KR100318381B1 - 저분자 발색 화합물을 포함하는 저분자 전기 발광 소자 - Google Patents
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- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 34
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims abstract description 10
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 6
- 125000002877 alkyl aryl group Chemical group 0.000 claims abstract description 6
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 6
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 6
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 6
- 125000000592 heterocycloalkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- QDRKDTQENPPHOJ-UHFFFAOYSA-N sodium ethoxide Chemical compound [Na+].CC[O-] QDRKDTQENPPHOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- FUQCKESKNZBNOG-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(cyanomethyl)phenyl]acetonitrile Chemical compound N#CCC1=CC=C(CC#N)C=C1 FUQCKESKNZBNOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- SUSQOBVLVYHIEX-UHFFFAOYSA-N phenylacetonitrile Chemical compound N#CCC1=CC=CC=C1 SUSQOBVLVYHIEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- LPNYRYFBWFDTMA-UHFFFAOYSA-N potassium tert-butoxide Chemical compound [K+].CC(C)(C)[O-] LPNYRYFBWFDTMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- WRBOHOGDAJPJOQ-UHFFFAOYSA-N 9H-Carbazole-3-carboxaldehyde Chemical class C1=CC=C2C3=CC(C=O)=CC=C3NC2=C1 WRBOHOGDAJPJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000005494 condensation Effects 0.000 claims 2
- 238000009833 condensation Methods 0.000 claims 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 12
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 abstract description 7
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 abstract description 5
- -1 α-cyanostyryl Chemical group 0.000 abstract description 3
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 abstract description 2
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 21
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- HMRZJVXCGSHOHE-UHFFFAOYSA-N 2-[6-(1-cyano-2-phenylethenyl)-9-hexylcarbazol-3-yl]-3-phenylprop-2-enenitrile Chemical compound C(#N)C(=CC1=CC=CC=C1)C=1C=CC=2N(C3=CC=C(C=C3C2C1)C(=CC1=CC=CC=C1)C#N)CCCCCC HMRZJVXCGSHOHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000002371 ultraviolet--visible spectrum Methods 0.000 description 5
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 238000001194 electroluminescence spectrum Methods 0.000 description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000103 photoluminescence spectrum Methods 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000000425 proton nuclear magnetic resonance spectrum Methods 0.000 description 3
- KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 1,4,4-triphenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)=CC=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 1,4-benzoquinone Chemical compound O=C1C=CC(=O)C=C1 AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005160 1H NMR spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 238000006000 Knoevenagel condensation reaction Methods 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 2
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 2
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N phosphoryl trichloride Chemical compound ClP(Cl)(Cl)=O XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 2
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 1,2-Dichloroethane Chemical compound ClCCCl WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGJXVBICNCIWEL-UHFFFAOYSA-N 9-ethylcarbazole-3-carbaldehyde Chemical compound O=CC1=CC=C2N(CC)C3=CC=CC=C3C2=C1 QGJXVBICNCIWEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SUAKHGWARZSWIH-UHFFFAOYSA-N N,N‐diethylformamide Chemical compound CCN(CC)C=O SUAKHGWARZSWIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 description 1
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
- WSRHMJYUEZHUCM-UHFFFAOYSA-N perylene-1,2,3,4-tetracarboxylic acid Chemical class C=12C3=CC=CC2=CC=CC=1C1=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C(C(O)=O)C2=C1C3=CC=C2C(=O)O WSRHMJYUEZHUCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 125000006617 triphenylamine group Chemical group 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 230000005428 wave function Effects 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/16—Electron transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
- H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
- C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
- C09K2211/1003—Carbocyclic compounds
- C09K2211/1011—Condensed systems
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
- C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
- C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
- C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
- C09K2211/1029—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing one nitrogen atom as the heteroatom
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
- C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
- C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
- C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
- C09K2211/1044—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing two nitrogen atoms as heteroatoms
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/917—Electroluminescent
Abstract
본 발명은 유기 전기 발광소자(Organic Electroluminescence Display)의 발광층, 정공(hole) 수송층 및 전자(electron) 수송층 모두에 적용될 수 있는 저분자 발색 화합물에 관한 것이다. 본 발명의 전기 발광 소자용 저분자 발색 화합물은 전자 주게 부분(정공 수송층)인 카바졸과 전자 받게 부분(전자 수송층)인 시아노기를 포함한다. 이들 화합물에는 하기 화학식 1과 2로 나타내어지는 비스(3-N-카바졸릴)시아노테레프탈리덴, 3,6-비스(α-시아노스티릴)-N-카바졸 또는 이들의 치환된 유도체가 포함된다.
상기식에서 R은 H, C1∼C20의 알킬기, 알케닐기, 아릴기, 아릴알킬기, 알킬아릴기, 시클로알킬기 또는 헤테로시클로알킬기이다.
Description
[산업상 이용분야]
본 발명은 전기 발광 소자용 발색 화합물에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 유기 전기 발광 소자(EL display)의 발광층, 전자 수송층 및 정공 수송층 모두에 적용될 수 있는, 카바졸과 시아노기를 포함하는 저분자 발색 화합물에 관한 것이다.
[종래기술]
최근 정보통신 산업의 발달이 가속화됨에 따라 가장 중요한 분야의 하나인 디스플레이 소자분야에 있어서 보다 고도의 성능이 요구되고 있다. 이러한 디스플레이는 발광형과 비발광형으로 나눌 수 있다. 발광형에 속하는 디스플레이로는 음극선관(Cathode Ray Tube: CRT), 전기 발광 소자(Electroluminescence Display: ELD), 전기 발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED), 플라즈마 소자 패널(Plasma Display Panel: PDP) 등이 있다. 그리고 비발광형 디스플레이로는 액정디스플레이(Liquid Crystal display: LCD) 등이 있다.
상기한 발광형 및 비발광형 디스플레이는 작동 전압, 소비전력, 밝기 즉, 휘도, 콘트라스트, 응답속도, 수명 그리고 표시색 등의 기본 성능을 가지고 있다. 그런데, 이 중에서 현재까지 많이 쓰이고 있는 액정 디스플레이는 상기한 기본성능 중에서 응답속도, 콘트라스트 및 시각 의존성에 대하여 문제점을 갖고 있다. 이러한 상황속에서 발광 다이오드를 이용한 디스플레이는 응답속도가 빠르며, 자기 발광형이기 때문에 배면광(back light)이 필요 없으며, 휘도가 뛰어날 뿐만 아니라여러 가지 장점을 가지고 있어 액정 디스플레이의 문제점을 보완한 차세대 디스플레이 소자로서의 자리를 차지할 수 있을 것으로 전망되고 있다.
발광 다이오드는 주로 결정형태를 갖는 무기 재료가 사용되기 때문에 대면적의 전기발광 소자에 적용하기가 어렵다. 또한 무기 재료를 이용한 전기 발광 소자의 경우 구동 전압이 200V 이상 필요하고, 가격 또한 고가인 단점이 있다. 그러나 1987년 이스트만 코닥(Eastman Kodak)에서 알루미나 퀴논(alumina quinone)이라는 π-공액 구조를 갖는 재료로 제작된 소자가 발표된 이래로 유기물을 이용한 전기발광 소자의 연구가 활발해졌다. 유기물의 경우 합성경로가 간단하여 다양한 형태의 물질 합성이 용이하여 칼라 튜닝(color tuning)이 가능한 장점을 가지고 있는 반면 기계적 강도가 낮아 열에 의한 결정화가 일어나는 단점이 있다.
전기 발광 소자에 사용되는 유기 재료로는 저분자 유기 재료와 고분자 유기 재료로 나뉘어진다. 저분자 유기 재료로는 디아민, TPD 등 디아민 유도체, 페릴렌 테트라카르복실산 유도체, 옥사디아졸 유도체, 1,1,4,4-테트라페닐-1,3-부타디엔(TPB) 등이 있다.
최근 고분자 주쇄에 있는 π-전자 파동함수의 중첩에 의하여 에너지 준위가 전도대와 가전도대로 분리되고 그 에너지 차이에 해당하는 밴드 갭(band gap) 에너지에 의하여 고분자의 반도체적인 성질을 나타내는 π-전자 공액 고분자에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 전자 주게 부분으로 트리페닐아민기를 가지고 전자 받게 부분으로 옥시디아졸을 가지는 발광 화합물 등이 알려져 있다(Tamoto, N.; Adachi,C; Nagai, K. Chem. Mater. 1997, 9, 1077).
상기와 같이 한 분자내에 전자 주게 부분과 전자 받게 부분을 모두 포함하고 있어 EL 소자의 정공 수송층과 전자 수송층에 모두 적용될 수 있는 화합물을 바이폴라(bipolar) 화합물이라 하는데 본 발명은 상기의 고분자 화합물과는 달리 저분자 바이폴라 화합물에 관한 것이다. 유기 전기 발광 소자의 경우 박막 제조방법으로 증착법이 사용되고 있기 때문에 저분자 화합물을 적용하는 것이 고분자 화합물을 적용하는 것보다 균일한 박막을 얻을 수 있으며 휘도와 발광효율이 우수하다.
본 발명의 목적은 EL 특성 및 필름 가공 특성이 우수한 전기 발광 소자용 저분자 발색 화합물을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 다른 목적은 전기 발광 소자의 발광층, 정공 수송층 및 전자 수송층 모두에 적용될 수 있는 전기 발광 소자용 저분자 발색 화합물을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 낮은 전압에서 구동되며, 다양한 색상 구현이 가능하고, 응답속도가 빠른 전기 발광 소자를 제공하기 위한 것이다.
도 1은 실시예 2의 3,6-비스(α-시아노스티릴)-N-헥실카바졸에 대한1H-NMR 스펙트럼을 나타낸 도면.
도 2는 실시예 1의 비스(3-N-에틸카바졸릴)시아노테레프탈리덴의 UV-Vis 스펙트럼과 PL 스펙트럼을 나타낸 도면.
도 3은 실시예 2의 3,6-비스(α-시아노스티릴)-N-헥실카바졸에 대한 UV-Vis 스펙트럼을 나타낸 도면.
도 4a는 실시예 1의 비스(3-N-에틸카바졸릴)시아노테레프탈리덴을 포함하는 발광 다이오드(ITO/BECCP/Al)에 대한 EL 스펙트럼이고,
도 4b는 실시예 2의 3,6-비스(α-시아노스티릴)-N-헥실카바졸을 포함하는 발광 다이오드의 EL 스펙트럼을 나타낸 도면.
도 5는 실시예 1의 비스(3-N-에틸카바졸릴)시아노테레프탈리덴을 포함하는 발광 다이오드(ITO/BECCP/Al)의 I-V 특성을 나타낸 도면.
본 발명은 상기한 목적을 달성하기 위하여 하기와 같은 구성을 갖는다.
본 발명의 저분자 발색 화합물은 EL 소자의 발광층, 정공 수송층 및 전자 수송층에 모두 적용될 수 있는 유기 화합물이다. 상기 화합물은 전자를 공여하는 카바졸과 전자를 수용하는 시아노기를 포함하는 것으로 양쪽에 카바졸이 위치하고 중앙에 시아노기가 위치하는 카바졸-시아노기-카바졸 또는 양쪽에 시아노기가 위치하고 중앙에 카바졸이 위치한 시아노기-카바졸-시아노기의 구성을 가진다. 이들 화합물의 구체적인 예로는 비스(3-N-카바졸릴)시아노테레프탈리덴, 3,6-비스(α-시아노스티릴)-N-카바졸 또는 이들의 치환 유도체가 있다. 상기 화합물은 각각 하기 화학식 1과 2로 나타내어진다.
화학식 1
화학식 2
상기 화학식 1과 2에서 R은 H, C1∼C20의 알킬기, 알케닐기, 아릴기, 아릴알킬기, 알킬아릴기, 시클로알킬기 또는 헤테로시클로알킬기이다. 본 발명에서 발색 화합물의 치환기는 결정화도, 열적안정성, 용해성 등 필요한 물성을 얻기 위하여 조절될 수 있다.
상기 화학식 1의 비스(3-N-카바졸릴)시아노테레프탈리덴 유도체는 하기 반응식 1에 나타낸 바와 같이 3-카바졸카르복스알데히드 유도체와 1,4-페닐렌디아세토니트릴을 2:1의 몰비로 소듐에톡사이드/에탄올/클로로포름의 존재하에서 축합반응시켜 제조된다(Knoevenagel condensation reaction).
상기 화학식 2의 3,6-비스(α-시아노스티릴)-N-카바졸 유도체는 하기 반응식 2에 나타낸 바와 같이 3,6-카바졸카르복스디알데히드 유도체와 벤질시아나이드를 1:2의 몰비로 소듐에톡사이드/에탄올/클로로포름 또는 t-부톡시칼륨/테트라하이드로퓨란의 존재하에서 축합반응시켜 제조된다(Knoevenagel condensation reaction).
본 발명에 따른 상기 저분자 발색 화합물은 일함수가 큰 ITO(산화인듐주석)으로 되어 있는 정공을 주입하는 양극과 알루미늄, 구리, 은, 칼슘, 인듐, 금, 마그네슘 등과 같은 다양한 일함수의 금속 및 마그네슘과 음의 합금, 알루미늄과 리튬의 합금으로 되어 있는 전자를 주입하는 음극 사이에 적용된다.
[실시예]
다음은 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 제시한다. 그러나 하기의 실시예들은 본 발명을 보다 쉽게 이해하기 위하여 제공되는 것일 뿐 본 발명이 하기의 실시예에 한정되는 것은 아니다.
실시예 1
비스(3,6-N-에틸카바졸릴)시아노테레프탈리덴의 제조
100ml의 플라스크에 2.86g(12.8m㏖)의 9-에틸-3-카바졸카르복스알데히드 (Aldrich사 제품)와 1.0g(6.4m㏖)의 1,4-페닐렌디아세토니트릴 (Aldrich사 제품)을 넣은 다음 4:1로 혼합된 80ml의 CH3Cl/EtOH을 질소 분위기하에서 유지시켰다. 이 혼합물에 0.24ml의 소듐 에톡사이드를 적하시키면서 교반하였다. 반응이 진행됨에 따라 반응 혼합물의 색은 엷은 노란색에서 오렌지색으로 변하였다. 약 4시간 동안 교반한 후에 1N의 HCl(aq) 10ml를 천천히 첨가하여 오렌지색 고체를 얻었다. 오렌지색 고체를 여과분리하고 50ml의 증류수로 세척한 다음 뜨거운 에탄올(95%, 50mlx4)로 세척하여 미반응된 반응물을 제거하였다. 생성물의 수율은 80% 이상이었고 매우 안정된 형태를 보였다.
실시예 2
3,6-비스(α-시아노스티릴)-N-헥실카바졸의 제조
100ml의 플라스크에 0.5g(1.627 mmol)의 9-헥실-3,6-카바졸카르복스디알데히드와 0.413ml(3.58 mmol, 2.2 eq)의 벤질시아나이드(Aldrich사 제품)를 넣은 다음 50ml의 테트라하이드로퓨란을 넣고 질소 분위기하에서 50℃로 유지시켰다. 이 혼합물에 10 mol%(1M THF 용액)의 t-부톡시칼륨을 적하시키면서 교반하였다. 상기 9-헥실-3,6-카바졸카르복스디알데히드는 N,N-디에틸포름아미드와 1,2-디클로로에탄에 포스포릴 클로라이드를 적하시켜 제조한 것을 사용하였다. 반응이 진행됨에 따라 반응 혼합물의 색은 엷은 노란색에서 오렌지색으로 변하였다. 약 4시간 동안 교반한 후에 1N의 HCl(aq) 10ml를 천천히 첨가하여 오렌지색 고체를 얻었다. 오렌지색 고체를 여과분리하고 50ml의 증류수로 세척한 다음 뜨거운 에탄올(95%, 50mlx4)로 세척하여 미반응된 반응물을 제거하였다. 생성물의 수율은 80% 이상이었고 매우 안정된 형태를 보였다.
발색 화합물의 구조 확인
실시예 1의 비스(3,6-N-에틸카바졸릴)시아노테레프탈리덴의1H-NMR 스펙트럼과 FT-IR(KBr pellet)을 측정한 결과는 다음과 같다.
1H-NMR(DMSO-d6)δ1.37(t,6H,2CH3-), 4.35(4H,2-CH2-N), 7.31-8.95(m,20H, 방향족환 수소 및 비닐기 수소).
FT-IR(㎝-1) 2209(vC≡N, 니트릴), 1586, 1486(vC=C, 방향족환), 808(평면에위치하지 않은 방향족환).
실시예 2의 3,6-비스(α-시아노스티릴)-N-헥실카바졸의1H-NMR 스펙트럼의 결과는 다음과 같으며 도 1에 도시되어 있다.
1H-NMR(DMSO-d6)δ0.88(t,3H,CH3-), 1.34(m,6H,(CH2)3), 1.90(q,2H, -N-CH2(a)CH2(b)-AC(b)), 4.33(t,2H,-N-CH2), 7.58-8.64(m,18H, 방향족환 수소 및 비닐기 수소).
실시예 1의 비스(3,6-N-에틸카바졸릴)시아노테레프탈리덴의 UV-Vis 스펙트럼과 PL 스펙트럼은 도 2에 나타내었다. UV-Vis 스펙트럼에 의하면 385nm에서 흡광 밴드를 보였으며 이 밴드는 컨쥬게이트된 이중 결합의 π→π*전이에 의한 것으로 보인다. PL 스펙트럼에 의하면 들뜸 파장(excitation wavelength)이 380nm인 경우 발광색의 최대 파장은 480nm로 청색 파장을 나타내었다. 이것은 2.58eV의 양자 에너지에 해당되며, 이 화합물의 밴드 갭 에너지는 2.84eV이었다. 실시예 2의 3,6-비스(α-시아노스티릴)-N-헥실카바졸의 UV-Vis 스펙트럼은 도 3과 같으며 400nm에서 흡광 밴드를 보였다.
전기 발광 소자의 제조
실시예 1에 따라 제조된 비스(3,6-N-에틸카바졸릴)시아노테레프탈리덴을 ITO 위에 1×10-6torr하에서 0.5Å/sec의 속도로 진공증착시켜 4㎟의 면적 및 300∼600Å의 두께를 가지는 발광층을 형성시켰다. 이 박막 위에 알루미늄 금속을 진공증착시켜 단일층의 발광 다이오드를 제조하였다. 증착시 막 두께 및 막의 성장 속도는 막 두께 모니터를 이용하여 조절하였다. 전자현미경으로 조사해 본 결과 발색 화합물의 발광층은 우수한 필름 표면 특성을 나타내었다. 실시예 2의 3,6-비스(α-시아노스티릴)-N-헥실카바졸에 대해서도 상기 실시예 1의 화합물과 동일한 방법으로 발광 다이오드를 제조하였다. 또한 상기 실시예 1과 2의 화합물을 증착시켜 형성된 층위에 Alq3를 연속증착하여 ITO/BECCP/Alq3/Al의 다층막 소자도 제작하였다.
전기 발광 소자의 특성조사
상기와 같이 제조된 전기 발광 소자에 전기장을 걸어주어 발광 다이오드 특성을 측정하였다. 실시예 1의 화합물을 발광층(600Å)으로 적용시킨 발광 다이오드(ITO/BECCP/Al)에 대한 EL 스펙트럼(구동전압 12V)은 도 4a에 도시하였다. 발광색의 최대 파장은 480nm로 청색 파장을 나타내었다. 실시예 2의 화합물을 포함하는 발광 다이오드에 대한 EL 스펙트럼(구동전압 20V)은 도 4b에 나타낸 바와 같다. 발광색의 최대파장은 480nm으로 청색 파장을 나타내었다. 실시예 1의 화합물을 포함하는 발광 다이오드(ITO/BECCP/Al)의 I-V 특성을 측정하여 도 5에 나타내었다. 도 5의 곡선중 (a)와 (b)는 발광층의 두께가 각각 300Å 및 600Å인 발광 다이오드의 I-V 특성에 해당된다. 턴-온(turn-on) 전압은 발광층의 두께가 600Å인 경우 8V이었고 두께를 300Å으로 줄이면 4V로 낮아졌다. 이것은 종래에 사용되는 발색 화합물보다 낮은 수치이다. 또한 ITO/BECCP/Alq3/Al의 다층막소자의 경우 10V에서1000cd/m2의 높은 휘도를 나타내어 고효율용 다층막 EL소자에 응용가능함을 보여주었다.
비교예
종래의 저분자 발색 화합물로 사용되고 있는 1,1,4,4-테트라페닐-1,3-부타디엔(TPB)를 ITO 양극과 Al 음극 사이에 넣고 전기장을 걸어주어 발광 다이오드 특성을 측정하였다. 발광색의 최대파장은 460nm으로 청색 파장을 나타내었고 발광층의 두께를 600Å으로 제조한 경우 턴-온 전압은 10V이었다.
본 발명의 전기 발광 소자용 유기 화합물은 전자 주게 부분인 카바졸과 전자 받게 부분인 시아노기를 포함하고 있어 발광층, 정공 수송층, 및 전자 수송층 모두에 적용될 수 있다. 상기 저분자 발색 화합물로 전기 발광 소자에 적용될 경우 낮은 전압에서 구동될 수 있으며, 다양한 색상 구현이 가능하고, 응답속도가 빠르며, 필름 가공 특성이 우수하다. 또한 본 발명의 발색 화합물은 저분자로 되어 있어 박막 제조에 유리하고, 휘도와 발광효율이 우수하다.
본 발명의 단순한 변형 또는 변경은 모두 이 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의하여 용이하게 실시될 수 있으며 이러한 변형이나 변경은 모두 본 발명의 영역에 포함되는 것으로 볼 수 있다.
Claims (8)
- (삭제)
- (삭제)
- (삭제)
- (삭제)
- (정정) 3-카바졸카르복스알데히드 유도체와 1,4-페닐렌디아세토니트릴을 2:1의 몰비로 소듐에톡사이드/에탄올/클로로포름의 존재하에서 축합반응시켜 제조되는 하기 화학식 1을 가지는 저분자 전기 발광 소자용 화합물의 제조방법:화학식 1상기 식에서 R은 H, C1∼C20의 알킬기, 알케닐기, 아릴기, 아릴알킬기, 알킬아릴기, 시클로알킬기 또는 헤테로시클로알킬기임.
- (정정) 3,6-카바졸카르복스디알데히드 유도체와 벤질시아나이드를 1:2의 몰비로 소듐에톡사이드/에탄올/클로로포름 또는 t-부톡시칼륨/테트라하이드로퓨란의 존재하에서 축합반응시켜 제조되는 하기 화학식 2를 가지는 저분자 전기 발광 소자용 화합물의 제조방법:화학식 2상기 식에서 R은 H, C1∼C20의 알킬기, 알케닐기, 아릴기, 아릴알킬기, 알킬아릴기, 시클로알킬기 또는 헤테로시클로알킬기임.
- (정정) 하기 화학식 1을 가지는 저분자 발색 화합물을 포함하는 저분자 전기 발광 소자:화학식 1상기 식에서 R은 H, C1∼C20의 알킬기, 알케닐기, 아릴기, 아릴알킬기, 알킬아릴기, 시클로알킬기 또는 헤테로시클로알킬기임.
- (정정) 하기 화학식 2를 가지는 저분자 발색 화합물을 포함하는 저분자 전기 발광 소자:화학식 2상기 식에서 R은 H, C1∼C20의 알킬기, 알케닐기, 아릴기, 아릴알킬기, 알킬아릴기, 시클로알킬기 또는 헤테로시클로알킬기임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019990019863A KR100318381B1 (ko) | 1999-05-31 | 1999-05-31 | 저분자 발색 화합물을 포함하는 저분자 전기 발광 소자 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019990019863A KR100318381B1 (ko) | 1999-05-31 | 1999-05-31 | 저분자 발색 화합물을 포함하는 저분자 전기 발광 소자 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20000075335A KR20000075335A (ko) | 2000-12-15 |
| KR100318381B1 true KR100318381B1 (ko) | 2001-12-22 |
Family
ID=19588946
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019990019863A KR100318381B1 (ko) | 1999-05-31 | 1999-05-31 | 저분자 발색 화합물을 포함하는 저분자 전기 발광 소자 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100318381B1 (ko) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3983037B2 (ja) | 2001-11-22 | 2007-09-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置およびその作製方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980026046A (ko) * | 1996-10-07 | 1998-07-15 | 손욱 | 전기발광 표시소자용 발색 화합물 |
-
1999
- 1999-05-31 KR KR1019990019863A patent/KR100318381B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980026046A (ko) * | 1996-10-07 | 1998-07-15 | 손욱 | 전기발광 표시소자용 발색 화합물 |
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|---|---|
| KR20000075335A (ko) | 2000-12-15 |
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