JP2003142832A - 部品内蔵モジュールおよびパッケージ部品、並びにその製造方法 - Google Patents

部品内蔵モジュールおよびパッケージ部品、並びにその製造方法

Info

Publication number
JP2003142832A
JP2003142832A JP2001339854A JP2001339854A JP2003142832A JP 2003142832 A JP2003142832 A JP 2003142832A JP 2001339854 A JP2001339854 A JP 2001339854A JP 2001339854 A JP2001339854 A JP 2001339854A JP 2003142832 A JP2003142832 A JP 2003142832A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
capacitor
inductor
sheet
module
hole
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2001339854A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4065125B2 (ja
Inventor
Koichi Hirano
浩一 平野
Seiichi Nakatani
誠一 中谷
Hiroyuki Ishitomi
裕之 石富
Yoshihisa Yamashita
嘉久 山下
Hiroyuki Handa
浩之 半田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP2001339854A priority Critical patent/JP4065125B2/ja
Publication of JP2003142832A publication Critical patent/JP2003142832A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4065125B2 publication Critical patent/JP4065125B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate

Landscapes

  • Insulating Of Coils (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 部品を電気絶縁層に内蔵して３次元的に接続
する機能モジュールにおいて、小型高密度化と低抵抗
化、部品温度の低下、電流許容量の増大を両立する。 【解決手段】 少なくとも半導体104およびコンデンサ1
02およびインダクタ103が電気的に接続されたモジュー
ルにおいて、コンデンサ102およびインダクタ103のうち
少なくとも１種類が、熱硬化性樹脂と無機質フィラーと
を少なくとも含む混合物からなる電気絶縁材101中に内
蔵され、前記内蔵されたコンデンサ102もしくはインダ
クタ103の電極の少なくとも１つを貫通するように前記
モジュールに貫通穴が形成され、前記貫通穴がめっきス
ルーホール107で外部電極109に接続されている部品内蔵
モジュールとする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電気・電子機器に
用いられる機能モジュールに関するものであり、特に小
型、高密度、高効率を求められる携帯情報端末などに好
適な電源機能、高周波機能、論理回路機能を有する部品
内蔵モジュールおよびパッケージ部品、並びにその製造
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、電気・電子機器の小型、高密度化
に伴い、個別部品を基板上に実装して電気回路を形成す
る従来の方法に対し、機能ブロックごとに複数の部品を
１つのパッケージとしてモジュール化する手法が多く用
いられている。このモジュールは、ドーター基板に必要
な部品を片面もしくは両面実装して形成されることが一
般的である。しかし、基板表面に実装部品を搭載する方
法では、搭載する部品の面積よりもモジュール面積を小
さくすることは不可能で高密度化に限界があった。ま
た、平面中に部品を配置するためにその構成によっては
部品間の接続距離が長くならざるを得なくなり、損失の
増大や、高周波に対するインピーダンス整合の問題が生
じている。
【０００３】このため部品を基板表面に２次元的に実装
するだけではなく、基板内部に部品を入れて３次元的に
部品配置を行うようなモジュールの提案がなされてい
る。このような形態のモジュールもしくは基板として
は、例えばセラミック基板に空隙を設け、その空隙部分
に部品を配置する方法や、多層プリント配線板の内部に
空隙部分を設け、その中に部品を配置する方法などがあ
る。
【０００４】しかし、前記のセラミック基板を用いた例
によると、セラミック基板では焼成工程が含まれるた
め、半導体や有機物を含む受動部品を内蔵することがで
きない。そのため内蔵空隙を空けた部分の上部には部品
を実装することができず、低背化が図れるものの実際に
は３次元的な接続ができずに高密度化に限界があった。
また、セラミック基板を用いた場合には層間の接続がタ
ングステンやモリブデンといった高抵抗金属を焼結した
ビアを介するため、比較的接続抵抗が大きくなり、特に
損失が問題となる電源などの回路においては大きな問題
となっていた。
【０００５】また、プリント配線板に空隙部分を設けて
その中に部品を配置する例によると、スルーホール接続
により低抵抗の接続が可能であるが、プリント配線板の
熱伝導率が低いため、基板内部の部品から発生した熱が
外部に伝わりにくく、放熱が困難になる。このために実
際の設計においては温度上昇を考慮して部品の高密度化
ができなくなるという問題があった。また、プリント配
線板の厚み方向の熱膨張係数は約６０ｐｐｍ／℃前後で
あり、めっき材料である銅の熱膨張係数（１７ｐｐｍ／
℃）とのミスマッチが大きく、その接続信頼性に問題が
あった。
【０００６】これらの例に対し、高密度化と高信頼性を
改善した例が特開平１１−２２０２６２号公報に示され
ており、少なくとも無機質フィラー７０〜９５重量％と
熱硬化樹脂組成物５〜３０重量％を含む混合物からなる
電気絶縁性基板の内部に、少なくとも１つ以上の能動部
品および／または受動部品を内蔵し、かつ複数の配線パ
ターンと前記配線パターン間を導電性樹脂組成物よりな
るビアで電気的に接続している。この例によれば、３次
元的な接続による高密度化が可能になり、また熱膨張係
数の整合による信頼性の向上を見込むことができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、導電性樹脂組
成物によるビア接続では金属粉末の接触により導通を得
ているため、金属のみの接続に比べてその抵抗値が高く
なり、数百ミリアンペア〜数アンペア程度の比較的大き
な電流を使用する場合には損失による発熱量の増大や効
率の低下が発生するという問題があった。特に、電流量
が大きい場合、発熱量が大きいためモジュール自体の温
度が高くなるため部品の故障が発生したり、熱によるビ
ア接続の破壊や基板自体の破壊が発生したりしてしまう
恐れがあった。
【０００８】本発明は上記のような問題を解決するため
になされたものであり、めっきスルーホールにより低抵
抗な接続が可能になり、また部品電極に直接スルーホー
ルを形成することでさらに低抵抗な接続が可能になる部
品内蔵モジュールを提供することを目的とする。また、
無機フィラーを高濃度に充填することが可能で、しかも
簡易な工法で半導体やコンデンサ、インダクタなどの受
動部品を内部に埋設することによって作製される部品内
蔵モジュールと、その部品内蔵モジュールを構成するこ
とができるパッケージ部品を提供することを目的とす
る。無機フィラーを選択することで、所望の性能を有す
るモジュールが製造可能である。即ち、モジュールの平
面方向の熱膨脹係数が配線パターンの金属および半導体
や各部品と近く、しかも放熱性に優れ、磁気特性や誘電
特性にも優れた超高密度な実装形態を有するモジュール
が実現できる。また、スルーホールとインナービアを併
用することで、高密度化と低抵抗、大電流容量を兼ね備
えた部品内蔵モジュールが実現できる。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明にかかる部品内蔵
モジュールは、少なくとも半導体およびコンデンサおよ
びインダクタが電気的に接続されたモジュールにおい
て、前記コンデンサおよび前記インダクタのうち少なく
とも１種類が、熱硬化性樹脂と無機質フィラーとを少な
くとも含む混合物からなる電気絶縁材中に内蔵され、前
記内蔵されたコンデンサおよび／またはインダクタの電
極の少なくとも１つを貫通するように前記モジュールに
貫通穴が形成され、前記貫通穴がめっきスルーホールに
より外部電極に接続されているものである。
【００１０】また、前記構成において、前記半導体が熱
硬化性樹脂と無機質フィラーとを少なくとも含む混合物
からなる電気絶縁材中に内蔵されている部品内蔵モジュ
ールである。
【００１１】また、前記構成において、前記電気絶縁材
中に内蔵された半導体および／またはコンデンサおよび
／またはインダクタが、前記半導体および／またはコン
デンサおよび／またはインダクタと同一面上に形成され
た配線パターンに接続され、前記配線パターンがめっき
スルーホールにより外部電極に接続されている部品内蔵
モジュールである。
【００１２】また、本発明にかかる部品内蔵モジュール
は、少なくとも半導体およびコンデンサおよびインダク
タが電気的に接続されたモジュールにおいて、前記コン
デンサおよび前記インダクタのうち少なくとも１種類
が、熱硬化性樹脂と無機質フィラーとを少なくとも含む
混合物からなる電気絶縁材中に内蔵され、前記内蔵され
たコンデンサおよび／またはインダクタの電極の少なく
とも１つが前記モジュールの端面に形成された端面電極
に接続されているものである。
【００１３】また、前記構成において、前記半導体が熱
硬化性樹脂と無機質フィラーとを少なくとも含む混合物
からなる電気絶縁材中に内蔵されている部品内蔵モジュ
ールである。
【００１４】また、前記構成において、前記電気絶縁材
中に内蔵された半導体および／またはコンデンサおよび
／またはインダクタが、前記半導体および／または前記
コンデンサおよび／または前記インダクタと同一面上に
形成された配線パターンに接続され、前記配線パターン
の少なくとも１部分が前記モジュールの端面に形成され
た端面電極に接続されている部品内蔵モジュールであ
る。
【００１５】また、前記の各構成において、前記端面電
極が前記モジュールの鉛直方向に貫通した溝状に形成さ
れている部品内蔵モジュールである。また、前記構成に
おいて、前記端面電極が金属のめっきにより形成されて
いる部品内臓モジュールである。
【００１６】また、前記の各構成において、複数の配線
パターンを含み、前記配線パターン間を電気的に接続す
る導電性樹脂組成物からなる複数のインナービアを含ん
だ部品内蔵モジュールである。
【００１７】また、前記の各構成において、前記半導体
および前記コンデンサおよび前記インダクタのうち少な
くとも２種類の部品が、熱硬化性樹脂と無機質フィラー
とを少なくとも含む混合物からなる電気絶縁材中の異な
った面に内蔵されている部品内蔵モジュールである。
【００１８】また、前記の各構成において、前記半導体
および前記コンデンサおよび前記インダクタのうち少な
くとも２種類の部品が、前記モジュールの主面に対して
鉛直な方向に前記部品の形状を投射した場合に重なり合
う部分を持つように配置されている部品内蔵モジュール
である。
【００１９】また、前記の各構成において、前記モジュ
ールがＤＣ−ＤＣコンバータ機能を有する部品内蔵モジ
ュールである。
【００２０】また、前記の各構成において、前記半導体
がベアチップよりなり、配線パターンとフリップチップ
実装されている部品内蔵モジュールである。
【００２１】また、本発明のパッケージ部品は、コンデ
ンサまたはインダクタが熱硬化性樹脂と無機質フィラー
とを少なくとも含む混合物からなる電気絶縁材中に内蔵
され、前記内蔵されたコンデンサまたはインダクタの電
極の少なくとも１つを貫通するように貫通穴が形成さ
れ、前記貫通穴がめっきスルーホールにより外部電極に
接続されているものである。
【００２２】また、本発明のパッケージ部品は、コンデ
ンサまたはインダクタが熱硬化性樹脂と無機質フィラー
とを少なくとも含む混合物からなる電気絶縁材中に内蔵
され、前記内蔵されたコンデンサまたはインダクタの電
極の少なくとも１つが前記モジュールの端面に形成され
た端面電極に接続されているものである。
【００２３】また、前記の各構成において、前記コンデ
ンサがフィルム状の固体電解コンデンサである部品内蔵
モジュールおよびパッケージ部品である。また、前記構
成において、前記コンデンサが２つの陽極を持つ３端子
構造、もしくは２つの陽極と２つの陰極を持つ４端子構
造である部品内蔵モジュールおよびパッケージ部品であ
る。
【００２４】また、前記の各構成において、前記インダ
クタが１層ないしは２層の平板状の巻線を有したシート
状コイルからなる部品内蔵モジュールおよびパッケージ
部品である。
【００２５】また、前記の各構成において、前記コンデ
ンサおよび前記インダクタの少なくとも１つの電極が金
属箔からなる部品内蔵モジュールおよびパッケージ部品
である。
【００２６】また、前記の各構成において、前記熱硬化
性樹脂組成物中の無機質フィラーがAl2O3、SiO2、MgO、
BeO、Si3N4、SiC、AlNおよびBNからなる群から選択され
た少なくとも１種類である部品内蔵モジュールおよびパ
ッケージ部品である。また、前記の各構成において、前
記インダクタを内蔵する熱硬化性樹脂組成物中の無機質
フィラーが鉄、ニッケル、フェライト、パーマロイおよ
びセンダストからなる群から選択された少なくとも１種
類である部品内蔵モジュールおよびパッケージ部品であ
る。
【００２７】また、前記の各構成において、前記電気絶
縁材の熱膨張係数が５〜３０×１０ -6／℃である部品内
蔵モジュールおよびパッケージ部品である。また、前記
の各構成において、前記電気絶縁材の熱伝導率が１〜１
０Ｗ／ｍ・Ｋである部品内蔵モジュールおよびパッケー
ジ部品である。
【００２８】本発明にかかる部品内蔵モジュールの製造
方法は、未硬化の熱硬化性樹脂と無機質フィラーとを少
なくとも混合した熱硬化性樹脂組成物をシート状物に加
工する工程と、少なくとも１枚の前記シート状物と銅箔
とを重ね合わせて加熱・加圧することで一体化する工程
と、前記銅箔を加工して配線パターンを形成する工程
と、前記配線パターン上にコンデンサもしくはインダク
タを実装する工程と、前記配線パターン上の部品実装面
にさらに前記シート状物と銅箔とを重ね合わせて前記コ
ンデンサもしくはインダクタを前記シート状物に埋没さ
せて内蔵する工程と、さらに加熱・加圧することで前記
シート状物の熱硬化性樹脂を硬化させる工程と、前記コ
ンデンサもしくは前記インダクタの電極を貫通するよう
に位置決めして貫通穴を形成する工程と、銅メッキによ
り貫通スルーホールを形成する工程と、前記銅箔を加工
して外部電極および配線パターンを形成する工程と、前
記配線パターンに少なくとも半導体およびインダクタも
しくはコンデンサを実装する工程とを少なくとも含むこ
とを特徴とする。
【００２９】また、本発明にかかる部品内蔵モジュール
の製造方法は、未硬化の熱硬化性樹脂と無機質フィラー
とを少なくとも混合した熱硬化性樹脂組成物をシート状
物に加工する工程と、銅箔にコンデンサもしくはインダ
クタを実装する工程と、前記銅箔の部品実装面に前記シ
ート状物と銅箔とを重ね合わせて前記コンデンサもしく
は前記インダクタを前記シート状物に埋没させて内蔵す
る工程と、さらに加熱・加圧することで前記シート状物
の熱硬化性樹脂を硬化させる工程と、前記コンデンサも
しくは前記インダクタの電極を貫通するように位置決め
して貫通穴を形成する工程と、銅メッキにより貫通スル
ーホールを形成する工程と、前記銅箔を加工して外部電
極および配線パターンを形成する工程と、前記配線パタ
ーンに少なくとも半導体およびインダクタもしくはコン
デンサを実装する工程とを少なくとも含むことを特徴と
する。
【００３０】また、本発明にかかる部品内蔵モジュール
の製造方法は、未硬化の熱硬化性樹脂と無機質フィラー
とを少なくとも混合した熱硬化性樹脂組成物をシート状
物に加工する工程と、離型キャリアの片面上に配線パタ
ーンを形成する工程と、前記離型キャリアの配線パター
ン上にコンデンサもしくはインダクタを実装する工程
と、前記離型キャリア上の部品実装面に前記シート状物
と銅箔とを重ね合わせて前記コンデンサもしくは前記イ
ンダクタを前記シート状物に埋没させて内蔵する工程
と、さらに加熱・加圧することで前記シート状物の熱硬
化性樹脂を硬化させる工程と、前記コンデンサもしくは
前記インダクタの電極を貫通するように位置決めして貫
通穴を形成する工程と、銅メッキにより貫通スルーホー
ルを形成する工程と、前記銅箔を加工して外部電極およ
び配線パターンを形成する工程と、前記配線パターンに
少なくとも半導体およびインダクタもしくはコンデンサ
を実装する工程とを少なくとも含むことを特徴とする。
【００３１】また、本発明にかかる部品内蔵モジュール
の製造方法は、未硬化の熱硬化性樹脂と無機質フィラー
とを少なくとも混合した熱硬化性樹脂組成物をシート状
物に加工する工程と、少なくとも２枚の前記シート状物
でコンデンサもしくはインダクタを挟み込んで内蔵させ
る工程と、さらに銅箔で挟んで加熱・加圧することで前
記シート状物の熱硬化性樹脂を硬化させるとともに前記
銅箔を接着する工程と、前記コンデンサもしくは前記イ
ンダクタの電極を貫通するように位置決めして貫通穴を
形成する工程と、銅メッキにより貫通スルーホールを形
成する工程と、前記銅箔を加工して外部電極および配線
パターンを形成する工程と、前記配線パターンに少なく
とも半導体およびインダクタもしくはコンデンサを実装
する工程とを少なくとも含むことを特徴とする。
【００３２】また、前記の部品内蔵モジュールの製造方
法において、少なくとも２枚の前記シート状物でコンデ
ンサもしくはインダクタを挟み込んで内蔵させる工程の
後で、銅箔で挟むことに加えてさらに前記シート状物と
前記銅箔を片面もしくは両面に重ね合わせて加熱・加圧
することで、前記シート状物の熱硬化性樹脂を硬化させ
るとともに前記銅箔を接着させる工程に置き換えたこと
を特徴とする部品内蔵モジュールの製造方法である。
【００３３】また、前記の部品内蔵モジュールの製造方
法において、前記コンデンサもしくは前記インダクタの
電極を貫通するように位置決めして貫通穴を形成する工
程を、前記銅箔を加工して配線パターンを形成する工程
と、前記配線パターンに半導体を実装する工程と、前記
半導体の実装面にさらに前記シート状物と前記銅箔とを
この順で重ね合わせて前記半導体を前記シート状物に埋
没させて内蔵する工程と、さらに加熱・加圧することで
前記シート状物の熱硬化性樹脂を硬化させる工程と、前
記コンデンサもしくは前記インダクタの電極および前記
半導体に接続した前記配線パターンを貫通するように位
置決めして貫通穴を形成する工程に置き換えたことを特
徴とする部品内蔵モジュールの製造方法である。
【００３４】また、前記の部品内蔵モジュールの製造方
法において、前記コンデンサもしくは前記インダクタの
電極を貫通するように位置決めして貫通穴を形成する工
程を、前記コンデンサもしくは前記インダクタが実装さ
れた配線パターンを貫通するように位置決めして貫通穴
を形成する工程に置き換えたことを特徴とする部品内蔵
モジュールの製造方法である。
【００３５】また、前記の部品内蔵モジュールの製造方
法において、前記未硬化の熱硬化性樹脂と無機質フィラ
ーとを少なくとも混合した熱硬化性樹脂組成物をシート
状物に加工する工程に、さらに前記シート状物の所望の
位置に貫通穴を形成する工程と、前記貫通穴に導電性樹
脂組成物を充填する工程を付け加えたことを特徴とする
部品内蔵モジュールの製造方法である。
【００３６】本発明にかかるパッケージ部品の製造方法
は、未硬化の熱硬化性樹脂と無機質フィラーとを少なく
とも混合した熱硬化性樹脂組成物をシート状物に加工す
る工程と、少なくとも１枚の前記シート状物と銅箔とを
重ね合わせて加熱・加圧することで一体化する工程と、
前記銅箔を加工して配線パターンを形成する工程と、前
記配線パターン上にコンデンサもしくはインダクタを実
装する工程と、前記配線パターン上の部品実装面にさら
に前記シート状物と前記銅箔とを重ね合わせて前記コン
デンサもしくは前記インダクタを前記シート状物に埋没
させて内蔵する工程と、さらに加熱・加圧することで前
記シート状物の熱硬化性樹脂を硬化させる工程と、前記
コンデンサもしくは前記インダクタの電極を貫通するよ
うに位置決めして貫通穴を形成する工程と、銅メッキに
より貫通スルーホールを形成する工程と、前記銅箔を加
工して外部電極を形成する工程とを少なくとも含むこと
を特徴とする。
【００３７】また、本発明にかかるパッケージ部品の製
造方法は、未硬化の熱硬化性樹脂と無機質フィラーとを
少なくとも混合した熱硬化性樹脂組成物をシート状物に
加工する工程と、少なくとも２枚の前記シート状物でコ
ンデンサもしくはインダクタを挟み込んで内蔵させる工
程と、さらに銅箔で挟んで加熱・加圧することで前記シ
ート状物の熱硬化性樹脂を硬化させるとともに前記銅箔
を接着する工程と、前記コンデンサもしくは前記インダ
クタの電極を貫通するように位置決めして貫通穴を形成
する工程と、銅メッキにより貫通スルーホールを形成す
る工程と、前記銅箔を加工して外部電極を形成する工程
とを少なくとも含むことを特徴とする。
【００３８】また、前記の部品内蔵モジュールおよびパ
ッケージ部品の製造方法において、前記部品内蔵モジュ
ールおよび前記パッケージ部品を、前記貫通スルーホー
ルの中心部分を通るように切断して、前記貫通スルーホ
ールを端面電極とする工程を含むことを特徴とする部品
内蔵モジュールおよびパッケージ部品の製造方法であ
る。
【００３９】また、前記の部品内蔵モジュールの製造方
法において、前記半導体を実装する工程が、前記半導体
に金バンプを設け、前記配線パターンに導電性接着剤で
接続する方法、もしくは前記配線パターンに超音波で接
合させる方法であることを特徴とする部品内蔵モジュー
ルの製造方法である。
【００４０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。本発明の実施の態様は、未硬化の熱硬化性
樹脂と無機質フィラーとを少なくとも混合した熱硬化性
樹脂組成物をシート状物に加工する工程、およびそのシ
ート状物を基本とする。本シート状物は室温で可撓性が
有り、部品埋めこみなどの工程に適している。また、熱
硬化後はリジッドになり、その形状を保持できる。ま
た、無機質フィラーの種類や量を変えることにより、電
気絶縁材の熱膨張係数や熱伝導率、誘電率や透磁率を変
化させることができ、所望の電気的および機械的特性を
得られるものである。
【００４１】（実施形態１）本発明の第１の実施の形態
は、少なくとも１枚の前記シート状物と銅箔とを重ね合
わせて加熱・加圧して一体化した後、銅箔を配線パター
ンに加工してその上にコンデンサもしくはインダクタを
実装し、さらに前記シート状物および銅箔を前記コンデ
ンサもしくはインダクタに重ね合わせてシート状物中に
埋没させて内蔵一体化し、その後前記インダクタもしく
はコンデンサの電極を貫通するように位置決めして貫通
穴を形成し、銅メッキにより貫通スルーホールを形成
し、その後前記銅箔を加工して外部電極および配線パタ
ーンを形成して、少なくとも半導体およびインダクタも
しくはコンデンサを実装するものである。
【００４２】本モジュールは、コンデンサもしくはイン
ダクタを基板中に内蔵し、部品を３次元的に実装するこ
とが可能であるため、小型で高密度な形態を実現するこ
とができる。また、このため配線長を短縮することが可
能で、低損失で高速な回路を実現することができる。ま
た、銅メッキスルーホールによる層間接続を含むため、
低損失な接続を実現することができる。
【００４３】（実施形態２）本発明の第２の実施の形態
は、銅箔にコンデンサもしくはインダクタを実装してか
らシート状物と前記銅箔とを重ね合わせ、加熱・加圧し
て前記コンデンサもしくはインダクタを前記シート状物
に埋没させて内蔵するとともに前記シート状物の熱硬化
性樹脂を硬化させ、その後前記コンデンサもしくはイン
ダクタの電極を貫通するように位置決めして貫通穴を形
成し、銅メッキにより貫通スルーホールを形成し、前記
銅箔を加工して外部電極および配線パターンを形成し、
前記配線パターンに少なくとも半導体およびインダクタ
もしくはコンデンサを実装するものである。
【００４４】本実施の形態によれば、銅箔パターンの両
面に部品を実装することができるため、モジュールの低
背化を実現することができる。
【００４５】（実施形態３）本発明の第３の実施の形態
は、離型キャリアの片面上に配線パターンを形成し、前
記離型キャリアの配線パターン上にコンデンサもしくは
インダクタを実装し、その部品実装面にシート状物と銅
箔とを重ね合わせ、加熱・加圧してコンデンサもしくは
インダクタを前記シート状物に埋没させて内蔵するとと
もにシート状物の熱硬化性樹脂を硬化させ、その後前記
コンデンサもしくはインダクタの電極を貫通するように
位置決めして貫通穴を形成し、銅メッキにより貫通スル
ーホールを形成し、前記銅箔を加工して外部電極および
配線パターンを形成し、前記配線パターンに少なくとも
半導体およびインダクタもしくはコンデンサを実装する
ものである。
【００４６】本実施の形態によると、あらかじめ配線パ
ターンが形成されているためパターン形成の位置合わせ
をする必要がなく簡便にモジュールを作製することがで
きる。また、スルーホールめっきを行う際に配線パター
ンにはめっきされないため、配線パターン厚みをめっき
厚みより薄く保つことができる。このため微細な配線パ
ターンを形成することが可能になる。
【００４７】（実施形態４）本発明の第４の実施の形態
は、少なくとも２枚のシート状物でコンデンサもしくは
インダクタを挟み込んで内蔵させ、さらに銅箔で挟んで
加熱・加圧することで前記シート状物の熱硬化性樹脂を
硬化させるとともに前記銅箔を接着させた後、前記コン
デンサもしくはインダクタの電極を貫通するように位置
決めして貫通穴を形成し、銅メッキにより貫通スルーホ
ールを形成し、前記銅箔を加工して外部電極および配線
パターンを形成し、前記配線パターンに少なくとも半導
体およびインダクタもしくはコンデンサを実装するもの
である。
【００４８】本実施の形態によれば、内部に配線層を設
けずに部品内蔵モジュールを形成することが可能にな
り、小型低背化が実現できる。本実施の形態に加えてさ
らに片面もしくは両面にシート状物を介して配線層を付
け加えることも可能である。また、前記の配線層を付け
加える際に、半導体を実装してこの半導体をシート状物
に埋め込んで内蔵することも可能である。この場合低背
化できることに加えて、取り出し電極が再配線可能にな
る。
【００４９】（実施形態５）本発明の第５の実施の形態
は、上記の各実施の形態で作製するモジュールで使用す
るシート状物にあらかじめ貫通穴を開け、前記貫通穴に
導電性樹脂組成物を充填してから銅箔と重ね合わせて加
熱・加圧して配線層を形成したり、コンデンサもしくは
インダクタを埋め込んで内蔵したりするものである。
【００５０】本実施の形態によれば、大きな電流の流れ
る配線層ではめっきスルーホールを用い、制御信号など
電流量の低い場合では上記の導電性樹脂組成物により接
続されるインナービアを使用することができるため、低
抵抗による高効率化、温度上昇低下が実現できることに
加えて、インナービアによる高密度化をも実現すること
が可能になる。
【００５１】（実施形態６）本発明の第６の実施の形態
は、上記の各実施の形態でコンデンサもしくはインダク
タをシート状物に埋没させて内蔵した後、さらに最外層
の銅箔を加工して配線パターンとし、その配線パターン
に半導体を実装し、再度シート状物および銅箔を前記半
導体に重ね合わせ、加熱・加圧して半導体を埋設すると
ともに銅箔と一体化させ、その後コンデンサもしくはイ
ンダクタの電極および前記半導体に接続した前記配線パ
ターンを貫通するように位置決めして貫通穴を形成し、
前記銅箔を加工して外部電極および配線パターンを形成
し、前記配線パターンに少なくともインダクタもしくは
コンデンサを実装するものである。
【００５２】本実施の形態によれば、複数の部品を３次
元的に内蔵し、高密度なモジュールを得ることができ
る。
【００５３】（実施形態７）本発明の第７の実施の形態
は、少なくとも１枚のシート状物と銅箔とを重ね合わせ
て加熱・加圧することで一体化し、前記銅箔を加工して
配線パターンを形成し、前記配線パターン上にコンデン
サもしくはインダクタを実装し、前記配線パターン上の
部品実装面にさらに前記シート状物と銅箔とを重ね合わ
せ、加熱・加圧することで前記コンデンサもしくはイン
ダクタを前記シート状物に埋没させて内蔵し、その後前
記コンデンサもしくはインダクタの電極を貫通するよう
に位置決めして貫通穴を形成し、銅メッキにより貫通ス
ルーホールを形成し、前記銅箔を加工して外部電極を形
成する工程とを少なくとも含むものである。
【００５４】本実施の形態によれば、高信頼性で部品内
蔵モジュールに適したパッケージ部品を簡便に得ること
ができる。また、同様にして、上記の各実施の形態にお
いてコンデンサもしくはインダクタを内蔵した状態で外
部電極を形成することで、高信頼で接続抵抗の小さなパ
ッケージ部品を得ることができる。
【００５５】（実施形態８）本発明の第８の実施の形態
は、上記の各実施の形態において、作製した部品内蔵モ
ジュールおよびパッケージ部品のめっきスルーホール部
分を通るように切断して、前記めっきスルーホールを端
面電極とするものである。
【００５６】本実施の形態によれば、スルーホールで切
断するため、外形の小型化が可能となる。また、外部電
極を形成する必要がなくなるため、最外面に銅箔を配置
する必要が無く、工程上有利になる。
【００５７】
【実施例】以下、本発明の一実施例による部品内蔵モジ
ュールおよびパッケージ部品、並びにその製造方法を図
面を用いて説明する。
【００５８】（実施例１）図１は、本発明の一実施例に
よる部品内蔵モジュールの断面図である。図１におい
て、101は電気絶縁材であるシート状物であり、102は前
記シート状物に埋設されたコンデンサであり、103はイ
ンダクタであり、104はシート状物に埋設された半導体
であり、105はチップ部品であり、106はインナービアで
あり、107は貫通された銅メッキスルーホールであり、1
08はシート状物中に層状に形成された配線パターンであ
り、109は外部電極である。
【００５９】電気絶縁材であるシート状物は、無機質フ
ィラーと熱硬化性樹脂を少なくとも含む混合物である。
無機質フィラーとしては電気的に絶縁性のものであれば
よいが、熱膨張係数や熱伝導率の点で、Al2O3、SiO2、M
gO、BeO、Si3N4、SiC、AlNおよびBNからなる群から選ば
れた少なくとも１種類であることが好ましい。特に、Al
2O3、SiO2を使用した場合、熱硬化性樹脂との混練が容
易でシート加工性に優れている。また、AlNを使用した
場合、特に熱伝導率が高くなる。
【００６０】無機質フィラーの比率としては、６０〜９
５重量％が好ましく、７０〜９５重量％がより好まし
い。これより低い場合、シート状物の熱膨張係数が大き
くなり、半導体や各部品、あるいは配線である銅箔との
熱膨張係数の差が大きくなるからである。また、これよ
りも高い場合には、シートの流動性が低下し、コンデン
サやインダクタを埋設することが困難になる。
【００６１】熱硬化性樹脂としては、例えばエポキシ樹
脂、フェノール樹脂、イソシアネート樹脂が使用でき、
これらの樹脂から少なくとも１種類を選んで用いること
が好ましい。これらの樹脂はそれぞれ耐熱性や機械的強
度、電気絶縁性に優れるからである。
【００６２】電気絶縁材としては、その熱膨張係数が５
×１０-6〜３０×１０-6／℃であることが好ましい。こ
の範囲にある場合、内蔵されたコンデンサもしくはイン
ダクタ、あるいは半導体や、配線パターンおよびメッキ
材料である銅との熱膨張係数の差が小さくなり、高い信
頼性を得ることができる。また、電気絶縁材の熱膨張係
数が、平面方向と厚み方向でほぼ同じであることが好ま
しい。信頼性が向上するからである。さらに、電気絶縁
材の熱伝導率が１〜１０Ｗ／ｍ・Ｋであることが好まし
い。放熱性が良好になり、許容電流値を増やすことが可
能になるからである。また、内蔵した部品の発熱をすば
やく外部に放散し、部品の温度上昇を低下させることが
できるからである。
【００６３】コンデンサとしては、電極端子が取り出せ
るものであれば良いが、少なくとも１つの電極が金属箔
であることが好ましい。貫通穴を形成する際に素子を破
壊せずに貫通することができ、メッキによって外部電極
と電気的に接続することができるからである。また、コ
ンデンサはフィルム状の固体電解コンデンサであること
が好ましい。このコンデンサによれば、ほぼ同容量のチ
ップコンデンサに対して低背化が可能となり、モジュー
ルの小型化が可能になるからである。また、陽極が金属
箔であるため、上記の好ましい例のように貫通穴形成が
容易であるからである。上記の固体電解コンデンサの陽
極金属としては、例えばアルミニウム、タンタルが使用
できる。
【００６４】また、コンデンサが２つの陽極を持つ３端
子構造、もしくは２つの陽極と２つの陰極を持つ４端子
構造であることが好ましい。この場合、配線による等価
直列インダクタンスが小さくなり、耐ノイズ性が向上す
る点で有利である。また、配線距離による浮遊容量の影
響を押さえることができ、モジュール構成の自由度が向
上する点で有利である。
【００６５】インダクタとしては、例えば巻線インダク
タやチップインダクタが使用できるが、コンデンサと同
様に少なくとも１つの電極が金属箔であることが好まし
い。金属箔としては、例えば銅、銀、アルミニウムが使
用できる。また、特にインダクタが１層ないしは２層の
平板状の巻線を有したシート状コイルからなることが好
ましい。この好ましい例によれば、インダクタの薄型化
が可能になり、ひいてはモジュールの低背化が可能にな
る。
【００６６】半導体としては、ベアチップであることが
好ましい。パッケージに使用される体積が除去され、モ
ジュールの小型化が可能になるからである。また、半導
体は配線パターンとフリップチップ実装されていること
が好ましい。フリップチップの場合、ワイヤボンディン
グに比べて実装面積や高さを低下させることができ、ま
たシート状物によるワイヤの流れが発生しないため高信
頼な実装が可能になるからである。
【００６７】半導体およびコンデンサおよびインダクタ
のうち少なくとも２種類の部品は、図１に示すようにモ
ジュールの主面に対して鉛直な方向に投射した場合に、
その形状が重なった位置に配置されることが好ましい。
この配置によれば、各部品の実装密度が向上して体積が
小さくなるからである。また、３次元的な配線により配
線長を短くすることが可能になり、配線の低抵抗化や高
速化、耐ノイズ性の向上といった性能面での向上が可能
になるからである。
【００６８】本モジュールは低抵抗な層間接続が可能に
なる効果のため、特に電力を取り扱う電源用途が好まし
く、例えばＤＣ−ＤＣコンバータやレギュレータとして
の機能を有することができ、特にＤＣ−ＤＣコンバータ
機能を有することが好ましい。
【００６９】なお、図１に示した一実施例ではコンデン
サ102が電気絶縁材101に内蔵されインダクタ103は外部
に接続されているが、逆にインダクタ103が内蔵されて
いてもよく、またコンデンサ102およびインダクタ103が
ともに電気絶縁材101に内蔵されていても良い。また、
半導体104は電気絶縁材101に内蔵されているが，必ずし
も内蔵する必要はなく、電極表面に実装されていてもよ
い。また、チップ部品105が電気絶縁材101に内蔵されて
いるが、チップ部品105は必ずしも必要ではなく、適宜
削除もしくは追加されてもよい。
【００７０】（実施例２）図２は、本発明の一実施例に
よる部品内蔵モジュールの製造方法を示す工程別断面図
である。図２(a)に示すように熱硬化性樹脂と無機質フ
ィラーを少なくとも含む混合物をシート化したシート状
物201を用意する。このシート状物201の両面に銅箔202
を重ねて加熱・加圧することで、図２(b)に示すように
銅箔202がシート状物201に張り合わされた銅張両面板を
作製する。次に、図２(c)に示すように、銅箔202の片面
を加工して配線パターン203を作製する。その後、図２
(d)に示すように、配線パターン203上にコンデンサ204
を実装する。この図において205はコンデンサ204の電極
であり、206は接着剤である。さらに、この上にシート
状物201を重ね合わせ、さらに銅箔202を重ね合わせて加
熱・加圧することにより、図２(e)に示すようにコンデ
ンサ204をシート状物201中に埋没させて内蔵するととも
にシート状物201中の熱硬化性樹脂を硬化させる。その
後、図２(f)に示すように、内蔵されたコンデンサ204の
電極205を貫通するように貫通穴を開け、銅メッキを施
してスルーホール207を形成する。その後、図２(g)に示
すように、銅箔202を加工して配線パターン203を形成
し、その上に半導体208およびインダクタ209、チップ部
品210、外部電極211を実装して部品内蔵モジュールを完
成させる。
【００７１】シート状物201の作製に関しては、所望の
比率の熱硬化性樹脂と無機質フィラーを秤量して混合
し、シート状に造膜すればよい。混合の方法としては、
例えばボールミルによる方法、プラネタリーミキサーに
よる方法、攪拌機による方法が使用できる。上記の混合
物をシート状に造膜する方法は特に限定されず、ドクタ
ーブレード法、コーター法、押し出し法などを用いるこ
とができる。また、熱伝導樹脂組成物に溶剤を混合させ
てその粘度を調整してから造膜し、その後熱伝導樹脂組
成物中の熱硬化性樹脂の硬化温度より低い温度で溶剤を
乾燥させて造膜してもよく、この場合にはドクターブレ
ード法を用いることが好ましい。造膜が容易だからであ
る。溶剤としては、例えばメチルエチルケトン（ＭＥ
Ｋ）、トルエン、イソプロパノールを使用できる。
【００７２】銅箔202としては、例えば工業用電解銅箔
が使用できる。なお、銅箔はその片面ないし両面が粗化
されていることが好ましい。シート状物との接着力が高
まるからである。銅箔を配線パターンに加工する方法と
しては、例えば化学エッチングによる方法が使用でき
る。
【００７３】接着剤206はコンデンサ204の固定に使用で
きるものであればよく特に限定されないが、例えば半
田、導電性樹脂組成物、熱硬化性接着剤等が使用でき
る。なお、モジュール表面に配置されているインダクタ
209、チップ部品210、外部電極211を実装する場合にお
いては、部品が固定され電気的な接続が可能であればよ
く、例えば半田や導電性接着剤による方法が使用でき
る。
【００７４】チップ部品210としては回路形成の必要に
応じて適宜選択すればよく特に限定されないが、例えば
抵抗、コンデンサ、インダクタが使用できる。また、半
導体パッケージを使用してもよい。外部電極211として
は他の基板などに電気的に接続できる端子であればよく
特に限定されないが、例えば金属ボール、金属ブロック
が使用できる。また、モジュール最外部の配線パターン
を外部電極として使用してもよい。
【００７５】スルーホール207となる貫通穴の形成方法
は特に限定されず、例えばドリル加工や、パンチ加工が
使用できる。また、スルーホールへの銅メッキ方法は、
例えば無電解メッキが使用できる。メッキ厚さは配線パ
ターン厚みや使用される電流量によって適宜決定すれば
よい。
【００７６】半導体208の実装方法としては特に限定さ
れないが、フリップチップ実装であることが好ましい。
配線長が短くなり低抵抗化や高速化に有利であり、また
実装面積が小さいためモジュールの小型化が可能となる
からである。フリップチップ実装の方法としては、例え
ば半導体に金ワイヤボンディング法で作製したバンプを
設け配線パターンに導電性接着剤で接続する方法、上記
金バンプを超音波で配線パターンに接合させる方法、は
んだバンプを形成して熱溶融させることによる接合法が
使用できるが、特に金バンプを介した超音波接合法もし
くははんだバンプによる接合法が好ましい。これらの実
装方法では接続抵抗が低いからである。また、上記の各
フリップチップ実装方法においては、半導体と配線パタ
ーンもしくはシート状物との間隙が樹脂封止されている
ことが好ましい。接続信頼性が向上するからである。
【００７７】なお、本実施の形態においては、コンデン
サをシート状物中に内蔵してインダクタを表面に実装し
ているが、逆にインダクタをシート物中に内蔵し、コン
デンサを外部に実装してもよいことはいうまでもない。
【００７８】（実施例３）図３は、本発明の別の一実施
例による部品内蔵モジュールの製造方法を示す工程別断
面図である。図３(a)に示すように、銅箔301上にコンデ
ンサ302を、接着剤303を介して実装する。その後、図３
(b)に示すようにコンデンサ302の上にシート状物304お
よび銅箔301を重ねて加熱・加圧して、シート状物304中
にコンデンサ302を埋設して内蔵させ、同時に熱硬化性
樹脂を硬化させて銅箔301と一体化する。その後、図３
(c)に示すように、コンデンサ302の電極306を貫通する
ように貫通穴を形成し、銅メッキを施してスルーホール
305を形成する。その後、図３(d)に示すように、銅箔30
1を加工して配線パターン307を形成し、その上に半導体
308、チップ部品310およびインダクタ309、外部電極311
を実装して部品内蔵モジュールを完成させる。
【００７９】（実施例４）図４は、本発明の別の一実施
例による部品内蔵モジュールの製造方法を示す工程別断
面図である。図４(a)に示すように、離型キャリア401上
に形成された配線パターン402を用意する。次に、図４
(b)に示すように、配線パターン402上にインダクタ403
を接着剤404を介して実装する。次に、図４(c)に示すよ
うに、インダクタ402上に電気絶縁材であるシート状物4
05と、図４(a)で示したものと同様の離型キャリア401付
配線パターン402をこの順で配線パターンがシート状物4
05に接するようにして重ね合わせ、加熱・加圧してシー
ト状物405中にインダクタ403が埋没して内蔵され、同時
に熱硬化性樹脂を硬化させて配線パターンと一体化させ
る。その後、図４(d)に示すようにインダクタ403の電極
406を貫通するように貫通穴を開け、銅メッキを施して
スルーホール407を形成する。その後、図４(e)に示すよ
うに離型キャリア401を剥離して配線パターンをモジュ
ール表面に露出させ、図４(f)に示すように半導体408、
コンデンサ409、外部電極411を実装して部品内蔵モジュ
ールを完成させる。なお、410はチップ部品である。
【００８０】離型キャリアとしては、例えばポリエチレ
ンやポリエチレンテレフタレートなどの有機フィルム
や、銅、アルミニウムなどの金属箔が利用できる。配線
パターンの形成方法としては、例えば離型キャリア上に
銅箔を接着剤で接着させたものを加工する方法や、離型
キャリア上にめっきで形成する方法が使用できる。
【００８１】（実施例５）図５は、本発明の別の一実施
例による部品内蔵モジュールの製造方法を示す工程別断
面図である。図５(a)に示すように、コイル501の両面か
ら電気絶縁材であるシート状物502および銅箔503を重ね
合わせて加熱・加圧することで、図５(b)に示すように
コイル501をシート状物502中に埋没させて内蔵し、同時
に熱硬化性樹脂を硬化させて一体化させる。その後、図
５(c)に示すように、インダクタの電極505を貫通するよ
うに貫通穴を形成し、銅メッキを施してスルーホール50
4を形成する。その後、図５(d)に示すように、銅箔503
を加工して配線パターン506を形成し、その上に半導体5
07、コンデンサ508、外部電極509を実装して部品内蔵モ
ジュールを完成させる。なお、510はチップ部品であ
る。
【００８２】なお、本実施の形態において、コイル501
は１層ないしは２層の平板状の巻線からなるシート状コ
イルであることが低背化の点で好ましい。また、上記の
インダクタを内蔵するシート状物502は、前記の実施例
で記載した無機質フィラー以外に軟磁性体を含むことが
好ましく、特には鉄、ニッケル、フェライト、パーマロ
イ、センダストからなる群から選ばれた少なくとも１種
類を含むことが好ましい。これらのフィラーを使用すれ
ば、コイル周囲の透磁率が向上するため漏れ磁束が減少
し、より大きなインダクタンスが得られるからである。
なお、同様の理由により、別の実施例においても、イン
ダクタを内蔵するシート状物が上記の軟磁性材料を含ん
でいることが好ましい。
【００８３】さらに、図５(c)において、銅箔503を加工
して配線パターンを形成し、外部電極とすることによ
り、パッケージ部品とすることができ、本実施の形態に
よれば、部品の上面および下面の所望の位置に取り出し
電極を設けることが可能になり、低抵抗で設計自由度が
高く、低背なパッケージ部品が作製できる。
【００８４】（実施例６）図６は、本発明の別の一実施
例による部品内蔵モジュールの製造方法を示す工程別断
面図である。図６(a)に示すように、シート状物601に貫
通穴602を形成し、導電性樹脂組成物603を前記貫通穴60
2に充填する。その後、図６(b)に示すように、両面を銅
箔604で挟んで加熱・加圧して、シート状物601および導
電性樹脂組成物603中の熱硬化性樹脂を硬化させるとと
もに銅箔604と一体化させる。その後、図６(c)に示すよ
うに銅箔を加工して配線パターン605を形成する。さら
に、その両面に図６(a)と同様のシート状物および銅箔
を重ねて加熱・加圧し、さらに銅箔を配線パターンに加
工して図６(d)に示すような多層配線板を形成する。そ
の後、図６(e)に示すように配線パターン上にコンデン
サ606を導電接着剤607を介して実装する。次に、図６
(f)に示すように、さらにコンデンサ606の上にシート状
物601および銅箔604を重ね合わせ、加熱・加圧してシー
ト状物601中にコンデンサ606を埋没して内蔵し、同時に
熱硬化性樹脂を硬化させて銅箔604と一体化させ、さら
にコンデンサ606の電極608を貫通するように貫通穴を開
け、銅メッキを施してスルーホール609を形成する。そ
の後、図６(g)に示すように半導体610、インダクタ61
1、外部電極612を実装して部品内蔵モジュールを完成さ
せる。なお、613はチップ部品である。
【００８５】シート状物601に貫通穴602を形成する方法
としては、レーザー加工法やパンチング加工法、金型に
よる打抜き加工法が使用できる。特にレーザー加工法で
は、炭酸ガスレーザーやエキシマレーザーが使用でき、
加工速度の点で好ましい。導電性樹脂組成物603として
は、金、銀、銅やそれらの合金粉末を導電材料とし、そ
れを熱硬化性樹脂に混合したものが使用できる。導電材
料としては導電性が良好であり、マイグレーションが少
ないため特に銅が好ましい。
【００８６】（実施例７）図７は、本発明の別の一実施
例による部品内蔵モジュールの製造方法を示す工程別断
面図である。図７(a)に示すように、図６と同様の製造
方法でシート状物701に銅箔702を一体化し、インナービ
アで接続された多層の配線パターン703を内蔵した基板
を作製し、その上にコンデンサ704を導電接着剤705を介
して実装する。次に、図７(b)に示すようにコンデンサ7
04の上にさらにシート状物701および銅箔702を重ねて加
熱・加圧し、コンデンサ704をシート状物701中に埋設さ
せるとともに熱硬化性樹脂を硬化させて銅箔と一体化
し、表層の銅箔を加工して配線パターン703とし、その
上に半導体706を実装する。なお、707はチップ部品であ
る。次に、図７(c)に示すように半導体706の上にさらに
シート状物701および銅箔702を重ねて加熱・加圧し、半
導体706をシート状物701中に埋設させるとともに熱硬化
性樹脂を硬化させて銅箔と一体化し、さらにコンデンサ
704の電極および半導体706が実装された配線パターン70
3を貫通するように貫通穴を開け、銅メッキを施してス
ルーホール708を形成する。その後、図７(d)に示すよう
に、銅箔702を加工して配線パターン703および外部電極
709を形成し、その上にインダクタ710を実装して部品内
蔵モジュールを完成させる。
【００８７】なお、本実施例ではコンデンサ704を内蔵
した後に半導体706を内蔵したが、実装および内蔵の順
番は回路設計に応じて適宜決定することができる。ま
た、本実施例に加えてさらに最上部のインダクタを同様
の方法で内蔵して、すべての部品を内蔵することが可能
であり、外部からの衝撃や落下に対する耐性が高い点
や、モジュールとしての取り扱いが容易である点で好ま
しい。
【００８８】（実施例８）図８は、本発明の別の一実施
例によるパッケージ部品の製造方法を示す工程別断面図
である。図８(a)に示すように、シート状物801の両面に
銅箔802を配置して加熱・加圧して熱硬化性樹脂を硬化
させるとともに銅箔を一体化し、銅箔802を加工して配
線パターン803を形成し、その上にコンデンサ804を導電
接着剤805を介して実装する。次に、図８(b)に示すよう
に、コンデンサ804上にシート状物801および銅箔802を
重ねて加熱・加圧して、コンデンサ804をシート状物801
中に埋没させて内蔵するとともに、熱硬化性樹脂を硬化
させて一体化する。次に、図８(c)に示すようにコンデ
ンサ804の電極806および電極806に接続した配線パター
ン803を貫通するように貫通穴を開け、銅メッキを施し
てスルーホール807を形成する。次に、図８(d)に示すよ
うに、銅箔802を加工して外部電極808を形成してパッケ
ージ部品を完成させる。
【００８９】本実施例によれば、部品の上面および下面
の所望の位置に取り出し電極を設けることが可能にな
り、低抵抗で設計自由度の高いパッケージ部品が作製で
きる。
【００９０】（実施例９）図９は、本発明の別の一実施
例による端面電極を持った部品内蔵モジュールの製造方
法を示す工程別断面図である。図９(a)に、図７で示し
たものと同様な方法で作製した部品内蔵モジュールを示
す。ここで、901は電気絶縁材からなるシート状物、902
は配線パターン、903はコンデンサ、904はインダクタ、
905は半導体、906はチップ部品、907はスルーホール、9
08はインナービア、909は外部電極である。次に、図９
(b)に示すように、スルーホール907のほぼ中心部分を切
断することで、スルーホールの内壁を端面電極910とす
る部品内蔵モジュールが完成される。
【００９１】本実施例によれば、複数個の部品内蔵モジ
ュールを作製し、それをスルーホール部分で切断するこ
とで、多数の端面電極をもつ部品内蔵モジュールを作製
することが容易になる。また、前記の各実施例において
も、同様の方法で端面電極を形成することができる。
【００９２】なお、前記の各実施例において、銅箔をす
べて図４(a)に示したような離型キャリア上に形成した
配線パターンに置き換えてもよく、この場合配線形成を
一連のモジュール製造と別の工程で一括して行える点で
好ましい。
【００９３】また、前記の各実施例において、コンデン
サとしては電極がコンデンサ外部に出て貫通穴が形成可
能な形状で示したが、コンデンサを実装した配線パター
ンを貫通するようにしてスルーホールを形成してもよ
く、この場合さらにチップコンデンサのように貫通穴を
形成することが困難な場合においても内蔵して外部電極
と低抵抗に接続することが可能になる。
【００９４】また、前記の各実施例において、貫通穴は
部品電極もしくは部品が実装された配線パターンを貫通
するようにして形成されているが、この場合の貫通穴は
前記部品電極および配線パターンの一部を通ればよく、
必ずしも貫通穴の全周にわたって電極および配線パター
ンが存在している必要はない。
【００９５】
【発明の効果】本発明によれば、めっきスルーホールに
より低抵抗で大電流に対応することができ、また部品電
極に直接スルーホールを形成することでさらに低抵抗な
接続が可能になる３次元に部品が実装された部品内蔵モ
ジュールを得ることができる。また、本発明によれば、
無機質フィラーを選択することで電気絶縁材の特性を選
択することができるため、平面方向の熱膨脹係数が配線
パターンおよび半導体や各部品と近く、かつ放熱性に優
れ、磁気特性や誘電特性にも優れた超高密度な実装形態
を有するモジュールが実現できる。また、本発明によれ
ば、スルーホールとインナービアを併用することで、高
密度化と低抵抗、大電流容量を兼ね備えた部品内蔵モジ
ュールが実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例による部品内蔵モジュールを
示す断面図である。
【図２】本発明の一実施例による部品内蔵モジュールの
製造方法を示す工程別断面図である。
【図３】本発明の別の一実施例による部品内蔵モジュー
ルの製造方法を示す工程別断面図である。
【図４】本発明の別の一実施例による部品内蔵モジュー
ルの製造方法を示す工程別断面図である。
【図５】本発明の別の一実施例による部品内蔵モジュー
ルの製造方法を示す工程別断面図である。
【図６】本発明の別の一実施例による部品内蔵モジュー
ルの製造方法を示す工程別断面図である。
【図７】本発明の別の一実施例による部品内蔵モジュー
ルの製造方法を示す工程別断面図である。
【図８】本発明の別の一実施例によるパッケージ部品の
製造方法を示す工程別断面図である。
【図９】本発明の一実施例による部品内蔵モジュールの
製造方法を示す工程別断面図である。
【符号の説明】
101 電気絶縁材 102、204、302、409、508、606、704、804、903 コン
デンサ 103、209、309、403、611、710、904 インダクタ 104、208、308、408、507、610、706、905 半導体 105、210、310、410、510、613、707、906 チップ部品 106、908 インナービア 107、207、306、407、504、609、708、807、907 スル
ーホール 108、203、307、402、506、605、703、803、902 配線
パターン 109、211、311、411、509、612、709、808、909 外部
電極 201、304、405、502、601、701、801、901 シート状物 202、301、503、604、702、802 銅箔 205、305、406、505、608、806 電極 206、303、404 接着剤 401 離型キャリア 501 コイル 602 貫通穴 603 導電性樹脂組成物 607、705、805 導電接着剤 910 端面電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石富 裕之 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 山下 嘉久 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 半田 浩之 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5E044 AC01 AC06 5E082 AA01 AB01 AB03 BB10 BC33 BC39 FF05 FG04 FG46 HH47 MM13 MM22 PP03 PP06 PP07 5E346 AA02 AA12 AA15 AA25 AA43 AA60 BB01 BB16 BB20 CC02 CC08 CC21 CC32 DD02 DD12 EE02 EE06 FF07 FF18 FF42 FF45 GG28 GG40 HH01 HH22 HH25

Claims (44)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 少なくとも半導体およびコンデンサおよ
    びインダクタが電気的に接続されたモジュールにおい
    て、前記コンデンサおよび前記インダクタのうち少なく
    とも１種類が、熱硬化性樹脂と無機質フィラーとを少な
    くとも含む混合物からなる電気絶縁材中に内蔵され、前
    記内蔵されたコンデンサおよび／またはインダクタの電
    極の少なくとも１つを貫通するように前記モジュールに
    貫通穴が形成され、前記貫通穴がめっきスルーホールに
    より外部電極に接続されていることを特徴とする部品内
    蔵モジュール。
  2. 【請求項２】 前記半導体が、熱硬化性樹脂と無機質フ
    ィラーとを少なくとも含む混合物からなる電気絶縁材中
    に内蔵されている請求項１に記載の部品内蔵モジュー
    ル。
  3. 【請求項３】 前記電気絶縁材中に内蔵された半導体お
    よび／またはコンデンサおよび／またはインダクタが、
    前記半導体および／または前記コンデンサおよび／また
    は前記インダクタと同一面上に形成された配線パターン
    に接続され、前記配線パターンがめっきスルーホールに
    より外部電極に接続されている請求項１または２に記載
    の部品内蔵モジュール。
  4. 【請求項４】 少なくとも半導体およびコンデンサおよ
    びインダクタが電気的に接続されたモジュールにおい
    て、前記コンデンサおよび前記インダクタのうち少なく
    とも１種類が、熱硬化性樹脂と無機質フィラーとを少な
    くとも含む混合物からなる電気絶縁材中に内蔵され、前
    記内蔵されたコンデンサおよび／またはインダクタの電
    極の少なくとも１つが前記モジュールの端面に形成され
    た端面電極に接続されていることを特徴とする部品内蔵
    モジュール。
  5. 【請求項５】 前記半導体が、熱硬化性樹脂と無機質フ
    ィラーとを少なくとも含む混合物からなる電気絶縁材中
    に内蔵されている請求項４に記載の部品内蔵モジュー
    ル。
  6. 【請求項６】 前記電気絶縁材中に内蔵された半導体お
    よび／またはコンデンサおよび／またはインダクタが、
    前記半導体および／または前記コンデンサおよび／また
    は前記インダクタと同一面上に形成された配線パターン
    に接続され、前記配線パターンの少なくとも１部分が前
    記モジュールの端面に形成された端面電極に接続されて
    いる請求項４または５に記載の部品内蔵モジュール。
  7. 【請求項７】 前記端面電極が、前記モジュールの鉛直
    方向に貫通した溝状に形成されている請求項４〜６のい
    ずれかに記載の部品内蔵モジュール。
  8. 【請求項８】 前記端面電極が、金属のめっきにより形
    成されている請求項４〜７のいずれかに記載の部品内臓
    モジュール。
  9. 【請求項９】 複数の配線パターンを含み、前記配線パ
    ターン間を電気的に接続する導電性樹脂組成物からなる
    複数のインナービアを含んだ請求項１〜８のいずれかに
    記載の部品内蔵モジュール。
  10. 【請求項１０】 前記半導体および前記コンデンサおよ
    び前記インダクタのうち少なくとも２種類の部品が、熱
    硬化性樹脂と無機質フィラーとを少なくとも含む混合物
    からなる電気絶縁材中の異なった面に内蔵されている請
    求項１〜９のいずれかに記載の部品内蔵モジュール。
  11. 【請求項１１】 前記半導体および前記コンデンサおよ
    び前記インダクタのうち少なくとも２種類の部品が、前
    記モジュールの主面に対して鉛直な方向に前記部品の形
    状を投射した場合に重なり合う部分を持つように配置さ
    れている請求項１〜１０のいずれかに記載の部品内蔵モ
    ジュール。
  12. 【請求項１２】 前記モジュールが、ＤＣ−ＤＣコンバ
    ータ機能を有する請求項１〜１１のいずれかに記載の部
    品内蔵モジュール。
  13. 【請求項１３】 前記半導体がベアチップよりなり、配
    線パターンとフリップチップ実装されている請求項１〜
    １２のいずれかに記載の部品内蔵モジュール。
  14. 【請求項１４】 前記コンデンサが、フィルム状の固体
    電解コンデンサである請求項１〜１３のいずれかに記載
    の部品内蔵モジュール。
  15. 【請求項１５】 前記コンデンサが、２つの陽極を持つ
    ３端子構造、もしくは２つの陽極と２つの陰極を持つ４
    端子構造である請求項１〜１４いずれかに記載の部品内
    蔵モジュール。
  16. 【請求項１６】 前記インダクタが、１層ないしは２層
    の平板状の巻線を有したシート状コイルからなる請求項
    １〜１５のいずれかに記載の部品内蔵モジュール。
  17. 【請求項１７】 前記コンデンサおよび前記インダクタ
    の少なくとも１つの電極が、金属箔からなる請求項１〜
    １６のいずれかに記載の部品内蔵モジュール。
  18. 【請求項１８】 前記熱硬化性樹脂組成物中の無機質フ
    ィラーが、Al2O3、SiO 2、MgO、BeO、Si3N4、SiC、AlNお
    よびBNからなる群から選択された少なくとも１種類であ
    る請求項１〜１７のいずれかに記載の部品内蔵モジュー
    ル。
  19. 【請求項１９】 前記インダクタを内蔵する熱硬化性樹
    脂組成物中の無機質フィラーが、鉄、ニッケル、フェラ
    イト、パーマロイおよびセンダストからなる群から選択
    された少なくとも１種類である請求項１〜１８のいずれ
    かに記載の部品内蔵モジュール。
  20. 【請求項２０】 前記電気絶縁材の熱膨張係数が、５〜
    ３０×１０-6／℃である請求項１〜１９のいずれかに記
    載の部品内蔵モジュール。
  21. 【請求項２１】 前記電気絶縁材の熱伝導率が、１〜１
    ０Ｗ／ｍ・Ｋである請求項１〜２０のいずれかに記載の
    部品内蔵モジュール。
  22. 【請求項２２】 コンデンサまたはインダクタが、熱硬
    化性樹脂と無機質フィラーとを少なくとも含む混合物か
    らなる電気絶縁材中に内蔵され、前記内蔵されたコンデ
    ンサまたはインダクタの電極の少なくとも１つを貫通す
    るように貫通穴が形成され、前記貫通穴がめっきスルー
    ホールにより外部電極に接続されていることを特徴とす
    るパッケージ部品。
  23. 【請求項２３】 コンデンサまたはインダクタが、熱硬
    化性樹脂と無機質フィラーとを少なくとも含む混合物か
    らなる電気絶縁材中に内蔵され、前記内蔵されたコンデ
    ンサまたはインダクタの電極の少なくとも１つがモジュ
    ールの端面に形成された端面電極に接続されているパッ
    ケージ部品。
  24. 【請求項２４】 前記コンデンサが、フィルム状の固体
    電解コンデンサである請求項２２または２３に記載のパ
    ッケージ部品。
  25. 【請求項２５】 前記コンデンサが、２つの陽極を持つ
    ３端子構造、もしくは２つの陽極と２つの陰極を持つ４
    端子構造である請求項２２〜２４のいずれかに記載のパ
    ッケージ部品。
  26. 【請求項２６】 前記インダクタが、１層ないしは２層
    の平板状の巻線を有したシート状コイルからなる請求項
    ２２〜２５のいずれかに記載のパッケージ部品。
  27. 【請求項２７】 前記コンデンサおよび前記インダクタ
    の少なくとも１つの電極が、金属箔からなる請求項２２
    〜２６のいずれかに記載のパッケージ部品。
  28. 【請求項２８】 前記熱硬化性樹脂組成物中の無機質フ
    ィラーが、Al2O3、SiO 2、MgO、BeO、Si3N4、SiC、AlNお
    よびBNからなる群から選択された少なくとも１種類であ
    る請求項２２〜２７のいずれかに記載のパッケージ部
    品。
  29. 【請求項２９】 前記インダクタを内蔵する熱硬化性樹
    脂組成物中の無機質フィラーが、鉄、ニッケル、フェラ
    イト、パーマロイおよびセンダストからなる群から選択
    された少なくとも１種類である請求項２２〜２８のいず
    れかに記載のパッケージ部品。
  30. 【請求項３０】 前記電気絶縁材の熱膨張係数が、５〜
    ３０×１０-6／℃である請求項２２〜２９のいずれかに
    記載のパッケージ部品。
  31. 【請求項３１】 前記電気絶縁材の熱伝導率が、１〜１
    ０Ｗ／ｍ・Ｋである請求項２２〜３０のいずれかに記載
    のパッケージ部品。
  32. 【請求項３２】 未硬化の熱硬化性樹脂と無機質フィラ
    ーとを少なくとも混合した熱硬化性樹脂組成物をシート
    状物に加工する工程と、少なくとも１枚の前記シート状
    物と銅箔とを重ね合わせて加熱・加圧することで一体化
    する工程と、前記銅箔を加工して配線パターンを形成す
    る工程と、前記配線パターン上にコンデンサもしくはイ
    ンダクタを実装する工程と、前記配線パターン上の部品
    実装面にさらに前記シート状物と銅箔とを重ね合わせて
    前記コンデンサもしくはインダクタを前記シート状物に
    埋没させて内蔵する工程と、さらに加熱・加圧すること
    で前記シート状物の熱硬化性樹脂を硬化させる工程と、
    前記コンデンサもしくは前記インダクタの電極を貫通す
    るように位置決めして貫通穴を形成する工程と、銅メッ
    キにより貫通スルーホールを形成する工程と、前記銅箔
    を加工して外部電極および配線パターンを形成する工程
    と、前記配線パターンに少なくとも半導体およびインダ
    クタもしくはコンデンサを実装する工程とを少なくとも
    含むことを特徴とする部品内蔵モジュールの製造方法。
  33. 【請求項３３】 未硬化の熱硬化性樹脂と無機質フィラ
    ーとを少なくとも混合した熱硬化性樹脂組成物をシート
    状物に加工する工程と、銅箔にコンデンサもしくはイン
    ダクタを実装する工程と、前記銅箔の部品実装面に前記
    シート状物と銅箔とを重ね合わせて前記コンデンサもし
    くは前記インダクタを前記シート状物に埋没させて内蔵
    する工程と、さらに加熱・加圧することで前記シート状
    物の熱硬化性樹脂を硬化させる工程と、前記コンデンサ
    もしくは前記インダクタの電極を貫通するように位置決
    めして貫通穴を形成する工程と、銅メッキにより貫通ス
    ルーホールを形成する工程と、前記銅箔を加工して外部
    電極および配線パターンを形成する工程と、前記配線パ
    ターンに少なくとも半導体およびインダクタもしくはコ
    ンデンサを実装する工程とを少なくとも含むことを特徴
    とする部品内蔵モジュールの製造方法。
  34. 【請求項３４】 未硬化の熱硬化性樹脂と無機質フィラ
    ーとを少なくとも混合した熱硬化性樹脂組成物をシート
    状物に加工する工程と、離型キャリアの片面上に配線パ
    ターンを形成する工程と、前記離型キャリアの配線パタ
    ーン上にコンデンサもしくはインダクタを実装する工程
    と、前記離型キャリア上の部品実装面に前記シート状物
    と銅箔とを重ね合わせて前記コンデンサもしくは前記イ
    ンダクタを前記シート状物に埋没させて内蔵する工程
    と、さらに加熱・加圧することで前記シート状物の熱硬
    化性樹脂を硬化させる工程と、前記コンデンサもしくは
    前記インダクタの電極を貫通するように位置決めして貫
    通穴を形成する工程と、銅メッキにより貫通スルーホー
    ルを形成する工程と、前記銅箔を加工して外部電極およ
    び配線パターンを形成する工程と、前記配線パターンに
    少なくとも半導体およびインダクタもしくはコンデンサ
    を実装する工程とを少なくとも含むことを特徴とする部
    品内蔵モジュールの製造方法。
  35. 【請求項３５】 未硬化の熱硬化性樹脂と無機質フィラ
    ーとを少なくとも混合した熱硬化性樹脂組成物をシート
    状物に加工する工程と、少なくとも２枚の前記シート状
    物でコンデンサもしくはインダクタを挟み込んで内蔵さ
    せる工程と、さらに銅箔で挟んで加熱・加圧することで
    前記シート状物の熱硬化性樹脂を硬化させるとともに前
    記銅箔を接着する工程と、前記コンデンサもしくは前記
    インダクタの電極を貫通するように位置決めして貫通穴
    を形成する工程と、銅メッキにより貫通スルーホールを
    形成する工程と、前記銅箔を加工して外部電極および配
    線パターンを形成する工程と、前記配線パターンに少な
    くとも半導体およびインダクタもしくはコンデンサを実
    装する工程とを少なくとも含むことを特徴とする部品内
    蔵モジュールの製造方法。
  36. 【請求項３６】 少なくとも２枚の前記シート状物でコ
    ンデンサもしくはインダクタを挟み込んで内蔵させる工
    程の後で、銅箔で挟むことに加えてさらに前記シート状
    物と前記銅箔を片面もしくは両面に重ね合わせて加熱・
    加圧することで、前記シート状物の熱硬化性樹脂を硬化
    させるとともに前記銅箔を接着させる工程に置き換えた
    請求項３５に記載の部品内蔵モジュールの製造方法。
  37. 【請求項３７】 前記コンデンサもしくは前記インダク
    タの電極を貫通するように位置決めして貫通穴を形成す
    る工程を、前記銅箔を加工して配線パターンを形成する
    工程と、前記配線パターンに半導体を実装する工程と、
    前記半導体の実装面にさらに前記シート状物と前記銅箔
    とをこの順で重ね合わせて前記半導体を前記シート状物
    に埋没させて内蔵する工程と、さらに加熱・加圧するこ
    とで前記シート状物の熱硬化性樹脂を硬化させる工程
    と、前記コンデンサもしくは前記インダクタの電極およ
    び前記半導体に接続した前記配線パターンを貫通するよ
    うに位置決めして貫通穴を形成する工程に置き換えた請
    求項３２〜３６のいずれかに記載の部品内蔵モジュール
    の製造方法。
  38. 【請求項３８】 前記コンデンサもしくは前記インダク
    タの電極を貫通するように位置決めして貫通穴を形成す
    る工程を、前記コンデンサもしくは前記インダクタが実
    装された配線パターンを貫通するように位置決めして貫
    通穴を形成する工程に置き換えた請求項３２〜３６のい
    ずれかに記載の部品内蔵モジュールの製造方法。
  39. 【請求項３９】 前記未硬化の熱硬化性樹脂と無機質フ
    ィラーとを少なくとも混合した熱硬化性樹脂組成物をシ
    ート状物に加工する工程に、さらに前記シート状物の所
    望の位置に貫通穴を形成する工程と、前記貫通穴に導電
    性樹脂組成物を充填する工程を付け加えた請求項３２〜
    ３８のいずれかに記載の部品内蔵モジュールの製造方
    法。
  40. 【請求項４０】 前記部品内蔵モジュールを、前記貫通
    スルーホールの中心部分を通るように切断して、前記貫
    通スルーホールを端面電極とする工程を含む請求項３２
    〜３９に記載の部品内蔵モジュールの製造方法。
  41. 【請求項４１】 前記半導体を実装する工程が、前記半
    導体に金バンプを設け、前記配線パターンに導電性接着
    剤で接続する方法、もしくは前記配線パターンに超音波
    で接合させる方法である請求項３２〜４０のいずれかに
    記載の部品内蔵モジュールの製造方法。
  42. 【請求項４２】 未硬化の熱硬化性樹脂と無機質フィラ
    ーとを少なくとも混合した熱硬化性樹脂組成物をシート
    状物に加工する工程と、少なくとも１枚の前記シート状
    物と銅箔とを重ね合わせて加熱・加圧することで一体化
    する工程と、前記銅箔を加工して配線パターンを形成す
    る工程と、前記配線パターン上にコンデンサもしくはイ
    ンダクタを実装する工程と、前記配線パターン上の部品
    実装面にさらに前記シート状物と前記銅箔とを重ね合わ
    せて前記コンデンサもしくは前記インダクタを前記シー
    ト状物に埋没させて内蔵する工程と、さらに加熱・加圧
    することで前記シート状物の熱硬化性樹脂を硬化させる
    工程と、前記コンデンサもしくは前記インダクタの電極
    を貫通するように位置決めして貫通穴を形成する工程
    と、銅メッキにより貫通スルーホールを形成する工程
    と、前記銅箔を加工して外部電極を形成する工程とを少
    なくとも含むことを特徴とするパッケージ部品の製造方
    法。
  43. 【請求項４３】 未硬化の熱硬化性樹脂と無機質フィラ
    ーとを少なくとも混合した熱硬化性樹脂組成物をシート
    状物に加工する工程と、少なくとも２枚の前記シート状
    物でコンデンサもしくはインダクタを挟み込んで内蔵さ
    せる工程と、さらに銅箔で挟んで加熱・加圧することで
    前記シート状物の熱硬化性樹脂を硬化させるとともに前
    記銅箔を接着する工程と、前記コンデンサもしくは前記
    インダクタの電極を貫通するように位置決めして貫通穴
    を形成する工程と、銅メッキにより貫通スルーホールを
    形成する工程と、前記銅箔を加工して外部電極を形成す
    る工程とを少なくとも含むことを特徴とするパッケージ
    部品の製造方法。
  44. 【請求項４４】 前記パッケージ部品を、前記貫通スル
    ーホールの中心部分を通るように切断して、前記貫通ス
    ルーホールを端面電極とする工程を含む請求項４２また
    は４３に記載のパッケージ部品の製造方法。
JP2001339854A 2001-11-05 2001-11-05 部品内蔵モジュール並びにその製造方法 Expired - Lifetime JP4065125B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001339854A JP4065125B2 (ja) 2001-11-05 2001-11-05 部品内蔵モジュール並びにその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001339854A JP4065125B2 (ja) 2001-11-05 2001-11-05 部品内蔵モジュール並びにその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003142832A true JP2003142832A (ja) 2003-05-16
JP4065125B2 JP4065125B2 (ja) 2008-03-19

Family

ID=19154145

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001339854A Expired - Lifetime JP4065125B2 (ja) 2001-11-05 2001-11-05 部品内蔵モジュール並びにその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4065125B2 (ja)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004100264A1 (ja) * 2003-05-09 2004-11-18 Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. 回路素子内蔵モジュール
JP2005158770A (ja) * 2003-11-20 2005-06-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 積層基板とその製造方法及び前記積層基板を用いたモジュールの製造方法とその製造装置
JP2007081146A (ja) * 2005-09-14 2007-03-29 Fuji Electric Device Technology Co Ltd インダクタ付半導体装置
JP2008053319A (ja) * 2006-08-22 2008-03-06 Nec Electronics Corp 半導体装置
JP2010041266A (ja) * 2008-08-04 2010-02-18 Tdk Corp 積層型電子部品
JP2013055357A (ja) * 2012-12-04 2013-03-21 Sony Corp 半導体モジュール
JP2016139785A (ja) * 2015-01-27 2016-08-04 サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． コイル部品及びその製造方法
JP2018006634A (ja) * 2016-07-06 2018-01-11 株式会社村田製作所 電子部品
JP2019192920A (ja) * 2019-05-31 2019-10-31 株式会社村田製作所 インダクタ部品、パッケージ部品およびスィッチングレギュレータ

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004100264A1 (ja) * 2003-05-09 2004-11-18 Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. 回路素子内蔵モジュール
JP2005158770A (ja) * 2003-11-20 2005-06-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 積層基板とその製造方法及び前記積層基板を用いたモジュールの製造方法とその製造装置
JP2007081146A (ja) * 2005-09-14 2007-03-29 Fuji Electric Device Technology Co Ltd インダクタ付半導体装置
JP2008053319A (ja) * 2006-08-22 2008-03-06 Nec Electronics Corp 半導体装置
JP2010041266A (ja) * 2008-08-04 2010-02-18 Tdk Corp 積層型電子部品
JP2013055357A (ja) * 2012-12-04 2013-03-21 Sony Corp 半導体モジュール
JP2016139785A (ja) * 2015-01-27 2016-08-04 サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． コイル部品及びその製造方法
JP2018006634A (ja) * 2016-07-06 2018-01-11 株式会社村田製作所 電子部品
CN107591235A (zh) * 2016-07-06 2018-01-16 株式会社村田制作所 电子部件
US10714254B2 (en) 2016-07-06 2020-07-14 Murata Manufacturing Co., Ltd. Electronic component
JP2019192920A (ja) * 2019-05-31 2019-10-31 株式会社村田製作所 インダクタ部品、パッケージ部品およびスィッチングレギュレータ

Also Published As

Publication number Publication date
JP4065125B2 (ja) 2008-03-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100507791B1 (ko) 부품 내장 모듈과 그 제조 방법
US7247178B2 (en) Capacitor and method for producing the same, and circuit board with a built-in capacitor and method for producing the same
TW511405B (en) Device built-in module and manufacturing method thereof
KR101076061B1 (ko) 3차원의 모든 유기체 배선 구조들을 제조하기 위한 방법
US7091593B2 (en) Circuit board with built-in electronic component and method for manufacturing the same
JP4760930B2 (ja) Ｉｃ搭載基板、多層プリント配線板、及び製造方法
JP3553043B2 (ja) 部品内蔵モジュールとその製造方法
TWI308382B (en) Package structure having a chip embedded therein and method fabricating the same
JPH1145955A (ja) 素子内蔵多層配線基板およびその製造方法
US20070262470A1 (en) Module With Built-In Semiconductor And Method For Manufacturing The Module
US9307645B2 (en) Printed wiring board and method for manufacturing printed wiring board
WO2003103355A1 (ja) 複合多層基板およびそれを用いたモジュール
JPH07288385A (ja) 多層配線板及びその製造法
TW200302685A (en) Circuit component built-in module and method of manufacturing the same
CN1971863A (zh) 半导体芯片埋入基板的三维构装结构及其制法
JP4875925B2 (ja) 多層配線板及びその製造方法
JP2001144245A (ja) 半導体パッケージ及びその製造方法並びに半導体装置
JP4065125B2 (ja) 部品内蔵モジュール並びにその製造方法
JPH1174648A (ja) 配線基板
JP2003124380A (ja) 電子部品内蔵モジュールおよびその製造方法
JP2004119483A (ja) 素子内蔵基板
JP2008182039A (ja) 多層配線板およびその製造方法
JP4718890B2 (ja) 多層配線基板及びその製造方法、多層配線基板構造体
JP2004221534A (ja) コンデンサとコンデンサ内蔵回路基板、ならびにそれらの製造方法
JP2008166456A (ja) 配線基板及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040427

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070410

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070516

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20071204

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20071228

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 4065125

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110111

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110111

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120111

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130111

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130111

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140111

Year of fee payment: 6

EXPY Cancellation because of completion of term