JP2003238239A - フェライト磁性体およびその製造方法 - Google Patents
フェライト磁性体およびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 フェライトを構成するＣｏＯ粉末などの後添
加による比抵抗の低下を抑制するフェライト磁性体を提
供することを目的とする。 【解決手段】 フェライト成分であるＦｅ2Ｏ3，Ｎｉ
Ｏ，ＺｎＯ，ＣｕＯ粉末を所望の組成比で混合し、これ
を仮焼した後に粉砕してフェライト仮焼粉を得て、この
フェライト仮焼粉にＣｏＯ，Ｎｄ2Ｏ3，ＧｅＯ2もしく
はＺｒＯ2粉末とガラス粉末を混合して成形体を作成
し、これを焼成して得られたフェライト磁性体である。
加による比抵抗の低下を抑制するフェライト磁性体を提
供することを目的とする。 【解決手段】 フェライト成分であるＦｅ2Ｏ3，Ｎｉ
Ｏ，ＺｎＯ，ＣｕＯ粉末を所望の組成比で混合し、これ
を仮焼した後に粉砕してフェライト仮焼粉を得て、この
フェライト仮焼粉にＣｏＯ，Ｎｄ2Ｏ3，ＧｅＯ2もしく
はＺｒＯ2粉末とガラス粉末を混合して成形体を作成
し、これを焼成して得られたフェライト磁性体である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、各種電子機器、通
信機器などに利用される電子部品に用いられる高周波用
のフェライト磁性体およびその製造方法に関するもので
ある。
信機器などに利用される電子部品に用いられる高周波用
のフェライト磁性体およびその製造方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライトは、９０
０℃付近での焼成が可能であることと比抵抗が大きいと
いう理由から高周波信号用電子部品の磁性体として多用
される。そして、さらに高周波帯域で使用するために、
Ｃｏ成分の添加したＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ−Ｃｏ系フェライ
トが良く知られている。
０℃付近での焼成が可能であることと比抵抗が大きいと
いう理由から高周波信号用電子部品の磁性体として多用
される。そして、さらに高周波帯域で使用するために、
Ｃｏ成分の添加したＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ−Ｃｏ系フェライ
トが良く知られている。
【０００３】従来の技術では、このＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ−
Ｃｏ系フェライトは、Ｆｅ2Ｏ3，ＮｉＯ，ＺｎＯ，Ｃｕ
Ｏ，ＣｏＯの各粉末を所望の組成比で混合し、これを７
００℃以上で仮焼した後に粉砕してフェライト仮焼粉を
作成し、このフェライト仮焼粉を成形した後に９００℃
以上で焼成して得られる。
Ｃｏ系フェライトは、Ｆｅ2Ｏ3，ＮｉＯ，ＺｎＯ，Ｃｕ
Ｏ，ＣｏＯの各粉末を所望の組成比で混合し、これを７
００℃以上で仮焼した後に粉砕してフェライト仮焼粉を
作成し、このフェライト仮焼粉を成形した後に９００℃
以上で焼成して得られる。
【０００４】高周波信号用電子部品のひとつであるノイ
ズフィルターのように、周波数特性が重要とされる場合
では用いられる周波数帯域に応じてＣｏ成分の異なるフ
ェライト仮焼粉を数種類準備する必要がある。
ズフィルターのように、周波数特性が重要とされる場合
では用いられる周波数帯域に応じてＣｏ成分の異なるフ
ェライト仮焼粉を数種類準備する必要がある。
【０００５】このような場合、製造上の材料管理の観点
から、Ｆｅ2Ｏ3，ＮｉＯ，ＺｎＯ，ＣｕＯ粉末のみを仮
焼し、粉砕して得られた一種類のフェライト仮焼粉か
ら、用いられる周波数帯域に応じて必要量のＣｏＯ粉末
を後添加して焼成し、用いられる周波数帯域に応じた数
種類のフェライト磁性体を作成するという方法が採られ
る。
から、Ｆｅ2Ｏ3，ＮｉＯ，ＺｎＯ，ＣｕＯ粉末のみを仮
焼し、粉砕して得られた一種類のフェライト仮焼粉か
ら、用いられる周波数帯域に応じて必要量のＣｏＯ粉末
を後添加して焼成し、用いられる周波数帯域に応じた数
種類のフェライト磁性体を作成するという方法が採られ
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記の方法では、フェ
ライト磁性体を得るための焼成温度が９００℃付近であ
るためにフェライト仮焼粉とＣｏＯ粉末が十分に反応せ
ず、図２に示すように残留酸化物５としてフェライト４
中に分散してしまい、Ｃｏ成分添加による高周波化の効
果が十分に得られず、またＣｏ成分の添加量が多くなる
にしたがってフェライト磁性体の比抵抗が低下するとい
う課題を有している。
ライト磁性体を得るための焼成温度が９００℃付近であ
るためにフェライト仮焼粉とＣｏＯ粉末が十分に反応せ
ず、図２に示すように残留酸化物５としてフェライト４
中に分散してしまい、Ｃｏ成分添加による高周波化の効
果が十分に得られず、またＣｏ成分の添加量が多くなる
にしたがってフェライト磁性体の比抵抗が低下するとい
う課題を有している。
【０００７】同様な理由により、Ｎｄ2Ｏ3もしくはＧｅ
Ｏ2もしくはＺｒＯ2などの粉末を後添加した場合も、添
加による特性改善の効果が不十分であり、比抵抗が低下
してしまうという課題を有している。
Ｏ2もしくはＺｒＯ2などの粉末を後添加した場合も、添
加による特性改善の効果が不十分であり、比抵抗が低下
してしまうという課題を有している。
【０００８】そこで、本発明はＣｏＯ粉末などの後添加
による比抵抗の低下を防止することを目的とするもので
ある。
による比抵抗の低下を防止することを目的とするもので
ある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】そして、この目的を達成
するために本発明の請求項１に記載の発明は、特に、Ｆ
ｅ2Ｏ3が４５〜５０ｍｏｌ％、ＺｎＯが０〜１０ｍｏｌ
％、ＣｕＯが８〜１３ｍｏｌ％、ＮｉＯが残部となるフ
ェライト成分に対してＣｏＯを４ｗｔ％以下、ガラス粉
末を４０ｗｔ％以下を含有し、フェライト成分にガラス
成分の一部とＣｏを含むフェライト相の中に、ガラス成
分にフェライト成分の一部とＣｏを含むガラス相が分散
した形態を有するフェライト磁性体であり、フェライト
中の残留酸化物の防止により、比抵抗の高いフェライト
磁性体を得られるという作用を得ることができる。
するために本発明の請求項１に記載の発明は、特に、Ｆ
ｅ2Ｏ3が４５〜５０ｍｏｌ％、ＺｎＯが０〜１０ｍｏｌ
％、ＣｕＯが８〜１３ｍｏｌ％、ＮｉＯが残部となるフ
ェライト成分に対してＣｏＯを４ｗｔ％以下、ガラス粉
末を４０ｗｔ％以下を含有し、フェライト成分にガラス
成分の一部とＣｏを含むフェライト相の中に、ガラス成
分にフェライト成分の一部とＣｏを含むガラス相が分散
した形態を有するフェライト磁性体であり、フェライト
中の残留酸化物の防止により、比抵抗の高いフェライト
磁性体を得られるという作用を得ることができる。
【００１０】本発明の請求項２に記載の発明は、特に、
ガラス粉末の軟化点が８００〜８７０℃であり、その成
分が、ＳｉＯ2−ＢａＯ−Ａｌ2Ｏ3−Ｂ2Ｏ3系の組成で
ある請求項１記載のフェライト磁性体であり、これによ
ってガラス相をフェライト相の中に均一に分散して比抵
抗の高いフェライト磁性体を安定して得ることができ
る。
ガラス粉末の軟化点が８００〜８７０℃であり、その成
分が、ＳｉＯ2−ＢａＯ−Ａｌ2Ｏ3−Ｂ2Ｏ3系の組成で
ある請求項１記載のフェライト磁性体であり、これによ
ってガラス相をフェライト相の中に均一に分散して比抵
抗の高いフェライト磁性体を安定して得ることができ
る。
【００１１】本発明の請求項３に記載の発明は、特に、
フェライト成分に対して０．１〜２ｗｔ％のＮｄ2Ｏ3も
しくはＧｅＯ2を含有する請求項１または２記載のフェ
ライト磁性体であり、ＮｄもしくはＧｅ成分の効果によ
り温度特性が改善された比抵抗の高いフェライト磁性体
を得ることができる。
フェライト成分に対して０．１〜２ｗｔ％のＮｄ2Ｏ3も
しくはＧｅＯ2を含有する請求項１または２記載のフェ
ライト磁性体であり、ＮｄもしくはＧｅ成分の効果によ
り温度特性が改善された比抵抗の高いフェライト磁性体
を得ることができる。
【００１２】本発明の請求項４に記載の発明は、特に、
フェライト成分に対して０．１〜１ｗｔ％のＺｒＯ2を
含有する請求項１または２記載のフェライト磁性体であ
り、Ｚｒ成分の効果により機械強度が改善された比抵抗
の高いフェライト磁性体を得ることができる。
フェライト成分に対して０．１〜１ｗｔ％のＺｒＯ2を
含有する請求項１または２記載のフェライト磁性体であ
り、Ｚｒ成分の効果により機械強度が改善された比抵抗
の高いフェライト磁性体を得ることができる。
【００１３】本発明の請求項５に記載の発明は、特に、
フェライト成分であるＦｅ2Ｏ3，ＮｉＯ，ＺｎＯ，Ｃｕ
Ｏ粉末を所望の組成比で混合し、これを仮焼した後に粉
砕してフェライト仮焼粉を得る第１工程と、第１工程で
得られたフェライト仮焼粉にＣｏＯ粉末とＮｄ2Ｏ3もし
くはＧｅＯ2粉末もしくはＺｒＯ2粉末とガラス粉末を混
合して成形体を作成する第２工程と、第２工程で得られ
た成形体を焼成してフェライト磁性体とする第３工程を
有するフェライト磁性体の製造方法であり、ガラス粉末
と後添加成分を同時に添加することにより、後添加成分
の効果を十分に作用させた比抵抗の高いフェライト磁性
体を得ることができる。
フェライト成分であるＦｅ2Ｏ3，ＮｉＯ，ＺｎＯ，Ｃｕ
Ｏ粉末を所望の組成比で混合し、これを仮焼した後に粉
砕してフェライト仮焼粉を得る第１工程と、第１工程で
得られたフェライト仮焼粉にＣｏＯ粉末とＮｄ2Ｏ3もし
くはＧｅＯ2粉末もしくはＺｒＯ2粉末とガラス粉末を混
合して成形体を作成する第２工程と、第２工程で得られ
た成形体を焼成してフェライト磁性体とする第３工程を
有するフェライト磁性体の製造方法であり、ガラス粉末
と後添加成分を同時に添加することにより、後添加成分
の効果を十分に作用させた比抵抗の高いフェライト磁性
体を得ることができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】（実施の形態１）以下、本発明の
実施の形態について図面および表を参照しながら説明す
る。
実施の形態について図面および表を参照しながら説明す
る。
【００１５】本発明の実施の形態１におけるフェライト
磁性体は、４８ｍｏｌ％のＦｅ2Ｏ3粉末と４ｍｏｌ％の
ＺｎＯ粉末と１１ｍｏｌ％のＣｕＯ粉末と３７ｍｏｌ％
のＮｉＯ粉末を混合し、これを７８０℃で仮焼した後に
粉砕してＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系のフェライト仮焼粉を得る
第１工程と、第１工程で得られたフェライト仮焼粉に０
〜４ｗｔ％のＣｏＯ粉末と２０ｗｔ％のガラス粉末を混
合してバインダーを添加して成形体を作成する第２工程
と、第２工程で得られた成形体を９００℃で焼成してフ
ェライト磁性体とする第３工程を経て得られる。
磁性体は、４８ｍｏｌ％のＦｅ2Ｏ3粉末と４ｍｏｌ％の
ＺｎＯ粉末と１１ｍｏｌ％のＣｕＯ粉末と３７ｍｏｌ％
のＮｉＯ粉末を混合し、これを７８０℃で仮焼した後に
粉砕してＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系のフェライト仮焼粉を得る
第１工程と、第１工程で得られたフェライト仮焼粉に０
〜４ｗｔ％のＣｏＯ粉末と２０ｗｔ％のガラス粉末を混
合してバインダーを添加して成形体を作成する第２工程
と、第２工程で得られた成形体を９００℃で焼成してフ
ェライト磁性体とする第３工程を経て得られる。
【００１６】得られたフェライト磁性体は、図１に示す
ように、主成分としてのフェライト成分にガラス成分の
一部とＣｏを含むフェライト相１と、主成分としてのガ
ラス成分にフェライト成分の一部とＣｏを含むガラス層
２とで構成され、母相となるフェライト層１中にガラス
層２が分散した構造を有する。
ように、主成分としてのフェライト成分にガラス成分の
一部とＣｏを含むフェライト相１と、主成分としてのガ
ラス成分にフェライト成分の一部とＣｏを含むガラス層
２とで構成され、母相となるフェライト層１中にガラス
層２が分散した構造を有する。
【００１７】比較のため、従来の技術により、４８ｍｏ
ｌ％のＦｅ2Ｏ3粉末と４ｍｏｌ％のＺｎＯ粉末と１１ｍ
ｏｌ％のＣｕＯ粉末と３７ｍｏｌ％のＮｉＯ粉末と以上
の成分の総和に対して０〜４ｗｔ％のＣｏＯ粉末を混合
し、これを７８０℃で仮焼した後に粉砕してＮｉ−Ｚｎ
−Ｃｕ−Ｃｏ系のフェライト仮焼粉を作成し、この仮焼
粉にバインダーを添加して成形体を作成した後に９００
℃で焼成してフェライト磁性体を得た（比較品）。
ｌ％のＦｅ2Ｏ3粉末と４ｍｏｌ％のＺｎＯ粉末と１１ｍ
ｏｌ％のＣｕＯ粉末と３７ｍｏｌ％のＮｉＯ粉末と以上
の成分の総和に対して０〜４ｗｔ％のＣｏＯ粉末を混合
し、これを７８０℃で仮焼した後に粉砕してＮｉ−Ｚｎ
−Ｃｕ−Ｃｏ系のフェライト仮焼粉を作成し、この仮焼
粉にバインダーを添加して成形体を作成した後に９００
℃で焼成してフェライト磁性体を得た（比較品）。
【００１８】図３に比抵抗を比較して示す。
【００１９】図３によれば、本発明はＣｏ添加による比
抵抗の低下が抑えられ、比抵抗の高いフェライト磁性体
が得られることが可能となった。
抵抗の低下が抑えられ、比抵抗の高いフェライト磁性体
が得られることが可能となった。
【００２０】（実施の形態２）本発明の実施の形態２に
おけるフェライト磁性体は、４９ｍｏｌ％のＦｅ2Ｏ3粉
末と２ｍｏｌ％のＺｎＯ粉末と１１ｍｏｌ％のＣｕＯ粉
末と３８ｍｏｌ％のＮｉＯ粉末を混合し、これを７８０
℃で仮焼した後に粉砕してＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系のフェラ
イト仮焼粉を得る第１工程と、第１工程で得られたフェ
ライト仮焼粉に０〜４ｗｔ％のＣｏＯ粉末と０．１〜２
ｗｔ％のＮｄ2Ｏ3粉末もしくはＧｅＯ2粉末と１０ｗｔ
％のガラス粉末を混合してバインダーを添加して成形体
を作成する第２工程と、第２工程で得られた成形体を９
００℃で焼成してフェライト磁性体とする第３工程を経
て得られる。
おけるフェライト磁性体は、４９ｍｏｌ％のＦｅ2Ｏ3粉
末と２ｍｏｌ％のＺｎＯ粉末と１１ｍｏｌ％のＣｕＯ粉
末と３８ｍｏｌ％のＮｉＯ粉末を混合し、これを７８０
℃で仮焼した後に粉砕してＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系のフェラ
イト仮焼粉を得る第１工程と、第１工程で得られたフェ
ライト仮焼粉に０〜４ｗｔ％のＣｏＯ粉末と０．１〜２
ｗｔ％のＮｄ2Ｏ3粉末もしくはＧｅＯ2粉末と１０ｗｔ
％のガラス粉末を混合してバインダーを添加して成形体
を作成する第２工程と、第２工程で得られた成形体を９
００℃で焼成してフェライト磁性体とする第３工程を経
て得られる。
【００２１】得られたフェライト磁性体は、図１に示す
ように、主成分としてのフェライト成分にガラス成分の
一部とＣｏとＮｂもしくはＧｅを含むフェライト層１
と、主成分としてのガラス成分にフェライト成分の一部
とＣｏとＮｂもしくはＧｅを含むガラス層２とで構成さ
れ、母相となるフェライト層１中にガラス層２が分散し
た構造を有する（本発明品１〜４）。
ように、主成分としてのフェライト成分にガラス成分の
一部とＣｏとＮｂもしくはＧｅを含むフェライト層１
と、主成分としてのガラス成分にフェライト成分の一部
とＣｏとＮｂもしくはＧｅを含むガラス層２とで構成さ
れ、母相となるフェライト層１中にガラス層２が分散し
た構造を有する（本発明品１〜４）。
【００２２】比較のため、従来の技術により、４９ｍｏ
ｌ％のＦｅ2Ｏ3粉末と２ｍｏｌ％のＺｎＯ粉末と１１ｍ
ｏｌ％のＣｕＯ粉末と３８ｍｏｌ％のＮｉＯ粉末と以上
の成分の総和に対して２ｗｔ％のＣｏＯ粉末０．１〜２
ｗｔ％のＮｄ2Ｏ3粉末もしくはＧｅＯ2粉末とを混合
し、これを７８０℃で仮焼した後に粉砕してＮｉ−Ｚｎ
−Ｃｕ−Ｃｏ系のフェライト仮焼粉を作成し、この仮焼
粉にバインダーを添加して成形体を作成した後に９００
℃で焼成してフェライト磁性体を得た（比較品１〜
４）。
ｌ％のＦｅ2Ｏ3粉末と２ｍｏｌ％のＺｎＯ粉末と１１ｍ
ｏｌ％のＣｕＯ粉末と３８ｍｏｌ％のＮｉＯ粉末と以上
の成分の総和に対して２ｗｔ％のＣｏＯ粉末０．１〜２
ｗｔ％のＮｄ2Ｏ3粉末もしくはＧｅＯ2粉末とを混合
し、これを７８０℃で仮焼した後に粉砕してＮｉ−Ｚｎ
−Ｃｕ−Ｃｏ系のフェライト仮焼粉を作成し、この仮焼
粉にバインダーを添加して成形体を作成した後に９００
℃で焼成してフェライト磁性体を得た（比較品１〜
４）。
【００２３】（表１）に特性を比較して示す。
【００２４】
【表１】
【００２５】（表１）によれば、本発明はＣｏ，Ｎｂ，
Ｇｅ成分の添加による比抵抗の低下が抑えられ、温度特
性が改善された比抵抗の高いフェライト磁性体が得られ
ることがわかる。
Ｇｅ成分の添加による比抵抗の低下が抑えられ、温度特
性が改善された比抵抗の高いフェライト磁性体が得られ
ることがわかる。
【００２６】なお、温度特性は、２０℃での透磁率に対
して６０℃透磁率の増分を変化率（％）で表した。
して６０℃透磁率の増分を変化率（％）で表した。
【００２７】（実施の形態３）本発明の実施の形態３に
おけるフェライト磁性体は、４８ｍｏｌ％のＦｅ2Ｏ3粉
末と１ｍｏｌ％のＺｎＯ粉末と１１ｍｏｌ％のＣｕＯ粉
末と４０ｍｏｌ％のＮｉＯ粉末を混合し、これを７８０
℃で仮焼した後に粉砕してＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系のフェラ
イト仮焼粉を得る第１工程と、第１工程で得られたフェ
ライト仮焼粉に１ｗｔ％のＣｏＯ粉末と０．１〜１ｗｔ
％のＺｒＯ2粉末と５ｗｔ％のガラス粉末を混合してバ
インダーを添加して成形体を作成する第２工程と、第２
工程で得られた成形体を９００℃で焼成してフェライト
磁性体とする第３工程を経て得られる。
おけるフェライト磁性体は、４８ｍｏｌ％のＦｅ2Ｏ3粉
末と１ｍｏｌ％のＺｎＯ粉末と１１ｍｏｌ％のＣｕＯ粉
末と４０ｍｏｌ％のＮｉＯ粉末を混合し、これを７８０
℃で仮焼した後に粉砕してＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系のフェラ
イト仮焼粉を得る第１工程と、第１工程で得られたフェ
ライト仮焼粉に１ｗｔ％のＣｏＯ粉末と０．１〜１ｗｔ
％のＺｒＯ2粉末と５ｗｔ％のガラス粉末を混合してバ
インダーを添加して成形体を作成する第２工程と、第２
工程で得られた成形体を９００℃で焼成してフェライト
磁性体とする第３工程を経て得られる。
【００２８】得られたフェライト磁性体は、図１に示す
ように、主成分としてのフェライト成分にガラス成分の
一部とＣｏとＺｒを含むフェライト相１と、主成分とし
てのガラス成分にフェライト成分の一部とＣｏとＺｒを
含むガラス相２とで構成され、母相となるフェライト相
１中にガラス相２が分散した構造を有する（本発明品５
〜８）。
ように、主成分としてのフェライト成分にガラス成分の
一部とＣｏとＺｒを含むフェライト相１と、主成分とし
てのガラス成分にフェライト成分の一部とＣｏとＺｒを
含むガラス相２とで構成され、母相となるフェライト相
１中にガラス相２が分散した構造を有する（本発明品５
〜８）。
【００２９】比較のため、従来の技術により、４９ｍｏ
ｌ％のＦｅ2Ｏ3粉末と２ｍｏｌ％のＺｎＯ粉末と１１ｍ
ｏｌ％のＣｕＯ粉末と３８ｍｏｌ％のＮｉＯ粉末と以上
の成分の総和に対して０〜４ｗｔ％のＣｏＯ粉末と０．
１〜１ｗｔ％のＺｒＯ2粉末とを混合し、これを７８０
℃で仮焼した後に粉砕してＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ−Ｃｏ系の
フェライト仮焼粉を作成し、この仮焼粉にバインダーを
添加して成形体を作成した後に９００℃で焼成してフェ
ライト磁性体を得た（比較品５〜８）。
ｌ％のＦｅ2Ｏ3粉末と２ｍｏｌ％のＺｎＯ粉末と１１ｍ
ｏｌ％のＣｕＯ粉末と３８ｍｏｌ％のＮｉＯ粉末と以上
の成分の総和に対して０〜４ｗｔ％のＣｏＯ粉末と０．
１〜１ｗｔ％のＺｒＯ2粉末とを混合し、これを７８０
℃で仮焼した後に粉砕してＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ−Ｃｏ系の
フェライト仮焼粉を作成し、この仮焼粉にバインダーを
添加して成形体を作成した後に９００℃で焼成してフェ
ライト磁性体を得た（比較品５〜８）。
【００３０】（表２）に特性を比較して示す。
【００３１】
【表２】
【００３２】（表２）によれば、本発明はＣｏ，Ｚｒ成
分の添加による比抵抗の低下が抑えられ、機械強度が改
善された比抵抗の高いフェライト磁性体が得られること
がわかる。
分の添加による比抵抗の低下が抑えられ、機械強度が改
善された比抵抗の高いフェライト磁性体が得られること
がわかる。
【００３３】機械強度は、抗折強度で表した。
【００３４】なお、以上の説明で、ＳｉＯ2−ＢａＯ−
Ａｌ2Ｏ3−Ｂｉ2Ｏ3系ガラスにさらに、軟化点を調整す
るための微量元素が含まれていても、軟化点が８００〜
８７０℃であれば同様な効果が得られる。軟化点が８０
０℃以下のガラスを用いた場合、焼成中にガラス相２が
不均一に分散されるため望ましくない。
Ａｌ2Ｏ3−Ｂｉ2Ｏ3系ガラスにさらに、軟化点を調整す
るための微量元素が含まれていても、軟化点が８００〜
８７０℃であれば同様な効果が得られる。軟化点が８０
０℃以下のガラスを用いた場合、焼成中にガラス相２が
不均一に分散されるため望ましくない。
【００３５】また、ＣｏＯ粉末は、Ｃｏ2Ｏ3粉末やＣｏ
ＣＯ3粉末でも良い。
ＣＯ3粉末でも良い。
【００３６】また、焼成温度は、使用する材料の焼結温
度に依存して９００℃を中心として選択される。
度に依存して９００℃を中心として選択される。
【００３７】
【発明の効果】以上のように本発明は、Ｆｅ2Ｏ3が４５
〜５０ｍｏｌ％、ＺｎＯが０〜１０ｍｏｌ％、ＣｕＯが
８〜１３ｍｏｌ％、ＮｉＯが残部となるフェライト成分
に対してＣｏＯを２ｗｔ％以下、必要に応じて０．１〜
２ｗｔ％のＮｄ2Ｏ3粉末もしくはＧｅＯ2粉末もしくは
０．１〜１ｗｔ％のＺｒＯ2粉末と、軟化点８００℃〜
８７０℃のガラス粉末を４０ｗｔ％以下を含有し、主成
分としてのフェライト成分にガラス成分の一部とＣｏ，
Ｎｄ，Ｇｅ，Ｚｒを含むフェライト相と、主成分として
のガラス成分にフェライト成分の一部とＣｏ，Ｎｄ，Ｇ
ｅ，Ｚｒを含むガラス相とで構成され、母相となるフェ
ライト相にガラス相２が分散した形態を有するフェライ
ト磁性体である。この発明によれば、フェライト相の中
に取り込まれなかったＣｏもしくはＮｄ，Ｇｅもしくは
Ｚｒ成分は、ガラス成分によってガラス相の中に取り込
まれ、コバルト酸化物単体もしくはネオジウム酸化物単
体もしくはゲルマニウム酸化物単体もしくはジルコニウ
ム酸化物単体としてフェライト磁性体中に残留しないた
めに、ＣｏもしくはＮｄ，ＧｅもしくはＺｒ成分の添加
量が多くなっても比抵抗の高いフェライト磁性体を得る
ことができる。
〜５０ｍｏｌ％、ＺｎＯが０〜１０ｍｏｌ％、ＣｕＯが
８〜１３ｍｏｌ％、ＮｉＯが残部となるフェライト成分
に対してＣｏＯを２ｗｔ％以下、必要に応じて０．１〜
２ｗｔ％のＮｄ2Ｏ3粉末もしくはＧｅＯ2粉末もしくは
０．１〜１ｗｔ％のＺｒＯ2粉末と、軟化点８００℃〜
８７０℃のガラス粉末を４０ｗｔ％以下を含有し、主成
分としてのフェライト成分にガラス成分の一部とＣｏ，
Ｎｄ，Ｇｅ，Ｚｒを含むフェライト相と、主成分として
のガラス成分にフェライト成分の一部とＣｏ，Ｎｄ，Ｇ
ｅ，Ｚｒを含むガラス相とで構成され、母相となるフェ
ライト相にガラス相２が分散した形態を有するフェライ
ト磁性体である。この発明によれば、フェライト相の中
に取り込まれなかったＣｏもしくはＮｄ，Ｇｅもしくは
Ｚｒ成分は、ガラス成分によってガラス相の中に取り込
まれ、コバルト酸化物単体もしくはネオジウム酸化物単
体もしくはゲルマニウム酸化物単体もしくはジルコニウ
ム酸化物単体としてフェライト磁性体中に残留しないた
めに、ＣｏもしくはＮｄ，ＧｅもしくはＺｒ成分の添加
量が多くなっても比抵抗の高いフェライト磁性体を得る
ことができる。
【図１】本発明によるフェライト磁性体の断面を示す模
式図
式図
【図２】従来のフェライト磁性体の断面を示す模式図
【図３】本発明と従来例の比較図
１ フェライト相
２ ガラス相
３ 空隙
４ フェライト
５ 残留酸化物
６ 空隙
─────────────────────────────────────────────────────
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Ｆターム(参考） 4G018 AA10 AA11 AA16 AA22 AA23
AA24 AA25 AA27 AA28 AA31
AA32
5E041 AB01 CA10 HB01 NN02 NN18
Claims (5)
- 【請求項１】 Ｆｅ2Ｏ3が４５〜５０ｍｏｌ％、ＺｎＯ
が０〜１０ｍｏｌ％、ＣｕＯが８〜１３ｍｏｌ％、Ｎｉ
Ｏが残部となるフェライト成分に対してＣｏＯを４ｗｔ
％以下、ガラス粉末を４０ｗｔ％以下を含有し、フェラ
イト成分にガラス成分の一部とＣｏを含むフェライト相
の中に、ガラス成分にフェライト成分の一部とＣｏを含
むガラス相が分散した形態を有するフェライト磁性体。 - 【請求項２】 ガラス粉末の軟化点が８００〜８７０℃
であり、その成分がＳｉＯ2−ＢａＯ−Ａｌ2Ｏ3−Ｂ2Ｏ
3系の組成である請求項１記載のフェライト磁性体。 - 【請求項３】 フェライト成分に対して０．１〜２ｗｔ
％のＮｄ2Ｏ3もしくはＧｅＯ2を含有する請求項１また
は２記載のフェライト磁性体。 - 【請求項４】 フェライト成分に対して０．１〜１ｗｔ
％のＺｒＯ2を含有する請求項１または２記載のフェラ
イト磁性体。 - 【請求項５】 フェライト成分であるＦｅ2Ｏ3，Ｎｉ
Ｏ，ＺｎＯ，ＣｕＯ粉末を所望の組成比で混合し、これ
を仮焼した後に粉砕してフェライト仮焼粉を得る第１工
程と、第１工程で得られたフェライト仮焼粉にＣｏＯ粉
末とＮｄ2Ｏ3もしくはＧｅＯ2粉末もしくはＺｒＯ2粉末
とガラス粉末を混合して成形体を作成する第２工程と、
第２工程で得られた成形体を焼成してフェライト磁性体
とする第３工程を有するフェライト磁性体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002043017A JP2003238239A (ja) | 2002-02-20 | 2002-02-20 | フェライト磁性体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002043017A JP2003238239A (ja) | 2002-02-20 | 2002-02-20 | フェライト磁性体およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003238239A true JP2003238239A (ja) | 2003-08-27 |
Family
ID=27782935
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002043017A Pending JP2003238239A (ja) | 2002-02-20 | 2002-02-20 | フェライト磁性体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003238239A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008300548A (ja) * | 2007-05-30 | 2008-12-11 | Tdk Corp | 積層インダクタ部品 |
-
2002
- 2002-02-20 JP JP2002043017A patent/JP2003238239A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008300548A (ja) * | 2007-05-30 | 2008-12-11 | Tdk Corp | 積層インダクタ部品 |
| JP4640377B2 (ja) * | 2007-05-30 | 2011-03-02 | Ｔｄｋ株式会社 | 積層インダクタ部品 |
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