WO2021075240A1 - 構造体および加熱装置 - Google Patents

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WO2021075240A1
WO2021075240A1 PCT/JP2020/036476 JP2020036476W WO2021075240A1 WO 2021075240 A1 WO2021075240 A1 WO 2021075240A1 JP 2020036476 W JP2020036476 W JP 2020036476W WO 2021075240 A1 WO2021075240 A1 WO 2021075240A1
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terminal
electrode layer
modification
contact portion
structure according
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PCT/JP2020/036476
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保典 川邊
吉博 小松
大川　善裕
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京セラ株式会社
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    • H—ELECTRICITY
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    • H05B3/20—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater
    • H05B3/22—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible
    • H05B3/26—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible heating conductor mounted on insulating base
    • H05B3/265—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible heating conductor mounted on insulating base the insulating base being an inorganic material, e.g. ceramic
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    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B2203/00—Aspects relating to Ohmic resistive heating covered by group H05B3/00
    • H05B2203/016—Heaters using particular connecting means

Definitions

  • This disclosure relates to structures and heating devices.
  • the substrate made of ceramics has excellent heat resistance compared to metals and resins.
  • aluminum nitride ceramics have high thermal conductivity, and therefore may be used as a structure for placing or holding the object to be processed when heat-treating the object to be processed such as various elements and parts. ..
  • a power supply terminal is connected to the electrode layer in order to connect the electrode layer embedded inside the structure to the power supply.
  • the structure according to one aspect of the present disclosure has a substrate, an electrode layer, and terminals.
  • the substrate is made of ceramics.
  • the electrode layer is located inside the substrate.
  • the terminals are electrically connected to the electrode layer at the tip. In addition, the terminals come into contact with the electrode layer on the front end surface and the side surface.
  • FIG. 1 is a schematic perspective view of the wafer mounting device according to the embodiment.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of the structure according to the embodiment.
  • FIG. 3 is a schematic enlarged view of the H portion shown in FIG.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view for explaining an example of a method for producing a substrate according to an embodiment.
  • FIG. 5 is a schematic cross-sectional view for explaining an example of a method for producing a substrate according to an embodiment.
  • FIG. 6 is a schematic cross-sectional view for explaining an example of a method for producing a substrate according to an embodiment.
  • FIG. 7 is a schematic cross-sectional view for explaining an example of a method for producing a substrate according to an embodiment.
  • FIG. 8 is a schematic cross-sectional view for explaining an example of a method for producing a substrate according to an embodiment.
  • FIG. 9 is a schematic cross-sectional view for explaining an example of a method for producing a substrate according to an embodiment.
  • FIG. 10 is a schematic cross-sectional view of the structure according to the first modification.
  • FIG. 11 is a schematic cross-sectional view for explaining an example of a method for manufacturing a substrate according to the first modification.
  • FIG. 12 is a schematic cross-sectional view for explaining an example of a method for manufacturing a substrate according to the first modification.
  • FIG. 13 is a schematic cross-sectional view for explaining an example of a method for manufacturing a substrate according to the first modification.
  • FIG. 10 is a schematic cross-sectional view of the structure according to the first modification.
  • FIG. 11 is a schematic cross-sectional view for explaining an example of a method for manufacturing a substrate according to the first modification.
  • FIG. 12 is a schematic cross-sectional view
  • FIG. 14 is a schematic cross-sectional view for explaining an example of a method for manufacturing a substrate according to the first modification.
  • FIG. 15 is a schematic cross-sectional view for explaining an example of a method for manufacturing a substrate according to the first modification.
  • FIG. 16 is a schematic cross-sectional view of the structure according to the second modification.
  • FIG. 17 is a schematic cross-sectional view of the structure according to the third modification.
  • FIG. 18 is a schematic cross-sectional view of the structure according to the fourth modification.
  • FIG. 19 is a schematic cross-sectional view of the structure according to the fifth modification.
  • FIG. 20 is a schematic cross-sectional view of the structure according to the sixth modification.
  • FIG. 21 is a schematic cross-sectional view of the structure according to the seventh modification.
  • FIG. 21 is a schematic cross-sectional view of the structure according to the seventh modification.
  • FIG. 22 is a schematic cross-sectional view of the structure according to the eighth modification.
  • FIG. 23 is a schematic cross-sectional view of the structure according to the ninth modification.
  • FIG. 24 is a schematic cross-sectional view of the structure according to the tenth modification.
  • FIG. 25 is a schematic cross-sectional view of the structure according to the eleventh modification.
  • FIG. 26 is a schematic cross-sectional view of the structure according to the twelfth modification.
  • FIG. 27 is a schematic cross-sectional view of the structure according to the thirteenth modification.
  • FIG. 28 is a schematic cross-sectional view of the structure according to the 14th modification.
  • FIG. 29 is a schematic cross-sectional view of the structure according to the fifteenth modification.
  • FIG. 30 is a schematic cross-sectional view of the structure according to the 16th modification.
  • FIG. 31 is a schematic cross-sectional view of the structure according to the 17th modification.
  • FIG. 32 is a schematic top view of the terminal according to the 17th modification.
  • FIG. 33 is a schematic cross-sectional view of the structure according to the 18th modification.
  • FIG. 34 is a schematic top view of the terminal according to the 18th modification.
  • the embodiment a form for carrying out the structure and the heating device according to the present disclosure (hereinafter, referred to as “the embodiment”) will be described in detail with reference to the drawings. It should be noted that this embodiment does not limit the structure and the heating device according to the present disclosure. In addition, each embodiment can be appropriately combined as long as the processing contents do not contradict each other. Further, in each of the following embodiments, the same parts are designated by the same reference numerals, and duplicate description is omitted.
  • the vertical upward direction is defined as the Z-axis direction in order to make the explanation easy to understand.
  • FIG. 1 is a schematic perspective view of the wafer mounting device 1 according to the embodiment.
  • the wafer mounting device 1 is a device on which a semiconductor wafer, a crystal wafer or other wafer (hereinafter, simply referred to as "wafer") is mounted.
  • the wafer mounting device 1 has a heating function for heating the mounted wafer, and is mounted on, for example, a substrate processing device that performs plasma treatment or the like on a wafer.
  • the wafer mounting device 1 includes a structure 2, a wiring unit 4, a power supply unit 5, and a control unit 6.
  • the structure 2 has a disk-shaped base 10 having thickness in the vertical direction (Z-axis direction) and a tubular shaft 20 connected to the base 10.
  • a wafer is placed on the upper surface 101 of the substrate 10.
  • a shaft 20 is connected to the lower surface 102 of the substrate 10.
  • the upper surface 101 and the lower surface 102 of the substrate 10 have substantially the same shape, and both have a diameter larger than that of the wafer.
  • An electrode layer (not shown here) as a heating element is located inside the substrate 10.
  • the wiring unit 4 electrically connects the electrode layer located inside the base 10 with the power supply unit 5 located outside the base 10.
  • the power supply unit 5 is electrically connected to the electrode layer via the wiring unit 4, and supplies electric power to the electrode layer via the wiring unit 4.
  • the power supply unit 5 includes a power supply circuit that converts the power supplied from a power supply (not shown) into an appropriate voltage.
  • the control unit 6 controls the power supply in the power supply unit 5.
  • the wafer mounting device 1 is configured as described above, and is mounted on the wafer mounting surface 101 by generating heat of the electrode layer inside the substrate 10 using the electric power supplied from the power supply unit 5. Heat the wafer.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of the structure 2 according to the embodiment. Note that FIG. 2 shows a schematic cross-sectional view taken along the line II-II shown in FIG.
  • the electrode layer 11 is located inside the substrate 10.
  • the electrode layer 11 includes a first electrode layer 111 and a second electrode layer 112.
  • the first electrode layer 111 is an electrode layer located relative to the lower surface 102 side of the substrate 10.
  • the second electrode layer 112 is an electrode layer located relative to the upper surface 101 (hereinafter, may be referred to as “wafer mounting surface 101”) side of the substrate 10 in relation to the first electrode layer 111.
  • the first electrode layer 111 and the second electrode layer 112 are made of, for example, a metal such as Ni, W, Mo and Pt, or an alloy containing at least one of the above metals.
  • the first electrode layer 111 and the second electrode layer 112 extend along the wafer mounting surface 101. Specifically, the first electrode layer 111 and the second electrode layer 112 are stretched over substantially the entire surface of the wafer mounting surface 101 while drawing a predetermined pattern such as a spiral shape or a meander shape.
  • the thickness of the first electrode layer 111 and the second electrode layer 112 is, for example, 30 ⁇ m or more and 120 ⁇ m or less.
  • the first electrode layer 111 and the second electrode layer 112 are electrically connected via the via conductor 113.
  • the electrode layer 11 does not necessarily have to be two layers, and may include at least one layer (for example, the first electrode layer 111).
  • the substrate 10 is made of ceramics.
  • the ceramics constituting the substrate 10 are mainly composed of, for example, aluminum nitride (AlN), aluminum oxide (Al 2 O 3 , alumina), silicon carbide (SiC), silicon nitride (Si 3 N 4 ) and the like.
  • the main component referred to here is, for example, a material that occupies 50% by mass or more or 80% by mass or more of the material.
  • the substrate 10 may contain, for example, a sintering aid.
  • the sintering aid for example, a mixture of calcium oxide (CaO) and yttrium oxide (Y 2 O 3) is used.
  • the upper surface 101 (wafer mounting surface 101) of the substrate 10 and the lower surface 102 are parallel.
  • the shape of the substrate 10 is arbitrary.
  • the shape of the substrate 10 is a circular shape in a plan view, but the shape is not limited to this, and may be an elliptical shape, a rectangular shape, a trapezoidal shape, or the like in a plan view.
  • the dimensions of the substrate 10 are 20 cm or more and 35 cm or less in diameter and 4 mm or more and 30 mm or less in thickness.
  • the shaft 20 has a tubular shape, and the upper end thereof is joined to the central portion of the lower surface of the substrate 10.
  • the shaft 20 is joined (adhered) to the lower surface 102 of the substrate 10 by an adhesive.
  • the shaft 20 may be bonded to the substrate 10 by solid phase bonding.
  • the shape of the shaft 20 is arbitrary. In one aspect, the shape of the shaft 20 has a cylindrical shape. As another aspect, the shape of the shaft 20 may be, for example, a square cylinder or the like.
  • the material of the shaft 20 is arbitrary. In one embodiment, the material of the shaft 20 is an insulating ceramic. In another aspect, the material of the shaft 20 may be, for example, a conductive material (metal).
  • the tubular shaft 20 connects the upper surface 21 joined to the lower surface 102 of the substrate 10, the lower surface 22 located opposite to the upper surface 21, and the upper surface 21 and the lower surface 22, and constitutes the inside of the shaft 20. It has an inner surface 23, and an outer surface 24 that connects the upper surface 21 and the lower surface 22 and constitutes the outer surface of the shaft 20.
  • the inner surface 23 is provided parallel to the outer surface 24 along the direction in which the shaft 20 extends. From another viewpoint, the inner surface 23 is provided parallel to a straight line parallel to the thickness direction of the substrate 10. However, the inner surface 23 may be inclined so that the inner diameter of the shaft 20 decreases downward, or may be inclined so that the inner diameter of the shaft 20 increases downward.
  • the outer surface 24 can have the same configuration. Thereby, at least one of the inner diameter and the outer diameter of the shaft 20 can be made different from the upper end to the lower end.
  • the wiring portion 4 has a terminal 41 and a lead wire 42.
  • the terminal 41 is a metal (bulk material) having a certain length in the vertical direction.
  • the upper end side of the terminal 41 is located inside the base 10, and the lower end side is located outside the base 10.
  • the terminal 41 is electrically connected to the first electrode layer 111.
  • the terminal 41 is also electrically connected to the second electrode layer 112 via the via conductor 113.
  • the shape of the terminal 41 is arbitrary. In one aspect, the shape of the terminal 41 is columnar.
  • the terminal 41 is made of, for example, a metal such as Ni, W, Mo and Pt, or an alloy containing at least one of the above metals.
  • FIG. 3 is a schematic enlarged view of the H portion shown in FIG.
  • the terminal 41 is electrically connected to the electrode layer 11 (here, the first electrode layer 111) at the tip portion 410. Specifically, the terminal 41 is in contact with the first electrode layer 111 on the front end surface 411 and the side surface 412.
  • a power supply terminal is connected to the electrode layer in order to connect the electrode layer embedded inside the structure to the power supply. ..
  • the terminal 41 according to the embodiment comes into contact with the first electrode layer 111 on the front end surface 411 and the side surface 412. Therefore, for example, the bonding strength between the terminal 41 and the first electrode layer 111 is higher than that in the case of contacting with the first electrode layer 111 only on the front end surface 411 or the case of contacting with the first electrode layer 111 only on the side surface 412. Can be improved.
  • connection between the terminal 41 and the first electrode layer 111 is performed, for example, by heat-shrinking the first electrode layer 111 and bringing it into close contact with the terminal 41 in the manufacturing process of the substrate 10. Further, the bonding between the terminal 41 and the first electrode layer 111 can also be performed by interposing a sealing agent (not shown) in a minute gap between the terminal 41 and the first electrode layer 111.
  • the encapsulant contains, for example, aluminum oxide (Al 2 O 3 ) as a main component, calcium oxide (CaO) and yttrium oxide (Y 2 O 3 ).
  • the first electrode layer 111 connected to the terminal 41 has a contact portion 15 at a position where it comes into contact with the terminal 41.
  • the contact portion 15 is a part of the first electrode layer 111, and its thickness (width in the vertical direction) is thicker than that of other portions in the first electrode layer 111.
  • the contact portion 15 projects toward the lower surface 102 side, that is, the side opposite to the wafer mounting surface 101, as compared with other portions of the first electrode layer 111.
  • the thickness of the contact portion 15 (maximum thickness excluding the recess 151 described later) is 0.4 mm or more and 3 mm or less, preferably 0.6 mm or more and 2 mm or less.
  • the contact portion 15 which is the contact portion with the terminal 41 thicker than the other portions, the contact area with the side surface 412 of the terminal 41 can be further increased. Therefore, the bonding strength between the terminal 41 and the first electrode layer 111 can be further improved. Further, as will be described in detail later, in the manufacturing process of the substrate 10, when a recess for accommodating the tip portion 410 of the terminal 41 is erroneously formed in the first electrode layer 111 by using a drill or the like. It is possible to prevent the 1 electrode layer 111 from penetrating. That is, the manufacturing process of the substrate 10 can be facilitated.
  • the substrate 10 has a space 17 around the contact portion 15.
  • the space 17 extends to the side of the contact portion 15 and surrounds the entire circumference of the contact portion 15.
  • FIGS. 4 to 9. 4 to 9 are schematic cross-sectional views for explaining an example of the method for manufacturing the substrate 10 according to the embodiment.
  • a plurality of ceramic green sheets 201 containing aluminum nitride (AlN) or the like as a main component are laminated.
  • One (or a plurality of) metal sheets 202 made of a metal or alloy such as tungsten (W) constituting the first electrode layer 111 are laminated on the metal sheet 202, and a plurality of ceramic green sheets 201 are further laminated on the metal sheet 202. Stacked.
  • the plurality of ceramic green sheets 201 laminated on the metal sheet 202 are preliminarily formed with an opening 203 for locating the contact portion 15 described above.
  • the opening 203 is filled with the tungsten carbide (WC) paste 204.
  • the paste 204 may be one that is finally integrated with the first electrode layer 111, and does not necessarily have to be tungsten carbide.
  • the paste 204 filled in the opening 203 is dried in the opening 203.
  • a plurality of ceramic green sheets 201 are further laminated.
  • the laminate is fired at a temperature of 1700 to 1800 ° C., for example, in a nitrogen atmosphere.
  • the paste 204 is integrated with the first electrode layer 111 to form the contact portion 15.
  • the paste 204 contracts to form a space 17 on the side of the contact portion 15.
  • an opening 205 is formed in the substrate 10.
  • the opening 205 is formed by using, for example, a drill or the like so as to extend in the vertical direction from the lower surface 102 of the substrate 10 toward the wafer mounting surface 101 (see FIG. 2 and the like).
  • a drill or the like so as to extend in the vertical direction from the lower surface 102 of the substrate 10 toward the wafer mounting surface 101 (see FIG. 2 and the like).
  • a recess 151 is formed in which a part of the contact portion 15 is recessed in the thickness direction of the contact portion 15.
  • the terminal 41 is inserted into the opening 205 (see FIG. 8).
  • the tip 410 of the terminal 41 is located inside the recess 151 of the contact 15.
  • the sealant 206 is applied around the terminal 41.
  • the substrate 10 is then heat treated, for example, in vacuum at 1550 ° C.
  • the sealing agent 206 enters the gap between the terminal 41 and the opening 205 due to the capillary phenomenon, so that the gap between the terminal 41 and the opening 205 is sealed. Further, the terminal 41 and the first electrode layer 111 are joined.
  • a paste containing metal fine particles of Pt (platinum) or Ni (nickel) as a main component may be applied to the tip of the terminal 41 (the side in contact with the recess 151).
  • Pt paste or Ni paste may be applied to the tip of the terminal 41 and then inserting it into the opening 205.
  • the terminal 41 and the recess 151 are joined via Pt or Ni.
  • the joining strength between the terminal 41 and the contact portion 15 is increased, so that the reliability of the joining between the terminal 41 and the contact portion 15 can be improved.
  • FIG. 10 is a schematic cross-sectional view of the structure according to the first modification.
  • the structure 2A according to the first modification has a base 10A.
  • the substrate 10A has a space 17A wider than the space 17 of the substrate 10 according to the above-described embodiment.
  • the space 17 of the substrate 10 according to the above-described embodiment extends only to the side of the contact portion 15, whereas the space 17A extends to the side of the contact portion 15 and the projecting direction (here, here). It also extends in the negative direction of the Z axis).
  • the space 17A is interposed between the side surface 152 of the contact portion 15 and the base 10A, and is the protruding surface 153 of the contact portion 15 (the end surface protruding from the other parts of the first electrode layer 111) and the base 10A. Intervene between and.
  • FIGS. 11 to 15 are schematic cross-sectional views for explaining an example of a method for manufacturing the substrate 10A according to the first modification.
  • the opening 203 is filled with the tungsten carbide (WC) paste 204. Will be done.
  • the paste 204 is filled to the extent that it does not fill the opening 203.
  • a plurality of ceramic green sheets 201 are further laminated as shown in FIG.
  • the laminate is fired at a temperature of 1700 to 1800 ° C., for example, in a nitrogen atmosphere.
  • the paste 204 is integrated with the first electrode layer 111 to form the contact portion 15.
  • the space 17A is formed around the contact portion 15 due to the shrinkage of the paste 204 and the burning of the resin 207.
  • an opening 205 is formed in the substrate 10A.
  • the opening 205 is formed by using, for example, a drill or the like so as to extend in the vertical direction from the lower surface 102 of the substrate 10A toward the wafer mounting surface 101 (see FIG. 2 and the like).
  • the protruding surface 153 of the contact portion 15 is scraped by a drill or the like to form a recess 151 in which a part of the contact portion 15 is recessed in the thickness direction of the contact portion 15.
  • the operator can easily visually confirm the protruding surface 153 of the contact portion 15 through the opening 205. Is. Therefore, the positioning of the recess 151 can be easily performed.
  • the terminal 41 is inserted into the opening 205.
  • the tip 410 of the terminal 41 is located inside the recess 151 of the contact 15.
  • the sealant 206 is applied around the terminal 41.
  • the substrate 10 is then heat treated, for example, in vacuum at 1550 ° C.
  • the sealing agent 206 enters the gap between the terminal 41 and the opening 205 due to the capillary phenomenon, so that the gap between the terminal 41 and the opening 205 is sealed. Further, the terminal 41 and the first electrode layer 111 are joined.
  • FIG. 16 is a schematic cross-sectional view of the structure according to the second modification. Note that FIGS. 16 and 17 to 27, which will be described later, show only the first electrode layer and terminals, and the other configurations are not shown.
  • the terminal 41 is connected to a position deviated from the center position of the contact portion 15. As described above, the terminal 41 does not necessarily have to be connected to the center position of the contact portion 15.
  • FIG. 17 is a schematic cross-sectional view of the structure according to the third modification.
  • the structure 2C according to the third modification has the first electrode layer 111C.
  • the contact portion 15C of the first electrode layer 111C according to the third modification has a plurality of protruding surfaces 153a and 153b having different protruding heights. As described above, the protruding surfaces 153a and 153b of the contact portion 15C do not necessarily have to be flat.
  • FIG. 18 is a schematic cross-sectional view of the structure according to the fourth modification.
  • the structure 2D according to the fourth modification has the first electrode layer 111D.
  • the contact portion 15D of the first electrode layer 111D according to the fourth modification has a curved corner portion 155D between the side surface 152D and the protruding surface 153D. By forming the corner portion 155D of the contact portion 15D into a curved surface in this way, stress concentration on the contact portion 15D can be relaxed.
  • FIG. 19 is a schematic cross-sectional view of the structure according to the fifth modification.
  • the structure 2E according to the fifth modification has the first electrode layer 111D.
  • the contact portion 15E of the first electrode layer 111D according to the fifth modification has a curved corner portion 156E between the side surface 152E and another portion of the first electrode layer 111D.
  • FIG. 20 is a schematic cross-sectional view of the structure according to the sixth modification.
  • the structure 2F according to the sixth modification has a first electrode layer 111F.
  • the first electrode layer 111F according to the sixth modification is curved toward the terminal 41 centering on the contact portion 15F. As described above, since the first electrode layer 111F is curved toward the terminal 41, the first electrode layer 111F can easily resist the pressing of the terminal 41. Therefore, the connection between the terminal 41 and the first electrode layer 111F can be made more reliable.
  • the first electrode layer 111F need only be curved toward the terminal 41 in at least a part of the region including the contact portion 15F, and does not necessarily have to be curved as a whole.
  • the first electrode layer 111F may be curved toward the wafer mounting surface 101, for example. ..
  • FIG. 21 is a schematic cross-sectional view of the structure according to the seventh modification.
  • the structure 2G according to the seventh modification has a terminal 41G.
  • the terminal 41G according to the seventh modification has a reduced diameter portion 413G whose diameter is reduced from the side surface 412G toward the tip surface 411G between the front end surface 411G and the side surface 412G.
  • the reduced diameter portion 413G according to the seventh modification is a chamfered corner portion located between the front end surface 411G and the side surface 412G of the terminal 41G.
  • the diameter-reduced portion 413G is the C-plane is illustrated, but the diameter-reduced portion 413G may be the R-plane.
  • the contact area between the terminal tip portion 410G and the contact portion 15 can be increased. Therefore, the bonding strength between the terminal 41G and the first electrode layer 111 can be further improved.
  • FIG. 22 is a schematic cross-sectional view of the structure according to the eighth modification.
  • the structure 2H according to the eighth modification has a terminal 41H.
  • the terminal 41H according to the eighth modification has a diameter-reduced portion 413H whose diameter is reduced from the side surface 412H toward the tip surface 411H.
  • the reduced diameter portion 413H according to the eighth modification is a stepped portion located between the front end surface 411H and the side surface 412H.
  • the bonding strength between the terminal 41H and the first electrode layer 111 can be further improved.
  • FIG. 23 is a schematic cross-sectional view of the structure according to the ninth modification.
  • the structure 2I according to the ninth modification has a terminal 41I.
  • the terminal 41I according to the ninth modification has a curved tip surface 411I.
  • the tip surface 411I of the terminal 41I curved in this way, the contact area between the tip 410I of the terminal 41I and the contact portion 15 can be increased. Therefore, the bonding strength between the terminal 41I and the first electrode layer 111 can be further improved.
  • FIG. 24 is a schematic cross-sectional view of the structure according to the tenth modification.
  • the structure 2J according to the tenth modification has a terminal 41J.
  • the terminal 41J according to the tenth modification has a tapered shape in which the side surface 412J is reduced in diameter toward the tip surface 411J.
  • FIG. 25 is a schematic cross-sectional view of the structure according to the eleventh modification.
  • the structure 2K according to the eleventh modification has a terminal 41K.
  • the terminal 41K according to the eleventh modification has a reverse taper shape in which the side surface 412K expands in diameter toward the tip surface 411K.
  • the tip portion 410K of the terminal 41K into a reverse taper shape in this way, the contact area between the tip portion 410K of the terminal 41K and the contact portion 15 can be increased. Therefore, the bonding strength between the terminal 41K and the first electrode layer 111 can be further improved. Further, by adopting the reverse taper shape, it is possible to prevent the terminal 41K from coming off.
  • FIG. 26 is a schematic cross-sectional view of the structure according to the twelfth modification.
  • the structure 2L according to the twelfth modification extends diagonally with respect to the protruding direction (here, the Z-axis direction) of the contact portion 15.
  • the terminal 41L may extend obliquely with respect to the protruding direction of the contact portion 15, in other words, the thickness direction (vertical direction) of the substrate.
  • the thermal expansion of the terminal 41L can be shifted in the left-right direction, so that cracks in the substrate can be suppressed.
  • FIG. 27 is a schematic cross-sectional view of the structure according to the thirteenth modification.
  • the structure 2M according to the thirteenth modification has a first electrode layer 111M.
  • the contact portion 15M of the first electrode layer 111M according to the thirteenth modification has a gap 208 between a part of the bottom surface 151a in the recess 151 and a part of the tip surface 411 in the terminal 41.
  • FIG. 28 is a schematic cross-sectional view of the structure according to the 14th modification.
  • the structure 2N according to the 14th modification has a first electrode layer 111N.
  • the contact portion 15N of the first electrode layer 111N according to the 14th modification projects toward the wafer mounting surface 101 (see FIG. 2) as compared with other portions of the first electrode layer 111N.
  • the contact portion 15N does not need to project toward the lower surface 102 of the substrate 10 as in the contact portion 15 shown in FIG. 3, and may project toward the wafer mounting surface 101. ..
  • FIG. 29 is a schematic cross-sectional view of the structure according to the fifteenth modification.
  • the structure 2O according to the fifteenth modification has the first electrode layer 111O.
  • the contact portion 15O of the first electrode layer 111O according to the fifteenth modification is projected toward the wafer mounting surface 101 (see FIG. 2) of the substrate 10 as compared with other parts of the first electrode layer 111O, and is also projected. It also protrudes from the lower surface 102 side of the substrate 10. In this way, the contact portion 15O may project toward both the wafer mounting surface 101 and the lower surface 102. As a result, the contact area between the terminal 41 and the contact portion 15O can be increased. Therefore, the bonding strength between the terminal 41 and the first electrode layer 111O can be further improved.
  • FIG. 30 is a schematic cross-sectional view of the structure according to the 16th modification.
  • the structure 2P according to the 16th modification has a first via conductor 113a and a second via conductor 113b.
  • the first electrode layer 111 and the second electrode layer 112 are connected using a plurality of via conductors (first via conductor 113a and second via conductor 113b), the first electrode layer 111 and the second are The electrical connection with the electrode layer 112 can be made more secure.
  • the first electrode layer 111 and the second electrode layer 112 expand or contract in the horizontal direction (direction along the wafer mounting surface 101) due to a temperature change. Such deformation of the first electrode layer 111 and the second electrode layer 112 may cause cracks in the substrate 10.
  • the first electrode layer 111 and the second electrode layer 112 are connected by a plurality of via conductors (first via conductor 113a and second via conductor 113b). .. Therefore, according to the structure 2P according to the 16th modification, the thermal deformation of the first electrode layer 111 and the second electrode layer 112 can be suppressed by the plurality of via conductors. Therefore, it is possible to prevent the substrate 10 from being cracked.
  • first via conductor 113a and the second via conductor 113b are located on both sides of the contact portion 15, respectively.
  • the first via conductor 113a is located on the left side of the paper surface of the contact portion 15, and the second via conductor 113b is located on the right side of the paper surface of the contact portion 15.
  • the first electrode layer 111 and the second electrode layer 112 are thermally deformed particularly around the contact portion 15. Can be suppressed.
  • the structure 2P when the structure 2P is used, it is possible to prevent the terminal 41 from being separated from the first electrode layer 111 due to thermal deformation of the first electrode layer 111 and the second electrode layer 112. In other words, it is possible to increase the bonding strength between the terminal 41 and the first electrode layer 111 under a usage environment in which the temperature is repeatedly raised and lowered.
  • FIG. 31 is a schematic cross-sectional view of the structure according to the 17th modification.
  • FIG. 32 is a schematic top view of the terminal according to the 17th modification.
  • the structure 2Q according to the 17th modification has a terminal 41Q.
  • the terminal 41Q has a recess 415 on the side surface 412.
  • the recess 415 is provided at the tip 410 of the terminal 41Q.
  • a recess 415 is provided on the side surface 412 of the terminal 41Q so as to face a portion facing the contact portion 15 and a portion facing the substrate 10.
  • the sealant 206 has entered the recess 415.
  • the recess 415 is filled with the sealant 206.
  • the bonding strength between the terminal 41Q and the substrate 10 can be improved. Further, by entering the sealing agent 206 into the recess 415, the bonding strength between the terminal 41Q and the contact portion 15 can be improved. Further, even when an amount of the sealant 206 (for example, pt (platinum)) exceeding the required amount in the manufacturing process is applied, the excess sealant 206 accumulates in the recess 415, so that the sealant 206 is sealed during manufacturing, for example. It is possible to prevent the agent 206 from protruding from the lower surface 102 of the substrate 10.
  • an amount of the sealant 206 for example, pt (platinum)
  • the number of recesses 415 that the terminal 41Q has may be two or more. Further, the recess 415 may extend from the tip surface 411 of the terminal 41Q to the base end surface.
  • FIG. 33 is a schematic cross-sectional view of the structure according to the 18th modification.
  • FIG. 34 is a schematic top view of the terminal according to the 18th modification.
  • the structure 2R according to the 18th modification has a terminal 41R.
  • the terminal 41R has a recess 416 on the tip surface 411.
  • the recess 416 is provided at the tip 410 of the terminal 41R.
  • the recess 416 is provided on the tip surface 411 of the terminal 41R. Both ends of the recess 416 reach the side surface 412 of the terminal 41R.
  • the terminal 41R may have a plurality of recesses 416.
  • the terminal 41R may have two recesses 416 that intersect in a cross.
  • the terminal 41R may further have a recess 415 similar to the recess 415 of the terminal 41Q according to the 17th modification. In this case, the recess 415 and the recess 416 may be continuous.
  • the sealant 206 has entered the recess 416.
  • the recess 416 is filled with the sealant 206.
  • the bonding strength between the terminal 41R and the substrate 10 can be improved. Further, by entering the sealing agent 206 into the recess 416, the bonding strength between the terminal 41R and the contact portion 15 can be improved. Further, even when an amount of the sealant 206 (for example, pt (platinum)) exceeding the required amount in the manufacturing process is applied, the excess sealant 206 accumulates in the recess 416, so that the sealant 206 is sealed during manufacturing, for example. It is possible to prevent the agent 206 from protruding from the lower surface 102 of the substrate 10.
  • an amount of the sealant 206 for example, pt (platinum)
  • the structures according to the embodiments include a substrate (10,10A as an example) and an electrode layer (first electrode layers 111, 111C as an example). , 111D, 111F, 111M, 111N, 111O) and terminals (as an example, terminals 41, 41G, 41H, 41I, 41J, 41K, 41L).
  • the substrate is made of ceramics.
  • the electrode layer is located inside the substrate. The terminals are electrically connected to the electrode layer at the tip.
  • the terminal contacts the electrode layer on the front end surface (for example, the tip surface 411, 411G, 411H, 411I, 411J, 411K) and the side surface (for example, the side surfaces 421, 412G, 412H, 412J, 412K). Therefore, according to the structure according to the embodiment, the bonding strength between the terminal and the electrode layer can be improved.
  • the electrode layer may have contact portions (for example, contact portions 15, 15C, 15D, 15E, 15F, 15M, 15N, 15O) with terminals.
  • the contact portion may be thicker than other portions in the electrode layer.
  • the electrode layer may have a recess (for example, a recess 151) in which a part of the contact portion is recessed in the thickness direction of the contact portion.
  • the tip of the terminal may be located inside the recess. Since the contact portion is formed thick, it is possible to prevent the electrode layer from being accidentally penetrated when a recess is formed in the contact portion by using a drill or the like in the manufacturing process of the substrate. That is, the manufacturing process of the substrate can be facilitated.
  • the structure according to the embodiment may have a gap (for example, a gap 208) between a part of the bottom surface of the recess and a part of the tip surface of the terminal. As a result, heat conduction from the electrode layer to the terminal can be suppressed.
  • the electrode layer (for example, the electrode layer 111F) may be curved toward the terminal at least in the region including the contact portion. As a result, the electrode layer can easily resist the pressing of the terminal, so that the bonding between the terminal and the electrode layer can be made more reliable.
  • the substrate (as an example, the substrates 10, 10A) may have a space (as an example, spaces 17, 17A) around the contact portion. As a result, it is possible to suppress heat conduction in the direction in which the space exists due to the heat insulating action of the space.
  • the space (for example, space 17A) may extend laterally and in the protruding direction of the contact portion. As a result, heat conduction in the direction in which the space exists can be further suppressed.
  • the terminal (as an example, the terminal 41J) may have a shape in which the diameter is reduced toward the tip surface (as an example, the tip surface 411J). As a result, the contact area between the tip of the terminal and the contact portion can be increased. Therefore, the bonding strength between the terminal and the electrode layer can be further improved.
  • the terminal may have a shape that expands in diameter toward the tip surface (as an example, the tip surface 411K). As a result, the contact area between the tip of the terminal and the contact portion can be increased. Therefore, the bonding strength between the terminal and the electrode layer can be further improved. Further, by adopting the reverse taper shape, it is possible to suppress the disconnection of the terminal.
  • the tip surface (tip surface 411I as an example) of the terminal may be curved. As a result, the contact area between the tip of the terminal and the contact portion can be increased. Therefore, the bonding strength between the terminal and the electrode layer can be further improved.
  • the wafer mounting device has been described as an example of the heating device, but the heating device according to the present disclosure generates heat by generating heat of the electrode layer inside the substrate to generate an object (for example, one of the substrates). Any object that is placed on the surface of the wafer) may be heated, and the device is not limited to the wafer mounting device.
  • Wafer mounting device 2 Structure 4: Wiring unit 5: Power supply unit 6: Control unit 10: Base 11: Electrode layer 15: Contact unit 17: Space 20: Shaft 41: Terminal 42: Lead wire 101: Top surface ( Wafer mounting surface) 102: Bottom surface 111: First electrode layer 112: Second electrode layer 113: Via conductor 113a: First via conductor 113b: Second via conductor 151: Recessed portion 152: Side surface 153: Protruding surface 201: Ceramic green sheet 202: Metal sheet 203: Opening 204: Paste 205: Opening 206: Sealing agent 208: Gap 410: Tip 411: Tip surface 412: Side surface

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Abstract

本開示による構造体（２，２Ａ～２Ｐ）は、基体（１０，１０Ａ）と、電極層と、端子とを有する。基体（１０，１０Ａ）は、セラミックスからなる。電極層（１１１，１１１Ｃ，１１１Ｄ，１１１Ｆ，１１１Ｍ，１１１Ｎ，１１１Ｏ）は、基体（１０，１０Ａ）の内部に位置する。端子（４１，４１Ｇ，４１Ｈ，４１Ｉ，４１Ｊ，４１Ｋ，４１Ｌ）は、先端部において電極層（１１１，１１１Ｃ，１１１Ｄ，１１１Ｆ，１１１Ｍ，１１１Ｎ，１１１Ｏ）と電気的に接続される。また、端子（４１，４１Ｇ，４１Ｈ，４１Ｉ，４１Ｊ，４１Ｋ，４１Ｌ）は、先端面および側面において電極層（１１１，１１１Ｃ，１１１Ｄ，１１１Ｆ，１１１Ｍ，１１１Ｎ，１１１Ｏ）と接触する。

Description

構造体および加熱装置
　本開示は、構造体および加熱装置に関する。
　セラミックスからなる基板は、金属および樹脂等と比較して耐熱性に優れる。たとえば、窒化アルミニウム質セラミックスは、熱伝導率が高いことから、各種素子や部品等の被処理体の熱処理を行う際に、被処理体を載置または保持する構造体として利用される場合がある。
　被処理体の熱処理を行うヒータとして構造体を利用する場合、構造体の内部に埋め込まれた電極層を電源と接続するために、電極層に対して給電用の端子が接続される。
特開２００３－４０６８６号公報
　本開示の一態様による構造体は、基体と、電極層と、端子とを有する。基体は、セラミックスからなる。電極層は、基体の内部に位置する。端子は、先端部において電極層と電気的に接続される。また、端子は、先端面および側面において電極層と接触する。
図１は、実施形態に係るウエハ載置装置の模式的な斜視図である。 図２は、実施形態に係る構造体の模式的な断面図である。 図３は、図２に示すＨ部の模式的な拡大図である。 図４は、実施形態に係る基体の製造方法の一例を説明するための模式的な断面図である。 図５は、実施形態に係る基体の製造方法の一例を説明するための模式的な断面図である。 図６は、実施形態に係る基体の製造方法の一例を説明するための模式的な断面図である。 図７は、実施形態に係る基体の製造方法の一例を説明するための模式的な断面図である。 図８は、実施形態に係る基体の製造方法の一例を説明するための模式的な断面図である。 図９は、実施形態に係る基体の製造方法の一例を説明するための模式的な断面図である。 図１０は、第１変形例に係る構造体の模式的な断面図である。 図１１は、第１変形例に係る基体の製造方法の一例を説明するための模式的な断面図である。 図１２は、第１変形例に係る基体の製造方法の一例を説明するための模式的な断面図である。 図１３は、第１変形例に係る基体の製造方法の一例を説明するための模式的な断面図である。 図１４は、第１変形例に係る基体の製造方法の一例を説明するための模式的な断面図である。 図１５は、第１変形例に係る基体の製造方法の一例を説明するための模式的な断面図である。 図１６は、第２変形例に係る構造体の模式的な断面図である。 図１７は、第３変形例に係る構造体の模式的な断面図である。 図１８は、第４変形例に係る構造体の模式的な断面図である。 図１９は、第５変形例に係る構造体の模式的な断面図である。 図２０は、第６変形例に係る構造体の模式的な断面図である。 図２１は、第７変形例に係る構造体の模式的な断面図である。 図２２は、第８変形例に係る構造体の模式的な断面図である。 図２３は、第９変形例に係る構造体の模式的な断面図である。 図２４は、第１０変形例に係る構造体の模式的な断面図である。 図２５は、第１１変形例に係る構造体の模式的な断面図である。 図２６は、第１２変形例に係る構造体の模式的な断面図である。 図２７は、第１３変形例に係る構造体の模式的な断面図である。 図２８は、第１４変形例に係る構造体の模式的な断面図である。 図２９は、第１５変形例に係る構造体の模式的な断面図である。 図３０は、第１６変形例に係る構造体の模式的な断面図である。 図３１は、第１７変形例に係る構造体の模式的な断面図である。 図３２は、第１７変形例に係る端子の模式的な上面図である。 図３３は、第１８変形例に係る構造体の模式的な断面図である。 図３４は、第１８変形例に係る端子の模式的な上面図である。
　以下に、本開示による構造体および加熱装置を実施するための形態（以下、「実施形態」と記載する）について図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、この実施形態により本開示による構造体および加熱装置が限定されるものではない。また、各実施形態は、処理内容を矛盾させない範囲で適宜組み合わせることが可能である。また、以下の各実施形態において同一の部位には同一の符号を付し、重複する説明は省略される。
　また、以下に示す実施形態では、「一定」、「直交」、「垂直」あるいは「平行」といった表現が用いられる場合があるが、これらの表現は、厳密に「一定」、「直交」、「垂直」あるいは「平行」であることを要しない。すなわち、上記した各表現は、たとえば製造精度、設置精度などのずれを許容するものとする。
　また、以下参照する各図面では、説明を分かりやすくするために、鉛直上向き方向をＺ軸方向として規定する。
＜ウエハ載置装置の全体構成＞
　まず、実施形態に係るウエハ載置装置の構成について図１を参照して説明する。図１は、実施形態に係るウエハ載置装置１の模式的な斜視図である。
　図１に示す実施形態に係るウエハ載置装置１は、半導体ウエハ、水晶ウエハその他のウエハ（以下、単に「ウエハ」と記載する）を載置する装置である。ウエハ載置装置１は、載置したウエハを加熱する加熱機能を有しており、たとえば、ウエハに対してプラズマ処理等を行う基板処理装置に搭載される。
　図１に示すように、ウエハ載置装置１は、構造体２と、配線部４と、電力供給部５と、制御部６とを有する。
　構造体２は、上下（Ｚ軸方向）に厚みがある円板状の基体１０と、基体１０に接続される筒状のシャフト２０とを有する。基体１０の上面１０１には、ウエハが載置される。また、基体１０の下面１０２には、シャフト２０が接続される。基体１０の上面１０１および下面１０２は、略同形状であり、ともにウエハよりも大径である。基体１０の内部には、発熱体としての電極層（ここでは図示せず）が位置している。
　配線部４は、基体１０の内部に位置する電極層を基体１０の外部に位置する電力供給部５と電気的に接続する。電力供給部５は、配線部４を介して電極層と電気的に接続され、配線部４を介して電極層に電力を供給する。電力供給部５は、図示しない電源から給電された電力を適切な電圧に変換する電源回路を含む。制御部６は、電力供給部５における電力の供給を制御する。
　ウエハ載置装置１は、上記のように構成されており、電力供給部５から供給される電力を用いて基体１０内部の電極層を発熱させることにより、ウエハ載置面１０１に載置されたウエハを加熱する。
＜構造体の構成＞
　次に、構造体２の構成について図２を参照して説明する。図２は、実施形態に係る構造体２の模式的な断面図である。なお、図２には、図１に示すＩＩ－ＩＩ矢視における模式的な断面図を示している。
（基体について）
　図２に示すように、基体１０の内部には、電極層１１が位置している。本実施形態において、電極層１１は、第１電極層１１１と、第２電極層１１２とを含む。第１電極層１１１は、基体１０の下面１０２側に相対的に位置する電極層である。第２電極層１１２は、第１電極層１１１との関係において基体１０の上面１０１（以下、「ウエハ載置面１０１」と記載する場合がある）側に相対的に位置する電極層である。第１電極層１１１および第２電極層１１２は、たとえば、Ｎｉ、Ｗ、ＭｏおよびＰｔ等の金属、または、上記金属の少なくとも１つを含む合金からなる。
　第１電極層１１１および第２電極層１１２は、ウエハ載置面１０１に沿って延在している。具体的には、第１電極層１１１および第２電極層１１２は、たとえば渦巻き状やミアンダ状などの所定のパターンを描きながらウエハ載置面１０１の略全面に張り巡らされている。第１電極層１１１および第２電極層１１２の厚さは、例示すると３０μｍ以上１２０μｍ以下である。
　第１電極層１１１と第２電極層１１２とは、ビア導体１１３を介して電気的に接続される。なお、電極層１１は、必ずしも２層であることを要せず、少なくとも１層（たとえば、第１電極層１１１）を含んでいればよい。
　基体１０は、セラミックスからなる。基体１０を構成するセラミックスは、たとえば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３、アルミナ）、炭化珪素（ＳｉＣ）、及び窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）等を主成分とする。ここでいう主成分とは、たとえば、その材料の５０質量％以上又は８０質量％以上を占める材料のことである。
　なお、基体１０には、上述したセラミックス以外に、たとえば焼結助剤が含まれていてもよい。焼結助剤としては、たとえば、酸化カルシウム（ＣａＯ）および酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）の混合物が用いられる。
　基体１０の上面１０１（ウエハ載置面１０１）と下面１０２とは平行である。また、基体１０の形状は任意である。たとえば、実施形態において、基体１０の形状は、平面視円形状であるが、これに限らず、平面視において楕円形状、矩形状、台形状などであってもよい。基体１０の寸法は、一例を示すと、直径が２０ｃｍ以上３５ｃｍ以下、厚さが４ｍｍ以上３０ｍｍ以下である。
（シャフトについて）
　シャフト２０は、筒状を呈し、上端が基体１０の下面中央部に接合されている。１つの態様として、シャフト２０は、接着材によって基体１０の下面１０２に接合（接着）される。その他の態様として、シャフト２０は、固相接合によって基体１０に接合されてもよい。シャフト２０の形状は任意である。１つの態様として、シャフト２０の形状は、円筒形状を呈している。その他の態様として、シャフト２０の形状は、たとえば、角筒などの形状を呈していてもよい。シャフト２０の材料は、任意である。１つの態様として、シャフト２０の材料は絶縁性のセラミックスである。その他の態様として、シャフト２０の材料は、たとえば、導電性の材料（金属）であってもよい。
　筒状のシャフト２０は、基体１０の下面１０２に接合されている上面２１と、この上面２１とは反対に位置する下面２２と、これら上面２１および下面２２を繋ぐと共にシャフト２０の内側を構成している内面２３と、上面２１及び下面２２を繋ぐと共にシャフト２０の外側を構成している外面２４と、を有している。
　図示の例において、内面２３は、シャフト２０が延びる方向に沿って、外面２４に対し平行に設けられている。別の観点では、内面２３は、基体１０の厚み方向に平行な直線に対し平行に設けられている。但し、内面２３は、シャフト２０の内径が下方に向かって小さくなるよう傾斜していてもよいし、シャフト２０の内径が下方に向かって大きくなるよう傾斜していてもよい。尚、外面２４についても同様の構成にすることができる。これにより、シャフト２０を、上端から下端に亘って、内径および外径の少なくとも一方が異なるようにすることができる。
（配線部について）
　配線部４は、端子４１と、導線４２とを有する。端子４１は、上下方向にある程度の長さを有する金属（バルク材）である。端子４１は、上端側が基体１０内に位置し、下端側が基体１０外に位置する。図示の例において、端子４１は、第１電極層１１１に電気的に接続されている。また、端子４１は、ビア導体１１３を介して第２電極層１１２とも電気的に接続されている。端子４１の形状は任意である。１つの態様では、端子４１の形状は、円柱状を呈している。端子４１は、たとえば、Ｎｉ、Ｗ、ＭｏおよびＰｔ等の金属、または、上記金属の少なくとも１つを含む合金からなる。
＜基体の内部構成＞
　次に、上述した基体１０の内部構成について図３を参照して具体的に説明する。図３は、図２に示すＨ部の模式的な拡大図である。
　図３に示すように、端子４１は、先端部４１０において電極層１１（ここでは、第１電極層１１１）と電気的に接続される。具体的には、端子４１は、先端面４１１および側面４１２において第１電極層１１１と接触している。
　セラミックスからなる構造体を被処理体の熱処理を行うヒータとして利用する場合、構造体の内部に埋め込まれた電極層を電源と接続するために、電極層に対して給電用の端子が接続される。従来、かかる構造体には、端子と電極層との接合強度を向上させるという点で更なる改善の余地がある。
　実施形態に係る端子４１は、先端面４１１および側面４１２において第１電極層１１１と接触する。このため、たとえば、先端面４１１においてのみ第１電極層１１１と接触する場合や、側面４１２においてのみ第１電極層１１１と接触する場合と比べて、端子４１と第１電極層１１１との接合強度を向上させることができる。
　なお、端子４１と第１電極層１１１との接合は、たとえば、基体１０の製造工程において、第１電極層１１１が熱収縮して端子４１と密着することによって行われる。また、端子４１と第１電極層１１１との接合は、図示しない封止剤が端子４１と第１電極層１１１との微少な隙間に介在することによっても行われ得る。封止剤は、たとえば、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）を主成分とし、酸化カルシウム（ＣａＯ）および酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）を含有する。
　端子４１と接続される第１電極層１１１は、端子４１と接触する箇所に接触部１５を有する。接触部１５は第１電極層１１１の一部分であり、その厚み（上下方向の幅）は、第１電極層１１１における他の部位と比較して厚い。具体的には、接触部１５は、第１電極層１１１の他の部位と比較して、下面１０２側すなわちウエハ載置面１０１とは反対側に向かって突出している。一例として、接触部１５の厚さ（後述する凹部１５１を除いた最大厚さ）は、０．４ｍｍ以上３ｍｍ以下であり、好ましくは、０．６ｍｍ以上２ｍｍ以下である。
　このように、端子４１との接触箇所である接触部１５を他の箇所よりも厚くすることで、端子４１の側面４１２との接触面積をより大きくすることができる。したがって、端子４１と第１電極層１１１との接合強度をさらに向上させることができる。また、詳細については後述するが、基体１０の製造工程において、第１電極層１１１に対してドリル等を用いて端子４１の先端部４１０を収容するための凹部を形成する際に、誤って第１電極層１１１を貫通させてしまうことを抑制することができる。すなわち、基体１０の製造工程を容易化することができる。
　また、基体１０は、接触部１５の周囲に空間１７を有する。空間１７は、接触部１５の側方に広がっており、接触部１５の全周を囲んでいる。このように、接触部１５の周囲に空間１７を設けることで、空間１７の断熱作用により、ウエハ載置面１０１とは反対側に熱が伝わることを抑制することができる。したがって、ウエハ載置面１０１に載置されたウエハを効率よく加熱することが可能となる。
＜実施形態に係る基体の製造方法＞
　次に、基体１０の製造方法の一例について図４～図９を参照して説明する。図４～図９は、実施形態に係る基体１０の製造方法の一例を説明するための模式的な断面図である。
　図４に示すように、まず、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等を主成分とするセラミックグリーンシート２０１が複数枚積層される。その上に、第１電極層１１１を構成するタングステン（Ｗ）等の金属あるいは合金からなる１枚（または複数枚）の金属シート２０２が積層され、さらにその上に複数枚のセラミックグリーンシート２０１が積層される。金属シート２０２上に積層される複数枚のセラミックグリーンシート２０１には、上述した接触部１５を位置させるための開口２０３が予め形成されている。
　つづいて、図５に示すように、開口２０３に対し、タングステンカーバイト（ＷＣ）のペースト２０４が充填される。なお、ペースト２０４は、最終的に第１電極層１１１と一体化されるものであればよく、必ずしも、タングステンカーバイトであることを要しない。開口２０３に充填されたペースト２０４は、開口２０３内にて乾燥される。つづいて、図６に示すように、複数枚のセラミックグリーンシート２０１がさらに積層される。
　つづいて、積層体は、たとえば窒素雰囲気下において、１７００～１８００℃の温度で焼成される。これにより、図７に示すように、ペースト２０４が第１電極層１１１と一体化して接触部１５が形成される。また、この際、ペースト２０４が収縮することにより、接触部１５の側方に空間１７が形成される。
　つづいて、図８に示すように、基体１０に開口２０５が形成される。開口２０５は、基体１０の下面１０２からウエハ載置面１０１（図２等参照）に向かって上下方向に延在するように、たとえばドリル等を用いて形成される。このとき、基体１０だけでなく接触部１５の一部もドリル等によって削られる。これにより、接触部１５の一部を接触部１５の厚み方向に凹ませた凹部１５１が形成される。
　つづいて、図９に示すように、開口２０５（図８参照）に端子４１が挿入される。これにより、端子４１の先端部４１０が接触部１５の凹部１５１の内部に位置する。つづいて、端子４１の周囲に封止剤２０６が塗布される。その後、基体１０は、たとえば真空中、１５５０℃で熱処理される。これにより、封止剤２０６が毛管現象によって端子４１と開口２０５との隙間に入り込むことで、端子４１と開口２０５との隙間が封止される。また、端子４１と第１電極層１１１とが接合される。
　なお、端子４１を開口２０５に挿入する前に、端子４１の先端（凹部１５１に接する側）にＰｔ（白金）またはＮｉ（ニッケル）の金属微粒子を主成分とするペーストを塗布しても良い。端子４１の先端にＰｔペーストまたはＮｉペーストを塗布してから開口２０５に挿入することにより、端子４１と凹部１５１（接触部１５）がＰｔまたはＮｉを介して接合される。これにより、端子４１と接触部１５との接合強度が高くなるため、端子４１と接触部１５の接合の信頼性を高めることができる。
（第１変形例）
　次に、上述した実施形態に係る構造体２の変形例について説明する。まず、第１変形例に係る構造体について図１０を参照して説明する。図１０は、第１変形例に係る構造体の模式的な断面図である。
　図１０に示すように、第１変形例に係る構造体２Ａは、基体１０Ａを有する。基体１０Ａは、上述した実施形態に係る基体１０が有する空間１７よりも広い空間１７Ａを有する。具体的には、上述した実施形態に係る基体１０が有する空間１７が接触部１５の側方にのみ広がっているのに対し、空間１７Ａは、接触部１５の側方および突出方向（ここでは、Ｚ軸負方向）にも広がっている。言い換えれば、空間１７Ａは、接触部１５の側面１５２と基体１０Ａとの間に介在するとともに、接触部１５の突出面１５３（第１電極層１１１の他の部位よりも突出した端面）と基体１０Ａとの間に介在する。
　このように、接触部１５の周囲に、接触部１５の側方および突出方向に広がる空間１７Ａを有することにより、空間１７Ａの断熱作用により、ウエハ載置面１０１とは反対側に熱が伝わることをさらに抑制することができる。また、後述するように、基体１０Ａの製造工程において、接触部１５に凹部１５１を形成する作業を容易化することができる。
＜第１変形例に係る基体の製造方法＞
　次に、第１変形例に係る基体１０Ａの製造方法について図１１～図１５を参照して説明する。図１１～図１５は、第１変形例に係る基体１０Ａの製造方法の一例を説明するための模式的な断面図である。
　図１１に示すように、上述した実施形態に係る基体１０と同様の手順で複数のセラミックグリーンシート２０１および金属シート２０２が積層された後、開口２０３にタングステンカーバイト（ＷＣ）のペースト２０４が充填される。ペースト２０４は、開口２０３を満たさない程度に充填される。つづいて、開口２０３に樹脂２０７がさらに充填された後、図１２に示すように、複数枚のセラミックグリーンシート２０１がさらに積層される。
　つづいて、積層体は、たとえば窒素雰囲気下において、１７００～１８００℃の温度で焼成される。これにより、図１３に示すように、ペースト２０４が第１電極層１１１と一体化して接触部１５が形成される。また、この際、ペースト２０４が収縮することにより、また、樹脂２０７が焼失することによって接触部１５の周囲に空間１７Ａが形成される。
　なお、開口２０３（図１１参照）に樹脂２０７を充填せずとも、空間１７Ａを形成することは可能であるが、樹脂２０７を充填することで、焼成後の基体１０Ａの歪みを抑制することができる。具体的には、ペースト２０４の収縮率が他と比較して大きいため、焼成によってペースト２０４（接触部１５）の周辺が歪みやすいが、開口２０３に樹脂２０７を充填しておくことによってかかる歪みの発生を抑制することができる。
　つづいて、図１４に示すように、基体１０Ａに開口２０５が形成される。開口２０５は、基体１０Ａの下面１０２からウエハ載置面１０１（図２等参照）に向かって上下方向に延在するように、たとえばドリル等を用いて形成される。これにより、まず、基体１０Ａの外部と基体１０Ａ内部の空間１７Ａとが開口２０５によって連通する。つづいて、接触部１５の突出面１５３がドリル等によって削られることにより、接触部１５の一部を接触部１５の厚み方向に凹ませた凹部１５１が形成される。このとき、開口２０５と接触部１５の突出面１５３との間には空間１７Ａが介在しているため、作業者は、開口２０５を通して接触部１５の突出面１５３を目視にて確認することが容易である。したがって、凹部１５１の位置決めを容易に行うことができる。
　つづいて、図１５に示すように、開口２０５に端子４１が挿入される。これにより、端子４１の先端部４１０が接触部１５の凹部１５１の内部に位置する。つづいて、端子４１の周囲に封止剤２０６が塗布される。その後、基体１０は、たとえば真空中、１５５０℃で熱処理される。これにより、封止剤２０６が毛管現象によって端子４１と開口２０５との隙間に入り込むことで、端子４１と開口２０５との隙間が封止される。また、端子４１と第１電極層１１１とが接合される。
（第２変形例）
　次に、第２変形例に係る構造体について図１６を参照して説明する。図１６は、第２変形例に係る構造体の模式的な断面図である。なお、図１６および後述する図１７～図２７には、第１電極層および端子のみを示しており、他の構成については図示を省略している。
　図１６に示すように、第２変形例に係る構造体２Ｂは、接触部１５の中心位置からずれた位置に端子４１が接続される。このように、端子４１は、必ずしも接触部１５の中心位置に接続されることを要しない。
（第３変形例）
　次に、第３変形例に係る構造体について図１７を参照して説明する。図１７は、第３変形例に係る構造体の模式的な断面図である。
　図１７に示すように、第３変形例に係る構造体２Ｃは、第１電極層１１１Ｃを有する。第３変形例に係る第１電極層１１１Ｃの接触部１５Ｃは、突出高さの異なる複数の突出面１５３ａ，１５３ｂを有する。このように、接触部１５Ｃの突出面１５３ａ、１５３ｂは、必ずしも平坦であることを要しない。
（第４変形例）
　次に、第４変形例に係る構造体について図１８を参照して説明する。図１８は、第４変形例に係る構造体の模式的な断面図である。
　図１８に示すように、第４変形例に係る構造体２Ｄは、第１電極層１１１Ｄを有する。第４変形例に係る第１電極層１１１Ｄの接触部１５Ｄは、側面１５２Ｄと突出面１５３Ｄとの間に曲面状の角部１５５Ｄを有する。このように、接触部１５Ｄの角部１５５Ｄを曲面状とすることで、接触部１５Ｄへの応力集中を緩和させることができる。
（第５変形例）
　次に、第５変形例に係る構造体について図１９を参照して説明する。図１９は、第５変形例に係る構造体の模式的な断面図である。
　図１９に示すように、第５変形例に係る構造体２Ｅは、第１電極層１１１Ｄを有する。第５変形例に係る第１電極層１１１Ｄの接触部１５Ｅは、側面１５２Ｅと第１電極層１１１Ｄの他の部位との間に曲面状の角部１５６Ｅを有する。このように、接触部１５Ｅの角部１５６Ｅを曲面状とすることで、接触部１５Ｅへの応力集中を緩和させることができる。
（第６変形例）
　次に、第６変形例に係る構造体について図２０を参照して説明する。図２０は、第６変形例に係る構造体の模式的な断面図である。
　図２０に示すように、第６変形例に係る構造体２Ｆは、第１電極層１１１Ｆを有する。第６変形例に係る第１電極層１１１Ｆは、接触部１５Ｆを中心に端子４１に向かって湾曲している。このように、第１電極層１１１Ｆが端子４１に向かって湾曲していることで、第１電極層１１１Ｆは端子４１の押圧に抗しやすくなる。このため、端子４１と第１電極層１１１Ｆとの接合をより確実なものとすることができる。
　なお、第１電極層１１１Ｆは、少なくとも接触部１５Ｆを含む一部の領域において端子４１に向かって湾曲していればよく、必ずしも全体的に湾曲していることを要しない。
　また、ここでは、第１電極層１１１Ｆが、端子４１に向かって湾曲する場合の例について説明したが、第１電極層１１１Ｆは、たとえば、ウエハ載置面１０１に向かって湾曲していてもよい。
（第７変形例）
　次に、第７変形例に係る構造体について図２１を参照して説明する。図２１は、第７変形例に係る構造体の模式的な断面図である。
　図２１に示すように、第７変形例に係る構造体２Ｇは、端子４１Ｇを有する。第７変形例に係る端子４１Ｇは、先端面４１１Ｇと側面４１２Ｇとの間に、側面４１２Ｇから先端面４１１Ｇに向かって縮径する縮径部４１３Ｇを有する。たとえば、第７変形例に係る縮径部４１３Ｇは、端子４１Ｇの先端面４１１Ｇと側面４１２Ｇとの間に位置する、面取りされた角部である。ここでは、縮径部４１３ＧがＣ面である場合を例示しているが、縮径部４１３Ｇは、Ｒ面であってもよい。
　このように、端子４１Ｇの先端部４１０Ｇに縮径部４１３Ｇを設けることで、端子の先端部４１０Ｇと接触部１５との接触面積を大きくすることができる。したがって、端子４１Ｇと第１電極層１１１との接合強度をさらに向上させることができる。
（第８変形例）
　次に、第８変形例に係る構造体について図２２を参照して説明する。図２２は、第８変形例に係る構造体の模式的な断面図である。
　図２２に示すように、第８変形例に係る構造体２Ｈは、端子４１Ｈを有する。第８変形例に係る端子４１Ｈは、側面４１２Ｈから先端面４１１Ｈに向かって縮径する縮径部４１３Ｈを有する。第８変形例に係る縮径部４１３Ｈは、先端面４１１Ｈと側面４１２Ｈとの間に位置する段部である。
　このように、端子４１Ｈの先端部４１０Ｈに段差状の縮径部４１３Ｈを設けることで、端子４１Ｈと第１電極層１１１との接合強度をさらに向上させることができる。
（第９変形例）
　次に、第９変形例に係る構造体について図２３を参照して説明する。図２３は、第９変形例に係る構造体の模式的な断面図である。
　図２３に示すように、第９変形例に係る構造体２Ｉは、端子４１Ｉを有する。第９変形例に係る端子４１Ｉは、曲面状の先端面４１１Ｉを有する。このように、端子４１Ｉの先端面４１１Ｉを曲面状とすることによっても、端子４１Ｉの先端部４１０Ｉと接触部１５との接触面積を大きくすることができる。したがって、端子４１Ｉと第１電極層１１１との接合強度をさらに向上させることができる。
（第１０変形例）
　次に、第１０変形例に係る構造体について図２４を参照して説明する。図２４は、第１０変形例に係る構造体の模式的な断面図である。
　図２４に示すように、第１０変形例に係る構造体２Ｊは、端子４１Ｊを有する。第１０変形例に係る端子４１Ｊは、側面４１２Ｊが先端面４１１Ｊに向かって縮径するテーパ形状を有する。このように、端子４１Ｊの先端部４１０Ｊをテーパ形状とすることにより、端子４１Ｊの先端部４１０Ｊと接触部１５との接触面積を大きくすることができる。したがって、端子４１Ｊと第１電極層１１１との接合強度をさらに向上させることができる。
（第１１変形例）
　次に、第１１変形例に係る構造体について図２５を参照して説明する。図２５は、第１１変形例に係る構造体の模式的な断面図である。
　図２５に示すように、第１１変形例に係る構造体２Ｋは、端子４１Ｋを有する。第１１変形例に係る端子４１Ｋは、側面４１２Ｋが先端面４１１Ｋに向かって拡径する逆テーパ形状を有する。このように、端子４１Ｋの先端部４１０Ｋを逆テーパ形状とすることにより、端子４１Ｋの先端部４１０Ｋと接触部１５との接触面積を大きくすることができる。したがって、端子４１Ｋと第１電極層１１１との接合強度をさらに向上させることができる。また、逆テーパ形状とすることにより、端子４１Ｋの抜けを抑制することができる。
（第１２変形例）
　次に、第１２変形例に係る構造体について図２６を参照して説明する。図２６は、第１２変形例に係る構造体の模式的な断面図である。
　図２６に示すように、第１２変形例に係る構造体２Ｌは、接触部１５の突出方向（ここでは、Ｚ軸方向）に対して斜めに延在する。このように、端子４１Ｌは、接触部１５の突出方向、言い換えれば、基体の厚み方向（上下方向）に対して斜めに延びていてもよい。これにより、端子４１Ｌの熱膨張を左右方向にずらすことができるため、基体にクラックが生じることを抑制することができる。
（第１３変形例）
　次に、第１３変形例に係る構造体について図２７を参照して説明する。図２７は、第１３変形例に係る構造体の模式的な断面図である。
　図２７に示すように、第１３変形例に係る構造体２Ｍは、第１電極層１１１Ｍを有する。第１３変形例に係る第１電極層１１１Ｍの接触部１５Ｍは、凹部１５１における底面１５１ａの一部と端子４１における先端面４１１の一部との間に間隙２０８を有する。このように、間隙２０８を有することにより、第１電極層１１１Ｍから端子４１への熱伝導を抑制することができる。したがって、第１電極層１１１Ｍにおいて発生した熱を効率よくウエハへ伝えることができる。
（第１４変形例）
　次に、第１４変形例に係る構造体について図２８を参照して説明する。図２８は、第１４変形例に係る構造体の模式的な断面図である。
　図２８に示すように、第１４変形例に係る構造体２Ｎは、第１電極層１１１Ｎを有する。第１４変形例に係る第１電極層１１１Ｎの接触部１５Ｎは、第１電極層１１１Ｎの他の部位と比較して、ウエハ載置面１０１（図２参照）側に突出している。このように、接触部１５Ｎは、たとえば図３に示す接触部１５のように基体１０の下面１０２に向かって突出していることを要さず、ウエハ載置面１０１に向かって突出していてもよい。
（第１５変形例）
　次に、第１５変形例に係る構造体について図２９を参照して説明する。図２９は、第１５変形例に係る構造体の模式的な断面図である。
　図２９に示すように、第１５変形例に係る構造体２Ｏは、第１電極層１１１Ｏを有する。第１５変形例に係る第１電極層１１１Ｏの接触部１５Ｏは、第１電極層１１１Ｏの他の部位と比較して、基体１０のウエハ載置面１０１（図２参照）側に突出するとともに、基体１０の下面１０２側にも突出している。このように、接触部１５Ｏは、ウエハ載置面１０１および下面１０２の両方に向かって突出していてもよい。これにより、端子４１と接触部１５Ｏとの接触面積を大きくすることができる。したがって、端子４１と第１電極層１１１Ｏとの接合強度をさらに向上させることができる。
（第１６変形例）
　次に、第１６変形例に係る構造体について図３０を参照して説明する。図３０は、第１６変形例に係る構造体の模式的な断面図である。
　図３０に示すように、第１６変形例に係る構造体２Ｐは、第１ビア導体１１３ａと、第２ビア導体１１３ｂとを有する。
　このように、複数のビア導体（第１ビア導体１１３ａおよび第２ビア導体１１３ｂ）を用いて第１電極層１１１と第２電極層１１２とを接続することで、第１電極層１１１と第２電極層１１２との電気的な接続をより確実なものとすることができる。
　また、構造体２Ｐの使用時において、第１電極層１１１および第２電極層１１２は、温度変化によって水平方向（ウエハ載置面１０１に沿った方向）に膨張または収縮する。このような第１電極層１１１および第２電極層１１２の変形は、基体１０にクラックを生じさせるおそれがある。これに対し、第１６変形例に係る構造体２Ｐでは、第１電極層１１１および第２電極層１１２が、複数のビア導体（第１ビア導体１１３ａおよび第２ビア導体１１３ｂ）によって接続されている。このため、第１６変形例に係る構造体２Ｐによれば、第１電極層１１１および第２電極層１１２の熱変形を複数のビア導体によって抑制することができる。したがって、基体１０にクラックが生じることを抑制することができる。
　しかも、第１ビア導体１１３ａおよび第２ビア導体１１３ｂは、接触部１５の両側にそれぞれ位置している。たとえば、図３０に示す例では、接触部１５の紙面左側に第１ビア導体１１３ａが位置し、接触部１５の紙面右側に第２ビア導体１１３ｂが位置している。このように、接触部１５の両側に第１ビア導体１１３ａおよび第２ビア導体１１３ｂが位置していることで、特に、接触部１５周辺における第１電極層１１１および第２電極層１１２の熱変形を抑制することができる。したがって、たとえば構造体２Ｐの使用時に、第１電極層１１１および第２電極層１１２の熱変形によって端子４１が第１電極層１１１から離れてしまうことを抑制することができる。言い換えれば、昇温、降温を繰り返す使用環境下における端子４１と第１電極層１１１との接合強度を高めることができる。
（第１７変形例）
　次に、第１７変形例に係る構造体について図３１および図３２を参照して説明する。図３１は、第１７変形例に係る構造体の模式的な断面図である。また、図３２は、第１７変形例に係る端子の模式的な上面図である。
　図３１に示すように、第１７変形例に係る構造体２Ｑは、端子４１Ｑを有する。図３１および図３２に示すように、端子４１Ｑは、側面４１２に凹部４１５を有する。凹部４１５は、端子４１Ｑの先端部４１０に設けられる。具体的には、端子４１Ｑの側面４１２のうち、接触部１５と対向する部位および基体１０と対向する部位にかけて凹部４１５が設けられる。
　かかる凹部４１５には、封止剤２０６が入り込んでいる。言い換えれば、凹部４１５は、封止剤２０６で充填される。
　このように、凹部４１５に封止剤２０６が入り込むことで、端子４１Ｑと基体１０との接合強度を向上させることができる。また、凹部４１５に封止剤２０６が入り込むことで、端子４１Ｑと接触部１５との接合強度を向上させることができる。さらに、製造工程において必要量を超える封止剤２０６（たとえばｐｔ（白金））が塗布された場合であっても、余分な封止剤２０６が凹部４１５に溜まることで、たとえば製造中に封止剤２０６が基体１０の下面１０２からはみ出ることを抑制することができる。
　なお、ここでは、端子４１Ｑが１つの凹部４１５を有する場合の例を示したが、端子４１Ｑが有する凹部４１５の数は、２つ以上であってもよい。また、凹部４１５は、端子４１Ｑの先端面４１１から基端面まで延びていてもよい。
（第１８変形例）
　次に、第１８変形例に係る構造体について図３３および図３４を参照して説明する。図３３は、第１８変形例に係る構造体の模式的な断面図である。また、図３４は、第１８変形例に係る端子の模式的な上面図である。
　図３３に示すように、第１８変形例に係る構造体２Ｒは、端子４１Ｒを有する。図３３および図３４に示すように、端子４１Ｒは、先端面４１１に凹部４１６を有する。凹部４１６は、端子４１Ｒの先端部４１０に設けられる。具体的には、凹部４１６は、端子４１Ｒの先端面４１１に設けられる。凹部４１６の両端は端子４１Ｒの側面４１２に達している。なお、ここでは、端子４１Ｒが１つの凹部４１６を有する場合の例を示しているが、端子４１Ｒは、複数の凹部４１６を有していてもよい。たとえば、端子４１Ｒは、十字に交差する２つの凹部４１６を有していてもよい。また、端子４１Ｒは、第１７変形例に係る端子４１Ｑが有する凹部４１５と同様の凹部４１５をさらに有していてもよい。この場合、凹部４１５と凹部４１６とは連続していてもよい。
　かかる凹部４１６には、封止剤２０６が入り込んでいる。言い換えれば、凹部４１６は、封止剤２０６で充填される。
　このように、凹部４１６に封止剤２０６が入り込むことで、端子４１Ｒと基体１０との接合強度を向上させることができる。また、凹部４１６に封止剤２０６が入り込むことで、端子４１Ｒと接触部１５との接合強度を向上させることができる。さらに、製造工程において必要量を超える封止剤２０６（たとえばｐｔ（白金））が塗布された場合であっても、余分な封止剤２０６が凹部４１６に溜まることで、たとえば製造中に封止剤２０６が基体１０の下面１０２からはみ出ることを抑制することができる。
　上述してきたように、実施形態に係る構造体（一例として、構造体２，２Ａ～２Ｐ）は、基体（一例として、１０，１０Ａ）と、電極層（一例として、第１電極層１１１，１１１Ｃ，１１１Ｄ，１１１Ｆ，１１１Ｍ，１１１Ｎ，１１１Ｏ）と、端子（一例として、端子４１，４１Ｇ，４１Ｈ，４１Ｉ，４１Ｊ，４１Ｋ，４１Ｌ）とを有する。基体は、セラミックスからなる。電極層は、基体の内部に位置する。端子は、先端部において電極層と電気的に接続される。また、端子は、先端面（一例として、先端面４１１，４１１Ｇ，４１１Ｈ，４１１Ｉ，４１１Ｊ，４１１Ｋ）および側面（一例として、側面４１２，４１２Ｇ，４１２Ｈ，４１２Ｊ，４１２Ｋ）において電極層と接触する。したがって、実施形態に係る構造体によれば、端子と電極層との接合強度を向上させることができる。
　電極層は、端子との接触部（一例として、接触部１５，１５Ｃ，１５Ｄ，１５Ｅ，１５Ｆ，１５Ｍ，１５Ｎ，１５Ｏ）を有していてもよい。この場合、接触部は、電極層における他の部位と比較して厚くてもよい。端子との接触箇所である接触部を電極層の他の箇所よりも厚くすることで、端子の側面との接触面積をより大きくすることができる。したがって、端子と電極層との接合強度をさらに向上させることができる。
　電極層は、接触部の一部を接触部の厚み方向に凹ませた凹部（一例として、凹部１５１）を有していてもよい。この場合、端子の先端部は、凹部の内部に位置していてもよい。接触部が厚く形成されているため、基体の製造工程においてドリル等を用いて接触部に凹部を形成する際に、誤って電極層を貫通させてしまうことを抑制することができる。すなわち、基体の製造工程を容易化することができる。
　実施形態に係る構造体（一例として、構造体２Ｍ）は、凹部における底面の一部と端子における先端面の一部との間に間隙（一例として、間隙２０８）を有していてもよい。これにより、電極層から端子への熱伝導を抑制することができる。
　電極層（一例として、電極層１１１Ｆ）は、少なくとも接触部を含む領域において端子に向かって湾曲していてもよい。これにより、電極層が端子の押圧に抗しやすくなるため、端子と電極層との接合をより確実なものとすることができる。
　基体（一例として、基体１０，１０Ａ）は、接触部の周囲に空間（一例として、空間１７，１７Ａ）を有していてもよい。これにより、空間の断熱作用によって空間が存在する方向への熱伝導を抑制することができる。
　空間（一例として、空間１７Ａ）は、接触部の側方および突出方向に広がっていてもよい。これにより、空間が存在する方向への熱伝導をさらに抑制することができる。
　端子（一例として、端子４１Ｊ）は、先端面（一例として、先端面４１１Ｊ）に向かって縮径する形状を有していてもよい。これにより、端子の先端部と接触部との接触面積を大きくすることができる。したがって、端子と電極層との接合強度をさらに向上させることができる。
　端子（一例として、端子４１Ｋ）は、先端面（一例として、先端面４１１Ｋ）に向かって拡径する形状を有していてもよい。これにより、端子の先端部と接触部との接触面積を大きくすることができる。したがって、端子と電極層との接合強度をさらに向上させることができる。また、逆テーパ形状とすることにより、端子の抜けを抑制することができる。
　端子（一例として、端子４１Ｉ）の先端面（一例として、先端面４１１Ｉ）は、曲面状であってもよい。これにより、端子の先端部と接触部との接触面積を大きくすることができる。したがって、端子と電極層との接合強度をさらに向上させることができる。
　なお、上述した実施形態では、加熱装置の一例としてウエハ載置装置を例に挙げて説明したが、本開示による加熱装置は、基体内部の電極層を発熱させることによって物体（たとえば、基体の一方の面に載置された被載置物）を加熱するものであればよく、ウエハ載置装置に限定されない。
　さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。このため、本発明のより広範な態様は、以上のように表しかつ記述した特定の詳細および代表的な実施形態に限定されるものではない。したがって、添付の請求の範囲およびその均等物によって定義される総括的な発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が可能である。
１　　：ウエハ載置装置
２　　：構造体
４　　：配線部
５　　：電力供給部
６　　：制御部
１０　　：基体
１１　　：電極層
１５　　：接触部
１７　　：空間
２０　　：シャフト
４１　　：端子
４２　　：導線
１０１　：上面（ウエハ載置面）
１０２　：下面
１１１　：第１電極層
１１２　：第２電極層
１１３　：ビア導体
１１３ａ　：第１ビア導体
１１３ｂ　：第２ビア導体
１５１　：凹部
１５２　：側面
１５３　：突出面
２０１　：セラミックグリーンシート
２０２　：金属シート
２０３　：開口
２０４　：ペースト
２０５　：開口
２０６　：封止剤
２０８　：間隙
４１０　：先端部
４１１　：先端面
４１２　：側面

Claims (14)

  1. 　セラミックスからなる基体と、
    　前記基体の内部に位置する電極層と、
    　先端部において前記電極層と電気的に接続される端子と
    　を有し、
    　前記端子は、先端面および側面において前記電極層と接触する、構造体。
  2. 　前記電極層は、前記端子との接触部を有し、
    　前記接触部は、前記電極層における他の部位と比較して厚い、請求項１に記載の構造体。
  3. 　前記電極層は、前記接触部の一部を前記接触部の厚み方向に凹ませた凹部を有し、
    　前記端子の先端部は、前記凹部の内部に位置する、請求項２に記載の構造体。
  4. 　前記凹部における底面の一部と前記端子における前記先端面の一部との間に間隙を有する、請求項３に記載の構造体。
  5. 　前記電極層は、少なくとも前記接触部を含む領域において前記端子に向かって湾曲している、請求項２～４のいずれか一つに記載の構造体。
  6. 　前記基体は、前記接触部の周囲に空間を有する、請求項２～５のいずれか一つに記載の構造体。
  7. 　前記空間は、前記接触部の側方および突出方向に広がる、請求項６に記載の構造体。
  8. 　前記端子は、前記先端面に向かって縮径する形状を有する、請求項１～７のいずれか一つに記載の構造体。
  9. 　前記端子は、前記先端面に向かって拡径する形状を有する、請求項１～７のいずれか一つに記載の構造体。
  10. 　前記端子の前記先端面は、曲面状である、請求項１～９のいずれか一つに記載の構造体。
  11. 　前記端子は、前記先端部における前記側面に凹部を有する、請求項１～１０のいずれか一つに記載の構造体。
  12. 　前記端子は、前記先端面に凹部を有する、請求項１～１１のいずれか一つに記載の構造体。
  13. 　前記電極層を発熱させて物体を加熱する加熱装置に用いられる、請求項１～１２のいずれか一つに記載の構造体。
  14. 　請求項１～１３のいずれか一つに記載の構造体と、
    　前記電極層に電力を供給することにより、前記電極層を発熱させる電力供給部と
    　を有する、加熱装置。
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