KR101197161B1 - 비선형 폴리아믹산 및 이를 포함하는 감광성 수지조성물. - Google Patents

비선형 폴리아믹산 및 이를 포함하는 감광성 수지조성물. Download PDF

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Abstract

본 발명은 화학식 1로 표시되는 비선형 폴리아믹산 및 이를 포함하는 감광성 수지조성물에 대한 것이다. 본 발명에 의하면 우수한 기계적물성, 코팅성, 접착성을 나타내면서도 고해상도를 구현할 수 있다.
비선형, 폴리아믹산, 고해상도

Description

비선형 폴리아믹산 및 이를 포함하는 감광성 수지조성물.{non-linear polyamic acid and photoresist resin composition comprising the same}
본 발명은 비선형 폴리아믹산을 포함하는 콘트라스트가 높은 수지조성물에 대한 것이다.
전자기기 등에 이용되는 프린트 배선 기판은 주로 도체층을 표면에 갖춘 절연 기판 상에 스크린 인쇄에 의한 패턴 인쇄법이나 감광성 드라이 필름을 이용한 포토리소그래피에 의해 형성된 회로 패턴을 이용하는 서브트랙트법으로 제조되고 있다.
최근, 프린트 배선 기판은 고밀도화·고정밀도화에 따른 회로 패턴의 미세 화가 진행되고 있다. 그리고, 그 요구에 대응할수 있는 제조 방법으로서, 포지티브형 감광성 전착 레지스트를 이용하는 방법이 제안되어 있다.
또한, 반도체 소자의 표면 코트막 등의 보호막이나 박막 다층 배선 기판의 층간 절연막 등에 적합한 감광성 재료로서도 포지티브형 감광성 수지 조성물이 사용되고 있다.
상기 포지티브형 감광성 수지조성물은 노광에 의해 알칼리 현상액에 대한 노 광부와 미노광부의 용해성 차가 나타나고, 이에 따라 현상이 가능해진다. 그러나, 폴리아믹산의 분자량이 증가되면 용해도가 낮아짐에 따라 해상도가 저하되는 문제점이 있고, 반대로 분자량을 감소시키면 기계적 물성, 코팅성, 접착력이 저하되는 문제가 나타난다.
따라서, 기계적 물성, 코팅성, 접착력 뿐 아니라, 고해상도를 구현할 수 있는 감광성 수지조성물이 요구되고 있다.
본 발명은 우수한 기계적 물성과, 코팅성, 접착력을 나타내면서도 동시에 고해상도를 구현할 수 있는 비선형 폴리아믹산과 이를 포함하는 감광성 수지조성물에 관한 것이다.
본 발명에 의한 비선형 폴리아믹산은, 다음의 화학식 1의 구조를 가진다.
[화학식 1]
A-[-(B)m-C]n
A는 아민이고,
B는 올리고이미드 또는 올리고아믹산이며,
C는 열경화가 가능한 작용기며,
m은 2 내지 10이고, n은 3이다.
또한, 상기 화학식 1의 정의에서 A는 트리스아미노페녹시벤젠, 트리스아미노페닐벤젠, 트리스아미노페닐아민, 트리스아미노에틸아민 중에서 선택될 수 있다.
또한, 상기 화학식 1의 정의에서 C는 말레이미드, 네드이미드, 프로파질 에테르, 아세틸렌, 벤조시클로부탄, 시아네이트로 이루어진 군 중에서 하나 이상 선택될 수 있다.
또한, 상기 화학식 1로 표시되는 폴리아믹산의 중량평균 분자량은 5000 내지 200000이다.
본 발명에 의한 감광성 수지조성물은 화학식 1의 구조를 가지는 비선형 폴리아믹산 및 감광성 산 발생제를 포함한다.
또한, 상기 비선형 폴리아믹산 100중량부에 대하여, 상기 감광성 산 발생제는 1~50 중량부를 포함할 수 있다.
또한, 상기 감광성 산 발생제는, 다음의 화학식 3 내지 화학식 6 중에서 선택될 수 있다.
화학식 3
Figure 112007092021960-pat00001
화학식 4
Figure 112007092021960-pat00002
화학식 5
Figure 112007092021960-pat00003
화학식 6
Figure 112007092021960-pat00004
상기 화학식 4 내지 화학식 6에서, D는
Figure 112007092021960-pat00005
이고, n은 반복단위임을 나타낸다.
또한, 본 발명에 의한 감광성 수지조성물은 접착력 증진제, 계면활성제, 유기 용매를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 의하면, 기계적 특성, 고해상도, 우수한 코팅성 및 접착력을 나타내는 포지티브형 감광성 조성물을 제공할 수 있다.
본 발명에 의한 폴리아믹산은 다음의 화학식 1로 표시된다.
화학식 1
A-((B)m-C)n
A는 C3 대칭의 아민이고, B는 올리고이미드 및 올리고아믹산 중에서 선택되 는 것이며, C는 열경화가 가능한 작용기이고, n은 3, m은 2 내지 10이다.
화학식 1로 표시되는 폴리아믹산의 중량평균 분자량은 5000내지 200000이다.
5000 미만인 경우에는 잔막을 유지할 수 없고, 200000을 초과하는 경우에는 감도가 떨어지며, 막이 뜯기는 불량이 발생할 가능성이 있다.
여기서 상기, C3대칭의 아민은 120° 대칭을 의미하는 기로 한 분자 내에 반응기가 3개인 것을 의미한다. C3대칭 아민으로써 바람직하게는 트리스아미노페녹시벤젠, 트리스아미노페닐벤젠, 트리스아미노페닐아민 또는 트리스아미노에틸아민 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
B는 올리고이미드 또는 올리고아믹산으로 디아민과 이무수물을 반응시켜 제조할 수 있다.
상기 디아민으로는 방향족 디아민이 바람직하며, 구체적인 예로는 페닐렌디아민, 디아미노비페닐, 메틸렌디아닐린, 옥시디아닐린, 티오디아닐린, 디아미노벤조페논, 디아미노나프탈렌 또는 디아미노안트라센 등이 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 이무수물로는 피로멜리트산 이무수물, 비프탈산 이무수물, 옥시디프탈산 이미수물, 벤조페논테트라카르복실산 이무수물, 헥사플루오로이소프로필리덴 디프탈산 이무수물, 시클로알킬 이무수물 또는 비시클로알킬 이무수물 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명에 의한 폴리아믹산은 기존의 선형의 폴리아믹산과는 달리, 가지가 달린 입체적인 구조를 가지므로, 더 큰 분자량을 가지더라도 구조적 특징에 의하여 용해도가 크고, 체적이 작아서 해상도가 높다. 또한 우수한 기계적 특성을 가지며 코팅성 및 접착력도 우수하므로 품질 좋은 제품의 생산이 가능하다.
또한, 상기 C로 표시되는 열경화가 가능한 작용기는 말레이미드(maleimide), 네드이미드(nadimide), 프로파질 에테르(propagyl ether), 아세틸렌(acetylene), 벤조시클로부탄(benzocyclobutane), 시아네이트(cyanate) 등으로 이루어진 군에서 선택되는 것일 수 있다.
이 중 말레이미드인것이 바람직한데, 말레이미드는 열 뿐 아니라 광에 의해서도 경화가 일어날 수 있다.
화학식 1의 n이 3이고, C가 말레이미드인 경우, 다음과 같이 표시될 수 있다.
Figure 112007092021960-pat00006
A는 C3 대칭의 아민이고, B는 올리고이미드 및 올리고아믹산 중에서 선택되는 것이며, X, Y는 서로 독립적으로 수소, 알킬, 아릴, 할로겐 또는 니트릴이고, m은 2 내지 10이다.
본 발명에 의한 비선형 폴리아믹산은 a) 디아민과 이무수물을 반응시켜 올리 고아믹산을 제조하는 단계와, b)상기 올리고아믹산에 C3대칭 아민을 첨가하는 단계 및 c)상기 C3 대칭 아민과 결합한 올리고아믹산의 말단에 열경화성 작용기를 캡핑하는 단계를 거쳐 용매 중에 반응시켜 제조될 수 있다.
상기 a)는 디아민과 이무수물을 반응시켜 올리고아믹산을 제조하는 단계이다.
상기 디아민으로는 방향족 디아민이 바람직하며, 구체적인 예로는 페닐렌디아민, 디아미노비페닐, 메틸렌디아닐린, 옥시디아닐린, 티오디아닐린, 디아미노벤조페논, 디아미노나프탈렌 또는 디아미노안트라센 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
이 무수물로는 피로멜리트산 이무수물, 비프탈산 이무수물, 옥시디프탈산 이무수물, 벤조페논테트라카르복실산 이무수물, 헥사플루오로이소프로필리덴 디프탈산 이무수물, 시클로알킬 이무수물 또는 비시클로알킬 이무수물 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 b)는 상기 제조된 올리고아믹산에 비선형 구조를 형성하기 위해 C3 대칭 아민을 첨가하는 단계이다. 상기 비선형 구조를 형성하기 위하여 첨가되는 C3대칭 아민으로는 트리스아미노페녹시벤젠, 트리스아미노페닐벤젠, 트리스아미노페닐아민 또는 트리스아미노에틸앙민 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 c)는 상기 C3 대칭 아민에 결합한 올리고아믹산의 말단에 경화성 작용기를 캡핑하는 단계이다. 말단에 캡핑되는 경화성 작용기로는 말레이미드, 네드이미드, 프로파질 에테르, 아세틸렌, 벤조시클로부탄 및 시아네이트 중에서 선택되는 것일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
또한, 본 발명은 상기의 화학식 1로 표시되는 비선형 폴리아믹산 및 감광성 산발생제를 포함하는 감광성 수지조성물을 제공한다.
상기 감광성 산발생제는 다음의 화학식 2 내지 화학식 6으로 표시될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니며 본 발명의 기술분야에서 사용될 수 감광성 산발생제라면 모두 사용가능하다.
화학식 3
Figure 112007092021960-pat00007
화학식 4
Figure 112007092021960-pat00008
화학식 5
Figure 112007092021960-pat00009
화학식 6
Figure 112007092021960-pat00010
상기 화학식 4 내지 화학식 6에서, D는
Figure 112007092021960-pat00011
이고, n은 반복단위인 것을 의미한다.
본 발명에 의한 감광성 수지조성물에는 접착력 증진제, 계면 활성제 및 용매를 더 포함할 수 있다.
접착력 증진제로는 기판과의 접착성을 향상시키는 작용을 갖는 성분으로, 예를들면 카르복실기, 메타크릴로일기, 비닐기, 이소시아네이트기, 에폭시기 등의 반응성 관능기를 갖는 실란 커플링제가 바람직하다.
구체적으로는 트리메톡시실릴벤조산, γ-메타크릴로일옥시프로필트리에톡시실란, 비닐트리아세톡시실란, 비닐트리메톡시실란, γ-이소시아네이트프로필트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란 등으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 1종 이상이며, 이에 한정되지 않는다.
상기 계면활성제로는 기판에 대한 코팅성과 도포성, 균일성 및 얼룩제거를 향상시키는 작용을 갖는 성분으로, 불소계 계면활성제, 실리콘계 계면활성제 및 비이온계 계면활성제 등으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 1종 이상이며, 이에 한정되지는 않는다.
또한, 상기 용매는 상기 비선형 폴리아믹산계 고분자 화합물을 용해시킬 수 있는 것이면 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메 틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈, N-비닐피롤리돈, N-메틸카프로락탐, 디메틸술폭시드, 테트라메틸요소, 피리딘, 디메틸술폰, 헥사메틸술폭시드, m-크레졸, γ-부티로락톤, 에틸셀로솔브, 부틸셀로솔브, 에틸카르비톨, 부틸카르비톨, 에틸카르비톨 아세테이트, 부틸카르비톨 아세테이트, 에틸렌글리콜, 젖산에틸, 젖산부틸, 시클로헥사논 및 시클로펜타논으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 1종 이상일 수 있다.
이하에서는, 실시예를 참고하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. 다만 다음의 실시예는 본 발명을 구체적으로 설명하기 위한 것일 뿐 본 발명이 이하의 실시예에 한정되는 것은 아니다.
<제조예>
제조예 1 : C3 대칭 아민 작용기의 제조
플루오로글루신올(phloroglucinol) 20.2 g을 DMAc 800㎖와 증류수 40㎖에 녹인 후, 여기에 K2CO3 80g을 첨가하고 130℃에서 4시간 교반하였다. 반응액을 70℃로 냉각하고 여기에 4-클로로니트로벤젠(4-chloronitrobenzene)75.6 g을 첨가하여 12시간동안 환류 교반하였다. 이후 과량의 용매를 감압 증류하여 제거하고 잔류물을 5 중량% NaOH 수용액에 첨가하여 침전물을 얻었다. 생성된 갈색 침전물을 피리딘과 증류수를 이용해 재결정하여 1,3,5-트리스(4-니트로페닐옥시)벤젠 61g을 얻었다. 여기에 THF 160㎖를 첨가한 후 환류 교반하였다. 그 다음 SnCl2 300g과 HCl 300 ㎖를 혼합한 용액을 1시간 동안 천천히 첨가하고 다시 8시간 정도 환류 교반하였다. 이후 용액을 상온으로 냉각하고 1L의 진한 HCl에 첨가하여 생성된 침전물을 여과하고 이를 다시 100㎖ 증류수에 녹인 후 5중량% NaOH 1L에 첨가하여 침전물을 얻었다. 회색 침전물을 증류수로 여러 번 세척하고 건조한 후, 헥산/에틸아세테이트/트라이에틸아민(50/50/1)용매를 이용한 컬럼크로마토그래피로 정제하여 1,3,5-트리스(4-아미노페닐옥시)벤젠 22.5g을 얻었다.
1H NMR (DMSO-d 6) : 4.98(6H), 5.92(3H), 6.55(6H), 6.72(6H)
제조예 2 : 비선형 폴리아믹산 1의 제조
시클로부탄 테트라카르복실산 이무수물(cyclobutane tetracarboxylic anhydride) 39.2g과 4,4'-옥시디아닐린(4,4'-oxydianiline) 33.3g을 NMP 240㎖에 녹인 후 상온에서 8시간 교반하였다. 이후 NMP 240㎖에 상기 제조예 1에서 합성된 1,3,5-트리스(4-아미노페닐옥시)벤젠 3,77g을 녹인 용액을 3시간 동안 천천히 첨가하고, 이어서 4-아미노페닐 말레이미드 7.22g을 첨가한 후 상온에서 8시간 더 교반하여 15 중량%의 비선형 폴리아믹산 1(중량평균 분자량 62,820)을 제조하였다.
제조예 3 : 비선형 폴리아믹산 2의 제조
4,4'-비프탈산 이무수물(4,4'-biphthalic anhydride) 58.8g과 4,4'-디아미노페닐(4,4'-diaminobiphenyl) 33.3g을 NMP 240㎖에 녹인 후 상온에서 8시간 교반하 였다. 이후 NMP 240㎖에 상기 제조예 1에서 합성된 1,3,5-트리스(4-아미노페닐옥시)벤젠 3.77g을 녹인 용액을 3시간동안 천천히 첨가하고, 이어서 4-에타이닐아닐린 4.49g을 첨가한 후 상온에서 8시간 더 교반하여 15 중량%의 비선형 폴리아믹산 2(중량평균 분자량 57,900)을 제조하였다.
제조예 4 : 선형 폴리아믹산 1의 제조
시클로부탄 테트라카르복실산 이무수물(cyclobutane tetracarboxylic anhydride) 39.2g과 4,4'-옥시디아닐린(4,4-oxydianiline) 36g을 NMP 480㎖에 녹인 후 상온에서 8시간 교반하여 15 중량%의 선형 폴리아믹산 1(중량평균 분자량 63,000)을 제조하였다.
제조예 5 : 선형 폴리아믹산 2의 제조
4,4'-비프탈산 이무수물(4,4'-biphthalic anhydride) 58.8g과 4,4'-디아미노비페닐(4,4'-diaminobiphenyl) 36g을 NMP 480㎖에 녹인 후 상온에서 8시간 교반하여 15 중량%의 선형 폴리아믹산 2(중량평균분자량 60,800)를 제조하였다.
<실험예 1 : 비선형폴리아믹산의 확인>
비선형 폴리아믹산 1을 합성하는 제조예 2에서 시클로부탄 테트라카르복실산이무수물(cyclobutane tetracarcoxylic anhydride)과 4,4'-옥시디아닐린(4,4'-oxydianiline)을 반응시켜 얻은 중간체인 올리고아믹산을 일부 채취하여 GPC측정하였더니 중량평균분자량이 21,000이었다. 비선형 폴리아믹산 1의 중량평균 분자량이 62,820이었으므로 간접적으로 C3대칭의 비선형 폴리아믹산이 중합되었음을 알 수 있었다.
또한, 비선형 폴리아믹산 2를 합성하는 제조예 3에서 4,4'-비프탈산이무수물(4,4'-biphthalic anhydride)과 4,4'-디아미노비페닐(4,4'-diaminobiphenyl)을 반응시켜 얻은 중간체인 올리고아믹산을 일부 채취하여 GPC측정하였더니 중량평균 분자량이 19,100이었다. 비선형 폴리아믹산 2의 중량평균 분자량이 57,900이었으므로 간접적으로 C3대칭의 비선형 폴리아믹산이 중합되었음을 알 수 있었다.
<실시예 1 : 감광성 수지조성물 A의 제조>
상기 제조예 2에서 제조된 비선형 폴리아믹산 1 8.27을 100중량부로 하여, 감광성 산발생제로서 하기 화학식으로 구성된 다이아조나프토퀴논 에스테르 화합물(이하 TPPA320) 15중량부, 접착증진제로서 γ-이소시아네이트프로필트리에톡시실란 1중량부, 계면활성제로서 BYK-306 0.5중량부와 용매NMP 450중량부를 가하여 실온에서 1시간 동안 교반시킨 후, 0.2㎛ 필터로 여과시켜 포지티브형 감광성 수지조성물 A를 제조하였다.
TPPA 320
Figure 112007092021960-pat00012
<실시예 2 : 감광성 수지조성물 B의 제조>
비선형 폴리아믹산으로 상기 제조예 3에서 얻어진 비선형 폴리아믹산 2를 사용하는 것을 제외하고는 상기 실시예 2와 동일한 방법으로 포지티브형 감광성 수지조성물 B를 제조하였다.
<비교예 1 : 감광성 수지조성물 C의 제조>
실시예 1에서 비선형 폴리아믹산 1 대신에 제조예 4에서 제조한 선형 폴리아믹산 1을 사용하는 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 포지티브형 감광성 수지조성물 C를 제조하였다.
<비교예 2 : 감광성 수지조성물 D의 제조>
실시예 1에서 비선형 폴리아믹산 1 대신에 제조예 5에서 제조한 선형 폴리아믹산 2를 사용하는 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 포지티브형 감광성 수지조성물 D를 제조하였다.
<기계적 물성의 평가>
실시예와 비교예에서 얻은 상기 감광성 수지조성물을 4" 실리콘 웨이퍼에 스핀 코팅하고 질소 오븐에서 100℃ 에서 15분, 180℃에서 30분, 230℃에서 30분, 300℃에서 40분 열처리하여 형성된 폴리이미드 필름을 웨이퍼로부터 벗겨낸 후, 그 인장강도 및 파단신율을 ASTM D-882에 따라 측정하였다. 측정 결과는 표 1에 나타내었는데 동일 조성일 경우 선형 폴리이미드 필름보다는 비선형 폴리이미드 필름이 인장강도와 파단신율 면에서 우수함을 알 수 있었다.
<감광성 평가>
실시예 1 내지 실시예 2와 비교예 1 내지 비교예 2에서 얻은 상기 감광성 수지 조성물에 대해 포토 특성 평가를 아래와 같은 방법으로 실시하였다. 먼저 감광성 수지 조성물을 4”실리콘 웨이퍼에 스핀 코팅한 후 핫플레이트에서 120℃ 180초간 프리베이크하여 12㎛ 두께의 포토레지스트 막을 형성하였다. 프리베이크 완료한 웨이퍼를 G-line 스테퍼 Nikon NSR 1505 G4로 20mJ/cm2 부터 10mJ/cm2 간격으로 1000mJ/cm2까지 순차적으로 노광하였으며, 이 때 사용한 마스크에는 1㎛ 부터 10㎛까지 1㎛ 간격으로 라인/스페이스 패턴 및 원형 패턴이 반복되어 있다. 2.38wt% 수산화테트라메틸암모늄 수용액에 23℃에서 120초간 현상한 후 초순수로 60초간 세정 및 건조하여 패턴을 형성하였다. 마스크의 라인/스페이스 패턴 10㎛과 동일한 패턴을 전사시키는 최적 노광 에너지를 표 1에 표기하였다.
<필름 특성 평가>
실시예 1 내지 실시예 2와 비교예 1 내지 비교예 2에서 얻은 상기 감광성 수지 조성물을 4”실리콘 웨이퍼에 스핀 코팅하고 질소 오븐에서 100℃에서 15분, 180℃에서 30분, 230℃에서 30분, 300℃에서 40분 열처리하여 형성된 폴리이미드 필름 내에 크랙이 있는 지의 여부를 관찰하여 그 결과를 표 1에 기재하였다.
<접착력 평가>
실시예 1 내지 실시예 2와 비교예 1 내지 비교예 2에서 얻은 상기 감광성 수지 조성물을 4”실리콘 웨이퍼에 스핀 코팅하고 질소 오븐에서 100℃에서 15분, 180℃에서 30분, 230℃에서 30분, 300℃에서 40분 열처리하여 형성된 폴리이미드 필름을 121℃, 2atm, 100%RH 조건에서 PCT(pressure cooker test) 100시간, 300시간, 500시간을 실시하였다. 그리고 나서 실리콘 웨이퍼에 밀착된 상태 그대로 1mm X 1mm로 100조각을 crosscutting 하고 scotch tape?을 이용하여 peel test를 실시하였다. PCT 처리를 오래했음에도 불구하고 웨이퍼에 밀착된 상태로 유지되는 경우일수록 접착력이 좋은 것이다. PCT 처리시간을 표 1에 기재하였다.
<표 1> 비선형 폴리아믹산과 선형 폴리아미산을 이용한 수지조성물의 물성비 교
Figure 112007092021960-pat00013
상기 표 1에서 알 수 있는 바와 같이 본 발명에 의한 비선형 폴리아믹산을 사용한 경우, 기존의 선형 폴리아믹산을 사용한 경우보다 기계적 물성, 코팅성, 접착력, 포토특성이 우수함을 알 수 있었다.

Claims (8)

  1. 다음의 화학식 1의 구조를 가지는 비선형 폴리아믹산
    화학식 1
    A-[-(B)m-C]n
    A는 트리스아미노페녹시벤젠, 트리스아미노페닐벤젠, 트리스아미노페닐아민 및 트리스아미노에틸아민으로 이루어진 군에서 선택된 아민이고,
    B는 올리고이미드 및 올리고아믹산에서 선택되는 것이며,
    C는 열경화가 가능한 작용기며,
    m은 2 내지 10이고, n은 3이다.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    C는 말레이미드, 네드이미드, 프로파질 에테르, 아세틸렌, 벤조시클로부탄, 시아네이트로 이루어진 군 중에서 하나 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 비선형 폴리아믹산.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 화학식 1로 표시되는 폴리아믹산의 중량평균 분자량은 5000 내지 200000인 것을 특징으로 비선형 폴리아믹산.
  5. 제1항 또는 제3항에서 정의한 화학식 1의 구조를 가지는 비선형 폴리아믹산 및 감광성 산 발생제를 포함하는 감광성 수지조성물.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 비선형 폴리아믹산 100중량부에 대하여, 상기 감광성 산 발생제는 1~50 중량부를 포함하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지조성물.
  7. 제5항에 있어서, 상기 감광성 산 발생제는,
    다음의 화학식 3 내지 화학식 6 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 감광성 수지조성물.
    화학식 3
    Figure 112011080558800-pat00014
    화학식 4
    Figure 112011080558800-pat00015
    화학식 5
    Figure 112011080558800-pat00016
    화학식 6
    Figure 112011080558800-pat00017
    상기 화학식 3 내지 화학식 6에서, D는
    Figure 112011080558800-pat00018
    이고, n은 반복단위인 것을 나타낸다.
  8. 제5항에 있어서, 접착력 증진제, 계면활성제, 유기 용매를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지조성물.
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