト膜剥離方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003270803A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021131836A1 (ja) * | 2019-12-27 | 2021-07-01 | ジャパン・フィールド株式会社 | 洗浄槽内の洗浄溶剤の大気への拡散防止方法 |
-
2002
- 2002-03-15 JP JP2002073078A patent/JP2003270803A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050607 |