WO2006013940A1

WO2006013940A1 - 耐熱型エレクトレットコンデンサマイクロホン

Info

Publication number: WO2006013940A1
Application number: PCT/JP2005/014333
Authority: WO
Inventors: Katsuhiro Makihata; Hiroshi Ogura; Yoshinobu Yasuno
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
Priority date: 2004-08-06
Filing date: 2005-08-04
Publication date: 2006-02-09
Also published as: EP1775992A4; KR20070038449A; US20070160247A1; EP1775992A1; US7590252B2; JP2006050385A; CN1918943A

Abstract

　マイクロホン全体を収容している筺体を、筐体外面が熱伝導率が金属よりも低く、かつ材料変質温度が内部のエレクトレット形成用の誘電体層の電荷消失温度よりも高く、かつ材料変質温度が２６０°Cよりも高い材料によって覆うことにより、熱抵抗と内部全体の熱容量によって内部の温度上昇を緩和するもので、特に、適用機器に装着される際、リフローはんだ槽を短時間通過することがあり、そのときの高熱によって機能が損なわれるのを防止することのできる耐熱構造を提供する。

Description

明細書

耐熱型エレクトレットコンデンサマイクロホン

技術分野

[0001] 本発明は、携帯電話などの情報通信機器に搭載されるエレ外レット型コンデンサマイクロホンに関する。背景技術

[0002] エレクトレットコンデンサマイクロホンは、 30年以上前に開発され、現在でも携帯電話の構成部品などに、広く使用されている。

[0003] 図 8は、エレクトレットコンデンサマイクロホンの基本構造を示す図である。この図 8 において、保護面布 101はゴミなどの混入を防ぐことを目的に配置される布であって不織布などの透音性の優れたものが用いられる。固定電極 102としては金属または振動膜との対向面が導電処理されたものが用いられる。エレクトレット膜 103は固定電極 102に設置される誘電体膜であり、一般に、 FEP (六フッ化プロピレン四フッ化工チレン)が熱融着により固定電極 102に貼り付けられて用いられている。振動膜 104 は、金属薄膜あるいは一面が導電処理されたプラスチックフィルムが用いられる。振動膜支持用リング 105は振動膜が接着されている。スぺーサ 106は振動膜と固定電極が所定の位置関係を形成保持するように設けられている。そして、回路部品 107 は FET、抵抗器など力も構成されている。回路基板 108には、回路部品 107がはんだ付け等によって装着されており、振動膜の振動変位に起因する振動膜—固定電極間の静電容量の変化を電気信号に変換するためのプリアンプを形成すると共に端子盤と底面板とを構成している。スぺーサ 109は、固定電極 102と回路基板 108間に所望の空間を形成するものである。筐体 110としては、アルミニウム等の金属ある Vヽは成型されたプラスチックを導電ィ匕したものが用いられ、下端部は力しめ加ェあるいは接着等がなされてハウジングを形成すると共にシールドケースをかねている。

[0004] エレクトレットコンデンサマイクロホンの基本動作は、振動膜と固定電極の間に電位を形成し、音圧に振動膜の変位を電気出力として取り出すものである。エレクトレット層に電荷を着電することにより、振動膜と固定電極との間に高電位 (数十ボルト）を保持し、音圧による振動膜の変位をより大きな電気出力として取り出すことができる。従来より、エレクトレットコンデンサマイクロホンは、携帯電話等に搭載される基板にコネクタ一等を介して装着部品として搭載されてきたが、近年マイクロホン自身をはんだリフロー工法を用いて、直接携帯電話等の基板に実装することが必要になってきている。

また、近年では特許文献 1に示すように、 Pbフリーリフローに適応できるように、マイクロマシユング技術を使って、平行平板型コンデンサマイクロホンの提案もなされてヽる。

[0005] 特許文献 1 :特開 2002— 95093

発明の開示

発明が解決しょうとする課題

[0006] し力しながら、エレクトレツトイ匕した FEPの場合、加熱により電荷が抜けると!、う特性を持つことが知られている。

図 9は、直接携帯電話等の基板に実装する際に用いられるリフローの温度プロファィルを示している。近年、 Pbフリーリフロー（Pbを含有しないはんだ材料を用いたリフロー）が望まれており、図 9は代表的な Pbフリーリフローの温度プロファイルである。 Pb フリーリフローでは、 260度において 10〜30秒程度の加熱がなされるため、リフローされる部品は、これに耐えうる耐熱性が必要とされる。

[0007] しかしながら一般のエレクトレットコンデンサマイクロホンは、 Pbフリーリフロー温度に対する耐熱性を有しない。図 10は、エレクトレットとして FEP (膜厚： 25 μ m)を形成した電極を加熱した際の、表面電位を測定した実験結果である。図 10において横軸は加熱温度（30秒間）、横軸はエレクトレットの表面電位である。図 10は、常温で— 25 OVであった表面電位力 200°Cにおいては約 20%の電位低下が見られ、また 300 °Cにおいてはほぼ 90%消滅低下していることを表している。この実験結果は、通常の ECMが Pbフリーリフローに適応できな!/、こと示唆して!/、る。

[0008] 加熱により電荷が抜けるエレクトレットでは、リフローによる携帯電話への実装が困難なため、近年では前述したように、 Pbフリーリフローに適応できるように、マイクロマシユング技術を使って、平行平板型コンデンサマイクロホンの提案もなされてヽる。 [0009] しかしながら、マイクロマシユングを用いて製作するマイクロホンは、マイクロマシ- ング技術が工程的には高価なカ卩ェ方法であるため、マイクロホン自体の価格を上昇させてしまうと!、う問題がある。

[0010] 本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、高温に耐え得るエレクトレットコンデンサマイクロホンを提供することを目的とする。特に、適用機器に装着される際、リフロ一はんだ槽を短時間通過することがあり、そのときの高熱によって機能が損なわれるのを防止することのできる耐熱構造を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段

[0011] 上記目的を達成するため、本発明のエレクトレットコンデンサマイクロホンは、マイク口ホン全体を収容している筐体を、筐体外面を、熱伝導性の低い被覆材料で被覆している。特にリフローはんだ槽を通過する際、エレクトレット形成用の誘電体層が、電荷消失温度に到達する前に、はんだ槽を通過してしまうように、上記被覆材料の厚さと熱伝導率を制御することにより、誘電体層の温度上昇による劣化を防止するものである。この被覆材料を、熱伝導率が金属よりも低ぐかつ材料変質温度が内部のエレタトレット形成用の誘電体層の電荷消失温度よりも高ぐかつ材料変質温度が 260°C よりも高い材料とすることにより、熱抵抗と内部全体の熱容量によって内部の温度上昇を緩和することができる。

[0012] すなわち、本発明の第 1のエレクトレットコンデンサマイクロホンは、片面に導電性を有する振動膜と、前記振動膜と空気層を介して対向するように配置された固定電極と、前記振動膜もしくは前記固定電極の一方に電荷を蓄えるエレクトレットとなる誘電体層と、前記振動膜と前記固定電極との間の静電容量を電気信号に変換するための回路手段と、前記電気信号を外部に導出する外部接続手段と、前記振動膜と前記固定電極が所定の位置関係を形成保持するとともに、前記固定電極と前記回路手段との間に空間を形成するスぺーサとを有し、前記外部接続手段のみが露出するように金属性の筐体に組み込まれるエレクトレットコンデンサマイクロホンにおいて、前記筐体の外面が、変形温度が前記エレクトレットとなる前記誘電体層の電荷消失温度よりも高、非金属材料によって覆われて、ることを特徴とする。

[0013] 本発明の第 2のエレクトレットコンデンサマイクロホンは、筐体を覆う非金属性材料が、ポリイミド、液晶ポリマー、ポリエーテルイミド（PEI)、ポリエーテルエーテルケトン（PE

EK)、ポリエーテル-トリル（PEN)、ポリフエ-レンスルフイド（PPS)のいずれ力、またはこの、ずれかを含む複合材料であることを特徴として！/、る。

[0014] 本発明の第 3のエレクトレットコンデンサマイクロホンは、エレクトレット形成用誘電材料としてポリテトラフロロエチレン (PTFE)を用いたことを特徴として、る。

本発明の第 4のエレクトレットコンデンサマイクロホンは、ポリテトラフロロエチレン（P

TFE)の膜厚が、 PTFEの粒子径の 3倍以上であることを特徴としている。

[0015] 本発明の第 5のエレクトレットコンデンサマイクロホンは、エレクトレット形成用誘電材料として酸ィ匕シリコン膜 (SiO )を用い、かつ酸ィ匕シリコン膜 (SiO )をシリコン酸ィ匕膜以

2 2

外の絶縁体で完全に覆い、酸ィ匕シリコン膜 (SiO )を大気に露出させない構造である

2

こと特徴としている。

[0016] 本発明の第 6のエレクトレットコンデンサマイクロホンは、酸化シリコン膜（SiO )をプ

2 ラズマ CVD (Chemical Vapor Deposition)もしくは減圧 CVDにて形成することを特徴としている。

[0017] 本発明の第 7のエレクトレットコンデンサマイクロホンは、スぺーサの材料が、ポリイミド、液晶ポリマー、ポリエーテルイミド（PEI)、ポリエーテルエーテルケトン（PEEK)、ポリエ一テル-トリル（PEN)、ポリフエ-レンスルフイド（PPS)のいずれ力、またはこれらの!、ずれかを含む複合材料であることを特徴として、る。

発明の効果

[0018] 本発明は、情報通信機器に多用されるエレクトレットコンデンサマイクロホンに適用され、その性能、特に耐熱性能を向上させ、エレクトレットコンデンサマイクロホンを装着する際の取り扱いの制約を緩和し、利便性の高いエレクトレットコンデンサマイクロホンを提供することができる。

図面の簡単な説明

[0019] [図 1]本発明の概念を表す構成の模式図

[図 2]本発明の概念を表す電気的等価回路

[図 3]本発明のエレクトレットコンデンサマイクロホンの筐体内部温度を表す図

[図 4]本発明のエレクトレットコンデンサマイクロホンの構成図 [図 5]本発明のエレクトレットを示す図

圆 6]本発明の効果を示す実験結果を示す図

圆 7]本発明の PTFEの塗膜を表す模式図

[図 8]エレクトレットコンデンサマイクロホンの代表的構造の模式図

[図 9]Pbフリーリフロープロファイルを示す図

[図 10]エレクトレットの加熱による着電劣化を示す図

符号の説明

1 筐体を覆うコーティング膜

2 保護 isi布

3 固定電極

4 エレクトレツ卜膜

5 振動膜

6 振動膜用支持リング

7 スぺーサ

8 回路部品

9 回路基板

10 配線パターン

11 筐体

12 スぺーサ

発明を実施するための最良の形態

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。

(実施の形態 1)

図 1と図 2は、本発明の概念を表す模式図であり、図 1は構成の模式的表示、図 2 は図 1を電気的等価回路にて表示したものである。本実施の形態 1のエレクトレツトコンデンサマイクロホンは図 1に示すように、マイクロホン筐体 11の外表面に、筐体のコ一ティング 1として、変形温度が前記エレクトレットとなる前記誘電体層の電荷消失温度よりも高ぐ熱抵抗が大きく熱容量の大きい非金属材料であるポリイミドを用いることにより、はんだ槽を通過する際に、筐体内部、特に誘電体層が電荷消失温度に到達しないように保護したことを特徴とするものである。ここで、筐体内の構成部品群は 30 で表わされており、図 2において、抵抗器は 40、コンデンサは 50を表している。また抵抗器 40の左側が入力すなわち外部温度、コンデンサ 50の右側の両端が出力すなわち内部温度に相当する。図 2に示す電気的等価回路より、熱抵抗が大きぐ内部の熱容量が大きいほど、内部温度の上昇が緩やかであることが理解できる。また図 3 は、第 1図の構成をもつエレクトレットコンデンサマイクロホンの筐体内部の温度上昇と、外部温度との関係を示すもので、横軸は時間、縦軸は温度を表し、マイク筐体外部温度を示す曲線は a、マイク筐体内部温度を示す曲線は bである。

[0022] 図 1の構成において、外部温度が上昇または下降したときには筐体表面に施された熱抵抗の高、 (熱伝導率の低、；)コーティング 1によって筐体 11への熱伝導が遅延されると共に、内部の全体の熱容量の存在のため、温度上昇が遅延されることとなる。一方、外部温度は、図 9で示したはんだリフローの温度プロファイルのごとぐ高温 (260°C)保持時間は 10秒から 30秒と短時間であるため、内外の熱平衡に達する以前に外部温度が下降し、内部温度は高温（260°C)に上がることはない。この現象を図 2に示す電気的等価回路を用いて考えれば、抵抗器 40はコーティング 1による熱抵抗を示し、コンデンサ 50は、筐体 11を含む内部全体の熱容量を示し、図 2に示す等価回路自体が、外部からの熱の伝導の遅延回路となっており、外部の高温である時間が短時間であれば、筐体内部が外部の温度ほど上昇することはな、ことが確認できる。

[0023] 以上説明したように、図 3で示した筐体内部の温度曲線 bの最高温度でエレクトレツトの電荷が抜けなければ、ある、は若干の電荷抜けがあってもマイクロホン自体の性能を大きく劣化させな、のであれば、 Pbフリーリフローの耐熱性を有するエレクトレットコンデ

ンサマイクロホンが実現できることとなる。

[0024] 具体的な実施例を以下に述べる。

図 4は、本発明の実施例を示す図であり、（a)は斜視図、（b)は断面図である。図 4において、筐体を覆うコーティング膜 1の材質はポリイミドである。本実施例のエレクトレットコンデンサマイクロホンは、片面に導電性を有する振動膜であるエレクトレット膜 4 と、前記エレクトレット膜 4と空気層を介して対向するように配置された固定電極 3と、前記エレクトレット膜 4と前記固定電極 3が所定の位置関係を形成保持するように配されるスぺーサ 7と、前記固定電極 3と前記回路手段を構成する回路基板 9との間に空間を形成するスぺーサ 12とを有し、外部接続手段としての配線パターン 10のみが露出するように金属性の筐体 11に組み込まれて、る。このようにコーティング膜 1で被覆された筐体 11上に保護面布 2が形成され、またこの筐体内部に固定電極 3、エレタトレット膜 4、振動膜 5、振動膜用支持リング 6、スぺーサ 7、 FETや抵抗器など力なる回路部品 8が

収納されており、回路基板 9上に固定されている。そして、この回路基板 9に設けられた他の基板との接続用の配線パターンは 10で、リフロー処理の際にはんだにより他の基板と接続される。スぺーサ 12は固定電極 3と回路基板 9間に所望の空間を形成している。

[0025] 本実施の形態では、コーティング膜 1を、ポリイミドとしたが、ポリイミド以外にも、液晶ポリマー、ポリエーテルイミド（PEI)、ポリエーテルエーテルケトン（PEEK)、ポリエ一テル-トリル（PEN)、ポリフエ-レンスルフイド（PPS)のいずれ力、または複合材料であっても、これらの材料の変形温度が内部のエレクトレット形成用の誘電体層を構成する誘電体材料の電荷消失温度よりも高ヽ材料であることから、同様のコーティング膜として用いることができる。

これらの材料は、下表に融点を示すように、リフロー時にマイクロホンに作用する温度より高い融点を有する。リフロー時の最大温度は、 260°Cであり、保持時間は 10〜 30秒であるため、これらの材料を使用した場合、マイクロホンの構造が損傷を受けないという効果がある。

[0026] [表 1] 材料融点

液晶ポリマー 2 8 0 °C

ポリイミド無し（ガラス転移点： 3 1 5 °C)

P E I 3 6 5

P E E K 3 3 4 °C

P E N 2 6 2 t

P P S 2 7 8 °C

[0027] また、保護面布 2は、 260°Cの耐熱を有する面布 (たとえば旭化成工業製:ランタン不織布）が適用される。また、固定電極 3の材料はステンレスもしくは真鍮であり、エレタトレット膜 4を構成する誘電体材料としては、 FEPでも適用可能である力 PTFEの使用が望ましい。その理由は、 PTFE (融点：327°C、分解開始温度:約 390°C)が FEP ( 融点： 250〜280°C、分解開始温度:約 290°C)よりも耐熱性が高!/、ためである。

[0028] また、 PTFEの膜厚は、ピンホールのない良質の膜を形成するためには、 PTFEの粒子径の 3倍以上であることが望ましい。図 7は、 PTFEの粒子径の 3倍以上とする理由を示す説明図であり、基板に対する PTEFの塗膜の状態を表している。図 7において、基板は 18であり、 PTFEの粒子は 19である。 PTFE膜は基板 18に対し、バインダーと PTFE粒子を混合した液状の状態でスプレー等で吹き付けられ、塗膜として形成される。その後バインダーを乾燥することにより形成される。一般的に PTFEの中心粒径は 1〜10 mである。基板 18上に PTFEの粒子 19が 2層（すなわちエレクトレット膜が PTFE粒子径の 2倍の厚さ）の場合、 PTFEの粒子間に隙間が生じ、 PTFE膜としてはピンホールが存在する膜となる。

[0029] し力しながら、 PTFEの粒子 19が 3層（すなわちエレクトレット膜が PTFE粒子径 3倍の厚さ）の場合、各々の PTFE粒子 19が接触しピンホールが無い PTFE膜とすることができる。また、振動板 5の材料は、チタン (Ή)箔であり、その厚みは 2 mである。振動板用支持リング 6の材料としてはチタンが望ましいが、チタンは加工が困難な材料であることから、ステンレスを選択し、振動板 5と振動板支持リング 6を熱可塑性導電榭脂を用いて接着してもよい。熱可塑性導電樹脂は、加熱した際、流動性を示すため、マイク筐体本体が加熱されたときの振動板 5と振動板支持リング 6の熱膨張差を吸収するように構成することが可能である。

[0030] スぺーサ 7とスぺーサ 12の材料は、ポリイミドである力コーティング膜の材料選択と同じ理由で、液晶ポリマー、ポリエーテルイミド (PEI)、ポリエーテルエーテルケトン（PEEK)、ポリエーテル-トリル（PEN)、ポリフエ-レンスルフイド（PPS)の!、ずれか、または複合材料としても良い。筐体 11の材料は、アルミニウムとしてあるが、アルミ- ゥムに限定するものではなぐ洋白ゃステンレスなどの材料であっても良い。筐体 11 の底面は、回路基板 9に熱可塑性導電榭脂により接着されている。

[0031] 以上、図 4に示したようにエレクトレットコンデンサマイクロホンを構成し、図 9に示したリフロー温度プロファイルにてはんだ付けを行い、感度特性を確認したところ、特性になんら影響を受けず正常な特性を維持していることが判った。この結果は、耐熱型のエレクトレットコンデンサマイクロホンが実現したことを示すものである。

[0032] 本発明は、マイクロホンを組み立てる材料を、はんだリフロー工程を通過するとき課される短時間の高温環境に対し、内部への熱の伝導を遅延せしめて内部の熱容量の効果で温度上昇を抑圧することを企図したものである。本発明は、長時間高温環境下で内外が熱平衡の達する場合に対応するものではないが、 Pbフリーリフローェ程に対する耐熱という観点では、目的を充分に達成することができる。マイクロマシング技術を用いてマイクを製作する場合と比べると、本発明は、従来のマイクロホン製造工程に若干の変更を加えるだけで実現できるという効果があり、経済性 (マイクロホン製作コスト）の点で優れて、る。

[0033] (実施の形態 2)

本発明の第 2の実施の形態を示す。

実施例 1では、エレクトレット膜として PTFEを使用した例を示した力 PTFEのほかにシリコン酸ィ匕膜 (SiO )を使用しても、同様の効果を得ることができる。

2

図 5は、酸ィ匕シリコン膜をエレクトレット膜として使用した電極構造を示す図である。筐体および他の周辺部品は前記実施の形態 1と同様に形成した。ここで振動膜は、シリコン基板 13、エレクトレットとして機能する酸ィ匕シリコン膜 14、この酸ィ匕シリコン膜の周りを被覆する窒化シリコン膜 15、シリコン基板 13の裏面に形成した金属膜 16、シリコン基板 13に設けた空孔 17とを具備するように構成されて！、る。 [0034] ここで酸化シリコン膜 14は、プラズマ CVD法もしくは減圧 CVD法で形成するのが望ましい。その理由は、成膜時の温度を 300°C以上とすることができるためである。 300 °C以上の成膜温度で実施することによって、不要な元素（たとえば Hや Nなど）の混入を防ぐことができる。スパッタリングによっても 300°C以上での酸ィ匕シリコン膜の成膜が可能ではあるが、スパッタリングは酸ィ匕シリコン膜の糸且成が Si 0となり、 SiOとなり

2 にくい。空孔 17は、ウエットエッチングまたは、ドライエッチングを使って形成する。本実施の形態の特徴は、酸ィ匕シリコン膜 14を他の絶縁膜 (本例では窒化シリコン膜 15 )で、完全に覆うことにある。酸ィ匕シリコン膜は、大気に触れると大気中の水分を吸着する性質がある。しかしながら、電荷を蓄えているエレクトレット膜 (酸ィ匕シリコン膜だけでなく FEP等他のエレクトレット膜を含む）は、水分が付着したとき、エレクトレットの電荷が抜けてしまう特性を持っている。このためエレクトレツトイ匕した酸ィ匕シリコン膜を長時間露出させておくと、酸ィ匕シリコン膜が大気中の水分を吸着し、エレクトレット膜としての特性が劣化することとなる。そこで本発明は、酸ィ匕シリコン膜 (SiO )をシリコン

2 酸ィ匕膜以外の絶縁体で完全に被覆し、酸ィ匕シリコン膜 (SiO )を大気に露出させない

2

構造とすることで、エレクトレットの特性劣化を防ぐものである。

[0035] 本発明者の実験によれば、酸ィ匕シリコン膜を露出させエレクトレットにする構造の場合、常温放置でも着電した電荷が数時間から数十時間の間で抜けてしまった。しかしながら、酸ィ匕シリコン膜を他の絶縁膜 (本例では窒化シリコン膜 15)で完全に覆うことにより着電劣化を防ぐことができることを見出した。

[0036] 図 6は、図 5で示す構造で、減圧 CVDにより形成した酸ィ匕シリコン膜 600應を、減圧 CVDにより形成した窒化シリコン膜で完全に覆ったときの、エレクトレットの着電特性結果を示す図である。窒化シリコン膜の厚みは、酸ィ匕シリコン膜の底面に 200應、上面に 200nm形成した。また、シリコン基板の裏面には、チタン (Ή:厚み 50nm)と金 (A u:厚み 150應）との 2層膜からなる金属膜 16を形成した。本実験は、形成した試料を、 150。C、 260。C、 270。C、 280。C、 290。C、 300。Cを各 30秒間カロ熱して表面電位を測定したものである。実験結果として、酸ィ匕シリコン膜のエレクトレットは加熱により着電電位が劣化することがな力つた。酸ィ匕シリコン膜 14を窒化シリコン膜 15で完全に覆うことにより、窒化シリコン膜力バリアとして作用し、水分の吸着を防止し、着電劣化を防ぐ働きをしたものと推定される。

[0037] 本実施の形態の構造のエレクトレット膜付固定電極を実施の形態 1の構造のエレクトレットコンデンサマイクロホンに適用すれば、 Pbリフロー対応可能な耐熱エレクトレツトコンデンサマイクロホンを製作することが可能となる。産業上の利用可能性

[0038] 本発明のエレクトレットコンデンサマイクロホンの構成は、経済性の優れた、耐熱マイク口ホンを製作可能となり、表面実装可能なエレクトレットコンデンサマイクロホンとすることができるため、携帯電話や車載用途の回路基板製作の際に有効である

Claims

請求の範囲

[1] 片面に導電性を有する振動膜と、前記振動膜と空気層を介して対向するように配置された固定電極と、前記振動膜もしくは前記固定電極の一方に電荷を蓄えるエレタトレットとなる誘電体層と、前記振動膜と前記固定電極との間の静電容量を電気信号に変換するための回路手段と、前記電気信号を外部に導出する外部接続手段と、前記振動膜と前記固定電極が所定の位置関係を形成保持するとともに、前記固定電極と前記回路手段との間に空間を形成するスぺーサとを有し、前記外部接続手段のみが露出するように金属性の筐体に組み込まれるエレクトレットコンデンサマイクロ

AI ノ J l 、飞、

前記筐体の外面が、変形温度が前記エレクトレットとなる前記誘電体層の電荷消失温度よりも高い非金属材料によって被覆された耐熱型エレクトレットコンデンサマイク口ホン。

[2] 請求項 1に記載の耐熱型エレクトレットコンデンサマイクロホンであって、

前記筐体を被覆する前記非金属材料が、ポリイミド、液晶ポリマー、ポリエーテルィミド（PEI)、ポリエーテルエーテルケトン（PEEK)、ポリエーテル-トリル（PEN)、ポリフェニレンスルフイド（PPS)の、ずれか、またはこの、ずれかを含む複合材料である耐熱型エレクトレットコンデンサマイクロホン。

[3] 請求項 1に記載の耐熱型エレクトレットコンデンサマイクロホンであって、

前記誘電体層がポリテトラフロロエチレン (PTFE)を含む耐熱型エレクトレットコンデンサマイクロホン。

[4] 請求項 3に記載の耐熱型エレクトレットコンデンサマイクロホンであって、

前記ポリテトラフロロエチレン (PTFE)の膜厚が、 PTFEの粒子径の 3倍以上である耐熱型エレクトレットコンデンサマイクロホン。

[5] 請求項 3に記載の耐熱型エレクトレットコンデンサマイクロホンであって、

前記誘電体層が酸化シリコン膜 (SiO )であり、前記酸ィ匕シリコン膜 (SiO )をシリコン

2 2 酸ィ匕膜以外の絶縁体で完全に覆い、酸ィ匕シリコン膜 (SiO )を大気に露出させないよ

2

うにした構造である耐熱型エレクトレットコンデンサマイクロホン。

[6] 請求項 5に記載の耐熱型エレクトレットコンデンサマイクロホンであって、前記酸化シリコン膜（Si〇 )はプラズマ CVD (Chemical Vapor Deposition)法もしくは

2

減圧 CVD法にて形成された耐熱型エレクトレットコンデンサマイクロホン。

請求項 1に記載の耐熱型エレクトレットコンデンサマイクロホンであって、前記スぺーサの材料力ポリイミド、液晶ポリマー、ポリエーテルイミド (PEI)、ポリエ一テルエーテルケトン（PEEK)、ポリエーテル-トリル（PEN)、ポリフエュレンスルフイド

(PPS)の!/、ずれか、またこの!/、ずれかを含む複合材料である耐熱型エレクトレットコンデンサマイクロホン。