JPH03214729A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
えるための半導体装置の製造方法に関するものである 従来の技術 第5図に従来の方法による半導体装置の製造工程図を示
す。第5図(a)で(よ シリコン基板1内に所望の半
導体装置を形成した後、シリコン基板1上に酸化膜2を
形成する。第5図(b)でit 酸化膜2上に数%の
シリコンと銅を含むアルミ合金膜3を堆積する。アルミ
合金膜3を堆積すると表面に薄い不均一な酸化膜(不動
態層)4が形成される。
術を用いてアルミ合金膜3上に配線パターン6を形成し
アルミ合金膜3をドライエッチングしてアルミ配線3
aを形成する。第5図(d)で(よ アルミ配線3a上
に残ったレジスト6を酸素プラズマを用いてアッシング
し 発煙硝酸を用いて有機残渣物を除去する。
に薄い酸化膜(不動態)が形成される力交それが不均一
に形成されるた敷 その後の発煙硝酸を用いた洗浄では
第5図(a)中の矢印A及び第5図(d)中の矢印Bに
おける腐食により小さな穴(食孔)が形成される。また
本発明者等の研究にょり食孔は発煙硝酸中では発生せ
ずその後の水洗中で発生することがわかった 異種金属
を含んだアルミ系合金膜は洗浄中に異種金属間の電池効
果により腐食が発生しやすくアルミ系合金配線の欠損に
つながる。
改質し洗浄による腐食発生を抑えるための半導体装置の
製造方法を提供することを目的とする。
浄する前番へ 酸素ガスのプラズマによるアルミ系合
金膜の表面処理を行う半導体装置の製造方法である。ま
た本発明はプラズマ発生用ガスとして酸素と少なくとも
窒素を含むガス種を使用する。さらに本発明はプラズマ
の表面処理を基板温度100℃〜300℃で行なう。
ズマを用いて表面を強制的に酸化(不動態化)すること
により、アルミ系合金配線膜形成時に形成される酸化膜
の欠陥を減少させ、腐食に対して強くすることができる
。また 窒素及び基板温度の効果の物理的理由は不明で
ある八 表面の耐腐食性を向上させることができる。
る。第1図(a)で(よ シリコン基板1内に所望の半
導体装置 例えばMOS}ランジスタを形成した後、シ
リコン基板1上にシリコン酸化膜2を700nm形成す
る。第1図(b)で(よ 酸化膜2上に数%のシリコン
と銅を含むアルミ合金膜3をマグネトロンスパッタ法を
用いて800nm堆積する。
(不動態層)4が形成される。
ダウンストリーム型の装置を使用して行った酸素系ガス
によるプラズマ処理(よ 基板温度200鬼 酸素とN
20を12; 1の割合で混合し 圧力532Paで1
00秒間行なっ九 この処理により不均一な不動態層4
を均一な不動態層5に替えへ この均一な不動態層5は
洗浄時の腐食に対して強(t その後、この膜を濃度9
8%の発煙硝酸の溶液に10分間つけて有機物を除去し
その後20分間のQDR (quick dump
rince)水洗を行なう。QDR水洗とは純水を
ある時間オーバーフローさせて、その後水洗槽に付いて
いるバルブを開けて中の水を一気に排水する水洗方法の
ことで、これを繰り返すことにより純水の比抵抗を速く
回復させることができる。その後乾燥を行なう。この洗
浄時にはアルミ系合金膜3の腐食は起こらない。
てアルミ合金膜3上に配線パターン6を形成しアルミ合
金膜3を塩素系ガスを用いてドライエッチングしアルミ
配線3aを形成する。第1図(e)で1上 アルミ配線
3a上に残ったレジスト6を酸素プラズマを用いてアッ
シングレ もう一度同一条件で酸素系ガスによるプラズ
マ処理をダウンストリーム型の装置を使用して行し\
アルミ配線3aの側面に均一な不動態膜7を形成し九
その後発煙硝酸を用いて有機残渣物を除去ずる。この洗
浄時にもアルミ配線3aの腐食は起こらない。
面暗視野像と、本実施例での洗浄後の膜表面の暗視野像
を比較すると、従来の方法でははっきりと食孔(白い輝
点)が見られるのに対して本実施例の方法では腐食はみ
られなl,% このように発煙硝酸洗浄の工程を行な
う前に酸素系ガスによるプラズマ処理を行な℃\ 完全
に不動態化させることにより、腐食を減少させることが
できる。
ライエッチング技術を用いて0.8μmの配線パターン
を形成し ウエハ内の断線不良による歩留りを洗浄回数
でプロットしたものである。
ミ 酸素系ガスによるプラズマ処理十発煙硝酸洗浄を3
回繰り返して酸素系ガスによるプラズマ処理をせずに発
煙硝酸洗浄を繰り返したウェハと比較し九 酸素プラズ
マ処理を施した本実施例では初期の歩留りのままである
力( 酸素プラズマ処理をしなかった従来例では歩留り
が3回目で急激に約25%まで低下し九 第3図は酸素
系ガスによるプラズマ処理をしなかったウェハのSEM
(電子顕微鏡)写真を示す表面図である。配線の一部が
発煙硝酸洗浄によりv字状に欠けたアルミ欠損20が観
察され 最後には断線し歩留り低下の原因になる。一人
本実施例では均一な不動態層5,7のためアルミ欠損
20が観察されず、歩留まりは初期歩留まりのままで非
常に高い。以上のように本実施例によれば 酸素系ガス
によるプラズマ処理により洗浄によるアルミ欠損を防ぐ
ことができる。
ガスとして酸素とN20を用いた力( 本実施例では酸
素だけで表面処理を行った 酸素系ガスによるプラズマ
処理は基板温度60℃〜140℃て 圧力を0.3 T
o r r 〜0.7To r r, 酸素ガス流量
を100secm〜600secmの範囲で変化させ、
処理時間5分で行なった第4図は酸素系ガスによるプラ
ズマ処理の処理条件と発煙硝酸洗浄後の面積360μm
2中の平均腐食孔数の一覧表である。腐食孔数はウエハ
内3点の平均であり、腐食を意図的に捜しているた嵌個
数が1個とあるところは腐食が無いとみて差し支えなb
〜 基板温度が高いほど腐食に対する効果が高い力(
圧力 流量にはほとんど依存していない(第4図(a)
, (b))。しかし 酸素系ガスによるプラズマ処理
をしないものに比べて格段の差がある(第4図(C))
。
にすることにより腐食に対する効果がある。また 基板
温度が高いとドライエッチ後の残留塩素を飛ばすことも
できる。ざら{ミ 基板温度が300℃では腐食はみら
れないもののヒロックらしきものがみられ 表面モフォ
ロジを変化させ、上層配線との短絡を発生するため使用
できないことがわかり九 つまりプラズマの表面処理を
基板温度100℃〜300℃で行なうことが望ましb〜
な抵 本発明ではダウンストリーム型のプラズマ発生装
置を用いた力( 酸素プラズマが得られれ(戴 他のタ
イプの装置でも同様の効果が得られる。
ジュウな チタン等の異種金属並びにそれらを混合した
異種金属に対しても同様の効果が期待できる。
んだアルミ合金膜を腐食なく安定的に配線を形成でき、
その実用的効果は犬き!,%
程医 第2図は本発明により作成した配線の歩留り推移
医 第3図はアルミ配線欠損の表−9一 面諷 第4図は本発明の実施例2における処理条件と腐
食数の一覧を示した医 第5図は従来の方法による半導
体装置の製造工程図である。 1・・・シリコン基板 2・・・酸化罠 3・・・銅を
含むアルミ合金嵐 4・・・不均一な不動態lL 5.
7・・・均一な不動態罠
Claims (3)
- (1)基板の表面上に異種金属を含むアルミ系合金配線
膜を形成する工程と、このアルミ系合金配線膜を酸素ガ
スのプラズマにより表面処理する工程と、その後前記基
板を洗浄する工程とを備えた半導体装置の製造方法。 - (2)プラズマ発生用ガスとして酸素と少なくとも窒素
を含むガス種を使用することを特徴とする特許請求の範
囲第1項記載の半導体装置の製造方法。 - (3)プラズマの表面処理を基板温度100℃〜300
℃で行なうことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
の半導体装置の製造方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105489670A (zh) * | 2015-11-30 | 2016-04-13 | 何晨旭 | 晶硅太阳能电池表面钝化用氧化铝浆料和钝化膜制备方法 |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5868854A (en) * | 1989-02-27 | 1999-02-09 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for processing samples |
US5204285A (en) * | 1989-12-01 | 1993-04-20 | Matsushita Electronics Corporation | Method for patterning a metal layer |
KR960001611B1 (ko) | 1991-03-06 | 1996-02-02 | 가부시끼가이샤 한도다이 에네르기 겐뀨쇼 | 절연 게이트형 전계 효과 반도체 장치 및 그 제작방법 |
USRE36314E (en) * | 1991-03-06 | 1999-09-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Insulated gate field effect semiconductor devices having a LDD region and an anodic oxide film of a gate electrode |
JP2794678B2 (ja) * | 1991-08-26 | 1998-09-10 | 株式会社 半導体エネルギー研究所 | 絶縁ゲイト型半導体装置およびその作製方法 |
JP2717237B2 (ja) | 1991-05-16 | 1998-02-18 | 株式会社 半導体エネルギー研究所 | 絶縁ゲイト型半導体装置およびその作製方法 |
US6624450B1 (en) | 1992-03-27 | 2003-09-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for forming the same |
US5462892A (en) * | 1992-06-22 | 1995-10-31 | Vlsi Technology, Inc. | Semiconductor processing method for preventing corrosion of metal film connections |
US5480748A (en) * | 1992-10-21 | 1996-01-02 | International Business Machines Corporation | Protection of aluminum metallization against chemical attack during photoresist development |
TW297142B (ja) | 1993-09-20 | 1997-02-01 | Handotai Energy Kenkyusho Kk | |
KR0163526B1 (ko) * | 1995-05-17 | 1999-02-01 | 김광호 | 자외선/오존을 조사하여 접속패드에 보호막을 형성하는 단계를 포함하는 반도체소자 제조방법 |
US5674357A (en) * | 1995-08-30 | 1997-10-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor substrate cleaning process |
US6370502B1 (en) * | 1999-05-27 | 2002-04-09 | America Online, Inc. | Method and system for reduction of quantization-induced block-discontinuities and general purpose audio codec |
US6682659B1 (en) * | 1999-11-08 | 2004-01-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method for forming corrosion inhibited conductor layer |
CA2525205C (en) * | 2004-11-08 | 2013-06-25 | Ecolab Inc. | Foam cleaning and brightening composition, and methods |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56133847A (en) * | 1980-03-21 | 1981-10-20 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Metal processing |
JPS59178681A (ja) * | 1983-03-30 | 1984-10-09 | Fujitsu Ltd | パタ−ン形成方法 |
JPS6362868A (ja) * | 1986-09-04 | 1988-03-19 | Showa Denko Kk | 透明性アルミナ膜の生成方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3585461A (en) * | 1968-02-19 | 1971-06-15 | Westinghouse Electric Corp | High reliability semiconductive devices and integrated circuits |
FR2312117A1 (fr) * | 1975-05-19 | 1976-12-17 | Nat Semiconductor Corp | Procede de passivation de couches d'aluminium sur des elements semi-conducteurs |
US4351696A (en) * | 1981-10-28 | 1982-09-28 | Fairchild Camera & Instrument Corp. | Corrosion inhibition of aluminum or aluminum alloy film utilizing bromine-containing plasma |
US4412885A (en) * | 1982-11-03 | 1983-11-01 | Applied Materials, Inc. | Materials and methods for plasma etching of aluminum and aluminum alloys |
US4561168A (en) * | 1982-11-22 | 1985-12-31 | Siliconix Incorporated | Method of making shadow isolated metal DMOS FET device |
US4592800A (en) * | 1984-11-02 | 1986-06-03 | Oerlikon-Buhrle U.S.A. Inc. | Method of inhibiting corrosion after aluminum etching |
US4997746A (en) * | 1988-11-22 | 1991-03-05 | Greco Nancy A | Method of forming conductive lines and studs |
-
1990
- 1990-01-19 JP JP2011341A patent/JPH0787189B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-01-17 US US07/642,474 patent/US5134093A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56133847A (en) * | 1980-03-21 | 1981-10-20 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Metal processing |
JPS59178681A (ja) * | 1983-03-30 | 1984-10-09 | Fujitsu Ltd | パタ−ン形成方法 |
JPS6362868A (ja) * | 1986-09-04 | 1988-03-19 | Showa Denko Kk | 透明性アルミナ膜の生成方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105489670A (zh) * | 2015-11-30 | 2016-04-13 | 何晨旭 | 晶硅太阳能电池表面钝化用氧化铝浆料和钝化膜制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5134093A (en) | 1992-07-28 |
JPH0787189B2 (ja) | 1995-09-20 |
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