JP2003240954A - 偏光分離膜 - Google Patents
偏光分離膜Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 簡潔なパワーフィードバック用の透過／反射
特性を有し、優れた偏光分離特性を備えた偏光分離膜と
する。 【解決手段】 偏光分離膜３は、中間屈折率材料及び高
屈折率材料の主繰り返しからなり、接合型プリズムの一
方のプリズム１上に設けられる。偏光分離膜３は、４５
°の入射光に対し、波長λ＝６８５ｎｍにおけるＳ偏光
の透過率が０〜１０％、Ｐ偏光の透過率が６０〜８０％
であり、波長λ＝６８５ｎｍの反射位相差が入射角４４
〜４６°に対し３００°±１６°である光学特性を有し
ている。
特性を有し、優れた偏光分離特性を備えた偏光分離膜と
する。 【解決手段】 偏光分離膜３は、中間屈折率材料及び高
屈折率材料の主繰り返しからなり、接合型プリズムの一
方のプリズム１上に設けられる。偏光分離膜３は、４５
°の入射光に対し、波長λ＝６８５ｎｍにおけるＳ偏光
の透過率が０〜１０％、Ｐ偏光の透過率が６０〜８０％
であり、波長λ＝６８５ｎｍの反射位相差が入射角４４
〜４６°に対し３００°±１６°である光学特性を有し
ている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プロジェクタの照
明系や光ディスクの検出光学系等の光学機器、特に光磁
気媒体を有する光学機器に用いられる入射光をＳ偏光と
Ｐ偏光とに分離する偏光分離膜に関する。
明系や光ディスクの検出光学系等の光学機器、特に光磁
気媒体を有する光学機器に用いられる入射光をＳ偏光と
Ｐ偏光とに分離する偏光分離膜に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年におけるプロジェクタや光ディスク
の需要拡大によって、高品位の偏光分離特性が要求され
ていることから、低屈折率材料と高屈折率材料とを交互
に重ねた多層膜からなる偏光分離膜が用いられている。
このような多層膜は、量産面から、一般的に真空蒸着法
によって成膜されているが、高密度且つ屈折率の安定し
た材料特性で高精度に成膜を行うため、真空蒸着装置内
にイオンガンを設置したイオンアシスト蒸着法や、真空
中にプラズマ発生させるイオンプレーティング法が採用
されている。
の需要拡大によって、高品位の偏光分離特性が要求され
ていることから、低屈折率材料と高屈折率材料とを交互
に重ねた多層膜からなる偏光分離膜が用いられている。
このような多層膜は、量産面から、一般的に真空蒸着法
によって成膜されているが、高密度且つ屈折率の安定し
た材料特性で高精度に成膜を行うため、真空蒸着装置内
にイオンガンを設置したイオンアシスト蒸着法や、真空
中にプラズマ発生させるイオンプレーティング法が採用
されている。
【０００３】プロジェクタや光ディスクに用いる偏光分
離膜として、例えば、特開２０００−２８４１２１号公
報には、高屈折率材料と低屈折率材料を交互に重ねて多
層膜とし、この多層膜を接合型プリズムの接合面に形成
することが記載されている。また、特開平１０−２０１
０２号公報には、高屈折率材料と中間屈折率材料とを交
互に重ねた多層膜を偏光分離膜として用いることが記載
されている。さらに、特開平１０−１５４３４５号公報
には、透過（反射）率、位相差を考慮した偏光分離膜が
記載されている。
離膜として、例えば、特開２０００−２８４１２１号公
報には、高屈折率材料と低屈折率材料を交互に重ねて多
層膜とし、この多層膜を接合型プリズムの接合面に形成
することが記載されている。また、特開平１０−２０１
０２号公報には、高屈折率材料と中間屈折率材料とを交
互に重ねた多層膜を偏光分離膜として用いることが記載
されている。さらに、特開平１０−１５４３４５号公報
には、透過（反射）率、位相差を考慮した偏光分離膜が
記載されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】偏光分離膜により、Ｓ
偏光及びＰ偏光をおよそ１００％、あるいは０％に分離
する特性が得られるものであり、このような光学系はコ
ンパクトディスク等に用いられ、反射強度のみを検出し
ている。
偏光及びＰ偏光をおよそ１００％、あるいは０％に分離
する特性が得られるものであり、このような光学系はコ
ンパクトディスク等に用いられ、反射強度のみを検出し
ている。
【０００５】一方、光磁気媒体に用いる場合、特に情報
を読み取る際に、記録されたディスクからの反射の内、
Ｓ，Ｐそれぞれの偏光の差を信号振幅として検出するた
めに、位相を揃える必要がある。
を読み取る際に、記録されたディスクからの反射の内、
Ｓ，Ｐそれぞれの偏光の差を信号振幅として検出するた
めに、位相を揃える必要がある。
【０００６】また、プロジェクタや光ディスクに用いる
光源ではパワーの変動があるため、被観察光から反射光
を確保するために、反射する光を用いて光源のパワーを
観測してコントロールして変動をキャンセルしている。
しかしながら、レーザー光では、ピックアップ等に入射
する偏光と異なる偏光の場合は、偏光の相違によってパ
ワーのコントロールが一律ではなく、パワーフィードバ
ックが不十分となっている。このため、検出器となる位
置にパワー検出器を配置し、ピックアップ等に入射する
同じ偏光を反射する光をパワー検出器で受光して、光源
のパワーにフィードバックする必要がある。
光源ではパワーの変動があるため、被観察光から反射光
を確保するために、反射する光を用いて光源のパワーを
観測してコントロールして変動をキャンセルしている。
しかしながら、レーザー光では、ピックアップ等に入射
する偏光と異なる偏光の場合は、偏光の相違によってパ
ワーのコントロールが一律ではなく、パワーフィードバ
ックが不十分となっている。このため、検出器となる位
置にパワー検出器を配置し、ピックアップ等に入射する
同じ偏光を反射する光をパワー検出器で受光して、光源
のパワーにフィードバックする必要がある。
【０００７】また、検出器に取り込む偏光においても、
フィードバックに用いる偏光と他方の偏光とは透過率が
なるべく１００％にちかい（反射率がなるべく０％に近
い）ほうが有効であるが、特開平１０−１５４３４５号
の特性では１０％ちかくに過ぎないため、特性が不十分
となっている。
フィードバックに用いる偏光と他方の偏光とは透過率が
なるべく１００％にちかい（反射率がなるべく０％に近
い）ほうが有効であるが、特開平１０−１５４３４５号
の特性では１０％ちかくに過ぎないため、特性が不十分
となっている。
【０００８】本発明は、このような問題点を考慮してな
されたものであり、偏光分離する際に、光学系上、簡潔
なパワーフィードバック用の透過／反射特性を有し、こ
れにより優れた偏光分離特性を有した偏光分離膜を提供
することを目的とする。
されたものであり、偏光分離する際に、光学系上、簡潔
なパワーフィードバック用の透過／反射特性を有し、こ
れにより優れた偏光分離特性を有した偏光分離膜を提供
することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、中間
屈折率材料及び高屈折率材料の主繰り返しからなり、接
合型プリズムの一方のプリズム上に設けられる偏光分離
膜であって、４５°の入射光に対し、波長λ＝６８５ｎ
ｍにおけるＳ偏光の透過率が０〜１０％、Ｐ偏光の透過
率が６０〜８０％であり、波長λ＝６８５ｎｍの反射位
相差が入射角４４〜４６°に対し３００°±１６°であ
る光学特性を有していることを特徴とする。
屈折率材料及び高屈折率材料の主繰り返しからなり、接
合型プリズムの一方のプリズム上に設けられる偏光分離
膜であって、４５°の入射光に対し、波長λ＝６８５ｎ
ｍにおけるＳ偏光の透過率が０〜１０％、Ｐ偏光の透過
率が６０〜８０％であり、波長λ＝６８５ｎｍの反射位
相差が入射角４４〜４６°に対し３００°±１６°であ
る光学特性を有していることを特徴とする。
【００１０】プリズムによる挟み込みよって用いられる
偏光膜としては、主繰り返しが例えば屈折率１．５以下
の低屈折率材料よりも、中間屈折率材料及び高屈折率材
料の方が有効である。特に、プリズムに用いられる屈折
率が１．５〜１．９２の内、プリズムの屈折率が高い場
合に有効である。請求項１の発明では、これらの中間屈
折率材料と高屈折率材料からなる偏光分離膜を接合型プ
リズムの一方のプリズム上に設けるものである。
偏光膜としては、主繰り返しが例えば屈折率１．５以下
の低屈折率材料よりも、中間屈折率材料及び高屈折率材
料の方が有効である。特に、プリズムに用いられる屈折
率が１．５〜１．９２の内、プリズムの屈折率が高い場
合に有効である。請求項１の発明では、これらの中間屈
折率材料と高屈折率材料からなる偏光分離膜を接合型プ
リズムの一方のプリズム上に設けるものである。
【００１１】図１は、偏光分離膜を設けた偏光分離プリ
ズムを示し、一方のプリズム１及び他方のプリズム２が
接合されることにより構成されており、一方のプリズム
１の接合面には、偏光分離膜３が成膜されている。偏光
分離膜３はレーザー光が４５°で入射し、入射光を反射
してレーザー光源へフィードバックしてパワーの制御を
行う。
ズムを示し、一方のプリズム１及び他方のプリズム２が
接合されることにより構成されており、一方のプリズム
１の接合面には、偏光分離膜３が成膜されている。偏光
分離膜３はレーザー光が４５°で入射し、入射光を反射
してレーザー光源へフィードバックしてパワーの制御を
行う。
【００１２】請求項１の発明では、レーザー光のパワー
制御を行うために偏光分離膜３に対し、Ｐ偏光への反射
率を持たせている。そして、４５°入射に対し波長λ＝
６８５ｎｍでＳ偏光の透過率が０〜１０％、Ｐ偏光の透
過率が６０〜８０％であり、λ＝６８５ｎｍでの反射位
相差が入射角４４〜４６°で３００°±１６°とするに
より安定した検出が可能となっている。この３００°±
１６°は、接合型プリズムへ入射する光線の進行方向を
基準とした角度である。
制御を行うために偏光分離膜３に対し、Ｐ偏光への反射
率を持たせている。そして、４５°入射に対し波長λ＝
６８５ｎｍでＳ偏光の透過率が０〜１０％、Ｐ偏光の透
過率が６０〜８０％であり、λ＝６８５ｎｍでの反射位
相差が入射角４４〜４６°で３００°±１６°とするに
より安定した検出が可能となっている。この３００°±
１６°は、接合型プリズムへ入射する光線の進行方向を
基準とした角度である。
【００１３】３００°±１６°の反射位相差は、他方の
プリズム２の検出器側の面に貼り付けた水晶波長板６に
より、位相差を調整して０°に揃えた後、検出器に入射
する。なお、偏光分離膜３における反射位相差が３００
°±１６°の範囲を外れた場合、水晶波長板６を通過し
た際に０°からずれて位相が揃わず、楕円偏光となるた
め、信号の振幅が低下して所定の検出レベルを下回る。
このため、ディスクからの信号が読み取れない現象が発
生する。
プリズム２の検出器側の面に貼り付けた水晶波長板６に
より、位相差を調整して０°に揃えた後、検出器に入射
する。なお、偏光分離膜３における反射位相差が３００
°±１６°の範囲を外れた場合、水晶波長板６を通過し
た際に０°からずれて位相が揃わず、楕円偏光となるた
め、信号の振幅が低下して所定の検出レベルを下回る。
このため、ディスクからの信号が読み取れない現象が発
生する。
【００１４】請求項２の発明は、請求項１記載の偏光分
離膜であって、波長λ＝６８５ｎｍにおける屈折率が
１．４５２〜１．４６４の低屈折率材料、屈折率が１．
６５６〜１．６７０の中間屈折率材料及び屈折率が２．
４４１〜２．４６１の高屈折率材料を用いたことを特徴
とする。
離膜であって、波長λ＝６８５ｎｍにおける屈折率が
１．４５２〜１．４６４の低屈折率材料、屈折率が１．
６５６〜１．６７０の中間屈折率材料及び屈折率が２．
４４１〜２．４６１の高屈折率材料を用いたことを特徴
とする。
【００１５】請求項２の発明において、低屈折率材料と
しては、ＳｉＯ２、ＭｇＦ２、Ｎａ ３ＡｌＦ６、Ｌｉ
Ｆ、ＣａＦ２あるいはこれらの混合物を用いることがで
き、中間屈折率材料としては、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、
ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５、Ｙ２０３、チタン
酸ランタンあるいはこれらの混合物を用いることがで
き、高屈折率材料としては、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２、Ｔａ
２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５、Ｙ２Ｏ３、チタン酸ランタンある
いはこれらの混合物を用いることができる。
しては、ＳｉＯ２、ＭｇＦ２、Ｎａ ３ＡｌＦ６、Ｌｉ
Ｆ、ＣａＦ２あるいはこれらの混合物を用いることがで
き、中間屈折率材料としては、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、
ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５、Ｙ２０３、チタン
酸ランタンあるいはこれらの混合物を用いることがで
き、高屈折率材料としては、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２、Ｔａ
２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５、Ｙ２Ｏ３、チタン酸ランタンある
いはこれらの混合物を用いることができる。
【００１６】また、偏光分離膜は、真空蒸着法、イオン
ビームアシスト法やイオンプレーティング法、スパッタ
リング法など特に限定されるものではない。
ビームアシスト法やイオンプレーティング法、スパッタ
リング法など特に限定されるものではない。
【００１７】
【発明の実施の形態】（実施の形態１）この実施の形態
の偏光分離膜では、低屈折率材料（Ｌ）としてＳｉ
Ｏ２、中間屈折率材料（Ｍ）としてＡｌ２Ｏ３、高屈折
率材料（Ｈ）としてＴｉＯ２を用いた。この偏光分離膜
３を図１に示すように、一方のプリズム１の接合面に成
膜した。膜構成は、以下に示す２６層である。なお、プ
リズム１，２としては、波長λ＝６８５ｎｍにおける屈
折率が１．６４の硝材を用いた。また、プリズム１，２
はシリコン系接着剤４を用いて接合した。
の偏光分離膜では、低屈折率材料（Ｌ）としてＳｉ
Ｏ２、中間屈折率材料（Ｍ）としてＡｌ２Ｏ３、高屈折
率材料（Ｈ）としてＴｉＯ２を用いた。この偏光分離膜
３を図１に示すように、一方のプリズム１の接合面に成
膜した。膜構成は、以下に示す２６層である。なお、プ
リズム１，２としては、波長λ＝６８５ｎｍにおける屈
折率が１．６４の硝材を用いた。また、プリズム１，２
はシリコン系接着剤４を用いて接合した。
【００１８】膜構成は、λ＝６８５ｎｍ、λ／４＝１と
したとき、プリズム１／１．３１５８Ｌ ０．２５２０
Ｈ １．２９２５Ｍ ０．６０９６Ｈ １．２９２５
Ｍ． １．５７０３Ｈ ２．５８４９Ｍ ０．８４９２
Ｈ１．３１０９Ｍ １．２０１７Ｈ １．３１０９Ｍ
１．１６７９Ｈ １．３１０９Ｍ １．０８８３Ｈ
１．２９２５Ｍ １．０１３８Ｈ １．２９２５Ｈ０．
２５５５Ｈ １．２９２５Ｍ １．１８２０Ｈ．１．２
９２５Ｍ １．２３３９Ｈ １．２９２５Ｍ ０．１８
９９Ｈ １．２９２５Ｍ ０．７２１４Ｈ／プリズム２
となっている。なお、λ＝６８５ｎｍにて各々の屈折率
は、ＳｉＯ２が１．４５８、ＴｉＯ２が２．４５１、Ａ
ｌ２Ｏ３が１．６６３であった。
したとき、プリズム１／１．３１５８Ｌ ０．２５２０
Ｈ １．２９２５Ｍ ０．６０９６Ｈ １．２９２５
Ｍ． １．５７０３Ｈ ２．５８４９Ｍ ０．８４９２
Ｈ１．３１０９Ｍ １．２０１７Ｈ １．３１０９Ｍ
１．１６７９Ｈ １．３１０９Ｍ １．０８８３Ｈ
１．２９２５Ｍ １．０１３８Ｈ １．２９２５Ｈ０．
２５５５Ｈ １．２９２５Ｍ １．１８２０Ｈ．１．２
９２５Ｍ １．２３３９Ｈ １．２９２５Ｍ ０．１８
９９Ｈ １．２９２５Ｍ ０．７２１４Ｈ／プリズム２
となっている。なお、λ＝６８５ｎｍにて各々の屈折率
は、ＳｉＯ２が１．４５８、ＴｉＯ２が２．４５１、Ａ
ｌ２Ｏ３が１．６６３であった。
【００１９】偏光分離膜の成膜にあたっては、イオンガ
ンによるアシスト機構を有する真空蒸着装置を用いた。
ンによるアシスト機構を有する真空蒸着装置を用いた。
【００２０】偏光分離膜３に対する４５°入射の分光透
過率特性を図３に示す。特性曲線ＡがＰ偏光、特性曲線
ＢがＳ偏光である。Ｐ偏光の透過率が７４．２％、Ｓ偏
光が４．６％となっている。また、入射角４４、４５及
び４６°でのλ＝６８５ｎｍにおける反射位相差は２９
９．０°、２９９．６°、３０３．０°であり、３００
°±２°の範囲となっている。
過率特性を図３に示す。特性曲線ＡがＰ偏光、特性曲線
ＢがＳ偏光である。Ｐ偏光の透過率が７４．２％、Ｓ偏
光が４．６％となっている。また、入射角４４、４５及
び４６°でのλ＝６８５ｎｍにおける反射位相差は２９
９．０°、２９９．６°、３０３．０°であり、３００
°±２°の範囲となっている。
【００２１】図３は、上述した偏光分離プリズムを１０
回生産した場合の生産バラツキを示す。λ＝６８５ｎｍ
における透過率特性は、Ｐ偏光７０〜７８％、Ｓ偏光３
〜７％となっている。
回生産した場合の生産バラツキを示す。λ＝６８５ｎｍ
における透過率特性は、Ｐ偏光７０〜７８％、Ｓ偏光３
〜７％となっている。
【００２２】図４は、λ＝６８５ｎｍにおける反射位相
差を示し、入射角４４〜４６°で２８９〜３１２°の範
囲であり、３００°±１２°となっている。従って、３
００°±１６°以内となっている。また、４５°入射で
は２９１〜３１１°のバラツキとなっている。
差を示し、入射角４４〜４６°で２８９〜３１２°の範
囲であり、３００°±１２°となっている。従って、３
００°±１６°以内となっている。また、４５°入射で
は２９１〜３１１°のバラツキとなっている。
【００２３】表１は膜厚のバラツキを示す。
【００２４】
【表１】
【００２５】この実施の形態では、成膜材料として、Ｓ
ｉＯ２、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３を用いているが、λ＝６
８５ｎｍでの屈折率が１．４５２〜１．４６４の低屈折
率材料、主繰り返しに用いる中間屈折率材料が１．６５
６〜１．６７０の屈折率、高屈折率材料が２．４４１〜
２．４６１の屈折率の範囲内であれば特に限定されるも
のではない。例えば、低屈折率材料として、ＳｉＯ２以
外のＭｇＦ２、Ｎａ３ＡｌＦ６、ＬｉＦ、ＣａＦ２ある
いはこれらの混合物、中間屈折率材料として、Ａｌ２Ｏ
３以外のＺｒＯ２、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｎｂ
２Ｏ５、Ｙ２Ｏ３、チタン酸ランタンあるいはこれらの
混合物、高屈折率材料として、ＴｉＯ２以外のＺｒ
Ｏ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５、Ｙ２Ｏ３、チタン酸ラ
ンタンあるいはこれらの混合物でも同様の結果が得られ
る。
ｉＯ２、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３を用いているが、λ＝６
８５ｎｍでの屈折率が１．４５２〜１．４６４の低屈折
率材料、主繰り返しに用いる中間屈折率材料が１．６５
６〜１．６７０の屈折率、高屈折率材料が２．４４１〜
２．４６１の屈折率の範囲内であれば特に限定されるも
のではない。例えば、低屈折率材料として、ＳｉＯ２以
外のＭｇＦ２、Ｎａ３ＡｌＦ６、ＬｉＦ、ＣａＦ２ある
いはこれらの混合物、中間屈折率材料として、Ａｌ２Ｏ
３以外のＺｒＯ２、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｎｂ
２Ｏ５、Ｙ２Ｏ３、チタン酸ランタンあるいはこれらの
混合物、高屈折率材料として、ＴｉＯ２以外のＺｒ
Ｏ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５、Ｙ２Ｏ３、チタン酸ラ
ンタンあるいはこれらの混合物でも同様の結果が得られ
る。
【００２６】（比較例１）比較例１では、図５に示すよ
うに、接合型プリズムの一方のプリズム１１の接合面に
以下の偏光分離膜１３を成膜し、シリコン系接着剤１４
によって他方のプリズム１２を接着した。１５は、接合
型プリズムとディスクとの間に挿入したλ／４板であ
る。
うに、接合型プリズムの一方のプリズム１１の接合面に
以下の偏光分離膜１３を成膜し、シリコン系接着剤１４
によって他方のプリズム１２を接着した。１５は、接合
型プリズムとディスクとの間に挿入したλ／４板であ
る。
【００２７】すなわち、高屈折率材料（Ｈ）としてＴａ
２Ｏ５、低屈折率材料（Ｌ）としてＧａＯ２を用い、プ
リズム１１，１２として硝材ＢＫ−７を用い、λ＝６８
５ｎｍでλ＝１としたとき、プリズム１１／（１Ｈ １
Ｌ）×５ １Ｈ／プリズム１２の膜構成となっている。
２Ｏ５、低屈折率材料（Ｌ）としてＧａＯ２を用い、プ
リズム１１，１２として硝材ＢＫ−７を用い、λ＝６８
５ｎｍでλ＝１としたとき、プリズム１１／（１Ｈ １
Ｌ）×５ １Ｈ／プリズム１２の膜構成となっている。
【００２８】この比較例の透過率特性を図６に示し、特
性曲線ａがＰ偏光、特性曲線ｂがＳ偏光である。なお、
図６における横軸は相対波数で表示してある。
性曲線ａがＰ偏光、特性曲線ｂがＳ偏光である。なお、
図６における横軸は相対波数で表示してある。
【００２９】この比較例の構成では、λ／４板１５が光
路内に必要となるため、その分、光量ロスが大きくな
る。また、光路内に挿入されたλ／４板１５が、偏光を
検出する上で、その偏光を乱す要因となると共に、接合
型プリズムのディスクとの間に一定の距離が必要となる
ため、好ましくない。しかも、パワーのフィードバック
についてはＳ偏光で行うにとどまるだけであって、実際
にディスクに照射されるＰ偏光ではないことから、十分
なフィードバックを行うことができないものとなってい
る。
路内に必要となるため、その分、光量ロスが大きくな
る。また、光路内に挿入されたλ／４板１５が、偏光を
検出する上で、その偏光を乱す要因となると共に、接合
型プリズムのディスクとの間に一定の距離が必要となる
ため、好ましくない。しかも、パワーのフィードバック
についてはＳ偏光で行うにとどまるだけであって、実際
にディスクに照射されるＰ偏光ではないことから、十分
なフィードバックを行うことができないものとなってい
る。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１及び２の
発明によれば、プロジェクタや光ディスクに用いる接合
型プリズムに対し、パワーフィードバックが容易とな
り、高い光学性能でＳ偏光、Ｐ偏光の偏光分離を行うこ
とができる。
発明によれば、プロジェクタや光ディスクに用いる接合
型プリズムに対し、パワーフィードバックが容易とな
り、高い光学性能でＳ偏光、Ｐ偏光の偏光分離を行うこ
とができる。
【図１】本発明の実施の形態１に用いる光路を示す正面
図である、
図である、
【図２】実施の形態１における４５°入射の分光透過率
特性図である。
特性図である。
【図３】実施の形態１における生産バラツキを示す特性
図である。
図である。
【図４】実施の形態１におけるλ＝６８５ｎｍでの反射
位相差を示す特性図である。
位相差を示す特性図である。
【図５】比較例１の光路を示す正面図である。
【図６】比較例１の透過率特性図である。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 鵜澤 邦彦
東京都渋谷区幡ヶ谷２丁目43番２号 オリ
ンパス光学工業株式会社内
(72)発明者 和田 順雄
東京都渋谷区幡ヶ谷２丁目43番２号 オリ
ンパス光学工業株式会社内
(72)発明者 出口 武司
東京都渋谷区幡ヶ谷２丁目43番２号 オリ
ンパス光学工業株式会社内
(72)発明者 川俣 健
東京都渋谷区幡ヶ谷２丁目43番２号 オリ
ンパス光学工業株式会社内
Ｆターム(参考） 2H042 CA07 CA10 CA14 CA17
2H049 BA05 BA06 BA42 BA43 BB03
BB61 BC22
Claims (2)
- 【請求項１】 中間屈折率材料及び高屈折率材料の主繰
り返しからなり、接合型プリズムの一方のプリズム上に
設けられる偏光分離膜であって、 ４５°の入射光に対し、波長λ＝６８５ｎｍにおけるＳ
偏光の透過率が０〜１０％、Ｐ偏光の透過率が６０〜８
０％であり、波長λ＝６８５ｎｍの反射位相差が入射角
４４〜４６°に対し３００°±１６°である光学特性を
有していることを特徴とする偏光分離膜。 - 【請求項２】 波長λ＝６８５ｎｍにおける屈折率が
１．４５２〜１．４６４の低屈折率材料、屈折率が１．
６５６〜１．６７０の中間屈折率材料及び屈折率が２．
４４１〜２．４６１の高屈折率材料を用いたことを特徴
とする請求項１記載の偏光分離膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002041860A JP2003240954A (ja) | 2002-02-19 | 2002-02-19 | 偏光分離膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002041860A JP2003240954A (ja) | 2002-02-19 | 2002-02-19 | 偏光分離膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003240954A true JP2003240954A (ja) | 2003-08-27 |
Family
ID=27782143
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002041860A Withdrawn JP2003240954A (ja) | 2002-02-19 | 2002-02-19 | 偏光分離膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003240954A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1322364C (zh) * | 2004-10-25 | 2007-06-20 | 友达光电股份有限公司 | 液晶显示模块及其偏振化光学增亮膜 |
-
2002
- 2002-02-19 JP JP2002041860A patent/JP2003240954A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1322364C (zh) * | 2004-10-25 | 2007-06-20 | 友达光电股份有限公司 | 液晶显示模块及其偏振化光学增亮膜 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050510 |