JP2003157983A - 発光装置およびその作製方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 発光装置の駆動方法として交流駆動を用いる
と共に、極性の異なる電圧が交互に印加された場合のい
ずれにおいても常に発光が得られる発光素子およびその
作製方法を提供する。 【解決手段】 陽極、有機化合物層、および陰極からな
る第１の発光素子１０７、および第２の発光素子１０８
が形成され、これらの発光素子は、同一の有機化合物層
１０４を挟んで形成され、第１の発光素子の陽極１０２
と第２の発光素子の陽極１０６、および第１の発光素子
の陰極１０５と第２の発光素子の陰極１０３は、有機化
合物層１０４を挟んでそれぞれ反対側に形成されてい
る。なお、交流駆動により逆極性の電圧が交互に印加さ
れるため、第１の発光素子１０７と第２の発光素子１０
８のいずれか一方を常に発光させることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、一対の電極間に有
機化合物を含む膜（以下、「有機化合物層」と記す）を
設けた素子に電界を加えることで、蛍光又は燐光が得ら
れる発光素子を用いた発光装置及びその作製方法に関す
る。なお、本明細書中における発光装置とは、画像表示
デバイス、発光デバイス、もしくは光源を指す。また、
発光素子にコネクター、例えばFPC（Flexible printed
circuit）もしくはTAB（Tape Automated Bonding）テー
プもしくはTCP（Tape Carrier Package）が取り付けら
れたモジュール、TABテープやTCPの先にプリント配線板
が設けられたモジュール、または発光素子にCOG（Chip
On Glass）方式によりIC（集積回路）が直接実装された
モジュールも全て発光装置に含むものとする。

【０００２】

【従来の技術】本発明でいう発光素子とは、電界を加え
ることにより発光する素子である。その発光機構は、電
極間に有機化合物層を挟んで電圧を印加することによ
り、陰極から注入された電子および陽極から注入された
正孔が有機化合物層中で再結合して、励起状態の分子
（以下、「分子励起子」と記す）を形成し、その分子励
起子が基底状態に戻る際にエネルギーを放出して発光す
ると言われている。

【０００３】このような発光素子において、通常、有機
化合物層は1μmを下回るほどの薄膜で形成される。ま
た、発光素子は、有機化合物層そのものが光を放出する
自発光型の素子であるため、従来の液晶ディスプレイに
用いられているようなバックライトも必要ない。したが
って、発光素子は極めて薄型軽量に作製できることが大
きな利点である。

【０００４】また、例えば１００〜２００ｎｍ程度の有
機化合物層において、キャリアを注入してから再結合に
至るまでの時間は、有機化合物層のキャリア移動度を考
えると数十ナノ秒程度であり、キャリアの再結合から発
光までの過程を含めてもマイクロ秒以内のオーダーで発
光に至る。したがって、非常に応答速度が速いことも特
長の一つである。

【０００５】なお、発光素子はキャリア注入型の素子で
あるため、直流電圧での駆動（直流駆動）が可能であ
り、ノイズが生じにくい。駆動電圧に関しては、まず有
機化合物層の厚みを100nm程度の均一な超薄膜とし、ま
た、有機化合物層に対するキャリア注入障壁を小さくす
るような電極材料を選択し、さらにはヘテロ構造（積層
構造）を導入することによって、5.5Vで100cd/m²の十分
な輝度が達成されたという報告がある（文献１：C. W.
Tang and S. A. VanSlyke, "Organic electroluminesce
nt diodes", Applied Physics Letters, vol. 51, No.1
2, 913-915 （1987））。

【０００６】こういった薄型軽量・高速応答性・直流低
電圧駆動などの特性から、発光素子は次世代のフラット
パネルディスプレイ素子として注目されている。また、
自発光型であり視野角が広いことから、視認性も比較的
良好であり、電気器具の表示画面に用いる素子として有
効と考えられている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかし、このような発
光素子において、有機化合物層に常に一定方向のバイア
スが印加される直流駆動を用いる場合には、有機化合物
層にチャージが蓄積されるため、輝度が低下するといっ
た問題が生じる。

【０００８】これに関して、陽極と正孔輸送層との間に
正孔注入層を挿入し、さらに直流駆動ではなく矩形波の
交流駆動にすることによって、輝度の低下を抑えること
ができるという報告がある（（文献１：S. A. VanSlyk
e, C. H. Chen, and C. W. Tang, "Organic electrolum
inescent devices with improved stability", Appl.Ph
ys.Lett.,69,(15)2160-2162(1996)）。

【０００９】これは、正孔注入層を挿入することによる
エネルギー障壁の緩和と、交流駆動によって有機化合物
層に極性の異なる電圧が交互に印加されるため、有機化
合物層の内部におけるチャージの蓄積が緩和されるため
に、輝度の低下を抑えることができるという実験的な裏
付けであり、発光素子の素子寿命を向上させるために
は、交流駆動が適していることを示唆するものである。

【００１０】しかし、交流駆動による発光素子を形成す
る場合において、発光素子は通常、陽極、有機化合物
層、および陰極からなる積層構造を有しているため陽極
側から正の電圧（順バイアス）が印加され、陰極側に負
の電圧（逆バイアス）が印加されたときにのみ電流が流
れ、発光が得られる。つまり、交流駆動を用いた場合に
は、逆バイアスが印加されたときには、発光素子は発光
しないことになる。

【００１１】このように実効的な発光時間が短くなると
表示が暗くなるため、所定の輝度を維持しようと高い電
圧を印加すると、発光素子の劣化が進むという問題が生
じる。

【００１２】そこで本発明では、発光装置の駆動方法と
して交流駆動を用いると共に、極性の異なる電圧が交互
に印加された場合のいずれにおいても常に発光が得られ
る発光素子およびその作製方法を提供することを目的と
する。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明では、陽極、有機
化合物層、および陰極からなる第１の発光素子、および
第２の発光素子が形成され、これらの発光素子は、同一
の有機化合物層を挟んで、陽極、および陰極が形成さ
れ、第１の発光素子の陽極と第２の発光素子の陽極、お
よび第１の発光素子の陰極と第２の発光素子の陰極は、
有機化合物層を挟んでそれぞれ反対側に形成され、第１
の発光素子および第２の発光素子のいずれか一方によ
り、一つの階調表示を行うことを特徴とする。

【００１４】なお、本発明の発光装置は、交流駆動によ
り発光素子を発光させるものであり、第１の発光素子と
第２の発光素子に逆極性の電圧が交互に印加される。そ
して、正の極性の電圧（順バイアス）が印加された一方
の発光素子が発光し、負の極性の電圧（逆バイアス）が
印加された他方の発光素子は発光しない。つまり、２つ
の発光素子が印加される電圧の極性によって交互に発光
するため、発光素子を常に発光させることができる。

【００１５】本発明における発光装置は、交流駆動によ
り有機化合物層におけるチャージの蓄積を緩和すること
ができるために、輝度の低下を抑え、素子寿命を向上さ
せることができる。さらに、本発明における発光装置
は、交流駆動の場合においても常に画素の発光素子を発
光させることができるので、直流駆動における素子劣化
を防ぐことができる一方で、直流駆動の場合と同様な階
調表示が可能となる。

【００１６】本発明において開示する発明の構成は、第
１の発光素子と、第２の発光素子を有する発光装置であ
って、前記第１の発光素子は、第１の画素電極と、有機
化合物層と、第１の対向電極と、を有し、前記第２の発
光素子は、第２の画素電極と、前記有機化合物層と、第
２の対向電極と、を有し前記第１の画素電極および前記
第２の対向電極は、陽極または陰極のいずれか一方であ
り、前記第２の画素電極および前記第１の対向電極は、
陽極または陰極のいずれか他方であることを特徴とする
発光装置である。

【００１７】また、他の発明の構成は、絶縁表面上に形
成された第１のＴＦＴおよび第２のＴＦＴと、前記第１
のＴＦＴおよび前記第２のＴＦＴ上に形成された層間絶
縁膜と、前記層間絶縁膜上に形成された第１の画素電極
および第２の画素電極と、前記第１の画素電極と前記第
１のＴＦＴとの接続部、および第２の画素電極と前記第
２のＴＦＴとの接続部を覆って形成された絶縁膜と、前
記第１の画素電極および前記第２の画素電極上に形成さ
れた有機化合物層と、前記有機化合物層上に形成された
第１の対向電極、および第２の対向電極と、を有する発
光装置であって、前記第１の画素電極、および前記第２
の対向電極は、陽極または陰極のいずれか一方であり、
前記第２の画素電極、および前記第１の対向電極は、陽
極または陰極のいずれか他方であることを特徴とする発
光装置である。

【００１８】なお、上記各構成において、絶縁表面上に
形成された第１のＴＦＴおよび第２のＴＦＴと、前記第
１のＴＦＴおよび前記第２のＴＦＴ上に形成された層間
絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に形成された第１の画素電
極および第２の画素電極と、前記第１の画素電極と前記
第１のＴＦＴとの接続部、および第２の画素電極と前記
第２のＴＦＴとの接続部を覆って形成された絶縁膜と、
前記第１の画素電極および前記第２の画素電極上に形成
された有機化合物層と、前記有機化合物層上に形成され
た第１の対向電極、および第２の対向電極と、を有する
発光装置であって、前記第１のＴＦＴおよび前記第２の
ＴＦＴは、ソース領域およびドレイン領域をそれぞれ有
し、第１の画素電極は第１の電極からなり、第２の画素
電極は第２の電極および第１の補助電極からなり、前記
第１の電極および前記第２の電極は、前記層間絶縁膜に
形成された開口部において、前記ソース領域または前記
ドレイン領域のいずれか一方と電気的に接続され、前記
第１の画素電極、および前記第２の対向電極は、陽極ま
たは陰極のいずれか一方であり、前記第２の画素電極、
および前記第１の対向電極は、陽極または陰極のいずれ
か他方であることを特徴とする発光装置である。

【００１９】なお、上記各構成において、絶縁表面上に
形成された第１のＴＦＴおよび第２のＴＦＴと、前記第
１のＴＦＴおよび前記第２のＴＦＴ上に形成された層間
絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に形成された第１の画素電
極および第２の画素電極と、前記第１の画素電極と前記
第１のＴＦＴとの接続部、および第２の画素電極と前記
第２のＴＦＴとの接続部を覆って形成された絶縁膜と、
前記第１の画素電極および前記第２の画素電極上に形成
された有機化合物層と、前記有機化合物層上に形成され
た第１の対向電極、および第２の対向電極と、を有する
発光装置であって、前記第１のＴＦＴおよび前記第２の
ＴＦＴは、ソース領域およびドレイン領域をそれぞれ有
し、第１の画素電極は第１の電極からなり、第２の画素
電極は第２の電極および第１の補助電極からなり、前記
第１の電極および前記第２の電極は、前記層間絶縁膜に
形成された開口部において、前記ソース領域または前記
ドレイン領域のいずれか一方と電気的に接続され、前記
第１の電極および前記第２の電極は、陽極または陰極の
いずれか一方を形成する材料からなり、前記第１の補助
電極は、陽極または陰極のいずれか他方を形成する材料
からなることを特徴とする発光装置である。

【００２０】なお、上記各構成において、絶縁表面上に
形成された第１のＴＦＴおよび第２のＴＦＴと、前記第
１のＴＦＴおよび前記第２のＴＦＴ上に形成された層間
絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に形成された第１の画素電
極および第２の画素電極と、前記第１の画素電極と前記
第１のＴＦＴとの接続部、および第２の画素電極と前記
第２のＴＦＴとの接続部を覆って形成された絶縁膜と、
前記第１の画素電極および前記第２の画素電極上に形成
された有機化合物層と、前記有機化合物層上に形成され
た第１の対向電極、および第２の対向電極と、を有する
発光装置であって、第１の対向電極は第２の補助電極お
よび第３の電極からなり、第２の対向電極は第３の電極
からなり、前記第１の画素電極、および前記第２の対向
電極は、陽極または陰極のいずれか一方であり、前記第
２の画素電極、および前記第１の対向電極は、陽極また
は陰極のいずれか他方であることを特徴とする発光装置
である。

【００２１】なお、上記各構成において、絶縁表面上に
形成された第１のＴＦＴおよび第２のＴＦＴと、前記第
１のＴＦＴおよび前記第２のＴＦＴ上に形成された層間
絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に形成された第１の画素電
極および第２の画素電極と、前記第１の画素電極と前記
第１のＴＦＴとの接続部、および第２の画素電極と前記
第２のＴＦＴとの接続部を覆って形成された絶縁膜と、
前記第１の画素電極および前記第２の画素電極上に形成
された有機化合物層と、前記有機化合物層上に形成され
た第１の対向電極、および第２の対向電極と、を有する
発光装置であって、第１の対向電極は第２の補助電極お
よび第３の電極からなり、第２の対向電極は第３の電極
からなり、前記第３の電極は、陽極または陰極のいずれ
か一方を形成する材料からなり、前記第２の補助電極
は、陽極または陰極のいずれか他方を形成する材料から
なることを特徴とする発光装置である。

【００２２】なお、上記各構成において、有機化合物層
は、正孔輸送性および電子輸送性を有するバイポーラ性
の材料からなることを特徴とする。

【００２３】なお、本発明の発光装置の作製において、
第１の電極および第２の電極を形成し、第２の電極上の
みに第１の補助電極を蒸着法により形成した後、これら
の電極上に同一の材料で、同一の層からなる有機化合物
層を形成することができる。

【００２４】そこで、本発明における他の構成は、絶縁
表面上に第１の電極および第２の電極を形成し、前記第
２の電極上に第１の補助電極を形成し、前記第１の電
極、前記第２の電極および前記第１の補助電極上に有機
化合物層を形成し、前記有機化合物層上であって、前記
第１の電極と重なる位置に第２の補助電極を形成し、前
記有機化合物層、および前記第２の補助電極上に第３の
電極を形成する発光装置の作製方法であって、前記第１
の電極からなる第１の画素電極と、前記有機化合物層
と、前記第２の補助電極および前記第３の電極とからな
る第１の対向電極と、を有する第１の発光素子と、前記
第２の電極および前記第１の補助電極とからなる第２の
画素電極と、前記有機化合物層と、前記第３の電極から
なる第２の対向電極と、を有する第２の発光素子とを形
成することを特徴とする発光装置の作製方法である。

【００２５】また、本発明における他の構成は、絶縁表
面上に第１のＴＦＴおよび第２のＴＦＴを形成し、前記
第１のＴＦＴおよび前記第２のＴＦＴ上に層間絶縁膜を
形成し、前記層間絶縁膜上に第１の電極および第２の電
極を形成し、前記第２の電極上に第１の補助電極を形成
し、前記第１の電極と前記第１のＴＦＴとの接続部、お
よび第２の電極と前記第２のＴＦＴとの接続部を覆って
絶縁膜を形成し、前記第１の電極、前記第２の電極およ
び前記第１の補助電極上に有機化合物層を形成し、前記
有機化合物層上であって、前記第１の電極と重なる位置
に第２の補助電極を形成し、前記有機化合物層、および
前記第２の補助電極上に第３の電極を形成する発光装置
の作製方法であって、前記第１の電極からなる第１の画
素電極と、前記有機化合物層と、前記第２の補助電極お
よび前記第３の電極とからなる第１の対向電極と、を有
する第１の発光素子と、前記第２の電極および前記第１
の補助電極とからなる第２の画素電極と、前記有機化合
物層と、前記第３の電極からなる第２の対向電極と、を
有する第２の発光素子とを形成することを特徴とする発
光装置の作製方法である。

【００２６】なお、上記構成において、前記第１のＴＦ
Ｔおよび前記第２のＴＦＴは、ソース領域およびドレイ
ン領域をそれぞれ有し、前記第１の電極および前記第２
の電極は、前記層間絶縁膜に形成された開口部におい
て、前記ソース領域または前記ドレイン領域のいずれか
一方と電気的に接続されることを特徴とする。

【００２７】また、上記各構成において、前記第１の画
素電極および前記第２の対向電極は、陽極または陰極の
いずれか一方であり、前記第２の画素電極および前記第
１の対向電極は、陽極または陰極のいずれか他方である
ことを特徴とする。

【００２８】尚、本発明の発光装置から得られる発光
は、一重項励起状態又は三重項励起状態のいずれか一
方、またはその両者による発光を含むものとする。

【００２９】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について、図
１（Ａ）（Ｂ）を用いて説明する。なお、図１（Ａ）に
は、本発明において、各画素が有する発光素子の素子構
造について示す。

【００３０】図１（Ａ）に示すように基板１０１上に陽
極１０２、および陰極１０３の２種類の電極が形成さ
れ、これらの電極（１０２、１０３）と接して有機化合
物層１０４が形成され、有機化合物層１０４と接して陰
極１０５、および陽極１０６が形成される。つまり、共
通の有機化合物層１０４を挟んで両側に陰極、および陽
極がそれぞれ形成される構造を有する。別の言い方をす
れば、陽極１０２と有機化合物層１０４と陰極１０５と
を有する第１の発光素子１０７と、陰極１０３と有機化
合物層１０４と陽極１０６とを有する第２の発光素子１
０８が形成されている。

【００３１】なお、本明細書中では、有機化合物層を形
成する前に形成される電極を画素電極と呼ぶことにす
る。具体的には、陽極１０２、および陰極１０３をそれ
ぞれ画素電極（１）、および画素電極（２）と呼ぶこと
にする。

【００３２】これに対して、有機化合物層を形成した後
で形成される電極を対向電極と呼ぶことにする。具体的
には、陰極１０５、および陽極１０６をそれぞれ対向電
極（１）、および対向電極（２）と呼ぶことにする。

【００３３】なお、これらの発光素子において、陰極に
陽極よりも低い電圧が印加され、陽極に陰極よりも高い
電圧が印加されると、すなわち、順バイアスが印加され
ると、陰極から有機化合物層に電子が注入され、陽極か
らは有機化合物層に正孔が注入されることにより、有機
化合物層に電流が流れる。また、有機化合物層１０４に
おいて、正孔と電子が再結合することにより発光が得ら
れる。

【００３４】なお、本発明において有機化合物層１０４
は、バイポーラ性を有している。なお、バイポーラ性と
はキャリアである電子および正孔のいずれに対しても輸
送性を有することをいう。

【００３５】また、本発明における２種類の発光素子
（１０７、１０８）は、交流電源１０９に接続される。
そして、画素電極と対向電極に印加される電圧の大小関
係を交互に反転させることにより、２種類の発光素子
（１０７、１０８）の一方に交互に順バイアスが印加さ
れ、他方に交互に逆バイアスが印加される。

【００３６】なお、本明細書中では、発光素子に順バイ
アスが印加され、電流が流れる状態になることを発光素
子が機能すると呼ぶことにする。つまり、発光素子に逆
バイアスが印加された場合には、発光素子は機能しない
ことになる。

【００３７】図１（Ｂ）に本発明の発光素子を形成する
場合における具体的な方法について説明する。

【００３８】基板１０１上に導電性の材料を用いて第１
の電極１１２、および第２の電極１１３を形成する。な
お、本実施の形態においては、第１の電極１１２、およ
び第２の電極１１３が陽極となりうる材料で形成される
場合について説明する。ここで用いる導電性の材料とし
ては、仕事関数が４．５ｅＶ以上の仕事関数の大きい材
料を用いることができる。具体的には、ＩＴＯ（indium
tin oxide）、ＩＺＯ（indium zinc oxide）、または
ＩＤＩＸＯ（Ｉｎ₂Ｏ₃−ＺｎＯ）といった透光性の導電
膜の他、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎ
ｉ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）等の長周期
型の周期表における３〜１１族に属する元素を導電性材
料として用いることができる。なお、ここで形成される
電極（１１２、１１３）から光を透過させるような素子
構造の場合には、透光性の導電性材料を用いて形成す
る。

【００３９】次に第２の電極１１３上に陰極となりうる
導電性の材料を用いて第１の補助電極１１４を形成す
る。なお、第１の補助電極１１４に用いる仕事関数の小
さい（具体的には、仕事関数が３．８ｅＶ以下）材料と
しては、元素周期律の１族または２族に属する元素、す
なわちアルカリ金属及びアルカリ土類金属、およびこれ
らを含む合金や化合物の他、希土類金属を含む遷移金属
を用いることができる。第１の補助電極１１４は、蒸着
法又はスパッタリング法により形成することができる。

【００４０】次に、第１の電極１１２および第１の補助
電極１１４上にバイポーラ性を有する有機化合物層１０
４を形成する。なお、有機化合物層１０４を形成する材
料としては、低分子系の材料であっても良いし、高分子
系の材料であっても良い。

【００４１】低分子系の材料を用いる場合には、正孔輸
送性の有機化合物と、電子輸送性の有機化合物とを重量
比（wt%）が１：１となるように共蒸着することにより
形成することができる。

【００４２】具体的には、正孔輸送性の性質を有する
４，４'−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル
−アミノ］−ビフェニル（以下、α−ＮＰＤと示す）と
電子輸送性の性質を有するトリス（８−キノリノラト）
アルミニウム（以下、Ａｌｑ₃と示す）とを共蒸着する
ことにより形成することができる。なお、有機化合物層
の一部にドーパントとなる材料をドーピングすることに
より発光領域を限定することもできる。

【００４３】高分子系の材料を用いる場合には、正孔輸
送性の有機化合物と、電子輸送性の有機化合物とを溶媒
中に所定のモル比で混合することにより形成することが
できる。

【００４４】具体的には、正孔輸送性の性質を有するポ
リビニルカルバゾール（以下、ＰＶＫと示す）と電子輸
送性の性質を有する１，３，４−オキサジアゾール誘導
体である（２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−
ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール(以
下、ＰＢＤと示す)とをトルエン中に混合して形成した
塗布液を塗布することにより形成することができる。な
お、ドーパントとなる材料を塗布液中に混合しておいて
もよい。

【００４５】次に、有機化合物層１０４上であって、第
１の電極１１２と重なる位置に陰極となる導電性の材料
を用いて、第２の補助電極１１５を形成する。なお、こ
こで用いる導電性の材料としては、先に１の補助電極１
１４を形成する際に用いたものと同じ材料を用いること
ができる。但し、ここで形成される第２の補助電極１１
５は有機化合物層１０４上に形成されるため、蒸着法に
より形成されることが望ましい。

【００４６】最後に有機化合物層１０４、および第２の
補助電極１１５を覆って第３の電極１１６が形成され
る。なお、第３の電極１１６を形成する材料としては、
陽極を形成しうる導電性の材料を用いるが、先に第１の
電極１１２、および第２の電極１１３を形成する際に用
いたものと同じ材料を用いることができる。但し、ここ
で形成される第３の電極１１６は有機化合物層１０４上
に形成されるため、蒸着法により形成されることが望ま
しい。

【００４７】以上により、第１の電極１１２、有機化合
物層１０４、第２の補助電極１１５、および第３の電極
とからなる第１の発光素子１１７と第２の電極１１３、
第１の補助電極１１４、有機化合物層１０４、および第
３の電極１１６とからなる第２の発光素子１１８を形成
することができる。

【００４８】なお、第１の発光素子１１７において、陽
極となりうる導電性材料からなる第１の電極１１２が、
図１（Ａ）における陽極１０２であり、画素電極（１）
である。これに対して、陰極となりうる導電性材料から
なる第２の補助電極１１５が仕事関数の点から陰極とな
りうるが、極薄膜で形成されるために問題となる膜抵抗
を第３の電極１１６との積層により低くすることができ
るため、ここでは、第２の補助電極１１５と第３の電極
１１６を積層したものを、図１（Ａ）における陰極１０
５であり、対向電極（１）とする。

【００４９】また、第２の発光素子１１８において、第
２の電極１１３上に陰極となりうる導電性材料からなる
第１の補助電極１１４が仕事関数の点から陰極となりう
るが、極薄膜で形成されるために問題となる膜抵抗を第
２の電極１１３上に積層されることにより低くすること
ができるため、ここでは、第２の電極１１３と第１の補
助電極１１４とを積層したものが、図１（Ａ）における
陰極１０３であり、対向電極（２）とする。これに対し
て、陽極となりうる導電性材料からなる第３の電極１１
６が、図１（Ａ）における陽極１０６であり、対向電極
（２）である。

【００５０】

【実施例】以下に、本発明の実施例について説明する。

【００５１】（実施例１）本実施例では、ＴＦＴ（薄膜
トランジスタ）と発光素子とが電気的に接続されたアク
ティブマトリクス型であって、発光素子の画素電極が透
光性の材料で形成され、有機化合物層で生じた光を画素
電極から取り出す構造（いわゆる、下方出射型）の場合
について説明する。

【００５２】図２（Ａ）において、発光装置の画素部を
形成する画素の断面図を示す。基板２０１上には、２種
類のＴＦＴ（電流制御用ＴＦＴともいう）が形成されて
おり、ＴＦＴ１（２０２）には、配線２０４を介して第
１の電極２０５が電気的に接続され、ＴＦＴ２（２０
３）には、配線２０６を介して第２の電極（２）２０７
が電気的に接続されている。なお、本実施例の場合に
は、ＴＦＴ１（２０２）は、ｐチャネル型ＴＦＴで形成
され、ＴＦＴ２（２０３）は、ｎチャネル型ＴＦＴで形
成されている。

【００５３】なお、配線２０４と第１の電極２０５の接
続部、および配線２０６と第２の電極２０７の接続部
は、絶縁材料からなる絶縁層２１４により覆われてい
る。なお、絶縁層２１４の形成において、酸化珪素、窒
化珪素および窒化酸化珪素等の珪素を含む材料の他、ポ
リイミド、ポリアミド、アクリル（感光性アクリルを含
む）、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）といった有機樹脂
膜を用いたり、シリコン酸化膜として、塗布シリコン酸
化膜（ＳＯＧ：Spin On Glass）を用いて絶縁膜を形成
する。なお、膜厚は、０．１〜２μｍで形成することが
できるが、特に酸化珪素、窒化珪素および窒化酸化珪素
等の珪素を含む材料を用いる場合には０．１〜０．３μ
ｍの膜厚で形成することが望ましい。

【００５４】そして、この絶縁膜の第１の電極２０５、
および第２の電極２０７と対応する位置に開口部を形成
して、絶縁層２１４が形成される。

【００５５】具体的には、感光性アクリルを用いて１μ
ｍの絶縁膜を形成し、フォトリソグラフィ−法によりパ
ターニングを行った後で、エッチング処理を行うことに
より絶縁層２１４を形成する。

【００５６】第１の電極２０５の上には、有機化合物層
２０９と、第２の補助電極２１０と、第３の電極２１１
とが積層され、第１の発光素子２１２が形成されてい
る。また、第２の電極２０７上には、第１の補助電極２
０８と、有機化合物層２０９と、第３の電極２１１とが
積層され、第２の発光素子２１３が形成されている。

【００５７】なお、第１の電極２０５、第２の電極２０
７、および第３の電極２１１は、陽極となりうる仕事関
数の大きい材料で形成され、第１の補助電極２０８、お
よび第２の補助電極２１０は、陰極となりうる仕事関数
の小さい材料で形成されている。そのため、第１の発光
素子２１２においては、第１の電極２０５が第１の画素
電極（陽極）２１７となり、第２の補助電極２１０、お
よび第３の電極２１１の積層されたものが第１の対向電
極（陰極）２１８となる。また、第２の発光素子２１３
においては、第２の電極２０７、および第１の補助電極
２０８の積層されたものが第２の画素電極（陰極）２１
９となり、第３の電極２１１が第２の対向電極（陽極）
２２０となる。

【００５８】第１の発光素子２１２および第２の発光素
子２１３の具体的な素子構成について図２（Ｂ）に示
し、これらの作製方法について以下に説明する。

【００５９】但し、基板上に形成されるＴＦＴおよび配
線の形成までは、後の実施例で詳細に説明するため本実
施例では省略し、本実施例では、配線形成後に形成され
る発光素子の作製について説明する。

【００６０】まず、配線２０４に接して第１の電極２０
５、配線２０６に接して第２の電極２０７が形成され
る。なお、本実施例における第１の電極２０５、および
第２の電極２０７は、光を出射する電極となるため、透
光性であり、仕事関数が４．５ｅＶ以上の材料を用いて
形成する。具体的には、ＩＴＯ、ＩＺＯ、またはＩＤＩ
ＸＯといった材料を用いることができるが、ここではＩ
ＴＯをスパッタリング法により１００ｎｍの膜厚で成膜
した後、パターニングすることにより形成する。

【００６１】さらに、第２の電極２０７上に第１の補助
電極２０８を形成する。なお、第１の補助電極２０８も
透光性の材料で形成されている。本実施例における第１
の補助電極２０８の材料としては、フッ化バリウム（Ｂ
ａＦ₂）、フッ化カルシウム（ＣａＦ）、フッ化セシウ
ム（ＣｓＦ）等を用いることができるが、膜厚を１ｎｍ
程度で形成する必要がある。その他にもセシウム（Ｃ
ｓ）、バリウム（Ｂａ）、カルシウム（Ｃａ）、マグネ
シウム合金（Ｍｇ：Ａｇ）およびランタノイド系の材料
を用いることができる。なお、この場合には、２０ｎｍ
以下の膜厚で形成すればよい。ここでは、フッ化バリウ
ム（ＢａＦ₂）を１ｎｍの膜厚で成膜し、第１の補助電
極２０８を形成する。また、メタルマスクを用いて蒸着
することにより、第２の電極２０７上にのみ第１の補助
電極２０８を形成することができる。

【００６２】次に、有機化合物層２０９が形成される。
本実施例では、低分子系の材料を用い、正孔輸送性の有
機化合物と、電子輸送性の有機化合物とを重量比（wt
%）が１：１となるように共蒸着することにより形成す
ることができる。また、本実施例における有機化合物層
２０９の膜厚は、１００ｎｍである。

【００６３】具体的には、正孔輸送性の性質を有する
４，４'−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル
−アミノ］−ビフェニル（以下、α−ＮＰＤと示す）と
電子輸送性の性質を有するトリス（８−キノリノラト）
アルミニウム（以下、Ａｌｑ₃と示す）とを重量比（wt
%）が１：１となるように共蒸着することにより形成す
ることができる。ここで形成された層をバイポーラ層２
１５と呼ぶことにする。

【００６４】さらに、本実施例では、このバイポーラ層
２１５を形成する途中で、ドーパントとなる４−ジシア
ノメチレン−２−メチル−６−（ジュロリジン−４−イ
ル−ビニル）−４Ｈ−ピラン（以下、ＤＣＭ２と示す）
をドーピングすることにより発光領域となるドープ領域
２１６を形成する。なお、この時のドープ領域２１６に
おける重量比（wt%）が、（α−ＮＰＤ）：（Ａｌ
ｑ₃）：（ＤＣＭ）＝５０：５０：１となるように共蒸
着して形成することができる。

【００６５】そして、ドープ領域２１６上に再びバイポ
ーラ層２１５を形成することにより有機化合物層２０９
における発光領域を限定することができる。なお、この
ような材料により有機化合物層２０９を形成した場合に
は、赤色発光を示す有機化合物層を形成することができ
る。

【００６６】なお、緑色発光を示す有機化合物層を形成
する場合には、バイポーラ層２１５を同様の材料（α−
ＮＰＤとＡｌｑ₃）で形成し、ドープ領域２１６にジメ
チルキナクリドンをドーピングすることにより形成する
ことができる。なお、この時のドープ領域２１６におけ
る重量比（wt%）が、（α−ＮＰＤ）：（Ａｌｑ₃）：
（キナクリドン）＝５０：５０：１となるように共蒸着
して形成することができる。

【００６７】さらに、青色発光を示す有機化合物層を形
成する場合には、バソキュプロイン（以下、ＢＣＰと示
す）と、４，４'，４''−トリス［Ｎ−（３−メチルフ
ェニル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−トリフェニルアミ
ン（以下、ＭＴＤＡＴＡと示す）とを重量比（wt%）が
１：１となるように共蒸着することによりバイポーラ層
２１５を形成する。そして、ドープ領域２１６にペリレ
ンをドーピングすることにより形成することができる。
なお、この時のドープ領域２１６における重量比（wt
%）が、（ＢＣＰ）：（ＭＴＤＡＴＡ）：（ペリレン）
＝５０：５０：５となるように共蒸着して形成すること
ができる。

【００６８】なお、これらのドープ領域２１６は、２０
〜３０ｎｍの膜厚で形成される。

【００６９】上述したような赤色発光を示す有機化合物
層、緑色発光を示す有機化合物層、青色発光を示す有機
化合物層２０９を有する画素が画素部に形成されること
により、フルカラー表示が可能となる。

【００７０】また、本実施例で示した有機化合物層２０
９は、ドープ領域２１６が発光領域となっていたが、ド
ープ領域２１６を設けるのではなく、全く別の材料から
なる発光層をバイポーラ層２１５の間に形成することも
できる。この場合において、バイポーラ層２１５を形成
する材料としては、先に示したものを用いれば良く、発
光層を形成する材料としては、４，４'−ビス（２，２
−ジフェニル−ビニル）−ビフェニル（以下、ＤＰＶＢ
ｉと示す）等が挙げられる。

【００７１】一方、高分子系の材料を用いる場合には、
ＰＶＫ、およびＰＢＤをトルエン中に１：０．３のモル
比で混合し、ドーパントであるトリス（２−フェニルピ
リジン）イリジウム（以下、Ｉｒ（ｐｐｙ）₃と示す）
をＰＶＫ、およびＰＢＤの全モル数に対して３ｍｏｌ％
のモル分率となるように混合することにより塗布液を形
成し、これを塗布することにより形成する。

【００７２】次に、有機化合物層２０９の上に第２の補
助電極２１０を形成する。なお、第２の補助電極２１０
も第１の補助電極２０８と同じ材料で形成することがで
きるが、ここでは、バリウム（Ｂａ）を２０ｎｍの膜厚
で成膜し、第２の補助電極２１０を形成する。また、メ
タルマスクを用いて蒸着することにより、第１の電極２
０５上にのみ第２の補助電極２１０を形成することがで
きる。

【００７３】最後に第３の電極２１１を形成する。な
お、第３の電極２１１を形成する導電性の材料として
は、仕事関数が４．５ｅＶ以上の仕事関数の大きい材料
を用いる。また、本実施例において、発光素子の発光効
率を低下させないためには第３の電極２１１から光が出
射されない構造とするのが望ましいので、遮光性の材料
を用いて形成する。具体的には、金（Ａｕ）、白金（Ｐ
ｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、チタン
（Ｔｉ）等の長周期型の周期表における３〜１１族に属
する元素を導電性材料として用いることができる。な
お、本実施例では、金（Ａｕ）を１００ｎｍの膜厚で成
膜して第３の電極２１１を形成する。

【００７４】以上により、一つの画素内に第１の発光素
子２１２、および第２の発光素子２１３を有し、どちら
の発光素子においても、画素電極側から光を出射するこ
とができる下面出射型の発光装置を形成することができ
る。

【００７５】（実施例２）本実施例では、実施例１と異
なり、対向電極が透光性の材料で形成され、有機化合物
層で生じた光を対向電極から取り出す構造（いわゆる、
上方出射型）の場合について説明する。

【００７６】図３（Ａ）において、発光装置の画素部を
形成する画素の断面図を示す。基板３０１上には、２種
類のＴＦＴ（電流制御用ＴＦＴともいう）が形成されて
おり、ＴＦＴ１（３０２）には、配線３０４を介して第
１の電極３０５が電気的に接続され、ＴＦＴ２（３０
３）には、配線３０６を介して第２の電極（２）３０７
が電気的に接続されている。なお、本実施例の場合に
は、ＴＦＴ１（３０２）は、ｐチャネル型ＴＦＴで形成
され、ＴＦＴ２（３０３）は、ｎチャネル型ＴＦＴで形
成されている。

【００７７】なお、配線３０４と第１の電極３０５の接
続部、および配線３０６と第２の電極３０７の接続部
は、実施例１と同様に絶縁材料からなる絶縁層３１４に
より覆われている。なお、絶縁層３１４を形成する材料
としては、実施例１で示したものと同様のものを用いれ
ばよい。また、同様に、この絶縁膜の第１の電極３０
５、および第２の電極３０７と対応する位置に開口部を
形成して、絶縁層３１４が形成される。

【００７８】第１の電極３０５の上には、有機化合物層
３０９と、第２の補助電極３１０と、第３の電極３１１
とが積層され、第１の発光素子３１２が形成されてい
る。また、第２の電極３０７上には、第１の補助電極３
０８と、有機化合物層３０９と、第３の電極３１１とが
積層され、第２の発光素子３１３が形成されている。

【００７９】なお、第１の電極３０５、第２の電極３０
７、および第３の電極３１１は、陽極となりうる仕事関
数の大きい材料で形成され、第１の補助電極３０８、お
よび第２の補助電極３１０は、陰極となりうる仕事関数
の小さい材料で形成されている。そのため、第１の発光
素子３１２においては、第１の電極３０５が第１の画素
電極（陽極）３１７となり、第２の補助電極３１０、お
よび第３の電極３１１の積層されたものが第１の対向電
極（陰極）３１８となる。また、第２の発光素子３１３
においては、第２の電極３０７、および第１の補助電極
３０８の積層されたものが第２の画素電極（陰極）３１
９となり、第３の電極３１１が第２の対向電極（陽極）
３２０となる。

【００８０】第１の発光素子３１２および第２の発光素
子３１３の具体的な素子構成について図３（Ｂ）に示
し、これらの作製方法について以下に説明する。

【００８１】但し、基板上に形成されるＴＦＴおよび配
線の形成までは、後の実施例で詳細に説明するため本実
施例では省略し、本実施例では、配線形成後に形成され
る発光素子の作製について説明する。

【００８２】まず、配線３０４に接して第１の電極３０
５、配線３０６に接して第２の電極３０７が形成され
る。なお、本実施例において、発光素子の発光効率を低
下させないためには第１の電極３０５、および第２の電
極３０７から光が出射されない構造とするのが望ましい
ので、遮光性であり、仕事関数が４．５ｅＶ以上の材料
を用いて形成する。ここでは窒化チタン（ＴｉＮ）をス
パッタリング法により１００ｎｍの膜厚で成膜した後、
パターニングすることにより形成する。

【００８３】さらに、第２の電極３０７上に第１の補助
電極３０８を形成する。なお、本実施例における第１の
補助電極３０８の材料としては、フッ化バリウム（Ｂａ
Ｆ₂）、フッ化カルシウム（ＣａＦ）、フッ化セシウム
（ＣｓＦ）等を用いることができるが、膜厚を１ｎｍ程
度で形成する必要がある。その他にもセシウム（Ｃ
ｓ）、バリウム（Ｂａ）、カルシウム（Ｃａ）、マグネ
シウム合金（Ｍｇ：Ａｇ）およびランタノイド系の材料
を用いることができる。なお、この場合には、２０ｎｍ
以下の膜厚で形成すればよい。ここでは、マグネシウム
合金（Ｍｇ：Ａｇ）を２０ｎｍの膜厚で成膜し、第１の
補助電極３０８を形成する。また、メタルマスクを用い
て蒸着することにより、第２の電極３０７上にのみ第１
の補助電極３０８を形成することができる。

【００８４】次に、有機化合物層３０９が形成される。
本実施例においても実施例１と同様にして、低分子系の
材料を用い、正孔輸送性の有機化合物と、電子輸送性の
有機化合物とを重量比（wt%）が１：１となるように共
蒸着することにより形成することができる。なお、本実
施例における有機化合物層３０９の膜厚は、１００ｎｍ
である。

【００８５】具体的には、正孔輸送性の性質を有する
４，４'−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル
−アミノ］−ビフェニル（以下、α−ＮＰＤと示す）と
電子輸送性の性質を有するトリス（８−キノリノラト）
アルミニウム（以下、Ａｌｑ₃と示す）とを重量比（wt
%）が１：１となるように共蒸着することにより形成す
ることができる。ここで形成された層をバイポーラ層３
１５と呼ぶことにする。

【００８６】さらに、本実施例では、このバイポーラ層
２１５を形成する途中で、ドーパントとなる４−ジシア
ノメチレン−２−メチル−６−（ジュロリジン−４−イ
ル−ビニル）−４Ｈ−ピラン（以下、ＤＣＭ２と示す）
をドーピングすることにより発光領域となるドープ領域
３１６を形成する。なお、この時のドープ領域３１６に
おける重量比（wt%）が、（α−ＮＰＤ）：（Ａｌ
ｑ₃）：（ＤＣＭ）＝５０：５０：１となるように共蒸
着して形成することができる。

【００８７】そして、ドープ領域３１６上に再びバイポ
ーラ層３１５を形成することにより有機化合物層３０９
における発光領域を限定することができる。なお、この
ような材料により有機化合物層３０９を形成した場合に
は、赤色発光を示す有機化合物層を形成することができ
る。

【００８８】なお、緑色発光を示す有機化合物層を形成
する場合には、バイポーラ層３１５を同様の材料（α−
ＮＰＤとＡｌｑ₃）で形成し、ドープ領域３１６にジメ
チルキナクリドンをドーピングすることにより形成する
ことができる。なお、この時のドープ領域３１６におけ
る重量比（wt%）が、（α−ＮＰＤ）：（Ａｌｑ₃）：
（キナクリドン）＝５０：５０：１となるように共蒸着
して形成することができる。

【００８９】さらに、青色発光を示す有機化合物層を形
成する場合には、バソキュプロイン（以下、ＢＣＰと示
す）と、４，４'，４''−トリス［Ｎ−（３−メチルフ
ェニル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−トリフェニルアミ
ン（以下、ＭＴＤＡＴＡと示す）とを重量比（wt%）が
１：１となるように共蒸着することによりバイポーラ層
３１５を形成する。そして、ドープ領域３１６にペリレ
ンをドーピングすることにより形成することができる。
なお、この時のドープ領域３１６における重量比（wt
%）が、（ＢＣＰ）：（ＭＴＤＡＴＡ）：（ペリレン）
＝５０：５０：５となるように共蒸着して形成すること
ができる。

【００９０】なお、これらのドープ領域３１６は、２０
〜３０ｎｍの膜厚で形成される。

【００９１】上述したような赤色発光を示す有機化合物
層、緑色発光を示す有機化合物層、青色発光を示す有機
化合物層３０９を有する画素が画素部に形成されること
により、フルカラー表示が可能となる。

【００９２】また、本実施例で示した有機化合物層３０
９は、ドープ領域３１６が発光領域となっていたが、ド
ープ領域３１６を設けるのではなく、全く別の材料から
なる発光層をバイポーラ層３１５の間に形成することも
できる。この場合において、バイポーラ層３１５を形成
する材料としては、先に示したものを用いれば良く、発
光層を形成する材料としては、４，４'−ビス（２，２
−ジフェニル−ビニル）−ビフェニル（以下、ＤＰＶＢ
ｉと示す）等が挙げられる。

【００９３】一方、高分子系の材料を用いる場合には、
ＰＶＫ、およびＰＢＤをトルエン中に１：０．３のモル
比で混合し、ドーパントであるトリス（２−フェニルピ
リジン）イリジウム（以下、Ｉｒ（ｐｐｙ）₃と示す）
をＰＶＫ、およびＰＢＤの全モル数に対して３ｍｏｌ％
のモル分率となるように混合することにより塗布液を形
成し、これを塗布することにより形成する。

【００９４】次に、有機化合物層３０９の上に第２の補
助電極３１０を形成する。なお、第２の補助電極３１０
も第１の補助電極３０８と同じ材料で形成することがで
きるが、ここでは、フッ化バリウム（ＢａＦ₂）を１ｎ
ｍの膜厚で成膜し、第２の補助電極３１０を形成する。
また、メタルマスクを用いて蒸着することにより、第１
の電極３０５上にのみ第２の補助電極３１０を形成する
ことができる。

【００９５】最後に第３の電極３１１を形成する。な
お、第３の電極３１１を形成する導電性の材料として
は、仕事関数が４．５ｅＶ以上の仕事関数の大きい材料
を用いる。なお、本実施例における第３の電極３１１
は、光を出射する電極となるため、透光性であり、仕事
関数が４．５ｅＶ以上の材料を用いて形成する。具体的
には、ＩＴＯ、ＩＺＯ、またはＩＤＩＸＯといった材料
を用いることができるが、ここではＩＴＯを蒸着法、も
しくはスパッタリング法により１００ｎｍの膜厚で成膜
して第３の電極３１１を形成する。

【００９６】以上により、一つの画素内に第１の発光素
子３１２、および第２の発光素子３１３を有し、どちら
の発光素子においても、対向電極側から光を出射するこ
とができる上方出射型の発光装置を形成することができ
る。

【００９７】（実施例３）本実施例では、実施例２で示
したのと同じ上面出射型の発光装置であるが、その素子
構造が異なる場合について説明する。

【００９８】図４（Ａ）において、発光装置の画素部を
形成する画素の断面図を示す。基板４０１上には、２種
類のＴＦＴ（電流制御用ＴＦＴともいう）が形成されて
おり、ＴＦＴ１（４０２）には、配線４０４を介して第
１の電極４０５が電気的に接続され、ＴＦＴ２（４０
３）には、配線４０６を介して第２の電極（２）４０７
が電気的に接続されている。なお、本実施例の場合に
は、ＴＦＴ１（４０２）は、ｎチャネル型ＴＦＴで形成
され、ＴＦＴ２（４０３）は、ｐチャネル型ＴＦＴで形
成されている。

【００９９】なお、配線４０４と第１の電極４０５の接
続部、および配線４０６と第２の電極４０７の接続部
は、実施例１と同様に絶縁材料からなる絶縁層４１４に
より覆われている。なお、絶縁層４１４を形成する材料
としては、実施例１で示したものと同様のものを用いれ
ばよい。また、同様に、この絶縁膜の第１の電極４０
５、および第２の電極４０７と対応する位置に開口部を
形成して、絶縁層４１４が形成される。

【０１００】第１の電極４０５の上には、有機化合物層
４０９と、第２の補助電極４１０と、第３の電極４１１
とが積層され、第１の発光素子４１２が形成されてい
る。また、第２の電極４０７上には、第１の補助電極４
０８と、有機化合物層４０９と、第３の電極４１１とが
積層され、第２の発光素子４１３が形成されている。

【０１０１】なお、第１の電極４０５、第２の電極４０
７、および第３の電極４１１は、陰極となりうる仕事関
数の小さい材料で形成され、第１の補助電極４０８、お
よび第２の補助電極４１０は、陽極となりうる仕事関数
の大きい材料で形成されている。そのため、第１の発光
素子４１２においては、第１の電極４０５が第１の画素
電極（陰極）４１７となり、第２の補助電極４１０、お
よび第３の電極４１１の積層されたものが第１の対向電
極（陽極）４１８となる。また、第２の発光素子４１３
においては、第２の電極４０７、および第１の補助電極
４０８の積層されたものが第２の画素電極（陽極）４１
９となり、第３の電極４１１が第２の対向電極（陰極）
４２０となる。

【０１０２】第１の発光素子４１２および第２の発光素
子４１３の具体的な素子構成について図４（Ｂ）に示
し、これらの作製方法について以下に説明する。

【０１０３】但し、基板上に形成されるＴＦＴおよび配
線の形成までは、後の実施例で詳細に説明するため本実
施例では省略し、本実施例では、配線形成後に形成され
る発光素子の作製について説明する。

【０１０４】まず、配線４０４に接して第１の電極４０
５、配線４０６に接して第２の電極４０７が形成され
る。なお、本実施例において、発光素子の発光効率を低
下させないためには第１の電極４０５、および第２の電
極４０７から光が出射されない構造とするのが望ましい
ので、遮光性であり、仕事関数が３．８ｅＶ以下の材料
を用いて形成する。ここではマグネシウム合金（Ｍｇ：
Ａｇ）をスパッタリング法により１００ｎｍの膜厚で成
膜した後、パターニングすることにより形成する。

【０１０５】さらに、第２の電極４０７上に第１の補助
電極４０８を形成する。なお、本実施例における第１の
補助電極４０８の材料としては、金（Ａｕ）、白金（Ｐ
ｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、チタン
（Ｔｉ）等の長周期型の周期表における３〜１１族に属
する元素を導電性材料として用いることができる。ここ
では、金（Ａｕ）を２０ｎｍの膜厚で成膜し、第１の補
助電極４０８を形成する。また、メタルマスクを用いて
蒸着することにより、第２の電極４０７上にのみ第１の
補助電極４０８を形成することができる。

【０１０６】次に、有機化合物層４０９が形成される。
なお、本実施例における有機化合物層３０９の膜厚は、
１００ｎｍである。

【０１０７】はじめに、正孔輸送性の性質を有する４，
４'−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル−ア
ミノ］−ビフェニル（以下、α−ＮＰＤと示す）と電子
輸送性の性質を有するトリス（８−キノリノラト）アル
ミニウム（以下、Ａｌｑ₃と示す）とを重量比（wt%）が
１：１となるように共蒸着することによりバイポーラ層
４１５を形成する。

【０１０８】さらに、本実施例では、このバイポーラ層
２１５を形成する途中で、発光領域となる発光層４１６
を形成する。なお、本実施例において、発光層４１６を
形成する材料としては、４，４'−ビス（２，２−ジフ
ェニル−ビニル）−ビフェニル（以下、ＤＰＶＢｉと示
す）を用いる。また、発光層４１６は、２０〜３０ｎｍ
の膜厚で形成する。

【０１０９】そして、発光層４１６上に再びバイポーラ
層４１５を形成することにより有機化合物層４０９にお
ける発光領域を限定することができる。

【０１１０】なお、本実施例においては、有機化合物層
に発光層４１６を形成する場合について示したが、実施
例１や実施例２で示したようなドープ領域を設ける構造
としても良いし、また、低分子系の材料だけでなく高分
子系の材料を用いることにより形成することも可能であ
る。

【０１１１】次に、有機化合物層４０９の上に第２の補
助電極４１０を形成する。なお、第２の補助電極４１０
も第１の補助電極４０８と同じ材料で形成することがで
きるが、ここでは、フッ化バリウム（ＢａＦ₂）を１ｎ
ｍの膜厚で成膜し、第２の補助電極４１０を形成する。
また、メタルマスクを用いて蒸着することにより、第１
の電極４０５上にのみ第２の補助電極４１０を形成する
ことができる。

【０１１２】最後に第３の電極４１１を形成する。な
お、第３の電極４１１を形成する導電性の材料として
は、仕事関数が３．８ｅＶ以下の仕事関数の小さい材料
を用いる。なお、本実施例における第３の電極４１１
は、光を出射する電極となるため、透光性であり、仕事
関数が３．８ｅＶ以下の材料を用いて形成する。具体的
には、元素周期律の１族または２族に属する元素、すな
わちアルカリ金属及びアルカリ土類金属、およびこれら
を含む合金や化合物の他、希土類金属を含む遷移金属を
用いることができるが、ここではセシウム（Ｃｓ）と銀
（Ａｇ）とを蒸着法、もしくはスパッタリング法により
積層形成し、２０ｎｍの膜厚で成膜して第３の電極４１
１を形成する。

【０１１３】以上により、一つの画素内に第１の発光素
子３１２、および第２の発光素子３１３を有し、どちら
の発光素子においても、対向電極側から光を出射するこ
とができる上方出射型の発光装置を形成することができ
る。

【０１１４】（実施例４）本発明の実施例を図５〜図７
を用いて説明する。ここでは、同一基板上に画素部と、
画素部の周辺に設ける駆動回路のＴＦＴ（ｎチャネル型
ＴＦＴ及びｐチャネル型ＴＦＴ）を同時に作製する方法
について詳細に説明する。

【０１１５】まず、基板６００上に下地絶縁膜６０１を
形成し、結晶構造を有する第１の半導体膜を得た後、所
望の形状にエッチング処理して島状に分離された半導体
層６０２〜６０５を形成する。

【０１１６】基板６００としては、ガラス基板（＃１７
３７）を用い、下地絶縁膜６０１としては、プラズマＣ
ＶＤ法で成膜温度４００℃、原料ガスＳｉＨ₄、ＮＨ₃、
Ｎ₂Ｏから作製される酸化窒化シリコン膜６０１ａ（組
成比Ｓｉ＝３２％、Ｏ＝２７％、Ｎ＝２４％、Ｈ＝１７
％）を５０nm（好ましくは１０〜２００nm）形成する。
次いで、表面をオゾン水で洗浄した後、表面の酸化膜を
希フッ酸（１／１００希釈）で除去する。次いでプラズ
マＣＶＤ法で成膜温度４００℃、原料ガスＳｉＨ₄、Ｎ₂
Ｏから作製される酸化窒化シリコン膜６０１ｂ（組成比
Ｓｉ＝３２％、Ｏ＝５９％、Ｎ＝７％、Ｈ＝２％）を１
００ｎｍ（好ましくは５０〜２００nm）の厚さに積層形
成し、さらに大気解放せずにプラズマＣＶＤ法で成膜温
度３００℃、成膜ガスＳｉＨ₄で非晶質構造を有する半
導体膜（ここではアモルファスシリコン膜）を５４ｎｍ
の厚さ（好ましくは２５〜８０ｎｍ）で形成する。

【０１１７】本実施例では下地膜６０１を２層構造とし
て示したが、前記絶縁膜の単層膜または２層以上積層さ
せた構造として形成しても良い。また、半導体膜の材料
に限定はないが、好ましくはシリコンまたはシリコンゲ
ルマニウム（Ｓｉ_XＧｅ_1-X（Ｘ＝０．０００１〜０．０
２））合金などを用い、公知の手段（スパッタ法、ＬＰ
ＣＶＤ法、またはプラズマＣＶＤ法等）により形成すれ
ばよい。また、プラズマＣＶＤ装置は、枚葉式の装置で
もよいし、バッチ式の装置でもよい。また、同一の成膜
室で大気に触れることなく下地絶縁膜と半導体膜とを連
続成膜してもよい。

【０１１８】次いで、非晶質構造を有する半導体膜の表
面を洗浄した後、オゾン水で表面に約２ｎｍの極薄い酸
化膜を形成する。次いで、ＴＦＴのしきい値を制御する
ために微量な不純物元素（ボロンまたはリン）のドーピ
ングを行う。ここでは、ジボラン（Ｂ₂Ｈ₆）を質量分離
しないでプラズマ励起したイオンドープ法を用い、ドー
ピング条件を加速電圧１５ｋＶ、ジボランを水素で１％
に希釈したガス流量３０ｓｃｃｍ、ドーズ量２×１０¹²
／ｃｍ²で非晶質シリコン膜にボロンを添加した。

【０１１９】次いで、重量換算で１０ｐｐｍのニッケル
を含む酢酸ニッケル塩溶液をスピナーで塗布する。塗布
に代えてスパッタ法でニッケル元素を全面に散布する方
法を用いてもよい。

【０１２０】次いで、加熱処理を行い結晶化させて結晶
構造を有する半導体膜を形成する。この加熱処理は、電
気炉の熱処理または強光の照射を用いればよい。電気炉
の熱処理で行う場合は、５００℃〜６５０℃で４〜２４
時間で行えばよい。ここでは脱水素化のための熱処理
（５００℃、１時間）の後、結晶化のための熱処理（５
５０℃、４時間）を行って結晶構造を有するシリコン膜
を得る。なお、ここでは炉を用いた熱処理を用いて結晶
化を行ったが、短時間での結晶化が可能なランプアニー
ル装置で結晶化を行ってもよい。なお、ここではシリコ
ンの結晶化を助長する金属元素としてニッケルを用いた
結晶化技術を用いたが、他の公知の結晶化技術、例えば
固相成長法やレーザー結晶化法を用いてもよい。

【０１２１】次いで、結晶構造を有するシリコン膜表面
の酸化膜を希フッ酸等で除去した後、結晶化率を高め、
結晶粒内に残される欠陥を補修するためのレーザー光
（ＸｅＣｌ：波長３０８ｎｍ）の照射を大気中、または
酸素雰囲気中で行う。レーザー光には波長４００ｎｍ以
下のエキシマレーザー光や、ＹＶＯ₄レーザーの第２高
調波、第３高調波を用いる。いずれにしても、繰り返し
周波数１０〜１０００Hz程度のパルスレーザー光を用
い、当該レーザー光を光学系にて１００〜５００ｍＪ／
ｃｍ²に集光し、９０〜９５％のオーバーラップ率をも
って照射し、シリコン膜表面を走査させればよい。ここ
では、繰り返し周波数３０Ｈｚ、エネルギー密度３９３
ｍＪ／ｃｍ²でレーザー光の照射を大気中で行う。な
お、大気中、または酸素雰囲気中で行うため、レーザー
光の照射により表面に酸化膜が形成される。

【０１２２】また、レーザー光の照射により形成された
酸化膜を希フッ酸で除去した後、第２のレーザー光の照
射を窒素雰囲気、或いは真空中で行い、半導体膜表面を
平坦化してもよい。その場合、このレーザー光（第２の
レーザー光）には波長４００ｎｍ以下のエキシマレーザ
ー光や、ＹＡＧレーザーの第２高調波、第３高調波を用
いる。第２のレーザー光のエネルギー密度は、第１のレ
ーザー光のエネルギー密度より大きくし、好ましくは３
０〜６０ｍＪ／ｃｍ²大きくする。

【０１２３】なお、ここでのレーザー光の照射は、酸化
膜を形成して後のスパッタ法による成膜の際、結晶構造
を有するシリコン膜への希ガス元素の添加を防止する上
でも、ゲッタリング効果を増大させる上でも非常に重要
である。次いで、レーザー光の照射により形成された酸
化膜に加え、オゾン水で表面を１２０秒処理して合計１
〜５ｎｍの酸化膜からなるバリア層を形成する。

【０１２４】次いで、バリア層上にスパッタ法にてゲッ
タリングサイトとなるアルゴン元素を含む非晶質シリコ
ン膜を膜厚１５０ｎｍで形成する。本実施例のスパッタ
法による成膜条件は、成膜圧力を０．３Ｐａとし、ガス
（Ａｒ）流量を５０（ｓｃｃｍ）とし、成膜パワーを３
ｋＷとし、基板温度を１５０℃とする。なお、上記条件
での非晶質シリコン膜に含まれるアルゴン元素の原子濃
度は、３×１０²⁰／ｃｍ³〜６×１０²⁰／ｃｍ³、酸素の
原子濃度は１×１０¹⁹／ｃｍ³〜３×１０¹⁹／ｃｍ³であ
る。その後、ランプアニール装置を用いて６５０℃、３
分の熱処理を行いゲッタリングする。

【０１２５】次いで、バリア層をエッチングストッパー
として、ゲッタリングサイトであるアルゴン元素を含む
非晶質シリコン膜を選択的に除去した後、バリア層を希
フッ酸で選択的に除去する。なお、ゲッタリングの際、
ニッケルは酸素濃度の高い領域に移動しやすい傾向があ
るため、酸化膜からなるバリア層をゲッタリング後に除
去することが望ましい。

【０１２６】次いで、得られた結晶構造を有するシリコ
ン膜（ポリシリコン膜とも呼ばれる）の表面にオゾン水
で薄い酸化膜を形成した後、レジストからなるマスクを
形成し、所望の形状にエッチング処理して島状に分離さ
れた半導体層を形成する。半導体層を形成した後、レジ
ストからなるマスクを除去する。

【０１２７】また、半導体層を形成した後、ＴＦＴのし
きい値（Ｖｔｈ）を制御するためにｐ型あるいはｎ型を
付与する不純物元素を添加してもよい。なお、半導体に
対してｐ型を付与する不純物元素には、ボロン（Ｂ）、
アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）など周期律第
１３族元素が知られている。なお、半導体に対してｎ型
を付与する不純物元素としては周期律１５族に属する元
素、典型的にはリン（Ｐ）または砒素（Ａｓ）が知られ
ている。

【０１２８】次いで、得られた結晶構造を有するシリコ
ン膜（ポリシリコン膜とも呼ばれる）の表面にオゾン水
で薄い酸化膜を形成した後、レジストからなるマスクを
形成し、所望の形状にエッチング処理して島状に分離さ
れた半導体層６０２〜６０５を形成する。半導体層を形
成した後、レジストからなるマスクを除去する。

【０１２９】次いで、フッ酸を含むエッチャントで酸化
膜を除去すると同時にシリコン膜の表面を洗浄した後、
ゲート絶縁膜６０７となる珪素を主成分とする絶縁膜を
形成する。本実施例では、プラズマＣＶＤ法により１１
５ｎｍの厚さで酸化窒化シリコン膜（組成比Ｓｉ＝３２
％、Ｏ＝５９％、Ｎ＝７％、Ｈ＝２％）で形成する。

【０１３０】次いで、図５（Ａ）に示すように、ゲート
絶縁膜６０７上に膜厚２０〜１００ｎｍの第１の導電膜
６０８と、膜厚１００〜４００ｎｍの第２の導電膜６０
９とを積層形成する。本実施例では、ゲート絶縁膜６０
７上に膜厚５０ｎｍの窒化タンタル膜、膜厚３７０ｎｍ
のタングステン膜を順次積層する。

【０１３１】第１の導電膜及び第２の導電膜を形成する
導電性材料としてはＴａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｕ
から選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金
材料もしくは化合物材料で形成する。また、第１の導電
膜及び第２の導電膜としてリン等の不純物元素をドーピ
ングした多結晶シリコン膜に代表される半導体膜や、Ａ
ｇ：Ｐｄ：Ｃｕ合金を用いてもよい。また、２層構造に
限定されず、例えば、膜厚５０ｎｍのタングステン膜、
膜厚５００ｎｍのアルミニウムとシリコンの合金（Ａｌ
−Ｓｉ）膜、膜厚３０ｎｍの窒化チタン膜を順次積層し
た３層構造としてもよい。また、３層構造とする場合、
第１の導電膜のタングステンに代えて窒化タングステン
を用いてもよいし、第２の導電膜のアルミニウムとシリ
コンの合金（Ａｌ−Ｓｉ）膜に代えてアルミニウムとチ
タンの合金膜（Ａｌ−Ｔｉ）を用いてもよいし、第３の
導電膜の窒化チタン膜に代えてチタン膜を用いてもよ
い。また、単層構造であってもよい。

【０１３２】次に、図５（Ｂ）に示すように光露光工程
によりレジストからなるマスク６１０〜６１３を形成
し、ゲート電極及び配線を形成するための第１のエッチ
ング処理を行う。第１のエッチング処理では第１及び第
２のエッチング条件で行う。エッチングにはＩＣＰ（In
ductively Coupled Plasma：誘導結合型プラズマ）エッ
チング法を用いると良い。ＩＣＰエッチング法を用い、
エッチング条件（コイル型の電極に印加される電力量、
基板側の電極に印加される電力量、基板側の電極温度
等）を適宜調節することによって所望のテーパー形状に
膜をエッチングすることができる。なお、エッチング用
ガスとしては、Ｃｌ₂、ＢＣｌ₃、ＳｉＣｌ₄、ＣＣｌ₄な
どを代表とする塩素系ガスまたはＣＦ₄、ＳＦ₆、ＮＦ₃
などを代表とするフッ素系ガス、またはＯ₂を適宜用い
ることができる。

【０１３３】本実施例では、基板側（試料ステージ）に
も１５０WのＲＦ（13.56MHz）電力を投入し、実質的に
負の自己バイアス電圧を印加する。なお、基板側の電極
面積サイズは、１２．５ｃｍ×１２．５ｃｍであり、コ
イル型の電極面積サイズ（ここではコイルの設けられた
石英円板）は、直径２５ｃｍの円板である。この第１の
エッチング条件によりＷ膜をエッチングして第１の導電
層の端部をテーパー形状とする。第１のエッチング条件
でのＷに対するエッチング速度は２００．３９ｎｍ／ｍ
ｉｎ、ＴａＮに対するエッチング速度は８０．３２ｎｍ
／ｍｉｎであり、ＴａＮに対するＷの選択比は約２．５
である。また、この第１のエッチング条件によって、Ｗ
のテーパー角は、約２６°となる。この後、レジストか
らなるマスク６１０〜６１３を除去せずに第２のエッチ
ング条件に変え、エッチング用ガスにＣＦ₄とＣｌ₂とを
用い、それぞれのガス流量比を３０／３０（ｓｃｃｍ）
とし、１Ｐａの圧力でコイル型の電極に５００ＷのＲＦ
（１３．５６ＭＨｚ）電力を投入してプラズマを生成し
て約３０秒程度のエッチングを行った。基板側（試料ス
テージ）にも２０ＷのＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）電力を
投入し、実質的に負の自己バイアス電圧を印加する。Ｃ
Ｆ₄とＣｌ₂を混合した第２のエッチング条件ではＷ膜及
びＴａＮ膜とも同程度にエッチングされる。第２のエッ
チング条件でのＷに対するエッチング速度は５８．９７
ｎｍ／ｍｉｎ、ＴａＮに対するエッチング速度は６６．
４３ｎｍ／ｍｉｎである。なお、ゲート絶縁膜上に残渣
を残すことなくエッチングするためには、１０〜２０％
程度の割合でエッチング時間を増加させると良い。

【０１３４】上記第１のエッチング処理では、レジスト
からなるマスクの形状を適したものとすることにより、
基板側に印加するバイアス電圧の効果により第１の導電
層及び第２の導電層の端部がテーパー形状となる。この
テーパー部の角度は１５〜４５°とすればよい。

【０１３５】こうして、第１のエッチング処理により第
１の導電層と第２の導電層から成る第１の形状の導電層
６１５〜６１８（第１の導電層６１５ａ〜６１８ａと第
２の導電層６１５ｂ〜６１８ｂ）を形成する。ゲート絶
縁膜となる絶縁膜６０７は、１０〜２０ｎｍ程度エッチ
ングされ、第１の形状の導電層６１５〜６１８で覆われ
ない領域が薄くなったゲート絶縁膜６２０となる。

【０１３６】次いで、レジストからなるマスクを除去せ
ずに第２のエッチング処理を行う。ここでは、エッチン
グ用ガスにＳＦ₆とＣｌ₂とＯ₂とを用い、それぞれのガ
ス流量比を２４／１２／２４（ｓｃｃｍ）とし、１．３
Ｐａの圧力でコイル型の電極に７００ＷのＲＦ（１３．
５６ＭＨｚ）電力を投入してプラズマを生成してエッチ
ングを２５秒行った。基板側（試料ステージ）にも１０
WのＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）電力を投入し、実質的に
負の自己バイアス電圧を印加する。第２のエッチング処
理でのＷに対するエッチング速度は２２７．３ｎｍ／ｍ
ｉｎ、ＴａＮに対するエッチング速度は３２．１ｎｍ／
ｍｉｎであり、ＴａＮに対するＷの選択比は７．１であ
り、絶縁膜６２０であるＳｉＯＮに対するエッチング速
度は３３．７ｎｍ／ｍｉｎであり、ＳｉＯＮに対するＷ
の選択比は６．８３である。このようにエッチングガス
用ガスにＳＦ₆を用いた場合、絶縁膜６２０との選択比
が高いので膜減りを抑えることができる。本実施例では
絶縁膜６２０において約８ｎｍしか膜減りが起きない。

【０１３７】この第２のエッチング処理によりＷのテー
パー角は７０°となった。この第２のエッチング処理に
より第２の導電層６２１ｂ〜６２４ｂを形成する。一
方、第１の導電層は、ほとんどエッチングされず、第１
の導電層６２１ａ〜６２４ａとなる。なお、第１の導電
層６２１ａ〜６２４ａは、第１の導電層６１５ａ〜６１
８ａとほぼ同一サイズである。実際には、第１の導電層
の幅は、第２のエッチング処理前に比べて約０．３μｍ
程度、即ち線幅全体で０．６μｍ程度後退する場合もあ
るがほとんどサイズに変化がない。

【０１３８】また、２層構造に代えて、膜厚５０ｎｍの
タングステン膜、膜厚５００ｎｍのアルミニウムとシリ
コンの合金（Ａｌ−Ｓｉ）膜、膜厚３０ｎｍの窒化チタ
ン膜を順次積層した３層構造とした場合、第１のエッチ
ング処理における第１のエッチング条件としては、ＢＣ
ｌ₃とＣｌ₂とＯ₂とを原料ガスに用い、それぞれのガス
流量比を６５／１０／５（ｓｃｃｍ）とし、基板側（試
料ステージ）に３００ＷのＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）電
力を投入し、１．２Ｐａの圧力でコイル型の電極に４５
０ＷのＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）電力を投入してプラズ
マを生成して１１７秒のエッチングを行えばよく、第１
のエッチング処理における第２のエッチング条件として
は、ＣＦ₄とＣｌ₂とＯ₂とを用い、それぞれのガス流量
比を２５／２５／１０（ｓｃｃｍ）とし、基板側（試料
ステージ）にも２０ＷのＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）電力
を投入し、１Ｐａの圧力でコイル型の電極に５００Ｗの
ＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）電力を投入してプラズマを生
成して約３０秒程度のエッチングを行えばよく、第２の
エッチング処理としてはＢＣｌ₃とＣｌ₂を用い、それぞ
れのガス流量比を２０／６０（ｓｃｃｍ）とし、基板側
（試料ステージ）には１００ＷのＲＦ（１３．５６ＭＨ
ｚ）電力を投入し、１．２Ｐａの圧力でコイル型の電極
に６００ＷのＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）電力を投入して
プラズマを生成してエッチングを行えばよい。

【０１３９】次いで、レジストからなるマスクを除去し
た後、第１のドーピング処理を行って図６（Ａ）の状態
を得る。ドーピング処理はイオンドープ法、もしくはイ
オン注入法で行えば良い。イオンドープ法の条件はドー
ズ量を１．５×１０¹⁴atoms/cm²とし、加速電圧を６０
〜１００ｋｅＶとして行う。ｎ型を付与する不純物元素
として、典型的にはリン（Ｐ）または砒素（Ａｓ）を用
いる。この場合、第１の導電層及び第２の導電層６２１
〜６２４がｎ型を付与する不純物元素に対するマスクと
なり、自己整合的に第１の不純物領域６２６〜６２９が
形成される。第１の不純物領域６２６〜６２９には１×
１０¹⁶〜１×１０¹⁷/cm³の濃度範囲でｎ型を付与する不
純物元素を添加する。ここでは、第１の不純物領域と同
じ濃度範囲の領域をｎ^--領域とも呼ぶ。

【０１４０】なお、本実施例ではレジストからなるマス
クを除去した後、第１のドーピング処理を行ったが、レ
ジストからなるマスクを除去せずに第１のドーピング処
理を行ってもよい。

【０１４１】次いで、図６（Ｂ）に示すようにレジスト
からなるマスク６３１〜６３３を形成し第２のドーピン
グ処理を行う。マスク６３１は駆動回路のｐチャネル型
ＴＦＴを形成する半導体層のチャネル形成領域及びその
周辺の領域を保護するマスクであり、マスク６３２は画
素部のＴＦＴを形成する半導体層のチャネル形成領域及
びその周辺の領域とを保護するマスクである。

【０１４２】第２のドーピング処理におけるイオンドー
プ法の条件はドーズ量を１．５×１０¹⁵atoms/cm²と
し、加速電圧を６０〜１００ｋｅＶとしてリン（Ｐ）を
ドーピングする。ここでは、第２の導電層６２１ｂをマ
スクとして各半導体層に不純物領域が自己整合的に形成
される。勿論、マスク６３１〜６３３で覆われた領域に
は添加されない。こうして、第２の不純物領域６３４、
６３５と、第３の不純物領域６３７が形成される。第２
の不純物領域６３４、６３５には１×１０²⁰〜１×１０
²¹/cm³の濃度範囲でｎ型を付与する不純物元素を添加さ
れている。ここでは、第２の不純物領域と同じ濃度範囲
の領域をｎ⁺領域とも呼ぶ。

【０１４３】また、第３の不純物領域は第１の導電層に
より第２の不純物領域よりも低濃度に形成され、１×１
０¹⁸〜１×１０¹⁹/cm³の濃度範囲でｎ型を付与する不純
物元素を添加されることになる。なお、第３の不純物領
域は、テーパー形状である第１の導電層の部分を通過さ
せてドーピングを行うため、テーパ−部の端部に向かっ
て不純物濃度が増加する濃度勾配を有している。ここで
は、第３の不純物領域と同じ濃度範囲の領域をｎ^-領域
とも呼ぶ。また、マスク６３２で覆われた領域は、第２
のドーピング処理で不純物元素が添加されず、第１の不
純物領域６３８となる。

【０１４４】次いで、レジストからなるマスク６３１〜
６３３を除去した後、新たにレジストからなるマスク６
３９、６４０を形成して図６（Ｃ）に示すように第３の
ドーピング処理を行う。

【０１４５】駆動回路において、上記第３のドーピング
処理により、ｐチャネル型ＴＦＴを形成する半導体層お
よび保持容量を形成する半導体層にｐ型の導電型を付与
する不純物元素が添加された第４の不純物領域６４１、
６４２及び第５の不純物領域６４３、６４４を形成す
る。

【０１４６】また、第４の不純物領域６４１、６４２に
は１×１０²⁰〜１×１０²¹/cm³の濃度範囲でｐ型を付与
する不純物元素が添加されるようにする。尚、第４の不
純物領域６４１、６４２には先の工程でリン（Ｐ）が添
加された領域（ｎ^--領域）であるが、ｐ型を付与する不
純物元素の濃度がその１．５〜３倍添加されていて導電
型はｐ型となっている。ここでは、第４の不純物領域と
同じ濃度範囲の領域をｐ⁺領域とも呼ぶ。

【０１４７】また、第５の不純物領域６４３、６４４は
第２の導電層１２５ａのテーパー部と重なる領域に形成
されるものであり、１×１０¹⁸〜１×１０²⁰/cm³の濃度
範囲でｐ型を付与する不純物元素が添加されるようにす
る。ここでは、第５の不純物領域と同じ濃度範囲の領域
をｐ^-領域とも呼ぶ。

【０１４８】以上までの工程でそれぞれの半導体層にｎ
型またはｐ型の導電型を有する不純物領域が形成され
る。導電層６２１〜６２４はＴＦＴのゲート電極とな
る。

【０１４９】次いで、ほぼ全面を覆う絶縁膜（図示しな
い）を形成する。本実施例では、プラズマＣＶＤ法によ
り膜厚５０ｎｍの酸化シリコン膜を形成した。勿論、こ
の絶縁膜は酸化シリコン膜に限定されるものでなく、他
のシリコンを含む絶縁膜を単層または積層構造として用
いても良い。

【０１５０】次いで、それぞれの半導体層に添加された
不純物元素を活性化処理する工程を行う。この活性化工
程は、ランプ光源を用いたラピッドサーマルアニール法
（ＲＴＡ法）、或いはＹＡＧレーザーまたはエキシマレ
ーザーを裏面から照射する方法、或いは炉を用いた熱処
理、或いはこれらの方法のうち、いずれかと組み合わせ
た方法によって行う。

【０１５１】また、本実施例では、上記活性化の前に絶
縁膜を形成した例を示したが、上記活性化を行った後、
絶縁膜を形成する工程としてもよい。

【０１５２】次いで、窒化シリコン膜からなる第１の層
間絶縁膜６４５を形成して熱処理（３００〜５５０℃で
１〜１２時間の熱処理）を行い、半導体層を水素化する
工程を行う（図７（Ａ））。この工程は第１の層間絶縁
膜６４５に含まれる水素により半導体層のダングリング
ボンドを終端する工程である。酸化シリコン膜からなる
絶縁膜（図示しない）の存在に関係なく半導体層を水素
化することができる。ただし、本実施例では、第２の導
電層としてアルミニウムを主成分とする材料を用いてい
るので、水素化する工程において第２の導電層が耐え得
る熱処理条件とすることが重要である。水素化の他の手
段として、プラズマ水素化（プラズマにより励起された
水素を用いる）を行っても良い。

【０１５３】次いで、第１の層間絶縁膜６４５上に有機
絶縁物材料から成る第２の層間絶縁膜６４６を形成す
る。本実施例では膜厚１．６μｍのアクリル樹脂膜を形
成する。次いで、各不純物領域に達するコンタクトホー
ルを形成する。本実施例では複数のエッチング処理を順
次行う。本実施例では第１の層間絶縁膜をエッチングス
トッパーとして第２の層間絶縁膜をエッチングした後、
絶縁膜（図示しない）をエッチングストッパーとして第
１の層間絶縁膜をエッチングしてから絶縁膜（図示しな
い）をエッチングした。

【０１５４】その後、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗなどを用い
て配線を形成する。また、場合によっては、配線と接し
て形成される発光素子の画素電極を同時に形成すること
もできる。これらの電極及び画素電極の材料は、Ａｌま
たはＡｇを主成分とする膜、またはそれらの積層膜等の
反射性の優れた材料を用いることが望ましい。こうし
て、配線６５０〜６５７が形成される。

【０１５５】以上の様にして、ｎチャネル型ＴＦＴ７０
１、ｐチャネル型ＴＦＴ７０２を有する駆動回路７０５
と、ｎチャネル型ＴＦＴからなるスイッチング用ＴＦＴ
７０３、ｐチャネル型ＴＦＴからなる電流制御用ＴＦＴ
７０４とを有する画素部７０６を同一基板上に形成する
ことができる（図７（Ｃ））。本明細書中ではこのよう
な基板を便宜上アクティブマトリクス基板と呼ぶ。

【０１５６】画素部７０６において、スイッチング用Ｔ
ＦＴ７０３（ｎチャネル型ＴＦＴ）にはチャネル形成領
域５０３、ゲート電極を形成する導電層６２３の外側に
形成される第１の不純物領域（ｎ^--領域）６３８とソー
ス領域、またはドレイン領域として機能する第２の不純
物領域（ｎ⁺領域）６３５を有している。

【０１５７】また、画素部７０６において、電流制御用
ＴＦＴ７０４（ｐチャネル型ＴＦＴ）にはチャネル形成
領域５０４、ゲート電極を形成する導電層６２４の外側
に形成される第４の不純物領域（ｎ^--領域）６４４とソ
ース領域、またはドレイン領域として機能する第５の不
純物領域（ｎ⁺領域）６４２を有している。なお、本発
明においては、第５の不純物領域（ｎ⁺領域）６４２と
電気的に接続された配線６５６を介して、発光素子の電
極と接続される。本実施例の場合においては、電流制御
用ＴＦＴ７０４がｐチャネル型ＴＦＴで形成されている
ため、発光素子の陽極が形成されるのが好ましい。

【０１５８】また、駆動回路７０５において、ｎチャネ
ル型ＴＦＴ７０１はチャネル形成領域５０１、ゲート電
極を形成する導電層６２１の一部と絶縁膜を介して重な
る第３の不純物領域（ｎ^-領域）６３７とソース領域、
またはドレイン領域として機能する第２の不純物領域
（ｎ⁺領域）６３４を有している。

【０１５９】また、駆動回路７０５において、ｐチャネ
ル型ＴＦＴ７０２にはチャネル形成領域５０２、ゲート
電極を形成する導電層６２２の一部と絶縁膜を介して重
なる第５不純物領域（ｐ^-領域）６４３と、ソース領域
またはドレイン領域として機能する第４の不純物領域
（ｐ⁺領域）６４１を有している。

【０１６０】これらのＴＦＴ７０１、７０２を適宜組み
合わせてシフトレジスタ回路、バッファ回路、レベルシ
フタ回路、ラッチ回路などを形成し、駆動回路７０５を
形成すればよい。例えば、ＣＭＯＳ回路を形成する場合
には、ｎチャネル型ＴＦＴ７０１とｐチャネル型ＴＦＴ
７０２を相補的に接続して形成すればよい。

【０１６１】なお、信頼性が最優先とされる回路には、
ゲート絶縁膜を介してＬＤＤ（ＬＤＤ：Lightly Doped
Drain）領域をゲート電極と重ねて配置させた、いわゆ
るＧＯＬＤ（Gate-drain Overlapped LDD）構造である
ｎチャネル型ＴＦＴ７０１の構造が適している。

【０１６２】なお、駆動回路７０５におけるＴＦＴ（ｎ
チャネル型ＴＦＴ、ｐチャネル型ＴＦＴ）は、高い駆動
能力（オン電流：Ｉｏｎ）およびホットキャリア効果に
よる劣化を防ぎ信頼性を向上させることが要求されてい
ることから本実施例では、ホットキャリアによるオン電
流値の劣化を防ぐのに有効である構造として、ゲート電
極がゲート絶縁膜を介して低濃度不純物領域と重なる領
域（ＧＯＬＤ領域）を有するＴＦＴを用いている。

【０１６３】これに対して、画素部７０６におけるスイ
ッチング用ＴＦＴ７０３は、低いオフ電流（Ｉｏｆｆ）
が要求されていることから、本実施例ではオフ電流を低
減するためのＴＦＴ構造として、ゲート電極がゲート絶
縁膜を介して低濃度不純物領域と重ならない領域（ＬＤ
Ｄ領域）を有するＴＦＴを用いている。

【０１６４】なお、本実施例における発光装置の作製工
程においては、回路の構成および工程の関係上、ゲート
電極を形成している材料を用いてソース信号線を形成
し、ソース、ドレイン電極を形成している配線材料を用
いてゲート信号線を形成しているが、それぞれ異なる材
料を用いることは可能である。

【０１６５】なお、本実施例において、ＴＦＴの駆動電
圧は、１．２〜１０Ｖであり、好ましくは、２．５〜
５．５Ｖである。

【０１６６】また、画素部の表示が動作しているとき
（動画表示の場合）には、発光素子が発光している画素
により背景の表示を行い、発光素子が非発光となる画素
により文字表示を行えばよいが、画素部の動画表示があ
る一定期間以上静止している場合（本明細書中では、ス
タンバイ時と呼ぶ）には、電力を節約するために表示方
法が切り替わる（反転する）ようにしておくと良い。具
体的には、発光素子が発光している画素により文字を表
示し（文字表示ともいう）、発光素子が非発光となる画
素により背景を表示（背景表示ともいう）するようにす
る。

【０１６７】（実施例５）次に、本発明の発光装置を定
電圧方式で駆動させた場合について図８及び図９を用い
て説明する。

【０１６８】図８（Ａ）に本実施例における発光装置の
ブロック図を示す。８０１はソース信号線駆動回路、８
０２はゲート信号線駆動回路、８０３は画素部を示して
いる。本実施例ではソース信号線駆動回路とゲート信号
線駆動回路とを１つずつ設けたが、本発明はこの構成に
限定されない。ソース信号線駆動回路を２つ設けても良
いし、ゲート信号線駆動回路を２つ設けても良い。

【０１６９】ソース信号線駆動回路８０１は、シフトレ
ジスタ８０１ａ、レベルシフタ８０１ｂ、サンプリング
回路８０１ｃを有している。なおレベルシフタ８０１ｂ
は必要に応じて用いればよく、必ずしも用いなくとも良
い。また本実施例においてレベルシフタ８０１ｂはシフ
トレジスタ８０１ａとサンプリング回路８０１ｃとの間
に設ける構成としたが、本発明はこの構成に限定されな
い。シフトレジスタ８０１ａの中にレベルシフタ８０１
ｂが組み込まれている構成にしても良い。

【０１７０】またゲート信号線駆動回路８０２は、シフ
トレジスタ、バッファ（いずれも図示せず）を有してい
る。また、レベルシフタを有していても良い。なお、ゲ
ート信号線駆動回路８０２には、ゲート信号線８０５が
接続されている。

【０１７１】パネル制御信号であるクロック信号（ＣＬ
Ｋ）、スタートパルス信号（ＳＰ）がシフトレジスタ８
０１ａに入力される。シフトレジスタ８０１ａからビデ
オ信号をサンプリングするためのサンプリング信号が出
力される。出力されたサンプリング信号はレベルシフタ
８０１ｂに入力され、その電位の振幅が大きくなって出
力される。

【０１７２】レベルシフタ８０１ｂから出力されたサン
プリング信号は、サンプリング回路８０１ｃに入力され
る。そして同時に、ビデオ信号線を介してビデオ信号が
サンプリング回路８０１ｃに入力される。

【０１７３】サンプリング回路８０１ｃにおいて、入力
されたビデオ信号がサンプリング信号によってサンプリ
ングされ、それぞれソース信号線８０４に入力される。

【０１７４】次に図９（Ａ）に、図８で示した発光装置
の画素部８０３の画素構造を示す。なお、画素部８０３
は図９（Ａ）の９００で示す構造の画素を複数有してお
り、画素９００は、ソース信号線（Ｓ）と、電流供給線
（Ｖ）と、ゲート信号線（Ｇ）とを有している。

【０１７５】また、画素９００は、スイッチング用ＴＦ
Ｔ９０１と、電流制御用ＴＦＴ（１）９０２と、電流制
御用ＴＦＴ（２）９０３と、発光素子（１）９０４と、
発光素子（２）９０５とを有している。

【０１７６】スイッチング用ＴＦＴ９０１のゲート電極
はゲート信号線（Ｇ）に接続されている。またスイッチ
ング用ＴＦＴ９０１のソース領域とドレイン領域は、一
方はソース信号線（Ｓ）に、もう一方は電流制御用ＴＦ
Ｔ（１）９０２および電流制御用ＴＦＴ（２）９０３の
ゲート電極に接続されている。

【０１７７】電流制御用ＴＦＴ（１）９０２および電流
制御用ＴＦＴ（２）９０３のソース領域は電流供給線
（Ｖ）に接続されており、電流制御用ＴＦＴ（１）９０
２のドレイン領域は発光素子（１）９０４が有する陽
極、または陰極のいずれか一方に接続される。また、電
流制御用ＴＦＴ（２）９０３のドレイン領域は、電流制
御用ＴＦＴ（１）９０２のドレイン領域と接続されたの
とは異なる種類の電極（陽極、または陰極のいずれか他
方）と接続される。なお、この電極は、発光素子（２）
９０５を形成する一方の電極である。

【０１７８】なお、本明細書中では、電流制御用ＴＦＴ
（１）９０２のドレイン領域と接続された上記電極を画
素電極（１）とよび、電流制御用ＴＦＴ（２）９０３の
ドレイン領域と接続された上記電極を画素電極（２）と
よぶことにする。つまり、画素９００が有する発光素子
（１）９０４は画素電極（１）を有し、発光素子（２）
９０５は、画素電極（２）を有している。また、画素電
極（１）および画素電極（２）には、電流供給線（Ｖ）
から電圧が入力される。なお、電流供給線（Ｖ）から入
力される電圧を電源電圧と呼ぶ。

【０１７９】また、発光素子（１）９０４および発光素
子（２）９０５は、これらの画素電極ともう一方の電極
により形成される。なお、もう一方の電極のことを対向
電極と呼ぶことにする。すなわち、発光素子（１）９０
４は、対向電極（１）を有し、発光素子（２）９０５
は、対向電極（２）を有している。

【０１８０】なお、対向電極（１）および対向電極
（２）は、それぞれ所定の電圧に保たれており、本明細
書において、対向電極（１）および対向電極（２）から
入力される電圧を対向電圧と呼ぶ。なお対向電極（１）
に対向電圧を与える電源を対向電源（１）９０６と呼
び、対向電極（２）に対向電圧を与える電源を対向電源
（２）９０７と呼ぶ。

【０１８１】対向電極の対向電圧と画素電極の電源電圧
との電圧差が発光素子駆動電圧であり、この発光素子駆
動電圧が有機化合物層にかかる。

【０１８２】なお、ここでは図示しないが、電流制御用
ＴＦＴ（１）９０２および電流制御用ＴＦＴ（２）９０
３のゲート電極と、電流供給線（Ｖ）との間にコンデン
サが形成される構造としても良い。

【０１８３】図９（Ｂ）には、図９（Ａ）に示した画素
９００の対向電源（１）９０６と対向電源（２）９０７
とから入力される信号を制御するための回路構成を示
す。すなわち、回路９０８に切り換え信号９０９を入力
することにより、切り換えスイッチ９１０が切り替わ
り、対向電源（１）９０６と対向電源（２）９０７のど
ちらか一方が選択され、選択された対向電源から電圧が
入力されるようになっている。

【０１８４】次に、対向電源（１）９０６、および対向
電源（２）９０７から入力される電圧を図９（Ｃ）にそ
れぞれ示す。つまり、対向電源（１）９０６と対向電源
（２）９０７からは、それぞれ発光素子駆動電圧の極性
が異なるような２種類の対向電圧が交互に入力されるよ
うになっており、また、対向電源（１）９０６、対向電
源（２）９０７から同時に入力される電圧が異なる構成
になっている。

【０１８５】本実施例において、画素９００のスイッチ
ング用ＴＦＴ９０１がオンの状態になると、電流制御用
ＴＦＴ（１）９０２および電流制御用ＴＦＴ（２）９０
３は共にオンの状態になる。なお、電流供給線（Ｖ）か
らは一定の電源電圧が入力され、発光素子（１）９０４
および発光素子（２）９０５の画素電極（１）および画
素電極（２）に一定の電圧が印加される。

【０１８６】ここで、画素電極（１）が陽極で形成さ
れ、画素電極（２）が陰極で形成されているとすると、
対向電源（１）９０６から対向電極（１）に入力される
対向電圧が、電源電圧よりも低い場合には発光素子
（１）９０４に正の発光素子駆動電圧が印加されるため
発光素子（１）９０４に所望の電流が流れるが、対向電
極（１）に入力される対向電圧が、電源電圧よりも高い
場合には発光素子（１）９０４に負の発光素子駆動電圧
が印加されるため発光素子（１）９０４に電流が流れな
い。なお、本明細書中では、このように発光素子に電流
が流れる状態になることを発光素子が機能すると呼ぶこ
とにする。

【０１８７】これに対して、対向電源（２）９０７から
対向電極（２）に入力される対向電圧が、電源電圧より
も高い場合には発光素子（２）９０５に正の発光素子駆
動電圧が印加されるため発光素子（２）９０５に所望の
電流が流れ、発光素子（２）が機能するが、対向電極
（２）に入力される対向電圧が、電源電圧よりも低い場
合には発光素子（１）９０４に負の発光素子駆動電圧が
印加されるため発光素子（１）９０４に電流が流れず、
発光素子（２）は機能しない。

【０１８８】以上のように、１画素に形成された２種類
の発光素子がそれぞれ有する２種類の対向電源からは、
発光素子駆動電圧の極性が逆になるような２種類の対向
電圧が交互に入力され、かつどちらか一方の対向電源か
らのみ電圧が入力されるようにすることにより、２種類
の発光素子のうち一方を常に機能させることができる。

【０１８９】（実施例６）次に、本発明の発光装置を実
施例５で示したのとは異なる方法で駆動させた場合につ
いて図１０及び図１１を用いて説明する。

【０１９０】図１０に本実施例における発光装置のブロ
ック図を示す。１００１はソース信号線駆動回路
（Ａ）、１００２はソース信号線駆動回路（Ｂ）、１０
０３はゲート信号線駆動回路、１００４は画素部を示し
ている。

【０１９１】ソース信号線駆動回路（Ａ）１００１は、
シフトレジスタ１００１ａ、レベルシフタ１００１ｂ、
サンプリング回路１００１ｃを有している。なおレベル
シフタ１００１ｂは必要に応じて用いればよく、必ずし
も用いなくとも良い。また本実施例においてレベルシフ
タ１００１ｂはシフトレジスタ１００１ａとサンプリン
グ回路１００１ｃとの間に設ける構成としたが、本発明
はこの構成に限定されない。シフトレジスタ１００１ａ
の中にレベルシフタ１００１ｂが組み込まれている構成
にしても良い。なお、本実施例では、ソース信号線駆動
回路（Ｂ）１００２を有しているがこれらの構成は、ソ
ース信号線駆動回路（Ａ）１００１と同じ構成とするこ
とができる。

【０１９２】またゲート信号線駆動回路１００３は、シ
フトレジスタ、バッファ（いずれも図示せず）を有して
いる。また、レベルシフタを有していても良い。なお、
ゲート信号線駆動回路１００３には、ゲート信号線１０
０５が接続されている。

【０１９３】パネル制御信号であるクロック信号（ＣＬ
Ｋ）、スタートパルス信号（ＳＰ）がシフトレジスタ１
００１ａに入力される。シフトレジスタ１００１ａから
ビデオ信号をサンプリングするためのサンプリング信号
が出力される。出力されたサンプリング信号はレベルシ
フタ１００１ｂに入力され、その電位の振幅が大きくな
って出力される。

【０１９４】レベルシフタ１００１ｂから出力されたサ
ンプリング信号は、サンプリング回路１００１ｃに入力
される。そして同時に、ビデオ信号線を介してビデオ信
号がサンプリング回路１００１ｃに入力される。

【０１９５】サンプリング回路１００１ｃにおいて、入
力されたビデオ信号がサンプリング信号によってサンプ
リングされ、それぞれソース信号線（１）１００６に入
力される。なお、ソース信号線駆動回路（Ｂ）１００２
からは、同様にしてソース信号線（２）１００７に入力
される。

【０１９６】次に、図１１に、図１０で示した発光装置
の画素部１００４の画素構造を示す。なお、画素部１０
０４は図１１の１１００で示す構造の画素を複数有して
おり、画素１１００は、２種類のソース信号線（Ｓ）、
すなわちソース信号線（１）（Ｓ）とソース信号線
（２）（Ｓ’）、２種類の電流供給線（Ｖ）、すなわち
電流供給線（１）（Ｖ）と電流供給線（２）（Ｖ’）
と、ゲート信号線（Ｇ）とを有している。

【０１９７】また、画素１１００は、２種類のスイッチ
ング用ＴＦＴ、すなわちスイッチング用ＴＦＴ（１）
（１１０１）、スイッチング用ＴＦＴ（２）（１１０
２）、２種類の電流制御用ＴＦＴ、すなわち電流制御用
ＴＦＴ（１）（１１０３）と、電流制御用ＴＦＴ（２）
１１０４と、２種類の発光素子、すなわち発光素子
（１）１１０５と、発光素子（２）１１０６とを有して
いる。

【０１９８】スイッチング用ＴＦＴ（１）１１０１、お
よびスイッチング用ＴＦＴ（２）１１０２のゲート電極
は、ゲート信号線（Ｇ）に接続されている。またスイッ
チング用ＴＦＴ（１）１１０１のソース領域とドレイン
領域は、一方はソース信号線（１）（Ｓ）に、もう一方
は電流制御用ＴＦＴ（１）１１０３のゲート電極に接続
されている。さらに、スイッチング用ＴＦＴ（２）１１
０２のソース領域とドレイン領域は、一方はソース信号
線（２）（Ｓ’）に、もう一方は電流制御用ＴＦＴ
（２）１１０４のゲート電極に接続されている。

【０１９９】電流制御用ＴＦＴ（１）１１０３のソース
領域は電流供給線（１）（Ｖ）に接続されており、電流
制御用ＴＦＴ（１）１１０３のドレイン領域は発光素子
（１）１１０５が有する陽極、または陰極となる電極に
接続される。なお、この電極は、発光素子（１）１１０
５を形成する一方の電極である。また、電流制御用ＴＦ
Ｔ（２）１１０４のソース領域は電流供給線（２）
（Ｖ’）に接続されており、電流制御用ＴＦＴ（２）１
１０４のドレイン領域は、電流制御用ＴＦＴ（１）１１
０３のドレイン領域と接続されたのとは異なる種類（陽
極、または陰極）の電極と接続される。なお、この電極
は、発光素子（２）１１０６を形成する一方の電極であ
る。

【０２００】なお、本明細書中では、電流制御用ＴＦＴ
（１）１１０３のドレイン領域と接続された上記電極を
画素電極（１）とよび、電流制御用ＴＦＴ（２）１１０
４のドレイン領域と接続された上記電極を画素電極
（２）とよぶことにする。つまり、画素１１００が有す
る発光素子（１）１１０５は画素電極（１）を有し、発
光素子（２）１１０６は、画素電極（２）を有してい
る。また、画素電極（１）には、電流供給線（１）
（Ｖ）から電圧が入力され、画素電極（２）には、電流
供給線（２）（Ｖ’）から電圧が入力される。なお、電
流供給線（１）（Ｖ）、および電流供給線（２）
（Ｖ’）から入力される電圧をそれぞれ電源電圧
（１）、および電源電圧（２）と呼ぶ。

【０２０１】また、発光素子（１）１１０５および発光
素子（２）１１０６は、これらの画素電極ともう一方の
電極により形成される。なお、もう一方の電極のことを
対向電極と呼ぶことにする。すなわち、発光素子（１）
１１０５は、対向電極（１）を有し、発光素子（２）１
１０６は、対向電極（２）を有している。

【０２０２】なお、対向電極（１）および対向電極
（２）は、それぞれ所定の電圧に保たれており、本明細
書において、対向電極（１）および対向電極（２）から
入力される電圧を対向電圧と呼ぶ。なお対向電極（１）
に対向電圧を与える電源を対向電源（１）１１０７と呼
び、対向電極（２）に対向電圧を与える電源を対向電源
（２）１１０８と呼ぶ。本実施例においては、対向電源
（１）１１０７、および対向電極（２）１１０８は一定
の電圧に保持されている。

【０２０３】なお、陽極の電圧は陰極にかかる電圧より
も高いことが望ましい。そのため対向電圧は、これらの
対向電極が陽極か陰極かによって変わってくる。例えば
対向電極が陽極の場合、対向電圧は電源電圧よりも高く
することが望ましい。逆に対向電極が陰極の場合、対向
電圧は電源電圧よりも低くすることが望ましい。

【０２０４】対向電極の対向電圧と画素電極の電源電圧
との電圧差が発光素子駆動電圧であり、この発光素子駆
動電圧が有機化合物層にかかる。

【０２０５】さらに、図１１で説明した発光装置を駆動
させる場合のタイミングチャートを図１２に示す。１つ
のゲート信号線が選択されてから、その次に別のゲート
信号線が選択されるまでの期間を１ライン期間（Ｌ）と
呼ぶ。なお本明細書においてゲート信号線が選択される
とは、スイッチング用ＴＦＴがオンの状態になるような
電位を有する選択信号がゲート信号線に入力されること
を意味する。

【０２０６】また１つの画像が表示されてから次の画像
が表示されるまでの期間が１フレーム期間（Ｆ）に相当
する。例えば、ｙ本のゲート信号線を有する発光装置に
は、１フレーム期間中にｙ個のライン期間（Ｌ１〜Ｌ
ｙ）が設けられている。

【０２０７】第１のライン期間（Ｌ１）において、ゲー
ト信号線駆動回路１００３から入力される選択信号によ
ってゲート信号線（Ｇ（１）〜Ｇ（ｙ））が選択され、
ゲート信号線（Ｇ）に接続されている全てのスイッチン
グ用ＴＦＴが全てオンの状態になる。そして、ソース信
号線駆動回路（Ａ）１００１からｘ本のソース信号線
（１）（Ｓ（１）〜Ｓ（ｘ））、およびソース信号線駆
動回路（Ｂ）１００２からｘ本のソース信号線（２）
（Ｓ’（１）〜Ｓ’（ｘ））に順にビデオ信号が入力さ
れる。ここでは、ゲート信号線（Ｇ（１））、ソース信
号線（１）（Ｓ（１））、ソース信号線（２）（Ｓ’
（１））について示している。なお、ソース信号線
（１）（Ｓ（１）〜Ｓ（ｘ））に入力されたビデオ信号
は、スイッチング用ＴＦＴ（１）１１０１を介して電流
制御用ＴＦＴ（１）１１０３のゲート電極に入力され、
ソース信号線（２）（Ｓ’（１）〜Ｓ’（ｘ））に入力
されたビデオ信号は、スイッチング用ＴＦＴ（２）１１
０２を介して電流制御用ＴＦＴ（２）１１０４のゲート
電極に入力される。

【０２０８】また、各画素が有する画素電極（１）に
は、ｘ本の電流供給線（１）（Ｖ（１）〜Ｖ（ｘ））か
ら電源電圧（１）が入力され、画素電極（２）には、ｘ
本の電流供給線（２）（Ｖ’（１）〜Ｖ’（ｘ））から
電源電圧（２）が入力される。ここでは、電流供給線
（１）（Ｖ（１））、電流供給線（２）（Ｖ’（１））
について示している。

【０２０９】電流制御用ＴＦＴ（１）１１０３および電
流制御用ＴＦＴ（２）１１０４のチャネル形成領域を流
れる電流の量は、これらのゲート電極とソース領域の電
圧差であるゲート電圧Ｖ_gsによって制御される。よっ
て、発光素子（１）１１０５、および発光素子（２）１
１０６のそれぞれの画素電極に与えられる電圧は、各電
流制御用ＴＦＴのゲート電極に入力されたビデオ信号の
電圧の高さによって決まる。したがって、発光素子
（１）１１０５、および発光素子（２）１１０６はビデ
オ信号の電圧に制御されて発光する。

【０２１０】上述した動作を繰り返し、ソース信号線
（１）（Ｓ（１）〜Ｓ（ｘ））、およびソース信号線
（２）（Ｓ’（１）〜Ｓ’（ｘ））へのビデオ信号の入
力が終了すると、第１のライン期間（Ｌ１）が終了す
る。そして次に第２のライン期間（Ｌ２）が開始され、
選択信号によってゲート信号線（Ｇ２）が選択され、第
１のライン期間（Ｌ１）と同様にソース信号線（１）
（Ｓ（１）〜Ｓ（ｘ））、およびソース信号線（２）
（Ｓ’（１）〜Ｓ’（ｘ））に順にビデオ信号が入力さ
れる。

【０２１１】そして全てのゲート信号線（Ｇ１〜Ｇｙ）
が選択されると、全てのライン期間（Ｌ１〜Ｌｙ）が終
了する。全てのライン期間（Ｌ１〜Ｌｙ）が終了する
と、１フレーム期間が終了する。１フレーム期間中にお
いて全ての画素が表示を行い、１つの画像が形成され
る。なお、本実施例において、１フレーム毎に電流供給
線（１）から入力される電源電圧（１）および電流供給
線（２）から入力される電源電圧（２）の電圧が交互に
入れ替わるため、それに伴い発光素子（１）１１０５、
および発光素子（２）１１０６が交互に機能する。

【０２１２】以上のように、ビデオ信号の電圧によって
発光素子（１）１１０５および発光素子（２）１１０６
の発光量が制御され、その発光量の制御によって階調表
示がなされる。

【０２１３】（実施例７）本実施例では、本発明のアク
ティブマトリクス型発光装置の外観図について図１３を
用いて説明する。なお、図１３（Ａ）は、発光装置を示
す上面図、図１３（Ｂ）は図１３（Ａ）をＡ−Ａ’で切
断した断面図である。点線で示された１３０１はソース
信号線駆動回路、１３０２は画素部、１３０３はゲート
信号線駆動回路である。また、１３０４は封止基板、１
３０５はシール剤であり、シール剤１３０５で囲まれた
内側は、空間１３０７になっている。

【０２１４】なお、１３０８はソース信号線駆動回路１
３０１及びゲート信号線駆動回路１３０３に入力される
信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となる
ＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）１３０９か
らビデオ信号やクロック信号を受け取る。なお、ここで
はＦＰＣしか図示されていないが、このＦＰＣにはプリ
ント配線基盤（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。
本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでな
く、それにＦＰＣもしくはＰＷＢが取り付けられた状態
をも含むものとする。

【０２１５】次に、断面構造について図１３（Ｂ）を用
いて説明する。基板１３１０上には駆動回路及び画素部
が形成されているが、ここでは、駆動回路としてソース
信号線駆動回路１３０１と画素部１３０２が示されてい
る。

【０２１６】なお、ソース信号線駆動回路１３０１はｎ
チャネル型ＴＦＴ１３１３とｐチャネル型ＴＦＴ１３１
４とを組み合わせたＣＭＯＳ回路が形成される。また、
駆動回路を形成するＴＦＴは、公知のＣＭＯＳ回路、Ｐ
ＭＯＳ回路もしくはＮＭＯＳ回路で形成しても良い。ま
た、本実施例では、基板上に駆動回路を形成したドライ
バー一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、基板上
ではなく外部に形成することもできる。

【０２１７】また、画素部１３０２は電流制御用ＴＦＴ
１３１１とそのドレインに電気的に接続された陽極１３
１２を含む複数の画素により形成される。

【０２１８】また、陽極１３１２の両端には絶縁層１３
１３が形成され、陽極１３１２上には有機化合物層１３
１４が形成される。さらに、有機化合物層１３１４上に
は陰極１３１６が形成される。これにより、陽極１３１
２、有機化合物層１３１４、及び陰極１３１６からなる
発光素子１３１８が形成される。

【０２１９】陰極１３１６は全画素に共通の配線として
も機能し、接続配線１３０８を経由してＦＰＣ１３０９
に電気的に接続されている。

【０２２０】また、基板１３１０上に形成された発光素
子１３１８を封止するためにシール剤１３０５により封
止基板１３０４を貼り合わせる。なお、封止基板１３０
４と発光素子１３１８との間隔を確保するために樹脂膜
からなるスペーサを設けても良い。そして、シール剤１
３０５の内側の空間１３０７には窒素等の不活性気体が
充填されている。なお、シール剤１３０５としてはエポ
キシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、シール剤１３
０５はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であるこ
とが望ましい。さらに、空間１３０７の内部に酸素や水
を吸収する効果をもつ物質を含有させても良い。

【０２２１】また、本実施例では封止基板１３０４を構
成する材料としてガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ
（Fiberglass-Reinforced Plastics）、ＰＶＦ（ポリビ
ニルフロライド）、マイラー、ポリエステルまたはアク
リル等からなるプラスチック基板を用いることができ
る。また、シール剤１３０５を用いて封止基板１３０４
を接着した後、さらに側面（露呈面）を覆うようにシー
ル剤で封止することも可能である。

【０２２２】以上のようにして発光素子を空間１３０７
に封入することにより、発光素子を外部から完全に遮断
することができ、外部から水分や酸素といった有機化合
物層の劣化を促す物質が侵入することを防ぐことができ
る。従って、信頼性の高い発光装置を得ることができ
る。

【０２２３】なお、本実施例の構成は、実施例１〜実施
例６に示したいずれの構成と自由に組み合わせて実施す
ることが可能である。

【０２２４】（実施例８）本実施例では本発明の素子構
造を有するパッシブ型（単純マトリクス型）の発光装置
を作製した場合について説明する。説明には図１４を用
いる。図１４において、１４０１はガラス基板、１４０
２は陽極材料からなる第１の電極である。本実施例で
は、第１の電極１４０２としてＩＴＯをスパッタリング
法により形成する。なお、図１４では図示されていない
が、複数本の第１の電極が紙面と平行にストライプ状に
配列されている。

【０２２５】また、ストライプ状に配列された第１の電
極１４０２と交差するように絶縁材料からなるバンク１
４０３が形成される。バンク１４０３は陽極１４０２と
接して紙面に垂直な方向に形成されている。

【０２２６】ここで、表面に出ている第１の電極１４０
２の一部に第１の補助電極１４０４を蒸着法により形成
する。なお、第１の補助電極１４０４の形成に用いる材
料としては、実施例１〜実施例３で示した陰極となりう
る材料を用いることができる。また、第１の補助電極１
４０４形成時にこれらの材料がバンク上に成膜されたと
しても何ら問題はない。

【０２２７】次に、第１の電極１４０２、および第１の
補助電極１４０４上に有機化合物層１４０５が形成され
る。有機化合物層１４０５を形成する材料としては、実
施例１〜実施例３で示した材料を用いることができる。

【０２２８】例えば、赤色発光を示す有機化合物層、緑
色発光を示す有機化合物層及び青色発光を示す有機化合
物層をそれぞれ形成することにより、３種類の発光を有
する発光装置を形成することができる。なお、これらの
有機化合物層１４０５はバンク１４０３で形成された溝
に沿って形成されるため、紙面に垂直な方向にストライ
プ状に配列される。

【０２２９】次に、有機化合物層１４０５上であって、
第１の補助電極１４０４と重ならない位置に第２の補助
電極１４０６を形成する。なお、第２の補助電極１４０
６も第１の補助電極と同じ材料を用い、同様にして形成
する。

【０２３０】次に、有機化合物層１４０５、および第２
の補助電極１４０６上に第２の電極１４０７が形成され
る。なお陰極１４０７は、蒸着法により形成する。ま
た、本実施例では、第２の電極１４０７には、遮光性の
材料を用いて形成する。

【０２３１】なお、本実施例では第１の電極１４０２が
透光性の材料で形成されているため、有機化合物層１４
０５で発生した光は下側（基板１４０１の側）に出射さ
れる。

【０２３２】次に、封止基板１４０７としてガラス基板
を用意する。本実施例ではその他にもプラスチックや石
英からなる基板を用いることが可能である。さらに、遮
光性の基板を用いることもできる。

【０２３３】こうして用意した封止基板１４０９は、紫
外線硬化樹脂からなるシール剤１４１０により貼り合わ
される。なお、シール剤１４１０の内側１４０８は密閉
された空間になっており、窒素やアルゴンなどの不活性
ガスが充填されている。また、この密閉された空間１４
０８の中に酸化バリウムに代表される吸湿剤を設けるこ
とも有効である。最後に異方導電性フィルム（ＦＰＣ）
１４１１を取り付けてパッシブ型の発光装置が完成す
る。

【０２３４】なお、本実施例は、実施例１〜実施例４に
示した素子構造（アクティブマトリクス型）に関連する
もの以外の材料等を自由に組み合わせて実施することが
可能である。

【０２３５】（実施例９）発光素子を用いた発光装置は
自発光型であるため、液晶表示装置に比べ、明るい場所
での視認性に優れ、視野角が広い。従って、本発明の発
光装置を用いて様々な電気器具を完成させることができ
る。

【０２３６】本発明により作製した発光装置を用いて作
製された電気器具として、ビデオカメラ、デジタルカメ
ラ、ゴーグル型ディスプレイ（ヘッドマウントディスプ
レイ）、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カー
オーディオ、オーディオコンポ等）、ノート型パーソナ
ルコンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイル
コンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書
籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはデ
ジタルビデオディスク（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生
し、その画像を表示しうる表示装置を備えた装置）など
が挙げられる。特に、斜め方向から画面を見る機会が多
い携帯情報端末は、視野角の広さが重要視されるため、
発光素子を有する発光装置を用いることが好ましい。そ
れら電気器具の具体例を図１５に示す。

【０２３７】図１５（Ａ）は表示装置であり、筐体２０
０１、支持台２００２、表示部２００３、スピーカー部
２００４、ビデオ入力端子２００５等を含む。本発明に
より作製した発光装置をその表示部２００３に用いるこ
とにより作製される。発光素子を有する発光装置は自発
光型であるためバックライトが必要なく、液晶表示装置
よりも薄い表示部とすることができる。なお、表示装置
は、パソコン用、ＴＶ放送受信用、広告表示用などの全
ての情報表示用表示装置が含まれる。

【０２３８】図１５（Ｂ）はデジタルスチルカメラであ
り、本体２１０１、表示部２１０２、受像部２１０３、
操作キー２１０４、外部接続ポート２１０５、シャッタ
ー２１０６等を含む。本発明により作製した発光装置を
その表示部２１０２に用いることにより作製される。

【０２３９】図１５（Ｃ）はノート型パーソナルコンピ
ュータであり、本体２２０１、筐体２２０２、表示部２
２０３、キーボード２２０４、外部接続ポート２２０
５、ポインティングマウス２２０６等を含む。本発明に
より作製した発光装置をその表示部２２０３に用いるこ
とにより作製される。

【０２４０】図１５（Ｄ）はモバイルコンピュータであ
り、本体２３０１、表示部２３０２、スイッチ２３０
３、操作キー２３０４、赤外線ポート２３０５等を含
む。本発明により作製した発光装置をその表示部２３０
２に用いることにより作製される。

【０２４１】図１５（Ｅ）は記録媒体を備えた携帯型の
画像再生装置（具体的にはＤＶＤ再生装置）であり、本
体２４０１、筐体２４０２、表示部Ａ２４０３、表示部
Ｂ２４０４、記録媒体（ＤＶＤ等）読み込み部２４０
５、操作キー２４０６、スピーカー部２４０７等を含
む。表示部Ａ２４０３は主として画像情報を表示し、表
示部Ｂ２４０４は主として文字情報を表示するが、本発
明により作製した発光装置をこれら表示部Ａ、Ｂ２４０
３、２４０４に用いることにより作製される。なお、記
録媒体を備えた画像再生装置には家庭用ゲーム機器など
も含まれる。

【０２４２】図１５（Ｆ）はゴーグル型ディスプレイ
（ヘッドマウントディスプレイ）であり、本体２５０
１、表示部２５０２、アーム部２５０３を含む。本発明
により作製した発光装置をその表示部２５０２に用いる
ことにより作製される。

【０２４３】図１５（Ｇ）はビデオカメラであり、本体
２６０１、表示部２６０２、筐体２６０３、外部接続ポ
ート２６０４、リモコン受信部２６０５、受像部２６０
６、バッテリー２６０７、音声入力部２６０８、操作キ
ー２６０９、接眼部２６１０等を含む。本発明により作
製した発光装置をその表示部２６０２に用いることによ
り作製される。

【０２４４】ここで図１５（Ｈ）は携帯電話であり、本
体２７０１、筐体２７０２、表示部２７０３、音声入力
部２７０４、音声出力部２７０５、操作キー２７０６、
外部接続ポート２７０７、アンテナ２７０８等を含む。
本発明により作製した発光装置をその表示部２７０３に
用いることにより作製される。なお、表示部２７０３は
黒色の背景に白色の文字を表示することで携帯電話の消
費電力を抑えることができる。

【０２４５】なお、将来的に有機材料の発光輝度が高く
なれば、出力した画像情報を含む光をレンズ等で拡大投
影してフロント型若しくはリア型のプロジェクターに用
いることも可能となる。

【０２４６】また、上記電気器具はインターネットやＣ
ＡＴＶ（ケーブルテレビ）などの電子通信回線を通じて
配信された情報を表示することが多くなり、特に動画情
報を表示する機会が増してきている。有機材料の応答速
度は非常に高いため、発光装置は動画表示に好ましい。

【０２４７】また、発光装置は発光している部分が電力
を消費するため、発光部分が極力少なくなるように情報
を表示することが好ましい。従って、携帯情報端末、特
に携帯電話や音響再生装置のような文字情報を主とする
表示部に発光装置を用いる場合には、非発光部分を背景
として文字情報を発光部分で形成するように駆動するこ
とが好ましい。

【０２４８】以上の様に、本発明の作製方法を用いて作
製された発光装置の適用範囲は極めて広く、本発明の発
光装置を用いてあらゆる分野の電気器具を作製すること
が可能である。また、本実施例の電気器具は実施例１〜
実施例８を実施することにより作製された発光装置を用
いることにより完成させることができる。

【０２４９】

【発明の効果】本発明において、交流駆動の発光装置を
作製することにより、直流駆動の場合に問題となってい
た有機化合物層におけるチャージの蓄積を防ぐことがで
きる。これにより、発光素子の輝度低下といった問題が
改善されるため発光素子の素子特性の向上と長寿命化が
可能となった。また、本発明の発光装置は、構造の異な
る２種類の発光素子を設け、交流駆動において、極性の
異なる電圧が印加されても常にどちらか一方の発光素子
が機能するような構造を有しているので、直流駆動の場
合と同様の階調表示を行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の発光装置の素子構造を説明する
図。

【図２】 本発明の発光装置の素子構造を説明する
図。

【図３】 本発明の発光装置の素子構造を説明する
図。

【図４】 本発明の発光装置の素子構造を説明する
図。

【図５】 本発明の発光装置の作製工程を説明する
図。

【図６】 本発明の発光装置の作製工程を説明する
図。

【図７】 本発明の発光装置の作製工程を説明する
図。

【図８】 本発明の発光装置の構成を説明する図。

【図９】 本発明の発光装置の画素部の回路図を説明
する図。

【図１０】 本発明の発光装置の構成を説明する図。

【図１１】 本発明の発光装置の画素部の回路図を説明
する図。

【図１２】 本発明の発光装置を交流で駆動する場合の
タイミングチャート。

【図１３】 本発明の発光装置の外観を説明する図。

【図１４】 パッシブマトリクス型の発光装置を説明す
る図。

【図１５】 電気器具の一例を示す図。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｂ 33/12 Ｈ０５Ｂ 33/12 Ｂ 33/14 33/14 Ａ Ｆターム(参考） 3K007 AB04 AB11 AB18 BA06 CB01 CB04 DB03 EB00 FA01 GA02 5C094 AA07 AA08 AA31 AA43 AA54 BA03 BA12 BA27 CA19 CA20 CA24 DA13 EA04 EA05 EB02 FA01 FB01 FB20 GA10 5G435 AA04 AA14 BB05 CC09 CC12 HH01 HH20 KK05

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】第１の発光素子と、第２の発光素子を有す
   る発光装置であって、 前記第１の発光素子は、第１の画素電極と、有機化合物
   層と、第１の対向電極と、を有し、 前記第２の発光素子は、第２の画素電極と、前記有機化
   合物層と、第２の対向電極と、を有し 前記第１の画素電極および前記第２の画素電極は同一表
   面上に形成され、 前記第１の対向電極および前記第２の対向電極は同一表
   面上に形成され、 前記第１の画素電極および前記第２の対向電極は、陽極
   または陰極のいずれか一方であり、 前記第２の画素電極および前記第１の対向電極は、陽極
   または陰極のいずれか他方であることを特徴とする発光
   装置である。
2. 【請求項２】絶縁表面上に形成された第１のＴＦＴおよ
   び第２のＴＦＴと、 前記第１のＴＦＴおよび前記第２のＴＦＴ上に形成され
   た層間絶縁膜と、 前記層間絶縁膜上に形成された第１の画素電極および第
   ２の画素電極と、 前記第１の画素電極と前記第１のＴＦＴとの接続部、お
   よび第２の画素電極と前記第２のＴＦＴとの接続部を覆
   って形成された絶縁膜と、 前記第１の画素電極および前記第２の画素電極上に形成
   された有機化合物層と、 前記有機化合物層上に形成された第１の対向電極、およ
   び第２の対向電極と、を有する発光装置であって、 前記第１の画素電極、および前記第２の対向電極は、陽
   極または陰極のいずれか一方であり、 前記第２の画素電極、および前記第１の対向電極は、陽
   極または陰極のいずれか他方であることを特徴とする発
   光装置。
3. 【請求項３】絶縁表面上に形成された第１のＴＦＴおよ
   び第２のＴＦＴと、 前記第１のＴＦＴおよび前記第２のＴＦＴ上に形成され
   た層間絶縁膜と、 前記層間絶縁膜上に形成された第１の画素電極および第
   ２の画素電極と、 前記第１の画素電極と前記第１のＴＦＴとの接続部、お
   よび第２の画素電極と前記第２のＴＦＴとの接続部を覆
   って形成された絶縁膜と、 前記第１の画素電極および前記第２の画素電極上に形成
   された有機化合物層と、 前記有機化合物層上に形成された第１の対向電極、およ
   び第２の対向電極と、を有する発光装置であって、 前記第１のＴＦＴおよび前記第２のＴＦＴは、ソース領
   域およびドレイン領域をそれぞれ有し、 第１の画素電極は第１の電極からなり、 第２の画素電極は第２の電極および第１の補助電極から
   なり、 前記第１の電極および前記第２の電極は、前記層間絶縁
   膜に形成された開口部において、前記ソース領域または
   前記ドレイン領域のいずれか一方と電気的に接続され、 前記第１の画素電極、および前記第２の対向電極は、陽
   極または陰極のいずれか一方であり、 前記第２の画素電極、および前記第１の対向電極は、陽
   極または陰極のいずれか他方であることを特徴とする発
   光装置。
4. 【請求項４】絶縁表面上に形成された第１のＴＦＴおよ
   び第２のＴＦＴと、 前記第１のＴＦＴおよび前記第２のＴＦＴ上に形成され
   た層間絶縁膜と、 前記層間絶縁膜上に形成された第１の画素電極および第
   ２の画素電極と、 前記第１の画素電極と前記第１のＴＦＴとの接続部、お
   よび第２の画素電極と前記第２のＴＦＴとの接続部を覆
   って形成された絶縁膜と、 前記第１の画素電極および前記第２の画素電極上に形成
   された有機化合物層と、 前記有機化合物層上に形成された第１の対向電極、およ
   び第２の対向電極と、を有する発光装置であって、 前記第１のＴＦＴおよび前記第２のＴＦＴは、ソース領
   域およびドレイン領域をそれぞれ有し、 第１の画素電極は第１の電極からなり、 第２の画素電極は第２の電極および第１の補助電極から
   なり、 前記第１の電極および前記第２の電極は、前記層間絶縁
   膜に形成された開口部において、前記ソース領域または
   前記ドレイン領域のいずれか一方と電気的に接続され、
   前記第１の電極および前記第２の電極は、陽極または陰
   極のいずれか一方を形成する材料からなり、前記第１の
   補助電極は、陽極または陰極のいずれか他方を形成する
   材料からなることを特徴とする発光装置。
5. 【請求項５】絶縁表面上に形成された第１のＴＦＴおよ
   び第２のＴＦＴと、 前記第１のＴＦＴおよび前記第２のＴＦＴ上に形成され
   た層間絶縁膜と、 前記層間絶縁膜上に形成された第１の画素電極および第
   ２の画素電極と、 前記第１の画素電極と前記第１のＴＦＴとの接続部、お
   よび第２の画素電極と前記第２のＴＦＴとの接続部を覆
   って形成された絶縁膜と、 前記第１の画素電極および前記第２の画素電極上に形成
   された有機化合物層と、 前記有機化合物層上に形成された第１の対向電極、およ
   び第２の対向電極と、を有する発光装置であって、 第１の対向電極は第２の補助電極および第３の電極から
   なり、 第２の対向電極は第３の電極からなり、 前記第１の画素電極、および前記第２の対向電極は、陽
   極または陰極のいずれか一方であり、 前記第２の画素電極、および前記第１の対向電極は、陽
   極または陰極のいずれか他方であることを特徴とする発
   光装置。
6. 【請求項６】絶縁表面上に形成された第１のＴＦＴおよ
   び第２のＴＦＴと、 前記第１のＴＦＴおよび前記第２のＴＦＴ上に形成され
   た層間絶縁膜と、 前記層間絶縁膜上に形成された第１の画素電極および第
   ２の画素電極と、 前記第１の画素電極と前記第１のＴＦＴとの接続部、お
   よび第２の画素電極と前記第２のＴＦＴとの接続部を覆
   って形成された絶縁膜と、 前記第１の画素電極および前記第２の画素電極上に形成
   された有機化合物層と、 前記有機化合物層上に形成された第１の対向電極、およ
   び第２の対向電極と、を有する発光装置であって、 第１の対向電極は第２の補助電極および第３の電極から
   なり、 第２の対向電極は第３の電極からなり、 前記第３の電極は、陽極または陰極のいずれか一方を形
   成する材料からなり、 前記第２の補助電極は、陽極または陰極のいずれか他方
   を形成する材料からなることを特徴とする発光装置。
7. 【請求項７】請求項１乃至請求項６のいずれか一におい
   て、 前記有機化合物層は、正孔輸送性および電子輸送性を有
   するバイポーラ性の材料からなることを特徴とする発光
   装置。
8. 【請求項８】請求項１乃至請求項６のいずれか一におい
   て、 前記有機化合物層は、正孔輸送性材料および電子輸送性
   材料からなることを特徴とする発光装置。
9. 【請求項９】請求項１乃至請求項８のいずれか一におい
   て、 前記発光装置は、表示装置、デジタルスチルカメラ、ノ
   ート型パーソナルコンピュータ、モバイルコンピュー
   タ、記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置、ゴーグル
   型ディスプレイ、ビデオカメラ、携帯電話から選ばれた
   一種であることを特徴とする発光装置。
10. 【請求項１０】絶縁表面上に第１の電極および第２の電
    極を形成し、 前記第２の電極上に第１の補助電極を形成し、 前記第１の電極、前記第２の電極および前記第１の補助
    電極上に有機化合物層を形成し、 前記有機化合物層上であって、前記第１の電極と重なる
    位置に第２の補助電極を形成し、 前記有機化合物層、および前記第２の補助電極上に第３
    の電極を形成する発光装置の作製方法であって、 前記第１の電極からなる第１の画素電極と、前記有機化
    合物層と、前記第２の補助電極および前記第３の電極と
    からなる第１の対向電極と、を有する第１の発光素子
    と、 前記第２の電極および前記第１の補助電極とからなる第
    ２の画素電極と、前記有機化合物層と、前記第３の電極
    からなる第２の対向電極と、を有する第２の発光素子と
    を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
11. 【請求項１１】絶縁表面上に第１のＴＦＴおよび第２の
    ＴＦＴを形成し、 前記第１のＴＦＴおよび前記第２のＴＦＴ上に層間絶縁
    膜を形成し、 前記層間絶縁膜上に第１の電極および第２の電極を形成
    し、 前記第２の電極上に第１の補助電極を形成し、 前記第１の電極と前記第１のＴＦＴとの接続部、および
    第２の電極と前記第２のＴＦＴとの接続部を覆って絶縁
    膜を形成し、 前記第１の電極、前記第２の電極および前記第１の補助
    電極上に有機化合物層を形成し、 前記有機化合物層上であって、前記第１の電極と重なる
    位置に第２の補助電極を形成し、 前記有機化合物層、および前記第２の補助電極上に第３
    の電極を形成する発光装置の作製方法であって、 前記第１の電極からなる第１の画素電極と、前記有機化
    合物層と、前記第２の補助電極および前記第３の電極と
    からなる第１の対向電極と、を有する第１の発光素子
    と、 前記第２の電極および前記第１の補助電極とからなる第
    ２の画素電極と、前記有機化合物層と、前記第３の電極
    からなる第２の対向電極と、を有する第２の発光素子と
    を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
12. 【請求項１２】請求項１１において、 前記第１のＴＦＴおよび前記第２のＴＦＴは、ソース領
    域およびドレイン領域をそれぞれ有し、 前記第１の電極および前記第２の電極は、前記層間絶縁
    膜に形成された開口部において、前記ソース領域または
    前記ドレイン領域のいずれか一方と電気的に接続される
    ことを特徴とする発光装置の作製方法。
13. 【請求項１３】請求項１０乃至請求項１２のいずれか一
    において、 前記第１の画素電極および前記第２の対向電極は、陽極
    または陰極のいずれか一方であり、 前記第２の画素電極および前記第１の対向電極は、陽極
    または陰極のいずれか他方であることを特徴とする発光
    装置の作製方法。