JP2003188248A

JP2003188248A - ウェハ支持部材

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Publication number: JP2003188248A
Application number: JP2001386228A
Authority: JP
Inventors: Tsunehiko Nakamura; 恒彦中村
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2001-12-19
Filing date: 2001-12-19
Publication date: 2003-07-04
Anticipated expiration: 2021-12-19
Also published as: JP3854145B2

Abstract

(57)【要約】【課題】プラズマを発生させるために高周波電力を印加
した際に給電端子が発熱し難いウエハ支持部材を提供す
る。【解決手段】内部電極３を埋設する板状セラミック体２
の表面に上記内部電極３を貫通する凹部１４を穿孔して
凹部内壁面１４ａに上記内部電極３を露出させ、この凹
部１４にタングステン、モリブデン、タンタルのうちい
ずれか一種の金属又はＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金を主成分と
する給電端子５の一部を挿入してロウ材層１５を介して
ロウ付け固定するとともに、給電端子５の突出部５ａの
表面に、銀、金、銅、アルミニウムのいずれか一種の金
属を主成分とする導体層６を被着してウエハ支持部材１
を構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体や液晶基板
などの製造工程において、半導体ウエハや液晶用ガラス
基板などのウエハを保持し、かつ高周波を印加してプラ
ズマを発生させる機能を有するセラミック製サセプタ、
セラミック製静電チャック、セラミック製ヒーター等の
如きウエハ支持部材に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体や液晶基板などの製造工程
のうち、半導体ウエハや液晶用ガラス基板などのウエハ
上へ薄膜を形成するＣＶＤ等の成膜工程や、上記ウエハ
に微細加工を施すドライエッチング工程ではプラズマ発
生機構を備えた装置が用いられており、プラズマを発生
させる一対の電極のうち、一方の電極を板状セラミック
体中に埋設し、板状セラミック体の表面をウエハを載せ
る載置面としたウエハ支持部材が用いられている。

【０００３】図３にプラズマを発生させる一方の電極と
してウエハ支持部材を用いたプラズマ発生機構を備える
装置の概略断面図を示すように、真空処理室３９内に、
筒状支持体３７を介して設置されたウエハ支持部材３１
と、このウエハ支持部材３１に対向配置されたプラズマ
発生用電極３８とを備えている。

【０００４】ウエハ支持部材３１は、一対の内部電極３
３を有する板状セラミック体３２の一方の主面をウエハ
Ｗを載せる載置面３４とするとともに、他方の主面側に
上記内部電極３３と電気的に接続される給電端子３５を
備えたもので、給電端子３５に接続されたリード線３６
を筒状支持体３７内より真空処理室３９外へ取り出すよ
うになっている。

【０００５】そして、ウエハ支持部材３１の載置面３４
上にウエハＷを載せた状態で、ウエハ支持部材３１中の
一対の内部電極３３とプラズマ発生用電極３８との間に
高周波電力を供給して両者間にプラズマを発生させると
ともに、真空処理室３９内に成膜ガスやエッチングガス
を供給することにより、ウエハＷに対して成膜加工やエ
ッチング加工を施すようになっていた。

【０００６】また、ウエハ支持部材３１の板状セラミッ
ク体３２中に静電吸着用電極やヒータ電極を埋設するこ
とにより、静電吸着機能や加熱機能を持たせたものもあ
った。

【０００７】ところで、ウエハ支持部材３１中の内部電
極３３は、板状セラミック体３２中に埋設してあること
から、内部電極３３へ通電するための給電端子３５は、
図４（ａ）に示すように、板状セラミック体３２の他方
の主面に内部電極３３を貫通する凹部４１を形成して凹
部内壁面４１ａに内部電極３３を露出させ、給電端子３
５の一部を凹部４１中に挿入し、ロウ材層４２を介して
接合するか、あるいは図４（ｂ）に示すように、板状セ
ラミック体３２の他方の主面側の凹部４１中に給電端子
３５の一部を埋設することにより接合するようにしたも
のが提案されている。

【０００８】また、図４（ａ）（ｂ）に示す手段にて給
電端子３５を板状セラミック体３２に接合する場合、ロ
ウ付け時の熱や使用時の熱サイクルによる板状セラミッ
ク体３２の破損を防止するため、給電端子３５には板状
セラミック体３２の熱膨張係数に近似したタングステン
やモリブデンあるいはＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金により形成
したものが用いられていた。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】ところが、プラズマを
発生させるためにウエハ支持部材３１の給電端子３５に
高周波電力を印加すると、給電端子３５が発熱するとい
った課題があった。

【００１０】即ち、高周波は給電端子３５の表面を流れ
易いのであるが、板状セラミック体３２との熱膨張差を
近似させるために使用したタングステンやモリブデンあ
るいはＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の給電端子３５は高周波
に対する抵抗が大きいために発熱し易いものであった。

【００１１】そして、給電端子３５の発熱が発生する
と、給電端子３５の上方に位置する載置面３４の温度が
部分的に高くなるホットスポットが発生するため、載置
面３４上に載せたウエハＷの温度も載置面３４の温度分
布に倣って部分的に高くなり、ウエハＷの温度分布を均
一にすることができず、その結果、成膜精度やエッチン
グ精度に悪影響を与えるといった課題があった。

【００１２】また、給電端子３５は筒状支持体３７を介
して大気に曝されているため、発熱すると酸化して抵抗
値が大きくなり、所望のプラズマを発生させることがで
きなくなることにより、均一でかつ均質な成膜加工やエ
ッチング加工を施すことができなくなるといった恐れも
あった。

【００１３】

【課題を解決するための手段】そこで、本発明は上記課
題に鑑み、内部電極を埋設した板状セラミック体の一方
の主面をウエハを載せる載置面とし、他方の主面側に備
える凹部に、タングステン、モリブデン、タンタルのう
ちいずれか一種の金属又はＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金を主成
分とする給電端子の一部を埋設又は挿入固着するととも
に、上記内部電極と上記給電端子とを電気的に接続して
なるウエハ支持部材において、上記給電端子の少なくと
も突出部に、銀、金、銅、アルミニウムのいずれか一種
の金属を主成分とする導体層を被着したことを特徴とす
る。

【００１４】特に、上記導体層の層厚みは１〜２００μ
ｍとすることが好ましい。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
説明する。

【００１６】図１は本発明のウエハ支持部材の一例を示
す図で、（ａ）はその斜視図、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ
線断面図である。また図２（ａ）は図１に示すウエハ支
持部材の給電構造の一例を示す部分拡大断面図である。

【００１７】このウエハ支持部材１は、円盤状をした板
状セラミック体２の一方の主面を、ウエハＷを載せる載
置面４とし、板状セラミック体２中に高周波電力が印加
される一対の内部電極３を埋設するとともに、板状セラ
ミック体２の他方の主面側に上記各内部電極３と電気的
に接続される給電端子５を備えたものである。

【００１８】板状セラミック体２を形成する材質として
は、アルミナ質焼結体、窒化珪素質焼結体、窒化アルミ
ニウム質焼結体、窒化硼素質焼結体、チタン酸バリウム
質焼結体、チタン酸カルシウム質焼結体、イットリウム
−アルミニウム−ガーネット質焼結体、イットリア質焼
結体等のセラミック焼結体を用いることができ、これら
の中でもハロゲン系の腐食性ガスに対する耐食性の点で
アルミナ質焼結体又は窒化アルミニウム質焼結体を用い
ることが好ましく、さらに載置面４に保持したウエハＷ
がプラズマガスから受ける熱を速やかに外部に逃がし、
ウエハＷの温度分布を均一にする観点から高熱伝導率を
有する窒化アルミニウム質焼結体を用いることが望まし
い。

【００１９】また、板状セラミック体２中に埋設する内
部電極３としては、熱膨張差により発生する応力によっ
て板状セラミック体２にクラックが発生したり、破損す
ることを防止するため、板状セラミック体２との熱膨張
差ができるだけ近似した材料を用いることが良く、例え
ば、タングステン、モリブデン、タンタルのうちいずれ
か一種の金属又はこれらの合金を用いることが好まし
い。

【００２０】また、給電端子５は、図２（ａ）に示すよ
うに、板状セラミック体２の他方の主面に、各内部電極
３を貫通するように穿孔した凹部１４内にロウ材層１５
を介してロウ付けすることにより接合してあり、凹部内
壁面１４ａに露出する内部電極３と給電端子５とをロウ
材層１５を介して電気的に接続してある。

【００２１】具体的には、板状セラミック体２の他方の
主面に内部電極３を貫通して凹部１４を穿設し、凹部内
壁面１４ａに内部電極３を露出させるとともに、この内
部電極３を含む凹部内壁面１４ａにメタライズ層１６を
形成する。メタライズ層１６の厚みは数十μｍ程度あれ
ば良い。

【００２２】そして、上記凹部内壁面１４ａにロウ材を
塗布しつつ給電端子５を挿入し、所定の高温雰囲気で加
熱することでロウ付け固定してある。

【００２３】ただし、ロウ付け固定等のように給電端子
５に熱が作用する場合、板状セラミック体２との間に大
きな熱膨張差があると、その間に発生する熱応力によっ
て板状セラミック体２にクラックが発生したり、破損す
る。また、大気中で加熱されると、酸化し易い材料であ
ると抵抗値が大きくなり、高周波電力が流れ難くなる。
その為、給電端子５は、前述した板状セラミック体２と
の熱膨張差が近似し、かつ高い耐熱性を有する材質、特
に５００℃程度の高温下でも耐熱性に優れる材質により
形成することが好ましく、例えば、タングステン、モリ
ブデン、タンタルのうちいずれか一種の金属又はＦｅ−
Ｎｉ−Ｃｏ合金を用いることができる。

【００２４】これらの金属又は合金は熱膨張係数が３〜
７×１０^-6／℃と、前述した板状セラミック体２を形成
するセラミック焼結体の熱膨張係数（３〜７．８×１０
^-6／℃）と近似させることができるため、板状セラミッ
ク体２の破損を効果的に防止することができる。

【００２５】さらに、給電端子５を形成する材質とし
て、タングステン、モリブデン、タンタルのうちいずれ
か一種の金属又はＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金を主成分とし、
板状セラミック体２との熱膨張差が２×１０^-7／℃以下
である焼結合金を用いることもでき、このような焼結合
金を用いる場合、副成分として耐酸化性を増強させる作
用を有するＣｒやＣｏを含有したものを用いることが好
ましい。

【００２６】さらに、本発明のウエハ支持部材１は、給
電端子５の少なくとも突出部５ａに、銀、金、銅、アル
ミニウムのいずれか一種の金属又はこれらの合金を主成
分とする導体層６を被着してある。

【００２７】その為、本発明のウエハ支持部材１を図３
に示すプラズマ発生機構を有する装置の一方の電極とし
て組み込み、プラズマ発生用電極３８との間に例えば１
３．５６ＭHｚ、１ｋＷの高周波電力を印加すれば、給
電端子５の発熱を抑えることができるため、給電端子５
の酸化を防いで抵抗値が大きくなることを防止し、均一
なプラズマを長期間にわたって発生させることができ
る。

【００２８】また、給電端子５の発熱を抑えることがで
きるため、給電端子５の上方に位置する載置面４の温度
が部分的に高くなるホットスポットの発生を防ぐことが
できるため、載置面４の温度分布を±５℃以下に抑える
ことができ、ウエハＷの温度分布を載置面４の温度分布
に倣って均一にすることができる。

【００２９】その結果、本発明のウエハ支持部材１を用
いれば、ウエハＷへ均質でかつ均一な薄膜を被着した
り、微細加工を施すことができ、成膜精度やエッチング
精度を向上させることができる。

【００３０】即ち、均質な導体に高周波電流を流すと、
導体表面の電流密度（δ）が大きくなり、その大きさ
（δ）は数１で示される。（数１）導体表面の電流密度δ＝（２／ωσμ）^1/2 但し、ω＝２πｆ（ｆ：周波数）、σ：導電率、μ：透
磁率そして、高周波をスムーズに流すためには導体の導電率
ができるだけ小さい方が良いのであるが、例えば、給電
端子５を形成するタングステン、モリブデン、タンタ
ル、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金（コバール）、Ｆｅ−Ｎｉ−
Ｃｏ−Ｃｒ合金（Ｆｅ：５５重量％、Ｎｉ：２８重量
％、Ｃｏ：１６重量％、Ｃｒ：１重量％）は、その体積
固有抵抗値がそれぞれ０．５５ｍΩ・ｍ、０．５８ｍΩ
・ｍ、１．３６ｍΩ・ｍ、４．８ｍΩ・ｍ、４．９ｍΩ
・ｍと大きく、給電端子５の抵抗が大きくなるため、高
周波電流を流すと給電端子５が発熱するのであるが、本
発明のウエハ支持部材１は、給電端子５の突出部５ａの
表面に、給電端子５を形成する材質よりも抵抗値が小さ
く、かつ高周波に対する抵抗の小さな、銀（０．１６ｍ
Ω・ｍ）、金（０．２４ｍΩ・ｍ）、銅（０．１６ｍΩ
・ｍ）、アルミニウム（０．２７ｍΩ・ｍ）のいずれか
一種の金属又はこれらの合金あるいはこれらの金属を主
体とするロウ材からなる導体層６を被着してあることか
ら、給電端子５に高周波電力を印加すれば、給電端子５
表面に被着した導体層６に高周波電流が流れ易くなり、
また導体層６は上述したように抵抗値が小さく電流密度
（δ）を大きくすることができるため、高周波電流をス
ムーズに流すことができる。

【００３１】ただし、銀、金、銅、アルミニウムの合金
あるいはこれらの金属を主体とするロウ材を用いる場
合、上述した効果を奏するためには、電気抵抗が０．５
ｍΩ・ｍ以下であるものを用いることが好ましい。な
お、主成分以外の副成分としてはＺｎ、Ｃｄ、Ｓｉを用
いることができる。

【００３２】そして、図２（ａ）に示す給電構造によれ
ば、板状セラミック体２の凹部１４に挿入する給電端子
５の挿入部５ｂ周囲には、板状セラミック体２と接合す
るための電気抵抗の小さなロウ材層１５を設けてあるこ
とから、導体層６を流れた高周波はロウ材層１５を流
れ、内部電極３に供給することができる。

【００３３】その結果、給電端子５に供給された高周波
電流は内部電極へ大きな抵抗を受けることなくスムーズ
に流すことができるため、給電端子５の発熱を大幅に低
減することができる。

【００３４】ただし、給電端子５の発熱をできるだけ抑
えるためには高周波電流が導体層６中を流れ易くするこ
とが重要であり、そのためには導体層６の層厚みＴを１
μｍ以上、好ましくは３μｍ以上、望ましくは５μｍ以
上とすることが良く、実用的な範囲である２００μｍ以
下の範囲で形成すれば良い。さらに耐酸化性の観点から
導体層６として、金（０．２４ｍΩ・ｍ）又はアルミニ
ウム（０．２７ｍΩ・ｍ）を用いることが良い。

【００３５】なお、導体層６の形成手段としては、ＣＶ
Ｄ法やＰＶＤ法等の薄膜形成手段、メッキ法、あるいは
銀、金、銅、アルミニウムのいずれか一種の金属又はこ
れらの合金を含むロウ材を塗布し焼き付けしたものを用
いることができ、できるだけ緻密なものを用いることが
好ましい。

【００３６】次に、本発明の他の実施形態を図２（ｂ）
を基に説明する。

【００３７】図２（ｂ）に示す給電構造は、ホットプレ
ス等によって板状セラミック体２を製作する際に、板状
セラミック体２の他方の主面側の凹部１４内に給電端子
５の一部を埋設したもので、給電端子５の埋設部５ｃの
表面積を、給電端子５の突出部５ａの表面積より大きく
してある。なお、内部電極３と給電端子５とは導線を介
して電気的に接続してある。

【００３８】さらに、給電端子５の突出部５ａの表面
に、銀、金、銅、アルミニウムのいずれか一種の金属又
はこれらの合金あるいはこれらの金属を主成分とするロ
ウ材からなる導体層６を１μｍ以上の層厚みＴで被着し
たものである。

【００３９】この給電構造においても、給電端子５に高
周波電力を印加すれば、給電端子５表面に被着した導体
層６に高周波電流が流れ易くなり、また導体層６は上述
したように抵抗値が小さく電流密度（δ）を大きくする
ことができるため、高周波電流をスムーズに流すことが
できる。

【００４０】さらに、給電端子５の埋設部５ｃは、その
表面積を突出部５ａの表面積より大きくして突出部５ａ
より抵抗値を小さくして高周波が流れ易くしてあること
から、導体層６を流れた高周波は給電端子５の埋設部５
ｃをスムーズに流れて内部電極３へ供給することができ
る。

【００４１】即ち、図２（ｂ）に示す給電構造において
も給電端子５に供給された高周波電流を内部電極３へ大
きな抵抗を受けることなくスムーズに流すことができる
ため、給電端子５の発熱を大幅に低減することができ
る。

【００４２】以上、本発明の実施形態について示した
が、本発明はこれらの実施形態だけに限定されるもので
はなく、例えば、図２（ａ）（ｂ）では、給電端子５の
突出部５ａの表面にのみ導体層６を設けた例を示した
が、給電端子５の全体を導体層６で被覆したものでも構
わない。

【００４３】また、図１では高周波電力を印加する内部
電極３のみを備えたウエハ支持部材１を示したが、板状
セラミック体２中に静電吸着用電極を埋設し、この静電
吸着用電極とウエハＷとの間に通電して静電吸着力を発
生させることによりウエハＷを載置面３に強制的に吸着
させるようにしたり、あるいは板状セラミック体２中に
加熱用電極を埋設し、この加熱用電極を発熱させてウエ
ハ支持部材１を加熱することにより、載置面４上のウエ
ハＷを各種加工温度に加熱するようにしても構わない。

【００４４】さらには、板状セラミック体２中の内部電
極３に高周波電力とともに、直流電圧を印加し、プラズ
マ発生用としての内部電極３に静電吸着用電極として機
能を持たせるようにしたものでも構わない。

【００４５】このように、本発明は、その要旨を逸脱し
ない範囲で改良や変更したものにも適用できることは言
う迄もない。

【００４６】

【実施例】（実施例１）ここで、図２（ａ）に示す給電
構造を有する本発明のウエハ支持部材１と、図４（ａ）
に示す給電構造を有する従来のウエハ支持部材３１をそ
れぞれ試作し、各ウエハ支持部材１，３１の内部電極
３，３３に高周波電力を印加した時の給電端子５，３５
の発熱具合について調べる実験を行った。

【００４７】本実験で使用するウエハ支持部材１，３１
は、まず、平均粒子径が１．２μｍ程度である純度９
９．０％のＡｌＮ粉末にバインダーと溶媒のみを添加混
合して泥漿を製作し、ドクターブレード法により厚さ
０．４ｍｍ程度のグリーンシートを複数枚成形した。こ
のうち２枚のグリーンシートにＡｌＮ粉末を混ぜたタン
グステン（Ｗ）のペーストをスクリーン印刷機でもって
敷設して電極をなす金属ペースト膜を印刷した。そし
て、各金属ペースト膜を敷設したグリーンシートと残り
のグリーンシートを積層して８０℃、４．９ＭＰａの圧
力で熱圧着してグリーンシート積層体を形成した後、切
削加工を施して円板状とし、円板状のグリーンシート積
層体を真空脱脂し、しかる後、真空雰囲気にて２０００
℃程度の温度で５時間焼成して、外径２００ｍｍ、板厚
１０ｍｍで、かつ内部に膜厚１５μｍ程度の内部電極
３，３３を埋設したセラミック体２，３２を製作し、内
部電極３，３３が埋設されている側の板状セラミック体
２，３２の表面に研磨加工を施してウエハＷを載せる載
置面４，３４を形成した。

【００４８】また、板状セラミック体２，３２の載置面
４，３４と反対側の表面に、内部電極３，３３を貫通す
る凹部１４，４１を穿設し、凹部内壁面１４ａ，４１ａ
にメタライズ層１６を形成した後、モリブデンからなる
給電端子５，３５をロウ付け固定することによりウエハ
支持部材１，３１を製作した。

【００４９】また、本発明のウエハ支持部材１において
は、給電端子５の突出部５ａの表面に別途銀銅ロウ材を
塗布した後、焼き付けることにより層厚みＴが２０μｍ
の導体層６を被着した。

【００５０】なお、給電端子５，３５の寸法はいずれも
外径８ｍｍの円柱状をしたものを使用した。また、メタ
ライズ層１６を構成する金属には、銀、銅、チタンの合
金を、ロウ材には銅と銀を重量比で８：２の割合で含有
してなる銀銅ロウを使用し、それぞれ９００℃の温度で
ロウ付け固定した。

【００５１】そして、これらのウェハ支持部材１，３１
を図３に示すプラズマ発生機構を有する装置の真空処理
室３９内に設置し、載置面４，３４にウェハＷを載せて
給電端子５，３５間に５００Ｖの直流電圧を加えること
により静電吸着力を発生させてウェハＷを載置面４，３
４に吸着させるとともに、真空処理室３９に備えるプラ
ズマ発生用電極３８とウエハ支持部材１，３１の給電端
子５，３５との間に、１３．５６ＭＨｚ、２ｋＷの高周
波電力を３分間印加した後のウエハＷの温度分布を測定
し、ウェハの温度分布が±５℃未満であるものについて
は大きなホットスポットはないとし良好と判断した。

【００５２】この結果、従来のウエハ支持部材３１は給
電端子３５が発熱し、また、この発熱によって給電端子
３５の上方に位置するウエハＷの温度が部分的に高くな
り、ウェハＷの温度分布が±８℃と、±５℃を越え悪か
ったのに対し、本発明のウェハ支持部材１は、給電端子
５の発熱が殆どないため、載置面４上にウエハＷの温度
に悪影響を与えるようなことがなく、その結果、ウェハ
Ｗの温度分布を±５℃以内とほぼ均一に保つことができ
優れていた。

【００５３】（実施例２）次に、本発明のウエハ支持部
材１における導体層６の層厚みＴを異ならせ、実施例１
と同様にウエハＷの温度分布を測定する実験を行った。

【００５４】結果は表１に示す通りである。なお、ウェ
ハＷの面内の温度分布が±５℃以上のものをウェハの温
度分布が悪いとし、「×」として示し、±５℃未満であ
るものを良好とし、そのうち±５℃未満、±３℃以上で
あるものを△、±３℃未満、±１℃以上であるものを
○、±１℃未満であるものを◎で表示した。

【００５５】それぞれの結果は表１に示す通りである。

【００５６】

【表１】

【００５７】この結果、導体層６の層厚みＴを１μｍ以
上とすることにより給電端子５の発熱を抑え、ウェハＷ
の温度バラツキを±５℃未満とすることができた。

【００５８】この結果、給電端子５の発熱を抑えるため
には、導体層６の層厚みＴを１μｍ以上とすれば良いこ
とが判る。特に、導体層６の層厚みＴを５μｍ以上とす
れば、給電端子５の発熱をさらに抑え、ウェハＷの温度
バラツキを±３℃未満とすることができ、さらに導体層
６の層厚みＴを１０μｍ以上とすることにより、給電端
子５の発熱をさらに抑え、ウェハＷの温度バラツキを±
１℃未満とすることができ、優れていた。

【００５９】（実施例３）次に、給電端子５の導体層６
の層厚みＴを２μｍに固定し、導体層６の材質を異なら
せてウエハ支持部材１を製作し、このウエハ支持部材１
の給電端子５と高周波印加用電極３８との間に、１３．
５６ＭＨｚ、２ｋＷの高周波電力を印加し、この高周波
電力の供給と停止をそれぞれ５分単位で行う通電サイク
ル試験を実施した。そして、この通電サイクル試験を１
万回繰り返した後のウェハＷの温度分布を測定し、ウェ
ハＷの面内の温度分布が±５℃以上であるものはウェハ
Ｗの温度分布が悪いため不良とし、±５℃未満のものを
良好として評価した。

【００６０】それぞれの結果は表２に示す通りである。

【００６１】

【表２】

【００６２】この結果、導体層６に、銀、銅、金、アル
ミニウムの金属又はこれらの金属を主成分とするロウ材
を用いれば、１万回の通電後でも給電端子５の発熱を生
じることがなく、ウェハＷの温度分布も均一であり、長
期間にわたってウェハ支持部材１を安定して使用でき
た。

【００６３】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、内部電
極を埋設した板状セラミック体の一方の主面をウエハを
載せる載置面とし、他方の主面側に備える凹部に、タン
グステン、モリブデン、タンタルのうちいずれか一種の
金属又はＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金を主成分とする給電端子
の一部を埋設又は挿入固着するとともに、上記内部電極
と上記給電端子とを電気的に接続してなるウエハ支持部
材において、上記給電端子の少なくとも突出部に、銀、
金、銅、アルミニウムのいずれか一種の金属を主成分と
する導体層を被着したことによって、給電端子に高周波
電力を印加しても給電端子の発熱を抑えることができ、
酸化を防止して抵抗値の増大を防止することができると
ともに、給電端子の上方に位置する載置面にホットスポ
ットを発生させることがないため、載置面の温度分布を
±５℃以下に均熱化することができる。

【００６４】特に、上記導体層の層厚みを１μｍとする
ことで給電端子の発熱をより効果的に防止することがで
きる。

【００６５】その為、本発明のウエハ支持部材を用いれ
ば、他方のプラズマ発生用電極との間で均一なプラズマ
を発生させることができるとともに、ウエハの温度分布
を均一に保つことができるため、成膜ガスやエッチング
ガスを供給すればウエハに対して精度の高い成膜加工や
エッチング加工を施すことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のウエハ支持部材の一例を示す図で、
（ａ）はその斜視図、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ線断面図
である。

【図２】（ａ）は図１に示すウエハ支持部材の給電構造
の一例を示す部分拡大断面図であり、（ｂ）は図１に示
すウエハ支持部材の給電構造の他の例を示す部分拡大断
面図である。

【図３】一般的なプラズマ発生機構を有する装置を示す
概略断面図である。

【図４】（ａ）は従来のウエハ支持部材の給電構造の一
例を示す部分拡大断面図であり、（ｂ）は従来のウエハ
支持部材の給電構造の他の例を示す部分拡大断面図であ
る。

【符号の説明】

１，３１…ウエハ支持部材２，３２…板状セラミック体３，３３…内部電極４，３４…載置面５，３５…給電端子５ａ…給電端子の突出部５ｂ…給電端子の挿入部５ｃ…給電端子の埋設部６…導体層１４，４１…凹部１４ａ，４２…凹部内壁面１５，４３…ロウ材層１６…メタライズ層３６…リード線３７…筒状支持体３８…プラズマ発生用電極３９…真空処理室Ｗ…半導体ウエハ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】内部電極を埋設した板状セラミック体の一
方の主面をウエハを載せる載置面とし、他方の主面側に
備える凹部に、タングステン、モリブデン、タンタルの
うちいずれか一種の金属又はＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金を主
成分とする給電端子の一部を埋設又は挿入固着してな
り、上記内部電極と上記給電端子とを電気的に接続した
ウエハ支持部材において、上記給電端子の少なくとも突
出部に、銀、金、銅、アルミニウムのいずれか一種の金
属を主成分とする導体層を被着したことを特徴とするウ
エハ支持部材。
【請求項２】上記導体層の層厚みを１〜２００μｍとし
たことを特徴とする請求項１に記載のウエハ支持部材。