JP2003142832A - Module with built-in part, package, and its manufacturing method - Google Patents

Module with built-in part, package, and its manufacturing method

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JP2003142832A
JP2003142832A JP2001339854A JP2001339854A JP2003142832A JP 2003142832 A JP2003142832 A JP 2003142832A JP 2001339854 A JP2001339854 A JP 2001339854A JP 2001339854 A JP2001339854 A JP 2001339854A JP 2003142832 A JP2003142832 A JP 2003142832A
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    • H01L2924/19105Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a functional module which is equipped with parts that are built in an electric insulating layer and three-dimensionally connected together, reduced in size, improved in density, reduced in resistivity, decreased in part temperature, and increased in current capacity. SOLUTION: A functional module is composed of, at least, a semiconductor 104, a capacitor 102, and an inductor 103 which are electrically connected together. The capacitor 102 and/or the inductor 103 is built in an electric insulating material 101 formed of a mixture containing, at least, thermosetting resin and inorganic filler. A through-hole is provided to the module so as to penetrate through, at least, one of the electrodes of the capacitor 102 or the inductor 103, and the above through-hole functions as a plated through-hole 107 which is connected to an external electrode 109.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、電気・電子機器に
用いられる機能モジュールに関するものであり、特に小
型、高密度、高効率を求められる携帯情報端末などに好
適な電源機能、高周波機能、論理回路機能を有する部品
内蔵モジュールおよびパッケージ部品、並びにその製造
方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a functional module used in electric and electronic equipment, and particularly suitable for a portable information terminal which is required to be small in size, high in density and high in efficiency, a high frequency function, a logic function. The present invention relates to a component built-in module having a circuit function, a package component, and a manufacturing method thereof.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、電気・電子機器の小型、高密度化
に伴い、個別部品を基板上に実装して電気回路を形成す
る従来の方法に対し、機能ブロックごとに複数の部品を
1つのパッケージとしてモジュール化する手法が多く用
いられている。このモジュールは、ドーター基板に必要
な部品を片面もしくは両面実装して形成されることが一
般的である。しかし、基板表面に実装部品を搭載する方
法では、搭載する部品の面積よりもモジュール面積を小
さくすることは不可能で高密度化に限界があった。ま
た、平面中に部品を配置するためにその構成によっては
部品間の接続距離が長くならざるを得なくなり、損失の
増大や、高周波に対するインピーダンス整合の問題が生
じている。
2. Description of the Related Art In recent years, with the miniaturization and high density of electric and electronic devices, a plurality of parts are provided for each functional block as compared with the conventional method of mounting individual parts on a substrate to form an electric circuit. The method of modularizing as a package is often used. This module is generally formed by mounting necessary components on a daughter board on one side or both sides. However, in the method of mounting the mounted components on the surface of the substrate, it is impossible to make the module area smaller than the area of the mounted components, and there is a limit to increase the density. Further, since the components are arranged on a plane, the connection distance between the components must be long depending on the configuration, which causes a problem of increased loss and impedance matching with respect to high frequency.

【0003】このため部品を基板表面に2次元的に実装
するだけではなく、基板内部に部品を入れて3次元的に
部品配置を行うようなモジュールの提案がなされてい
る。このような形態のモジュールもしくは基板として
は、例えばセラミック基板に空隙を設け、その空隙部分
に部品を配置する方法や、多層プリント配線板の内部に
空隙部分を設け、その中に部品を配置する方法などがあ
る。
For this reason, a module has been proposed in which the components are not only mounted two-dimensionally on the surface of the substrate, but also the components are placed three-dimensionally by placing the components inside the substrate. As a module or substrate of such a form, for example, a method of providing a void in a ceramic substrate and arranging components in the void, or a method of providing a void in the multilayer printed wiring board and arranging components therein and so on.

【0004】しかし、前記のセラミック基板を用いた例
によると、セラミック基板では焼成工程が含まれるた
め、半導体や有機物を含む受動部品を内蔵することがで
きない。そのため内蔵空隙を空けた部分の上部には部品
を実装することができず、低背化が図れるものの実際に
は3次元的な接続ができずに高密度化に限界があった。
また、セラミック基板を用いた場合には層間の接続がタ
ングステンやモリブデンといった高抵抗金属を焼結した
ビアを介するため、比較的接続抵抗が大きくなり、特に
損失が問題となる電源などの回路においては大きな問題
となっていた。
However, according to the example using the above-mentioned ceramic substrate, since the ceramic substrate includes the firing step, it is not possible to incorporate a passive component containing a semiconductor or an organic substance. Therefore, it is not possible to mount a component on the upper part of the portion where the built-in void is provided, and although it is possible to reduce the height, in reality, three-dimensional connection is not possible, and there is a limit to high density.
Also, when a ceramic substrate is used, the connection between layers is via a via made of a sintered high-resistance metal such as tungsten or molybdenum, so the connection resistance becomes relatively large, especially in circuits such as power supplies where loss is a problem. It was a big problem.

【0005】また、プリント配線板に空隙部分を設けて
その中に部品を配置する例によると、スルーホール接続
により低抵抗の接続が可能であるが、プリント配線板の
熱伝導率が低いため、基板内部の部品から発生した熱が
外部に伝わりにくく、放熱が困難になる。このために実
際の設計においては温度上昇を考慮して部品の高密度化
ができなくなるという問題があった。また、プリント配
線板の厚み方向の熱膨張係数は約60ppm/℃前後で
あり、めっき材料である銅の熱膨張係数(17ppm/
℃)とのミスマッチが大きく、その接続信頼性に問題が
あった。
According to an example in which a printed wiring board is provided with a void portion and parts are arranged therein, low-resistance connection is possible by through-hole connection, but since the printed wiring board has a low thermal conductivity, The heat generated from the components inside the board is difficult to transfer to the outside, and the heat dissipation becomes difficult. For this reason, in the actual design, there is a problem that it becomes impossible to increase the density of the components in consideration of the temperature rise. Further, the thermal expansion coefficient of the printed wiring board in the thickness direction is about 60 ppm / ° C., and the thermal expansion coefficient of the plating material copper (17 ppm /
There was a problem with the connection reliability.

【0006】これらの例に対し、高密度化と高信頼性を
改善した例が特開平11−220262号公報に示され
ており、少なくとも無機質フィラー70〜95重量%と
熱硬化樹脂組成物5〜30重量%を含む混合物からなる
電気絶縁性基板の内部に、少なくとも1つ以上の能動部
品および/または受動部品を内蔵し、かつ複数の配線パ
ターンと前記配線パターン間を導電性樹脂組成物よりな
るビアで電気的に接続している。この例によれば、3次
元的な接続による高密度化が可能になり、また熱膨張係
数の整合による信頼性の向上を見込むことができる。
In contrast to these examples, Japanese Patent Laid-Open No. 11-220262 discloses an example in which high density and high reliability are improved, and at least 70 to 95% by weight of inorganic filler and 5 to 100% of thermosetting resin composition. At least one active component and / or passive component is built in an electrically insulating substrate made of a mixture containing 30% by weight, and a plurality of wiring patterns and a conductive resin composition are provided between the wiring patterns. It is electrically connected by a via. According to this example, it is possible to increase the density by three-dimensional connection, and it is possible to expect the reliability to be improved by matching the thermal expansion coefficients.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかし、導電性樹脂組
成物によるビア接続では金属粉末の接触により導通を得
ているため、金属のみの接続に比べてその抵抗値が高く
なり、数百ミリアンペア〜数アンペア程度の比較的大き
な電流を使用する場合には損失による発熱量の増大や効
率の低下が発生するという問題があった。特に、電流量
が大きい場合、発熱量が大きいためモジュール自体の温
度が高くなるため部品の故障が発生したり、熱によるビ
ア接続の破壊や基板自体の破壊が発生したりしてしまう
恐れがあった。
However, in the via connection using the conductive resin composition, since the conduction is obtained by the contact of the metal powder, the resistance value becomes higher than that of the connection using only the metal, and the resistance is several hundred milliamperes. When a relatively large current of about several amperes is used, there is a problem in that the amount of heat generated increases and the efficiency decreases due to loss. In particular, when the amount of current is large, the amount of heat generated is large and the temperature of the module itself rises, which may lead to component failure, or damage to the via connection or the substrate itself due to heat. It was

【0008】本発明は上記のような問題を解決するため
になされたものであり、めっきスルーホールにより低抵
抗な接続が可能になり、また部品電極に直接スルーホー
ルを形成することでさらに低抵抗な接続が可能になる部
品内蔵モジュールを提供することを目的とする。また、
無機フィラーを高濃度に充填することが可能で、しかも
簡易な工法で半導体やコンデンサ、インダクタなどの受
動部品を内部に埋設することによって作製される部品内
蔵モジュールと、その部品内蔵モジュールを構成するこ
とができるパッケージ部品を提供することを目的とす
る。無機フィラーを選択することで、所望の性能を有す
るモジュールが製造可能である。即ち、モジュールの平
面方向の熱膨脹係数が配線パターンの金属および半導体
や各部品と近く、しかも放熱性に優れ、磁気特性や誘電
特性にも優れた超高密度な実装形態を有するモジュール
が実現できる。また、スルーホールとインナービアを併
用することで、高密度化と低抵抗、大電流容量を兼ね備
えた部品内蔵モジュールが実現できる。
The present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems, and a plated through hole enables a low resistance connection, and a through hole is directly formed in a component electrode to further reduce the resistance. It is an object of the present invention to provide a component built-in module that enables various connections. Also,
A component built-in module that can be filled with a high concentration of inorganic filler and that is made by embedding passive components such as semiconductors, capacitors, and inductors inside with a simple construction method, and a component built-in module The object is to provide a package component that can By selecting the inorganic filler, a module having desired performance can be manufactured. That is, it is possible to realize a module having an ultrahigh-density mounting configuration in which the coefficient of thermal expansion in the plane direction of the module is close to that of the metal and semiconductor of the wiring pattern and each component, and the heat dissipation is excellent, and the magnetic characteristics and the dielectric characteristics are excellent. Further, by using the through hole and the inner via together, a component built-in module having high density, low resistance, and large current capacity can be realized.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明にかかる部品内蔵
モジュールは、少なくとも半導体およびコンデンサおよ
びインダクタが電気的に接続されたモジュールにおい
て、前記コンデンサおよび前記インダクタのうち少なく
とも1種類が、熱硬化性樹脂と無機質フィラーとを少な
くとも含む混合物からなる電気絶縁材中に内蔵され、前
記内蔵されたコンデンサおよび/またはインダクタの電
極の少なくとも1つを貫通するように前記モジュールに
貫通穴が形成され、前記貫通穴がめっきスルーホールに
より外部電極に接続されているものである。
A component built-in module according to the present invention is a module in which at least a semiconductor, a capacitor and an inductor are electrically connected, and at least one of the capacitor and the inductor is a thermosetting resin. A through hole formed in the module so as to penetrate through at least one of the electrodes of the built-in capacitor and / or inductor, which is embedded in an electrical insulating material made of a mixture containing at least an inorganic filler. Is connected to the external electrode by a plated through hole.

【0010】また、前記構成において、前記半導体が熱
硬化性樹脂と無機質フィラーとを少なくとも含む混合物
からなる電気絶縁材中に内蔵されている部品内蔵モジュ
ールである。
Further, in the above structure, the semiconductor device is a component built-in module in which the semiconductor is built in an electric insulating material made of a mixture containing at least a thermosetting resin and an inorganic filler.

【0011】また、前記構成において、前記電気絶縁材
中に内蔵された半導体および/またはコンデンサおよび
/またはインダクタが、前記半導体および/またはコン
デンサおよび/またはインダクタと同一面上に形成され
た配線パターンに接続され、前記配線パターンがめっき
スルーホールにより外部電極に接続されている部品内蔵
モジュールである。
Further, in the above structure, the semiconductor and / or the capacitor and / or the inductor contained in the electrical insulating material are formed in a wiring pattern formed on the same surface as the semiconductor and / or the capacitor and / or the inductor. The component built-in module is connected and the wiring pattern is connected to an external electrode through a plated through hole.

【0012】また、本発明にかかる部品内蔵モジュール
は、少なくとも半導体およびコンデンサおよびインダク
タが電気的に接続されたモジュールにおいて、前記コン
デンサおよび前記インダクタのうち少なくとも1種類
が、熱硬化性樹脂と無機質フィラーとを少なくとも含む
混合物からなる電気絶縁材中に内蔵され、前記内蔵され
たコンデンサおよび/またはインダクタの電極の少なく
とも1つが前記モジュールの端面に形成された端面電極
に接続されているものである。
Further, the component built-in module according to the present invention is a module in which at least a semiconductor, a capacitor and an inductor are electrically connected, and at least one of the capacitor and the inductor contains a thermosetting resin and an inorganic filler. Embedded in an electrical insulating material made of a mixture containing at least, and at least one of the electrodes of the incorporated capacitor and / or inductor is connected to an end face electrode formed on the end face of the module.

【0013】また、前記構成において、前記半導体が熱
硬化性樹脂と無機質フィラーとを少なくとも含む混合物
からなる電気絶縁材中に内蔵されている部品内蔵モジュ
ールである。
Further, in the above structure, the semiconductor module is a component built-in module in which the semiconductor is built in an electric insulating material made of a mixture containing at least a thermosetting resin and an inorganic filler.

【0014】また、前記構成において、前記電気絶縁材
中に内蔵された半導体および/またはコンデンサおよび
/またはインダクタが、前記半導体および/または前記
コンデンサおよび/または前記インダクタと同一面上に
形成された配線パターンに接続され、前記配線パターン
の少なくとも1部分が前記モジュールの端面に形成され
た端面電極に接続されている部品内蔵モジュールであ
る。
Further, in the above structure, the wiring in which the semiconductor and / or the capacitor and / or the inductor embedded in the electric insulating material is formed on the same surface as the semiconductor and / or the capacitor and / or the inductor. The component built-in module is connected to a pattern, and at least a part of the wiring pattern is connected to an end face electrode formed on an end face of the module.

【0015】また、前記の各構成において、前記端面電
極が前記モジュールの鉛直方向に貫通した溝状に形成さ
れている部品内蔵モジュールである。また、前記構成に
おいて、前記端面電極が金属のめっきにより形成されて
いる部品内臓モジュールである。
Further, in each of the above-mentioned constitutions, it is a component built-in module in which the end face electrode is formed in a groove shape penetrating in a vertical direction of the module. Further, in the above configuration, the end face electrode is a component-embedded module formed by plating metal.

【0016】また、前記の各構成において、複数の配線
パターンを含み、前記配線パターン間を電気的に接続す
る導電性樹脂組成物からなる複数のインナービアを含ん
だ部品内蔵モジュールである。
In each of the above constructions, a component built-in module including a plurality of wiring patterns and a plurality of inner vias made of a conductive resin composition for electrically connecting the wiring patterns is provided.

【0017】また、前記の各構成において、前記半導体
および前記コンデンサおよび前記インダクタのうち少な
くとも2種類の部品が、熱硬化性樹脂と無機質フィラー
とを少なくとも含む混合物からなる電気絶縁材中の異な
った面に内蔵されている部品内蔵モジュールである。
Further, in each of the above-mentioned constitutions, at least two kinds of parts among the semiconductor, the capacitor and the inductor have different surfaces in an electric insulating material made of a mixture containing at least a thermosetting resin and an inorganic filler. It is a module with built-in components built in.

【0018】また、前記の各構成において、前記半導体
および前記コンデンサおよび前記インダクタのうち少な
くとも2種類の部品が、前記モジュールの主面に対して
鉛直な方向に前記部品の形状を投射した場合に重なり合
う部分を持つように配置されている部品内蔵モジュール
である。
Further, in each of the above-mentioned configurations, at least two types of components of the semiconductor, the capacitor, and the inductor overlap each other when the shapes of the components are projected in a direction perpendicular to the main surface of the module. It is a component built-in module arranged so as to have a part.

【0019】また、前記の各構成において、前記モジュ
ールがDC−DCコンバータ機能を有する部品内蔵モジ
ュールである。
In each of the above configurations, the module is a component built-in module having a DC-DC converter function.

【0020】また、前記の各構成において、前記半導体
がベアチップよりなり、配線パターンとフリップチップ
実装されている部品内蔵モジュールである。
Further, in each of the above-mentioned structures, the semiconductor device is a bare chip, and the component built-in module is mounted on the wiring pattern and the flip chip.

【0021】また、本発明のパッケージ部品は、コンデ
ンサまたはインダクタが熱硬化性樹脂と無機質フィラー
とを少なくとも含む混合物からなる電気絶縁材中に内蔵
され、前記内蔵されたコンデンサまたはインダクタの電
極の少なくとも1つを貫通するように貫通穴が形成さ
れ、前記貫通穴がめっきスルーホールにより外部電極に
接続されているものである。
Further, in the package component of the present invention, the capacitor or the inductor is embedded in an electric insulating material made of a mixture containing at least a thermosetting resin and an inorganic filler, and at least one of the electrodes of the incorporated capacitor or inductor is included. A through hole is formed so as to pass through one of them, and the through hole is connected to the external electrode by a plated through hole.

【0022】また、本発明のパッケージ部品は、コンデ
ンサまたはインダクタが熱硬化性樹脂と無機質フィラー
とを少なくとも含む混合物からなる電気絶縁材中に内蔵
され、前記内蔵されたコンデンサまたはインダクタの電
極の少なくとも1つが前記モジュールの端面に形成され
た端面電極に接続されているものである。
Further, in the package component of the present invention, the capacitor or the inductor is embedded in an electric insulating material made of a mixture containing at least a thermosetting resin and an inorganic filler, and at least one of the electrodes of the incorporated capacitor or inductor is incorporated. One is connected to an end face electrode formed on the end face of the module.

【0023】また、前記の各構成において、前記コンデ
ンサがフィルム状の固体電解コンデンサである部品内蔵
モジュールおよびパッケージ部品である。また、前記構
成において、前記コンデンサが2つの陽極を持つ3端子
構造、もしくは2つの陽極と2つの陰極を持つ4端子構
造である部品内蔵モジュールおよびパッケージ部品であ
る。
Further, in each of the above-mentioned constitutions, the capacitor is a component built-in module and a package component which are film-like solid electrolytic capacitors. Further, in the above configuration, the capacitor is a component built-in module and a package component in which the capacitor has a three-terminal structure having two anodes or a four-terminal structure having two anodes and two cathodes.

【0024】また、前記の各構成において、前記インダ
クタが1層ないしは2層の平板状の巻線を有したシート
状コイルからなる部品内蔵モジュールおよびパッケージ
部品である。
In each of the above constructions, the inductor is a component built-in module and a package component, each of which is composed of a sheet coil having one or two layers of flat windings.

【0025】また、前記の各構成において、前記コンデ
ンサおよび前記インダクタの少なくとも1つの電極が金
属箔からなる部品内蔵モジュールおよびパッケージ部品
である。
Further, in each of the above-mentioned constitutions, a component built-in module and a package component in which at least one electrode of the capacitor and the inductor is made of a metal foil.

【0026】また、前記の各構成において、前記熱硬化
性樹脂組成物中の無機質フィラーがAl2O3、SiO2、MgO、
BeO、Si3N4、SiC、AlNおよびBNからなる群から選択され
た少なくとも1種類である部品内蔵モジュールおよびパ
ッケージ部品である。また、前記の各構成において、前
記インダクタを内蔵する熱硬化性樹脂組成物中の無機質
フィラーが鉄、ニッケル、フェライト、パーマロイおよ
びセンダストからなる群から選択された少なくとも1種
類である部品内蔵モジュールおよびパッケージ部品であ
る。
Further, in each of the above constitutions, the inorganic filler in the thermosetting resin composition is Al 2 O 3 , SiO 2 , MgO,
It is at least one type of component built-in module and package component selected from the group consisting of BeO, Si 3 N 4 , SiC, AlN and BN. In each of the above configurations, the inorganic filler in the thermosetting resin composition containing the inductor is at least one selected from the group consisting of iron, nickel, ferrite, permalloy and sendust, and a component built-in module and package. It is a part.

【0027】また、前記の各構成において、前記電気絶
縁材の熱膨張係数が5〜30×10 -6/℃である部品内
蔵モジュールおよびパッケージ部品である。また、前記
の各構成において、前記電気絶縁材の熱伝導率が1〜1
0W/m・Kである部品内蔵モジュールおよびパッケー
ジ部品である。
Further, in each of the above-mentioned configurations,
The thermal expansion coefficient of the edge material is 5 to 30 × 10 -6In parts that are / ° C
It is a storage module and package parts. Also, the above
In each configuration, the electrical conductivity of the electrical insulating material is 1 to 1
0W / mK module built-in module and package
It is a part.

【0028】本発明にかかる部品内蔵モジュールの製造
方法は、未硬化の熱硬化性樹脂と無機質フィラーとを少
なくとも混合した熱硬化性樹脂組成物をシート状物に加
工する工程と、少なくとも1枚の前記シート状物と銅箔
とを重ね合わせて加熱・加圧することで一体化する工程
と、前記銅箔を加工して配線パターンを形成する工程
と、前記配線パターン上にコンデンサもしくはインダク
タを実装する工程と、前記配線パターン上の部品実装面
にさらに前記シート状物と銅箔とを重ね合わせて前記コ
ンデンサもしくはインダクタを前記シート状物に埋没さ
せて内蔵する工程と、さらに加熱・加圧することで前記
シート状物の熱硬化性樹脂を硬化させる工程と、前記コ
ンデンサもしくは前記インダクタの電極を貫通するよう
に位置決めして貫通穴を形成する工程と、銅メッキによ
り貫通スルーホールを形成する工程と、前記銅箔を加工
して外部電極および配線パターンを形成する工程と、前
記配線パターンに少なくとも半導体およびインダクタも
しくはコンデンサを実装する工程とを少なくとも含むこ
とを特徴とする。
The method of manufacturing a component built-in module according to the present invention comprises a step of processing a thermosetting resin composition obtained by mixing at least an uncured thermosetting resin and an inorganic filler into a sheet, and at least one sheet. A step of superimposing the sheet-shaped material and a copper foil on each other by heating and pressurizing them, a step of processing the copper foil to form a wiring pattern, and mounting a capacitor or an inductor on the wiring pattern A step, a step of further stacking the sheet-shaped material and a copper foil on the component mounting surface on the wiring pattern, burying the capacitor or inductor in the sheet-shaped material, and incorporating the capacitor or inductor. Step of curing the thermosetting resin of the sheet-like material, and positioning and penetrating the electrode of the capacitor or the inductor. A step of forming a through-hole by copper plating, a step of processing the copper foil to form an external electrode and a wiring pattern, and a step of mounting at least a semiconductor and an inductor or a capacitor on the wiring pattern. It is characterized by including at least and.

【0029】また、本発明にかかる部品内蔵モジュール
の製造方法は、未硬化の熱硬化性樹脂と無機質フィラー
とを少なくとも混合した熱硬化性樹脂組成物をシート状
物に加工する工程と、銅箔にコンデンサもしくはインダ
クタを実装する工程と、前記銅箔の部品実装面に前記シ
ート状物と銅箔とを重ね合わせて前記コンデンサもしく
は前記インダクタを前記シート状物に埋没させて内蔵す
る工程と、さらに加熱・加圧することで前記シート状物
の熱硬化性樹脂を硬化させる工程と、前記コンデンサも
しくは前記インダクタの電極を貫通するように位置決め
して貫通穴を形成する工程と、銅メッキにより貫通スル
ーホールを形成する工程と、前記銅箔を加工して外部電
極および配線パターンを形成する工程と、前記配線パタ
ーンに少なくとも半導体およびインダクタもしくはコン
デンサを実装する工程とを少なくとも含むことを特徴と
する。
Further, the method of manufacturing a component built-in module according to the present invention comprises a step of processing a thermosetting resin composition obtained by mixing at least an uncured thermosetting resin and an inorganic filler into a sheet, and a copper foil. A step of mounting a capacitor or an inductor on the component, a step of superimposing the sheet-shaped material and a copper foil on the component mounting surface of the copper foil, and embedding the capacitor or the inductor in the sheet-shaped material. A step of hardening the thermosetting resin of the sheet-like material by heating and pressurizing, a step of forming a through hole by positioning so as to penetrate the electrode of the capacitor or the inductor, and a through through hole by copper plating A step of forming an external electrode and a wiring pattern by processing the copper foil and at least the wiring pattern. Characterized in that it comprises at least a step of mounting a conductor and an inductor or a capacitor.

【0030】また、本発明にかかる部品内蔵モジュール
の製造方法は、未硬化の熱硬化性樹脂と無機質フィラー
とを少なくとも混合した熱硬化性樹脂組成物をシート状
物に加工する工程と、離型キャリアの片面上に配線パタ
ーンを形成する工程と、前記離型キャリアの配線パター
ン上にコンデンサもしくはインダクタを実装する工程
と、前記離型キャリア上の部品実装面に前記シート状物
と銅箔とを重ね合わせて前記コンデンサもしくは前記イ
ンダクタを前記シート状物に埋没させて内蔵する工程
と、さらに加熱・加圧することで前記シート状物の熱硬
化性樹脂を硬化させる工程と、前記コンデンサもしくは
前記インダクタの電極を貫通するように位置決めして貫
通穴を形成する工程と、銅メッキにより貫通スルーホー
ルを形成する工程と、前記銅箔を加工して外部電極およ
び配線パターンを形成する工程と、前記配線パターンに
少なくとも半導体およびインダクタもしくはコンデンサ
を実装する工程とを少なくとも含むことを特徴とする。
Further, the method for manufacturing a component built-in module according to the present invention comprises a step of processing a thermosetting resin composition, in which at least an uncured thermosetting resin and an inorganic filler are mixed, into a sheet, and a mold release. A step of forming a wiring pattern on one surface of the carrier; a step of mounting a capacitor or an inductor on the wiring pattern of the release carrier; and a sheet-shaped object and a copper foil on the component mounting surface of the release carrier. A step of burying and embedding the capacitor or the inductor in the sheet-shaped object by superimposing them, and a step of further hardening the thermosetting resin of the sheet-shaped object by heating and pressurizing; A step of forming a through hole by positioning so as to penetrate the electrode, a step of forming a through through hole by copper plating, Forming an external electrode and the wiring patterns by processing the Kidohaku, characterized in that it comprises at least a step of mounting at least a semiconductor and an inductor or capacitor to the wiring pattern.

【0031】また、本発明にかかる部品内蔵モジュール
の製造方法は、未硬化の熱硬化性樹脂と無機質フィラー
とを少なくとも混合した熱硬化性樹脂組成物をシート状
物に加工する工程と、少なくとも2枚の前記シート状物
でコンデンサもしくはインダクタを挟み込んで内蔵させ
る工程と、さらに銅箔で挟んで加熱・加圧することで前
記シート状物の熱硬化性樹脂を硬化させるとともに前記
銅箔を接着する工程と、前記コンデンサもしくは前記イ
ンダクタの電極を貫通するように位置決めして貫通穴を
形成する工程と、銅メッキにより貫通スルーホールを形
成する工程と、前記銅箔を加工して外部電極および配線
パターンを形成する工程と、前記配線パターンに少なく
とも半導体およびインダクタもしくはコンデンサを実装
する工程とを少なくとも含むことを特徴とする。
Further, the method for manufacturing a component built-in module according to the present invention comprises a step of processing a thermosetting resin composition in which at least an uncured thermosetting resin and an inorganic filler are mixed into a sheet-like material, and at least 2 A step of sandwiching a capacitor or an inductor between the sheet-shaped objects and incorporating it, and a step of further sandwiching with a copper foil to heat and pressurize the thermosetting resin of the sheet-shaped object and to bond the copper foil A step of forming a through hole by positioning so as to penetrate the electrode of the capacitor or the inductor, a step of forming a through through hole by copper plating, and a step of processing the copper foil to form an external electrode and a wiring pattern. The process of forming and the process of mounting at least a semiconductor and an inductor or a capacitor on the wiring pattern are reduced. Characterized in that it also includes a.

【0032】また、前記の部品内蔵モジュールの製造方
法において、少なくとも2枚の前記シート状物でコンデ
ンサもしくはインダクタを挟み込んで内蔵させる工程の
後で、銅箔で挟むことに加えてさらに前記シート状物と
前記銅箔を片面もしくは両面に重ね合わせて加熱・加圧
することで、前記シート状物の熱硬化性樹脂を硬化させ
るとともに前記銅箔を接着させる工程に置き換えたこと
を特徴とする部品内蔵モジュールの製造方法である。
In the method of manufacturing a component built-in module described above, after the step of sandwiching a capacitor or inductor between at least two sheet-like objects to incorporate them, in addition to sandwiching with a copper foil, the sheet-like object is further added. And the copper foil are superposed on one side or both sides and heated and pressed to cure the thermosetting resin of the sheet-like material and replace the step of adhering the copper foil with the component built-in module. Is a manufacturing method.

【0033】また、前記の部品内蔵モジュールの製造方
法において、前記コンデンサもしくは前記インダクタの
電極を貫通するように位置決めして貫通穴を形成する工
程を、前記銅箔を加工して配線パターンを形成する工程
と、前記配線パターンに半導体を実装する工程と、前記
半導体の実装面にさらに前記シート状物と前記銅箔とを
この順で重ね合わせて前記半導体を前記シート状物に埋
没させて内蔵する工程と、さらに加熱・加圧することで
前記シート状物の熱硬化性樹脂を硬化させる工程と、前
記コンデンサもしくは前記インダクタの電極および前記
半導体に接続した前記配線パターンを貫通するように位
置決めして貫通穴を形成する工程に置き換えたことを特
徴とする部品内蔵モジュールの製造方法である。
In the method of manufacturing a component built-in module, the step of positioning the electrode of the capacitor or the inductor to form a through hole and processing the copper foil to form a wiring pattern. A step, a step of mounting a semiconductor on the wiring pattern, and the sheet-shaped material and the copper foil are further stacked in this order on the mounting surface of the semiconductor to embed the semiconductor in the sheet-shaped material. A step of hardening the thermosetting resin of the sheet-like material by further heating and pressurizing, positioning and penetrating so as to penetrate the electrode of the capacitor or the inductor and the wiring pattern connected to the semiconductor. The method for manufacturing a component built-in module is characterized in that the step of forming a hole is replaced.

【0034】また、前記の部品内蔵モジュールの製造方
法において、前記コンデンサもしくは前記インダクタの
電極を貫通するように位置決めして貫通穴を形成する工
程を、前記コンデンサもしくは前記インダクタが実装さ
れた配線パターンを貫通するように位置決めして貫通穴
を形成する工程に置き換えたことを特徴とする部品内蔵
モジュールの製造方法である。
In the method of manufacturing a component built-in module described above, the step of forming a through hole by positioning the electrode of the capacitor or the inductor so as to penetrate the electrode is performed by forming a wiring pattern on which the capacitor or the inductor is mounted. In the method of manufacturing a component built-in module, the step of positioning so as to penetrate and forming a through hole is replaced.

【0035】また、前記の部品内蔵モジュールの製造方
法において、前記未硬化の熱硬化性樹脂と無機質フィラ
ーとを少なくとも混合した熱硬化性樹脂組成物をシート
状物に加工する工程に、さらに前記シート状物の所望の
位置に貫通穴を形成する工程と、前記貫通穴に導電性樹
脂組成物を充填する工程を付け加えたことを特徴とする
部品内蔵モジュールの製造方法である。
In the method of manufacturing a component built-in module described above, in the step of processing a thermosetting resin composition obtained by mixing at least the uncured thermosetting resin and an inorganic filler into a sheet, the sheet is further added. A method of manufacturing a component built-in module, which further comprises a step of forming a through hole at a desired position of the shaped article and a step of filling the through hole with a conductive resin composition.

【0036】本発明にかかるパッケージ部品の製造方法
は、未硬化の熱硬化性樹脂と無機質フィラーとを少なく
とも混合した熱硬化性樹脂組成物をシート状物に加工す
る工程と、少なくとも1枚の前記シート状物と銅箔とを
重ね合わせて加熱・加圧することで一体化する工程と、
前記銅箔を加工して配線パターンを形成する工程と、前
記配線パターン上にコンデンサもしくはインダクタを実
装する工程と、前記配線パターン上の部品実装面にさら
に前記シート状物と前記銅箔とを重ね合わせて前記コン
デンサもしくは前記インダクタを前記シート状物に埋没
させて内蔵する工程と、さらに加熱・加圧することで前
記シート状物の熱硬化性樹脂を硬化させる工程と、前記
コンデンサもしくは前記インダクタの電極を貫通するよ
うに位置決めして貫通穴を形成する工程と、銅メッキに
より貫通スルーホールを形成する工程と、前記銅箔を加
工して外部電極を形成する工程とを少なくとも含むこと
を特徴とする。
The method for manufacturing a package component according to the present invention comprises a step of processing a thermosetting resin composition obtained by mixing at least an uncured thermosetting resin and an inorganic filler into a sheet, and at least one of the above-mentioned materials. A step of superimposing a sheet-shaped material and a copper foil and heating and pressurizing them to integrate them,
A step of processing the copper foil to form a wiring pattern, a step of mounting a capacitor or an inductor on the wiring pattern, and further stacking the sheet-shaped material and the copper foil on a component mounting surface on the wiring pattern. In addition, a step of embedding the capacitor or the inductor by embedding it in the sheet-shaped object, a step of further curing the thermosetting resin of the sheet-shaped object by heating and pressurizing, an electrode of the capacitor or the inductor At least so as to form a through hole, a step of forming a through hole by copper plating, and a step of processing the copper foil to form an external electrode. .

【0037】また、本発明にかかるパッケージ部品の製
造方法は、未硬化の熱硬化性樹脂と無機質フィラーとを
少なくとも混合した熱硬化性樹脂組成物をシート状物に
加工する工程と、少なくとも2枚の前記シート状物でコ
ンデンサもしくはインダクタを挟み込んで内蔵させる工
程と、さらに銅箔で挟んで加熱・加圧することで前記シ
ート状物の熱硬化性樹脂を硬化させるとともに前記銅箔
を接着する工程と、前記コンデンサもしくは前記インダ
クタの電極を貫通するように位置決めして貫通穴を形成
する工程と、銅メッキにより貫通スルーホールを形成す
る工程と、前記銅箔を加工して外部電極を形成する工程
とを少なくとも含むことを特徴とする。
Further, the method for manufacturing a package component according to the present invention comprises a step of processing a thermosetting resin composition obtained by mixing at least an uncured thermosetting resin and an inorganic filler into a sheet, and at least two sheets. And a step of sandwiching a capacitor or an inductor between the sheet-like materials and incorporating them, and a step of further sandwiching with a copper foil to heat and pressurize the thermosetting resin of the sheet-like material and to bond the copper foil together. A step of forming a through hole by positioning so as to penetrate the electrode of the capacitor or the inductor, a step of forming a through through hole by copper plating, and a step of processing the copper foil to form an external electrode Is included at least.

【0038】また、前記の部品内蔵モジュールおよびパ
ッケージ部品の製造方法において、前記部品内蔵モジュ
ールおよび前記パッケージ部品を、前記貫通スルーホー
ルの中心部分を通るように切断して、前記貫通スルーホ
ールを端面電極とする工程を含むことを特徴とする部品
内蔵モジュールおよびパッケージ部品の製造方法であ
る。
Further, in the method of manufacturing a component built-in module and a package component, the component built-in module and the package component are cut so as to pass through a central portion of the through-hole, and the through-hole is an end face electrode. And a method of manufacturing a component built-in module and a package component.

【0039】また、前記の部品内蔵モジュールの製造方
法において、前記半導体を実装する工程が、前記半導体
に金バンプを設け、前記配線パターンに導電性接着剤で
接続する方法、もしくは前記配線パターンに超音波で接
合させる方法であることを特徴とする部品内蔵モジュー
ルの製造方法である。
In the method of manufacturing a component built-in module, the step of mounting the semiconductor may include a method of providing a gold bump on the semiconductor and connecting the wiring pattern with a conductive adhesive, or a method of connecting the wiring pattern to the wiring pattern. It is a method of manufacturing a component built-in module, which is a method of bonding with a sound wave.

【0040】[0040]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。本発明の実施の態様は、未硬化の熱硬化性
樹脂と無機質フィラーとを少なくとも混合した熱硬化性
樹脂組成物をシート状物に加工する工程、およびそのシ
ート状物を基本とする。本シート状物は室温で可撓性が
有り、部品埋めこみなどの工程に適している。また、熱
硬化後はリジッドになり、その形状を保持できる。ま
た、無機質フィラーの種類や量を変えることにより、電
気絶縁材の熱膨張係数や熱伝導率、誘電率や透磁率を変
化させることができ、所望の電気的および機械的特性を
得られるものである。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below. The embodiment of the present invention is based on a step of processing a thermosetting resin composition obtained by mixing at least an uncured thermosetting resin and an inorganic filler into a sheet, and the sheet. This sheet-like material has flexibility at room temperature and is suitable for a process such as embedding a component. In addition, after thermosetting, it becomes rigid and can retain its shape. Further, by changing the type and amount of the inorganic filler, it is possible to change the thermal expansion coefficient, the thermal conductivity, the dielectric constant and the magnetic permeability of the electrical insulating material, and obtain the desired electrical and mechanical properties. is there.

【0041】(実施形態1)本発明の第1の実施の形態
は、少なくとも1枚の前記シート状物と銅箔とを重ね合
わせて加熱・加圧して一体化した後、銅箔を配線パター
ンに加工してその上にコンデンサもしくはインダクタを
実装し、さらに前記シート状物および銅箔を前記コンデ
ンサもしくはインダクタに重ね合わせてシート状物中に
埋没させて内蔵一体化し、その後前記インダクタもしく
はコンデンサの電極を貫通するように位置決めして貫通
穴を形成し、銅メッキにより貫通スルーホールを形成
し、その後前記銅箔を加工して外部電極および配線パタ
ーンを形成して、少なくとも半導体およびインダクタも
しくはコンデンサを実装するものである。
(Embodiment 1) In the first embodiment of the present invention, at least one sheet-shaped material and a copper foil are superposed and heated / pressurized to be integrated, and then the copper foil is used as a wiring pattern. And then mount a capacitor or inductor on it, and further lay the sheet-shaped material and copper foil on the capacitor or inductor and bury them in the sheet-shaped material to integrate and integrate them, and then the electrodes of the inductor or capacitor. To form a through hole by forming a through hole by copper plating, then form a through through hole by copper plating, then process the copper foil to form an external electrode and a wiring pattern, and mount at least a semiconductor and an inductor or a capacitor. To do.

【0042】本モジュールは、コンデンサもしくはイン
ダクタを基板中に内蔵し、部品を3次元的に実装するこ
とが可能であるため、小型で高密度な形態を実現するこ
とができる。また、このため配線長を短縮することが可
能で、低損失で高速な回路を実現することができる。ま
た、銅メッキスルーホールによる層間接続を含むため、
低損失な接続を実現することができる。
In this module, a capacitor or an inductor is built in a substrate and components can be mounted three-dimensionally, so that a compact and high-density form can be realized. Therefore, the wiring length can be shortened, and a high-speed circuit with low loss can be realized. Also, because it includes interlayer connection by copper plated through holes,
A low loss connection can be realized.

【0043】(実施形態2)本発明の第2の実施の形態
は、銅箔にコンデンサもしくはインダクタを実装してか
らシート状物と前記銅箔とを重ね合わせ、加熱・加圧し
て前記コンデンサもしくはインダクタを前記シート状物
に埋没させて内蔵するとともに前記シート状物の熱硬化
性樹脂を硬化させ、その後前記コンデンサもしくはイン
ダクタの電極を貫通するように位置決めして貫通穴を形
成し、銅メッキにより貫通スルーホールを形成し、前記
銅箔を加工して外部電極および配線パターンを形成し、
前記配線パターンに少なくとも半導体およびインダクタ
もしくはコンデンサを実装するものである。
(Embodiment 2) In the second embodiment of the present invention, a capacitor or inductor is mounted on a copper foil, and then the sheet-like material and the copper foil are superposed on each other and heated and pressed to heat the capacitor or the capacitor. The inductor is embedded in the sheet-shaped material and embedded, and the thermosetting resin of the sheet-shaped material is cured, and then a through hole is formed by positioning so as to penetrate the electrode of the capacitor or the inductor, and copper plating is performed. Forming through-holes, processing the copper foil to form external electrodes and wiring patterns,
At least a semiconductor and an inductor or a capacitor are mounted on the wiring pattern.

【0044】本実施の形態によれば、銅箔パターンの両
面に部品を実装することができるため、モジュールの低
背化を実現することができる。
According to this embodiment, since the components can be mounted on both sides of the copper foil pattern, it is possible to reduce the height of the module.

【0045】(実施形態3)本発明の第3の実施の形態
は、離型キャリアの片面上に配線パターンを形成し、前
記離型キャリアの配線パターン上にコンデンサもしくは
インダクタを実装し、その部品実装面にシート状物と銅
箔とを重ね合わせ、加熱・加圧してコンデンサもしくは
インダクタを前記シート状物に埋没させて内蔵するとと
もにシート状物の熱硬化性樹脂を硬化させ、その後前記
コンデンサもしくはインダクタの電極を貫通するように
位置決めして貫通穴を形成し、銅メッキにより貫通スル
ーホールを形成し、前記銅箔を加工して外部電極および
配線パターンを形成し、前記配線パターンに少なくとも
半導体およびインダクタもしくはコンデンサを実装する
ものである。
(Embodiment 3) In the third embodiment of the present invention, a wiring pattern is formed on one surface of a release carrier, and a capacitor or inductor is mounted on the wiring pattern of the release carrier, and its parts are formed. The sheet-shaped material and the copper foil are superposed on the mounting surface, and the capacitor or inductor is embedded in the sheet-shaped material by heating and pressurizing it and the thermosetting resin of the sheet-shaped material is cured. A through hole is formed by positioning so as to penetrate the electrode of the inductor, a through through hole is formed by copper plating, the copper foil is processed to form an external electrode and a wiring pattern, and at least a semiconductor and a wiring pattern are formed on the wiring pattern. It mounts an inductor or a capacitor.

【0046】本実施の形態によると、あらかじめ配線パ
ターンが形成されているためパターン形成の位置合わせ
をする必要がなく簡便にモジュールを作製することがで
きる。また、スルーホールめっきを行う際に配線パター
ンにはめっきされないため、配線パターン厚みをめっき
厚みより薄く保つことができる。このため微細な配線パ
ターンを形成することが可能になる。
According to the present embodiment, since the wiring pattern is formed in advance, it is not necessary to align the pattern formation, and the module can be easily manufactured. Further, since the wiring pattern is not plated during through-hole plating, the wiring pattern thickness can be kept thinner than the plating thickness. Therefore, it becomes possible to form a fine wiring pattern.

【0047】(実施形態4)本発明の第4の実施の形態
は、少なくとも2枚のシート状物でコンデンサもしくは
インダクタを挟み込んで内蔵させ、さらに銅箔で挟んで
加熱・加圧することで前記シート状物の熱硬化性樹脂を
硬化させるとともに前記銅箔を接着させた後、前記コン
デンサもしくはインダクタの電極を貫通するように位置
決めして貫通穴を形成し、銅メッキにより貫通スルーホ
ールを形成し、前記銅箔を加工して外部電極および配線
パターンを形成し、前記配線パターンに少なくとも半導
体およびインダクタもしくはコンデンサを実装するもの
である。
(Embodiment 4) In the fourth embodiment of the present invention, at least two sheet-like objects sandwich a capacitor or an inductor therein, and the capacitors or inductors are further sandwiched by copper foil to heat and pressurize the sheet. After curing the thermosetting resin of the shaped material and adhering the copper foil, a through hole is formed by positioning so as to penetrate the electrode of the capacitor or the inductor, and a through through hole is formed by copper plating, The copper foil is processed to form an external electrode and a wiring pattern, and at least a semiconductor and an inductor or a capacitor are mounted on the wiring pattern.

【0048】本実施の形態によれば、内部に配線層を設
けずに部品内蔵モジュールを形成することが可能にな
り、小型低背化が実現できる。本実施の形態に加えてさ
らに片面もしくは両面にシート状物を介して配線層を付
け加えることも可能である。また、前記の配線層を付け
加える際に、半導体を実装してこの半導体をシート状物
に埋め込んで内蔵することも可能である。この場合低背
化できることに加えて、取り出し電極が再配線可能にな
る。
According to the present embodiment, it becomes possible to form a component built-in module without providing a wiring layer inside, and it is possible to realize a small size and a low profile. In addition to this embodiment, it is possible to add a wiring layer to one side or both sides through a sheet-shaped material. Further, when the wiring layer is added, it is also possible to mount a semiconductor and embed this semiconductor in a sheet-shaped article. In this case, the height can be reduced, and the extraction electrode can be re-wired.

【0049】(実施形態5)本発明の第5の実施の形態
は、上記の各実施の形態で作製するモジュールで使用す
るシート状物にあらかじめ貫通穴を開け、前記貫通穴に
導電性樹脂組成物を充填してから銅箔と重ね合わせて加
熱・加圧して配線層を形成したり、コンデンサもしくは
インダクタを埋め込んで内蔵したりするものである。
(Embodiment 5) In the fifth embodiment of the present invention, a through hole is preliminarily formed in the sheet material used in the module produced in each of the above embodiments, and the conductive resin composition is formed in the through hole. After filling with an object, it is superposed on a copper foil and heated and pressed to form a wiring layer, or a capacitor or an inductor is embedded and incorporated.

【0050】本実施の形態によれば、大きな電流の流れ
る配線層ではめっきスルーホールを用い、制御信号など
電流量の低い場合では上記の導電性樹脂組成物により接
続されるインナービアを使用することができるため、低
抵抗による高効率化、温度上昇低下が実現できることに
加えて、インナービアによる高密度化をも実現すること
が可能になる。
According to the present embodiment, the plated through hole is used in the wiring layer through which a large current flows, and the inner via connected by the above conductive resin composition is used in the case where the current amount such as a control signal is low. Therefore, it is possible to realize high efficiency due to low resistance, decrease in temperature rise, and high density due to inner vias.

【0051】(実施形態6)本発明の第6の実施の形態
は、上記の各実施の形態でコンデンサもしくはインダク
タをシート状物に埋没させて内蔵した後、さらに最外層
の銅箔を加工して配線パターンとし、その配線パターン
に半導体を実装し、再度シート状物および銅箔を前記半
導体に重ね合わせ、加熱・加圧して半導体を埋設すると
ともに銅箔と一体化させ、その後コンデンサもしくはイ
ンダクタの電極および前記半導体に接続した前記配線パ
ターンを貫通するように位置決めして貫通穴を形成し、
前記銅箔を加工して外部電極および配線パターンを形成
し、前記配線パターンに少なくともインダクタもしくは
コンデンサを実装するものである。
(Embodiment 6) In the sixth embodiment of the present invention, after the capacitor or the inductor in each of the above embodiments is embedded in a sheet-like material and built in, the outermost copper foil is further processed. To form a wiring pattern, mount a semiconductor on the wiring pattern, stack the sheet-shaped material and copper foil on the semiconductor again, heat and pressurize to embed the semiconductor, and integrate it with the copper foil. Forming a through hole by positioning so as to penetrate the electrode and the wiring pattern connected to the semiconductor;
The copper foil is processed to form an external electrode and a wiring pattern, and at least an inductor or a capacitor is mounted on the wiring pattern.

【0052】本実施の形態によれば、複数の部品を3次
元的に内蔵し、高密度なモジュールを得ることができ
る。
According to the present embodiment, a plurality of parts can be three-dimensionally built in and a high-density module can be obtained.

【0053】(実施形態7)本発明の第7の実施の形態
は、少なくとも1枚のシート状物と銅箔とを重ね合わせ
て加熱・加圧することで一体化し、前記銅箔を加工して
配線パターンを形成し、前記配線パターン上にコンデン
サもしくはインダクタを実装し、前記配線パターン上の
部品実装面にさらに前記シート状物と銅箔とを重ね合わ
せ、加熱・加圧することで前記コンデンサもしくはイン
ダクタを前記シート状物に埋没させて内蔵し、その後前
記コンデンサもしくはインダクタの電極を貫通するよう
に位置決めして貫通穴を形成し、銅メッキにより貫通ス
ルーホールを形成し、前記銅箔を加工して外部電極を形
成する工程とを少なくとも含むものである。
(Embodiment 7) In a seventh embodiment of the present invention, at least one sheet-like material and a copper foil are superposed and integrated by heating and pressing, and the copper foil is processed. The capacitor or inductor is formed by forming a wiring pattern, mounting a capacitor or an inductor on the wiring pattern, and further stacking the sheet-shaped material and a copper foil on the component mounting surface of the wiring pattern and heating and pressing. Embedded in the sheet-like material, then positioned so as to penetrate the electrode of the capacitor or inductor to form a through hole, form a through through hole by copper plating, and process the copper foil. And a step of forming an external electrode.

【0054】本実施の形態によれば、高信頼性で部品内
蔵モジュールに適したパッケージ部品を簡便に得ること
ができる。また、同様にして、上記の各実施の形態にお
いてコンデンサもしくはインダクタを内蔵した状態で外
部電極を形成することで、高信頼で接続抵抗の小さなパ
ッケージ部品を得ることができる。
According to this embodiment, it is possible to easily obtain a highly reliable package component suitable for a component built-in module. Similarly, in the above-described respective embodiments, by forming the external electrode in the state where the capacitor or the inductor is built in, a highly reliable package component having a small connection resistance can be obtained.

【0055】(実施形態8)本発明の第8の実施の形態
は、上記の各実施の形態において、作製した部品内蔵モ
ジュールおよびパッケージ部品のめっきスルーホール部
分を通るように切断して、前記めっきスルーホールを端
面電極とするものである。
(Embodiment 8) In the eighth embodiment of the present invention, in each of the above embodiments, the component built-in module and the package component produced are cut so as to pass through the plated through-holes, and the plating is performed. The through holes are used as end face electrodes.

【0056】本実施の形態によれば、スルーホールで切
断するため、外形の小型化が可能となる。また、外部電
極を形成する必要がなくなるため、最外面に銅箔を配置
する必要が無く、工程上有利になる。
According to the present embodiment, since the cutting is performed by the through hole, the outer shape can be downsized. Further, since it is not necessary to form an external electrode, it is not necessary to arrange a copper foil on the outermost surface, which is advantageous in the process.

【0057】[0057]

【実施例】以下、本発明の一実施例による部品内蔵モジ
ュールおよびパッケージ部品、並びにその製造方法を図
面を用いて説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A component built-in module and a package component according to an embodiment of the present invention and a method of manufacturing the same will be described below with reference to the drawings.

【0058】(実施例1)図1は、本発明の一実施例に
よる部品内蔵モジュールの断面図である。図1におい
て、101は電気絶縁材であるシート状物であり、102は前
記シート状物に埋設されたコンデンサであり、103はイ
ンダクタであり、104はシート状物に埋設された半導体
であり、105はチップ部品であり、106はインナービアで
あり、107は貫通された銅メッキスルーホールであり、1
08はシート状物中に層状に形成された配線パターンであ
り、109は外部電極である。
(Embodiment 1) FIG. 1 is a sectional view of a component built-in module according to an embodiment of the present invention. In FIG. 1, 101 is a sheet-like material which is an electrical insulating material, 102 is a capacitor embedded in the sheet-like material, 103 is an inductor, 104 is a semiconductor embedded in the sheet-like material, 105 is a chip part, 106 is an inner via, 107 is a through-hole copper plated through hole, 1
Reference numeral 08 is a wiring pattern formed in layers in the sheet-like material, and 109 is an external electrode.

【0059】電気絶縁材であるシート状物は、無機質フ
ィラーと熱硬化性樹脂を少なくとも含む混合物である。
無機質フィラーとしては電気的に絶縁性のものであれば
よいが、熱膨張係数や熱伝導率の点で、Al2O3、SiO2、M
gO、BeO、Si3N4、SiC、AlNおよびBNからなる群から選ば
れた少なくとも1種類であることが好ましい。特に、Al
2O3、SiO2を使用した場合、熱硬化性樹脂との混練が容
易でシート加工性に優れている。また、AlNを使用した
場合、特に熱伝導率が高くなる。
The sheet material which is an electric insulating material is a mixture containing at least an inorganic filler and a thermosetting resin.
As the inorganic filler, any electrically insulating one may be used, but in terms of thermal expansion coefficient and thermal conductivity, Al 2 O 3 , SiO 2 , M
It is preferably at least one selected from the group consisting of gO, BeO, Si 3 N 4 , SiC, AlN and BN. In particular, Al
When 2 O 3 or SiO 2 is used, it can be easily kneaded with a thermosetting resin and has excellent sheet processability. Further, when AlN is used, the thermal conductivity becomes particularly high.

【0060】無機質フィラーの比率としては、60〜9
5重量%が好ましく、70〜95重量%がより好まし
い。これより低い場合、シート状物の熱膨張係数が大き
くなり、半導体や各部品、あるいは配線である銅箔との
熱膨張係数の差が大きくなるからである。また、これよ
りも高い場合には、シートの流動性が低下し、コンデン
サやインダクタを埋設することが困難になる。
The ratio of the inorganic filler is 60 to 9
5% by weight is preferable, and 70 to 95% by weight is more preferable. If it is lower than this, the coefficient of thermal expansion of the sheet-like material becomes large, and the difference in the coefficient of thermal expansion from the semiconductor, each component, or the copper foil which is the wiring becomes large. On the other hand, if it is higher than this, the fluidity of the sheet is lowered and it becomes difficult to embed the capacitor and the inductor.

【0061】熱硬化性樹脂としては、例えばエポキシ樹
脂、フェノール樹脂、イソシアネート樹脂が使用でき、
これらの樹脂から少なくとも1種類を選んで用いること
が好ましい。これらの樹脂はそれぞれ耐熱性や機械的強
度、電気絶縁性に優れるからである。
As the thermosetting resin, for example, epoxy resin, phenol resin, isocyanate resin can be used,
It is preferable to use at least one selected from these resins. This is because these resins each have excellent heat resistance, mechanical strength, and electrical insulation.

【0062】電気絶縁材としては、その熱膨張係数が5
×10-6〜30×10-6/℃であることが好ましい。こ
の範囲にある場合、内蔵されたコンデンサもしくはイン
ダクタ、あるいは半導体や、配線パターンおよびメッキ
材料である銅との熱膨張係数の差が小さくなり、高い信
頼性を得ることができる。また、電気絶縁材の熱膨張係
数が、平面方向と厚み方向でほぼ同じであることが好ま
しい。信頼性が向上するからである。さらに、電気絶縁
材の熱伝導率が1〜10W/m・Kであることが好まし
い。放熱性が良好になり、許容電流値を増やすことが可
能になるからである。また、内蔵した部品の発熱をすば
やく外部に放散し、部品の温度上昇を低下させることが
できるからである。
As an electrical insulating material, its coefficient of thermal expansion is 5
It is preferably x10 -6 to 30 x 10 -6 / ° C. Within this range, the difference in the coefficient of thermal expansion between the built-in capacitor or inductor, the semiconductor, the wiring pattern and the copper, which is the plating material, becomes small, and high reliability can be obtained. Further, it is preferable that the thermal expansion coefficient of the electrical insulating material is substantially the same in the plane direction and the thickness direction. This is because reliability is improved. Further, the thermal conductivity of the electric insulating material is preferably 1 to 10 W / m · K. This is because the heat dissipation becomes good and the allowable current value can be increased. Further, it is possible to quickly dissipate the heat generated by the built-in components to the outside and reduce the temperature rise of the components.

【0063】コンデンサとしては、電極端子が取り出せ
るものであれば良いが、少なくとも1つの電極が金属箔
であることが好ましい。貫通穴を形成する際に素子を破
壊せずに貫通することができ、メッキによって外部電極
と電気的に接続することができるからである。また、コ
ンデンサはフィルム状の固体電解コンデンサであること
が好ましい。このコンデンサによれば、ほぼ同容量のチ
ップコンデンサに対して低背化が可能となり、モジュー
ルの小型化が可能になるからである。また、陽極が金属
箔であるため、上記の好ましい例のように貫通穴形成が
容易であるからである。上記の固体電解コンデンサの陽
極金属としては、例えばアルミニウム、タンタルが使用
できる。
Any capacitor can be used as long as its electrode terminals can be taken out, but at least one electrode is preferably a metal foil. This is because the element can be penetrated without being destroyed when the through hole is formed, and the element can be electrically connected to the external electrode by plating. Further, the capacitor is preferably a film-shaped solid electrolytic capacitor. With this capacitor, it is possible to reduce the height of a chip capacitor having almost the same capacity, and it is possible to downsize the module. Further, since the anode is a metal foil, it is easy to form a through hole as in the above preferred example. As the anode metal of the above solid electrolytic capacitor, for example, aluminum or tantalum can be used.

【0064】また、コンデンサが2つの陽極を持つ3端
子構造、もしくは2つの陽極と2つの陰極を持つ4端子
構造であることが好ましい。この場合、配線による等価
直列インダクタンスが小さくなり、耐ノイズ性が向上す
る点で有利である。また、配線距離による浮遊容量の影
響を押さえることができ、モジュール構成の自由度が向
上する点で有利である。
The capacitor preferably has a three-terminal structure having two anodes or a four-terminal structure having two anodes and two cathodes. In this case, the equivalent series inductance due to the wiring is reduced, which is advantageous in that the noise resistance is improved. Moreover, the influence of the stray capacitance due to the wiring distance can be suppressed, which is advantageous in that the degree of freedom in the module configuration is improved.

【0065】インダクタとしては、例えば巻線インダク
タやチップインダクタが使用できるが、コンデンサと同
様に少なくとも1つの電極が金属箔であることが好まし
い。金属箔としては、例えば銅、銀、アルミニウムが使
用できる。また、特にインダクタが1層ないしは2層の
平板状の巻線を有したシート状コイルからなることが好
ましい。この好ましい例によれば、インダクタの薄型化
が可能になり、ひいてはモジュールの低背化が可能にな
る。
As the inductor, for example, a wire-wound inductor or a chip inductor can be used, but at least one electrode is preferably a metal foil like the capacitor. As the metal foil, for example, copper, silver or aluminum can be used. Further, it is particularly preferable that the inductor is composed of a sheet-shaped coil having one or two layers of flat-plate windings. According to this preferable example, the thickness of the inductor can be reduced, and the height of the module can be reduced.

【0066】半導体としては、ベアチップであることが
好ましい。パッケージに使用される体積が除去され、モ
ジュールの小型化が可能になるからである。また、半導
体は配線パターンとフリップチップ実装されていること
が好ましい。フリップチップの場合、ワイヤボンディン
グに比べて実装面積や高さを低下させることができ、ま
たシート状物によるワイヤの流れが発生しないため高信
頼な実装が可能になるからである。
The semiconductor is preferably a bare chip. This is because the volume used for the package is removed and the module can be downsized. Further, the semiconductor is preferably flip-chip mounted on the wiring pattern. This is because in the case of flip chip, the mounting area and height can be reduced as compared with wire bonding, and since wire flow due to the sheet-like material does not occur, highly reliable mounting is possible.

【0067】半導体およびコンデンサおよびインダクタ
のうち少なくとも2種類の部品は、図1に示すようにモ
ジュールの主面に対して鉛直な方向に投射した場合に、
その形状が重なった位置に配置されることが好ましい。
この配置によれば、各部品の実装密度が向上して体積が
小さくなるからである。また、3次元的な配線により配
線長を短くすることが可能になり、配線の低抵抗化や高
速化、耐ノイズ性の向上といった性能面での向上が可能
になるからである。
At least two kinds of components of the semiconductor, the capacitor, and the inductor are projected in a direction perpendicular to the main surface of the module as shown in FIG.
It is preferable that the shapes are arranged at overlapping positions.
This arrangement improves the mounting density of each component and reduces the volume. Further, it is possible to shorten the wiring length by the three-dimensional wiring, and it is possible to improve the performance such as lowering the resistance and speed of the wiring and improving the noise resistance.

【0068】本モジュールは低抵抗な層間接続が可能に
なる効果のため、特に電力を取り扱う電源用途が好まし
く、例えばDC−DCコンバータやレギュレータとして
の機能を有することができ、特にDC−DCコンバータ
機能を有することが好ましい。
Since this module has an effect of enabling interlayer connection with low resistance, it is particularly preferable to use it as a power source for handling electric power. For example, it can have a function as a DC-DC converter or a regulator, and in particular has a DC-DC converter function. It is preferable to have

【0069】なお、図1に示した一実施例ではコンデン
サ102が電気絶縁材101に内蔵されインダクタ103は外部
に接続されているが、逆にインダクタ103が内蔵されて
いてもよく、またコンデンサ102およびインダクタ103が
ともに電気絶縁材101に内蔵されていても良い。また、
半導体104は電気絶縁材101に内蔵されているが,必ずし
も内蔵する必要はなく、電極表面に実装されていてもよ
い。また、チップ部品105が電気絶縁材101に内蔵されて
いるが、チップ部品105は必ずしも必要ではなく、適宜
削除もしくは追加されてもよい。
In the embodiment shown in FIG. 1, the capacitor 102 is built in the electric insulating material 101 and the inductor 103 is connected to the outside, but the inductor 103 may be built in conversely. Both the inductor 103 and the inductor 103 may be incorporated in the electrical insulating material 101. Also,
The semiconductor 104 is built in the electric insulating material 101, but it is not always necessary to build it in, and may be mounted on the electrode surface. Further, although the chip component 105 is built in the electric insulating material 101, the chip component 105 is not always necessary and may be deleted or added as appropriate.

【0070】(実施例2)図2は、本発明の一実施例に
よる部品内蔵モジュールの製造方法を示す工程別断面図
である。図2(a)に示すように熱硬化性樹脂と無機質フ
ィラーを少なくとも含む混合物をシート化したシート状
物201を用意する。このシート状物201の両面に銅箔202
を重ねて加熱・加圧することで、図2(b)に示すように
銅箔202がシート状物201に張り合わされた銅張両面板を
作製する。次に、図2(c)に示すように、銅箔202の片面
を加工して配線パターン203を作製する。その後、図2
(d)に示すように、配線パターン203上にコンデンサ204
を実装する。この図において205はコンデンサ204の電極
であり、206は接着剤である。さらに、この上にシート
状物201を重ね合わせ、さらに銅箔202を重ね合わせて加
熱・加圧することにより、図2(e)に示すようにコンデ
ンサ204をシート状物201中に埋没させて内蔵するととも
にシート状物201中の熱硬化性樹脂を硬化させる。その
後、図2(f)に示すように、内蔵されたコンデンサ204の
電極205を貫通するように貫通穴を開け、銅メッキを施
してスルーホール207を形成する。その後、図2(g)に示
すように、銅箔202を加工して配線パターン203を形成
し、その上に半導体208およびインダクタ209、チップ部
品210、外部電極211を実装して部品内蔵モジュールを完
成させる。
(Embodiment 2) FIGS. 2A to 2C are cross-sectional views by step showing a method of manufacturing a component built-in module according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 2 (a), a sheet-like material 201 is prepared which is made into a sheet of a mixture containing at least a thermosetting resin and an inorganic filler. Copper foil 202 on both sides of this sheet 201
By stacking and heating and pressing, the copper-clad double-sided plate in which the copper foil 202 is laminated on the sheet 201 as shown in FIG. 2B is manufactured. Next, as shown in FIG. 2C, one side of the copper foil 202 is processed to form a wiring pattern 203. After that, Figure 2
As shown in (d), the capacitor 204 is placed on the wiring pattern 203.
Implement. In this figure, 205 is an electrode of the capacitor 204, and 206 is an adhesive. Further, by stacking the sheet-like material 201 on top of this, and further stacking and heating the copper foil 202, the capacitor 204 is embedded and embedded in the sheet-like material 201 as shown in FIG. 2 (e). At the same time, the thermosetting resin in the sheet material 201 is cured. After that, as shown in FIG. 2F, a through hole is formed so as to penetrate the electrode 205 of the built-in capacitor 204, and copper plating is performed to form a through hole 207. After that, as shown in FIG. 2G, the copper foil 202 is processed to form a wiring pattern 203, and the semiconductor 208, the inductor 209, the chip component 210, and the external electrode 211 are mounted on the copper foil 202 to form a component built-in module. Finalize.

【0071】シート状物201の作製に関しては、所望の
比率の熱硬化性樹脂と無機質フィラーを秤量して混合
し、シート状に造膜すればよい。混合の方法としては、
例えばボールミルによる方法、プラネタリーミキサーに
よる方法、攪拌機による方法が使用できる。上記の混合
物をシート状に造膜する方法は特に限定されず、ドクタ
ーブレード法、コーター法、押し出し法などを用いるこ
とができる。また、熱伝導樹脂組成物に溶剤を混合させ
てその粘度を調整してから造膜し、その後熱伝導樹脂組
成物中の熱硬化性樹脂の硬化温度より低い温度で溶剤を
乾燥させて造膜してもよく、この場合にはドクターブレ
ード法を用いることが好ましい。造膜が容易だからであ
る。溶剤としては、例えばメチルエチルケトン(ME
K)、トルエン、イソプロパノールを使用できる。
For the production of the sheet 201, a thermosetting resin and an inorganic filler in a desired ratio may be weighed and mixed to form a sheet. As a mixing method,
For example, a method using a ball mill, a method using a planetary mixer, or a method using a stirrer can be used. The method for forming the above mixture into a sheet is not particularly limited, and a doctor blade method, a coater method, an extrusion method or the like can be used. Further, the heat conductive resin composition is mixed with a solvent to adjust its viscosity to form a film, and then the solvent is dried at a temperature lower than the curing temperature of the thermosetting resin in the heat conductive resin composition to form a film. However, in this case, the doctor blade method is preferably used. This is because film formation is easy. Examples of the solvent include methyl ethyl ketone (ME
K), toluene, isopropanol can be used.

【0072】銅箔202としては、例えば工業用電解銅箔
が使用できる。なお、銅箔はその片面ないし両面が粗化
されていることが好ましい。シート状物との接着力が高
まるからである。銅箔を配線パターンに加工する方法と
しては、例えば化学エッチングによる方法が使用でき
る。
As the copper foil 202, for example, an industrial electrolytic copper foil can be used. The copper foil is preferably roughened on one side or both sides. This is because the adhesive strength with the sheet-like material is enhanced. As a method of processing the copper foil into a wiring pattern, for example, a method using chemical etching can be used.

【0073】接着剤206はコンデンサ204の固定に使用で
きるものであればよく特に限定されないが、例えば半
田、導電性樹脂組成物、熱硬化性接着剤等が使用でき
る。なお、モジュール表面に配置されているインダクタ
209、チップ部品210、外部電極211を実装する場合にお
いては、部品が固定され電気的な接続が可能であればよ
く、例えば半田や導電性接着剤による方法が使用でき
る。
The adhesive 206 is not particularly limited as long as it can be used for fixing the capacitor 204, but for example, solder, a conductive resin composition, a thermosetting adhesive or the like can be used. In addition, the inductor placed on the module surface
When the 209, the chip component 210, and the external electrode 211 are mounted, it is sufficient that the components are fixed and electrical connection is possible, and for example, a method using solder or a conductive adhesive can be used.

【0074】チップ部品210としては回路形成の必要に
応じて適宜選択すればよく特に限定されないが、例えば
抵抗、コンデンサ、インダクタが使用できる。また、半
導体パッケージを使用してもよい。外部電極211として
は他の基板などに電気的に接続できる端子であればよく
特に限定されないが、例えば金属ボール、金属ブロック
が使用できる。また、モジュール最外部の配線パターン
を外部電極として使用してもよい。
The chip component 210 may be appropriately selected according to the necessity of circuit formation and is not particularly limited, but, for example, a resistor, a capacitor or an inductor can be used. Alternatively, a semiconductor package may be used. The external electrode 211 is not particularly limited as long as it is a terminal that can be electrically connected to another substrate or the like, and for example, a metal ball or a metal block can be used. Further, the outermost wiring pattern of the module may be used as an external electrode.

【0075】スルーホール207となる貫通穴の形成方法
は特に限定されず、例えばドリル加工や、パンチ加工が
使用できる。また、スルーホールへの銅メッキ方法は、
例えば無電解メッキが使用できる。メッキ厚さは配線パ
ターン厚みや使用される電流量によって適宜決定すれば
よい。
The method of forming the through hole to be the through hole 207 is not particularly limited, and for example, drilling or punching can be used. Also, the copper plating method for the through hole is
For example, electroless plating can be used. The plating thickness may be appropriately determined according to the wiring pattern thickness and the amount of current used.

【0076】半導体208の実装方法としては特に限定さ
れないが、フリップチップ実装であることが好ましい。
配線長が短くなり低抵抗化や高速化に有利であり、また
実装面積が小さいためモジュールの小型化が可能となる
からである。フリップチップ実装の方法としては、例え
ば半導体に金ワイヤボンディング法で作製したバンプを
設け配線パターンに導電性接着剤で接続する方法、上記
金バンプを超音波で配線パターンに接合させる方法、は
んだバンプを形成して熱溶融させることによる接合法が
使用できるが、特に金バンプを介した超音波接合法もし
くははんだバンプによる接合法が好ましい。これらの実
装方法では接続抵抗が低いからである。また、上記の各
フリップチップ実装方法においては、半導体と配線パタ
ーンもしくはシート状物との間隙が樹脂封止されている
ことが好ましい。接続信頼性が向上するからである。
The method of mounting the semiconductor 208 is not particularly limited, but flip chip mounting is preferable.
This is because the wiring length is shortened, which is advantageous for lowering resistance and speeding up, and because the mounting area is small, the module can be downsized. Flip-chip mounting methods include, for example, a method in which bumps prepared by a gold wire bonding method are provided on a semiconductor and connected to a wiring pattern with a conductive adhesive, a method in which the gold bumps are ultrasonically bonded to a wiring pattern, and solder bumps are used. Although a joining method by forming and heat melting can be used, an ultrasonic joining method through a gold bump or a joining method by a solder bump is particularly preferable. This is because these mounting methods have low connection resistance. Further, in each of the above flip-chip mounting methods, it is preferable that the gap between the semiconductor and the wiring pattern or the sheet-like material be resin-sealed. This is because the connection reliability is improved.

【0077】なお、本実施の形態においては、コンデン
サをシート状物中に内蔵してインダクタを表面に実装し
ているが、逆にインダクタをシート物中に内蔵し、コン
デンサを外部に実装してもよいことはいうまでもない。
In the present embodiment, the capacitor is built in the sheet material and the inductor is mounted on the surface, but conversely, the inductor is built in the sheet material and the capacitor is mounted externally. It goes without saying that it is good.

【0078】(実施例3)図3は、本発明の別の一実施
例による部品内蔵モジュールの製造方法を示す工程別断
面図である。図3(a)に示すように、銅箔301上にコンデ
ンサ302を、接着剤303を介して実装する。その後、図3
(b)に示すようにコンデンサ302の上にシート状物304お
よび銅箔301を重ねて加熱・加圧して、シート状物304中
にコンデンサ302を埋設して内蔵させ、同時に熱硬化性
樹脂を硬化させて銅箔301と一体化する。その後、図3
(c)に示すように、コンデンサ302の電極306を貫通する
ように貫通穴を形成し、銅メッキを施してスルーホール
305を形成する。その後、図3(d)に示すように、銅箔30
1を加工して配線パターン307を形成し、その上に半導体
308、チップ部品310およびインダクタ309、外部電極311
を実装して部品内蔵モジュールを完成させる。
(Embodiment 3) FIGS. 3A to 3C are cross-sectional views by process showing a method of manufacturing a component built-in module according to another embodiment of the present invention. As shown in FIG. 3A, a capacitor 302 is mounted on a copper foil 301 with an adhesive 303. After that, FIG.
As shown in (b), the sheet material 304 and the copper foil 301 are overlaid on the capacitor 302 and heated and pressed to embed and embed the capacitor 302 in the sheet material 304, and at the same time to apply a thermosetting resin. It is cured and integrated with the copper foil 301. After that, FIG.
As shown in (c), a through hole is formed so as to penetrate the electrode 306 of the capacitor 302, and copper plating is applied to form a through hole.
305 is formed. Then, as shown in FIG. 3 (d), the copper foil 30
1 is processed to form a wiring pattern 307, on which the semiconductor
308, chip component 310 and inductor 309, external electrode 311
To complete the module with built-in components.

【0079】(実施例4)図4は、本発明の別の一実施
例による部品内蔵モジュールの製造方法を示す工程別断
面図である。図4(a)に示すように、離型キャリア401上
に形成された配線パターン402を用意する。次に、図4
(b)に示すように、配線パターン402上にインダクタ403
を接着剤404を介して実装する。次に、図4(c)に示すよ
うに、インダクタ402上に電気絶縁材であるシート状物4
05と、図4(a)で示したものと同様の離型キャリア401付
配線パターン402をこの順で配線パターンがシート状物4
05に接するようにして重ね合わせ、加熱・加圧してシー
ト状物405中にインダクタ403が埋没して内蔵され、同時
に熱硬化性樹脂を硬化させて配線パターンと一体化させ
る。その後、図4(d)に示すようにインダクタ403の電極
406を貫通するように貫通穴を開け、銅メッキを施して
スルーホール407を形成する。その後、図4(e)に示すよ
うに離型キャリア401を剥離して配線パターンをモジュ
ール表面に露出させ、図4(f)に示すように半導体408、
コンデンサ409、外部電極411を実装して部品内蔵モジュ
ールを完成させる。なお、410はチップ部品である。
(Embodiment 4) FIGS. 4A to 4C are cross-sectional views by process showing a method of manufacturing a component built-in module according to another embodiment of the present invention. As shown in FIG. 4A, the wiring pattern 402 formed on the release carrier 401 is prepared. Next, FIG.
As shown in (b), the inductor 403 is
Are mounted via the adhesive 404. Next, as shown in FIG. 4 (c), a sheet-like material 4 which is an electrical insulating material is placed on the inductor 402.
05 and a wiring pattern 402 with a release carrier 401 similar to that shown in FIG. 4 (a) in this order.
The inductor 403 is embedded in the sheet-like material 405 by being superposed so as to be in contact with 05, heated and pressed, and at the same time, the thermosetting resin is cured to be integrated with the wiring pattern. Then, as shown in FIG. 4 (d), the electrodes of the inductor 403 are
A through hole is formed so as to penetrate through 406, and copper plating is performed to form a through hole 407. After that, the release carrier 401 is peeled off to expose the wiring pattern on the module surface as shown in FIG. 4 (e), and the semiconductor 408, as shown in FIG. 4 (f),
The capacitor 409 and the external electrode 411 are mounted to complete the component built-in module. In addition, 410 is a chip component.

【0080】離型キャリアとしては、例えばポリエチレ
ンやポリエチレンテレフタレートなどの有機フィルム
や、銅、アルミニウムなどの金属箔が利用できる。配線
パターンの形成方法としては、例えば離型キャリア上に
銅箔を接着剤で接着させたものを加工する方法や、離型
キャリア上にめっきで形成する方法が使用できる。
As the release carrier, for example, an organic film such as polyethylene or polyethylene terephthalate or a metal foil such as copper or aluminum can be used. As the method of forming the wiring pattern, for example, a method of processing a copper foil adhered on a release carrier with an adhesive or a method of forming a plating on the release carrier can be used.

【0081】(実施例5)図5は、本発明の別の一実施
例による部品内蔵モジュールの製造方法を示す工程別断
面図である。図5(a)に示すように、コイル501の両面か
ら電気絶縁材であるシート状物502および銅箔503を重ね
合わせて加熱・加圧することで、図5(b)に示すように
コイル501をシート状物502中に埋没させて内蔵し、同時
に熱硬化性樹脂を硬化させて一体化させる。その後、図
5(c)に示すように、インダクタの電極505を貫通するよ
うに貫通穴を形成し、銅メッキを施してスルーホール50
4を形成する。その後、図5(d)に示すように、銅箔503
を加工して配線パターン506を形成し、その上に半導体5
07、コンデンサ508、外部電極509を実装して部品内蔵モ
ジュールを完成させる。なお、510はチップ部品であ
る。
(Embodiment 5) FIGS. 5A to 5C are cross-sectional views by process showing a method of manufacturing a component built-in module according to another embodiment of the present invention. As shown in FIG. 5 (a), the sheet 501 502 and the copper foil 503, which are electrically insulating materials, are superposed on each other from both sides of the coil 501, and heated and pressed, so that the coil 501 shown in FIG. 5 (b). Is embedded in the sheet-like material 502 and embedded therein, and at the same time, the thermosetting resin is cured to be integrated. After that, as shown in FIG. 5C, a through hole is formed so as to penetrate the electrode 505 of the inductor, and copper plating is performed to form the through hole 50.
Forming 4 Then, as shown in FIG. 5 (d), the copper foil 503
Is processed to form a wiring pattern 506, on which the semiconductor 5
The component built-in module is completed by mounting 07, the capacitor 508, and the external electrode 509. In addition, 510 is a chip component.

【0082】なお、本実施の形態において、コイル501
は1層ないしは2層の平板状の巻線からなるシート状コ
イルであることが低背化の点で好ましい。また、上記の
インダクタを内蔵するシート状物502は、前記の実施例
で記載した無機質フィラー以外に軟磁性体を含むことが
好ましく、特には鉄、ニッケル、フェライト、パーマロ
イ、センダストからなる群から選ばれた少なくとも1種
類を含むことが好ましい。これらのフィラーを使用すれ
ば、コイル周囲の透磁率が向上するため漏れ磁束が減少
し、より大きなインダクタンスが得られるからである。
なお、同様の理由により、別の実施例においても、イン
ダクタを内蔵するシート状物が上記の軟磁性材料を含ん
でいることが好ましい。
In the present embodiment, the coil 501
Is preferably a sheet-like coil composed of one-layer or two-layer flat-shaped windings from the viewpoint of reducing the height. Further, the sheet-shaped material 502 containing the above-mentioned inductor preferably contains a soft magnetic material in addition to the inorganic filler described in the above examples, and is particularly selected from the group consisting of iron, nickel, ferrite, permalloy and sendust. It is preferable to include at least one selected from the above. This is because the use of these fillers improves the magnetic permeability around the coil, reduces the leakage flux, and obtains a larger inductance.
For the same reason, it is preferable that the sheet-shaped material containing the inductor also contains the above-mentioned soft magnetic material in another embodiment.

【0083】さらに、図5(c)において、銅箔503を加工
して配線パターンを形成し、外部電極とすることによ
り、パッケージ部品とすることができ、本実施の形態に
よれば、部品の上面および下面の所望の位置に取り出し
電極を設けることが可能になり、低抵抗で設計自由度が
高く、低背なパッケージ部品が作製できる。
Further, in FIG. 5C, a package part can be obtained by processing the copper foil 503 to form a wiring pattern and using it as an external electrode. According to this embodiment, It is possible to provide extraction electrodes at desired positions on the upper surface and the lower surface, and it is possible to manufacture a package component having low resistance, high design flexibility, and low profile.

【0084】(実施例6)図6は、本発明の別の一実施
例による部品内蔵モジュールの製造方法を示す工程別断
面図である。図6(a)に示すように、シート状物601に貫
通穴602を形成し、導電性樹脂組成物603を前記貫通穴60
2に充填する。その後、図6(b)に示すように、両面を銅
箔604で挟んで加熱・加圧して、シート状物601および導
電性樹脂組成物603中の熱硬化性樹脂を硬化させるとと
もに銅箔604と一体化させる。その後、図6(c)に示すよ
うに銅箔を加工して配線パターン605を形成する。さら
に、その両面に図6(a)と同様のシート状物および銅箔
を重ねて加熱・加圧し、さらに銅箔を配線パターンに加
工して図6(d)に示すような多層配線板を形成する。そ
の後、図6(e)に示すように配線パターン上にコンデン
サ606を導電接着剤607を介して実装する。次に、図6
(f)に示すように、さらにコンデンサ606の上にシート状
物601および銅箔604を重ね合わせ、加熱・加圧してシー
ト状物601中にコンデンサ606を埋没して内蔵し、同時に
熱硬化性樹脂を硬化させて銅箔604と一体化させ、さら
にコンデンサ606の電極608を貫通するように貫通穴を開
け、銅メッキを施してスルーホール609を形成する。そ
の後、図6(g)に示すように半導体610、インダクタ61
1、外部電極612を実装して部品内蔵モジュールを完成さ
せる。なお、613はチップ部品である。
(Embodiment 6) FIGS. 6A to 6C are cross-sectional views by process showing a method of manufacturing a component built-in module according to another embodiment of the present invention. As shown in FIG. 6 (a), a through hole 602 is formed in the sheet-shaped material 601, and the conductive resin composition 603 is formed in the through hole 60.
Fill 2 After that, as shown in FIG. 6B, both sides are sandwiched by copper foils 604 and heated and pressed to cure the thermosetting resin in the sheet 601 and the conductive resin composition 603, and at the same time the copper foils 604. To be integrated with. Then, as shown in FIG. 6C, the copper foil is processed to form a wiring pattern 605. Further, a sheet-like material and copper foil similar to those in FIG. 6 (a) are overlaid on both sides, heated and pressed, and further the copper foil is processed into a wiring pattern to form a multilayer wiring board as shown in FIG. 6 (d). Form. After that, as shown in FIG. 6E, the capacitor 606 is mounted on the wiring pattern via the conductive adhesive 607. Next, FIG.
As shown in (f), the sheet-shaped material 601 and the copper foil 604 are further stacked on the capacitor 606, and the capacitor 606 is embedded and embedded in the sheet-shaped material 601 by heating and pressurizing. The resin is hardened to be integrated with the copper foil 604, a through hole is further opened so as to penetrate the electrode 608 of the capacitor 606, and copper plating is performed to form a through hole 609. After that, as shown in FIG.
1. Mount the external electrode 612 to complete the component built-in module. 613 is a chip component.

【0085】シート状物601に貫通穴602を形成する方法
としては、レーザー加工法やパンチング加工法、金型に
よる打抜き加工法が使用できる。特にレーザー加工法で
は、炭酸ガスレーザーやエキシマレーザーが使用でき、
加工速度の点で好ましい。導電性樹脂組成物603として
は、金、銀、銅やそれらの合金粉末を導電材料とし、そ
れを熱硬化性樹脂に混合したものが使用できる。導電材
料としては導電性が良好であり、マイグレーションが少
ないため特に銅が好ましい。
As a method of forming the through hole 602 in the sheet-shaped material 601, a laser processing method, a punching processing method, or a punching processing method using a die can be used. Especially in the laser processing method, carbon dioxide gas laser and excimer laser can be used,
It is preferable in terms of processing speed. As the conductive resin composition 603, a material in which gold, silver, copper or an alloy powder thereof is used as a conductive material and which is mixed with a thermosetting resin can be used. As the conductive material, copper is particularly preferable because it has good conductivity and little migration.

【0086】(実施例7)図7は、本発明の別の一実施
例による部品内蔵モジュールの製造方法を示す工程別断
面図である。図7(a)に示すように、図6と同様の製造
方法でシート状物701に銅箔702を一体化し、インナービ
アで接続された多層の配線パターン703を内蔵した基板
を作製し、その上にコンデンサ704を導電接着剤705を介
して実装する。次に、図7(b)に示すようにコンデンサ7
04の上にさらにシート状物701および銅箔702を重ねて加
熱・加圧し、コンデンサ704をシート状物701中に埋設さ
せるとともに熱硬化性樹脂を硬化させて銅箔と一体化
し、表層の銅箔を加工して配線パターン703とし、その
上に半導体706を実装する。なお、707はチップ部品であ
る。次に、図7(c)に示すように半導体706の上にさらに
シート状物701および銅箔702を重ねて加熱・加圧し、半
導体706をシート状物701中に埋設させるとともに熱硬化
性樹脂を硬化させて銅箔と一体化し、さらにコンデンサ
704の電極および半導体706が実装された配線パターン70
3を貫通するように貫通穴を開け、銅メッキを施してス
ルーホール708を形成する。その後、図7(d)に示すよう
に、銅箔702を加工して配線パターン703および外部電極
709を形成し、その上にインダクタ710を実装して部品内
蔵モジュールを完成させる。
(Embodiment 7) FIGS. 7A to 7C are cross-sectional views by process showing a method of manufacturing a component built-in module according to another embodiment of the present invention. As shown in FIG. 7 (a), a copper foil 702 is integrated with a sheet material 701 by the same manufacturing method as in FIG. 6, and a substrate having a built-in multilayer wiring pattern 703 connected by inner vias is manufactured. A capacitor 704 is mounted on the upper surface of the capacitor via a conductive adhesive 705. Next, as shown in FIG.
Sheet-shaped material 701 and copper foil 702 are further stacked on 04, heated and pressed to embed the capacitor 704 in the sheet-shaped material 701 and harden the thermosetting resin to be integrated with the copper foil. The foil is processed into the wiring pattern 703, and the semiconductor 706 is mounted thereon. 707 is a chip component. Next, as shown in FIG. 7C, the sheet 701 and the copper foil 702 are further stacked on the semiconductor 706 and heated and pressed so that the semiconductor 706 is embedded in the sheet 701 and a thermosetting resin. Is cured and integrated with copper foil, and
Wiring pattern 70 with electrodes 704 and semiconductor 706 mounted
A through hole is formed so as to pass through 3, and copper plating is performed to form a through hole 708. Then, as shown in FIG. 7D, the copper foil 702 is processed to form the wiring pattern 703 and the external electrodes.
709 is formed, and the inductor 710 is mounted thereon to complete the component built-in module.

【0087】なお、本実施例ではコンデンサ704を内蔵
した後に半導体706を内蔵したが、実装および内蔵の順
番は回路設計に応じて適宜決定することができる。ま
た、本実施例に加えてさらに最上部のインダクタを同様
の方法で内蔵して、すべての部品を内蔵することが可能
であり、外部からの衝撃や落下に対する耐性が高い点
や、モジュールとしての取り扱いが容易である点で好ま
しい。
Although the semiconductor 706 is incorporated after the capacitor 704 is incorporated in this embodiment, the order of mounting and incorporating can be appropriately determined according to the circuit design. Further, in addition to the present embodiment, it is possible to further incorporate the uppermost inductor in the same manner to incorporate all the components, which has a high resistance to external impacts and drops, and the module as a module. It is preferable because it is easy to handle.

【0088】(実施例8)図8は、本発明の別の一実施
例によるパッケージ部品の製造方法を示す工程別断面図
である。図8(a)に示すように、シート状物801の両面に
銅箔802を配置して加熱・加圧して熱硬化性樹脂を硬化
させるとともに銅箔を一体化し、銅箔802を加工して配
線パターン803を形成し、その上にコンデンサ804を導電
接着剤805を介して実装する。次に、図8(b)に示すよう
に、コンデンサ804上にシート状物801および銅箔802を
重ねて加熱・加圧して、コンデンサ804をシート状物801
中に埋没させて内蔵するとともに、熱硬化性樹脂を硬化
させて一体化する。次に、図8(c)に示すようにコンデ
ンサ804の電極806および電極806に接続した配線パター
ン803を貫通するように貫通穴を開け、銅メッキを施し
てスルーホール807を形成する。次に、図8(d)に示すよ
うに、銅箔802を加工して外部電極808を形成してパッケ
ージ部品を完成させる。
(Embodiment 8) FIGS. 8A to 8C are cross-sectional views by process showing a method of manufacturing a package component according to another embodiment of the present invention. As shown in FIG. 8 (a), copper foil 802 is arranged on both sides of the sheet-shaped material 801, and the thermosetting resin is cured by heating and pressurizing the copper foil and the copper foil 802 is processed to process the copper foil 802. A wiring pattern 803 is formed, and a capacitor 804 is mounted on it by a conductive adhesive 805. Next, as shown in FIG. 8B, the sheet 801 and the copper foil 802 are superposed on the capacitor 804 and heated and pressed to form the capacitor 804 in the sheet 801.
It is embedded inside and embedded, and the thermosetting resin is hardened and integrated. Next, as shown in FIG. 8C, a through hole is opened so as to penetrate the electrode 806 of the capacitor 804 and the wiring pattern 803 connected to the electrode 806, and copper plating is performed to form a through hole 807. Next, as shown in FIG. 8D, the copper foil 802 is processed to form the external electrodes 808 to complete the package component.

【0089】本実施例によれば、部品の上面および下面
の所望の位置に取り出し電極を設けることが可能にな
り、低抵抗で設計自由度の高いパッケージ部品が作製で
きる。
According to this embodiment, it is possible to provide extraction electrodes at desired positions on the upper surface and the lower surface of the component, and it is possible to manufacture a package component having a low resistance and a high degree of design freedom.

【0090】(実施例9)図9は、本発明の別の一実施
例による端面電極を持った部品内蔵モジュールの製造方
法を示す工程別断面図である。図9(a)に、図7で示し
たものと同様な方法で作製した部品内蔵モジュールを示
す。ここで、901は電気絶縁材からなるシート状物、902
は配線パターン、903はコンデンサ、904はインダクタ、
905は半導体、906はチップ部品、907はスルーホール、9
08はインナービア、909は外部電極である。次に、図9
(b)に示すように、スルーホール907のほぼ中心部分を切
断することで、スルーホールの内壁を端面電極910とす
る部品内蔵モジュールが完成される。
(Embodiment 9) FIGS. 9A to 9C are cross-sectional views by process showing a method of manufacturing a component built-in module having an end face electrode according to another embodiment of the present invention. FIG. 9A shows a component built-in module manufactured by the same method as that shown in FIG. Here, 901 is a sheet-like object made of an electrical insulating material, 902
Is a wiring pattern, 903 is a capacitor, 904 is an inductor,
905 is a semiconductor, 906 is a chip component, 907 is a through hole, 9
08 is an inner via, and 909 is an external electrode. Next, FIG.
As shown in (b), by cutting substantially the central portion of the through hole 907, a component built-in module having the inner wall of the through hole as the end surface electrode 910 is completed.

【0091】本実施例によれば、複数個の部品内蔵モジ
ュールを作製し、それをスルーホール部分で切断するこ
とで、多数の端面電極をもつ部品内蔵モジュールを作製
することが容易になる。また、前記の各実施例において
も、同様の方法で端面電極を形成することができる。
According to the present embodiment, a plurality of component built-in modules are manufactured and cut at the through holes, so that a component built-in module having a large number of end face electrodes can be easily manufactured. Further, also in each of the above-mentioned embodiments, the end face electrodes can be formed by the same method.

【0092】なお、前記の各実施例において、銅箔をす
べて図4(a)に示したような離型キャリア上に形成した
配線パターンに置き換えてもよく、この場合配線形成を
一連のモジュール製造と別の工程で一括して行える点で
好ましい。
In each of the above embodiments, the copper foil may be replaced with a wiring pattern formed on the release carrier as shown in FIG. 4 (a). In this case, the wiring is formed by a series of module manufacturing. It is preferable because it can be collectively performed in a separate process.

【0093】また、前記の各実施例において、コンデン
サとしては電極がコンデンサ外部に出て貫通穴が形成可
能な形状で示したが、コンデンサを実装した配線パター
ンを貫通するようにしてスルーホールを形成してもよ
く、この場合さらにチップコンデンサのように貫通穴を
形成することが困難な場合においても内蔵して外部電極
と低抵抗に接続することが可能になる。
Further, in each of the above-mentioned embodiments, the capacitor is shown as having a shape in which the electrode is exposed to the outside of the capacitor and a through hole can be formed, but a through hole is formed so as to penetrate the wiring pattern on which the capacitor is mounted. However, in this case, even when it is difficult to form a through hole like a chip capacitor, it becomes possible to incorporate the through hole and connect to the external electrode with low resistance.

【0094】また、前記の各実施例において、貫通穴は
部品電極もしくは部品が実装された配線パターンを貫通
するようにして形成されているが、この場合の貫通穴は
前記部品電極および配線パターンの一部を通ればよく、
必ずしも貫通穴の全周にわたって電極および配線パター
ンが存在している必要はない。
Further, in each of the above-mentioned embodiments, the through hole is formed so as to penetrate the component electrode or the wiring pattern on which the component is mounted. In this case, the through hole is defined by the component electrode and the wiring pattern. You only have to go through a part,
It is not always necessary that the electrodes and the wiring pattern exist all around the through hole.

【0095】[0095]

【発明の効果】本発明によれば、めっきスルーホールに
より低抵抗で大電流に対応することができ、また部品電
極に直接スルーホールを形成することでさらに低抵抗な
接続が可能になる3次元に部品が実装された部品内蔵モ
ジュールを得ることができる。また、本発明によれば、
無機質フィラーを選択することで電気絶縁材の特性を選
択することができるため、平面方向の熱膨脹係数が配線
パターンおよび半導体や各部品と近く、かつ放熱性に優
れ、磁気特性や誘電特性にも優れた超高密度な実装形態
を有するモジュールが実現できる。また、本発明によれ
ば、スルーホールとインナービアを併用することで、高
密度化と低抵抗、大電流容量を兼ね備えた部品内蔵モジ
ュールが実現できる。
EFFECTS OF THE INVENTION According to the present invention, a plated through hole allows low resistance to handle a large current, and a through hole can be formed directly on a component electrode to achieve a connection with lower resistance. It is possible to obtain a component built-in module having components mounted therein. Further, according to the present invention,
Since the characteristics of the electrical insulating material can be selected by selecting an inorganic filler, the coefficient of thermal expansion in the plane direction is close to that of the wiring pattern, semiconductors and other parts, and it has excellent heat dissipation and excellent magnetic and dielectric characteristics. It is possible to realize a module having an extremely high-density mounting form. Further, according to the present invention, by using the through hole and the inner via together, a component built-in module having high density, low resistance, and large current capacity can be realized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例による部品内蔵モジュールを
示す断面図である。
FIG. 1 is a sectional view showing a component built-in module according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の一実施例による部品内蔵モジュールの
製造方法を示す工程別断面図である。
2A to 2D are cross-sectional views for each process showing a method of manufacturing a component built-in module according to an embodiment of the present invention.

【図3】本発明の別の一実施例による部品内蔵モジュー
ルの製造方法を示す工程別断面図である。
FIG. 3 is a sectional view for each step showing a method for manufacturing a component built-in module according to another embodiment of the present invention.

【図4】本発明の別の一実施例による部品内蔵モジュー
ルの製造方法を示す工程別断面図である。
FIG. 4 is a sectional view for each step showing a method for manufacturing a component built-in module according to another embodiment of the present invention.

【図5】本発明の別の一実施例による部品内蔵モジュー
ルの製造方法を示す工程別断面図である。
5A to 5D are cross-sectional views for each process showing a method for manufacturing a component built-in module according to another embodiment of the present invention.

【図6】本発明の別の一実施例による部品内蔵モジュー
ルの製造方法を示す工程別断面図である。
FIG. 6 is a cross-sectional view of steps showing a method of manufacturing a component built-in module according to another embodiment of the present invention.

【図7】本発明の別の一実施例による部品内蔵モジュー
ルの製造方法を示す工程別断面図である。
FIG. 7 is a cross-sectional view of individual steps showing a method of manufacturing a component built-in module according to another embodiment of the present invention.

【図8】本発明の別の一実施例によるパッケージ部品の
製造方法を示す工程別断面図である。
FIG. 8 is a cross-sectional view for each step showing a method of manufacturing a package component according to another embodiment of the present invention.

【図9】本発明の一実施例による部品内蔵モジュールの
製造方法を示す工程別断面図である。
FIG. 9 is a cross-sectional view of individual steps showing a method for manufacturing a component built-in module according to an embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

101 電気絶縁材 102、204、302、409、508、606、704、804、903 コン
デンサ 103、209、309、403、611、710、904 インダクタ 104、208、308、408、507、610、706、905 半導体 105、210、310、410、510、613、707、906 チップ部品 106、908 インナービア 107、207、306、407、504、609、708、807、907 スル
ーホール 108、203、307、402、506、605、703、803、902 配線
パターン 109、211、311、411、509、612、709、808、909 外部
電極 201、304、405、502、601、701、801、901 シート状物 202、301、503、604、702、802 銅箔 205、305、406、505、608、806 電極 206、303、404 接着剤 401 離型キャリア 501 コイル 602 貫通穴 603 導電性樹脂組成物 607、705、805 導電接着剤 910 端面電極
101 electrical insulating material 102, 204, 302, 409, 508, 606, 704, 804, 903 capacitor 103, 209, 309, 403, 611, 710, 904 inductor 104, 208, 308, 408, 507, 610, 706, 905 Semiconductor 105, 210, 310, 410, 510, 613, 707, 906 Chip component 106, 908 Inner via 107, 207, 306, 407, 504, 609, 708, 807, 907 Through hole 108, 203, 307, 402 , 506, 605, 703, 803, 902 Wiring patterns 109, 211, 311, 411, 509, 612, 709, 808, 909 External electrodes 201, 304, 405, 502, 601, 701, 801, 901 Sheet-like material 202 , 301, 503, 604, 702, 802 Copper foil 205, 305, 406, 505, 608, 806 Electrode 206, 303, 404 Adhesive 401 Release carrier 501 Coil 602 Through hole 603 Conductive resin composition 607, 705, 805 Conductive adhesive 910 Edge electrode

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石富 裕之 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 山下 嘉久 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 半田 浩之 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Fターム(参考) 5E044 AC01 AC06 5E082 AA01 AB01 AB03 BB10 BC33 BC39 FF05 FG04 FG46 HH47 MM13 MM22 PP03 PP06 PP07 5E346 AA02 AA12 AA15 AA25 AA43 AA60 BB01 BB16 BB20 CC02 CC08 CC21 CC32 DD02 DD12 EE02 EE06 FF07 FF18 FF42 FF45 GG28 GG40 HH01 HH22 HH25    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    (72) Inventor Hiroyuki Ishitomi             1006 Kadoma, Kadoma-shi, Osaka Matsushita Electric             Sangyo Co., Ltd. (72) Inventor Yoshihisa Yamashita             1006 Kadoma, Kadoma-shi, Osaka Matsushita Electric             Sangyo Co., Ltd. (72) Inventor Hiroyuki Handa             1006 Kadoma, Kadoma-shi, Osaka Matsushita Electric             Sangyo Co., Ltd. F-term (reference) 5E044 AC01 AC06                 5E082 AA01 AB01 AB03 BB10 BC33                       BC39 FF05 FG04 FG46 HH47                       MM13 MM22 PP03 PP06 PP07                 5E346 AA02 AA12 AA15 AA25 AA43                       AA60 BB01 BB16 BB20 CC02                       CC08 CC21 CC32 DD02 DD12                       EE02 EE06 FF07 FF18 FF42                       FF45 GG28 GG40 HH01 HH22                       HH25

Claims (44)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 少なくとも半導体およびコンデンサおよ
びインダクタが電気的に接続されたモジュールにおい
て、前記コンデンサおよび前記インダクタのうち少なく
とも1種類が、熱硬化性樹脂と無機質フィラーとを少な
くとも含む混合物からなる電気絶縁材中に内蔵され、前
記内蔵されたコンデンサおよび/またはインダクタの電
極の少なくとも1つを貫通するように前記モジュールに
貫通穴が形成され、前記貫通穴がめっきスルーホールに
より外部電極に接続されていることを特徴とする部品内
蔵モジュール。
1. In a module in which at least a semiconductor, a capacitor and an inductor are electrically connected, at least one kind of the capacitor and the inductor is an electrical insulating material made of a mixture containing at least a thermosetting resin and an inorganic filler. A through hole is formed in the module so as to penetrate at least one of the electrodes of the capacitor and / or the inductor which are built in, and the through hole is connected to an external electrode by a plated through hole. Module with built-in components.
【請求項2】 前記半導体が、熱硬化性樹脂と無機質フ
ィラーとを少なくとも含む混合物からなる電気絶縁材中
に内蔵されている請求項1に記載の部品内蔵モジュー
ル。
2. The component built-in module according to claim 1, wherein the semiconductor is embedded in an electric insulating material made of a mixture containing at least a thermosetting resin and an inorganic filler.
【請求項3】 前記電気絶縁材中に内蔵された半導体お
よび/またはコンデンサおよび/またはインダクタが、
前記半導体および/または前記コンデンサおよび/また
は前記インダクタと同一面上に形成された配線パターン
に接続され、前記配線パターンがめっきスルーホールに
より外部電極に接続されている請求項1または2に記載
の部品内蔵モジュール。
3. A semiconductor and / or a capacitor and / or an inductor embedded in the electrical insulation material,
The component according to claim 1 or 2, which is connected to a wiring pattern formed on the same surface as the semiconductor and / or the capacitor and / or the inductor, and the wiring pattern is connected to an external electrode by a plated through hole. Built-in module.
【請求項4】 少なくとも半導体およびコンデンサおよ
びインダクタが電気的に接続されたモジュールにおい
て、前記コンデンサおよび前記インダクタのうち少なく
とも1種類が、熱硬化性樹脂と無機質フィラーとを少な
くとも含む混合物からなる電気絶縁材中に内蔵され、前
記内蔵されたコンデンサおよび/またはインダクタの電
極の少なくとも1つが前記モジュールの端面に形成され
た端面電極に接続されていることを特徴とする部品内蔵
モジュール。
4. A module in which at least a semiconductor, a capacitor and an inductor are electrically connected, and at least one kind of the capacitor and the inductor is an electrical insulating material made of a mixture containing at least a thermosetting resin and an inorganic filler. A module with a built-in component, characterized in that at least one electrode of the built-in capacitor and / or inductor is connected to an end surface electrode formed on an end surface of the module.
【請求項5】 前記半導体が、熱硬化性樹脂と無機質フ
ィラーとを少なくとも含む混合物からなる電気絶縁材中
に内蔵されている請求項4に記載の部品内蔵モジュー
ル。
5. The component built-in module according to claim 4, wherein the semiconductor is embedded in an electric insulating material made of a mixture containing at least a thermosetting resin and an inorganic filler.
【請求項6】 前記電気絶縁材中に内蔵された半導体お
よび/またはコンデンサおよび/またはインダクタが、
前記半導体および/または前記コンデンサおよび/また
は前記インダクタと同一面上に形成された配線パターン
に接続され、前記配線パターンの少なくとも1部分が前
記モジュールの端面に形成された端面電極に接続されて
いる請求項4または5に記載の部品内蔵モジュール。
6. A semiconductor and / or capacitor and / or inductor embedded in the electrical insulation material,
Connected to a wiring pattern formed on the same surface as the semiconductor and / or the capacitor and / or the inductor, and at least a part of the wiring pattern is connected to an end surface electrode formed on an end surface of the module. Item 4. The component built-in module according to Item 4 or 5.
【請求項7】 前記端面電極が、前記モジュールの鉛直
方向に貫通した溝状に形成されている請求項4〜6のい
ずれかに記載の部品内蔵モジュール。
7. The component built-in module according to claim 4, wherein the end face electrode is formed in a groove shape that penetrates in a vertical direction of the module.
【請求項8】 前記端面電極が、金属のめっきにより形
成されている請求項4〜7のいずれかに記載の部品内臓
モジュール。
8. The component built-in module according to claim 4, wherein the end surface electrode is formed by plating metal.
【請求項9】 複数の配線パターンを含み、前記配線パ
ターン間を電気的に接続する導電性樹脂組成物からなる
複数のインナービアを含んだ請求項1〜8のいずれかに
記載の部品内蔵モジュール。
9. The component built-in module according to claim 1, further comprising a plurality of inner vias including a plurality of wiring patterns and made of a conductive resin composition for electrically connecting the wiring patterns. .
【請求項10】 前記半導体および前記コンデンサおよ
び前記インダクタのうち少なくとも2種類の部品が、熱
硬化性樹脂と無機質フィラーとを少なくとも含む混合物
からなる電気絶縁材中の異なった面に内蔵されている請
求項1〜9のいずれかに記載の部品内蔵モジュール。
10. At least two types of components of the semiconductor, the capacitor, and the inductor are embedded in different surfaces in an electric insulating material made of a mixture containing at least a thermosetting resin and an inorganic filler. Item 10. The component built-in module according to any one of items 1 to 9.
【請求項11】 前記半導体および前記コンデンサおよ
び前記インダクタのうち少なくとも2種類の部品が、前
記モジュールの主面に対して鉛直な方向に前記部品の形
状を投射した場合に重なり合う部分を持つように配置さ
れている請求項1〜10のいずれかに記載の部品内蔵モ
ジュール。
11. At least two types of components of the semiconductor, the capacitor, and the inductor are arranged so as to have overlapping portions when the shapes of the components are projected in a direction perpendicular to the main surface of the module. The component built-in module according to any one of claims 1 to 10.
【請求項12】 前記モジュールが、DC−DCコンバ
ータ機能を有する請求項1〜11のいずれかに記載の部
品内蔵モジュール。
12. The component built-in module according to claim 1, wherein the module has a DC-DC converter function.
【請求項13】 前記半導体がベアチップよりなり、配
線パターンとフリップチップ実装されている請求項1〜
12のいずれかに記載の部品内蔵モジュール。
13. A semiconductor device comprising a bare chip, which is flip-chip mounted on a wiring pattern.
13. The component built-in module according to any one of 12.
【請求項14】 前記コンデンサが、フィルム状の固体
電解コンデンサである請求項1〜13のいずれかに記載
の部品内蔵モジュール。
14. The component built-in module according to claim 1, wherein the capacitor is a film-shaped solid electrolytic capacitor.
【請求項15】 前記コンデンサが、2つの陽極を持つ
3端子構造、もしくは2つの陽極と2つの陰極を持つ4
端子構造である請求項1〜14いずれかに記載の部品内
蔵モジュール。
15. The capacitor has a three-terminal structure having two anodes, or a four-terminal having two anodes and two cathodes.
The component built-in module according to any one of claims 1 to 14, which has a terminal structure.
【請求項16】 前記インダクタが、1層ないしは2層
の平板状の巻線を有したシート状コイルからなる請求項
1〜15のいずれかに記載の部品内蔵モジュール。
16. The component built-in module according to claim 1, wherein the inductor comprises a sheet-shaped coil having one-layer or two-layer flat-plate windings.
【請求項17】 前記コンデンサおよび前記インダクタ
の少なくとも1つの電極が、金属箔からなる請求項1〜
16のいずれかに記載の部品内蔵モジュール。
17. The electrode according to claim 1, wherein at least one electrode of the capacitor and the inductor is made of a metal foil.
16. The component built-in module according to any one of 16.
【請求項18】 前記熱硬化性樹脂組成物中の無機質フ
ィラーが、Al2O3、SiO 2、MgO、BeO、Si3N4、SiC、AlNお
よびBNからなる群から選択された少なくとも1種類であ
る請求項1〜17のいずれかに記載の部品内蔵モジュー
ル。
18. The inorganic filler in the thermosetting resin composition.
Killer is Al2O3, SiO 2, MgO, BeO, Si3NFour, SiC, AlN
And at least one selected from the group consisting of
The module with a built-in component according to claim 1.
Le.
【請求項19】 前記インダクタを内蔵する熱硬化性樹
脂組成物中の無機質フィラーが、鉄、ニッケル、フェラ
イト、パーマロイおよびセンダストからなる群から選択
された少なくとも1種類である請求項1〜18のいずれ
かに記載の部品内蔵モジュール。
19. The inorganic filler in the thermosetting resin composition containing the inductor is at least one selected from the group consisting of iron, nickel, ferrite, permalloy and sendust. The module with built-in components described in.
【請求項20】 前記電気絶縁材の熱膨張係数が、5〜
30×10-6/℃である請求項1〜19のいずれかに記
載の部品内蔵モジュール。
20. The thermal expansion coefficient of the electrical insulating material is 5 to
The component built-in module according to any one of claims 1 to 19, which has a temperature of 30 x 10 -6 / ° C.
【請求項21】 前記電気絶縁材の熱伝導率が、1〜1
0W/m・Kである請求項1〜20のいずれかに記載の
部品内蔵モジュール。
21. The thermal conductivity of the electrical insulating material is 1 to 1
The component built-in module according to any one of claims 1 to 20, which has a power consumption of 0 W / m · K.
【請求項22】 コンデンサまたはインダクタが、熱硬
化性樹脂と無機質フィラーとを少なくとも含む混合物か
らなる電気絶縁材中に内蔵され、前記内蔵されたコンデ
ンサまたはインダクタの電極の少なくとも1つを貫通す
るように貫通穴が形成され、前記貫通穴がめっきスルー
ホールにより外部電極に接続されていることを特徴とす
るパッケージ部品。
22. A capacitor or inductor is embedded in an electric insulating material made of a mixture containing at least a thermosetting resin and an inorganic filler, and penetrates at least one electrode of the embedded capacitor or inductor. A package component, wherein a through hole is formed, and the through hole is connected to an external electrode by a plated through hole.
【請求項23】 コンデンサまたはインダクタが、熱硬
化性樹脂と無機質フィラーとを少なくとも含む混合物か
らなる電気絶縁材中に内蔵され、前記内蔵されたコンデ
ンサまたはインダクタの電極の少なくとも1つがモジュ
ールの端面に形成された端面電極に接続されているパッ
ケージ部品。
23. A capacitor or inductor is embedded in an electrical insulating material made of a mixture containing at least a thermosetting resin and an inorganic filler, and at least one electrode of the incorporated capacitor or inductor is formed on an end face of a module. Package parts connected to the end face electrodes.
【請求項24】 前記コンデンサが、フィルム状の固体
電解コンデンサである請求項22または23に記載のパ
ッケージ部品。
24. The package component according to claim 22, wherein the capacitor is a film-shaped solid electrolytic capacitor.
【請求項25】 前記コンデンサが、2つの陽極を持つ
3端子構造、もしくは2つの陽極と2つの陰極を持つ4
端子構造である請求項22〜24のいずれかに記載のパ
ッケージ部品。
25. The capacitor has a three-terminal structure having two anodes, or a four-terminal having two anodes and two cathodes.
The package component according to any one of claims 22 to 24, which has a terminal structure.
【請求項26】 前記インダクタが、1層ないしは2層
の平板状の巻線を有したシート状コイルからなる請求項
22〜25のいずれかに記載のパッケージ部品。
26. The package component according to any one of claims 22 to 25, wherein the inductor comprises a sheet-shaped coil having one-layer or two-layer flat-plate windings.
【請求項27】 前記コンデンサおよび前記インダクタ
の少なくとも1つの電極が、金属箔からなる請求項22
〜26のいずれかに記載のパッケージ部品。
27. At least one electrode of the capacitor and the inductor comprises a metal foil.
28. The package component according to any one of to 26.
【請求項28】 前記熱硬化性樹脂組成物中の無機質フ
ィラーが、Al2O3、SiO 2、MgO、BeO、Si3N4、SiC、AlNお
よびBNからなる群から選択された少なくとも1種類であ
る請求項22〜27のいずれかに記載のパッケージ部
品。
28. The inorganic filler in the thermosetting resin composition
Killer is Al2O3, SiO 2, MgO, BeO, Si3NFour, SiC, AlN
And at least one selected from the group consisting of
The package part according to any one of claims 22 to 27
Goods.
【請求項29】 前記インダクタを内蔵する熱硬化性樹
脂組成物中の無機質フィラーが、鉄、ニッケル、フェラ
イト、パーマロイおよびセンダストからなる群から選択
された少なくとも1種類である請求項22〜28のいず
れかに記載のパッケージ部品。
29. The inorganic filler in the thermosetting resin composition containing the inductor is at least one selected from the group consisting of iron, nickel, ferrite, permalloy and sendust. Package parts described in Crab.
【請求項30】 前記電気絶縁材の熱膨張係数が、5〜
30×10-6/℃である請求項22〜29のいずれかに
記載のパッケージ部品。
30. The thermal expansion coefficient of the electrical insulating material is 5 to
30. The package component according to any one of claims 22 to 29, which has a density of 30 × 10 −6 / ° C.
【請求項31】 前記電気絶縁材の熱伝導率が、1〜1
0W/m・Kである請求項22〜30のいずれかに記載
のパッケージ部品。
31. The thermal conductivity of the electrical insulating material is 1 to 1
It is 0 W / m * K, The package component in any one of Claims 22-30.
【請求項32】 未硬化の熱硬化性樹脂と無機質フィラ
ーとを少なくとも混合した熱硬化性樹脂組成物をシート
状物に加工する工程と、少なくとも1枚の前記シート状
物と銅箔とを重ね合わせて加熱・加圧することで一体化
する工程と、前記銅箔を加工して配線パターンを形成す
る工程と、前記配線パターン上にコンデンサもしくはイ
ンダクタを実装する工程と、前記配線パターン上の部品
実装面にさらに前記シート状物と銅箔とを重ね合わせて
前記コンデンサもしくはインダクタを前記シート状物に
埋没させて内蔵する工程と、さらに加熱・加圧すること
で前記シート状物の熱硬化性樹脂を硬化させる工程と、
前記コンデンサもしくは前記インダクタの電極を貫通す
るように位置決めして貫通穴を形成する工程と、銅メッ
キにより貫通スルーホールを形成する工程と、前記銅箔
を加工して外部電極および配線パターンを形成する工程
と、前記配線パターンに少なくとも半導体およびインダ
クタもしくはコンデンサを実装する工程とを少なくとも
含むことを特徴とする部品内蔵モジュールの製造方法。
32. A step of processing a thermosetting resin composition obtained by mixing at least an uncured thermosetting resin and an inorganic filler into a sheet, and at least one sheet and the copper foil are superposed. A step of integrating by heating and pressurizing together, a step of processing the copper foil to form a wiring pattern, a step of mounting a capacitor or an inductor on the wiring pattern, and a component mounting on the wiring pattern A step of further superimposing the sheet-shaped material and a copper foil on the surface and burying and embedding the capacitor or inductor in the sheet-shaped material; and by further heating and pressing the thermosetting resin of the sheet-shaped material. Curing step,
Positioning the electrode of the capacitor or the inductor so as to penetrate the electrode to form a through hole, forming a through hole by copper plating, and processing the copper foil to form an external electrode and a wiring pattern. A method of manufacturing a component built-in module comprising at least a step and a step of mounting at least a semiconductor and an inductor or a capacitor on the wiring pattern.
【請求項33】 未硬化の熱硬化性樹脂と無機質フィラ
ーとを少なくとも混合した熱硬化性樹脂組成物をシート
状物に加工する工程と、銅箔にコンデンサもしくはイン
ダクタを実装する工程と、前記銅箔の部品実装面に前記
シート状物と銅箔とを重ね合わせて前記コンデンサもし
くは前記インダクタを前記シート状物に埋没させて内蔵
する工程と、さらに加熱・加圧することで前記シート状
物の熱硬化性樹脂を硬化させる工程と、前記コンデンサ
もしくは前記インダクタの電極を貫通するように位置決
めして貫通穴を形成する工程と、銅メッキにより貫通ス
ルーホールを形成する工程と、前記銅箔を加工して外部
電極および配線パターンを形成する工程と、前記配線パ
ターンに少なくとも半導体およびインダクタもしくはコ
ンデンサを実装する工程とを少なくとも含むことを特徴
とする部品内蔵モジュールの製造方法。
33. A step of processing a thermosetting resin composition obtained by mixing at least an uncured thermosetting resin and an inorganic filler into a sheet-like material; a step of mounting a capacitor or an inductor on a copper foil; A step of stacking the sheet-shaped material and a copper foil on the component mounting surface of the foil and burying the capacitor or the inductor in the sheet-shaped material to be embedded; and heating and pressing the sheet-shaped material to heat the sheet-shaped material. A step of curing a curable resin, a step of forming a through hole by positioning so as to penetrate the electrode of the capacitor or the inductor, a step of forming a through through hole by copper plating, and a step of processing the copper foil. And forming an external electrode and a wiring pattern by mounting the semiconductor pattern and at least a semiconductor and an inductor or a capacitor on the wiring pattern. A method of manufacturing a component built-in module, comprising at least a step.
【請求項34】 未硬化の熱硬化性樹脂と無機質フィラ
ーとを少なくとも混合した熱硬化性樹脂組成物をシート
状物に加工する工程と、離型キャリアの片面上に配線パ
ターンを形成する工程と、前記離型キャリアの配線パタ
ーン上にコンデンサもしくはインダクタを実装する工程
と、前記離型キャリア上の部品実装面に前記シート状物
と銅箔とを重ね合わせて前記コンデンサもしくは前記イ
ンダクタを前記シート状物に埋没させて内蔵する工程
と、さらに加熱・加圧することで前記シート状物の熱硬
化性樹脂を硬化させる工程と、前記コンデンサもしくは
前記インダクタの電極を貫通するように位置決めして貫
通穴を形成する工程と、銅メッキにより貫通スルーホー
ルを形成する工程と、前記銅箔を加工して外部電極およ
び配線パターンを形成する工程と、前記配線パターンに
少なくとも半導体およびインダクタもしくはコンデンサ
を実装する工程とを少なくとも含むことを特徴とする部
品内蔵モジュールの製造方法。
34. A step of processing a thermosetting resin composition obtained by mixing at least an uncured thermosetting resin and an inorganic filler into a sheet, and a step of forming a wiring pattern on one surface of a release carrier. A step of mounting a capacitor or an inductor on a wiring pattern of the release carrier, and a step of mounting the sheet-shaped object and a copper foil on a component mounting surface of the release carrier to form the capacitor or the inductor in the sheet shape. A step of burying it in an object and incorporating it, a step of curing the thermosetting resin of the sheet-like material by further heating and pressurizing, a positioning so as to penetrate the electrode of the capacitor or the inductor, and a through hole. Forming step, forming through-holes by copper plating, and processing the copper foil to form external electrodes and wiring patterns And a step of mounting at least a semiconductor and an inductor or a capacitor on the wiring pattern.
【請求項35】 未硬化の熱硬化性樹脂と無機質フィラ
ーとを少なくとも混合した熱硬化性樹脂組成物をシート
状物に加工する工程と、少なくとも2枚の前記シート状
物でコンデンサもしくはインダクタを挟み込んで内蔵さ
せる工程と、さらに銅箔で挟んで加熱・加圧することで
前記シート状物の熱硬化性樹脂を硬化させるとともに前
記銅箔を接着する工程と、前記コンデンサもしくは前記
インダクタの電極を貫通するように位置決めして貫通穴
を形成する工程と、銅メッキにより貫通スルーホールを
形成する工程と、前記銅箔を加工して外部電極および配
線パターンを形成する工程と、前記配線パターンに少な
くとも半導体およびインダクタもしくはコンデンサを実
装する工程とを少なくとも含むことを特徴とする部品内
蔵モジュールの製造方法。
35. A step of processing a thermosetting resin composition obtained by mixing at least an uncured thermosetting resin and an inorganic filler into a sheet-like material, and sandwiching a capacitor or an inductor with at least two of the sheet-like materials. And the step of hardening the thermosetting resin of the sheet-like material by further sandwiching and heating with copper foil and adhering the copper foil, and penetrating the electrode of the capacitor or the inductor. So as to form a through hole, a step of forming a through through hole by copper plating, a step of processing the copper foil to form an external electrode and a wiring pattern, and at least a semiconductor and a wiring pattern in the wiring pattern. Manufacture of a component built-in module including at least a step of mounting an inductor or a capacitor Method.
【請求項36】 少なくとも2枚の前記シート状物でコ
ンデンサもしくはインダクタを挟み込んで内蔵させる工
程の後で、銅箔で挟むことに加えてさらに前記シート状
物と前記銅箔を片面もしくは両面に重ね合わせて加熱・
加圧することで、前記シート状物の熱硬化性樹脂を硬化
させるとともに前記銅箔を接着させる工程に置き換えた
請求項35に記載の部品内蔵モジュールの製造方法。
36. After the step of sandwiching a capacitor or inductor between at least two sheet-shaped materials and incorporating them, in addition to sandwiching them with copper foil, the sheet-shaped material and the copper foil are further stacked on one side or both sides. Heating together
36. The method for manufacturing a component built-in module according to claim 35, wherein the step of curing the thermosetting resin of the sheet-like material and adhering the copper foil by pressing is replaced.
【請求項37】 前記コンデンサもしくは前記インダク
タの電極を貫通するように位置決めして貫通穴を形成す
る工程を、前記銅箔を加工して配線パターンを形成する
工程と、前記配線パターンに半導体を実装する工程と、
前記半導体の実装面にさらに前記シート状物と前記銅箔
とをこの順で重ね合わせて前記半導体を前記シート状物
に埋没させて内蔵する工程と、さらに加熱・加圧するこ
とで前記シート状物の熱硬化性樹脂を硬化させる工程
と、前記コンデンサもしくは前記インダクタの電極およ
び前記半導体に接続した前記配線パターンを貫通するよ
うに位置決めして貫通穴を形成する工程に置き換えた請
求項32〜36のいずれかに記載の部品内蔵モジュール
の製造方法。
37. A step of forming a through hole by positioning so as to penetrate an electrode of the capacitor or the inductor, a step of processing the copper foil to form a wiring pattern, and mounting a semiconductor on the wiring pattern. And the process of
A step of further stacking the sheet-shaped material and the copper foil on the mounting surface of the semiconductor in this order and burying the semiconductor in the sheet-shaped material, and further incorporating the semiconductor into the sheet-shaped material; 37. The method according to claim 32, wherein the step of curing the thermosetting resin is replaced with the step of forming a through hole by positioning so as to penetrate the electrode of the capacitor or the inductor and the wiring pattern connected to the semiconductor. A method of manufacturing a component built-in module according to any one of the above.
【請求項38】 前記コンデンサもしくは前記インダク
タの電極を貫通するように位置決めして貫通穴を形成す
る工程を、前記コンデンサもしくは前記インダクタが実
装された配線パターンを貫通するように位置決めして貫
通穴を形成する工程に置き換えた請求項32〜36のい
ずれかに記載の部品内蔵モジュールの製造方法。
38. The step of positioning to penetrate the electrode of the capacitor or the inductor to form the through hole, the positioning to penetrate the wiring pattern on which the capacitor or the inductor is mounted to form the through hole. The method for manufacturing a component built-in module according to any one of claims 32 to 36, which is replaced with a step of forming.
【請求項39】 前記未硬化の熱硬化性樹脂と無機質フ
ィラーとを少なくとも混合した熱硬化性樹脂組成物をシ
ート状物に加工する工程に、さらに前記シート状物の所
望の位置に貫通穴を形成する工程と、前記貫通穴に導電
性樹脂組成物を充填する工程を付け加えた請求項32〜
38のいずれかに記載の部品内蔵モジュールの製造方
法。
39. In the step of processing a thermosetting resin composition in which at least the uncured thermosetting resin and an inorganic filler are mixed into a sheet-like material, a through hole is formed at a desired position of the sheet-like material. 33. The step of forming and the step of filling the through hole with a conductive resin composition are added.
39. A method of manufacturing a component built-in module according to any one of 38.
【請求項40】 前記部品内蔵モジュールを、前記貫通
スルーホールの中心部分を通るように切断して、前記貫
通スルーホールを端面電極とする工程を含む請求項32
〜39に記載の部品内蔵モジュールの製造方法。
40. A step of cutting the component built-in module so as to pass through a central portion of the through-hole, and using the through-hole as an end face electrode.
39. A method of manufacturing a component built-in module according to any one of 39 to 39.
【請求項41】 前記半導体を実装する工程が、前記半
導体に金バンプを設け、前記配線パターンに導電性接着
剤で接続する方法、もしくは前記配線パターンに超音波
で接合させる方法である請求項32〜40のいずれかに
記載の部品内蔵モジュールの製造方法。
41. The step of mounting the semiconductor is a method of providing a gold bump on the semiconductor and connecting to the wiring pattern with a conductive adhesive, or a method of ultrasonically bonding to the wiring pattern. 40. A method of manufacturing a component built-in module according to any one of 40 to 40.
【請求項42】 未硬化の熱硬化性樹脂と無機質フィラ
ーとを少なくとも混合した熱硬化性樹脂組成物をシート
状物に加工する工程と、少なくとも1枚の前記シート状
物と銅箔とを重ね合わせて加熱・加圧することで一体化
する工程と、前記銅箔を加工して配線パターンを形成す
る工程と、前記配線パターン上にコンデンサもしくはイ
ンダクタを実装する工程と、前記配線パターン上の部品
実装面にさらに前記シート状物と前記銅箔とを重ね合わ
せて前記コンデンサもしくは前記インダクタを前記シー
ト状物に埋没させて内蔵する工程と、さらに加熱・加圧
することで前記シート状物の熱硬化性樹脂を硬化させる
工程と、前記コンデンサもしくは前記インダクタの電極
を貫通するように位置決めして貫通穴を形成する工程
と、銅メッキにより貫通スルーホールを形成する工程
と、前記銅箔を加工して外部電極を形成する工程とを少
なくとも含むことを特徴とするパッケージ部品の製造方
法。
42. A step of processing a thermosetting resin composition obtained by mixing at least an uncured thermosetting resin and an inorganic filler into a sheet, and at least one sheet and the copper foil are superposed. A step of integrating by heating and pressurizing together, a step of processing the copper foil to form a wiring pattern, a step of mounting a capacitor or an inductor on the wiring pattern, and a component mounting on the wiring pattern A step of further stacking the sheet-shaped material and the copper foil on a surface and burying the capacitor or the inductor in the sheet-shaped material to be embedded therein; and further thermosetting the sheet-shaped material by heating and pressing. The step of hardening the resin, the step of forming a through hole by positioning so as to penetrate the electrode of the capacitor or the inductor, and the step of copper plating A method of manufacturing a package component, comprising at least a step of forming a through hole and a step of processing the copper foil to form an external electrode.
【請求項43】 未硬化の熱硬化性樹脂と無機質フィラ
ーとを少なくとも混合した熱硬化性樹脂組成物をシート
状物に加工する工程と、少なくとも2枚の前記シート状
物でコンデンサもしくはインダクタを挟み込んで内蔵さ
せる工程と、さらに銅箔で挟んで加熱・加圧することで
前記シート状物の熱硬化性樹脂を硬化させるとともに前
記銅箔を接着する工程と、前記コンデンサもしくは前記
インダクタの電極を貫通するように位置決めして貫通穴
を形成する工程と、銅メッキにより貫通スルーホールを
形成する工程と、前記銅箔を加工して外部電極を形成す
る工程とを少なくとも含むことを特徴とするパッケージ
部品の製造方法。
43. A step of processing a thermosetting resin composition obtained by mixing at least an uncured thermosetting resin and an inorganic filler into a sheet-like material, and sandwiching a capacitor or an inductor with at least two of the sheet-like materials. And the step of hardening the thermosetting resin of the sheet-like material by further sandwiching and heating with copper foil and adhering the copper foil, and penetrating the electrode of the capacitor or the inductor. So as to form a through hole by positioning as described above, a step of forming a through through hole by copper plating, and a step of processing the copper foil to form an external electrode. Production method.
【請求項44】 前記パッケージ部品を、前記貫通スル
ーホールの中心部分を通るように切断して、前記貫通ス
ルーホールを端面電極とする工程を含む請求項42また
は43に記載のパッケージ部品の製造方法。
44. The method of manufacturing a package component according to claim 42 or 43, including the step of cutting the package component so as to pass through a central portion of the through-hole, and using the through-hole as an end face electrode. .
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