JP2003183351A - 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 - Google Patents
液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置Info
- Publication number
- JP2003183351A JP2003183351A JP2001391194A JP2001391194A JP2003183351A JP 2003183351 A JP2003183351 A JP 2003183351A JP 2001391194 A JP2001391194 A JP 2001391194A JP 2001391194 A JP2001391194 A JP 2001391194A JP 2003183351 A JP2003183351 A JP 2003183351A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- epoxy resin
- group
- resin composition
- liquid epoxy
- liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
- C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
- C08G59/20—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the epoxy compounds used
- C08G59/22—Di-epoxy compounds
- C08G59/226—Mixtures of di-epoxy compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
- C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
- C08G59/20—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the epoxy compounds used
- C08G59/32—Epoxy compounds containing three or more epoxy groups
- C08G59/38—Epoxy compounds containing three or more epoxy groups together with di-epoxy compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
- H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12044—OLED
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31511—Of epoxy ether
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31511—Of epoxy ether
- Y10T428/31515—As intermediate layer
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【解決手段】 液状エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤
及び無機質充填剤を必須とし、上記液状エポキシ樹脂
が、１分子内に２官能基以下のエポキシ基を有する常温
で液状のエポキシ樹脂（ａ）と下記式（１）〜（４）の
１分子内に２官能基以上のエポキシ基を有する常温で固
体状のエポキシ樹脂（ｂ）とを（ａ）／（ｂ）＝９／１
〜１／４の重量比で含有し、この混合物の２５℃の粘度
が１０，０００ポイズ以下、かつこの組成物の靭性値Ｋ
1cが３．０以上である液状エポキシ樹脂組成物、及びこ
の硬化物で封止された半導体装置。 【化１】 （Ｒは水素原子、アルキル基又はフェニル基、Ｒ1〜Ｒ4
は水素原子又は一価炭化水素基、Ｒ’は水素原子、メチ
ル基又はエチル基、ｘは０〜１０、ｙは０〜６、ｚは１
以上の整数。） 【効果】 本発明の液状エポキシ樹脂組成物は、密着性
が良好であり、耐湿性の高い硬化物を与え、高温熱衝撃
に優れた半導体装置の封止材となり得る。
及び無機質充填剤を必須とし、上記液状エポキシ樹脂
が、１分子内に２官能基以下のエポキシ基を有する常温
で液状のエポキシ樹脂（ａ）と下記式（１）〜（４）の
１分子内に２官能基以上のエポキシ基を有する常温で固
体状のエポキシ樹脂（ｂ）とを（ａ）／（ｂ）＝９／１
〜１／４の重量比で含有し、この混合物の２５℃の粘度
が１０，０００ポイズ以下、かつこの組成物の靭性値Ｋ
1cが３．０以上である液状エポキシ樹脂組成物、及びこ
の硬化物で封止された半導体装置。 【化１】 （Ｒは水素原子、アルキル基又はフェニル基、Ｒ1〜Ｒ4
は水素原子又は一価炭化水素基、Ｒ’は水素原子、メチ
ル基又はエチル基、ｘは０〜１０、ｙは０〜６、ｚは１
以上の整数。） 【効果】 本発明の液状エポキシ樹脂組成物は、密着性
が良好であり、耐湿性の高い硬化物を与え、高温熱衝撃
に優れた半導体装置の封止材となり得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体封止用とし
て好適で、シリコンチップの素子表面（特に感光性ポリ
イミド、窒化膜、酸化膜）との密着性が非常に良好であ
り、耐湿性の高い硬化物を与え、特にリフロー温度２６
０℃以上の高温熱衝撃に対して優れた封止材となり得る
液状エポキシ樹脂組成物、及びこの組成物にて封止され
た半導体装置に関する。
て好適で、シリコンチップの素子表面（特に感光性ポリ
イミド、窒化膜、酸化膜）との密着性が非常に良好であ
り、耐湿性の高い硬化物を与え、特にリフロー温度２６
０℃以上の高温熱衝撃に対して優れた封止材となり得る
液状エポキシ樹脂組成物、及びこの組成物にて封止され
た半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】電気機
器の小型、軽量化、高機能化に伴い、半導体の実装方法
もピン挿入タイプから表面実装が主流になっている。ま
た、半導体素子の高集積化に伴い、ダイサイズの一辺が
１０ｍｍを超えるものもあり、ダイサイズの大型化が進
んできている。このような大型ダイを用いた半導体装置
では、半田リフロー時にダイと封止材にかかる応力が増
大し、封止材とダイ及び基板の界面で剥離が生じたり、
基板実装時にパッケージにクラックが入るといった問題
がクローズアップされてきている。更に近い将来に鉛含
有半田が使用できなくなることから鉛代替半田が多数開
発されている。この種の半田は、溶融温度が鉛含有の半
田より高くなることから、リフローの温度も２６０〜２
７０℃で検討されており、従来の液状エポキシ樹脂組成
物の封止材では、より一層の不良が予想される。このよ
うにリフローの温度が高くなると、従来においては何ら
問題のなかったフリップチップ型のパッケージもリフロ
ー時にクラックが発生したり、チップ界面、基板界面と
の剥離が発生するという重大な問題が起こるようになっ
た。
器の小型、軽量化、高機能化に伴い、半導体の実装方法
もピン挿入タイプから表面実装が主流になっている。ま
た、半導体素子の高集積化に伴い、ダイサイズの一辺が
１０ｍｍを超えるものもあり、ダイサイズの大型化が進
んできている。このような大型ダイを用いた半導体装置
では、半田リフロー時にダイと封止材にかかる応力が増
大し、封止材とダイ及び基板の界面で剥離が生じたり、
基板実装時にパッケージにクラックが入るといった問題
がクローズアップされてきている。更に近い将来に鉛含
有半田が使用できなくなることから鉛代替半田が多数開
発されている。この種の半田は、溶融温度が鉛含有の半
田より高くなることから、リフローの温度も２６０〜２
７０℃で検討されており、従来の液状エポキシ樹脂組成
物の封止材では、より一層の不良が予想される。このよ
うにリフローの温度が高くなると、従来においては何ら
問題のなかったフリップチップ型のパッケージもリフロ
ー時にクラックが発生したり、チップ界面、基板界面と
の剥離が発生するという重大な問題が起こるようになっ
た。
【０００３】本発明は、上記事情に鑑みなされたもの
で、シリコンチップの表面、特に感光性ポリイミド樹脂
や窒化膜との密着性に優れた硬化物を与え、吸湿後のリ
フローの温度が従来温度２４０℃付近から２６０〜２７
０℃に上昇しても不良が発生せず、更にＰＣＴ（１２０
℃／２．１ａｔｍ）などの高温多湿の条件下でも劣化せ
ず、−６５℃／１５０℃の温度サイクルにおいて数百サ
イクルを超えても剥離、クラックが発生しない半導体装
置の封止材となり得る液状エポキシ樹脂組成物、及びこ
の組成物の硬化物で封止された半導体装置を提供するこ
とを目的とする。
で、シリコンチップの表面、特に感光性ポリイミド樹脂
や窒化膜との密着性に優れた硬化物を与え、吸湿後のリ
フローの温度が従来温度２４０℃付近から２６０〜２７
０℃に上昇しても不良が発生せず、更にＰＣＴ（１２０
℃／２．１ａｔｍ）などの高温多湿の条件下でも劣化せ
ず、−６５℃／１５０℃の温度サイクルにおいて数百サ
イクルを超えても剥離、クラックが発生しない半導体装
置の封止材となり得る液状エポキシ樹脂組成物、及びこ
の組成物の硬化物で封止された半導体装置を提供するこ
とを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】本
発明者は、上記目的を達成するために鋭意検討を重ねた
結果、液状エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤及び無機
質充填材を必須成分とするエポキシ樹脂組成物におい
て、上記液状エポキシ樹脂が、１分子内に２官能基以下
のエポキシ基を含有する常温で液状であるエポキシ樹脂
（ａ）と、下記一般式（１）〜（４）で表される１分子
内に２官能基以上のエポキシ基を含有する常温で固体状
であるエポキシ樹脂の少なくとも１種（ｂ）とをエポキ
シ樹脂（ａ）／エポキシ樹脂（ｂ）の重量比が９／１〜
１／４の範囲となるように含有し、このエポキシ樹脂混
合物の２５℃における粘度がＥ型粘度計において１０，
０００ポイズ以下であり、かつこの組成物の靭性値Ｋ1c
が３．０以上となるように配合することにより、シリコ
ンチップの表面、特に感光性ポリイミド樹脂や窒化膜と
の密着性に優れ、ＰＣＴ（１２０℃／２．１ａｔｍ）な
どの高温多湿の条件下でも劣化せず、熱衝撃に対して優
れており、特に大型ダイサイズの半導体装置の封止材と
して有効であることを知見した。
発明者は、上記目的を達成するために鋭意検討を重ねた
結果、液状エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤及び無機
質充填材を必須成分とするエポキシ樹脂組成物におい
て、上記液状エポキシ樹脂が、１分子内に２官能基以下
のエポキシ基を含有する常温で液状であるエポキシ樹脂
（ａ）と、下記一般式（１）〜（４）で表される１分子
内に２官能基以上のエポキシ基を含有する常温で固体状
であるエポキシ樹脂の少なくとも１種（ｂ）とをエポキ
シ樹脂（ａ）／エポキシ樹脂（ｂ）の重量比が９／１〜
１／４の範囲となるように含有し、このエポキシ樹脂混
合物の２５℃における粘度がＥ型粘度計において１０，
０００ポイズ以下であり、かつこの組成物の靭性値Ｋ1c
が３．０以上となるように配合することにより、シリコ
ンチップの表面、特に感光性ポリイミド樹脂や窒化膜と
の密着性に優れ、ＰＣＴ（１２０℃／２．１ａｔｍ）な
どの高温多湿の条件下でも劣化せず、熱衝撃に対して優
れており、特に大型ダイサイズの半導体装置の封止材と
して有効であることを知見した。
【０００５】
【化５】
（式中、Ｒは水素原子、炭素数１〜４のアルキル基及び
フェニル基の中から選択される同一もしくは異なる基で
ある。ｘは０〜１０である。）
フェニル基の中から選択される同一もしくは異なる基で
ある。ｘは０〜１０である。）
【化６】
（式中、Ｒ1は水素原子又は炭素数１〜６の一価炭化水
素基である。Ｒ’は水素原子、メチル基又はエチル基で
ある。ｙは０〜６の整数である。）
素基である。Ｒ’は水素原子、メチル基又はエチル基で
ある。ｙは０〜６の整数である。）
【化７】
（ｚは１以上の整数である。）
【化８】
（式中、Ｒ1〜Ｒ4は水素原子又は炭素数１〜６の一価炭
化水素基である。）
化水素基である。）
【０００６】即ち、上記１分子内に２官能基以上のエポ
キシ基を含有する常温で固体状であるエポキシ樹脂
（ｂ）は、半導体封止材としては公知であるが、単独で
は、液状ではなく、たとえ液状エポキシ樹脂と混合して
も、硬化物が脆く、粘度が高いため、液状エポキシ組成
物としての封止材としては殆ど使用されていない。しか
し、これを上記液状エポキシ樹脂（ａ）と併用すると共
に、これら特定のエポキシ樹脂の配合割合を限定し、好
ましくは硬化物が強靭になるような特定の酸無水物硬化
剤と併用することにより、密着性が増し、かつ熱衝撃性
が著しく向上し、高温多湿下でも優れた特性を得ること
が可能となり、特に大型ダイサイズの半導体装置の封止
材として有効となり得ることを見出し、本発明をなすに
至ったものである。
キシ基を含有する常温で固体状であるエポキシ樹脂
（ｂ）は、半導体封止材としては公知であるが、単独で
は、液状ではなく、たとえ液状エポキシ樹脂と混合して
も、硬化物が脆く、粘度が高いため、液状エポキシ組成
物としての封止材としては殆ど使用されていない。しか
し、これを上記液状エポキシ樹脂（ａ）と併用すると共
に、これら特定のエポキシ樹脂の配合割合を限定し、好
ましくは硬化物が強靭になるような特定の酸無水物硬化
剤と併用することにより、密着性が増し、かつ熱衝撃性
が著しく向上し、高温多湿下でも優れた特性を得ること
が可能となり、特に大型ダイサイズの半導体装置の封止
材として有効となり得ることを見出し、本発明をなすに
至ったものである。
【０００７】従って、本発明は、液状エポキシ樹脂、硬
化剤、硬化促進剤及び無機質充填剤を必須成分とするエ
ポキシ樹脂組成物において、上記液状エポキシ樹脂が、
１分子内に２官能基以下のエポキシ基を含有する常温で
液状であるエポキシ樹脂（ａ）と、上記一般式（１）〜
（４）で表される１分子内に２官能基以上のエポキシ基
を含有する常温で固体状であるエポキシ樹脂の少なくと
も１種（ｂ）とをエポキシ樹脂（ａ）／エポキシ樹脂
（ｂ）の重量比が９／１〜１／４の範囲で含有し、この
エポキシ樹脂混合物の２５℃における粘度がＥ型粘度計
において１０，０００ポイズ以下であり、かつこの組成
物の靭性値Ｋ1cが３．０以上であることを特徴とする液
状エポキシ樹脂組成物、及びこの液状エポキシ樹脂組成
物の硬化物で封止された半導体装置を提供する。
化剤、硬化促進剤及び無機質充填剤を必須成分とするエ
ポキシ樹脂組成物において、上記液状エポキシ樹脂が、
１分子内に２官能基以下のエポキシ基を含有する常温で
液状であるエポキシ樹脂（ａ）と、上記一般式（１）〜
（４）で表される１分子内に２官能基以上のエポキシ基
を含有する常温で固体状であるエポキシ樹脂の少なくと
も１種（ｂ）とをエポキシ樹脂（ａ）／エポキシ樹脂
（ｂ）の重量比が９／１〜１／４の範囲で含有し、この
エポキシ樹脂混合物の２５℃における粘度がＥ型粘度計
において１０，０００ポイズ以下であり、かつこの組成
物の靭性値Ｋ1cが３．０以上であることを特徴とする液
状エポキシ樹脂組成物、及びこの液状エポキシ樹脂組成
物の硬化物で封止された半導体装置を提供する。
【０００８】以下、本発明につき更に詳しく説明する。
本発明の半導体封止材（液状エポキシ樹脂組成物）にお
いて、１分子内に２官能基以下のエポキシ基を含有する
常温で液状であるエポキシ樹脂（ａ）は、１分子内に２
官能基以下のエポキシ基を含有する常温で液状であるエ
ポキシ樹脂なら、いかなるものでも使用可能であるが、
２５℃における粘度が２，０００ポイズ以下、特に５０
０ポイズ以下のものが好ましく、特に、ビスフェノール
Ａ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂等
のビスフェノール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキ
シ樹脂、フェニルグリシジルエーテルなどが挙げられ、
この中でも室温で液状のエポキシ樹脂が望ましい。これ
らのエポキシ樹脂には、下記構造で示されるエポキシ樹
脂を浸入性に影響を及ぼさない範囲で添加しても何ら問
題はない。
本発明の半導体封止材（液状エポキシ樹脂組成物）にお
いて、１分子内に２官能基以下のエポキシ基を含有する
常温で液状であるエポキシ樹脂（ａ）は、１分子内に２
官能基以下のエポキシ基を含有する常温で液状であるエ
ポキシ樹脂なら、いかなるものでも使用可能であるが、
２５℃における粘度が２，０００ポイズ以下、特に５０
０ポイズ以下のものが好ましく、特に、ビスフェノール
Ａ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂等
のビスフェノール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキ
シ樹脂、フェニルグリシジルエーテルなどが挙げられ、
この中でも室温で液状のエポキシ樹脂が望ましい。これ
らのエポキシ樹脂には、下記構造で示されるエポキシ樹
脂を浸入性に影響を及ぼさない範囲で添加しても何ら問
題はない。
【０００９】
【化９】
【００１０】本発明の特徴的成分である上記エポキシ樹
脂（ａ）と併用するエポキシ樹脂（ｂ）は、下記一般式
（１）〜（４）で表される１分子内に２官能基以上のエ
ポキシ基を含有する常温で固体状であるエポキシ樹脂で
あり、これらは１種を単独で、又は２種以上を併用して
用いることができる。
脂（ａ）と併用するエポキシ樹脂（ｂ）は、下記一般式
（１）〜（４）で表される１分子内に２官能基以上のエ
ポキシ基を含有する常温で固体状であるエポキシ樹脂で
あり、これらは１種を単独で、又は２種以上を併用して
用いることができる。
【００１１】
【化１０】
（式中、Ｒは水素原子、及び炭素数１〜４のアルキル基
及びフェニル基の中から選択される同一もしくは異なる
基でである。ｘは０〜１０である。）
及びフェニル基の中から選択される同一もしくは異なる
基でである。ｘは０〜１０である。）
【化１１】
（式中、Ｒ1は水素原子又はメチル基、エチル基、プロ
ピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル
基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基等の
アルキル基などに代表される炭素数１〜６の一価炭化水
素基である。Ｒ’は水素原子、メチル基又はエチル基で
あり、好ましくは水素原子である。また、ｙは０〜６の
整数である。）
ピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル
基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基等の
アルキル基などに代表される炭素数１〜６の一価炭化水
素基である。Ｒ’は水素原子、メチル基又はエチル基で
あり、好ましくは水素原子である。また、ｙは０〜６の
整数である。）
【化１２】
（ｚは１以上の整数であり、通常１〜５である。）
【化１３】
（式中、Ｒ1〜Ｒ4は水素原子又はメチル基、エチル基、
プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチ
ル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基等
のアルキル基などに代表される炭素数１〜６の一価炭化
水素基である。）
プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチ
ル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基等
のアルキル基などに代表される炭素数１〜６の一価炭化
水素基である。）
【００１２】上記一般式（１）〜（４）で表される１分
子内に２官能基以上のエポキシ基を含有する常温で固体
状であるエポキシ樹脂（ｂ）としては、例えば上記一般
式（１）で表されるエポキシ樹脂としてＮＣ３０００Ｐ
（日本化薬製）、上記一般式（２）で表されるエポキシ
樹脂としてＥＰＰＮ５０１（日本化薬製）、上記一般式
（３）で表されるエポキシ樹脂としてＸＤ−１０００Ｌ
（日本化薬製）が例示される。
子内に２官能基以上のエポキシ基を含有する常温で固体
状であるエポキシ樹脂（ｂ）としては、例えば上記一般
式（１）で表されるエポキシ樹脂としてＮＣ３０００Ｐ
（日本化薬製）、上記一般式（２）で表されるエポキシ
樹脂としてＥＰＰＮ５０１（日本化薬製）、上記一般式
（３）で表されるエポキシ樹脂としてＸＤ−１０００Ｌ
（日本化薬製）が例示される。
【００１３】上記１分子内に２官能基以下のエポキシ基
を含有する常温で液状であるエポキシ樹脂（ａ）と、一
般式（１）〜（４）で表される１分子内に２官能基以上
のエポキシ基を含有する常温で固体状であるエポキシ樹
脂（ｂ）との配合比は、一般式（１）〜（４）で表され
る１分子内に２官能基以上のエポキシ基を含有する常温
で固体状であるエポキシ樹脂（ｂ）が、エポキシ樹脂全
体に対して１０〜８０重量％であり、２０〜５０重量％
であることが望ましい。１０重量％未満であると、密着
性、強靭性が低下し、８０重量％を超える量であると粘
度が上昇し、作業性が著しく低下する。
を含有する常温で液状であるエポキシ樹脂（ａ）と、一
般式（１）〜（４）で表される１分子内に２官能基以上
のエポキシ基を含有する常温で固体状であるエポキシ樹
脂（ｂ）との配合比は、一般式（１）〜（４）で表され
る１分子内に２官能基以上のエポキシ基を含有する常温
で固体状であるエポキシ樹脂（ｂ）が、エポキシ樹脂全
体に対して１０〜８０重量％であり、２０〜５０重量％
であることが望ましい。１０重量％未満であると、密着
性、強靭性が低下し、８０重量％を超える量であると粘
度が上昇し、作業性が著しく低下する。
【００１４】これらのエポキシ樹脂の混合方法は、例え
ば上記１分子内に２官能基以下のエポキシ基を含有する
常温で液状であるエポキシ樹脂（ａ）と上記一般式
（１）〜（４）で表される１分子内に２官能基以上のエ
ポキシ基を含有する常温で固体状であるエポキシ樹脂
（ｂ）とを同時に又は別々に８０〜１２０℃の範囲で加
熱処理を加えながら、撹拌、溶解、混合、分散させる。
これらの混合、撹拌、分散等の装置は、特に限定されな
いが、撹拌、加熱装置を備えたプラネタリーミキサー等
を用いることができる。
ば上記１分子内に２官能基以下のエポキシ基を含有する
常温で液状であるエポキシ樹脂（ａ）と上記一般式
（１）〜（４）で表される１分子内に２官能基以上のエ
ポキシ基を含有する常温で固体状であるエポキシ樹脂
（ｂ）とを同時に又は別々に８０〜１２０℃の範囲で加
熱処理を加えながら、撹拌、溶解、混合、分散させる。
これらの混合、撹拌、分散等の装置は、特に限定されな
いが、撹拌、加熱装置を備えたプラネタリーミキサー等
を用いることができる。
【００１５】また、本発明においては、このエポキシ樹
脂混合物（液状エポキシ樹脂（ａ）とエポキシ樹脂
（ｂ）の混合物）の２５℃における粘度が、Ｅ型粘度計
において１０，０００ポイズ以下であることが望まし
く、好ましくは、７，０００ポイズ以下であることが望
ましい。１０，０００ポイズを超えると最終組成物の粘
度が上昇し、作業性が著しく低下する場合がある。
脂混合物（液状エポキシ樹脂（ａ）とエポキシ樹脂
（ｂ）の混合物）の２５℃における粘度が、Ｅ型粘度計
において１０，０００ポイズ以下であることが望まし
く、好ましくは、７，０００ポイズ以下であることが望
ましい。１０，０００ポイズを超えると最終組成物の粘
度が上昇し、作業性が著しく低下する場合がある。
【００１６】上記エポキシ樹脂混合物中の全塩素含有量
は、１，５００ｐｐｍ以下、望ましくは１，０００ｐｐ
ｍ以下であることが好ましい。また、１００℃で５０％
エポキシ樹脂濃度における２０時間での抽出水塩素が１
０ｐｐｍ以下であることが好ましい。全塩素含有量が
１，５００ｐｐｍを超え、又は抽出水塩素が１０ｐｐｍ
を超えると半導体素子の信頼性、特に耐湿性に悪影響を
与えるおそれがある。
は、１，５００ｐｐｍ以下、望ましくは１，０００ｐｐ
ｍ以下であることが好ましい。また、１００℃で５０％
エポキシ樹脂濃度における２０時間での抽出水塩素が１
０ｐｐｍ以下であることが好ましい。全塩素含有量が
１，５００ｐｐｍを超え、又は抽出水塩素が１０ｐｐｍ
を超えると半導体素子の信頼性、特に耐湿性に悪影響を
与えるおそれがある。
【００１７】次に、本発明に使用する硬化剤は、エポキ
シ樹脂と反応するものであれば特に限定されないが、好
ましくは酸無水物系硬化剤が望ましい。酸無水物系硬化
剤としては、例えば、メチルテトラヒドロ無水フタル
酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無
水フタル酸、無水メチルハイミック酸、ピロメリット酸
二無水物、マレイン化アロオシメン、ベンゾフェノンテ
トラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ビフェ
ニルテトラビスベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水
物、（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水
物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）メタン二無
水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）
プロパン二無水物、３，４−ジメチル−６−（２−メチ
ル−１−プロぺニル）−１，２，３，６−テトラハイド
ロフタル酸及び１−イソプロピル−４−メチル−バイサ
クロ［２．２．２］オクト−５−エン−２，３−ジカル
ボン酸の混合物などが挙げられる。
シ樹脂と反応するものであれば特に限定されないが、好
ましくは酸無水物系硬化剤が望ましい。酸無水物系硬化
剤としては、例えば、メチルテトラヒドロ無水フタル
酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無
水フタル酸、無水メチルハイミック酸、ピロメリット酸
二無水物、マレイン化アロオシメン、ベンゾフェノンテ
トラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ビフェ
ニルテトラビスベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水
物、（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水
物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）メタン二無
水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）
プロパン二無水物、３，４−ジメチル−６−（２−メチ
ル−１−プロぺニル）−１，２，３，６−テトラハイド
ロフタル酸及び１−イソプロピル−４−メチル−バイサ
クロ［２．２．２］オクト−５−エン−２，３−ジカル
ボン酸の混合物などが挙げられる。
【００１８】本発明においては、特に、３，４−ジメチ
ル−６−（２−メチル−１−プロぺニル）−１，２，
３，６−テトラハイドロフタル酸及び１−イソプロピル
−４−メチル−バイサクロ［２．２．２］オクト−５−
エン−２，３−ジカルボン酸の混合物を使用することが
好ましい。なお、３，４−ジメチル−６−（２−メチル
−１−プロぺニル）−１，２，３，６−テトラハイドロ
フタル酸と、１−イソプロピル−４−メチル−バイサク
ロ［２．２．２］オクト−５−エン−２，３−ジカルボ
ン酸の混合比としては、前者が２０〜６０重量％、後者
が８０〜４０重量％（合計が１００重量％）であること
が望ましい。このような硬化剤としては、例えば、油化
シェルエポキシ社製のＹＨ３０６、ＹＨ３０７等が挙げ
られる。
ル−６−（２−メチル−１−プロぺニル）−１，２，
３，６−テトラハイドロフタル酸及び１−イソプロピル
−４−メチル−バイサクロ［２．２．２］オクト−５−
エン−２，３−ジカルボン酸の混合物を使用することが
好ましい。なお、３，４−ジメチル−６−（２−メチル
−１−プロぺニル）−１，２，３，６−テトラハイドロ
フタル酸と、１−イソプロピル−４−メチル−バイサク
ロ［２．２．２］オクト−５−エン−２，３−ジカルボ
ン酸の混合比としては、前者が２０〜６０重量％、後者
が８０〜４０重量％（合計が１００重量％）であること
が望ましい。このような硬化剤としては、例えば、油化
シェルエポキシ社製のＹＨ３０６、ＹＨ３０７等が挙げ
られる。
【００１９】上記混合物の硬化剤中の配合割合として
は、硬化剤全体の５〜７５重量％、特に１５〜６５重量
％とすることが好ましい。５重量％未満では密着性が低
下し、ＰＣＴなどの高温多湿下において劣化するおそれ
がある。７５重量％を超える量では密着性は向上する
が、熱衝撃試験などの試験においてクラックが発生する
おそれがある。
は、硬化剤全体の５〜７５重量％、特に１５〜６５重量
％とすることが好ましい。５重量％未満では密着性が低
下し、ＰＣＴなどの高温多湿下において劣化するおそれ
がある。７５重量％を超える量では密着性は向上する
が、熱衝撃試験などの試験においてクラックが発生する
おそれがある。
【００２０】本発明において、上記以外の硬化剤として
は、特に制限されず、硬化性エポキシ樹脂組成物に用い
られる硬化剤全般を使用することができる。この硬化剤
として具体的には、上述した酸無水物全般、ジシアンジ
アミド、アジピン酸ヒドラジド、イソフタル酸ヒドラジ
ドなどのカルボン酸ヒドラジドなどが挙げられる。これ
らの中では、特にメチルテトラヒドロ無水フタル酸、メ
チルヘキサヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタ
ル酸が好ましく、従って、上記３，４−ジメチル−６−
（２−メチル−１−プロぺニル）−１，２，３，６−テ
トラハイドロフタル酸及び１−イソプロピル−４−メチ
ル−バイサクロ［２．２．２］オクト−５−エン−２，
３−ジカルボン酸の混合物は、メチルテトラヒドロ無水
フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸又はヘキサ
ヒドロ無水フタル酸と併用することが好ましい。
は、特に制限されず、硬化性エポキシ樹脂組成物に用い
られる硬化剤全般を使用することができる。この硬化剤
として具体的には、上述した酸無水物全般、ジシアンジ
アミド、アジピン酸ヒドラジド、イソフタル酸ヒドラジ
ドなどのカルボン酸ヒドラジドなどが挙げられる。これ
らの中では、特にメチルテトラヒドロ無水フタル酸、メ
チルヘキサヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタ
ル酸が好ましく、従って、上記３，４−ジメチル−６−
（２−メチル−１−プロぺニル）−１，２，３，６−テ
トラハイドロフタル酸及び１−イソプロピル−４−メチ
ル−バイサクロ［２．２．２］オクト−５−エン−２，
３−ジカルボン酸の混合物は、メチルテトラヒドロ無水
フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸又はヘキサ
ヒドロ無水フタル酸と併用することが好ましい。
【００２１】なお、本発明に用いられる硬化剤の総配合
量は、エポキシ樹脂を硬化させる有効量であり、その種
類によって相違するが、上述した酸無水物を用いる場合
は、エポキシ樹脂中のエポキシ基に対して硬化剤中の酸
無水物基（−ＣＯ−Ｏ−ＣＯ−）から誘導されるカルボ
ン酸基のモル比を０．５〜１．５の範囲にすることが好
適である。０．５未満では硬化性が不十分であり、１．
５を超えると未反応の酸無水物が残存し、ガラス転移温
度の低下となるおそれがある。より好ましくは０．８〜
１．２の範囲にすることが好適である。あるいは、上記
と同様の理由により、エポキシ樹脂中のエポキシ基に対
して酸無水物中の酸無水物基のモル比が好ましくは０．
３〜０．７、より好ましくは０．４〜０．６の範囲とな
るように配合してもよい。
量は、エポキシ樹脂を硬化させる有効量であり、その種
類によって相違するが、上述した酸無水物を用いる場合
は、エポキシ樹脂中のエポキシ基に対して硬化剤中の酸
無水物基（−ＣＯ−Ｏ−ＣＯ−）から誘導されるカルボ
ン酸基のモル比を０．５〜１．５の範囲にすることが好
適である。０．５未満では硬化性が不十分であり、１．
５を超えると未反応の酸無水物が残存し、ガラス転移温
度の低下となるおそれがある。より好ましくは０．８〜
１．２の範囲にすることが好適である。あるいは、上記
と同様の理由により、エポキシ樹脂中のエポキシ基に対
して酸無水物中の酸無水物基のモル比が好ましくは０．
３〜０．７、より好ましくは０．４〜０．６の範囲とな
るように配合してもよい。
【００２２】本発明において、上記エポキシ樹脂の硬化
促進剤（反応促進剤）としては、イミダゾール化合物や
有機リン化合物等、特にイミダゾール化合物又は有機リ
ン化合物等を含有したマイクロカプセル触媒であって、
平均粒径が０．５〜１０μｍであり、かつｏ−クレゾー
ル中におけるマイクロカプセルからの触媒の溶出量が３
０℃、１５分でマイクロカプセル中に含まれる全触媒量
の７０重量％以上であるマイクロカプセル触媒を用いる
ことが好ましい。
促進剤（反応促進剤）としては、イミダゾール化合物や
有機リン化合物等、特にイミダゾール化合物又は有機リ
ン化合物等を含有したマイクロカプセル触媒であって、
平均粒径が０．５〜１０μｍであり、かつｏ−クレゾー
ル中におけるマイクロカプセルからの触媒の溶出量が３
０℃、１５分でマイクロカプセル中に含まれる全触媒量
の７０重量％以上であるマイクロカプセル触媒を用いる
ことが好ましい。
【００２３】ここで、イミダゾール化合物としては、下
記一般式（５）で示されるものを使用することができ
る。
記一般式（５）で示されるものを使用することができ
る。
【化１４】
（Ｒ5、Ｒ6は−Ｈ、−ＣＨ3、−Ｃ2Ｈ5、−ＣＨ2ＯＨ又
は−Ｃ6Ｈ5であり、Ｒ7は−ＣＨ3、−Ｃ2Ｈ5、−Ｃ
6Ｈ5、又はアリル基であり、Ｒ8は−Ｈ、−ＣＨ3、−Ｃ
2Ｈ5、及び下記式（６）
は−Ｃ6Ｈ5であり、Ｒ7は−ＣＨ3、−Ｃ2Ｈ5、−Ｃ
6Ｈ5、又はアリル基であり、Ｒ8は−Ｈ、−ＣＨ3、−Ｃ
2Ｈ5、及び下記式（６）
【化１５】
で表される基から選ばれる基である。）
【００２４】イミダゾール化合物として、具体的には、
２−メチルイミダゾール、２−エチルイミダゾール、２
−ウンデシルイミダゾール、２，４−ジメチルイミダゾ
ール、２−ヘプタデシルイミダゾール、１，２−ジメチ
ルイミダゾール、１，２−ジエチルイミダゾール、２−
エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダ
ゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、１
−シアノエチル−２−メチルイミダゾール、１−シアノ
エチル−２−ウンデシルイミダゾール、１−ベンジル−
２−メチルイミダゾール、２，４−ジアミノ−６−
［２’−メチルイミダゾリル−（１）’］−エチル−Ｓ
−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル
−４’−メチルイミダゾリル−（１）’］−エチル−Ｓ
−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−ウンデ
シルイミダゾリル］−エチル−Ｓ−トリアジン、２，４
−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−
（１）’］−エチル−Ｓ−トリアジンイソシアヌール酸
化付加物、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシ
メチルイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジヒドロ
キシメチルイミダゾール、２−アリール−４，５−ジフ
ェニルイミダゾールなどが挙げられる。これらの中でも
２−メチルイミダゾール、２−エチルイミダゾール、
１，２−ジメチルイミダゾール、１，２−ジエチルイミ
ダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−
ウンデシルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾー
ル及び２−フェニルイミダゾールが好ましい。
２−メチルイミダゾール、２−エチルイミダゾール、２
−ウンデシルイミダゾール、２，４−ジメチルイミダゾ
ール、２−ヘプタデシルイミダゾール、１，２−ジメチ
ルイミダゾール、１，２−ジエチルイミダゾール、２−
エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダ
ゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、１
−シアノエチル−２−メチルイミダゾール、１−シアノ
エチル−２−ウンデシルイミダゾール、１−ベンジル−
２−メチルイミダゾール、２，４−ジアミノ−６−
［２’−メチルイミダゾリル−（１）’］−エチル−Ｓ
−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル
−４’−メチルイミダゾリル−（１）’］−エチル−Ｓ
−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−ウンデ
シルイミダゾリル］−エチル−Ｓ−トリアジン、２，４
−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−
（１）’］−エチル−Ｓ−トリアジンイソシアヌール酸
化付加物、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシ
メチルイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジヒドロ
キシメチルイミダゾール、２−アリール−４，５−ジフ
ェニルイミダゾールなどが挙げられる。これらの中でも
２−メチルイミダゾール、２−エチルイミダゾール、
１，２−ジメチルイミダゾール、１，２−ジエチルイミ
ダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−
ウンデシルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾー
ル及び２−フェニルイミダゾールが好ましい。
【００２５】有機リン系化合物としては、例えば、トリ
フェニルフォスフィン、トリブチルホスフィン、トリ
（ｐ−メチルフェニル）ホスフィン、トリ（ノニルフェ
ニル）ホスフィン、ジフェニルトリルフォスフィン等の
トリオルガノホスフィンとトリオルガノボランとの塩、
テトラフェニルフォスホニウム・テトラフェニルボレー
ト等のテトラオルガノホスホニウムとテトラオルガノボ
レートとの塩、チオシアン化テトラフェニルホスフィン
などが挙げられる。これらの中でも下記一般式（７）及
び（８）で示されるものが好ましく、特に下記一般式
（８）で示されるものが好ましい。
フェニルフォスフィン、トリブチルホスフィン、トリ
（ｐ−メチルフェニル）ホスフィン、トリ（ノニルフェ
ニル）ホスフィン、ジフェニルトリルフォスフィン等の
トリオルガノホスフィンとトリオルガノボランとの塩、
テトラフェニルフォスホニウム・テトラフェニルボレー
ト等のテトラオルガノホスホニウムとテトラオルガノボ
レートとの塩、チオシアン化テトラフェニルホスフィン
などが挙げられる。これらの中でも下記一般式（７）及
び（８）で示されるものが好ましく、特に下記一般式
（８）で示されるものが好ましい。
【００２６】
【化１６】
（式中、Ｒ9は水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基
である。） Ｒ11Ｒ12Ｒ13Ｒ14ＰＳＣＮ （８） （但し、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14は、それぞれ炭素数１
〜２０の有機基である。）
である。） Ｒ11Ｒ12Ｒ13Ｒ14ＰＳＣＮ （８） （但し、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14は、それぞれ炭素数１
〜２０の有機基である。）
【００２７】ここで、式中のＲ9としては、好ましくは
水素原子又はメチル基である。Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14
の炭素数１〜２０、特に１〜６の有機基としては、メチ
ル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、メトキシ基、
エトキシエチル基等のアルキル基、ビニル基、アリル
基、イソプロペニル基等のアルケニル基、フェニル基等
のアリール基、アセチル基、プロピオニル基等や、これ
らの炭化水素基の水素原子の一部又は全部を塩素、フッ
素、臭素等のハロゲン原子で置換したフロロメチル基、
ブロモエチル基、トリフルオロプロピル基等のハロゲン
置換一価炭化水素基などが例示される。
水素原子又はメチル基である。Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14
の炭素数１〜２０、特に１〜６の有機基としては、メチ
ル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、メトキシ基、
エトキシエチル基等のアルキル基、ビニル基、アリル
基、イソプロペニル基等のアルケニル基、フェニル基等
のアリール基、アセチル基、プロピオニル基等や、これ
らの炭化水素基の水素原子の一部又は全部を塩素、フッ
素、臭素等のハロゲン原子で置換したフロロメチル基、
ブロモエチル基、トリフルオロプロピル基等のハロゲン
置換一価炭化水素基などが例示される。
【００２８】本発明で使用するマイクロカプセルは、
（メタ）アクリル系単量体、例えばアクリル酸エステ
ル、イタコン酸エステル、クロトン酸エステル等の炭素
数１〜８のアルキルエステルやこのアルキルエステルの
アルキル基がアリル基等の置換基を有するもの、また、
スチレン、α−メチルスチレン、アクリロニトリル、メ
タクリロニトリル、酢酸ビニル等の単官能性単量体及び
エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチ
レングリコールジ（メタ）アクリレート、ジビニルベン
ゼン、ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、メチ
レンビス（メタ）アクリルアミド等の多官能単量体のポ
リマー中に硬化触媒が閉じ込められたものである。な
お、上記ポリマーの中では、（メタ）アクリレート系単
量体の重合物が好ましい。
（メタ）アクリル系単量体、例えばアクリル酸エステ
ル、イタコン酸エステル、クロトン酸エステル等の炭素
数１〜８のアルキルエステルやこのアルキルエステルの
アルキル基がアリル基等の置換基を有するもの、また、
スチレン、α−メチルスチレン、アクリロニトリル、メ
タクリロニトリル、酢酸ビニル等の単官能性単量体及び
エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチ
レングリコールジ（メタ）アクリレート、ジビニルベン
ゼン、ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、メチ
レンビス（メタ）アクリルアミド等の多官能単量体のポ
リマー中に硬化触媒が閉じ込められたものである。な
お、上記ポリマーの中では、（メタ）アクリレート系単
量体の重合物が好ましい。
【００２９】本発明の上記イミダゾール化合物又は有機
リン化合物等の硬化触媒を含有するマイクロカプセルの
製造方法としては様々な方法が挙げられるが、生産性及
び球状度が高いマイクロカプセルを製造するためには、
通常懸濁重合法及び乳化重合法などの従来から公知の方
法で製造することができる。
リン化合物等の硬化触媒を含有するマイクロカプセルの
製造方法としては様々な方法が挙げられるが、生産性及
び球状度が高いマイクロカプセルを製造するためには、
通常懸濁重合法及び乳化重合法などの従来から公知の方
法で製造することができる。
【００３０】この場合、一般的に使用されている触媒の
分子構造から高濃度マイクロカプセル触媒を得るために
は、硬化触媒１０重量部に対して使用する上記単量体の
総量は１０〜２００重量部程度が好ましく、より好まし
くは１０〜１００重量部、更に好ましくは２０〜５０重
量部である。１０重量部未満では潜在性を十分に寄与す
ることが困難となる場合があり、２００重量部を超える
と、触媒の比率が低くなり、十分な硬化性を得るために
は多量に使用しなければならなくなるため、経済的に不
利となる場合がある。
分子構造から高濃度マイクロカプセル触媒を得るために
は、硬化触媒１０重量部に対して使用する上記単量体の
総量は１０〜２００重量部程度が好ましく、より好まし
くは１０〜１００重量部、更に好ましくは２０〜５０重
量部である。１０重量部未満では潜在性を十分に寄与す
ることが困難となる場合があり、２００重量部を超える
と、触媒の比率が低くなり、十分な硬化性を得るために
は多量に使用しなければならなくなるため、経済的に不
利となる場合がある。
【００３１】このような方法で得られるマイクロカプセ
ルとしては、平均粒径が０．５〜１０μｍ、最大粒径が
５０μｍ以下のものを使用することが好ましい。より好
ましくは平均粒径が２〜５μｍ、かつ最大粒径が２０μ
ｍ以下のものが望ましい。硬化促進剤の粒径が小さすぎ
ると、比表面積が大きくなり、混合した時の粘度が高く
なるおそれがある。また平均粒径が１０μｍを超える
と、樹脂への分散が不均一になり、信頼性の低下を引き
起こすおそれがある。
ルとしては、平均粒径が０．５〜１０μｍ、最大粒径が
５０μｍ以下のものを使用することが好ましい。より好
ましくは平均粒径が２〜５μｍ、かつ最大粒径が２０μ
ｍ以下のものが望ましい。硬化促進剤の粒径が小さすぎ
ると、比表面積が大きくなり、混合した時の粘度が高く
なるおそれがある。また平均粒径が１０μｍを超える
と、樹脂への分散が不均一になり、信頼性の低下を引き
起こすおそれがある。
【００３２】また、上記マイクロカプセルとしては、下
記性能を有するものを使用することが好ましい。即ち、
硬化触媒を含有するマイクロカプセルを１ｇ秤量し、こ
れをｏ−クレゾール３０ｇに混合した後、３０℃で放置
し、溶出する触媒をガスクロマトグラフィーで定量した
場合、マイクロカプセルから溶出する触媒が３０℃、１
５分でマイクロカプセル中に含まれる全触媒量の７０重
量％以上であるものを用いる。７０重量％未満では、硬
化時間が長くかかるおそれがあり、生産性が低下する場
合がある。望ましくは、溶出量が７５重量％以上であ
る。
記性能を有するものを使用することが好ましい。即ち、
硬化触媒を含有するマイクロカプセルを１ｇ秤量し、こ
れをｏ−クレゾール３０ｇに混合した後、３０℃で放置
し、溶出する触媒をガスクロマトグラフィーで定量した
場合、マイクロカプセルから溶出する触媒が３０℃、１
５分でマイクロカプセル中に含まれる全触媒量の７０重
量％以上であるものを用いる。７０重量％未満では、硬
化時間が長くかかるおそれがあり、生産性が低下する場
合がある。望ましくは、溶出量が７５重量％以上であ
る。
【００３３】上記本発明のマイクロカプセル型硬化促進
剤の配合量は、エポキシ樹脂１００重量部に対して１〜
１５重量部、特に２〜１０重量部であることが好まし
い。１重量部未満では硬化性が低下するおそれがあり、
１５重量部を超える量では硬化性に優れるが保存性が低
下するおそれがある。
剤の配合量は、エポキシ樹脂１００重量部に対して１〜
１５重量部、特に２〜１０重量部であることが好まし
い。１重量部未満では硬化性が低下するおそれがあり、
１５重量部を超える量では硬化性に優れるが保存性が低
下するおそれがある。
【００３４】また、硬化促進剤として、マイクロカプセ
ル化しない上述の触媒を上記マイクロカプセル触媒と併
用添加してもよい。その場合の配合量は、マイクロカプ
セル触媒としていない触媒の合計がエポキシ樹脂１００
重量部に対して１〜１５重量部、望ましくは２〜７重量
部であることが好ましい。１重量部未満では硬化性が低
下するおそれがあり、１５重量部を超える量では硬化性
に優れるが保存性が低下するおそれがある。
ル化しない上述の触媒を上記マイクロカプセル触媒と併
用添加してもよい。その場合の配合量は、マイクロカプ
セル触媒としていない触媒の合計がエポキシ樹脂１００
重量部に対して１〜１５重量部、望ましくは２〜７重量
部であることが好ましい。１重量部未満では硬化性が低
下するおそれがあり、１５重量部を超える量では硬化性
に優れるが保存性が低下するおそれがある。
【００３５】また、マイクロカプセル化しない上述の触
媒を単独で使用してもよい。その場合の配合量は、エポ
キシ樹脂１００重量部に対して０．１〜１５重量部、望
ましくは０．５〜７重量部である。０．１重量部未満で
は硬化性が低下するおそれがあり、１５重量部を超える
量では硬化性に優れるが、保存性が低下するおそれがあ
る。
媒を単独で使用してもよい。その場合の配合量は、エポ
キシ樹脂１００重量部に対して０．１〜１５重量部、望
ましくは０．５〜７重量部である。０．１重量部未満で
は硬化性が低下するおそれがあり、１５重量部を超える
量では硬化性に優れるが、保存性が低下するおそれがあ
る。
【００３６】一方、本発明に用いられる無機質充填剤と
しては、膨張係数を小さくする目的から、従来より知ら
れている各種の無機質充填剤を添加することができる。
無機質充填剤として、具体的には、溶融シリカ、結晶シ
リカ、アルミナ、ボロンナイトライド、チッカアルミ、
チッカ珪素、マグネシア、マグネシウムシリケート、ア
ルミニウムなどが挙げられる。中でも真球状の溶融シリ
カが低粘度化のため望ましい。
しては、膨張係数を小さくする目的から、従来より知ら
れている各種の無機質充填剤を添加することができる。
無機質充填剤として、具体的には、溶融シリカ、結晶シ
リカ、アルミナ、ボロンナイトライド、チッカアルミ、
チッカ珪素、マグネシア、マグネシウムシリケート、ア
ルミニウムなどが挙げられる。中でも真球状の溶融シリ
カが低粘度化のため望ましい。
【００３７】ポッティング材として使用する場合、平均
粒径が２〜２０μｍで、最大粒径が７５μｍ以下、特に
５０μｍ以下のものが望ましい。平均粒径が２μｍ未満
では粘度が高くなり、多量に充填できない場合があり、
一方２０μｍを超えると粗い粒子が多くなり、リード線
につまり、ボイドとなるおそれがある。この場合、無機
質充填剤の充填量は、エポキシ樹脂１００重量部に対し
て１００〜６００重量部の範囲が好ましい。１００重量
部未満では、膨張係数が大きく冷熱試験においてクラッ
クの発生を誘発させるおそれがある。６００重量部を超
えると、粘度が高くなり流動性の低下をもたらすおそれ
がある。
粒径が２〜２０μｍで、最大粒径が７５μｍ以下、特に
５０μｍ以下のものが望ましい。平均粒径が２μｍ未満
では粘度が高くなり、多量に充填できない場合があり、
一方２０μｍを超えると粗い粒子が多くなり、リード線
につまり、ボイドとなるおそれがある。この場合、無機
質充填剤の充填量は、エポキシ樹脂１００重量部に対し
て１００〜６００重量部の範囲が好ましい。１００重量
部未満では、膨張係数が大きく冷熱試験においてクラッ
クの発生を誘発させるおそれがある。６００重量部を超
えると、粘度が高くなり流動性の低下をもたらすおそれ
がある。
【００３８】なお、アンダーフィル材として使用する場
合には、侵入性の向上と低線膨張化の両立を図るためフ
リップチップギャップ幅（基板と半導体チップとの隙
間）に対して平均粒径が約１／１０以下、最大粒径が１
／２以下とすることが好ましい。この場合の無機質充填
剤の配合量としては、エポキシ樹脂１００重量部に対し
て５０〜４００重量部で配合することが好ましく、より
好ましくは１００〜２５０重量部の範囲で配合する。５
０重量部未満では、膨張係数が大きく、冷熱試験におい
てクラックの発生を誘発させるおそれがある。４００重
量部を超えると、粘度が高くなり、薄膜侵入性の低下を
もたらすおそれがある。
合には、侵入性の向上と低線膨張化の両立を図るためフ
リップチップギャップ幅（基板と半導体チップとの隙
間）に対して平均粒径が約１／１０以下、最大粒径が１
／２以下とすることが好ましい。この場合の無機質充填
剤の配合量としては、エポキシ樹脂１００重量部に対し
て５０〜４００重量部で配合することが好ましく、より
好ましくは１００〜２５０重量部の範囲で配合する。５
０重量部未満では、膨張係数が大きく、冷熱試験におい
てクラックの発生を誘発させるおそれがある。４００重
量部を超えると、粘度が高くなり、薄膜侵入性の低下を
もたらすおそれがある。
【００３９】本発明のエポキシ樹脂組成物には、応力を
低下させる目的でシリコーンゴム、シリコーンオイルや
液状のポリブタジエンゴム、メタクリル酸メチル−ブタ
ジエン−スチレンよりなる熱可塑性樹脂などを配合して
もよい。好ましくは、アルケニル基含有エポキシ樹脂又
はフェノール樹脂のアルケニル基と下記平均組成式
（９）で示される１分子中の珪素原子の数が２０〜４０
０であり、ＳｉＨ基の数が１〜５であるオルガノポリシ
ロキサンのＳｉＨ基との付加反応により得られる共重合
体を配合することが好ましい。
低下させる目的でシリコーンゴム、シリコーンオイルや
液状のポリブタジエンゴム、メタクリル酸メチル−ブタ
ジエン−スチレンよりなる熱可塑性樹脂などを配合して
もよい。好ましくは、アルケニル基含有エポキシ樹脂又
はフェノール樹脂のアルケニル基と下記平均組成式
（９）で示される１分子中の珪素原子の数が２０〜４０
０であり、ＳｉＨ基の数が１〜５であるオルガノポリシ
ロキサンのＳｉＨ基との付加反応により得られる共重合
体を配合することが好ましい。
【００４０】
ＨaＲ15 bＳｉＯ(4-a-b)/2 （９）
（但し、式中Ｒ15は置換又は非置換の一価の炭化水素
基、ａは０．０１〜０．１、ｂは１．８〜２．２、１．
８１≦ａ＋ｂ≦２．３である。）
基、ａは０．０１〜０．１、ｂは１．８〜２．２、１．
８１≦ａ＋ｂ≦２．３である。）
【００４１】なお、Ｒ15の一価炭化水素基としては、炭
素数１〜１０、特に１〜８のものが好ましく、メチル
基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル
基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ヘキシル基、
オクチル基、デシル基等のアルキル基、ビニル基、アリ
ル基、プロペニル基、ブテニル基、ヘキセニル基等のア
ルケニル基、フェニル基、キシリル基、トリル基等のア
リール基、ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプ
ロピル基等のアラルキル基などや、これらの炭化水素基
の水素原子の一部又は全部を塩素、フッ素、臭素等のハ
ロゲン原子で置換したフロロメチル基、ブロモエチル
基、トリフルオロプロピル基等のハロゲン置換一価炭化
水素基を挙げることができる。上記共重合体としては、
中でも下記構造のものが望ましい。
素数１〜１０、特に１〜８のものが好ましく、メチル
基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル
基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ヘキシル基、
オクチル基、デシル基等のアルキル基、ビニル基、アリ
ル基、プロペニル基、ブテニル基、ヘキセニル基等のア
ルケニル基、フェニル基、キシリル基、トリル基等のア
リール基、ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプ
ロピル基等のアラルキル基などや、これらの炭化水素基
の水素原子の一部又は全部を塩素、フッ素、臭素等のハ
ロゲン原子で置換したフロロメチル基、ブロモエチル
基、トリフルオロプロピル基等のハロゲン置換一価炭化
水素基を挙げることができる。上記共重合体としては、
中でも下記構造のものが望ましい。
【００４２】
【化１７】
【００４３】上記式中、Ｒ15は上記と同じであり、Ｒ16
は水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基であり、Ｒ17
は−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−ＯＣＨ2−ＣＨ（ＯＨ）−Ｃ
Ｈ2−Ｏ−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−又は−Ｏ−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ
2−である。ｎは４〜１９９、好ましくは１９〜９９の
整数、ｐは１〜１０の整数、ｑは１〜１０の整数であ
る。）
は水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基であり、Ｒ17
は−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−ＯＣＨ2−ＣＨ（ＯＨ）−Ｃ
Ｈ2−Ｏ−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−又は−Ｏ−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ
2−である。ｎは４〜１９９、好ましくは１９〜９９の
整数、ｐは１〜１０の整数、ｑは１〜１０の整数であ
る。）
【００４４】上記共重合体をジオルガノポリシロキサン
単位がエポキシ樹脂１００重量部に対して０〜２０重量
部、特には２〜１５重量部含まれるように配合すること
で応力をより一層低下させることができる。
単位がエポキシ樹脂１００重量部に対して０〜２０重量
部、特には２〜１５重量部含まれるように配合すること
で応力をより一層低下させることができる。
【００４５】本発明のエポキシ樹脂組成物には、更に必
要に応じ、接着向上用炭素官能性シラン、カーボンブラ
ックなどの顔料、染料、酸化防止剤、表面処理剤（γ−
グリシドキシプロピルトリメトキシシランなど）、その
他の添加剤を本発明の目的を損なわない範囲で配合する
ことができる。
要に応じ、接着向上用炭素官能性シラン、カーボンブラ
ックなどの顔料、染料、酸化防止剤、表面処理剤（γ−
グリシドキシプロピルトリメトキシシランなど）、その
他の添加剤を本発明の目的を損なわない範囲で配合する
ことができる。
【００４６】本発明の液状エポキシ樹脂組成物は、例え
ば、エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、無機質充填剤
及びその他の添加剤等を同時に又は別々に、必要により
加熱処理を加えながら、撹拌、溶解、混合、分散させる
ことにより得ることができる。これらの混合、撹拌、分
散等の装置としては、特に限定されるものではないが、
撹拌、加熱装置を備えたライカイ機、３本ロール、ボー
ルミル、プラネタリーミキサー等を用いることができ
る。またこれら装置を適宜組み合わせて使用してもよ
い。
ば、エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、無機質充填剤
及びその他の添加剤等を同時に又は別々に、必要により
加熱処理を加えながら、撹拌、溶解、混合、分散させる
ことにより得ることができる。これらの混合、撹拌、分
散等の装置としては、特に限定されるものではないが、
撹拌、加熱装置を備えたライカイ機、３本ロール、ボー
ルミル、プラネタリーミキサー等を用いることができ
る。またこれら装置を適宜組み合わせて使用してもよ
い。
【００４７】なお、本発明において、封止材として用い
る液状エポキシ樹脂組成物の粘度は、２５℃において１
０，０００ポイズ以下のものが好ましい。また、この組
成物の成形方法、成形条件は、常法とすることができる
が、好ましくは、先に１００〜１２０℃、０．５時間以
上、その後１５０℃、０．５時間以上の条件で熱オーブ
ンキュアを行う。１００〜１２０℃での加熱が０．５時
間未満では、硬化後にボイドが発生する場合がある。ま
た１５０℃での加熱が０．５時間未満では、十分な硬化
物特性が得られない場合がある。
る液状エポキシ樹脂組成物の粘度は、２５℃において１
０，０００ポイズ以下のものが好ましい。また、この組
成物の成形方法、成形条件は、常法とすることができる
が、好ましくは、先に１００〜１２０℃、０．５時間以
上、その後１５０℃、０．５時間以上の条件で熱オーブ
ンキュアを行う。１００〜１２０℃での加熱が０．５時
間未満では、硬化後にボイドが発生する場合がある。ま
た１５０℃での加熱が０．５時間未満では、十分な硬化
物特性が得られない場合がある。
【００４８】また、本発明の液状エポキシ樹脂組成物の
靭性値Ｋ1cは３．０以上であり、好ましくは３．３以上
である。靭性値Ｋ1cが３．０未満であると温度サイクル
性が低下するおそれがある。
靭性値Ｋ1cは３．０以上であり、好ましくは３．３以上
である。靭性値Ｋ1cが３．０未満であると温度サイクル
性が低下するおそれがある。
【００４９】ここで、本発明に用いるフリップチップ型
半導体装置としては、例えば図１に示したように、通常
有機基板１の配線パターン面に複数個のバンプ２を介し
て半導体チップ３が搭載されているものであり、上記有
機基板１と半導体チップ３との隙間（バンプ２間の隙
間）にアンダーフィル材４が充填され、その側部がフィ
レット材５で封止されたものとすることができるが、本
発明の封止材は、特にアンダーフィル材として使用する
場合に有効である。
半導体装置としては、例えば図１に示したように、通常
有機基板１の配線パターン面に複数個のバンプ２を介し
て半導体チップ３が搭載されているものであり、上記有
機基板１と半導体チップ３との隙間（バンプ２間の隙
間）にアンダーフィル材４が充填され、その側部がフィ
レット材５で封止されたものとすることができるが、本
発明の封止材は、特にアンダーフィル材として使用する
場合に有効である。
【００５０】本発明のエポキシ樹脂組成物をアンダーフ
ィル材として用いる場合、その硬化物のガラス転移温度
以下の膨張係数が２０〜４０ｐｐｍ／℃であることが好
ましい。なお、この場合、フィレット材用の封止材は公
知のものでよく、特に上述したアンダーフィル材と同様
の液状エポキシ樹脂組成物を用いることができるが、こ
の場合はその硬化物のガラス転移温度以下の膨張係数が
１０〜２０ｐｐｍ／℃であるものが好ましい。
ィル材として用いる場合、その硬化物のガラス転移温度
以下の膨張係数が２０〜４０ｐｐｍ／℃であることが好
ましい。なお、この場合、フィレット材用の封止材は公
知のものでよく、特に上述したアンダーフィル材と同様
の液状エポキシ樹脂組成物を用いることができるが、こ
の場合はその硬化物のガラス転移温度以下の膨張係数が
１０〜２０ｐｐｍ／℃であるものが好ましい。
【００５１】
【実施例】以下、実施例及び比較例を挙げて本発明を詳
細に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるも
のではない。
細に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるも
のではない。
【００５２】［実施例１〜５、比較例１〜４］表１で示
す成分を３本ロールで均一に混練することにより、９種
の樹脂組成物を得た。これらの樹脂組成物を用いて、以
下に示す試験を行った。その結果を表１に示す。
す成分を３本ロールで均一に混練することにより、９種
の樹脂組成物を得た。これらの樹脂組成物を用いて、以
下に示す試験を行った。その結果を表１に示す。
【００５３】［粘度］ＢＨ型回転粘度計を用いて４ｒｐ
ｍの回転数で２５℃における粘度を測定した。 ［ゲル化時間］組成物のゲル化時間を１５０℃の熱板上
で測定した。 ［靭性値Ｋ1c］ＡＳＴＭ＃Ｄ５０４５に基づき、常温の
強靭性値Ｋ1cを測定した。 ［Ｔｇ（ガラス転移温度）、ＣＴＥ１（膨張係数）、Ｃ
ＴＥ２（膨張係数）］５ｍｍ×５ｍｍ×１５ｍｍの硬化
物試験片を用いて、ＴＭＡ（熱機械分析装置）により毎
分５℃の速さで昇温した時のＴｇを測定した。また、以
下の温度範囲の膨張係数を測定した。ＣＴＥ１の温度範
囲は５０〜８０℃、ＣＴＥ２の温度範囲は２００〜２３
０℃である。 ［接着力テスト］感光性ポリイミドをコートしたシリコ
ンチップ上に上面の直径２ｍｍ、下面の直径５ｍｍ、高
さ３ｍｍの円錐台形状の試験片を載せ、１５０℃で３時
間硬化させた。硬化後、得られた試験片の剪断接着力を
測定し、初期値とした。更に、硬化させた試験片をＰＣ
Ｔ（１２１℃／２．１ａｔｍ）で１６８時間吸湿させた
後、接着力を測定した。いずれの場合も試験片の個数は
５個で行い、その平均値を接着力として表記した。 ［ＰＣＴ剥離テスト］ポリイミドコートした１０ｍｍ×
１０ｍｍのシリコンチップを３０ｍｍ×３０ｍｍのＦＲ
−４基板に約１００μｍのスペーサを用いて設置し、生
じた隙間に組成物を侵入、硬化させ、３０℃／６５％Ｒ
Ｈ／１９２時間後に最高温度２６５℃に設定したＩＲリ
フローにて５回処理した後の剥離、更にＰＣＴ（１２１
℃、２．１ａｔｍ）の環境下に置き、１６８時間後の剥
離をＣ−ＳＡＭ（ＳＯＮＩＸ社製）で確認した。 ［熱衝撃テスト］ポリイミドコートした１０ｍｍ×１０
ｍｍのシリコンチップを３０ｍｍ×３０ｍｍのＦＲ−４
基板に約１００μｍのスペーサを用いて設置し、生じた
隙間に組成物を侵入、硬化させ、３０℃／６５％ＲＨ／
１９２時間後に最高温度２６５℃に設定したＩＲリフロ
ーにて５回処理した後、−６５℃／３０分、１５０℃／
３０分を１サイクルとし、２５０，５００，７５０サイ
クル後の剥離、クラックを確認した。
ｍの回転数で２５℃における粘度を測定した。 ［ゲル化時間］組成物のゲル化時間を１５０℃の熱板上
で測定した。 ［靭性値Ｋ1c］ＡＳＴＭ＃Ｄ５０４５に基づき、常温の
強靭性値Ｋ1cを測定した。 ［Ｔｇ（ガラス転移温度）、ＣＴＥ１（膨張係数）、Ｃ
ＴＥ２（膨張係数）］５ｍｍ×５ｍｍ×１５ｍｍの硬化
物試験片を用いて、ＴＭＡ（熱機械分析装置）により毎
分５℃の速さで昇温した時のＴｇを測定した。また、以
下の温度範囲の膨張係数を測定した。ＣＴＥ１の温度範
囲は５０〜８０℃、ＣＴＥ２の温度範囲は２００〜２３
０℃である。 ［接着力テスト］感光性ポリイミドをコートしたシリコ
ンチップ上に上面の直径２ｍｍ、下面の直径５ｍｍ、高
さ３ｍｍの円錐台形状の試験片を載せ、１５０℃で３時
間硬化させた。硬化後、得られた試験片の剪断接着力を
測定し、初期値とした。更に、硬化させた試験片をＰＣ
Ｔ（１２１℃／２．１ａｔｍ）で１６８時間吸湿させた
後、接着力を測定した。いずれの場合も試験片の個数は
５個で行い、その平均値を接着力として表記した。 ［ＰＣＴ剥離テスト］ポリイミドコートした１０ｍｍ×
１０ｍｍのシリコンチップを３０ｍｍ×３０ｍｍのＦＲ
−４基板に約１００μｍのスペーサを用いて設置し、生
じた隙間に組成物を侵入、硬化させ、３０℃／６５％Ｒ
Ｈ／１９２時間後に最高温度２６５℃に設定したＩＲリ
フローにて５回処理した後の剥離、更にＰＣＴ（１２１
℃、２．１ａｔｍ）の環境下に置き、１６８時間後の剥
離をＣ−ＳＡＭ（ＳＯＮＩＸ社製）で確認した。 ［熱衝撃テスト］ポリイミドコートした１０ｍｍ×１０
ｍｍのシリコンチップを３０ｍｍ×３０ｍｍのＦＲ−４
基板に約１００μｍのスペーサを用いて設置し、生じた
隙間に組成物を侵入、硬化させ、３０℃／６５％ＲＨ／
１９２時間後に最高温度２６５℃に設定したＩＲリフロ
ーにて５回処理した後、−６５℃／３０分、１５０℃／
３０分を１サイクルとし、２５０，５００，７５０サイ
クル後の剥離、クラックを確認した。
【００５４】
【表１】
【００５５】成分：
エポキシ樹脂Ａ：ＮＣ３０００Ｐ*／ＲＥ３０３Ｓ−Ｌ
（共に日本化薬製）＝１／５の比率で溶融混合したもの
（２５℃粘度：４，３００ポイズ） ＊ＮＣ３０００Ｐは下記式（１’）で示されるものであ
る。
（共に日本化薬製）＝１／５の比率で溶融混合したもの
（２５℃粘度：４，３００ポイズ） ＊ＮＣ３０００Ｐは下記式（１’）で示されるものであ
る。
【化１８】
（式中、ｘは０〜５である。）
エポキシ樹脂Ｂ：ＥＰＰＮ５０１*／ＲＥ３０３Ｓ−Ｌ
（共に日本化薬製）＝１／５の比率で溶融混合したもの
（２５℃粘度：３，９００ポイズ） ＊ＥＰＰＮ５０１は下記式（２’）で示されるものであ
る。
（共に日本化薬製）＝１／５の比率で溶融混合したもの
（２５℃粘度：３，９００ポイズ） ＊ＥＰＰＮ５０１は下記式（２’）で示されるものであ
る。
【化１９】
（式中、ｙは１〜２である。）
エポキシ樹脂Ｃ：ＸＤ−１０００Ｌ*／ＲＥ３０３Ｓ−
Ｌ（共に日本化薬製）＝１／５の比率で溶融混合したも
の（２５℃粘度：６，１００ポイズ） ＊は下記式（３’）で示されるものである。
Ｌ（共に日本化薬製）＝１／５の比率で溶融混合したも
の（２５℃粘度：６，１００ポイズ） ＊は下記式（３’）で示されるものである。
【化２０】
（ｚは１である。）
エポキシ樹脂Ｄ：ＮＣ３０００Ｐ／ＲＥ３０３Ｓ−Ｌ
（共に日本化薬製）＝１／１の比率で溶融混合したもの
（２５℃粘度：９，８００ポイズ） エポキシ樹脂Ｅ：ＮＣ３０００Ｐ／ＲＥ３０３Ｓ−Ｌ
（共に日本化薬製）＝０．８／１０の比率で溶融混合し
たもの（２５℃粘度：７００ポイズ） エポキシ樹脂Ｆ：ＸＤ−１０００Ｌ／ＲＥ３０３Ｓ−Ｌ
（共に日本化薬製）＝６／１の比率で溶融混合したもの
（２５℃粘度：測定不能） ＲＥ３０３Ｓ−Ｌ：ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂
（日本化薬製） ＭＨ７００：メチルテトラヒドロ無水フタル酸（新日本
理化製） ＹＨ３０７：３，４−ジメチル−６−（２−メチル−１
−プロぺニル）−１，２，３，６−テトラハイドロフタ
ル酸と、１−イソプロピル−４−メチル−バイサクロ
［２．２．２］オクト−５−エン−２，３−ジカルボン
酸の混合物（混合比率＝６：４）（油化シェルエポキシ
製） ＫＢＭ４０３：シランカップリング剤、γ−グリシドキ
シプロピルトリメトキシシラン（信越化学製） ２Ｅ４ＭＺ：２−エチル−４−メチルイミダゾール（四
国化成製） ＳＥ８ＦＣ：最大粒径２４μｍ以下の球状シリカ（徳山
ソーダ製） ２Ｅ４ＭＺのマイクロカプセル：２Ｅ４ＭＺを２０重量
％含有したメタクリル酸メチルの重合体，平均粒径が７
μｍ，ｏ−クレゾール中で３０℃、１５分間の処理でマ
イクロカプセルから溶出する触媒の量は８７重量％
（共に日本化薬製）＝１／１の比率で溶融混合したもの
（２５℃粘度：９，８００ポイズ） エポキシ樹脂Ｅ：ＮＣ３０００Ｐ／ＲＥ３０３Ｓ−Ｌ
（共に日本化薬製）＝０．８／１０の比率で溶融混合し
たもの（２５℃粘度：７００ポイズ） エポキシ樹脂Ｆ：ＸＤ−１０００Ｌ／ＲＥ３０３Ｓ−Ｌ
（共に日本化薬製）＝６／１の比率で溶融混合したもの
（２５℃粘度：測定不能） ＲＥ３０３Ｓ−Ｌ：ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂
（日本化薬製） ＭＨ７００：メチルテトラヒドロ無水フタル酸（新日本
理化製） ＹＨ３０７：３，４−ジメチル−６−（２−メチル−１
−プロぺニル）−１，２，３，６−テトラハイドロフタ
ル酸と、１−イソプロピル−４−メチル−バイサクロ
［２．２．２］オクト−５−エン−２，３−ジカルボン
酸の混合物（混合比率＝６：４）（油化シェルエポキシ
製） ＫＢＭ４０３：シランカップリング剤、γ−グリシドキ
シプロピルトリメトキシシラン（信越化学製） ２Ｅ４ＭＺ：２−エチル−４−メチルイミダゾール（四
国化成製） ＳＥ８ＦＣ：最大粒径２４μｍ以下の球状シリカ（徳山
ソーダ製） ２Ｅ４ＭＺのマイクロカプセル：２Ｅ４ＭＺを２０重量
％含有したメタクリル酸メチルの重合体，平均粒径が７
μｍ，ｏ−クレゾール中で３０℃、１５分間の処理でマ
イクロカプセルから溶出する触媒の量は８７重量％
【００５６】共重合体：
【化２１】
【００５７】
【発明の効果】本発明の液状エポキシ樹脂組成物は、シ
リコンチップの表面、特に感光性ポリイミド樹脂や窒化
膜との密着性に優れた硬化物を与え、吸湿後のリフロー
の温度が従来温度２４０℃付近から２６０〜２７０℃に
上昇しても不良が発生せず、更にＰＣＴ（１２０℃／
２．１ａｔｍ）などの高温多湿の条件下でも劣化せず、
−６５℃／１５０℃の温度サイクルにおいて数百サイク
ルを超えても剥離、クラックが起こらない半導体装置を
提供することができる。
リコンチップの表面、特に感光性ポリイミド樹脂や窒化
膜との密着性に優れた硬化物を与え、吸湿後のリフロー
の温度が従来温度２４０℃付近から２６０〜２７０℃に
上昇しても不良が発生せず、更にＰＣＴ（１２０℃／
２．１ａｔｍ）などの高温多湿の条件下でも劣化せず、
−６５℃／１５０℃の温度サイクルにおいて数百サイク
ルを超えても剥離、クラックが起こらない半導体装置を
提供することができる。
【００５８】
【図１】本発明の封止材を用いたフリップチップ型半導
体装置の一例を示す断面図である。
体装置の一例を示す断面図である。
１ 有機基板
２ バンプ
３ 半導体チップ
４ アンダーフィル材
５ フィレット材
フロントページの続き
(72)発明者 桑原 治由
群馬県碓氷郡松井田町大字人見１番地10
信越化学工業株式会社シリコーン電子材料
技術研究所内
(72)発明者 塩原 利夫
群馬県碓氷郡松井田町大字人見１番地10
信越化学工業株式会社シリコーン電子材料
技術研究所内
Ｆターム(参考） 4J036 AA01 AA05 AC03 AD08 AD11
AD12 AD20 DB21 DC41 DD07
JA07
4M109 AA01 EA02 EB02 EB04 EB12
EC01 EC05
Claims (9)
- 【請求項１】 液状エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤
及び無機質充填剤を必須成分とするエポキシ樹脂組成物
において、上記液状エポキシ樹脂が、１分子内に２官能
基以下のエポキシ基を含有する常温で液状であるエポキ
シ樹脂（ａ）と、下記一般式（１）〜（４）で表される
１分子内に２官能基以上のエポキシ基を含有する常温で
固体状であるエポキシ樹脂の少なくとも１種（ｂ）とを
エポキシ樹脂（ａ）／エポキシ樹脂（ｂ）の重量比が９
／１〜１／４の範囲で含有し、このエポキシ樹脂混合物
の２５℃における粘度がＥ型粘度計において１０，００
０ポイズ以下であり、かつこの組成物の靭性値Ｋ1cが
３．０以上であることを特徴とする液状エポキシ樹脂組
成物。 【化１】 （式中、Ｒは水素原子、炭素数１〜４のアルキル基及び
フェニル基の中から選択される同一もしくは異なる基で
ある。ｘは０〜１０である。） 【化２】 （式中、Ｒ1は水素原子又は炭素数１〜６の一価炭化水
素基である。Ｒ’は水素原子、メチル基又はエチル基で
ある。ｙは０〜６の整数である。） 【化３】 （ｚは１以上の整数である。） 【化４】 （式中、Ｒ1〜Ｒ4は水素原子又は炭素数１〜６の一価炭
化水素基である。） - 【請求項２】 上記硬化剤として、３，４−ジメチル−
６−（２−メチル−１−プロぺニル）−１，２，３，６
−テトラハイドロフタル酸及び１−イソプロピル−４−
メチル−バイサクロ［２．２．２］オクト−５−エン−
２，３−ジカルボン酸の混合物を硬化剤全体の５〜７５
重量％含有することを特徴とする請求項１記載の液状エ
ポキシ樹脂組成物。 - 【請求項３】 上記硬化剤が、３，４−ジメチル−６−
（２−メチル−１−プロぺニル）−１，２，３，６−テ
トラハイドロフタル酸及び１−イソプロピル−４−メチ
ル−バイサクロ［２．２．２］オクト−５−エン−２，
３−ジカルボン酸の混合物と、メチルテトラヒドロ無水
フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸又はヘキサ
ヒドロ無水フタル酸とを併用するものである請求項２記
載の液状エポキシ樹脂組成物。 - 【請求項４】 上記硬化促進剤が、イミダゾール化合物
又は有機リン化合物である請求項１乃至３のいずれか１
項に記載の液状エポキシ樹脂組成物。 - 【請求項５】 上記硬化促進剤が、イミダゾール化合物
又は有機リン化合物を含有したマイクロカプセル触媒で
あって、平均粒径が０．５〜１０μｍであり、かつｏ−
クレゾール中におけるマイクロカプセルからの触媒の溶
出量が３０℃、１５分でマイクロカプセル中に含まれる
全触媒量の７０重量％以上であるマイクロカプセル触媒
を含有する請求項４記載の液状エポキシ樹脂組成物。 - 【請求項６】 上記イミダゾール化合物が、２−メチル
イミダゾール、２−エチルイミダゾール、１，２−ジメ
チルイミダゾール、１，２−ジエチルイミダゾール、２
−エチル−４−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイ
ミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール又は２−フ
ェニルイミダゾールである請求項４又は５記載の液状エ
ポキシ樹脂組成物。 - 【請求項７】 上記有機リン化合物が、下記式（８） Ｒ11Ｒ12Ｒ13Ｒ14ＰＳＣＮ （８） （但し、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14は、それぞれ炭素数１
〜２０の有機基である。）で表されるものである請求項
４又は５記載の液状エポキシ樹脂組成物。 - 【請求項８】 請求項１乃至７のいずれか１項記載の液
状エポキシ樹脂組成物の硬化物で封止された半導体装
置。 - 【請求項９】 請求項１乃至７のいずれか１項記載の液
状エポキシ樹脂組成物の硬化物で封止されたフリップチ
ップ型半導体装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001391194A JP3952143B2 (ja) | 2001-12-25 | 2001-12-25 | 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| US10/327,145 US6780674B2 (en) | 2001-12-25 | 2002-12-24 | Liquid epoxy resin composition and semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001391194A JP3952143B2 (ja) | 2001-12-25 | 2001-12-25 | 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003183351A true JP2003183351A (ja) | 2003-07-03 |
| JP3952143B2 JP3952143B2 (ja) | 2007-08-01 |
Family
ID=27598856
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001391194A Expired - Fee Related JP3952143B2 (ja) | 2001-12-25 | 2001-12-25 | 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6780674B2 (ja) |
| JP (1) | JP3952143B2 (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005051884A1 (ja) * | 2003-11-27 | 2005-06-09 | Chugoku Marine Paints, Ltd. | 環式カルボン酸化合物及びその用途 |
| JP2005179345A (ja) * | 2003-11-27 | 2005-07-07 | Chugoku Marine Paints Ltd | 新規シクロアルケニルカルボン酸、新規ビシクロアルケニルカルボン酸およびそれらの誘導体、それらからなる防汚塗料用配合剤、防汚塗料組成物、防汚塗膜、該防汚塗膜で被覆された船舶、水中構造物、漁具または漁網並びにこれらの防汚方法 |
| JP2005330315A (ja) * | 2004-05-18 | 2005-12-02 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP2006128488A (ja) * | 2004-10-29 | 2006-05-18 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2006165303A (ja) * | 2004-12-08 | 2006-06-22 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体チップのフリップチップ接続方法およびフリップチップ接続構造およびそのフリップチップ接続構造を備えた半導体装置 |
| JP2007513521A (ja) * | 2003-12-08 | 2007-05-24 | インテル コーポレイション | 重合体結合触媒を有する封入剤混合物 |
| WO2007061037A1 (ja) * | 2005-11-25 | 2007-05-31 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | 電子部品用液状樹脂組成物及び電子部品装置 |
| JP2008098620A (ja) * | 2006-09-14 | 2008-04-24 | Shin Etsu Chem Co Ltd | システムインパッケージ型半導体装置用の樹脂組成物セット |
| US8023277B2 (en) | 2006-03-02 | 2011-09-20 | Panasonic Corporation | Electronic component integrated module |
| JP2012046632A (ja) * | 2010-08-26 | 2012-03-08 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 封止用エポキシ樹脂組成物及びこれを用いて封止した半導体装置 |
| JP2012056979A (ja) * | 2010-09-06 | 2012-03-22 | Namics Corp | エポキシ樹脂組成物 |
| JP2013147522A (ja) * | 2012-01-17 | 2013-08-01 | Toray Ind Inc | 電子機器用接着剤組成物 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004311464A (ja) * | 2003-04-01 | 2004-11-04 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
| KR20070062927A (ko) * | 2005-12-13 | 2007-06-18 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 플립칩형 반도체 장치의 조립 방법 및 이 방법을 이용하여제조된 반도체 장치 |
| JPWO2008105535A1 (ja) * | 2007-03-01 | 2010-06-03 | 日本電気株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP5574237B2 (ja) * | 2008-05-21 | 2014-08-20 | ナガセケムテックス株式会社 | 電子部品封止用エポキシ樹脂組成物 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3707531B2 (ja) | 1999-06-08 | 2005-10-19 | 信越化学工業株式会社 | フリップチップ型半導体装置用封止材及びフリップチップ型半導体装置 |
| JP3646785B2 (ja) | 1999-06-09 | 2005-05-11 | 信越化学工業株式会社 | フリップチップ型半導体装置用アンダーフィル材及びフリップチップ型半導体装置 |
| JP2001055488A (ja) | 1999-06-10 | 2001-02-27 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フリップチップ型半導体装置用封止材及びフリップチップ型半導体装置 |
| US6429238B1 (en) | 1999-06-10 | 2002-08-06 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Flip-chip type semiconductor device sealing material and flip-chip type semiconductor device |
| JP3736611B2 (ja) * | 2000-02-01 | 2006-01-18 | 信越化学工業株式会社 | フリップチップ型半導体装置用封止材及びフリップチップ型半導体装置 |
| JP3695521B2 (ja) * | 2000-08-01 | 2005-09-14 | 信越化学工業株式会社 | 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP2002069157A (ja) * | 2000-08-24 | 2002-03-08 | Nitto Denko Corp | 半導体封止用樹脂組成物、およびそれを用いた半導体装置、半導体ウエハ、ならびに半導体装置の実装構造 |
| JP4656269B2 (ja) * | 2000-09-22 | 2011-03-23 | 信越化学工業株式会社 | 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP3434808B2 (ja) * | 2001-05-31 | 2003-08-11 | 三井金属鉱業株式会社 | 樹脂付銅箔及びその樹脂付銅箔を用いたプリント配線板 |
-
2001
- 2001-12-25 JP JP2001391194A patent/JP3952143B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-12-24 US US10/327,145 patent/US6780674B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7557148B2 (en) | 2003-11-27 | 2009-07-07 | Chugoku Marine Paints, Ltd. | Cyclic carboxylic acid compound and use thereof |
| JP2005179345A (ja) * | 2003-11-27 | 2005-07-07 | Chugoku Marine Paints Ltd | 新規シクロアルケニルカルボン酸、新規ビシクロアルケニルカルボン酸およびそれらの誘導体、それらからなる防汚塗料用配合剤、防汚塗料組成物、防汚塗膜、該防汚塗膜で被覆された船舶、水中構造物、漁具または漁網並びにこれらの防汚方法 |
| WO2005051884A1 (ja) * | 2003-11-27 | 2005-06-09 | Chugoku Marine Paints, Ltd. | 環式カルボン酸化合物及びその用途 |
| JP4574337B2 (ja) * | 2003-11-27 | 2010-11-04 | 中国塗料株式会社 | 新規シクロアルケニルカルボン酸、新規ビシクロアルケニルカルボン酸およびそれらの誘導体、それらからなる防汚塗料用配合剤、防汚塗料組成物、防汚塗膜、該防汚塗膜で被覆された船舶、水中構造物、漁具または漁網並びにこれらの防汚方法 |
| JP2007513521A (ja) * | 2003-12-08 | 2007-05-24 | インテル コーポレイション | 重合体結合触媒を有する封入剤混合物 |
| JP2005330315A (ja) * | 2004-05-18 | 2005-12-02 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP2006128488A (ja) * | 2004-10-29 | 2006-05-18 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP4737370B2 (ja) * | 2004-10-29 | 2011-07-27 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2006165303A (ja) * | 2004-12-08 | 2006-06-22 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体チップのフリップチップ接続方法およびフリップチップ接続構造およびそのフリップチップ接続構造を備えた半導体装置 |
| WO2007061037A1 (ja) * | 2005-11-25 | 2007-05-31 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | 電子部品用液状樹脂組成物及び電子部品装置 |
| US8232355B2 (en) | 2005-11-25 | 2012-07-31 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Liquid resin composition for electronic components and electronic component device |
| US8023277B2 (en) | 2006-03-02 | 2011-09-20 | Panasonic Corporation | Electronic component integrated module |
| JP2008098620A (ja) * | 2006-09-14 | 2008-04-24 | Shin Etsu Chem Co Ltd | システムインパッケージ型半導体装置用の樹脂組成物セット |
| US9018281B2 (en) | 2006-09-14 | 2015-04-28 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Set of resin compositions for preparing system-in-package type semiconductor device |
| JP2012046632A (ja) * | 2010-08-26 | 2012-03-08 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 封止用エポキシ樹脂組成物及びこれを用いて封止した半導体装置 |
| JP2012056979A (ja) * | 2010-09-06 | 2012-03-22 | Namics Corp | エポキシ樹脂組成物 |
| JP2013147522A (ja) * | 2012-01-17 | 2013-08-01 | Toray Ind Inc | 電子機器用接着剤組成物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20030155664A1 (en) | 2003-08-21 |
| US6780674B2 (en) | 2004-08-24 |
| JP3952143B2 (ja) | 2007-08-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3736611B2 (ja) | フリップチップ型半導体装置用封止材及びフリップチップ型半導体装置 | |
| JP3876965B2 (ja) | 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP5502268B2 (ja) | システムインパッケージ型半導体装置用の樹脂組成物セット | |
| JP4656269B2 (ja) | 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP2003183351A (ja) | 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| CN1732225A (zh) | 不流动的增韧的环氧树脂－酸酐底层填料密封剂 | |
| JP3695521B2 (ja) | 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| US6733902B2 (en) | Liquid epoxy resin composition and semiconductor device | |
| JP3985148B2 (ja) | 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP2009173744A (ja) | アンダーフィル剤組成物 | |
| JP2004051734A (ja) | 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| KR20080057664A (ko) | 재작업이 가능한 에폭시 수지 조성물 | |
| JP3871032B2 (ja) | 液状エポキシ樹脂組成物及びフリップチップ型半導体装置 | |
| JP2001200139A (ja) | 半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物 | |
| JP4737364B2 (ja) | 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP2007231146A (ja) | 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP2006028250A (ja) | 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP2010147175A (ja) | アンダーフィル剤組成物 | |
| JP2006316250A (ja) | 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP4508435B2 (ja) | 半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP2004099810A (ja) | 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| WO2006022693A1 (en) | Low voiding no flow fluxing underfill for electronic devices | |
| JP2007224124A (ja) | 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP2001098049A (ja) | 半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物 | |
| JP2001072831A (ja) | 半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040628 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060524 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060531 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060725 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060906 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061025 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061122 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061219 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070117 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070309 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070404 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070417 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3952143 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130511 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160511 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |