JP2003158328A - 半導体レーザ装置の実装方法 - Google Patents

半導体レーザ装置の実装方法

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JP2003158328A JP2001354758A JP2001354758A JP2003158328A JP 2003158328 A JP2003158328 A JP 2003158328A JP 2001354758 A JP2001354758 A JP 2001354758A JP 2001354758 A JP2001354758 A JP 2001354758A JP 2003158328 A JP2003158328 A JP 2003158328A
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篤一 持田
Hiroto Inoue
裕人 井ノ上
Katsu Nakao
克 中尾
Yukihiro Iwata
進裕 岩田
Akira Takamori
晃 高森
Hideto Adachi
秀人 足立
Masatoshi Tamura
雅敏 田村
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体レーザ素子の温度上昇による寿命低下
を抑制し、残留応力によるレーザ特性の劣化や半導体レ
ーザ素子の破損を抑制する。 【解決手段】 加熱したコレット(4)で半導体レーザ素
子(1)を保持して半導体レーザ素子の温度差を解消す
る。コレットの加熱を行わずに、接合部材の一部が凝固
した時に半導体レーザ素子を解放してもよい。また、コ
レットの先端面を半導体レーザ素子よりも大きくし、半
導体レーザ素子の反りを押え込む。また、コレットの半
導体レーザ素子との接触部分近傍を熱伝導率の低い材質
としてもよい。半導体レーザ素子の接合面の長軸辺近傍
のみを接合部材で接合してもよい。共晶半田よりも融点
の低い材質の接合部材を用いてもよい。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体レーザ素
子を実装してなる半導体レーザ装置の実装方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザ素子を光通信、光ディス
ク、レーザ、ビームプリンタ等のシステムに使用する場
合、その用途に適合したパッケージ化が行われる。この
パッケージ化においては半導体レーザ素子をパッケージ
内の所定部品、例えば金属ブロックや円形ステム等に直
接接続する方法があるが、この直接接続法では作製され
る構造が簡単である反面、半導体レーザ素子の放熱特性
が悪いことによる温度上昇及び熱膨張率の違いによる接
合面での応力が発生し、これらが原因となって半導体レ
ーザ素子の寿命が低下してしまう。そのため、近年の高
出力化された半導体レーザ素子では直接接続法の使用が
困難になってきている。
【０００３】このような問題を解消するために、熱伝導
性及び加工性に優れ、且つ半導体レーザ素子と熱膨張率
の近いＳｉＣなどからなるサブマウントに半導体レーザ
素子を実装し、この半導体レーザ装置をパッケージに接
続する方法があり、近年では優れた放熱特性の得られる
サブマウントを用いた接続方法が主流となってきてい
る。
【０００４】以下、従来の半導体レーザ装置の実装方法
について説明する。図６は半導体レーザ装置の実装工程
を示し、１は半導体レーザ素子、２はサブマウント、３
は接合部材、４はコレット、５はテーブルである。
【０００５】半導体レーザ素子を実装する場合、まず図
６の(a)に示すように、加熱用のテーブル５上にサブマ
ウント２を載置し、サブマウント２上の接合部材３が溶
融する温度以上になるまでサブマウント２を加熱する。
その間に、コレット４には真空吸着等によって半導体レ
ーザ素子１を保持し、サブマウント２の搭載位置上へ移
動させる。接合部材３が溶融すると、同図の(b)に示す
ように、半導体レーザ素子１を保持したコレット４を降
下させ、半導体レーザ素子１をサブマウント２の接合部
材３上に搭載し、その状態のままで冷却する。その際、
接合部材３による半導体レーザ素子１とサブマウント２
との間の接合面積を十分に確保し、且つ接合部材３の厚
さを極力薄くして伝熱特性を良くするために、コレット
４によって半導体レーザ素子１をサブマンウト２に押圧
する。接合部材３が完全に凝固すると、同図の(c)に示
すように、半導体レーザ素子１をコレット４から解放し
てコレット４を上昇させると、半導体レーザ素子をサブ
マウント２上に実装することができる。
【０００６】以上のようなサブマウントを用いた接続方
法により、半導体レーザ素子の高出力化が可能となった
が、更なる高出力化の要請に伴い、サブマウントの大型
化と、接合部材３による半導体レーザ素子１とサブマウ
ント２との間の接合面積の大型化が行われる傾向にあ
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、半導体
レーザ素子の高出力化に伴うサブマウント２の大型化及
び接合面積の大型化により以下のような問題が生じてき
た。
【０００８】物体は温度によってその体積が変化し、そ
の変化率（熱膨張係数）は物質によって異なる。そのた
め、異なる物質を加熱して接合する場合、接合部が完全
に凝固してから常温に戻るまでの間に温度差があるの
で、接合部分には熱膨張係数の差による剪断力が発生
し、この剪断力に起因して物体に残留応力が生じる。ま
た、この残留応力は物体の寸法、形状或いは材質によっ
て変化し、半導体レーザ素子１に生じる残留応力は以下
に説明する理由によりサブマウント２が大型化すること
により増大する。
【０００９】図７はサブマウント２の寸法の違いによっ
て残留応力に差異が生じることを示す概念図であり、同
図の(a-1)及び(a-2)はサブマウント２が小さい場合の概
観図及び応力発生状況の概念図、同図の(b-1)及び(b-2)
はサブマウント２が大きい場合の概観図及び応力発生状
況の概念図である。半導体レーザ素子１の熱膨張係数の
方が大きい場合、相対的に半導体レーザ素子１には接合
面積を小さくする方向に力が働き、サブマウント２には
接合面積を保持しようとする方向に力が働く。サブマウ
ント２が小さい場合、接合面積を保持しようとする力は
図７の(a-2)に示されるように接合面下のサブマウント
２が圧縮された時に生じる剪断力である。それに対し、
サブマウント２が大きい場合には接合面積を保持しよう
とする力は図７の(b-2)に示されるように接合面下のサ
ブマウント２が圧縮された時に生じる剪断力と、この剪
断力が生じるサブマウント２の周囲のサブマウント２が
引張られた時に生じる剪断力である。
【００１０】半導体レーザ素子１がサブマウント２と同
じ大きさの場合、サブマウント２が圧縮された時に生じ
る剪断力は同じなので、サブマウント２が大きい場合の
方が引張りによって生じる剪断力の分だけ接合面積を保
持しようとする力が強くなり、この剪断力はサブマウン
ト２が大きいほど強い。そのため、サブマウント２が大
きいほど半導体レーザ素子１に与える剪断力が強くな
る。その結果、半導体レーザ素子１に生じる残留応力は
サブマウント２が大型化することにより増大する。半導
体レーザ素子１の熱膨張係数の方が小さい場合も同様で
ある。
【００１１】また、伝熱特性をよくするために接合部材
３を介しての半導体レーザ素子１とサブマウント２との
間の接合面積を広くとると、以下に説明する理由により
半導体レーザ素子１の残留応力は増大する。即ち、異な
る物質が接合した状態で冷却されると、接合面での収縮
は中心部を基準に起こる。そのため、中心部から離れた
所ほど異なる物質間の収縮量の差は大きくなり、それに
伴って剪断力も大きくなる。接合面積が広くなると、中
心部から離れた場所が接合されることになるので、面積
比以上に剪断力が大きくなる。その結果、この剪断力に
より物体に生じる残留応力は増大する。
【００１２】さらに、接合部材３を介しての半導体レー
ザ素子１とサブマウント２との間の接合面積を十分に確
保し、且つ接合部材３の厚さを極力薄くして伝熱特性を
良くするために、コレット４によって半導体レーザ素子
１を押圧しているが、押圧によって半導体レーザ素子１
及びサブマウント２は応力が発生した状態で接合される
ので、コレット４の押圧を解放した後にも半導体レーザ
素子１には押圧による応力が残る。この時、接触面積が
大きくなると、接合部材３の流動抵抗が大きくなるの
で、押圧に要する力も増大する。そのため、押圧により
半導体レーザ素子１に残る応力は接触面積の大型化に伴
い増大する。
【００１３】また、半導体レーザ装置では加熱接合をし
ているので、半導体レーザ素子１の接合面近傍及びサブ
マウント２は高温となるが、通常はコレット４を加熱し
ていないので、半導体レーザ素子１のコレット４との接
触面近傍及びコレット４は低温のままである。そのた
め、実装時に半導体レーザ素子１内には１００°Ｃ以上
の温度差が発生し、高温部は熱膨張により膨張する。そ
の結果、半導体レーザ素子１には図８の(a)に示される
ように反りが発生する。その後、冷却プロセスにおいて
半導体レーザ装置を冷却すると、半導体レーザ素子１は
最終的に均一の温度に冷却されるので、図８の(b)に示
されるように反りのない元の平坦な形状に戻ろうとす
る。しかしながら、接合部材３は図８の(a)に示される
ように反った状態で凝固しているので、半導体レーザ素
子１が冷却により元の形状に戻ろうとするのを妨げ、残
留応力が接合部分近傍に発生する。
【００１４】また、半導体レーザ装置ではその放熱特性
をよくするために半導体レーザ素子１の発光領域の近傍
にサブマウント２が接合されている。そのため、発光領
域は半導体レーザ素子１の中でも残留応力が高い領域に
存在する。
【００１５】さらに、近年の半導体レーザ装置では半導
体レーザ素子１の高出力化だけでなく、装置の小型化及
び集積化も進んできている。そのため、従来の半導体レ
ーザ装置では半導体レーザ素子１の緩衝材及び放熱部材
としてのみ用いられてきたサブマウント２も、それ以外
の機能を持たせる必要が出てきた。その結果、サブマウ
ント２の材質が自由に選べなくなり、サブマウント２本
来の機能を充分に果せなくなってきている。
【００１６】一般に、半導体レーザ素子１は発光領域に
１００ＭＰａ以上の応力が加わった状態で電流注入する
と、結晶転位が起こり、レーザ特性の劣化或いは半導体
レーザ素子１の破損が起こるおそれがあり、この現象は
発光領域の一部でも１００ＭＰａ以上の応力が加わると
起こる。また、近年の半導体レーザ素子１の高出力化に
伴い、発光領域における残留応力は増大し、電流注入時
のレーザ特性の劣化或いは半導体レーザ素子１の破損が
懸念されるようになってきた。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】以上説明したように、
半導体レーザ素子１の残留応力は複数の異なる要因によ
って局所的に生じており、その応力の分布は半導体レー
ザ素子１、サブマウント２、コレット４の寸法や形状あ
るいはコレット４の押圧力等の種々な条件によって変化
するので、半導体レーザ素子１の巨視的な変形（反り）
と残留応力との間には相関関係がなく、要因の特定が非
常に困難であった。
【００１８】本発明は上記のような課題を解決するため
になされたものであり、半導体レーザ素子の温度上昇に
よる寿命低下を抑制しつつ、残留応力によるレーザ特性
の劣化や半導体レーザ素子の破損を抑制することができ
るようにした半導体レーザ装置の実装方法を提供するこ
とを課題とする。
【００１９】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明に係る半
導体レーザ装置の実装方法は、前記目的を達成するため
に、サブマウントを載置したテーブルによって前記サブ
マウント上の接合部材を加熱して溶融する一方、コレッ
トによって半導体レーザ素子を保持して前記サブマウン
ト上の搭載位置に押圧し、前記サブマウント上に前記半
導体レーザ素子を接合して実装するにあたり、前記テー
ブル及びコレットを前記接合部材の融点以上の温度まで
加熱し、前記サブマウント上に載せた接合部材を溶融す
る一方、前記半導体レーザ素子を前記加熱したコレット
によって保持して前記サブマウントに押圧し、その押圧
状態を維持したまま前記テーフル及びコレットの加熱を
終了させ、前記接合部材の全部が凝固した後、前記半導
体レーザ素子を前記コレットから解放するようにしたこ
とを特徴とする。
【００２０】半導体レーザ素子の反りを抑制する上で、
前記テーブル及びコレットの加熱時に前記コレットを前
記テーブルと同一温度まで加熱し、前記半導体レーザ素
子の冷却時に前記コレットに前記テーブルと同一の温度
プロファイルを与えるようにするのがよい。温度プロフ
ァイルの付与の方法は特に限定されず、例えばコレット
を加熱する発熱コイルの通電を制御することにより付与
することができる。
【００２１】また、半導体レーザ素子の接合面近傍を低
温、半導体レーザ素子のコレットとの接触面近傍を高温
とすると、温度差による半導体レーザ素子の反りは従来
とは逆に凸状となり、半導体レーザ素子とサブマウント
との間の熱膨張係数差及びコレットの押圧によって生じ
る反りは共に半導体レーザ素子の凹状の反りであり、相
互に打消し合い、半導体レーザ素子１の反りによって生
じる残留応力を減少させることができる。
【００２２】そこで、前記テーブル及びコレットの加熱
時に前記コレットを前記テーブルよりも高い温度に加熱
し、前記半導体レーザ素子の冷却時に前記接合部材が完
全に凝固するまで前記コレットを前記テーブルよりも高
い温度に維持するようにするのが好ましい。
【００２３】コレットによって保持する時に、半導体レ
ーザ素子を例えば室温のままとしてもよいが、予め加熱
しておくと、半導体レーザ素子の急激な温度変化を回避
してレーザ特性の劣化或いは半導体レーザ素子の破損を
抑制することができ、しかも実装時間を短縮することが
できる。
【００２４】そこで、前記コレットによって前記半導体
レーザ素子を保持する前に、前記半導体レーザ素子を前
記コレットと実質的に同一の温度まで加熱するようにす
るのがよい。
【００２５】また、本発明に係る半導体レーザ装置の実
装方法は、前記目的を達成するために、サブマウントを
載置したテーブルによって前記サブマウント上の接合部
材を加熱して溶融する一方、コレットによって半導体レ
ーザ素子を保持して前記サブマウント上の搭載位置に押
圧し、前記サブマウント上に前記半導体レーザ素子を接
合して実装するにあたり、前記接合部材の一部が凝固し
た時に前記半導体レーザ素子を前記コレットから解放す
るようにしたことを特徴とする。
【００２６】接合部材の一部のみが凝固した時に半導体
レーザ素子をコレットから解放する方法としては、具体
的には接合部材として融点の異なる複数の材質で構成し
てなる接合部材を用いるようにすれば、融点の高い材質
部分がまず凝固するので、そのときに半導体レーザ素子
を解放すればよい。
【００２７】また、コレットによる半導体レーザ素子の
押圧中に、強制空冷によって接合部材の一部を凝固させ
るようにしてもよい。
【００２８】また、本発明に係る半導体レーザ装置の実
装方法は、前記目的を達成するために、サブマウントを
載置したテーブルによって前記サブマウント上の接合部
材を加熱して溶融する一方、コレットによって半導体レ
ーザ素子を保持して前記サブマウント上の搭載位置に押
圧し、前記サブマウント上に前記半導体レーザ素子を接
合して実装するにあたり、前記コレットによって前記半
導体レーザ素子を保持する時にコレットの半導体レーザ
素子と接触する面部分の面積が前記半導体レーザ素子の
コレットと接触される面部分の面積よりも大きいコレッ
トを用い、前記半導体レーザ素子の接触される面部分を
前記コレットの接触する面部分に内包されるようにした
ことを特徴とする。
【００２９】また、本発明に係る半導体レーザ装置の実
装方法は、前記目的を達成するために、サブマウントを
載置したテーブルによって前記サブマウント上の接合部
材を加熱して溶融する一方、コレットによって半導体レ
ーザ素子を保持して前記サブマウント上の搭載位置に押
圧し、前記サブマウント上に前記半導体レーザ素子を接
合して実装するにあたり、前記コレットによって前記半
導体レーザ素子を保持する時に、コレットの半導体レー
ザ素子と接触する面部分のうち、前記半導体レーザ素子
との接触部分近傍が熱伝導率の低い材質からなるコレッ
トを用いるようにしたことを特徴とする。
【００３０】コレットの接触部分近傍の残質は周囲のそ
れに比して熱伝導率が低い材質であれば特に限定され
ず、どのような材質であってもよい。
【００３１】さらに、本発明に係る半導体レーザ装置の
実装方法は、前記目的を達成するために、サブマウント
を載置したテーブルによって前記サブマウント上の接合
部材を加熱して溶融する一方、コレットによって半導体
レーザ素子を保持して前記サブマウント上の搭載位置に
押圧し、前記サブマウント上に前記半導体レーザ素子を
接合して実装するにあたり、前記半導体レーザ素子の接
合面のうち、その長軸辺近傍を前記接合部材で接合し、
残部に低接合性の伝熱部材を介在させるようにしたこと
を特徴とする。
【００３２】伝熱部材は接合部材に比して接合性が低い
材料で、しかも熱伝達性のよいものであれば特に限定さ
れず、どのような材質であってもよい。
【００３３】さらにまた、本発明に係る半導体レーザ装
置の実装方法は、前記目的を達成するために、サブマウ
ントを載置したテーブルによって前記サブマウント上の
接合部材を加熱して溶融する一方、コレットによって半
導体レーザ素子を保持して前記サブマウント上の搭載位
置に押圧し、前記サブマウント上に前記半導体レーザ素
子を接合して実装するにあたり、共晶半田よりも融点の
低い材質の接合部材を用いるようにしたことを特徴とす
る。
【００３４】接合部材の材質は共晶半田よりも融点の低
い材質であれば特に限定されず、どのような材質であっ
てもよい。
【００３５】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施形態を説明する。
【００３６】（実施の形態１）図１は本発明の実施の形
態１による半導体レーザ装置の実装方法を模式的に示
す。半導体レーザ装置は、発光部を備えた半導体レーザ
素子１と、半導体レーザ素子１を搭載するサブマウント
２と、半導体レーザ素子１とサブマウント２を接合する
接合部材３とによって構成されている。
【００３７】本発明の実施の形態１による方法によって
半導体レーザ素子を実装する場合、加熱用のテーブル５
上にサブマウント２を設置し、サブマウント２上の接合
部材３が溶融する温度以上になるまでテーブル５によっ
てサブマウント２を加熱する。他方、コレット４で半導
体レーザ素子１を保持する前に、発熱コイル６によって
コレット４を加熱した後、コレット４の真空吸着等によ
って半導体レーザ素子１を保持し、サブマウント２の搭
載位置上へ移動する（図６の(a)参照）。
【００３８】接合部材３が溶融すると、半導体レーザ素
子１を保持したコレット４を降下させ、半導体レーザ素
子１をサブマウント２の接合部材３上に搭載し、そのま
ま冷却する。コレット４の加熱及び冷却についてはコレ
ット４を接合部材３の融点以上の温度まで加熱し、コレ
ット４の加熱をテーブル５の加熱と同時に終了させ、コ
レット４にテーブルと同一の温度プロファイルを持たせ
る。また、コレット４はテーブル５よりも高い温度に加
熱し、冷却時もコレット４をテーブル５よりも高い温度
に維持するようにしてもよい。
【００３９】また、この時、接合部材３を介しての半導
体レーザ素子１とサブマウント２との間の接合面積を十
分に確保し、且つ接合部材３の厚さを極力薄くして伝熱
特性をよくするために、コレット４によって押圧する
（図６の(b)参照）。接合部材３が完全に凝固すると、
コレット４の真空吸着による半導体レーザ素子１の保持
を解放してコレット４を上昇させると（図６の(c)参
照）、半導体レーザ装置が得られる。
【００４０】次に、本実施の形態１における実装方法に
よる効果について図１及び図８を参照しつつ説明する。
従来の実装方法では加熱接合を行っているが、コレット
４は加熱していないので、半導体レーザ素子１内には１
００°Ｃ以上の温度差が発生する。その結果、半導体レ
ーザ素子１は図８の(a)に示されるように凹状に反る。
その後、冷却プロセスにおいて半導体レーザ装置が冷却
されると、半導体レーザ素子１は図８の(b)に示される
ように反りのない平坦な形状に戻ろうとする。しかしな
がら、接合部材３は図８の(a)に示されるように凹状に
反った状態で凝固しているので、半導体レーザ素子１が
冷却により元の形状に戻ろうとするのを妨げ、残留応力
が接合部分近傍に発生する。
【００４１】また、接合部材３が完全に凝固してから常
温に戻るまでの間の温度差と熱膨張係数の差とに起因す
る残留応力も接合部分近傍に発生する。一般的には半導
体レーザ素子１の方がサブマウント２よりも熱膨張係数
が大きいので、半導体レーザ素子１は凹状に反ろうと
し、その動きを妨げるために残留応力が接合部分近傍に
発生する。
【００４２】さらに、半導体レーザ素子１からサブマウ
ント２への伝熱特性を良くするために、半導体レーザ素
子１をコレット４によって押圧することにより接合部材
３の接合面積を十分に確保し、且つ厚さを極力薄くして
いる。一般的にコレット４は半導体レーザ素子１の中央
を押圧しているので、半導体レーザ素子１は凹状に反
る。そのため、半導体レーザ素子１及びサブマウント２
は押圧によって応力が発生した状態で接合され、コレッ
ト４の押圧を解放した後にも半導体レーザ素子１には押
圧による応力が残る。
【００４３】上記三つの要因による半導体レーザ素子１
に起こる反りはすべて同一方向であるので、これらの要
因が重なると残留応力は打消し合うことなく倍加する。
また、これら残留応力は半導体レーザ素子１の高出力化
に伴うサブマウント２の大型化及び接触面積の大型化に
伴って増大する傾向にある。さらに、半導体レーザ素子
１は放熱特性を良くするためにその発光領域の近傍にサ
ブマウント２が接合されており、半導体レーザ素子１内
に発生する残留応力もサブマウント２との接合面付近に
集中している。そのため、発光領域における残留応力が
高くなる。
【００４４】一般に、半導体レーザ素子１は発光領域に
１００ＭＰａ以上の応力が加わった状態で電流注入する
と、結晶転位が起こり、レーザ特性の劣化或いは半導体
レーザ素子１の破損が起こるおそれがある。従来の半導
体レーザ素子１では残留応力が小さかったので、結晶転
位による半導体レーザ素子１の破壊は起きなかったが、
近年の高出力化に伴う残留応力の増加により、結晶転位
による半導体レーザ素子１の破壊が起こるようになって
きた。
【００４５】これに対し、本実施の形態では、半導体レ
ーザ素子１の残留応力を減少させるために、図１に示す
ようにコレット４によって半導体レーザ素子１を保持す
る前に発熱コイル６によってコレット４を接合部材３の
融点以上まで加熱し、且つ冷却時にテーブル５及びコレ
ット４の加熱を同時に終了させている。コレット４をテ
ーブル５と同じ温度まで加熱し、且つ冷却時にはコレッ
ト４とテーブル５とを同じ温度プロファイルでもって冷
却すると、実装時の半導体レーザ素子１内の温度差は小
さく、ほぼ均一な温度分布となり、半導体レーザ素子１
内の温度差による反りは発生しなくなる。そのため、残
留応力発生の原因の一つとなっている半導体レーザ素子
１内の温度差による残留応力は発生しなくなり、半導体
レーザ素子１の残留応力を減少させることができるの
で、レーザ特性の劣化或いは半導体レーザ素子の破損を
抑制することができる。
【００４６】また、コレット４はテーブル５よりも高い
温度に加熱し、冷却時もコレット４はテーブル５よりも
高い温度に維持すると、実装時の半導体レーザ素子１内
の温度分布は従来の方法による実装の場合とは逆に半導
体レーザ素子１の接合面近傍が低温となり、半導体レー
ザ素子１のコレット４との接触面近傍が高温となる。そ
の結果、半導体レーザ素子１内の温度差による反りは従
来とは逆に凸状となる。半導体レーザ素子１とサブマウ
ント２との間の熱膨張係数差及びコレット４の押圧によ
って生じる反りは共に半導体レーザ素子１の凹状の反り
であるので、半導体レーザ素子１内の温度差による反り
が他の二つの要因による反りを打消し合い、半導体レー
ザ素子１の反りによって生じる残留応力を減少させるこ
とができるので、レーザ特性の劣化或いは半導体レーザ
素子の破損を抑制することができる。なお、コレット４
の加熱温度の最適値は半導体レーザ素子１、サブマウン
ト２及び接合部材３の材質及び寸法により決定される。
【００４７】さらに、コレット４に真空吸着させる前
に、半導体レーザ素子１をコレット４と同じ温度まで加
熱することにより、真空吸着時及び実装時における半導
体レーザ素子１の急激な温度変化を回避することができ
る。そのため、半導体レーザ素子１の急激な温度変化に
よるレーザ特性の劣化或いは半導体レーザ素子の破損を
抑制することができ、しかも実装時間を短縮することが
できる。
【００４８】なお、上記実施の形態においてコレット４
の加熱に発熱コイル６を用いているが、それ以外の方法
でコレット４を加熱してもよい。
【００４９】（実施の形態２）図２は本発明の実施の形
態２を示す側面図である。半導体レーザ装置の構成につ
いては実施の形態１と、基本的な実装方法については従
来の実装方法の場合と同様である。本実施の形態２が実
施の形態１と異なるのは、実施の形態１では半導体レー
ザ素子１の残留応力を減少させるためにコレット４によ
って半導体レーザ素子１を保持する前に、コレット４を
接合部材３の融点以上まで加熱し、且つ冷却時にテーブ
ル５及びコレット４の加熱を同時に終了させているのに
対し、本実施の形態２では冷却時に、接合部材３の一部
が凝固した状態で半導体レーザ素子１をコレット４から
解放させる点である。
【００５０】次に、本実施の形態２における実装方法の
効果について図２を用いて説明する。半導体レーザ素子
１の残留応力は半導体レーザ素子１内の温度差、半導体
レーザ素子１とサブマウント２との間の熱膨張係数差、
コレット４による押圧の三つの要因により生じている
が、半導体レーザ素子１内の温度差及びコレット４の押
圧による残留応力はコレット４が半導体レーザ素子１に
接触している状態において接合部材３が凝固することに
より発生している。つまり、接合部材３が凝固する前に
コレット４を半導体レーザ素子１から解放すれば、上記
二つの要因による残留応力の発生を抑制することができ
る。しかしながら、接合部材３が凝固する前にコレット
４を半導体レーザ素子１から解放すると、半導体レーザ
素子１が所定の位置から動いてしまい所望の機能を有す
る半導体レーザ装置を製造することができなくなる。
【００５１】そこで、接合部材３の一部が凝固した状態
でコレット４を半導体レーザ素子１から解放するように
すると、接合部材３の一部が凝固しているためコレット
４の解放時に半導体レーザ素子１が所定の位置から動く
ことがなく、しかも接合部材３の大部分が溶融した状態
でコレット４を半導体レーザ素子１から解放するので、
図２の(a)に示されるようにコレット４の押圧によって
半導体レーザ素子１が反っている状態においてコレット
４を半導体レーザ素子１から解放することにより、図２
の(b)に示されるように半導体レーザ素子１の反りがな
くなって元の平坦な状態に戻り、半導体レーザ素子１の
反りのない状態で接合部材３が完全に凝固する。そのた
め、上記二つの要因による残留応力は発生しなくなり、
半導体レーザ素子１の残留応力を減少させることができ
るので、レーザ特性の劣化或いは半導体レーザ素子の破
損を抑制することが出来る。
【００５２】本実施の形態２において接合部材３の一部
を凝固させる方法として、図２に示されるように融点の
異なる２種類の材質３１、３２を組合せた接合部材３を
用いる方法がある。融点の異なる材質３１、３２を用い
ることにより、半導体レーザ装置の冷却時に接合部材３
のうち、先ず融点の高い材質部分３１が凝固し、さらに
冷却が進むと今度は融点の低い材質部分３２が凝固す
る。このため、融点の高い材質部分３１と低い材質部分
３２との間には凝固に時間差が生じるので、接合部材３
の一部が凝固した状態でコレット４を半導体レーザ素子
１から解放することができる。
【００５３】前記接合部材３の融点の高い材質部分３１
は半導体レーザ素子１及びサブマウント２と接していな
い接合部材３の外周部の一部に用いるのが効果的であ
る。その理由を以下に説明する。一般的に、固体及びそ
の集合体が外部の流体に放熱する場合、熱は固体及びそ
の集合体の外部表面より放出されるため、中心部が最も
温度が高く外部表面に近づくに従い温度は低くなってい
く。つまり、接合部材３においては半導体レーザ素子１
及びサブマウント２と接していない接合部材３の外周部
が最も温度が低い個所となる。温度の低い個所に融点の
高い材質部分３１を配置することにより、融点の高い材
質部分３１のみを先に凝固させ、且つ融点の高い材質部
分３１が凝固してから融点の低い材質部分３２が凝固す
るまでの時間を長くとれるので、本実施の形態２におけ
る工程を行いやすくすることができる。
【００５４】また、本実施の形態２において接合部材３
の一部を凝固させる別の方法として、コレット４による
押圧時に強制空冷によって接合部材３の一部を凝固させ
る方法がある。半導体レーザ装置の冷却時に冷却ファン
等を用いた強制空冷を行うことにより、半導体レーザ装
置の外表面近傍の温度が内部に比して著しく降下し、接
合部材３の一部を凝固させることができる。そのため、
接合部材３の一部が凝固した状態でコレット４を半導体
レーザ素子１から解放することができる。
【００５５】なお、上記実施の形態２において接合部材
３を融点の異なる２種類の材質で構成しているが、融点
の異なる２種類以上の材質で構成していてもよい。
【００５６】（実施の形態３）図３は本発明の実施の形
態３を示す側面図である。半導体レーザ装置の構成につ
いては実施の形態１と、基本的な実装方法については従
来の実装方法と同様である。本実施の形態が上記実施の
形態１、２と異なるのは、コレット４の半導体レーザ素
子１と接触する面部分の面積を半導体レーザ素子１のコ
レット４と接触される面部分の面積よりも大きくし、コ
レット４が半導体レーザ素子１を真空吸着した時に半導
体レーザ素子１の接触面がコレット４の接触する面部分
に内包されるようにした点にある。
【００５７】次に、本実施の形態３における実装方法の
効果について図３を用いて説明する。半導体レーザ素子
１に残留応力は発生する要因の一つに、コレット４によ
る押圧がある。一般的にコレット４は半導体レーザ素子
１の中央を押圧しているので、半導体レーザ素子１は凹
状に反る。そのため、半導体レーザ素子１及びサブマウ
ント２はコレット４の押圧によって応力が発生した状態
で接合され、コレット４の押圧を解放した後にも半導体
レーザ素子１には押圧による応力が残る。
【００５８】コレット４の半導体レーザ素子１と接触さ
せるべき面部分の面積が小さい場合、図３の(a)に示さ
れるように押圧時に半導体レーザ素子１に加わる圧力が
高くなり、しかもコレット４の接触する面部分の大きさ
が小さいので、半導体レーザ素子１が反るのを押さえ込
む働きが弱い。そのため、半導体レーザ素子１の反りは
大きくなり、残留応力は増大する。
【００５９】これに対し、コレット４の半導体レーザ素
子１と接触する面部分の面積が大きくなると、コレット
４によって同じ荷重をかけても、半導体レーザ素子１に
加わる単位面積あたりの圧力は低くなり、しかもコレッ
ト４の接触する面部分が大きいので、半導体レーザ素子
１が反るのを押さえ込む働きが強くなる。その結果、半
導体レーザ素子１の反りは小さくなり、残留応力は減少
する。この傾向はコレット４の接触する面部分が大きく
なるに従い強くなり、半導体レーザ素子１のコレット４
と接触面がコレット４の半導体レーザ素子１と接触する
面部分の面積と等しくなったとき最大となる。上記理由
により、半導体レーザ素子１の残留応力を減少させるこ
とができるので、レーザ特性の劣化或いは半導体レーザ
素子の破損を抑制することができる。
【００６０】また、本実施の形態３において、コレット
４が図３の(b)に示されるように半導体レーザ素子１を
真空吸着した時に半導体レーザ素子１の接触される面部
分がコレット４の接触する面部分に内包されているとし
たのは次の理由による。即ち、コレット４と半導体レー
ザ素子１との間の接触位置は実装装置の精度にもよるが
常に同じではなく、実装毎にズレが生じるので、ズレが
生じた際にも半導体レーザ素子１の接触面の全てがコレ
ット４の半導体レーザ素子１との接触面に接するように
するためである。
【００６１】（実施の形態４）図４は本発明の実施の形
態４を示す側面図及びその高さ方向における温度分布を
示す図である。半導体レーザ装置の構成は実施の形態１
と、基本的な実装方法は従来の実装方法と同様である。
本実施の形態４が上記実施の形態１、２、３と異なるの
は、コレット４の半導体レーザ素子１との接触部分近傍
に熱伝導率の低い材質を使用している点である。
【００６２】次に、本実施の形態における実装方法の効
果について図４を用いて説明する。半導体レーザ素子１
に残留応力が発生する要因の一つに、半導体レーザ素子
１内における温度差がある。半導体レーザ素子１内の温
度差によって残留応力が発生する原因は、半導体レーザ
装置の実装時に加熱されて高温となった半導体レーザ素
子１内の熱が温度の低いコレット４に移動するために、
図４の特性(a)に示されるように半導体レーザ素子１内
に温度差が生じ、反りが発生することである。つまり、
半導体レーザ素子１内の熱がコレット４に向けて移動す
るのを防ぐことで、図４の特性(b)に示されるように半
導体レーザ素子１内の温度はほぼ均一となり、半導体レ
ーザ素子１の残留応力を減少させることができる。
【００６３】そのため、実施の形態１ではコレット４を
加熱することにより、半導体レーザ素子１内の熱がコレ
ット４に移動するのを防ぎ、半導体レーザ素子１内の温
度を均一に保っている。これに対し、本実施の形態４で
はコレット４が半導体レーザ素子１との接触部分近傍に
低熱伝導率の材質を使用することにより、半導体レーザ
素子１内の熱がコレット４に移動するのを防ぎ、半導体
レーザ素子１内の温度を均一に保っている。上記理由に
より、半導体レーザ素子１の残留応力を減少させること
ができるので、レーザ特性の劣化、或いは半導体レーザ
素子の破損を抑制することができる。
【００６４】（実施の形態５）図５は本発明の実施の形
態５を示す斜視図である。半導体レーザ装置の構成は実
施の形態１と、基本的な実装方法は従来の実装方法と同
様である。本実施の形態５が上記他の実施の形態と異な
るのは、半導体レーザ素子１の接合面においてその長軸
辺近傍にのみ接合部材３を使用し、残部、即ち左右の接
合部材３の間には低接合性の伝熱部材７を介在させてい
る点である。
【００６５】次に、本実施の形態５における実装方法の
効果について図５を用いて説明する。一般に、半導体レ
ーザ素子１は放熱特性をよくするために、半導体レーザ
素子１の発光領域をサブマウント２との接合面近傍の中
央長軸方向に配置している。また、残留応力は半導体レ
ーザ素子１内の温度差、半導体レーザ素子１とサブマウ
ント２との熱膨張係数差、コレット４による押圧の三つ
の要因により生じているが、上記三要因とも残留応力は
接合部材３が凝固することにより生じるので、半導体レ
ーザ素子１に発生する残留応力はサブマウント２との接
合部を中心に発生する。つまり、半導体レーザ素子１の
発光領域は半導体レーザ素子１の中でも残留応力の高い
位置に配置されている。
【００６６】一般に、半導体レーザ素子１は発光領域に
１００ＭＰａ以上の応力が加わった状態で電流注入する
と、結晶転位が起こり、レーザ特性の劣化或いは半導体
レーザ素子１の破損が起こるおそれがある。従って、残
留応力による半導体レーザ素子１の破損を防ぐために
は、サブマウント２との接合部分を発光領域から離す方
法が有効であるが、発光領域を接合部から離すと放熱能
力が低下し、今度は熱による破損を起こすようになる。
【００６７】半導体レーザ素子１とサブマウント２の間
に介在させる接合部材３を放熱能力の観点から見ると、
接合面は発光領域の近傍に配置し且つ接合面積を可能な
限り広く取る必要があるが、結合強さの観点から見ると
半導体レーザ素子１をサブマウント２に取り付ける能力
があればよいので、必ずしも半導体レーザ素子１とサブ
マウント２とが接触する領域の全てに接合力の強い接合
部材３を使用する必要はない。
【００６８】そこで、放熱能力を損なうことなく発光領
域の残留応力を低減する方法として、図５に示されるよ
うにサブマウント２との接合面のうち、発光領域から最
も離れた接合面の長軸辺近傍を本来の接合部とし、その
部分にのみ接合部材３を用いる一方、接合面において接
合部材３が使用されていない部位には低接合性の伝熱部
材７を介在させる方法がある。半導体レーザ素子１をサ
ブマウント２に取付ける接合力を必要最低限の接合部材
３によって確保し、残留応力の発生個所となる接合部を
接合面内で発光領域から最も離れた接合面の長軸辺近傍
に配置することにより、発光領域での残留応力を低減す
ることができる。
【００６９】また、接合面の長軸辺近傍に接合部材３を
用いただけでは放熱能力が不足するので、接合面におい
て接合部材３以外の部位には伝熱部材７を介在させるこ
とにより、必要な放熱能力を得ることができる。
【００７０】上記の理由により、半導体レーザ素子１の
放熱能力を損なうことなく発光領域の残留応力を低減さ
せることができるので、レーザ特性の劣化、或いは半導
体レーザ素子の破損を抑制することが出来る。
【００７１】なお、上記実施の形態に於いて接合部材３
は接合面の長軸辺全体に配置されていたが、長軸辺の一
部に配置されていてもよい。
【００７２】（実施の形態６）次に、本発明の実施の形
態６について説明する。半導体レーザ装置の構成は実施
の形態１と、基本的な実装方法は従来の実装方法と同様
である。本実施の形態６が上記他の実施の形態と異なる
のは、接合部材３に共晶半田よりも融点の低い材質を使
用している点である。
【００７３】次に、本実施の形態６における実装方法の
効果について説明する。半導体レーザ素子１に発生する
残留応力は半導体レーザ素子１内における温度差、半導
体レーザ素子１とサブマウント２との間の熱膨張係数の
差、コレット４による押圧の三つの要因により生じてい
るが、上記三要因のうち、半導体レーザ素子１内の温度
差、半導体レーザ素子１とサブマウント２との熱膨張係
数差の二つの要因については残留応力の大きさは接合部
材３が凝固してから常温に戻るまでの温度差によって左
右される。以下に、その理由を説明する。
【００７４】半導体レーザ素子１内の温度差による残留
応力は以下のメカニズムにより生じる。実装時の加熱に
より半導体レーザ素子１の接合面近傍及びサブマウント
２は高温となるが、コレット４は加熱しないために半導
体レーザ素子１のコレット４との接触面近傍及びコレッ
ト４は低温となるため、実装時に半導体レーザ素子１内
には温度差が発生し、半導体レーザ素子１は凹状に反
る。この状態で接合部材３が凝固し常温まで冷却される
と、半導体レーザ素子１は反りのない元の平坦な形状に
戻ろうとする力が働き、その力が残留応力となって残
る。そのため、接合部が凝固する温度が低くなると、接
合時の半導体レーザ素子１の反りは小さくなり、残留応
力も低くなる。
【００７５】また、半導体レーザ素子１とサブマウント
２との間の熱膨張係数の差による残留応力は以下のメカ
ニズムにより生じる。接合部材３が完全に凝固してから
常温に戻るまでの温度差と熱膨張の係数の差による残留
応力が接合部分近傍に発生する。一般的には半導体レー
ザ素子１の熱膨張係数の方がサブマウント２のそれより
も大きいので、半導体レーザ素子１は凹状に反ろうと
し、その動きを妨げるために残留応力が接合部分近傍に
発生する。そのため、接合部材３が凝固する温度が低く
なると、接合時の半導体レーザ素子１の反りは小さくな
り、残留応力も低くなる。
【００７６】一般的に、半導体レーザ装置の接合部材３
には共晶半田が用いられている。そのため、接合部材３
に共晶半田よりも融点の低い材質を使用することによ
り、半導体レーザ素子１の残留応力を減少させることが
できるので、レーザ特性の劣化或いは半導体レーザ素子
の破損を抑制することができる。
【００７７】なお、上記実施の形態において示した各部
の具体的な形状及び構造は、本発明を実施するに当たっ
ての具体化の一例を示したに過ぎず、これらによって本
発明の技術的範囲が限定的に解釈されることがあっては
ならないものである。
【００７８】
【発明の効果】本発明は、以上説明したような形態で実
施され、以下に記載されるような効果を奏する。加熱用
のテーブル上にサブマウントを設置し、テーブルおよび
コレットを接合部材の融点以上まで加熱し、半導体レー
ザ素子をコレットに真空吸着し、コレットにより保持さ
れている半導体レーザ素子をサブマウントの搭載位置へ
移動してコレットにより半導体レーザ素子をサブマウン
トに押圧し、コレットによる押圧を保持したままテーブ
ルおよびコレットの加熱を終了して半導体レーザ装置を
冷却させ、接合部材が完全に凝固してから半導体レーザ
素子をコレットから解放することにより、半導体レーザ
素子内の温度差による残留応力を減少させることができ
るので、レーザ特性の劣化、或いは半導体レーザ素子の
破損を抑制することができる。
【００７９】また、上記一連の実装方法において、コレ
ットをテーブルと同じ温度まで加熱し、且つ半導体レー
ザ素子の冷却時に、コレットにテーブルと同じ温度プロ
ファイルを持たせることにより、半導体レーザ素子内の
温度差による残留応力は発生しなくなるので、レーザ特
性の劣化或いは半導体レーザ素子の破損を抑制すること
ができる。
【００８０】また、上記一連の実装方法において、コレ
ットをテーブルよりも高い温度に加熱し、且つ半導体レ
ーザ素子の冷却時に、接合部材が完全に凝固するまでコ
レットをテーブルよりも高い温度に維持することによ
り、半導体レーザ素子内の温度差による残留応力と半導
体レーザ素子とサブマウントとの熱膨張係数差による残
留応力が互いに打消し合うので、レーザ特性の劣化、或
いは半導体レーザ素子の破損を抑制することができる。
【００８１】また、上記一連の実装方法において、半導
体レーザ素子がコレットに真空吸着される前に半導体レ
ーザ素子をコレットと同じ温度まで加熱することによ
り、急激な温度変化によるレーザ特性の劣化、或いは半
導体レーザ素子の破損を抑制し、且つ実装時間を短縮す
ることができる。
【００８２】また、加熱用のテーブル上にサブマウント
を設置し、テーブルを接合部材の融点以上まで加熱し、
半導体レーザ素子をコレットに真空吸着し、コレットに
より保持されている半導体レーザ素子をサブマウントの
搭載位置へ移動してコレットにより半導体レーザ素子を
サブマウントに押圧し、コレットによる押圧を保持した
ままテーブルの加熱を終了して半導体レーザ装置を冷却
させ、接合部材の一部が凝固した時に半導体レーザ素子
をコレットから解放することにより、半導体レーザ素子
内の温度差による残留応力及びコレットの押圧による残
留応力を減少させることができるので、レーザ特性の劣
化、或いは半導体レーザ素子の破損を抑制することがで
きる。
【００８３】また、上記一連の実装方法において、接合
部材は融点の異なる複数の材質で構成することにより、
接合部材の一部が凝固した状態で半導体レーザ素子をコ
レットから解放させることができるので、残留応力を減
少させ、レーザ特性の劣化、或いは半導体レーザ素子の
破損を抑制することができる。
【００８４】また、上記一連の実装方法において、コレ
ットによる押圧時に強制空冷により接合部材の一部を凝
固させることにより、接合部材の一部が凝固した状態で
半導体レーザ素子をコレットから解放させることができ
るので、残留応力を減少させ、レーザ特性の劣化或いは
半導体レーザ素子の破損を抑制することができる。
【００８５】また、コレットの半導体レーザ素子と接触
する面部分を、半導体レーザ素子の接触される面部分よ
りも広くし、コレットによって半導体レーザ素子が保持
された時に半導体レーザ素子の接触面がコレットの接触
する面部分に内包されるようにすることにより、コレッ
トの押圧による残留応力を減少させることができるの
で、レーザ特性の劣化或いは半導体レーザ素子の破損を
抑制できる。
【００８６】また、半導体レーザ素子との接触する面部
分近傍に低熱伝導率な材質を有するコレットを使用する
ことにより、半導体レーザ素子内の温度差による残留応
力を減少させることができるので、レーザ特性の劣化、
或いは半導体レーザ素子の破損を抑制することができ
る。
【００８７】また、半導体レーザ素子の接合面の長軸辺
近傍にのみ接合部材を使用し、在府には低接合性の伝熱
部材を介在させることにより、半導体レーザ素子の放熱
能力を損なうことなく発光領域の残留応力を低減させる
ことができるので、レーザ特性の劣化、或いは半導体レ
ーザ素子の破損を抑制することができる。
【００８８】また、共晶半田よりも融点の低い材質の接
合部材を使用することにより、半導体レーザ素子内の温
度差による残留応力と半導体レーザ素子とサブマウント
との熱膨張係数差による残留応力を低減させることがで
きるので、レーザ特性の劣化、或いは半導体レーザ素子
の破損を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施の形態１における半導体レーザ
装置の実装方法を示す側面図。
【図２】 本発明の実施の形態２における半導体レーザ
装置の実装方法を示す側面図。
【図３】 本発明の実施の形態３における半導体レーザ
装置の実装方法を示す側面図。
【図４】 本発明の実施の形態４における半導体レーザ
装置の実装方法を示す側面図。
【図５】 本発明の実施の形態５における半導体レーザ
装置の実装方法を示す斜視図。
【図６】 半導体レーザ装置の実装工程を示す側面図。
【図７】 サブマウント寸法の違いにより残留応力に差
異が生じる理由を説明するための概念図。
【図８】 コレットにより残留応力が発生する理由を説
明するための概念図。
【符号の説明】
１ 半導体レーザ素子 ２ サブマウント ３ 接合部材 ３１ 接合部材（高融点） ３２ 接合部材（低融点） ４ コレット ５ テーブル ６ 発熱コイル ７ 伝熱部材
フロントページの続き (72)発明者 中尾 克 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 岩田 進裕 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 高森 晃 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 足立 秀人 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 田村 雅敏 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5F047 AA19 BA02 BB03 CA08 FA08 FA51 5F073 EA28 FA22 FA24

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 サブマウントを載置したテーブルによっ
    て前記サブマウント上の接合部材を加熱して溶融する一
    方、コレットによって半導体レーザ素子を保持して前記
    サブマウント上の搭載位置に押圧し、前記サブマウント
    上に前記半導体レーザ素子を接合して実装するにあた
    り、 前記テーブル及びコレットを前記接合部材の融点以上の
    温度まで加熱し、前記サブマウント上に載せた接合部材
    を溶融する一方、前記半導体レーザ素子を前記加熱した
    コレットによって保持して前記サブマウントに押圧し、
    その押圧状態を維持したまま前記テーフル及びコレット
    の加熱を終了させ、前記接合部材の全部が凝固した後、
    前記半導体レーザ素子を前記コレットから解放するよう
    にしたことを特徴とする半導体レーザ装置の実装方法。
  2. 【請求項２】 前記テーブル及びコレットの加熱時に前
    記コレットを前記テーブルと同一温度まで加熱し、前記
    半導体レーザ素子の冷却時に前記コレットに前記テーブ
    ルと同一の温度プロファイルを与えるようにした請求項
    １記載の半導体レーザ装置の実装方法。
  3. 【請求項３】 前記テーブル及びコレットの加熱時に前
    記コレットを前記テーブルよりも高い温度に加熱し、前
    記半導体レーザ素子の冷却時に前記接合部材が完全に凝
    固するまで前記コレットを前記テーブルよりも高い温度
    に維持するようにした請求項１記載の半導体レーザ装置
    の実装方法。
  4. 【請求項４】 前記コレットによって前記半導体レーザ
    素子を保持する前に、前記半導体レーザ素子を前記コレ
    ットと実質的に同一の温度まで加熱するようにした請求
    項１記載の半導体レーザ装置の実装方法。
  5. 【請求項５】 サブマウントを載置したテーブルによっ
    て前記サブマウント上の接合部材を加熱して溶融する一
    方、コレットによって半導体レーザ素子を保持して前記
    サブマウント上の搭載位置に押圧し、前記サブマウント
    上に前記半導体レーザ素子を接合して実装するにあた
    り、 前記接合部材の一部が凝固した時に前記半導体レーザ素
    子を前記コレットから解放するようにしたことを特徴と
    する半導体レーザ装置の実装方法。
  6. 【請求項６】 前記接合部材として融点の異なる複数の
    材質で構成してなる接合部材を用いるようにした請求項
    ５記載の半導体レーザ装置の実装方法。
  7. 【請求項７】 前記コレットによる前記半導体レーザ素
    子の押圧中に、強制空冷によって前記接合部材の一部を
    凝固させるようにした請求項５記載の半導体レーザ装置
    の実装方法。
  8. 【請求項８】 サブマウントを載置したテーブルによっ
    て前記サブマウント上の接合部材を加熱して溶融する一
    方、コレットによって半導体レーザ素子を保持して前記
    サブマウント上の搭載位置に押圧し、前記サブマウント
    上に前記半導体レーザ素子を接合して実装するにあた
    り、 前記コレットによって前記半導体レーザ素子を保持する
    時にコレットの半導体レーザ素子と接触する面部分の面
    積が前記半導体レーザ素子のコレットと接触される面部
    分の面積よりも大きいコレットを用い、前記半導体レー
    ザ素子の接触される面部分を前記コレットの接触する面
    部分に内包されるようにしたことを特徴とする半導体レ
    ーザ装置の実装方法。
  9. 【請求項９】 サブマウントを載置したテーブルによっ
    て前記サブマウント上の接合部材を加熱して溶融する一
    方、コレットによって半導体レーザ素子を保持して前記
    サブマウント上の搭載位置に押圧し、前記サブマウント
    上に前記半導体レーザ素子を接合して実装するにあた
    り、 前記コレットによって前記半導体レーザ素子を保持する
    時に、コレットの半導体レーザ素子と接触する面部分の
    うち、前記半導体レーザ素子との接触部分近傍が熱伝導
    率の低い材質からなるコレットを用いるようにしたこと
    を特徴とする半導体レーザ装置の実装方法。
  10. 【請求項１０】 サブマウントを載置したテーブルによ
    って前記サブマウント上の接合部材を加熱して溶融する
    一方、コレットによって半導体レーザ素子を保持して前
    記サブマウント上の搭載位置に押圧し、前記サブマウン
    ト上に前記半導体レーザ素子を接合して実装するにあた
    り、 前記半導体レーザ素子の接合面のうち、その長軸辺近傍
    を前記接合部材で接合し、残部に低接合性の伝熱部材を
    介在させるようにしたことを特徴とする半導体レーザ装
    置の実装方法。
  11. 【請求項１１】 サブマウントを載置したテーブルによ
    って前記サブマウント上の接合部材を加熱して溶融する
    一方、コレットによって半導体レーザ素子を保持して前
    記サブマウント上の搭載位置に押圧し、前記サブマウン
    ト上に前記半導体レーザ素子を接合して実装するにあた
    り、 共晶半田よりも融点の低い材質の接合部材を用いるよう
    にしたことを特徴とする半導体レーザ装置の実装方法。
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