JP3917511B2 - 薄膜形成装置及び薄膜形成方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板と基材とを相互に押し付けることで、基材に予め形成されている絶縁膜などの薄膜を基板に転写して形成する薄膜形成装置及び薄膜形成方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体集積回路の高密度化に伴い、多層配線技術は、必須なものとなっている。多層配線を実現するために、配線層間を分離する絶縁膜や、金属配線層の平坦化技術が開発されてきた。この平坦化技術のうち、転写を用いた方法としてSTP法が提案されている(非特許文献1参照)。この技術は、形成したい薄膜を予め基材に形成し、これを減圧環境の中で加熱加圧することで上記薄膜を半導体などの基板上に転写するものである。
【0003】
上記STP法を実現する薄膜装置が提案されている(特許文献1参照)。この薄膜形成装置について、図6〜8を用いて説明する。図6に示す薄膜形成装置は、密閉可能な真空容器601内に、まず、温度調整可能で昇降可能な上プレート602と下プレート603を備えている。また、上プレート602は、図示しない基板装着機構を備え、これにより上プレート602に、半導体基板604が装着可能とされている。
【0004】
また、真空容器601内には、例えばリング状の基材固定機構607及び基材伸張機構608が設けられている。基材固定機構607は、薄膜605が形成されている例えばPTFE(ポリテトラフルオロエチレン)もしくはETFE(エチレンテトラフルオロエチレン)からなるシート状の基材606を、上プレート602と下プレート603との間に保持する。基材伸張機構608は、基材固定機構607より径が小さく基材固定機構607の内側に配置される押さえリングを備える。
なお、真空容器601の内部は、真空排気ポンプ609により減圧することを可能としている。
【0005】
以上に説明した薄膜形成装置の動作について説明する。まず、図6(a)に示すように、所定の温度状態とした上プレート602及び下プレート603を所定距離離間させた状態で、上プレート602に半導体基板604を装着する。また、基材固定機構607に薄膜605が形成されている基材606を展着する。このとき、基材606は、薄膜605の形成面を上プレート602の方向に向け、上プレート602と下プレート603との間に配置された状態とする。また、基材伸張機構608の押さえリングが、基材606上に配置された状態とする。この状態で、真空排気ポンプ609により真空容器601の内部を所定の圧力(真空度)に減圧する。
【0006】
つぎに、図6(b)に示すように、基材伸張機構608を動作させて押さえリングを下プレート603の方向に移動させ、基材606を伸張させる。次いで、下プレート603を上プレート602の方向に上昇させ、下プレート603の上面が基材606の薄膜605が形成されていない裏面に当接した状態とする。このとき、下プレート603の上面が基材606の裏面に当接した状態以上に、下プレート603を上昇させて基材606がより伸張した状態とする。
【0007】
この後、下プレート603と基材606(基材固定機構607)と基材伸張機構608とが所定の位置関係に達した時点で、基材固定機構607と基材伸張機構608及び下プレート603の位置関係を一定に保ったままこれらをさらに上昇させ、基材606上の薄膜605を上プレート602によって保持された半導体基板604に当接させる。このとき、下プレート603及び上プレート602は、各々の温度調節機構により所定の温度にしておく。
【0008】
ここで、下プレート603と上プレート602との間に荷重が加えられた状態とする。この当接させて所定の荷重を加えた状態を所定時間保持した後、上プレート602における半導体基板604の固定状態を解放し、この後、基材固定機構607と下プレート603とを下降させて荷重を解放し、半導体基板604より基材606を離間させ、半導体基板604に薄膜605が形成された状態を得る。
【0009】
例えば、上プレート602の温度を180℃程度とすれば、半導体基板604は180℃程度に加熱された状態となり、上述したように薄膜605が半導体基板604に圧着されたときに、薄膜605の半導体基板604に対する密着力が、所望の強度に得られる。一方、貼り合わせる前の薄膜605は、基材606を介して下プレート603により加熱されているが、この温度を120℃程度とあまり高温ではない状態としておけば、貼り合わせる前の薄膜605が硬化することなどによる接着力の低下が起こることがない。
【0010】
【特許文献1】
特開2001−135623号公報
【非特許文献1】
K.Machida et al.,“Novel Global Planarization Technology for Interlayer Dielectrics using Spin on Glass Film Transfer and Hot Pressing"J.Vac.Sci.Technol.B16(3),May/June,1093(1998)
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、下プレート603を上昇させて基材606の上の薄膜605を半導体基板604に当接させる過程で、下プレート603と基材606の間にわずかに残留していた気体は、真空容器601への逃げ道がなく、下プレート603と基材606の間に閉じ込められた状態となる。一方、この過程の最中においても、真空排気ポンプ609は真空排気を続けていて真空容器601内部の圧力は徐々に低下していく。この結果、図7(a)に示すように、下プレート603と基材606の間に形成された閉空間内部の気体は、基材606を上方に盛り上がらせてしまう。
【0012】
このように、下プレート603の上で基材606の中央部が盛り上がった状態で下プレート603が上昇を続ければ、基材606上の薄膜605が半導体基板604に当接するにあたって、薄膜605は中心部から半導体基板604に接する。最終的には、図7(b)に示すように、下プレート603は上プレート602に完全に押し付けられ、所定の荷重の加わった状態で停止する。
この後、前述したように、荷重を解放して上プレート602より半導体基板604を取り外し、半導体基板604より基材606を剥離すると、図8に示すように、転写不良が発生する。
【0013】
基材606の中央部が盛り上がった状態で半導体基板604に当接してから、薄膜605全域が半導体基板604に密着した場合、均一な接触状態が得られなくなり、例えば、図8(a),(b)に示すように、堅さや膜質の異なる領域605a,605bが、半導体基板604上に形成される場合がある。
本発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、基材とこれに当接されるプレートとの間に存在する気体の膨張による、プレート上での基材の盛り上がりを抑制し、転写不良などがない状態で、転写対象の基板全域に薄膜が転写できるようにすることを目的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る薄膜形成方法は、例えば真空容器内で、シート状の基材の表面に形成された薄膜を基板に転写する方法において、第1プレートに基板を固定する工程と、基材をこの裏面及び薄膜表面が開放された状態で薄膜が基板に対向するように基材固定機構に保持された状態とする工程と、基材固定機構と第1プレートとを近づけて、基材の主表面に形成された薄膜を基板に当接させる工程と、薄膜と基板とが当接した後、第1プレートに対向して配置された第2プレートの主表面を基材の裏面に当接させる工程と、第1プレートと第2プレートとの間に荷重を加えることで基板に当接した薄膜を基板に圧着する工程とを少なくとも備えるようにしたものである。
この方法によれば、基材の主表面に形成された薄膜が基板に当接するまでは、基材が下プレートに接触しない。
【0015】
また、本発明の他の形態に係る薄膜形成方法は、例えば真空容器内で、シート状の基材の表面に形成された薄膜を基板に転写する方法において、第1プレートに基板を固定する第1の工程と、基材をこの裏面及び薄膜表面が開放された状態で薄膜が基板に対向するように基材固定機構に保持された状態とする第2の工程と、機材固定機構に保持された基材を所定の張力で伸張した状態とする第3の工程と、第1プレートに対向して配置された第2プレートと基材固定機構とを近づけて、基材を伸張する所定の張力が第3の工程と実質的に変化しない状態で、第2プレートの主表面を基材の裏面に当接させる第4の工程と、基材と第2プレートとを互いに当接させた後、基材固定機構と第2プレートとの位置関係を保持したまま、基材固定機構及び第2プレートを同時に第1プレートの方向に移動させ、基材の主表面に形成された薄膜を基板に当接させる第5の工程と、第1プレートと第2プレートとの間に荷重を加えることで基板に当接した薄膜を基板に圧着する第6の工程とを少なくとも備えるようにしたものである。
この方法によれば、基材の主表面に形成された薄膜が基板に当接するまでは、基材が下プレートに押し付けられることがない。
【0016】
上記薄膜形成方法において、第5の工程では、所定の張力が実質的に変化しない状態で基材固定機構及び第2プレートを同時に第1プレートの方向に移動させるようにしてもよい。また、第5の工程では、所定の張力が実質的に変化しない状態で基材の主表面に形成された薄膜を基板に当接させるようにしてもよい。また、第4の工程では、第2プレートが当接すべき中央部より外方の基材の周辺部を押圧して伸張させることで、基材を所定の張力で伸張した状態としてもよい。
【0017】
本発明に係る薄膜形成装置は、例えば真空容器内で、シート状の基材の表面に形成された薄膜を基材に転写する装置において、基板を固定する第1プレートと、基材をこの裏面及び薄膜表面が開放された状態で薄膜が基板に対向するように保持する基材固定機構と、基材の裏面側に第1プレートに対向して配置された第2プレートと、第1プレートと基材固定機構のいずれかまたは両方を移動させて第1プレートと基材固定機構とを相対的に近づけて薄膜を基板に当接させる移動手段と、第1プレートに対して第2プレートを相対的に移動させて基材の裏面に第2プレートを当接させるとともに、第1プレートと第2プレートとの間に荷重を加えることで基板に当接した薄膜を基板に圧着するプレート駆動手段と、移動手段によって薄膜が第1プレートに当接させられたか否かを検出する検出手段と、検出手段によって薄膜が第1プレートに当接したことを検出した後に、基材の裏面に第2プレートを当接させるようにプレート駆動手段を制御する制御手段とを備えるようにしたものである。
【0018】
また、本発明に係る他の薄膜形成装置は、例えば真空容器内で、シート状の基材の表面に形成された薄膜を基材に転写する装置において、基板を固定する第1プレートと、基材をこの裏面及び薄膜表面が開放された状態で薄膜が基板に対向するように保持する基材固定機構と、基材の裏面側に第1プレートに対向して配置された第2プレートと、第1プレートに対して第2プレートを相対的に移動させて基材の裏面に第2プレートを当接させるとともに、第1プレートと第2プレートとの間に荷重を加えることで薄膜を基板に圧着するプレート駆動手段と、プレート駆動手段によって第2プレートを基材の裏面に当接させた後に薄膜を基板に当接させ、第2プレートが基材の裏面に当接するときに基材の張力が実質的に変化しないように制御し、この後、第1プレートと第2プレートとの間に荷重を加えるまで基材固定機構と第2プレートの位置関係を保持する張力制御手段とを備え、張力制御手段は、基材固定機構に保持された基材の張力を測定する張力測定手段と、この張力測定手段による測定結果に基づいて基材の張力を調整する張力調整手段とを備えるようにしたものである。
この薄膜形成装置によれば、基材固定機構に保持される基材の張力を測定した状態で、基材と基板とを押し付けることができる。
【0019】
上記薄膜形成装置において、張力調整手段は、基材固定機構によって保持された基材と第2プレートとの位置関係をプレート駆動手段を介して制御し、基材に対する第2プレートの押圧量を調整するものである。
【0020】
上記薄膜形成装置において、張力調整手段は、第2プレートが当接すべき中央部より外方の基材の周辺部を押圧して伸張させる基材伸張機構を備えるものである。また、張力制御手段は、所定の張力が実質的に変化しない状態で基材固定機構及び第2プレートを同時に第1プレートの方向に移動させるものである。また、張力制御手段は、所定の張力が実質的に変化しない状態で基材の主表面に形成された薄膜を基板に当接させるものである。
【0021】
また、上記薄膜形成装置において、基材伸張機構は、基材固定機構によって保持される基材より第1プレートの側に配置されているものである。また、基材伸張機構は、基材固定機構によって保持される基材より第2プレートの側に配置されているものである
【0022】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図を参照して説明する。
<実施の形態1>
はじめに、本発明の第1の実施の形態について説明する。図1,2は、本発明の薄膜形成方法を実施可能とするための薄膜形成装置の概略的な構成とともに、薄膜形成方法を説明するための工程図である。図1に示す薄膜形成装置は、まず、密閉可能な真空容器101と、真空容器101内の上部に固定された上プレート(第1のプレート)102と、上プレート102に対向して真空容器101内の下部に配置された下プレート(第2のプレート)103とを備えている。上プレート102には、半導体基板104が装着される。
【0023】
また、この薄膜形成装置は、転写対象の薄膜105が形成された基材106を展着する基材固定機構107と、枠状で断面が円形の基材伸張機構108とを備えている。基材伸張機構108は、下プレート103の上面より見たときに基材固定機構107と下プレート103との間の領域に配置される。
【0024】
基材固定機構107及び基材伸張機構108は、図1(a’)に示すように、円形の枠状に形成され、平面視円形の下プレート103と同様に、真空容器101内を上下に移動可能にされている。基材固定機構107,基材伸張機構108は、駆動装置(移動手段)109により、各々上下方向に移動する。図では、基材伸張機構108と駆動装置109との接続状態は示していない。また、基材固定機構107は、展着している基材106の張力を測定する張力測定機構(張力測定手段)を備える。なお、基材固定機構107,基材伸張機構108は、枠状に限るものではない。
【0025】
下プレート103は、プレート駆動装置110(プレート駆動手段)により上下方向に移動する。従って、プレート駆動装置110により、上プレート102に対して下プレート103が相対的に移動する。また、上プレート102は、真空容器101の上部に配置された荷重センサ111に連通し、上プレート102に加わる荷重が測定可能な状態とされている。
【0026】
駆動装置109及びプレート駆動装置110の動作は、制御部112により制御される。制御部112は、例えば、荷重センサ111が検出した上プレート102に対する荷重の状態や、基材固定機構107が備える張力測定機構の張力測定結果により、駆動装置109及びプレート駆動装置110の動作を制御する。
なお、上プレート102を下プレート103の方向に移動させるプレート駆動装置(プレート駆動手段)により、上プレート102に対して下プレート103を相対的に移動させるようにしてもよい。
【0027】
以下、本実施の形態における薄膜形成方法について説明する。まず、図1(a)に示すように、密閉可能な真空容器101内に配置された上プレート102の下面に、図示していない基板装着機構によって、主面を下方に向けて半導体基板104を固定する。図1において、上プレート102の下方を向いている平面は、下プレート103の上方を向いている平面と対向している。
【0028】
一方、塗布法などによって予め薄膜105が形成されている基材106を、薄膜105の形成面を上面(上プレート側)に向け、基材固定機構107に装着(展着)する。基材106は、例えばPTFE(ポリテトラフルオロエチレン)もしくはETFE(エチレンテトラフルオロエチレン)などの、可撓性を有し、また可塑性を有する有機材料からなるシートフィルムである。
【0029】
つぎに、真空排気ポンプ(真空排気手段)113の真空排気により真空容器101内の圧力を低下させるとともに、制御部112の制御により駆動装置109を動作させ、基材固定機構107及び基材伸張機構108を上方(上プレート側)に移動させる。このとき、図1(b)に示すように、基材伸張機構108が、基材固定機構107より下プレート103側に配置されているようにし、基材伸張機構108により基材106が伸張した状態とする。
【0030】
ここで、基材固定機構107が備えている図示しない張力測定機構により基材106の張力を測定し、測定した張力値が所定の値となるように、基材伸張機構108と基材固定機構107との位置関係を制御するようにしてもよい。この制御は、制御部112により行えばよい。
【0031】
つぎに、駆動装置109を動作させ、基材伸張機構108が基材固定機構107より下プレート103側に配置されている状態を保持したまま、基材固定機構107及び基材伸張機構108を上プレート側に移動(上昇)させる。ここで、薄膜105が半導体基板104に接触しない程度に基材固定機構107及び基材伸張機構108を上昇させる。
【0032】
また、制御部112の制御によりプレート駆動装置110を動作させ、下プレート103を基材106の裏面に接触しないように上昇させ、両プレートの温度により基材106及び薄膜105が加熱される状態とする。
この加熱状態により、例えば、基材106が可塑によりのびて基材106にシワなどが発生すれば、基材106における張力が低下するので、この状態が張力測定機構に検出される。張力測定機構による基材106の張力低下が検出されると、制御部112は駆動装置109を制御し、張力測定機構により測定される基材106の張力値が所定の値となるように、基材伸張機構108と基材固定機構107との位置関係を変更する。
【0033】
以上のようにすることで、基材106にシワなどが発生しない状態を保持し、基材固定機構107及び基材伸張機構108をより上昇させ、図2(a)に示すように、基材106上面に形成されている薄膜105の表面が、上プレート102に固定されている半導体基板104の主面に当接した状態とする。このとき、前述したように、基材106及び薄膜105は、予め各プレートの温度程度に加熱されているので、薄膜105が上プレート102に接触しても、薄膜105及び基材106には大きな温度変化が発生しない。
【0034】
このように、本実施の形態では、制御部112の制御により駆動装置109を動作させることで、まず、薄膜105と半導体基板104とを当接させるようにした。従って、この時点では、下プレート103が基材106には接触していない。また、このとき、基材106は、基材伸張機構108により引き延ばされ、シワなどが無く平坦な状態が得られている。従って、本実施の形態によれば、半導体基板104の主面のほぼ全域が、実質同時にかつ均一に薄膜105の表面と当接することになる。
【0035】
以上に説明したように、薄膜105が半導体基板104に接触した状態を得た後、制御部112の制御によりプレート駆動装置110を動作させて下プレート103を上昇させ、図2(b)に示すように、下プレート103を基材伸張機構108により伸張されている基材106の裏面に当接させる。次いで、プレート駆動装置110を動作させ、下プレート103を上プレート102の側に所定の荷重を加えて押し付けることで、半導体基板104に薄膜105を押し付ける。
【0036】
薄膜105が半導体基板104に接触した状態は、上プレート102に荷重が加わることにより荷重センサ111で検出される。接触状態が検出されたことを認知した制御部112が、プレート駆動装置110を動作させ、上述したように下プレート103を上昇させ、また、荷重を加えて押し上げる。
【0037】
このとき、上プレート102及び下プレート103は所定の温度とする。また、制御部112は、荷重センサ111により測定される下プレート103の上昇による上プレート102に加わる荷重が、所定の範囲内となるように、プレート駆動装置110を制御する。このようにして下プレート103を上プレート102の側に押し付けることで、所定の時間、半導体基板104の主面に薄膜105を押し付けて接着させる(圧着する)。
【0038】
上述した押し付ける状態を、例えば予め設定されている所定時間続けた後、制御部112は、プレート駆動装置110を制御し、下プレート103を下降させて下プレート103を上プレート102から離間させる。また、制御部112は、駆動装置109を制御し、基材固定機構107を下プレート103方向に下降させ、基材106を基材伸張機構108より離間させる。
【0039】
次いで、真空容器101の内圧を大気圧状態に戻し、また、上プレート102に対する半導体基板104の固定状態を解放し、基材106を基材固定機構107より取り外す。この後、例えば取り外した基材106を薄膜105,半導体基板104とともに、真空容器101内より取り出し、基材106より半導体基板104を離間させ、薄膜105より基材106を剥離し、半導体基板104上に薄膜105が形成(転写)された状態を得る。
【0040】
以上説明したように、本実施の形態では、基材106の上に形成されている薄膜105を半導体基板104に当接させた後、基材106の裏面に下プレート103を当接させるようにした。この結果、本実施の形態によれば、半導体基板104の全域に薄膜105が均一に接触した後、下プレート103と上プレート102とに挟まれて荷重が加えられるようになる。従って、本実施の形態によれば、下プレート103の上での基材106の盛り上がりなどが抑制されるようになり、均一な薄膜の転写が可能となる。
【0041】
なお、上述した実施の形態では、基材伸張機構108により基材106を伸張し、この後、基材106上の薄膜105を半導体基板104に接触(当接)させるようにしたが、これに限るものではない。基材固定機構107に装着された基材106を基材伸張機構108に接触させることなく、基材固定機構107を上昇させて基材106上の薄膜105を半導体基板104に接触させ、この後、下プレート103を基材106の裏面に当接させるようにしてもよい。このようにしても、下プレート103と基材106との間に閉空間が形成されるのを抑制できる。例えば、基材106や薄膜105を加熱しないなど、基材106が可塑によりのびることが無い場合、基材伸張機構108を用いる必要はない。
【0042】
<実施の形態2>
つぎに、本発明の他の形態について説明する。図1,2は、本発明の薄膜形成方法を実施可能とするための薄膜形成装置の概略的な構成とともに、薄膜形成方法を説明するための工程図である。本実施の形態では、図1(a)に示す薄膜形成装置により、所望の薄膜を半導体基板の上に形成するようにしたものである。
【0043】
図1に示す薄膜形成装置は、まず、密閉可能な真空容器101と、真空容器101内の上部に固定された上プレート(第1のプレート)102と、上プレート102に対向して真空容器101内の下部に配置された下プレート(第2のプレート)103とを備えている。上プレート102には、半導体基板104が装着される。
【0044】
また、この薄膜形成装置は、転写対象の薄膜105が形成された基材106を展着する基材固定機構107と、枠状で断面が円形の基材伸張機構108とを備えている。基材伸張機構108は、下プレート103の上面より見たときに基材固定機構107と下プレート103との間の領域に配置される。
【0045】
基材固定機構107及び基材伸張機構108は、図1(a’)に示すように、円形の枠状に形成され、平面視円形の下プレート103と同様に、真空容器101内を上下に移動可能にされている。基材固定機構107,基材伸張機構108は、駆動装置(移動手段)109により、各々上下方向に移動する。図では、基材伸張機構108と駆動装置109との接続状態は示していない。また、基材固定機構107は、展着している基材106の張力を測定する張力測定機構(張力測定手段)を備える。なお、基材固定機構107,基材伸張機構108は、枠状に限るものではない。
【0046】
下プレート103は、プレート駆動装置110(プレート駆動手段)により上下方向に移動する。従って、プレート駆動装置110により、上プレート102に対して下プレート103が相対的に移動する。また、上プレート102は、真空容器101の上部に配置された荷重センサ111に連通し、上プレート102に加わる荷重が測定可能な状態とされている。なお、上プレート102を下プレート103の方向に移動させるプレート駆動装置(プレート駆動手段)により、上プレート102に対して下プレート103を相対的に移動させるようにしてもよい。
【0047】
駆動装置109及びプレート駆動装置110の動作は、制御部112により制御される。制御部112は、荷重センサ111が検出した上プレート102に対する荷重の状態や、基材固定機構107が備える張力測定機構の張力測定結果により、駆動装置109及びプレート駆動装置110の動作を制御する。例えば、張力測定機構が測定している張力値が上昇した場合、制御部112は、この値が上昇する前の張力値に戻るように、駆動装置109とプレート駆動装置110を制御し、基材固定機構107,基材伸張機構108,及び,下プレート103の各々の位置関係を変更する。
【0048】
以下、張力測定機構の測定した張力値を反映した制御部112の制御による駆動装置109及びプレート駆動装置110の動作例について詳細に説明する。
まず、図1(a)に示すように、密閉可能な真空容器101内に配置された上プレート102の下面に、図示していない基板装着機構によって、主面を下方に向けて半導体基板104を固定する。図1において、上プレート102の下方を向いている平面は、下プレート103の上方を向いている平面と対向している。
【0049】
一方、塗布法などによって予め薄膜105が形成されている基材106を、薄膜105の形成面を上面(上プレート側)に向け、基材固定機構107に装着(展着)する。基材106は、例えばPTFE(ポリテトラフルオロエチレン)もしくはETFE(エチレンテトラフルオロエチレン)などの、可撓性を有し、また可塑性を有する有機材料からなるシートフィルムである。基材106を基材固定機構107に装着した時点(時刻0)においては、図3(a)に示すように、基材固定機構107は基材伸張機構108より下方に位置している。
【0050】
つぎに、真空排気ポンプ(真空排気手段)113の真空排気により真空容器101内の圧力を低下させるとともに、制御部112の制御により駆動装置109を動作させ、基材固定機構107を基材伸張機構108より上方(上プレート側)に移動させる。このことにより、時刻0より所定時間経過した時刻Aにおいては、図3(b)に示すように、基材固定機構107は基材伸張機構108より上方に配置し、基材106は基材伸張機構108により引き延ばされた状態となる。
【0051】
つぎに、時刻Bにおいて、図3(c)に示すように、制御部112の制御によりプレート駆動装置110を動作させ、下プレート103を上昇させて下プレート103の上面が基材106の裏面に接触しない程度に近設した状態とする。このことにより、プレートの温度で基材106及び薄膜105が加熱された状態となり、例えば、基材106が可塑によりのびて基材106にシワなどが発生する場合もある。このような場合、基材106における張力が低下するので、この状態が張力測定機構に検出される。
【0052】
このような場合、制御部112は、張力測定機構により測定される基材106の張力値が所定の値となるように、基材伸張機構108と基材固定機構107との位置関係を制御する。例えば、張力測定機構による基材106の張力低下が検出されると、制御部112は駆動装置109を制御し、張力測定機構により測定される基材106の張力値が所定の値となるように、基材伸張機構108と基材固定機構107との位置関係を変更する。
【0053】
次いで、時刻Cにおいて、図3(d)に示すように、下プレート103の上面を基材106の裏面に当接させる。このとき、本実施の形態では、張力測定機構が測定している基材106の張力値が上昇しないように、図3には示していない制御部112(図1)の制御によりプレート駆動装置110(図1)を動作させて下プレート103の配置を制御し、下プレート103の上面が基材106の下面に接触しているだけの状態とする。これらの状態は、図3(f)に示す張力値の変化を示す特性図において、実線で示される状態となる。
【0054】
このような状態では、基材106が下プレート103に押し付けられる力、言い換えると、下プレート103が基材106を突き上げる力が発生していないので、下プレート103の上面(平面)と基材106の裏面とにより閉空間が形成されることがない。従って、この状態を保持したまま、駆動装置109とプレート駆動装置110の動作を制御し、基材固定機構107(及び基材伸張機構108)を下プレート103とともに上昇させていけば、半導体基板104の主表面全域に、ほぼ同時に薄膜105の表面を接触させることが可能となる。
【0055】
この状態に対し、図3(e)に示すように、下プレート103が基材伸張機構108より上方に位置して基材106を突き上げる状態では、下プレート103の上面と基材106の裏面とにより閉空間が形成され、基材106の中央部の盛り上がりを招くこととなる。本実施の形態では、上述したことにより、図3(e)に示す状態が発生しないようにしたものである。
【0056】
図3(d)に示す状態で下プレート103を基材106に接触させた後、制御部112の制御により、基材固定機構107と基材伸張機構108とをこれらの所定の位置関係を保持したまま、駆動機構109により上プレート102の方向に上昇させる。同時に、制御部112に制御により、張力測定機構が測定している張力値が変化しない状態で、プレート駆動装置110により下プレート103を上昇させ、前述したように、半導体基板104の主表面全域に、ほぼ同時に薄膜105の表面を接触させる(図2(b))。
【0057】
この後、制御部112の制御によりプレート駆動装置110を動作させ、下プレート103を上プレート102の側に所定の荷重を加えて押し付けることで、半導体基板104に薄膜105を押し付ける。このとき、上プレート102及び下プレート103は所定の温度とする。また、荷重センサ111により上プレート102に加わる荷重を測定し、下プレート103の上昇による上プレート102に加わる荷重が、所定の範囲内となるように制御部112によりプレート駆動装置110を制御する。このようにして下プレート103を上プレート102の側に押し付けることで、所定の時間、半導体基板104の主面に薄膜105を押し付けて接着(圧着)させる。
【0058】
次いで、上プレート102に対する半導体基板104の固定状態を解放し、また、プレート駆動装置110により下プレート103を下降させ、下プレート103を上プレート102から離間させる。また、基材固定機構107を下プレート103方向に下降させ、基材106を基材伸張機構108より離間させる。次いで、真空容器101の内圧を大気圧状態に戻し、基材106を基材固定機構107より取り外す。この後、例えば取り外した基材106を薄膜105,半導体基板104とともに、真空容器101内より取り出し、基材106より半導体基板104を離間させ、薄膜105より基材106を剥離し、半導体基板104上に薄膜105が形成(転写)された状態を得る。
【0059】
以上説明したように、本実施の形態では、基材106と下プレート103とを接触させた後、張力測定機構による基材106の張力測定値が変化しないように、下プレート103と基材固定機構107との位置関係を制御してこれらを上昇させ、基材106上の薄膜105の表面を半導体基板104の主表面に当接させるようにした。
この結果、本実施の形態によれば、下プレート103と基材106との間に閉空間が形成されることなく、基材106上の薄膜105が半導体基板104に接触するようになる。
【0060】
このように、本実施の形態によれば、半導体基板104の全域に薄膜105が均一に接触した後、下プレート103と上プレート102とに挟まれて荷重が加えられるようになる。従って、本実施の形態によれば、下プレート103の上での基材106の盛り上がりなどが抑制されるようになり、均一な薄膜の転写が可能となる。
【0061】
<実施の形態3>
つぎに、本発明の他の形態について説明する。本実施の形態では、図1(a)に示す薄膜形成装置により薄膜を半導体基板上に形成するようにしたものである。まず、本実施の形態における薄膜形成装置について説明する。図1に示す薄膜形成装置は、まず、密閉可能な真空容器101と、真空容器101内の上部に固定された上プレート(第1のプレート)102と、上プレート102に対向して真空容器101内の下部に配置された下プレート(第2のプレート)103とを備えている。上プレート102には、半導体基板104が装着される。
【0062】
また、この薄膜形成装置は、転写対象の薄膜105が形成された基材106を展着する基材固定機構107と、枠状で断面が円形の基材伸張機構108とを備えている。基材伸張機構108は、下プレート103の上面より見たときに基材固定機構107と下プレート103との間の領域に配置される。
【0063】
基材固定機構107及び基材伸張機構108は、図1(a’)に示すように、円形の枠状に形成され、平面視円形の下プレート103と同様に、真空容器101内を上下に移動可能にされている。基材固定機構107,基材伸張機構108は、駆動装置(移動手段)109により、各々上下方向に移動する。図では、基材伸張機構108と駆動装置109との接続状態は示していない。また、基材固定機構107は、展着している基材106の張力を測定する張力測定機構(張力測定手段)を備える。なお、基材固定機構107,基材伸張機構108は、枠状に限るものではない。
【0064】
下プレート103は、プレート駆動装置110(プレート駆動手段)により上下方向に移動する。従って、プレート駆動装置110により、上プレート102に対して下プレート103が相対的に移動する。また、上プレート102は、真空容器101の上部に配置された荷重センサ111に連通し、上プレート102に加わる荷重が測定可能な状態とされている。なお、上プレート102を下プレート103の方向に移動させるプレート駆動装置(プレート駆動手段)により、上プレート102に対して下プレート103を相対的に移動させるようにしてもよい。
【0065】
駆動装置109及びプレート駆動装置110の動作は、制御部112により制御される。制御部112は、荷重センサ111が検出した上プレート102に対する荷重の状態や、基材固定機構107が備える張力測定機構の張力測定結果により、駆動装置109及びプレート駆動装置110の動作を制御する。例えば、張力測定機構が測定している張力値が上昇した場合、制御部112は、この値が上昇する前の張力値に戻るように、駆動装置109とプレート駆動装置110を制御し、基材固定機構107,基材伸張機構108,及び,下プレート103の各々の位置関係を変更する。
【0066】
以下、張力測定機構の測定した張力値とプレート駆動装置110の動作についてより詳細に説明する。
まず、図1(a)に示すように、密閉可能な真空容器101内に配置された上プレート102の下面に、図示していない基板装着機構によって、主面を下方に向けて半導体基板104を固定する。図1において、上プレート102の下方を向いている平面は、下プレート103の上方を向いている平面と対向している。
【0067】
一方、塗布法などによって予め薄膜105が形成されている基材106を、薄膜105の形成面を上プレート側に向け、基材固定機構107に装着(展着)する。基材106は、例えばPTFE(ポリテトラフルオロエチレン)もしくはETFE(エチレンテトラフルオロエチレン)などの、可撓性を有し、また可塑性を有する有機材料からなるシートフィルムである。基材106を基材固定機構107に装着した時点では、基材固定機構107は基材伸張機構108より下方に位置している。
【0068】
つぎに、真空排気ポンプ(真空排気手段)113の真空排気により真空容器101内の圧力を低下させるとともに、制御部112の制御により駆動装置109を動作させ、基材固定機構107を基材伸張機構108より上方(上プレート側)に移動させる。このことにより、基材固定機構107を基材伸張機構108より上方に移動させ、張力測定機構による基材106の張力測定値が所定の値となるまで基材106を基材伸張機構108により引き延ばす。このときの張力測定値を初期値とする。
【0069】
つぎに、図4(a)に示すように、制御部112の制御によりプレート駆動装置110を動作させ、下プレート103を上昇させてこの上面を基材106の裏面に接触させる。このとき、下プレート103は、基材106の裏面に接触する状態にまで上昇させるが、これ以上には上昇させない。例えば、下プレート103が基材106に接触したことにより張力測定機構で検出される張力測定値が、上述した初期値を超えることない範囲で下プレート103を上昇させる。
【0070】
ここで、下プレート103は所定温度に加熱されているので、下プレート103に接触した基材106及び薄膜105も加熱された状態となる。この結果、基材106が可塑によりのびて基材106にシワなどが発生する。この状態は、張力測定機構による張力測定値にも反映され、張力測定値が小さくなる。本実施の形態では、このような変化が発生した場合、張力測定機構の測定値が上述した初期値を保持するように、制御部112が駆動装置109を制御し、基材固定機構107と基材伸張機構108との位置関係を変更する。例えば、基材伸張機構108の位置は固定し、基材固定機構107を上方へ移動し、基材106の張力を上昇させ、張力測定機構の測定値が上述した初期値となるようにする。
【0071】
これらのことにより、基材106は、シワなどがない状態に充分に伸張した状態が維持される。また、基材伸張機構108と下プレート103との位置関係は一定としているので、下プレート103により基材106の一部が突き上げられることが無く、下プレート103と基材106との間に閉空間が形成されることもない。
【0072】
以上に示した状態で、制御部112の制御により駆動機構109を動作させ、基材固定機構107と基材伸張機構108とを、これらの所定の位置関係を保持したまま、上プレート102方向に上昇させる。同時に、制御部112の制御によりプレート駆動装置110を動作させ、張力測定機構が測定している張力値が変化しない状態で、下プレート103を上昇させ、前述したように、半導体基板104の主表面全域に、ほぼ同時に薄膜105の表面を接触させる(図4(b))。
【0073】
この後、制御部112の制御によりプレート駆動装置110を動作させ、下プレート103を上プレート102の側に所定の荷重を加えて押し付けることで、半導体基板104に薄膜105を押し付ける。このとき、上プレート102及び下プレート103は所定の温度とする。また、荷重センサ111により上プレート102に加わる荷重を測定し、下プレート103の上昇による上プレート102に加わる荷重が、所定の範囲内となるようにプレート駆動装置110を制御する。このようにして下プレート103を上プレート102の側に押し付けることで、所定の時間、半導体基板104の主面に薄膜105を押し付けて接着させる。
【0074】
次いで、上プレート102に対する半導体基板104の固定状態を解放し、また、プレート駆動装置110により下プレート103を下降させ、下プレート103を上プレート102から離間させる。また、基材固定機構107を下プレート103方向に下降させ、基材106を基材伸張機構108より離間させる。次いで、真空容器101の内圧を大気圧状態に戻し、基材106を基材固定機構107より取り外す。この後、例えば取り外した基材106を薄膜105,半導体基板104とともに、真空容器101内より取り出し、基材106より半導体基板104を離間させ、薄膜105より基材106を剥離し、半導体基板104上に薄膜105が形成(転写)された状態を得る。
【0075】
以上説明したように、本実施の形態では、基材106と下プレート103とを接触させた後、張力測定機構による基材106の張力測定値が変化しないように、駆動装置109を制御して基材固定機構107と基材伸張機構108との位置関係を変更するようにした。このようにして、下プレート103の上面に接触している基材106の張力を一定とした状態で、これらを同時に上昇させ、基材106の上に形成されている薄膜105の表面を半導体基板104の主表面に当接させるようにした。
【0076】
この結果、本実施の形態によれば、下プレート103と基材106との間に閉空間が形成されることなく、基材106上の薄膜105が半導体基板104に接触するようになる。この結果、半導体基板104の全域に薄膜105が均一に接触した後、下プレート103と上プレート102とに挟まれて荷重が加えられるようになる。従って、本実施の形態によれば、下プレート103の上での基材106の盛り上がりなどが抑制されるようになり、均一な薄膜の転写が可能となる。
【0077】
<実施の形態4>
つぎに、本発明の他の形態について説明する。本実施の形態では、図1(a)に示す薄膜形成装置により薄膜を半導体基板上に形成するようにしたものである。まず、本実施の形態における薄膜形成装置について説明する。図1に示す薄膜形成装置は、まず、密閉可能な真空容器101と、真空容器101内の上部に固定された上プレート(第1のプレート)102と、上プレート102に対向して真空容器101内の下部に配置された下プレート(第2のプレート)103とを備えている。上プレート102には、半導体基板104が装着される。
【0078】
また、この薄膜形成装置は、転写対象の薄膜105が形成された基材106を展着する基材固定機構107と、枠状で断面が円形の基材伸張機構108とを備えている。基材伸張機構108は、下プレート103の上面より見たときに基材固定機構107と下プレート103との間の領域に配置される。
【0079】
基材固定機構107及び基材伸張機構108は、図1(a’)に示すように、円形の枠状に形成され、平面視円形の下プレート103と同様に、真空容器101内を上下に移動可能にされている。基材固定機構107,基材伸張機構108は、駆動装置(移動手段)109により、各々上下方向に移動する。図では、基材伸張機構108と駆動装置109との接続状態は示していない。また、基材固定機構107は、展着している基材106の張力を測定する張力測定機構(張力測定手段)を備える。なお、基材固定機構107,基材伸張機構108は、枠状に限るものではない。
【0080】
下プレート103は、プレート駆動装置110(プレート駆動手段)により上下方向に移動する。従って、プレート駆動装置110により、上プレート102に対して下プレート103が相対的に移動する。また、上プレート102は、真空容器101の上部に配置された荷重センサ111に連通し、上プレート102に加わる荷重が測定可能な状態とされている。なお、上プレート102を下プレート103の方向に移動させるプレート駆動装置(プレート駆動手段)により、上プレート102に対して下プレート103を相対的に移動させるようにしてもよい。
【0081】
駆動装置109及びプレート駆動装置110の動作は、制御部112により制御される。制御部112は、荷重センサ111が検出した上プレート102に対する荷重の状態や、基材固定機構107が備える張力測定機構の張力測定結果により、駆動装置109及びプレート駆動装置110の動作を制御する。例えば、張力測定機構が測定している張力値が上昇した場合、制御部112は、この値が上昇する前の張力値に戻るように、プレート駆動装置110を動作させて下プレート103を下降させる。
【0082】
以下、本実施の形態における薄膜形成方法について説明する。まず、図1(a)に示すように、密閉可能な真空容器101内に配置された上プレート102の下面に、図示していない基板装着機構によって、主面を下方に向けて半導体基板104を固定する。図1において、上プレート102の下方を向いている平面は、下プレート103の上方を向いている平面と対向している。
【0083】
一方、塗布法などによって予め薄膜105が形成されている基材106を、薄膜105の形成面を上面(上プレート側)に向け、基材固定機構107に装着(展着)する。基材106は、例えばPTFE(ポリテトラフルオロエチレン)もしくはETFE(エチレンテトラフルオロエチレン)などの、可撓性を有し、また可塑性を有する有機材料からなるシートフィルムである。
【0084】
つぎに、真空排気ポンプ(真空排気手段)113の真空排気により真空容器101内の圧力を低下させるとともに、制御部112の制御により駆動装置109を動作させ、基材固定機構107を基材伸張機構108より上方(上プレート側)に移動させる。このことにより、基材固定機構107に展着されている基材106を、張力測定機構による基材106の張力測定値が所定の値となるまで引き延ばす。このときの張力測定値に着目し、これを例えば初期値とする。
【0085】
つぎに、基材伸張機構108が基材固定機構107より下プレート103側に配置され、張力測定機構による基材106の張力測定値が上記初期値である状態を保持したまま、駆動装置109を動作させて基材固定機構107及び基材伸張機構108を上プレート側に移動(上昇)させる。ここで、薄膜105が半導体基板104に接触しない程度に基材固定機構107及び基材伸張機構108を上昇させ、上プレート102の温度により基材106及び薄膜105が加熱される状態とする。
【0086】
この加熱状態により、例えば、基材106が可塑によりのびて基材106にシワなどが発生し、基材106における張力が低下するので、この状態が張力測定機構に検出される。ここで、本実施の形態では、張力測定機構により測定される基材106の張力値が、前述した初期値となるまで、制御部112の制御により、基材伸張機構108と基材固定機構107との位置関係を制御する。例えば、張力測定機構により測定される張力値が、前述した初期値となるまで、制御部112の制御により駆動装置109を動作させ、基材固定機構107を上昇させる。
【0087】
以上のようにすることで、基材106の張力を前述した初期値に保持した状態で、基材固定機構107及び基材伸張機構108をより上昇させ、図2(a)に示すように、基材106上面に形成されている薄膜105の表面が、上プレート102に固定されている半導体基板104の主面に当接した状態とする。このとき、前述したように、基材106及び薄膜105は、予め上プレート102の温度程度に加熱されているので、薄膜105が上プレート102に接触しても、薄膜105及び基材106には大きな温度変化が発生しない。
【0088】
このように、本実施の形態では、まず、薄膜105と半導体基板104とを当接させるようにした。従って、この時点では、下プレート103が基材106には接触していない。また、このとき、基材106は、制御部112により位置が制御された基材伸張機構108により引き延ばされ、シワなどが無く平坦な状態が得られている。従って、本実施の形態によれば、半導体基板104の主面のほぼ全域が、実質同時にかつ均一に薄膜105の表面と当接することになる。
【0089】
以上に説明したように、薄膜105が半導体基板104に接触した状態を得た後、制御部112の制御によりプレート駆動装置110を動作させて下プレート103を上昇させ、図2(b)に示すように、下プレート103を基材伸張機構108により伸張されている基材106の裏面に当接させる。さらに、プレート駆動装置110を動作させ、下プレート103を上プレート102の側に所定の荷重を加えて押し付けることで、半導体基板104に薄膜105を押し付ける。
【0090】
このとき、上プレート102及び下プレート103は所定の温度とする。また、荷重センサ111により上プレート102に加わる荷重を測定し、下プレート103の上昇による上プレート102に加わる荷重が、所定の範囲内となるようにプレート駆動装置110を制御する。このようにして下プレート103を上プレート102の側に押し付けることで、所定の時間、半導体基板104の主面に薄膜105を押し付けて接着させる。
【0091】
次いで、上プレート102に対する半導体基板104の固定状態を解放し、また、プレート駆動装置110により下プレート103を下降させ、下プレート103を上プレート102から離間させる。また、基材固定機構107を下プレート103方向に下降させ、基材106を基材伸張機構108より離間させる。次いで、真空容器101の内圧を大気圧状態に戻し、基材106を基材固定機構107より取り外す。この後、例えば取り外した基材106を薄膜105,半導体基板104とともに、真空容器101内より取り出し、基材106より半導体基板104を離間させ、薄膜105より基材106を剥離し、半導体基板104上に薄膜105が形成(転写)された状態を得る。
【0092】
以上説明したように、本実施の形態では、基材106を伸張し、測定される張力値を保持した状態で、基材106の上に形成されている薄膜105を半導体基板104に当接させた後、基材106の裏面に下プレート103を当接させるようにした。この結果、本実施の形態によれば、半導体基板104の全域に薄膜105が均一に接触した後、下プレート103と上プレート102とに挟まれて荷重が加えられるようになる。従って、本実施の形態によれば、下プレート103の上での基材106の盛り上がりなどが抑制されるようになり、均一な薄膜の転写が可能となる。
【0093】
ところで、上述した実施の形態では、基材伸張機構108は、基材固定機構107に装着されている基材106の上方に配置されているようにしたが、これに限るものではない。例えば、図5に示すように、基材伸張機構108が、基材固定機構107に装着されている基材106の下方に配置されているようにしてもよい。この場合、基材固定機構107に装着されている基材106は、駆動装置109により、基材伸張機構108を基材固定機構107より上プレート102の側に上昇させることで、伸張させることが可能となる。なお、図では、基材伸張機構108と駆動装置109との接続状態は示していない
【0094】
このように、基材伸張機構108を基材固定機構107に装着されている基材106の下方に配置する構成とすることで、下プレート103を上下方向に動作させるプレート駆動装置110,基材固定機構107や基材伸張機構108を上下方向に動作させる駆動機構109を、基材固定機構107に装着される基材106の下方に配置させることが可能となる。また、図5の薄膜形成装置では、基材伸張機構108は、基材106の薄膜105が形成されない裏面に接触するので、基材伸張機構108が薄膜材料により汚れることがない。
【0095】
また、基材伸張機構108と基材固定機構107との配置関係の変更による基材106の伸張は、上プレート102と下プレート103との間の空間の、いずれの位置でも行うことが可能である。
また、基材伸張機構108の断面形状は円形としたが、これに限るものではない。接触する基材106との間に、充分に滑りが発生する状態であればよい。
また、上記実施の形態では、半導体基板に薄膜を接着して転写するときに、これらを加熱するようにしたが、これに限るものではない。加熱せずに、荷重を加える圧着により半導体基板に基材上の薄膜を接着(転写)させるようにしてもよい。
【0096】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明では、基材固定機構に保持される基材の張力を測定した状態で、基材と基板とを押し付けることができるので、基材の主表面に形成された薄膜が基板に当接するまでは、基材が下プレートにより伸張されるように密着することがない。この結果、本発明によれば、基材とこれに当接されるプレートとの間に存在する気体の膨張によるプレート上での基材の盛り上がりを抑制し、転写不良などがない状態で、転写対象の基板全域に薄膜が転写できるようになるという優れた効果が得られる。
【0097】
また、本発明によれば、基材の主表面に形成された薄膜が基板に当接するまでは、基材が下プレートに押し付けられることがないので、基材とこれに当接されるプレートとの間に存在する気体の膨張による、プレート上での基材の盛り上がりを抑制し、転写不良などがない状態で、転写対象の基板全域に薄膜が転写できるようになるという優れた効果が得られる。
【0098】
また、本発明によれば、基材の主表面に形成された薄膜が基板に当接するまでは、基材が下プレートに接触しないので、基材とこれに当接されるプレートとの間に存在する気体の膨張による、プレート上での基材の盛り上がりを抑制し、転写不良などがない状態で、転写対象の基板全域に薄膜が転写できるようになるという優れた効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の薄膜形成装置の概略的な構成を示す構成図であり、また、薄膜形成方法を説明するための工程図である。
【図2】 本発明の薄膜形成装置の概略的な構成を示す構成図であり、また、薄膜形成方法を説明するための工程図である。
【図3】 本発明の薄膜形成装置により実現する薄膜形成方法を説明するための工程図である。
【図4】 本発明の薄膜形成方法を説明するための工程図である。
【図5】 本発明の他の形態における薄膜形成装置の概略的な構成を示す構成図である。
【図6】 従来よりある薄膜形成装置による薄膜形成方法を示す工程図である。
【図7】 従来よりある薄膜形成装置による薄膜形成方法を示す工程図である。
【図8】 従来の薄膜形成における問題点を示す説明図である。
【符号の説明】
101…真空容器、102…上プレート(第1のプレート)、103…下プレート(第2のプレート)、104…半導体基板、105…薄膜、106…基材、107…基材固定機構、108…基材伸張機構、110…プレート駆動装置、111…荷重センサ、112…制御部、113…真空排気ポンプ(真空排気手段)。
Claims (15)
- シート状の基材の表面に形成された薄膜を基板に転写する薄膜形成方法において、
第1プレートに前記基板を固定する工程と、
前記基材をこの裏面及び前記薄膜の表面が開放された状態で前記薄膜が前記基板に対向するように基材固定機構に保持された状態とする工程と、
前記基材固定機構と前記第1プレートとを近づけて、前記基材の主表面に形成された薄膜を前記基板に当接させる工程と、
前記薄膜と前記基板とが当接した後、前記第1プレートに対向して配置された第2プレートの主表面を前記基材の裏面に当接させる工程と、
前記第1プレートと前記第2プレートとの間に荷重を加えることで前記基板に当接した前記薄膜を前記基板に圧着する工程と
を少なくとも備えたことを特徴とする薄膜形成方法。 - シート状の基材の表面に形成された薄膜を基板に転写する薄膜形成方法において、
第1プレートに前記基板を固定する第1の工程と、
前記基材をこの裏面及び前記薄膜の表面が開放された状態で前記薄膜が前記基板に対向するように基材固定機構に保持された状態とする第2の工程と、
前記基材固定機構に保持された前記基材を所定の張力で伸張した状態とする第3の工程と、
前記第1プレートに対向して配置された第2プレートと前記基材固定機構とを近づけて、前記基材を伸張する前記所定の張力が前記第3の工程と実質的に変化しない状態で、前記第2プレートの主表面を前記基材の裏面に当接させる第4の工程と、
前記基材と前記第2プレートとを互いに当接させた後、前記基材固定機構と前記第2プレートとの位置関係を保持したまま、前記基材固定機構及び前記第2プレートを同時に前記第1プレートの方向に移動させ、前記基材の主表面に形成された前記薄膜を前記基板に当接させる第5の工程と、
前記第1プレートと前記第2プレートとの間に荷重を加えることで前記基板に当接した前記薄膜を前記基板に圧着する第6の工程と
を少なくとも備えたことを特徴とする薄膜形成方法。 - 請求項2記載の薄膜形成方法において、
前記第5の工程では、前記所定の張力が実質的に変化しない状態で前記基材の主表面に形成された薄膜を前記基板に当接させることを特徴とする薄膜形成方法。 - 請求項2または3記載の薄膜形成方法において、
前記第5の工程では、前記所定の張力が実質的に変化しない状態で前記基材固定機構及び前記第2プレートを同時に前記第1プレートの方向に移動させることを特徴とする薄膜形成方法。 - 請求項2〜4のいずれか1項に記載の薄膜形成方法において、
前記第4の工程では、前記第2プレートが当接すべき中央部より外方の前記基材の周辺部を押圧して伸張させることで、前記基材を前記所定の張力で伸張した状態とする
ことを特徴とする薄膜形成方法。 - シート状の基材の表面に形成された薄膜を基板に転写する薄膜形成装置において、
前記基板を固定する第1プレートと、
前記基材の表面及び裏面の少なくとも前記薄膜が形成されている領域が開放された状態で前記薄膜が前記基板に対向するように前記基材を保持する基材固定機構と、
前記基材の裏面側に前記第1プレートに対向して配置された第2プレートと、
前記第1プレートと前記基材固定機構のいずれかまたは両方を移動させて前記第1プレートと前記基材固定機構とを相対的に近づけて前記薄膜を前記基板に当接させる移動手段と、
前記第1プレートに対して前記第2プレートを相対的に移動させて前記基材の裏面に前記第2プレートを当接させるとともに、前記第1プレートと前記第2プレートとの間に荷重を加えることで前記基板に当接した前記薄膜を前記基板に圧着するプレート駆動手段と、
前記薄膜と前記基板とが当接した状態を検出する検出手段と、
前記検出手段によって前記薄膜が前記第1プレートに当接したことを検出した後に、前記基材の裏面に前記第2プレートを当接させるように前記プレート駆動手段を制御する制御手段と
を備えたことを特徴とする薄膜形成装置。 - シート状の基材の表面に形成された薄膜を基材に転写する薄膜形成装置において、
前記基板を固定する第1プレートと、
前記基材をこの裏面及び前記薄膜の表面が開放された状態で前記薄膜が前記基板に対向するように保持する基材固定機構と、
前記基材の裏面側に前記第1プレートに対向して配置された第2プレートと、
前記第1プレートに対して前記第2プレートを相対的に移動させて前記基材の裏面に前記第2プレートを当接させるとともに、前記第1プレートと前記第2プレートとの間に荷重を加えることで前記薄膜を前記基板に圧着するプレート駆動手段と、
前記プレート駆動手段によって前記第2プレートを前記基材の裏面に当接させた後に前記薄膜を前記基板に当接させ、前記第2プレートが前記基材の裏面に当接するときに前記基材の張力が実質的に変化しないように制御し、この後、前記第1プレートと前記第2プレートとの間に荷重を加えるまで前記基材固定機構と前記第2プレートの位置関係を保持する制御手段と
を備え、
前記制御手段は、
前記基材固定機構に保持された前記基材の張力を測定する張力測定手段と、
この張力測定手段による測定結果に基づいて前記基材の張力を調整する張力調整手段と
を備えることを特徴とする薄膜形成装置。 - 請求項7記載の薄膜形成装置において、
前記張力調整手段は、前記基材固定機構によって保持された前記基材と前記第2プレートとの位置関係を前記プレート駆動手段を介して制御し、前記基材に対する前記第2プレートの押圧量を調整するものである
ことを特徴とする薄膜形成装置。 - 請求項7または8記載の薄膜形成装置において、
前記張力調整手段は、前記第2プレートが当接すべき中央部より外方の前記基材の周辺部を押圧して伸張させる基材伸張機構を備えることを特徴とする薄膜形成装置。 - 請求項9記載の薄膜形成装置において、
前記基材伸張機構は、前記基材固定機構によって保持される基材より前記第1プレートの側に配置されているものである
ことを特徴とする薄膜形成装置。 - 請求項9記載の薄膜形成装置において、
前記基材伸張機構は、前記基材固定機構によって保持される基材より前記第2プレートの側に配置されているものである
ことを特徴とする薄膜形成装置。 - 請求項7〜11のいずれか1項に記載の薄膜形成装置において、
前記制御手段は、前記基材の張力が実質的に変化しない状態で前記基材固定機構及び前記第2プレートを同時に前記第1プレートの方向に移動させるものであることを特徴とする薄膜形成装置。 - 請求項7〜12のいずれか1項に記載の薄膜形成装置において、
前記制御手段は、前記基材固定機構によって前記基材が保持された状態から前記基材の 張力が実質的に変化しない状態で前記基材の主表面に形成された前記薄膜を前記基板に当接させるものである
ことを特徴とする薄膜形成装置。 - 請求項1〜5のいずれか1項に記載の薄膜形成方法において、
前記第1プレート,基材固定機構,第2プレートは、真空容器内に配置されていることを特徴とした薄膜形成方法。 - 請求項6〜13のいずれか1項に記載の薄膜形成装置において、
前記第1プレート,基材固定機構,第2プレートは、真空容器内に配置されていることを特徴とした薄膜形成装置。
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