JP2003199197A - 超高電荷保存特性を有する多層エレクトレット及びその製造方法 - Google Patents

超高電荷保存特性を有する多層エレクトレット及びその製造方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 表面実装技術による作業が可能なように、耐
熱性に優れる超高電荷保存特性を有するマルチレーヤエ
レクトレット及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 金属板11上にフルオルエチレンプロピ
レン(FEP)フィルム12を溶融接着し、その上にポ
リテトラフルオルエチレン(PTFE)フィルム20を
溶融接着して製造された板を、冷却および荷電すること
により、マルチレーヤポリマーエレクトレットを提供す
る。また、同じフルオル化系列のFEPとPTFEは互
いに強い接着力を有するので、金属板11の上に先ずF
EPフィルム12を接着させてからPTFEフィルム2
0を接着させることにより、接着力の劣るPTFEフィ
ルム20を接着可能にし、エレクトレットの素材として
用いることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はコンデンサーマイク
ロホンに使われるエレクトレット及びその製造方法に関
するものである。より詳細には、表面実装技術(SM
T:SurfaceMount Technolog
y)による作業が可能なように、耐熱性に優れる超高電
荷保存特性(Ultra−high Charge S
tability)を有するマルチレーヤエレクトレッ
ト及びその製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】マイクロホンは音を電気信号に変換する
機械であり、音を受けるマイクカプセルの中にある振動
板が音圧や音波を拾って振動し、その振動が電気信号に
変換される。振動板を振動させるのには様々な方式があ
り、それぞれの方式で電気信号への変換も行われる。例
として、炭素粒子の電気的抵抗特性を利用して炭素粒子
間の接触抵抗を音圧によって変化させるカーボン型、ロ
ッシェル塩(rochelle salt)の圧電気効
果を利用する決定型、コイルが装着された振動板を磁場
中で振動させて誘導電流を発生させる稼動コイル型、磁
場内に装置された金属箔が音波を受けて振動して誘導電
流を発生させる速度型、音波による膜の振動で静電容量
が変わることを利用したコンデンサー型、などがある。
【0003】コンデンサー型マイクロホンは、静電容量
を利用して音圧を電気信号に変換する。即ち、振動膜と
固定極の間に外部直流電源によって静電気を蓄えてコン
デンサーを形成し、音圧によって振動膜が振動すると、
振動膜と固定極との距離が変化して静電容量も変化す
る。小型マイクロホンにはコンデンサー型が広く使われ
ているが、コンデンサー型にはコンデンサーに電圧をか
けるための直流電源(バッテリー)が必要となる、とい
う問題点がある。
【0004】最近では、このような問題点を解決するた
めに半永久的な電荷を有するエレクトレット(elec
tret)を利用したエレクトレットコンデンサーマイ
クロホンが広く使われている。エレクトレットマイクロ
ホンはバイアス電源が必要でないため、前置き増幅器の
組込みが簡単になり小型化および計量化を実現でき、ま
た、価格面でも安いというメリットがある。
【0005】一方、電子製品の製造技術が発達し製品が
一層小型化されると、このような小型製品の製造のため
に表面実装技術(SMT:Surface Mount
Technology)が広く使われるようになっ
た。表面実装技術は、電子基板(PBB:Printe
d Circuit Board)の表面に各種電子部
品をハンダ付けする技術のことである。
【0006】従来は基板上に電子部品を固定する際に
は、基板に穴を開け、そこにリード線を通して裏面でハ
ンダ付けをすることで、パーツの固定を行っていた。し
かし、この方法ではパーツ取り付け位置にホールが必須
になり配線上の制限が大きくなるので、穴開け無しでパ
ーツを基板表面にハンダ付けできるように開発されたの
が、表面実装技術である。表面実装プリント基板は、以
下のようにして製造される。まず最初にプリント基板の
表面にハンダペースト(ハンダ材料を糊状にしたもの)
を配線パターン通りに印刷塗布し、この上に表面実装用
の部品(SMD:Surface Mount Dev
ice)を機械で自動的に取り付ける。これを赤外線リ
フロー炉という高温の熱風炉に通すと、ハンダが溶けて
部品がハンダ付けされる。
【0007】表面実装技術は、電子基板の配線上の制約
が少なくなるだけでなく、パーツを小型化できる、リー
ドの加工(カットや折り曲げ)が不要になるなどの、他
のメリットもある。即ち、表面実装技術を適用すれば製
品の価格と性能を向上させることができる。しかし一方
では、表面実装技術はリフロー時に部品に高温が加えら
れるので、温度に弱い部品に適用することができない、
というデメリットがある。
【0008】ところが、コンデンサーマイクロホンに使
われる従来のエレクトレットは、高温に弱いフルオルエ
チレンプロピレン(FEP:Fluoro Ethyl
ene Propylene)で構成されているため、
表面実装技術によって部品をハンダ付けすることができ
ない。従って、マイクロホンを利用した様々な製品、例
えば携帯電話の端末機など、の製造原価を低くすること
ができない、という問題点がある。
【0009】図5は、従来のマイクロホン用のバックエ
レクトレットの構造を示す断面図である。バックエレク
トレットは、エレクトレット処理をコンデンサーの固定
電極(バックプレート)に施したものである。既存のエ
レクトレット16は金属板11の上にフルオルエチレン
プロピレン(FEP)フィルム12が積層されており、
ポリエチレンテレフタレート(PTE:Polyeth
ylene Terephtalate)フィルム14
上に金属15が蒸着された振動板17と、スペーサ13
とで空間を形成している。しかし、FEPフィルム12
は溶融圧出方法で製造されるために、結晶化度(Cry
stallinity)を高くすることができない。ま
た、FEPフィルム12は溶融点が約260℃であり、
低い温度で液状になってしまうので、表面実装技術を施
すのには適していない。
【0010】このような問題点を改善するために、高温
特性に優れたエレクトレットの素材としてSiO2(酸
化けい素)やSi3N4(窒化けい素)などのセラミッ
ク素材が開発されたが、セラミック素材には製造工程が
難しく、かつ製造原価も高いという問題点がある。ま
た、セラミック素材は密度が高いため、誘電体(Die
lectric)をエレクトレットに変換させる工程で
ある充電工程が非常に難しくなり、たとえ充電されたと
しても表面のみに充電されるため、湿度や他の異質物の
接触によって電荷の減少が簡単に発生してしまう、とい
う問題点もある。即ち、セラミック素材は、熱には強く
表面実装技術には適するものの、湿度や周囲の環境の影
響を受けやすいので、マイクロホンのエレクトレットと
しての実用には問題がある。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、前述
した従来の問題点を解決するために、温度及び湿度に強
い超高電荷保存特性(Ultra−high Char
ge Stability)を有するマルチレーヤポリ
マーエレクトレットを提供することである。
【0012】また、本発明の他の目的は、表面実装技術
(SMT)を施すことが可能なマルチレーヤエレクトレ
ットの製造方法を提供することである。
【0013】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の主たる観点によれば、金属板上に厚さが約
12.5μm〜25μmのフルオルエチレンプロピレン
(FEP)フィルムが溶融接着されていて、前記FEP
フィルム上に厚さが約30μm〜100μmのポリテト
ラフルオルエチレン(PTFE)フィルムが溶融接着さ
れている超高電荷保存特性を有する多層エレクトレット
が提供される。
【0014】上記記載の発明では、前記PTFEフィル
ムが耐熱性に優れるので、表面実装技術(SMT)によ
る部品のハンダ付けが可能となる。更に、前記PTFE
フィルムは結晶化度が高いので内部に多くの結晶粒界が
存在し、これにより電荷保存特性が増加して多くの電荷
を蓄えられるようになり、エレクトレットの性能を向上
させることができる。
【0015】また、前記PTFEフィルムは、PTFE
樹脂を成形し、前記成形されたPTFE樹脂を薄く切る
ことにより製造される、如く構成すれば、前記PTFE
フィルムに多量の微細結晶粒が生成されて結晶化度が高
くなり、電荷保存特性を向上させることができる。
【0016】上記課題を解決するため、本発明の他の観
点によれば、金属板上にFEPフィルムを積層する第1
の段階と、前記積層されたFEPフィルムが前記金属板
と接着するように、前記FEPフィルムが積層された金
属板を高温で加熱すると共に高圧を加えて溶融接着する
第2の段階と、前記金属板に接着されたFEPフィルム
上にPTFEフィルムを積層する第3の段階と、前記積
層されたPTFEフィルムが前記FEPフィルムと接着
するように、前記PTFEフィルムが積層された金属板
を高温で加熱すると共に高圧を加えて溶融接着する第4
の段階と、溶融接着された前記板を冷却する第5の段階
と、冷却されたエレクトレットを荷電する第6の段階
と、を含む超高電荷保存特性を有する多層エレクトレッ
トの製造方法が提供される。
【0017】上記記載の発明では、同じフルオル化系列
のFEPとPTFEが互いに強い接着力を有することを
利用して、前記金属板の上に先ず前記FEPフィルムを
接着させてから前記PTFEフィルムを接着させること
により、接着力の劣るPTFEフィルムをエレクトレッ
トの素材として用いることができる。
【0018】また、前記第4の段階は加圧ローラによる
圧力が約30Kgf〜150Kgfであり、誘導加熱ロ
ーラによる加熱温度が400℃〜500℃である、如く
構成すれば、前記FEPフィルムとPTFEフィルムの
接触面に部分的な溶融が生じ、ここに電荷がトラップさ
れてエレクトレットの電荷保存特性を向上させることが
できる。
【0019】また、前記製造方法は作業速度が0.3m
/min〜0.7m/minである、如く構成すれば、
前記電荷がトラップされる部分溶融の位置と大きさがエ
レクトレットの電荷保存特性を向上させるのに最も適す
るようになる。
【0020】
【発明の実施の形態】以下、添付された図面を参照して
本発明の望ましい実施の形態について詳細に説明する。
【0021】図1は、本実施形態にかかるマルチレーヤ
エレクトレットの製造概念を示す概略図であり、図2
は、本実施形態にかかるマルチレーヤエレクトレットの
構造を示す断面図である。
【0022】本実施形態にかかる電荷保存特性(Cha
rge Stability)に優れるマルチレーヤポ
リマーエレクトレットは、図1に示されるように、金属
板11上に約12.5〜25μmのフルオルエチレンプ
ロピレン(Fluoro Ethylene Prop
ylene :以下FEPと称する)フィルム12を接
着させた後に、その上に高結晶化度(High Cry
stallinity)を有する30μm〜100μm
のポリテトラフルオルエチレン(Poly Tetra
Fluoro Ethylene:以下PTFEと称
する)フィルム20をラミネート加工により積層した多
層の構成を有する。
【0023】FEPとPTFEフィルムにより構成され
るエレクトレットに表面実装技術が適用可能なのは、P
TFEが耐熱性に優れ、また、結晶化度(Crysta
llinity)が高いからである。PTFEフィルム
とFEPフィルムはその製造方法が異なるため、異なる
特性を有する。
【0024】FEPフィルムは溶融圧出方法で製造され
るために結晶化度を高くするのが難しく、仮に高い結晶
化度を得られたとしても一つの結晶粒(Grain)が
巨大になるため微細結晶粒を全体的に生成できず、高い
電荷保存特性を得るのが困難である。
【0025】一方、PTFEフィルムの場合は、PTF
E樹脂(Resin)を成形した後に成形体を薄く切る
方法で製造される。PTFE樹脂は、サイズが10μm
〜20μmの非常に微細な結晶の塊りである。また、成
形時に強い圧力と熱を受けて結晶粒がさらに微細に形成
される。このように多量の微細結晶粒が生成されている
PTFE樹脂は、結晶化度が高くなり、電荷保存特性を
向上させることができる。
【0026】本実施形態にかかるマルチレーヤポリマー
エレクトレットは、図2に示されたように、金属板11
上にFEPフィルム12とPTFEフィルム20が積層
されたエレクトレット22と、ポリエチレンテレフタレ
ート(PTE:Polyethylene Terep
htalate)フィルム14上に金属15が蒸着され
た振動板17と、振動板17とエレクトレット22との
間に空間を形成するためのスペーサ13と、で構成され
る。
【0027】図3は、本実施形態にかかるマルチレーヤ
エレクトレットの製造工程を示す工程図であり、図4
は、本実施形態にかかるマルチレーヤエレクトレットの
製造方法を示す概略図である。
【0028】一般的に、金属板と薄膜(フィルム)の溶
融接着はラミネート加工(Laminating)によ
り行われるが、PTFEフィルムは溶融点が約327℃
と高いため金属板との接着が困難である。また、PTF
Eフィルムと金属板とが接着されたとしても、ラミネー
ト加工時に強い熱と圧力が加えられるため、エレクトレ
ットの特性である電荷保存特性が著しく減少してしま
う。
【0029】従って、本実施形態においては、まず接着
性の高いFEPフィルムを金属板の上に接着させた後
に、FEPフィルム上に再びPTFEフィルムを接着さ
せて多層のエレクトレット(マルチレーヤエレクトレッ
ト)を構成する。FEPとPTFEは同一のフルオル
(Fluoro)化系列であるため、熱と圧力を加える
と強い接着力を有する特性がある。また、FEPフィル
ム上にPTFEフィルムが接着されたマルチレーヤ(F
EP−PTFE)ポリマーエレクトレットは電荷保存特
性に非常に優れるといった長所を有する。PTFEフィ
ルムの電荷保存特性が優れているのは、前述したように
結晶化度が高いからである。結晶化度が高いと、物質の
内部には多くの結晶粒界(Grain Boundar
y)が存在するようになるが、これら結晶粒界は充電時
に電子が移動する経路となり、また電子が安定的にトラ
ップ(Trap)されるトラッピングサイト(Trap
ping Site)にもなり得る。したがって、電荷
が安定的に物質内に残留することになり、エレクトレッ
トの電荷保存特性が増加する。
【0030】図3を参照すると、本実施形態にかかるマ
ルチレーヤエレクトレットを製造する工程は、金属板上
にFEPフィルムを接着する1次ラミネート加工工程
(S1およびS2)と、FEPフィルム上に再びPTF
Eフィルムを接着する2次ラミネート加工工程(S3お
よびS4)と、冷却工程(S5)と、荷電工程(S6)
と、から成る。
【0031】一次ラミネート加工工程は、図4に図示さ
れたように、金属板11上にロールに巻かれたFEPフ
ィルム12を積層した後、誘導加熱ローラ52と加圧ロ
ーラ54との間を通過させて溶融接着されるようにす
る。この時、FEPフィルムの厚さは12.5μm〜2
5μmであるのが望ましい。
【0032】すなわち、段階S1にて、まず、金属板1
1上にロール形態で巻かれたFEPフィルム12を解い
て積層する。次に、段階S2にて、金属板11の下面か
らは誘導加熱ローラ52にて熱を加えると同時に、金属
板11に積層されているFEPフィルム12の上面から
は加圧ローラ54で圧力を加えながら、ローラを通過さ
せて金属板11とFEPフィルム12を溶融接着させ
る。この時、加圧ローラ54の圧力は約10Kgf〜1
00Kgfであり、誘導加熱ローラ52の加熱温度は3
30℃〜400℃であるのが望ましい。このように圧力
を加えると同時に高温で加熱することにより、FEPフ
ィルムと金属板が接触される部分では全体的に溶融が生
じ、FEPフィルムの内部では部分的な溶融が生じる。
【0033】二次ラミネート加工工程は、図4に図示さ
れたように、一次ラミネート加工工程でFEPフィルム
12が溶融接着された金属板11のFEPフィルム上に
ロールに巻かれたPTFEフィルム20を積層した後、
誘導加熱ローラ52と加圧ローラ54との間を通過しな
がら溶融接着されるようにする。この時、PTFEフィ
ルムの厚さは30μm〜100μmであるのが望まし
い。
【0034】すなわち、段階S3にて、まず、金属板1
1に接着されたFEPフィルム12上に、ロール形態で
巻かれたPTFEフィルム20を解いて積層する。次
に、段階S4にて、金属板11の下面からは誘導加熱ロ
ーラ52にて熱を加えると同時に、FEPフィルム12
上に積層されているPTFEフィルム20の上面からは
加圧ローラ54で圧力を加えながら、ローラを通過させ
て金属板11に接着されたFEPフィルム12とPTF
Eフィルム20を溶融接着させる。この時、加圧ローラ
54による圧力は約30Kgf〜150Kgfであり、
誘導加熱ローラ52の加熱温度は400℃〜500℃で
あるのが望ましい。
【0035】このようなラミネート加工工程では、フィ
ルムの金属板との接触面や、フィルムとフィルムとの接
触面で、全体的な溶融あるいは部分的な溶融が生じる。
この時、部分的に溶融された界面では高分子の非晶質と
格子が融和されておらず、このような状態の界面に電荷
がトラップされることを利用して、この界面の位置と大
きさを制御することによりエレクトレットの電荷保存特
性を向上させることができる。
【0036】段階S5では、溶融接着された金属板11
とFEPフィルム12とPTFEフィルム20とから成
るエレクトレット22を、冷却器56にて冷却する。こ
のとき、冷却速度を制御することにより、前述した界面
の位置と大きさを制御することができる。
【0037】最後に、段階S6の荷電工程にて、積層さ
れたフィルムを充電してフィルム内に電荷を蓄える。
【0038】前述した、連続する一連のエレクトレット
製造工程においては、ラインの移送速度(作業速度)
は、0.3m/min〜0.7m/minであることが
望ましい。
【0039】
【発明の効果】本発明にかかるフルオルエチレンプロピ
レン(FEP)とポリテトラフルオルエチレン(PTF
E)で製造されたマルチレーヤポリマーエレクトレット
は、PTFEが耐熱性に優れるので、表面実装技術(S
MT)による部品のハンダ付けが可能となる。また、P
TFEは結晶化度が高いので内部に多くの結晶粒界が存
在し、これにより電荷保存特性が増加して多くの電荷を
蓄えられるようになり、エレクトレットの性能を向上さ
せる。
【0040】また、本発明にかかるマルチレーヤポリマ
ーエレクトレットは、ポリマーであるため加工性に非常
に優れるので、製造工程を簡素化でき、製造費用も削減
できる、という利点がある。
【0041】また、マルチレーヤポリマーエレクトレッ
トは、既存のエレクトレットコンデンサーマイクロホン
(ECM)で使用されているバックエレクトレットと形
態が同一であるため、既存のあらゆるエレクトレットコ
ンデンサーマイクロホンに適用することができる。
【0042】以上、本発明に係る好適な実施の形態につ
いて説明したが、本発明はかかる構成に限定されない。
当業者であれば、特許請求の範囲に記載された技術思想
の範囲内において、各種の修正例および変更例を想定し
得るものであり、それらの修正例および変更例について
も本発明の技術範囲に包含されるものと了解される。
【図面の簡単な説明】
【図1】本実施形態にかかるマルチレーヤエレクトレッ
トの製造概念を示す概略図である。
【図2】本実施形態にかかるマルチレーヤエレクトレッ
トの構造を示す断面図である。
【図3】本実施形態にかかるマルチレーヤエレクトレッ
トの製造工程を示す工程図である。
【図4】本実施形態にかかるマルチレーヤエレクトレッ
トの製造方法を示す概略図である。
【図5】従来のマイクロホン用のバックエレクトレット
の構造を示す断面図である。
【符号の説明】
11 金属板 12 FEPフィルム 13 スペーサ 14 PETフィルム 15 金属 17 振動板 20 PTFEフィルム 16,22 エレクトレット 52 誘導加熱ローラ 54 加圧ローラ 56 冷却器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) B29K 105:22 B29K 105:22 Fターム(参考) 4F100 AB01A AK17B AK18C BA03 BA07 BA10A BA10C EJ192 EJ461 EJ613 GB41 JG03 JG10 YY00B YY00C 4F211 AA16 AA17 AC03 AD03 AG01 AG03 AH39 TA01 TC05 TD11 TN16 TQ03 TW50 5D021 CC03 CC20

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 金属板上に厚さが約12.5μm〜25
    μmのフルオルエチレンプロピレン(FEP)フィルム
    が溶融接着されていて、前記FEPフィルム上に厚さが
    約30μm〜100μmのポリテトラフルオルエチレン
    (PTFE)フィルムが溶融接着されていることを特徴
    とする超高電荷保存特性を有する多層エレクトレット。
  2. 【請求項2】 前記PTFEフィルムは、PTFE樹脂
    を成形し、前記成形されたPTFE樹脂を薄く切ること
    により製造されることを特徴とする請求項1に記載の超
    高電荷保存特性を有する多層エレクトレット。
  3. 【請求項3】 金属板上にFEPフィルムを積層する第
    1の段階と、 前記積層されたFEPフィルムが前記金属板と接着する
    ように、前記FEPフィルムが積層された金属板を高温
    で加熱すると共に高圧を加えて溶融接着する第2の段階
    と、 前記金属板に接着されたFEPフィルム上にPTFEフ
    ィルムを積層する第3の段階と、 前記積層されたPTFEフィルムが前記FEPフィルム
    と接着するように、前記PTFEフィルムが積層された
    金属板を高温で加熱すると共に高圧を加えて溶融接着す
    る第4の段階と、 溶融接着された前記板を冷却する第5の段階と、 冷却されたエレクトレットを荷電する第6の段階と、 を含むことを特徴とする超高電荷保存特性を有する多層
    エレクトレットの製造方法。
  4. 【請求項4】 前記第4の段階は加圧ローラによる圧力
    が約30Kgf〜150Kgfであり、誘導加熱ローラ
    による加熱温度が400℃〜500℃であることを特徴
    とする請求項3に記載の超高電荷保存特性を有する多層
    エレクトレットの製造方法。
  5. 【請求項5】 前記製造方法は作業速度が0.3m/m
    in〜0.7m/minであることを特徴とする請求項
    3に記載の超高電荷保存特性を有する多層エレクトレッ
    トの製造方法。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005009076A1 (ja) * 2003-07-22 2005-01-27 Toho Kasei Co., Ltd. 耐熱性エレクトレット用材料および耐熱性エレクトレット
WO2006013940A1 (ja) * 2004-08-06 2006-02-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 耐熱型エレクトレットコンデンサマイクロホン
WO2006013717A1 (ja) * 2004-08-05 2006-02-09 Olympus Corporation 静電容量型超音波振動子、及びその製造方法
JP2007043077A (ja) * 2005-06-28 2007-02-15 Hitachi Metals Ltd 磁気シールド材およびその製造装置
JP2008042436A (ja) * 2006-08-04 2008-02-21 Audio Technica Corp エレクトレットコンデンサヘッドホンユニットの製造方法
JP2010279024A (ja) * 2009-04-27 2010-12-09 Nitto Denko Corp エレクトレット材および静電型音響変換器
JP5267555B2 (ja) * 2008-03-27 2013-08-21 旭硝子株式会社 エレクトレットおよび静電誘導型変換素子
JP6450826B1 (ja) * 2017-12-15 2019-01-09 日新製鋼株式会社 複合体を製造する装置、加圧ロール及び複合体を製造する方法

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6342294B1 (en) * 1999-08-12 2002-01-29 Bruce G. Ruefer Composite PTFE article and method of manufacture
KR100486869B1 (ko) * 2002-07-30 2005-05-03 주식회사 비에스이 마이크로폰용 도전성 캡
KR200332944Y1 (ko) * 2003-07-29 2003-11-14 주식회사 비에스이 Smd가능한 일렉트렛 콘덴서 마이크로폰
KR100941037B1 (ko) * 2004-07-20 2010-02-05 박래준 무산소동 외관벌브를 구비한 연 엑스선 발생관
US7196521B2 (en) * 2005-03-29 2007-03-27 Doty Scientific, Inc. NMR MAS electret spin rate detection
US20070023690A1 (en) * 2005-07-01 2007-02-01 Yuki Tsuchiya Method of producing heat-resistant electrically charged fluororesin material and method of producing electret condenser microphone using heat-resistant electrically charged fluororesin material
KR100792502B1 (ko) * 2005-08-09 2008-01-08 정근석 일렉트렛, 그 제조방법 및 콘덴서 마이크로폰
JP2007295308A (ja) * 2006-04-25 2007-11-08 Citizen Electronics Co Ltd エレクトレットコンデンサマイクロホンの製造方法。
KR100774303B1 (ko) * 2006-06-05 2007-11-08 (주)상아프론테크 고온용 일렉트렛, 그의 융착방법 및 이를 구비하는마이크로폰
KR100789129B1 (ko) 2006-06-05 2007-12-27 (주)상아프론테크 고온용 일렉트렛, 그의 제조방법 및 이를 구비하는마이크로폰
FI20070155A0 (fi) * 2007-02-23 2007-02-23 Panphonics Oy Elektreettilevyrakenne
EP2286988A1 (de) * 2008-12-13 2011-02-23 Bayer MaterialScience AG Ferroelektret-Zwei- und Mehrschichtverbund und Verfahren zu dessen Herstellung
WO2013020410A1 (zh) * 2011-08-10 2013-02-14 上海大宫新材料有限公司 聚四氟乙烯机电能量转换功能膜的连续化生产工艺
DE102013221140A1 (de) * 2013-10-17 2015-04-23 Robert Bosch Gmbh Elektretstruktur
DE102014208645A1 (de) * 2014-05-08 2015-11-12 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Herstellung eines mehrschichtigen Elektret-Bauteils
US10424441B2 (en) * 2017-07-05 2019-09-24 Honeywell International Inc. Ultra-high charge density electrets and method of making same
CN116249338B (zh) * 2023-03-15 2024-03-22 潍坊新声悦尔电子科技有限公司 Ptfe膜覆膜背极板驻极电荷激活老化工艺

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5121334B2 (ja) * 1971-08-27 1976-07-01
US4302633A (en) * 1980-03-28 1981-11-24 Hosiden Electronics Co., Ltd. Electrode plate electret of electro-acoustic transducer and its manufacturing method
JPS60214941A (ja) * 1984-04-10 1985-10-28 株式会社 潤工社 プリント基板
JPS60225750A (ja) * 1984-04-24 1985-11-11 株式会社 潤工社 プリント基板
US5198053A (en) * 1988-10-18 1993-03-30 Mather Seal Company Method and apparatus for bonding polytetrafluoroethylene to a metal substrate and articles thereby produced

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005009076A1 (ja) * 2003-07-22 2005-01-27 Toho Kasei Co., Ltd. 耐熱性エレクトレット用材料および耐熱性エレクトレット
WO2006013717A1 (ja) * 2004-08-05 2006-02-09 Olympus Corporation 静電容量型超音波振動子、及びその製造方法
WO2006013940A1 (ja) * 2004-08-06 2006-02-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 耐熱型エレクトレットコンデンサマイクロホン
US7590252B2 (en) 2004-08-06 2009-09-15 Panasonic Corporation Heat-resistant electret condenser microphone
JP2007043077A (ja) * 2005-06-28 2007-02-15 Hitachi Metals Ltd 磁気シールド材およびその製造装置
JP2008042436A (ja) * 2006-08-04 2008-02-21 Audio Technica Corp エレクトレットコンデンサヘッドホンユニットの製造方法
JP4659703B2 (ja) * 2006-08-04 2011-03-30 株式会社オーディオテクニカ エレクトレットコンデンサヘッドホンユニットの製造方法
JP5267555B2 (ja) * 2008-03-27 2013-08-21 旭硝子株式会社 エレクトレットおよび静電誘導型変換素子
JP2010279024A (ja) * 2009-04-27 2010-12-09 Nitto Denko Corp エレクトレット材および静電型音響変換器
US8971553B2 (en) 2009-04-27 2015-03-03 Nitto Denko Corporation Electret material and electrostatic-type acoustic transducer
JP6450826B1 (ja) * 2017-12-15 2019-01-09 日新製鋼株式会社 複合体を製造する装置、加圧ロール及び複合体を製造する方法

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Publication number Publication date
KR100408815B1 (ko) 2003-12-06
US6818092B2 (en) 2004-11-16
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