JP2003143024A - 電子機器、チューナモジュール、およびモジュール基板 - Google Patents
電子機器、チューナモジュール、およびモジュール基板Info
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Abstract
位置に実装可能な電子機器、チューナモジュール、およ
びモジュール基板を提供することにある。 【解決手段】チューナモジュール20に、信号を増幅す
る第1のRFアンプと、第1の発振信号を出力する第1
のオシレータと、信号および第1の発振信号に応じた第
1の中間周波信号を出力する第1のミキサーと、第2の
発振信号を出力する第2のオシレータと、第2の発振信
号および第1の中間周波信号に応じて、第2の中間周波
信号を出力する第2のミキサーとを含み、少なくとも第
1の発振信号または第2の発振信号がイメージ除去する
ように設定されたチューナの主要部がICチップに集積
されたモジュール基板30と、金属片41が形成された
シールドカバー40とを設け、主基板10に被係止部1
1を設ける。
Description
波等の情報を含む電磁波を受信するチューナを含む電子
機器、チューナモジュール、およびモジュール基板に関
するものである。
む電磁波を受信し、映像を映し出し音声を出力するテレ
ビ(TV)が普及している。上述のテレビでは、たとえ
ば、複数の放送電波等の情報を含む電磁波を受信し選局
するためのチューナが内蔵されている。
ラウン管や液晶型ディスプレイ等のディスプレイ部から
分離してモジュール化されている。
信号を第1の中間周波数に変換し、さらに第2の中間周
波数に変換するダブルコンバージョン方式のチューナが
知られている。
式のチューナの機能ブロックの一例を示す図である。
ナ300は、たとえば、図11に示すように、バンドパ
スフィルタ310、RF(Radio frequency )アンプ3
20、バンドパスフィルタ330、第1のミキサー34
0、第1のオシレータ341、第1のIF(Intermedia
te frequency)アンプ350、バンドパスフィルタ36
0、第2のミキサー370、第2のオシレータ371、
第2のIFアンプ380、およびバンドパスフィルタ3
90を有する。
ンプ320,バンドパスフィルタ330,第1のミキサ
ー340,第1のIFアンプ350,バンドパスフィル
タ360,第2のミキサー370,第2のIFアンプ3
80,およびバンドパスフィルタ390は直列に接続さ
れている。
キサー340に接続され、第2のオシレータ371は第
2のミキサー370に接続されている。
よび第1のIFアンプ350、ならびに、第2のミキサ
ー370および第2のIFアンプ380は、ICチップ
上に集積化されている。
のチューナ300では、たとえば、40〜890MHz
の周波数を受信可能である。つまり、Air放送、CA
TV(Cable television)等のVHF(Very high freq
uency ),UHF(Ultra high frequency)放送を受信
可能である。
上述した所望の周波数の信号のみを通過させる。また、
バンドパスフィルタ310は、インダクタンスが調整可
能な空芯コイルおよびキャパシタで構成されている。
310の出力を受信し、信号レベルを増幅する。
320で増幅されたRF信号から、所望の周波数の信号
に同調を取るとともに、発振信号や不要な信号が漏れる
のを防ぐ。たとえば、バンドパスフィルタ330は、イ
ンダクタンスが調整可能な空芯コイルおよびキャパシタ
により構成される。
のオシレータ341から出力された第1の発振信号を用
いて、バンドパスフィルタ330から出力されたRF信
号を第1の中間周波信号に変換し出力する。
波数の第1の発振信号を発振する。
ー340から出力された第1の中間周波信号を受信し、
その信号レベルを増幅し出力する。
アンプ350から出力された第1の中間周波信号から所
望の周波数のみを出力し、たとえば、不要な周波数成分
の発振信号が通過するのを防ぐ。
ルタ360から出力された第1の中間周波信号と、第2
のオシレータ371から出力された第2の発振信号に応
じて、所定の第2の中間周波信号に変換する。
波数の第2の発振信号を発振する。
ー370から出力された第2の中間周波信号を受信し、
その信号レベルを増幅し出力する。
アンプ380から出力された第2の中間周波信号を受信
し、不要な周波数成分、たとえば、発振信号などを排除
し、所望の周波数の第2の中間周波信号のみを出力す
る。
のチューナ300では、たとえば、不図示のアンテナ部
から出力されたRF信号がバンドパスフィルタ310に
入力される。そして、バンドパスフィルタ310では、
所望の周波数成分のみのRF信号が通過する。
幅され、バンドパスフィルタ330では、さらに所望の
周波数成分のみが通過する。そして、第1のミキサー3
40では、第1のオシレータ341から出力された第1
の発振信号とバンドパスフィルタ330から出力された
RF信号が混合されて第1の中間周波信号が出力され、
第1のIFアンプ350で増幅され、バンドパスフィル
タ部360では、所望の周波数成分の第1の中間周波信
号が通過する。
ータ371から出力された第2の発振信号と、バンドパ
スフィルタ部360から出力された第1の中間周波信号
が混合され、第2の中間周波信号が出力される。そし
て、第2のIFアンプ380では、第2のミキサー37
0から出力された、第2の中間周波信号が増幅され、バ
ンドパスフィルタ390では、不要な周波数成分が濾波
され、所望の周波数成分の第2の中間周波信号のみが通
過し出力される。
する全てまたは一部のインダクタンスに空芯コイルを採
用している。また、上述のフィルタでは、同調周波数の
調整が必要なことから、性能がよく調整可能な空芯コイ
ルが用いられている。
波数帯域のトラッキングフィルター回路のインダクタン
スの場合には、現時点において空芯コイルを用いたほう
が、Q値が高く性能が良いからである。
ーナでは、アナログのAM変調された映像信号を取り扱
うので、いったん帯域内にノイズ成分が入ると除去しに
くく、たとえば、外部からのノイズの飛び込みや内部回
路間の干渉があった場合には、ビート症状と呼ばれる画
面上に縞模様が現れるという問題点があった。
ーナを内蔵しているチューナモジュールの一例を示す図
である。
ューナモジュール20aでは、たとえば、図12に示す
ように、モジュール基板30aの表面上にICチップ5
0a、表チップ部品60a、および空芯コイル70a等
が形成され、また、モジュール基板30aの裏面に裏チ
ップ部品60b等が形成されている場合には、回路間を
内部シールド壁40hや基板貫通内部シールド壁40i
で分離するとともにモジュール基板30aの表面および
裏面に金属材料からなるシールドカバー40aを形成し
て覆うことで、上述の症状を抑えてきた。
ールドケース40bに入れ、表面および裏面ともにシー
ルドカバー40aで覆っているので、たとえば、チュー
ナモジュール20aを不図示のセット側基板に接続する
場合には、図12に示すように、別途に接続端子31a
が必要であり、また、上述したように構造が複雑でモジ
ュール基板30aの面積もある程度必要であることか
ら、表面実装を可能なほど小さい形状にすることが困難
であった。
て、たとえば受信回路に係る配線が基板内部にも形成さ
れた多層構造を有するモジュール基板が知られている。
一例を示す模式図である。
3に示すように、表面導体層32b、中間導体層32
s、および底面導体層33bの多層構造を有する。
ール基板30bの表面に導体材料からなる回路パターン
が形成されている。
信号ラインLS、電源ラインLV,およびグラウンドラ
インLGが形成されており、導電性材料からなり、エッ
チング等により形成される。
0bの中間層に、回路パターン、たとえば電源ラインL
Vや、信号ラインLSが形成されている。たとえば、中
間導体層32sおよび表面導体層32bの回路パターン
は、スルーホール34bで接続されている。
マウントするモジュールでは、セット側基板からのノイ
ズ等の影響を受けないように、また、モジュールからの
不要な電波の輻射を防ぐために底面側にシールド効果を
得るための導電性材料からなるグラウンド層(シールド
層とも言う)Gが形成されている。
層Gは、表面導体層32bに形成されているグラウンド
ラインLGと、スルーホール34bで接続されている。
ば、上述したように3層の多層構造を有しているので、
基板が厚くなるという問題点があった。また、多層構造
のために製造工程が多いという問題点があった。また、
底面導体層33bにシールドのためのグラウンド層Gを
形成する必要があるという問題点があった。
は、上述したように、セット側基板(主基板とも言う)
に実装して使用される。
よびセット側基板の一具体例を模式的に示す斜視図、図
15は図14のC−C線の断面の一例を模式的に示す図
である。
たとえば、図14に示すように、セット側基板10aの
領域S20に実装される。また、上述したように、チュ
ーナモジュール20aは、図15に示すように、モジュ
ール基板30aの表面を覆うように、シールドカバー4
0aが形成されている。
aを、設備や何らかの都合でやむを得ず人の手でセット
側基板10a上に実装する場合には、目視によりチュー
ナモジュール20aの位置決めを行い実装していた。
ジュールを実装する場合には、取り付け精度が悪くな
り、たとえば先に塗布しているクリームはんだを触った
り、一度、チューナモジュール20aを主基板10aに
置いてズレを修正してからはんだ付けを行うと、はんだ
付け不良が発生するために、慎重に作業する必要があり
作業性が非常に悪いという問題点があった。
が知られている。
で公開されているように、部品底面のモールドに突起が
設けられ、その突起を位置決め用の穴が形成された基板
に挿入する装置が知られている。
で公開されているように、シールドカバーの基板にはん
だ付けする基板と平行の金属片部の先をさらに折り曲げ
て位置決めを行う突起を設けている装置が知られてい
る。
ずに機械によるマウント実装を行う場合には、必要のな
い加工を追加し、わざわざ位置決め用の突起を設ける
等、別工程が必要なことから部品のコストアップが起こ
るという問題点があった。
のであり、その目的は、小型化および薄型化を図れる電
子機器、チューナモジュール、およびモジュール基板を
提供することにある。
所定の位置に確実に実装可能な電子機器、チューナモジ
ュール、およびモジュール基板を提供することにある。
ーの構造が簡単な電子機器、チューナモジュール、およ
びモジュール基板を提供することにある。
に、本発明の電子機器は、主基板と、前記主基板に実装
されるチューナモジュールとを有する電子機器であっ
て、前記主基板は、前記チューナモジュールをあらかじ
め決められた位置に保持するための被係止部を含み、前
記チューナモジュールは、モジュール基板と、前記モジ
ュール基板の一方の面側に配置されているシールドカバ
ーとを含み、前記シールドカバーは、前記主基板の被係
止部と係止する係止部を含む。
ールドカバーをあらかじめ決められた位置に保持するた
めの第2の被係止部を含み、前記シールドカバーの係止
部は、前記モジュール基板に形成された第2の被係止部
に係止し、かつ前記主基板に形成された係止部に係止す
る。
第1の面に信号ライン、および前記信号ラインを除く領
域に少なくとも電源ラインが形成され、前記第1の面に
対向する第2の面にグラウンドパターン、および前記グ
ラウンドパターンを除く領域に最小限の電源ラインパタ
ーンが形成され、前記第1の面の電源ラインと、前記第
2の面の電源ラインパターンとがスルーホールを介して
接続されている。
前記第1の面に、前記第2の面のグラウンドパターンと
スルーホールを介して接続されたグラウンドラインを有
し、前記第1の面に形成され、前記第2の面の電源ライ
ンパターンとスルーホールを介して接続された前記第1
の面の電源ライン、および前記グラウンドラインと接続
されたバイパスコンデンサを含む。
続端子を有し、前記モジュール基板は、前記第2の面
に、前記第1の接続端子と電気的に接続する第2の接続
端子を含む。
前記第1の面に形成された信号ラインと、スルーホール
を介して接続されている。
少なくとも、チューナの主要部が一つの集積回路に集積
され、前記チューナの主要部は、入力端子から入力され
た信号を増幅する第1の増幅部と、第1の周波数の第1
の発振信号を出力する第1の発振部と、前記第1の発振
部から出力された第1の発振信号および前記第1の増幅
部から出力された信号に応じた前記第1の中間周波信号
を出力する第1のミキサーと、第2の周波数の第2の発
振信号を出力する第2の発振部と、前記第2の発振部か
ら出力された第2の発振信号および前記第1のミキサー
から出力された第1の中間周波信号に応じて、第2の中
間周波信号を出力する第2のミキサーとを含み、少なく
とも、前記第1の発振部から発振される第1の発振信
号、または第2の発振部から発振される第2の発振信号
が、イメージ除去するように設定されている。
された第1の中間周波信号から所望の周波数成分のみを
前記第2のミキサーに出力する第1のフィルタ部を有
し、前記第2のミキサーは、前記第2の発振部から出力
された第2の発振信号および前記第1のフィルタ部から
出力された第1の中間周波信号に応じて、第2の中間周
波信号を出力する。
は、前記集積回路の外部に形成されている。
出力された第1の中間周波信号を増幅する第2の増幅部
を有する。
出力された第2の中間周波信号を増幅する第2の増幅部
を有する。
力された第2の中間周波信号から所望の周波数成分のみ
を出力する第2のフィルタ部を有する。
明の電子機器は、主基板と、前記主基板に実装されるチ
ューナモジュールとを有する電子機器であって、前記チ
ューナモジュールは、第1の面に信号ライン、および前
記信号ラインを除く領域に少なくとも電源ラインが形成
され、前記第1の面に対向する第2の面にグラウンドパ
ターン、および前記グランドパターンを除く領域に最小
限の電源ラインパターンが形成されたモジュール基板を
含み、前記第1の面の電源ラインと、前記第2の面の電
源ラインパターンとがスルーホールを介して接続されて
いる。
1の面に、前記第2の面のグラウンドパターンとスルー
ホールを介して接続されたグラウンドラインを有し、前
記第1の面に形成され、前記第2の面に形成された電源
ラインパターンにスルーホールを介して接続された前記
第1の面の電源ライン、および前記グラウンドラインと
接続されたバイパスコンデンサを含む。
の接続端子を有し、前記モジュール基板は、前記第2の
面に、前記第1の接続端子と電気的に接続する第2の接
続端子を含む。
前記第1の面に形成された信号ラインと、スルーホール
を介して接続されている。
ーナモジュールをあらかじめ決められた位置に保持する
ための被係止部を含み、前記チューナモジュールは、前
記モジュール基板の一方の面側に配置されているシール
ドカバーを含み、前記シールドカバーは、前記主基板の
被係止部と係止する係止部を含む。
前記シールドカバーをあらかじめ決められた位置に保持
するための第2の被係止部を含み、前記シールドカバー
の係止部は、前記モジュール基板に形成された第2の被
係止部に係止し、かつ前記主基板に形成された係止部に
係止する。
少なくとも、チューナの主要部が一つの集積回路に集積
され、前記チューナの主要部は、入力端子から入力され
た信号を増幅する第1の増幅部と、第1の周波数の第1
の発振信号を出力する第1の発振部と、前記第1の発振
部から出力された第1の発振信号および前記第1の増幅
部から出力された信号に応じた前記第1の中間周波信号
を出力する第1のミキサーと、第2の周波数の第2の発
振信号を出力する第2の発振部と、前記第2の発振部か
ら出力された第2の発振信号および前記第1のミキサー
から出力された第1の中間周波信号に応じて、第2の中
間周波信号を出力する第2のミキサーとを含み、少なく
とも、前記第1の発振部から発振される第1の発振信
号、または第2の発振部から発振される第2の発振信号
が、イメージ除去するように設定されている。
された第1の中間周波信号から所望の周波数成分のみを
前記第2のミキサーに出力する第1のフィルタ部を有
し、前記第2のミキサーは、前記第2の発振部から出力
された第2の発振信号および前記第1のフィルタ部から
出力された第1の中間周波信号に応じて、第2の中間周
波信号を出力する。
は、前記集積回路の外部に形成されている。
出力された第1の中間周波信号を増幅する第2の増幅部
を有する。
出力された第2の中間周波信号を増幅する第2の増幅部
を有する。
力された第2の中間周波信号から所望の周波数成分のみ
を出力する第2のフィルタ部を有する。
明の電子機器は、主基板と、前記主基板に実装されるチ
ューナモジュールとを有する電子機器であって、前記チ
ューナモジュールは、チューナ回路が集積化されたモジ
ュール基板と、前記モジュール基板の一方の面側に配置
されているシールドカバーを含む。
明のチューナモジュールは、主基板に実装されるチュー
ナモジュールであって、前記チューナモジュールは、モ
ジュール基板と、前記モジュール基板の一方の面側に配
置されているシールドカバーとを含み、前記シールドカ
バーは、前記主基板に形成された被係止部と係止する係
止部を含む。
ールドカバーをあらかじめ決められた位置に保持するた
めの第2の被係止部を含み、前記シールドカバーの係止
部は、前記モジュール基板に形成された第2の被係止部
に係止し、かつ前記主基板に形成された係止部に係止す
る。
第1の面に信号ライン、および前記信号ラインを除く領
域に少なくとも電源ラインが形成され、前記第1の面に
対向する第2の面にグラウンドパターン、および前記グ
ランドパターンを除く領域に最小限の電源ラインパター
ンが形成され、前記第1の面の電源ラインと、前記第2
の面の電源ラインパターンとがスルーホールを介して接
続されている。
前記第1の面に、前記第2の面のグラウンドパターンと
スルーホールを介して接続されたグラウンドラインを有
し、前記第1の面に形成され、前記第2の面の電源ライ
ンパターンとスルーホールを介して接続された前記第1
の面の電源ライン、および前記グラウンドラインと接続
されたバイパスコンデンサを有する。
続端子を有し、前記モジュール基板は、前記第2の面に
前記第1の接続端子と電気的に接続する第2の接続端子
を含む。
前記第1の面に形成された信号ラインと、スルーホール
を介して接続されている。
チューナの主要部が一つの集積回路に集積され、前記チ
ューナの主要部は、入力端子から入力された信号を増幅
する第1の増幅部と、第1の周波数の第1の発振信号を
出力する第1の発振部と、前記第1の発振部から出力さ
れた第1の発振信号および前記第1の増幅部から出力さ
れた信号に応じた前記第1の中間周波信号を出力する第
1のミキサーと、第2の周波数の第2の発振信号を出力
する第2の発振部と、前記第2の発振部から出力された
第2の発振信号および前記第1のミキサーから出力され
た第1の中間周波信号に応じて、第2の中間周波信号を
出力する第2のミキサーとを含み、少なくとも、前記第
1の発振部から発振される第1の発振信号、または第2
の発振部から発振される第2の発振信号が、イメージ除
去するように設定されている。
された第1の中間周波信号から所望の周波数成分のみを
前記第2のミキサーに出力する第1のフィルタ部を有
し、前記第2のミキサーは、前記第2の発振部から出力
された第2の発振信号および前記第1のフィルタ部から
出力された第1の中間周波信号に応じて、第2の中間周
波信号を出力する。
は、前記集積回路の外部に形成されている。
出力された第1の中間周波信号を増幅する第2の増幅部
を有する。
出力された第2の中間周波信号を増幅する第2の増幅部
を有する。
力された第2の中間周波信号から所望の周波数成分のみ
を出力する第2のフィルタ部を有する。
明のチューナモジュールは、主基板に実装されるチュー
ナモジュールであって、前記チューナモジュールは、第
1の面に信号ライン、および前記信号ラインを除く領域
に少なくとも電源ラインが形成され、前記第1の面に対
向する第2の面にグラウンドパターン、および前記グラ
ンドパターンを除く領域に最小限の電源ラインパターン
が形成されたモジュール基板を含み、前記第1の面の電
源ラインと、前記第2の面の電源ラインパターンとがス
ルーホールを介して接続されている。
1の面に、前記第2の面のグラウンドパターンとスルー
ホールを介して接続されたグラウンドラインを有し、前
記第1の面に形成され、前記第2の面の電源ラインパタ
ーンとスルーホールを介して接続された前記第1の面の
電源ライン、および前記グラウンドラインと接続された
バイパスコンデンサを含む。
の接続端子を有し、前記モジュール基板は、前記第2の
面に、前記第1の接続端子と電気的に接続する第2の接
続端子を含む。
前記第1の面に形成された信号ラインと、スルーホール
を介して接続されている。
方の面側に形成されているシールドカバーを含み、前記
シールドカバーは、前記主基板に形成された被係止部と
係止する係止部を含む。
前記シールドカバーをあらかじめ決められた位置に保持
するための第2の被係止部を含み、前記シールドカバー
の係止部は、前記モジュール基板に形成された第2の被
係止部に係止し、かつ前記主基板に形成された係止部に
係止する。
少なくとも、チューナの主要部が一つの集積回路に集積
され、前記チューナの主要部は、入力端子から入力され
た信号を増幅する第1の増幅部と、第1の周波数の第1
の発振信号を出力する第1の発振部と、前記第1の発振
部から出力された第1の発振信号および前記第1の増幅
部から出力された信号に応じた前記第1の中間周波信号
を出力する第1のミキサーと、第2の周波数の第2の発
振信号を出力する第2の発振部と、前記第2の発振部か
ら出力された第2の発振信号および前記第1のミキサー
から出力された第1の中間周波信号に応じて、第2の中
間周波信号を出力する第2のミキサーとを含み、少なく
とも、前記第1の発振部から発振される第1の発振信
号、または第2の発振部から発振される第2の発振信号
が、イメージ除去するように設定されている。
された第1の中間周波信号から所望の周波数成分のみを
前記第2のミキサーに出力する第1のフィルタ部を有
し、前記第2のミキサーは、前記第2の発振部から出力
された第2の発振信号および前記第1のフィルタ部から
出力された第1の中間周波信号に応じて、第2の中間周
波信号を出力する。
は、前記集積回路の外部に形成されている。
出力された第1の中間周波信号を増幅する第2の増幅部
を有する。
出力された第2の中間周波信号を増幅する第2の増幅部
を有する。
力された第2の中間周波信号から所望の周波数成分のみ
を出力する第2のフィルタ部を有する。
明のチューナモジュールは、チューナ回路が集積化され
たモジュール基板と、前記モジュール基板の一方の面側
に配置されているシールドカバーとを有する。
明のモジュール基盤は、主基板に実装されるチューナモ
ジュールに含まれるモジュール基板であって、前記モジ
ュール基板は、第1の面に信号ライン、および前記信号
ラインを除く領域に少なくとも電源ラインが形成され、
前記第1の面に対向する第2の面にグラウンドパター
ン、および前記グランドパターンを除く領域に最小限の
電源ラインパターンが形成され、前記第1の面の電源ラ
インと、前記第2の面の電源ラインパターンとがスルー
ホールを介して接続されている。
のグラウンドパターンとスルーホールを介して接続され
たグラウンドラインを有し、前記第1の面に形成され、
前記第2の面の電源ラインパターンとスルーホールを介
して接続された前記第1の面の電源ライン、および前記
グラウンドラインと接続されたバイパスコンデンサを含
む。
続端子を有し、前記第2の面に前記第1の接続端子と電
気的に接続する第2の接続端子を含む。
前記第1の面に形成された信号ラインと、スルーホール
を介して接続されている。
び主基板に実装されるチューナモジュールで構成され、
チューナモジュールが、モジュール基板およびモジュー
ル基板の一方の面側に配置されたシールドカバーで構成
される。
ジュール基板に形成された第2の被係止部に係止され、
かつ主基板に形成された被係止部に係止され、チューナ
モジュールを主基板のあらかじめ定められた所定の位置
に保持する。
ン、および前記信号ラインを除く領域に電源ラインおよ
びグラウンドラインが形成され、前記第1の面に対向す
る第2の面にグラウンドパターン、およびグラウンドパ
ターンを除く領域に最小限の電源ラインパターンが形成
され、前記第1の面の電源ラインと、前記第2の面の電
源ラインパターンとがスルーホールを介して接続されて
いる。
ンデンサが、第2の面の電源ラインとスルーホールを介
して接続された第1の面の電源ラインと、グラウンドラ
インに接続される。こうすることで、たとえば両面基板
を用いることができ、第2の面が平らなチューナモジュ
ールが形成される。
れたグラウンドパターンは、シールド効果を有する。
される場合には、主基板に形成された第1の接続端子
と、チューナモジュールのモジュール基板の第2の面に
形成された第2の接続端子が電気的に接続される。ま
た、第2の接続端子は、モジュール基板の第2の面に形
成された信号ラインと、スルーホールを介して接続され
ている。こうすることにより、たとえば、チューナモジ
ュールに形成された回路と、主基板に形成された回路が
接続される。
は、チューナの主要部が一つの集積回路に集積される。
れると、第1の増幅部で信号が増幅される。第1の発振
部では、信号を第1の中間周波信号に変換するための、
第1の周波数の第1の発振信号が出力される。そして、
第1のミキサーでは、第1の増幅部で増幅された信号
が、第1の発振部で発振された第1の発振信号に応じた
第1の中間周波信号が出力される。
の第2の発振信号が出力される。第2のミキサーでは、
第2の発振部から出力された第2の発振信号および第1
のミキサーから出力された第1の中間周波信号に応じた
第2の中間周波信号を出力する。
の集積回路に集積化されており、空芯コイルが用いられ
ていない。このため、一般的なものよりも、薄型かつ小
型のチューナ内蔵の電子機器、チューナモジュール、お
よびモジュール基板が形成される。
実施の形態を模式的に示す斜視図、図2は図1の電子機
器のA−A線の断面を模式的に示す図である。
ば、図1に示すように、主基板であるセット側基板(マ
ザーボードとも言う)10、およびチューナモジュール
20を有する。
ル20を所望の位置に固定するための被係止部である位
置決め用挿入穴11が形成されている。セット側基板1
0に形成されている位置決め用挿入穴11は、所望の位
置に所望の形状で所望の数だけ形成され、たとえば、図
1に示すように、チューナモジュール20が実装される
領域S20に形成され、領域S20の短辺に2個ずつ計
4個の矩形状の穴が形成されている。
モジュール20をあらかじめ定めた位置に固定させるた
めの穴であるので、たとえば、セット側基板10を貫通
してもよいし、セット側基板10の途中までの深さの穴
でもよい。
の回路、たとえば電源回路、制御回路、演算処理回路等
の機能回路が形成されている。
すように、モジュール基板30およびシールドカバー4
0が形成されている。チューナモジュール20の大きさ
は、たとえば、約48mm×20mm×3mmである。
するように、内部にチューナを含む受信回路等が形成さ
れている。また,モジュール基板30は、図2に示すよ
うに、後述の係止部である金属片41が係合される、第
2の被係止部である被係止部30kを有する。被係止部
30kは、シールドカバー40がモジュール基板の所望
の位置に保持するために形成されている。
材料からなり、モジュール基板30を覆うように形成さ
れており、チューナモジュール20をセット側基板10
に取り付ける位置決め用金属片41(係止部)が形成さ
れている。
示すように、モジュール基板30から突出するように形
成されており、シールドカバー40の短辺に2つずつ計
4つ下向きに、かつセット側基板10に形成された位置
決め用挿入穴11に係止するように形成されている。
0にチューナモジュール20が実装される場合には、ま
ず、モジュール基板30の被係止部30kに、シールド
カバー40の位置決め用金属片41が係止するように形
成される。そして、セット側基板10の所定の位置に形
成された位置決め用挿入穴11に、シールドカバー40
の位置決め用金属片41が係止され、セット側基板10
の所定の位置にチューナモジュール20が実装される。
ーナモジュール20の位置を保持するための位置決め用
挿入穴11を設け、チューナモジュール20のシールド
カバー40に、その位置決め用挿入穴11に掛かる位置
決め用金属片41を設け、チューナモジュール20のモ
ジュール基板30に、被係止部30kを設けたので、た
とえば、手作業でセット側基板10にチューナモジュー
ル20を実装する場合であっても簡単に、かつ確実に所
定の位置に実装し、保持することができる。
決め用の突起を形成するという工程が必要なく、従来の
シールドカバーの形状を変更するだけで、部品の材料
費、加工費ともに、ほとんど従来の費用で上述の効果を
実現することができる。
ないことから、たとえば、機械マウンター設備によるマ
ウント実装を行う場合であっても、同様に使用可能であ
るので、上述の構造の部品に統一化することができる。
故障等により機械実装から手実装で行う必要が生じた場
合であっても、たとえば、購買部門は気にせずに部品手
配ができ、間接部門の効率を上げることもできる。
回路の機能ブロックの一例を示す図である。
は、たとえば、図3に示すように、チューナ200、残
留即波帯(VSB)ビデオ検波器110、ビデオプロセ
ッサおよびドライバ120、FMオーディオ検波器13
0、オーディオプロセッサおよびドライバ140、シリ
アルディジタルインターフェース150、バイアスおよ
び制御ロジック回路160、および周波数基準170を
有する。
ースから受信されたRF信号は、後述するようにチュー
ナ200により中間周波信号に変換され出力される。そ
して、チューナ200から出力された中間周波信号が、
残留側波帯(VSB)ビデオ検波器110およびビデオ
プロセッサおよびドライバ120に送られてビデオ出力
信号を発生する。ビデオ信号は、同期AM復調器を通し
て検波される。
ィオ検波器130およびオーディオプロセッサおよびド
ライバ140に送られてオーディオ出力信号を発生す
る。オーディオ検波は、直交基準のために位相ロックル
ープを利用する直交FM検波器より実行される。
0は、シリアルインターフェースバスから、シリアルク
ロック、シリアルディジタル信号を受信する。バイアス
および制御ロジック回路160は、内部バイアス電圧お
よび電流を定めかつチューナのステータスおよび制御レ
ジスタを保守する。周波数基準170は、外部基準クリ
スタルに同期化される発振器である。
00の詳細な説明および動作は、たとえば、特開平10
−336536号公報に詳細に説明されているので省略
する。
を示す図である。
内蔵されているチューナ200は、図4に示すように、
RFアンプ210、第1のミキサー220、第1のオシ
レータ221、第1のIFアンプ230、バンドパスフ
ィルタ240、第2のミキサー250、第2のオシレー
タ251、第2のIFアンプ260、およびバンドパス
フィルタ270を有する。
0,第1のIFアンプ230,バンドパスフィルタ24
0,第2のミキサー250,第2のIFアンプ260,
およびバンドパスフィルタ270は、直列に接続されて
いる。
タ221が接続され、第2のミキサー250には第2の
オシレータ251が接続されている。
220、第1のオシレータ221、第1のIFアンプ2
30、第2のミキサー250、第2のオシレータ25
1、および第2のIFアンプ260は、たとえば、IC
チップ上に集積化されている。
ブルコンバージョン方式のチューナとほぼ同様な構成要
素であり、相違点を説明する。
に接続された入力端子から入力されたRF信号を増幅す
る。たとえば、具体的には、RFアンプ210は、不図
示のアンテナ部に接続された入力端子から入力された、
40〜890MHzの周波数のRF信号を増幅し、第1
のミキサー220に出力する。
タ221から出力された第1の発振信号に応じて、RF
アンプ210から出力されたRF信号を所定の周波数の
第1の中間周波信号に変換し出力する。
とえば、後述するように、第1のオシレータ221から
出力された周波数1260〜2110MHzの第1の発
振信号に応じて、RFアンプ210により入力された周
波数40〜890MHzのRF信号を、所定の第1の中
間周波数、たとえば周波数1220MHzの中間周波信
号に変換する。
数890MHzのRF信号を選択する場合には、第1の
オシレータ221の発振する第1の基準周波数が211
0MHzに設定され、減算混合されて、周波数|211
0−890|=1220(MHz)の第1の中間周波信
号が出力される。また、この際、イメージの加算混合成
分が除去される。
に第1のミキサー220から出力されたRF信号を、第
1の中間周波信号に変換するための第1の基準周波数の
第1の発振信号を発振し出力する。
2110MHzの第1の基準周波数の発振信号を発振可
能である。
ー220から出力された第1の中間周波数の第1の中間
周波信号を増幅する。
アンプ230から出力された第1の中間周波信号から、
不要な周波数成分を排除し、所望の周波数のみを通過さ
せる。たとえば、1220MHzの周波数成分のみを通
過させる。
えば、ICチップの外部に形成されている。
は、コンダクタンス成分を実現するために、たとえば、
短い金属線等が用いられる。これは、第1の中間周波信
号の周波数が1220MHzと高く設定されているため
に、短い金属配線等によりコンダクタンス成分を実現す
ることができ、空芯コイルを用いる必要がないためであ
る。
ルタ240から所望の周波数のみが出力された第1の中
間周波信号を受信し、その第1の中間周波信号を第2の
オシレータ251から出力された第2の発振信号に応じ
て、第2の中間周波信号を出力する。
れる第2の中間周波信号と、第1のミキサー220から
出力される第1の中間周波信号の周波数が異なるため
に、第1のミキサー220の混合の際に生成される不要
なイメージ、たとえばRF信号と第1の発振信号の和算
混合成分等をさらに除去することができる。
波数1220MHzの第1の中間周波数と、第2のオシ
レータ251から出力された第2の発振信号、たとえば
周波数1164MHzの発振信号を減算混合し、周波数
|1220−1164|=56(MHz)の第2の中間
周波信号を出力する。
に第2のミキサー250に、第2の中間周波信号に変換
するための第2の発振信号を発振する。また、第2のオ
シレータ251で発振される周波数は固定されている。
上述したように周波数56MHzの第2の中間周波信号
を第2のミキサー250に出力させるために、たとえ
ば、周波数1164MHzの第2の発振信号を発振す
る。
ーロッパは36MHz、アメリカ合衆国では43MH
z、日本では56MHzと規格が定められているので、
使用する地域により第2のオシレータ251で発生する
周波数を設定する。たとえば、ヨーロッパでは1184
MHz、アメリカ合衆国では1177MHz、日本では
1164MHzに設定される。
ー250から出力された第2の中間周波信号を増幅す
る。
アンプ260から出力された第2の中間周波信号から、
不要な周波数成分を排除し所望の周波数成分のみを出力
する。たとえば、56MHzの周波数成分のみを通過さ
せる。
不図示のアンテナ部から入力されたRF信号が、RFア
ンプ210で増幅される。そして、第1のミキサー22
0では、第1のオシレータ221で発振された第1の発
振信号と、RFアンプ210から出力されたRF信号に
応じて、第1の中間周波信号が出力され、第1のIFア
ンプ230で、信号レベルが増幅される。そして、バン
ドパスフィルタ240では、その不要な周波数成分が濾
波されて出力される。
のオシレータ251で発振された第2の発振信号と、バ
ンドパスフィルタ240から出力された第1の中間周波
数に応じて、第2の中間周波信号が出力され、第2のI
Fアンプ260で、信号レベルが増幅される。そして、
バンドパスフィルタ270で、不要な周波数成分が濾波
されて、第2の中間周波信号が出力される。そして、上
述したように受信回路の他の機能ブロックで信号処理さ
れて、ビデオ出力およびオーディオ出力に変換される。
るRFアンプ210と、RFアンプ210で増幅された
信号を所望の第1の周波数の第1の中間周波信号に変換
するための第1の発振信号を出力する第1のオシレータ
221と、第1のオシレータ221から出力された第1
の発振信号およびRFアンプ210から出力された信号
に応じた第1の中間周波信号を出力する第1のミキサー
220と、第1のミキサー220から出力された第1の
中間周波信号を第2の中間周波信号に変換するための、
第2の発振信号を出力する第2のオシレータ251と、
第2のオシレータ251から出力された第2の発振信号
および第1のミキサー220から出力された第1の中間
周波信号に応じた第2の中間周波信号を出力する第2の
ミキサー250とを設け、少なくとも、第1の発振信号
または第2の発振信号をイメージ除去するように設定
し、少なくともRFアンプ210、第1のオシレータ2
21、第1のミキサー220、第2のオシレータ25
1、および第2のミキサー250を1つのICチップに
集積化し、そのチューナを覆うように、形成された電磁
波を遮断するシールドカバー40を設けたので、一般的
な空芯コイルを用いたチューナモジュールに比べて、空
芯コイルが形成されていない分、シールドカバー40を
モジュール基板30からの距離を短くすることができ
る。
空芯コイルが形成されていたので、シールドカバー40
を空芯コイルに接触しないように、さらに空芯コイルの
特性が変化しないように、空芯コイルから特性が変化し
ない距離まで離して形成していたが、本実施の形態に係
るチューナモジュール20では、その必要がなく、たと
えば、モジュール基板30上に実装される素子の一番背
の高い部品、たとえば、ICチップの近傍にまでシール
ドカバー40を近づけることができ、チューナモジュー
ルを小型化および薄型化することができる。
模式的に示す図である。
5に示すように、モジュール基板30の表面上にICチ
ップ50や、チップ部品60が形成されており、それを
覆うようにシールドカバー40が形成されている。
ーナ200の主要部、たとえば、RFアンプ210、第
1のミキサー220、第1のオシレータ221、第1の
IFアンプ230、第2のミキサー250、第2のオシ
レータ251、および第2のIFアンプ260が形成さ
れている。
に係る電子素子であり、たとえば、チップ状のレジスタ
やキャパシタ等である。
ト側基板10と接続するための接続電極31が形成され
ている。
板30の表面に回路パターンが形成されている場合に
は、その回路パターンとスルーホールを介して底面にま
で形成された端面スル−ホールとして形成されていても
よい。
基板10のチューナモジュール20が実装される領域S
20に接続端子を形成しておくことで、所定の位置にチ
ューナモジュール20を実装した場合に、セット側の回
路とモジュール側の回路を簡単に接続することができ
る。
ュール基板、およびセット側基板の断面の一実施の形態
を模式的に示す図である。
に、モジュール基板30に形成されている接続端子31
に電気的に接続される接続端子12が形成されている。
形成された不図示の機能回路等に接続されている。
30は、たとえば、図6に示すように、表面導体層3
2、および底面導体層(シールド層とも言う)33を有
する。
層に形成されている配線パターンの一具体例を示す図で
ある。
すように、モジュール基板の表面上に、上述のチューナ
に係る配線パターン32pが形成されている。配線パタ
ーン32pは、たとえば、導電性材料からなり、エッチ
ング等により形成される。また、表面導体層32には、
たとえば、回路の信号ラインLS、電源ラインLV、お
よびグラウンドラインLGが形成されている。
層に形成されている導体パターンの一具体例を示す図で
ある。
ように、モジュール基板30の裏面上に導電性材料で形
成されたグラウンドパターンGPが形成されている。ま
た、底面導体層33には、表面導体層32にどうしても
レイアウトすることができなかった、最小限の電源ライ
ンLVが形成されている。
3のグラウンドラインLGおよび電源ラインLVは、た
とえば、モジュール基板30を貫通するように導電性材
料で形成されたスルーホール34で電気的に接続されて
いる。
すように、複数の接続端子31が形成されている。接続
端子31は、スルーホール34を介して、表面導体層3
2に形成された信号ラインLSに接続されている。
およびグラウンドラインLGに接続されていてもよい。
こうすることにより、たとえば、不図示の主基板の電源
ラインおよびグランドラインに接続された接続端子にそ
れぞれが、電気的に接続されることで電源が供給され
る。
実施の形態を模式的に示す図である。
に示すように、バイパスコンデンサ35が形成されてい
る。
面導体層33にレイアウトした電源ラインLVにスルー
ホール34を介して接続された表面導体層32の電源ラ
インLVと接続し、モジュール基板30の表面に形成さ
れている。
たように電源ラインLVと、グラウンドパターンGPと
スルーホール34を介して接続されたグラウンドライン
LGと接続されることにより、信号ラインLSのインピ
ーダンスを下げ、ノイズの影響や不要電波の輻射が起こ
らないようにする。
面に信号ラインLS、および前記信号ラインLSを除く
領域に電源ラインLVおよびグラウンドラインLGを設
け、モジュール基板30の裏面にグラウンドラインLG
とスルーホール34を介して接続されたグラウンドパタ
ーンGP、および表面の電源ラインLVとスルーホール
34を介して接続された最小限の電源ラインLVを設
け、モジュール基板30の表面に、電源ラインLVおよ
びグラウンドラインLGと接続されたバイパスコンデン
サ35を設けたので、信号ラインLSのインピーダンス
を減少することができ、ノイズの影響や不要電波の輻射
が起こらないようにすることができ、一般的なチューナ
モジュールのモジュール基板において必要であった底面
側の導体層で形成されていたシールド層がなくても、同
等のシールド効果を得ることができる。
ールの3層構造のモジュール基板に比べて、本実施の形
態に係るモジュール基板30では、両面基板を用いても
同等の上述した効果を得ることができる。このため、大
幅なコストダウン、設計効率のアップ、検討効率のアッ
プ、基板の薄型化、基板の生産日程の短縮等が可能とな
る。
ップ部品等が形成されていないので裏面が平坦に形成す
ることができる。また、このモジュール基板を用いたチ
ューナモジュール20は裏面が平坦でありセット側基板
10に実装する際に有用である。
子31、セット側基板10に接続端子12を設けたの
で、たとえば、チューナモジュール20を実装する場合
には、チューナモジュール20と主基板10に形成され
た所望の回路等を電気的に簡単に接続することができ
る。
機器の一具体例であるPDA(Personal digital assis
tant)1p、ノートパソコン、携帯端末、デジタルカメ
ラ等に必要とされる薄型化や小型化のチューナモジュー
ルの開発に有利であり、セット側のスペースの制約が少
なくなるため、セットのより一層の小型化や特徴あるデ
ザインが可能となる。
専用の工場でなくてもチップマウント設備がある工場で
あれば生産可能であるため、コスト的に有利な消費地生
産も行いやすく、デリバリー面でも有利な供給体制が可
能となる。
めに、表面実装形状とすることが可能となり、従来のよ
うに手作業で実装する必要が無くなり、たとえばマウン
ト機械でマウント実装することができるのでセットの生
産性が向上するという利点がある。
るので、採用する部品も小さく作り出せ、出来あがった
チューナモジュールも流通するに当り、効率がよく環境
に有利であるという利点がある。
のではなく、任意好適な種々の改変が可能である。たと
えば、本実施の形態では、QFP(Quad flat package
)型ICチップを用いた図を示したが、この形態に限
られるものではない。たとえば、よりICチップの背の
低いCSP(Chip size package )を用いてもよい。そ
うすることで、より薄型かつ小型の電子機器およびチュ
ーナモジュールを形成することができる。
用穴、およびシールドカバーに形成された位置決め用金
属片は、本実施の形態に限られるものではない。たとえ
ば、受信回路やその他の機能回路等の都合により、セッ
ト側基板とモジュール基板の位置決め用の穴や金属片を
所望の形、数、位置等にしてよい。
施の形態に限られるものではない。所望の形状であって
よい。
ターンは、本実施の形態に限られるものではない。所望
の形状であってよい。
小型かつ薄型の電子機器、チューナモジュール、および
モジュール基板を提供することができる。
な構造で所定の位置に確実に実装可能な電子機器、チュ
ーナモジュール、およびモジュール基板を提供すること
ができる。
られた電子機器、チューナモジュール、およびモジュー
ル基板を提供することができる。
に示す斜視図である。
的を示す図である。
ロックの一例を示す図である。
る。
図である。
およびセット側基板の断面の一実施の形態を模式的に示
す図である。
ている配線パターンの一具体例を示す図である。
ている導体パターンの一具体例を示す図である。
模式的に示す図である。
ある。
の機能ブロックの一例を示す図である。
ているチューナモジュールの一例を示す図である。
式的に示す図である。
板の一具体例を模式的に示す斜視図である。
示す図である。
挿入穴(被係止部)、12…接続端子、20…チューナ
モジュール、30…モジュール基板、30k…被係止部
(第2の被係止部)、31…接続電極、31a…接続端
子、32…表面導体層、32p…配線パターン、33…
底面導体層、34…スルーホール、35…バイパスコン
デンサ、40…シールドカバー、41…金属片(係止
部)、50…ICチップ、60…チップ部品、70a…
空芯コイル、100…受信回路、110…残留側波帯
(VSB)ビデオ検波器、120…ビデオプロセッサお
よびドライバ、130…FMオーディオ検波器、140
…オーディオプロセッサおよびドライバ、150…シリ
アルディジタルインターフェース、160…バイアスお
よび制御ロジック回路、170…周波数基準、200…
チューナ、210…RFアンプ、220…第1のミキサ
ー、221…第1のオシレータ、230…第1のIFア
ンプ、240…バンドバスフィルタ、250…第2のミ
キサー、251…第2のオシレータ、260…第2のI
Fアンプ、270…バンドパスフィルタ、300…チュ
ーナ、310…バンドパスフィルタ、320…RFアン
プ、330…バンドパスフィルタ、340…第1のミキ
サー、341…第1のオシレータ、350…第1のIF
アンプ、360…バンドパスフィルタ、370…第2の
ミキサー、371…第2のオシレータ、380…第2の
IFアンプ、390…バンドパスフィルタ。
Claims (54)
- 【請求項1】主基板と、前記主基板に実装されるチュー
ナモジュールとを有する電子機器であって、 前記主基板は、前記チューナモジュールをあらかじめ決
められた位置に保持するための被係止部を含み、 前記チューナモジュールは、モジュール基板と、前記モ
ジュール基板の一方の面側に配置されているシールドカ
バーとを含み、 前記シールドカバーは、前記主基板の被係止部と係止す
る係止部を含む電子機器。 - 【請求項2】前記モジュール基板は、前記シールドカバ
ーをあらかじめ決められた位置に保持するための第2の
被係止部を含み、 前記シールドカバーの係止部は、前記モジュール基板に
形成された第2の被係止部に係止し、かつ前記主基板に
形成された係止部に係止する請求項1に記載の電子機
器。 - 【請求項3】前記モジュール基板は、第1の面に信号ラ
イン、および前記信号ラインを除く領域に少なくとも電
源ラインが形成され、前記第1の面に対向する第2の面
にグラウンドパターン、および前記グラウンドパターン
を除く領域に最小限の電源ラインパターンが形成され、 前記第1の面の電源ラインと、前記第2の面の電源ライ
ンパターンとがスルーホールを介して接続されている請
求項1に記載の電子機器。 - 【請求項4】前記モジュール基板は、前記第1の面に、
前記第2の面のグラウンドパターンとスルーホールを介
して接続されたグラウンドラインを有し、 前記第1の面に形成され、前記第2の面の電源ラインパ
ターンとスルーホールを介して接続された前記第1の面
の電源ライン、および前記グラウンドラインと接続され
たバイパスコンデンサを含む請求項3に記載の電子機
器。 - 【請求項5】前記主基板は、第1の接続端子を有し、 前記モジュール基板は、前記第2の面に、前記第1の接
続端子と電気的に接続する第2の接続端子を含む請求項
1に記載の電子機器。 - 【請求項6】前記第2の接続端子は、前記第1の面に形
成された信号ラインと、スルーホールを介して接続され
ている請求項5に記載の電子機器。 - 【請求項7】前記モジュール基板は、少なくとも、チュ
ーナの主要部が一つの集積回路に集積され、 前記チューナの主要部は、入力端子から入力された信号
を増幅する第1の増幅部と、 第1の周波数の第1の発振信号を出力する第1の発振部
と、 前記第1の発振部から出力された第1の発振信号および
前記第1の増幅部から出力された信号に応じた前記第1
の中間周波信号を出力する第1のミキサーと、 第2の周波数の第2の発振信号を出力する第2の発振部
と、 前記第2の発振部から出力された第2の発振信号および
前記第1のミキサーから出力された第1の中間周波信号
に応じて、第2の中間周波信号を出力する第2のミキサ
ーとを含み、 少なくとも、前記第1の発振部から発振される第1の発
振信号、または第2の発振部から発振される第2の発振
信号が、イメージ除去するように設定されている請求項
1に記載の電子機器。 - 【請求項8】第1のミキサーから出力された第1の中間
周波信号から所望の周波数成分のみを前記第2のミキサ
ーに出力する第1のフィルタ部を有し、 前記第2のミキサーは、前記第2の発振部から出力され
た第2の発振信号および前記第1のフィルタ部から出力
された第1の中間周波信号に応じて、第2の中間周波信
号を出力する請求項7に記載の電子機器。 - 【請求項9】前記第1のフィルタ部は、前記集積回路の
外部に形成されている請求項8に記載の電子機器。 - 【請求項10】前記第1のミキサーから出力された第1
の中間周波信号を増幅する第2の増幅部を有する請求項
7に記載の電子機器。 - 【請求項11】前記第2のミキサーから出力された第2
の中間周波信号を増幅する第2の増幅部を有する請求項
7に記載の電子機器。 - 【請求項12】前記第2の増幅部から出力された第2の
中間周波信号から所望の周波数成分のみを出力する第2
のフィルタ部を有する請求項11に記載の電子機器。 - 【請求項13】主基板と、前記主基板に実装されるチュ
ーナモジュールとを有する電子機器であって、 前記チューナモジュールは、第1の面に信号ライン、お
よび前記信号ラインを除く領域に少なくとも電源ライン
が形成され、前記第1の面に対向する第2の面にグラウ
ンドパターン、および前記グランドパターンを除く領域
に最小限の電源ラインパターンが形成されたモジュール
基板を含み、 前記第1の面の電源ラインと、前記第2の面の電源ライ
ンパターンとがスルーホールを介して接続されている電
子機器。 - 【請求項14】前記モジュール基板は、前記第1の面
に、前記第2の面のグラウンドパターンとスルーホール
を介して接続されたグラウンドラインを有し、 前記第1の面に形成され、前記第2の面に形成された電
源ラインパターンにスルーホールを介して接続された前
記第1の面の電源ライン、および前記グラウンドライン
と接続されたバイパスコンデンサを含む請求項13に記
載の電子機器。 - 【請求項15】前記主基板は、前記第1の接続端子を有
し、 前記モジュール基板は、前記第2の面に、前記第1の接
続端子と電気的に接続する第2の接続端子を含む請求項
13に記載の電子機器。 - 【請求項16】前記第2の接続端子は、前記第1の面に
形成された信号ラインと、スルーホールを介して接続さ
れている請求項15に記載の電子機器。 - 【請求項17】前記主基板は、前記チューナモジュール
をあらかじめ決められた位置に保持するための被係止部
を含み、 前記チューナモジュールは、前記モジュール基板の一方
の面側に配置されているシールドカバーを含み、 前記シールドカバーは、前記主基板の被係止部と係止す
る係止部を含む請求項13に記載の電子機器。 - 【請求項18】前記モジュール基板は、前記シールドカ
バーをあらかじめ決められた位置に保持するための第2
の被係止部を含み、 前記シールドカバーの係止部は、前記モジュール基板に
形成された第2の被係止部に係止し、かつ前記主基板に
形成された係止部に係止する請求項17に記載の電子機
器。 - 【請求項19】前記モジュール基板は、少なくとも、チ
ューナの主要部が一つの集積回路に集積され、 前記チューナの主要部は、入力端子から入力された信号
を増幅する第1の増幅部と、 第1の周波数の第1の発振信号を出力する第1の発振部
と、 前記第1の発振部から出力された第1の発振信号および
前記第1の増幅部から出力された信号に応じた前記第1
の中間周波信号を出力する第1のミキサーと、 第2の周波数の第2の発振信号を出力する第2の発振部
と、 前記第2の発振部から出力された第2の発振信号および
前記第1のミキサーから出力された第1の中間周波信号
に応じて、第2の中間周波信号を出力する第2のミキサ
ーとを含み、 少なくとも、前記第1の発振部から発振される第1の発
振信号、または第2の発振部から発振される第2の発振
信号が、イメージ除去するように設定されている請求項
13に記載の電子機器。 - 【請求項20】第1のミキサーから出力された第1の中
間周波信号から所望の周波数成分のみを前記第2のミキ
サーに出力する第1のフィルタ部を有し、 前記第2のミキサーは、前記第2の発振部から出力され
た第2の発振信号および前記第1のフィルタ部から出力
された第1の中間周波信号に応じて、第2の中間周波信
号を出力する請求項19に記載の電子機器。 - 【請求項21】前記第1のフィルタ部は、前記集積回路
の外部に形成されている請求項20に記載の電子機器。 - 【請求項22】前記第1のミキサーから出力された第1
の中間周波信号を増幅する第2の増幅部を有する請求項
19に記載の電子機器。 - 【請求項23】前記第2のミキサーから出力された第2
の中間周波信号を増幅する第2の増幅部を有する請求項
19に記載の電子機器。 - 【請求項24】前記第2の増幅部から出力された第2の
中間周波信号から所望の周波数成分のみを出力する第2
のフィルタ部を有する請求項23に記載の電子機器。 - 【請求項25】主基板と、前記主基板に実装されるチュ
ーナモジュールとを有する電子機器であって、 前記チューナモジュールは、チューナ回路が集積化され
たモジュール基板と、前記モジュール基板の一方の面側
に配置されているシールドカバーを含む電子機器。 - 【請求項26】主基板に実装されるチューナモジュール
であって、 前記チューナモジュールは、モジュール基板と、前記モ
ジュール基板の一方の面側に配置されているシールドカ
バーとを含み、 前記シールドカバーは、前記主基板に形成された被係止
部と係止する係止部を含むチューナモジュール。 - 【請求項27】前記モジュール基板は、前記シールドカ
バーをあらかじめ決められた位置に保持するための第2
の被係止部を含み、 前記シールドカバーの係止部は、前記モジュール基板に
形成された第2の被係止部に係止し、かつ前記主基板に
形成された係止部に係止する請求項26に記載のチュー
ナモジュール。 - 【請求項28】前記モジュール基板は、第1の面に信号
ライン、および前記信号ラインを除く領域に少なくとも
電源ラインが形成され、前記第1の面に対向する第2の
面にグラウンドパターン、および前記グランドパターン
を除く領域に最小限の電源ラインパターンが形成され、 前記第1の面の電源ラインと、前記第2の面の電源ライ
ンパターンとがスルーホールを介して接続されている請
求項26に記載のチューナモジュール。 - 【請求項29】前記モジュール基板は、前記第1の面
に、前記第2の面のグラウンドパターンとスルーホール
を介して接続されたグラウンドラインを有し、 前記第1の面に形成され、前記第2の面の電源ラインパ
ターンとスルーホールを介して接続された前記第1の面
の電源ライン、および前記グラウンドラインと接続され
たバイパスコンデンサを有する請求項28に記載のチュ
ーナモジュール。 - 【請求項30】前記主基板は、第1の接続端子を有し、 前記モジュール基板は、前記第2の面に前記第1の接続
端子と電気的に接続する第2の接続端子を含む請求項2
6に記載のチューナモジュール。 - 【請求項31】前記第2の接続端子は、前記第1の面に
形成された信号ラインと、スルーホールを介して接続さ
れている請求項30に記載のチューナモジュール。 - 【請求項32】前記モジュール基板は、チューナの主要
部が一つの集積回路に集積され、 前記チューナの主要部は、入力端子から入力された信号
を増幅する第1の増幅部と、 第1の周波数の第1の発振信号を出力する第1の発振部
と、 前記第1の発振部から出力された第1の発振信号および
前記第1の増幅部から出力された信号に応じた前記第1
の中間周波信号を出力する第1のミキサーと、 第2の周波数の第2の発振信号を出力する第2の発振部
と、 前記第2の発振部から出力された第2の発振信号および
前記第1のミキサーから出力された第1の中間周波信号
に応じて、第2の中間周波信号を出力する第2のミキサ
ーとを含み、 少なくとも、前記第1の発振部から発振される第1の発
振信号、または第2の発振部から発振される第2の発振
信号が、イメージ除去するように設定されている請求項
26に記載のチューナモジュール。 - 【請求項33】第1のミキサーから出力された第1の中
間周波信号から所望の周波数成分のみを前記第2のミキ
サーに出力する第1のフィルタ部を有し、 前記第2のミキサーは、前記第2の発振部から出力され
た第2の発振信号および前記第1のフィルタ部から出力
された第1の中間周波信号に応じて、第2の中間周波信
号を出力する請求項32に記載のチューナモジュール。 - 【請求項34】前記第1のフィルタ部は、前記集積回路
の外部に形成されている請求項33に記載のチューナモ
ジュール。 - 【請求項35】前記第1のミキサーから出力された第1
の中間周波信号を増幅する第2の増幅部を有する請求項
32に記載のチューナモジュール。 - 【請求項36】前記第2のミキサーから出力された第2
の中間周波信号を増幅する第2の増幅部を有する請求項
32に記載のチューナモジュール。 - 【請求項37】前記第2の増幅部から出力された第2の
中間周波信号から所望の周波数成分のみを出力する第2
のフィルタ部を有する請求項36に記載のチューナモジ
ュール。 - 【請求項38】主基板に実装されるチューナモジュール
であって、 前記チューナモジュールは、第1の面に信号ライン、お
よび前記信号ラインを除く領域に少なくとも電源ライン
が形成され、前記第1の面に対向する第2の面にグラウ
ンドパターン、および前記グランドパターンを除く領域
に最小限の電源ラインパターンが形成されたモジュール
基板を含み、 前記第1の面の電源ラインと、前記第2の面の電源ライ
ンパターンとがスルーホールを介して接続されているチ
ューナモジュール。 - 【請求項39】前記モジュール基板は、前記第1の面
に、前記第2の面のグラウンドパターンとスルーホール
を介して接続されたグラウンドラインを有し、 前記第1の面に形成され、前記第2の面の電源ラインパ
ターンとスルーホールを介して接続された前記第1の面
の電源ライン、および前記グラウンドラインと接続され
たバイパスコンデンサを含む請求項38に記載のチュー
ナモジュール。 - 【請求項40】前記主基板は、前記第1の接続端子を有
し、 前記モジュール基板は、前記第2の面に、前記第1の接
続端子と電気的に接続する第2の接続端子を含む請求項
38に記載のチューナモジュール。 - 【請求項41】前記第2の接続端子は、前記第1の面に
形成された信号ラインと、スルーホールを介して接続さ
れている請求項40に記載のチューナモジュール。 - 【請求項42】前記モジュール基板の一方の面側に形成
されているシールドカバーを含み、 前記シールドカバーは、前記主基板に形成された被係止
部と係止する係止部を含む請求項38に記載のチューナ
モジュール。 - 【請求項43】前記モジュール基板は、前記シールドカ
バーをあらかじめ決められた位置に保持するための第2
の被係止部を含み、 前記シールドカバーの係止部は、前記モジュール基板に
形成された第2の被係止部に係止し、かつ前記主基板に
形成された係止部に係止する請求項42に記載のチュー
ナモジュール。 - 【請求項44】前記モジュール基板は、少なくとも、チ
ューナの主要部が一つの集積回路に集積され、 前記チューナの主要部は、入力端子から入力された信号
を増幅する第1の増幅部と、 第1の周波数の第1の発振信号を出力する第1の発振部
と、 前記第1の発振部から出力された第1の発振信号および
前記第1の増幅部から出力された信号に応じた前記第1
の中間周波信号を出力する第1のミキサーと、 第2の周波数の第2の発振信号を出力する第2の発振部
と、 前記第2の発振部から出力された第2の発振信号および
前記第1のミキサーから出力された第1の中間周波信号
に応じて、第2の中間周波信号を出力する第2のミキサ
ーとを含み、 少なくとも、前記第1の発振部から発振される第1の発
振信号、または第2の発振部から発振される第2の発振
信号が、イメージ除去するように設定されている請求項
38に記載のチューナモジュール。 - 【請求項45】第1のミキサーから出力された第1の中
間周波信号から所望の周波数成分のみを前記第2のミキ
サーに出力する第1のフィルタ部を有し、 前記第2のミキサーは、前記第2の発振部から出力され
た第2の発振信号および前記第1のフィルタ部から出力
された第1の中間周波信号に応じて、第2の中間周波信
号を出力する請求項44に記載のチューナモジュール。 - 【請求項46】前記第1のフィルタ部は、前記集積回路
の外部に形成されている請求項45に記載のチューナモ
ジュール。 - 【請求項47】前記第1のミキサーから出力された第1
の中間周波信号を増幅する第2の増幅部を有する請求項
44に記載のチューナモジュール。 - 【請求項48】前記第2のミキサーから出力された第2
の中間周波信号を増幅する第2の増幅部を有する請求項
44に記載のチューナモジュール。 - 【請求項49】前記第2の増幅部から出力された第2の
中間周波信号から所望の周波数成分のみを出力する第2
のフィルタ部を有する請求項48に記載のチューナモジ
ュール。 - 【請求項50】チューナ回路が集積化されたモジュール
基板と、 前記モジュール基板の一方の面側に配置されているシー
ルドカバーとを有するチューナモジュール。 - 【請求項51】主基板に実装されるチューナモジュール
に含まれるモジュール基板であって、 前記モジュール基板は、第1の面に信号ライン、および
前記信号ラインを除く領域に少なくとも電源ラインが形
成され、前記第1の面に対向する第2の面にグラウンド
パターン、および前記グランドパターンを除く領域に最
小限の電源ラインパターンが形成され、 前記第1の面の電源ラインと、前記第2の面の電源ライ
ンパターンとがスルーホールを介して接続されているモ
ジュール基板。 - 【請求項52】前記第1の面に、前記第2の面のグラウ
ンドパターンとスルーホールを介して接続されたグラウ
ンドラインを有し、 前記第1の面に形成され、前記第2の面の電源ラインパ
ターンとスルーホールを介して接続された前記第1の面
の電源ライン、および前記グラウンドラインと接続され
たバイパスコンデンサを含む請求項51に記載のモジュ
ール基板。 - 【請求項53】前記主基板は、第1の接続端子を有し、 前記第2の面に前記第1の接続端子と電気的に接続する
第2の接続端子を含む請求項51に記載のモジュール基
板。 - 【請求項54】前記第2の接続端子は、前記第1の面に
形成された信号ラインと、スルーホールを介して接続さ
れている請求項53に記載のモジュール基板。
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