JP2003264374A - 耐熱性樹脂組成物およびこれを用いた多層配線基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】多層配線基板において、積層された耐熱性樹脂
層と金属配線層との接着性向上を目的とする。 【解決手段】耐熱性樹脂層と金属配線層の各々が複数積
層されている多層配線基板であって、耐熱性樹脂層に用
いられる耐熱性樹脂の３００℃での弾性率が１ＧＰａ以
上２ＧＰａ以下であることを特徴とする多層配線基板。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基板上に形成され
た配線層と、その配線層を覆う耐熱性の樹脂絶縁層とが
積層されてなる多層配線基板に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体や電子機器などの高機能、高密度
化に伴い、それらの電子部品を搭載する回路基板は、配
線もまた高密度化している。高密度化に対応した回路基
板において、その一つにビルドアップ法による多層配線
基板がある。前記多層配線基板では金属の配線層と、そ
の配線層を覆う樹脂の絶縁層とを積層した構成になって
いる。このとき配線層の金属はチタン、クロム、ニッケ
ル、銅、金、タングステン、モリブデンなどが一般的に
は用いられている。また樹脂絶縁層にはエポキシ樹脂、
オレフィン系樹脂、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、
ノボラック樹脂などが用いられている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
の金属配線層において、耐熱性樹脂の３００℃などの恒
温領域での柔軟性が少なく、金や銅などの配線と樹脂絶
縁層とでは十分な接着性を得られにくく、多層配線基板
の製造において問題があった。このために、金属を製膜
する前に逆スパッタ処理、アルカリなどによるウェット
処理、ドライエッチング処理などを行い、耐熱性樹脂の
表面に微細な凹凸を作り接着性を高めるなどのことがな
されていた。

【０００４】本発明は、耐熱性樹脂とそれを用いた金属
配線層との接着性を向上することを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、
（１）耐熱性樹脂層と金属配線層の各々が複数積層され
ている多層配線基板であって、耐熱性樹脂層に用いられ
る耐熱性樹脂の３００℃での弾性率が１ＧＰａ以上２Ｇ
Ｐａ以下であることを特徴とする多層配線基板である。

【０００６】また前記耐熱性樹脂層がポリイミド、ポリ
ベンゾオキサゾールの少なくとも１種を有することを特
徴とする上記（１）記載の多層配線基板である。

【０００７】前記金属配線が金、銅の少なくとも１種で
あることを特徴とする上記（１）記載の多層配線基板。

【０００８】前記耐熱性樹脂層と金属配線層を積層する
ときに、耐熱性樹脂のガラス転移温度以上に基板を加熱
処理することを特徴とする上記（１）記載の多層配線基
板である。

【０００９】前記耐熱性樹脂層の５０℃での弾性率が３
ＧＰａ以上あり、かつ、室温から２００℃までの平均熱
膨張率が３０ｐｐｍ／℃以下であることを特徴とする上
記（１）記載の多層配線基板である。

【００１０】

【発明の実施の形態】本発明は、耐熱性樹脂層と金属配
線層が複数積層されて構成され、金属との接着性に優れ
た特定の耐熱性樹脂とこれを用いた多層配線基板に関す
るものであり、この多層配線基板では、配線層と耐熱性
樹脂層とが良好な接着性を有することが必要である。

【００１１】本発明の多層配線基板は、セラミックやシ
リコンウェハ、ポリイミドフィルムなどの基板上に金属
配線のパターンと耐熱性樹脂絶縁層のパターンを交互に
重ねた構造となっている。

【００１２】本発明では、多層配線基板に用いられる耐
熱性樹脂層の耐熱性樹脂の３００℃での弾性率が１ＧＰ
ａ以上２ＧＰａ以下であることが必要であり、弾性率を
満たすことで金属配線層との良好な接着性が得られるも
のである。３００℃での弾性率が２ＧＰａ以下となるこ
とで、金属を耐熱性樹脂に熱圧着する時に、十分な可塑
変形が起こり、界面にストレスが残留することなく良好
な接着力を保持する。また、３００℃での弾性率が１Ｇ
Ｐａより小さいと、金属との熱圧着時の変形が大きくな
りすぎ、パターンのゆがみなどが生じるために好ましく
ない。

【００１３】本発明で用いられる耐熱性樹脂は、ポリイ
ミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリベンゾオキ
サゾール、ポリイソイミド、ポリカルボジイミド、ポリ
ベンゾチアゾール、ポリベンゾイミダゾール、ポリシク
ロブテン、エポキシ樹脂、アクリル樹脂などが挙げられ
る。好ましくはガラス転移温度が２００℃以上、さらに
好ましくは２５０℃以上を満たす樹脂が好ましい。ガラ
ス転移温度が２００℃未満であると、熱圧着での変形が
大きくなり、パターンのゆがみなどが生じやすくなる。
また、多層配線を構成した時の脱ガスの観点から５％熱
重量減少温度が４５０℃以上の樹脂であることが好まし
い。さらに好ましくは、３０℃での弾性率が３ＧＰａ以
上であり、３０℃から２００℃までの平均熱膨張率が３
０ｐｐｍ／℃以下であることが好ましい。このような耐
熱性樹脂を使用することで、ガラス転移温度以上の温度
で適度な塑性変形を起こし、金属配線と良好な接着性を
示し、接着後のストレスも低く、高い信頼性をその多層
配線基板に提供することができる。

【００１４】本発明のポリイミド樹脂は、ピロメリット
酸、ビフェニルテトラカルボン酸などの芳香族テトラカ
ルボン酸、ブタンテトラカルボン酸、シクロヘキサンテ
トラカルボン酸などの脂肪族テトラカルボン酸などのテ
トラカルボン酸とフェニレンジアミン、ジアミノジフェ
ニルエーテル、ビス（アミノフェノキシフェニル）スル
ホン、ビス（トリフルオロメチル）ベンチジン、ジアミ
ノターフェニルなどの芳香族ジアミン、あるいはシクロ
ヘキシルジアミンなどの脂肪族ジアミンなどのジアミン
を反応させることで得ることができる。この際、酸成
分、ジアミン成分とも１種のみを用いることも複数を用
いることもできる。さらに、２種類のポリイミドあるい
はポリイミド前駆体溶液をブレンドすることもできる。

【００１５】本発明のポリベンゾオキサゾール樹脂は、
イソフタール酸、テレフタール酸、ジフェニルエーテル
ジカルボン酸、ビフェニルジカルボン酸、ベンゾフェノ
ンジカルボン酸、ヘキサフルオロプロピルジフェニルジ
カルボン酸などの芳香族ジカルボン酸、アジピン酸、シ
クロヘキサンジカルボン酸などの脂肪族ジカルボン酸な
どのジカルボン酸とビス（アミノヒドロキシフェニル）
ヘキサフルオロプロパン、ビス（アミノヒドロキシフェ
ニル）スルホン、ビス（アミノヒドロキシフェニル）シ
クロヘキサン、ビス（アミノヒドロキシフェニル）メタ
ンなどのビスアミノフェノール化合物、あるいはビス
（アミノヒドロキシシクロヘキシル）スルホンなどのビ
スアミノビスアルコールなどを反応させて得ることが出
来る。

【００１６】本発明においては、ポリベンゾオキサゾー
ル樹脂は複数の原料を共重合することも、ブレンドする
事も出来る。さらに、ポリイミドあるいはその前駆体と
ポリベンゾオキサゾールあるいはその前駆体をブレンド
あるいは共重合することもできる。

【００１７】また、樹脂の高温での弾性率を低くするた
めに、スルホン酸の誘導体などの可塑効果のある化合物
を添加することもできる。このような化合物としてはト
ルエンスルホン酸などのスルホン酸、ｐ−トルエンスル
ホンアミドなどのスルホンアミド類などが挙げられる。
またナフトキノンジアジドスルホン酸エステルのように
感光性を有したスルホン酸エステル類などが、感光性を
付与する場合、好ましく用いられる。

【００１８】耐熱性樹脂層の形成は、樹脂溶液、あるい
は前駆体溶液をスピンコートやスプレー塗布、スクリー
ン印刷などにより塗布し、適当な加熱を行い形成する方
法、耐熱性樹脂フィルム、あるいは前駆体フィルムを基
板に張り付けた後、適当な加熱処理により形成する方法
などで形成することができる。

【００１９】金属配線の導通のためのパターンの形成と
しては、耐熱性樹脂に感光性を持たせてフォトリソグラ
フィーの手法により形成する方法、レーザー加工による
方法、スクリーン印刷などの印刷法で形成する方法など
がある。

【００２０】本発明に使用する金属配線としては、銅、
アルミニウム、金などが挙げられるが、安定性の面から
金が最も好ましい。さらに、ニッケル、モリブテン、タ
ングステン、タンタル、チタン、ニッケル、クロムなど
を金属配線層の上にバリア層として形成することもでき
る。

【００２１】金属配線の形成は、通常のスパッタ法、メ
ッキ法などで形成することができる。金属配線のパター
ン化は、レジストで必要な部分のみを残して、その後に
金属配線を形成する方法や、金属配線を形成した後にレ
ジストでパターン化し、エッチングで不要な部分を取り
除く方法などがあげられる。

【００２２】さらに本発明のもう一つの特徴は耐熱性樹
脂層と金属配線層を積層するときに、耐熱性樹脂のガラ
ス転移温度以上の温度で各々を熱圧着することで行う。
用いる樹脂によって、温度は変わるが２５０℃から３５
０℃が好ましく、より好ましくは２７０から３００℃で
ある。また圧力としては０．１から１０ＭＰａが好まし
い。

【００２３】このように本発明は、基板上に耐熱性樹脂
膜を形成し、必要な部分の開口を行った後、従来では一
般的に行われていた逆スパッタ、ウェット処理、ドライ
エッチング処理を行うことなく金属をスパッタ法やメッ
キ法で形成し、これを熱圧着し、金属膜の不要部分をエ
ッチング除去することで、高い接着性があり、信頼性の
優れた耐熱性樹脂／金属積層膜を得ることが出来る。こ
の処理を複数回行うことで必要な多層配線基板を得るこ
とが出来る。

【００２４】本発明の樹脂組成物は、半導体チップの表
面保護膜、半導体パッケージの層間絶縁膜、半導体パッ
ケージの表面保護膜、磁気ヘッド配線の絶縁膜、半導体
素子実装のための基板の層間絶縁膜などに用いることが
出来る。

【００２５】

【実施例】以下、実施例を挙げて本発明を詳細に説明す
るが、本発明はこれらによって限定されるものではな
い。なお、実施例中の耐熱性樹脂組成物の評価は以下の
方法により行った。

【００２６】耐熱性樹脂組成物を用いた膜の作成 シリコンウエハ上に、耐熱性樹脂前駆体組成物をスピン
コート方法で塗布し、ついでホットプレート（大日本ス
クリーン製造（株）製ＳＣＷ−６３６）を用いて、１２
０℃で３分プリベ−クして耐熱性樹脂組成物の前駆体膜
を作成し、またはプリベ−クを行わず、光洋リンドバー
グ（株）製クリーンオーブン中の空気雰囲下または窒素
雰囲気下で加熱して耐熱性樹脂組成物のキュア膜を得
た。耐熱性樹脂組成物のキュア膜のみを単独で得るに
は、シリコンウェハ上に作成した耐熱性樹脂組成物のキ
ュア膜を、４７％フッ化水素酸（和光純薬、特級）に５
分間浸漬した後、水道水で洗浄し、シリコンウェハから
剥離した。

【００２７】金属配線の形成 耐熱性樹脂組成物膜を作製したシリコンウエハ上に、日
電アネルバ（株）製スパッタ装置ＳＰＬ−５００ＬＬを
使用して、圧力０．２Ｐａ、アルゴンガス流量３０ｍｌ
／分、放電出力３０００Ｗ（ＤＣ）で５分間のスパッタ
を行い、０．７μｍの膜厚の銅または金の金属膜を得
た。

【００２８】接着性評価 シリコンウエハ上に作製した耐熱性樹脂組成物と金属膜
の積層された表面を、カッターで２ｍｍ角が１００個に
なるよう碁盤目状にカットし、タバイエスペック（株）
製高度加速寿命試験装置ＥＨＳ−２２１ＭＤを用いて、
１２１℃で１００％の相対湿度のもと５０時間処理を行
った後、セロテープ（登録商標）を貼り付けた後、引き
剥がしてセロテープ（登録商標）に付着した膜の個数を
カウントした。

【００２９】ガラス転移温度の測定方法 約１０ｍｇの耐熱性樹脂組成物のキュア膜をアルミニウ
ムセルに入れ、シールしたものを測定用サンプルとし、
（株）島津製作所製示差走査熱量計ＤＳＣ−５０を用い
て、窒素雰囲気下で４０℃／分で３３０℃まで昇温し、
アニール処理した後室温まで冷却し、２０℃／分で３０
℃から３５０℃までの温度範囲で測定を 平均熱膨張率の算出方法 耐熱性樹脂組成物のキュア膜を１５ｍｍ×３０ｍｍにカ
ットし、これを１５ｍｍの長さ方向に直径約３ｍｍの円
筒上にして、試料台にセットし、セイコー電子（株）製
微小定荷重熱膨張計ＴＭＡ−ＳＳ６１００を用いて、乾
燥窒素気流中で圧縮モードによる等速昇温と降温してア
ニール処理を行い、再度等速昇温で昇温速度５℃／分、
負荷荷重：４．９×１０^-3Ｎ、測定温度範囲３０℃〜４
００℃の条件でＸ−Ｙ方向に測定した。３０℃から１０
０℃の平均熱膨張率αを求めた。

【００３０】平均熱膨張率α（線膨張率（Ｌ/Ｌ₀）温度
曲線の室温と各温度ｔを結ぶ直線の勾配）は下式により
算出した。

【００３１】 α（℃^-1）＝（1/Ｌ₀）×｛Ｌ/（ｔ−（室温））｝ Ｌ₀：基準温度での試料長 Ｌ：基準温度から各温度点ｔまでの線膨張長さ（ｍ
ｍ）。

【００３２】弾性率の測定 剥離した耐熱性樹脂組成物のキュア膜を、ＤＤＶ−II−
ＥＡ（（株）エーアンドディー製）を用いて、窒素雰囲
気の下、２５℃から３５０℃の範囲で昇温速度２℃／
分、初期試料長４０ｍｍ、初期試料幅４ｍｍを初荷重７
ｇ、昇温速度２℃／分、周波数１１０Ｈｚ、振動変位
（歪み）１６μｍ（片振幅）にて測定した。

【００３３】合成例１ ナフトキノンジアジド化合物の
合成 乾燥窒素気流下、１，１，２，２−テトラ（４−ヒドロ
キシフェニル）エタン（本州化学（株）製）１９．９ｇ
（０．０５モル）と４−ナフトキノンジアジドスルホニ
ル酸クロリド（東洋合成（株）製）４７．０ｇ（０．１
７５モル）を１，４−ジオキサン（林純薬（株）製）５
００ｇに溶解させ、４０℃に加熱した。ここに、１，４
−ジオキサン５０ｇと混合させたトリエチルアミン（和
光純薬（株）製）１７．７ｇ（０．１７５モル）を系内
の温度が４５度以上にならないように滴下した。滴下後
４０度で２時間攪拌した。副生したトリエチルアミンの
塩酸塩を濾過し、ろ液を１％塩酸３ｌに投入させた。そ
の後、析出した沈殿をろ過で集めた。さらに、水１０ｌ
で洗浄を２度繰り返し、５０℃の真空乾燥機で２０時間
乾燥させ、ナフトキノンジアジド化合物を得た。

【００３４】合成例２ 酸無水物１（ＴＭＤＡ）の合成 攪拌羽、温度計、窒素導入管を取り付けた、１Ｌの３つ
口フラスコに２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキ
シフェニル）ヘキサフルオロプロパン（セントラル硝子
（株）製、以下ＢＡＨＦと略する）１８．３ｇ（０．０
５モル）をはかり入れ、アセトン（３００ｍＬに溶解さ
せた。ここにグリシジルメチルエーテル（東京化成
（株）製、以下ＧＭＥと略する）８０ｇ（０．９１モ
ル）を加え、溶液の温度を５℃に冷却した。ここに無水
トリメリット酸クロリド（東京化成（株）製）２１．１
ｇ（０．１モル）をアセトン（特級、佐々木化学薬品
（株）製）２００ｍＬに溶解させた溶液を１５分かけ
て、溶液の温度が１０℃を越えないように滴下した。

【００３５】滴下後、５℃で２時間攪拌し、その後、３
０分かけて２５℃にした。２５℃で３０分攪拌した後、
ろ過を行い、黄色い沈殿物を回収した。集めた沈殿物を
さらにアセトンで２回洗浄した。この沈殿を８０℃の真
空乾燥機で２４時間乾燥させ、表記の酸無水物１（ＴＭ
ＤＡ）を得た。

【００３６】合成例３ ジアミン１（３ＨＦＨＡ）の合
成 攪拌羽、温度計、窒素導入管を取り付けた、２Ｌの３つ
口フラスコにＢＡＨＦ１８．３ｇ（０．０５モル）をは
かり入れ、アセトン２００ｍＬに溶解させた。ここにＧ
ＭＥ８０ｍＬ（０．９１モル）を加えて溶液の温度を５
℃に冷却した。ここに３−アミノ安息香酸クロリド（東
京化成（株）製）１８．６ｇ（０．１モル）をアセトン
２００ｍＬに溶解させた溶液を１５分かけて、溶液の温
度が１０℃を越えないように滴下した。

【００３７】滴下後、５℃で２時間攪拌し、その後、３
０分かけて２５℃にした。２５℃で３０分攪拌した後、
ろ過を行い、沈殿物を回収した。集めた沈殿物をさらに
アセトンで２回洗浄した。この沈殿を安息香酸メチルで
再結晶し、１００℃の真空乾燥機で４８時間乾燥し、白
色粉体３３ｇを得た。

【００３８】白色粉体１３．４ｇをはかり取り、テトラ
ヒドロフラン（和光純薬（株）製）１００ｍＬとメタノ
ール（片山化学（株）製）５０ｍＬの混合溶媒を４０℃
にして溶解させた。ここに５％パラジウム−炭素（和光
純薬（株）製）０．２ｇを加え、飽水ヒドラジン（和光
純薬（株）製）８ｇを３０分かけて徐々に滴下した。そ
の後、溶液の温度を４０℃のまま４時間攪拌を続けた。

【００３９】その後、ろ過によりパラジウム−炭素を除
去し、水１Ｌに投入して、薄黄色の沈殿を得た。これを
ろ過で集め、さらに水、メタノールで洗浄し、８０℃の
真空乾燥機で４８時間乾燥させ、３ＨＦＨＡを得た。

【００４０】合成例４ ジアミン２（４ＨＦＨＡ）の合
成 合成例３で３−アミノ安息香酸クロリドの代わりに４−
アミノ安息香酸クロリド（東京化成（株）製）を使用し
た以外は同様に合成した。

【００４１】実施例１ 乾燥窒素気流下、４，４’−ジアミノジフェニルエーテ
ル（和歌山製化（株）製）９．５ｇ（０．００４７モ
ル）、１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチ
ルジシロキサン（東レダウコーニングシリコーン（株）
製、以下ＡＰＤＳと略す）０．７４ｇ（０．００３モ
ル）（０．０５モル）をＮ−メチル−２−ピロリドン
（三菱化学（株）製、以下ＮＭＰと略す）２００ｇに４
０℃で溶解させた。ここに合成例２で合成したＴＭＤＡ
３５．７ｇを一度に加えた。４０℃で２時間攪拌を続け
た後、ジメチルホルムアミドジメチルアセタール（東京
化成（株）製、以下ＤＭＡと略す）１１．９ｇ（０．１
モル）をＮＭＰ３０ｍＬで希釈した溶液を１０分かけて
滴下した。

【００４２】滴下終了後、２時間攪拌を続け、その後水
１Ｌに投入し、白色沈殿を得た。この沈殿をろ過で集
め、その後水で２回洗浄した。洗浄後の沈殿を５０℃の
真空乾燥機で７２時間乾燥させポリマー１を得た。この
ポリマー１を１０ｇはかり取り、合成例１で合成した感
光剤２ｇ、１，１，２，２−テトラ（４−ヒドロキシフ
ェニル）エタン１ｇ（本州化学（株）製）をガンマブチ
ロラクトン（三菱化学（株）製、以下ＧＢＬと略す）２
０ｇに溶解させた。溶解した後、１μｍのメンブレンフ
ィルターでろ過をした。このろ過後の溶液を４インチの
シリコン基板上に１２０℃で３分のホットプレート処理
後の膜厚が７μｍとなるように大日本スクリーン製造
（株）製のＳＣＷ−６３６のコーターを用いてスピンコ
ートした。スピンコート後、１２０℃×３分のホットプ
レート処理をＳＣＷ−６３６のホットプレートを用いて
行った。

【００４３】このウェハーを５０Ｌ／分の流量で窒素の
流れた光陽サーモシステム（株）製イナートオーブンＩ
ＮＨ−２１ＣＤで１７０℃で３０分、その後５℃／分で
昇温し、３５０℃で１時間処理することでウェハー上に
ポリイミド膜を得た。

【００４４】このようにして作成したポリイミド膜に金
をスパッタで０．７μｍ製膜した。この金との接着性評
価の結果、剥離個数は０であり良好であった。また３０
０℃での弾性率は１．８ＧＰａ、５０℃での弾性率は
３．４ＧＰａ、平均熱膨張率は２８ｐｐｍ／℃であっ
た。

【００４５】実施例２ 乾燥窒素気流下、合成例３で合成した３ＨＦＨＡ２７．
２ｇ（０．０４５モル）、ＡＰＤＳ １．２４ｇ（０．
００５モル）をＮＭＰ５０ｇに４０℃で溶解させた。こ
こに合成例２で合成した３，３’，４，４’−ビフェニ
ルテトラカルボン酸二無水物１４．７ｇ（０．０５モ
ル）を一度に加えた。４０℃で２時間攪拌を続けた後、
ＤＭＡ１１．９ｇ（０．１モル）をＮＭＰ３０ｍＬで希
釈した溶液を１０分かけて滴下した。

【００４６】滴下終了後、２時間攪拌を続け、その後酢
酸１０ｍＬを加え、過剰なＤＭＡを分解した。その後、
水１Ｌに投入し白色沈殿を得た。この沈殿をろ過で集
め、その後水で２回洗浄した。洗浄後の沈殿を５０℃の
真空乾燥機で７２時間乾燥させポリマー２を得た。この
ポリマー２を１０ｇはかり取り、合成例１で合成した感
光剤２ｇ、１，１，２，２−テトラ（４−ヒドロキシフ
ェニル）エタン１ｇをガンマブチロラクトン（ＧＢＬ）
２０ｇに溶解させた。溶解した後、１μｍのメンブレン
フィルターでろ過をした。このろ過後の溶液を用い、実
施例１と同様にして、金をスパッタで０．７μｍ成膜し
た。

【００４７】この金との接着性評価の結果、剥離個数は
０であり良好であった。３００℃での弾性率は１．８Ｇ
Ｐａ、５０℃での弾性率は３．２ＧＰａ、平均熱膨張率
は３０ｐｐｍ／℃であった。

【００４８】実施例３ 乾燥窒素気流下、合成例４で合成した４ＨＦＨＡ２７．
２ｇ（０．０４５モル）、ＡＰＤＳ １．２４ｇ（０．
００５モル）をＮＭＰ５０ｇに４０℃で溶解させた。こ
こに合成例２で合成した３，３’，４，４’−ジアミノ
ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物１５．５
ｇ（０．０５モル）を一度に加えた。４０℃で２時間攪
拌を続けた後、ＤＭＡ１１．９ｇ（０．１モル）をＮＭ
Ｐ３０ｍＬで希釈した溶液を１０分かけて滴下した。

【００４９】滴下終了後、２時間攪拌を続け、その後酢
酸１０ｍＬを加え、過剰なＤＭＡを分解した。その後、
水１Ｌに投入し白色沈殿を得た。この沈殿をろ過で集
め、その後水で２回洗浄した。洗浄後の沈殿を５０℃の
真空乾燥機で７２時間乾燥させポリマー２を得た。この
ポリマー２を１０ｇはかり取り、合成例１で合成した感
光剤２ｇ、１，１，２，２−テトラ（４−ヒドロキシフ
ェニル）エタン１ｇをガンマブチロラクトン（ＧＢＬ）
２０ｇに溶解させた。溶解した後、１μｍのメンブレン
フィルターでろ過をした。このろ過後の溶液を用い、実
施例１と同様にして、ウェハ上にポリイミド膜を得、金
をスパッタで０．７μｍ成膜した。

【００５０】この金との接着性評価の結果、剥離個数は
０であり良好であった。３００℃での弾性率は１．７Ｇ
Ｐａ、５０℃での弾性率は３．４ＧＰａ、平均熱膨張率
は３０ｐｐｍ／℃であった。

【００５１】実施例４ 乾燥窒素気流下、ＢＡＨＦ１８．３ｇ（０．０５モル）
をＮＭＰ５０ｇ、ＧＭＥ ２６．４ｇ（０．３モル）に
溶解させ、溶液の温度を−１５℃まで冷却した。ここに
４，４’−ビフェニルジカルボン酸ジクロリド（日本農
薬（株）製）１４．０ｇ（０．０５モル）をガンマブチ
ロラクトン２５ｇに溶解させた溶液を内部の温度が０℃
を越えないように滴下した。滴下終了後、６時間−１５
℃で攪拌を続けた。

【００５２】反応終了後、溶液を水３ｌに投入して白色
の沈殿を集めた。この沈殿をろ過で集めて、水で３回洗
浄した後、８０℃の真空乾燥機で２０時間乾燥した。

【００５３】このようにして得られたポリマー粉体１
０．０ｇに合成例１で合成した感光剤２．０ｇ、ｐ−ト
ルエンスルホンアミド（東京化成（株）製）０．４ｇを
ＧＢＬ３０ｇに溶解させ、１μｍのメンブレンフィルタ
ーでろ過し、感光性ポリベンゾオキサゾール前駆体組成
物のワニスを得た。ついでシリコンウエハ上に、感光性
ポリベンゾオキサゾール前駆体のワニスを塗布、プリベ
ーク、キュアして感光性ポリベンゾオキサゾール膜を得
た。ついで、この感光性ポリベンゾオキサゾールの上
に、スパッタ装置を使用して膜厚が０．７μｍの銅の金
属膜を得た。

【００５４】このようにして得られた感光性ポリベンゾ
オキサゾール膜と銅の金属膜との多層配線基板を、ホッ
トプレート（大日本スクリーン製造（株）製ＳＣＷ−６
３６）を用いて、３５０℃で３分の加熱を行い、この銅
との接着性評価の結果、剥離個数は０であり良好であっ
た。また３００℃での弾性率は１．９ＧＰａ、５０℃で
の弾性率は３．４ＧＰａ、平均熱膨張率は２８ｐｐｍ／
℃であった。

【００５５】比較例１ 乾燥窒素気流下、４，４’−ジアミノジフェニルエーテ
ル（和歌山製化（株）製）１９．０ｇ、１，３−ビス
（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン（東
レダウコーニングシリコーン（株）製）１．２ｇをＮＭ
Ｐ２００ｇに４０℃で溶解させた。ここに無水ピロメリ
ット酸（ダイセル化学（株）製）２１．８ｇを一度に加
えた。

【００５６】反応終了後、実施例１と同様にしてウェハ
上にポリイミド膜を得、金をスパッタで０．７μｍ成膜
した。この金との接着性は悪く、この金との接着性評価
の結果、１００個全数の剥離が見られ、接着性は悪かっ
た。また３００℃での弾性率は２．２ＧＰａ、５０℃で
の弾性率は２．８ＧＰａ、平均熱膨張率は４２ｐｐｍ／
℃であった。

【００５７】

【発明の効果】本発明は、積層された耐熱性樹脂層と金
属配線層との接着性を向上させることができ、またその
ような多層配線基板を提供できるものである。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5E343 AA18 AA23 BB23 BB24 DD57 GG02 5E346 AA32 CC08 CC09 CC10 CC16 CC32 CC34 CC38 DD03 DD17 DD22 DD32 DD33 EE05 EE13 GG08 GG28 HH11 HH18

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】耐熱性樹脂層と金属配線層の各々が複数積
   層されている多層配線基板であって、耐熱性樹脂層に用
   いられる耐熱性樹脂の３００℃での弾性率が１ＧＰａ以
   上２ＧＰａ以下であることを特徴とする多層配線基板。
2. 【請求項２】前記耐熱性樹脂層がポリイミド、ポリベン
   ゾオキサゾールの少なくとも１種を有することを特徴と
   する請求項１記載の多層配線基板。
3. 【請求項３】前記金属配線が金、銅の少なくとも１種で
   あることを特徴とする請求項１記載の多層配線基板。
4. 【請求項４】前記耐熱性樹脂層と金属配線層を積層する
   ときに、耐熱性樹脂のガラス転移温度以上の温度で各々
   を熱圧着することを特徴とする請求項１記載の多層配線
   基板。
5. 【請求項５】前記耐熱性樹脂層の５０℃での弾性率が３
   ＧＰａ以上あり、かつ、３０℃から２００℃までの平均
   熱膨張率が３０ｐｐｍ／℃以下であることを特徴とする
   請求項１記載の多層配線基板。