JP2003168289A - 強誘電体ランダム・アクセス・メモリのための独立したライト・バック機能を備えたセンス増幅器 - Google Patents

強誘電体ランダム・アクセス・メモリのための独立したライト・バック機能を備えたセンス増幅器

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JP2003168289A
JP2003168289A JP2002332580A JP2002332580A JP2003168289A JP 2003168289 A JP2003168289 A JP 2003168289A JP 2002332580 A JP2002332580 A JP 2002332580A JP 2002332580 A JP2002332580 A JP 2002332580A JP 2003168289 A JP2003168289 A JP 2003168289A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】アクセス時間を短縮するべく改良された強誘電
体メモリの検知回路、並びに検知方法を提供する。 【解決手段】独立したライト・バック機能を備えた検知
回路には、入力及び基準信号を受信するセンス増幅器
と、書き込み許可信号及びセンス増幅器の出力信号を受
信する三安定ライト・バック・ブロックが含まれてい
る。オプションのデータ・バッファも、センス増幅器の
出力信号を受信する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、強誘電体メモリの
ためのセンス増幅器を含む検知回路に関する。
【0002】
【従来の技術】図1に示すディジタル差動コンパレータ
は、ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(DR
AM)並びにスタティック・ランダム・アクセス・メモ
リ(SRAM)において用いられてきた。しかし、この
回路には、通常、メモリ・アレイ自体の外部におけるデ
ータ経路において、メモリ・アレイから受信したデータ
信号を増幅し、出力バッファに渡す用途がある。この回
路は、入力ノードにライト・バックする能力がなく、図
2に示す伝統的なラッチ式センス増幅器よりも幾分複雑
であるため、通常は、メモリ・アレイ自体における用途
はない。
【0003】強誘電体メモリは、書き込みアクセス時間
及び総合的な電力消費に関してEEPROM及びフラッ
シュ・メモリよりも優れている。強誘電体メモリは、例
えば、ディジタル・カメラ及び非接触型スマート・カー
ドのような、これらの特徴を備えた不揮発性メモリが必
要とされる用途において用いられている。非接触型スマ
ート・カードは、カードの電子チップのパワー・アップ
に電磁結合だけしか利用しないので、電力消費が少ない
不揮発性メモリを必要とする。ディジタル・カメラは、
0.1秒未満で、全体画像をメモリに記憶及び再記憶す
るため、低電力消費と高速で頻繁な書き込みの両方を必
要とする。
【0004】強誘電体メモリの典型的な読み取りアクセ
スは、検知が後続する書き込みアクセスから構成され
る。例えば、メモリ・セルのもとのデータ内容を発見す
るため、強誘電体コンデンサに「0」が書き込まれる。
メモリ・セルのもとの内容が「1」であれば、「0」を
書き込みことによって、強誘電体コンデンサ内における
分極方向が反転する。これによって、センス・ワイヤに
大電流スパイクが誘発される。一方、強誘電体コンデン
サのもとの内容も「0」であれば、センス・ワイヤに電
流スパイクは生じない。従って、センス・ワイヤの電流
スパイクの存在を検知することによって、アクセスした
強誘電体コンデンサのもとのデータが確認される。
【0005】上述の読み取り操作は、読み取りのためア
クセスされるメモリ・セルに「0」が書き込まれるの
で、破壊的である。しかし、もとのデータは、センス増
幅器に保管され、アクセスされたメモリ・セルに復元す
ることが可能である。換言すれば、読み取りアクセス
は、もとのデータを復元する第2の書き込み後に、初め
て完了する。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】強誘電体メモリのビッ
ト線当たりの最適セル数は、DRAMの場合より多くな
りがちである。従って、メモリ・アレイのパーティショ
ンが少なくなり、セルの効率が高くなりがちであるた
め、幾分より複雑なセンス増幅器のほうが許容しやすい
可能性がある。ビット線数が増すことによる、FeRA
Mのビット線キャパシタンスの増大は、先行技術による
ラッチ式センス増幅器(図2に示す)を利用すると、ア
クセス時間がいっそう遅くなることを表している。出力
データ経路に結合可能になる前に、ビット線とビット線
の間の電圧が十分に分離されなければならないので、重
負荷ビット線の充電または放電に、さらなる時間を要す
ることになる。従って、本発明は、アクセス時間を短縮
するべく改良された強誘電体メモリの検知回路、並びに
検知方法を提供することをその目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】独立したライト・バック
機能を備えた検知回路には、入力及び基準信号を受信す
るセンス増幅器と、書き込み許可信号及びセンス増幅器
の出力信号を受信する三安定ライト・バック・ブロック
が含まれている。オプションのデータ・バッファも、セ
ンス増幅器の出力信号を受信する。
【0008】
【発明の実施の形態】図3には、本発明の機能ブロック
図10が示されている。ライト・バック機能ブロック1
2は、入力信号WBによって使用可能になる。動作時、
センス増幅器が、ビット線(BL)の電圧と基準入力
(REF)の電圧を比較する。センス増幅器の出力信号
(OUT)は、ライト・バック機能ブロック12によっ
て受信される。オプションのデータ・バッファ16も、
その出力信号を受信する。従って、重負荷ビット線は、
軽負荷内部検知ノードから分離される。
【0009】図4には、図3に示すライト・バック機能
ブロック12が例示されている。第1及び第2のnチャ
ネル・トランジスタが後続する第1及び第2のpチャネ
ル・トランジスタが、電源からアースに直列に接続され
ている。BL信号は、第2のpチャネル・トランジスタ
と第1のnチャネル・トランジスタの間のノードに接続
されている。第1のpチャネル・トランジスタと第2の
nチャネル・トランジスタのゲートが、一緒に、センス
増幅器の出力信号OUTを補完するノードOUTに結合
されている。第2のpチャネル・トランジスタのゲート
は、制御信号write−back(WBB)を受信
し、一方、第1のnチャネル・トランジスタのゲート
は、制御信号write−back(WB)を受信す
る。
【0010】図5には、図3に示すセンス増幅器14が
例示されている。第3のpチャネル・トランジスタMP
1は、そのソースが電源に接続され、そのドレインが第
1及び第2の脚に接続されている。各脚には、2つの並
列に接続されたnチャネル・トランジスタ(MN3、M
N1;MN2、MN4)が後続する、2つの直列に接続
されたpチャネル・トランジスタ(MP2、MP4;M
P3、MP5)が含まれている。
【0011】第1の脚の場合、OUTポートにおいて、
第2のpチャネル・トランジスタMP4のドレインと2
つの並列に接続されたnチャネル・トランジスタMN
3、MN1のドレインの間のノードが、第2の脚の第2
のpチャネル・トランジスタMP5のゲート及びnチャ
ネル・トランジスタMN2のゲートに接続されている。
第2の脚の場合、OUTポートにおいて、第2のpチャ
ネル・トランジスタMP5のドレインと2つの並列に接
続されたnチャネル・トランジスタMN2、MN4のド
レインの間のノードが、第1の脚の第2のpチャネル・
トランジスタMP4のゲート及び第2のnチャネル・ト
ランジスタMN1のゲートに接続されている。
【0012】図6には、図3に示すセンス増幅器に関す
る代替実施態様が例示されている。図5に解説の電気接
続性に加えて、第5のnチャネル・トランジスタMN5
が、ノードN1及びN2に接続されて、等化に利用され
る。第6のnチャネル・トランジスタMN6は、pチャ
ネル・トランジスタMP2のゲートに直列に接続されて
いる。第7のnチャネル・トランジスタMN7は、pチ
ャネル・トランジスタMP3のゲートに直列に接続され
ている。nチャネル・トランジスタMN5、MN6、及
び、MN7は、ENに接続されている。nチャネル・ト
ランジスタMN6及びMN7は、分離素子である。
【0013】図7には、図3に示すオプションのデータ
・バッファ16が例示されている。第1及び第2のpチ
ャネル・トランジスタは、電源とポートDATAの間に
直列に接続されている。第1のpチャネル・トランジス
タのゲートは、信号OUTを受信し、一方、第2のpチ
ャネル・トランジスタのゲートは、信号VDDを受信す
る。2つのnチャネル・トランジスタは、ポートDAT
Aとアースの間に直列に接続されている。第1のnチャ
ネル・トランジスタのゲートは、OUTに接続され、一
方、第2のnチャネル・トランジスタのゲートは、信号
YSを受信する。
【0014】動作時、独立型センス増幅器の固有のライ
ト・バック機能の欠如は、メモリ・アレイの場合、ビッ
トまたはデータ・ラインになるBLに結合された直列p
チャネル・トランジスタ及び直列nチャネル・トランジ
スタを追加することによって克服される。WB及びWB
Bは、OUT及びOUTが駆動されてその完全な論理レ
ベルに達した後、ENにVSSを加え、ENにVDDを
加えることによって、センス増幅器が起動した後に生じ
させられる追加相補制御信号である。ビット線における
ライト・バックによる復元と同時に、データが、YS信
号によってアクセスを受け、ライト・バックの実施に必
要な時間に関係なく、その経路で、チップのデータ出力
バッファに送り出すことが可能になる。
【0015】上述の実施形態に即して本発明を説明する
と、本発明は、独立したライト・バック機能を備えた検
知回路であって、入力と基準信号を比較して、出力信号
を発生するセンス増幅器14と、許可信号とライト・バ
ック出力信号を生じる三安定ライト・バック・ブロック
12が含まれており、センス増幅器の出力が、ライト・
バック・ブロックに結合されていることを特徴とする、
検知回路を提供する。
【0016】好ましくは、更に、センス増幅器の出力信
号を受信するデータ・バッファ16が含まれる。
【0017】好ましくは、前記センス増幅器14が、電
源及び第1のドレインに接続されたソースを備えるpチ
ャネル・トランジスタ;前記pチャネル・トランジスタ
の前記ドレイン及びアースに接続される第1及び第2の
脚にして、前記第1のドレインにソースが接続された第
1のpチャネル・トランジスタと、第1のノードにおい
て、ソースが前記第1のpチャネル・トランジスタの前
記ドレインに接続された第2のpチャネル・トランジス
タと、並列に接続され、ドレインが、第2のノードにお
いて、前記第2のpチャネル・トランジスタの前記ドレ
インに接続され、ソースがアースに接続された2つのn
チャネル・トランジスタと、前記第1のpチャネル・ト
ランジスタのゲートに直列に接続された第3のnチャネ
ル・トランジスタとを含んでいて、各脚毎に、前記第2
のノードが、前記第2のpチャネル・トランジスタのゲ
ート、及び、もう一方の脚の前記2つのnチャネル・ト
ランジスタの一方に接続するようにされる第1及び第2
の脚;及び前記第1及び第2の脚の前記第1のノード間
に接続された第1のnチャネル・トランジスタとを有す
る。
【0018】好ましくは、前記データ・バッファ16に
は、データ出力信号を発生するドレインと、制御信号を
受信するゲートを有する第1のnチャネル・トランジス
タと、前記第1のnチャネル・トランジスタの前記ソー
スに接続されるドレインと、アースに接続されるソース
と、前記センス増幅器の前記出力信号を受信するゲート
とを有する第2のnチャネル・トランジスタとが含まれ
る。
【0019】好ましくは、前記データ・バッファ16
は、更に、電源に接続されたソース、前記センス増幅器
の前記出力信号を受信するゲート、及び、ドレインを備
えた第1のpチャネル・トランジスタと、前記第1のp
チャネル・トランジスタの前記ドレイン及び前記第1の
nチャネル・トランジスタの前記ドレインに接続され、
そのゲートがVDDに接続されている第2のpチャネル
・トランジスタとが含まれている。
【0020】好ましくは、前記データ・バッファ16
は、更に、電源に接続されたソース、前記センス増幅器
の前記出力信号を受信するゲート、及び、ドレインを備
える第1のpチャネル・トランジスタと、前記第1のp
チャネル・トランジスタの前記ドレイン及び前記第1の
nチャネル・トランジスタの前記ドレインに接続され、
そのゲートが、前記第1のnチャネル・トランジスタの
前記ゲート制御信号の補償信号に接続されている第2の
pチャネル・トランジスタが含まれる。
【0021】好ましくは、前記ライト・バック・ブロッ
ク12は、電源に接続されたソースを有する第1のpチ
ャネル・トランジスタと、前記第1のPチャネル・トラ
ンジスタの前記ドレインに接続されたソースを有する第
2のpチャネル・トランジスタと、前記入力信号に接続
されるライト・バック出力信号を形成する前記第2のp
チャネル・トランジスタの前記ドレインに接続されてい
るドレインを有する第1のnチャネル・トランジスタ
と、前記第1のnチャネル・トランジスタの前記ソース
に接続されるドレイン、及び、アースに接続されている
ソースを有する第2のnチャネル・トランジスタが含ま
れており、前記第1のpチャネル・トランジスタ及び前
記第2のnチャネル・トランジスタのゲートが、相補性
出力信号を受信する。
【0022】更に、本発明は、差動データを検知する方
法であって、入力と基準入力の差動入力信号を受信する
ステップと、前記差動入力信号を増幅するステップと、
出力信号を緩衝記憶するステップと、前記データを前記
入力にライト・バックするステップが含まれていること
を特徴とする方法を提供する。
【0023】好ましくは、前記ライト・バック及び増幅
ステップが、個別に行われる。
【0024】好ましくは、差動入力データの単一受信に
関して、前記増幅及び緩衝記憶ステップが繰り返され
る。
【0025】更に、本発明は、センス増幅器であって、
ソースが電源及び第1のドレインに接続されたpチャネ
ル・トランジスタ;前記pチャネル・トランジスタの前
記ドレイン及びアースにそれぞれ接続される第1及び第
2の脚であって、各脚が、更に、ソースが前記第1のド
レインに接続された第1のpチャネル・トランジスタ、
ソースが、第1のノードにおいて、前記第1のpチャネ
ル・トランジスタの前記ドレインに接続された第2のp
チャネル・トランジスタ、並列に接続され、第2のノー
ドにおいて、前記第2のpチャネル・トランジスタの前
記ドレインに接続され、また、アースに接続された2つ
のnチャネル・トランジスタ、及び、前記第1のpチャ
ネル・トランジスタのゲートに直列に接続された第3の
nチャネル・トランジスタを含んでいて、各脚毎に、前
記第2のノードが、前記第2のpチャネル・トランジス
タのゲート、及び、もう一方の脚の前記2つのnチャネ
ル・トランジスタの一方に接続している第1及び第2の
脚;及び前記第1及び第2の脚の前記第1のノード間に
接続された第1のnチャネル・トランジスタが含まれて
いることを特徴とするセンス増幅器を提供する。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来技術のディジタル差動コンパレータを例示
した図である。
【図2】従来技術によるラッチ式センス増幅器を例示し
た図である。
【図3】本発明の機能ブロック図である。
【図4】ライト・バック機能のブロック図である。
【図5】センス増幅器を例示した図である。
【図6】センス増幅器の代替実施態様を例示する図であ
る。
【図7】オプションとなるデータ・バッファを例示する
図である。
【符号の説明】
12 三安定ライト・バック・ブロック 14 センス増幅器 16 データ・バッファ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジャージェン・ティー・リッキーズ アメリカ合衆国カリフォルニア州ロス・ア ルトス・ヒルズ カーリングトン・サーク ル27200 (72)発明者 ヒュー・ピー・マックアダムス アメリカ合衆国テキサス州マックケニー 206 カウンティー・ロード5416 (72)発明者 ジェームス・ダブリュウ・グレース アメリカ合衆国カリフォルニア州ロス・ア ルトス・ヒルズ ラ・クレスタ・ドライブ 13355

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】独立したライト・バック機能を備えた検知
    回路であって、 入力と基準信号を比較して、出力信号を発生するセンス
    増幅器と、 許可信号とライト・バック出力信号を生じる三安定ライ
    ト・バック・ブロックが含まれており、 センス増幅器の出力が、ライト・バック・ブロックに結
    合されていることを特徴とする、検知回路。
  2. 【請求項2】更に、センス増幅器の出力信号を受信する
    データ・バッファが含まれることを特徴とする、請求項
    1に記載の検知回路。
  3. 【請求項3】前記センス増幅器が、 電源及び第1のドレインに接続されたソースを備えるp
    チャネル・トランジスタ;前記pチャネル・トランジス
    タの前記ドレイン及びアースに接続される第1及び第2
    の脚にして、 前記第1のドレインにソースが接続された第1のpチャ
    ネル・トランジスタと、 第1のノードにおいて、ソースが前記第1のpチャネル
    ・トランジスタの前記ドレインに接続された第2のpチ
    ャネル・トランジスタと、 並列に接続され、ドレインが、第2のノードにおいて、
    前記第2のpチャネル・トランジスタの前記ドレインに
    接続され、ソースがアースに接続された2つのnチャネ
    ル・トランジスタと、 前記第1のpチャネル・トランジスタのゲートに直列に
    接続された第3のnチャネル・トランジスタとを含んで
    いて、 各脚毎に、前記第2のノードが、前記第2のpチャネル
    ・トランジスタのゲート、及び、もう一方の脚の前記2
    つのnチャネル・トランジスタの一方に接続するように
    される第1及び第2の脚;及び前記第1及び第2の脚の
    前記第1のノード間に接続された第1のnチャネル・ト
    ランジスタとを有することを特徴とする、請求項2に記
    載の検知回路。
  4. 【請求項4】前記データ・バッファには、 データ出力信号を発生するドレインと、制御信号を受信
    するゲートを有する第1のnチャネル・トランジスタ
    と、 前記第1のnチャネル・トランジスタの前記ソースに接
    続されるドレインと、アースに接続されるソースと、前
    記センス増幅器の前記出力信号を受信するゲートとを有
    する第2のnチャネル・トランジスタとが含まれること
    を特徴とする、請求項2に記載の検知回路。
  5. 【請求項5】前記データ・バッファは、 更に、電源に接続されたソース、前記センス増幅器の前
    記出力信号を受信するゲート、及び、ドレインを備えた
    第1のpチャネル・トランジスタと、 前記第1のpチャネル・トランジスタの前記ドレイン及
    び前記第1のnチャネル・トランジスタの前記ドレイン
    に接続され、そのゲートがVDDに接続されている第2
    のpチャネル・トランジスタとが含まれていることを特
    徴とする、請求項4に記載の検知回路。
  6. 【請求項6】前記データ・バッファは、 更に、電源に接続されたソース、前記センス増幅器の前
    記出力信号を受信するゲート、及び、ドレインを備える
    第1のpチャネル・トランジスタと、 前記第1のpチャネル・トランジスタの前記ドレイン及
    び前記第1のnチャネル・トランジスタの前記ドレイン
    に接続され、そのゲートが、前記第1のnチャネル・ト
    ランジスタの前記ゲート制御信号の補償信号に接続され
    ている第2のpチャネル・トランジスタが含まれること
    を特徴とする、請求項4に記載の検知回路。
  7. 【請求項7】前記ライト・バック・ブロックは、 電源に接続されたソースを有する第1のpチャネル・ト
    ランジスタと、 前記第1のPチャネル・トランジスタの前記ドレインに
    接続されたソースを有する第2のpチャネル・トランジ
    スタと、 前記入力信号に接続されるライト・バック出力信号を形
    成する前記第2のpチャネル・トランジスタの前記ドレ
    インに接続されているドレインを有する第1のnチャネ
    ル・トランジスタと、 前記第1のnチャネル・トランジスタの前記ソースに接
    続されるドレイン、及び、アースに接続されているソー
    スを有する第2のnチャネル・トランジスタが含まれて
    おり、 前記第1のpチャネル・トランジスタ及び前記第2のn
    チャネル・トランジスタのゲートが、相補性出力信号を
    受信することを特徴とする、請求項1に記載の検知回
    路。
  8. 【請求項8】差動データを検知する方法であって、 入力と基準入力の差動入力信号を受信するステップと、 前記差動入力信号を増幅するステップと、 出力信号を緩衝記憶するステップと、 前記データを前記入力にライト・バックするステップが
    含まれていることを特徴とする方法。
  9. 【請求項9】前記ライト・バック及び増幅ステップが、
    個別に行われることを特徴とする、請求項8に記載の検
    知方法。
  10. 【請求項10】差動入力データの単一受信に関して、前
    記増幅及び緩衝記憶ステップが繰り返されることを特徴
    とする、請求項8に記載の検知方法。
  11. 【請求項11】センス増幅器であって、 ソースが電源及び第1のドレインに接続されたpチャネ
    ル・トランジスタ;前記pチャネル・トランジスタの前
    記ドレイン及びアースにそれぞれ接続される第1及び第
    2の脚であって、各脚が、更に、 ソースが前記第1のドレインに接続された第1のpチャ
    ネル・トランジスタ、 ソースが、第1のノードにおいて、前記第1のpチャネ
    ル・トランジスタの前記ドレインに接続された第2のp
    チャネル・トランジスタ、 並列に接続され、第2のノードにおいて、前記第2のp
    チャネル・トランジスタの前記ドレインに接続され、ま
    た、アースに接続された2つのnチャネル・トランジス
    タ、及び、 前記第1のpチャネル・トランジスタのゲートに直列に
    接続された第3のnチャネル・トランジスタを含んでい
    て、 各脚毎に、前記第2のノードが、前記第2のpチャネル
    ・トランジスタのゲート、及び、もう一方の脚の前記2
    つのnチャネル・トランジスタの一方に接続している第
    1及び第2の脚;及び前記第1及び第2の脚の前記第1
    のノード間に接続された第1のnチャネル・トランジス
    タが含まれていることを特徴とするセンス増幅器。
JP2002332580A 2001-11-16 2002-11-15 強誘電体ランダム・アクセス・メモリのための独立したライト・バック機能を備えたセンス増幅器 Withdrawn JP2003168289A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US991571 1997-12-15
US09/991,571 US6563753B1 (en) 2001-11-16 2001-11-16 Sense amplifier with independent write-back capability for ferroelectric random-access memories

Publications (2)

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