JP2003152028A - 電子部品の実装方法及びその装置 - Google Patents

電子部品の実装方法及びその装置

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 回路基板と電子部品を接合する際に、基板ス
テージと圧着ツールの平行を保つことができる電子部品
の実装方法及びその装置を提供する。 【解決手段】 加熱しながら、電子部品1を保持した圧
着部材9を支持部材6に向けて移動させて、上記支持部
材6上の基板4に、上記圧着部材9に保持された上記電
子部品1を圧着させるとともに、流体による加圧により
支持部材6の基板載置面と圧着部材9の先端面とが大略
平行な状態に維持される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子回路用プリン
ト基板などの回路基板に、電子部品例えばICチップや
表面弾性波(SAW)デバイス、CSP(チップサイズ
パッケージ)、MCMモジュール(マルチチップモジュ
ール)、高周波モジュールなどを個別(ICチップの場
合にはベアIC)状態で実装する回路基板への電子部品
の実装方法及びその装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】今日、電子回路基板は、あらゆる製品に
使用されるようになり、日増しにその性能が向上し、回
路基板上で用いられる周波数も高くなっており、インピ
ーダンスが低くなるフリップチップ実装は高周波を使用
する電子機器に適した実装方法となっている。また、携
帯機器の増加から、回路基板にICチップをパッケージ
ではなく裸のまま搭載するフリップチップ実装が求めら
れている。このため、ICチップそのまま単体で回路基
板に搭載したときのICチップや、電子機器及びフラッ
トパネルディスプレイへ実装したICチップには、一定
数の不良品が混在している。また、上記フリップチップ
以外にもCSP(Chip Size Package)、BGA(Ball
Grid Array)、MCM(Multi Chip Module)実装等が
用いられるようになってきている。
【0003】従来の電子機器の回路基板へICチップを
接合する方法(従来例1)としては特公平06−663
55号公報等により開示されたものがある。これを図2
6に示す。図26に示すように、バンプ73を形成した
ICチップ71にAgペースト74を転写して回路基板
76の電極75に接続した後、Agペースト74を硬化
し、その後、封止材78をICチップ71と回路基板7
6の間に流し込む方法が一般的に知られている。
【0004】また、液晶ディスプレイにICチップを接
合する方法(従来例2)として、図27及び図28に示
される特公昭62−6652号公報のように、異方性導
電フィルム80を使用するものであって、絶縁性樹脂8
3中に導電性微片82を加えて構成する異方性導電接着
剤層81をセパレータ85から剥がして基板や液晶ディ
スプレイ84のガラスに塗布し、ICチップ86を熱圧
着することによって、Auバンプ87の下以外のICチ
ップ86の下面と基板84の間に上記異方性導電接着剤
層81が介在している半導体チップの接続構造が、一般
に知られている。
【0005】このように、ICチップを接合するには、
フラットパッケージのようなICチップをリードフレー
ム上にダイボンディングし、ICチップの電極とリード
フレームをワイヤボンドしてつなぎ、樹脂成形してパッ
ケージを形成した後に、クリームハンダを回路基板に印
刷し、その上にフラットパッケージICを搭載し、リフ
ローするという工程を行うことにより、上記接合が行わ
れていた。これらのSMT(Surface Mount Technolog
y)といわれる工法では、ICをパッケージにする工程
が長く、ICチップの生産に時間を要し、また、回路基
板を小型化するのが困難であった。例えばICチップ
は、フラットパックに封止された状態では、ICチップ
の約4〜10倍程度の面積を必要とするため、小型化を
妨げる要因となっていた。
【0006】これに対し、工程の短縮と小型軽量化のた
めにICチップを裸の状態でダイレクトに基板に搭載す
るフリップチップ工法が最近では用いられるようになっ
てきた。このフリップチップ工法は、ICチップへのバ
ンプ形成、バンプレベリング、Ag・Pdペースト転写、
実装、検査、封止樹脂による封止、検査とを行うスタッ
ド・バンプ・ボンディング(SBB)工法や、ICチッ
プに高さの均等なバンプ形成と基板へのUV硬化樹脂塗
布とを並行して行い、その後、バンプ形成されたICチ
ップのUV硬化樹脂が塗布された基板への実装、UV硬
化樹脂へのUV照射によるUV硬化、検査とを行うUV
樹脂接合工法のような多くの工法が開発されている(従
来例3)。
【0007】特に、従来例2のようにACF(異方性導
電膜)を用いる方法や従来例3のようなMBB(マイク
ロバンプボンディング)などにおいては、ICチップを
圧着する工程がICチップと回路基板の接合信頼性に重
大な影響を与えることになる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】この問題点を整理する
と下記のようになる。
【0009】与えられる影響としては、 ヒートショック試験などの各種加速試験において寿
命が低下する。すなわち、信頼性が低下する。
【0010】 ICチップのバンプ(突起電極)と基
板の電極の相対位置が圧着によりずれる。
【0011】 ICチップのバンプと基板電極のアラ
イメントが機械精度以上にズレを生ずる。
【0012】これらの問題点の原因としては、圧着時の
平行度が狂っている。すなわち、圧着ツールと基板ステ
ージとの平行度調整が行われていても、実際には平行度
を完全に調整することが困難であると考えられる。
【0013】従って、本発明の目的は、上記従来の問題
点に鑑みて、回路基板と電子部品例えばICチップを接
合する際に、基板ステージと圧着ツールの平行を保つこ
とができる電子部品の実装方法及びその装置を提供する
ことにある。
【0014】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は以下のように構成する。
【0015】本発明の第1態様によれば、基板に電子部
品を載置し熱圧着する電子部品の実装方法において、流
体で加圧支持された支持部材の基板載置面上に上記基板
を載置するとともに、上記支持部材の上方に配置された
圧着部材の先端面に上記電子部品を保持し、加熱しなが
ら、上記電子部品を保持した圧着部材を上記支持部材に
向けて移動させて、上記支持部材上の上記基板に、上記
圧着部材に保持された上記電子部品を圧着させるととも
に、上記流体による加圧により上記支持部材の上記基板
載置面と上記圧着部材の上記先端面とが大略平行な状態
に維持されるようにしたことを特徴とする電子部品の実
装方法を提供する。
【0016】本発明の第2態様によれば、剛体である上
記支持部材は、支持枠と上記支持部材との間を密閉して
上記支持枠に上記支持部材を支持するゴム状の弾性体に
上記流体が作用して、上記流体による加圧により、上記
剛体の支持部材の上記基板載置面と上記圧着部材の上記
先端面とが大略平行な状態に維持されている第1の態様
に記載の電子部品の実装方法を提供する。
【0017】本発明の第3態様によれば、剛体である上
記支持部材は、筒状の金属管の片側でかつ上記流体の注
入口とは反対側に変形可能に配置された弾性膜に配置さ
れた状態で上記弾性膜に上記流体が作用して、上記流体
による加圧により、上記剛体の支持部材の上記基板載置
面と上記圧着部材の上記先端面とが大略平行な状態に維
持されている第1の態様に記載の電子部品の実装方法を
提供する。
【0018】本発明の第4態様によれば、基板に電子部
品を載置し熱圧着する電子部品の実装方法において、弾
性体で支持された支持部材の基板載置面上に上記基板を
載置するとともに、上記支持部材の上方に配置された圧
着部材の圧着部の先端面に上記電子部品を保持し、加熱
しながら、上記圧着部材の推力伝達部の半球状部が上記
圧着部に点接触して上記推力伝達部で発生した圧着用推
力を、上記電子部品を保持した上記圧着部に伝達して上
記推力伝達部に対して上記圧着部を相対的に上記支持部
材に向けてスライド移動させて上記支持部材上の上記基
板に、上記圧着部に保持された上記電子部品を圧着させ
るとともに、上記弾性体により支持された上記支持部材
の上記基板載置面と上記圧着部の上記先端面とが大略平
行な状態に維持されるようにしたことを特徴とする電子
部品の実装方法を提供する。
【0019】本発明の第5態様によれば、上記支持部材
上の上記基板に、上記圧着部材に保持された上記電子部
品を圧着させるとき、上記圧着部材に保持された上記電
子部品が上記基板に当接する前に基板押さえが上記基板
に当接して上記基板押さえにより上記基板を上記支持部
材に押さえ付けて上記基板の反りを減少させたのち、上
記支持部材上の上記基板に、上記圧着部材に保持された
上記電子部品を圧着させる第1〜4のいずれか1つの態
様に記載の電子部品の実装方法を提供する。
【0020】本発明の第6態様によれば、上記支持部材
上の上記基板に、上記圧着部材に保持された上記電子部
品を圧着させるとき、上記圧着部材に保持された上記電
子部品が上記基板に当接する前に、基板押さえが上記基
板の上記電子部品を装着する部位付近を上記支持部材と
の間で挟み込むことにより上記基板を上記支持部材に押
さえ付けて上記基板の反りを減少させたのち、上記支持
部材上の上記基板に、上記圧着部材に保持された上記電
子部品を圧着させる第1〜4のいずれか1つの態様に記
載の電子部品の実装方法を提供する。
【0021】本発明の第7態様によれば、上記支持部材
上の上記基板に、上記圧着部材に保持された上記電子部
品を圧着させるとき、圧着前に、シート状の封止材又は
異方性導電膜を、ベースフィルムが上記電子部品側に位
置するように上記基板に加熱して貼り付け、次いで、冷
却用気体を上記シート状の封止材又は異方性導電膜に吹
付けて上記シート状の封止材又は異方性導電膜を冷却
し、次いで、上記シート状の封止材又は異方性導電膜か
ら上記ベースフィルムを剥離させ、次いで、上記シート
状の封止材又は異方性導電膜が上記基板に貼り付けられ
た状態で、上記支持部材上の上記基板に、上記圧着部材
に保持された上記電子部品を圧着させる第1〜6のいず
れか1つの態様に記載の電子部品の実装方法を提供す
る。
【0022】本発明の第8態様によれば、上記支持部材
上の上記基板に、上記圧着部材に保持された上記電子部
品を圧着させるとき、上記圧着部材が上記電子部品を吸
着しながら、上記電子部品と上記基板を上記圧着部材に
より圧着する第1〜7のいずれか1つの態様に記載の電
子部品の実装方法を提供する。
【0023】本発明の第9態様によれば、上記支持部材
上の上記基板に、上記圧着部材に保持された上記電子部
品を圧着させるとき、上記上記支持部材が上記基板を吸
着しながら、上記電子部品と上記基板を上記圧着部材に
より圧着する第1〜8のいずれか1つの態様に記載の電
子部品の実装方法を提供する。
【0024】本発明の第10態様によれば、上記シート
状の封止材又は異方性導電膜を、上記ベースフィルムが
上記電子部品側に位置するように上記基板に加熱して貼
り付けるとき、貼り付け部材が上記シート状の封止材又
は異方性導電膜を吸着しながら、上記上記シート状の封
止材又は異方性導電膜を上記貼り付け部材により貼り付
ける第7の態様に記載の電子部品の実装方法を提供す
る。
【0025】本発明の第11態様によれば、基板にIC
チップを載置し熱圧着する電子部品の実装装置におい
て、上記基板を載置する基板載置面を有しかつ流体で加
圧支持された支持部材と、先端面に上記電子部品を保持
しかつ上記支持部材の上方に配置された圧着部材とを備
えて、加熱しながら、上記電子部品を保持した圧着部材
を上記支持部材に向けて移動させて、上記支持部材上の
上記基板に、上記圧着部材に保持された上記電子部品を
圧着させるとともに、上記流体による加圧により上記支
持部材の上記基板載置面と上記圧着部材の上記先端面と
が大略平行な状態に維持されるように、上記支持部材は
上記流体で加圧支持されるようにしたことを特徴とする
電子部品の実装装置を提供する。
【0026】本発明の第12態様によれば、支持枠と、
上記支持枠と剛体である上記支持部材との間を密閉して
上記支持枠に上記支持部材を支持して上記流体が作用す
るゴム状の弾性体とをさらに備えて、上記剛体の支持部
材の上記基板載置面と上記圧着部材の上記先端面とが大
略平行な状態に維持されるように、上記ゴム状の弾性体
に上記流体が作用することにより、上記支持部材が上記
流体で加圧支持されるようにした第11の態様に記載の
電子部品の実装装置を提供する。
【0027】本発明の第13態様によれば、筒状の金属
管と、上記金属管の片側でかつ上記流体の注入口とは反
対側に変形可能に配置されかつ剛体である上記支持部材
が配置された弾性膜とをさらに備えて、上記剛体の支持
部材の上記基板載置面と上記圧着部材の上記先端面とが
大略平行な状態に維持されるように、上記弾性膜に上記
流体が作用することにより、上記支持部材が上記流体で
加圧支持されるようにした第11の態様に記載の電子部
品の実装装置を提供する。
【0028】本発明の第14態様によれば、基板に電子
部品を載置し熱圧着する電子部品の実装装置において、
弾性体と、上記基板を載置する基板載置面を有するとと
もに上記弾性体で支持された支持部材と、上記支持部材
の上方に配置され、かつ、先端面に上記電子部品を保持
する圧着部と、半球状部が上記圧着部に点接触しかつ発
生させた圧着用推力を上記圧着部に伝達して上記圧着部
を相対的に上記支持部材に向けてスライド移動させる推
力伝達部とを有する圧着部材とを備えて、加熱しなが
ら、上記圧着部材の上記推力伝達部の上記半球状部が上
記圧着部に点接触して上記推力伝達部で発生した上記圧
着用推力を、上記電子部品を保持した上記圧着部に伝達
して上記推力伝達部に対して上記圧着部を相対的に上記
支持部材に向けてスライド移動させて上記支持部材上の
上記基板に、上記圧着部に保持された上記電子部品を圧
着させるとともに、上記弾性体により支持された上記支
持部材の上記基板載置面と上記圧着部の上記先端面とが
大略平行な状態に維持されるように、上記支持部材は上
記弾性体で加圧支持されるようにしたことを特徴とする
電子部品の実装装置を提供する。
【0029】本発明の第15態様によれば、上記基板に
当接して上記基板を上記支持部材に押さえ付けて上記基
板の反りを減少させる基板押さえをさらに備えて、上記
支持部材上の上記基板に、上記圧着部材に保持された上
記電子部品を圧着させるとき、上記圧着部材に保持され
た上記電子部品が上記基板に当接する前に上記基板押さ
えが上記基板に当接して上記基板押さえにより上記基板
を上記支持部材に押さえ付けて上記基板の反りを減少さ
せたのち、上記支持部材上の上記基板に、上記圧着部材
に保持された上記電子部品を圧着させる第11〜14の
いずれか1つの態様に記載の電子部品の実装装置を提供
する。
【0030】本発明の第16態様によれば、上記圧着部
材一体的に昇降可能でかつ上記基板に当接して上記基板
を上記支持部材に押さえ付けて上記基板の反りを減少さ
せる基板押さえをさらに備えて、上記支持部材上の上記
基板に、上記圧着部材に保持された上記電子部品を圧着
させるとき、上記圧着部材に保持された上記電子部品が
上記基板に当接する前に上記基板押さえが上記基板に当
接して上記基板押さえにより上記基板を上記支持部材に
押さえ付けて上記基板の反りを減少させたのち、上記支
持部材上の上記基板に、上記圧着部材に保持された上記
電子部品を圧着させる第11〜14のいずれか1つの態
様に記載の電子部品の実装装置を提供する。
【0031】本発明の第17態様によれば、上記基板の
上記電子部品を装着する部位付近を上記支持部材との間
で挟み込むことにより上記基板を上記支持部材に押さえ
付けて上記基板の反りを減少させる基板押さえをさらに
備えて、上記支持部材上の上記基板に、上記圧着部材に
保持された上記電子部品を圧着させるとき、上記圧着部
材に保持された上記電子部品が上記基板に当接する前
に、上記基板押さえが上記基板の上記電子部品を装着す
る部位付近を上記支持部材との間で挟み込むことにより
上記基板を上記支持部材に押さえ付けて上記基板の反り
を減少させたのち、上記支持部材上の上記基板に、上記
圧着部材に保持された上記電子部品を圧着させる第11
〜14のいずれか1つの態様に記載の電子部品の実装装
置を提供する。
【0032】本発明の第18態様によれば、シート状の
封止材又は異方性導電膜を、ベースフィルムが上記電子
部品側に位置するように上記基板に加熱して貼り付ける
貼り付け部材と、冷却用気体を上記シート状の封止材又
は異方性導電膜に吹付けて上記シート状の封止材又は異
方性導電膜を冷却する冷却用気体供給管とをさらに備え
て、上記支持部材上の上記基板に、上記圧着部材に保持
された上記電子部品を圧着させるとき、圧着前に、上記
貼り付け部材により上記シート状の封止材又は異方性導
電膜を、上記ベースフィルムが上記電子部品側に位置す
るように上記基板に加熱して貼り付けたのち、上記冷却
用気体供給管により上記冷却用気体を上記シート状の封
止材又は異方性導電膜に吹付けて上記シート状の封止材
又は異方性導電膜を冷却し、次いで、上記シート状の封
止材又は異方性導電膜から上記ベースフィルムを剥離さ
せたのち、上記シート状の封止材又は異方性導電膜が上
記基板に貼り付けられた状態で、上記支持部材上の上記
基板に、上記圧着部材に保持された上記電子部品を圧着
させる第11〜17のいずれか1つの態様に記載の電子
部品の実装装置を提供する。
【0033】本発明の第19態様によれば、上記圧着部
材は上記電子部品を吸着する吸引穴を有して、上記支持
部材上の上記基板に、上記圧着部材に保持された上記電
子部品を圧着させるとき、上記圧着部材が上記電子部品
を吸着しながら、上記電子部品と上記基板を上記圧着部
材により圧着する第11〜18のいずれか1つの態様に
記載の電子部品の実装装置を提供する。
【0034】本発明の第20態様によれば、上記支持部
材は上記基板を吸着する吸引穴を有して、上記支持部材
上の上記基板に、上記圧着部材に保持された上記電子部
品を圧着させるとき、上記上記支持部材が上記基板を吸
着しながら、上記電子部品と上記基板を上記圧着ツール
により圧着する第11〜18のいずれか1つの態様に記
載の電子部品の実装装置を提供する。
【0035】本発明の第21態様によれば、上記シート
状の封止材又は異方性導電膜を吸着しながら、上記上記
シート状の封止材又は異方性導電膜を貼り付ける貼り付
け部材をさらに備えて、上記シート状の封止材又は異方
性導電膜を、上記ベースフィルムが上記電子部品側に位
置するように上記基板に加熱して貼り付けるとき、上記
貼り付け部材が上記シート状の封止材又は異方性導電膜
を吸着しながら、上記上記シート状の封止材又は異方性
導電膜を上記貼り付け部材により貼り付ける第18の態
様に記載の電子部品の実装装置を提供する。
【0036】
【発明の実施の形態】以下に、本発明にかかる実施の形
態を図面に基づいて詳細に説明する。
【0037】(第1実施態様)本発明の第1実施形態に
かかる電子部品の実装方法は、図1に示すように、基板
4を流体圧を利用して支持することにより基板4で自動
的に傾き調整可能として、電子部品例えばICチップ1
の回路基板4への熱圧着作業時に、ICチップ1と基板
4の平行度が常にある一定範囲に維持されるようにする
ものである。
【0038】ICチップ1を搭載及び熱圧着される基板
4は基板保持装置5上に載置される。
【0039】上記基板保持装置5は、図1に示すよう
に、支持部材一例であるステージ6と剛性の支持枠7と
ゴム状の弾性体8とを備えている。上記剛性の支持枠7
は、剛性材料より例えば四角筒状に構成され、その上部
の内部にステージ6が配置されている。上記ステージ6
は、比較的硬度のある(ICチップなどの電子部品1の
基板4への熱圧着作業に耐え得る程度の硬度を有する)
金属、ガラスなどより構成されて、上面である基板載置
面に基板4を載置する。上記ステージ6の周囲に配置さ
れて上記ステージ6と支持枠7との間を密閉して上記支
持枠7に上記ステージ6を支持するゴム状の弾性体8が
配置され、かつ、支持枠内部側から空気などの気体又は
液体などの流体を加圧作用させて、ステージ6を流体圧
力で支持するようにしている。必要に応じて、ステージ
6に吸引穴6aを形成して吸引穴6aに吸引管を接続し
て吸引動作により基板4をステージ6に吸着保持できる
ようにしてもよい。
【0040】一方、上記ステージ6の上方には、ステー
ジ6に対して駆動シリンダなどの駆動装置10により昇
降可能な熱圧着ツール9が配置されている。熱圧着ツー
ル9はその下端部が筒状に形成され、図示しない吸引装
置により筒内の吸引穴9aを吸引することにより、下端
部の下端面にICチップ1を吸着保持可能としている。
【0041】上記基板保持装置5としては、図1の構造
の代わりに、任意の形状の筒状の剛性部材例えば金属管
の片側であって流体注入口の反対面に、変形可能な膜を
貼付けて構成するようにしてもよい。このような装置で
は、上記膜の上又は上記膜の中心部に配置された比較的
硬度のある金属、ガラスなどより構成されるステージ6
の上に基板4が搭載され、この筒の内部に流体注入口か
ら気体又は液体を満たして、ステージ6を図1の装置と
同様に加圧支持するようにすることもできる。
【0042】上記図1の構成にかかる上記基板保持装置
5において、まず、ステージ6の基板載置面に基板4を
載置する。一方、熱圧着ツール9の下端面にICチップ
1を吸着保持する。
【0043】次いで、ステージ6の基板載置面に載置さ
れた基板4に対して、熱圧着ツール9の下端面に吸着保
持されたICチップ1を押圧して、熱圧着ツール9とス
テージ6との間でICチップ1と回路基板4とを熱圧着
することにより、熱圧着ツール9の下端面と基板ステー
ジであるステージ6の基板載置面とは自動的に平行度が
調整される。すなわち、通常は、例えば、基準面に対し
て、熱圧着ツール9の下端面と基板ステージであるステ
ージ6の基板載置面とをそれぞれ平行に合わせるが、熱
圧着作業の繰り返しや熱などによる膨張などにより、図
29に示すように熱圧着ツール9の下端面(延長面H
1)と基板ステージであるステージ6の基板載置面(延
長面H2)との平行が狂った場合(延長面H3のように
狂った場合)、熱圧着ツール9とステージ6との間でI
Cチップ1と回路基板4とを熱圧着することにより、熱
圧着ツール9の下端面側から基板ステージであるステー
ジ6の基板載置面に不均一に圧力が作用することにな
り、この不均一な圧力を均一にするように、流体圧力で
支持されているステージ6が自動的に傾き修正を行い、
図1に示すように熱圧着ツール9の下端面とステージ6
の基板載置面とが大略平行な状態になるように傾き調整
が自動的に行われる。この結果、ICチップ1と基板4
の平行度は、ある一定範囲に、常に維持されるようにな
っている。
【0044】上記第1実施形態によれば、ステージ6と
支持枠7との間にゴム状の弾性体8を介在させてステー
ジ6に支持枠内部側から空気などの気体又は液体などの
流体を均一に加圧させて支持枠7に流体圧力でステージ
6を支持することができる。この結果、ステージ6の基
板載置面に基板4を載置した状態で、熱圧着ツール9に
吸着保持されたICチップ1を押圧して熱圧着すること
により、 ステージ6の基板載置面と熱圧着ツール9の
下端面、言い替えれば、基板4の上面とICチップ1の
下面とが大略平行状態を自動的に維持させることができ
て、ICチップ1と基板4の平行度を常にある一定範囲
に維持することができる。
【0045】また、圧着ツール9に吸引穴9aを設け、
圧着ツール9がICチップ1に当接する際にICチップ
1を吸着しながら、ICチップ1と基板4を圧着ツール
9,19により熱圧着するようにしているので、圧着ツ
ール9とICチップ1との間での位置ズレを確実に防止
することができる。
【0046】さらに、基板4にICチップ1を搭載及び
熱圧着する場合において、基板ステージ6に吸引穴6a
を設け、基板4を吸着しながら、ICチップ1と基板4
を圧着ツール9により熱圧着するようにしているので、
基板ステージ6と基板4との間での位置ズレを確実に防
止することができる。
【0047】(第2実施態様)本発明の第2実施形態に
かかる電子部品の実装方法は、第1実施形態とは異な
り、図2及び図3に示すように、熱圧着ツール19側で
傾き調整可能に構成するものである。なお、図2は概念
図、図3は一例としての実際の装置の斜視図である。
【0048】基板4を載置する基板保持装置15は、剛
性のあるステージ支持体17上にゴムなどの弾性体18
を載置し、さらにその上に剛性のある、支持部材一例で
ある、ステージ16を配置し、ステージ16上に基板4
を載置している。必要に応じて、ステージ16に吸引穴
を形成して吸引穴に吸引管を接続して吸引動作により基
板4をステージ16に吸着保持できるようにしてもよ
い。剛性のあるステージ支持体17と剛性のあるステー
ジ16との間に弾性体18を挟み込むことにより、ステ
ージ16の上面である基板載置面を、上記熱圧着ツール
19による熱圧着に対して少し傾き調整可能としてい
る。
【0049】一方、熱圧着ツール19は、吸引穴を有し
てICチップ1を下端面に吸着保持する圧着部19A
と、圧着部19Aの上方に配置された推力を発生しかつ
伝達して圧着部19Aを基板4に向けて押圧する推力伝
達部19Bとを備えている。
【0050】上記圧着部19Aは、ヒータ11を内蔵し
て、下端面に吸着保持したICチップ1を加熱するよう
にしている。
【0051】上記推力伝達部19Bは、上下方向沿いに
延びて下端が圧着部19Aの上面に固定されかつ基台側
に固定された案内筒14内を大略上下方向に移動案内さ
れるT字状の一対の案内ロッド13と、一対の案内ロッ
ド13の中間に上下方向沿いに配置されて下端の半球面
部12aが圧着部19Aの上面に当接され上端部分が駆
動シリンダなどの駆動装置20に連結されている駆動ロ
ッド12とを備えて、圧着部19Aと推力伝達部19B
とは、熱圧着ツール19の押圧方向に切り離されてお
り、一対の案内ロッド13の案内でスライドする機構と
なっている。よって、圧着部19Aの半球面部12aが
圧着部19Aの上面に点接触により当接するとともに、
各案内筒14内に各案内ロッド13が若干傾き可能に嵌
合されているため、推力伝達部19Bの駆動軸である上
下方向に対して圧着部19Aが若干傾くことができ、圧
着部19Aの下端面とステージ16の基板載置面との平
行が狂っていても、ICチップ1と基板4を熱圧着ツー
ル19とステージ16とにより熱圧着することにより、
ステージ16の基板載置面と熱圧着ツール19の下端
面、言い替えれば、基板4の上面とICチップ1の下面
とが大略平行状態を自動的に維持させることができて、
ICチップ1と基板4の平行度を常にある一定範囲に維
持することができる。
【0052】なお、図2においては、基板4とICチッ
プ1との間に、熱圧着接合後の基板4とICチップ1と
の間を耐湿性などを高めるために密封する封止材より構
成される封止材シート2が挟み込まれる状態を示してい
る。このような封止材シート2を基板4とICチップ1
との間に挟み込む場合には、上記基板4とICチップ1
との平行度が狂いやすいため、上記第2実施態様は特に
有効である。
【0053】上記第2実施態様によれば、熱圧着ツール
19を、ICチップ1を下端面に吸着保持する圧着部1
9Aと、圧着部19Aの上方に配置された推力を発生し
かつ伝達して熱圧着ツールを押圧する推力伝達部19B
とより構成して、圧着部19Aを推力伝達部19Bに対
して点接触させることにより、推力伝達部19Bに対し
て圧着部19Aを上下方向に対して若干傾き可能とする
とともに、弾性体18上に配置されたステージ16も上
下方向に対して若干傾き可能として、ステージ16上の
基板4と熱圧着ツール19の下端面のICチップ1との
平行が狂った場合、熱圧着ツール19とステージ16と
の間でICチップ1と回路基板4とを熱圧着することに
より、熱圧着ツール19の下端面側からステージ16の
基板載置面に不均一に圧力が作用することになり、この
不均一な圧力を均一にするように、推力伝達部19Bに
対して圧着部19Aを傾斜させるか、弾性体18により
ステージ16を傾斜させるか、又は、その両者を傾斜さ
せるかして自動的に傾き修正を行い、熱圧着ツール19
の下端面とステージ16の基板載置面とが大略平行な状
態になるように傾き調整が自動的に行うことができる。
【0054】(第3実施態様)本発明の第3実施形態に
かかる電子部品の実装方法は、熱圧着ツール9,19と
は別体に備えた基板押さえ30により、熱圧着前に予め
基板4を押さえ付けて反りを少なくした状態で熱圧着動
作を行うものである。図4に示すように、基板4に反り
がある状態でICチップ1の熱圧着を行うと、ICチッ
プ1と基板4との間で位置ズレが生じてしまい、精度良
く熱圧着を行うことができないことから、これを防止で
きるようにしたものが第3実施形態である。
【0055】熱圧着ツール9,19の近傍に、熱圧着ツ
ール9,19がICチップ1に当接するより前に基板4
に当接するような長さに調整され、かつ、付勢された基
板押さえ30を、熱圧着ツール9,19とは別体に、具
備している。基板押さえ30は、少なくとも熱圧着ツー
ル9,19の両側に一対配置されて、基端部30aと、
下端面に平面を有する先端押圧部30bと、基端部30
aと先端押圧部30bとの間に配置されたバネ30cと
を備えて、基端部30aに対して先端押圧部30bをバ
ネ30cの付勢力で基板4に押し付けるようにしてい
る。基端部30aは棒状又は枠状に構成され、先端押圧
部30bも棒状又は枠状に構成されている。
【0056】このような構成においては、基板押さえ3
0により基板4を基板保持装置5,15のステージ6,
16に押さえ付けて基板4の反りを減少させたのち、I
Cチップ1と基板4を熱圧着ツール9,19により熱圧
着することにより、基板4の反りが減少した状態でIC
チップ1と基板4とを熱圧着するようにしている。
【0057】1つの具体例を図6及び図7に示す。この
例は、図8に示すように基板4上にICチップ1が規則
正しく熱圧着させる場合に対応するものであって、先端
押圧部30bが多数のICチップ挿入用穴30dを有す
る枠体より構成されており、複数のICチップ1の熱圧
着作業中に基板押さえ30を移動させることなく基板反
りを減少させることができるものである。そして、ステ
ージ6,16に形成された吸引穴31により基板4をス
テージ6,16に吸着保持したのち、枠体より構成され
た先端押圧部30bを基板4上に当接させてバネ30c
の付勢力により基板4をステージ6,16に向けて押圧
して基板4の反りを減少させる。この状態で、ICチッ
プ1と基板4を熱圧着ツール9,19により熱圧着す
る。このICチップ挿入用穴30dは基板4上のICチ
ップ1の熱圧着位置に対応するものであり、基板4上で
複数のICチップ1が図8のように整列されずに不規則
に配置されいても、その不規則な配列に対応してICチ
ップ挿入用穴30dを形成すれば、本実施形態を適用す
ることができる。
【0058】また、別の具体例を図9に示す。この例で
は、先端押圧部30bが1つのICチップ1に対応する
ものであり、汎用性の高いものである。先端押圧部30
bはコ字状の枠体30fより構成され、その切欠空間3
0gをICチップ挿入用穴とするものである。この例で
も、先の例と同様に、ステージ6,16に形成された吸
引穴31により基板4をステージ6,16に吸着保持し
たのち、コ字状の枠体30fを基板4上に当接させてバ
ネ30cの付勢力により基板4をステージ6,16に向
けて押圧して基板4の反りを減少させる。この状態で、
ICチップ1と基板4を熱圧着ツール9,19により熱
圧着する。
【0059】上記第3実施態様によれば、ICチップ1
と基板4を熱圧着ツール9,19により熱圧着する前
に、基板押さえ30により基板4を基板保持装置5,1
5のステージ6,16に押さえ付けて基板4の反りを減
少させ、その後、ICチップ1と基板4を熱圧着ツール
9,19により熱圧着することにより、基板4の反りが
減少した状態でICチップ1と基板4とを熱圧着させる
ことができ、基板4とICチップ1との位置ズレを防止
することができて、精度良い熱圧着を行うことができ
る。
【0060】(第4実施態様)本発明の第4実施形態に
かかる電子部品の実装方法は、第3実施態様において基
板押さえ30を熱圧着ツール9,19と別体に備えてい
るのとは異なり、図10に示すように、熱圧着ツール
9,19と一体に備えた基板押さえ35により、熱圧着
前に予め基板4を押さえ付けて反りを少なくした状態で
熱圧着動作を行うものである。
【0061】熱圧着ツール9,19と同軸で一体的に昇
降し、熱圧着ツール9,19がICチップ1に当接する
前に基板4に当接するような長さに調整され、かつ付勢
された基板押さえ35を熱圧着ツール9,19と一体に
具備している。例えば、プランジャー35よりそれぞれ
構成されるポール状の複数の突起を熱圧着ツール9,1
9の下端面の周囲に配置し、熱圧着ツール9,19の下
端面に吸着保持されたICチップ1が基板4に当接する
前に、駆動流体の駆動により各プランジャー35の先端
35aを基板4に当接させて基板4をステージ6,16
に向けて押圧して基板4の反りを減少させる。この状態
で、ICチップ1と基板4を熱圧着ツール9,19によ
り熱圧着する。
【0062】このような構成においては、基板4をステ
ージ6,16に押さえ付けて基板4の反りを減少させた
のち、ICチップ1と基板4を熱圧着ツール9,19に
より熱圧着することにより、基板4の反りが減少した状
態でICチップ1と基板4を熱圧着するようにしてい
る。
【0063】上記第4実施態様によれば、ICチップ1
と基板4を熱圧着ツール9,19により熱圧着する前
に、基板押さえ35により基板4を基板保持装置5,1
5のステージ6,16に押さえ付けて基板4の反りを減
少させ、その後、ICチップ1と基板4を熱圧着ツール
9,19により熱圧着することにより、基板4の反りが
減少した状態でICチップ1と基板4とを熱圧着させる
ことができ、基板4とICチップ1との位置ズレを防止
することができて、精度良い熱圧着を行うことができ
る。
【0064】(第5実施態様)本発明の第5実施形態に
かかる電子部品の実装方法は、第3,4実施形態とは異
なり、基板4の両端部を主として把持することにより基
板4の反りを減少させるものである。
【0065】図11及び図12に示すように、ICチッ
プ1を装着する部位付近の基板4を支持部材一例である
基板ステージ36で挟み込むように押さえる一対の基板
押さえ44を基板ステージ36に具備している。すなわ
ち、基板4の両端部を載置して基板4を搬送する一対の
搬送ベルト41の一対の走行レール部材42内に板バネ
40をそれぞれ配置して、一対の搬送ベルト41と板バ
ネ40とで基板押さえ44を構成し、搬送ベルト41と
板バネ40との間で基板4の各端部を挟み込んで把持す
るようにしている。
【0066】このような構成においては、一対の基板押
さえ44により、基板4の両端部をステージ36に押さ
え付けて基板4の反りを減少したのち、ICチップ1と
基板4を熱圧着ツール9,19により熱圧着することに
より、基板4の反りが減少した状態でICチップ1と基
板4を熱圧着するようにしている。なお、具体的には図
示していないが、熱圧着時には、一対の走行レール部材
42内にステージ6,16が入り込んで、先の実施形態
と同様に下方から基板4が支持される。
【0067】上記第5実施態様によれば、ICチップ1
と基板4を熱圧着ツール9,19により熱圧着する前
に、一対の基板押さえ44により基板4の両端部を基板
保持装置のステージ36に押さえ付けて基板4の反りを
減少させ、その後、ICチップ1と基板4を熱圧着ツー
ル9,19により熱圧着することにより、基板4の反り
が減少した状態でICチップ1と基板4とを熱圧着させ
ることができ、基板4とICチップ1との位置ズレを防
止することができて、精度良い熱圧着を行うことができ
る。
【0068】(第6実施態様)本発明の第6実施形態に
かかる電子部品の実装方法は、シート状の封止材又は異
方性導電膜の貼付け方法に関するものであって、基板に
シート状の封止材及び異方性導電膜を信頼性よく、か
つ、生産性よく接合することを目的とするものである。
【0069】すなわち、図13に示すように、シート状
の封止材及び異方性導電膜51はセパレータと呼ばれる
ベースフィルム52の上にコートされて形成されてお
り、それを貼り付けツール59にて押圧し、熱圧着する
ことにより基板(液晶用基板も含む。)4に貼り付けら
れる。ところが、シート状の封止材及び異方性導電膜5
1は熱圧着された際に温度が上昇しており、基板4への
密着が良くなると共にベースフィルム52へも接着性が
向上してしまい、そのベースフィルム52をも剥離しに
くくしてしまうことになり、基板4に貼り付けるのに時
間を要したり、ベースフィルム52をシート状の封止材
及び異方性導電膜(ACF)51から剥離する際にまく
れあがったりして、その接合信頼性を低下せしめてしま
う。
【0070】そこで、本発明の第6実施形態は、上記問
題点に鑑みて、基板4にシート状の封止材及び異方性導
電膜51を信頼性よく、かつ、生産性よく接合すること
を目的とするものであって、シート状の封止材又は異方
性導電膜51を基板4に貼り付ける際に、以下の工程よ
り構成するものである。
【0071】すなわち、まず、シート状の封止材又は異
方性導電膜51を、ICチップ1の大きさより若干大き
な寸法に切断する(図14のステップS1参照)。
【0072】次いで、図14のステップS2において、
貼り付け部材の一例としての貼り付けツール59で上記
切断されたシート状の封止材又は異方性導電膜51を基
板4に熱圧着させる。
【0073】次いで、図14のステップS3において、
気体を、断熱膨張させながら(又は、気体が膨張しなが
ら)シート状の封止材又は異方性導電膜51に吹付けて
シート状の封止材又は異方性導電膜51を冷却する。
【0074】次いで、図14のステップS4において、
シート状の封止材又は異方性導電膜51からベースフィ
ルム52を剥離させたのち、先の実施形態に記載したよ
うに、上記ICチップ1と基板4との圧着作業を行う。
【0075】これを具体的に図15〜図19に基いて説
明する。
【0076】図15に示す回路基板4の電極4a上に、
図16に示すように、シート状の封止材又は異方性導電
膜51の一例として、ICチップ1の大きさより若干大
きな寸法にて切れ目51aでカットされ、かつ、無機フ
ィラーを配合しかつ導電粒子を含まない封止材としての
固体又は半固体の熱硬化性樹脂シート51を配置する。
【0077】次いで、図17に示すように、下面にゴム
面54を有しヒータ53により例えば80〜120℃に
熱せられた貼り付けツール59により、例えば5〜10
kgf/cm(490.3〜980.7kPa)程度
の圧力で熱硬化性樹脂シート51を基板4の電極4a上
に貼り付ける。このとき、貼り付けツール59には、無
機フィラーを配合した固体又は半固体の熱硬化性樹脂シ
ート51のベースフィルム52が接触しているため、固
体又は半固体の熱硬化性樹脂シート51は貼り付けツー
ル59に接触しない。なお、このセパレータ52は、貼
り付けツール59に無機フィラーを配合した固体又は半
固体の熱硬化性樹脂シート51が貼り付くのを防止する
ためのものである。また、熱硬化性樹脂シート51は、
球状又は破壊シリカ、アルミナ等のセラミクスなどの無
機系フィラーを樹脂(例えば、エポキシ樹脂、フェノー
ル樹脂、若しくは、ポリイミドなど)に分散させて混合
し、これをドクターブレード法などにより平坦化し、溶
剤成分を気化させ固体化したものが好ましいと共に、後
工程のリフロー工程での高温に耐えうる程度の耐熱性
(例えば、240℃に10秒間耐えうる程度の耐熱性)
を有することが好ましい。この熱硬化性樹脂のガラス転
移点は一般に120〜200℃程度である。
【0078】次いで、図18に示すように、冷却基体供
給管55から空気などの冷却用気体を、断熱膨張させな
がら固体又は半固体の熱硬化性樹脂シート51に吹付け
て、固体又は半固体の熱硬化性樹脂シート51を冷却す
る。この冷却は、固体又は半固体の熱硬化性樹脂シート
51からベースフィルム52を剥離させるとき、固体又
は半固体の熱硬化性樹脂シート51からベースフィルム
52が円滑に剥がれる温度まで冷却させる。
【0079】次いで、図19に示すように、固体又は半
固体の熱硬化性樹脂シート51からベースフィルム52
を剥離させる。これにより基板4の圧着工程前の準備工
程が終了する。なお、図中、56は固体又は半固体の熱
硬化性樹脂シート51及びベースフィルム52を案内す
る案内ローラである。
【0080】次に、図20(E)及び図21(F)に示
すように、熱せられた圧着ツール9,19により、図2
0(A)及び図20(B)に示すように前工程でバンプ
3が電極1a上に形成されたICチップ1を、図20
(C)及び図20(D)に示すように上記前工程で準備
されて固体又は半固体の熱硬化性樹脂シート51が貼り
付けられた基板4のICチップ1の電極1aに対応する
電極4a上に位置合わせしたのち押圧して圧着する。こ
のとき、バンプ3は、その頭部3aが、基板4の電極4
a上で図22(A)から図22(B)に示すように変形
されながら押し付けられていく、このとき、固体又は半
固体の熱硬化性樹脂シート51の熱硬化性樹脂中の無機
フィラーは当初尖っているバンプ3によりバンプ3の外
側方向へ押し出される。また、この変形作用によりバン
プ3と基板電極4aの間に無機フィラーが入り込まない
ことにより、接続抵抗値を低下させる効果を発揮する。
このとき、ICチップ1を介してバンプ3側に印加する
荷重は、バンプ3の径により異なるが、折れ曲がって重
なり合うようになっているバンプ3の頭部3aが、必ず
図22(C)のように変形する程度の荷重を加えること
が必要である。この荷重は最低で50gf(490.5
mN)を必要とする。荷重の上限は、ICチップ1、バ
ンプ3、回路基板4などが損傷しない程度とする。場合
によって、その最大荷重は150gf/(バンプ1個当
り)(1471.5mN/バンプ1個当り)を越えるこ
ともある。なお、図21(G)の51sは固体又は半固
体の熱硬化性樹脂シート51が圧着ツール9,19の熱
により溶融した溶融中の熱硬化性樹脂及び溶融後に熱硬
化された樹脂である。
【0081】なお、図20(A)から図21(G)まで
は、固体又は半固体の熱硬化性樹脂シート51を回路基
板4側に形成することについて説明したが、これに限定
されるものではなく、図23(I)又は図23(J)に
示すように、ICチップ1側に形成するようにしたもよ
い。この場合、特に、固体又は半固体の熱硬化性樹脂シ
ート51は、固体又は半固体の熱硬化性樹脂シート51
の回路基板側に取り外し可能に配置されたベースフィル
ム52とともにゴムなどの弾性体117にICチップ1
を押し付けて、バンプ3の形状に沿ってシート状の封止
材又は固体又は半固体の熱硬化性樹脂シート51がIC
チップ1に貼り付けられるようにしてもよい。
【0082】なお、シート状の封止材又は異方性導電膜
51が異方性導電膜51Bの場合について図24及び図
25に示す。
【0083】図24(C)の回路基板4の電極4a上
に、図24(D)に示すように、ICチップ1の大きさ
より若干大きな寸法にカットした無機フィラー及び電電
粒子51cが配合された異方性導電膜シート51を配置
し、例えば80〜120℃に熱せられた貼り付けツール
59により、例えば5〜10kgf/cm(490.
3〜980.7kPa)程度の圧力で基板4に貼付け
る。この後、異方性導電膜シート51の貼り付けツール
側のベースフィルム52を剥がすことにより基板4の準
備工程が完了する。
【0084】次に、図24(E)に示されるように、熱
せられた圧着ツール9,19により、図24(A)及び
図24(B)の工程でバンプ3が形成されたICチップ
1を図24(C)及び図24(D)の上記工程で準備さ
れた基板4のICチップ1に対応する電極4a上に位置
合わせして異方性導電膜の熱硬化性樹脂シート51Aを
介して押圧する。
【0085】また、このとき、図25に示すように、異
方性導電膜の熱硬化性樹脂シート51A中の導電粒子5
1cが樹脂ボール球に金属メッキを施されている場合に
は、導電粒子51cが変形することが必要である。ま
た、異方性導電膜の熱硬化性樹脂シート51Bの導電粒
子51cがニッケルなど金属粒子の場合には、バンプ3
や基板側の電極4aにめり込むような荷重を加えること
が必要である。この荷重は最低でも30gf(294.
2mN)を必要とする。最大では10gf(98.1m
N)を越えることもある。このとき、回路基板4として
は、多層セラミック基板、ガラス布積層エポキシ基板
(ガラエポ基板)、アラミド不織布基板、ガラス布積層
ポリイミド樹脂基板、FPC(フレキシブル・プリンテ
ッド・サーキット)又は、アラミド不織布エポキシ基板
(ALIVH(登録商標))などが用いられる。これら
の基板4は、熱履歴や、裁断、加工により反りやうねり
を生じており、必ずしも完全な平面ではない。そこで、
先の実施形態にかかる基板押さえを利用して回路基板4
の反りが減少させられ矯正される。
【0086】こうして、回路基板4の反りが矯正された
状態で、例えば140〜230℃の熱がICチップ1と
回路基板4との間の異方性導電膜の熱硬化性樹脂シート
51Aに例えば数秒〜20秒程度印加され、この異方性
導電膜の熱硬化性樹脂シート51Aが硬化される。この
とき、最初は熱硬化性樹脂シート51Aを構成する熱硬
化性樹脂が流れてICチップ1のエッヂまで封止する。
また、樹脂であるため、加熱されたとき、当初は自然に
軟化するためこのようにエッヂまで流れるような流動性
が生じる。熱硬化性樹脂シート51Aの熱硬化性樹脂の
体積はICチップ1と回路基板4との間の空間の体積よ
り大きくすることにより、この空間からはみ出すように
流れ出て、封止効果を奏することができる。この後、加
熱された圧着ツール9,19が上昇することにより、加
熱源がなくなるためICチップ1と異方性導電膜の熱硬
化性樹脂シート51Aの温度は急激に低下して、異方性
導電膜の熱硬化性樹脂シート51Aは流動性を失い、図
24(F)に示されるように、ICチップ1は、異方性
導電膜の熱硬化性樹脂シート51Aを構成していた熱硬
化性樹脂により、回路基板4上に固定される。また、回
路基板4側を加熱しておくと、圧着ツール9,19の温
度をより低くすることができる。
【0087】上記第6実施態様によれば、シート状の封
止材又は異方性導電膜51を加熱しながら基板4に貼り
付けたのち、シート状の封止材又は異方性導電膜51に
冷却用気体を吹き付けて冷却させたのち、シート状の封
止材又は異方性導電膜51からベースフィルム52を剥
離させるようにしたので、ベースフィルム52を剥離さ
せるときシート状の封止材又は異方性導電膜51の一部
がベースフィルム52とともに基板4から剥離すること
がなくなり、シート状の封止材又は異方性導電膜51を
確実に基板4に貼り付けることができて、回路基板4と
ICチップ1との接合の信頼性を高めることができる。
【0088】また、シート状の封止材又は異方性導電膜
51を用いてICチップ1を基板4に接合する場合にお
いて、基板4を吸着しながら貼り付けツール59により
ICチップ側からシート状の封止材又は異方性導電膜5
1を押圧して貼り付けるようにしているので、シート状
の封止材又は異方性導電膜51と基板4との間での位置
ズレを確実に防止することができる。
【0089】また、図30〜図35に示すように、板状
の上側治具プレート30Aと板状の下側治具プレート3
0Bとの間に基板4を挟み込むことにより、実装工程の
最初から最後まで治具に支持させて基板4の反りを矯正
した上で接合を行うようにしてもよい。具体的には、図
31〜図34に示すように、上側治具プレート30A
(図32(A)参照)と基板4(図32(B)参照)を
下側治具プレート30B(図32(C)参照)とで挟ん
で固定する。図33(A)では、一例として、一対のネ
ジ30k,30kで、下側治具プレート30Bに上側治
具プレート30Aを固定しているが、ネジに限らず、磁
石などでも可能である。なお、4nは一対のネジ30
k,30kが貫通する穴、30m,30nは一対のネジ
30k,30kが螺合するネジ穴である。
【0090】次いで、図33(B)に示すように、上側
治具プレート30Aの各穴30d内のICチップ装着位
置に、封止材シート2又はフィルム状の接合材料又はペ
ースト状の接合材料などの接合材料を供給したのち、図
34に示すようにICチップ1を載置する。
【0091】次いで、図34に示すように、ICチップ
1をツール9,19によりICチップ1を基板4に熱圧
着する。
【0092】また、この変形例として、図35のように
下側治具プレート30Cに穴30p,…,30pがあい
ており(図32(D)参照)、ステージ5Gが、穴30
p内に出入可能でかつ図35のように凸状に形成された
凸部5gを上面に備えているものを使用して、穴30p
内に入り込んだ凸部5gで基板4を下面から支持しなが
らICチップ1の上記熱圧着作業を行うことができる。
ステージ5Gを、石英やガラスなど金属に比べて熱伝導
率の悪いものにしておくことでICチップ1へ充分な熱
の供給が可能となり、圧着温度を充分に上げることがで
きる。
【0093】この結果、反った基板4では、フィルム状
の接合材料の貼り付けが困難であったのが、上側治具プ
レート30Aと板状の下側治具プレート30Bとの間に
基板4を挟み込むことにより基板4の反りを矯正させる
ことができて、反りが無くなった基板4に対するフィル
ム状の接合材料の貼り付け作業を安定して行うことがで
きる。また、反った基板4ではICチップ1を装着する
際に認識マークの反射率が変わり、認識できなかった
が、このような不具合も、上記したように基板4の反り
を矯正させることにより、解消することができる。ま
た、反った基板4では寸法が変わりズレが発生していた
が、上記したように基板4の反りを矯正させることによ
り、上記寸法の変わりが防止できて、ズレが発生するこ
とを防ぐことができる。また、薄板の基板を用いた場合
に、基板4の反りによりステージ上で基板4が十分に吸
着できないようなものでも、基板4の反りを矯正させる
ことにより、ズレや圧着不良の無い接合が可能となる。
さらに、反ったままの基板4に対してICチップ1を熱
圧着すると、斜めのベクトル力がかかり、ICチップ1
をずらせる要因となるが、これらの不具合を防止するこ
とができて、高信頼性、高歩留りの接合が可能となる。
【0094】なお、上記様々な実施形態のうちの任意の
実施形態を適宜組み合わせることにより、それぞれの有
する効果を奏するようにすることができる。
【0095】
【発明の効果】本発明によれば、流体で加圧支持された
支持部材の基板載置面上に上記基板を載置するととも
に、上記支持部材の上方に配置された圧着部材の先端面
に上記電子部品を保持したのち、加熱しながら、上記電
子部品を保持した圧着部材を上記支持部材に向けて移動
させて、上記支持部材上の上記基板に、上記圧着部材に
保持された上記電子部品を圧着させるとともに、上記流
体による加圧により上記支持部材の上記基板載置面と上
記圧着部材の上記先端面とが大略平行な状態に維持され
るようにしている。従って、流体圧力で支持部材を支持
することができるため、支持部材の基板載置面に基板を
載置した状態で、圧着部材に吸着保持された電子部品を
押圧して熱圧着することにより、支持部材の基板載置面
と熱圧着部材の下端面、言い替えれば、基板の上面と電
子部品の下面とが大略平行状態を自動的に維持させるこ
とができて、電子部品と基板の平行度を常にある一定範
囲に維持することができる。
【0096】特に、本発明によれば、支持部材例えばス
テージと支持枠との間に弾性体を介在させてステージに
支持枠内部側から空気などの気体又は液体などの流体を
均一に加圧させるようにする場合には、支持枠に流体圧
力でステージを支持することができる。この結果、ステ
ージの基板載置面に基板を載置した状態で、圧着部材に
吸着保持された電子部品例えばICチップを押圧して熱
圧着することにより、ステージの基板載置面と圧着部材
例えば熱圧着ツールの下端面、言い替えれば、基板の上
面とICチップの下面とが大略平行状態を自動的に維持
させることができて、ICチップと基板の平行度を常に
ある一定範囲に維持することができる。
【0097】また、本発明によれば、支持部材が筒状の
金属管の片側でかつ上記流体の注入口とは反対側に変形
可能に配置された弾性膜に配置される場合には、上記弾
性膜に流体圧力で上記支持部材を支持することができ
る。この結果、上記支持部材の基板載置面に基板を載置
した状態で、圧着部材に吸着保持された電子部品例えば
ICチップを押圧して熱圧着することにより、上記支持
部材の基板載置面と圧着部材例えば熱圧着ツールの下端
面、言い替えれば、基板の上面とICチップの下面とが
大略平行状態を自動的に維持させることができて、IC
チップと基板の平行度を常にある一定範囲に維持するこ
とができる。
【0098】また、本発明によれば、圧着部材例えば熱
圧着ツールを、電子部品例えばICチップを下端面に吸
着保持する圧着部と、圧着部の上方に配置された推力を
発生しかつ伝達して熱圧着ツールを押圧する推力伝達部
とより構成して、圧着部を推力伝達部に対して点接触さ
せることにより、推力伝達部に対して圧着部を上下方向
に対して若干傾き可能とするとともに、弾性体上に配置
された支持部材例えばステージも上下方向に対して若干
傾き可能とする場合には、ステージ上の基板と熱圧着ツ
ールの下端面のICチップとの平行が狂った場合、熱圧
着ツールとステージとの間でICチップと回路基板とを
熱圧着することにより、熱圧着ツールの下端面側からス
テージの基板載置面に不均一に圧力が作用することにな
り、この不均一な圧力を均一にするように、推力伝達部
に対して圧着部を傾斜させるか、弾性体によりステージ
を傾斜させるか、又は、その両者を傾斜させるかして自
動的に傾き修正を行い、熱圧着ツールの下端面とステー
ジの基板載置面とが大略平行な状態になるように傾き調
整が自動的に行うことができる。
【0099】また、本発明によれば、電子部品例えばI
Cチップと基板を圧着部材例えば熱圧着ツールにより熱
圧着する前に、基板押さえにより基板を基板保持装置の
支持部材例えばステージに押さえ付けて基板の反りを減
少させ、その後、ICチップと基板を熱圧着ツールによ
り熱圧着する場合には、基板の反りが減少した状態でI
Cチップと基板とを熱圧着させることができ、基板とI
Cチップとの位置ズレを防止することができて、精度良
い熱圧着を行うことができる。
【0100】よって、たとえ、圧着ツールと基板を載置
するステージとの平行が完全であっても、プリント基板
やFPC(フレキシブル・プリンテッド・サーキット)
基板などの基板での反りにより、実際のICチップの圧
着時には、完全な平行が実現できず、ICチップを圧着
する際に斜め方向の力がかかり、横方向への力がかか
り、ズレを生ずることがあった。これに対して、基板押
さえにより、基板を支持部材に押さえ付けて基板の反り
を減少すなわち抑制させることができ、この状態でIC
チップと基板とを熱圧着させることができ、基板とIC
チップとの位置ズレを防止することができて、精度良い
熱圧着を行うことができる。
【0101】また、本発明によれば、電子部品例えばI
Cチップと基板を圧着部材例えば熱圧着ツールにより熱
圧着する前に、基板押さえにより基板を支持部材例えば
ステージに押さえ付けて基板の反りを減少させ、その
後、ICチップと基板4を熱圧着ツールにより熱圧着す
る場合には、基板の反りが減少した状態でICチップと
基板とを熱圧着させることができ、基板とICチップと
の位置ズレを防止することができて、精度良い熱圧着を
行うことができる。
【0102】また、本発明によれば、電子部品例えばI
Cチップと基板を圧着部材例えば熱圧着ツールにより熱
圧着する前に、基板押さえにより基板の両端部を支持部
材例えばステージに押さえ付けて基板の反りを減少さ
せ、その後、ICチップと基板を熱圧着ツールにより熱
圧着する場合には、基板の反りが減少した状態でICチ
ップと基板とを熱圧着させることができ、基板とICチ
ップとの位置ズレを防止することができて、精度良い熱
圧着を行うことができる。
【0103】また、本発明によれば、シート状の封止材
又は異方性導電膜を加熱しながら基板に貼り付けたの
ち、シート状の封止材又は異方性導電膜に冷却用気体を
吹き付けて冷却させたのち、シート状の封止材又は異方
性導電膜からベースフィルムを剥離させる場合には、ベ
ースフィルムを剥離させるときシート状の封止材又は異
方性導電膜の一部がベースフィルムとともに基板から剥
離することがなくなり、シート状の封止材又は異方性導
電膜を確実に基板に貼り付けることができて、回路基板
と電子部品例えばICチップとの接合の信頼性を高める
ことができる。
【0104】ここで、従来、一般に、異方性導電膜や封
止樹脂シートを貼り付ける工程では、フィルムに気泡を
含ませずに密着性良く貼り付けるということが困難であ
った。すなわち、封止樹脂シートの貼り付け時に気泡を
巻き込むことにより、気泡(ボイド)がICチップと基
板との間に残る。言い替えれば、封止樹脂シート貼り付
けが完全でなく、封止樹脂シートの基材であるセパレー
タ(又はベースフィルム)と呼ばれる樹脂フィルムから
剥離が上手くできずにまくれたり、ちぎれたりして、I
Cチップ下面に封止樹脂シートが介在しない場合が生ず
る。ところで、シート封止状の封止材及び、異方性導電
膜はセパレータと呼ばれるベースフィルムの上にコート
されており、それを圧着ツールにて押圧し、熱圧着する
ことにより基板に貼り付けられる。ところが、シート封
止材及び異方性導電膜は熱圧着された際に温度が上昇し
ており、基板への密着が良くなると共にセパレータへも
接着性が向上してしまい、そのセパレータをも剥離しに
くくしてしまうことになり、基板に貼り付けるのに時間
を要したり、セパレータをシートの封止材及び異方性導
電膜から剥離する際にまくれあがったりして、その接合
信頼性を低下せしめてしまう。これに対して、本発明に
よれば、上記したように、貼り付け後にシートの封止材
及び異方性導電膜を冷却するので、上記した問題か全て
解消することができて、基板にシート状の封止材及び、
異方性導電膜を信頼性よく、かつ、生産性よく接合する
ことができる。
【0105】また、本発明によれば、シート状の封止材
又は異方性導電膜を用いて電子部品例えばICチップを
基板に接合する場合において、基板を吸着しながら貼り
付け部材例えば貼り付けツールによりICチップ側から
シート状の封止材又は異方性導電膜を押圧して貼り付け
る場合には、シート状の封止材又は異方性導電膜と基板
との間での位置ズレを確実に防止することができる。
【0106】従って、本発明によれば、上記したよう
に、上記問題を解決することができて、電子部品を基板
に生産性よくかつ高信頼性で圧着接合することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第1実施形態にかかる電子部品の実
装装置の一部断面正面図である。
【図2】 本発明の第2実施形態にかかる電子部品の実
装装置の概念を示す一部断面正面図である。
【図3】 上記第2実施形態にかかる電子部品の実装装
置の1つの実例を示す斜視図である。
【図4】 反った状態の基板とICチップとを圧着する
状態の説明図である。
【図5】 本発明の第3実施形態にかかる電子部品の実
装装置の一部断面正面図である。
【図6】 本発明の第3実施形態にかかる電子部品の実
装装置の具体例の斜視図である。
【図7】 図6の電子部品の実装装置の断面図である。
【図8】 基板上で複数のICチップが整列されている
状態の基板の斜視図である。
【図9】 本発明の第3実施形態にかかる電子部品の実
装装置の別の具体例の斜視図である。
【図10】 本発明の第4実施形態にかかる電子部品の
実装装置の具体例の一部断面正面図である。
【図11】 本発明の第5実施形態にかかる電子部品の
実装装置の具体例の斜視図である。
【図12】 本発明の第5実施形態にかかる電子部品の
実装装置の具体例の一部断面正面図である。
【図13】 シート状の封止材及び異方性導電膜を基板
に貼り付ける状態を示す説明図である。
【図14】 本発明の第6実施形態にかかる電子部品の
実装方法のフローチャートである。
【図15】 上記第6実施形態にかかる電子部品の実装
方法を実施する、シート状の封止材及び異方性導電膜貼
付け装置の斜視図である。
【図16】 図15の貼付け装置の説明図である。
【図17】 上記第6実施形態にかかる電子部品の実装
方法の貼り付け工程の説明図である。
【図18】 上記第6実施形態にかかる電子部品の実装
方法の冷却工程の説明図である。
【図19】 上記第6実施形態にかかる電子部品の実装
方法のベースフィルム剥離工程の説明図である。
【図20】 (A),(B),(C),(D),及び
(E)はそれぞれ本発明の第6実施形態にかかる電子部
品の実装方法を示す説明図である。
【図21】 (F)及び(G)はそれぞれ本発明の第6
実施形態にかかる電子部品の実装方法を示す説明図であ
る。
【図22】 (A),(B),及び(C)はそれぞれ本
発明の第6実施形態にかかる電子部品の実装方法を示す
説明図である。
【図23】 (I)及び(J)はそれぞれ本発明の第6
実施形態にかかる電子部品の実装方法を示す説明図であ
る。
【図24】 (A),(B),(C),(D),
(E),及び(F)はそれぞれ本発明の第6実施形態に
かかる電子部品の実装方法を示す説明図である。
【図25】 本発明の第6実施形態にかかる電子部品の
実装方法を示す説明図である。
【図26】 従来の電子機器の回路基板へICチップを
接合する方法の説明図である。
【図27】 従来の液晶ディスプレイにICチップを接
合する方法の説明図である。
【図28】 従来の液晶ディスプレイにICチップを接
合する方法の説明図である。
【図29】 本発明の第1実施形態にかかる電子部品の
実装装置において熱圧着ツールの下端面と基板ステージ
であるステージの基板載置面との平行が狂った場合の一
部断面正面図である。
【図30】 本発明の他の実施形態にかかる電子部品の
実装装置において基板を挟持した状態の斜視図である。
【図31】 図30の本発明の上記他の実施形態にかか
る電子部品の実装装置において基板を挟持した状態の一
部断面図である。
【図32】 (A),(B),(C),(D)はそれぞ
れ図30の本発明の上記実施形態にかかる電子部品の実
装装置における、上側治具プレート、基板、下側治具プ
レート、変形例にかかる下側治具プレートの平面図であ
る。
【図33】 (A),(B)はそれぞれ図30の本発明
の上記他の実施形態にかかる電子部品の実装装置におい
て、基板を挟持する状態及び基板挟持したのち接合材料
を配置する状態の一部断面図である。
【図34】 図30の本発明の上記他の実施形態にかか
る電子部品の実装装置においてICチップを装着する状
態の一部断面図である。
【図35】 図30の本発明の上記他の実施形態の変形
例にかかる電子部品の実装装置においてICチップを装
着する状態の一部断面図である。
【符号の説明】
1…ICチップ、1a…電極、2…封止材シート、3…
バンプ、4…基板、4a…電極、5…基板保持装置、6
…ステージ、6a…吸引穴、7…支持枠、8…弾性体、
9…圧着ツール、9a…吸引穴、10…圧着ツール用駆
動装置、11…ヒータ、12…駆動ロッド、12a…半
球面部、13…案内ロッド、14…案内筒、15…基板
保持装置、16…ステージ、17…ステージ支持体、1
8…弾性体、19…圧着ツール、19A…圧着部、19
B…推力伝達部、20…駆動装置、30…基板押さえ、
30a…基端部、30b…先端押圧部、30c…バネ、
30d…ICチップ挿入用穴、30f…コ字状の枠体、
30g…切欠空間、31…吸引穴、35…基板押さえ、
35a…プランジャー、36…基板ステージ、40…バ
ネ、41…搬送ベルト、42…走行レール部材、44…
基板押さえ、51…シート状の封止材又は異方性導電
膜、51s…熱硬化された樹脂、52…ベースフィル
ム、53…ヒータ、54…ゴム面、55…冷却基体供給
管、56…案内ローラ、59…貼り付けツール、117
…弾性体。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐藤 章二 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Fターム(参考) 5E313 AA03 AA11 EE24 EE33 EE38 FG05 5E319 BB16 CC03 CC12 GG15 5F044 KK02 LL09 PP15

Claims (21)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板(4)に電子部品(1)を載置し熱
    圧着する電子部品の実装方法において、 流体で加圧支持された支持部材(6)の基板載置面上に
    上記基板を載置するとともに、上記支持部材(6)の上
    方に配置された圧着部材(9)の先端面に上記電子部品
    を保持し、 加熱しながら、上記電子部品を保持した圧着部材(9)
    を上記支持部材(6)に向けて移動させて、上記支持部
    材上の上記基板に、上記圧着部材に保持された上記電子
    部品を圧着させるとともに、上記流体による加圧により
    上記支持部材(6)の上記基板載置面と上記圧着部材
    (9)の上記先端面とが大略平行な状態に維持されるよ
    うにしたことを特徴とする電子部品の実装方法。
  2. 【請求項2】 剛体である上記支持部材(6)は、支持
    枠(7)と上記支持部材との間を密閉して上記支持枠に
    上記支持部材を支持するゴム状の弾性体(8)に上記流
    体が作用して、上記流体による加圧により、上記剛体の
    支持部材(6)の上記基板載置面と上記圧着部材(9)
    の上記先端面とが大略平行な状態に維持されている請求
    項1に記載の電子部品の実装方法。
  3. 【請求項3】 剛体である上記支持部材(6)は、筒状
    の金属管の片側でかつ上記流体の注入口とは反対側に変
    形可能に配置された弾性膜に配置された状態で上記弾性
    膜に上記流体が作用して、上記流体による加圧により、
    上記剛体の支持部材(6)の上記基板載置面と上記圧着
    部材(9)の上記先端面とが大略平行な状態に維持され
    ている請求項1に記載の電子部品の実装方法。
  4. 【請求項4】 基板(4)に電子部品(1)を載置し熱
    圧着する電子部品の実装方法において、 弾性体(18)で支持された支持部材(16)の基板載
    置面上に上記基板を載置するとともに、上記支持部材の
    上方に配置された圧着部材(19)の圧着部(19A)
    の先端面に上記電子部品を保持し、 加熱しながら、上記圧着部材の推力伝達部(19B)の
    半球状部(12a)が上記圧着部(19A)に点接触し
    て上記推力伝達部で発生した圧着用推力を、上記電子部
    品を保持した上記圧着部に伝達して上記推力伝達部に対
    して上記圧着部を相対的に上記支持部材(6)に向けて
    スライド移動させて上記支持部材上の上記基板に、上記
    圧着部に保持された上記電子部品を圧着させるととも
    に、上記弾性体により支持された上記支持部材(16)
    の上記基板載置面と上記圧着部(19A)の上記先端面
    とが大略平行な状態に維持されるようにしたことを特徴
    とする電子部品の実装方法。
  5. 【請求項5】 上記支持部材(6)上の上記基板に、上
    記圧着部材(9)に保持された上記電子部品を圧着させ
    るとき、上記圧着部材に保持された上記電子部品が上記
    基板に当接する前に基板押さえ(30,35)が上記基
    板に当接して上記基板押さえにより上記基板を上記支持
    部材に押さえ付けて上記基板の反りを減少させたのち、
    上記支持部材(6)上の上記基板に、上記圧着部材
    (9)に保持された上記電子部品を圧着させる請求項1
    〜4のいずれか1つに記載の電子部品の実装方法。
  6. 【請求項6】 上記支持部材(6)上の上記基板に、上
    記圧着部材(9)に保持された上記電子部品を圧着させ
    るとき、上記圧着部材に保持された上記電子部品が上記
    基板に当接する前に、基板押さえ(44)が上記基板の
    上記電子部品を装着する部位付近を上記支持部材との間
    で挟み込むことにより上記基板を上記支持部材に押さえ
    付けて上記基板の反りを減少させたのち、上記支持部材
    (6)上の上記基板に、上記圧着部材(9)に保持され
    た上記電子部品を圧着させる請求項1〜4のいずれか1
    つに記載の電子部品の実装方法。
  7. 【請求項7】 上記支持部材(6)上の上記基板に、上
    記圧着部材(9)に保持された上記電子部品を圧着させ
    るとき、圧着前に、 シート状の封止材又は異方性導電膜(51)を、ベース
    フィルム(52)が上記電子部品側に位置するように上
    記基板に加熱して貼り付け、 次いで、冷却用気体を上記シート状の封止材又は異方性
    導電膜に吹付けて上記シート状の封止材又は異方性導電
    膜を冷却し、 次いで、上記シート状の封止材又は異方性導電膜から上
    記ベースフィルムを剥離させ、 次いで、上記シート状の封止材又は異方性導電膜(5
    1)が上記基板に貼り付けられた状態で、上記支持部材
    (6)上の上記基板に、上記圧着部材(9)に保持され
    た上記電子部品を圧着させる請求項1〜6のいずれか1
    つに記載の電子部品の実装方法。
  8. 【請求項8】 上記支持部材上の上記基板に、上記圧着
    部材に保持された上記電子部品を圧着させるとき、上記
    圧着部材が上記電子部品を吸着しながら、上記電子部品
    と上記基板を上記圧着部材により圧着する請求項1〜7
    のいずれか1つに記載の電子部品の実装方法。
  9. 【請求項9】 上記支持部材上の上記基板に、上記圧着
    部材に保持された上記電子部品を圧着させるとき、上記
    上記支持部材が上記基板を吸着しながら、上記電子部品
    と上記基板を上記圧着部材により圧着する請求項1〜8
    のいずれか1つに記載の電子部品の実装方法。
  10. 【請求項10】 上記シート状の封止材又は異方性導電
    膜(51)を、上記ベースフィルム(52)が上記電子
    部品側に位置するように上記基板に加熱して貼り付ける
    とき、 貼り付け部材(59)が上記シート状の封止材又は異方
    性導電膜を吸着しながら、上記上記シート状の封止材又
    は異方性導電膜を上記貼り付け部材により貼り付ける請
    求項7に記載の電子部品の実装方法。
  11. 【請求項11】 基板(4)にICチップ(1)を載置
    し熱圧着する電子部品の実装装置において、 上記基板を載置する基板載置面を有しかつ流体で加圧支
    持された支持部材(6)と、 先端面に上記電子部品を保持しかつ上記支持部材(6)
    の上方に配置された圧着部材(9)とを備えて、 加熱しながら、上記電子部品を保持した圧着部材(9)
    を上記支持部材(6)に向けて移動させて、上記支持部
    材上の上記基板に、上記圧着部材に保持された上記電子
    部品を圧着させるとともに、上記流体による加圧により
    上記支持部材(6)の上記基板載置面と上記圧着部材
    (9)の上記先端面とが大略平行な状態に維持されるよ
    うに、上記支持部材は上記流体で加圧支持されるように
    したことを特徴とする電子部品の実装装置。
  12. 【請求項12】 支持枠(7)と、 上記支持枠(7)と剛体である上記支持部材との間を密
    閉して上記支持枠に上記支持部材を支持して上記流体が
    作用するゴム状の弾性体(8)とをさらに備えて、 上記剛体の支持部材(6)の上記基板載置面と上記圧着
    部材(9)の上記先端面とが大略平行な状態に維持され
    るように、上記ゴム状の弾性体(8)に上記流体が作用
    することにより、上記支持部材が上記流体で加圧支持さ
    れるようにした請求項11に記載の電子部品の実装装
    置。
  13. 【請求項13】 筒状の金属管と、 上記金属管の片側でかつ上記流体の注入口とは反対側に
    変形可能に配置されかつ剛体である上記支持部材(6)
    が配置された弾性膜とをさらに備えて、 上記剛体の支持部材(6)の上記基板載置面と上記圧着
    部材(9)の上記先端面とが大略平行な状態に維持され
    るように、上記弾性膜に上記流体が作用することによ
    り、上記支持部材が上記流体で加圧支持されるようにし
    た請求項11に記載の電子部品の実装装置。
  14. 【請求項14】 基板(4)に電子部品(1)を載置し
    熱圧着する電子部品の実装装置において、 弾性体(18)と、 上記基板を載置する基板載置面を有するとともに上記弾
    性体で支持された支持部材(16)と、 上記支持部材の上方に配置され、かつ、先端面に上記電
    子部品を保持する圧着部(19A)と、半球状部(12
    a)が上記圧着部(19A)に点接触しかつ発生させた
    圧着用推力を上記圧着部に伝達して上記圧着部を相対的
    に上記支持部材(6)に向けてスライド移動させる推力
    伝達部(19B)とを有する圧着部材(9)とを備え
    て、 加熱しながら、上記圧着部材の上記推力伝達部(19
    B)の上記半球状部(12a)が上記圧着部(19A)
    に点接触して上記推力伝達部で発生した上記圧着用推力
    を、上記電子部品を保持した上記圧着部に伝達して上記
    推力伝達部に対して上記圧着部を相対的に上記支持部材
    (6)に向けてスライド移動させて上記支持部材上の上
    記基板に、上記圧着部に保持された上記電子部品を圧着
    させるとともに、上記弾性体により支持された上記支持
    部材(16)の上記基板載置面と上記圧着部(19A)
    の上記先端面とが大略平行な状態に維持されるように、
    上記支持部材は上記弾性体で加圧支持されるようにした
    ことを特徴とする電子部品の実装装置。
  15. 【請求項15】 上記基板に当接して上記基板を上記支
    持部材に押さえ付けて上記基板の反りを減少させる基板
    押さえ(30,35)をさらに備えて、 上記支持部材(6)上の上記基板に、上記圧着部材
    (9)に保持された上記電子部品を圧着させるとき、上
    記圧着部材に保持された上記電子部品が上記基板に当接
    する前に上記基板押さえが上記基板に当接して上記基板
    押さえにより上記基板を上記支持部材に押さえ付けて上
    記基板の反りを減少させたのち、上記支持部材(6)上
    の上記基板に、上記圧着部材(9)に保持された上記電
    子部品を圧着させる請求項11〜14のいずれか1つに
    記載の電子部品の実装装置。
  16. 【請求項16】 上記圧着部材一体的に昇降可能でかつ
    上記基板に当接して上記基板を上記支持部材に押さえ付
    けて上記基板の反りを減少させる基板押さえ(30,3
    5)をさらに備えて、 上記支持部材(6)上の上記基板に、上記圧着部材
    (9)に保持された上記電子部品を圧着させるとき、上
    記圧着部材に保持された上記電子部品が上記基板に当接
    する前に上記基板押さえが上記基板に当接して上記基板
    押さえにより上記基板を上記支持部材に押さえ付けて上
    記基板の反りを減少させたのち、上記支持部材(6)上
    の上記基板に、上記圧着部材(9)に保持された上記電
    子部品を圧着させる請求項11〜14のいずれか1つに
    記載の電子部品の実装装置。
  17. 【請求項17】 上記基板の上記電子部品を装着する部
    位付近を上記支持部材との間で挟み込むことにより上記
    基板を上記支持部材に押さえ付けて上記基板の反りを減
    少させる基板押さえ(44)をさらに備えて、 上記支持部材(6)上の上記基板に、上記圧着部材
    (9)に保持された上記電子部品を圧着させるとき、上
    記圧着部材に保持された上記電子部品が上記基板に当接
    する前に、上記基板押さえ(44)が上記基板の上記電
    子部品を装着する部位付近を上記支持部材との間で挟み
    込むことにより上記基板を上記支持部材に押さえ付けて
    上記基板の反りを減少させたのち、上記支持部材(6)
    上の上記基板に、上記圧着部材(9)に保持された上記
    電子部品を圧着させる請求項11〜14のいずれか1つ
    に記載の電子部品の実装装置。
  18. 【請求項18】 シート状の封止材又は異方性導電膜
    (51)を、ベースフィルム(52)が上記電子部品側
    に位置するように上記基板に加熱して貼り付ける貼り付
    け部材(59)と、 冷却用気体を上記シート状の封止材又は異方性導電膜に
    吹付けて上記シート状の封止材又は異方性導電膜を冷却
    する冷却用気体供給管(55)とをさらに備えて、 上記支持部材(6)上の上記基板に、上記圧着部材
    (9)に保持された上記電子部品を圧着させるとき、圧
    着前に、上記貼り付け部材により上記シート状の封止材
    又は異方性導電膜(51)を、上記ベースフィルム(5
    2)が上記電子部品側に位置するように上記基板に加熱
    して貼り付けたのち、上記冷却用気体供給管により上記
    冷却用気体を上記シート状の封止材又は異方性導電膜に
    吹付けて上記シート状の封止材又は異方性導電膜を冷却
    し、次いで、上記シート状の封止材又は異方性導電膜か
    ら上記ベースフィルムを剥離させたのち、上記シート状
    の封止材又は異方性導電膜(51)が上記基板に貼り付
    けられた状態で、上記支持部材(6)上の上記基板に、
    上記圧着部材(9)に保持された上記電子部品を圧着さ
    せる請求項11〜17のいずれか1つに記載の電子部品
    の実装装置。
  19. 【請求項19】 上記圧着部材は上記電子部品を吸着す
    る吸引穴を有して、 上記支持部材上の上記基板に、上記圧着部材に保持され
    た上記電子部品を圧着させるとき、上記圧着部材が上記
    電子部品を吸着しながら、上記電子部品と上記基板を上
    記圧着部材により圧着する請求項11〜18のいずれか
    1つに記載の電子部品の実装装置。
  20. 【請求項20】 上記支持部材は上記基板を吸着する吸
    引穴を有して、 上記支持部材上の上記基板に、上記圧着部材に保持され
    た上記電子部品を圧着させるとき、上記上記支持部材が
    上記基板を吸着しながら、上記電子部品と上記基板を上
    記圧着ツールにより圧着する請求項11〜18のいずれ
    か1つに記載の電子部品の実装装置。
  21. 【請求項21】 上記シート状の封止材又は異方性導電
    膜を吸着しながら、上記上記シート状の封止材又は異方
    性導電膜を貼り付ける貼り付け部材(59)をさらに備
    えて、 上記シート状の封止材又は異方性導電膜(51)を、上
    記ベースフィルム(52)が上記電子部品側に位置する
    ように上記基板に加熱して貼り付けるとき、 上記貼り付け部材(59)が上記シート状の封止材又は
    異方性導電膜を吸着しながら、上記上記シート状の封止
    材又は異方性導電膜を上記貼り付け部材により貼り付け
    る請求項18に記載の電子部品の実装装置。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007012641A (ja) * 2005-06-28 2007-01-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体素子実装方法および半導体素子実装装置
JP2013012541A (ja) * 2011-06-28 2013-01-17 Apic Yamada Corp 平行昇降機構および半導体製造装置
US10768127B2 (en) 2015-10-30 2020-09-08 Mitsubishi Electric Corporation Thermal conductivity measurement apparatus and thermal conductivity measurement method
CN114554823A (zh) * 2022-02-23 2022-05-27 业成科技(成都)有限公司 一种预压压头及绑定机
CN117580273A (zh) * 2023-11-21 2024-02-20 英内物联网科技启东有限公司 一种柔性电路板贴片治具

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007012641A (ja) * 2005-06-28 2007-01-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体素子実装方法および半導体素子実装装置
JP4619209B2 (ja) * 2005-06-28 2011-01-26 パナソニック株式会社 半導体素子実装方法および半導体素子実装装置
JP2013012541A (ja) * 2011-06-28 2013-01-17 Apic Yamada Corp 平行昇降機構および半導体製造装置
US10768127B2 (en) 2015-10-30 2020-09-08 Mitsubishi Electric Corporation Thermal conductivity measurement apparatus and thermal conductivity measurement method
CN114554823A (zh) * 2022-02-23 2022-05-27 业成科技(成都)有限公司 一种预压压头及绑定机
CN114554823B (zh) * 2022-02-23 2023-09-22 业成科技(成都)有限公司 一种预压压头及绑定机
CN117580273A (zh) * 2023-11-21 2024-02-20 英内物联网科技启东有限公司 一种柔性电路板贴片治具
CN117580273B (zh) * 2023-11-21 2024-05-24 英内物联网科技启东有限公司 一种柔性电路板贴片治具

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