JP2003244397A - イメージセンサー - Google Patents
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- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N3/00—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages
- H04N3/10—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical
- H04N3/14—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical by means of electrically scanned solid-state devices
- H04N3/15—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical by means of electrically scanned solid-state devices for picture signal generation
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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- H01L27/144—Devices controlled by radiation
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 読み取り速度も速くするようにし、かつ受光
素子の出力信号のデータ抜けのないイメージセンサーの
提供。 【解決手段】 受光量に応じた出力信号を出力する全て
の複数の受光素子の出力端子間を接続するスイッチ素子
を設け、最高解像度からその１／ｎの解像度に応じてス
イッチ素子を任意に導通し、その平均値の出力は各々の
サンプル＆ホールド回路に複数同電位で保持すること
で、読出し時には解像度に応じて任意のデータのみ読み
出し、不要なデータがある場合は読み飛ばして、読み取
り速度も速くするようにし、かつ受光素子の出力信号の
データ抜けのないことを特徴とする。
素子の出力信号のデータ抜けのないイメージセンサーの
提供。 【解決手段】 受光量に応じた出力信号を出力する全て
の複数の受光素子の出力端子間を接続するスイッチ素子
を設け、最高解像度からその１／ｎの解像度に応じてス
イッチ素子を任意に導通し、その平均値の出力は各々の
サンプル＆ホールド回路に複数同電位で保持すること
で、読出し時には解像度に応じて任意のデータのみ読み
出し、不要なデータがある場合は読み飛ばして、読み取
り速度も速くするようにし、かつ受光素子の出力信号の
データ抜けのないことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、受光量に応じた出
力信号を出力する複数の受光素子と、隣り合う受光素子
の出力端子間を接続するスイッチ素子と、受光素子の出
力を保持するサンプル＆ホールド回路と、サンプル＆ホ
ールド回路に保持された電荷を読み出し制御を行う走査
回路で構成されたリニアイメージセンサーＩＣに関する
ものであり、詳細には解像度を切り替え可能な密着型イ
メージセンサー、イメージスキャナやファクシミリや複
写機に関するものである。
力信号を出力する複数の受光素子と、隣り合う受光素子
の出力端子間を接続するスイッチ素子と、受光素子の出
力を保持するサンプル＆ホールド回路と、サンプル＆ホ
ールド回路に保持された電荷を読み出し制御を行う走査
回路で構成されたリニアイメージセンサーＩＣに関する
ものであり、詳細には解像度を切り替え可能な密着型イ
メージセンサー、イメージスキャナやファクシミリや複
写機に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】例えば、特開平５ −２２７３６２号公
報には、新規に解像度制御用のコントロール端子を設
け、ユーザが利用条件にあわせて解像度を切り換えるこ
とが可能な密着型イメージセンサーが提案されている。
報には、新規に解像度制御用のコントロール端子を設
け、ユーザが利用条件にあわせて解像度を切り換えるこ
とが可能な密着型イメージセンサーが提案されている。
【０００３】図１１は、当該公開公報に提案されている
密着型イメージセンサー用集積回路の回路図である。こ
の従来技術においては、イメージセンサーチップにコン
トロール端子（１２５）を設け、その端子にユーザが、
ハイレベルまたはローレベルの信号を入力することによ
り高解像度モードと低解像度モードの解像度切り換えを
実現している。図１１について概略説明すれば、スター
トパルスＳＩ と、クロックパルスＣＬＫ とをシフトレ
ジスタ群１０４ に供給する。スタートパルスＳＩ によ
ってシフトレジスタ１０４ａが起動されると、その出力
はノアゲート１２１ａ およびアンドゲート１２０ａを
通ってチャンネルセレクトスイッチ１０３ａ に入力さ
れ、これをオンにし、フォトセル１０１ａ からの信号
を信号ライン１０７ａ に取り出す。他のシフトレジス
タ１０４ｂ 〜１０４ｆも順次起動していき、各フォト
セル１０１ｂ〜１０１ｌからの信号を信号来か１０７ａ
，１０７ｂ に出力する。
密着型イメージセンサー用集積回路の回路図である。こ
の従来技術においては、イメージセンサーチップにコン
トロール端子（１２５）を設け、その端子にユーザが、
ハイレベルまたはローレベルの信号を入力することによ
り高解像度モードと低解像度モードの解像度切り換えを
実現している。図１１について概略説明すれば、スター
トパルスＳＩ と、クロックパルスＣＬＫ とをシフトレ
ジスタ群１０４ に供給する。スタートパルスＳＩ によ
ってシフトレジスタ１０４ａが起動されると、その出力
はノアゲート１２１ａ およびアンドゲート１２０ａを
通ってチャンネルセレクトスイッチ１０３ａ に入力さ
れ、これをオンにし、フォトセル１０１ａ からの信号
を信号ライン１０７ａ に取り出す。他のシフトレジス
タ１０４ｂ 〜１０４ｆも順次起動していき、各フォト
セル１０１ｂ〜１０１ｌからの信号を信号来か１０７ａ
，１０７ｂ に出力する。
【０００４】ここで、コントロール信号入力端子１２５
にコントロール信号”Ｈ ”が入力されると、アナログ
スイッチ１１０ａ，１１０ｂ，１２２ａ，１２２ｂが切
り換えられ、画像出力端子１１１に１６ドット／ミリの
読み取り密度で画像信号が得られる。また、コントロー
ル信号入力端子１２５ にコントロール信号”Ｌ ”が入
力されると、アナログスイッチ１１０ａ が常にオン状
態となり、画像出力端子１１１ にはフォトセル１０１
ａ〜１０１ｌ全体の半分の８ドット／ミリの読み取り密
度で画像信号が得られる。つまり、センサーＩＣ上のフ
ォトセル１０１ａ〜１０１ｌは常に全数が動作している
が、外部に出力画像信号を取り出す際に、コントロール
信号によって一部を間引いて出力させることができる。
そのため、画像信号の電圧レベルは常に一定となり、後
段の画像処理回路の構成は従来のもので対応が可能とな
る。
にコントロール信号”Ｈ ”が入力されると、アナログ
スイッチ１１０ａ，１１０ｂ，１２２ａ，１２２ｂが切
り換えられ、画像出力端子１１１に１６ドット／ミリの
読み取り密度で画像信号が得られる。また、コントロー
ル信号入力端子１２５ にコントロール信号”Ｌ ”が入
力されると、アナログスイッチ１１０ａ が常にオン状
態となり、画像出力端子１１１ にはフォトセル１０１
ａ〜１０１ｌ全体の半分の８ドット／ミリの読み取り密
度で画像信号が得られる。つまり、センサーＩＣ上のフ
ォトセル１０１ａ〜１０１ｌは常に全数が動作している
が、外部に出力画像信号を取り出す際に、コントロール
信号によって一部を間引いて出力させることができる。
そのため、画像信号の電圧レベルは常に一定となり、後
段の画像処理回路の構成は従来のもので対応が可能とな
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来のイメージセンサ
ーＩＣは以上のように構成されているので、解像度を粗
くするとデータを間引くため読み飛ばされた受光素子の
出力信号のデータ抜けが発生する。
ーＩＣは以上のように構成されているので、解像度を粗
くするとデータを間引くため読み飛ばされた受光素子の
出力信号のデータ抜けが発生する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】そこで、上記の問題を解
決するために、本発明のイメージセンサーは、複数のリ
ニアイメージセンサーＩＣを直線状に配置実装して構成
されるイメージセンサーにおいて、受光量に応じた出力
信号を出力する全ての複数の受光素子の出力端子間を接
続するスイッチ素子を設け、最高解像度からその１／ｎ
の解像度に応じてスイッチ素子を任意に導通し、その平
均値の出力は各々のサンプル＆ホールド回路に複数同電
位で保持することで、読出し時には解像度に応じて任意
のデータのみ読み出し、不要なデータがある場合は読み
飛ばして、読み取り速度も速くするようにし、かつ受光
素子の出力信号のデータ抜けのないものである。
決するために、本発明のイメージセンサーは、複数のリ
ニアイメージセンサーＩＣを直線状に配置実装して構成
されるイメージセンサーにおいて、受光量に応じた出力
信号を出力する全ての複数の受光素子の出力端子間を接
続するスイッチ素子を設け、最高解像度からその１／ｎ
の解像度に応じてスイッチ素子を任意に導通し、その平
均値の出力は各々のサンプル＆ホールド回路に複数同電
位で保持することで、読出し時には解像度に応じて任意
のデータのみ読み出し、不要なデータがある場合は読み
飛ばして、読み取り速度も速くするようにし、かつ受光
素子の出力信号のデータ抜けのないものである。
【０００７】
【発明の実施の形態】［実施形態１］以下、本発明の実
施形態を図面を参照しながら説明する。
施形態を図面を参照しながら説明する。
【０００８】図１は本発明の実施形態におけるイメージ
センサーの全体回路図、図２は図１におけるｎ段目のブ
ロックの回路図である。表１は図２における受光素子間
のスイッチ３−ｎ−１，２，３・・・２４の設定であ
る。表２は図２におけるテスト時の受光素子間のスイッ
チ３−ｎ−１，２，３・・・２４の設定である。
センサーの全体回路図、図２は図１におけるｎ段目のブ
ロックの回路図である。表１は図２における受光素子間
のスイッチ３−ｎ−１，２，３・・・２４の設定であ
る。表２は図２におけるテスト時の受光素子間のスイッ
チ３−ｎ−１，２，３・・・２４の設定である。
【０００９】図３は最高解像度ａの場合のタイムチャー
トである。図４は最高解像度ａ＊１／２の場合のタイム
チャートである。図５は最高解像度ａ＊１／４の場合の
タイムチャートである。
トである。図４は最高解像度ａ＊１／２の場合のタイム
チャートである。図５は最高解像度ａ＊１／４の場合の
タイムチャートである。
【００１０】図６は最高解像度ａ＊１／６の場合のタイ
ムチャートである。図７は最高解像度ａ＊１／８の場合
のタイムチャートである。図８はＴＥＳＴ１モードの場
合のタイムチャートである。図９はＴＥＳＴ２モードの
場合のタイムチャートである。図１０はＴＥＳＴ３モー
ドの場合のタイムチャートである。
ムチャートである。図７は最高解像度ａ＊１／８の場合
のタイムチャートである。図８はＴＥＳＴ１モードの場
合のタイムチャートである。図９はＴＥＳＴ２モードの
場合のタイムチャートである。図１０はＴＥＳＴ３モー
ドの場合のタイムチャートである。
【００１１】図１において１−１，１−２，・・・，１
−ｍの受光素子のリセット回路素子ブロックを並べた受
光素子のリセット回路列１と、２−１，２−２，・・
・，２−ｍの受光素子ブロックを並べた受光素子列２
と、３−１，３−２，・・・，３−ｍの受光素子間スイ
ッチ素子ブロックを並べた受光素子間スイッチ素子列３
と、４−１，４−２，・・・，４−ｍのアンプ１回路ブ
ロックを並べたアンプ１の回路列４と、５−１，５−
２，・・・，５−ｍのサンプル＆ホールド回路ブロック
を並べたサンプル＆ホールド回路列５と、６−１，６−
２，・・・，６−ｍのアンプ２の回路ブロックを並べた
アンプ２の回路列６と、７−１，７−２，・・・，７−
ｍの読出しスイッチ素子ブロックを並べた読出しスイッ
チ素子列７と、共通信号線８と、９−１，９−２，・・
・，９−ｍの走査回路ブロックを並べた走査回路列９
と、１０のダミースイッチの出力端子とゲートにはＧＮ
Ｄ電位が与えられており通常オフ状態で、もう一方の出
力端子は３−１の受光素子間スイッチ素子ブロックの入
力端子ＳＷＩＮに接続され、受光素子ブロック２−１の
１番目の受光素子の出力端子の負荷容量を揃える為に接
続し、他の各受光素子の出力端子の負荷容量と同一とな
り、ブロック間の繋ぎ目で固定パターンノイズを無くし
均一な特性が得られる。
−ｍの受光素子のリセット回路素子ブロックを並べた受
光素子のリセット回路列１と、２−１，２−２，・・
・，２−ｍの受光素子ブロックを並べた受光素子列２
と、３−１，３−２，・・・，３−ｍの受光素子間スイ
ッチ素子ブロックを並べた受光素子間スイッチ素子列３
と、４−１，４−２，・・・，４−ｍのアンプ１回路ブ
ロックを並べたアンプ１の回路列４と、５−１，５−
２，・・・，５−ｍのサンプル＆ホールド回路ブロック
を並べたサンプル＆ホールド回路列５と、６−１，６−
２，・・・，６−ｍのアンプ２の回路ブロックを並べた
アンプ２の回路列６と、７−１，７−２，・・・，７−
ｍの読出しスイッチ素子ブロックを並べた読出しスイッ
チ素子列７と、共通信号線８と、９−１，９−２，・・
・，９−ｍの走査回路ブロックを並べた走査回路列９
と、１０のダミースイッチの出力端子とゲートにはＧＮ
Ｄ電位が与えられており通常オフ状態で、もう一方の出
力端子は３−１の受光素子間スイッチ素子ブロックの入
力端子ＳＷＩＮに接続され、受光素子ブロック２−１の
１番目の受光素子の出力端子の負荷容量を揃える為に接
続し、他の各受光素子の出力端子の負荷容量と同一とな
り、ブロック間の繋ぎ目で固定パターンノイズを無くし
均一な特性が得られる。
【００１２】１１は、各解像度およびＴＥＳＴモードの
切替制御回路で入力信号Ｘ１とＸ２とＸ３により、任意
に受光素子間スイッチの制御信号ＳＷＣＴＬと走査回路
の読み飛ばし順の制御信号ＳＲＣＴＬを発生する構成と
なっている。
切替制御回路で入力信号Ｘ１とＸ２とＸ３により、任意
に受光素子間スイッチの制御信号ＳＷＣＴＬと走査回路
の読み飛ばし順の制御信号ＳＲＣＴＬを発生する構成と
なっている。
【００１３】受光素子のリセット回路列１には、受光素
子を初期化するためのリセット電圧ＶＲＥＳＥＴとリセ
ット素子を制御するリセット１（ΦＲＳＴ１）とリセッ
ト２（ΦＲＳＴ２）が共通接続されている。
子を初期化するためのリセット電圧ＶＲＥＳＥＴとリセ
ット素子を制御するリセット１（ΦＲＳＴ１）とリセッ
ト２（ΦＲＳＴ２）が共通接続されている。
【００１４】受光素子間のスイッチ素子列２には、受光
素子間のスイッチ素子の制御信号（ＳＷＣＴＬ）のバス
ラインが接続されている。
素子間のスイッチ素子の制御信号（ＳＷＣＴＬ）のバス
ラインが接続されている。
【００１５】読出しスイッチ素子列７には、受光素子の
信号を読み出すための共通信号線（ＳＩＧ）が共通接続
されている。
信号を読み出すための共通信号線（ＳＩＧ）が共通接続
されている。
【００１６】走査回路列９には走査回路を駆動するため
のクロック（ΦＣＫ）が共通接続され、スタートパルス
（ΦＳＴ）が接続され、走査回路の読出し順を制御する
制御信号線（ＳＲＣＴＬ）のバスラインが接続されてい
る。
のクロック（ΦＣＫ）が共通接続され、スタートパルス
（ΦＳＴ）が接続され、走査回路の読出し順を制御する
制御信号線（ＳＲＣＴＬ）のバスラインが接続されてい
る。
【００１７】図２は各素子ブロックおよび回路列ブロッ
クの１，２，・・・，ｍのブロック毎に対応したｎ段目
の２４ｂｉｔ分の回路であり、受光素子のリセット回路
素子ブロック１−ｎは、奇数番目の受光素子のリセット
スイッチ素子（１−ｎ−１，１−ｎ−３，１−ｎ−５，
・・・，１−ｎ−２３）は一方の端子はリセット電圧Ｖ
ＲＥＳＥＴ電圧が与えられ、ΦＲＳＴ１で制御される。
偶数番目の受光素子のリセットスイッチ素子（１−ｎ−
２，１−ｎ−４，１−ｎ−６，・・・，１−ｎ−２４）
は一方の端子はリセット電圧ＶＲＥＳＥＴ電圧が与えら
れ、ΦＲＳＴ２で制御される。受光素子ブロック２−ｎ
のフォトダイオード（２−ｎ−１，・・・，２−ｎ−２
４）の出力端子はそれぞれリセットスイッチ素子（１−
ｎ−１，・・・，１−ｎ−２４）が接続されている。
クの１，２，・・・，ｍのブロック毎に対応したｎ段目
の２４ｂｉｔ分の回路であり、受光素子のリセット回路
素子ブロック１−ｎは、奇数番目の受光素子のリセット
スイッチ素子（１−ｎ−１，１−ｎ−３，１−ｎ−５，
・・・，１−ｎ−２３）は一方の端子はリセット電圧Ｖ
ＲＥＳＥＴ電圧が与えられ、ΦＲＳＴ１で制御される。
偶数番目の受光素子のリセットスイッチ素子（１−ｎ−
２，１−ｎ−４，１−ｎ−６，・・・，１−ｎ−２４）
は一方の端子はリセット電圧ＶＲＥＳＥＴ電圧が与えら
れ、ΦＲＳＴ２で制御される。受光素子ブロック２−ｎ
のフォトダイオード（２−ｎ−１，・・・，２−ｎ−２
４）の出力端子はそれぞれリセットスイッチ素子（１−
ｎ−１，・・・，１−ｎ−２４）が接続されている。
【００１８】受光素子間のスイッチ素子ブロック３−ｎ
は、受光素子間スイッチ（３−ｎ−１，３−ｎ−２，・
・・３−ｎ−２３）は隣接する受光素子間の出力端子が
それぞれ接続されており、受光素子間スイッチは制御信
号（ＳＷＣＴＬ）のバスラインによりそれぞれ制御され
る。ＳＷＩＮ端子は図１において隣合う前段の受光素子
間のスイッチ素子ブロックまたは１０のダミースイッチ
を接続する端子である。ＳＷＯＵＴ端子は図１において
後段の受光素子間のスイッチ素子ブロックまたはＧＮＤ
電位を接続する端子である。
は、受光素子間スイッチ（３−ｎ−１，３−ｎ−２，・
・・３−ｎ−２３）は隣接する受光素子間の出力端子が
それぞれ接続されており、受光素子間スイッチは制御信
号（ＳＷＣＴＬ）のバスラインによりそれぞれ制御され
る。ＳＷＩＮ端子は図１において隣合う前段の受光素子
間のスイッチ素子ブロックまたは１０のダミースイッチ
を接続する端子である。ＳＷＯＵＴ端子は図１において
後段の受光素子間のスイッチ素子ブロックまたはＧＮＤ
電位を接続する端子である。
【００１９】アンプ１回路ブロック４−ｎはそれぞれの
アンプ１（４−ｎ−１，・・・，４−ｎ−２４）で、各
受光素子（２−ｎ−１，・・・，２−ｎ−２４）の出力
をサンプル＆ホールド回路列ブロック５−ｎのサンプル
＆ホールド回路（５−ｎ−１，・・・，５−ｎ−２４）
に一時的に電荷を蓄積するものである。
アンプ１（４−ｎ−１，・・・，４−ｎ−２４）で、各
受光素子（２−ｎ−１，・・・，２−ｎ−２４）の出力
をサンプル＆ホールド回路列ブロック５−ｎのサンプル
＆ホールド回路（５−ｎ−１，・・・，５−ｎ−２４）
に一時的に電荷を蓄積するものである。
【００２０】アンプ２回路ブロック６−ｎはそれぞれの
アンプ２（６−ｎ−１，・・・，６−ｎ−２４）が、読
出しスイッチ素子列７−ｍのスイッチ素子（７−ｎ−
１，・・・，７−ｎ−２４）に接続されており、ＳＲＣ
ＴＬバスラインにより制御される走査回路列９−ｎの出
力（Ｑ１，・・・，Ｑ２４）はスタートパルスΦＳＴＩ
Ｎが入力されると最高解像度の時はクロック信号ΦＣＫ
に同期して読出しスイッチ素子列７−ｍのスイッチ素子
（７−ｎ−１，・・・，７−ｎ−２４）を順次オンし、
解像度を粗くするときは任意に読み飛ばして出力し、共
通信号線８にサンプル＆ホールド回路（５−ｎ−１，・
・・，５−ｎ−２４）に一時的に蓄積された電荷を読み
出す構成としている。
アンプ２（６−ｎ−１，・・・，６−ｎ−２４）が、読
出しスイッチ素子列７−ｍのスイッチ素子（７−ｎ−
１，・・・，７−ｎ−２４）に接続されており、ＳＲＣ
ＴＬバスラインにより制御される走査回路列９−ｎの出
力（Ｑ１，・・・，Ｑ２４）はスタートパルスΦＳＴＩ
Ｎが入力されると最高解像度の時はクロック信号ΦＣＫ
に同期して読出しスイッチ素子列７−ｍのスイッチ素子
（７−ｎ−１，・・・，７−ｎ−２４）を順次オンし、
解像度を粗くするときは任意に読み飛ばして出力し、共
通信号線８にサンプル＆ホールド回路（５−ｎ−１，・
・・，５−ｎ−２４）に一時的に蓄積された電荷を読み
出す構成としている。
【００２１】表１は図２における各解像度における受光
素子間のスイッチ設定である。
素子間のスイッチ設定である。
【００２２】
【表１】
【００２３】Ｘ１とＸ２とＸ３がローレベルの時は最高
解像度ａとなり受光素子間のスイッチは全てオフとな
り、各受光素子（２−ｎ−１，・・・，２−ｎ−２４）
の出力は各サンプル＆ホールド回路（５−ｎ−１，・・
・，５−ｎ−２４）に電荷が蓄積される。図３は最高解
像度ａの場合のタイムチャートである。スタートパルス
ΦＳＴＩＮが入力されると、クロック信号ΦＣＫに同期
し走査回路の出力Ｑ１，・・・，Ｑ２４により読出しス
イッチ素子（７−ｎ−１，・・・，７−ｎ−２４）を順
次オンし各サンプル＆ホールド回路（５−ｎ−１，・・
・，５−ｎ−２４）に蓄積された電荷を共通信号線８
（ＳＩＧ）に読み出す。
解像度ａとなり受光素子間のスイッチは全てオフとな
り、各受光素子（２−ｎ−１，・・・，２−ｎ−２４）
の出力は各サンプル＆ホールド回路（５−ｎ−１，・・
・，５−ｎ−２４）に電荷が蓄積される。図３は最高解
像度ａの場合のタイムチャートである。スタートパルス
ΦＳＴＩＮが入力されると、クロック信号ΦＣＫに同期
し走査回路の出力Ｑ１，・・・，Ｑ２４により読出しス
イッチ素子（７−ｎ−１，・・・，７−ｎ−２４）を順
次オンし各サンプル＆ホールド回路（５−ｎ−１，・・
・，５−ｎ−２４）に蓄積された電荷を共通信号線８
（ＳＩＧ）に読み出す。
【００２４】次にＸ１がハイレベル，Ｘ２とＸ３がロー
レベルの時は最高解像度ａ＊１／２となり受光素子間の
奇数番目のスイッチ（３−ｎ−１，３−ｎ−３，・・
・，３−ｎ−２３）はオンとなり、受光素子間の偶数番
目のスイッチ（３−ｎ−２，３−ｎ−４，・・・，３−
ｎ−２４）はオフとなり、隣り合う２つの受光素子の出
力が接続された状態となる。ここで受光量に応じた受光
素子の光電荷量は２倍となるが、接合容量も２倍となり
相殺され出力の平均値が隣り合う２つのサンプル＆ホー
ルド回路に電荷が蓄積される。図４は最高解像度ａ＊１
／２の場合のタイムチャートである。スタートパルスΦ
ＳＴＩＮが入力されると、クロック信号ΦＣＫに同期し
走査回路の出力Ｑ１，Ｑ４，Ｑ５，Ｑ８，Ｑ９，Ｑ１
２，Ｑ１３，Ｑ１６，Ｑ１７，Ｑ２１，Ｑ２２，Ｑ２４
の順により読出しスイッチ素子（７−ｎ−１，７−ｎ−
４，７−ｎ−５，７−ｎ−８，７−ｎ−９，７−ｎ−１
２，７−ｎ−１３，７−ｎ−１４，７−ｎ−１６，７−
ｎ−１９，７−ｎ−２１，７−ｎ−２２，７−ｎ−２
４）を順次オンし各サンプル＆ホールド回路（５−ｎ−
１，５−ｎ−４，５−ｎ−５，５−ｎ−８，５−ｎ−
９，５−ｎ−１２，５−ｎ−１３，５−ｎ−１４，５−
ｎ−１６，５−ｎ−１９，５−ｎ−２１，５−ｎ−２
２，５−ｎ−２４）に蓄積された電荷を共通信号線８
（ＳＩＧ）に読み出す。
レベルの時は最高解像度ａ＊１／２となり受光素子間の
奇数番目のスイッチ（３−ｎ−１，３−ｎ−３，・・
・，３−ｎ−２３）はオンとなり、受光素子間の偶数番
目のスイッチ（３−ｎ−２，３−ｎ−４，・・・，３−
ｎ−２４）はオフとなり、隣り合う２つの受光素子の出
力が接続された状態となる。ここで受光量に応じた受光
素子の光電荷量は２倍となるが、接合容量も２倍となり
相殺され出力の平均値が隣り合う２つのサンプル＆ホー
ルド回路に電荷が蓄積される。図４は最高解像度ａ＊１
／２の場合のタイムチャートである。スタートパルスΦ
ＳＴＩＮが入力されると、クロック信号ΦＣＫに同期し
走査回路の出力Ｑ１，Ｑ４，Ｑ５，Ｑ８，Ｑ９，Ｑ１
２，Ｑ１３，Ｑ１６，Ｑ１７，Ｑ２１，Ｑ２２，Ｑ２４
の順により読出しスイッチ素子（７−ｎ−１，７−ｎ−
４，７−ｎ−５，７−ｎ−８，７−ｎ−９，７−ｎ−１
２，７−ｎ−１３，７−ｎ−１４，７−ｎ−１６，７−
ｎ−１９，７−ｎ−２１，７−ｎ−２２，７−ｎ−２
４）を順次オンし各サンプル＆ホールド回路（５−ｎ−
１，５−ｎ−４，５−ｎ−５，５−ｎ−８，５−ｎ−
９，５−ｎ−１２，５−ｎ−１３，５−ｎ−１４，５−
ｎ−１６，５−ｎ−１９，５−ｎ−２１，５−ｎ−２
２，５−ｎ−２４）に蓄積された電荷を共通信号線８
（ＳＩＧ）に読み出す。
【００２５】次にＸ１がローレベル，Ｘ２がハイレベ
ル，Ｘ３がローレベルの時は最高解像度ａ＊１／４とな
り受光素子間の４の倍数段目のスイッチ（３−ｎ−４，
３−ｎ−８，３−ｎ−１２，３−ｎ−１６，３−ｎ−２
０，３−ｎ−２４）はオフとなり、他の受光素子間のス
イッチはオンとなり、隣り合う４つの受光素子の出力が
接続された状態となる。ここで受光量に応じた受光素子
の光電荷量は４倍となるが、接合容量も４倍となり相殺
され出力の平均値が隣り合う４つのサンプル＆ホールド
回路に電荷が蓄積される。図５は最高解像度ａ＊１／４
の場合のタイムチャートである。スタートパルスΦＳＴ
ＩＮが入力されると、クロック信号ΦＣＫに同期し走査
回路の出力Ｑ１，Ｑ８，Ｑ９，Ｑ１６，Ｑ１７，Ｑ２４
の順により読出しスイッチ素子（７−ｎ−１，７−ｎ−
８，７−ｎ−９，７−ｎ−１６，７−ｎ−１９，７−ｎ
−２４）を順次オンし各サンプル＆ホールド回路（５−
ｎ−１，５−ｎ−８，５−ｎ−９，５−ｎ−１６，５−
ｎ−１９，５−ｎ−２４）に蓄積された電荷を共通信号
線８（ＳＩＧ）に読み出す。
ル，Ｘ３がローレベルの時は最高解像度ａ＊１／４とな
り受光素子間の４の倍数段目のスイッチ（３−ｎ−４，
３−ｎ−８，３−ｎ−１２，３−ｎ−１６，３−ｎ−２
０，３−ｎ−２４）はオフとなり、他の受光素子間のス
イッチはオンとなり、隣り合う４つの受光素子の出力が
接続された状態となる。ここで受光量に応じた受光素子
の光電荷量は４倍となるが、接合容量も４倍となり相殺
され出力の平均値が隣り合う４つのサンプル＆ホールド
回路に電荷が蓄積される。図５は最高解像度ａ＊１／４
の場合のタイムチャートである。スタートパルスΦＳＴ
ＩＮが入力されると、クロック信号ΦＣＫに同期し走査
回路の出力Ｑ１，Ｑ８，Ｑ９，Ｑ１６，Ｑ１７，Ｑ２４
の順により読出しスイッチ素子（７−ｎ−１，７−ｎ−
８，７−ｎ−９，７−ｎ−１６，７−ｎ−１９，７−ｎ
−２４）を順次オンし各サンプル＆ホールド回路（５−
ｎ−１，５−ｎ−８，５−ｎ−９，５−ｎ−１６，５−
ｎ−１９，５−ｎ−２４）に蓄積された電荷を共通信号
線８（ＳＩＧ）に読み出す。
【００２６】次に、Ｘ１がハイレベル，Ｘ２がハイレベ
ル，Ｘ３がローレベルの時は最高解像度ａ＊１／６とな
り受光素子間の６の倍数段目のスイッチ（３−ｎ−６，
３−ｎ−１２，３−ｎ−１８，３−ｎ−２４）はオフと
なり、他の受光素子間のスイッチはオンとなり、隣り合
う６つの受光素子の出力が接続された状態となる。ここ
で受光量に応じた受光素子の光電荷量は６倍となるが、
接合容量も６倍となり相殺され出力の平均値が隣り合う
６つのサンプル＆ホールド回路に電荷が蓄積される。図
６は最高解像度ａ＊１／６の場合のタイムチャートであ
る。
ル，Ｘ３がローレベルの時は最高解像度ａ＊１／６とな
り受光素子間の６の倍数段目のスイッチ（３−ｎ−６，
３−ｎ−１２，３−ｎ−１８，３−ｎ−２４）はオフと
なり、他の受光素子間のスイッチはオンとなり、隣り合
う６つの受光素子の出力が接続された状態となる。ここ
で受光量に応じた受光素子の光電荷量は６倍となるが、
接合容量も６倍となり相殺され出力の平均値が隣り合う
６つのサンプル＆ホールド回路に電荷が蓄積される。図
６は最高解像度ａ＊１／６の場合のタイムチャートであ
る。
【００２７】スタートパルスΦＳＴＩＮが入力される
と、クロック信号ΦＣＫに同期し走査回路の出力Ｑ１，
Ｑ８，Ｑ１７，Ｑ２４の順により読出しスイッチ素子
（７−ｎ−１，７−ｎ−８，７−ｎ−１７，７−ｎ−２
４）を順次オンし各サンプル＆ホールド回路（５−ｎ−
１，５−ｎ−８，５−ｎ−１７，５−ｎ−２４）に蓄積
された電荷を共通信号線８（ＳＩＧ）に読み出す。
と、クロック信号ΦＣＫに同期し走査回路の出力Ｑ１，
Ｑ８，Ｑ１７，Ｑ２４の順により読出しスイッチ素子
（７−ｎ−１，７−ｎ−８，７−ｎ−１７，７−ｎ−２
４）を順次オンし各サンプル＆ホールド回路（５−ｎ−
１，５−ｎ−８，５−ｎ−１７，５−ｎ−２４）に蓄積
された電荷を共通信号線８（ＳＩＧ）に読み出す。
【００２８】次にＸ１がローレベル，Ｘ２がローレベ
ル，Ｘ３がハイレベルの時は最高解像度ａ＊１／８とな
り受光素子間の８の倍数段目のスイッチ（３−ｎ−８，
３−ｎ−１６，３−ｎ−２４）はオフとなり、他の受光
素子間のスイッチはオンとなり、隣り合う８つの受光素
子の出力が接続された状態となる。ここで受光量に応じ
た受光素子の光電荷量は８倍となるが、接合容量も８倍
となり相殺され出力の平均値が隣り合う８つのサンプル
＆ホールド回路に電荷が蓄積される。
ル，Ｘ３がハイレベルの時は最高解像度ａ＊１／８とな
り受光素子間の８の倍数段目のスイッチ（３−ｎ−８，
３−ｎ−１６，３−ｎ−２４）はオフとなり、他の受光
素子間のスイッチはオンとなり、隣り合う８つの受光素
子の出力が接続された状態となる。ここで受光量に応じ
た受光素子の光電荷量は８倍となるが、接合容量も８倍
となり相殺され出力の平均値が隣り合う８つのサンプル
＆ホールド回路に電荷が蓄積される。
【００２９】図７は最高解像度ａ＊１／８の場合のタイ
ムチャートである。スタートパルスΦＳＴＩＮが入力さ
れると、クロック信号ΦＣＫに同期し走査回路の出力Ｑ
１，Ｑ１２，Ｑ２４の順により読出しスイッチ素子（７
−ｎ−１，７−ｎ−１２，７−ｎ−２４）を順次オンし
各サンプル＆ホールド回路（５−ｎ−１，５−ｎ−１
２，５−ｎ−２４）に蓄積された電荷を共通信号線８
（ＳＩＧ）に読み出す。
ムチャートである。スタートパルスΦＳＴＩＮが入力さ
れると、クロック信号ΦＣＫに同期し走査回路の出力Ｑ
１，Ｑ１２，Ｑ２４の順により読出しスイッチ素子（７
−ｎ−１，７−ｎ−１２，７−ｎ−２４）を順次オンし
各サンプル＆ホールド回路（５−ｎ−１，５−ｎ−１
２，５−ｎ−２４）に蓄積された電荷を共通信号線８
（ＳＩＧ）に読み出す。
【００３０】なお全ての解像度において受光素子間スイ
ッチ３−ｎ−２４はオフ状態となり図１において３−ｍ
の受光素子間スイッチ素子ブロックの一方の出力端子Ｓ
ＷＯＵＴはＧＮＤに接続されており、受光素子ブロック
３−ｍの最終番目の受光素子の出力端子の負荷容量を揃
える為に接続し、他の各受光素子の出力端子の負荷容量
と同一となり、ブロック間の繋ぎ目で固定パターンノイ
ズを無くし均一な特性が得られる構成としている。
ッチ３−ｎ−２４はオフ状態となり図１において３−ｍ
の受光素子間スイッチ素子ブロックの一方の出力端子Ｓ
ＷＯＵＴはＧＮＤに接続されており、受光素子ブロック
３−ｍの最終番目の受光素子の出力端子の負荷容量を揃
える為に接続し、他の各受光素子の出力端子の負荷容量
と同一となり、ブロック間の繋ぎ目で固定パターンノイ
ズを無くし均一な特性が得られる構成としている。
【００３１】表２は図２における受光素子間のスイッチ
素子の機能をテストする設定である。
素子の機能をテストする設定である。
【００３２】
【表２】
【００３３】Ｘ１がハイレベル，Ｘ２がローレベル，Ｘ
３がハイレベルの時はＴＥＳＴ１モードとなり、受光素
子間の偶数番目のスイッチ（３−ｎ−２，３−ｎ−４，
・・・，３−ｎ−２４）はオンとなり受光素子間の奇数
番目のスイッチ（３−ｎ−１，３−ｎ−３，・・・，３
−ｎ−２３）はオフとなり、隣り合う２つの受光素子の
出力が接続された状態となる。ここでΦＲＳＴ２は常時
ハイレベルとなり、偶数番目の受光素子（２−ｎ−２，
２−ｎ−４，・・・，２−ｎ−２４）は常に初期化電圧
ＶＲＥＳＥＴが与えられる。
３がハイレベルの時はＴＥＳＴ１モードとなり、受光素
子間の偶数番目のスイッチ（３−ｎ−２，３−ｎ−４，
・・・，３−ｎ−２４）はオンとなり受光素子間の奇数
番目のスイッチ（３−ｎ−１，３−ｎ−３，・・・，３
−ｎ−２３）はオフとなり、隣り合う２つの受光素子の
出力が接続された状態となる。ここでΦＲＳＴ２は常時
ハイレベルとなり、偶数番目の受光素子（２−ｎ−２，
２−ｎ−４，・・・，２−ｎ−２４）は常に初期化電圧
ＶＲＥＳＥＴが与えられる。
【００３４】全ての受光素子に光照射しテストを行った
場合、受光素子間の偶数番目のスイッチが正常に機能し
ていれば、全ての受光素子は初期化された暗状態のレベ
ルが出力され、異常がある場合は奇数番目の受光素子が
受光量に応じた出力があり異常を検出できる。図８はＴ
ＥＳＴ１モードの場合のタイムチャートである。最高解
像度ａと同様でスタートパルスΦＳＴＩＮが入力される
と、クロック信号ΦＣＫに同期し走査回路の出力Ｑ１，
・・・，Ｑ２４により読出しスイッチ素子（７−ｎ−
１，・・・，７−ｎ−２４）を順次オンし各サンプル＆
ホールド回路（５−ｎ−１，・・・，５−ｎ−２４）に
蓄積された電荷を共通信号線８（ＳＩＧ）に読み出す。
ここでは受光素子間スイッチ３−ｎ−２に異常があった
場合の１例を示しており３番目の受光素子の出力が高く
なっている。
場合、受光素子間の偶数番目のスイッチが正常に機能し
ていれば、全ての受光素子は初期化された暗状態のレベ
ルが出力され、異常がある場合は奇数番目の受光素子が
受光量に応じた出力があり異常を検出できる。図８はＴ
ＥＳＴ１モードの場合のタイムチャートである。最高解
像度ａと同様でスタートパルスΦＳＴＩＮが入力される
と、クロック信号ΦＣＫに同期し走査回路の出力Ｑ１，
・・・，Ｑ２４により読出しスイッチ素子（７−ｎ−
１，・・・，７−ｎ−２４）を順次オンし各サンプル＆
ホールド回路（５−ｎ−１，・・・，５−ｎ−２４）に
蓄積された電荷を共通信号線８（ＳＩＧ）に読み出す。
ここでは受光素子間スイッチ３−ｎ−２に異常があった
場合の１例を示しており３番目の受光素子の出力が高く
なっている。
【００３５】次にＸ１がハイレベル，Ｘ２がハイレベ
ル，Ｘ３がローレベルの時はＴＥＳＴ２モードとなり、
受光素子間の偶数番目のスイッチ（３−ｎ−２，３−ｎ
−４，・・・，３−ｎ−２４）はオフとなり受光素子間
の奇数番目のスイッチ（３−ｎ−１，３−ｎ−３，・・
・，３−ｎ−２３）はオンとなり、隣り合う２つの受光
素子の出力が接続された状態となる。ここでΦＲＳＴ２
は常時ハイレベルとなり、奇数番目の受光素子（２−ｎ
−１，２−ｎ−３，・・・，２−ｎ−２３）は常に初期
化電圧ＶＲＥＳＥＴが与えられる。
ル，Ｘ３がローレベルの時はＴＥＳＴ２モードとなり、
受光素子間の偶数番目のスイッチ（３−ｎ−２，３−ｎ
−４，・・・，３−ｎ−２４）はオフとなり受光素子間
の奇数番目のスイッチ（３−ｎ−１，３−ｎ−３，・・
・，３−ｎ−２３）はオンとなり、隣り合う２つの受光
素子の出力が接続された状態となる。ここでΦＲＳＴ２
は常時ハイレベルとなり、奇数番目の受光素子（２−ｎ
−１，２−ｎ−３，・・・，２−ｎ−２３）は常に初期
化電圧ＶＲＥＳＥＴが与えられる。
【００３６】全ての受光素子に光照射しテストを行った
場合、受光素子間の奇数番目のスイッチが正常に機能し
ていれば、全ての受光素子は初期化された暗状態のレベ
ルが出力され、異常がある場合は偶数番目の受光素子が
受光量に応じた出力があり異常を検出できる。図９はＴ
ＥＳＴ２モードの場合のタイムチャートである。最高解
像度ａと同様でスタートパルスΦＳＴＩＮが入力される
と、クロック信号ΦＣＫに同期し走査回路の出力Ｑ１，
・・・，Ｑ２４により読出しスイッチ素子（７−ｎ−
１，・・・，７−ｎ−２４）を順次オンし各サンプル＆
ホールド回路（５−ｎ−１，・・・，５−ｎ−２４）に
蓄積された電荷を共通信号線８（ＳＩＧ）に読み出す。
ここでは受光素子間スイッチ３−ｎ−３に異常があった
場合の１例を示しており４番目の受光素子の出力が高く
なっている。
場合、受光素子間の奇数番目のスイッチが正常に機能し
ていれば、全ての受光素子は初期化された暗状態のレベ
ルが出力され、異常がある場合は偶数番目の受光素子が
受光量に応じた出力があり異常を検出できる。図９はＴ
ＥＳＴ２モードの場合のタイムチャートである。最高解
像度ａと同様でスタートパルスΦＳＴＩＮが入力される
と、クロック信号ΦＣＫに同期し走査回路の出力Ｑ１，
・・・，Ｑ２４により読出しスイッチ素子（７−ｎ−
１，・・・，７−ｎ−２４）を順次オンし各サンプル＆
ホールド回路（５−ｎ−１，・・・，５−ｎ−２４）に
蓄積された電荷を共通信号線８（ＳＩＧ）に読み出す。
ここでは受光素子間スイッチ３−ｎ−３に異常があった
場合の１例を示しており４番目の受光素子の出力が高く
なっている。
【００３７】次にＸ１がハイレベル，Ｘ２がハイレベ
ル，Ｘ３がハイレベルの時はＴＥＳＴ３モードとなり、
全ての受光素子間のスイッチ（３−ｎ−１，・・・，３
−ｎ−２４）はオフとなり、ここでΦＲＳＴ２は常時ハ
イレベルとなり、偶数番目の受光素子（２−ｎ−２，２
−ｎ−４，・・・，２−ｎ−２４）は常に初期化電圧Ｖ
ＲＥＳＥＴが与えられる。全ての受光素子に光照射しテ
ストを行った場合、受光素子間のスイッチが正常に機能
していれば、偶数番目の受光素子は初期化された暗状態
のレベルが出力され、奇数番目の受光素子は受光量に応
じた出力がある。異常がある場合は偶数番目の受光素子
に受光量に応じた出力があり異常を検出できる。図１０
はＴＥＳＴ３モードの場合のタイムチャートである。最
高解像度ａと同様でスタートパルスΦＳＴＩＮが入力さ
れると、クロック信号ΦＣＫに同期し走査回路の出力Ｑ
１，・・・，Ｑ２４により読出しスイッチ素子（７−ｎ
−１，・・・，７−ｎ−２４）を順次オンし各サンプル
＆ホールド回路（５−ｎ−１，・・・，５−ｎ−２４）
に蓄積された電荷を共通信号線８（ＳＩＧ）に読み出
す。ここでは受光素子間スイッチ３−ｎ−６に異常があ
った場合の１例を示しており６番目の受光素子の出力が
高くなっている。
ル，Ｘ３がハイレベルの時はＴＥＳＴ３モードとなり、
全ての受光素子間のスイッチ（３−ｎ−１，・・・，３
−ｎ−２４）はオフとなり、ここでΦＲＳＴ２は常時ハ
イレベルとなり、偶数番目の受光素子（２−ｎ−２，２
−ｎ−４，・・・，２−ｎ−２４）は常に初期化電圧Ｖ
ＲＥＳＥＴが与えられる。全ての受光素子に光照射しテ
ストを行った場合、受光素子間のスイッチが正常に機能
していれば、偶数番目の受光素子は初期化された暗状態
のレベルが出力され、奇数番目の受光素子は受光量に応
じた出力がある。異常がある場合は偶数番目の受光素子
に受光量に応じた出力があり異常を検出できる。図１０
はＴＥＳＴ３モードの場合のタイムチャートである。最
高解像度ａと同様でスタートパルスΦＳＴＩＮが入力さ
れると、クロック信号ΦＣＫに同期し走査回路の出力Ｑ
１，・・・，Ｑ２４により読出しスイッチ素子（７−ｎ
−１，・・・，７−ｎ−２４）を順次オンし各サンプル
＆ホールド回路（５−ｎ−１，・・・，５−ｎ−２４）
に蓄積された電荷を共通信号線８（ＳＩＧ）に読み出
す。ここでは受光素子間スイッチ３−ｎ−６に異常があ
った場合の１例を示しており６番目の受光素子の出力が
高くなっている。
【００３８】このようにして、各解像度を制御端子Ｘ
１，Ｘ２，Ｘ３で複数種類選択することが可能となり、
図１に示すようにそれぞれのブロックは同回路でｍ段で
イメージセンサーを構成する。受光素子数は２４×ｍビ
ット分の全ての受光素子について走査回路を走査し、デ
ータを順次読み出す最高解像度時から、受光素子数は２
４×ｍ×１／８ビット相当の構成となる最低解像度では
受光素子間のスイッチを選択的にオンし受光素子の平均
値出力を任意の走査回路のみ走査しデータを読み飛ばす
複数の解像度を多数選択できる。また情報量を最小限に
抑えつつ走査速度を上げることができ、ダミースイッチ
による固定パターンノイズ対策およびＴＥＳＴモードに
より品質を向上させるイメージセンサーである。
１，Ｘ２，Ｘ３で複数種類選択することが可能となり、
図１に示すようにそれぞれのブロックは同回路でｍ段で
イメージセンサーを構成する。受光素子数は２４×ｍビ
ット分の全ての受光素子について走査回路を走査し、デ
ータを順次読み出す最高解像度時から、受光素子数は２
４×ｍ×１／８ビット相当の構成となる最低解像度では
受光素子間のスイッチを選択的にオンし受光素子の平均
値出力を任意の走査回路のみ走査しデータを読み飛ばす
複数の解像度を多数選択できる。また情報量を最小限に
抑えつつ走査速度を上げることができ、ダミースイッチ
による固定パターンノイズ対策およびＴＥＳＴモードに
より品質を向上させるイメージセンサーである。
【００３９】なお本実施例では便宜上、受光素子のバイ
アス電圧をＧＮＤ（０Ｖ）としているが、ＶＢＩＡＳ
（中間電位）やＶＤＤ（電源電圧）でも構わない。受光
素子間スイッチ素子においてはＮＭＯＳで構成している
が、ＰＭＯＳやＣＭＯＳ（トランスミッションゲート）
でも構わない。受光素子間を初期化するためのリセット
素子においてはＮＭＯＳで構成しているが、ＰＭＯＳで
も構わない。
アス電圧をＧＮＤ（０Ｖ）としているが、ＶＢＩＡＳ
（中間電位）やＶＤＤ（電源電圧）でも構わない。受光
素子間スイッチ素子においてはＮＭＯＳで構成している
が、ＰＭＯＳやＣＭＯＳ（トランスミッションゲート）
でも構わない。受光素子間を初期化するためのリセット
素子においてはＮＭＯＳで構成しているが、ＰＭＯＳで
も構わない。
【００４０】またＸ１，Ｘ２，Ｘ３端子を制御すること
での８種類の走査方式が得られる構成としたが、制御端
子を増設することでｍ種類となり幾つでも構わない。
での８種類の走査方式が得られる構成としたが、制御端
子を増設することでｍ種類となり幾つでも構わない。
【００４１】また低解像度時の走査回路の出力は受光素
子の平均値出力が保持されたサンプル＆ホールド回路に
合わせればどこにでも配置を変更し、解像度に応じて読
み飛ばす走査回路順は幾つでもかまわない。
子の平均値出力が保持されたサンプル＆ホールド回路に
合わせればどこにでも配置を変更し、解像度に応じて読
み飛ばす走査回路順は幾つでもかまわない。
【００４２】またセンサー素子にフォトダイオードを使
用したイメージセンサーＩＣとしたが、センサー素子は
光電変換素子のフォトトランジスタとすることで、任意
の信号を取り出したり、解像度を切り替えることができ
るリニアイメージセンサーＩＣや光学式の指紋センサー
や、センサー素子に静電容量を使用すれば任意の信号を
取り出したり、解像度を切り替えることができる静電容
量型の指紋センサーに応用できる。
用したイメージセンサーＩＣとしたが、センサー素子は
光電変換素子のフォトトランジスタとすることで、任意
の信号を取り出したり、解像度を切り替えることができ
るリニアイメージセンサーＩＣや光学式の指紋センサー
や、センサー素子に静電容量を使用すれば任意の信号を
取り出したり、解像度を切り替えることができる静電容
量型の指紋センサーに応用できる。
【００４３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明により、同
一ＩＣで複数の解像度を切り替える事が出来、低解像度
時には受光素子の出力端子間を接続することでデータ抜
けが無く、かつ平均値を出力するため解像度による受光
素子の出力レベルは常に一定となり後段の画像処理の回
路の入力電圧、読出し時には解像度に応じて読み飛ばす
走査回路により解像度に応じた読取り速度が得られる。
また受光素子間のダミースイッチをブロック間および１
番目と最終番目の受光素子に接続することで、各受光素
子の負荷容量を同一とすることで固定パターンノイズが
発生しにくい。また受光素子間のスイッチのプロセス異
常による誤動作をＴＥＳＴモードにより検出することで
品質が高めることを可能にした。
一ＩＣで複数の解像度を切り替える事が出来、低解像度
時には受光素子の出力端子間を接続することでデータ抜
けが無く、かつ平均値を出力するため解像度による受光
素子の出力レベルは常に一定となり後段の画像処理の回
路の入力電圧、読出し時には解像度に応じて読み飛ばす
走査回路により解像度に応じた読取り速度が得られる。
また受光素子間のダミースイッチをブロック間および１
番目と最終番目の受光素子に接続することで、各受光素
子の負荷容量を同一とすることで固定パターンノイズが
発生しにくい。また受光素子間のスイッチのプロセス異
常による誤動作をＴＥＳＴモードにより検出することで
品質が高めることを可能にした。
【図１】本発明の実施形態におけるイメージセンサーの
全体回路図
全体回路図
【図２】図１におけるｎ段目のブロックの回路図
【図３】最高解像度ａの場合のタイムチャート
【図４】最高解像度ａ＊１／２の場合のタイムチャート
【図５】最高解像度ａ＊１／４の場合のタイムチャート
【図６】最高解像度ａ＊１／６の場合のタイムチャート
【図７】最高解像度ａ＊１／８の場合のタイムチャート
【図８】ＴＥＳＴ１モードの場合のタイムチャート
【図９】ＴＥＳＴ２モードの場合のタイムチャート
【図１０】ＴＥＳＴ３モードの場合のタイムチャート
【図１１】従来の回路図
【符号の説明】
１ リセット回路素子列
２ 受光素子列
３ 受光素子間スイッチ素子列
４ アンプ１回路列
５ サンプル＆ホールド回路列
６ アンプ２回路列
７ 読出しスイッチ素子列
８ 共通信号線ＳＩＧ
９ 走査回路列
１０ ダミースイッチ
１１ 各解像度およびＴＥＳＴモードの切替制御回路
フロントページの続き
(72)発明者 河原 行人
千葉県千葉市美浜区中瀬１丁目８番地 セ
イコーインスツルメンツ株式会社内
Ｆターム(参考） 5C024 EX01 HX13
5C051 AA01 BA03 DA03 DB01 DB12
DB18 DC03 DC07
Claims (7)
- 【請求項１】 複数のリニアイメージセンサーＩＣを直
線状に配置実装して構成されるイメージセンサーにおい
て、 受光量に応じた出力信号を出力する複数の受光素子が第
１の解像度で配置された受光素子回路列と、 前記受光素子回路列を初期化するリセット回路素子列
と、 隣り合う複数の前記受光素子の出力端子間を接続するス
イッチ素子列と、前記受光素子回路列の出力のインピー
ダンス変換を行う第１のアンプ回路列と前記第１のアン
プ回路列の出力を一時的に保持するサンプル＆ホールド
回路列と前記サンプル＆ホールド回路列の出力のインピ
ーダンス変換を行う第２のアンプ回路列と前記第２のア
ンプ回路列の出力を読み出す読出しスイッチ素子列と、 前記読出しスイッチ素子列を制御する走査回路列で構成
され、前記第１の解像度と前記第１の解像度の１／ｎの
解像度とを複数切り替えることを特徴とするイメージセ
ンサー。 - 【請求項２】 前記リニアイメージセンサーＩＣが、第
ｉ番目の受光素子の出力端子と隣り合う第（ｉ＋１）番
目の出力端子間を接続する複数のスイッチ素子が全ての
前記受光素子の出力端子間に接続されていることを特徴
とする請求項１に記載のイメージセンサー。 - 【請求項３】 前記リニアイメージセンサーＩＣが、隣
り合うｎ個の受光素子の出力端子間を接続する前記スイ
ッチ素子がオン状態の時、前記隣り合うｎ個の受光素子
の平均値を出力することを特徴とする請求項１に記載の
イメージセンサー。 - 【請求項4】 前記リニアイメージセンサーＩＣが、第
１番目の受光素子の出力端子と最終番目の受光素子の出
力端子にはダミーのスイッチ素子が接続されることを特
徴とする請求項１に記載のイメージセンサー。 - 【請求項５】 前記リニアイメージセンサーＩＣが、走
査回路で前記サンプリング＆ホールド回路列の出力信号
を任意に読み飛ばせる、読み飛ばし機能を具備したリニ
アイメージセンサーＩＣで構成されることを特徴とする
請求項１に記載のイメージセンサー。 - 【請求項６】 前記リニアイメージセンサーＩＣが、前
記受光素子回路列を初期化するリセット回路素子列のリ
セット素子は複数の制御線で制御されることを特徴とす
る請求項１に記載のイメージセンサー。 - 【請求項７】 前記リニアイメージセンサーＩＣが、テ
ストモードにより隣り合う複数の前記受光素子の出力端
子間を接続するスイッチ素子の導通または断線状態を検
査出来ることを特徴とする請求項１に記載のイメージセ
ンサー。
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009290569A (ja) * | 2008-05-29 | 2009-12-10 | Seiko Instruments Inc | 光電変換装置 |
| WO2020084910A1 (ja) * | 2018-10-24 | 2020-04-30 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 指紋検出装置及び指紋検出装置付き表示装置 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4219777B2 (ja) * | 2003-09-12 | 2009-02-04 | セイコーインスツル株式会社 | リニアイメージセンサー |
| JP4202303B2 (ja) * | 2004-07-09 | 2008-12-24 | セイコーインスツル株式会社 | 光電変換装置及び信号読み出し回路とイメージセンサ |
| JP5151507B2 (ja) * | 2008-01-29 | 2013-02-27 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子、固体撮像素子の信号読み出し方法および撮像装置 |
| JP2010166528A (ja) * | 2009-01-19 | 2010-07-29 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
| EP2665257B1 (en) * | 2012-05-16 | 2014-09-10 | Harvest Imaging bvba | Image sensor and method for power efficient readout of sub-picture |
| WO2015084991A1 (en) | 2013-12-04 | 2015-06-11 | Rambus Inc. | High dynamic-range image sensor |
| US10145734B2 (en) * | 2016-08-22 | 2018-12-04 | Semiconductor Components Industries, Llc | Methods and apparatus for a light sensor |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11234473A (ja) * | 1998-02-19 | 1999-08-27 | Canon Inc | 光電変換装置及び密着型イメージセンサと画像読取装置 |
| JP2000152095A (ja) * | 1998-11-18 | 2000-05-30 | Canon Inc | 撮像装置及びそれを用いた撮像システム |
| JP2000299764A (ja) * | 1999-04-13 | 2000-10-24 | Canon Inc | イメージセンサユニット及びそれを用いた画像読み取り装置 |
| JP2001007980A (ja) * | 1999-06-22 | 2001-01-12 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 原稿読取装置およびその動作方法 |
| JP2001024947A (ja) * | 1999-07-07 | 2001-01-26 | Canon Inc | 光電変換チップ及びイメージセンサ、イメージセンサユニット |
| JP2001077973A (ja) * | 1999-09-03 | 2001-03-23 | Rohm Co Ltd | 画像読み取り用半導体装置およびこれを用いた画像読み取り装置 |
| JP2001245101A (ja) * | 2000-03-01 | 2001-09-07 | Konica Corp | 画像形成装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5262871A (en) * | 1989-11-13 | 1993-11-16 | Rutgers, The State University | Multiple resolution image sensor |
| JP3571934B2 (ja) * | 1998-10-23 | 2004-09-29 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | イメージセンサー |
| US6759641B1 (en) * | 2000-09-27 | 2004-07-06 | Rockwell Scientific Licensing, Llc | Imager with adjustable resolution |
-
2002
- 2002-02-21 JP JP2002045036A patent/JP4047028B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-02-06 TW TW092102424A patent/TWI252681B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-02-14 US US10/367,131 patent/US7015449B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-02-21 KR KR1020030010958A patent/KR100904113B1/ko active IP Right Grant
- 2003-02-21 CN CNB03105451XA patent/CN100525366C/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11234473A (ja) * | 1998-02-19 | 1999-08-27 | Canon Inc | 光電変換装置及び密着型イメージセンサと画像読取装置 |
| JP2000152095A (ja) * | 1998-11-18 | 2000-05-30 | Canon Inc | 撮像装置及びそれを用いた撮像システム |
| JP2000299764A (ja) * | 1999-04-13 | 2000-10-24 | Canon Inc | イメージセンサユニット及びそれを用いた画像読み取り装置 |
| JP2001007980A (ja) * | 1999-06-22 | 2001-01-12 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 原稿読取装置およびその動作方法 |
| JP2001024947A (ja) * | 1999-07-07 | 2001-01-26 | Canon Inc | 光電変換チップ及びイメージセンサ、イメージセンサユニット |
| JP2001077973A (ja) * | 1999-09-03 | 2001-03-23 | Rohm Co Ltd | 画像読み取り用半導体装置およびこれを用いた画像読み取り装置 |
| JP2001245101A (ja) * | 2000-03-01 | 2001-09-07 | Konica Corp | 画像形成装置 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009290569A (ja) * | 2008-05-29 | 2009-12-10 | Seiko Instruments Inc | 光電変換装置 |
| WO2020084910A1 (ja) * | 2018-10-24 | 2020-04-30 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 指紋検出装置及び指紋検出装置付き表示装置 |
| JP2020067834A (ja) * | 2018-10-24 | 2020-04-30 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 指紋検出装置及び指紋検出装置付き表示装置 |
| CN112930551A (zh) * | 2018-10-24 | 2021-06-08 | 株式会社日本显示器 | 指纹检测装置以及带有指纹检测装置的显示装置 |
| US11436859B2 (en) | 2018-10-24 | 2022-09-06 | Japan Display Inc. | Fingerprint detection device and display device with fingerprint detection device |
| JP7222656B2 (ja) | 2018-10-24 | 2023-02-15 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 指紋検出装置及び指紋検出装置付き表示装置 |
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