JP2003173672A5

JP2003173672A5 -

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Publication number: JP2003173672A5
Application number: JP2002331788A
Authority: JP
Filing date: 2002-11-15
Publication date: 2005-04-14

Claims

メモリデバイスであって、
メモリアレイと、第１の電流源と、第２の電流源
とを備え、
前記メモリアレイは、
基板と、
該基板上に配置されるメモリセルのアレイと、
前記メモリセルに結合される複数の第１の導体と、
前記メモリセルに結合される複数の第２の導体
とを備え、
前記第１の導体は前記第２の導体と前記メモリセルにおいて交差し、
前記第１の電流源は、前記第１の導体に選択的に結合され、選択された第１の導体に第１の書込み電流を与えることが可能であり、前記第１の電流源は、前記メモリアレイの温度を検知するために配置される第１の温度センサを備え、前記第１の温度センサは、前記第１の書込み電流を調整し、前記メモリアレイ内の温度変動を補償するための出力を与え、
前記第２の電流源は、前記第２の導体に選択的に結合されることからなる、メモリデバイス。
前記第１の温度センサは、
温度とともに変動する抵抗を有する複数の能動デバイスを含む、請求項１に記載のメモリデバイス。
前記複数の能動デバイスが、変動する温度に応答して、変化する出力電圧を提供することが可能な変換器デバイスを備える、請求項２のメモリデバイス。
前記第１の温度センサが、前記第１の電流源の制御要素に結合される、請求項１のメモリデバイス。
前記制御要素が三端子デバイスを備える、請求項４のメモリデバイス。
前記第１の電流源は、
前記制御要素に結合された出力電流回路と、
一組の公称電流回路であって、前記制御要素とバイアス電圧源を備える、一組の公称電流回路
とを備える、請求項４のメモリデバイス。
前記制御要素は、前記出力電流回路を通って流れる基準電流の流れを制御する、請求項６のメモリデバイス。
前記出力電流回路はカレントミラーから構成され、該カレントミラーは、前記基準電流から前記第１の書き込み電流を生成する、請求項７のメモリデバイス。
前記第１の温度センサは、第１の書き込み電流が生成されている間に、前記出力を与える、請求項１のメモリデバイス。
前記第１の電流源が電圧に結合される、請求項９のメモリデバイス。
前記第１の電流源がバイアス電圧源を備え、該バイアス電圧により、いつ該電圧が第１の書き込み電流を生成するかが決定される、請求項９のメモリデバイス。
前記第２の電流源は、
前記メモリアレイの温度を検知するために配置される第２の温度センサを備え、前記第２の温度センサは、前記第２の電流源によって生成される第２の書込み電流を調整し、前記メモリアレイ内の温度変動を補償するための出力を与える、請求項１のメモリデバイス。
前記第１の電流源を前記第１の導体に選択的に結合する第１のスイッチのバンクと、
前記第２の電流源を前記第２の導体に選択的に結合する第２のスイッチのバンク
を備える、請求項１２のメモリデバイス。
メモリデバイスにおいて書込み電流を生成する方法であって、前記メモリデバイスは、メモリセルのアレイと、前記メモリセルに結合される複数の第１の導体と、前記メモリセルに結合される複数の第２の導体と、少なくとも１つの温度センサを有する少なくとも１つの電流源とを備え、前記方法は、
書込み電流が前記第１の導体のうちの１つに流れることができるようにするステップと、
前記電流源の前記温度センサからの出力を受け取るステップと、
前記温度センサからの前記出力を用いて、前記書込み電流を生成するステップ
含む、方法。
前記温度センサからの出力を受け取る前記ステップは、前記電流源の制御要素において、前記温度センサの電圧を受け取るステップを含む、請求項１４の方法。
前記書込み電流を生成する前記ステップが、前記温度センサの電圧に応じて基準電流を調整するステップを含み、前記書き込み電流が前記基準電流に応じて変化する、請求項１５の方法。
前記書込み電流を生成する前記ステップは、前記書込み電流が生成されている間に、該書込み電流を調整するステップを含む、請求項１４の方法。
前記温度センサに電圧を印加するステップ含み、前記温度センサは、複数の能動要素を備えることからなる、請求項１７の方法。
前記温度センサからの出力を受け取る前記ステップは、前記書き込み電流が生成されている間に前記出力を受け取るステップを含むことからなる、請求項１７の方法。
メモリアレイに書き込むための回路において、
複数の能動デバイスを備える温度センサであって、前記温度センサは、制御要素の第１の端子に結合される、温度センサと、
前記制御要素の第２の端子に結合されるバイアス電圧源と、
前記制御要素の第３の端子に結合される出力電流回路
を備え、
前記出力電流回路は、メモリアレイの導体に書き込み電流を与えるよう構成可能であり、前記能動デバイスは、温度の変化と共にその抵抗が変わることからなる、回路。
前記制御要素がトランジスタである、請求項２０の回路。