JP2000299764A - イメージセンサユニット及びそれを用いた画像読み取り装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 解像度を切り換え時に、解像度に応じた読み
取り速度を実現し、かつ読み取り速度を速めても光電変
換信号の出力レベルの低下を防止し、加えて安価なイメ
ージセンサユニットを提供することを課題とする。 【解決手段】 原稿に光を照射する光照射手段と、前記
原稿からの光を入射する複数の光電変換手段を有する光
電変換装置とを備えるイメージセンサユニットにおい
て、前記光照射手段は、前記光電変換装置と共に駆動を
開始し、前記光電変換装置から出力される光電変換信号
を入力すると、前記駆動を終了する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、たとえば、ファク
シミリ、イメージスキャナ、ディジタル複写機等の画像
読み取り装置及びそれに用いるイメージセンサユニット
に関し、特に解像度切り換え機能を有する光電変換装置
と光源を含むイメージセンサユニット及び画像読み取り
装置の光源の点灯期間制御に関わるものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、光電変換装置の分野においては、
ＣＣＤの他に各画素にバイポーラトランジスタを増幅素
子として設けたＢＡＳＩＳ、各画素にＭＯＳトランジス
タを増幅素子として設けた増幅型の光電変換装置（たと
えば特開平１−１５４６７８号公報）等が提案されてい
る。このような増幅型の光電変換装置においては、各画
素に設けている増幅素子のバラツキが固定パターンノイ
ズ（Fixed Pattern Noise：以下、ＦＰＮと称する。）
となるという問題があり、ＦＰＮ除去方法に関して、さ
まざまな提案がなされている。

【０００３】（従来技術１）ＦＰＮ除去方法の１つとし
て、光信号（Ｓ信号）と暗状態の信号（Ｎ信号）との差
分をとることにより、増幅素子のバラツキを補正する方
法が提案されている。このＦＰＮ補正手法を図１１、図
１２に示す。

【０００４】図１１は光電変換装置を各画素に有する１
次元の光電変換装置の１ｂｉｔ分の回路図、図１２はそ
のタイミングチャートである（テレビジョン学会誌 Ｖ
ｏｌ．４７、Ｎｏ９（１９９３）ｐｐ．１１８０）。

【０００５】図１１に示す回路動作、及びＦＰＮ除去に
ついて説明する。まず、光信号保持容量Ｃ_TS１０１、ノ
イズ信号保持容量Ｃ_TN１０２をリセットし、つぎに、セ
ンサであるバイポーラトランジスタ１０９にベースに光
量に応じた電荷を受光する。そして、受光した電荷の蓄
積が終了した後、ノイズを含む光信号を光信号保持容量
Ｃ_TS１０１に転送する。

【０００６】つづいて、バイポーラトランジスタ１０９
のリセット動作を行い、ノイズ信号をノイズ信号保持容
量Ｃ_TN１０２に転送する。そして、再度、センサのリセ
ット動作を行って蓄積動作にはいる。また、蓄積動作中
にシフトレジスタが走査を開始する。

【０００７】まず、最初に光信号共通出力線１０３及び
ノイズ信号共通出力線１０４をリセットＭＯＳ１０５、
１０６を用いてリセットした後、光信号保持容量Ｃ_TS１
０１、ノイズ信号保持容量Ｃ_TN１０２のデータを、共通
出力線１０３、１０４にそれぞれ共通出力線容量Ｃ_HS１
０７、共通出力線容量Ｃ_HN１０８との容量分割にて出力
する。

【０００８】ここで、共通出力線容量Ｃ_HS１０７、Ｃ_HN
１０８は各共通出力線の容量であるが、以後、光信号共
通出力線をＣ_HS、ノイズ信号共通出力線をＣ_HNと定義す
る。その後、再び共通出力線容量Ｃ_HS１０７、共通出力
線容量Ｃ_HN１０８をリセットして、図示しない次の画素
の光信号保持容量Ｃ_TS、ノイズ信号保持容量Ｃ_TNのデー
タを読み出す。

【０００９】この動作を繰り返してすべての画素の信号
を出力する。出力された信号はそれぞれボルテージホロ
ア１１３、１１４を介して差動アンプ１１５に入力され
光電変換装置の出力となる。ここで、チップ内のＦＰＮ
は主に各画素のバイポーラトランジスタ１０９のｈ_FEな
どのバラツキに起因するものが主であり、上記のＳ−Ｎ
方式により、画素ごとのｈ_FEバラツキに起因するＦＰＮ
を除去することが可能となる。

【００１０】なお、ここでいうＦＰＮは暗時の固定パタ
ーンノイズのことであり、以降、ＦＰＮは暗時の固定パ
ターンノイズと定義する。

【００１１】以下に、従来技術におけるＦＰＮ除去につ
いて説明する。

【００１２】図１１において、光信号共通出力線１０３
の信号（Ｓｏｕｔ）及びノイズ信号共通出力線１０４の
信号（Ｎｏｕｔ）は次式であらわされる。

【００１３】 Ｓｏｕｔ＝（Ｖ_S×Ｃ_TS）＋（Ｖ_CHS×Ｃ_HS）／（Ｃ_TS＋
Ｃ_HS） Ｎｏｕｔ＝（Ｖ_N×Ｃ_TN）＋（Ｖ_CHR×Ｃ_HN）／（Ｃ_TN＋
Ｃ_HN） ここで、 Ｖ_N：ノイズ信号読み出し時のノイズ信号蓄積容量Ｃ_TS
の電圧、 Ｖ_S：光信号読み出し時の光信号蓄積容量Ｃ_TSの電圧、 である。すなわち、光信号成分の電圧をＶ_SIGとする
と、Ｖ_S＝Ｖ_SIG＋Ｖ_Nとなる。

【００１４】（１）、（２）式において、 Ｃ_HS＝Ｃ_HN＝Ｃ_H Ｖ_S＝Ｖ_N＝Ｖ_CT（暗時） Ｃ_TS＝Ｃ_TN＝Ｃ_T であるならば、上記の差分信号は Ｓｏｕｔ−Ｎｏｕｔ＝０ となる。

【００１５】また、Ｖ_Sが、所定の光量を受けた場合、
Ｖ_S＝Ｖ_SIG＋Ｖ_Nとなることから、Ｖ _SIG＝Ｖ_SIG＋Ｖ_N−
Ｖ_Nから真の光信号成文のみを読み出すことができる。
したがって、仮にＶ_CTが画素ごとにばらついていたとし
ても、（１）、（２）式の差分信号は０となるためＦＰ
Ｎが除去できることになるとしている。

【００１６】（従来技術２）上記従来技術１は受光素子
としてバイポーラトランジスタを用いた例であるが、バ
イポーラトランジスタの代わりに、ホトダイオードとＭ
ＯＳアンプを用いた光電変換装置が、たとえば特開平９
−２０５５８８号公報に提案されている。

【００１７】この公報においては、画素ごとに設けたＭ
ＯＳソースホロアのしきい値バラツキに起因するＦＰＮ
は、従来技術１のＦＰＮ除去回路を用いて低減すること
ができることが開示されている。

【００１８】（従来技術３）例えば、特開平１０−１２
６５７５号公報には、光源切り換え型のイメージセンサ
を用いた画像形成装置、制御方法及びシステムが提案さ
れている。

【００１９】図１３は、上記公報に掲載されている画像
形成装置を示す図である。この画像形成装置は、まず、
異なる波長の光を複数のＬＥＤ光源１１３，１１４，１
１５から照射する。照射された画像は、読み取りセンサ
１１２が読みとる場合に、画像を単一色で読みとる第１
のモードと複数色で読みとる第２のモードとを、点滅モ
ード設定レジスタ７０６が切り換える。また、光源１１
３，１１４，１１５の点灯時間が点灯時間制御レジスタ
７０２、点灯時間カウンタ７０３、点灯時間自動調整回
路７０５により設定され、光源１１３，１１４，１１５
に供給される電流が点灯電流制御回路７０７により設定
される。そして、ＣＰＵがモードに応じてこれらの制御
を行う。

【００２０】（従来技術４）さらに、解像度切り換え方
式の光電変換装置については、たとえば、特開平５−２
２７３６２号公報には、新規に解像度制御用のコントロ
ール端子を設け、ユーザが利用条件にあわせて解像度を
切り換えることが可能な密着型イメージセンサが提案さ
れている。図１４は、当該公開公報に提案されている密
着型イメージセンサ用集積回路の回路図である。

【００２１】この従来技術においては、イメージセンサ
チップにコントロール端子（１２５）を設け、その端子
にユーザが、ハイレベル又はローレベルの信号を入力す
ることにより解像度切り換えを実現している。図１４に
ついて概略説明すれば、スタートパルスＳＩとクロック
パルスＣＬＫとにより、シフトレジスタ１０４が起動さ
れると、その出力はノアゲート１２１、アンドゲート１
２０を通ってチャンネルセレクトスイッチ１０３に入力
され、これをオンにし、フォトセル１０１からの信号を
信号ライン１０７に取り出す。

【００２２】ここで、コントロール信号入力端子１２５
に入力する信号の”Ｈ”又は、”Ｌ”によって、アナロ
グスイッチ１１０ａなどが切り換えられ、画像出力端子
１１１に１６ドット／ミリ又は、８ドット／ミリの読み
取り密度で画像信号が得られる。つまり、センサＩＣ上
のフォトセル１０１ａ〜１０１ｌは常に全数が動作して
いるが、外部に出力画像信号を取り出す際に、コントロ
ール信号によって一部を間引いて出力させることができ
るとしている。

【００２３】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の従来技
術４に開示されている密着型イメージセンサの解像度切
り換え方式においては、画素を読み飛ばすことにより解
像度を切り換えている。そのため、解像度が通常の場合
でも、解像度を半分にした場合でも、双方のクロックレ
ートが同一の場合には、読み出し時間は変わらない。

【００２４】仮に、受光素子が６００ｄｐｉの光学解像
度で配置され、高解像度モードで６００ｄｐｉ、低解像
度モードで３００ｄｐｉの解像度が得られるとすると、
たとえば、６００ｄｐｉ時に６ｍｓｅｃ／ｌｉｎｅの読
み取り速度が得られる場合、３００ｄｐｉ時でも６ｍｓ
ｅｃ／ｌｉｎｅの読み取り速度となり、解像度を落とし
ても読み取り速度が変わらない。すなわち、解像度に応
じた読み取り速度を実現することができないという問題
がある。

【００２５】ここで、読み取り速度は、ほぼ容量の蓄積
時間に相当する。そのため、３００ｄｐｉ時の蓄積時間
は６００ｄｐｉ時の蓄積時間の約半分となる。したがっ
て、容量に蓄積する電荷量も少ない。よって、低解像度
の場合に、高解像度の場合と同様の光出力の強さを得る
ためには、読み出しゲインの２倍にする必要がある。

【００２６】しかし、たとえば、容量分割による画素加
算においては、２画素分割加算を行う場合、読み出しゲ
インの比は、 ｛２Ｃ_T／（２Ｃ_T＋Ｃ_H）｝／｛Ｃ_T／（Ｃ_T＋Ｃ_H）｝＝
（Ｃ_T＋Ｃ_H）／（Ｃ_T＋Ｃ_H／２）＜２ となる。すなわち、読み出しゲインは２未満となる。

【００２７】上記の例を一般化すると、Ｎ画素分の容量
分割加算により、解像度を１／Ｎに切り換える場合に
は、蓄積時間が１／Ｎとなるため、解像度切り換え時に
おいても同様の信号出力を得るためには、Ｎ倍の読み出
しゲインが必要となるが、読み出しゲインの比は、 ｛ＮＣ_T／（ＮＣ_T＋Ｃ_H）｝／｛Ｃ_T／（Ｃ_T＋Ｃ_H）｝＝
（Ｃ_T＋Ｃ_H）／（Ｃ_T＋Ｃ_H／Ｎ）＜Ｎ となり、Ｎ倍の読み出しゲインを得ることはできない。

【００２８】また、従来技術３は、解像度切り換えモー
ドのないイメージセンサユニットの制御系であるが、こ
の制御系に解像度切り換え時を含むすべての動作モード
においておのおののパラメータを制御する場合、システ
ムが複雑となり、コストの高いものとなる場合がある。

【００２９】すなわち、従来技術においては、安価に、
解像度切り換え時に同等の光出力信号レベルを得られる
画像読み取り装置を提供することができない場合があ
る。

【００３０】そこで、本発明は、解像度を切り換え時
に、解像度に応じた読み取り速度を実現し、かつ読み取
り速度を速めても光電変換信号の出力レベルの低下を防
止し、加えて安価なイメージセンサユニット及びそれを
用いた画像読み取り装置を提供することを課題とする。

【００３１】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、原稿に光を照射する光照射手段と、前記
原稿からの光を入射する複数の光電変換手段を有する光
電変換装置とを備えるイメージセンサユニットにおい
て、前記光照射手段は、前記光電変換装置と共に駆動を
開始し、前記光電変換装置から出力される光電変換信号
を入力すると、前記駆動を終了する。

【００３２】また、本発明は、原稿に光を照射する光照
射手段と、前記原稿からの光を入射する複数の光電変換
手段を有する光電変換装置とを備えるイメージセンサユ
ニットと、前記イメージセンサを駆動するセンサ駆動手
段とを備えた画像読み取り装置において、前記イメージ
センサユニットは、前記駆動手段から出力される駆動開
始信号により駆動を開始し、前記光照射手段は、前記光
電変換装置から出力される光電変換信号を入力すると、
前記駆動を終了する。

【００３３】

【発明の実施の形態】以下、図面を用いて、本発明の実
施形態について説明する。

【００３４】［実施形態１］図１は、本発明の実施形態
１における光電変換装置を用いた密着型イメージセンサ
の回路ブロック図である。図２は、図１における８ビッ
ト分のシフトレジスタと受光素子の回路ブロック図であ
る。図３は、光電変換装置内の４画素分の受光素子の等
価回路図である。図４は、図２の動作を示すタイミング
チャートである。

【００３５】図１に示すように、光電変換装置１，１’
がマルチ実装され、密着型イメージセンサが形成されて
いる。なお、図１には２チップ分のみを図示している
が、実際にはたとえば１５チップをマルチ実装して密着
型イメージセンサを構成している。

【００３６】光電変換装置１，１’には、それを駆動す
るクロックＣＬＫ、スタートパルスＳＰ及び解像度切り
換え信号ＭＯＤＥが共通接続されている。また、ライン
センサの読み出しスタート信号ＳＩがイメージセンサチ
ップ１に入力されている。解像度切り換え信号ＭＯＤＥ
がハイレベルの場合には、たとえば高解像度モード６０
０ｄｐｉの解像度が得られる構成としている。また、ロ
ーレベルの場合には、たとえば低解像度モード３００ｄ
ｐｉの解像度が得られる構成としている。

【００３７】さらに、光電変換装置１，１’は、４ｂｉ
ｔの遅延を有するプレシフトレジスタ２，２’と、シフ
トレジスタ３，３’と、３４４ビットの受光素子アレイ
４，４’と、タイミング発生回路５，５’と、信号出力
アンプブロック６，６とを備えている。ここで、シフト
レジスタ３，３’は、４ビット分のシフトレジスタブロ
ック１１を備えている。

【００３８】また、受光素子アレイ４、４′で受光され
た画像信号は、シフトレジスタ３，３’のシフト信号に
よって、オン／オフするスイッチを介して、信号出力線
に読み出され、信号出力アンプブロック６、６′で増幅
される。そうして、タイミング発生回路５、５′の制御
信号によってスイッチングされて信号出力Ｖｏｕｔとし
て出力される。

【００３９】信号出力アンプブロック６、６′は、解像
度切り換え信号（ＭＯＤＥ）線と接続されている。信号
出力アンプブロック６、６′は、ＭＯＤＥ信号により切
り換えられる解像度に応じて、増幅率を変化させる手段
を備えている。信号出力アンプブロック６、６′の詳細
は後に述べる。

【００４０】また、高解像度モード時のスタート信号９
−１，９’−１及び低解像度時のスタート信号９−２，
９’−２を、スタート信号切り換え手段１０，１０’を
用いて選択することにより、次チップスタート信号９，
９’が得られる構成としている。また、次チップスター
ト信号９、９′は、各光電変換装置１、１’のビットが
読み出しを終了するときよりＮビット前（Ｋ−Ｎビッ
ト）時の信号を、シフトレジスタ３、３′の最終レジス
タの手前Ｎビット部分から次チップのスタート信号とし
て出力する。

【００４１】また、クロック信号ＣＬＫとスタートパル
ス信号ＳＰとで駆動されるタイミング発生回路５、５′
により、受光素子４、４′を駆動するパルス及びシフト
レジスタ３、３′を駆動する駆動パルス７、７’及び
８、８’が生成される。スタートパルス信号ＳＰが各イ
メージセンサチップに共通に接続されているのは、各イ
メージセンサチップの動作開始の同期をとるためであ
る。

【００４２】図２は、８ビット分のシフトレジスタと受
光素子との回路ブロック図である。シフトレジスタは、
４ビットを１ブロックとするシフトレジスタブロック１
１に備えられている。すなわち、シフトレジスタブロッ
ク１１は、Φ１同期の１ビットシフトレジスタ１２−１
〜１２−４と、Φ２同期の１ビットシフトレジスタ１３
−１〜１３−４及びモード信号を切り換えるアナログス
イッチＳ１１〜Ｓ１７と，Ｓ２１〜Ｓ２７とを備えてい
る。

【００４３】また、シフトレジスタブロック１１は、読
み出しパルス線Φａ１〜Φｄ１を介して、受光素子ａ１
〜ｄ１と図示しない信号出力線間の各スイッチ制御端子
と接続されている。

【００４４】図３は、図２における受光素子４画素分の
等価回路を示す図面である。図３の各々の受光素子ａ１
〜ｄ１は、光電変換手段となるホトダイオードＰＤａ〜
ＰＤｄと、読み出しスイッチＭ１ａ〜Ｍ１ｄと、信号転
送スイッチＭ２ａ〜Ｍ２ｄと、ＭＯＳソースホロアＭ３
ａ〜Ｍ３ｄと、光電変換手段をリセットする手段である
リセットスイッチＭ４ａ〜Ｍ４ｄと、一時的に電荷を蓄
積する蓄積容量Ｃａ〜Ｃｄとを備えている。

【００４５】各々の受光素子ａ１〜ｄ１の信号出力は、
共通信号線１４に出力される。そして、信号出力アンプ
ブロック６で増幅されて、出力端子Ｖｏｕｔから出力さ
れる。本実施形態において、信号出力アンプブロック６
は、共通出力線１４の出力をインピーダンス変換する入
力バッファアンプ６−１と、反転端子に抵抗を並列接続
し、非反転端子から入力バッファアンプ６−１の出力を
入力し増幅するゲインアンプ６−２と、ゲインアンプ６
−２のゲインを可変するゲイン可変手段６−３とを備え
る。

【００４６】ゲイン可変手段６−３は、たとえば、アナ
ログスイッチを用いて構成され、リファレンス電圧を備
える。そして、入力される解像度切り換え制御信号（Ｍ
ＯＤＥ）に応じてアナログスイッチが切り換えられる。
それに伴い、ゲインアンプ６−２に接続される抵抗も切
り換えられる。したがって、解像度に応じた電圧がゲイ
ンアンプ６−２の反転端子に入力される。そのため、信
号出力アンプブロック６は、解像度切り換え制御信号
（ＭＯＤＥ）、すなわち、解像度に応じたアンプゲイン
を得ることができる。

【００４７】以下、本実施形態の動作について説明す
る。図３に示す各受光素子ａ１〜ｄ１において、ホトダ
イオードＰＤａ〜ＰＤｄにて光電変換により生成した光
キャリアは、ＭＯＳソースホロアＭ３ａ〜Ｍ３ｄで電荷
は電圧に変換され、信号転送パルスΦＴにて全画素一致
にて蓄積容量Ｃａ〜Ｃｄに転送される。つづいて、シフ
トレジスタ１１から順次ハイとなる読み出しパルスΦａ
１〜Φｄ１によって、順次読み出しスイッチＭ１ａ〜Ｍ
１ｄをオン状態にし、共通信号線１４に信号電圧が容量
分割として読み出される。

【００４８】本実施形態においては、高解像度モード時
には読み出しパルスΦａ１〜Φｄ１は順次オンしていく
が、低解像度モード時には、隣接する２ビット、すなわ
ちシフトレジスタ１１から走査するΦａ１とΦｂ１とが
同時にオンし、つづいてΦｃ１とΦｄ１とが同時にオン
する構成となる。

【００４９】したがって、低解像度モードにおいては２
画素の容量分割加算により、信号電圧を高解像度モード
時より大きくすることが可能となる。なお、上記の容量
分割加算については、たとえば、特開平４−４６８２号
公報に開示されている。

【００５０】つぎに、図２、図４を用いてシフトレジス
タ部の動作を説明する。図２において、ＭＯＤＥ信号が
ハイレベルの場合は、Ｓ１１、Ｓ２１、Ｓ１６、Ｓ１
７、Ｓ２６、Ｓ２７のアナログスイッチがオフ状態とな
り、一方、Ｓ１２、Ｓ１３、Ｓ１４、Ｓ１５、Ｓ２２、
Ｓ２３、Ｓ２４、Ｓ２５がオン状態となる。

【００５１】したがって、解像度切り換えのない、通常
のシフトレジスタ動作となり、各受光素子ａ１〜ｄ１用
の読み出し制御パルスΦａ１からΦｄ２までは時系列的
に順次オン状態となる。なお、図２においては、画像信
号の出力線を図示していないが、制御パルスΦａ１から
Φｄ２による順次ハイとなるのに同期して、各受光素子
ａ１からｄ２の受光電荷が信号出力線に出力される。

【００５２】つぎに、ＭＯＤＥ信号がローレベルの場合
は、Ｓ１１、Ｓ２１、Ｓ１６、Ｓ１７、Ｓ２６、Ｓ２７
のアナログスイッチがオン状態となり、一方、Ｓ１２、
Ｓ１３、Ｓ１４、Ｓ１５、Ｓ２２、Ｓ２３、Ｓ２４、Ｓ
２５がオフ状態となる。したがって、シフトレジスタ１
２−１にシフトパルスが入力されると、シフトレジスタ
１２−１からΦａ１とΦｂ１とがΦ１同期で出力され、
受光素子ａ１とｂ１との信号を同時に読み出す。

【００５３】つづいて、シフトパルスは、アナログスイ
ッチＳ１１を介してシフトレジスタ１３−２に入力さ
れ、シフトレジスタ１３−２からΦｃ１とΦｄ１とが、
Φ２同期で出力され、受光素子ｃ１とｄ１との信号を同
時に読み出す。低解像度読み出しのモードの場合も、図
示しない出力線に受光素子ａ１とｂ１、ｃ１とｄ１、ａ
２とｂ２、ｃ２とｄ２というように、対の受光素子の加
算電荷が順次読み出される。

【００５４】このとき、シフトレジスタ１３−１及びシ
フトレジスタ１２−２は、シフトパルスが入力されない
ため動作しない。同様に、シフトレジスタ１２−３から
Φａ２とΦｂ２とが、Φ１同期で出力され、受光素子ａ
２とｂ２との信号を同時に読み出し、シフトレジスタ１
３−４からΦｃ２とΦｄ２とがΦ２同期で出力され、受
光素子ｃ２とｄ２との信号を同時に読み出す。

【００５５】以上の動作のタイミングチャートを図４に
示す。図４において、クロック信号ＣＬＫと、同期信号
Φ１，Φ２が高解像度モードと低解像度モードとに共通
に供給され、スタート信号ＳＲがハイとなると共に高解
像度モードと低解像度モードとのそれぞれの画像信号出
力が得られる。図４より、同一のクロックレートにおい
て、低解像度モードにおいては、高解像度モード時の２
倍の読み出し速度で読み出すことが可能であることがわ
かる。

【００５６】つぎに、次チップスタート信号の切り換え
手段について説明する。図１において、プレシフトレジ
スタ２、２′は、たとえば、４ビットの遅延を有するた
め、４ビット前の信号を次チップのスタート信号として
出力しなければならない。したがって、高解像度モード
の場合には、光電変換装置１、１′は、たとえば、それ
ぞれ３４４ビットの信号を備えるため、３４１ビット目
のシフトレジスタ信号９−１、９′−１を次チップスタ
ート信号として用いる。

【００５７】また、低解像度モードにおいては、２画素
加算信号が１ビットとなるため、光電変換装置１、１′
は等価的に１７７ビットの信号を出力することになる。
したがって、受光素子換算で３３７ビット目のシフトレ
ジスタ信号９−２、９′−２を次チップスタート信号と
して用いる。すなわち、次チップスタート信号を切り換
えるスタート信号切り換え手段を設けることにより、解
像度を切り換えても光電変換装置１、１′の継ぎ目の部
分において画素信号は連続性を保つことができる。

【００５８】なお、本実施形態においては、光電変換装
置のビット数を３４４ビットとしたが、４の倍数のビッ
ト数であれば幾つでも構わない。また、解像度も［高解
像モード／低解像モード］が［６００ｄｐｉ／３００ｄ
ｐｉ］の場合に限らず、たとえば、［４００ｄｐｉ／２
００ｄｐｉ］などの解像度でも構わない。

【００５９】さらに、本実施形態は高解像度モードと低
解像度モードの解像度比が２倍の場合を示したが、たと
えば、６画素を１ブロックとし、光電変換装置の画素数
を６の倍数とすることで、［６００ｄｐｉ／２００ｄｐ
ｉ］の切り換えのように、解像度比を３倍に設定するこ
ともできる。

【００６０】また、シフトレジスタ駆動パルスを、２つ
として説明しているが、これに限られるものではなくシ
フトレジスタの構成を変えることにより、たとえば、３
つのシフトレジスタ駆動パルスでは、低解像度が選択さ
れた場合には隣り合う３つの受光素子を加算して読み出
すようにすることもできる。

【００６１】つぎに、再び図３を用いて本発明の特徴と
なるゲイン可変手段６−３について説明する。図３にお
いて、共通出力線１４上の信号は、信号出力アンプブロ
ック６にて増幅されるが、信号出力アンプブロック６に
は解像度切り換え信号（ＭＯＤＥ）が接続され、ＭＯＤ
Ｅ端子から入力される解像度に応じて、ゲインアンプ６
−２のゲインがゲイン可変手段６−３により変化する構
成としている。本実施形態においては、アナログスイッ
チを用いてゲインアンプ６−２のＲ１〜Ｒ３による抵抗
比を変化させることにより、ゲインを変化させる例を示
す。図４において、高解像度モード時（ＭＯＤＥ＝Ｈ
ｉ）のときのアンプゲイン及び低解像度モード時（ＭＯ
ＤＥ＝Ｌｏ）のときのゲインアンプ６−２のゲインを、
それぞれＧ ₆₀₀、Ｇ₃₀₀ とすると、 Ｇ₆₀₀＝（Ｒ１＋Ｒ２）／Ｒ２ Ｇ₃₀₀＝（Ｒ１＋Ｒ２//Ｒ３）／（Ｒ２//Ｒ３） となる。

【００６２】本実施形態においては、たとえば、 Ｒ１＝１８．０ｋΩ Ｒ２＝２．０ｋΩ Ｒ３＝４．５ｋΩ という定数を用いており、したがって、 Ｇ₆₀₀＝１０ Ｇ₃₀₀＝１４ というアンプゲインを得ることができる。

【００６３】一方、本実施形態において、蓄積容量Ｃａ
〜Ｃｄの容量値ＣＴと共通出力線１４の容量値Ｃ_Hは、 Ｃ_T＝２．０ｐＦ Ｃ_H＝３．０ｐＦ という値を用いており、したがって、容量分割比は、 高解像度モード時（ＭＯＤＥ＝Ｈｉ）時 Ｃ_T／（Ｃ_T＋Ｃ_H）＝２／（２＋３）＝０．４００ 低解像度モード時（ＭＯＤＥ＝Ｌｏ）時 ２Ｃ_T／（２Ｃ_T＋Ｃ_H）＝２×２／（２×２＋３）＝
０．５７１ となる。

【００６４】したがって、低解像度モード時と高解像度
モード時のそれぞれにおける、アンプゲイン６−２と容
量分割比との積は、 １０×０．４＝４ １４×０．５７１＝７．９９４ となり、アンプゲイン６−２と容量分割比との積の比
は、約２倍となるため、クロックレート一定の場合、低
解像度モード時の蓄積時間が高解像度モード時の１／２
となっても、同等の信号レベルを得ることができる。

【００６５】なお、本実施形態においては、ゲインアン
プ６−２の基準電源側の抵抗を変化させているが、出力
側の抵抗を変化させてもよい。また、本実施形態におい
ては、単一のゲインアンプ６−２のゲインを変化させて
いるが、あらかじめゲインの異なる複数のゲインアンプ
を設け、解像度制御信号（ＭＯＤＥ）によって所望のゲ
インが得られるようにゲインアンプを選択する構成を用
いてもよい。

【００６６】本実施形態においては、解像度を６００ｄ
ｐｉ／３００ｄｐｉとしているが、たとえば、４００ｄ
ｐｉ／２００ｄｐｉなどの解像度でもよい。さらに、本
実施形態は高解像度モードと低解像度モードとの解像度
比が２倍の場合を示したが、たとえば、６画素を１ブロ
ックとし、光電変換装置の画素数を６の倍数とすること
で、６００ｄｐｉ／２００ｄｐｉの切り換えのように、
解像度比を３倍に設定することもできる。

【００６７】また、イメージスキャナ及びファクシミ
リ、電子複写機として、複数の解像度のいずれかを選択
する選択スイッチと、密着型イメージセンサを読み出す
方向を主走査方向とし、その主走査方向に垂直な方向を
副走査方向として、機構的に副走査方向にも画像原稿に
対応して走査走査回路と、２次元状の読み取り信号を得
て、この読み取り信号に応じて光学感光体に露光する露
光装置とを設けることにより、複数の解像度に応じて被
転写紙に転写することができ、機能的な自由度を増加す
ることができる。

【００６８】（実施形態２）本発明の第２の実施形態に
おける光電変換装置を用いた密着型イメージセンサにつ
いて図５、図６を用いて説明する。図５は、本実施形態
における光電変換装置内の４画素分の受光素子の等価回
路図である。また、図６は、本実施形態における信号出
力アンプブロック６の等価回路図である。なお、本実施
形態においては、受光素子構成及び信号出力アンプブロ
ック、リセットスイッチ１５以外は図３と同様の構成と
している。

【００６９】図５は、図２における受光素子４画素分の
等価回路である。図５において、各々の受光素子ａ１〜
ｄ１は、光電変換手段となるホトダイオードＰＤａ〜Ｐ
Ｄｄ、読み出しスイッチＭ１ａＳ〜Ｍ１ｄＳ及びＭ１ａ
Ｎ〜Ｍ１ｄＮ、光信号転送スイッチＭ２ａＳ〜Ｍ２ｄ
Ｓ、ノイズ信号転送スイッチＭ２ａＮ〜Ｍ２ｄＮ、ＭＯ
ＳソースホロアＭ３ａ〜Ｍ３ｄ、光電変換手段をリセッ
トする手段であるリセットスイッチＭ４ａ〜Ｍ４ｄ、一
時的に光信号を蓄積する光信号蓄積容量ＣａＳ〜Ｃｄ
Ｓ、ノイズ信号を蓄積するノイズ蓄積容量ＣａＮ〜Ｃｄ
Ｎとを備えている。

【００７０】図６は、本実施形態における信号出力アン
プブロック６の等価回路図である。図６に示すように、
信号出力アンプブロック６は、光信号共通出力線１４−
１及びノイズ信号共通出力線１４−２の出力をインピー
ダンス変換する入力バッファアンプ６−１と、２つの入
力バッファアンプ６−１の出力の差をとる差動アンプ６
−４と、差動アンプ６−４の出力を増幅するゲインアン
プ６−２と、ゲインアンプ６−２のゲインを可変するゲ
イン可変手段６−３とを備える。

【００７１】また、ゲイン可変手段６−３は、実施形態
１と同様に、解像度切り換え制御信号（ＭＯＤＥ）が接
続されており、解像度に応じたアンプゲインを得ること
ができる。

【００７２】以下、本実施形態の動作について説明す
る。各受光素子ａ１〜ｄ１に光が入射すると、ホトダイ
オードＰＤａ〜ＰＤｄは、そ光を光電変換して光信号出
力及びノイズ信号出力として、ＭＯＳソースホロアＭ３
ａ〜Ｍ３ｄに出力する。

【００７３】ＭＯＳソースホロアＭ３ａ〜Ｍ３ｄは、電
荷を電圧に変換して、信号転送パルスΦＴＳ及び信号転
送パルスΦＴＮにて、全画素一括で蓄積容量ＣａＳ〜Ｃ
ｄＳ及び蓄積容量ＣａＮ〜ＣｄＮに転送する。

【００７４】つづいて、シフトレジスタ１１から順次ハ
イとなる読み出しパルスΦａ１〜Φｄ１によって、順次
読み出しスイッチＭ１ａＳ〜Ｍ１ｄＳ及びＭ１ａＮ〜Ｍ
１ｄＮをオン状態にして、光信号共通信号線１４−１及
びノイズ信号共通信号線１４−２に、光信号電圧及びノ
イズ信号電圧が読み出される。

【００７５】読み出された光信号電圧及びノイズ信号電
圧は、各々の入力バッファアンプ６−１により、インピ
ーダンス変換される。そして、差動アンプ６−４におい
て、光信号出力電圧からノイズ信号出力電圧を差分さ
れ、たとえば、５倍に増幅した差動出力電圧が出力され
る。その後、ゲインアンプ６−２で差動アンプ６−４の
出力を、たとえば、４倍に増幅して出力端子Ｖｏｕｔよ
り出力される。また、信号出力アンプブロック６に接続
されている解像度切り換え制御信号（ＭＯＤＥ）によ
り、解像度に応じたアンプゲインを得ることができる。

【００７６】本実施形態においては、各々の受光素子ａ
１〜ｄ１に光信号蓄積容量ＣａＳ、ノイズ信号蓄積容量
ＣａＮを設け、さらにその差分処理を差動アンプ６−４
にて行っているため、各画素に設けたＭＯＳソースホロ
アＭ３ａのしきい値バラツキに起因するＦＰＮを抑制す
ることができる。

【００７７】なお、本実施形態においては、蓄積容量の
容量値、ノイズ信号共通出力線１４−２の容量値及び光
信号共通出力線１４−１の容量値、ゲインアンプ（６−
２）の抵抗値Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３については、実施形態１
と同様の定数である、たとえば、Ｒ１＝１８．０ＫΩ、
Ｒ２＝２．０ＫΩ、Ｒ３＝４．５ＫΩを用いている。

【００７８】また、ゲイン可変手段６−３は、差動アン
プ６−４に用いている抵抗比を変化させるようにを設け
ても構わないが、この場合、ノイズ信号系の抵抗比と光
信号系の抵抗比が、ゲイン可変手段６−３のアナログス
イッチのＯＮ抵抗のバラツキの影響を受けるため、結果
としてＦＰＮの増大などの不具合が生じる可能性があ
る。したがって、図６に示すように、差分処理を行った
後のゲインアンプ６−２の部分にゲイン可変手段６−３
を設けるのがより好ましい。

【００７９】また、本実施形態において、ゲインアンプ
６−２のゲインを変化させることにより、ゲインアンプ
６−２の動作が不安定になる、もしくは動作が遅くなる
などの不具合が生じる場合は、同様に解像度切り換え制
御信号（ＭＯＤＥ）を用いて、たとえば、位相補償容量
値を変化させる、アンプ内の定電流部を変化させるなど
の手段を用いてもよい。

【００８０】（実施形態３）本発明の第３の実施形態に
おける光電変換装置を用いた密着型イメージセンサにつ
いて図５、図７を用いて説明する。図７は本実施形態に
おける光電変換装置を用いた密着型イメージセンサにお
ける光電変換装置内の信号出力アンプブロックの等価回
路図である。本実施形態の光電変換装置は、信号出力ア
ンプブロック以外は実施形態２において説明した光電変
換装置と同様の構成としている。

【００８１】光信号共通出力線１４−１の出力及びノイ
ズ信号共通出力線１４−２の出力は、入力バッファアン
プ６−１を介してインピーダンス変換される。その後、
差動アンプ６−４で光信号とノイズ信号の差分処理を行
い、たとえば、５倍のゲインで増幅される。そして、差
動アンプ６−４の出力は、ゲイン可変手段６−３に入力
される。

【００８２】ここで、ゲイン可変手段６−３は、解像度
切り換え制御信号（ＭＯＤＥ）により、差動アンプ６−
４の出力を、ゲインアンプ６−２′を介してゲインアン
プ６−２に入力される信号経路と、差動アンプ６−４の
出力が直接ゲインアンプ６−２に入力される信号経路と
に切り換えることができるスイッチ手段６−５を設けて
いる。このスイッチ手段６−５には、たとえば、ＭＯＳ
のアナログスイッチなどを用いることができる。

【００８３】また、本実施形態において、受光素子（図
示せず）の定数は、実施形態２と同様の値を用い、本実
施形態の差動アンプ６−４のゲインは、たとえば、５
倍、出力部のゲインアンプ６−２のゲインは、たとえ
ば、４倍に設定している。また、中間段のゲインアンプ
６−２′のゲインは、たとえば、１．４倍に設定してい
る。信号出力アンプブロック６のゲインは、 高解像度モード時（ＭＯＤＥ＝Ｈｉ）時には、２０倍 低解像度モード時（ＭＯＤＥ＝Ｌｏ）時には、２８倍 となる。

【００８４】本実施形態は、信号出力アンプブロック６
のゲインを変化させても、アンプ６−２、６−２’の特
性は変化しないため、安定な動作を実現することができ
る。なお、実施形態１から３において説明した光電変換
装置においては、解像度を低解像度と高解像度との２つ
にしたものを説明したが、３つ以上の解像度を備え、解
像度数に応じた解像度切り換えを行えるものでもよい。

【００８５】たとえば、３つの解像度を備え、それらの
解像度を切り換えるとすれば、シフトレジスタブロック
１１の回路構成を変更することにより、１つの受光素子
ずつの出力、２つの受光素子からの加算出力、４つの受
光素子からの加算出力を行えるようになる。そして、解
像度に応じてゲイン可変手段を制御すればよい。

【００８６】したがって、シフトレジスタブロック１１
の回路構成を換えることにより複数の解像度に対応した
光電変換装置を実現することができる。

【００８７】（実施形態４）本実施形態の画像読み取り
装置について、図８〜図１０を用いて説明する。図８は
たとえば実施形態１に示した光電変換装置を用いて構成
した密着型イメージセンサを備える画像読み取り装置の
平面構造図である。図９は密着型イメージセンサの断面
図である。図１０は密着型イメージセンサの動作を示す
タイミングチャートである。

【００８８】図８に示すように、セラミック実装基板３
２上に、光電変換装置１−１〜１−１５を、たとえば１
５チップ分インライン状にマルチ実装することにより、
イメージセンサモジュールを構成している。各々の光電
変換装置１−１〜１−１５は、ボンディングワイヤを介
して実装基板３２上の配線と接続されている。

【００８９】本実施形態においては、１チップ目のシフ
トレジスタを動作させるスタート信号ＳＩと、１５チッ
プ目のシフトレジスタの次チップスタート信号ＳＯと、
信号出力線Ｖｏｕｔと、解像度切り換え制御信号（ＭＯ
ＤＥ）の各入力端子のみを図示している。そして、これ
らの入力端子は、図１において説明した各々の入出力端
子に対応している。なお、他の入出力端子の説明は省略
する。

【００９０】図９に示す密着型イメージセンサは、光透
過性の支持体３６と、支持体３６に赤色・緑色・青色の
光を照射するＬＥＤ光源３５と、原稿からの反射光を集
光し受光素子表面で結像させるレンズアレイ３４と、レ
ンズアレイ３４により集光された反射光を光電変換する
セラミック基板３２上の光電変換装置１と、光電変換装
置１の保護のため、シリコーン樹脂などからなるチップ
コート剤３３と、筐体３７とを設けている。これらを組
み立てることにより密着型イメージセンサを構成してい
る。

【００９１】画像読み取り装置４０は、密着型イメージ
センサ３８、信号処理手段、センサ駆動手段及びＬＥＤ
発光手段（ＬＥＤ駆動手段を含む）を備えている。セン
サ駆動手段からセンサ駆動信号として、スタート信号Ｓ
Ｉ、解像度制御信号ＭＯＤＥが密着型イメージセンサ３
８に供給されることにより、それの動作が制御される。
なお、たとえばクロック信号などは図示していない。

【００９２】また、密着型イメージセンサ３８の出力信
号Ｖｏｕｔは、信号処理手段に接続されており、信号処
理手段において、たとえばＡ／Ｄ変換、シェーディング
補正、ダーク補正、色合成等の処理を加えて最終的な画
像信号が生成される。

【００９３】さらに、密着型イメージセンサ３８に備え
られたＬＥＤは、ＬＥＤ点滅制御手段と接続されてお
り、ＬＥＤ点滅制御手段は、センサ駆動手段から供給さ
れるスタート信号ＳＩ及び光電変換装置から供給される
１５チップ目のシフトレジスタの次チップスタート信号
ＳＯにより、点灯と点滅とが制御される。

【００９４】したがって、ＬＥＤ光源３５が、赤色のみ
を発光しているとき、光電変換装置１を駆動して赤色情
報を読み取り、つづいて同様に、緑色及び青色の情報を
読み取り、これらの原稿の色情報を画像処理を用いて合
成することにより、カラーフィルタを用いることなくカ
ラー原稿の読み取りができる。

【００９５】本実施形態においては、ＬＥＤ光源３５の
点灯開始を制御する信号として、密着型イメージセンサ
の駆動を制御する手段から送信されてくる１チップ目の
スタート信号ＳＩを用い、さらに、ＬＥＤ光源３５の点
灯終了を制御する信号として、１５チップ目のシフトレ
ジスタの次チップスタート信号ＳＯを用いている。した
がって、実装基板上３２のすべての光電変換装置１−１
〜１−１５が動作している間のみＬＥＤ光源３５が点灯
していることになる。

【００９６】図１０は、上記の動作を示すタイミングチ
ャートである。図１０において、（１）は、高解像度モ
ード時のＬＥＤ光源３５の動作を示している。また、
（２）は、低解像度モード時のＬＥＤ光源３５の動作を
示している。図１０に示すように、一定周波数の駆動ク
ロックを用いて、高解像度モードから低解像度モードに
解像度を切り換えた場合には、各々のＬＥＤ光源３５の
点灯期間及びスタート信号ＳＩ〜次チップスタート信号
ＳＯまでの期間は約１／２になる。そのため、光信号の
出力レベルも低下する。

【００９７】しかし、実施形態１〜３に示すように、光
電変換装置はゲイン切り換え手段６−３（図６など）を
備えているため、解像度によらず、ほぼ一定の信号出力
を得ることができる。

【００９８】さらに、上記のように構成した光電変換装
置において、解像度切り換え制御信号（ＭＯＤＥ）によ
って解像度切り換えを行う場合、解像度に応じてＬＥＤ
光源３５の点灯期間を自動的に光電変換装置の感度変化
分に対応した最適値に制御することができる。そのた
め、ＬＥＤ光源３５の点灯制御が簡便となる。加えて、
たとえば密着型イメージセンサの出力をＡ／Ｄ変換装置
などを用いて信号処理を行う場合においても、Ａ／Ｄ変
換装置の入力レンジを解像度によらず一定で使用するこ
とができるため、安価な密着型イメージセンサを提供す
ることができる。

【００９９】また、本実施形態は、光源切り換え型カラ
ー密着型イメージセンサを例として示したが、光源切り
換え型に限らず、白黒の密着型イメージセンサなどにも
適用できる。

【０１００】

【発明の効果】以上説明したように、本発明のイメージ
センサユニットは、解像度を切り換え時に、解像度に応
じた読み取り速度を実現して、かつ読み取り速度を速め
ても光電変換信号の出力レベルの低下を防止することに
加え、光電変換装置から出力される光電変換信号によっ
て、光照射手段を消灯させる。

【０１０１】そのため、たとえば、このイメージセンサ
を用いた画像読み取り装置は、光照射手段を消灯させる
手段を備える必要がなくなる。したがって、システムコ
ストを低減することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態１における光電変換装置及び
密着型イメージセンサの回路ブロック図である。

【図２】本発明の実施形態１における８ビット分のシフ
トレジスタと受光素子の回路ブロック図である。

【図３】本発明の実施形態１における受光素子の等価回
路図（４画素分）である。

【図４】本発明の実施形態１におけるシフトレジスタと
受光素子との回路動作を示すタイミングチャートであ
る。

【図５】本発明の実施形態２における光電変換装置の受
光素子の回路ブロック図である。

【図６】本発明の実施形態２における信号出力アンプブ
ロック回路ブロック図である。

【図７】本発明の実施形態３における光電変換装置の信
号出力アンプブロックの回路ブロック図である。

【図８】本発明の実施形態４における密着型イメージセ
ンサのイメージセンサモジュール部の平面図である。

【図９】本発明の実施形態４における密着型イメージセ
ンサの断面図である。

【図１０】本発明の実施形態４における密着型イメージ
センサの光源のタイミングチャートである。

【図１１】従来技術１の光電変換装置の等価回路図であ
る。

【図１２】従来技術１の光電変換装置のタイミングチャ
ートである。

【図１３】従来技術３における密着型イメージセンサ用
集積回路の回路図である。

【図１４】従来技術４における密着型イメージセンサ用
集積回路の回路図である。

【符号の説明】

１、１′ 光電交換装置 ２、２′ プレシフトレジスタ ３、３′ シフトレジスタ ４、４′ 受光素子アレイ ５、５′ タイミング発生回路 ６、６′ 信号出力アンプブロック ６−１ 入力バッファアンプ ６−２ ゲインアンプ ６−４ 差動アンプ ７、７′ シフトレジスタ駆動パルス（Φ１） ８、８′ シフトレジスタ駆動パルス（Φ２） ９、９′ 次チップスタート信号線 ９−１、９−１′ 高解像モード時スタート信号線 ９−２、９−２′ 低解像モード時スタート信号線 １０、１０′ スタート信号切り替え手段 １１ シフトレジスタブロック（４ビット分） １２−１〜１２−４′ Φ１同期１ビットシフトレジス
タ １３−１〜１３−４′ Φ２同期１ビットシフトレジス
タ １４ 共通信号線 １４−１ 光信号共通信号線 １４−２ ノイズ信号共通信号線 １５ 共通信号線リセットスイッチ １５−１ 光信号共通信号線リセットスイッチ １５−２ ノイズ信号共通信号線リセットスイッチ ３２ セラミック基板 ３３ チップコート剤 ３４ レンズアレイ ３５ ＬＥＤ光源 ３６ 支持体 ３７ 筐体 ａ１〜ｄ２ 受光素子 Φａ１〜Φｄ２ ａ１〜ｄ２読み出しパルス Ｍ１ａ〜Ｍ１ｄ 読み出しスイッチ Ｍ４ａ〜Ｍ４ｄ リセットスイッチ ＰＤａ〜ＰＤｄ ホトダイオード

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5C051 AA01 BA03 DA03 DA06 DB09 DB22 DB29 DC03 DC04 DC05 DC07 DE02 DE03 DE07 DE09 DE12 DE13 5C072 AA01 BA11 CA05 CA09 CA12 DA03 EA05 FA07 FB15 FB17 MB01 MB04 TA05 XA01 5C077 LL02 LL17 LL18 MM05 NP07 PP11 PP20 PP47 PQ03 PQ08 PQ22 SS01 SS03

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 原稿に光を照射する光照射手段と、前記
   原稿からの光を入射する複数の光電変換手段を有する光
   電変換装置とを備えるイメージセンサユニットにおい
   て、 前記光照射手段は、前記光電変換装置と共に駆動を開始
   し、前記光電変換装置から出力される光電変換信号を入
   力すると、前記駆動を終了することを特徴とするイメー
   ジセンサユニット。
2. 【請求項２】 前記光照射手段は、ＬＥＤであることを
   特徴とする請求項１に記載のイメージセンサユニット。
3. 【請求項３】 前記光電変換装置は、第１の解像度と前
   記光電変換手段により変更された第２の解像度とを切り
   換える解像度切り換え手段と、前記解像度切り換え手段
   における解像度の切り換えを制御する解像度制御手段
   と、前記光電変換手段から出力された光電変換信号を前
   記解像度制御手段によって制御される増幅率にしたがっ
   て増幅する増幅手段とを備えることを特徴とする請求項
   １に記載のイメージセンサユニット。
4. 【請求項４】 前記光電変換装置は、前記光電変換手段
   からノイズ信号を読み出して保持するノイズ信号保持手
   段と、 前記光電変換手段から光信号を読み出して保持する光信
   号保持手段と、 前記ノイズ信号保持手段から出力される複数のノイズ信
   号をノイズ信号共通出力線に読み出す第１読み出し手段
   と、 前記光信号保持手段から出力される複数の光信号を光信
   号共通出力線に読み出す第２読み出し手段と、 前記第１読み出し手段及び第２読み出し手段により、前
   記光電変換手段により変更された画像信号の解像度を切
   り換える解像度切り換え手段と、 前記解像度切り換え手段における解像度の切り換えを制
   御する解像度制御手段と、 前記ノイズ信号と前記光信号との差分をとる差分手段
   と、 前記差分手段から出力された光電変換信号を前記解像度
   制御手段によって制御される増幅率にしたがって増幅す
   る増幅手段とを備えることを特徴とする請求項１に記載
   のイメージセンサユニット。
5. 【請求項５】 前記第１の解像度のときの前記増幅率を
   Ｇ１とし、前記第２の解像度のときの前記増幅率をＧ２
   とした場合に、 Ｇ２＞Ｇ１であることを特徴とする請求項３に記載のイ
   メージセンサユニット。
6. 【請求項６】 前記ノイズ信号保持手段は容量値Ｃ_TNの
   容量を備え、前記光信号保持手段は容量値Ｃ_TSの容量を
   備え、かつ、Ｃ_TS≒Ｃ_TN≒Ｃ_Tであり、 前記ノイズ信号共通出力線は容量値Ｃ_HNの寄生容量を備
   え、前記光信号共通出力線は容量値Ｃ_HSの寄生容量を備
   え、かつ、Ｃ_HN≒Ｃ_HS≒Ｃ_Hであり、 さらに、前記第１の解像度のときの前記増幅率をＧ１と
   し、前記第２の解像度のときの前記増幅率をＧ２とした
   場合、 Ｇ２／Ｇ１＝（Ｎ×Ｃ_T＋Ｃ_H）／（Ｃ_T＋Ｃ_H） であることを特徴とする請求項５に記載のイメージセン
   サユニット。
7. 【請求項７】 原稿に光を照射する光照射手段と、前記
   原稿からの光を入射する複数の光電変換手段を有する光
   電変換装置とを備えるイメージセンサユニットと、 前記イメージセンサを駆動するセンサ駆動手段とを備え
   た画像読み取り装置において、 前記イメージセンサユニットは、前記駆動手段から出力
   される駆動開始信号により駆動を開始し、 前記光照射手段は、前記光電変換装置から出力される光
   電変換信号を入力すると、前記駆動を終了することを特
   徴とする画像読み取り装置。
8. 【請求項８】 前記光照射手段は、ＬＥＤであることを
   特徴とする請求項７に記載の画像読み取り装置。
9. 【請求項９】 前記光電変換装置は、第１の解像度と前
   記光電変換手段により変更された第２の解像度とを切り
   換える解像度切り換え手段と、前記解像度切り換え手段
   における解像度の切り換えを制御する解像度制御手段
   と、前記光電変換手段から出力された光電変換信号を前
   記解像度制御手段によって制御される増幅率にしたがっ
   て増幅する増幅手段とを備えることを特徴とする請求項
   ７に記載の画像読み取り装置。
10. 【請求項１０】 前記光電変換装置は、前記光電変換手
    段からノイズ信号を読み出して保持するノイズ信号保持
    手段と、 前記光電変換手段から光信号を読み出して保持する光信
    号保持手段と、 前記ノイズ信号保持手段から出力される複数のノイズ信
    号をノイズ信号共通出力線に読み出す第１読み出し手段
    と、 前記光信号保持手段から出力される複数の光信号を光信
    号共通出力線に読み出す第２読み出し手段と、 前記第１読み出し手段及び第２読み出し手段により、前
    記光電変換手段により変更された画像信号の解像度を切
    り換える解像度切り換え手段と、 前記解像度切り換え手段における解像度の切り換えを制
    御する解像度制御手段と、 前記ノイズ信号と前記光信号との差分をとる差分手段
    と、 前記差分手段から出力された光電変換信号を前記解像度
    制御手段によって制御される増幅率にしたがって増幅す
    る増幅手段とを備えることを特徴とする請求項７に記載
    の画像読み取り装置。
11. 【請求項１１】 前記第１の解像度のときの前記増幅率
    をＧ１とし、前記第２の解像度のときの前記増幅率をＧ
    ２とした場合に、 Ｇ２＞Ｇ１であることを特徴とする請求項９に記載の画
    像読み取り装置。
12. 【請求項１２】 前記ノイズ信号保持手段は容量値Ｃ_TN
    の容量を備え、前記光信号保持手段は容量値Ｃ_TSの容量
    を備え、かつ、Ｃ_TS≒Ｃ_TN≒Ｃ_Tであり、 前記ノイズ信号共通出力線は容量値Ｃ_HNの寄生容量を備
    え、前記光信号共通出力線は容量値Ｃ_HSの寄生容量を備
    え、かつ、Ｃ_HN≒Ｃ_HS≒Ｃ_Hであり、 さらに、前記第１の解像度のときの前記増幅率をＧ１と
    し、前記第２の解像度のときの前記増幅率をＧ２とした
    場合、 Ｇ２／Ｇ１＝（Ｎ×Ｃ_T＋Ｃ_H）／（Ｃ_T＋Ｃ_H） であることを特徴とする請求項１１に記載の画像読み取
    り装置。