JPH10189566A - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
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- JPH10189566A JPH10189566A JP22637497A JP22637497A JPH10189566A JP H10189566 A JPH10189566 A JP H10189566A JP 22637497 A JP22637497 A JP 22637497A JP 22637497 A JP22637497 A JP 22637497A JP H10189566 A JPH10189566 A JP H10189566A
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Abstract
を容易にかつ低コストで形成する。 【解決手段】 本発明にかかる薄膜形成装置は、薄膜形
成対象の基板(103)が載置されるとともに前記基板
を所定の温度で加熱する加熱機構(106)を備えた試
料台(102)と、前記試料台上方に対向配置され、表
面に薄膜が形成されたシートフィルムが装着される転写
板(105)と、前記試料台または前記転写板の少なく
とも一方を移動させ、前記試料台を前記転写板に所定の
時間押しつける加重機構(109)と、前記試料台およ
び前記転写板を内部に配置する薄膜形成室(101)
と、前記薄膜形成室内を真空排気する排気手段とを備
え、前記シートフィルム表面に形成した薄膜を基板に転
写するものである。
Description
しくは薄膜を基板に転写することにより表面が平坦な薄
膜を形成する薄膜形成装置に関するものである。
スパッタリング法、化学気相成長法、蒸着法、塗布法、
メッキ法などに大別することができる。薄膜形成を行い
たい基板の面積が小さい場合は、これらの方法のうちの
いずれかを選択すれば、およそ実現したい電子部品につ
いて対応可能であった。しかし、近年、半導体基板は、
例えば、8インチから12インチへと大口径化の一途を
辿っており、LSIの製造に用いるウエハの大口径化や
液晶パネルなどの大面積化に伴い、大口径化に適合した
薄膜形成法が必要となってきた。また、LSI製造技術
におけるの多層配線技術の分野においては、多層配線を
実現するために絶縁膜の表面を高い精度で平坦化する必
要があり、大口径化に加えて、薄膜形成における表面の
平坦化技術への要求も高まってきている。
として、 (1)SOG(Spin-On‐Glass)法やPIQ法(K.Sat
o,S.Harada,A.Saiki,T.Kitamura,T.Okubo,and K.Muka
i,"A Nove1 Planar MultilevelInterconnection Techno
logy Utilizing Polyimide",lEEE Trans.Part HybridPa
ckage.,"PHP‐9,176(1973)) (2)エッチバック法(P.Elikins,K.Reinhardt,and R.
Layer,"A planarization Process for double metal CM
OS using Spin-on Glass as aSacrificial Layer,"Proc
eeding of 3rd lnternational IEEE VMIC Conf.、100(19
86)) (3)リフトオフ法(K.Ehara,T.Morimoto,S.Muramoto,
and S.Matsuo,"Planar lnterconnection Technology fo
r LSI Fabrication UtilizingLift-off Process",J.Ele
ctrochem.Soc"Vol.131,No.2,419(1984)) などが検討された。
流動性を用いているために完全な平坦化を実現するのは
困難である。エッチバック法は、最も多く使われている
技術であるが、レジストと絶縁膜を同時にエッチングす
ることによるダスト発生の問題があり、ダスト管理の点
で容易な技術ではない。また、リフトオフ法は、使用す
るステンシル材がリフトオフ時に完全に溶解しないため
に、リフトオフできないなどの問題を生じ、制御性や歩
留りが不十分なため、実用化に至っていない。
Y.Ting等によりバイアススパッタ法が提案された(C.Y.
Ting,V.J.Vivalda and H.G.Schaefer,"Study of Planar
izedSputter‐Deposited ‐SiO2",J.Vac.Sci.Technol.1
5,1105(1978))。また、バイアス印加を用いてさらに微
細配線に適用するための方法として、1986年、K.Machi
da等によりバイアスECR法が提案された(K.Machida
andH.0ikawa,"SiO2 Planarization Technology with Bi
asing and ElectronCyclotron Resonance Plasma Depos
ition for SubmicronInterconnections,"J.Vac.Sci.Tec
hnol.B4,818(1986))。これらの方法は、成膜をスパッ
タ法やECRプラズマCVD法で行い、基板にrfバイ
アスを印加して、試料基板でスパッタリングを起こし、
その角度依存性を利用して凸部をエッチングしながら膜
形成を行い平坦化を実現するものである。これらの技術
の特徴として、膜質は低温で形成されても良質であるこ
と、平坦化プロセスが容易で簡単であるなどが挙げられ
る。しかし、スループットが低いことや素子へのダメー
ジの問題などがある。
平坦化法として、研磨法が提案された(W.J.Patrick,W.
L.Guthrie,C.L.Standley,P.M.Schiable,"Application o
f Chemical Mechanical Polishing to the Fabrication
of VLSI Circuit Interconnections",J.E1ectrochem.S
oc., Vol.138,No.6,June,1778(1991))。この研磨法
は、良好な平坦性が得られることで注目された技術では
あるが、絶縁膜の膜質が悪いと良好な研磨特性が得られ
ないために、低温で良質の絶縁膜が必要なことや研磨特
性が不安定などの問題がある。
従来技術を大口径の半導体基板に適用する場合、いずれ
も制御性の観点から表面の平坦性や膜厚の均一性の確保
が困難である。その結果、大口径化に対処するため複雑
な工程を追加しなければならず、コスト的に高くなると
いう問題があった。本発明は上記した従来の問題を解決
するためになされたもので、その主たる目的は、シート
フィルムに形成した薄膜を基板に転写することにより、
大口径の基板に対して高い平坦性をもつ薄膜を容易にか
つ低コストで形成できる薄膜形成装置を提供することに
ある。
めに、本発明にかかる薄膜形成装置は、薄膜形成対象の
基板が載置されるとともに前記基板を所定の温度で加熱
する加熱機構を備えた試料台と、前記試料台上方に対向
配置され、前記基板に形成する薄膜が表面に形成された
シートフィルムが装着される転写板と、前記試料台また
は前記転写板の少なくとも一方を移動させ、前記基板と
前記シートフィルム表面に形成された薄膜とが互いに当
接した状態で前記試料台を前記転写板に所定の時間押し
つける加重機構と、前記試料台および前記転写板を内部
に配置する薄膜形成室と、前記薄膜形成室内を真空排気
する排気手段とを備えたものである。本発明において
は、表面に薄膜を形成したシートフィルムを真空排気さ
れた薄膜形成室内において試料台上で加熱された上記基
板表面に押し付けることにより、前記薄膜が前記基板表
面に転写される。これによって、大口径の基板であって
もその表面に高い平坦性をもった薄膜を容易にかつ低コ
ストで形成することができる。
と転写板は平行であっても良いが、請求項2に記載され
た薄膜形成装置は、上記試料台または上記転写板のいず
れか一方が他方の平面に対して傾斜をもって対向配置さ
れたものである。また、請求項3に記載された薄膜形成
装置は、特に前記転写板が前記試料台の平面に対して傾
斜をもって対向配置されたものである。このような発明
においては、上記加重機構により上記試料台を上記転写
板に押しつけたときに、上記基板と上記薄膜が所定位置
で接触し始め、その接触面積が所定の方向に広がってい
くことになる。これによって、シートフィルム表面に形
成された薄膜を基板表面に転写する際に、薄膜より発生
するガスの抜け道を一方向に導き、前記基板と前記シー
トフィルムとの間に前記ガスがよどむことによる転写不
良を防止する。
板にシートフィルムを加熱する温度制御機構を備えたこ
とを特徴とする薄膜形成装置である。このような温度制
御機構により、シートフィルム表面に形成した薄膜から
の脱ガスを促進することが可能となり、薄膜の転写時の
脱ガスの結果発生する気泡による転写不良を改善するこ
とができる。さらに請求項8に記載された発明は、特
に、上記転写板に前記シートフィルムを冷却する冷却手
段とを備えたことを特徴とする薄膜形成装置である。本
発明においては、薄膜の転写後に上記シートフィルムを
冷却することにより、シートフィルムと薄膜界面で局所
的な収縮を促進してシートフィルムと薄膜の密着性を低
下させ、より容易に剥離することができる。
て図面を参照して説明する。図1は、この発明の第1の
実施の形態にかかる薄膜形成装置の構成を示す図であ
る。薄膜形成装置は、図1に示すように、真空排気可能
な薄膜形成室101の中に、ウエハ(基板)103を搭
載する試料台102と、試料台102を移動させるとき
の試料台支え板104、および試料台102上方に対向
配置された転写板105が収容されている。この薄膜形
成室101は、図1には図示しない真空排気手段によっ
て排気口101aから真空排気できるようになってい
る。
熱する加熱台102aとウエハ103を載置する石英か
らなるステージ102bとから構成されている。加熱台
102aは内部に加熱機構としてヒータ106を具備
し、このヒータ106はヒータ制御部107により制御
され、25〜300℃の間で加熱制御される。また、石
英は、ウエハ103を汚染する物質を含まないこと、お
よび加工性がよく、必要とする平坦性を容易に得られる
ことから、ウエハ103を載置するステージ102bの
材料として優れている。
写板105の方へ移動させるとともに、薄膜を形成する
場合にウエハ103に均一に加重をかけることを目的と
している。そのため、試料台102をバネ108で試料
台支え板104と結合し、転写板105に押し付けられ
たときに加重圧力が均一となるようにしている。この試
料台支え板104は、試料台102を平行に可動するた
めの支柱110により保持されており、薄膜形成室10
1の外部に設けた加重モータ109と加重駆動部109
aを介して直結されている。本実施の形態においては、
この加重モータ109を駆動させることで、加重として
20kgwまで試料台支え板104にかけることができ
る。
は、予め表面に薄膜が形成されたシートフィルム(図1
には図示せず)が、前記薄膜が試料台102を向いた状
態で装着される。図1には図示しないが、この転写板1
05のシートフィルムを固定する面には、平坦性を確保
するために研磨された石英板が設けられており、その石
英板の両端に、前記シートフィルムが固定される。転写
板105の背面の中央には受け棒111aが設けられ、
また、転写板105の支え棒112は、受け棒111a
を軸としてそれぞれ対称な位置に配置されている。対向
する試料台102が押上げられてきたときに、この転写
板105が受ける加重は受け棒111aを介して加重セ
ンサ111で検出される。この加重センサ111で加重
を測定した結果は加重制御部113に送られる。そし
て、加重制御部113は、加重センサ111の検出結果
に基づいて加重モータ109を制御し、加重のかけすぎ
などを防ぎつつ所定の時間加重をかけることができるよ
うにしている。
ムについて説明する。図2は、表面に薄膜となる絶縁膜
20を形成したシートフィルム10の断面図である。本
実施の形態では、シートフィルム10として熱可塑性樹
脂フィルムを用い、薄膜としては下記の「化1」で表さ
れるSOG材料のポリシラザンの1種または2種以上を
含むシリカ系絶縁膜形成用塗布液を用い、これをシート
フィルム10上に塗布することにより1μm以上の厚さ
で絶縁膜20を形成した。ここで、「化1」において、
R1 ,R2 ,R3 はそれぞれ独立した水素原子または炭
素原子1〜8のアルキル基、アリール基およびアルコキ
シル基である。
用いて絶縁膜を形成するウエハ103の断面を図3
(a)に示す。ウエハ103は、半導体基板9上に電極
配線21としてAl配線を形成した構造を有する。本実
施の形態においてこの電極配線21は、Alをスパッタ
法で5000オングストロームの膜厚に形成した後、フ
ォトリソグラフィ工程によりパターニングを行い、次
に、ドライエッチングにより加工を行った。
膜形成手順について説明する。本実施の形態において
は、図3(a)に示したウエハ103は電極配線21が
上を向くように試料台102の加熱部102b上に載置
される。また、試料台102の上方に対向配置された転
写板105には、図2に示したシートフィルム10が絶
縁膜20を試料台102に向けて装着される。
03に転写する際の本実施の形態の薄膜形成装置の動作
は以下のようなものである。 (1)まず、ヒータ制御部107より所望の温度でウエ
ハ103を加熱するようにヒータ106を制御する(図
3(b))。 (2)また、図1には図示しない真空排気手段によって
薄膜形成室101内が所望の真空度となるように真空排
気する。 (3)所望の真空度になった後、加重制御部113より
加重モータ109に信号が送られ、加重操作を開始す
る。これによって試料台102が試料台支え板104ご
と転写板105に向かって移動し、ウエハ103とシー
トフィルム10が当接する。 (4)加重モータ109によって加重を続け、加重セン
サ111によって所望の加重が検知されると、加重制御
部113は一定時間、その加重が継続されるように加重
モータ107を制御する(図3(b))。その間もウエ
ハ103は所定の温度となるように加熱されている。本
発明の実施において、真空度として10Torr以下に
設定し、薄膜転写は加重5Kg、加熱温度150°C、
加熱時間10分で行った。 (5)一連の加重操作が終了すると、加重の状態が零と
なるように加重制御部113は加重モータ109に信号
を送る。このとき真空排気も停止するように制御され
る。 (6)しかる後に絶縁膜20を挟んでシートフィルム1
0と一体となった状態のウエハ103を薄膜形成室10
1から取り出し、図3(c)に示すようにシートフィル
ム10を剥離することによって、図3(d)に示すよう
な絶縁膜20が形成されたウェハ103を得る。
剥離した後、さらに熱処理工程を実施して絶縁膜20を
焼成する。本実施の形態では、温度400°C、時間3
0分、水蒸気の雰囲気中で熱処理を行なった。その結
果、本発明の装置を用いることにより、図3(d)に示
すような表面が平坦な薄膜を形成することができた。最
終的に得られた絶縁膜20の膜厚は1.0μmであっ
た。
明する。図4は、本発明にかかる薄膜形成装置の第2の
実施の形態を示す構成図である。薄膜形成装置の真空排
気可能な薄膜形成室201の中には、図4に示すよう
に、ウエハ203を搭載する試料台202と、試料台2
02を移動させるときの試料台支え板204と、試料台
202と対向配置された転写板205が収容されてい
る。なお、薄膜形成室201は、図示していない排気手
段によって排気口201aより真空排気される。
同様、加熱台202aとウエハ203を載置する石英か
らなるステージ202bとから構成されている。加熱台
202aは内部に加熱機構としてヒータ206を具備
し、このヒータ206はヒータ制御部207により制御
され、25〜300℃の間で加熱制御される。
して試料台支え板204と結合している。これによって
試料台202を転写板205の方へ移動させ、薄膜を形
成する場合にウエハ203に加重をかけた時に加重圧力
が均一となるようになっている。試料台支え板204
は、試料台202を平行に可動するための支柱210に
より保持されている。なお、この支柱210は、図示さ
れていないが、試料台202の4角に配置されている。
さらに薄膜形成室201の外部に設けた加重モータ20
9と加重駆動部209aを介して直結され、この加重モ
ータ209を駆動させることで、加重として20kgw
まで試料台支え板204にかけることができる。
ートフィルムが装着される。転写板205のシートフィ
ルムを固定する面には、平坦性を確保するために研磨さ
れた石英板が設けられている。そして、その石英板の両
端に、シートフィルムが固定される。
重センサ211の受け棒211aが設けられており、対
向する試料台202が押し上げられてきたときに、この
転写板205が受ける加重が背面の受け棒211aを介
して加重センサ211で検出される。この加重センサ2
11で加わっている加重を測定していることで、加重の
かけすぎなどを防ぐことができる。
02平面に対して平行ではなく、傾斜をつけて保持され
ている。すなわち、転写板205の支え棒212は、受
け棒211aを軸としてそれぞれ対称な位置に配置し、
かつ、試料台支え板204から異なる距離に配置されて
いるようにした。本実施の形態では、転写板205を試
料台202平面に対して20度の傾きを持たせておい
た。なお、本実施の形態において、支え棒212は、薄
膜形成室201に固定されている転写板受け板205a
に固定されている。ただし、転写板205が斜めに固定
されていればよく、たとえば支え棒212を薄膜形成室
201壁面に直接固定するようにしてもよい。
に対して斜めに配置することで、試料台202が上昇し
て転写板205に押し付けたときに、ウエハ203とシ
ートフィルム(図4には図示せず)上に形成された薄膜
が、所定位置で接触し始め、その接触面積が所定の方向
に広がっていくことになる。たとえば、図4において
は、まず紙面左側より試料台202と転写板205とが
接触し、試料台202の上昇とともにその接触面が右方
向に広がっていくことになる。
とにより、転写板205表面にシートフィルムを配置し
た状態で、これに試料台支え板204を上昇させること
で試料台202上のウエハ203をシートフィルムに押
しつけるようにすれば、ウエハ203とシートフィルム
との間に発生するガスの抜ける方向が一定に保たれ、そ
のガスの抜け道を一方向に導くことができる。
写板205には、温度制御機構としてヒータ214と冷
却水路216が備えられている。このヒータ214は、
ヒータ制御部215の制御により加圧時に転写板205
を加熱することによってシートフィルムを加熱するよう
になっている。これによってシートフィルム表面に形成
した薄膜からの脱ガスを促進することが可能となり、転
写時の脱ガスの結果発生する気泡による転写不良を改善
することができる。なお、ヒータ214の加熱温度は、
25〜300℃の範囲で可能である。また、冷却水路2
16内に冷却水を通すことで転写板205を冷却するこ
とが可能である。このような冷却機構により転写後に冷
却すれば、シートフィルムと薄膜界面で局所的な収縮を
促進し、シートフィルムと薄膜の密着性を低下させ、よ
り容易に剥離することを可能とする。冷却機構がない場
合は、自然冷却により剥離を生じさせていたが、この冷
却機構を設けることにより剥離を意図的に制御して行う
ことが可能となり、かつ処理時間の短縮が可能となる。
なお、この冷却は、10〜25℃の範囲で温度制御が可
能である。
を用いた絶縁膜形成に関して以下に説明する。まず、本
実施の形態で用いたシートフィルム、前記シートフィル
ム上に形成される薄膜(絶縁膜)、およびウエハ203
の材料および構造は、上述した第1の実施の形態と同じ
とする。すなわち、本実施の形態においてもシートフィ
ルムとして熱可塑性合成樹脂フィルムを用い、図2に示
すように、このシートフィルム10の表面に上記化1に
示されるSOG材料のポリシラザンの1種または2種以
上を含むシリカ系絶縁膜形成用塗布液を塗布することに
より、薄膜(絶縁膜20)を膜厚1μm以上に形成し
た。また、前記絶縁膜20を転写する対象であるウエハ
203は、第1の実施の形態で説明したウエハ103と
同様、図3に示すような半導体基板9上に電極配線21
を形成したものとする。
うに試料台202上に載置する。また、図2に示したシ
ートフィルム10を絶縁膜20形成面が試料台202に
対向するように転写板205に装着した。なお、本実施
の形態では、転写板205を試料台202平面に対して
20度の傾きを持たせてある。
10Torr以下とし、また、ヒータ214を用いて転
写板205を加熱することで装着してあるシートフィル
ム22を110℃で5分間加熱した。このように、減圧
下で加熱することで、シートフィルム10表面に塗布形
成した絶縁膜20からの脱ガスを促進させ、その脱ガス
を有効に実施することができる。
6によってウエハ203を所定の温度で加熱する。つい
で、加重モータ209を動作させることで、試料台支え
板204および試料台202を上昇させ、ウエハ203
の電極配線21形成面をシートフィルム10の絶縁膜2
0形成面に押し当てた。このとき、転写板205は試料
台202に対して斜めに配置されているので、ウエハ2
03とシートフィルム上に形成された薄膜は所定位置で
接触し始め、その接触面積が所定の方向に広がっていく
ことになる。すなわち、図4において、まず紙面左側よ
り試料台202と転写板205とが接触し、試料台20
2の上昇とともにその接触面が右方向に広がっていき、
ウエハ203の全面がシートフィルム上の絶縁膜20と
圧着されることになる。このように、転写板205を傾
斜させたことにより、ウエハ203とシートフィルムと
の間に発生するガスの抜ける方向が一定に保たれ、その
ガスの抜け道を一方向に導くことができる。
に加重5kg重をかけて押しつけた状態で、加熱温度1
50℃として10分間保持した後、ヒータ214による
加熱を停止し、冷却水路216に冷却水を流すことで転
写板205を冷却する。このようにして転写板205を
約10℃にまで冷却し、シートフィルム10を冷却した
ことによって、約3分程度でシートフィルム10が絶縁
膜20をウエハ203上に残して剥離した。その結果、
シートフィルム10表面に形成されていた絶縁膜20
は、ウエハ203に転写された。
を加熱することでウエハ203を水蒸気の雰囲気中で約
400℃で30分間加熱して、転写された絶縁膜20を
焼成した。この結果、図3(b)に示すように、電極配
線21を含めたウエハ203表面に絶縁膜20が形成さ
れた。最終的に膜厚は1.0μmで表面が平坦な絶縁膜
20が得られた。
傾斜させるとして説明したが、試料台202を傾斜させ
ても良いことは言うまでもない。また、上記二つの実施
の形態では、モータを用いて加重するようにしている
が、これに限るものではなく、転写板と試料台との間に
加圧可能な機構であれば他の手段であっても良いことは
いうまでもない。また、ウエハを載置するステージに石
英を用いるようにしているが、これに限るものではな
い。ウエハ汚染防止対策の観点から、汚染源となる物質
を含まず、洗浄可能でかつ平坦性が確保できれば、他の
材質であっても良い。また、上記二つの実施の形態で
は、熱可塑性合成樹脂フィルムによるシートフィルムを
用いるようにしたが、これに限るものではなく、金属系
フィルムや平板などでもよいことはいうまでもない。ま
た、シートフィルムに絶縁膜を形成するようにしたが、
シートフィルム上に形成可能な薄膜であれば絶縁膜に限
るものではなく、他の薄膜、例えば金属系の薄膜を形成
してもよい。さらに、上記実施の形態では、半導体基板
に薄膜を形成する例であるが、これに限らず、電子部品
材料関係であればマルチチップモジュール等の実装関係
の基板や液晶関係の基板にも適用できることは言うまで
もない。
を形成したシートフィルムを基板表面に押し付けること
により、前記薄膜を前記基板表面に転写するようにした
ので、大口径の基板であってもその表面に高い平坦性を
もった薄膜を容易にかつ低コストで形成することができ
る。
た発明によれば、試料台または転写板のいずれか一方が
他方の平面に対して傾斜をもって対向配置したことによ
り、上記加重機構により上記試料台を上記転写板に押し
つけたときに、上記基板と上記薄膜が所定位置で接触し
始め、その接触面積が所定の方向に広がっていくことに
なる。これによって、シートフィルム表面に形成された
薄膜を基板表面に転写する際に、薄膜より発生するガス
の抜け道を一方向に導き、前記基板と前記シートフィル
ムとの間に前記ガスがよどむことによる転写不良を防止
することができる。
れば、転写板にシートフィルムを加熱する温度制御機構
を備えたことにより、シートフィルム表面に形成した薄
膜からの脱ガスを促進することが可能となり、薄膜の転
写時の脱ガスの結果発生する気泡による転写不良を改善
することができる。
ば、上記転写板にシートフィルムを加熱する加熱手段と
前記シートフィルムを冷却する冷却手段とを備えたこと
により、薄膜の転写後に上記シートフィルムを冷却して
シートフィルムと薄膜界面で局所的な収縮を促進してシ
ートフィルムと薄膜の密着性を低下させ、より容易に剥
離することができる。
装置の構成を示す図である。
である。
である。
装置の構成を示す図である。
膜、21…電極配線、101、201…薄膜形成室、1
01a、201a…排気口、102、202…試料台、
102a、202a…加熱台、102b、202b…ス
テージ、103、203…ウエハ、104、204…試
料台支え板、105、205…転写板、106、206
…ヒータ、107、207…ヒータ制御部、108、2
08…バネ、109、209…加重モータ、110、2
10…支柱、111、211…加重センサ、111a、
211a…受け棒、112、212…支え棒、113、
203…加重制御部、214…ヒータ、215…ヒータ
制御部、216…冷却水路。
Claims (9)
- 【請求項1】 薄膜形成対象の基板が載置されるととも
に前記基板を所定の温度で加熱する加熱機構を備えた試
料台と、 前記試料台上方に対向配置され、前記基板に形成する薄
膜が表面に形成されたシートフィルムが装着される転写
板と、 前記試料台または前記転写板の少なくとも一方を移動さ
せ、前記基板と前記シートフィルム表面に形成された薄
膜とが互いに当接した状態で前記試料台を前記転写板に
所定の時間押しつける加重機構と、 前記試料台および前記転写板を内部に配置する薄膜形成
室と、 前記薄膜形成室内を真空排気する排気手段とを備えたこ
とを特徴とする薄膜形成装置。 - 【請求項2】 請求項1に記載された薄膜形成装置にお
いて、 前記試料台または前記転写板のいずれか一方は他方の平
面に対して傾斜をもって対向配置され、 前記加重機構により前記試料台を前記転写板に押しつけ
たときに、前記基板と前記薄膜が、所定位置で接触し始
め、その接触面積が所定の方向に広がっていくことを特
徴とする薄膜形成装置。 - 【請求項3】 請求項1に記載された薄膜形成装置にお
いて、 前記転写板は、 前記試料台の平面に対して傾斜をもって対向配置され、 前記加重機構により前記試料台を前記転写板に押しつけ
たときに、前記基板と前記薄膜が、所定位置で接触し始
め、その接触面積が所定の方向に広がっていくことを特
徴とする薄膜形成装置。 - 【請求項4】 請求項1乃至請求項3のいずれかに記載
された薄膜形成装置において、 前記試料台に備えられた前記加熱機構は、 前記試料台に載置される前記基板を加熱する加熱手段
と、 前記加熱手段の加熱出力を制御する加熱制御手段とから
なることを特徴とする薄膜形成装置。 - 【請求項5】 請求項1乃至請求項4のいずれかに記載
された薄膜形成装置において、 前記加重機構は、 前記試料台を前記転写板に押しつける加重手段と、 前記加重手段の加重圧力を検出する加重検出手段と、 前記加重検出手段からの信号に基づいて前記試料台を前
記転写板に所定の時間押しつける加重制御手段とからな
ることを特徴とする薄膜形成装置。 - 【請求項6】 請求項5に記載された薄膜形成装置にお
いて、 前記加熱手段の出力を所定の温度に制御し、 前記薄膜形成室内を所定の真空度となるように前記排気
手段を動作させ、 前記加重検出手段からの信号に基づいて前記試料台を前
記転写板に所定の圧力で押しつけるように前記加重手段
を制御し、 所定の時間経過後に加重の状態が零となるように前記加
重手段を制御し、かつ排気が停止するように排気手段を
制御する制御機構を備えたことを特徴とする薄膜形成装
置。 - 【請求項7】 請求項1乃至請求項6のいずれかに記載
された薄膜形成装置において、 前記転写板は、 前記シートフィルムを加熱する温度制御機構を備えるこ
とを特徴とする薄膜形成装置。 - 【請求項8】 請求項7に記載された薄膜形成装置にお
いて、 前記温度制御機構は、 前記シートフィルムを加熱する加熱手段と前記シートフ
ィルムを冷却する冷却手段とからなることを特徴とする
薄膜形成装置。 - 【請求項9】 請求項1乃至請求項8のいずれかに記載
された薄膜形成装置において、 前記試料台の前記基板が載置される部分は石英から構成
されていることを特徴とする薄膜形成装置。
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JP8-288008 | 1996-10-30 | ||
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