JP2003188168A - 薄膜形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 転写不良などがない状態で、転写対象の基板
全域に薄膜が転写できるようにする。 【解決手段】 真空排気ポンプ１０８により真空容器１
０１内を真空排気し、真空容器１０１内を、薄膜１０４
の半導体基板１０３に対する転写に適した圧力Ｐ0より
低い状態の圧力Ｐ1にする。この後、プレート駆動装置
１０９により下プレート１０７を上昇させて基材１０５
に接触させ、接触したら、真空容器１０１内の真空排気
状態を制御し、真空容器１０１内の圧力Ｐ1が維持でき
る状態、もしくは、真空容器１０１内の圧力が、Ｐ1よ
り大きくＰ0以下の状態に制御する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜形成室内で基
板と基材とを相互に押し付けることで、基材に予め形成
されている絶縁膜などの薄膜を基板に転写して形成する
薄膜形成方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体集積回路の高密度化に伴い、多層
配線技術は、必須なものとなっている。多層配線を実現
するために、配線層間を分離する絶縁膜や、金属配線層
の平坦化技術が開発されてきた。この平坦化技術のう
ち、転写を用いた方法としてＳＴＰ法が提案されている
（K.Machida et al.,“Novel Global Planarization Te
chnology for Interlayer Dielectrics using Spin on
Glass Film Transfer andHot Pressing"J.Vac.Sci.Tech
nol.B16(3),May/June,1093(1998)）。この技術は、形成
したい薄膜を予め基材に形成し、これを減圧環境の中で
加熱加圧することで上記薄膜を半導体などの基板上に転
写するものである。

【０００３】上記ＳＴＰ法について図７，図８を用いて
簡単に説明する。まず、図７（ａ）に示すように、密閉
可能な真空容器７０１に配置された温度調整可能な上プ
レート７０２に、半導体基板７０３を装着する。一方、
予め薄膜７０４が形成されている基材７０５を用意し、
これを下プレート７０７上方に配置されている基材装着
機構７０６に装着する。基材７０５としては、ＰＴＦＥ
（ポリテトラフルオロエチレン）などからなるシートフ
ィルムを用いる。

【０００４】つぎに、真空排気ポンプ７０８により、真
空容器７０１内を真空に減圧するとともに、プレート駆
動装置７０９により、下プレート７０７を上プレート７
０２に向けて上昇させる。この過程において、まず下プ
レート７０７のみを上昇させて基材７０５に接触させ、
下プレート７０７の上昇により基材７０５を伸張させる
（図７（ｂ））。この後、下プレート７０７と基材７０
５（基材装着機構７０６）とが所定の位置関係に達した
時点で、基材装着機構７０６と下プレート７０７の位置
関係を一定に保ったままさらに上昇させ、基材７０５上
の薄膜７０４を上プレート７０２によって保持された半
導体基板７０３に当接させる。このとき、下プレート７
０７および上プレート７０２は、各々の温度調節機構に
より所定の温度にしておく。

【０００５】ここで、下プレート７０７により上プレー
ト７０２が受ける加重が、加重センサ７１０により検出
される。加重センサ７１０により、上プレート７０２す
なわち半導体基板７０３への加重を測定し、この測定値
が所望の値となるようにプレート駆動装置７０９を制御
する。この当接させ所定の圧力を加えた状態を所定時間
保持した後、基材装着機構７０６と下プレート７０７と
を下降させて加重を解放し、半導体基板７０３より基材
７０５を離間させ、半導体基板７０３に薄膜７０４が形
成された状態を得る。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところが、下プレート
７０７を上昇させて基材７０５上の薄膜７０４を半導体
基板７０３に当接させる過程で、下プレート７０７と基
材７０５の間にわずかに残留していた気体は、真空容器
７０１への逃げ道がなく、下プレート７０７と基材７０
５の間に閉じ込められた状態となる。一方、この過程の
最中においても、真空排気ポンプ７０８は真空排気を続
けていて真空容器７０１内部の圧力は徐々に低下してい
く。この結果、図８（ａ）に示すように、下プレート７
０７と基材７０５の間に形成された閉空間内部の気体
は、基材７０５を上方に盛り上がらせてしまう。

【０００７】この状態で、下プレート７０７が上昇を続
けて基材７０５上の薄膜７０４を半導体基板７０３に当
接させるため、薄膜７０４は中心部から半導体基板７０
３に接する。最終的には、図８（ｂ）に示すように、下
プレート７０７は上プレート７０２に完全に押し付けら
れ、所定の加重の加わった状態で停止する。この後、前
述したように、加重を解放し上プレート７０２より半導
体基板７０３を取り外し、半導体基板７０３より基材７
０５を剥離すると、図９に示すように、転写不良が発生
する。

【０００８】基材７０５の中央部が盛り上がった状態で
半導体基板７０３に当接してから、薄膜７０４全域が半
導体基板７０３に密着した場合、均一な接触状態が得ら
れなくなり、例えば、図９（ａ），（ｂ）に示すよう
に、枠状の転写不良領域９０１が発生し、堅さや膜質の
異なる領域７０４ａ，７０４ｂが形成される場合があ
る。また、図９（ｃ）に示すように、領域７０４ｃにだ
け薄膜が転写される場合，図９（ｄ）に示すように、領
域７０４ｄにだけ薄膜が転写される場合などの不良が発
生する。

【０００９】以上のように、前述した従来の薄膜形成方
法では、部分的に転写がされない領域が発生するなど、
転写不良が発生するという問題があった。本発明は、以
上のような問題点を解消するためになされたものであ
り、転写不良などがない状態で、転写対象の基板全域に
薄膜が転写できるようにすることを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明にかかる薄膜形成
方法は、可撓性を有するシート状の基材に薄膜を形成す
る工程と、真空容器内に配置された第１のプレートに基
板を固定する工程と、基材装着機構に基材を展着して固
定する工程と、真空容器内を真空排気手段により第１の
圧力に真空排気する工程と、真空容器内を第１の圧力と
した状態で、真空容器内に第１のプレートに対向して配
置された第２のプレートの主表面を基材に密着させる工
程と、真空排気手段を制御して真空容器内を第１の圧力
以上の第２の圧力とした状態で、基材が密着した第２の
プレートを、第１のプレートに近接させ、基材の上に形
成された薄膜の表面を基板表面に当接する工程と、第１
のプレートと第２のプレートとの間に加重することで、
基板に当接した薄膜を基板に圧着する工程とを備えたも
のである。この薄膜形成方法によれば、基材が第２のプ
レートに密着した後は、基材と第２のプレートとの間の
圧力より、この外側真空容器内の圧力の方が高い状態と
なっている。したがって、たとえ基材と第２のプレート
との間に気体が閉じ込められたとしても、この気体が膨
張することが抑制され、基材が第１のプレートに向かっ
て盛り上がることが抑制される。上記薄膜形成方法にお
いて、第１の圧力は、真空排気手段により真空容器内を
真空排気したときの最低圧力であればよい。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図を参照して説明する。 ＜実施の形態１＞はじめに、本発明の第１の実施の形態
について説明する。図１，２は、本発明の薄膜形成方法
を実施可能とするための薄膜形成装置の概略的な構成と
ともに、薄膜形成方法を説明するための工程図である。
図１に示す薄膜形成装置は、まず、密閉可能な真空容器
１０１と、真空容器１０１内の上部に固定された上プレ
ート（第１のプレート）１０２と、転写対象の薄膜１０
４が形成された基材１０５を展着する基材装着機構１０
６と、上プレート１０２に対向して真空容器１０１内の
下部に配置された下プレート（第２のプレート）１０７
とを備えている。

【００１２】基材装着機構１０６は、図１（ａ’）に示
すように、円形の枠状に形成され、平面視円形の下プレ
ート１０７と同様に、真空容器１０１内を上下に移動可
能にされている。なお、基材装着機構１０６は、枠状に
限るものではない。下プレート１０７および基材装着機
構１０６は、プレート駆動装置１０９により上下方向に
移動する。また、上プレート１０２は、真空容器１０１
上部に配置された加重センサ１１０に連通し、上プレー
ト１０２に対する加重が測定可能な状態とされている。
なお、基材装着機構１０６とプレート駆動装置１０９と
の接続関係は、図示していない。

【００１３】以下、本実施の形態における薄膜形成方法
について説明する。まず、図１（ａ）に示すように、上
プレート１０２の下面に、図示していない基板装着機構
によって、半導体基板１０３を主面を下側に向けて装着
する。一方、塗布法などにより予め薄膜１０４が形成さ
れている基材１０５を、薄膜１０４の形成面を上側（上
プレート側）に向け、基材装着機構１０６に装着（展
着）する。基材１０５は、例えば、ＰＴＦＥ（ポリテト
ラフルオロエチレン）などの、可撓性を有し、また可塑
性を有する有機材料からなるシートフィルムである。

【００１４】つぎに、真空排気ポンプ（真空排気手段）
１０８の真空排気により真空容器１０１内の圧力を低下
させるとともに、プレート駆動装置１０９により、下プ
レート１０７のみを上昇させる。この動作により、下プ
レート１０７が基材１０５に接触し、図１（ｂ）に示す
ように、基材１０５を伸張させる。下プレート１０７が
上昇することで、下プレート１０７により基材１０５の
一部（中央部分）が押し上げられるが、基材１０５周囲
は基材装着機構１０６により固定されている。このた
め、基材装着機構１０６と下プレート１０７の位置関係
によって、基材１０５には、水平方向に引き伸ばす張力
と、下プレート１０７による上向きの力が印加され、こ
の結果、基材１０５は伸張する。

【００１５】本実施の形態では、上述した下プレート１
０７が基材１０５に接触した時点で、例えば、真空排気
ポンプ１０８による真空容器１０１内の真空排気動作を
停止させ、この後は基材１０５が下プレート１０７に接
触した時点と同一となる一定の状態、もしくは、これよ
り高い状態となるように、真空容器内の圧力を保つ。

【００１６】例えば、真空排気ポンプ１０８により真空
容器１０１内を真空排気し、真空容器１０１内を、薄膜
１０４の半導体基板１０３に対する転写に適した圧力Ｐ
0より低い状態の圧力Ｐ1にする。この後、上述したよう
に、下プレート１０７を上昇させて基材１０５に接触さ
せ、接触したら、真空容器１０１内の真空排気状態を制
御し、真空容器１０１内の圧力Ｐ1が維持できる状態、
もしくは、真空容器１０１内の圧力が、Ｐ1より大きく
Ｐ0以下の状態に制御する。

【００１７】このような圧力状態とし、前述したように
下プレート１０７の突き上げにより基材１０５が伸張し
た状態となった後、下プレート１０７と基材装着機構１
０６との上下関係を保持したまま、プレート駆動装置１
０９により、これらをより上昇させる。

【００１８】以上のことにより、基材１０５上に形成し
た薄膜１０４を半導体基板１０３に当接させ、プレート
駆動装置１０９の駆動により下プレート１０７を上プレ
ート１０２側に所定の加重で押し付けることで、半導体
基板１０３上に薄膜１０４を接着させる（図２）。この
とき、上プレート１０２および下プレート１０７は所定
の温度とする。また、加重センサ１１０により上プレー
ト１０２に対する加重を測定し、下プレート１０７の上
昇による上プレート１０２に対する加重が、所定の範囲
内となるようにプレート駆動装置１０９を制御する。

【００１９】下プレート１０７を上プレート１０２側に
押し付けることで、所定の時間、半導体基板１０３表面
に薄膜１０４を押し付けて接着させた後、まず、従来と
同様にし、上プレート１０２に対する半導体基板１０３
の固定状態を解放する。次いで、プレート駆動装置１０
９を制御し、基材装着機構１０６および下プレート１０
７を上プレート１０２側より降下させ、上プレート１０
２から離間させる。最後に、真空容器１０１の内圧を大
気圧に戻し、基材１０５を半導体基板１０３から剥離す
れば、薄膜１０４が半導体基板１０３に転写された状態
を得ることができる。

【００２０】以上のように、本実施の形態によれば、基
材１０５が下プレート１０７に密着してから後は、真空
容器１０１内の圧力を一定か、もしくはこれ以上に高く
しておき、この後、薄膜１０４を半導体基板１０３に当
接させるようにした。このことにより、本実施の形態に
よれば、図３（ａ）の断面図および図３（ｂ）の平面図
に示すように、転写不良のない均一な薄膜の形成が実現
できる。

【００２１】つぎに、上述した薄膜形成方法について、
圧力に着目して図４，図５を用いて考察する。まず、真
空容器１０１の減圧開始時刻を０とし、下プレート１０
７が上昇して基材１０５に接触し始めた時刻をＴ１とす
る。また、下プレート１０７が上昇して基材１０５を伸
張させ、下プレート１０７と基材１０５とが少なくとも
下プレート１０７の周縁部において密着した時刻をＴ２
とする。時刻Ｔ２において、下プレート１０７と基材１
０５の間に気体が残留していた場合は、真空容器１０１
内への気体の逃げ道が閉ざされ、この気体は、下プレー
ト１０７と基材１０５との間の閉空間に閉じ込められた
状態となる。

【００２２】この状態の後、さらに下プレート１０７が
上昇し、時刻Ｔ３に基材１０５上の薄膜１０４が半導体
基板１０３に接触し始めるとする。また、真空容器１０
１内の圧力をＰ（ｔ）、下プレート１０７と基材１０５
との間の空間の圧力をＱ（ｔ）、張力により基材１０５
を下プレート１０７方向に押し付けようとする下向きの
圧力をＲ（ｔ）、下プレート１０７と基材１０５が接触
しているときに下プレート１０７が基材１０５に及ぼす
上向きの圧力をＳ（ｔ）とする。ここで、下プレート１
０７と基材１０５との間に空間があるときは、図４
（ａ）、下プレートと基材が接触しているときは図４
（ｂ）で示す状態となる。

【００２３】基材に加わる力を考え、Ｕ（ｔ）≡Ｑ
（ｔ）＋Ｓ（ｔ）−Ｒ（ｔ）−Ｐ（ｔ）と定義する。時
刻ｔが、０＜ｔ＜Ｔ１のときは、上記閉空間が形成され
ていないためＱ（ｔ）＝Ｐ（ｔ）であり、下プレート１
０７と基材１０５が接触していないため、Ｓ（ｔ）＝Ｒ
（ｔ）＝０である。つぎに、Ｔ１≦ｔ＜Ｔ２のときは、
上記閉空間が形成されていないため、Ｑ（ｔ）＝Ｐ
（ｔ）のままであるが、下プレート１０７と基材１０５
との接触が始まるため、Ｒ（ｔ）が増加していく。

【００２４】この状態のとき、基材１０５の張力による
下向きの力（Ｒ（ｔ）に対応）を支えるように、下プレ
ート１０から基材１０５への抗力（Ｓ（ｔ）に対応）が
働き、Ｓ（ｔ）＝Ｒ（ｔ）を満たすように、Ｓ（ｔ）が
変化していく。言い換えると、下プレート１０７が上昇
するにつれ、Ｕ（ｔ）＝０となる「つりあいの位置」に
なるようにＲ（ｔ）とＳ（ｔ）が増えていく。

【００２５】また、Ｔ２≦ｔ＜Ｔ３のときは、下プレー
ト１０７と基材１０５とが下プレート１０７の周縁部に
おいて密着することにより下プレート１０７と基材１０
５との間に閉空間が形成される。このときも、Ｕ（ｔ）
＝０を満たすように、各圧力が変化していく。まず、本
実施の形態にかかる方法を用いなかった場合について、
図５（ａ）を用いて説明する。閉空間が形成される場
合、下プレート１０７が基材１０５に接触した後、Ｐ
（ｔ）が減少していく。このため、Ｕ（ｔ）＞０となる
が、Ｕ（ｔ）＝０とするように下プレート１０７と基材
１０５との間の閉空間内の気体が膨張し、Ｑ（ｔ）を小
さくし、Ｒ（ｔ）を大きくする。

【００２６】真空容器１０１内の圧力Ｐ（ｔ）が、時間
ｔの経過とともに低下すると、各力が釣り合う位置を保
つため、閉空間内の一定量の気体の体積を増加させるこ
とで圧力Ｑ（ｔ）が小さくなり、気体の体積増加により
基材１０５が伸張され、これによるさらに大きな張力に
よって下向きの圧力Ｒ（ｔ）が増加する。また、気体の
膨張によって、基材１０５と下プレート１０７が完全に
接触を失った場合、Ｓ（ｔ）＝０となる。このようにし
て、Ｕ（ｔ）＝０を満たすように、基材１０５と下プレ
ート１０７との間の閉空間が膨張していく。

【００２７】一方、本実施の形態で述べた方法を適用し
た場合について、図５（ｂ）を用いて説明する。この場
合、Ｔ２≦ｔ＜Ｔ３において、Ｐ（ｔ）は減少せず、Ｐ
（ｔ）≧Ｐ（Ｔ２）である。Ｐ（ｔ）＝Ｐ（Ｔ２）であ
れば、状態はｔ＝Ｔ２のときより変化せず基材１０５
が、伸張して上に盛り上がるようなことは起きない。ま
た、Ｐ（ｔ）＞Ｐ（Ｔ２）のときは、Ｐ（ｔ）が増加
し、Ｕ（ｔ）＜０となる。この場合は、Ｕ（ｔ）＝０と
なるように、下プレート１０７が基材１０５へ加える上
向きの力であるＳ（ｔ）が増加する。従って、基材１０
５が、盛り上がることがなく、基材１０５の張力による
下向きの圧力Ｒ（ｔ）は変化しない。

【００２８】以上説明したように、貼り合わせ動作中の
真空容器１０１の圧力を制御することにより、下プレー
ト１０７と基板１０５との間の閉空間を膨張させること
がなく、基材１０５の中央部が上部に盛り上がった状態
となることもない。この結果、本実施の形態によれば、
薄膜１０４の中央部と周縁部とが、半導体基板１０３へ
接触する時刻が同一となり、半導体基板１０３に対する
薄膜１０４の転写を、転写不良なく均質な状態で行うこ
とが可能となる。

【００２９】なお、上記実施の形態では、真空容器１０
１内の減圧を開始してから基材１０５と下プレート１０
７とが接触し始めるものとしたが、これに限るものでは
ない。例えば、図６に示すように、基材１０５と下プレ
ート１０７とを予め接触させておいても、基材１０５と
プレート１０７との間の空間に、この外部と連通する箇
所があれば、接触した後で真空排気を開始するようにし
てもよい。本実施の形態では、基材１０５と下プレート
１０７との間に閉空間が形成されたら、これ以降は、真
空容器１０１内の圧力を低下させないようにしたもので
ある。

【００３０】＜第２の実施の形態＞つぎに、本発明の他
の形態について説明する。まず、上述した実施形態と同
様に、上プレート１０２の下面に、図示していない基板
装着機構によって、半導体基板１０３を主面を下側に向
けて装着する。一方、予め薄膜１０４が形成されている
基材１０５を、薄膜１０４の形成面を上側に向け、基材
装着機構１０６に装着する。

【００３１】つぎに、真空排気ポンプ１０８の真空排気
により真空容器１０１内の圧力を低下させるとともに、
プレート駆動装置１０９により、下プレート１０７のみ
を上昇させる。この動作によって下プレート１０７が基
材１０５に接触し、図１（ｂ）に示すように、基材１０
５を伸張させる。下プレート１０７が上昇することで、
下プレート１０７により基材１０５の一部（中央部分）
が押し上げられるが、基材１０５周囲は、基材装着機構
１０６により固定されている。このため、基材装着機構
１０６と下プレート１０７の位置関係によって、基材１
０５には、水平方向に引き伸ばす張力と、下プレート１
０７による上向きの力が印加され、この結果、基材１０
５は伸張する。

【００３２】ここで、本実施の形態では、上述したこと
により基材１０５と下プレート１０７とが完全に密着
し、これらの間に閉空間が形成されるまでの間に、真空
排気ポンプ１０８による真空容器１０１内の真空排気
を、この装置の最大能力まで行い、真空容器１０１内
を、到達可能な真空度にまで減圧させておくようにし
た。これらのことにより、下プレート１０７と基材１０
５の間に存在する気体を十分除去して、下プレート１０
７と基材１０５間に閉空間ができたとしても、残留して
いる気体量が可能な限り少ない状態としておく。あるい
は、真空容器１０１内部の真空度が、到達可能な真空度
に達した後に、基材１０５が下プレート１０７に密着し
た状態とする。

【００３３】このようにすれば、この後、閉空間内の気
体の膨張により、基材１０５の中央部が上方に盛り上が
ることがない。これらの後、さらに下プレート１０７を
上昇させて、図２（ａ）に示すように、下プレート１０
７が基材１０５と薄膜１０４を上プレート１０２に対し
て押し付ける。次いで、前述した実施形態と同様にし、
半導体基板１０３を基板装着機構から解放し、下プレー
ト１０７を下降させて上プレート１０２から離間させ、
真空容器１０１の内圧を大気圧に戻し、基材１０５のみ
を半導体基板１０３から剥離する。このことにより、薄
膜１０４が半導体基板１０３に転写されて形成された状
態が得られる。

【００３４】以上のことにより、本実施の形態によって
も、図３（ａ）の断面図および図３（ｂ）の平面図に示
すように、転写不良のない均一な薄膜の形成が実現でき
る。以下、本実施の形態の場合について、圧力に着目し
て考察する。図５（ｃ）に示すように、下プレート１０
７と基材１０５とが密着して閉空間を形成する時刻Ｔ２
においては、真空度が十分に低くなっており、また、Ｔ
２以降は、真空容器１０１内部の圧力がほとんど減少し
ない。従って、閉空間内部の気体の膨張や、これに伴う
基材１０５の盛り上がりもなく、良好な薄膜転写が実現
できる。

【００３５】なお、上記実施形態では、真空容器１０１
内の減圧を開始してから基材１０５と下プレート１０７
が接触し始めるとしたが、重要なのは基材１０５を下プ
レート１０７に押し付ける力により基材１０５と下プレ
ート１０７との間の空間が外部から閉ざされ閉空間にな
る時刻であり、図６に示すように、基材１０５と下プレ
ート１０７とが予め接触していても、これらの間の気体
の抜け道があれば、本実施の形態が適用できることは言
うまでもない。なお、基材装着機構は、円形に限るもの
ではなく、例えば矩形の枠であってもよい。また、下プ
レートも平面視円形に限るものではなく、例えば基板が
矩形であれば、下プレートを平面視矩形の状態としても
よい。

【００３６】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
第２のプレート上における基材の盛り上がりを抑制する
ようにしたので、転写不良などがない状態で、転写対象
の基板全域に基材上の薄膜が転写できるようになるとい
うすぐれた効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の実施の形態における薄膜形成方法を
説明するための工程図である。

【図２】 本発明の実施の形態における薄膜形成方法を
説明するための工程図である。

【図３】 本発明の実施の形態における薄膜形成方法に
より薄膜を形成した状態を示す断面図（ａ）と平面図
（ｂ）である。

【図４】 転写の状態を説明する説明図である。

【図５】 転写前の基材および薄膜周囲の圧力状態を示
す特性図である。

【図６】 本発明の他の形態における薄膜形成方法の一
部を説明するための工程図である。

【図７】 従来よりある薄膜形成方法を説明するための
工程図である。

【図８】 従来よりある薄膜形成方法を説明するための
工程図である。

【図９】 従来の薄膜形成方法による薄膜形成の状態を
示す断面図（ａ）および平面図（ｂ），（ｃ），（ｄ）
である。

【符号の説明】

１０１…真空容器、１０２…上プレート（第１のプレー
ト）、１０３…半導体基板、１０４…薄膜、１０５…基
材、１０６…基材装着機構、１０７…下プレート（第２
のプレート）、１０８…真空排気ポンプ（真空排気手
段）、１０９…プレート駆動装置、１１０…加重セン
サ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 久良木 億 東京都千代田区大手町二丁目３番１号 日 本電信電話株式会社内 Ｆターム(参考） 5F033 SS00 5F058 BC05 BF47 BJ02

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 可撓性を有するシート状の基材に薄膜を
   形成する工程と、 真空容器内に配置された第１のプレートに基板を固定す
   る工程と、 基材装着機構に前記基材を展着して固定する工程と、 前記真空容器内を真空排気手段により第１の圧力に真空
   排気する工程と、 真空容器内を前記第１の圧力とした状態で、前記真空容
   器内に前記第１のプレートに対向して配置された第２の
   プレートの主表面を前記基材に密着させる工程と、 前記真空排気手段を制御して前記真空容器内を前記第１
   の圧力以上の第２の圧力とした状態で、前記基材が密着
   した前記第２のプレートを、前記第１のプレートに近接
   させ、前記基材の上に形成された前記薄膜の表面を前記
   基板表面に当接する工程と、 前記第１のプレートと前記第２のプレートとの間に加重
   することで、前記基板に当接した前記薄膜を前記基板に
   圧着する工程とを備えたことを特徴とする薄膜形成方
   法。
2. 【請求項２】 請求項１記載の薄膜形成方法において、 前記第１の圧力は、前記真空排気手段により前記真空容
   器内を真空排気したときの最低圧力であることを特徴と
   する薄膜形成方法。