JP2003236632A - 金属板及びその成形方法 - Google Patents

金属板及びその成形方法

Info

Publication number
JP2003236632A
JP2003236632A JP2002041515A JP2002041515A JP2003236632A JP 2003236632 A JP2003236632 A JP 2003236632A JP 2002041515 A JP2002041515 A JP 2002041515A JP 2002041515 A JP2002041515 A JP 2002041515A JP 2003236632 A JP2003236632 A JP 2003236632A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
metal plate
forming
metal
recess
convex portion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2002041515A
Other languages
English (en)
Inventor
Sumio Uehara
澄男 上原
Yoshihisa Nagamine
義久 永峯
Toshifumi Iizuka
敏文 飯塚
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shinko Electric Industries Co Ltd
Original Assignee
Shinko Electric Industries Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shinko Electric Industries Co Ltd filed Critical Shinko Electric Industries Co Ltd
Priority to JP2002041515A priority Critical patent/JP2003236632A/ja
Priority to US10/366,608 priority patent/US6733899B2/en
Priority to KR10-2003-0010034A priority patent/KR20030082896A/ko
Priority to CN03106141A priority patent/CN1440058A/zh
Publication of JP2003236632A publication Critical patent/JP2003236632A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B21—MECHANICAL METAL-WORKING WITHOUT ESSENTIALLY REMOVING MATERIAL; PUNCHING METAL
    • B21K—MAKING FORGED OR PRESSED METAL PRODUCTS, e.g. HORSE-SHOES, RIVETS, BOLTS OR WHEELS
    • B21K23/00—Making other articles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4871—Bases, plates or heatsinks
    • H01L21/4878—Mechanical treatment, e.g. deforming
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/13—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45147—Copper (Cu) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H01L23/3128—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation the substrate having spherical bumps for external connection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/1515—Shape
    • H01L2924/15153—Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/15165—Monolayer substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1532—Connection portion the connection portion being formed on the die mounting surface of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/157—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12201—Width or thickness variation or marginal cuts repeating longitudinally
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12361—All metal or with adjacent metals having aperture or cut
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12389—All metal or with adjacent metals having variation in thickness
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12389—All metal or with adjacent metals having variation in thickness
    • Y10T428/12396—Discontinuous surface component

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Punching Or Piercing (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 一方の面に凹部を形成し、この形成によって
他方の面に突出して形成された凸部を切削することによ
り金属板を成形する方法において、金属板に繋がった切
削片が残らないと共に、金属板の他方の面を略平坦な状
態にすることができる金属板の成形方法を提供する。 【解決手段】 金型を用いたプレス加工で金属板１０を
成形することにより、一方の面Ｓ１の所定部に第１の凹
部１０ａが形成されていると共に、第１の凹部１０ａの
形成によって金属板の他方の面Ｓ２に突出する凸部１０
ｂが形成され、かつ凸部１０ｂの周縁部から外側の所定
部に第２の凹部１０ｃが形成された構造を形成する工程
と、金属板１０の他方の面Ｓ２の凸部１０ｂを切削する
工程とを含む。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は金属板及びその成形
方法に係り、さらに詳しくは、半導体素子がパッケージ
に実装された半導体装置に用いられるスティフナ（放熱
板兼補強板）と称される金属板及びその成形方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、マルチメディア機器を実現するた
めのキーテクノロジーであるＬＳＩ技術はデータ伝送の
高速化、大容量化に向かって着実に開発が進んでいる。
これに伴って、ＬＳＩと電子機器とのインターフェイス
となる実装技術の高密度化が進められている。
【０００３】高密度実装に対応するパッケージとして、
さまざまなものが開発されてきている。例えば、リード
端子の代わりにはんだボールの端子がパッケージの面上
にグリッドアレイ（格子配列）に設けられたＢＧＡ（Ba
ll Grid Array）タイプのパッケージがある。さらに
は、パッケージ基材にポリイミドテープを使用すること
により、高性能多ピン化を狙ったＴＢＧＡ（Tape Ball
Grid Array）パッケージがある。このＴＢＧＡパッケー
ジには、半導体素子の裏側にスティフナと称される放熱
板兼補強板が設けられているものがある。
【０００４】図６はスティフナを備えたＴＢＧＡパッケ
ージの一例を示す断面図である。図６に示すように、こ
のタイプのＴＢＧＡパッケージ１１６では、金属板から
なるスティフナ１００の一方の面の中央部に凹部１００
ａが設けられ、この凹部１００ａの底部に接着層１１０
ｂを介して半導体素子１０８が固着されている。スティ
フナ１００の一方の面の凹部１００ａ以外の面上にはＣ
ｕ配線１０４を有するポリイミドフィルム１０２が接着
層１１０ａを介して接着されている。このＣｕ配線１０
４上には所定部に開口部を有するソルダレジスト膜１０
５が形成され、この開口部を介してＣｕ配線１０４には
んだバンプ１０６が接続されている。そして、半導体素
子１０８の電極パッドとＣｕ配線１０４のボンディング
パッドとがワイヤ１１２で結線されている。また、半導
体素子１０８、Ｃｕ配線１０４のボンディングパッド及
びワイヤ１１２がモールド樹脂１１４により封止されて
いる。
【０００５】さらにパッケージの放熱効果を高める必要
がある場合には、スティフナ１００の半導体素子１０８
が配置された面と反対面に、例えばプレートフィン型の
ヒートシンクを接着して配置する。このため、スティフ
ナ１００の半導体素子１０８が配置されていない面は平
坦な状態であることが好ましい。
【０００６】図７は従来のスティフナの成形方法を示す
断面図、図８は従来のスティフナの成形方法における問
題点を示す断面図である。従来のスティフナの成形方法
は、例えば特開平１１−１０２９９８号公報に記載され
ている。すなわち、図７（ａ）に示すように、まず、金
属ポンチ１２０、押え金属部材１２２及びダイ１２４を
備えた金型１２８を用意し、押え金属部材１２２とダイ
１２４との間にスティフナとなる金属板１００ｘを配置
する。
【０００７】その後、図７（ｂ）に示すように、金属ポ
ンチ１２０を移動させて金属板１００ｘを押圧すること
により所定の凹部１００ａを形成する。このとき同時
に、凹部１００ａの形成によって金属板１００ｘの他方
の面に突出する凸部１００ｂが形成される。
【０００８】次いで、図７（ｃ）に示すように、金属板
１００ｘの基部と凸部１００ｂとの繋がり部Ａから切刃
１２６を横方向にスライドさせて凸部１００ｂを切削す
る。
【０００９】従来、以上のような成形方法により、金属
板１００ｘを成形してスティフナを作成していた。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
金属板の成形方法では、切刃１２６は切削中に上下変動
が起こるため、切刃１２６が切削中に上方にずれた場合
は、図８（ａ）に示すように、切刃１２６による凸部１
００ｂの切削が完了するとき、切刃１２６は金属板１０
０ｘの基部に突き刺さるため、切削片１０１ａが金属板
１００ｘに繋がった状態で残ってしまう。
【００１１】この対策として、切刃１２６の切削開始位
置を予め下方にずらして設定して凸部１００ｂを切削す
る方法がある。しかし、この方法の場合、図８（ｂ）に
示すように、金属板１００ｘの基部と凸部１００ｂとの
繋がり部Ａの位置より下の位置の凸部１００ｂの側面部
で切刃１２６による切削が完了するようになるため、凸
部１００ｂを切削しても段差１０１ｂが残ってしまう。
【００１２】つまり、金属板１００ｘの切削面側にはい
わゆるグローバル段差が残ってしまうため、前述したプ
レートフィン型のヒートシンクをさらに接着して固着す
る場合、不具合が発生する恐れがある。
【００１３】以上のように、切刃１２６は切削中にその
高さが上下変動するため、切削片１０１ａや段差１０１
ｂが残らないように凸部１００ｂを切削することは困難
を極める。
【００１４】本発明は以上の問題点を鑑みて創作された
ものであり、一方の面に凹部を形成し、この形成によっ
て他方の面に突出して形成された凸部を切削することに
より金属板を成形する方法において、金属板に繋がった
切削片が残らないと共に、金属板の他方の面を略平坦な
状態にすることができる金属板の成形方法及び金属板を
提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記問題を解決するた
め、本発明は金属板の成形方法に係り、金型を用いたプ
レス加工で金属板を成形することにより、一方の面の所
定部に第１の凹部が形成されていると共に、前記第１の
凹部の形成によって前記金属板の他方の面に突出する凸
部が形成され、かつ前記凸部の周縁部から外側の所定部
に第２の凹部が形成された構造を形成する工程と、前記
金属板の他方の面の凸部を切削する工程とを有すること
を特徴とする。
【００１６】本発明では、図１〜図３に例示するよう
に、まず、金型を用いたプレス加工により、金属板１０
の一方の面Ｓ１の所定部に第１の凹部１０ａが形成され
ると共に、第１の凹部１０ａの形成によって他方の面Ｓ
２に突出する凸部１０ｂが形成される。このとき同時
に、金属板１０の他方の面Ｓ２における凸部１０ｂの周
縁部から外側の所定部に第２の凹部１０ｃが形成される
ようにする。
【００１７】あるいは、金属板１０の他方の面Ｓ２に第
２の凹部１０ｃに相当する微小凹部１０ｅを予め形成し
ておき、その後、金属板１０の一方の面Ｓ１に第１の凹
部１０ａが形成され、他方の面Ｓ２に突出する凸部１０
ｂが形成されるようにしてもよい。
【００１８】その後、切削手段２６により金属板１０の
他方の面Ｓ２に形成された凸部１０ｂを切削する。この
とき、好適には、切削手段２６により凸部１０ｂの側面
部Ｂのうちの他方の面Ｓ２の高さに対応する部分から切
削が開始され、その後、切削手段２６が反対側の側面部
Ｃを突き破ることにより凸部１０ｂが金属板１０から切
削分離される。
【００１９】このように、たとえ凸部１０ｂの切削中に
切削手段２６の上下変動が起こるとしても、第２の凹部
１０ｃの深さＤが切削手段２６の上下変動寸法より大き
くなるようにすることで、切削手段２６は凸部１０ｂの
側面部Ｃを突き破って切削が終了することになる。
【００２０】従って、切削片１１が金属板１０に繋がっ
て残るといった不具合が起こらず、切削片１１が金属板
１０から完全に切削分離される。しかも、凸部１０ｂの
切削面Ｓ３は、他方の面Ｓ２とその高さがほぼ同一にな
って略平坦な面が得られるので、他方の面Ｓ２にヒート
シンクをさらに設ける場合においても不具合が発生する
恐れがない。
【００２１】上記した金属板の成形方法において、前記
金型２８が、中央部に空洞部を備えた押え金属部材２２
と、前記押え金属部材２２の空洞部に配置され、上下に
移動可能な金属ポンチ２０と、前記押え金属部材２２の
下方に配置されると共に、前記金属ポンチ２０に対応す
る部分に空洞部を備え、かつ前記金属ポンチ２０の周縁
部の外側に対応する部分に凸部２４ａを備えた金属台２
４とを有することが好ましい。
【００２２】このような金型２８を使用することによ
り、上記したような金属板１０の一方の面Ｓ１の所定部
に第１の凹部１０ａが形成され、他方の面Ｓ２に第１の
凹部１０ａの形成によって突出した凸部１０ｂが形成さ
れ、しかもこの凸部１０ｂの周縁部の外側に第２の凹部
１０ｃが形成された構造を容易に成形することができ
る。その後、上記した方法により金属板１０の凸部１０
ｂを切削すればよい。このように、上記した金型を使用
することにより、上記した金属板の成形方法を容易に実
施することができるようになる。
【００２３】なお、上記した図番、符号は発明の理解を
容易にするために引用されたものであって、本発明を限
定するものではない。
【００２４】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について、図
を参照しながら説明する。
【００２５】図１〜図３は本発明の実施形態の金属板の
成形方法を示す断面図である。本発明の実施形態の金属
板の成形方法は、まず、図１（ａ）に示すような金型２
８を用意する。この金型２８は、押え金属部材２２、金
属ポンチ２０及びダイ２４（金属台）により基本構成さ
れる。押え金属部材２２はその中央部に空洞部を備え、
この空洞部には上下に移動可能な金属ポンチ２０が配置
されている。押え金属部材２２の下方には金属ポンチ２
０に対応する部分に空洞部を備えたダイ２４が配置され
ている。このダイ２４の金属ポンチ２０の周縁部の外側
に対応する部分には凸部２４ａが設けられている。
【００２６】金型２８を構成するこれらの部材は、金属
粉を焼結することにより製造された超鋼、例えばタング
ステンカーバイド（ＷＣ）などからなる。この金型２８
は、被加工物がダイ２４と押え金属部材２２とで固定さ
れた状態で、金属ポンチ２０が被加工物側に移動して被
加工物を押圧することにより、被加工物を所定の形状に
プレス加工したり、打ち抜いたりすることができる。
【００２７】この金型２８のダイ２４には上記した凸部
２４ａが設けられているため、金属ポンチ２０により被
加工物の一方の面に第１の凹部が形成され、同時に他方
の面に凸部が形成されるばかりではなく、被加工物の他
方の面にはダイ２４の凸部２４ａに対応する部分に第２
の凹部が形成される。ダイ２４の周縁部に形成された凸
部２４ａは、例えば、その高さＨが２μｍ〜３０μｍ、
好適には１０μｍ程度、その幅Ｗが０．３〜２ｍｍ、好
適には１ｍｍ程度とすればよい。
【００２８】このような構成の金型２８の押え金属部材
２２とダイ２４との間に厚みが例えば０．８ｍｍ程度の
金属板１０を配置する。この金属板１０は銅合金、ステ
ンレス鋼又はアルミニウムなどからなり、上記した金型
２８によりプレス加工されるなどしてスティフナ（放熱
板兼補強板）となるものである。
【００２９】その後、図１（ｂ）に示すように、金属板
１０が押え金属部材２２とダイ２４とで挟まれて固定さ
れた状態で、金属ポンチ２０で金属板１０を押圧するこ
とにより、金属板１０の一方の面Ｓ１に例えば深さが
０．４ｍｍの略四角状の第１の凹部１０ａを形成すると
共に、この凹部１０ａの形成によって金属板１０の一部
が押圧されて他方の面Ｓ２に突出する凸部１０ｂが形成
される。このとき同時に、金属板１０の他方の面Ｓ２に
おいては、ダイ２４に設けられた凸部２４ａに対応する
部分が押圧されて塑性変形を起こし、凸部１０ｂの周縁
部外側の所定部に第２の凹部１０ｃが形成される。
【００３０】この第１の凹部１０ａはその底部に半導体
素子が固着されるものであるので、第１の凹部１０ａの
形状、寸法、深さなどは各種半導体素子のチップサイズ
やその厚みにに合わせて適宜調整すればよい。また、こ
の第２の凹部１０ｃは、ダイ２４の凸部２４ａに対応し
て形成されるので、その深さＤが金属板１０の他方の面
Ｓ２（凸部１０ｂ以外の面）から２μｍ〜３０μｍ、好
適には１０μｍ程度、その幅Ｗが０．３〜２ｍｍ、好適
には１ｍｍ程度に形成される。
【００３１】金属板１０の他方の面Ｓ２に形成された第
２の凹部１０ｃは、後工程で金属板１０の凸部１０ｂが
切削される際に、金属板１０の他方の面Ｓ２に切削片や
グローバル段差が残らないようにするためのものであ
る。
【００３２】次に、金属板１０を図１（ｂ）に示す形状
に成形する方法の変形例を説明する。前述した例では、
金属板１０に第１の凹部１０ａ、凸部１０ｂ及び第２の
凹部１０ｃを同時に形成する方法を例示したが、図２に
示すように、最初に第２の凹部１０ｃに相当する微小凹
部１０ｅを形成し、その後、第１の凹部１０ａ及び凸部
１０ｂを形成するようにしてもよい。
【００３３】すなわち、まず、図２（ａ）に示すよう
に、押え部材２２ｘとダイ２４ｘとにより基本構成され
る第１の金型２８ｘを用意する。このダイ２４ｘには前
述した金属板１０の第２の凹部１０ｃに相当する微小凹
部１０ｅを形成するための凸部２４ｙが設けられてい
る。
【００３４】その後、この第１の金型２８ｘの押え金属
部材２２ｘとダイ２４ｘとの間に金属板１０を配置して
プレス加工することにより、この金属板１０の他方の面
Ｓ２の所定部に第２の凹部１０ｃに相当するリング状の
微小凹部１０ｅを形成する。
【００３５】次いで、図２（ｂ）に示すように、図１
（ａ）に示す金型２８（第２の金型）を用意する。続い
て、金属板１０の他方の面Ｓ２がダイ２４側になると共
に、微小凹部１０ｅがダイ２４の凸部２４ａに嵌合する
ようにして金属板１０を金型２８に配置してプレス加工
する。
【００３６】これにより、ダイ２４の凸部２４ａが金属
板１０の微小凹部１０ｅに嵌合した状態で、金属板１０
の一方の面Ｓ１の所定部に第１の凹部１０ａが形成され
ると共に、この凹部１０ａの形成によって金属板１０の
他方の面Ｓ２に突出する凸部１０ｂが形成される。この
ようにして、図１（ｂ）に示す金属板１０と同様の構造
を形成してもよい。
【００３７】次に、金属板１０の他方の面Ｓ２に形成さ
れた凸部１０ｂを切削する工程の説明を行う。まず、金
属板１０の凸部１０ｂを切削するための切削手段を用意
する。切削手段は、図３（ａ）に示すように、切刃２６
を備えた切削装置（不図示）を用いればよい。この切刃
２６は前述した金型２８の構成部材と同様に超鋼などか
らなる。続いて、プレス加工された金属板１０の他方の
面Ｓ２に切刃２６の上面を接触又は触しない程度に接近
するように位置設定し、切刃２６を金属板１０の他方の
面Ｓ２に平行に凸部１０ｂ側にスライドさせる。
【００３８】これにより、図３（ｂ）に示すように、切
刃２６の先端部が凸部１０ｂの側面部Ｂのうちの他方の
面Ｓ２に対応する部分に突き刺さって切削が開始され、
その後、反対側の側面部Ｃを突き破って凸部１０ｂが金
属板１０から切削分離される。
【００３９】このように、たとえ凸部１０ｂの切削中に
切刃２６の上下変動が起こるとしても、第２の凹部１０
ｃの深さが好適には１０μｍ程度であって切刃２６の上
下変動寸法（例えば２〜３μｍ）より大きく設定されて
いるため、切刃２６は凸部１０ｂの側面部Ｃを突き破っ
て切削が終了する。つまり、切刃２６が切削開始時の設
定位置から上方にずれたとしても、切削が終了する際に
切刃２６の先端部が金属板１０の基部に突き刺さること
はない。
【００４０】従って、切削が終了しても切削片１１が金
属板１０に繋がって残るといった不具合が起こらず、切
削片１１が金属板１０から完全に切削分離される。しか
も、凸部１０ｂの切削面Ｓ３は、金属板１０の他方の面
Ｓ２とその高さが略同一な状態となる。
【００４１】本実施形態の成形方法では、凸部１０ｂの
切削が完了した金属板１０の他方の面Ｓ２には、第２の
凹部１０ｃの凸部１０ｂ側の深さが浅くなった溝１０ｄ
が残存する。しかし、この溝１０ｄは凸部１０ｂが形成
されていた部分の周縁部に微小なくぼみとして局所的に
残存するものであるので、金属板１０の他方の面Ｓ２は
殆ど平坦な状態で成形されるといってもよい。従って、
従来例と違って、金属板１０の他方の面Ｓ２上にプレー
トフィン型のヒートシンクをさらに設ける場合において
も、なんら不具合が発生する恐れがない。
【００４２】このようにして、図３（ｃ）に示すよう
に、一方の面Ｓ１には半導体素子が固着される第１の凹
部１０ａが形成され、他方の面Ｓ２には第１の凹部１０
ａの周縁部の近傍又は外側部に対応する部分に微小な溝
１０ｄが形成されたスティフナ１０ｘが完成する。
【００４３】なお、本実施形態では、図１（ｂ）に示す
ように、金属板１０の第２の凹部１０ｃの形状として
「コ」の字型状のものを例示したが、凹部１０ｃの底部
が突形や半円を有するＵ字形などになるようにしてもよ
い。つまり、切刃２６が凸部１０ｂの側面部Ｂから側面
部Ｃに突き抜けるようにして、凸部１０ｂが切削される
ようにすればよい。
【００４４】次に、前述した本実施形態の成形方法で成
形されたスティフナ１０ｘを備えたＴＢＧＡパッケージ
に半導体素子が実装された半導体装置について説明す
る。
【００４５】図４は本実施形態の成形方法で成形された
スティフナを備えたＴＢＧＡパッケージに半導体素子が
実装された半導体装置を示す断面図、図５は図４の半導
体装置にさらにヒートシンクが設けられた半導体装置を
示す断面図である。
【００４６】図４に示すように、本実施形態に係る半導
体装置４４では、前述した成形方法により作成されたス
ティフナ１０ｘの一方の面Ｓ１にＣｕ配線３４を備えた
ポリイミドフィルム３２が接着層３０ａを介して接着さ
れている。このＣｕ配線３４のはんだボール搭載部やボ
ンディングパッドが露出するようにしてソルダレジスト
膜３５がパターニングされて形成され、はんだボール搭
載部にははんだボール３６が搭載されている。
【００４７】また、スティフナ１０ｘの第１の凹部１０
ａの底部に接着層３０ｂによって半導体素子３８が固着
されている。半導体素子３８の電極パッドとＣｕ配線３
４のボンディングパッドとはワイヤ４０により結線され
ている。さらに、半導体素子３８、Ｃｕ配線３４のボン
ディングパッド及びワイヤ４０はモールド樹脂４１によ
り封止されている。
【００４８】図５に示す半導体装置４４ａは、図４に示
す半導体装置４４のスティフナ１０ｘの溝１０ｄが形成
された面にプレートフィン型のヒートシンク４２が接着
層３０ｃを介して固着されたものである。その他の構成
要素は図４の半導体装置４４と同一であるのでその説明
を省略する。
【００４９】本実施形態の金属板の成形方法を用いると
スティフナ１０ｘのヒートシンク４２が固着される面に
局所的に溝１０ｄが形成されるが、溝１０ｄ以外の部分
はその面が略同一の高さで平坦なものとすることができ
る。従って、前述したようにスティフナ１０ｘに接着層
３０ｃを介してヒートシンク４２を固着する際になんら
不具合は発生しない。
【００５０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
まず、金型を用いたプレス加工により、金属板の一方の
面の所定部に第１の凹部が形成されると共に、この第１
の凹部の形成によって他方の面に突出する凸部が形成さ
れ、かつ金属板の他方の面における該凸部の周縁部から
外側の所定部に第２の凹部が形成される。その後、切削
手段により金属板の他方の面の凸部を切削する。
【００５１】このようにすることにより、凸部の周縁部
には第２の凹部が形成されているので、切削手段が凸部
の両側面部を突き破ることで凸部が金属板から切削分離
される。このため、切削片が金属板に繋がって残るとい
った不具合が起こらず、しかも金属板の他方の面を略平
坦なものとすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は本発明の実施形態の金属板の成形方法を
示す断面図（その１）である。
【図２】図２は本発明の実施形態の金属板の成形方法を
示す断面図（その１の変形例）である。
【図３】図３は本発明の実施形態の金属板の成形方法を
示す断面図（その２）である。
【図４】図４は本実施形態の成形方法で成形されたステ
ィフナを備えたＴＢＧＡパッケージに半導体素子が実装
された半導体装置を示す断面図である。
【図５】図５は図４の半導体装置にさらにヒートシンク
が設けられた半導体装置を示す断面図である。
【図６】図６はスティフナを備えたＴＢＧＡパッケージ
の一例を示す断面図である。
【図７】図７は従来のスティフナの成形方法を示す断面
図である。
【図８】図８は従来のスティフナの成形方法における問
題点を示す断面図である。
【符号の説明】
１０：金属板 １０ａ：第１の凹部 １０ｂ：金属板の凸部 １０ｃ：第２の凹部 １０ｄ：溝 １０ｅ：微小凹部 １０ｘ：スティフナ １１：切削片 ２０：金属ポンチ ２２，２２ｘ：押え金属部材 ２４，２４ｘ：ダイ（金属台） ２４ａ，２４ｙ：ダイの凸部 ２８，２８ｘ：金型 ３０ａ，３０ｂ，３０ｃ：接着層 ３２：ポリイミドフィルム ３４：Ｃｕ配線 ３５：ソルダレジスト膜 ３６：はんだボール ３８：半導体素子 ４０：ワイヤ ４１：モールド樹脂 ４２：ヒートシンク ４４，４４ａ：半導体装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 飯塚 敏文 長野県長野市大字栗田字舎利田711番地 新光電気工業株式会社内 Ｆターム(参考） 4E048 EA04 5F036 AA01 BA23 BB03 BB05

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 金型を用いたプレス加工で金属板を成形
    することにより、一方の面の所定部に第１の凹部が形成
    されていると共に、前記第１の凹部の形成によって前記
    金属板の他方の面に突出する凸部が形成され、かつ前記
    凸部の周縁部から外側の所定部に第２の凹部が形成され
    た構造を形成する工程と、 前記金属板の他方の面の凸部を切削する工程とを有する
    ことを特徴とする金属板の成形方法。
  2. 【請求項２】 前記金属板を成形することにより前記構
    造を形成する工程において、前記第１の凹部、前記凸部
    及び前記第２の凹部を同時に形成することを特徴とする
    請求項１に記載の金属板の成形方法。
  3. 【請求項３】 前記金属板を成形することにより前記構
    造を形成する工程が、 第１の金型を用いたプレス加工により、前記金属板の他
    方の面に所定部を囲むリング状の前記第２の凹部を形成
    する工程と、 第２の金型を用いたプレス加工により、前記金属板の一
    方の面のうちの第２の凹部が囲む所定部に対応する部分
    に前記第１の凹部を形成すると共に、前記第１の凹部の
    形成によって前記金属板の他方の面の第２の凹部が囲む
    所定部が突出する前記凸部を形成する工程とを含むこと
    を特徴とする請求項１に記載の金属板の成形方法。
  4. 【請求項４】 前記凸部を切削する工程において、前記
    凸部の一方の側面のうちの前記金属板の他方の面に対応
    する位置から切削手段により切削することを特徴とする
    請求項１乃至３のいずれか一項に記載の金属板の成形方
    法。
  5. 【請求項５】 前記金型が、 中央部に空洞部を備えた押え金属部材と、 前記押え金属部材の空洞部に配置され、上下に移動可能
    な金属ポンチと、 前記押え金属部材の下方に配置されると共に、前記金属
    ポンチに対応する部分に空洞部を備え、かつ前記金属ポ
    ンチの周縁部の外側に対応する所定部に凸部を備えた金
    属台とを有することを特徴とする請求項２に記載の金属
    板の成形方法。
  6. 【請求項６】 前記第２の凹部を、前記金属板の他方の
    面から２〜３０μｍの深さで、かつ０．３〜２ｍｍの幅
    で形成することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか
    一項に記載の金属板の成形方法。
  7. 【請求項７】 請求項１乃至６のいずれか一項に記載の
    金属板の成形方法により成形された金属板。
  8. 【請求項８】 前記金属板は、前記金属板の一方の面の
    所定部に凹部を有し、かつ前記金属板の他方の面におけ
    る前記凹部の周縁部の近傍又は外側部に対応する部分に
    溝を有することを特徴とする請求項７に記載の金属板。
JP2002041515A 2002-02-19 2002-02-19 金属板及びその成形方法 Pending JP2003236632A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002041515A JP2003236632A (ja) 2002-02-19 2002-02-19 金属板及びその成形方法
US10/366,608 US6733899B2 (en) 2002-02-19 2003-02-14 Metal plate and method of shaping the same
KR10-2003-0010034A KR20030082896A (ko) 2002-02-19 2003-02-18 금속판 및 그 성형 방법
CN03106141A CN1440058A (zh) 2002-02-19 2003-02-19 金属板及其成形方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002041515A JP2003236632A (ja) 2002-02-19 2002-02-19 金属板及びその成形方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003236632A true JP2003236632A (ja) 2003-08-26

Family

ID=27678345

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002041515A Pending JP2003236632A (ja) 2002-02-19 2002-02-19 金属板及びその成形方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6733899B2 (ja)
JP (1) JP2003236632A (ja)
KR (1) KR20030082896A (ja)
CN (1) CN1440058A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014195812A (ja) * 2013-03-29 2014-10-16 シロキ工業株式会社 プレス加工品、プレス加工方法及びプレス加工装置
KR101833353B1 (ko) * 2016-05-27 2018-03-05 경일산업 주식회사 프레스를 이용한 알루미늄 케이스 성형방법 및 이에 사용되는 금형장치
KR20180064587A (ko) * 2016-12-05 2018-06-15 경일산업 주식회사 프레스를 이용한 알루미늄 케이스 성형방법 및 이에 사용되는 금형장치
JP2021133471A (ja) * 2020-02-28 2021-09-13 トヨタ自動車株式会社 金属部材の製造方法
JP2021137916A (ja) * 2020-03-05 2021-09-16 トヨタ自動車株式会社 金属部材の製造方法

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5008306B2 (ja) * 2006-01-05 2012-08-22 日新製鋼株式会社 バックルベース部材のダボ出し加工方法
US20080110224A1 (en) * 2006-11-10 2008-05-15 Ford Motor Company Method of forming a surface finished workpiece for a vehicle from a metal sheet
ATE544538T1 (de) * 2007-05-09 2012-02-15 Adval Tech Holding Ag Umformverfahren
CN101618413A (zh) * 2009-07-27 2010-01-06 江苏银河电子股份有限公司 一种金属薄板的打凸方法
US10245864B2 (en) * 2010-12-28 2019-04-02 Kyocera Document Solutions Inc. Method of manufacturing a sheet metal frame
JP5570070B2 (ja) * 2010-12-28 2014-08-13 京セラドキュメントソリューションズ株式会社 板金フレーム及びそれを備えた電子機器
US9361917B2 (en) 2011-07-19 2016-06-07 Intri-Plex Technologies, Inc. Method to fabricate a base plate for piezo actuation
CN102366771A (zh) * 2011-10-18 2012-03-07 苏州金牛精密机械有限公司 压凹面治具
US10499682B2 (en) 2014-08-25 2019-12-10 New Age Beverage Corporation Micronutrient formulation in electronic cigarettes
TWI622490B (zh) * 2014-10-21 2018-05-01 王正平 精密擠切成形機
DE102017214210A1 (de) * 2017-08-15 2019-02-21 Wolfgang Rixen Verfahren zur Herstellung eines Sacklochs
CN111211059B (zh) * 2018-11-22 2023-07-04 矽品精密工业股份有限公司 电子封装件及其制法与散热件
JP7472287B2 (ja) * 2019-12-13 2024-04-22 華為技術有限公司 電子素子、電子素子付き回路基板、および電子デバイス

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR0156622B1 (ko) * 1995-04-27 1998-10-15 문정환 반도체 패키지,리드프레임 및 제조방법
US6145365A (en) * 1997-09-29 2000-11-14 Nakamura Seisakusho Kabushikigaisha Method for forming a recess portion on a metal plate
JP3588801B2 (ja) * 1998-01-12 2004-11-17 セイコーエプソン株式会社 半導体装置の製造方法
US6409859B1 (en) * 1998-06-30 2002-06-25 Amerasia International Technology, Inc. Method of making a laminated adhesive lid, as for an Electronic device
JP2001170721A (ja) * 1999-10-08 2001-06-26 Shinko Electric Ind Co Ltd 凹部を具備する板状体及びその製造方法ならびに凹部形成用プレス金型
JP2002043474A (ja) * 2000-07-21 2002-02-08 Nakamura Seisakusho Kk 電子部品用パッケージの形成方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014195812A (ja) * 2013-03-29 2014-10-16 シロキ工業株式会社 プレス加工品、プレス加工方法及びプレス加工装置
KR101833353B1 (ko) * 2016-05-27 2018-03-05 경일산업 주식회사 프레스를 이용한 알루미늄 케이스 성형방법 및 이에 사용되는 금형장치
KR20180064587A (ko) * 2016-12-05 2018-06-15 경일산업 주식회사 프레스를 이용한 알루미늄 케이스 성형방법 및 이에 사용되는 금형장치
KR101892469B1 (ko) * 2016-12-05 2018-08-28 경일산업 주식회사 프레스를 이용한 알루미늄 케이스 성형방법 및 이에 사용되는 금형장치
JP2021133471A (ja) * 2020-02-28 2021-09-13 トヨタ自動車株式会社 金属部材の製造方法
JP7218740B2 (ja) 2020-02-28 2023-02-07 トヨタ自動車株式会社 金属部材の製造方法
JP2021137916A (ja) * 2020-03-05 2021-09-16 トヨタ自動車株式会社 金属部材の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20030157359A1 (en) 2003-08-21
US6733899B2 (en) 2004-05-11
CN1440058A (zh) 2003-09-03
KR20030082896A (ko) 2003-10-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2003236632A (ja) 金属板及びその成形方法
JP2916915B2 (ja) ボールグリッドアレイ半導体パッケージの製造方法
JP3526731B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
EP1213755A2 (en) Fabrication process of semiconductor package and semiconductor package
JP2006517744A (ja) 代替のｆｌｍｐパッケージ設計およびそのパッケージ製造方法
JP2002043474A (ja) 電子部品用パッケージの形成方法
KR960003853B1 (ko) 반도체 장치 및 그의 제조방법
JP2002026044A (ja) 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器
JP4029910B2 (ja) 半導体パッケ−ジの製造法及び半導体パッケ−ジ
JP2003197664A (ja) 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器
JP2003197663A (ja) 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器
JP3714121B2 (ja) テープキャリア打抜き金型
JP3957579B2 (ja) 電子部品用パッケージ及びその形成方法
JP3155943B2 (ja) 電子部品用パッケージの形成方法
JP2007220740A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPH10125705A (ja) 半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP3163075B2 (ja) 金属製スティフナ付き配線基板
EP1154478A2 (en) Sheet-like board member, lead frame, and manufacture of a semiconductor device
JPH08153748A (ja) シングルポイントボンディング方法
JP4042400B2 (ja) 打抜金型
JP2009246079A (ja) 半導体パッケージおよびその製造方法
JP2009141287A (ja) 半導体装置の製造方法および半導体装置
JP4298346B2 (ja) 金属板への凹部形成方法
JP2011159876A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH08125051A (ja) 半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040921

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20061005

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20061205

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20070417