JP2003161817A

JP2003161817A - ハーフミラー膜形成方法およびハーフミラー膜を有する光学部品

Info

Publication number: JP2003161817A
Application number: JP2002216118A
Authority: JP
Inventors: Tatsuo Ota; 達男太田; Tomohito Nakano; 智史中野; Yoshiumi Muramatsu; 由海村松
Original assignee: Konica Minolta Inc
Current assignee: Konica Minolta Inc
Priority date: 2001-08-07
Filing date: 2002-07-25
Publication date: 2003-06-06

Abstract

(57)【要約】【課題】生産性が高く、光学性能も良く、透光性の基
材との密着性が高く、かつ、クラックも入りにくいハー
フミラー膜形成方法および該ハーフミラー膜を有する光
学部品を提供する。【解決手段】このハーフミラー膜形成方法は、大気圧
または大気圧近傍の圧力下において対向する電極２５と
３６の間に放電することにより、反応性ガスをプラズマ
状態とし、透光性を有する基材Ｆをプラズマ状態の反応
性ガスに晒すことによって基材上にハーフミラー膜を形
成する。この方法により形成されたハーフミラー膜は炭
素含有率が好ましくは０．２〜５質量％である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基材上にハーフミ
ラー膜を形成するハーフミラー膜形成方法およびハーフ
ミラー膜を有する光学部品に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、透光性を有する基材上にハーフミ
ラー膜を有するものとして、光学基板や光学フィルム、
光学レンズ等が知られている。例えば、光学基板や光学
フィルムとしては半透過型の液晶表示装置、空間光変調
器等、電気光学装置等に応用され、光学レンズとしては
レーザ用光学素子を始めとする様々な用途に使用されて
いる。

【０００３】透光性を有する基材上にハーフミラー膜を
設ける方法としては、ハーフミラー膜となる材料を適当
な溶剤に溶解してディッピングまたはコーティング等の
塗布によって設ける塗布方法や、真空蒸着法が知られて
いる。

【０００４】しかしながら、塗布方法では、膜厚の均一
性や光学的性能が十分ではないことがあり、耐久性も満
足しうるレベルではない。また、真空蒸着方法では、大
面積の光学基板や光学フィルムなどの蒸着釜への一回の
投入数が極端に少なく、生産性が低いだけでなく、基材
が樹脂である場合には、加熱真空蒸着法が適用できず、
ハーフミラー膜との密着性が悪いという問題もあり、そ
のために、ハーフミラー膜にクラックが入り易い場合が
あった。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述のよう
な従来技術の問題に鑑み、生産性が高く、光学性能もよ
く、透光性の基材との密着性が高く、かつ、クラックも
入り難いハーフミラー膜形成方法及びそのハーフミラー
膜を有する光学部品を提供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記目的は下記の本発明
の構成により達成された。即ち、本発明によるハーフミ
ラー膜形成方法は、透光性を有する基材上にハーフミラ
ー膜を形成するハーフミラー膜形成方法であって、大気
圧または大気圧近傍の圧力下において、対向する電極間
に放電することにより、反応性ガスをプラズマ状態と
し、前記基材を前記プラズマ状態の反応性ガスに晒すこ
とによって、前記基材上に前記ハーフミラー膜を形成す
ることを特徴とする。

【０００７】前記ハーフミラーが誘電体ミラーであるこ
とにより、光吸収が少なく、背面光源の光ロスが無く、
例えば、半透過型の液晶表示装置に用いることに適して
いる。

【０００８】また、前記誘電体ミラーが、酸化ケイ素を
主成分とする層と酸化チタンを主成分とする層とを複数
層積層したものであることにより、各層の屈折率や層の
厚さを設計することで、所望の透過率、反射率を有する
誘電体ミラー膜を形成することができる。また、前記誘
電体ミラーが、酸化ケイ素を主成分とする層と、酸化チ
タン、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、窒化シリコ
ン、酸化インジウムまたは酸化アルミニウムを主成分と
する層と、を少なくとも積層したものであることによ
り、各層の屈折率や層の厚さを設計することで、所望の
透過率、反射率を有する誘電体ミラー膜を形成すること
ができる。また、前記誘電体ミラーが、酸化ケイ素を主
成分とする層と、酸化チタン、酸化タンタル、酸化ジル
コニウム、窒化シリコンまたは酸化インジウムを主成分
とする層と、酸化アルミニウムを主成分とする層と、を
少なくとも積層したものであることにより、各層の屈折
率や層の厚さを設計することで、所望の透過率、反射率
を有する誘電体ミラー膜を形成することができる。

【０００９】また、前記透光性を有する基材が樹脂基材
またはガラス基材であることにより、生産性が高く、光
学性能もよく、薄膜との密着性が高いハーフミラー膜を
形成することができる。

【００１０】また、前記放電を１００ｋＨｚを越えた高
周波電圧で、かつ、１Ｗ／ｃｍ^２以上の電力を供給する
ことにより起こすことにより、緻密で、膜厚均一性が高
く、基材との密着性が高いハーフミラー膜を形成するこ
とができる。

【００１１】また、前記高周波電圧は連続したサイン波
であることにより、生産性が高く、緻密で膜厚均一性が
高く、光学性能がよく、基材との密着性が高いハーフミ
ラー膜を形成することができる。

【００１２】また、前記樹脂基材が長尺フィルムであっ
て、前記長尺フィルムが前記電極間を搬送され、かつ、
前記反応性ガスが前記電極間に導入されることにより、
前記長尺フィルム上にハーフミラー膜を形成すること
で、生産性が高く、緻密で膜厚均一性が高く、光学性能
がよく、薄膜との密着性が高いハーフミラー膜を形成す
ることができる。

【００１３】また、前記樹脂基材がレンズであって、前
記プラズマ状態の反応性ガスを前記レンズに吹き付ける
ことによって前記レンズ上にハーフミラー膜を形成する
ことにより、生産性が高く、緻密で膜厚均一性が高く、
光学性能がよく、薄膜との密着性が高いハーフミラー膜
を形成することができる。

【００１４】また、前記電極間に、前記反応性ガスと不
活性ガスを含有する混合ガスを導入し、前記混合ガス
は、不活性ガスを９９．９〜９０体積％含有しているこ
とにより、生産性が高く、緻密で膜厚均一性が高く、光
学性能がよく、基材と薄膜との密着性が高いハーフミラ
ー膜を形成することができる。

【００１５】また、前記混合ガスが、酸素、オゾン、過
酸化水素、二酸化炭素、一酸化炭素、水素、窒素から選
択される成分を０．０１〜５体積％含有していることに
より、反応の促進がなされ、かつ、緻密で良質なハーフ
ミラー膜を形成することができる。

【００１６】また、前記反応性ガスが有機金属化合物お
よび有機物から選択される成分を含有していることによ
り、基材上に均一な薄膜を形成することができる。

【００１７】また、有機金属化合物が金属アルコキシ
ド、アルキル化金属、金属錯体から選ばれることによ
り、腐食性、有害ガスの発生がなく工程上の汚れが少な
くなる。

【００１８】また、前記ハーフミラー膜中の炭素含有率
が０．２〜５質量％であることにより、上記プラズマ状
態で処理された膜に柔軟性を与えるので、下層との密着
性に優れ、膜のクラック防止になる。

【００１９】また、前記ハーフミラー膜中の炭素含有率
が０．３〜３質量％であることにより、上記プラズマ状
態で処理された膜に柔軟性を与えるので、下層との密着
性に優れ、膜のクラック防止になる。

【００２０】上記プラズマ状態での処理によるハーフミ
ラー膜形成方法により形成されたハーフミラー膜を有す
ることにより、光学性能がよく、基材と薄膜との密着性
の高い光学部品にすることができる。

【００２１】また、前記ハーフミラー膜を、表１または
表２に示すように、ガラス基材上に、酸化ケイ素を主成
分とする低屈折率層と酸化チタンを主成分とする高屈折
率層とを積層して形成することにより、所望の透過率、
反射率の光学性能を有し、基材と薄膜との密着性の高い
光学部品にすることができる。なお、基材は樹脂基材で
あってもよい。

【００２２】

【表１】

【表２】また、前記ハーフミラー膜を、表３、表４のように、酸
化ケイ素を主成分とする低屈折率層と酸化チタンを主成
分とする高屈折率層とを積層して形成することにより、
所望の透過率、反射率の光学性能を有し、基材と薄膜と
の密着性の高い光学部品にすることができる。なお、基
材は樹脂基材であってもよい。

【表３】

【表４】また、前記ハーフミラー膜を、表５のように、酸化ケイ
素を主成分とする低屈折率層と酸化アルミニウムを主成
分とする中屈折率層と酸化タンタルを主成分とする高屈
折率層とを積層して形成することにより、所望の透過
率、反射率の光学性能を有し、基材と薄膜との密着性の
高い光学部品にすることができる。なお、基材は樹脂基
材であってもよい。

【表５】また、前記ハーフミラー膜を、表６のように、酸化ケイ
素を主成分とする低屈折率層と酸化チタンを主成分とす
る高屈折率層とを積層して形成することにより、所望の
透過率、反射率の光学性能を有し、基材と薄膜との密着
性の高い光学部品にすることができる。なお、基材は樹
脂基材であってもよい。

【表６】上記表１乃至表６において、ガラス基材の上にそれぞれ
層番号１３、層番号１４、層番号５、層番号１０、層番
号４、層番号３をまず最下層として形成し、層番号１が
最上層である。また、上記各屈折率は波長５１０ｎｍの
光に対する屈折率であり、該屈折率をｎとすると、上記
光学膜厚は、ｎ×ｄ／５１０の値であり、ｄは各層の実
際の膜厚（単位ｎｍ、幾何学的膜厚）である。また、表
１乃至表６に示す積層構成に関し、反射率や透過率にさ
ほど影響を与えない範囲で、各層間に他の薄層を設けて
もよく、これらの構成も本発明に含まれる。また、透光
性を有する基材上にハーフミラー膜を設けた光学部品に
おいて、前記ハーフミラー膜は炭素含有率が０．２〜５
質量％であることにより、膜に柔軟性があり、基材や下
層との密着性に優れクラックの少ない膜を有する光学部
品にすることができる。

【００２３】また、透光性を有する基材上にハーフミラ
ー膜を設けた光学部品において、前記ハーフミラー膜は
前記炭素含有率が０．３〜３質量％であることにより、
膜に柔軟性があり、基材や下層との密着性に優れクラッ
クの少ない膜を有する光学部品にすることができる。

【００２４】また、透光性を有する基材上にハーフミラ
ー膜を設けた光学部品において、前記ハーフミラーが誘
電体ミラーであることにより、光吸収が少なく背面光源
の光ロスが無く、例えば、半透過型の液晶表示装置に用
いることに適している光学部品にすることができる。

【００２５】また、透光性を有する基材上にハーフミラ
ー膜を設けた光学部品において、前記ハーフミラー膜
は、前記誘電体ミラーが、酸化ケイ素を主成分とする層
と酸化チタンを主成分とする層とを複数層積層したもの
であることにより、所望の反射率と透過率とを有する光
学部品にすることができる。また、前記ハーフミラー膜
は、前記誘電体ミラーが、酸化ケイ素を主成分とする層
と、酸化チタン、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、窒
化シリコン、酸化インジウムまたは酸化アルミニウムを
主成分とする層と、を少なくとも積層したものであるこ
とにより、所望の反射率と透過率とを有する光学部品に
することができる。また、前記ハーフミラー膜は、前記
誘電体ミラーが、酸化ケイ素を主成分とする層と、酸化
チタン、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、窒化シリコ
ンまたは酸化インジウムを主成分とする層と、酸化アル
ミニウムを主成分とする層と、を少なくとも積層したも
のであることにより、所望の反射率と透過率とを有する
光学部品にすることができる。

【００２６】透光性を有する基材上にハーフミラー膜を
設けた光学部品において、前記透光性を有する基材が樹
脂基材またはガラス基材であることにより、生産性が高
く、緻密で膜厚均一性が高く、光学性能がよく、薄膜と
の密着性が高い光学部品にすることができる。

【００２７】本発明による光学部品は、前記各層の内で
最大の屈折率を有する層の屈折率が２．２以上であるこ
とにより、基材上に均一な膜厚を形成し光学性能がよい
ハーフミラー膜を有した光学部品にすることができる。

【００２８】本発明による光学部品は前記樹脂基材が樹
脂フィルムであることにより、上記プラズマ状態での処
理の際に電極間に載置されやすいので、生産性が高く、
緻密で膜厚均一性が高く、光学性能がよく、薄膜との密
着性が高いハーフミラー膜を有した光学部品にすること
ができる。

【００２９】本発明による光学部品は前記樹脂基材がレ
ンズであることにより、上記プラズマ状態での処理の
際、発生したプラズマを樹脂基材に吹き付けることで、
生産性が高く、緻密で膜厚均一性が高く、光学性能がよ
く、薄膜との密着性が高いハーフミラー膜を有した光学
部品にすることができる。

【００３０】

【発明の実施の形態】以下、本発明による実施の形態に
ついて説明する。

【００３１】ハーフミラー膜は大きく分けて２種類が考
えられ、一つはＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｐｄ、
Ｓｅ、Ｔｅ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｇｅ、Ｏｓ、Ｒｕ、Ｃｒ、Ｗ
等の金属薄膜、または、この金属薄膜に金属薄膜または
誘電体膜を積層した（２層以上を積層する場合を含む）
合金半透過ミラー膜である。もう一つは誘電体膜または
屈折率が異なる誘電体膜を積層した（２層以上を積層す
る場合を含む）誘電体ミラー膜である。

【００３２】合金半透過ミラー膜は光吸収が大きく、例
えば４００〜６００ｎｍの波長の光に対して４０％透
過、５０％反射、１０％の吸収があり、半透過型の液晶
表示装置に用いる場合は、背面光源の光ロスが大きく、
あまり向かない。一方、誘電体ミラー膜はかかる光ロス
がないので、様々な用途に好ましく適用可能である。

【００３３】また、ハーフミラー膜としての性能は、構
成する材料およびその膜厚を適宜選択することにより、
反射率と透過率を自由に設計することが可能である。特
に、誘電体ミラー膜は、屈折率の異なる層を積層したも
のであり、高屈折率層と低屈折率層を順次、数層〜数十
層程度積層し、各層の屈折率や層の厚さを設計すること
により、所望の性能を有することができる。

【００３４】誘電体ミラー膜の高屈折率層としては、酸
化チタンや酸化タンタルを主成分とし、屈折率ｎが１．
８５≦ｎ≦２．６０のものが好ましく用いられ、副成分
として、窒素、炭素、錫、ニッケル、ニオビウムを有し
ていてもよい。また、低屈折率層としては、酸化ケイ素
や、フッ化マグネシウムを主成分とし、屈折率ｎが１．
３０≦ｎ≦１．５７のものが好ましく用いられ、副成分
として、窒素、炭素、フッ素、硼素、錫を有していても
よい。

【００３５】これらの成分の中では、酸化ケイ素層（Ｓ
ｉＯ_２）を主成分とする低屈折率層と酸化チタン層（Ｔ
ｉＯ_２）を主成分とする高屈折率層とを複数層積層した
ものを好ましく用いることができる。例えば、ＴｉＯ_２
（屈折率ｎ＝２．３５）とＳｉＯ_２（屈折率ｎ＝１．４
６）を交互に積層したスタックミラーを用いることがで
きる。

【００３６】例えば、半透過型液晶表示装置において、
バックライトと液晶との間に誘電体ハーフミラー膜を有
する光学部品を適用する場合、誘電体ハーフミラー膜の
設計は、以下の仕様が一例として挙げられるが、これに
限定されるものではない。

【００３７】１．透過率：反射率＝４０：６０の場合の
設計例を表７に示す。ガラス基材に低屈折率層と高屈折
率層とを層番号１３〜１の順に合計１３層積層したもの
である。

【００３８】

【表７】上記表７の設計によりガラス基材上に形成した誘電体ハ
ーフミラー膜の実測の透過率及び反射率を図１のグラフ
に示す。

【００３９】２．透過率：反射率＝２０：８０の場合の
設計例を表８に示す。ガラス基材に低屈折率層と高屈折
率層とを層番号１４〜１の順に合計１４層積層したもの
である。

【００４０】

【表８】上記表８の設計によりガラス基材上に形成した誘電体ハ
ーフミラー膜の実測の透過率及び反射率を図２のグラフ
に示す。３．透過率：反射率＝７０：３０の場合の設計例を表９
に示す。ガラス基材に低屈折率層と高屈折率層とを層番
号５〜１の順に合計５層積層したものである。

【表９】上記表９の設計によりガラス基材上に形成した誘電体ハ
ーフミラー膜の実測の透過率及び反射率を図１０のグラ
フに示す。４．透過率と反射率が波長４５０〜７００ｎｍの領域で
一定値を維持せず大きく変動している場合の設計例を表
１０に示す。ガラス基材に低屈折率層と高屈折率層とを
層番号１０〜１の順に合計１０層積層したものである。

【表１０】上記表１０の設計によりガラス基材上に形成した誘電体
ハーフミラー膜の実測の透過率及び反射率を図１１のグ
ラフに示す。５．透過率：反射率＝８０：２０の場合の設計例を表１
１に示す。アクリル樹脂基材に低屈折率層と高屈折率層
とを層番号４〜１の順に合計４層積層したものである。

【表１１】上記表１１の設計によりアクリル樹脂基材上に形成した
誘電体ハーフミラー膜の実測の透過率及び反射率を図１
２のグラフに示す。６．透過率：反射率＝８０：２０の場合の設計例を表１
２に示す。ガラス基材に低屈折率層と高屈折率層とを層
番号３〜１の順に合計３層積層したものである。

【表１２】上記表１２の設計によりガラス基材上に形成した誘電体
ハーフミラー膜の実測の透過率及び反射率を図１３のグ
ラフに示す。

【００４１】但し、表７乃至表１２において、各屈折率
は波長５１０ｎｍの光に対する屈折率であり、屈折率を
ｎとすると、光学膜厚は、ｎ×ｄ／５１０の値であり、
ｄは各層の実際の膜厚（単位ｎｍ、幾何学的膜厚）であ
る。また、基材としてガラス基材を用い、各積層構成を
示したが、実際に使用されるときは、最外層表面に屈折
率およそ１．５〜１．６のカラーフィルタ層、接着材層
または保護層を設けて使うため、反射率、透過率の測定
は、最外層が屈折率およそ１．５２の媒体に接する状態
で光線入射角０度で波長３７５ｎｍから７２５ｎｍの光
により測定した。また、実際の膜厚（幾何学的膜厚）
は、有効面積内で、例えば、膜の断面を電子顕微鏡で観
察して５ポイントの平均で求めることができる。

【００４２】また、上記酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）や酸化
チタン（ＴｉＯ_２）には必要に応じて、製膜時に窒素を
加え、窒化物にするとガスバリア性が向上して好まし
い。その場合には、ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ、ＴｉＯ_ｘＮ_ｙという
組成で表される酸窒化物となる。窒素の比率を上昇させ
るとガスバリア性が増強されるが、逆に透過率が低下す
るため、ｘおよびｙは、次の式を満足するような値が好
ましい。０．４≦ｘ／（ｘ＋ｙ）≦０．８

【００４３】次に、本実施の形態に用いることができる
基材について説明する。

【００４４】本実施の形態に用いることができる透光性
を有する基材としては、板状のもの、フィルム状のも
の、レンズ状等の立体形状のもの等、ハーフミラー膜を
その表面に形成できるものであれば特に限定はない。基
材が電極間に載置できるものであれば、電極間に載置
し、基材が電極間に載置できないものであれば、発生し
たプラズマを当該樹脂基材に吹き付けることによって、
薄膜を形成する。

【００４５】基材を構成する材料も特に限定はないが、
大気圧または大気圧近傍の圧力下であることと、低温の
放電であることから、樹脂基材であっても基材を劣化さ
せるようなことはない。

【００４６】透光性を有する基材の材料として、ガラ
ス、石英、樹脂等を好ましく用いることができ、特に樹
脂材料が好ましい。樹脂材料としては、セルローストリ
アセテート等のセルロースエステル、ポリエステル、ポ
リカーボネート、ポリスチレン、更にこれらの上にゼラ
チン、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、アクリル樹
脂、ポリエステル樹脂、セルロース系樹脂等を塗設した
もの等を使用することができる。

【００４７】また、これらを支持体として、さらにその
上に下引き層やその他の機能層を塗設したり、バックコ
ート層、帯電防止層を塗設したものを基材として用いる
ことができる。即ち、本発明のハーフミラー膜を形成す
る土台となるものを基材と呼ぶ。

【００４８】上記の支持体（基材としても用いられる）
としては、具体的には、ポリエチレンテレフタレート、
ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリエチ
レン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセ
テート、セルロースアセテートブチレート、セルロース
アセテートプロピオネート、セルロースアセテートフタ
レート、セルローストリアセテート、セルロースナイト
レート等のセルロースエステル類またはそれらの誘導
体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、エチ
レンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチ
レン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチ
ルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエ
ーテルスルホン、ポリスルホン類、ポリエーテルケトン
イミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチ
ルメタクリレート、アクリルあるいはポリアリレート類
等を挙げることができる。

【００４９】本実施の形態のハーフミラー膜が誘電体ミ
ラー膜である場合または２層以上積層した合金半透過ミ
ラー膜である場合、透光性を有する樹脂基材を、大気圧
または大気圧近傍の圧力下において対向する電極間に放
電することでプラズマ状態にした反応性ガスに晒すこと
によって形成する方法（以下、大気圧プラズマ法と称す
ることもある）により、各層を製膜することが好まし
い。

【００５０】次に、本実施の形態に適用できるハーフミ
ラー膜形成のためのプラズマ放電処理装置について、図
３〜図１３を参照しながら説明する。

【００５１】図３〜図８のプラズマ放電処理装置は、ア
ース電極であるロール電極と、対向する位置に配置され
た印加電極である固定電極との間で放電させ、当該電極
間に反応性ガスを導入してプラズマ状態とし、ロール電
極に巻回された長尺フィルム状の基材をプラズマ状態の
反応性ガスに晒すことによって、ハーフミラー膜を形成
するものである。

【００５２】また、図９はプラズマ放電処理装置の別の
例であり、電極間に載置できない基材上にハーフミラー
膜を形成する場合に、予めプラズマ状態にした反応性ガ
スを基材上に噴射して薄膜を形成するためのものであ
る。

【００５３】図３は、長尺フィルム状の透光性を有する
樹脂基材上へのハーフミラー膜形成方法に用いるプラズ
マ放電処理装置のプラズマ放電処理容器を示す概略図で
ある。

【００５４】図３に示すように、長尺フィルム状の基材
Ｆは搬送方向（図中、時計回り）に回転するロール電極
２５に巻回されながら搬送される。固定されている電極
２６は複数の円筒型に構成され、ロール電極２５に対向
させて設置される。ロール電極２５に巻回された基材Ｆ
は、ニップローラ６５、６６で押圧され、ガイドローラ
６４及びローラ６５ａで案内され、プラズマ放電処理容
器３１によって確保された放電処理空間に搬送され、プ
ラズマ状態で処理される。次いで、ガイドローラ６７を
介して次工程に搬送される。

【００５５】また、仕切板５４は、ニップローラ６５、
６６に近接してそれぞれ配置され、基材Ｆに同伴する空
気がプラズマ放電処理容器３１内に進入するのを抑制す
る。この基材Ｆに同伴する空気は、プラズマ放電処理容
器３１内の気体の全体積に対し、１体積％以下に抑える
ことが好ましく、０．１体積％以下に抑えることがより
好ましく、ニップローラ６５および６６により、それを
達成することが可能である。

【００５６】なお、プラズマ状態での処理に用いられる
混合ガス（不活性ガスと、反応性ガスである有機フッ素
化合物、チタン化合物または珪素化合物等を含有する有
機ガス）は、給気口５２からプラズマ放電処理容器３１
に導入され、処理後のガスは排気口５３から排気され
る。

【００５７】図４は、図３と同様に、本実施の形態のハ
ーフミラー膜形成方法に用いられるプラズマ放電処理装
置に設置されるプラズマ放電処理容器の別の例を示す概
略図である。図３ではロール電極２５に対向し固定され
ている電極２６が円筒型の電極であるが、図４では角柱
型の電極３６を用いている。図４に示すように、角柱型
の電極３６は円筒型の電極２６に比べて放電範囲を広げ
る効果があるので、本発明のハーフミラー膜形成方法に
好ましく用いられる。

【００５８】また、本発明のハーフミラー膜形成方法に
おいて、緻密で、膜厚均一性の高い高性能なハーフミラ
ー膜を形成するためには、ロール電極２５および電極２
６間に、ハイパワーの電界を印加することが好ましい。
ハイパワーの電界としては、対向する電極間に、１００
ｋＨｚを越えた高周波電圧で、かつ、１Ｗ／ｃｍ^２以上
の電力を供給することが好ましい。

【００５９】電極間に印加する高周波電圧の周波数の上
限値は、好ましくは１５０ＭＨｚ以下である。また、高
周波電圧の周波数の下限値としては、好ましくは２００
ｋＨｚ以上、さらに好ましくは８００ｋＨｚ以上であ
る。

【００６０】また、電極間に供給する電力の下限値は、
好ましくは１．２Ｗ／ｃｍ^２以上であり、上限値として
は、好ましくは５０Ｗ／ｃｍ^２以下、さらに好ましくは
２０Ｗ／ｃｍ^２以下である。尚、電極における電圧の印
加面積（／ｃｍ^２）は、放電が起こる範囲の面積のこと
を指す。

【００６１】さらに、電極間に印加する高周波電圧は、
断続的なパルス波であっても、連続したサイン波であっ
ても構わないが、本発明の効果を高く得るためには、連
続したサイン波であることが好ましい。

【００６２】このような電極としては、金属母材上に誘
電体を被覆したものであることが好ましい。少なくとも
対向する印加電極とアース電極の片側に誘電体を被覆す
ること、更に好ましくは、対向する印加電極とアース電
極の両方に誘電体を被覆することである。誘電体として
は、比誘電率が６〜４５の無機物であることが好まし
く、このような誘電体としては、アルミナ、窒化珪素等
のセラミックス、あるいは、ケイ酸塩系ガラス、ホウ酸
塩系ガラス等のガラスライニング材等がある。

【００６３】また、基材を電極間に載置あるいは電極間
を搬送してプラズマに晒す場合には、基材を片方の電極
に接して搬送できるロール電極仕様にするだけでなく、
更に誘電体表面を研磨仕上げし、電極の表面粗さＲｍａ
ｘ(JIS B 0601)を１０μｍ以下にすることで、誘電体の
厚み及び電極間のギャップを一定に保つことができ、放
電状態を安定化できること、更に熱収縮差や残留応力に
よる歪やひび割れを無くし、かつポーラスで無い高精度
の無機誘電体を被覆することで大きく耐久性を向上させ
ることができる。

【００６４】また、高温下での金属母材に対する誘電体
被覆による電極製作において、少なくとも基材と接する
側の誘電体を研磨仕上げすること、更に電極の金属母材
と誘電体間の熱膨張の差をなるべく小さくすることが必
要であり、そのため製作方法において、母材表面に、応
力を吸収できる層として泡混入量をコントロールして無
機質の材料をライニングする、特に材質としてはほうろ
う等で知られる溶融法により得られるガラスであること
が良く、更に導電性金属母材に接する最下層の泡混入量
を２０〜３０体積％とし、次層以降を５体積％以下とす
ることで、緻密でかつひび割れ等が発生しない良好な電
極ができる。

【００６５】また、電極の母材に誘電体を被覆する別の
方法として、セラミックスの溶射を空隙率１０体積％以
下まで緻密に行い、更にゾルゲル反応により硬化する無
機質の材料にて封孔処理を行うことであり、ここでゾル
ゲル反応の促進には、熱硬化やＵＶ硬化が良く、更に封
孔液を希釈し、コーティングと硬化を逐次で数回繰り返
すと、よりいっそう無機質化が向上し、劣化の無い緻密
な電極ができる。

【００６６】次に、電極について図５、図６、図７を用
いて説明する。図５（ａ）、（ｂ）は各々、上述の円筒
型のロール電極を示す概略図、図６（ａ）、（ｂ）は各
々、円筒型で固定されている電極を示す概略図、図７
（ａ）、（ｂ）は各々、角柱型で固定されている電極を
示す概略図である。

【００６７】図５（ａ）のように、アース電極であるロ
ール電極２５ｃは、金属等の導電性母材２５ａに対しセ
ラミックスを溶射後、無機材料を用いて封孔処理したセ
ラミック被覆処理誘電体２５ｂを被覆した組み合わせで
構成されているものである。セラミック被覆処理誘電体
を片肉で１ｍｍ被覆し、ロール径を被覆後２００φとな
るように製作し、アースに接地してある。または、図５
（ｂ）のように、金属等の導電性母材２５Ａへライニン
グにより無機材料を設けたライニング処理誘電体２５Ｂ
を被覆した組み合わせ、ロール電極２５Ｃで構成しても
よい。

【００６８】上述のライニング材としては、ケイ酸塩系
ガラス、ホウ酸塩系ガラス、リン酸塩系ガラス、ゲルマ
ン酸塩系ガラス、亜テルル酸塩ガラス、アルミン酸塩ガ
ラス、バナジン酸塩ガラス等が好ましく用いられるが、
この中でもホウ酸塩系ガラスが加工し易いので、更に好
ましく用いられる。金属等の導電性母材２５ａ、２５Ａ
としては、銀、白金、ステンレス、アルミニウム、鉄等
の金属等が挙げられるが、加工の観点からステンレスが
好ましい。また、溶射に用いるセラミックス材として
は、アルミナ・窒化珪素等が好ましく用いられるが、こ
の中でもアルミナが加工し易いので、更に好ましく用い
られる。尚、本実施の形態においては、ロール電極の母
材は、冷却水による冷却手段を有するステンレス製ジャ
ケットロール母材を使用している（図示省略）。

【００６９】図６（ａ）、（ｂ）および図７（ａ）、
（ｂ）は、印加電極である固定の電極２６ｃ、電極２６
Ｃ、電極３６ｃ、電極３６Ｃを示し、上記記載のロール
電極２５ｃ、ロール電極２５Ｃと同様な組み合わせで構
成されている。すなわち、中空のステンレスパイプ２６
ａ、２６Ａ、３６ａ、３６Ａに対し、上記同様の誘電体
２６ｂ、２６Ｂ、３６ｂ、３６Ｂを被覆し、放電中は冷
却水による冷却が行えるようになっている。尚、セラミ
ック被覆処理誘電体の被覆後１２φまたは１５φとなる
ように製作され、当該電極の数は、上記ロール電極の円
周上に沿って１４本設置している。

【００７０】印加電極に電圧を印加する電源としては、
特に限定はないが、パール工業製高周波電源（２００ｋ
Ｈｚ）、パール工業製高周波電源（８００ｋＨｚ）、日
本電子製高周波電源（１３．５６ＭＨｚ）、パール工業
製高周波電源（１５０ＭＨｚ）等が使用できる。

【００７１】図８は、本発明に用いられるプラズマ放電
処理装置を示す概念図である。図８において、プラズマ
放電処理容器３１の部分は図４と同様の構成であるが、
更に、ガス発生装置５１、電源４１、電極冷却ユニット
６０等が装置構成として配置されている。電極冷却ユニ
ット６０の冷却剤としては、蒸留水、油等の絶縁性材料
が用いられる。

【００７２】図８に記載の電極２５、３６は、図５〜図
７等に示したものと同様であり、対向する電極間のギャ
ップは、例えば１ｍｍ程度に設定される。この電極間の
距離は、電極の母材に設置した固体誘電体の厚さ、印加
電圧の大きさ、プラズマを利用する目的等を考慮して決
定される。例えば、上記電極の一方に固体誘電体を設置
した場合の固体誘電体と電極の最短距離、上記電極の双
方に固体誘電体を設置した場合の固体誘電体同士の距離
としては、いずれの場合も均一な放電を行う観点から
０．５ｍｍ〜２０ｍｍが好ましく、特に好ましくは１ｍ
ｍ±０．５ｍｍである。

【００７３】上述のように構成されたプラズマ放電処理
装置において、プラズマ放電処理容器３１内にロール電
極２５、固定されている電極３６を所定位置に配置し、
ガス発生装置５１で発生させた混合ガスを流量制御し
て、給気口５２よりプラズマ放電処理容器３１内に入
れ、プラズマ放電処理容器３１内をプラズマ処理に用い
る混合ガスで充填し排気口５３より排気する。次に、電
源４１により電極３６に電圧を印加し、ロール電極２５
はアースに接地し、放電によりプラズマを発生させる。
ここでロール状の元巻き基材６１より基材Ｆを供給し、
この基材Ｆはガイドローラ６４を介して、プラズマ放電
処理容器３１内の電極間を片面接触（ロール電極２５に
接触している）の状態で搬送される。基材Ｆは搬送中に
プラズマにより表面が放電処理され、その後にガイドロ
ーラ６７を介して、次工程に搬送される。ここで、基材
Ｆはロール電極２５に接触していない面のみ放電処理が
なされる。

【００７４】電源４１より固定されている電極３６に印
加される電圧の値は適宜決定されるが、例えば、電圧が
０．５〜１０ｋＶ程度で、電源周波数は１００ｋＨｚを
越えて１５０ＭＨｚ以下に調整される。ここで電源の印
加法に関しては、連続モードと呼ばれる連続サイン波状
の連続発振モードとパルスモードと呼ばれるＯＮ／ＯＦ
Ｆを断続的に行う断続発振モードのどちらを採用しても
良いが、連続モードの方がより緻密で良質な膜が得られ
る。

【００７５】プラズマ放電処理容器３１はパイレックス
（Ｒ）ガラス製の処理容器等が好ましく用いられるが、
電極との絶縁がとれれば金属製を用いることも可能であ
る。例えば、アルミニウムまたは、ステンレス鋼のフレ
ームの内面にポリイミド樹脂等を張り付けても良く、該
金属フレームにセラミックス溶射を行い絶縁性をとって
も良い。

【００７６】また、プラズマ状態での処理時の基材への
影響を最小限に抑制するために、プラズマ状態での処理
時の基材の温度を常温（１５℃〜２５℃）〜２００℃未
満の温度に調整することが好ましく、更に好ましくは常
温〜１００℃に調整することである。上記の温度範囲に
調整するため、必要に応じて電極、基材は冷却手段で冷
却しながらプラズマ状態で処理される。

【００７７】次に、図９の別のプラズマ放電処理装置に
よるハーフミラー膜の形成について説明する。金属母材
３５ｂに誘電体３５ａを被覆したスリット状の放電空間
３５ｃに、図の上部から不活性ガスおよび反応性ガスの
混合ガスを導入し、電源１０５により高周波電圧を印加
することにより前記反応性ガスをプラズマ状態とし、該
プラズマ状態の反応性ガスを基材１００上に噴射するこ
とにより基材１００上にハーフミラー膜を形成する。

【００７８】本発明においては、上記のプラズマ状態で
の処理が大気圧または大気圧近傍で行われるが、ここで
大気圧近傍とは、２０ｋＰａ〜１１０ｋＰａの圧力を表
すが、本発明に記載の効果を好ましく得るためには、９
３ｋＰａ〜１０４ｋＰａが好ましい。

【００７９】また、本発明のハーフミラー膜形成方法に
係る放電用電極においては、電極の少なくとも基材と接
する側のJIS B 0601で規定される表面粗さの最大高さ
（Ｒｍａｘ）が１０μｍ以下になるように調整されるこ
とが、本発明に記載の効果を得る観点から好ましいが、
更に好ましくは、表面粗さの最大値が８μｍ以下であ
り、特に好ましくは、７μｍ以下に調整することであ
る。また、ＪＩＳＢ０６０１で規定される中心線平
均表面粗さ（Ｒａ）は０．５μｍ以下が好ましく、更に
好ましくは０．１μｍ以下である。

【００８０】次に、本発明のハーフミラー膜形成方法に
係る混合ガスについて説明する。本発明のハーフミラー
膜形成方法を実施するにあたり、使用するガスは、透光
性を有する樹脂基材上に設けようとするハーフミラー膜
の種類によって異なるが、基本的に、不活性ガスと、ハ
ーフミラー膜を形成するための反応性ガスとの混合ガス
である。反応性ガスは、混合ガスに対し、０．０１〜１
０体積％含有させることが好ましい。薄膜の膜厚として
は、０．１ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲の薄膜が得られ
る。

【００８１】上記不活性ガスは周期表の第１８属元素、
具体的にはヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、
キセノン、ラドン等が挙げられるが、本実施の形態に記
載の効果を得るためには、ヘリウム、アルゴンが好まし
く用いられる。

【００８２】反応性ガスは以下のものを用いることが可
能である。ハーフミラー膜が合金半透過ミラーの場合、
Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｒ
ｈ、Ｉｒ、Ｇｅ、Ｏｓ、Ｒｕ、Ｃｒ、Ｗ、Ｉｒ、Ｓｎ、
Ｚｎを含有する有機金属化合物を用いることができる。
このとき反応系は還元雰囲気で行う。また、ハーフミラ
ー膜が屈折率の異なる層を積層した誘電体ミラーの場
合、例えば、有機フッ素化合物、珪素化合物（低屈折率
層）またはチタン化合物（高屈折率層）を含有する反応
性ガスを用いることにより設けることができる。

【００８３】有機フッ素化合物としては、フッ化炭素ガ
ス、フッ化炭化水素ガス等が好ましく用いられる。フッ
化炭素ガスとしては、４フッ化炭素、６フッ化炭素、具
体的には、４フッ化メタン、４フッ化エチレン、６フッ
化プロピレン、８フッ化シクロブタン等が挙げられる。
また、フッ化炭化水素ガスとしては、２フッ化メタン、
４フッ化エタン、４フッ化プロピレン、３フッ化プロピ
レン等が挙げられる。

【００８４】更に、１塩化３フッ化メタン、１塩化２フ
ッ化メタン、２塩化４フッ化シクロブタン等のフッ化炭
化水素化合物のハロゲン化物やアルコール、酸、ケトン
等の有機化合物のフッ素置換体を用いることができるが
これらに限定されない。また、これらの化合物が分子内
にエチレン性不飽和基を有していてもよく、さらに、こ
れらの化合物は単独でも混合して用いてもよい。

【００８５】混合ガス中に上記記載の有機フッ素化合物
を用いる場合、プラズマ状態での処理により基材上に均
一な薄膜を形成する観点から、混合ガス中の有機フッ素
化合物の含有率は、０．１〜１０体積％であることが好
ましいが、更に好ましくは、０．１〜５体積％である。

【００８６】また、本実施の形態に係る有機フッ素化合
物が常温、常圧で気体である場合は、混合ガスの構成成
分として、そのまま使用できるので最も容易に本実施の
形態の方法を遂行することができる。しかし、有機フッ
素化合物が常温・常圧で液体又は固体である場合には、
加熱、減圧等の方法により気化して使用すればよく、ま
た、又、適切な溶剤に溶解して用いてもよい。

【００８７】混合ガス中に上記記載のチタン化合物を用
いる場合、プラズマ状態での処理により基材上に均一な
層を形成する観点から、混合ガス中のチタン化合物の含
有率は、０．１〜１０体積％であることが好ましいが、
特に好ましくは、０．１〜５体積％である。

【００８８】また、上記記載の混合ガス中に水素ガスを
０．１〜１０体積％含有させることによりハーフミラー
膜の硬度を著しく向上させることができる。

【００８９】さらに、混合ガス中に酸素、オゾン、過酸
化水素、二酸化炭素、一酸化炭素、水素、窒素から選択
される成分を０．０１〜５体積％含有させることによ
り、反応促進され、かつ、緻密で良質なハーフミラー膜
を形成することができる。

【００９０】上記記載の珪素化合物、チタン化合物とし
ては、取り扱い上の観点から金属水素化合物、金属アル
コキシドが好ましく、腐食性、有害ガスの発生がなく、
工程上の汚れなども少ないことから、金属アルコキシド
が好ましく用いられる。

【００９１】また、上記記載の珪素化合物、チタン化合
物を放電空間である電極間に導入するには、両者は常温
常圧で、気体、液体、固体いずれの状態であっても構わ
ない。気体の場合は、そのまま放電空間に導入できる
が、液体、固体の場合は、加熱、減圧、超音波照射等の
手段により気化させて使用される。珪素化合物、チタン
化合物を加熱により気化して用いる場合、テトラエトキ
シシラン、テトライソプロポキシチタンなど、常温で液
体で、沸点が２００℃以下である金属アルコキシドがハ
ーフミラー膜の形成に好適に用いられる。上記金属アル
コキシドは、溶媒によって希釈して使用されても良く、
溶媒は、メタノール、エタノール、ｎ−ヘキサンなどの
有機溶媒及びこれらの混合溶媒が使用できる。尚、これ
らの希釈溶媒は、プラズマ状態での処理中において、分
子状、原子状に分解される為、樹脂基材上への層の形
成、層の組成などに対する影響は殆ど無視することがで
きる。

【００９２】上記記載の珪素化合物としては、例えば、
ジメチルシラン、テトラメチルシランなどの有機金属化
合物、モノシラン、ジシランなどの金属水素化合物、二
塩化シラン、三塩化シランなどの金属ハロゲン化合物、
テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、ジメチ
ルジエトキシシランなどのアルコキシシラン、オルガノ
シランなどを用いることが好ましいがこれらに限定され
ない。また、これらは適宜組み合わせて用いることがで
きる。

【００９３】混合ガス中に上記記載の珪素化合物を用い
る場合、プラズマ状態での処理により基材上に均一な層
を形成する観点から、混合ガス中の珪素化合物の含有率
は、０．１〜１０体積％であることが好ましいが、更に
好ましくは、０．１〜５体積％である。

【００９４】上記記載のチタン化合物としては、テトラ
ジメチルアミノチタンなどの有機金属化合物、モノチタ
ン、ジチタンなどの金属水素化合物、二塩化チタン、三
塩化チタン、四塩化チタンなどの金属ハロゲン化合物、
テトラエトキシチタン、テトライソプロポキシチタン、
テトラブトキシチタンなどの金属アルコキシドなどを用
いることが好ましいがこれらに限定されない。また、上
記記載のタンタル化合物としては、テトラジメチルアミ
ノタンタルなどの有機金属化合物、モノタンタル、ジタ
ンタルなどの金属水素化合物、二塩化タンタル、三塩化
タンタル、四塩化タンタルなどの金属ハロゲン化合物、
テトラエトキシタンタル、テトライソプロポキシタンタ
ル、テトラブトキシタンタルなどの金属アルコキシドな
どを用いることが好ましいがこれらに限定されない。ま
た、上記記載のアルミニウム化合物としては、テトラジ
メチルアミノアルミニウムなどの有機金属化合物、モノ
アルミニウム、ジアルミニウムなどの金属水素化合物、
二塩化アルミニウム、三塩化アルミニウム、四塩化アル
ミニウムなどの金属ハロゲン化合物、テトラエトキシア
ルミニウム、テトライソプロポキシアルミニウム、テト
ラブトキシアルミニウムなどの金属アルコキシドなどを
用いることが好ましいがこれらに限定されない。

【００９５】反応性ガスに有機金属化合物を添加する場
合、例えば、有機金属化合物としてＬｉ，Ｂｅ，Ｂ，Ｎ
ａ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｋ，Ｃａ，Ｓｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃ
ｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｇ
ｅ，Ｒｂ，Ｓｒ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｃｄ，Ｉｎ，
Ｉｒ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｃｓ，Ｂａ，Ｌａ，Ｈｆ，Ｔａ，
Ｗ，Ｔｌ，Ｐｂ，Ｂｉ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｅ
ｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ
から選択される金属を含むことができる。より好ましく
は、これらの有機金属化合物が金属アルコキシド、アル
キル化金属、金属錯体から選ばれるものが好ましい。

【００９６】本実施の形態においてハーフミラー膜が誘
電体ミラー膜である場合、屈折率が１．８５〜２．６０
の酸化チタンを主成分とする高屈折率層および屈折率が
１．３０〜１．５７の酸化ケイ素を主成分とする低屈折
率層を樹脂基材またはガラス基材表面に連続して設ける
ことが好ましい。好ましくは樹脂基材からなるフィルム
上に紫外線硬化樹脂層を設けた後、直ちにプラズマ状態
での処理によって高屈折率層及び低屈折率層を設けるこ
とがよりハーフミラー膜と樹脂基材との密着性を高め、
クラックの発生を低減することになる。また、高屈折率
層においては、酸化チタンを主成分とし、屈折率が２．
２以上であることが特に好ましい。

【００９７】本実施の形態においてハーフミラー膜が誘
電体ミラー膜である場合、高屈折率層及び低屈折率層の
炭素含有率は、ともに０．２〜５質量％であることが下
層との密着性と膜の柔軟性（クラック防止）のために好
ましい。より好ましくは炭素含有率は０．３〜３質量％
である。すなわち、プラズマ状態での処理によって形成
された層は有機物（炭素原子）を含んでいるため、その
範囲が膜に柔軟性を与えるため、膜の密着性に優れ好ま
しい。炭素の比率が多くなりすぎると経時で屈折率が変
動しやすくなる傾向があり、好ましくない。

【００９８】

【実施例】次に、本発明を実施例により更に詳しく説明
する。

【００９９】〈実施例１〉市販ＰＥＳ（ポリエーテルス
ルホン）フィルム（住友ベークライト（株）製スミライ
トＦＳ−１３００）を透光性を有するフィルム基材とし
て用い、上記表７に準じた酸化チタンおよび酸化ケイ素
の積層による合計１３層の層構成を有するハーフミラー
膜を有する光学部品を、図８のプラズマ放電処理装置を
用いて製膜した場合と（実施例１）、蒸着による製膜の
場合（比較例）とにおいて、光学性能、密着性等につい
て評価を行った。

【０１００】（実施例１における大気圧プラズマ法の製
膜条件）図８において、ロール電極２５は、冷却水によ
る冷却手段を有するステンレス製ジャケットロール母材
（冷却手段は図８には図示していない）に対して、セラ
ミック溶射によりアルミナを１ｍｍ被覆し、その後、テ
トラメトキシシランを酢酸エチルで希釈した溶液を塗布
し乾燥した後、紫外線照射により硬化させ封孔処理を行
い、表面を平滑にしてＲｍａｘ５μｍとした誘電体（比
誘電率１０）を有するロール電極２５を製作し、アース
（接地）した。一方、印加電極３６は中空の角型のステ
ンレスパイプに対し、上記同様の誘電体を同条件にて被
覆し、対向する電極群とした。

【０１０１】ただし、プラズマ発生に用いる使用電源
は、日本電子（株）製高周波電源ＪＲＦ−１００００に
て周波数１３．５６ＭＨｚの電圧で、かつ、２０Ｗ／ｃ
ｍ^２の電力を供給した。

【０１０２】《反応性ガス》プラズマ処理（プラズマ状
態で処理すること）に用いた混合ガス（反応性ガス）の
組成を以下に記す。

【０１０３】（酸化ケイ素層形成用）不活性ガス：アルゴン９８．２５体積％反応性ガス１：水素ガス１．５体積％反応性ガス２：テトラメトキシシラン蒸気（アルゴンガ
スにてバブリング）０．２５体積％

【０１０４】（酸化チタン層形成用）不活性ガス：アルゴン９８．７５体積％反応性ガス１：水素ガス（混合ガス全体に対し１体積
％）反応性ガス２：テトライソプロポキシチタン蒸気（１５
０℃に加熱した液体にアルゴンガスをバブリング）反応
ガス全体に対し０．２５体積％

【０１０５】フィルム基材上に、上記反応性ガス、上記
放電条件により、連続的に大気圧でプラズマ処理して、
ハーフミラー膜を設けた。下記炭素含有率の測定法によ
り当該ハーフミラー膜の炭素含有率を測定したところ、
０．２質量％であった。

【０１０６】（比較例における蒸着法の製膜条件）日本
真空製の真空製膜装置LOAD-LOCK TYPE VACUUM ROLL COA
TER EWA-310を用いて、実施例１と同様な酸化ケイ素層
と酸化チタン層を積層したハーフミラー膜を形成した。
下記炭素含有率の測定法により当該ハーフミラー膜の炭
素含有率を測定したところ、検出限界以下であった。

【０１０７】《ハーフミラー膜の炭素含有率の測定》上
記実施例１と比較例において形成したハーフミラー膜の
炭素含有率は、ＸＰＳ表面分析装置を用いてその値を測
定した。ＸＰＳ表面分析装置は、特に限定されるものは
なく、いかなる機種も使用することができるが、本実施
例においてはＶＧサイエンティフィックス社製ＥＳＣＡ
ＬＡＢ−２００Ｒを用いた。Ｘ線アノードにはＭｇを用
い、出力６００Ｗ（加速電圧１５ｋＶ、エミッション電
流４０ｍＡ）で測定した。エネルギー分解能は、清浄な
Ａｇ３ｄ５／２ピークの半値幅で規定したとき、１．５
〜１．７ｅＶとなるように設定した。測定をおこなう前
に、汚染による影響を除くために、薄膜の膜厚の１０〜
２０％の厚さに相当する表面層をエッチング除去する必
要がある。表面層の除去には、希ガスイオンが利用でき
るイオン銃を用いることが好ましく、イオン種として
は、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｘｅ、Ｋｒなどが利用できる。
本測定おいては、Ａｒイオンエッチングを用いて表面層
を除去した。

【０１０８】先ず、結合エネルギー０ｅＶから１１００
ｅＶの範囲を、データ取り込み間隔１．０ｅＶで測定
し、いかなる元素が検出されるかを求めた。次に、検出
された、エッチングイオン種を除く全ての元素につい
て、データの取り込み間隔を０．２ｅＶとして、その最
大強度を与える光電子ピークについてナロースキャンを
おこない、各元素のスペクトルを測定した。得られたス
ペクトルは、測定装置、あるいは、コンピューターの違
いによる含有率算出結果の違いを生じせしめなくするた
めに、VAMAS-SCA-JAPAN製のCOMMON DATA PROCESSING SY
STEM (Ver.2.3以降が好ましい)上に転送した後、同プロ
グラムで処理をおこない、炭素含有率の値を原子数濃度
(atomic concentration）として求めた。

【０１０９】また、定量処理をおこなう前に、各元素に
ついてCount Scaleのキャリブレーションをおこない、
５ポイントのスムージング処理をおこなった。定量処理
では、バックグラウンドを除去したピークエリア強度
（ｃｐｓ＊ｅＶ）を用いた。バックグラウンド処理に
は、Shirleyによる方法を用いた。Shirley法については、
D.A.Shirley,Phys.Rev.,B5,4709(1972)を参考にするこ
とができる。

【０１１０】《光学性能》４００ｎｍ〜７００ｎｍの範
囲でそれぞれの反射率および透過率を測定したところ、
本実施例の大気圧プラズマ法で形成したハーフミラー膜
は、反射率、透過率ともに基材表面で高い均一性を有し
た。一方、比較例の蒸着法で形成したハーフミラー膜
は、一部クラックが発生し、反射率、透過率の均一性が
若干低下した。

【０１１１】《剥離試験》JIS K5400に準拠した碁盤目
試験を行った。形成された薄膜の表面に片刃のカミソリ
の刃を面に対して９０°の角度で切り込みを１ｍｍ間隔
で縦横に１１本入れ、１ｍｍ角の碁盤目を１００個作製
した。この上に市販のセロファンテープを張り付け、そ
の一端を手で持って垂直に力強く引張って剥がし、切り
込み線からの貼られたテープ面積に対する薄膜が剥がさ
れた面積の割合を次の３段階にランク評価した。その剥
離試験結果を次の表１３に示す。Ａ：全く剥離されなかったＢ：剥離された面積割合が１０％未満であったＣ：剥離された面積割合が１０％以上であった

【０１１２】

【表１３】本実施例により形成されたハーフミラー膜は、すべての
評価項目において比較のものと同等以上であった。しか
も、ハーフミラー膜の形成スピードは、本実施例の方
が、比較に比べて１５倍以上速く、極めて生産性が高か
った。

【０１１３】〈実施例２〜５〉次に、実施例２，３，
４，５として、実施例１における使用電源を変更し、表
１４に示すように印加する高周波電圧および供給電力を
変更して、ハーフミラー膜の炭素含有率を変化させた以
外は実施例１と同様にして製膜したハーフミラー膜を有
する光学部品をそれぞれ作製した。

【０１１４】上述の実施例１〜５および比較例につい
て、下記の耐傷性の測定を行い、その結果を表１４に示
す。

【０１１５】《耐傷性の測定》１×１ｃｍの面にスチー
ルウールを貼り付けたプローブを、光学フィルムの薄膜
面に２５０ｇの荷重をかけて押し付け１０回往復運動さ
せた後、擦り傷の入る本数を測定した。

【０１１６】

【表１４】ハーフミラー膜中の炭素含有量が０．２〜５質量％にあ
るものは、耐傷性において優れた性能を有することがわ
かる。

【０１１７】〈実施例６〉次に、実施例６として図９の
プラズマ放電処理装置を用い、実施例１と同様な方法で
ガラス基板上にハーフミラー膜を形成し、実施例１と同
様な評価を行ったところ、ほぼ同様の結果を得ることが
出来た。また、同様にガラス基板上に、上述の比較例と
同様な蒸着法によりハーフミラー膜を形成したところ、
実施例１の方が本実施例６との比較よりも差異が顕著で
あった。これは、透光性を有する基材が樹脂材料である
場合に、本発明の大気圧プラズマ法によるハーフミラー
膜形成方法が特に優れていることを示す。〈実施例７〉次に、実施例７として実施例６と同様に、
図９のプラズマ放電処理装置を用いて実施例１と同様な
方法でガラス基板上に上述の表５に示す４層構造のハー
フミラー膜を形成した。・酸化タンタル層形成用混合ガス不活性ガス：アルゴンガス９８．８体積％反応性ガス１：水素ガス（混合ガス全体に対し１体積
％）反応性ガス２：テトライソプロポキシタンタル蒸気（１
６０℃に加熱した液体にアルゴンガスをバブリング）反応ガス全体に対し０．
２体積％・酸化アルミニウム層形成用混合ガス不活性ガス：アルゴンガス９８．６体積％反応性ガス１：水素ガス（混合ガス全体に対し１．２体
積％）反応性ガス２：テトライソプロポキシアルミニウム蒸気
（１６２℃に加熱した液体にアルゴンガスをバブリン
グ）反応ガス全体に対し０．２体積％本実施例７において、実施例１と同様に評価を行ったと
ころ、ほぼ同様の結果を得ることができ、良好な膜厚値
を得た。なお、本明細書において、プラズマ状態とは、
電極間に電圧を印可して反応性ガスまたは反応性ガスを
含むガスを放電状態にしたとき、正（プラス）電荷と負
（マイナス）電荷とが混在して存在する状態（正電荷と
負電荷とが同数個存在する場合に限定されない）をい
う。

【０１１８】

【発明の効果】本発明によれば、生産性が高く、光学性
能も良く、透光性の基材との密着性が高く、かつ、クラ
ックも入りにくいハーフミラー膜形成方法および該ハー
フミラー膜を有する光学部品を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本実施の形態における表７の設計によるハーフ
ミラー膜の透過率および反射率を示すグラフである。

【図２】本実施の形態における表８の設計によるハーフ
ミラー膜の透過率および反射率を示すグラフである。

【図３】本発明のハーフミラー膜形成方法に用いること
のできるプラズマ放電処理装置に設置されるプラズマ放
電処理容器の一例を示す概略図である。

【図４】本発明のハーフミラー膜形成方法に用いること
のできるプラズマ放電処理装置に設置されるプラズマ放
電処理容器の別の例を示す概略図である。

【図５】図５（ａ）、（ｂ）は各々、本発明に係るプラ
ズマ放電処理に用いることのできる円筒型のロール電極
の一例を示す概略図である。

【図６】図６（ａ）、（ｂ）は各々、本発明に係るプラ
ズマ放電処理に用いることのできる固定型の円筒型電極
の一例を示す概略図である。

【図７】図７（ａ）、（ｂ）は各々、本発明に係るプラ
ズマ放電処理に用いることのできる固定型の角柱型電極
の一例を示す概略図である。

【図８】本発明のハーフミラー膜形成方法に用いること
のできるプラズマ放電処理装置の一例を示す概念図であ
る。

【図９】本発明のハーフミラー膜形成方法に用いること
のできるプラズマ放電処理装置の別の例を示す概念図で
ある。

【図１０】本実施の形態における表９の設計によるハー
フミラー膜の透過率および反射率を示すグラフである。

【図１１】本実施の形態における表１０の設計によるハ
ーフミラー膜の透過率および反射率を示すグラフであ
る。

【図１２】本実施の形態における表１１の設計によるハ
ーフミラー膜の透過率および反射率を示すグラフであ
る。

【図１３】本実施の形態における表１２の設計によるハ
ーフミラー膜の透過率および反射率を示すグラフであ
る。

【符号の説明】

２５、２５ｃ、２５Ｃ・・・ロール電極２６、２６ｃ、２６Ｃ、３６、３６ｃ、３６Ｃ・・・電
極２５ａ、２５Ａ、２６ａ、２６Ａ、３５ａ、３６ａ、３
６Ａ・・・金属等の導電性母材２５ｂ、２６ｂ、３５ｂ、３６ｂ・・・セラミック被覆
処理誘電体２５Ｂ、２６Ｂ、３６Ｂ・・・ライニング処理誘電体３１・・・プラズマ放電処理容器３６・・・角柱型の電極４１、１０５・・・電源５１・・・ガス発生装置５２・・・給気口５３・・・排気口６０・・・電極冷却ユニット６１・・・元巻き基材６５、６６・・・ニップローラ６４、６７・・・ガイドローラ６５ａ・・・ローラ１００・・・基材

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｃ２３Ｃ 16/42 Ｃ２３Ｃ 16/42 16/50 16/50 16/505 16/505 (72)発明者村松由海東京都日野市さくら町１番地コニカ株式会社内Ｆターム(参考） 2H042 DA08 DA11 DA12 DB01 DC03 4F100 AA12C AA17C AA19C AA19D AA20B AA21B AA21C AA27C AD05C AG00A AK01A AK55 AR00E AT00A BA02 BA03 BA04 BA05 BA07 BA10A BA10C BA10D BA10E EJ61 EJ61B GB41 JG05B JG05C JK06 JK14 JL02 JL11 JM02B JM02C JN01A JN18B JN18C JN18D JN18E JN30B JN30C YY00B YY00C YY00D YY00E 4K030 BA42 BA43 BA44 BA46 FA01 GA14 JA01 JA09 JA18 KA17 KA30 LA11

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】透光性を有する基材上にハーフミラー膜
を形成するハーフミラー膜形成方法であって、大気圧または大気圧近傍の圧力下において対向する電極
間に放電することにより反応性ガスをプラズマ状態と
し、前記基材を前記プラズマ状態の反応性ガスに晒すことに
よって前記基材上に前記ハーフミラー膜を形成すること
を特徴とするハーフミラー膜形成方法。
【請求項２】前記ハーフミラーが誘電体ミラーである
ことを特徴とする請求項１に記載のハーフミラー膜形成
方法。
【請求項３】前記誘電体ミラーが酸化ケイ素を主成分
とする層と酸化チタンを主成分とする層とを複数層積層
したものであることを特徴とする請求項２に記載のハー
フミラー膜形成方法。
【請求項４】前記誘電体ミラーが、酸化ケイ素を主成
分とする層と、酸化チタン、酸化タンタル、酸化ジルコ
ニウム、窒化シリコン、酸化インジウムまたは酸化アル
ミニウムを主成分とする層と、を少なくとも積層したも
のであることを特徴とする請求項２に記載のハーフミラ
ー膜形成方法。
【請求項５】前記誘電体ミラーが、酸化ケイ素を主成
分とする層と、酸化チタン、酸化タンタル、酸化ジルコ
ニウム、窒化シリコンまたは酸化インジウムを主成分と
する層と、酸化アルミニウムを主成分とする層と、を少
なくとも積層したものであることを特徴とする請求項２
に記載のハーフミラー膜形成方法。
【請求項６】前記透光性を有する基材が樹脂基材また
はガラス基材であることを特徴とする請求項１乃至５の
いずれか１項に記載のハーフミラー膜形成方法。
【請求項７】前記放電を、１００ｋＨｚを越えた高周
波電圧で、かつ、１Ｗ／ｃｍ^２以上の電力を供給するこ
とにより起こすことを特徴とする請求項１乃至６のいず
れか１項に記載のハーフミラー膜形成方法。
【請求項８】前記高周波電圧は連続したサイン波であ
ることを特徴とする請求項７に記載のハーフミラー膜形
成方法。
【請求項９】前記基材が樹脂の長尺フィルムであっ
て、前記長尺フィルムが前記電極間を搬送され、かつ、
前記反応性ガスが前記電極間に導入されることにより前
記長尺フィルム上にハーフミラー膜を形成することを特
徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載のハーフ
ミラー膜形成方法。
【請求項１０】前記基材が樹脂のレンズであって、前
記プラズマ状態の反応性ガスを前記レンズに吹き付ける
ことによって前記レンズ上にハーフミラー膜を形成する
ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載
のハーフミラー膜形成方法。
【請求項１１】前記電極間に前記反応性ガスと不活性
ガスとを含有する混合ガスを導入し、前記混合ガスは前記不活性ガスを９９．９〜９０体積％
含有していることを特徴とする請求項１乃至１０のいず
れか１項に記載のハーフミラー膜形成方法。
【請求項１２】前記混合ガスが、酸素、オゾン、過酸
化水素、二酸化炭素、一酸化炭素、水素及び窒素からな
るグループから選択される少なくとも１つの成分を０．
０１〜５体積％含有していることを特徴とする請求項１
１に記載のハーフミラー膜形成方法。
【請求項１３】前記反応性ガスが有機金属化合物及び
有機物の少なくとも１つの成分を含有していることを特
徴とする請求項１乃至１２のいずれか１項に記載のハー
フミラー膜形成方法。
【請求項１４】前記有機金属化合物が金属アルコキシ
ド、アルキル化金属、及び金属錯体からなるグループか
ら選ばれることを特徴とする請求項１３に記載のハーフ
ミラー膜形成方法。
【請求項１５】前記ハーフミラー膜中の炭素含有率
が、０．２〜５質量％であることを特徴とする請求項１
乃至１４のいずれか１項に記載のハーフミラー膜形成方
法。
【請求項１６】前記ハーフミラー膜中の炭素含有率
が、０．３〜３質量％であることを特徴とする請求項１
５に記載のハーフミラー膜形成方法。
【請求項１７】請求項１乃至１６のいずれか１項に記
載のハーフミラー膜形成方法により形成されたハーフミ
ラー膜を有する光学部品。
【請求項１８】前記ハーフミラー膜が、酸化ケイ素を
主成分とする屈折率１．３５〜１．５１の低屈折率層と
酸化チタンを主成分とする屈折率２．１５〜２．４３の
高屈折率層とを積層して形成されるものであって、屈折率が１．４６〜１．５８の基材上に、順に、光学膜
厚０．０４７〜０．０５の前記高屈折率層、光学膜厚
０．０４８〜０．０５２の前記低屈折率層、光学膜厚
０．３１３〜０．３３９の前記高屈折率層、光学膜厚
０．３４０〜０．３７０の前記低屈折率層、光学膜厚
０．２７６〜０．２９９の前記高屈折率層、光学膜厚
０．２７０〜０．２９３の前記低屈折率層、光学膜厚
０．３２０〜０．３４７の前記高屈折率層、光学膜厚
０．１４９〜０．１６２の前記低屈折率層、光学膜厚
０．２０５〜０．２２２の前記高屈折率層、光学膜厚
０．１１０〜０．１２０の前記低屈折率層、光学膜厚
０．２９９〜０．３２４の前記高屈折率層、光学膜厚
０．１２８〜０．１３９の前記低屈折率層、光学膜厚
０．０７２〜０．０７９の前記高屈折率層、を積層して
いることを特徴とする請求項１７に記載の光学部品。但
し、上記各屈折率は波長５１０ｎｍの光に対する屈折率
であり、該屈折率をｎとすると、上記光学膜厚は、ｎ×
ｄ／５１０の値であり、ｄは各層の実際の膜厚（単位ｎ
ｍ、幾何学的膜厚）である。
【請求項１９】前記ハーフミラー膜が、酸化ケイ素を
主成分とする屈折率１．３５〜１．５１の低屈折率層と
酸化チタンを主成分とする屈折率２．１５〜２．４３の
高屈折率層とを積層して形成されるものであって、屈折率が１．４６〜１．５８の基材上に、順に、光学膜
厚０．２６３〜０．２８８の前記低屈折率層、光学膜厚
０．０６２〜０．０６８の前記高屈折率層、光学膜厚
０．２４０〜０．２６０の前記低屈折率層、光学膜厚
０．２３２〜０．２５２の前記高屈折率層、光学膜厚
０．２０５〜０．２２２の前記低屈折率層、光学膜厚
０．１４８〜０．１６１の前記高屈折率層、光学膜厚
０．２２９〜０．２４８の前記低屈折率層、光学膜厚
０．２５１〜０．２７２の前記高屈折率層、光学膜厚
０．３０６〜０．３３１の前記低屈折率層、光学膜厚
０．２８７〜０．３１１の前記高屈折率層、光学膜厚
０．２８４〜０．３０８の前記低屈折率層、光学膜厚
０．３２３〜０．３５０の前記高屈折率層、光学膜厚
０．３１８〜０．３４５の前記低屈折率層、光学膜厚
０．３７１〜０．４００の前記高屈折率層、を積層して
いることを特徴とする請求項１７に記載の光学部品。但
し、上記各屈折率は波長５１０ｎｍの光に対する屈折率
であり、該屈折率をｎとすると、上記光学膜厚は、ｎ×
ｄ／５１０の値であり、ｄは各層の実際の膜厚（単位ｎ
ｍ、幾何学的膜厚）である。
【請求項２０】前記ハーフミラー膜が、酸化ケイ素を
主成分とする屈折率１．３５〜１．５１の低屈折率層と
酸化チタンを主成分とする屈折率２．１５〜２．４３の
高屈折率層とを積層して形成されるものであって、屈折率が１．４６〜１．５８の基材上に、順に、光学膜
厚０．０８５〜０．１１５の前記高屈折率層、光学膜厚
０．０６５〜０．１００の前記低屈折率層、光学膜厚
０．１４０〜０．３６０の前記高屈折率層、光学膜厚
０．１２０〜０．３２０の前記低屈折率層、光学膜厚
０．２５０〜０．４５１の前記高屈折率層、を積層して
いることを特徴とする請求項１７に記載の光学部品。但
し、上記各屈折率は波長５１０ｎｍの光に対する屈折率
であり、該屈折率をｎとすると、上記光学膜厚は、ｎ×
ｄ／５１０の値であり、ｄは各層の実際の膜厚（単位ｎ
ｍ、幾何学的膜厚）である。
【請求項２１】前記ハーフミラー膜が、酸化ケイ素を
主成分とする屈折率１．３５〜１．５１の低屈折率層と
酸化チタンを主成分とする屈折率２．１５〜２．４３の
高屈折率層とを積層して形成されるものであって、屈折
率が１．４６〜１．５８の基材上に、順に、光学膜厚
０．２６１〜０．２９０の前記低屈折率層、光学膜厚
０．２５８〜０．２８１の前記高屈折率層、光学膜厚
０．４１０〜０．４４８の前記低屈折率層、光学膜厚
０．４８１〜０．５０１の前記高屈折率層、光学膜厚
０．６０１〜０．６２５の前記低屈折率層、光学膜厚
０．５５１〜０．５７３の前記高屈折率層、光学膜厚
０．２０１〜０．２２５の前記低屈折率層、光学膜厚
０．２６１〜０．２８５の前記高屈折率層、光学膜厚
０．２５１〜０．２７９の前記低屈折率層、光学膜厚
０．２８１〜０．３０５の前記高屈折率層、を積層して
いることを特徴とする請求項１７に記載の光学部品。但
し、上記各屈折率は波長５１０ｎｍの光に対する屈折率
であり、該屈折率をｎとすると、上記光学膜厚は、ｎ×
ｄ／５１０の値であり、ｄは各層の実際の膜厚（単位ｎ
ｍ、幾何学的膜厚）である。
【請求項２２】前記ハーフミラー膜が、酸化ケイ素を
主成分とする屈折率１．３５〜１．５１の低屈折率層と
酸化アルミニウムを主成分とする屈折率１．６１〜１．
８２の中屈折率層と酸化タンタルを主成分とする屈折率
１．９１〜２．１５の高屈折率層とを積層して形成され
るものであって、屈折率が１．４６〜１．５８の基材上に、順に、光学膜
厚０．１９５〜０．２３１の前記高屈折率層、光学膜厚
０．２１５〜０．２４３の前記低屈折率層、光学膜厚
０．３６７〜０．３９２の前記高屈折率層、光学膜厚
０．１７６〜０．１９３の前記中屈折率層、を積層して
いることを特徴とする請求項１７に記載の光学部品。但
し、上記各屈折率は波長５１０ｎｍの光に対する屈折率
であり、該屈折率をｎとすると、上記光学膜厚は、ｎ×
ｄ／５１０の値であり、ｄは各層の実際の膜厚（単位ｎ
ｍ、幾何学的膜厚）である。
【請求項２３】前記ハーフミラー膜が、酸化ケイ素を
主成分とする屈折率１．３５〜１．５１の低屈折率層と
酸化チタンを主成分とする屈折率２．１５〜２．４３の
高屈折率層とを積層して形成されるものであって、屈折率が１．４６〜１．５８の基材上に、順に、光学膜
厚０．３９１〜０．４２１の前記低屈折率層、光学膜厚
０．２３１〜０．２６１の前記高屈折率層、光学膜厚
０．２８１〜０．３１１の前記低屈折率層、を積層して
いることを特徴とする請求項１７に記載の光学部品。但
し、上記各屈折率は波長５１０ｎｍの光に対する屈折率
であり、該屈折率をｎとすると、上記光学膜厚は、ｎ×
ｄ／５１０の値であり、ｄは各層の実際の膜厚（単位ｎ
ｍ、幾何学的膜厚）である。
【請求項２４】透光性を有する基材上にハーフミラー
膜を設けた光学部品において、前記ハーフミラー膜は、
炭素含有率が０．２〜５質量％であることを特徴とする
光学部品。
【請求項２５】前記炭素含有率が０．３〜３質量％で
あることを特徴とする請求項２４に記載の光学部品。
【請求項２６】前記ハーフミラーが誘電体ミラーであ
ることを特徴とする請求項２４または２５に記載のハー
フミラー膜を有する光学部品。
【請求項２７】前記誘電体ミラーが、酸化ケイ素を主
成分とする層と酸化チタンを主成分とする層とを複数層
積層したものであることを特徴とする請求項２６に記載
のハーフミラー膜を有する光学部品。
【請求項２８】前記誘電体ミラーが、酸化ケイ素を主
成分とする層と、酸化チタン、酸化タンタル、酸化ジル
コニウム、窒化シリコン、酸化インジウムまたは酸化ア
ルミニウムを主成分とする層と、を少なくとも積層した
ものであることを特徴とする請求項２６に記載のハーフ
ミラー膜を有する光学部品。
【請求項２９】前記誘電体ミラーが、酸化ケイ素を主
成分とする層と、酸化チタン、酸化タンタル、酸化ジル
コニウム、窒化シリコンまたは酸化インジウムを主成分
とする層と、酸化アルミニウムを主成分とする層と、を
少なくとも積層したものであることを特徴とする請求項
２６に記載のハーフミラー膜を有する光学部品。
【請求項３０】前記透光性を有する基材が樹脂基材ま
たはガラス基材であることを特徴とする請求項２４乃至
２９のいずれか１項に記載のハーフミラー膜を有する光
学部品。
【請求項３１】前記各層の内で最大の屈折率を有する
層の屈折率が２．２以上であることを特徴とする請求項
２７乃至２９のいずれか１項に記載の光学部品。
【請求項３２】前記基材が、樹脂フィルムであること
を特徴とする請求項２４乃至３１のいずれか１項に記載
の光学部品。
【請求項３３】前記基材が、樹脂のレンズであること
を特徴とする請求項２４乃至３１のいずれか１項に記載
の光学部品。