JP2003168870A - 配線基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ノイズを確実に除去でき、しかも、チップコ
ンデンサの側面端子に生じるインダクタンスをも低減し
た配線基板を提供する。 【解決手段】 配線基板２００は、凹部２８７内に多数
のチップコンデンサ１３３を搭載している。このコンデ
ンサ１１３は縦横格子状に配置され、コンデンサが充放
電する際に、隣り合うコンデンサ１１３の対向して隣り
合う側面端子１１５に流れる電流の向きが互いに逆向き
になるよう配置されている。このため、側面端子１１５
に生じるインダクタンスを互いに打ち消し合わせること
ができるので、インダクタンスを低減させることができ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、チップコンデンサ
を裏面側に搭載する配線基板に関し、特に、チップコン
デンサに発生するインダクタンスを低減した配線基板に
関する。

【０００２】

【従来の技術】集積回路技術の進歩によりますますＩＣ
チップの動作が高速化されているが、それに伴い、電源
配線等にノイズが重畳されて、誤動作を引き起こすこと
がある。そこでノイズ除去のため、例えば図１２に示す
ように、ＩＣチップ１を搭載する配線基板２の主面２ｂ
あるいは裏面２ｃに、別途、チップコンデンサ６を搭載
し、チップコンデンサ６の２つの電極とそれぞれ接続す
るコンデンサ接続配線４を配線基板２の内部に設ける。
これにより、コンデンサ接続配線４及びフリップチップ
パッド５を経由してチップコンデンサ６をＩＣチップ１
に接続することが行われている。

【０００３】一方、積層セラミックタイプのチップコン
デンサとしては、図１２に拡大して示すチップコンデン
サ６のように、コンデンサ本体７の対向する２つの側面
７ｂ，７ｃに形成した側面端子８ｂ，８ｃにより、それ
ぞれの内部電極９ｂ，９ｃを取り出すものが知られてい
る。また、近時では、図１３（ａ）に示すコンデンサ１
０のように、コンデンサ本体１１の４つの側面１１ｂ，
１１ｃ，１１ｄ，１１ｅにそれぞれ側面端子１２ｂ〜１
２ｋを形成し、図１３（ｂ）に示すようにして、内部電
極１３ｂ，１３ｃと接続させたものも提案されている。
なお、側面１１ｃ，１１ｅには側面端子が形成されない
ものもある。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、チップ
コンデンサ６または１０を、図１２に示すように、配線
基板２の主面２ｂ及び裏面２ｃに搭載した場合には、コ
ンデンサの充放電に際し、側面端子８ｂ，８ｃ、または
１１ｂ〜１１ｋにインダクタンスが発生してしまう。こ
れは、チップコンデンサの側面端子８ｂ，８ｃ、または
１１ｂ〜１１ｋがそれぞれ側面７ｂ，７ｃまたは１１ｂ
〜１１ｅ上を主面側から裏面側に向かって延びているた
め、コンデンサの充放電に際し、側面端子８ｂ，８ｃ、
または１１ｂ〜１１ｋの図中上下方向に電流が流れるた
めである。本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、ノイズを確実に除去でき、チップコンデン
サの側面端子に生じるインダクタンスを低減した配線基
板を提供することを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段、作用及び効果】その解決
手段は、主面と裏面とを有する配線基板であって、コア
基板と、上記コア基板の上記主面側に複数積層された樹
脂絶縁層と、を備え、上記コア基板の上記裏面側に裏面
絶縁層が無いか、上記主面側に複数積層された上記樹脂
絶縁層より少ない層数の上記裏面絶縁層を有し、一方の
電極が共通第１電位に、他方の電極が共通第２電位にそ
れぞれ接続される複数のチップコンデンサを上記裏面側
に露出して搭載してなり、上記チップコンデンサは、側
面上を上記主面側から上記裏面側に向かって延びる側面
端子を有するチップコンデンサであり、一の上記チップ
コンデンサの上記共通第１電位に接続される上記側面端
子と、他の上記チップコンデンサの上記共通第２電位に
接続される上記側面端子とが対向し隣り合って配置され
てなる配線基板である。

【０００６】本発明の配線基板は、コア基板の主面側に
複数の樹脂絶縁層を積層する一方、裏面側には裏面絶縁
層が無いか、樹脂絶縁層より少ない裏面絶縁層を有する
配線基板である。このため、この配線基板は、裏面絶縁
層を無くし、あるいは少なくできた分、安価である。ま
た、ＩＣチップ等を配線基板の主面側に搭載した場合、
両面積層配線基板と比較して、本発明の配線基板は、裏
面絶縁層を無くし、あるいは少なくできた分、主面側の
ＩＣチップと裏面側のチップコンデンサとの距離が短く
なる。従って、本発明の配線基板は、両面積層配線基板
と比較して、短い経路で主面側のＩＣチップと裏面側の
チップコンデンサとを接続することが可能になり、これ
らの経路で発生する抵抗やインダクタンスを低減するこ
とが可能になる。

【０００７】また、本発明の配線基板に用いるチップコ
ンデンサの側面端子は、側面上を主面側から裏面側に向
かって延びている。このため、コンデンサの充放電に際
し、電流がこの側面端子を主面側から裏面側、または裏
面側から主面側に向かって流れ、側面端子にインダクタ
ンスが発生する。これに対し、本発明では、隣り合うチ
ップコンデンサの隣り合う側面端子同士を違う電位（一
方を共通第１電位、他方を共通第２電位）にしたので、
対向する側面端子に流れる電流の向きが逆方向になる。
さらに、いずれのチップコンデンサも配線基板の裏面側
に搭載したため、搭載した全てのチップコンデンサにお
いて、それぞれの側面端子に発生するインダクタンスを
打ち消し合わせることができ、結局インダクタンスを低
減することができる。

【０００８】なお、チップコンデンサとしては、配線基
板の裏面側に搭載できるものであればいずれのものでも
良いが、例えば、積層セラミックタイプや、電解コンデ
ンサタイプ、フィルムコンデンサタイプのものなどが挙
げられる。特に、積層セラミックタイプのチップコンデ
ンサは、周波数特性も良好である点、また、搭載させた
後の配線基板の製造工程内で熱が掛かるなどしても特性
が比較的安定で、配線基板の製造が容易になり歩留まり
が向上する点で好ましい。

【０００９】さらに、配線基板としては、チップコンデ
ンサを搭載できるものであればいずれでも良いが、エポ
キシ樹脂、ポリイミド樹脂、ＢＴ樹脂、ＰＰＥ樹脂など
の樹脂や、これらの樹脂とガラス繊維やポリエステル繊
維などの繊維との複合材料、三次元網目構造のフッ素樹
脂にエポキシ樹脂などを含浸させた樹脂複合材料を用い
たもの、さらに、アルミナ、ムライト、窒化アルミニウ
ム、ガラスセラミックなどのセラミック基板とこれらの
樹脂や複合材料とを組み合わせたものなどが挙げられ
る。

【００１０】なお、主面と裏面とを有する配線基板であ
って、コア基板と、上記コア基板の上記主面側に複数積
層された樹脂絶縁層と、を備え、上記コア基板の上記裏
面側に裏面絶縁層が無いか、上記主面側に複数積層され
た上記樹脂絶縁層より少ない層数の上記裏面絶縁層を有
し、側面上を上記主面側から上記裏面側に向かって延び
る側面端子を有するチップコンデンサであって、一方の
電極が共通第１電位に、他方の電極が共通第２電位にそ
れぞれ接続される複数のチップコンデンサを上記裏面側
に露出して搭載してなり、一の上記チップコンデンサに
形成され、上記共通第１電位に接続される上記側面端子
と、上記一のチップコンデンサと隣り合って配置された
他の上記チップコンデンサに形成され、上記共通第２電
位に接続される上記側面端子とが対向して隣り合って配
置されてなる配線基板としても、同様にチップコンデン
サのインダクタンスを低減させることができる。

【００１１】さらに他の解決手段は、主面と裏面とを有
する配線基板であって、コア基板と、上記コア基板の上
記主面側に複数積層された樹脂絶縁層と、を備え、上記
コア基板の上記裏面側に裏面絶縁層が無いか、上記主面
側に複数積層された上記樹脂絶縁層より少ない層数の上
記裏面絶縁層を有し、一方の電極が共通第１電位に、他
方の電極が共通第２電位にそれぞれ接続される複数のチ
ップコンデンサを上記裏面側に露出して搭載してなり、
上記チップコンデンサは、平面状側面と、上記平面状側
面上を上記主面側から上記裏面側に向かって延びる複数
の側面端子と、を有し、上記側面端子は、上記平面状側
面に沿う上記主面と平行な方向に、上記共通第１電位に
接続される第１電位側面端子と上記共通第２電位に接続
される第２電位側面端子とが交互に配置されてなるチッ
プコンデンサであり、一の上記チップコンデンサの上記
平面状側面と他の上記チップコンデンサの上記平面状側
面とが対向して配置され、上記一のチップコンデンサと
上記他のチップコンデンサとの間で対向して隣り合う上
記側面端子は、それぞれ、一方が上記第１電位側面端子
であり、他方が上記第２電位側面端子である配線基板で
ある。

【００１２】本発明の配線基板は、コア基板の主面側に
複数の樹脂絶縁層を積層する一方、裏面側には裏面絶縁
層が無いか、樹脂絶縁層より少ない裏面絶縁層を有する
配線基板である。このため、この配線基板は、裏面絶縁
層を無くし、あるいは少なくできた分、安価である。ま
た、ＩＣチップ等を配線基板の主面側に搭載した場合、
両面積層配線基板と比較して、本発明の配線基板は、裏
面絶縁層を無くし、あるいは少なくできた分、主面側の
ＩＣチップと裏面側のチップコンデンサとの距離が短く
なる。従って、本発明の配線基板は、両面積層配線基板
と比較して、短い経路で主面側のＩＣチップと裏面側の
チップコンデンサとを接続することが可能になり、これ
らの経路で発生する抵抗やインダクタンスを低減するこ
とが可能になる。

【００１３】また、本発明の配線基板に用いるチップコ
ンデンサの複数の側面端子は、それぞれ平面状側面上を
主面側から裏面側に向かって延びている。このため、コ
ンデンサの充放電に際し、電流がこの側面端子を主面側
から裏面側、または裏面側から主面側に向かって流れ、
側面端子にインダクタンスが発生する。これに対し、本
発明では、隣り合うチップコンデンサの対向して隣り合
う側面端子同士を違う電位（一方を共通第１電位、他方
を共通第２電位）にしたので、対向する側面端子に流れ
る電流の向きが逆方向になるため、それらに発生するイ
ンダクタンスを低減できる。しかも、各チップコンデン
サについてみると、平板状側面に第１電位側面端子と第
２電位側面端子とが交互に配置されているので、対向す
る２つのチップコンデンサの側面端子は、いずれも一方
が上記第１電位側面端子であり、他方が上記第２電位側
面端子となる。従って、この平面上側面に形成され対向
する側面端子それぞれについてインダクタンスを低減さ
せることができるから、全体としてさらにインダクタン
スを低減させることができる。

【００１４】なお、上記平面状側面を有するチップコン
デンサは、平面状側面が対向する２つのチップコンデン
サの側面端子の数が異なっていても、対向している側面
端子同士について上記のようになっていれば、インダク
タンス低減の効果を得ることができる。

【００１５】また、上記配線基板であって、前記一のチ
ップコンデンサと前記他のチップコンデンサとの間で対
向して隣り合う側面端子同士の間隔を、チップコンデン
サ内で隣り合う上記側面端子同士の間隔よりも小さくし
てなる配線基板とすると良い。

【００１６】本発明の配線基板について、例えば、１つ
の側面端子に着目して説明する。チップコンデンサ内で
この側面端子とこれに隣り合う側面端子との間隔（ピッ
チ）は、チップコンデンサが成形された時点で固定され
ており、変更することはできないので、両者間に生じる
相互インダクタンスは一定である。このため、単独のチ
ップコンデンサで考えた場合には、各側面端子のインダ
クタンスも一定である。しかし、一のチップコンデンサ
と他のチップコンデンサとを近接させると、着目してい
る側面端子と、これに対向して隣り合う側面端子との間
隔（ピッチ）は調整できる。従って、本発明のように、
対向して隣り合う側面端子同士の間隔を、チップコンデ
ンサ内で隣り合う側面端子同士の間隔よりも小さくすれ
ば、対向して隣り合う側面端子同士の結合が大きくな
り、相互インダクタンスが大きくなるから、各側面端子
についてインダクタンスをさらに効率よく低減させるこ
とができる。しかも、平面状側面の複数の側面端子同士
の関係にいずれも当てはまるので、全体として特にイン
ダクタンスを低減させることができる。

【００１７】さらに他の解決手段は、主面と裏面とを有
する配線基板であって、コア基板と、上記コア基板の上
記主面側に複数積層された樹脂絶縁層と、を備え、上記
コア基板の上記裏面側に裏面絶縁層が無いか、上記主面
側に複数積層された上記樹脂絶縁層より少ない層数の上
記裏面絶縁層を有し、一方の電極が共通第１電位に、他
方の電極が共通第２電位にそれぞれ接続される複数のチ
ップコンデンサを上記裏面側に露出して搭載してなり、
上記チップコンデンサは、略直方体状で、側面上を上記
主面側から上記裏面側に向かって延びる側面端子を有
し、上記側面端子は、４つの上記側面のうち、第１側面
とこれに対向する第３側面とに同数形成され、上記第１
側面に隣接し互いに対向する第２側面と第４側面とに
は、形成されないか、同数形成され、上記第１側面、第
２側面、第３側面及び第４側面の順に巡る周方向に、上
記共通第１電位に接続される第１電位側面端子と上記共
通第２電位に接続される第２電位側面端子とが交互に配
置されてなるチップコンデンサであり、上記各チップコ
ンデンサは、隣り合うチップコンデンサの上記第１側面
と第３側面とが、または第２側面と第４側面とが対向し
て隣り合う縦横格子状に配置され、隣り合うチップコン
デンサ間で対向して隣り合う上記側面端子は、それぞ
れ、一方が上記第１電位側面端子であり、他方が上記第
２電位側面端子である配線基板である。

【００１８】本発明の配線基板は、コア基板の主面側に
複数の樹脂絶縁層を積層する一方、裏面側には裏面絶縁
層が無いか、樹脂絶縁層より少ない裏面絶縁層を有する
配線基板である。このため、この配線基板は、裏面絶縁
層を無くし、あるいは少なくできた分、安価である。ま
た、ＩＣチップ等を配線基板の主面側に搭載した場合、
両面積層配線基板と比較して、本発明の配線基板は、裏
面絶縁層を無くし、あるいは少なくできた分、主面側の
ＩＣチップと裏面側のチップコンデンサとの距離が短く
なる。従って、本発明の配線基板は、両面積層配線基板
と比較して、短い経路で主面側のＩＣチップと裏面側の
チップコンデンサとを接続することが可能になり、これ
らの経路で発生する抵抗やインダクタンスを低減するこ
とが可能になる。

【００１９】また、本発明の配線基板に用いるチップコ
ンデンサの側面端子は、上述のように、側面上を主面側
から裏面側に向かって延びている。このため、コンデン
サの充放電に際し、電流がこの側面端子を主面側から裏
面側、または裏面側から主面側に向かって流れ、側面端
子にインダクタンスが発生する。これに対し、本発明で
は、隣り合うチップコンデンサの隣り合う側面端子同士
を違う電位（一方を共通第１電位、他方を共通第２電
位）にしたので、流れる電流の向きが逆方向になるか
ら、各側面端子に発生するインダクタンスを低減でき
る。しかも、各チップコンデンサを縦横格子状に並べて
いるので、各チップコンデンサの側面端子について、隣
り合うチップコンデンサとの間でインダクタンスを低減
できる。このため、複数のチップコンデンサ全体として
もインダクタンスの低減を図ることができ、その低減効
果がさらに大きくなる。

【００２０】また、上記配線基板であって、前記隣り合
うチップコンデンサ間で対向して隣り合う側面端子同士
の間隔を、チップコンデンサ内で隣り合う上記側面端子
同士の間隔よりも小さくしてなる配線基板とすると良
い。

【００２１】本発明の配線基板について、例えば、１つ
の側面端子に着目して説明する。チップコンデンサ内で
この側面端子とこれに隣り合う側面端子との間隔（ピッ
チ）は、チップコンデンサが成形された時点で固定され
ており、変更することはできないので、両者間に生じる
相互インダクタンスは一定である。このため、単独のチ
ップコンデンサで考えた場合には、各側面端子のインダ
クタンスも一定である。しかし、一のチップコンデンサ
と他のチップコンデンサとを近接させると、着目してい
る側面端子と、これに対向して隣り合う側面端子とのピ
ッチは調整できる。従って、本発明のように、対向して
隣り合う側面端子同士の間隔を、チップコンデンサ内で
隣り合う側面端子同士の間隔よりも小さくすれば、対向
して隣り合う側面端子同士の結合が大きくなり、相互イ
ンダクタンスが大きくなるから、これら間でインダクタ
ンスをさらに低減させることができる。しかも、縦横格
子状に配列したチップコンデンサのいずれの側面端子同
士にも当てはまるので、全体として特にインダクタンス
を低減させることができる。

【００２２】さらに、上記いずれかに記載の配線基板で
あって、チップコンデンサ同士の間には、絶縁樹脂体を
介設してなる配線基板とすると良い。

【００２３】本発明の配線基板では、チップコンデンサ
同士の間に絶縁樹脂体を介設しているので、側面端子同
士がショートすることが無く、確実に絶縁することがで
きる。逆に、絶縁樹脂体を介設しているので、チップコ
ンデンサの間隔を小さくすることができ、小さな面積に
多くのチップコンデンサを並べて配置することができ
る。

【００２４】さらに、上記いずれかに記載の配線基板で
あって、前記チップコンデンサは、誘電体層を介して第
１電極層と第２電極層とが交互に前記主面に平行に積層
されたチップ積層セラミックコンデンサである配線基板
とすると良い。

【００２５】本発明の配線基板では、チップコンデンサ
にチップ積層セラミックコンデンサを用いる。積層セラ
ミックコンデンサは周波数特性が良好であるので高周波
成分のノイズをキャンセルすることができる。また、チ
ップコンデンサを搭載させた配線基板を製作するに当た
って、耐熱性が高いので、製造工程内で掛かる温度にも
確実に耐え、特性変化が僅少に抑えられる。従って、信
頼性の高い配線基板とすることができる。

【００２６】さらに、上記いずれかに記載の配線基板で
あって、前記側面端子は、前記チップコンデンサのうち
前記主面側を向いた上面の周縁部に上面部を有し、この
上面部から上記上面の周縁を越えて前記側面上を前記主
面側から前記裏面側に向かって延びる側面端子である配
線基板とすると良い。

【００２７】本発明の配線基板では、側面端子に上面部
を有するので、この上面部からビアや配線を通じて、共
通第１電位及び共通第２電位を主面側に容易に引き出す
ことができる。なお、上面部としては、チップコンデン
サの上面に平板状（パッド状）に形成しても良いが、主
面側に盛り上がったバンプ形状としても良い。

【００２８】さらに、上記いずれかに記載の配線基板で
あって、前記コア基板は、前記裏面側に開口する凹部を
有し、前記チップコンデンサは、上記凹部の底面と上記
チップコンデンサの主面側の面とが対向して、上記凹部
内に搭載されてなる配線基板とすると良い。

【００２９】本発明の配線基板では、コア基板に裏面側
に開口する凹部を形成し、チップコンデンサをこの凹部
内に搭載する。このため、ＩＣチップ等を配線基板の主
面側に搭載した場合、本発明の配線基板は、凹部が形成
されていない配線基板と比較して、コア基板に凹部を形
成して肉厚を薄くした分、主面側のＩＣチップとチップ
コンデンサとの距離が短くなる。従って、本発明の配線
基板は、凹部が形成されていない配線基板と比較して、
短い経路で主面側のＩＣチップとチップコンデンサとを
接続することが可能になり、これらの経路で発生する抵
抗やインダクタンスを低減することが可能になる。

【００３０】さらに、上記いずれかに記載の配線基板で
あって、前記樹脂絶縁層のうち、前記複数のチップコン
デンサを前記主面側に投影した領域内には、上記主面上
に搭載するＩＣチップの複数の接続端子とそれぞれ接続
可能な複数のＩＣ接続端子が形成されてなる配線基板と
すると良い。

【００３１】本発明の配線基板では、樹脂絶縁層のう
ち、複数のチップコンデンサを主面側に投影した領域内
に、主面上に搭載するＩＣチップの複数の接続端子とそ
れぞれ接続可能な複数のＩＣ接続端子が形成されてい
る。つまり、チップコンデンサとＩＣとが配線基板の積
層方向（上下方向）に略対向して搭載される。このた
め、チップコンデンサとＩＣとの配線経路を短くするこ
とが可能になり、これらの経路で発生する抵抗、インダ
クタンスをさらに低減することが可能になる。

【００３２】

【発明の実施の形態】（実施形態１）本発明の第１の実
施形態を、図１〜図５を参照しつつ説明する。図１に示
す配線基板１００は、コア基板１１０と、コア主面１１
０ｂ側に積層されたエポキシ樹脂からなる樹脂絶縁層１
２２〜１２５、ベタ導体層１２６，１２７、及び配線層
１２８，１２９を有する。さらに、樹脂絶縁層１２２〜
１２５のうちいずれか、または複数の樹脂絶縁層を貫通
するビア導体１３１〜１３３が形成されている。さら
に、コア基板１１０のコア裏面１１０ｃ側には、チップ
コンデンサ１１３が多数搭載されている。また、樹脂絶
縁層１２５上（配線基板１００の主面１００ｂ）のう
ち、チップコンデンサ１１３を主面１００ｂ側に投影し
た領域Ｅ（図１の中央部）には、バンプ１３４（ＩＣ接
続端子）が多数形成され、破線で示すＩＣチップＣＨの
下面ＣＨＡに多数形成された接続端子ＣＨＴとそれぞれ
フリップチップ接続可能とされている。

【００３３】コア基板１１０は、３１ｍｍ×３１ｍｍの
矩形板状で、厚さ約１．０ｍｍのガラス−エポキシ樹脂
複合材料からなり、その主面１１０ｂと裏面１１０ｃと
の間には、これを貫通する多数のスルーホール用貫通孔
１１１Ｈが穿孔されている。スルーホール用貫通孔１１
１Ｈ内には、公知のスルーホール導体１１２が形成さ
れ、その内側には充填樹脂１１２Ｒが充填されている
（図１右下の拡大図参照）。コア基板１１０のコア主面
１１０ｂには、スルーホール導体１１２と接続するベタ
導体層１２６が形成され、コア裏面１１０ｃには、スル
ーホール導体１１２と接続するパッド１５１及びソルダ
ーレジスト層１４１が形成されている。

【００３４】バンプ１３４のうち、一部（図１の左右
端）は樹脂絶縁層１２４と１２５との間、あるいは樹脂
絶縁層１２３と１２４との間に形成された配線層１２
８，１２９によって、それぞれ周縁側（図１中、右また
は左方向）にファンアウトし、樹脂絶縁層１２４〜１２
２あるいは１２３〜１２２をそれぞれ貫通するビア導体
１３３、及びスルーホール導体１１２を通じてコア裏面
１００ｃに形成されたパッド１５１に接続している。こ
れらは、例えば、信号用配線として使用される。バンプ
１３４のうち、残りは樹脂絶縁層１２５〜１２２あるい
は１２５〜１２３をそれぞれ貫通するビア導体１３２に
よって、コア基板１１０と樹脂絶縁層１２２との間、あ
るいは樹脂絶縁層１２２と１２３との間に形成された略
平板状のベタ導体層１２６，１２７に接続する。なお、
次述するように本実施形態では、第１ベタ導体層１２６
は＋の電源電位（共通第１電位）に、第２ベタ導体層１
２７は接地電位（共通第２電位）に接続される。

【００３５】さらに、第１ベタ導体層１２６はコア基板
１１０を貫通するスルーホール導体１１２によって、チ
ップコンデンサ１１３の一方の側面端子１１５ｂに接続
し、第２ベタ導体層１２７は、樹脂絶縁層１２２を貫通
するビア導体１３１、及びコア基板１１０を貫通するス
ルーホール導体１１２によって、チップコンデンサ１１
３の他方の側面端子１１５ｃに接続する。これによっ
て、ＩＣチップＣＨを搭載したときは、コンデンサ１１
３とＩＣチップＣＨとが極めて近い距離で接続され、ま
た電源電位及び接地電位が供給される。

【００３６】チップコンデンサ１１３は、図１左下方に
拡大して示すように、ＢａＴｉＯ３系の高誘電体セラミ
ックからなる積層セラミックコンデンサである。このう
ちコンデンサ本体１１４は、略直方形状（３．２×１．
６×０．８ｍｍ）であり、配線基板１００の主面１００
ｂ側（図１の上方）を向きコンデンサ上面１１３ｕであ
る上面１１４ｕ、下面１１０ｃ側（図１の下方）を向き
コンデンサ下面１１３ｄである下面１１４ｄ、及び４つ
の側面１１４Ｓ（１１４Ｓ１，１１４Ｓ２，１１４Ｓ
３，１１４Ｓ４）を有している（図４参照）。

【００３７】その内部には、一方の電極層１１４ｂと他
方の電極層１１４ｃとが、セラミック高誘電体層１１４
ｅを介して交互に、上面１１４ｕに平行に（側面１１４
Ｓに垂直に）、従って、主面１００ｂに平行に多数積層
されている。これらの電極層１１４ｂ，１１４ｃはＮｉ
からなる。各電極層１１４ｂ，１１４ｃの一部が、図１
３（ｂ）に示したコンデンサと同様に、それぞれ第１側
面１１４Ｓ１及び第３側面１１４Ｓ３に引き出されて、
Ｃｕからなる側面端子１１５に接続している。具体的に
は一方の電極層１１４ｂが一方の側面端子１１５ｂに、
他方の電極層１１４ｃが他方の側面端子１１５ｃに接続
している。

【００３８】側面端子１１５ｂ，１１５ｃは、それぞれ
上面１１４ｕに上面部１１５ｂｕ，１１５ｃｕを、下面
１１４ｄに下面部１１５ｂｄ，１１５ｃｄをそれぞれ有
している。従って、側面端子１１５ｂ，１１５ｃは、こ
の上面部１１５ｂｕ，１１５ｃｕから上面１１４ｕの周
縁を越えて、側面１１４Ｓを上面１１４ｕから下面１１
４ｄに向かって延び、さらに、下面１１４ｄの周縁を越
えて下面部１１５ｂｄ，１１５ｃｄに接続している。

【００３９】本実施形態のチップコンデンサ１１３で
は、第１側面１１４Ｓ１とこれに対向する第３側面１１
４Ｓ３に、それぞれ４つの側面端子１１５が形成されて
おり、第２側面１１４Ｓ２及び第４側面１１４Ｓ４には
側面端子１１５は形成されていない。また、図４に示す
ように、１つのチップコンデンサ１１３について、第１
側面１１４Ｓ１から時計回りに第２側面１１４Ｓ２、第
３側面１１４Ｓ３、第４側面１１４Ｓ４の順に見ると、
側面端子１１５ｂ，１１５ｃは交互に並んで配置されて
いる。つまり、後述するように、電極層１１４ｂ，１１
４ｃをのいずれか一方を＋の電源電位（図４に「＋」で
示す）に、他方を接地電位（図４に「Ｇ」で示す）にす
ると、「＋」で示す電源電位に接続する側面端子１１５
ｂと、「Ｇ」で示す接地電位に接続する側面端子１１５
ｃとが交互に並ぶ構造とされている。

【００４０】さらに、チップコンデンサ１１３は、図４
及び図５に示すように、隣り合うチップコンデンサ１１
３の第１側面１１４Ｓ１と第３側面１１３Ｓ３同士、及
び第２側面１１４Ｓ２と第４側面１１４Ｓ４同士が対向
するように、主面１００ｂから見て、縦横格子状に配置
されている。このため、電源電位と接地電位とを各チッ
プコンデンサ１１３への接続を考慮することにより、図
４に示すように、隣り合って対向する側面端子１１５同
士を、別の電位にする、つまり一方の側面端子１１５ｂ
を電源電位に、他方の側面端子１１５ｃを接地電位にす
ることができる。

【００４１】ところで、このチップコンデンサ１１３に
ついて充放電させると、前記したように、側面端子１１
５に電流が流れる（図１及び図５参照）。この電流によ
って、側面１１４Ｓ１などを上下方向に延びる側面端子
１１５には、自己インダクタンスが発生する。なお、図
中の矢印は電流の方向を示す。１つのチップコンデンサ
１１３についてみると、隣の側面端子１１５との関係で
は、接続される電位が異なるので、充放電の際に流れる
電流の向きが逆になる。従って、両者の結合によって発
生する相互インダクタンスの分だけ、自己インダクタン
スを減少させることができる。

【００４２】しかも、隣り合ったチップコンデンサ１１
３同士についてみると、隣り合って対向する側面端子１
１５同士の関係でも、接続される電位が異なるので、充
放電の際に流れる電流の向きが逆になる。従って、両者
の結合によって発生する相互インダクタンスの分だけ、
自己インダクタンスを減少させることができる。本実施
形態では、チップコンデンサ１１３を縦横格子状に配置
している。このため、対向する第１側面１１４Ｓ１と隣
のコンデンサの第３側面１１４Ｓ３の側面端子同士につ
いて、さらには、対向して隣り合う側面端子１１５のい
ずれについても、上記のようにインダクタンスを抑制す
ることができるので、全体としてさらにインダクタンス
を低下させることができる

【００４３】その上、本実施形態では、図４に示すよう
に、チップコンデンサ１１３内で隣り合う側面端子１１
５同士の間隔（ピッチ）Ｐ１＝０．８ｍｍよりも、隣り
合うチップコンデンサ１１３同士の隣り合って対向する
側面端子１１５同士の間隔（ピッチ）Ｐ２＝０．４ｍｍ
の方が小さくされている。このため、隣り合って対向す
る側面端子１１５同士の結合が大きくなり、インダクタ
ンスをより小さくすることができる。

【００４４】この配線基板１００は、上記のようにチッ
プコンデンサ１１３を多数搭載しているため、ノイズを
確実に除去できる上、複数のチップコンデンサ１１３を
並列に接続しているので、搭載するコンデンサ全体とし
てのインダクタンスも低減させることができる。しか
も、各チップコンデンサ１１３について見ると、隣り合
って対向する側面端子１１５同士の極性が異なり、流れ
る電流の向きが逆向きになる。このため、インダクタン
スをさらに減少させることができ、より一層、低インダ
クタンスでＩＣチップＣＨとコンデンサ１１３とを接続
することができる。また、チップコンデンサ１１３の側
面端子１１５には、上面部１１５ｂｕ，１１５ｃｕを形
成しているので、コア基板１１０のコア裏面１１０ｃに
形成したパッド１５２（１５２ｂ，１５２ｃ）と側面端
子１１５（１１５ｂ，１１５ｃ）との接続が容易にな
る。

【００４５】また、配線基板１００は、コア基板１１０
の主面１１０ｂ側に樹脂絶縁層１２２〜１２５を形成
し、裏面１１０ｃには裏面絶縁層を形成しない、片面積
層配線基板である。このため、配線基板１００は、両面
積層配線基板と比較して裏面絶縁層を有しない分、安価
である。また、配線基板１００は、両面積層配線基板と
比較して裏面絶縁層を有しない分、主面側のＩＣチップ
と裏面側のチップコンデンサとの距離が短くなる。従っ
て、配線基板１００は、両面積層配線基板と比較して、
短い経路で主面側のＩＣチップと裏面側のチップコンデ
ンサとを接続することができ、これらの経路で発生する
抵抗やインダクタンスを低減することができる。

【００４６】さらに、配線基板１００では、樹脂絶縁層
１２５のうち、チップコンデンサ１１３を主面１００ｂ
側に投影した領域Ｅに、主面１００ｂ上に搭載するＩＣ
チップＣＨの複数の接続端子ＣＨＴとそれぞれ接続可能
な複数のバンプ１３４が形成されている（図１参照）。
つまり、チップコンデンサ１１３とＩＣチップＣＨとが
配線基板１００の積層方向（上下方向）に略対向して搭
載される。このため、チップコンデンサ１１３とＩＣチ
ップＣＨとの配線経路をさらに短くすることができ、こ
れらの経路で発生する抵抗、インダクタンスをさらに低
減することができる。

【００４７】次いで、本実施形態の配線基板１００の製
造方法について図１〜図３を参照しつつ説明する。ま
ず、ガラス−エポキシ樹脂複合材料からなり、主面１１
１ｂ及び裏面１１１ｃに厚さ約１６μｍの銅箔を張り付
けた、３１×３１ｍｍの矩形状で厚さ約１．０ｍｍの両
面銅張りのコア基板本体１１１を用意する（図２を参
照）。そして、コア基板本体１１１の所定の位置に、ド
リルまたはレーザによって、その主面１１１ｂと裏面１
１１ｃとの間を貫通する多数のスルーホール用貫通孔１
１１Ｈを穿孔する。

【００４８】その後、公知の無電解Ｃｕメッキ、電解Ｃ
ｕメッキ及びエッチングによって、スルーホール用貫通
孔１１１Ｈ内にスルーホール導体１１２を形成し、主面
１１１ｂの所定の位置にスルーホール導体１１２と接続
するように第１ベタ導体層１２６を形成し、裏面１１１
ｃの所定の位置にスルーホール導体１１２と接続するよ
うにパッド１５１，１５２を形成して、コア基板１１０
を形成する。なお、図２に拡大して示すように、スルー
ホール導体１１２としては、スルーホール用貫通孔１１
１Ｈの内周に内周スルーホール導体１１２ＴＨを形成す
るほか、その中心部に充填樹脂１１２Ｒを充填形成し
た。

【００４９】次に、２つのコア基板１１０のコア裏面１
１０ｃ同士を、接着層１３５によって、その外周縁より
外側の不要部１１８（図２の左右下面）で貼りあわせ
て、一対のコア基板１１０とする（図３参照）。次い
で、一対のコア基板１１０のうち２つのコア主面１１０
ｂについて、以下の工程を同時に行い、図３に示すよう
に樹脂絶縁層等を積層する。まず、コア主面１１０ｂ上
に樹脂絶縁層１２２を形成する。同様に、公知のビルド
アップ工法によって、各樹脂絶縁層１２３〜１２５を形
成すると共に、各層間には、第２ベタ導体層１２７、配
線層１２８，１２９を形成する。また、各樹脂絶縁層を
貫通するビア導体１３１，１３２，１３３を形成する。
さらに、各ビア導体１３２と接続するように、樹脂絶縁
層１２５上にバンプ１３４を形成する。

【００５０】このように、２つのコア基板１１０を貼り
あわせて、同時に樹脂絶縁層等を積層するのは、２つの
コア基板１１０を貼りあわせることによって、樹脂絶縁
層等の積層時に基板が反るのを防止することができるか
らである。次に、コア基板１１０同士を貼りあわせてい
る接着層１３５を切り離して、一対のコア基板１１０に
樹脂絶縁層等を積層したものを分離する。その後、コア
基板１１０の裏面１１０ｃに所定パターンのソルダーレ
ジスト層１４１を形成する（図１参照）。その後、チッ
プコンデンサ１１３を裏面１１０ｃ側に配置し、側面端
子１１５ｂの上面部１１５ｂｕと第１パッド１５２ｂと
を、側面端子１１５ｃの上面部１１５ｃｕと第２パッド
１５２ｃとを、ハンダ１５３によって接続する。このよ
うにして、図１に示すような配線基板１００を完成す
る。

【００５１】以上に説明したように、配線基板１００
は、２つのコア基板１１０を接着層１３５を介して貼り
あわせ、一対のコア基板１１０とした後、このような十
分な強度を持つ一対のコア基板１１０の主面１１０ｂ上
に絶縁樹脂層及び配線層を積層している。従って、コア
基板１１０の片面にだけ樹脂絶縁層が積層されていて
も、従来のような補強材を取り付けることが不要とな
り、低コストで製造することが可能となる。

【００５２】（実施形態２）次に、本発明の第２の実施
形態について、図６を参照しつつ説明する。本実施形態
の配線基板２００は、実施形態１にかかる配線基板１０
０と比較して、コンデンサ接続用のパッドとＩＣ接続用
のバンプとを結ぶ配線については、ほぼ同様の構造を有
している。但し、実施形態１では、配線基板の裏面側に
突出するようにチップコンデンサを裏面に搭載した。こ
れに対し、本実施形態２では、コア基板に配線基板の裏
面側に開口する凹部を形成し、チップコンデンサを凹部
内に搭載する。従って、ここでは、実施形態１と異なる
部分を中心に説明し、同様な部分については、説明を省
略または簡略化する。

【００５３】具体的には、本発明の配線基板２００は、
図６に示すように、配線基板本体２０１とチップコンデ
ンサ１１３とによって構成されている。配線基板本体２
０１は、裏面２０１ｃ側に開口する凹部２８７が形成さ
れたコア基板２８０と、コア主面２８０ｂ上に積層され
た、実施形態１と同様の、樹脂絶縁層１２２〜１２５、
ベタ導体層２２６，１２７、及び配線層１２８，１２９
を有する。さらに、実施形態１と同様に、樹脂絶縁層１
２２〜１２５のうちいずれか、または複数の樹脂絶縁層
を貫通するビア導体１３１〜１３３が形成されている。
また、チップコンデンサ１１３は、チップコンデンサの
上面１１３ｕが凹部２８７の底面２８７ｂに対向するよ
うに、凹部２８７内に配置されている。

【００５４】配線基板２００のうちコア基板２８０は、
比較的肉薄の第１コア部２６０と比較的肉厚の第２コア
部２７０とによって形成される。第１コア部２６０は、
３１ｍｍ×３１ｍｍの矩形で厚さ約２００μｍのガラス
−エポキシ樹脂からなり、図７に示すように、その中央
付近には第１コア部２６０の厚さ方向に貫通する直径約
１００μｍの多数のスルーホール用貫通孔２６１Ｈが穿
孔されている。スルーホール用貫通孔２６１Ｈ内には、
公知のスルーホール導体２６２が形成され、その内側に
は充填樹脂２６２Ｒが充填されている。（図７の拡大図
参照） 第２コア部２７０（図６参照）は、３１ｍｍ×３１ｍｍ
の矩形で厚さ約８００μｍのガラス−エポキシ樹脂から
なり、その中央付近には凹部２８７が形成されている。
凹部２８７は平面視で縦・横約１５ｍｍ×１５ｍｍの略
正方形である。

【００５５】第１コア部２６０と第２コア部２７０と
は、厚さ約６０μｍの接着層２４５を介して貼り合わさ
れることにより積層され、コア基板２８０を形成してい
る。コア基板２８０のうち凹部２８７の周囲（図６の左
右）には、図６に拡大して示すように、その厚さ方向に
貫通する直径約１００μｍの多数のスルーホール用貫通
孔２８１Ｈが穿孔されている。スルーホール用貫通孔２
８１Ｈ内には、公知のスルーホール導体２８２が形成さ
れ、その内側には充填樹脂２８２Ｒが充填されている。
さらに、コア基板２８０のコア裏面２８０ｃには、スル
ーホール導体２８２と接続するパッド２５５とソルダー
レジスト層２４３が形成されている。また、凹部２８７
の底面２８７ｂには、実施形態１のコンデンサ接続用の
パッド１５２と同様のコンデンサ接続用のパッド２５２
とエポキシ系樹脂からなるソルダーレジスト層２４４と
が形成されている。コンデンサ接続用のパッド２５２は
スルーホール導体２６２と接続している。

【００５６】コア基板２８０のコア主面２８０ｂ上に形
成されているベタ導体層２２６は、実施形態１のベタ導
体層１２６と同様のパターンであり、スルーホール導体
２８２と接続している。また、実施形態１と同様に、樹
脂絶縁層１２５上（配線基板２００の主面２００ｂ）の
うち、チップコンデンサ１１３を主面２００ｂ側に投影
した領域Ｅ（図６の中央部）には、バンプ１３４が多数
形成され、破線で示すＩＣチップＣＨの下面ＣＨＡに多
数形成された接続端子ＣＨＴとそれぞれフリップチップ
接続可能とされている。

【００５７】上述のような配線基板本体２０１を有する
配線基板２００によれば、実施形態１と同様に、バンプ
１３４のうち一部（図６の左右端）は、配線層１２８，
１２９によってそれぞれ周縁側（図６中、右または左方
向）にファンアウトし、ビア導体１３３、及びスルーホ
ール導体２８２を通じてパッド２５５に接続している。
これらは、例えば、信号用配線として使用される。さら
に、実施形態１と同様に、バンプ１３４のうち残りは、
ビア導体１３２によってベタ導体層２２６，１２７に接
続する。なお、実施形態１と同様に、第１ベタ導体層２
２６は＋の電源電位（共通第１電位）に、第２ベタ導体
層１２７は接地電位（共通第２電位）に接続される。

【００５８】さらに、実施形態１と同様に、第１ベタ導
体層１２６はスルーホール導体２６２によって、チップ
コンデンサ１１３の一方の側面端子１１５ｂに接続し、
第２ベタ導体層１２７は、ビア導体１３１及びスルーホ
ール導体２６２によって、チップコンデンサ１１３の他
方の側面端子１１５ｃに接続する。これによって、ＩＣ
チップＣＨを搭載したときは、コンデンサ１１３とＩＣ
チップＣＨとが極めて近い距離で接続され、また電源電
位及び接地電位が供給される。

【００５９】また、凹部２８７内に搭載されているチッ
プコンデンサ１１３は、実施形態１と同様に配置されて
いる。従って、隣り合ったチップコンデンサ１１３同士
についてみると、隣り合って対向する側面端子１１５同
士の関係で、接続される電位が異なるので、充放電の際
に流れる電流の向きが逆になる。従って、両者の結合に
よって発生する相互インダクタンスの分だけ、自己イン
ダクタンスを減少させることができる（図５及び図６参
照）。さらに、チップコンデンサ１１３は、縦横格子状
に配置されているため、対向して隣り合う側面端子１１
５のいずれについても、上記のようにインダクタンスを
抑制することができるので、全体としてさらにインダク
タンスを低下させることができる。その上、図４に示す
ように、Ｐ１＝０．８ｍｍ、Ｐ２＝０．４ｍｍとなって
いるため、隣り合って対向する側面端子１１５同士の結
合が大きくなり、インダクタンスをより小さくすること
ができる。

【００６０】また、本実施形態の配線基板２００は、実
施形態１と同様に、コア基板２８０の主面２８０ｂ側に
樹脂絶縁層１２２〜１２５を形成し、裏面２８０ｃには
裏面絶縁層を形成しない、片面積層配線基板である。こ
のため、配線基板２００は、両面積層配線基板と比較し
て裏面絶縁層を有しない分、安価である。また、配線基
板２００は、両面積層配線基板と比較して裏面絶縁層を
有しない分、主面側のＩＣチップと裏面側のチップコン
デンサとの距離が短くなる。従って、配線基板２００
は、両面積層配線基板と比較して、短い経路で主面側の
ＩＣチップと裏面側のチップコンデンサとを接続するこ
とができ、これらの経路で発生する抵抗やインダクタン
スを低減することができる。

【００６１】さらに、配線基板２００では、実施形態１
と同様に、樹脂絶縁層１２５のうち、チップコンデンサ
１１３を主面２００ｂ側に投影した領域Ｅに、主面２０
０ｂ上に搭載するＩＣチップＣＨの複数の接続端子ＣＨ
Ｔとそれぞれ接続可能な複数のバンプ１３４が形成され
ている（図６参照）。つまり、チップコンデンサ１１３
とＩＣチップＣＨとが配線基板２００の積層方向（上下
方向）に略対向して搭載される。このため、チップコン
デンサ１１３とＩＣチップＣＨとの配線経路をさらに短
くすることができ、これらの経路で発生する抵抗、イン
ダクタンスをさらに低減することができる。

【００６２】またさらに、配線基板２００では、チップ
コンデンサ１１３を、凹部２８７内に搭載している。従
って、主面２００ｂ上に搭載するＩＣチップＣＨとチッ
プコンデンサ１１３とが、肉薄の第１コア部２６０を挟
んで搭載される。このため、凹部が形成されていない配
線基板と比較して、配線基板のＩＣチップ接続用のバン
プとチップコンデンサの端子（上面部）との距離を短く
し、さらには、主面上に搭載するＩＣチップとチップコ
ンデンサとの距離を短くすることができる。従って、凹
部が形成されていない配線基板と比較して、短い経路で
配線基板のＩＣチップ接続用のバンプとチップコンデン
サの端子（上面部）とを接続することが可能になり、こ
れらの経路で発生する抵抗成分やインダクタンス成分を
さらに抑制できる。

【００６３】次いで、本実施形態の配線基板２００の製
造方法について、図６〜図１０を参照して説明する。ま
ず、ガラス−エポキシ樹脂複合材料からなり、主面２６
５ｂ及び裏面２６５ｃに厚さ約１６μｍの銅箔を貼り付
けた、３１ｍｍ×３１ｍｍの矩形で厚さ約２００μｍの
両面銅張の第１コア基板本体２６５を用意する（図７参
照）。そして、第１コア基板本体２６５の所定の位置
に、レーザまたはドリルによって、その主面２６５ｂと
裏面２６５ｃとの間を貫通する多数のスルーホール用貫
通孔２６１Ｈを穿孔する。

【００６４】その後、公知の無電解Ｃｕメッキ、電解Ｃ
ｕメッキ及びエッチングによって、スルーホール用貫通
孔２６１Ｈ内にスルーホール導体２６２を形成し、主面
２６５に銅メッキ層２６８を形成し、裏面２６５ｃの所
定の位置に、スルーホール導体２６２と接続するパッド
２５２と、配線層２６７を形成する。次いで、裏面２６
５ｃの所定の位置にエポキシ系樹脂からなるソルダーレ
ジスト層２４４をパッド２５２が露出するように形成し
て、第１コア部９１０を含む第１コア基板２６９を形成
する。なお、図７に拡大して示すように、スルーホール
導体２６２としては、スルーホール用貫通孔２６１Ｈの
内周に内周スルーホール導体２６２ＴＨを形成するほ
か、その中心部に充填樹脂２６２Ｒを充填形成した。

【００６５】また、図８に示すような、ガラス−エポキ
シ樹脂複合材料からなり、主面２７５ｂ及び裏面２７５
ｃに厚さ約１６μｍの銅箔を貼り付けた、３１ｍｍ×３
１ｍｍの矩形で厚さ約８００μｍの両面銅張の第２コア
基板本体２７５を用意する。そして、第２コア基板本体
２７５の主面２７５ｂ側を、エンドミルによって座ぐり
加工することにより、図８（ａ）に示すような平面視略
ロ字状の凹溝２７３を、第２コア基板本体２７５の中央
部に形成する。次いで、主面２７５ｂ側の銅箔をエッチ
ングして、凹溝２７３の周囲に配線層２７７を形成す
る。このようにして、図８（ｂ）に示すような第２コア
部２７０を含む第２コア基板２７９を形成する。

【００６６】次に、図９に示すように、第１コア基板２
６９の裏面２６９ｃと第２コア基板２７９の主面２７９
ｂとの間に、接着性のあるプリプレグからなる接着層２
４５を配置して、加熱・押圧することによって、第１コ
ア基板２６９と第２コア基板２７９とを接着・積層す
る。なお、このとき、過剰な接着層２４５がある場合
は、凹溝２７３内に収容される。次いで、この周縁部分
の所定の位置にレーザまたはドリルによって穿孔し、こ
の厚さ方向に貫通する直径約１００μｍのスルーホール
用貫通孔２８１Ｈを形成する。

【００６７】次いで、図９に示すように、無電解銅メッ
キ、及び電解銅メッキを施し、各スルーホール用貫通孔
２８１Ｈ内にスルーホール導体２８２、及び主面２８４
ｂ上と裏面２８４ｃ上に図示しない銅メッキ層が形成さ
れる。そして、主面２８４ｂ上の銅メッキ層を実施形態
１と同様のパターンにエッチングして、主面２８４ｂの
所定の位置にスルーホール導体２８２と接続するように
第１ベタ導体層２２６を形成する。なお、図９に拡大し
て示すように、スルーホール導体２８２としては、スル
ーホール用貫通孔２８１Ｈの内周に内周スルーホール導
体２８２ＴＨを形成するほか、その中心部に充填樹脂２
８２Ｒを充填形成した。このとき、スルーホール導体２
８２は、配線層２６７，２７７と接続している。また、
裏面２８４ｃ上の銅メッキ層をエッチングし、パッド２
５５を形成する。以上のようにして、図９に示すような
コア基板本体２８４を形成する。

【００６８】次に、２つのコア基板本体２８４の裏面２
８４ｃ同士を、その外周縁より外側の不要部２８４ｄ
（図９の左右下面）で貼りあわせて、図示しない一対の
コア基板本体２８４とする。次いで、一対のコア基板本
体２８４のうち２つの主面２８４ｂについて、以下の工
程を同時に行う。実施形態１と同様に、公知のビルドア
ップ配線基板の形成手法によって、各樹脂絶縁層１２２
〜１２５を形成すると共に、各層間には、第２ベタ導体
層１２７、配線層１２８，１２９を形成し、また各樹脂
絶縁層を貫通するビア導体１３１，１３２，１３３を形
成する。さらに、各ビア導体１３２と接続するように、
樹脂絶縁層１２５上にバンプ１３４を形成する。

【００６９】このように、２つのコア基板本体２８４を
貼りあわせて、同時に樹脂絶縁層等を積層するのは、２
つのコア基板本体２８４を貼りあわせることによって、
樹脂絶縁層等の積層時に基板が反るのを防止することが
できるからである。次に、コア基板本体２８４同士を貼
りあわせている不要部２８４ｄで切り離して、一対のコ
ア基板本体２８４に樹脂絶縁層等を積層したものを分離
する。その後、コア基板本体２８４の裏面２８４ｃ上に
所定パターンのソルダーレジスト層２４３を形成する
（図１０参照）。次に、コア基板本体２８４の裏面２８
４ｃ側から、図９に二点鎖線で示すように、凹溝２７３
の裏側にエンドミルによって凹溝（二点鎖線部分）を形
成し、第２コア基板２７９の中央部分を切り離して除去
し、凹部２８７を形成する。（このとき、コア基板本体
２８４がコア基板２８０となる。）こうして、図１０に
示すような配線基板本体２０１が完成する。

【００７０】以上に説明したように、配線基板本体２０
１は、肉薄の第１コア基板２６９に接着層２４５を介し
て肉厚の第２コア基板２７９を積層し、コア基板本体２
８４を形成した後、このような十分な強度を持つコア基
板本体２８４の主面２８４ｂ上に絶縁樹脂層及び配線層
を積層している。従って、コア基板本体２８４の片面に
だけ樹脂絶縁層が積層されていても、従来のような補強
材を取り付けることが不要となり、低コストで製造する
ことが可能となる。

【００７１】その後、チップコンデンサ１１３を配線基
板本体２０１の凹部２８７内に配置し、側面端子１１５
ｂの上面部１１５ｂｕと第１パッド２５２ｂとを、側面
端子１１５ｃの上面部１１５ｃｕと第２パッド２５２ｃ
とを、ハンダ１５３によって接続する。このようにし
て、配線基板２００を完成する。その後さらに、側面端
子１１５ｂの下面部１１５ｂｄ及び側面端子１１５ｃの
上面部１１５ｃｄを露出するようにして凹部２８７内に
樹脂を充填し、コンデンサ１１３を埋め込んでも良い。

【００７２】以上において、本発明を実施形態１，２に
即して説明したが、本発明は上記実施形態に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、適宜変更
して適用できることはいうまでもない。例えば、上記実
施形態１，２においては、チップコンデンサの第１側面
と第３側面にそれぞれ同数の側面端子１１５等が形成さ
れたコンデンサを用いた。しかし、例えば、図１１に示
すチップコンデンサ４１３のように、第１側面４１３Ｓ
１と第３側面４１３Ｓ３だけでなく、第２側面４１３Ｓ
２及び第４側面４１３Ｓ４にも側面端子４１５（４１５
ｂ，４１５ｃ）を同数（図では２ヶずつ）形成したもの
を用いても良い。この際、隣り合う側面端子４１５の電
位を、図１１に示すように、共通第１電位（例えば、
「＋」で示す電源電位）と共通第２電位（例えば「Ｇ］
で示す接地電位）とが交互に現れる配置とする。このよ
うにしたチップコンデンサ４１３を用いても、対向して
隣り合う側面端子４１５同士でインダクタンスを打ち消
し合うので、より低インダクタンスでチップコンデンサ
とＩＣチップ等とを接続することができるようになる。

【００７３】さらに、チップコンデンサ４１３同士を密
集して配置し、１つのチップコンデンサにおいて隣り合
う側面端子４１５同士の間隔Ｐ１，Ｐ３よりも、隣り合
うチップコンデンサ４１３同士の対向する側面端子４１
５同士の間隔Ｐ２，Ｐ４を小さくすると、さらに低イン
ダクタンスにすることができる。また、上記実施形態で
は、いずれもチップコンデンサとして同一形状のものを
用い、これらを縦横格子状に配置した。しかし、隣り合
うコンデンサの側面端子同士が対向して隣り合ってお
り、それらの極性が異なるように接続されていれば良
い。少なくともこれらの側面端子同士の間ではインダク
タンスの低減を図ることができるからである。

【００７４】さらに、上記実施形態では、チップコンデ
ンサ１１３と主面１００ｂ等との間に、第１ベタ導体層
１２６，第２ベタ導体層１２７などを形成した。このよ
うにすると、一般に側面端子１１５等の間隔などに比し
て、間隔の狭くされているバンプ１３４との接続が容易
にできるメリットがある。しかし、各バンプ１３４のう
ち所定のバンプとチップコンデンサ１１３の側面端子１
１５ｂ，１１５ｃとを適切に接続できれば良く、樹脂絶
縁層１２３〜１２５の層間に形成した配線層や樹脂絶縁
層１２２等を貫通するビア導体によって、側面端子１１
５と各々のバンプ１３４とを接続するようにしても良
い。また第１ベタ導体層１２６や第２ベタ導体層１２７
として平板状の導体層を形成したが、これらに代えて格
子状（メッシュ状）の導体層を用いることもできる。

【００７５】また、例えば、樹脂絶縁層１２２と１２３
の層間やコア基板１１０の主面１１０ｂ上に縞状（スト
ライプ状）の導体層を設け、各縞状導体層が交互に共通
第１電位（電源電位）及び共通第２電位（接地電位）と
なるように、個々の縞状導体層と側面端子１１５ｂ，１
１５ｃを接続する。さらにこの縞状導体層と各バンプ１
３４とを接続するという構造にしても良い。さらにま
た、上記実施形態では、コア基板の主面側に樹脂絶縁層
１２２〜１２５を形成したが、これよりも多数または少
数の樹脂絶縁層を、コア基板の主面側に積層した配線基
板としても良い。また、コア基板の裏面側には裏面絶縁
層を形成していないが、主面側の樹脂絶縁層より少ない
裏面絶縁層を形成しても良い。但し、ＩＣチップとチッ
プコンデンサとの距離が近くなるという点で、裏面絶縁
層は少ないほうが良い。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施形態１にかかる配線基板１００の断面図で
ある。

【図２】実施形態１にかかる配線基板１００のコア基板
１１０の断面図である。

【図３】実施形態１にかかる配線基板１００の製造方法
を説明するための説明図である。

【図４】縦横格子状に配列させたチップコンデンサ１１
３の各側面端子の電位を示す説明図である。

【図５】縦横格子状に配列させたチップコンデンサ１１
３の様子及び側面端子を流れる電流の方向を示す斜視説
明図である。

【図６】実施形態２にかかる配線基板２００の断面図で
ある。

【図７】実施形態２にかかる配線基板２００の第１コア
基板２６９の断面図である。

【図８】実施形態２にかかる配線基板２００の第２コア
基板２７９を示す図であり、（ａ）はその上面図、
（ｂ）はそのＡ−Ａ断面拡大図である。

【図９】実施形態２にかかる配線基板２００のコア基板
本体２８４の断面図である。

【図１０】実施形態２にかかる配線基板２００の配線基
板本体２０１の断面図である。

【図１１】チップコンデンサの他の配列例及び各側面端
子の電位を示す説明図である。

【図１２】基板の主面や裏面にチップコンデンサを搭載
した従来の配線基板を示す説明図である。

【図１３】他のチップコンデンサの形状及び構造を示す
説明図であり、（ａ）はその斜視図、（ｂ）はその構造
を示す。

【符号の説明】

１００，２００ 配線基板 １００ｂ，２００ｂ 主面 １００ｃ，２００ｃ 裏面 １１０，２８０ コア基板 １１１，２８４ コア基板本体 １１２，２６２，２８２ スルーホール導体 １１３，４１３ チップコンデンサ １１３ｕ チップコンデンサの上面 １１５ｂ，４１５ｂ 側面端子（第１電位側面端子） １１５ｃ，４１５ｃ 側面端子（第２電位側面端子） １１５ｂｕ，１１５ｃｕ 上面部 １２２〜１２５ 樹脂絶縁層 １２６，１２７ ベタ導体層 １３４ バンプ（ＩＣ接続端子） ２８７ 凹部 Ｅ チップコンデンサ１１３を主面側に投影した領域

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】主面と裏面とを有する配線基板であって、 コア基板と、 上記コア基板の上記主面側に複数積層された樹脂絶縁層
   と、を備え、 上記コア基板の上記裏面側に裏面絶縁層が無いか、上記
   主面側に複数積層された上記樹脂絶縁層より少ない層数
   の上記裏面絶縁層を有し、 一方の電極が共通第１電位に、他方の電極が共通第２電
   位にそれぞれ接続される複数のチップコンデンサを上記
   裏面側に露出して搭載してなり、 上記チップコンデンサは、 側面上を上記主面側から上記裏面側に向かって延びる側
   面端子を有するチップコンデンサであり、 一の上記チップコンデンサの上記共通第１電位に接続さ
   れる上記側面端子と、他の上記チップコンデンサの上記
   共通第２電位に接続される上記側面端子とが対向し隣り
   合って配置されてなる配線基板。
2. 【請求項２】主面と裏面とを有する配線基板であって、 コア基板と、 上記コア基板の上記主面側に複数積層された樹脂絶縁層
   と、を備え、 上記コア基板の上記裏面側に裏面絶縁層が無いか、上記
   主面側に複数積層された上記樹脂絶縁層より少ない層数
   の上記裏面絶縁層を有し、 一方の電極が共通第１電位に、他方の電極が共通第２電
   位にそれぞれ接続される複数のチップコンデンサを上記
   裏面側に露出して搭載してなり、 上記チップコンデンサは、 平面状側面と、 上記平面状側面上を上記主面側から上記裏面側に向かっ
   て延びる複数の側面端子と、を有し、 上記側面端子は、上記平面状側面に沿う上記主面と平行
   な方向に、上記共通第１電位に接続される第１電位側面
   端子と上記共通第２電位に接続される第２電位側面端子
   とが交互に配置されてなるチップコンデンサであり、 一の上記チップコンデンサの上記平面状側面と他の上記
   チップコンデンサの上記平面状側面とが対向して配置さ
   れ、 上記一のチップコンデンサと上記他のチップコンデンサ
   との間で対向して隣り合う上記側面端子は、それぞれ、
   一方が上記第１電位側面端子であり、他方が上記第２電
   位側面端子である配線基板。
3. 【請求項３】請求項２に記載の配線基板であって、 前記一のチップコンデンサと前記他のチップコンデンサ
   との間で対向して隣り合う側面端子同士の間隔を、チッ
   プコンデンサ内で隣り合う上記側面端子同士の間隔より
   も小さくしてなる配線基板。
4. 【請求項４】主面と裏面とを有する配線基板であって、 コア基板と、 上記コア基板の上記主面側に複数積層された樹脂絶縁層
   と、を備え、 上記コア基板の上記裏面側に裏面絶縁層が無いか、上記
   主面側に複数積層された上記樹脂絶縁層より少ない層数
   の上記裏面絶縁層を有し、 一方の電極が共通第１電位に、他方の電極が共通第２電
   位にそれぞれ接続される複数のチップコンデンサを上記
   裏面側に露出して搭載してなり、 上記チップコンデンサは、 略直方体状で、 側面上を上記主面側から上記裏面側に向かって延びる側
   面端子を有し、 上記側面端子は、４つの上記側面のうち、 第１側面とこれに対向する第３側面とに同数形成され、 上記第１側面に隣接し互いに対向する第２側面と第４側
   面とには、形成されないか、同数形成され、 上記第１側面、第２側面、第３側面及び第４側面の順に
   巡る周方向に、上記共通第１電位に接続される第１電位
   側面端子と上記共通第２電位に接続される第２電位側面
   端子とが交互に配置されてなるチップコンデンサであ
   り、 上記各チップコンデンサは、隣り合うチップコンデンサ
   の上記第１側面と第３側面とが、または第２側面と第４
   側面とが対向して隣り合う縦横格子状に配置され、 隣り合うチップコンデンサ間で対向して隣り合う上記側
   面端子は、それぞれ、一方が上記第１電位側面端子であ
   り、他方が上記第２電位側面端子である配線基板。
5. 【請求項５】請求項４に記載の配線基板であって、 前記隣り合うチップコンデンサ間で対向して隣り合う側
   面端子同士の間隔を、チップコンデンサ内で隣り合う上
   記側面端子同士の間隔よりも小さくしてなる配線基板。
6. 【請求項６】請求項１〜請求項５のいずれか一項に記載
   の配線基板であって、 チップコンデンサ同士の間には、絶縁樹脂体を介設して
   なる配線基板。
7. 【請求項７】請求項１〜請求項６のいずれか一項に記載
   の配線基板であって、 前記チップコンデンサは、誘電体層を介して第１電極層
   と第２電極層とが交互に前記主面に平行に積層されたチ
   ップ積層セラミックコンデンサである配線基板。
8. 【請求項８】請求項１〜請求項７のいずれか一項に記載
   の配線基板であって、 前記側面端子は、前記チップコンデンサのうち前記主面
   側を向いた上面の周縁部に上面部を有し、この上面部か
   ら上記上面の周縁を越えて前記側面上を前記主面側から
   前記裏面側に向かって延びる側面端子である配線基板。
9. 【請求項９】請求項１〜請求項８のいずれか一項に記載
   の配線基板であって、 前記コア基板は、前記裏面側に開口する凹部を有し、 前記チップコンデンサは、上記凹部の底面と上記チップ
   コンデンサの主面側の面とが対向して、上記凹部内に搭
   載されてなる配線基板。
10. 【請求項１０】請求項１〜請求項９のいずれか一項に記
    載の配線基板であって、 前記樹脂絶縁層のうち、前記複数のチップコンデンサを
    前記主面側に投影した領域内には、上記主面上に搭載す
    るＩＣチップの複数の接続端子とそれぞれ接続可能な複
    数のＩＣ接続端子が形成されてなる配線基板。