JP2000109325A - Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライト材料の製造方法 - Google Patents
Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライト材料の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】９００℃以下の低温で緻密に焼結でき、初透磁
率が１２００以上のＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライト材料の
製造方法を提供する。 【解決手段】少なくとも鉄化合物、ニッケル化合物、銅
化合物および亜鉛化合物を混合した後、仮焼し、その後
粉砕する工程を備えたＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライト材料
の製造方法において、鉄化合物として比表面積が８．５
ｍ2／ｇ以上の粉体、ニッケル化合物および亜鉛化合物
としてそれぞれ比表面積が８．０ｍ2／ｇ以上の粉体を
用い、混合後の粉体の比表面積を１０．０ｍ2／ｇ以
上、仮焼後の粉体の比表面積を６．０ｍ2／ｇ以上、粉
砕後の粉体の比表面積を８．０ｍ2／ｇ以上とするとと
もに、仮焼後のスピネル合成度を９０〜９５％とする。
率が１２００以上のＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライト材料の
製造方法を提供する。 【解決手段】少なくとも鉄化合物、ニッケル化合物、銅
化合物および亜鉛化合物を混合した後、仮焼し、その後
粉砕する工程を備えたＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライト材料
の製造方法において、鉄化合物として比表面積が８．５
ｍ2／ｇ以上の粉体、ニッケル化合物および亜鉛化合物
としてそれぞれ比表面積が８．０ｍ2／ｇ以上の粉体を
用い、混合後の粉体の比表面積を１０．０ｍ2／ｇ以
上、仮焼後の粉体の比表面積を６．０ｍ2／ｇ以上、粉
砕後の粉体の比表面積を８．０ｍ2／ｇ以上とするとと
もに、仮焼後のスピネル合成度を９０〜９５％とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フェライト材料、
特にチップインダクタ用として好適なＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ
フェライト材料の製造方法に関する。
特にチップインダクタ用として好適なＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ
フェライト材料の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】インダクタ部品は、電子機器の電気回路
用ノイズフィルターとして使用されてきた。そして、小
型化、高密度実装化に対応するため、もれ磁束が少な
く、かつ、占有面積が小さい、フェライトセラミック
（コア）内に内部導電体を備えた構造のチップインダク
タが提案され、実用化されてきた。
用ノイズフィルターとして使用されてきた。そして、小
型化、高密度実装化に対応するため、もれ磁束が少な
く、かつ、占有面積が小さい、フェライトセラミック
（コア）内に内部導電体を備えた構造のチップインダク
タが提案され、実用化されてきた。
【０００３】このチップインダクタは、例えば、複数の
フェライト材料層とその層間に形成した導電体材料層と
を同時焼成して得られる。そして、通常、チップインダ
クタのフェライト材料としてはＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェラ
イト材料が、また、導電体材料としては電気伝導度の大
きいＡｇが用いられてきた。
フェライト材料層とその層間に形成した導電体材料層と
を同時焼成して得られる。そして、通常、チップインダ
クタのフェライト材料としてはＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェラ
イト材料が、また、導電体材料としては電気伝導度の大
きいＡｇが用いられてきた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】導電体材料としてＡｇ
を用いて、同時焼成で上述のチップインダクタを得る場
合、Ａｇの融点は酸素平衡状態（大気中）においては９
５０℃であり、９００℃以上に加熱すると加熱時間の増
加に伴い、Ａｇの塑性変形が始まり、フェライト中への
浸透・拡散が起る。これにより、内部導電体の断面積が
減少し、直流抵抗値が増加し、消費電力が増大するとい
う不具合が生じる。さらに、高温に加熱し、９５０℃を
越えると内部導電体の一部が断線し、インダクタとして
の働きを失ってしまうことになる。したがって、Ａｇを
内部導電体としたチップインダクタを得るためには、９
５０℃以下、より好ましくは９００℃以下の温度で焼成
しなければならない。
を用いて、同時焼成で上述のチップインダクタを得る場
合、Ａｇの融点は酸素平衡状態（大気中）においては９
５０℃であり、９００℃以上に加熱すると加熱時間の増
加に伴い、Ａｇの塑性変形が始まり、フェライト中への
浸透・拡散が起る。これにより、内部導電体の断面積が
減少し、直流抵抗値が増加し、消費電力が増大するとい
う不具合が生じる。さらに、高温に加熱し、９５０℃を
越えると内部導電体の一部が断線し、インダクタとして
の働きを失ってしまうことになる。したがって、Ａｇを
内部導電体としたチップインダクタを得るためには、９
５０℃以下、より好ましくは９００℃以下の温度で焼成
しなければならない。
【０００５】しかしながら、従来、チップインダクタの
コア材（フェライトセラミック）として使用されるＮｉ
−Ｃｕ−Ｚｎフェライト材料は、緻密な焼結体を得るた
めには１０００℃以上の温度で焼成する必要があり、こ
れ以下の温度では、十分な焼結密度が得られず、初透磁
率が低かったり、気孔が多いという問題点があった。
コア材（フェライトセラミック）として使用されるＮｉ
−Ｃｕ−Ｚｎフェライト材料は、緻密な焼結体を得るた
めには１０００℃以上の温度で焼成する必要があり、こ
れ以下の温度では、十分な焼結密度が得られず、初透磁
率が低かったり、気孔が多いという問題点があった。
【０００６】また、信号成分の波形歪みを抑えるため、
電気回路用ノイズフィルターの特性として、Ｒ成分の周
波数曲線とＸ成分の周波数曲線の交点であるクロスポイ
ント周波数を５ＭＨｚ以下に抑えることが要求されてい
る。そのためには、チップインダクタのコアであるＮｉ
−Ｃｕ−Ｚｎフェライトの初透磁率を１２００以上にす
ることが必要である。
電気回路用ノイズフィルターの特性として、Ｒ成分の周
波数曲線とＸ成分の周波数曲線の交点であるクロスポイ
ント周波数を５ＭＨｚ以下に抑えることが要求されてい
る。そのためには、チップインダクタのコアであるＮｉ
−Ｃｕ−Ｚｎフェライトの初透磁率を１２００以上にす
ることが必要である。
【０００７】そこで、本発明の目的は、９００℃以下の
低温で緻密に焼結でき、初透磁率が１２００以上のＮｉ
−Ｃｕ−Ｚｎフェライト材料の製造方法を提供すること
にある。
低温で緻密に焼結でき、初透磁率が１２００以上のＮｉ
−Ｃｕ−Ｚｎフェライト材料の製造方法を提供すること
にある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライト材料の製造方
法は、少なくとも鉄化合物、ニッケル化合物、銅化合物
および亜鉛化合物を混合した後、仮焼し、その後粉砕す
る工程を備えたＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライト材料の製造
方法において、前記鉄化合物として比表面積が８．５ｍ
2／ｇ以上の粉体を用い、前記ニッケル化合物および亜
鉛化合物としてそれぞれ比表面積が８．０ｍ2／ｇ以上
の粉体を用い、混合後の粉体の比表面積を１０．０ｍ2
／ｇ以上とし、仮焼後の粉体の比表面積を６．０ｍ2／
ｇ以上とし、粉砕後の粉体の比表面積を８．０ｍ2／ｇ
以上とするとともに、仮焼後のスピネル合成度を９０〜
９５％とすることを特徴とする。
め、本発明のＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライト材料の製造方
法は、少なくとも鉄化合物、ニッケル化合物、銅化合物
および亜鉛化合物を混合した後、仮焼し、その後粉砕す
る工程を備えたＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライト材料の製造
方法において、前記鉄化合物として比表面積が８．５ｍ
2／ｇ以上の粉体を用い、前記ニッケル化合物および亜
鉛化合物としてそれぞれ比表面積が８．０ｍ2／ｇ以上
の粉体を用い、混合後の粉体の比表面積を１０．０ｍ2
／ｇ以上とし、仮焼後の粉体の比表面積を６．０ｍ2／
ｇ以上とし、粉砕後の粉体の比表面積を８．０ｍ2／ｇ
以上とするとともに、仮焼後のスピネル合成度を９０〜
９５％とすることを特徴とする。
【０００９】なお、ここでいうスピネル合成度とは、粉
末Ｘ線回折におけるＦｅ2Ｏ3の（１０４）面のピーク強
度（IFe104）と、スピネル結晶の（３１１）面のピーク
強度（Isp311）より、次式で表わされる値のことであ
る。
末Ｘ線回折におけるＦｅ2Ｏ3の（１０４）面のピーク強
度（IFe104）と、スピネル結晶の（３１１）面のピーク
強度（Isp311）より、次式で表わされる値のことであ
る。
【００１０】 スピネル合成度=Isp311/(IFe104+Isp311)×100 （％） そして、前記鉄化合物はα−Ｆｅ2Ｏ3であり、前記ニッ
ケル化合物はＮｉＯであり、前記亜鉛化合物はＺｎＯで
あることを特徴とする。
ケル化合物はＮｉＯであり、前記亜鉛化合物はＺｎＯで
あることを特徴とする。
【００１１】また、前記α−Ｆｅ2Ｏ3、ＮｉＯおよびＺ
ｎＯのうち少なくとも１種は、共に湿式法で合成された
ものであることを特徴とする。
ｎＯのうち少なくとも１種は、共に湿式法で合成された
ものであることを特徴とする。
【００１２】さらに、前記Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライト
材料は、Ｆｅ2Ｏ3が４８．０〜４９．８モル％、ＺｎＯ
が２０．０〜３４．０モル％、ＣｕＯが６．０〜２０．
０モル％、ＮｉＯが残部、からなることを特徴とする。
材料は、Ｆｅ2Ｏ3が４８．０〜４９．８モル％、ＺｎＯ
が２０．０〜３４．０モル％、ＣｕＯが６．０〜２０．
０モル％、ＮｉＯが残部、からなることを特徴とする。
【００１３】ここで上記した範囲に限定したのは、次の
ような理由による。まず、粉砕後の粉体の比表面積が
８．０ｍ2／ｇ未満の場合には、粉体の反応性が低いた
め、９００℃以下の焼成温度では１２００以上の初透磁
率を得ることができない。したがって、粉砕後の粉体の
比表面積は、８．０ｍ2／ｇ以上であることが好まし
い。
ような理由による。まず、粉砕後の粉体の比表面積が
８．０ｍ2／ｇ未満の場合には、粉体の反応性が低いた
め、９００℃以下の焼成温度では１２００以上の初透磁
率を得ることができない。したがって、粉砕後の粉体の
比表面積は、８．０ｍ2／ｇ以上であることが好まし
い。
【００１４】また、仮焼後の粉体の比表面積が６．０ｍ
2／ｇ未満の場合には、粉体の粒成長が進みすぎてお
り、粉砕後の比表面積を８．０ｍ2／ｇ以上にするため
には、粉砕時間を通常より長くしたり、または、媒体
（メディア）攪拌式の粉砕機を使用する必要がある。そ
の結果、玉石などの媒体から混入する不純物量が増加
し、焼結後のＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライトの特性を劣化
させてしまう。したがって、仮焼後の粉体の比表面積
は、６．０ｍ2／ｇ以上であることが好ましい。
2／ｇ未満の場合には、粉体の粒成長が進みすぎてお
り、粉砕後の比表面積を８．０ｍ2／ｇ以上にするため
には、粉砕時間を通常より長くしたり、または、媒体
（メディア）攪拌式の粉砕機を使用する必要がある。そ
の結果、玉石などの媒体から混入する不純物量が増加
し、焼結後のＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライトの特性を劣化
させてしまう。したがって、仮焼後の粉体の比表面積
は、６．０ｍ2／ｇ以上であることが好ましい。
【００１５】また、仮焼後のスピネル合成度が９０％未
満の場合、未反応のＦｅ2Ｏ3が多く残り、焼成時に均一
なＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライトが得られず、１２００以
上の初透磁率が得られない。一方、スピネル合成度が９
５％を超えるまで仮焼温度を上げると、スピネル結晶の
粒成長が起こり、粉体の比表面積が減少して反応性が低
下し、９００℃以下の温度では十分焼結せず、初透磁率
が１２００を下回ってしまう。したがって、仮焼後のス
ピネル合成度は、９０〜９５％の範囲内が好ましい。
満の場合、未反応のＦｅ2Ｏ3が多く残り、焼成時に均一
なＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライトが得られず、１２００以
上の初透磁率が得られない。一方、スピネル合成度が９
５％を超えるまで仮焼温度を上げると、スピネル結晶の
粒成長が起こり、粉体の比表面積が減少して反応性が低
下し、９００℃以下の温度では十分焼結せず、初透磁率
が１２００を下回ってしまう。したがって、仮焼後のス
ピネル合成度は、９０〜９５％の範囲内が好ましい。
【００１６】また、化合物混合後の粉体の比表面積が１
０．０ｍ2／ｇ未満の場合、粉体の反応性が低いため、
仮焼時に９０〜９５％のスピネル合成度を得ようとする
と、比表面積が１０．０ｍ2／ｇ以上のものと比べて高
い温度で仮焼することとなり、結果的に粉体の粒成長が
進み、仮焼後の比表面積が６．０ｍ2／ｇ未満となって
しまう。したがって、化合物混合後の粉体の比表面積は
１０．０ｍ2／ｇ以上であることが好ましい。
０．０ｍ2／ｇ未満の場合、粉体の反応性が低いため、
仮焼時に９０〜９５％のスピネル合成度を得ようとする
と、比表面積が１０．０ｍ2／ｇ以上のものと比べて高
い温度で仮焼することとなり、結果的に粉体の粒成長が
進み、仮焼後の比表面積が６．０ｍ2／ｇ未満となって
しまう。したがって、化合物混合後の粉体の比表面積は
１０．０ｍ2／ｇ以上であることが好ましい。
【００１７】また、鉄化合物の粉体の比表面積が８．５
ｍ2／ｇ未満の場合、または、ニッケル化合物若しくは
亜鉛化合物の粉体の比表面積が８．０ｍ2／ｇ未満の場
合、いずれかの化合物粉体の比表面積を極端に大きくす
れば、化合物混合後の粉体の比表面積を１０．０ｍ2／
ｇ以上にすることが可能である。しかし、Ｎｉ−Ｃｕ−
Ｚｎフェライトの仮焼工程においては、温度上昇にとも
ない、まず、低温領域で、Ｚｎフェライトが生成し、そ
の後、ＣｕおよびＮｉが固溶し、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェ
ライトが生成する。したがって、鉄化合物、ニッケル化
合物および亜鉛化合物のうち、いずれかの化合物の比表
面積が上記値より小さい場合には、その化合物の固相反
応が律速反応となり、最終的に９０〜９５％のスピネル
合成度を得ようとすると、鉄化合物の粉体の比表面積が
８．５ｍ2／ｇ以上、かつ、ニッケル化合物および亜鉛
化合物の粉体の比表面積が８．０ｍ2／ｇ以上の場合と
比べて高い温度で仮焼する必要が生じる。その結果、粉
体の粒成長が進んでしまい、仮焼後の粉体の比表面積が
６．０ｍ2／ｇ未満となってしまう。したがって、鉄化
合物の粉体の比表面積は、８．５ｍ2／ｇ以上が好まし
く、ニッケル化合物および亜鉛化合物それぞれの粉体の
比表面積は８．０ｍ2／ｇ以上が好ましい。
ｍ2／ｇ未満の場合、または、ニッケル化合物若しくは
亜鉛化合物の粉体の比表面積が８．０ｍ2／ｇ未満の場
合、いずれかの化合物粉体の比表面積を極端に大きくす
れば、化合物混合後の粉体の比表面積を１０．０ｍ2／
ｇ以上にすることが可能である。しかし、Ｎｉ−Ｃｕ−
Ｚｎフェライトの仮焼工程においては、温度上昇にとも
ない、まず、低温領域で、Ｚｎフェライトが生成し、そ
の後、ＣｕおよびＮｉが固溶し、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェ
ライトが生成する。したがって、鉄化合物、ニッケル化
合物および亜鉛化合物のうち、いずれかの化合物の比表
面積が上記値より小さい場合には、その化合物の固相反
応が律速反応となり、最終的に９０〜９５％のスピネル
合成度を得ようとすると、鉄化合物の粉体の比表面積が
８．５ｍ2／ｇ以上、かつ、ニッケル化合物および亜鉛
化合物の粉体の比表面積が８．０ｍ2／ｇ以上の場合と
比べて高い温度で仮焼する必要が生じる。その結果、粉
体の粒成長が進んでしまい、仮焼後の粉体の比表面積が
６．０ｍ2／ｇ未満となってしまう。したがって、鉄化
合物の粉体の比表面積は、８．５ｍ2／ｇ以上が好まし
く、ニッケル化合物および亜鉛化合物それぞれの粉体の
比表面積は８．０ｍ2／ｇ以上が好ましい。
【００１８】さらに、Ｎｉ―Ｃｕ―Ｚｎフェライト材料
の組成に関して、Ｆｅ2Ｏ3量が４８．０モル％未満で
は、フェライトの飽和磁化が小さくなるため、初透磁率
が１２００を下回ってしまう。一方、Ｆｅ2Ｏ3量が４
９．８モル％を超えると極端に焼結性が低下し９００℃
以下では焼結できなくなってしまう。また、ＣｕＯ量が
６．０モル％未満では、９００℃以下の焼成温度では焼
結密度が高くならない。一方、ＣｕＯ量が２０．０モル
％を超えると、キュリー温度が８０℃以下となる。ま
た、ＺｎＯ量が２０．０モル％未満では、フェリ磁性に
よる飽和磁化が不十分となり、初透磁率が１２００を下
回ってしまう。逆に、ＺｎＯ量が３４．０モル％を超え
るとキュリー温度が８０℃以下となる。したがって、Ｎ
ｉ―Ｃｕ―Ｚｎフェライト材料は、Ｆｅ2Ｏ3が４８．０
〜４９．８モル％、ＺｎＯが２０．０〜３４．０モル
％、ＣｕＯが６．０〜２０．０モル％、ＮｉＯが残部、
であることが好ましい。
の組成に関して、Ｆｅ2Ｏ3量が４８．０モル％未満で
は、フェライトの飽和磁化が小さくなるため、初透磁率
が１２００を下回ってしまう。一方、Ｆｅ2Ｏ3量が４
９．８モル％を超えると極端に焼結性が低下し９００℃
以下では焼結できなくなってしまう。また、ＣｕＯ量が
６．０モル％未満では、９００℃以下の焼成温度では焼
結密度が高くならない。一方、ＣｕＯ量が２０．０モル
％を超えると、キュリー温度が８０℃以下となる。ま
た、ＺｎＯ量が２０．０モル％未満では、フェリ磁性に
よる飽和磁化が不十分となり、初透磁率が１２００を下
回ってしまう。逆に、ＺｎＯ量が３４．０モル％を超え
るとキュリー温度が８０℃以下となる。したがって、Ｎ
ｉ―Ｃｕ―Ｚｎフェライト材料は、Ｆｅ2Ｏ3が４８．０
〜４９．８モル％、ＺｎＯが２０．０〜３４．０モル
％、ＣｕＯが６．０〜２０．０モル％、ＮｉＯが残部、
であることが好ましい。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明のＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ
フェライト材料の製造方法の実施の形態を、実施例に基
づいて説明する。
フェライト材料の製造方法の実施の形態を、実施例に基
づいて説明する。
【００２０】（実施例）まず、鉄化合物として比表面積
が１２．０ｍ2／ｇまたは６．２ｍ2／ｇのα−Ｆｅ2Ｏ3
粉体、亜鉛化合物として比表面積が４５．３ｍ2／ｇま
たは４．１ｍ2／ｇのＺｎＯ粉体、およびニッケル化合
物として比表面積が９．０ｍ2／ｇまたは４．１ｍ2／ｇ
のＮｉＯ粉体を用意した。また、銅化合物としてＣｕＯ
粉体を用意した。その後、表１に示すように粉体の比表
面積を選択して、これら化合物をＦｅ2Ｏ3が４８．７モ
ル％、ＺｎＯが２６．９モル％、ＣｕＯが１０．５モル
％、残りがＮｉＯとなるように秤量し、ボールミルで湿
式混合し、乾燥させた。
が１２．０ｍ2／ｇまたは６．２ｍ2／ｇのα−Ｆｅ2Ｏ3
粉体、亜鉛化合物として比表面積が４５．３ｍ2／ｇま
たは４．１ｍ2／ｇのＺｎＯ粉体、およびニッケル化合
物として比表面積が９．０ｍ2／ｇまたは４．１ｍ2／ｇ
のＮｉＯ粉体を用意した。また、銅化合物としてＣｕＯ
粉体を用意した。その後、表１に示すように粉体の比表
面積を選択して、これら化合物をＦｅ2Ｏ3が４８．７モ
ル％、ＺｎＯが２６．９モル％、ＣｕＯが１０．５モル
％、残りがＮｉＯとなるように秤量し、ボールミルで湿
式混合し、乾燥させた。
【００２１】次に、この混合後の粉体を表１に示す温度
で仮焼した。その後、仮焼後の粉体をボールミルで湿式
粉砕した。得られた粉砕後の粉体にバインダを加えて、
乾燥、造粒し、プレス成形で直径２０ｍｍ、内径１０ｍ
ｍ、高さ２ｍｍのトロイダルリングに成形した。これを
８７０℃で２時間焼成して、フェライトセラミックを得
た。
で仮焼した。その後、仮焼後の粉体をボールミルで湿式
粉砕した。得られた粉砕後の粉体にバインダを加えて、
乾燥、造粒し、プレス成形で直径２０ｍｍ、内径１０ｍ
ｍ、高さ２ｍｍのトロイダルリングに成形した。これを
８７０℃で２時間焼成して、フェライトセラミックを得
た。
【００２２】上記工程中、混合後の粉体、仮焼後の粉
体、粉砕後の粉体それぞれについて、ＢＥＴ法により比
表面積を測定した。また、仮焼後の粉体についてＸ線回
折分析を行ない、下式により、スピネル合成度を求め
た。なお、下式において、IFe104はＦｅ2Ｏ3の（１０
４）面のピーク強度であり、Isp311はスピネル結晶の
（３１１）面のピーク強度である。以上の結果を表１に
示す。 スピネル合成度=Isp311/(IFe104+Isp311)×100 （％）。
体、粉砕後の粉体それぞれについて、ＢＥＴ法により比
表面積を測定した。また、仮焼後の粉体についてＸ線回
折分析を行ない、下式により、スピネル合成度を求め
た。なお、下式において、IFe104はＦｅ2Ｏ3の（１０
４）面のピーク強度であり、Isp311はスピネル結晶の
（３１１）面のピーク強度である。以上の結果を表１に
示す。 スピネル合成度=Isp311/(IFe104+Isp311)×100 （％）。
【００２３】次に、得られたフェライトセラミックにつ
いて、アルキメデス法で密度を求め、理論密度に対する
相対密度（％表示）を算出した。また、インピーダンス
アナライザにより初透磁率を測定した。以上の結果を表
１に示す。なお、表１において、試料番号に＊印を付し
たものは本発明の範囲外のものであり、その他は本発明
の範囲内のものである。
いて、アルキメデス法で密度を求め、理論密度に対する
相対密度（％表示）を算出した。また、インピーダンス
アナライザにより初透磁率を測定した。以上の結果を表
１に示す。なお、表１において、試料番号に＊印を付し
たものは本発明の範囲外のものであり、その他は本発明
の範囲内のものである。
【００２４】
【表１】
【００２５】表１の試料番号１、２から明らかなよう
に、鉄化合物として比表面積が８．５ｍ2／ｇ以上のα
―Ｆｅ2Ｏ3粉体を用い、前記ニッケル化合物および亜鉛
化合物としてそれぞれ比表面積が８．０ｍ2／ｇ以上の
粉体を用い、混合後の粉体の比表面積を１０．０ｍ2／
ｇ以上とし、仮焼後の粉体の比表面積を６．０ｍ2／ｇ
以上とし、粉砕後の粉体の比表面積を８．０ｍ2／ｇ以
上とするとともに、仮焼後のスピネル合成度を９０〜９
５％とした、本発明の製造方法によるＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ
フェライト材料は、８７０℃で焼成したときの相対焼結
密度は９８％以上の高い値を示す。そして、フェライト
セラミックの初透磁率としては、チップインダクタのク
ロスポイント周波数を５ＭＨｚ以下に抑えるために必要
な１２００以上が得られる。
に、鉄化合物として比表面積が８．５ｍ2／ｇ以上のα
―Ｆｅ2Ｏ3粉体を用い、前記ニッケル化合物および亜鉛
化合物としてそれぞれ比表面積が８．０ｍ2／ｇ以上の
粉体を用い、混合後の粉体の比表面積を１０．０ｍ2／
ｇ以上とし、仮焼後の粉体の比表面積を６．０ｍ2／ｇ
以上とし、粉砕後の粉体の比表面積を８．０ｍ2／ｇ以
上とするとともに、仮焼後のスピネル合成度を９０〜９
５％とした、本発明の製造方法によるＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ
フェライト材料は、８７０℃で焼成したときの相対焼結
密度は９８％以上の高い値を示す。そして、フェライト
セラミックの初透磁率としては、チップインダクタのク
ロスポイント周波数を５ＭＨｚ以下に抑えるために必要
な１２００以上が得られる。
【００２６】これに対して、試料番号３、４のように、
鉄化合物としてのα―Ｆｅ2Ｏ3粉体の比表面積が８．５
ｍ2／ｇ以上であって、亜鉛化合物としてのＺｎＯ粉体
およびニッケル化合物としてのＮｉＯ粉体の比表面積
が、ともに８．０ｍ2／ｇ未満の場合には、仮焼温度を
７００℃以下と低くすることにより、仮焼後の粉体の比
表面積を６．０ｍ2／ｇ以上に、さらには粉砕後の粉体
の比表面積を８．０ｍ2／ｇ以上にすることができる
が、スピネル合成度が９０％未満にとどまり、１２００
以上の初透磁率が得られず好ましくない。
鉄化合物としてのα―Ｆｅ2Ｏ3粉体の比表面積が８．５
ｍ2／ｇ以上であって、亜鉛化合物としてのＺｎＯ粉体
およびニッケル化合物としてのＮｉＯ粉体の比表面積
が、ともに８．０ｍ2／ｇ未満の場合には、仮焼温度を
７００℃以下と低くすることにより、仮焼後の粉体の比
表面積を６．０ｍ2／ｇ以上に、さらには粉砕後の粉体
の比表面積を８．０ｍ2／ｇ以上にすることができる
が、スピネル合成度が９０％未満にとどまり、１２００
以上の初透磁率が得られず好ましくない。
【００２７】このように、ＺｎＯ粉体およびＮｉＯ粉体
の比表面積が、ともに８．０ｍ2／ｇ未満の場合、試料
番号５〜７のように、仮焼温度を７５０℃以上に高くす
ると、スピネル合成度を高めることができるものの、１
２００以上の初透磁率が得られず好ましくない。
の比表面積が、ともに８．０ｍ2／ｇ未満の場合、試料
番号５〜７のように、仮焼温度を７５０℃以上に高くす
ると、スピネル合成度を高めることができるものの、１
２００以上の初透磁率が得られず好ましくない。
【００２８】また、試料番号８〜１２のように、α―Ｆ
ｅ2Ｏ3粉体の比表面積が８．５ｍ2／ｇ未満であって、
ＺｎＯ粉体およびＮｉＯ粉体の比表面積がともに８．０
ｍ2／ｇ未満の場合には、仮焼温度を上下させても、
６．０ｍ2／ｇ以上の比表面積を有する仮焼後の粉体を
得ることができない。また、仮焼温度を上げることによ
り、スピネル合成度を高めることができるが、粉体の反
応性が低くなる。このため、相対焼結密度を高めること
ができず、１２００以上の初透磁率を得ることができず
好ましくない。
ｅ2Ｏ3粉体の比表面積が８．５ｍ2／ｇ未満であって、
ＺｎＯ粉体およびＮｉＯ粉体の比表面積がともに８．０
ｍ2／ｇ未満の場合には、仮焼温度を上下させても、
６．０ｍ2／ｇ以上の比表面積を有する仮焼後の粉体を
得ることができない。また、仮焼温度を上げることによ
り、スピネル合成度を高めることができるが、粉体の反
応性が低くなる。このため、相対焼結密度を高めること
ができず、１２００以上の初透磁率を得ることができず
好ましくない。
【００２９】さらに、試料番号１３のように、仮焼後の
粉体の比表面積が６．０ｍ2／ｇ以上、粉砕後の粉体の
比表面積が８．０ｍ2／ｇ以上と大きい場合でも、仮焼
後のスピネル合成度が９０〜９５％外であって低い場合
は、１２００以上の初透磁率が得られず好ましくない。
また、試料番号１４、１５のように、仮焼後の粉体の比
表面積が６．０ｍ2／ｇ未満、粉砕後の粉体の比表面積
が８．０ｍ2／ｇ未満と小さく、仮焼後のスピネル合成
度が９５％を超えて高すぎる場合は、相対焼結密度を高
めることができず、１２００以上の初透磁率を得ること
ができず好ましくない。
粉体の比表面積が６．０ｍ2／ｇ以上、粉砕後の粉体の
比表面積が８．０ｍ2／ｇ以上と大きい場合でも、仮焼
後のスピネル合成度が９０〜９５％外であって低い場合
は、１２００以上の初透磁率が得られず好ましくない。
また、試料番号１４、１５のように、仮焼後の粉体の比
表面積が６．０ｍ2／ｇ未満、粉砕後の粉体の比表面積
が８．０ｍ2／ｇ未満と小さく、仮焼後のスピネル合成
度が９５％を超えて高すぎる場合は、相対焼結密度を高
めることができず、１２００以上の初透磁率を得ること
ができず好ましくない。
【００３０】なお、上記実施例では、鉄化合物としてα
−Ｆｅ2Ｏ3粉体を、亜鉛化合物としてＺｎＯ粉体を、ニ
ッケル化合物としてＮｉＯ粉体をそれぞれ用いたが、こ
れら粉体としては、細かい粉体が得られるため粉砕工程
を簡略化することが可能な湿式法で合成されたものが、
不純物の混入による特性劣化を防ぐために、より好まし
い。
−Ｆｅ2Ｏ3粉体を、亜鉛化合物としてＺｎＯ粉体を、ニ
ッケル化合物としてＮｉＯ粉体をそれぞれ用いたが、こ
れら粉体としては、細かい粉体が得られるため粉砕工程
を簡略化することが可能な湿式法で合成されたものが、
不純物の混入による特性劣化を防ぐために、より好まし
い。
【００３１】また、用いる鉄化合物はα−Ｆｅ2Ｏ3粉体
に限定されるものでなく、Ｆｅ3Ｏ4、ＦｅＯＯＨなどの
鉄化合物を適宜用いることができる。ニッケル化合物
は、ＮｉＯに限定されるものでなく、Ｎｉ2Ｏ3などのニ
ッケル化合物を適宜用いることができる。
に限定されるものでなく、Ｆｅ3Ｏ4、ＦｅＯＯＨなどの
鉄化合物を適宜用いることができる。ニッケル化合物
は、ＮｉＯに限定されるものでなく、Ｎｉ2Ｏ3などのニ
ッケル化合物を適宜用いることができる。
【００３２】さらに、銅化合物として用いる酸化銅原料
は、比表面積が４．０ｍ2／ｇ以上のものが、均一な反
応性を得るために、より好ましい。
は、比表面積が４．０ｍ2／ｇ以上のものが、均一な反
応性を得るために、より好ましい。
【００３３】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、９００℃以下の低温で緻密に焼結でき、初透磁
率が１２００以上の高透磁率のＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェラ
イト材料を得ることができる。
よれば、９００℃以下の低温で緻密に焼結でき、初透磁
率が１２００以上の高透磁率のＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェラ
イト材料を得ることができる。
【００３４】従って、本発明によって得られるＮｉ−Ｃ
ｕ−Ｚｎフェライト材料は、クロスポイント周波数を５
ＭＨｚ以下に抑えたチップインダクタ用として最適であ
る。
ｕ−Ｚｎフェライト材料は、クロスポイント周波数を５
ＭＨｚ以下に抑えたチップインダクタ用として最適であ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伴野 国三郎 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 Ｆターム(参考） 4G018 AA01 AA23 AA24 AA25 AB02 AC01 AC13 4G048 AA03 AB05 AC02 AC03 AD04 AD06 AE05 5E041 AB01 AB19 BD01 CA10 HB01 NN02 NN06 NN17
Claims (4)
- 【請求項１】 少なくとも鉄化合物、ニッケル化合物、
銅化合物および亜鉛化合物を混合した後、仮焼し、その
後粉砕する工程を備えたＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライト材
料の製造方法において、前記鉄化合物として比表面積が
８．５ｍ2／ｇ以上の粉体を用い、前記ニッケル化合物
および亜鉛化合物としてそれぞれ比表面積が８．０ｍ2
／ｇ以上の粉体を用い、混合後の粉体の比表面積を１
０．０ｍ2／ｇ以上とし、仮焼後の粉体の比表面積を
６．０ｍ2／ｇ以上とし、粉砕後の粉体の比表面積を
８．０ｍ2／ｇ以上とするとともに、仮焼後のスピネル
合成度を９０〜９５％とすることを特徴とする、Ｎｉ−
Ｃｕ−Ｚｎフェライト材料の製造方法。 - 【請求項２】 前記鉄化合物はα−Ｆｅ2Ｏ3であり、前
記ニッケル化合物はＮｉＯであり、前記亜鉛化合物はＺ
ｎＯであることを特徴とする、請求項１に記載のＮｉ−
Ｃｕ−Ｚｎフェライト材料の製造方法。 - 【請求項３】 前記α−Ｆｅ2Ｏ3、ＮｉＯおよびＺｎＯ
のうち少なくとも１種は、共に湿式法で合成されたもの
であることを特徴とする、請求項２に記載のＮｉ−Ｃｕ
−Ｚｎフェライト材料の製造方法。 - 【請求項４】 前記Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライト材料
は、Ｆｅ2Ｏ3が４８．０〜４９．８モル％、ＺｎＯが２
０．０〜３４．０モル％、ＣｕＯが６．０〜２０．０モ
ル％、ＮｉＯが残部、からなることを特徴とする、請求
項１から３のいずれかに記載のＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェラ
イト材料の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28015598A JP3580145B2 (ja) | 1998-10-01 | 1998-10-01 | Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライト材料の製造方法 |
| US09/408,053 US6187218B1 (en) | 1908-10-19 | 1999-09-29 | Method of producing Ni-Cu-Zn ferrite material |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28015598A JP3580145B2 (ja) | 1998-10-01 | 1998-10-01 | Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライト材料の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000109325A true JP2000109325A (ja) | 2000-04-18 |
| JP3580145B2 JP3580145B2 (ja) | 2004-10-20 |
Family
ID=17621093
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28015598A Expired - Fee Related JP3580145B2 (ja) | 1908-10-19 | 1998-10-01 | Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライト材料の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3580145B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1219577A2 (en) * | 2000-12-25 | 2002-07-03 | TDK Corporation | Low temperature sintered ferrite material and ferrite parts using the same |
| JP2007099539A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Toda Kogyo Corp | フェライト粉体、該フェライト粉体を含有するグリーンシート並びにフェライト焼結体 |
| JP2008016619A (ja) * | 2006-07-05 | 2008-01-24 | Hitachi Metals Ltd | フェライト磁心およびこれを用いた電子部品 |
| JP2010132539A (ja) * | 2008-10-29 | 2010-06-17 | Ngk Insulators Ltd | フェライト粉末及びその製造方法 |
| JP2013163628A (ja) * | 2012-02-13 | 2013-08-22 | Toda Kogyo Corp | Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト粉末、該Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト粉末を含有するグリーンシート及びＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト焼結体 |
-
1998
- 1998-10-01 JP JP28015598A patent/JP3580145B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1219577A2 (en) * | 2000-12-25 | 2002-07-03 | TDK Corporation | Low temperature sintered ferrite material and ferrite parts using the same |
| EP1219577A3 (en) * | 2000-12-25 | 2004-04-14 | TDK Corporation | Low temperature sintered ferrite material and ferrite parts using the same |
| EP2248783A3 (en) * | 2000-12-25 | 2011-05-18 | TDK Corporation | Low temperature sintered ferrite material and ferrite parts using the same |
| JP2007099539A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Toda Kogyo Corp | フェライト粉体、該フェライト粉体を含有するグリーンシート並びにフェライト焼結体 |
| JP2008016619A (ja) * | 2006-07-05 | 2008-01-24 | Hitachi Metals Ltd | フェライト磁心およびこれを用いた電子部品 |
| JP2010132539A (ja) * | 2008-10-29 | 2010-06-17 | Ngk Insulators Ltd | フェライト粉末及びその製造方法 |
| JP2013163628A (ja) * | 2012-02-13 | 2013-08-22 | Toda Kogyo Corp | Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト粉末、該Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト粉末を含有するグリーンシート及びＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト焼結体 |
| WO2013121972A1 (ja) * | 2012-02-13 | 2013-08-22 | 戸田工業株式会社 | Ｎｉ－Ｚｎ－Ｃｕ系フェライト粉末、該Ｎｉ－Ｚｎ－Ｃｕ系フェライト粉末を含有するグリーンシート及びＮｉ－Ｚｎ－Ｃｕ系フェライト焼結体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3580145B2 (ja) | 2004-10-20 |
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