JP2003268114A - 光学樹脂 - Google Patents
光学樹脂Info
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Abstract
る。 【解決手段】 非晶構造の空隙率が34%未満であるこ
とを特徴とする光学樹脂。ホスホン酸残基、および2価
フェノール残基およびカーボネート残基からなり、ホス
ホン酸残基(a)とカーボネート残基(b)のモル分率
が下式1を満足することを特徴とする。(a)/
[(a)+(b)]≧0.05 式1
Description
ベ数の熱可塑性光学樹脂に関するものである。
カメラ等の光学レンズがあるが、現在では耐衝撃性、軽
量性等の利点から、例えば眼鏡レンズ市場の90%は樹
脂レンズが占めるようになっている。
リル、ウレタンの3つに大別され(特開平06−016
729号公報など)、低分散、高屈折を目指して多くの
樹脂が開発実用化されている。これらの樹脂はすべて熱
硬化性であるため、光学レンズへの成形は注型重合が用
いられるが、この方法は重合時間が長く、その後のアニ
ーリングプロセスなど、製造コストが高いという問題点
がある。
としてポリカーボネートがある。これはその無色透明性
や耐衝撃性を生かしてディスク用基板等に用いられてい
る。この樹脂をレンズに適用する場合、熱可塑性である
ため成形性がよく、熱硬化性樹脂に比べ格段にレンズ製
造コストを安くできるという利点がある。しかし、屈折
率が低いため(1.58)レンズを薄くすることができ
ないという問題がある。またポリカーボネート以外の芳
香族系の熱可塑性樹脂は、屈折率は高いものの高分散
性、着色性等の問題があり、光学レンズ用途には適用で
きない。
技術の背景に鑑み、屈折率が高く、かつ波長分散性の低
い熱可塑性の光学樹脂を提供するものである。
成するために、次の手段を有する。すなわち、非晶空隙
率が34%未満であることを特徴とする光学樹脂であ
る。
スホン酸残基、および下記一般式(2)で示される2価
フェノール残基およびカーボネート残基からなり、ホス
ホン酸残基とカーボネート残基のモル分率が式(3)を
満足することを特徴とする、非晶空隙率が34%未満の
光学樹脂である。 一般式(1)
化水素基、Xは酸素、硫黄あるいはセレンを表し、Rあ
るいはXの異なるホスホン酸残基をともに含んでもよ
い。一般式(2)中R’は各々独立に水素原子、ハロゲ
ン原子、炭素数1〜20の脂肪族炭化水素基、炭素数1
〜20の芳香族炭化水素基、ニトロ基からなる群から選
ばれ、p、qはp+q=0〜8の整数。Yは単結合、酸素
原子、硫黄原子、アルキレン基、アルキリデン基、シク
ロアルキレン基、シクロアルキリデン基、ハロ置換アル
キレン基、ハロ置換アルキリデン基、フェニルアルキリ
デン基、カルボニル基、スルホン基、脂肪族ホスフィン
オキシド基、芳香族ホスフィンオキシド基、アルキルシ
ラン基、ジアルキルシラン基、フルオレン基からなる群
から選ばれる。] (a)/[(a)+(b)]≧0.05 (3) [式(3)中、(a)はホスホン酸残基、(b)はカーボネー
ト残基のモル数を示す。]
な熱可塑性樹脂を見いだすべく鋭意検討した結果、非晶
構造中における分子鎖間の空隙を充填して空隙率を低下
せしめることにより、従来樹脂に比較して屈折率を向上
させうることを見出した。さらに、空隙の充填に波長分
散性の低い置換基を用いることにより、波長分散性の上
昇を最小限に抑えながら屈折率を向上させることが可能
であり、斯くして高屈折率で低分散な熱可塑性樹脂の供
給が可能になったものである。
百分率で表し、これを空隙率と呼ぶ。
て例えば陽電子消滅法が考えられる。しかし、陽電子消
滅法は一般的な測定手段とは言い難い上に、測定結果の
厳密な数量化が難しく、樹脂の特性を定量的に評価する
方法として不適当である。
って自由空間体積を求める方法は、樹脂の一般式および
計算に用いるパラメータの組合せを指定すれば、ほぼ一
意的に空隙率を定量することが可能である。ここで自由
空間体積とは、分子シミュレーションの単位セル体積か
ら、単位セル中の樹脂分子鎖の分子体積を差し引いた値
として定義される。ここで言う分子体積とは、分子を構
成する個々の原子を中心に各々の原子に対応したvan de
r Waals半径の球を置いたとき、これらの球の重なりで
ある立体の体積を言う。近似的に自由空間体積を求める
には、単位セルに多数のグリッド点を配置し、グリッド
点がどの原子のvan der Waals半径にも含まれない確率
を求め、セルの体積に掛け合わせるという方法も考えら
れる。
晶モデルに対する分子シミュレーションを実行し、その
結果から求めた空隙率を非晶空隙率と言う。空隙の充填
による屈折率向上効果を十分に発現させるためには、非
晶空隙率は34%未満であることが好ましく、より好ま
しくは33.5%未満である。
ることにより、従来なしえなかった高屈折率であり、か
つ、低分散であると言う二律背反と言われる特性を具備
する光学樹脂とできる。
ちろん、本発明はこれに限定されるわけではない。
ン原子を有する構造単位はその低分散特性から好ましく
用いられ、中でもホスホン酸構造をポリマーの主鎖に導
入するのが有効である。
原子上の置換基Rの具体例としては、フェニル、ハロ置
換フェニル、メトキシフェニル、エトキシフェニル、エ
チル、イソプロピル、シクロヘキシル、ビニル、アリ
ル、ベンジル、アミノアルキル、ヒドロキシアルキル、
ハロ置換アルキル、アルキルサルファイド基等が挙げら
れる。
れぞれ対応する3価のリン官能基であるホスホナイト残
基に一部置き換えてもよい。これにより樹脂の耐酸化性
を付与することができるが、光学特性等の特性安定性を
考慮すると、その置換比率は50%以下が好ましく、よ
り好ましくは25%以下、さらに好ましくは10%以下
である。
ールは、得られるポリマーの性能に応じて用いることが
できる。中でも脂肪族環構造を持つ2価フェノールは、
その低分散特性から空隙率の低下に好ましく用いられ
る。このような特徴を備えた2価フェノールを具体的に
例示すると、1,1-ビス(4-ヒドロキシフェニル)シクロヘ
キサン、1,1-ビス(4-ヒドロキシフェニル)シクロヘプタ
ン、1,1-ビス(4-ヒドロキシフェニル)シクロオクタン、
1,1-ビス(3-メチル-4-ヒドロキシフェニル)シクロヘキ
サン,1,1-ビス(3-フェニル-4-ヒドロキシフェニル)シク
ロヘキサン、1,1-ビス(4-ヒドロキシフェニル)シクロペ
ンタン、1,1-ビス(3-メチル-4-ヒドロキシフェニル)シ
クロペンタン、1,1-ビス(3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフ
ェニル)シクロヘキサン等である。
本発明のポリマーは必ずしも直鎖状である必要はなく、
得られるポリマーの性能に応じて多価フェノールを共重
合することができる。
残基の比率を式(3)のように(a)/[(a)+(b)]として表
す。ここで、(a)はホスホン酸残基、(b)はカーボネート
残基のモル数である。この値は、好ましくは(a)/[(a)+
(b)]≧0.05であり、より好ましくは(a)/[(a)+(b)]≧0.2
5、さらに好ましくは(a)/[(a)+(b)]≧0.5である。この
値が小さすぎると、5価のリン原子の特質を十分発揮さ
せることができず、好ましくない。
指標としては一般にアッベ数が用いられ、式(4)によ
って算出される。
ている。
高い屈折率を持つが、その一方で芳香族環は分子分極率
の波長依存性が大きいため、芳香族環の割合を大きくす
ると分散性が大きくなり光学樹脂として用いるに好まし
くないことが判った。本発明においては、ポリマーの分
子量に占める芳香族環の割合を芳香族環分率として数式
(1)のように定義し、実施例の項に記した方法で求め
られる芳香族環分率としてこれを特定の値の範囲とする
ことで、波長依存性を抑制し、高アッベ数の樹脂とでき
る。芳香族環分率は59%未満であるのが好ましく、さ
らに好ましくは57.5%未満である。なお、芳香族環
はポリマー分子中に如何なる形で含まれていても芳香族
環部分としての計算に含まれるが、芳香族環上に置換さ
れる置換基はそれ自身が芳香環でない場合は芳香族環部
分としての計算に含まれない。
ム用途などの光学分野において好適に用いられるが、他
の用途として液晶表示装置パネルやプラズマディスプレ
イパネル、有機電界表示装置等のプラスチック基板用
途、CD−ROM、DVD−ROM、MO等に挙げられ
る光記録用途、また、光通信分野では高屈折率特性を生
かし、光ファイバーのコア材等に用いることができる。
って述べるが、本発明はこれに限定されるものではな
い。
テムCerius2上で3D-Sketcherを用いて以下の構造式
(6)、(7)に示すモノマー単位を作成し、構造式中
に明示したもの以外の水素原子を削除してunited atom
モデルとした。次に、構造式(6)のモノマー単位につ
いて、構造式に明示した2つの水素原子をそれぞれhead
およびtailに指定した。構造式(7)のモノマー単位に
ついても同様の処理を行った。 (構造式6)
ilderを用いて3:1の共重合比率で分子量約2万のラ
ンダム共重合ポリマー1本鎖に組み上げた。次いでAmor
phous Builderを用い、周期境界条件を課して非晶構造
モデルを作成した。このモデルに対して、Minimizerを
用いて構造最適化を行った後、Dynamics Simulationを
用いて定圧・定温条件の動力学計算を行い、1気圧・25
℃の状態を再現した。構造最適化および動力学計算の力
場パラメータにはDREIDING2.21を用い、動力学計算の時
間刻みは0.5fs、ステップ数は200000とした。その他の
設定項目やパラメータはソフトウェアの標準設定を用い
た。
-SketcherのH ADJUST機能を用いて水素原子を付加し、
空隙率を計算した。空隙率の計算には、Free Volume機
能を用いた。計算条件として、Grid SpacingはHIGH、VD
W Scale Factorは1.0を指定した。こうして得られる自
由空間体積を単位セル体積に対する比率として百分率に
換算し、空隙率とした。 [芳香族環分率の定量方法]Cambridge Soft社製の化学
構造式作図ソフトChem Drawに、構造式(6)に含まれ
るホスホン酸残基C6H5OPを入力し、Analyze Structure
機能を用いて分子量を求めたところ、124.08であった。
このホスホン酸残基に含まれる芳香族環であるフェニル
基C6H5の分子量を同様の方法で求めると、77.10であっ
た。同様に、構造式(6)、(7)に含まれるビスフェ
ノール残基C18H18O2の分子量は266.33、含まれる芳香族
環であるフェニレン基の分子量は2つで152.20であっ
た。同様に、構造式(7)に含まれるカーボネート残基
COは分子量28.01で、芳香族環は含まれていない。ホス
ホン酸残基対ビスフェノール残基対カーボネート残基の
モル比を3:4:1とし、数式(1)に従って芳香族環
分率を計算すると(77.10×3+152.20×4)/(124.08
×3+266.33×4+28.01)×100=57.3%であった。 [樹脂の合成方法]窒素雰囲気下、常温で塩化メチレン
(40ml)中に1,1ビス(4-ヒドロキシフェニル)シクロヘ
キサン(40mmol)、およびトリエチルアミン(88mmol)を混
合、攪拌した。この溶液にフェニルホスホン酸ジクロラ
イド(30mmol)の1-2ジクロロエタン(90ml)溶液を60分間
かけて滴下し、滴下終了後60分間攪拌した。その後、濃
度0.571mol/lであるトリホスゲンの1-2ジクロロエタン
(5.83ml)溶液を30分かけて滴下し、滴下終了後60分間攪
拌した。反応溶液をヘキサン2000mlに投入して再沈し、
ポリマーを濾取した後、(1)エタノール2000ml、(2)水/
エタノール=1/1混合溶液2000ml、(3)水2000mlの順
で生成したポリマーを洗浄、乾燥して目的の樹脂粉末を
収率91%で得た。 [樹脂の評価方法]得られた樹脂粉末は下記に示す方法
で成型し評価した。すなわちプレス成形の場合は、得ら
れた樹脂粉末を、樹脂のガラス転移温度点以上である2
50℃に加熱した金型に投入した。金型はφ30mmの円盤
状のプレートが成形可能なもの用いた。金型を閉じ、圧
力2tにて加圧後、金型を冷却した。金型を分割するこ
とによってφ30mm、厚さ3mmの円盤状の樹脂プレートを
得た。さらに溶融粘度の低い場合には試験管に封入して
溶融成形することもできる。すなわち、得られた樹脂粉
末を、外形24mmの試験管に3g投入し試験管内を真空に
して、真空下にて樹脂をヒーターにて試験管ごと280
℃に加熱した。樹脂の溶融を確認した後、ヒーターを止
め試験管を冷却した。試験管冷却後、樹脂の固化を確認
して試験管のみを破壊して樹脂の塊を得た。
ー、バフ研磨した。互いに直行する2面を研磨し、それ
らが鏡面仕上げになるように研磨した。研磨した樹脂サ
ンプルを屈折計(カルニュー光学工業(株)製:KPR-
2)にて評価を行い、d線(波長:587.6nm)屈折率(n
d)、式(4)より求められるアッベ数(νd)を測定し
た。
に示すモノマー単位について、実施例1と同様の方法で
共重合比率3:1の分子量約2万のランダム共重合ポリ
マー1本鎖を作成し、実施例1と同様の方法で空隙率を
定量した。 (構造式8)
様の方法で、ホスホン酸残基C6H5OP、ビスフェノール残
基C15H14O2、およびカーボネート残基COの分子量および
各残基に含まれる芳香族環の分子量を求め、ホスホン酸
残基対ビスフェノール残基対カーボネート残基のモル比
を3:4:1として芳香族環分率を計算した。 [樹脂の合成方法]窒素雰囲気下、常温で塩化メチレン
(40ml)中に2,2-ビス(4-ヒドロキシフェニル)プロパン
(40mmol)、およびトリエチルアミン(88mmol)を混合、攪
拌した。この溶液にフェニルホスホン酸ジクロライド(3
0mmol)の1-2ジクロロエタン(90ml)溶液を60分間かけて
滴下し、滴下終了後60分間攪拌した。その後、濃度0.57
1mol/lであるトリホスゲンの1-2ジクロロエタン(5.83m
l)溶液を30分かけて滴下し、滴下終了後60分間攪拌し
た。反応溶液をヘキサン2000mlに投入して再沈し、ポリ
マーを濾取した後、(1)エタノール2000ml、(2)水/エタ
ノール=1/1混合溶液2000ml、(3)水2000mlの順で生
成したポリマーを洗浄、乾燥して目的の樹脂粉末を収率
92%で得た。 [樹脂の評価方法]得られた樹脂粉末は実施例1と同様
の方法で成型し評価した。
単位について、実施例1と同様の方法で分子量約2万の
ホモポリマー1本鎖を作成し、実施例1と同様の方法で
空隙率を定量した。(構造式9)
様の方法で、ビスフェノール残基C15H14O2、およびカー
ボネート残基COの分子量および各残基に含まれる芳香族
環の分子量を求め、ビスフェノール残基対カーボネート
残基のモル比を1:1として芳香族環分率を計算した。 [樹脂の評価方法]市販されているポリカーボネー
ト:"タフロンA2200"(出光石油化学(株)製)を用い
て、実施例1と同様の方法で研磨して評価した。
樹脂の評価を行った。結果を表1に示す。
散な樹脂は低屈折となり、レンズなど光学用途に用いる
には不十分であることが明らかである。対して本発明の
樹脂は、高屈折、低分散という有用な光学特性を有して
いることがわかる。
する熱可塑性樹脂を提供でき、この樹脂よりなるレンズ
は各種分野に用いることができる。
Claims (4)
- 【請求項1】 分子シミュレーションによって計算した
非晶空隙率が34%未満であることを特徴とする光学樹
脂。 - 【請求項2】 下記一般式(1)で示されるホスホン酸
残基、および下記一般式(2)で示される2価フェノー
ル残基およびカーボネート残基からなり、ホスホン酸残
基とカーボネート残基のモル分率が式(3)を満足する
ことを特徴とする請求項1に記載の光学樹脂。 一般式(1) 【化1】 一般式(2) 【化2】 [一般式(1)中Rは炭素数1〜20の炭化水素基、X
は酸素、硫黄あるいはセレンを表し、RあるいはXの異
なるホスホン酸残基をともに含んでもよい。一般式
(2)中R’は各々独立に水素原子、ハロゲン原子、炭
素数1〜20の脂肪族炭化水素基、炭素数1〜20の芳
香族炭化水素基、ニトロ基からなる群から選ばれ、p、
qはp+q=0〜8の整数。Yは単結合、酸素原子、硫
黄原子、アルキレン基、アルキリデン基、シクロアルキ
レン基、シクロアルキリデン基、ハロ置換アルキレン
基、ハロ置換アルキリデン基、フェニルアルキリデン
基、カルボニル基、スルホン基、脂肪族ホスフィンオキ
シド基、芳香族ホスフィンオキシド基、アルキルシラン
基、ジアルキルシラン基、フルオレン基からなる群から
選ばれる。] (a)/[(a)+(b)]≧0.05 (3) [式(3)中、(a)はホスホン酸残基、(b)はカーボネー
ト残基のモル数を示す。] - 【請求項3】 一般式(1)で示されるホスホン酸残基
の一部をそれぞれ対応するホスホナイト残基に置き換え
て得られる請求項2に記載の光学樹脂。 - 【請求項4】 下記数式(1)に定義する芳香族環分率
が59%未満である請求項1〜3のいずれかに記載の光
学樹脂。数式(1) 【数1】
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002078591A JP2003268114A (ja) | 2002-03-20 | 2002-03-20 | 光学樹脂 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002078591A JP2003268114A (ja) | 2002-03-20 | 2002-03-20 | 光学樹脂 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003268114A true JP2003268114A (ja) | 2003-09-25 |
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ID=29206092
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002078591A Pending JP2003268114A (ja) | 2002-03-20 | 2002-03-20 | 光学樹脂 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2003268114A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003268113A (ja) * | 2002-03-20 | 2003-09-25 | Toray Ind Inc | 樹脂およびその成型体 |
JP2004269844A (ja) * | 2003-02-18 | 2004-09-30 | Toray Ind Inc | 熱可塑性樹脂および成形体 |
JP2013540168A (ja) * | 2010-09-16 | 2013-10-31 | エフアールエックス ポリマーズ、インク. | ビスフェノールを基本とした高分子量ランダムコポリ(ホスホネートカーボネート) |
US10724154B2 (en) | 2010-11-17 | 2020-07-28 | Frx Polymers, Inc. | Phosphonate polymers, copolymers, and their respective oligomers as flame retardants for polyester fibers |
-
2002
- 2002-03-20 JP JP2002078591A patent/JP2003268114A/ja active Pending
Cited By (6)
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KR20140024238A (ko) * | 2010-09-16 | 2014-02-28 | 에프알엑스 폴리머스, 인코포레이티드 | 고분자량 랜덤 비스페놀계 코폴리(포스포네이트 카보네이트) |
KR101991704B1 (ko) * | 2010-09-16 | 2019-06-21 | 에프알엑스 폴리머스, 인코포레이티드 | 고분자량 랜덤 비스페놀계 코폴리(포스포네이트 카보네이트) |
US10724154B2 (en) | 2010-11-17 | 2020-07-28 | Frx Polymers, Inc. | Phosphonate polymers, copolymers, and their respective oligomers as flame retardants for polyester fibers |
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