JP2003252680A - Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト、フェライト磁心及び通信機器用電子部品 - Google Patents
Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト、フェライト磁心及び通信機器用電子部品Info
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- JP2003252680A JP2003252680A JP2002057367A JP2002057367A JP2003252680A JP 2003252680 A JP2003252680 A JP 2003252680A JP 2002057367 A JP2002057367 A JP 2002057367A JP 2002057367 A JP2002057367 A JP 2002057367A JP 2003252680 A JP2003252680 A JP 2003252680A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 入力波に対する出力波形の歪が小さく、広温
度範囲でＴＨＤ特性に優れたＭｎ−Ｚｎ系フェライト、
フェライト磁心と、これを用いた通信機器用電子部品を
提供することを目的とする。 【解決手段】 Ｆｅ２Ｏ３換算で５２．０〜５４．０モ
ル％、ＺｎＯ換算で２２．０〜２５．０モル％、残部酸
化マンガンを主成分とし、副成分としてＣａＯ換算で０
〜０．１５ｗｔ％（０を含まず）のＣａと、Ｂｉ、Ｓ
ｉ、Ｎｂからなる群から選ばれる少なくとも一つを、Ｂ
ｉ２Ｏ３換算で０〜０．０１５ｗｔ％（０を含む）、Ｓ
ｉＯ２換算で０〜０．０１ｗｔ％（０を含む）、Ｎｂ２
Ｏ５換算で０〜０．０３ｗｔ％（０を含む）の範囲で含
有することを特徴とした。
度範囲でＴＨＤ特性に優れたＭｎ−Ｚｎ系フェライト、
フェライト磁心と、これを用いた通信機器用電子部品を
提供することを目的とする。 【解決手段】 Ｆｅ２Ｏ３換算で５２．０〜５４．０モ
ル％、ＺｎＯ換算で２２．０〜２５．０モル％、残部酸
化マンガンを主成分とし、副成分としてＣａＯ換算で０
〜０．１５ｗｔ％（０を含まず）のＣａと、Ｂｉ、Ｓ
ｉ、Ｎｂからなる群から選ばれる少なくとも一つを、Ｂ
ｉ２Ｏ３換算で０〜０．０１５ｗｔ％（０を含む）、Ｓ
ｉＯ２換算で０〜０．０１ｗｔ％（０を含む）、Ｎｂ２
Ｏ５換算で０〜０．０３ｗｔ％（０を含む）の範囲で含
有することを特徴とした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ｘＤＳＬ用通信機
器の伝送トランス、フィルタに使用されるＭｎ−Ｚｎ系
フェライト、フェライト磁心、通信機器用電子部品であ
って、特に信号が磁心を通過する際に発生する波形歪の
少ない、広温度範囲でＴＨＤ特性に優れたＭｎ−Ｚｎ系
フェライト、フェライト磁心、通信機器用電子部品に関
する。
器の伝送トランス、フィルタに使用されるＭｎ−Ｚｎ系
フェライト、フェライト磁心、通信機器用電子部品であ
って、特に信号が磁心を通過する際に発生する波形歪の
少ない、広温度範囲でＴＨＤ特性に優れたＭｎ−Ｚｎ系
フェライト、フェライト磁心、通信機器用電子部品に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来高透磁率を有するＭｎ−Ｚｎ系フェ
ライトは各種トランス、フィルタ、ｘＤＳＬモデム等の
通信機器用電子部品に使用されているが、通信機器用電
子部品の磁心として用いられるフェライトには高透磁率
であることに加えて、通信信号が通信機器用電子部品を
通過する際に発生する波形歪が少ないことが要求され
る。
ライトは各種トランス、フィルタ、ｘＤＳＬモデム等の
通信機器用電子部品に使用されているが、通信機器用電
子部品の磁心として用いられるフェライトには高透磁率
であることに加えて、通信信号が通信機器用電子部品を
通過する際に発生する波形歪が少ないことが要求され
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】特に高速・大容量の通
信に対応したＡＤＳＬ（Ａｓｙｍｍｅｔｒｉｃ Ｄｉｇ
ｉｔａｌ Ｓｕｂｓｃｒｉｂｅｒ Ｌｉｎｅ）に代表され
るｘＤＳＬ用通信機器に使用される磁心においては、信
号が通過する際に発生する信号波形の歪が、情報伝送の
際にエラーレートの増加を招くため、信号が出力する際
の波形歪のよりいっそうの低減が要求され、その主要部
材であるフェライト磁心の特性の改善が求められてい
る。
信に対応したＡＤＳＬ（Ａｓｙｍｍｅｔｒｉｃ Ｄｉｇ
ｉｔａｌ Ｓｕｂｓｃｒｉｂｅｒ Ｌｉｎｅ）に代表され
るｘＤＳＬ用通信機器に使用される磁心においては、信
号が通過する際に発生する信号波形の歪が、情報伝送の
際にエラーレートの増加を招くため、信号が出力する際
の波形歪のよりいっそうの低減が要求され、その主要部
材であるフェライト磁心の特性の改善が求められてい
る。
【０００４】例えば、信号が磁心を通過する際に発生す
る出力波形の歪は、入力する基本波に対する三次高調波
を中心とした高調波成分が出力基本波に含まれることに
より生じる。それは磁界Ｈと磁束密度Ｂの非線形性・ヒ
ステリシスカーブ特性に起因すると考えられる。実用的
には、かかる出力波形の歪に対して磁心にギャップを設
けて、実効透磁率を下げることにより線形性を改善し、
通信用トランスなどとして用いているのが現状である。
しかし、かかる方法では保磁力低減等のＢＨループの線
形性の本質的な改善には至っておらず、また必要なイン
ダクタンスを得るためには巻線数の増加という負荷を伴
うといった問題があった。そのためｘＤＳＬ用通信機器
に使用されるフェライト磁心そのものの改善によるさら
なる低歪化が必要とされていた。
る出力波形の歪は、入力する基本波に対する三次高調波
を中心とした高調波成分が出力基本波に含まれることに
より生じる。それは磁界Ｈと磁束密度Ｂの非線形性・ヒ
ステリシスカーブ特性に起因すると考えられる。実用的
には、かかる出力波形の歪に対して磁心にギャップを設
けて、実効透磁率を下げることにより線形性を改善し、
通信用トランスなどとして用いているのが現状である。
しかし、かかる方法では保磁力低減等のＢＨループの線
形性の本質的な改善には至っておらず、また必要なイン
ダクタンスを得るためには巻線数の増加という負荷を伴
うといった問題があった。そのためｘＤＳＬ用通信機器
に使用されるフェライト磁心そのものの改善によるさら
なる低歪化が必要とされていた。
【０００５】本発明は上記問題を解決するために鋭意検
討した結果見いだされたものであり、入力波に対する出
力波形の歪の小さい、広温度範囲でＴＨＤ特性に優れた
Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト、フェライト磁心と、これを用
いた通信機器用電子部品を提供することを目的とする。
討した結果見いだされたものであり、入力波に対する出
力波形の歪の小さい、広温度範囲でＴＨＤ特性に優れた
Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト、フェライト磁心と、これを用
いた通信機器用電子部品を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】第１の発明は、Ｆｅ２Ｏ
３換算で５２．０〜５４．０モル％、ＺｎＯ換算で２
２．０〜２５．０モル％、残部酸化マンガンを主成分と
し、副成分としてＣａＯ換算で０〜０．１５ｗｔ％（０
を含まず）のＣａと、Ｂｉ、Ｓｉ、Ｎｂからなる群から
選ばれる少なくとも一つを、Ｂｉ２Ｏ３換算で０〜０．
０１５ｗｔ％（０を含む）、ＳｉＯ２換算で０〜０．０
１ｗｔ％（０を含む）、Ｎｂ２Ｏ５換算で０〜０．０３
ｗｔ％（０を含む）の範囲で含有するＴＨＤ特性に優れ
たＭｎ−Ｚｎ系フェライトである。本発明のＭｎ−Ｚｎ
系フェライトは、ＴＨＤ値と振幅透磁率μａとの比で表
されるＴＨＤ／μａが、印加磁束密度３０ｍＴ、周波数
５ＫＨｚ、０℃〜８５℃の温度範囲において−１２５ｄ
Ｂ以下である。そして、初透磁率μiが３０００以上で
あるのが好ましい。また、初透磁率μiのキュリー温度
（Ｔｃ）が９０℃以上１４０℃以下であり、セカンダリ
ーピーク温度（Ｔｓ）が０℃以上４０℃以下であること
が望ましい。
３換算で５２．０〜５４．０モル％、ＺｎＯ換算で２
２．０〜２５．０モル％、残部酸化マンガンを主成分と
し、副成分としてＣａＯ換算で０〜０．１５ｗｔ％（０
を含まず）のＣａと、Ｂｉ、Ｓｉ、Ｎｂからなる群から
選ばれる少なくとも一つを、Ｂｉ２Ｏ３換算で０〜０．
０１５ｗｔ％（０を含む）、ＳｉＯ２換算で０〜０．０
１ｗｔ％（０を含む）、Ｎｂ２Ｏ５換算で０〜０．０３
ｗｔ％（０を含む）の範囲で含有するＴＨＤ特性に優れ
たＭｎ−Ｚｎ系フェライトである。本発明のＭｎ−Ｚｎ
系フェライトは、ＴＨＤ値と振幅透磁率μａとの比で表
されるＴＨＤ／μａが、印加磁束密度３０ｍＴ、周波数
５ＫＨｚ、０℃〜８５℃の温度範囲において−１２５ｄ
Ｂ以下である。そして、初透磁率μiが３０００以上で
あるのが好ましい。また、初透磁率μiのキュリー温度
（Ｔｃ）が９０℃以上１４０℃以下であり、セカンダリ
ーピーク温度（Ｔｓ）が０℃以上４０℃以下であること
が望ましい。
【０００７】第２の発明は、Ｆｅ，Ｍｎ，Ｚｎを主成分
とし、副成分としてＣａを必須とし、ＴＨＤ値と振幅透
磁率μａとの比で表されるＴＨＤ／μａが、印加磁束密
度３０ｍＴ、周波数５ＫＨｚ、０℃〜８５℃の温度範囲
において−１２５ｄＢ以下のフェライト磁心である。本
発明においては、初透磁率μiが３０００以上であるこ
とが好ましい。前記フェライト磁心は、Ｆｅ２Ｏ３換算
で５２．０〜５４．０モル％、ＺｎＯ換算で２２．０〜
２５．０モル％、残部酸化マンガンを主成分とし、副成
分としてＣａＯ換算で０〜０．１５ｗｔ％（０を含ま
ず）のＣａと、Ｂｉ、Ｓｉ、Ｎｂからなる群から選ばれ
る少なくとも一つを、Ｂｉ２Ｏ３換算で０〜０．０１５
ｗｔ％（０を含む）、ＳｉＯ２換算で０〜０．０１ｗｔ
％（０を含む）、Ｎｂ２Ｏ５換算で０〜０．０３ｗｔ％
（０を含む）の範囲で含有する組成を選択するのが好ま
しい。
とし、副成分としてＣａを必須とし、ＴＨＤ値と振幅透
磁率μａとの比で表されるＴＨＤ／μａが、印加磁束密
度３０ｍＴ、周波数５ＫＨｚ、０℃〜８５℃の温度範囲
において−１２５ｄＢ以下のフェライト磁心である。本
発明においては、初透磁率μiが３０００以上であるこ
とが好ましい。前記フェライト磁心は、Ｆｅ２Ｏ３換算
で５２．０〜５４．０モル％、ＺｎＯ換算で２２．０〜
２５．０モル％、残部酸化マンガンを主成分とし、副成
分としてＣａＯ換算で０〜０．１５ｗｔ％（０を含ま
ず）のＣａと、Ｂｉ、Ｓｉ、Ｎｂからなる群から選ばれ
る少なくとも一つを、Ｂｉ２Ｏ３換算で０〜０．０１５
ｗｔ％（０を含む）、ＳｉＯ２換算で０〜０．０１ｗｔ
％（０を含む）、Ｎｂ２Ｏ５換算で０〜０．０３ｗｔ％
（０を含む）の範囲で含有する組成を選択するのが好ま
しい。
【０００８】第３の発明は、第２の発明のフェライト磁
心を用いて通信機器用トランスやｘＤＳＬ用モデムとし
た通信機器用電子部品である。
心を用いて通信機器用トランスやｘＤＳＬ用モデムとし
た通信機器用電子部品である。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下本発明を実施例によって具体
的に説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定
されるものではない。
的に説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定
されるものではない。
【００１０】本発明において出力波形の歪量を示す指標
として用いているＴＨＤ／μａについて説明する。ＴＨ
Ｄ（Ｔｏｔａｌ ＨａｒｍｏｎｉｃＤｉｓｔｏｒｔｉｏ
ｎ 総高調波歪）は基本波Ｖｂ（Ｖ）に対する高調波成
分Ｖｈ（Ｖ）の比であり、次式で与えられ、 ＴＨＤ＝２０×ＬＯＧ１０（Ｖｈ／Ｖｂ） [ｄＢ] また、ＴＨＤ／μａは次式で与えられる。 ＴＨＤ／μａ＝２０×ＬＯＧ１０（（Ｖｈ／Ｖｂ）／μａ） [ｄＢ] ここで、μａは振幅透磁率である。高調波成分の割合を
μａで除した値を歪の指標としているのは、例えばＰｒ
ｏｃｅｅｄｉｎｇｓｏｆ Ｔｈｅ Ｅｉｇｈｔｈ Ｉｎｔ
ｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅｏｎ Ｆｅ
ｒｒｉｔｅ、５０９、２０００にあるように、ギャップ
形成等によるμａ変化がＴＨＤへ与える影響を除いて材
料固有の評価をするためである。このＴＨＤ／μａを指
標とすることによって、材料評価に用いるトロイダル形
状における評価と実製品の形状における評価に相関関係
を持たせることができる。ここで、かかるＴＨＤ／μａ
は小さいほど出力波形の歪量が少ないことを示す。なお
ＡＤＳＬの使用周波数は２０ｋＨｚ〜１．１ＭＨｚであ
るが、ＴＨＤの測定に使用するオーディオアナライザー
はその周波数範囲の低周波数側の一部しかカバーしてい
ないうえ、かかる範囲でも十分な精度が得られない場合
があるため、本発明においてはＴＨＤ／μａの測定の便
宜上周波数を５ｋＨｚとした。
として用いているＴＨＤ／μａについて説明する。ＴＨ
Ｄ（Ｔｏｔａｌ ＨａｒｍｏｎｉｃＤｉｓｔｏｒｔｉｏ
ｎ 総高調波歪）は基本波Ｖｂ（Ｖ）に対する高調波成
分Ｖｈ（Ｖ）の比であり、次式で与えられ、 ＴＨＤ＝２０×ＬＯＧ１０（Ｖｈ／Ｖｂ） [ｄＢ] また、ＴＨＤ／μａは次式で与えられる。 ＴＨＤ／μａ＝２０×ＬＯＧ１０（（Ｖｈ／Ｖｂ）／μａ） [ｄＢ] ここで、μａは振幅透磁率である。高調波成分の割合を
μａで除した値を歪の指標としているのは、例えばＰｒ
ｏｃｅｅｄｉｎｇｓｏｆ Ｔｈｅ Ｅｉｇｈｔｈ Ｉｎｔ
ｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅｏｎ Ｆｅ
ｒｒｉｔｅ、５０９、２０００にあるように、ギャップ
形成等によるμａ変化がＴＨＤへ与える影響を除いて材
料固有の評価をするためである。このＴＨＤ／μａを指
標とすることによって、材料評価に用いるトロイダル形
状における評価と実製品の形状における評価に相関関係
を持たせることができる。ここで、かかるＴＨＤ／μａ
は小さいほど出力波形の歪量が少ないことを示す。なお
ＡＤＳＬの使用周波数は２０ｋＨｚ〜１．１ＭＨｚであ
るが、ＴＨＤの測定に使用するオーディオアナライザー
はその周波数範囲の低周波数側の一部しかカバーしてい
ないうえ、かかる範囲でも十分な精度が得られない場合
があるため、本発明においてはＴＨＤ／μａの測定の便
宜上周波数を５ｋＨｚとした。
【００１１】また、ＴＨＤ／μａの値は印加磁束密度が
増加するにつれて大きくなるが、実用される際の水準か
ら本発明では３０ｍＴとした。すなわち、ＴＨＤ／μａ
の値は測定周波数、磁束密度によって異なり一義的でな
いため、本発明におけるＴＨＤ／μａ値は上記測定条件
における値を用い、材料評価の基準とした。また、本発
明におけるＴＨＤ／μａの評価は、ＡＤＳＬモデムの使
用環境温度から０℃〜８５℃とした。周波数５ｋＨｚ、
印加磁束密度３０ｍＴの測定条件で−１２５ｄＢ以下と
することにより実機での情報伝送のエラーレートが改善
され実用上十分な水準とすることができる。より好まし
くは０℃〜８５℃での温度範囲において、周波数５ｋＨ
ｚ、印加磁束密度３０ｍＴの測定条件で−１３０ｄＢ以
下とすることにより、より高い伝送特性を提供すること
ができる。
増加するにつれて大きくなるが、実用される際の水準か
ら本発明では３０ｍＴとした。すなわち、ＴＨＤ／μａ
の値は測定周波数、磁束密度によって異なり一義的でな
いため、本発明におけるＴＨＤ／μａ値は上記測定条件
における値を用い、材料評価の基準とした。また、本発
明におけるＴＨＤ／μａの評価は、ＡＤＳＬモデムの使
用環境温度から０℃〜８５℃とした。周波数５ｋＨｚ、
印加磁束密度３０ｍＴの測定条件で−１２５ｄＢ以下と
することにより実機での情報伝送のエラーレートが改善
され実用上十分な水準とすることができる。より好まし
くは０℃〜８５℃での温度範囲において、周波数５ｋＨ
ｚ、印加磁束密度３０ｍＴの測定条件で−１３０ｄＢ以
下とすることにより、より高い伝送特性を提供すること
ができる。
【００１２】本発明における初透磁率μｉは３０００以
上である。初透磁率が３０００未満であると巻線数増加
に起因する損失が増加するからである。
上である。初透磁率が３０００未満であると巻線数増加
に起因する損失が増加するからである。
【００１３】本発明におけるＭｎ−Ｚｎ系フェライトの
主成分組成はＦｅ２Ｏ３換算で５２．０〜５４．０モル
％、より好ましくは５２．０〜５３．０モル％、ＺｎＯ
換算で２２．０〜２５．０モル％、残部酸化マンガンと
した。主成分をかかる範囲に限定したのは以下の理由に
よる。主成分であるＦｅ２Ｏ３、ＺｎＯおよび酸化マン
ガンの比を変化させることによってキュリー温度（Ｔ
ｃ）および初透磁率μｉが極大を示すいわゆるセカンダ
リーピーク温度（Ｔｓ）を制御することができるが、本
発明において波形歪の指標としているＴＨＤ／μａ値も
上記主成分比によってその温度変化を制御することがで
きる。すなわちＴＨＤ／μａの温度変化は図１に示すよ
うにμｉの温度変化と連動し、μｉのセカンダリーピー
ク温度（Ｔｓ）で極小となる。ＴＨＤ／μａはセカンダ
リーピーク温度を超えると温度上昇に伴って増加した
後、キュリー温度（Ｔｃ）に向かって再び減少する。こ
のＴｓとＴｃの温度差が大きくなればなるほど、Ｔｓと
Ｔｃ間でのＴＨＤ／μａの増加が大きくなることが確認
できた。したがって０℃〜８５℃の範囲にいおいて安定
したＴＨＤ／μａを得るためにはこれらＴｓおよびＴｃ
を一定の範囲に制御する必要がある。かかる目的を達成
するためには、好ましくはＴｓは−２０℃〜５０℃かつ
Ｔｃは９０〜１４０℃、より好ましくはＴｓは０℃〜４
０℃かつＴｃは１００℃〜１３０℃である。
主成分組成はＦｅ２Ｏ３換算で５２．０〜５４．０モル
％、より好ましくは５２．０〜５３．０モル％、ＺｎＯ
換算で２２．０〜２５．０モル％、残部酸化マンガンと
した。主成分をかかる範囲に限定したのは以下の理由に
よる。主成分であるＦｅ２Ｏ３、ＺｎＯおよび酸化マン
ガンの比を変化させることによってキュリー温度（Ｔ
ｃ）および初透磁率μｉが極大を示すいわゆるセカンダ
リーピーク温度（Ｔｓ）を制御することができるが、本
発明において波形歪の指標としているＴＨＤ／μａ値も
上記主成分比によってその温度変化を制御することがで
きる。すなわちＴＨＤ／μａの温度変化は図１に示すよ
うにμｉの温度変化と連動し、μｉのセカンダリーピー
ク温度（Ｔｓ）で極小となる。ＴＨＤ／μａはセカンダ
リーピーク温度を超えると温度上昇に伴って増加した
後、キュリー温度（Ｔｃ）に向かって再び減少する。こ
のＴｓとＴｃの温度差が大きくなればなるほど、Ｔｓと
Ｔｃ間でのＴＨＤ／μａの増加が大きくなることが確認
できた。したがって０℃〜８５℃の範囲にいおいて安定
したＴＨＤ／μａを得るためにはこれらＴｓおよびＴｃ
を一定の範囲に制御する必要がある。かかる目的を達成
するためには、好ましくはＴｓは−２０℃〜５０℃かつ
Ｔｃは９０〜１４０℃、より好ましくはＴｓは０℃〜４
０℃かつＴｃは１００℃〜１３０℃である。
【００１４】次に主成分組成の限定理由について説明す
る。本発明において主成分組成は主に初透磁率μｉとＴ
ＨＤ／μａの温度依存性を制御する目的から限定する。
Ｆｅ ２Ｏ３が５２．０モル％未満であるとＴｓが高温側
にシフトする結果低温でのＴＨＤ／μａの増加が顕著と
なり、５４．０モル％を超えるとＴｓが低温側にシフト
する結果ＴｓおよびＴｃ間でのＴＨＤ／μａの増加が大
きくなるからである。より好ましくは５２．０〜５３．
０モル％とすることで０℃〜８５℃の常用温度域でより
小さいＴＨＤ／μa値を得ることができる。
る。本発明において主成分組成は主に初透磁率μｉとＴ
ＨＤ／μａの温度依存性を制御する目的から限定する。
Ｆｅ ２Ｏ３が５２．０モル％未満であるとＴｓが高温側
にシフトする結果低温でのＴＨＤ／μａの増加が顕著と
なり、５４．０モル％を超えるとＴｓが低温側にシフト
する結果ＴｓおよびＴｃ間でのＴＨＤ／μａの増加が大
きくなるからである。より好ましくは５２．０〜５３．
０モル％とすることで０℃〜８５℃の常用温度域でより
小さいＴＨＤ／μa値を得ることができる。
【００１５】また、ＺｎＯを上記範囲に限定したのは、
ＺｎＯが２２．０モル％未満であるとＴｃが高温側にシ
フトする結果ＴｓおよびＴｃ間でのＴＨＤ／μａの増加
が大きくなるからであり、２５．０モル％を超えるとＴ
ｃが低温側にシフトし実用温度の上限以下となり、実用
に耐えないからである。
ＺｎＯが２２．０モル％未満であるとＴｃが高温側にシ
フトする結果ＴｓおよびＴｃ間でのＴＨＤ／μａの増加
が大きくなるからであり、２５．０モル％を超えるとＴ
ｃが低温側にシフトし実用温度の上限以下となり、実用
に耐えないからである。
【００１６】また、本発明におけるＭｎ−Ｚｎ系フェラ
イトは副成分としてＣａＯ換算で０〜０．１５ｗｔ％
（０を含まず）のＣａを含有する。なお、ＣａＯは一般
にはＳｉＯ２との複合添加によって粒界の電気抵抗を上
げ、損失を低減する効果を有する。一方、十分な磁界を
印加して測定したメジャ−ル−プでの保磁力は増加し、
かかる保磁力の増加はＢＨル−プの線形性の低下、ヒス
テリシス損の増加を招くことになる。しかし、ｘＤＳＬ
用通信機器、例えばＡＤＳＬ用モデムでは、印加磁界の
小さいいわゆるレ−リ−範囲で使用されるが、かかるマ
イナ−ル−プの範囲であると考えられる３０ｍＴではＣ
ａＯの添加によって逆にＨｃは減少し、ＢＨル−プの線
形性が向上することが見出されたのである。すなわち本
発明においてＣａＯの添加によって特にＴＨＤ／μａの
値の低下に効果があることが見出されたものである。Ｃ
ａＯを上記範囲に限定したのは、ＣａＯを添加すること
によってＴＨＤ／μａの値が低下し、波形の歪を低減す
ることができるが、ＣａＯの含有量が多くなるにしたが
い、ＣａＯの効果が徐々に飽和し、特に０．１５ｗｔ％
を超えると焼結体の組織が不均一になり、初透磁率の低
下が大きくなるとともに、ＴＨＤ／μａの値も劣化する
からである。したがってＣａＯは０〜０．１５ｗｔ％
（０を含まず）が好ましく、さらに好ましくは０．００
５ｗｔ％〜０．０７ｗｔ％である。
イトは副成分としてＣａＯ換算で０〜０．１５ｗｔ％
（０を含まず）のＣａを含有する。なお、ＣａＯは一般
にはＳｉＯ２との複合添加によって粒界の電気抵抗を上
げ、損失を低減する効果を有する。一方、十分な磁界を
印加して測定したメジャ−ル−プでの保磁力は増加し、
かかる保磁力の増加はＢＨル−プの線形性の低下、ヒス
テリシス損の増加を招くことになる。しかし、ｘＤＳＬ
用通信機器、例えばＡＤＳＬ用モデムでは、印加磁界の
小さいいわゆるレ−リ−範囲で使用されるが、かかるマ
イナ−ル−プの範囲であると考えられる３０ｍＴではＣ
ａＯの添加によって逆にＨｃは減少し、ＢＨル−プの線
形性が向上することが見出されたのである。すなわち本
発明においてＣａＯの添加によって特にＴＨＤ／μａの
値の低下に効果があることが見出されたものである。Ｃ
ａＯを上記範囲に限定したのは、ＣａＯを添加すること
によってＴＨＤ／μａの値が低下し、波形の歪を低減す
ることができるが、ＣａＯの含有量が多くなるにしたが
い、ＣａＯの効果が徐々に飽和し、特に０．１５ｗｔ％
を超えると焼結体の組織が不均一になり、初透磁率の低
下が大きくなるとともに、ＴＨＤ／μａの値も劣化する
からである。したがってＣａＯは０〜０．１５ｗｔ％
（０を含まず）が好ましく、さらに好ましくは０．００
５ｗｔ％〜０．０７ｗｔ％である。
【００１７】また、本発明においては初透磁率の向上、
磁心損失の低減の観点からＢｉ２Ｏ ３換算で０〜０．０
１５ｗｔ％、ＳｉＯ２換算で０〜０．０１ｗｔ％、Ｎｂ
２Ｏ ５換算で０〜０．０３ｗｔ％のＢｉ、Ｓｉ、Ｎｂを
含有することが好ましい。Ｂｉ２Ｏ３をかかる範囲に限
定したのは、Ｂｉ２Ｏ３は粒成長を促進し、初透磁率の
向上に寄与するが、０．０１５ｗｔ％を超えると粒成長
が著しくなり、ＴＨＤ／μａの値が大きくなるためであ
る。したがってＢｉ２Ｏ３は０〜０．０１５ｗｔ％とす
るのが好ましく、より好ましくは０〜０．０１２ｗｔ％
である。
磁心損失の低減の観点からＢｉ２Ｏ ３換算で０〜０．０
１５ｗｔ％、ＳｉＯ２換算で０〜０．０１ｗｔ％、Ｎｂ
２Ｏ ５換算で０〜０．０３ｗｔ％のＢｉ、Ｓｉ、Ｎｂを
含有することが好ましい。Ｂｉ２Ｏ３をかかる範囲に限
定したのは、Ｂｉ２Ｏ３は粒成長を促進し、初透磁率の
向上に寄与するが、０．０１５ｗｔ％を超えると粒成長
が著しくなり、ＴＨＤ／μａの値が大きくなるためであ
る。したがってＢｉ２Ｏ３は０〜０．０１５ｗｔ％とす
るのが好ましく、より好ましくは０〜０．０１２ｗｔ％
である。
【００１８】また、ＳｉＯ２を上記範囲に限定したの
は、ＳｉＯ２は粒界の電気抵抗を上げ損失低減・相対損
失係数ｔａｎδ／μｉの改善に寄与するが、添加量が
０．０１ｗｔ％を超えると焼結時に異常粒成長が生じＴ
ＨＤ／μａが大きくなるからである。したがってＳｉＯ
２は０〜０．０１ｗｔ％が好ましく、より好ましくは０
〜０．００５ｗｔ％である。
は、ＳｉＯ２は粒界の電気抵抗を上げ損失低減・相対損
失係数ｔａｎδ／μｉの改善に寄与するが、添加量が
０．０１ｗｔ％を超えると焼結時に異常粒成長が生じＴ
ＨＤ／μａが大きくなるからである。したがってＳｉＯ
２は０〜０．０１ｗｔ％が好ましく、より好ましくは０
〜０．００５ｗｔ％である。
【００１９】また、Ｎｂ２Ｏ５を上記範囲に限定したの
は、Ｎｂ２Ｏ５は焼結性向上・相対損失係数ｔａｎδ／
μｉ改善の効果を有するが０．０３ｗｔ％を超えると異
常粒成長し、その結果ＴＨＤ／μａが著しく大きくなる
ためである。したがってＮｂ ２Ｏ５は０〜０．０３ｗｔ
％が好ましく、より好ましくは０〜０．０１５ｗｔ％で
ある。上述のとおり本発明においては、上記の副成分は
主にＴＨＤ/μａ、初透磁率μｉ、相対損失係数等の特
性値の絶対値を向上する目的でその含有量を制御され
る。
は、Ｎｂ２Ｏ５は焼結性向上・相対損失係数ｔａｎδ／
μｉ改善の効果を有するが０．０３ｗｔ％を超えると異
常粒成長し、その結果ＴＨＤ／μａが著しく大きくなる
ためである。したがってＮｂ ２Ｏ５は０〜０．０３ｗｔ
％が好ましく、より好ましくは０〜０．０１５ｗｔ％で
ある。上述のとおり本発明においては、上記の副成分は
主にＴＨＤ/μａ、初透磁率μｉ、相対損失係数等の特
性値の絶対値を向上する目的でその含有量を制御され
る。
【００２０】なお、本発明においては上記主成分、副成
分以外の成分の含有を否定するものではなく、必要に応
じて上記主成分、副成分以外の成分も含むことができ
る。
分以外の成分の含有を否定するものではなく、必要に応
じて上記主成分、副成分以外の成分も含むことができ
る。
【００２１】
【実施例】以下本発明に係るＭｎ−Ｚｎ系フェライトに
ついて以下具体的に説明する。
ついて以下具体的に説明する。
【００２２】表１に示す組成比にＦｅ２Ｏ３、ＺｎＯ、
酸化マンガン（Ｍｎ３Ｏ４を使用）を計量・混合しこれ
を８５０℃で２時間仮焼した。これに、ＣａＯ（ＣａＣ
Ｏ３を使用）、Ｂｉ２Ｏ３、ＳｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５を、
フェライト磁心中の含有量が、Ｂｉ２Ｏ３換算で０．０
１２ｗｔ％、ＳｉＯ２換算で０．００２ｗｔ％、Ｎｂ ２
Ｏ５換算で０．０１ｗｔ％、ＣａＯ（なお本発明ではＣ
ａＣＯ３を用いた）換算で０．００５ｗｔ％となるよう
に添加し、湿式ボールミルにて５時間粉砕した。これら
にバインダーを添加し、スプレイドライヤーで造粒後リ
ング形状、ＥＰ−１３形状（ＡＬ＝１６０ｎＨ／Ｎ２）
に圧縮成形した後、１３００℃にて５時間、酸素濃度を
制御した窒素雰囲気中で焼結した。得られた外形２５ｍ
ｍ、内径１５ｍｍ、高さ５ｍｍのリング状焼結体の２５
℃における初透磁率および初透磁率とＴＨＤ／μａの温
度依存性を測定した。リング形状の巻線数は、インダク
タンスが３ｍＨとなるよう調整した。ＴＨＤの測定は図
８に示すオーディオプレシジョン社製オーディオアナラ
イザー（ＳｙｓｔｅｍＴｗｏ）を使用し、測定周波数は
５ｋＨｚ、測定磁束密度は３０ｍＴとした。
酸化マンガン（Ｍｎ３Ｏ４を使用）を計量・混合しこれ
を８５０℃で２時間仮焼した。これに、ＣａＯ（ＣａＣ
Ｏ３を使用）、Ｂｉ２Ｏ３、ＳｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５を、
フェライト磁心中の含有量が、Ｂｉ２Ｏ３換算で０．０
１２ｗｔ％、ＳｉＯ２換算で０．００２ｗｔ％、Ｎｂ ２
Ｏ５換算で０．０１ｗｔ％、ＣａＯ（なお本発明ではＣ
ａＣＯ３を用いた）換算で０．００５ｗｔ％となるよう
に添加し、湿式ボールミルにて５時間粉砕した。これら
にバインダーを添加し、スプレイドライヤーで造粒後リ
ング形状、ＥＰ−１３形状（ＡＬ＝１６０ｎＨ／Ｎ２）
に圧縮成形した後、１３００℃にて５時間、酸素濃度を
制御した窒素雰囲気中で焼結した。得られた外形２５ｍ
ｍ、内径１５ｍｍ、高さ５ｍｍのリング状焼結体の２５
℃における初透磁率および初透磁率とＴＨＤ／μａの温
度依存性を測定した。リング形状の巻線数は、インダク
タンスが３ｍＨとなるよう調整した。ＴＨＤの測定は図
８に示すオーディオプレシジョン社製オーディオアナラ
イザー（ＳｙｓｔｅｍＴｗｏ）を使用し、測定周波数は
５ｋＨｚ、測定磁束密度は３０ｍＴとした。
【００２３】リング形状の試料の評価結果を図１〜図７
および表１および表２に示す。表中、本発明の範囲内の
ものを実施例とし、範囲外のものを比較例とした。表２
に０℃〜８５℃までの温度範囲における初透磁率μｉと
ＴＨＤ／μａの最小値および最大値を測定温度とともに
示すが、実施例に該当するものは０℃〜８５℃までの温
度範囲においてＴＨＤ／μａが−１２５ｄＢ以下であ
り、Ｆｅ２Ｏ３、ＺｎＯ、酸化マンガンを本発明の範囲
とすることによって０℃〜８５℃における温度範囲でＴ
ＨＤ／μａが良好なＭｎ−Ｚｎ系フェライトを得ること
ができる。
および表１および表２に示す。表中、本発明の範囲内の
ものを実施例とし、範囲外のものを比較例とした。表２
に０℃〜８５℃までの温度範囲における初透磁率μｉと
ＴＨＤ／μａの最小値および最大値を測定温度とともに
示すが、実施例に該当するものは０℃〜８５℃までの温
度範囲においてＴＨＤ／μａが−１２５ｄＢ以下であ
り、Ｆｅ２Ｏ３、ＺｎＯ、酸化マンガンを本発明の範囲
とすることによって０℃〜８５℃における温度範囲でＴ
ＨＤ／μａが良好なＭｎ−Ｚｎ系フェライトを得ること
ができる。
【００２４】
【表１】
【００２５】
【表２】
【００２６】次に、Ｆｅ２Ｏ３を５２．４０ｗｔ％、Ｚ
ｎＯを２５．００ｗｔ％、残部酸化マンガン（Ｍｎ３Ｏ
４を使用）を計量・混合し、これを８５０℃で２時間仮
焼した。これにＣａＯ（ＣａＣＯ３を使用）、Ｂｉ２Ｏ
３、ＳｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５を、フェライト磁心中の含有
量が表３に示した組成量となるように、適量添加した。
表３においてＳｉＯ２の組成量に括弧を付した実施例、
比較例があるが、これは主成分中に不純物として混入し
てフェライト磁心に含まれるＳｉＯ２量を示したもので
あり、素原料中に添加してフェライト磁心に含まれるＳ
ｉＯ２量と区別するようにした。なお、一般に不純物と
してフェライト磁心には、Ｖ，Ｃｏ，Ｔｉ，Ｓｎ，Ｎ
ｉ，Ｚｒなどの金属元素が含有される場合がある。そし
て、湿式ボールミルにて５時間粉砕した後、これらにバ
インダーを添加し、スプレイドライヤーで造粒後リング
状に圧縮成形した後、１３００℃にて５時間、酸素濃度
を制御した窒素雰囲気中で焼結した。得られた外形２５
ｍｍ、内径１５ｍｍ、高さ５ｍｍのリング状焼結体の２
０℃における初透磁率および初透磁率とＴＨＤ／μａの
温度依存性を測定した。リング形状の巻線数、ＴＨＤの
測定条件は実施例１と同様の条件とした。また、相対品
質係数ｔａｎδ／μｉは２５℃において１０ｋＨｚの条
件で測定した。
ｎＯを２５．００ｗｔ％、残部酸化マンガン（Ｍｎ３Ｏ
４を使用）を計量・混合し、これを８５０℃で２時間仮
焼した。これにＣａＯ（ＣａＣＯ３を使用）、Ｂｉ２Ｏ
３、ＳｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５を、フェライト磁心中の含有
量が表３に示した組成量となるように、適量添加した。
表３においてＳｉＯ２の組成量に括弧を付した実施例、
比較例があるが、これは主成分中に不純物として混入し
てフェライト磁心に含まれるＳｉＯ２量を示したもので
あり、素原料中に添加してフェライト磁心に含まれるＳ
ｉＯ２量と区別するようにした。なお、一般に不純物と
してフェライト磁心には、Ｖ，Ｃｏ，Ｔｉ，Ｓｎ，Ｎ
ｉ，Ｚｒなどの金属元素が含有される場合がある。そし
て、湿式ボールミルにて５時間粉砕した後、これらにバ
インダーを添加し、スプレイドライヤーで造粒後リング
状に圧縮成形した後、１３００℃にて５時間、酸素濃度
を制御した窒素雰囲気中で焼結した。得られた外形２５
ｍｍ、内径１５ｍｍ、高さ５ｍｍのリング状焼結体の２
０℃における初透磁率および初透磁率とＴＨＤ／μａの
温度依存性を測定した。リング形状の巻線数、ＴＨＤの
測定条件は実施例１と同様の条件とした。また、相対品
質係数ｔａｎδ／μｉは２５℃において１０ｋＨｚの条
件で測定した。
【００２７】リング形状の試料の評価結果を表３に示
す。表中、本発明の範囲内のものを実施例とし、範囲外
のものを比較例とした。なお、表中には明記されていな
いが、０．２ｗｔ％のＣａＯを含有する比較例５、０．
０２ｗｔ％のＢｉ２Ｏ３を含有する比較例６、０．０１
５ｗｔ％のＳｉＯ２を含有した比較例７、および０．０
４ｗｔ％のＮｂ２Ｏ５を含有した比較例８の試料の焼結
体組織においては、いずれも異常粒成長が確認された。
表３に示すようにＢｉ２Ｏ３、ＳｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、
ＣａＯを本発明の範囲とすることで、ＴＨＤ／μａの小
さいかつ初透磁率の高いＭｎ−Ｚｎ系フェライトを得る
ことができ、特にＣａＯはＴＨＤ／μａの改善に著効を
示すことがわかる。
す。表中、本発明の範囲内のものを実施例とし、範囲外
のものを比較例とした。なお、表中には明記されていな
いが、０．２ｗｔ％のＣａＯを含有する比較例５、０．
０２ｗｔ％のＢｉ２Ｏ３を含有する比較例６、０．０１
５ｗｔ％のＳｉＯ２を含有した比較例７、および０．０
４ｗｔ％のＮｂ２Ｏ５を含有した比較例８の試料の焼結
体組織においては、いずれも異常粒成長が確認された。
表３に示すようにＢｉ２Ｏ３、ＳｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、
ＣａＯを本発明の範囲とすることで、ＴＨＤ／μａの小
さいかつ初透磁率の高いＭｎ−Ｚｎ系フェライトを得る
ことができ、特にＣａＯはＴＨＤ／μａの改善に著効を
示すことがわかる。
【００２８】
【表３】
【００２９】また、実施例１、比較例２、比較例３の条
件で作製した図９に示すＪＩＳ規格Ｃ２５６１に規定す
るＥＰ−１３形状の磁心を２つ突き合わせ、内脚に巻線
を配置して、ケース７に配置固定して、図１０に示す斜
視図として示す通信機機器用トランスとした。図１１
は、この通信機機器用トランスの等価回路であり、ＮＰ
１：ＮＰ２：ＮＳ１：ＮＳ２＝１：１：１：１で、ＮＰ
１＋ＮＰ２、ＮＳ１＋ＮＳ２の巻線数はともに１４０タ
ーンである。
件で作製した図９に示すＪＩＳ規格Ｃ２５６１に規定す
るＥＰ−１３形状の磁心を２つ突き合わせ、内脚に巻線
を配置して、ケース７に配置固定して、図１０に示す斜
視図として示す通信機機器用トランスとした。図１１
は、この通信機機器用トランスの等価回路であり、ＮＰ
１：ＮＰ２：ＮＳ１：ＮＳ２＝１：１：１：１で、ＮＰ
１＋ＮＰ２、ＮＳ１＋ＮＳ２の巻線数はともに１４０タ
ーンである。
【００３０】これらのフェライト磁心を使用した通信機
機器用トランスを用いて、図１４に回路ブロック図とし
て示すｘＤＳＬ用モデムを構成した。このｘＤＳＬ用モ
デムは、図１３に示すｘＤＳＬのデータ伝送線路におい
て、例えば音声信号とデジタル信号をとを分離するスプ
リッタとコンピュータ（ＰＣ）との間に配置されるもの
である。前記トランスはデジタル変復調や制御回路を含
むＬＳＩと電話線との間のラインカップリングに使用さ
れる。通信機機器用トランスを図１２に示す測定回路で
ＴＨＤを評価した結果、実施例１のものは、周波数５Ｋ
Ｈｚ、０℃〜８５℃の温度範囲において−１２５ｄＢ以
下のＴＨＤ／μａであり、ｘＤＳＬモデムも前記温度範
囲で安定動作したが、比較例のものは例えば、０℃での
ＴＨＤ／μａが、それぞれ−１２２．６ｄＢ、−１１
５．５ｄＢであり、この通信機機器用トランスを組み込
んだｘＤＳＬモデムのエラーレートが大きくなるため実
用に供することはできなかった。
機器用トランスを用いて、図１４に回路ブロック図とし
て示すｘＤＳＬ用モデムを構成した。このｘＤＳＬ用モ
デムは、図１３に示すｘＤＳＬのデータ伝送線路におい
て、例えば音声信号とデジタル信号をとを分離するスプ
リッタとコンピュータ（ＰＣ）との間に配置されるもの
である。前記トランスはデジタル変復調や制御回路を含
むＬＳＩと電話線との間のラインカップリングに使用さ
れる。通信機機器用トランスを図１２に示す測定回路で
ＴＨＤを評価した結果、実施例１のものは、周波数５Ｋ
Ｈｚ、０℃〜８５℃の温度範囲において−１２５ｄＢ以
下のＴＨＤ／μａであり、ｘＤＳＬモデムも前記温度範
囲で安定動作したが、比較例のものは例えば、０℃での
ＴＨＤ／μａが、それぞれ−１２２．６ｄＢ、−１１
５．５ｄＢであり、この通信機機器用トランスを組み込
んだｘＤＳＬモデムのエラーレートが大きくなるため実
用に供することはできなかった。
【００３１】
【発明の効果】本発明によれば、０℃〜８５℃の広温度
範囲で入力波に対する出力波形歪の小さいＴＨＤ特性に
優れたＭｎ−Ｚｎ系フェライト、フェライト磁心と、こ
れを用いた通信機器用電子部品を提供することが出来
る。また、フェライト材料として、特に、ＣａＯを本発
明の範囲含有させることで出力波形歪を大幅に改善する
ことができる。本発明のＭｎ−Ｚｎ系フェライト磁心を
使用することにより、高品質の通信機器用トランス、ｘ
ＤＳＬ用モデムなどの通信機機器用電子部品の製造が可
能となる。
範囲で入力波に対する出力波形歪の小さいＴＨＤ特性に
優れたＭｎ−Ｚｎ系フェライト、フェライト磁心と、こ
れを用いた通信機器用電子部品を提供することが出来
る。また、フェライト材料として、特に、ＣａＯを本発
明の範囲含有させることで出力波形歪を大幅に改善する
ことができる。本発明のＭｎ−Ｚｎ系フェライト磁心を
使用することにより、高品質の通信機器用トランス、ｘ
ＤＳＬ用モデムなどの通信機機器用電子部品の製造が可
能となる。
【図１】 比較例のμｉとＴＨＤ／μａの温度特性図で
ある。
ある。
【図２】 本発明に係る一実施例のμｉとＴＨＤ／μａ
の温度特性図である。
の温度特性図である。
【図３】 本発明に係る他の実施例のμｉとＴＨＤ／μ
ａの温度特性図である。
ａの温度特性図である。
【図４】 本発明に係る他の実施例のμｉとＴＨＤ／μ
ａの温度特性図である。
ａの温度特性図である。
【図５】 他の比較例のμｉとＴＨＤ／μａの温度特性
図である。
図である。
【図６】 他の比較例のμｉとＴＨＤ／μａの温度特性
図である。
図である。
【図７】 本発明に係る他の実施例のμｉとＴＨＤ／μ
ａの温度特性図である。
ａの温度特性図である。
【図８】 ＴＨＤ特性の測定回路図である。
【図９】 ＥＰ−１３形状の磁心形状を示す外観斜視図
である。
である。
【図１０】 通信機機器用トランスの形状の一例を示す
外観斜視図である。
外観斜視図である。
【図１１】 通信機機器用トランスの回路の一例を示す
等価回路である。
等価回路である。
【図１２】 ＴＨＤ特性の他の測定回路図である。
【図１３】 ｘＤＳＬのデータ伝送線路の説明図であ
る。
る。
【図１４】 本発明のフェライト磁心を用いて構成した
ｘＤＳＬ用モデムの回路の一例を示す回路ブロック図で
ある。
ｘＤＳＬ用モデムの回路の一例を示す回路ブロック図で
ある。
【手続補正書】
【提出日】平成１５年３月１２日（２００３．３．１
２）
２）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】第１の発明は、Ｆｅ２Ｏ
３換算で５２．０〜５４．０モル％、ＺｎＯ換算で２
２．０〜２５．０モル％、残部酸化マンガンを主成分と
し、副成分としてＣａＯ換算で０〜０．１５ｗｔ％（０
を含まず）のＣａと、Ｂｉ、Ｓｉ、Ｎｂからなる群から
選ばれる少なくとも一つを、Ｂｉ２Ｏ３換算で０〜０．
０１５ｗｔ％（０を含む）、ＳｉＯ２換算で０〜０．０
１ｗｔ％（０を含む）、Ｎｂ２Ｏ５換算で０〜０．０３
ｗｔ％（０を含む）の範囲で含有するＴＨＤ特性に優れ
たＭｎ−Ｚｎ系フェライトである。本発明のＭｎ−Ｚｎ
系フェライトは、ＴＨＤ値と振幅透磁率μａとの比で表
されるＴＨＤ／μａが、印加磁束密度３０ｍＴ、周波数
５ｋＨｚ、０℃〜８５℃の温度範囲において−１２５ｄ
Ｂ以下である。そして、初透磁率μiが３０００以上で
あるのが好ましい。また、初透磁率μiのキュリー温度
（Ｔｃ）が９０℃以上１４０℃以下であり、セカンダリ
ーピーク温度（Ｔｓ）が−２０℃以上５０℃以下である
ことが望ましい。
３換算で５２．０〜５４．０モル％、ＺｎＯ換算で２
２．０〜２５．０モル％、残部酸化マンガンを主成分と
し、副成分としてＣａＯ換算で０〜０．１５ｗｔ％（０
を含まず）のＣａと、Ｂｉ、Ｓｉ、Ｎｂからなる群から
選ばれる少なくとも一つを、Ｂｉ２Ｏ３換算で０〜０．
０１５ｗｔ％（０を含む）、ＳｉＯ２換算で０〜０．０
１ｗｔ％（０を含む）、Ｎｂ２Ｏ５換算で０〜０．０３
ｗｔ％（０を含む）の範囲で含有するＴＨＤ特性に優れ
たＭｎ−Ｚｎ系フェライトである。本発明のＭｎ−Ｚｎ
系フェライトは、ＴＨＤ値と振幅透磁率μａとの比で表
されるＴＨＤ／μａが、印加磁束密度３０ｍＴ、周波数
５ｋＨｚ、０℃〜８５℃の温度範囲において−１２５ｄ
Ｂ以下である。そして、初透磁率μiが３０００以上で
あるのが好ましい。また、初透磁率μiのキュリー温度
（Ｔｃ）が９０℃以上１４０℃以下であり、セカンダリ
ーピーク温度（Ｔｓ）が−２０℃以上５０℃以下である
ことが望ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００７】第２の発明は、Ｆｅ，Ｍｎ，Ｚｎを主成分
とし、副成分としてＣａを必須とし、ＴＨＤ値と振幅透
磁率μａとの比で表されるＴＨＤ／μａが、印加磁束密
度３０ｍＴ、周波数５ｋＨｚ、０℃〜８５℃の温度範囲
において−１２５ｄＢ以下のフェライト磁心である。本
発明においては、初透磁率μiが３０００以上であるこ
とが好ましい。前記フェライト磁心は、Ｆｅ２Ｏ３換算
で５２．０〜５４．０モル％、ＺｎＯ換算で２２．０〜
２５．０モル％、残部酸化マンガンを主成分とし、副成
分としてＣａＯ換算で０〜０．１５ｗｔ％（０を含ま
ず）のＣａと、Ｂｉ、Ｓｉ、Ｎｂからなる群から選ばれ
る少なくとも一つを、Ｂｉ２Ｏ３換算で０〜０．０１５
ｗｔ％（０を含む）、ＳｉＯ２換算で０〜０．０１ｗｔ
％（０を含む）、Ｎｂ２Ｏ５換算で０〜０．０３ｗｔ％
（０を含む）の範囲で含有する組成を選択するのが好ま
しい。
とし、副成分としてＣａを必須とし、ＴＨＤ値と振幅透
磁率μａとの比で表されるＴＨＤ／μａが、印加磁束密
度３０ｍＴ、周波数５ｋＨｚ、０℃〜８５℃の温度範囲
において−１２５ｄＢ以下のフェライト磁心である。本
発明においては、初透磁率μiが３０００以上であるこ
とが好ましい。前記フェライト磁心は、Ｆｅ２Ｏ３換算
で５２．０〜５４．０モル％、ＺｎＯ換算で２２．０〜
２５．０モル％、残部酸化マンガンを主成分とし、副成
分としてＣａＯ換算で０〜０．１５ｗｔ％（０を含ま
ず）のＣａと、Ｂｉ、Ｓｉ、Ｎｂからなる群から選ばれ
る少なくとも一つを、Ｂｉ２Ｏ３換算で０〜０．０１５
ｗｔ％（０を含む）、ＳｉＯ２換算で０〜０．０１ｗｔ
％（０を含む）、Ｎｂ２Ｏ５換算で０〜０．０３ｗｔ％
（０を含む）の範囲で含有する組成を選択するのが好ま
しい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３０】これらのフェライト磁心を使用した通信機
機器用トランスを用いて、図１４に回路ブロック図とし
て示すｘＤＳＬ用モデムを構成した。このｘＤＳＬ用モ
デムは、図１３に示すｘＤＳＬのデータ伝送線路におい
て、例えば音声信号とデジタル信号とを分離するスプリ
ッタとコンピュータ（ＰＣ）との間に配置されるもので
ある。前記トランスはデジタル変復調や制御回路を含む
ＬＳＩと電話線との間のラインカップリングに使用され
る。通信機機器用トランスを図１２に示す測定回路でＴ
ＨＤを評価した結果、実施例１のものは、周波数５ｋＨ
ｚ、０℃〜８５℃の温度範囲において−１２５ｄＢ以下
のＴＨＤ／μａであり、ｘＤＳＬモデムも前記温度範囲
で安定動作したが、比較例のものは例えば、０℃でのＴ
ＨＤ／μａが、それぞれ−１２２．６ｄＢ、−１１５．
５ｄＢであり、この通信機機器用トランスを組み込んだ
ｘＤＳＬモデムのエラーレートが大きくなるため実用に
供することはできなかった。
機器用トランスを用いて、図１４に回路ブロック図とし
て示すｘＤＳＬ用モデムを構成した。このｘＤＳＬ用モ
デムは、図１３に示すｘＤＳＬのデータ伝送線路におい
て、例えば音声信号とデジタル信号とを分離するスプリ
ッタとコンピュータ（ＰＣ）との間に配置されるもので
ある。前記トランスはデジタル変復調や制御回路を含む
ＬＳＩと電話線との間のラインカップリングに使用され
る。通信機機器用トランスを図１２に示す測定回路でＴ
ＨＤを評価した結果、実施例１のものは、周波数５ｋＨ
ｚ、０℃〜８５℃の温度範囲において−１２５ｄＢ以下
のＴＨＤ／μａであり、ｘＤＳＬモデムも前記温度範囲
で安定動作したが、比較例のものは例えば、０℃でのＴ
ＨＤ／μａが、それぞれ−１２２．６ｄＢ、−１１５．
５ｄＢであり、この通信機機器用トランスを組み込んだ
ｘＤＳＬモデムのエラーレートが大きくなるため実用に
供することはできなかった。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 4G018 AA08 AA18 AA21 AA25 AA31
AA37
5E041 AB02 CA02 NN02 NN14 NN18
Claims (9)
- 【請求項１】 Ｆｅ２Ｏ３換算で５２．０〜５４．０モ
ル％、ＺｎＯ換算で２２．０〜２５．０モル％、残部酸
化マンガンを主成分とし、副成分としてＣａＯ換算で０
〜０．１５ｗｔ％（０を含まず）のＣａと、Ｂｉ、Ｓ
ｉ、Ｎｂからなる群から選ばれる少なくとも一つを、Ｂ
ｉ２Ｏ３換算で０〜０．０１５ｗｔ％（０を含む）、Ｓ
ｉＯ２換算で０〜０．０１ｗｔ％（０を含む）、Ｎｂ２
Ｏ５換算で０〜０．０３ｗｔ％（０を含む）の範囲で含
有することを特徴とするＴＨＤ特性に優れたＭｎ−Ｚｎ
系フェライト。 - 【請求項２】 ＴＨＤ値と振幅透磁率μａとの比で表さ
れるＴＨＤ／μａが、印加磁束密度３０ｍＴ、周波数ｋ
ＫＨｚ、０℃〜８５℃の温度範囲において−１２５ｄＢ
以下であることを特徴とする請求項１に記載のＴＨＤ特
性に優れたＭｎ−Ｚｎ系フェライト。 - 【請求項３】 初透磁率μiが３０００以上であること
を特徴とする請求項１又は２に記載のＴＨＤ特性に優れ
たＭｎ−Ｚｎ系フェライト。 - 【請求項４】 初透磁率μiのキュリー温度（Ｔｃ）が
９０℃以上１４０℃以下であり、セカンダリーピーク温
度（Ｔｓ）が０℃以上４０℃以下であることを特徴とす
る請求項１乃至３のいずれかに記載のＴＨＤ特性に優れ
たＭｎ−Ｚｎ系フェライト。 - 【請求項５】 Ｆｅ，Ｍｎ，Ｚｎを主成分とし、副成分
としてＣａを必須とし、ＴＨＤ値と振幅透磁率μａとの
比で表されるＴＨＤ／μａが、印加磁束密度３０ｍＴ、
周波数５ｋＨｚ、０℃〜８５℃の温度範囲において−１
２５ｄＢ以下であることを特徴とするフェライト磁心。 - 【請求項６】 初透磁率μiが３０００以上であること
を特徴とする請求項５に記載のフェライト磁心。 - 【請求項７】 Ｆｅ２Ｏ３換算で５２．０〜５４．０モ
ル％、ＺｎＯ換算で２２．０〜２５．０モル％、残部酸
化マンガンを主成分とし、副成分としてＣａＯ換算で０
〜０．１５ｗｔ％（０を含まず）のＣａと、Ｂｉ、Ｓ
ｉ、Ｎｂからなる群から選ばれる少なくとも一つを、Ｂ
ｉ２Ｏ３換算で０〜０．０１５ｗｔ％（０を含む）、Ｓ
ｉＯ２換算で０〜０．０１ｗｔ％（０を含む）、Ｎｂ２
Ｏ５換算で０〜０．０３ｗｔ％（０を含む）の範囲で含
有することを特徴とする請求項５又は６に記載のフェラ
イト磁心。 - 【請求項８】 請求項５乃至７に記載のフェライト磁心
を用いて通信機器用トランスとしたことを特徴とする通
信機器用電子部品。 - 【請求項９】 請求項５乃至７に記載のフェライト磁心
を用いてｘＤＳＬ用モデムとしたことを特徴とする通信
機器用電子部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002057367A JP2003252680A (ja) | 2002-03-04 | 2002-03-04 | Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト、フェライト磁心及び通信機器用電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002057367A JP2003252680A (ja) | 2002-03-04 | 2002-03-04 | Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト、フェライト磁心及び通信機器用電子部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003252680A true JP2003252680A (ja) | 2003-09-10 |
Family
ID=28667647
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002057367A Pending JP2003252680A (ja) | 2002-03-04 | 2002-03-04 | Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト、フェライト磁心及び通信機器用電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003252680A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007513513A (ja) * | 2003-12-03 | 2007-05-24 | サウス バンク ユニバーシティー エンタープライジズ リミテッド | Ｄｓｌモデムと変成器 |
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| JP2013166664A (ja) * | 2012-02-14 | 2013-08-29 | Jfe Chemical Corp | Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトおよびトランス用磁心 |
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-
2002
- 2002-03-04 JP JP2002057367A patent/JP2003252680A/ja active Pending
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