JP2003221232A - フェライト材料およびその製造方法 - Google Patents
フェライト材料およびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 低温焼結できるフェライト材料およびその製
造方法を提供する。 【構成】 六方晶フェライト(主成分:Ba3Co2Fe
24O41)粉体とNi-Cu-Znフェライト粉体の混合粉
体に、焼結助剤としてのBi2O3を添加し、それを低温
焼結(880〜950℃)する。かかる焼結で得られた
材料の自己共鳴ピークは、スヌークの限界線よりも高周
波側に移動する。
造方法を提供する。 【構成】 六方晶フェライト(主成分:Ba3Co2Fe
24O41)粉体とNi-Cu-Znフェライト粉体の混合粉
体に、焼結助剤としてのBi2O3を添加し、それを低温
焼結(880〜950℃)する。かかる焼結で得られた
材料の自己共鳴ピークは、スヌークの限界線よりも高周
波側に移動する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、フェライト材料お
よびその製造方法に関するものである。
よびその製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】デジタル機器の高性能化および高速化に
伴い、その種の機器が扱う周波数も高周波化しており、
今日では、GHz帯のノイズ対策が求められてきてい
る。このノイズ対策用として、従来より使用されている
積層型チップ部品は、銀(Ag)内部導体と同時焼成で
きる低温焼結Ni-Cu-Znフェライトである。
伴い、その種の機器が扱う周波数も高周波化しており、
今日では、GHz帯のノイズ対策が求められてきてい
る。このノイズ対策用として、従来より使用されている
積層型チップ部品は、銀(Ag)内部導体と同時焼成で
きる低温焼結Ni-Cu-Znフェライトである。
【0003】フェライトは、多くの電子産業で使用され
ており、例えば、フェライト材料としてトランスのコア
(磁心)に、磁性粉として磁気テープに塗布され、ま
た、フェライト磁石等としても利用されている。特に高
周波機器には、フェライトが不可欠の電子材料となって
いる。
ており、例えば、フェライト材料としてトランスのコア
(磁心)に、磁性粉として磁気テープに塗布され、ま
た、フェライト磁石等としても利用されている。特に高
周波機器には、フェライトが不可欠の電子材料となって
いる。
【0004】フェライトは酸化鉄を主成分とするため、
電気抵抗が金属よりもはるかに大きく、また、金属と異
なり渦電流の影響がほとんどないため、安定した磁気特
性を高い周波領域まで保持する。
電気抵抗が金属よりもはるかに大きく、また、金属と異
なり渦電流の影響がほとんどないため、安定した磁気特
性を高い周波領域まで保持する。
【0005】ところで、フェライトは、磁壁共鳴と呼ば
れる現象により、ある周波数に達すると磁気損失が急増
し、高周波領域におけるフェライトの磁気特性に限界が
生ずる。上述したNi-Cu-Znフェライトの場合、そ
の透磁率(μ)は、約300MHz以上で急激に低下
し、GHz帯域では磁気特性が得られない。なお、かか
るフェライトの性質を積極的に利用したのが、ノイズ除
去対策の部品として一般的に知られている、チップビー
ズと呼ばれる部品である。
れる現象により、ある周波数に達すると磁気損失が急増
し、高周波領域におけるフェライトの磁気特性に限界が
生ずる。上述したNi-Cu-Znフェライトの場合、そ
の透磁率(μ)は、約300MHz以上で急激に低下
し、GHz帯域では磁気特性が得られない。なお、かか
るフェライトの性質を積極的に利用したのが、ノイズ除
去対策の部品として一般的に知られている、チップビー
ズと呼ばれる部品である。
【0006】また、現在、広く使用されている立方晶系
スピネル型フェライトも、その材質固有の共鳴周波数を
持っているため、その周波数を越えた周波数領域での磁
性材としての機能がなくなり、「スヌークの限界」に従
う。これに対して、六方晶フェライトは、この「スヌー
クの限界」を超える高周波フェライト材料として注目さ
れている。
スピネル型フェライトも、その材質固有の共鳴周波数を
持っているため、その周波数を越えた周波数領域での磁
性材としての機能がなくなり、「スヌークの限界」に従
う。これに対して、六方晶フェライトは、この「スヌー
クの限界」を超える高周波フェライト材料として注目さ
れている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、高周波
フェライト材料としての六方晶フェライトも、その焼結
には、通常、1200〜1300℃の温度が必要にな
る。そのため、積層技術に必要なAg内部導体との同時
焼成が不可能となり、例えば、ノイズ除去対策用の部品
として、小型化できないという問題がある。
フェライト材料としての六方晶フェライトも、その焼結
には、通常、1200〜1300℃の温度が必要にな
る。そのため、積層技術に必要なAg内部導体との同時
焼成が不可能となり、例えば、ノイズ除去対策用の部品
として、小型化できないという問題がある。
【0008】なお、六方晶フェライトの粉体に酸化銅
(CuO)やBi2O3を添加して、その焼結温度を下げ
る例が、文献(例えば、粉体粉末冶金協会講演概要集
(平成13年度春季大会、79頁))に記載されている
が、得られた材料の透磁率が4程度であり、しかも、N
i-Cu-Znフェライトのスヌークの限界線より出るも
のではない。
(CuO)やBi2O3を添加して、その焼結温度を下げ
る例が、文献(例えば、粉体粉末冶金協会講演概要集
(平成13年度春季大会、79頁))に記載されている
が、得られた材料の透磁率が4程度であり、しかも、N
i-Cu-Znフェライトのスヌークの限界線より出るも
のではない。
【0009】また、例えば、特開2000−26061
5号公報に記載された六方晶フェライトは、低温焼成が
可能であるといっても、SiO2,Al2O3,SrO,
CaO,MgO,B2O3等で低温焼結化させるもので、
本願発明に係るフェライト材料とは異なるものである。
5号公報に記載された六方晶フェライトは、低温焼成が
可能であるといっても、SiO2,Al2O3,SrO,
CaO,MgO,B2O3等で低温焼結化させるもので、
本願発明に係るフェライト材料とは異なるものである。
【0010】本発明は、上述した課題に鑑みなされたも
のであり、その目的とするところは、六方晶フェライト
の磁気特性を利用しつつ、低温で焼結できるフェライト
材料およびその製造方法を提供することである。
のであり、その目的とするところは、六方晶フェライト
の磁気特性を利用しつつ、低温で焼結できるフェライト
材料およびその製造方法を提供することである。
【0011】本発明の他の目的は、Ag内部導体との同
時焼成ができ、部品の小型化に供するフェライト材料お
よびその製造方法を提供することである。
時焼成ができ、部品の小型化に供するフェライト材料お
よびその製造方法を提供することである。
【0012】
【課題を解決するための手段】かかる目的を達成し、上
述した課題を解決する一手段として、例えば、以下の構
成を備える。すなわち、Ba3Co2Fe24O41で表され
る六方晶フェライトを組成とするフェライト材料におい
て、上記六方晶フェライトの粉体50乃至90重量%
と、Ni-Cu-Zn系スピネル型フェライトの粉体10
乃至50重量%とを混合した粉体100重量部に、Bi
2O3を2乃至7重量部添加した組成を有する材料を、8
80乃至950℃で焼結してなることを特徴とする。
述した課題を解決する一手段として、例えば、以下の構
成を備える。すなわち、Ba3Co2Fe24O41で表され
る六方晶フェライトを組成とするフェライト材料におい
て、上記六方晶フェライトの粉体50乃至90重量%
と、Ni-Cu-Zn系スピネル型フェライトの粉体10
乃至50重量%とを混合した粉体100重量部に、Bi
2O3を2乃至7重量部添加した組成を有する材料を、8
80乃至950℃で焼結してなることを特徴とする。
【0013】例えば、上記六方晶フェライトは、Ba3
Co2Fe24O41を主成分とし、Ba 2Co2Fe12O22
を含むことを特徴とする。また、上記Bi2O3は、上記
焼結の助剤として機能することを特徴とする。
Co2Fe24O41を主成分とし、Ba 2Co2Fe12O22
を含むことを特徴とする。また、上記Bi2O3は、上記
焼結の助剤として機能することを特徴とする。
【0014】例えば、上記Ni-Cu-Zn系スピネル型
フェライトは、上記焼結の助剤として機能し、上記焼結
後のフェライト材料の抵抗率を109Ω・cm以上に保
つとともに、透磁率を2乃至10に保持することを特徴
とする。
フェライトは、上記焼結の助剤として機能し、上記焼結
後のフェライト材料の抵抗率を109Ω・cm以上に保
つとともに、透磁率を2乃至10に保持することを特徴
とする。
【0015】また、例えば、上記Bi2O3は、上記焼結
の助剤として機能することを特徴とする。例えば、上記
焼結後のフェライト材料は、スヌークの限界線よりも高
周波側に透磁率の自己共鳴ピークを持つことを特徴とす
る。
の助剤として機能することを特徴とする。例えば、上記
焼結後のフェライト材料は、スヌークの限界線よりも高
周波側に透磁率の自己共鳴ピークを持つことを特徴とす
る。
【0016】上述した課題を解決する他の手段として、
本発明に係るフェライト材料の製造方法は、六方晶フェ
ライトの粉体50乃至90重量%と、Ni-Cu-Zn系
スピネル型フェライトの粉体10乃至50重量%とを配
合するステップと、上記配合後の粉体100重量部に、
Bi2O3を2乃至7重量部添加する添加ステップと、上
記添加ステップで得られた材料を880乃至950℃で
焼結するステップとを備えることを特徴とする。
本発明に係るフェライト材料の製造方法は、六方晶フェ
ライトの粉体50乃至90重量%と、Ni-Cu-Zn系
スピネル型フェライトの粉体10乃至50重量%とを配
合するステップと、上記配合後の粉体100重量部に、
Bi2O3を2乃至7重量部添加する添加ステップと、上
記添加ステップで得られた材料を880乃至950℃で
焼結するステップとを備えることを特徴とする。
【0017】例えば、上記Ni-Cu-Zn系スピネル型
フェライトは、上記焼結の助剤として機能し、上記焼結
後のフェライト材料の抵抗率を109Ω・cm以上に保
つとともに、透磁率を2乃至10に保持することを特徴
とする。
フェライトは、上記焼結の助剤として機能し、上記焼結
後のフェライト材料の抵抗率を109Ω・cm以上に保
つとともに、透磁率を2乃至10に保持することを特徴
とする。
【0018】また、例えば、上記Bi2O3は、上記焼結
ステップにおける焼結助剤として機能する。
ステップにおける焼結助剤として機能する。
【0019】
【発明の実施の形態】以下、添付図面および表を参照し
て、本発明に係る実施の形態例を詳細に説明する。本実
施の形態例では、以下に詳述する工程によって得られた
六方晶フェライト粉体、Ni-Cu-Znフェライト粉
体、およびBi2O3を混合して作製した磁性体複合材料
の特性について説明する。
て、本発明に係る実施の形態例を詳細に説明する。本実
施の形態例では、以下に詳述する工程によって得られた
六方晶フェライト粉体、Ni-Cu-Znフェライト粉
体、およびBi2O3を混合して作製した磁性体複合材料
の特性について説明する。
【0020】最初に、本実施の形態例に係る磁性体複合
材料の製造に使用する、上述した各粉体の作製手順につ
いて説明する。図1は、六方晶フェライト粉体、および
Ni-Cu-Znフェライト粉体の製造工程を示すフロー
チャートである。六方晶フェライト粉体を作製する場
合、図1のステップS11において、Fe2O3,BaC
O3,Co3O4を、六方晶フェライト粉体の一般式であ
るBa3Co2Fe24O41の組成になるように秤量し、続
くステップS12において、ボールミルを用いた混合を
行う。より具体的には、秤量した組成物を、鉄球メディ
アを入れた鉄製ボールミルに入れ、一定時間、純水でボ
ールミル混合する。
材料の製造に使用する、上述した各粉体の作製手順につ
いて説明する。図1は、六方晶フェライト粉体、および
Ni-Cu-Znフェライト粉体の製造工程を示すフロー
チャートである。六方晶フェライト粉体を作製する場
合、図1のステップS11において、Fe2O3,BaC
O3,Co3O4を、六方晶フェライト粉体の一般式であ
るBa3Co2Fe24O41の組成になるように秤量し、続
くステップS12において、ボールミルを用いた混合を
行う。より具体的には、秤量した組成物を、鉄球メディ
アを入れた鉄製ボールミルに入れ、一定時間、純水でボ
ールミル混合する。
【0021】ステップS13では、ボールミル混合され
た材料を乾燥し、次のステップS14において、それを
メッシュによる整粒を行ってコウ鉢に入れ、T=125
0℃でt=3時間、仮焼する。そして、ステップS15
において、仮焼粉を、鉄球メディアを入れた鉄製ボール
ミルに入れ、一定時間、純水で粉砕する。
た材料を乾燥し、次のステップS14において、それを
メッシュによる整粒を行ってコウ鉢に入れ、T=125
0℃でt=3時間、仮焼する。そして、ステップS15
において、仮焼粉を、鉄球メディアを入れた鉄製ボール
ミルに入れ、一定時間、純水で粉砕する。
【0022】ステップS16では、粉砕した材料を乾燥
して、平均粒径4μmの粉体(六方晶フェライト粉体)
を得る。なお、六方晶フェライトは、Z型(Ba3Co2
Fe 24O41)を主成分とする場合を説明したが、以上の
例に限定されるものではなく、これに限定せず、Y型
(Ba2Co2Fe12O22)を少量含んでもよく、Z型
(Ba3Co2Fe24O41)単体の場合とほぼ同様の効果
が得られる。
して、平均粒径4μmの粉体(六方晶フェライト粉体)
を得る。なお、六方晶フェライトは、Z型(Ba3Co2
Fe 24O41)を主成分とする場合を説明したが、以上の
例に限定されるものではなく、これに限定せず、Y型
(Ba2Co2Fe12O22)を少量含んでもよく、Z型
(Ba3Co2Fe24O41)単体の場合とほぼ同様の効果
が得られる。
【0023】Ni-Cu-Znフェライト粉体を作製する
場合、図1のステップS11で、Fe2O3を48mol
%、NiOを42mol%、CuOを7mol%、Zn
Oを3mol%になるように秤量し、ステップS12に
おいて、ステップS11で秤量した組成物を、鉄球メデ
ィアを入れた鉄製ボールミルに入れて、一定時間、純水
でボールミル混合する。
場合、図1のステップS11で、Fe2O3を48mol
%、NiOを42mol%、CuOを7mol%、Zn
Oを3mol%になるように秤量し、ステップS12に
おいて、ステップS11で秤量した組成物を、鉄球メデ
ィアを入れた鉄製ボールミルに入れて、一定時間、純水
でボールミル混合する。
【0024】ステップS13では、ボールミル混合され
た材料を乾燥し、次のステップS14において、メッシ
ュを通して整粒し、それをコウ鉢に入れて、T=700
℃でt=3時間、仮焼する。ステップS15において、
仮焼粉を、鉄球メディアを入れた鉄製ボールミルに入
れ、一定時間、純水で粉砕する。そして、ステップS1
6において、粉砕した材料を乾燥して、平均粒径0.7
μmの粉体(Ni-Cu-Zn粉体)を得る。
た材料を乾燥し、次のステップS14において、メッシ
ュを通して整粒し、それをコウ鉢に入れて、T=700
℃でt=3時間、仮焼する。ステップS15において、
仮焼粉を、鉄球メディアを入れた鉄製ボールミルに入
れ、一定時間、純水で粉砕する。そして、ステップS1
6において、粉砕した材料を乾燥して、平均粒径0.7
μmの粉体(Ni-Cu-Zn粉体)を得る。
【0025】次に、本実施の形態例に係る磁性体複合材
料の製造工程について説明する。図2は、本実施の形態
例に係る磁性体複合材料の製造工程を示すフローチャー
トである。同図のステップS31では、図1に示す工程
で得られた六方晶フェライト粉体およびNi-Cu-Zn
フェライト粉体とBi2O3とを、後述する配合比(表1
参照)に従って秤量する。
料の製造工程について説明する。図2は、本実施の形態
例に係る磁性体複合材料の製造工程を示すフローチャー
トである。同図のステップS31では、図1に示す工程
で得られた六方晶フェライト粉体およびNi-Cu-Zn
フェライト粉体とBi2O3とを、後述する配合比(表1
参照)に従って秤量する。
【0026】なお、ここでは、表1に示すように、六方
晶フェライト粉体、およびNi-Cu-Znフェライト粉
体については、重量パーセント(重量%)で示す配合比
で秤量し、焼結助剤としてのBi2O3については、重量
部で示す配合比で秤量する。
晶フェライト粉体、およびNi-Cu-Znフェライト粉
体については、重量パーセント(重量%)で示す配合比
で秤量し、焼結助剤としてのBi2O3については、重量
部で示す配合比で秤量する。
【0027】また、Ni-Cu-Zn系スピネル型フェラ
イトを添加するのは、それが焼結助剤として機能するこ
とと、フェライト焼結体の抵抗率を109Ω・cm以上
に保ち、さらには、その透磁率μとして2〜10を実現
する、という理由による。このように、Ni-Cu-Zn
系スピネル型フェライトは、従来の焼結助剤とは異な
り、フェライト焼結体の磁路を遮断せず、高透磁率を保
持する。
イトを添加するのは、それが焼結助剤として機能するこ
とと、フェライト焼結体の抵抗率を109Ω・cm以上
に保ち、さらには、その透磁率μとして2〜10を実現
する、という理由による。このように、Ni-Cu-Zn
系スピネル型フェライトは、従来の焼結助剤とは異な
り、フェライト焼結体の磁路を遮断せず、高透磁率を保
持する。
【0028】ステップS32において、ボールミルを用
いた混合を行う。つまり、上記のステップで秤量した材
料を、鉄球メディアを入れた鉄製ボールミルに入れ、一
定時間、純水でボールミル混合する。その後、ステップ
S33で、ボールミル混合した材料を乾燥し、平均粒径
2〜3μmの粉体を得る。
いた混合を行う。つまり、上記のステップで秤量した材
料を、鉄球メディアを入れた鉄製ボールミルに入れ、一
定時間、純水でボールミル混合する。その後、ステップ
S33で、ボールミル混合した材料を乾燥し、平均粒径
2〜3μmの粉体を得る。
【0029】本実施の形態例では、さらに、上記のステ
ップS33で得られた粉体にPVA水溶液を加えて造粒
し(ステップS35)、成形する(ステップS36)。
なお、ここでの成形圧として、例えば、2000kg/
cm2の圧力を使用し、所定形状(例えば、φ18mm
×φ12mm、厚さ4.5mmのトロイダル型)の成形
品を得た。
ップS33で得られた粉体にPVA水溶液を加えて造粒
し(ステップS35)、成形する(ステップS36)。
なお、ここでの成形圧として、例えば、2000kg/
cm2の圧力を使用し、所定形状(例えば、φ18mm
×φ12mm、厚さ4.5mmのトロイダル型)の成形
品を得た。
【0030】また、図2のステップS37では、成形品
を焼成する。つまり、成形品を一定の割合で昇温させ
(例えば、200℃/時間)、表1に示す焼成温度(最
高温度)で3時間保持した後、一定の割合で降温(例え
ば、200℃/時間)して、焼成品を得た。
を焼成する。つまり、成形品を一定の割合で昇温させ
(例えば、200℃/時間)、表1に示す焼成温度(最
高温度)で3時間保持した後、一定の割合で降温(例え
ば、200℃/時間)して、焼成品を得た。
【0031】図3は、上記の最終ステップで得た焼成品
を、XRD(X線回折)により波形観察した結果を示し
ている。同図から、この焼成品がBa3Co2Fe24O41
とNi-Cu-Znフェライトスピネルであることが確認
できた。また、焼成品の断面(不図示)を、例えば、S
EM(走査型電子顕微鏡)で観察したところ、Ba3C
o2Fe24O41の粒界にNi-Cu-Znフェライトスピ
ネルが存在していることが分かった。
を、XRD(X線回折)により波形観察した結果を示し
ている。同図から、この焼成品がBa3Co2Fe24O41
とNi-Cu-Znフェライトスピネルであることが確認
できた。また、焼成品の断面(不図示)を、例えば、S
EM(走査型電子顕微鏡)で観察したところ、Ba3C
o2Fe24O41の粒界にNi-Cu-Znフェライトスピ
ネルが存在していることが分かった。
【0032】次に、本実施の形態例に係る磁性体複合材
料の材料組成と、得られた焼結体の特性について説明す
る。表1は、本実施の形態例に係る磁性体複合材料の具
体的な材料組成と、得られた焼結体の特性を示してい
る。
料の材料組成と、得られた焼結体の特性について説明す
る。表1は、本実施の形態例に係る磁性体複合材料の具
体的な材料組成と、得られた焼結体の特性を示してい
る。
【0033】
【表1】
[注] 初透磁率(μ’)は、1MHzで測定した値であ
る。
る。
【0034】ここでは、透磁率の周波数特性を、インピ
ーダンスアナライザを使用して3GHzまで測定した。
また、表1の「特性」の欄において、スヌークの限界線
より高周波側に自己共鳴ピークを持つ材料には○印を付
し、限界線上、あるいは、それより低周波側に自己共鳴
ピークを持つ材料は、×印で示してある。
ーダンスアナライザを使用して3GHzまで測定した。
また、表1の「特性」の欄において、スヌークの限界線
より高周波側に自己共鳴ピークを持つ材料には○印を付
し、限界線上、あるいは、それより低周波側に自己共鳴
ピークを持つ材料は、×印で示してある。
【0035】なお、得られた試料(磁性体複合材料)の
うち、焼結不足あるいは過焼結で、もろいものは、実際
の製品化が困難であるとして、ここでは除外してある。
うち、焼結不足あるいは過焼結で、もろいものは、実際
の製品化が困難であるとして、ここでは除外してある。
【0036】次に、表1に示す条件に従って行った試験
の結果について説明する。表1に示すように、試料番号*
1,*2,*6,*11,*16については、Ag内部導体
と同時焼成できる最高温度の950℃では焼結せず、得
られた物は、もろかった。また、試料番号*7,*12
は、Bi2O3が多く、過焼結となり、六方晶フェライト
の粒界に存在するNi-Cu-Znフェライトの粉成長が
大きく、欠けやすかった。
の結果について説明する。表1に示すように、試料番号*
1,*2,*6,*11,*16については、Ag内部導体
と同時焼成できる最高温度の950℃では焼結せず、得
られた物は、もろかった。また、試料番号*7,*12
は、Bi2O3が多く、過焼結となり、六方晶フェライト
の粒界に存在するNi-Cu-Znフェライトの粉成長が
大きく、欠けやすかった。
【0037】さらに、試料番号*17〜*21について
は、六方晶フェライト含有率が少ないためか、自己共振
(自己共鳴ピーク)が、Ni-Cu-Znフェライトのス
ヌークの限界線程度になるため、採用しなかった。
は、六方晶フェライト含有率が少ないためか、自己共振
(自己共鳴ピーク)が、Ni-Cu-Znフェライトのス
ヌークの限界線程度になるため、採用しなかった。
【0038】結局、試料番号3〜5,8〜10,13〜
15については、後述するように、スヌークの限界線よ
り高周波側に自己共鳴ピークを持つことが判明したた
め、GHz帯域で使用できる材料といえる。図4は、磁
性体複合材料として得られたもの(試料番号8〜10)
と従来の低温焼結型高周波フェライトについて、その透
磁率(μ’:複素透磁率の実部)の周波数特性を示して
いる。
15については、後述するように、スヌークの限界線よ
り高周波側に自己共鳴ピークを持つことが判明したた
め、GHz帯域で使用できる材料といえる。図4は、磁
性体複合材料として得られたもの(試料番号8〜10)
と従来の低温焼結型高周波フェライトについて、その透
磁率(μ’:複素透磁率の実部)の周波数特性を示して
いる。
【0039】図4において、点線で示すスヌークの限界
線は、一般的なNi-Cu-Znフェライト(例えば、特
性曲線1で示すフェライトA(μ’=25))から想定
したものである。また、特性曲線2は、六方晶フェライ
ト単体の磁気特性(周波数に対する透磁率の変化)を示
している。
線は、一般的なNi-Cu-Znフェライト(例えば、特
性曲線1で示すフェライトA(μ’=25))から想定
したものである。また、特性曲線2は、六方晶フェライ
ト単体の磁気特性(周波数に対する透磁率の変化)を示
している。
【0040】特性曲線3は、上述した文献等に記載され
た従来の低温焼成型の高周波フェライト(具体的には、
六方晶フェライトに5重量%のCuOと5重量%のBi
2O3を加えて低温焼成化したもの)の透磁率特性であ
る。
た従来の低温焼成型の高周波フェライト(具体的には、
六方晶フェライトに5重量%のCuOと5重量%のBi
2O3を加えて低温焼成化したもの)の透磁率特性であ
る。
【0041】これらに対して、特性曲線8,9,10
は、本実施の形態例に係る、上記試料番号8〜10につ
いての透磁率の周波数特性であり、想定したスヌークの
限界線よりも高周波側に自己共鳴のピークがあることが
分かる。このことは、本実施の形態例に係る磁性体複合
材料が、低温焼成型であり、かつ、スヌークの限界を超
える高周波フェライト材料であることを意味している。
は、本実施の形態例に係る、上記試料番号8〜10につ
いての透磁率の周波数特性であり、想定したスヌークの
限界線よりも高周波側に自己共鳴のピークがあることが
分かる。このことは、本実施の形態例に係る磁性体複合
材料が、低温焼成型であり、かつ、スヌークの限界を超
える高周波フェライト材料であることを意味している。
【0042】なお、特性曲線3で示される従来の低温焼
成型の高周波フェライトは、自己共鳴のμ’のピークが
スヌークの限界線を越えないのは、六方晶フェライトに
CuOやBi2O3等の非磁性体が存在するよりも、本実
施の形態例に係る磁性体複合材料のように、磁性体であ
るNi-Cu-Znフェライトが存在する方が、自己共鳴
ピークが高周波側へ移動するものと考えることができ
る。
成型の高周波フェライトは、自己共鳴のμ’のピークが
スヌークの限界線を越えないのは、六方晶フェライトに
CuOやBi2O3等の非磁性体が存在するよりも、本実
施の形態例に係る磁性体複合材料のように、磁性体であ
るNi-Cu-Znフェライトが存在する方が、自己共鳴
ピークが高周波側へ移動するものと考えることができ
る。
【0043】以上説明したように、本実施の形態例によ
れば、六方晶フェライト粉体とNi-Cu-Znフェライ
ト粉体の混合粉体に、焼結助剤としてのBi2O3を添加
し、それを低温焼結することで、得られた材料の自己共
鳴ピークがスヌークの限界線よりも高周波側に移動する
ため、低温焼成型の高周波磁性体複合材料を作製するこ
とができる。
れば、六方晶フェライト粉体とNi-Cu-Znフェライ
ト粉体の混合粉体に、焼結助剤としてのBi2O3を添加
し、それを低温焼結することで、得られた材料の自己共
鳴ピークがスヌークの限界線よりも高周波側に移動する
ため、低温焼成型の高周波磁性体複合材料を作製するこ
とができる。
【0044】また、焼成温度が低温であることから、積
層技術に必要なAg内部導体との同時焼成が可能にな
り、それに伴って、例えば、ノイズ除去対策用の部品を
小型化することができる。
層技術に必要なAg内部導体との同時焼成が可能にな
り、それに伴って、例えば、ノイズ除去対策用の部品を
小型化することができる。
【0045】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
低温焼成型の高周波磁性体としてのフェライト材料を作
製することができる。
低温焼成型の高周波磁性体としてのフェライト材料を作
製することができる。
【0046】また、本発明によれば、内部導体との同時
焼成が可能となるため、当該フェライト材料を使用した
部品の小型化が可能になる。
焼成が可能となるため、当該フェライト材料を使用した
部品の小型化が可能になる。
【図1】本発明の実施の形態例に係る磁性体複合材料の
組成材としての六方晶フェライト粉体、およびNi-C
u-Znフェライト粉体の製造工程を示すフローチャー
トである。
組成材としての六方晶フェライト粉体、およびNi-C
u-Znフェライト粉体の製造工程を示すフローチャー
トである。
【図2】実施の形態例に係る磁性体複合材料の製造工程
を示すフローチャートである。
を示すフローチャートである。
【図3】実施の形態例に係る磁性体複合材料の粉体の焼
成品についてX線回折した結果を示す図である。
成品についてX線回折した結果を示す図である。
【図4】実施の形態例に係る磁性体複合材料と従来の低
温焼結型高周波フェライトの透磁率の周波数特性を比較
して示す図である。
温焼結型高周波フェライトの透磁率の周波数特性を比較
して示す図である。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Fターム(参考) 4G002 AA08 AA10 AB01 AE02
4G018 AA10 AA22 AA23 AA24 AA25
AA37 AB02 AB05
5E041 AB14 AB19 BD01 NN02 NN14
NN18
Claims (8)
- 【請求項1】 六方晶フェライトを組成とするフェライ
ト材料において、前記六方晶フェライトの粉体50乃至
90重量%と、Ni-Cu-Zn系スピネル型フェライト
の粉体10乃至50重量%とを混合した粉体100重量
部に、Bi2O3を2乃至7重量部添加した組成を有する
材料を、880乃至950℃で焼結してなることを特徴
とするフェライト材料。 - 【請求項2】 前記六方晶フェライトは、Ba3Co2F
e24O41を主成分とし、Ba2Co2Fe12O22を含むこ
とを特徴とする請求項1記載のフェライト材料。 - 【請求項3】 前記Ni-Cu-Zn系スピネル型フェラ
イトは、前記焼結の助剤として機能し、前記焼結後のフ
ェライト材料の抵抗率を109Ω・cm以上に保つとと
もに、透磁率を2乃至10に保持することを特徴とする
請求項1記載のフェライト材料。 - 【請求項4】 前記Bi2O3は前記焼結の助剤として機
能することを特徴とする請求項1記載のフェライト材
料。 - 【請求項5】 スヌークの限界線よりも高周波側に透磁
率の自己共鳴ピークを持つことを特徴とする請求項1記
載のフェライト材料。 - 【請求項6】 六方晶フェライトの粉体50乃至90重
量%と、Ni-Cu-Zn系スピネル型フェライトの粉体
10乃至50重量%とを配合するステップと、 前記配合後の粉体100重量部に、Bi2O3を2乃至7
重量部添加する添加ステップと、 前記添加ステップで得られた材料を880乃至950℃
で焼結するステップとを備えることを特徴とするフェラ
イト材料の製造方法。 - 【請求項7】 前記Ni-Cu-Zn系スピネル型フェラ
イトは、前記焼結の助剤として機能し、前記焼結後のフ
ェライト材料の抵抗率を109Ω・cm以上に保つとと
もに、透磁率を2乃至10に保持することを特徴とする
請求項6記載のフェライト材料の製造方法。 - 【請求項8】 前記Bi2O3は、前記焼結ステップにお
ける焼結助剤として機能することを特徴とする請求項6
記載のフェライト材料の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002021079A JP2003221232A (ja) | 2002-01-30 | 2002-01-30 | フェライト材料およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002021079A JP2003221232A (ja) | 2002-01-30 | 2002-01-30 | フェライト材料およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003221232A true JP2003221232A (ja) | 2003-08-05 |
Family
ID=27744412
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002021079A Withdrawn JP2003221232A (ja) | 2002-01-30 | 2002-01-30 | フェライト材料およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2003221232A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003243218A (ja) * | 2002-02-13 | 2003-08-29 | Toda Kogyo Corp | 軟磁性六方晶フェライト複合粒子粉末、該軟磁性六方晶フェライト複合粒子粉末を用いたグリーンシート並びに軟磁性六方晶フェライト焼結体 |
US6893581B2 (en) | 2002-02-01 | 2005-05-17 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Composite magnetic material and a method for producing the same |
WO2012103020A2 (en) * | 2011-01-24 | 2012-08-02 | Skyworks Solutions, Inc. | Specialty materials processing techniques for enhanced resonant frequency hexaferrite materials for antenna applications and other electronic devices |
US8609062B2 (en) | 2010-12-07 | 2013-12-17 | Skyworks Solutions, Inc. | Specialty materials processing techniques for enhanced resonant frequency hexaferrite materials for antenna applications and other electronic devices |
TWI582801B (zh) * | 2016-08-11 | 2017-05-11 | A ferroelectric material having a high DC superposition characteristic and a high natural resonance frequency | |
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-
2002
- 2002-01-30 JP JP2002021079A patent/JP2003221232A/ja not_active Withdrawn
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US8609062B2 (en) | 2010-12-07 | 2013-12-17 | Skyworks Solutions, Inc. | Specialty materials processing techniques for enhanced resonant frequency hexaferrite materials for antenna applications and other electronic devices |
US9812753B2 (en) | 2010-12-07 | 2017-11-07 | Skyworks Solutions, Inc. | Radiofrequency and other electronic devices formed from enhanced resonant frequency hexaferrite materials |
US10862184B2 (en) | 2010-12-07 | 2020-12-08 | Skyworks Solutions, Inc. | Radiofrequency and other electronic devices formed from enhanced resonant frequency hexaferrite materials |
US11245169B2 (en) | 2010-12-07 | 2022-02-08 | Skyworks Solutions, Inc. | Radiofrequency and other electronic devices formed from enhanced resonant frequency hexaferrite materials |
WO2012103020A2 (en) * | 2011-01-24 | 2012-08-02 | Skyworks Solutions, Inc. | Specialty materials processing techniques for enhanced resonant frequency hexaferrite materials for antenna applications and other electronic devices |
WO2012103020A3 (en) * | 2011-01-24 | 2012-11-08 | Skyworks Solutions, Inc. | Specialty materials processing techniques for enhanced resonant frequency hexaferrite materials for antenna applications and other electronic devices |
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