JP2003142564A

JP2003142564A - 支持装置

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Publication number: JP2003142564A
Application number: JP2001342961A
Authority: JP
Inventors: Yoshinobu Goto; 義信後藤
Original assignee: NGK Insulators Ltd
Current assignee: NGK Insulators Ltd
Priority date: 2001-11-08
Filing date: 2001-11-08
Publication date: 2003-05-16
Anticipated expiration: 2021-11-08
Also published as: JP4386606B2

Abstract

(57)【要約】【課題】設置面と背面とを備えるセラミックス製のサセ
プター、およびサセプターを支持するセラミックス製の
支持部材を備えている支持装置において、高い気密性を
もって容易に空隙部を形成可能な装置を提供する。【解決手段】支持装置１Ａは、支持部材５Ａとサセプタ
ー４Ａとを備えている。支持部材５Ａは、中空の本体部
分６と、本体部分６の端部に設けられた平板状部１１Ａ
とを備えている。平板状部１１Ａとサセプター４Ａとが
接合されている。空隙部９Ａは、平板状部１１Ａとサセ
プター４Ａとの間に両者の界面に沿って設けることがで
き、あるいは平板状部１１Ａ内に設けることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、支持装置に関する
ものである。

【０００２】

【従来の技術】特開平１１−１７１６５９号公報には、
窒化アルミニウム質セラミックスからなるセラミックス
ヒーターを、略円筒形状の支持部材に対して接合する方
法が開示されている。この技術について、図１１を参照
しつつ説明する。セラミックスヒーター４は、セラミッ
クス基体２と、基体２内に埋設された抵抗発熱体３とを
備えている。支持部材２０Ａは略円筒形状をしている。
この支持部材２０Ａの端面を基体２の背面２ｂに接合す
る。この際、ポリアルキルイミノアランの重合体のゲル
を、基体２の背面２ｂと支持部材２０Ａの端面との間に
塗布し、１６００℃程度で熱処理し、基体２の背面２ｂ
と支持部材２０Ａの端面との間に窒化アルミニウムの接
合層を生成させる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかし、サセプターの
設計を検討する過程において、次の要望が生じてきてお
り、前述した従来技術のサセプターでは、新たな要望に
答えることが困難であった。即ち、本発明者は、セラミ
ックスヒーターの内部に冷却媒体を流すための通路を形
成することを試みていた。しかし、セラミックスのバル
クの内部に、抵抗発熱体を埋設した後に、細長い通路を
加工によって形成することは不可能である。このため、
本発明者は、グリーンシート積層法によってセラミック
スサセプターの内部に通路を形成することを試みた。グ
リーンシート積層法によって、所定深さの通路をサセプ
ター内部に形成するためには、グリーンンシートに所定
深さの溝を予め形成し、この後に複数のグリーンシート
を積層し、一体焼結させる必要がある。しかし、こうし
た方法では、グリーンシートの焼結段階で溝の近辺でシ
ートの変形が生じ、所定深さの溝を正確に形成すること
はできない。特に、複数のグリーンシートの接合界面に
おいて、焼結後の接合界面における気体漏れが発生し易
く、気密性を維持することが困難であった。このよう
に、セラミック基体２の内部に、高い気密性をもって気
体や液体の流路を形成することは困難であり、かつ高コ
ストである。

【０００４】本発明の課題は、設置面と背面とを備える
セラミックス製のサセプター、およびサセプターを支持
するセラミックス製の支持部材を備えている支持装置に
おいて、高い気密性をもって容易に空隙部を形成可能な
装置を提供することである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明は、設置面と背面
とを備えるセラミックス製のサセプター、およびサセプ
ターを支持するセラミックス製の支持部材を備えている
支持装置であって、支持部材が、内側空間の設けられた
本体部分と、この本体部分の端部に設けられた平板状部
とを備えており、平板状部とサセプターとが接合されて
いることを特徴とする。

【０００６】本発明者は、中空の本体部分と、この本体
部分の端部に設けられた平板状部とを備えるセラミック
ス製の一体の支持部材を準備し、この支持部材の平板状
部とサセプターとを接合することを想到した。これによ
って、サセプターと平板状部との界面に沿って、あるい
は支持部材の平板状部の内部に空隙部を比較的容易に形
成することができ、空隙部の気密性を高く維持できる。

【０００７】

【発明の実施の形態】以下、適宜図面を参照しつつ、本
発明を更に詳細に説明する。図１は、本発明の一実施形
態に係る支持装置１Ａを示す断面図であり、図２は、図
１の装置をＩＩ−ＩＩ線に沿って矢視方向に見た図であ
り、図３は、図１の装置をＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿って矢
視方向に見た図である。ＩＩ−ＩＩ線、ＩＩＩ−ＩＩＩ
線は、いずれも接合面に沿って切っている。

【０００８】本実施形態の装置１Ａは、サセプター４Ａ
と支持部材５Ａとを備えている。サセプター４Ａは、円
板形状のセラミック基体２と、基体２の内部に埋設され
た機能部材３と、機能部材３に接続された端子１４とを
備えている。基体２の上面２ａは、物品（例えば本例で
は半導体）を設置するための設置面である。ただし、半
導体と設置面２ａとの間に別部材を挟むことは可能であ
る。設置面２ａと背面２ｂとの間には、所定箇所に貫通
孔１０が形成されている。

【０００９】支持部材５Ａは、円板形状の平板状部１１
Ａと、細長い中空の本体部分６とを備えている。本体部
分６の内側空間８には電力供給部材１３が挿入されてお
り、部材１３の末端が端子１４に接続されている。平板
状部１１Ａには、図２に示すように、リング状の外周側
突起１１ｂと、リング状の内周側突起１１ｃとが形成さ
れている。突起１１ｂと１１ｃとの間には凹部９Ａが形
成されている。突起１１ｂおよび１１ｃは、図１に示す
ように背面２ｂに対して接合されており、それぞれリン
グ状の接合面１２Ａ、１２Ｂを形成している。９Ａは、
平板状部１１Ａと背面２ｂとの界面に沿って空隙部を形
成する。

【００１０】本例では、支持部材５Ａの本体部分６およ
び平板状部１１Ａを貫通する連通孔７が設けられてい
る。連通孔７の一端７ａは、本体部分６の末端面６ａに
対して開口している。連通孔７の他端は空隙部９Ａに連
通している。そして、上述の基体２側の貫通孔１０は、
それぞれ空隙部９Ａに連通している。なお、図３におい
ては、接合面１２Ａ、１２Ｂの位置を点線で示した。

【００１１】このような空隙部９Ａは、例えば平板状部
や背面に凹部を形成し、次いで平板状部と基体２とを接
合することによって、容易に形成できる。しかも、平板
状部５Ａと本体部分６とはセラミックスからなる一体の
部材であるので、気密性が保持されている。そして、空
隙部を平面的に見て包囲している接合面１２Ａや１２Ｂ
の形状や寸法、および接合方法を選択することによっ
て、空隙部に対して容易に所望の度合いの気密性を確保
することができる。

【００１２】基体２や支持部材を構成するセラミックス
の種類は特に限定されないが、窒化アルミニウム、窒化
珪素、炭化珪素、アルミナが特に好適である。

【００１３】好適な実施形態においては、サセプターと
平板状部との間に空隙部を形成する。この場合には、サ
セプターの背面側、あるいは平板状部の表面側に、凹部
を形成することによって、前記した空隙部を容易に形成
できる。

【００１４】この場合、サセプターの背面に凹部を形成
することができる。あるいは、支持部材の平板状部に凹
部を形成することができる。支持部材側は、通常は常圧
焼結法によって製造できるので、焼結前に凹部を成形す
ることができる。従って、空隙部の形成を一層低コスト
で容易に実施できる。更に、平板状部とサセプターの背
面との双方に凹部を形成することもできる。

【００１５】好適な実施形態においては、上述のよう
に、サセプターと平板状部との界面に沿って、両者の間
に空隙部を形成する。しかし、場合によっては、支持部
材の平板状部の中に空隙部を形成することも可能であ
る。支持部材の中に空隙部を形成することは、サセプタ
ーの内部に空隙部を形成する場合よりも容易である。

【００１６】図４は、本発明の他の実施形態に係る支持
装置１Ｂを示す断面図であり、図５は、図４の装置をＶ
−Ｖ線に沿って矢視方向に見た図であり、図６は、図４
の装置をＶＩ−ＶＩ線に沿って矢視方向に見た図であ
る。この実施形態では、支持部材の平板状部側には凹部
を設けず、基体２の背面２ｂ側に凹部を設ける。

【００１７】本実施形態の装置１Ｂは、サセプター４Ｂ
と支持部材５Ｂとを備えている。サセプター４Ｂは、円
板形状のセラミック基体２Ａと、基体２Ａの内部に埋設
された機能部材３と、機能部材３に接続された端子１４
とを備えている。設置面２ａと背面２ｂとの間には、所
定箇所に貫通孔１０が形成されている。

【００１８】支持部材５Ｂは、円板形状の平板状部１１
Ｂと、細長い中空の本体部分６とを備えている。本体部
分６の内側の空間８には電力供給部材１３が挿入されて
おり、部材１３の末端が端子１４に接続されている。平
板状部１１Ｂの上面２０は略平坦面である。

【００１９】図６に示すように、リング状の外周側突起
２ｃと、内周側の円盤状突起２ｄとが形成されている。
突起２ｃと２ｄとの間には凹部９Ｂが形成されている。
突起２ｃおよび２ｄは、図４に示すように平板状部１１
Ｂの上面２０に対して接合されており、それぞれリング
状の接合面１２Ａ、１２Ｂを形成している。空隙部９Ｂ
は、平板状部１１Ｂと背面２ｂとの界面に沿って形成さ
れている。

【００２０】本例では、支持部材５Ｂの本体部分６およ
び平板状部１１Ｂを貫通する連通孔７が設けられてい
る。連通孔７の端部は空隙部９Ｂに連通しており、基体
２側の貫通孔１０もそれぞれ空隙部９Ｂに連通してい
る。なお、図５、図６においては、接合面１２Ａ、１２
Ｂの位置を一部点線で示した。

【００２１】本発明においては、支持部材の製法は特に
限定されない。例えば、支持部材を、ゲルキャスト法、
コールドアイソスタティックプレス法、イソシアネート
法または型プレス法など、任意の方法によって成形し、
次いで焼成することができる。

【００２２】好適な実施形態においては、支持部材をゲ
ルキャスト法によって成形する。これによって、平板状
部と細長い中空の本体部分とを含む一体のセラミックス
製の支持部材を比較的に容易に成形することができる。
特に、平板状部の前記凹部を容易に成形することができ
る。その上、得られた成形体を常圧焼成させた後に、焼
結体の形状や寸法が、成形体の形状や寸法に比べて大き
く変化しない。

【００２３】ゲルキャスト法を採用した場合には、セラ
ミック粉末とゲル生成物質の粉末とを溶剤に分散してス
ラリーとし、このスラリーをキャスト成形して成形体を
得る。このゲル生成物質としては、ゼチラン、デンプ
ン、カラギーナン、寒天、ペクチン、グルカンを例示で
きる。

【００２４】好適な実施形態においては、前記空隙部を
ガス流路として機能させる。図１の例では、連通孔７、
空隙部９Ａ、貫通孔１０をガス流路として機能させる。
こうしたガスとしては、バックサイドガスやパージガス
を例示できる。ここで、好適な実施形態においては、サ
セプターの側面側からパージガスを噴出させることによ
って、腐食性ガスや成膜ガス、クリーニングガスなどが
サセプターの背面側に回り込むことを有効に防止でき
る。

【００２５】また、空隙部を、冷却用の媒体（窒素ガ
ス、アルゴンガスなどの不活性ガスや、水やオイルなど
の流体）を流すための通路として利用できる。

【００２６】また、好適な実施形態においては、空隙部
を、設置面側から気体を吸引するための気体吸引路とし
て機能させる。この場合には、サセプターが、設置面上
の半導体を吸引して固定する真空ウエハーとして機能す
る。

【００２７】好適な実施形態においては、図１に示すよ
うに、支持部材に、空隙部と連通する連通孔７を形成す
る。この場合には、支持部材の内側空間８に対して、連
通孔や空隙部を隔離することができる。

【００２８】本発明のサセプターには、抵抗発熱体や静
電チャック電極を埋設することができる。また、サセプ
ターに、高周波を発生させるための電極を埋設すること
ができる。更には、サセプター内部に、抵抗発熱体と静
電チャック電極との双方を埋設でき、あるいはサセプタ
ー内部に、静電チャック電極と、高周波を発生させるた
めの電極との双方を埋設でき、あるいはサセプター内部
に、抵抗発熱体と、高周波を発生させるための電極との
双方を埋設できる。

【００２９】本発明の支持部材によって支持されるべき
物品は限定はされないが、半導体（特に半導体ウエハ
ー）や、アルミニウムウエハー、鉄ウエハーなどの金属
ウエハーを例示できる。

【００３０】好適な実施形態においては、サセプターを
構成するセラミックスの熱伝導率が、支持部材を構成す
るセラミックスの熱伝導率よりも高い。このように、サ
セプターを構成するセラミックスの熱伝導率を高くする
ことによって、サセプターにおいて横方向への熱伝導が
促進され、設置面２ａの温度の均一性に寄与する。これ
と共に、支持部材を構成するセラミックスの熱伝導率を
低くすることによって、サセプターの背面から支持部材
を通る熱伝導を抑制することができ、これによって設置
面の一部にコールドスポットが生ずる傾向を抑制でき
る。これによって、設置面について所望の温度の均一性
を確保することが容易になる。

【００３１】この観点からは、サセプターを構成するセ
ラミックスの熱伝導率は、１０Ｗ／ｍＫ以上とするこ
とが好ましく、５０Ｗ／ｍＫ以上とすることが更に好ま
しい。このようなセラミックスとしては以下を例示でき
る。Ｙ添加系窒化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ
素

【００３２】また、支持部材を構成するセラミックスの
熱伝導率は、２００Ｗ／ｍＫ以下とすることが好まし
く、１００Ｗ／ｍＫ以下とすることが一層好ましい。こ
のようなセラミックスとしては以下を例示できる。高純
度窒化アルミ、アルミナ、窒化ケイ素、ＹＡＧ、Ｙ２Ｏ
３

【００３３】また、サセプターを構成するセラミックス
の熱伝導率は、支持部材を構成するセラミックスの熱伝
導率以上であることが好ましく、その差は５０Ｗ／ｍＫ
以上とすることが一層好ましい。

【００３４】好適な実施形態においては、サセプターと
支持部材との接合面の外径が、本体部分の外径の１．３
倍以上である。例えば、図１を参照すると、サセプター
と支持部材との接合面１２Ａの外径Ｌが、本体部分６の
外径Ｍの１．３倍以上である。このような形態とするこ
とによって、空隙部の設置余地が大きくなり、本発明の
作用効果を達成する上で一層有益である。この観点から
は、サセプターと支持部材との接合面の外径を、本体部
分の外径の２倍以上とすることが更に好ましい。

【００３５】好適な実施形態においては、サセプターを
加圧焼結法によって製造する。これによって、サセプタ
ーの内部に機能部材３を埋設しつつ、基体２の相対密度
を非常に高くすることが可能である。ただし、この場合
には、基体２の内部に空隙部を形成することが一層困難
になる。従って、平板状部側、あるいは平板状部とサセ
プターとの間に空隙部を形成できる本発明が、一層有効
となる。

【００３６】サセプターと支持部材の平板状部との接合
方法は限定されず、固相接合、ろう付け、ねじ止めなど
の機械的締結、樹脂による接着であってよい。樹脂によ
る接合は、サセプターの使用温度が２００℃以下である
場合に特に好適である。この樹脂としては、ポリイミド
樹脂やシリコーン樹脂を例示できる。固液接合法は、特
開平１０−２７３３７０号公報に記載された方法であ
る。

【００３７】好適な実施形態においては、サセプターと
支持部材とが固相接合されている。固相接合法において
は、サセプターを構成するセラミックスと、支持部材を
構成するセラミックスとの少なくとも一方に対して有効
な焼結助剤を含有する溶液を接合面に塗布し、接合面に
対して略垂直方向へと向かって圧力を加えながら、焼結
温度よりも若干低い程度の温度で熱処理する。特に好ま
しくは、以下のようにして固相接合を行う。

【００３８】（１）アルミニウム−窒素結合を有する窒
化アルミニウムの前駆体化合物を、支持部材の平板状部
とサセプター背面との間に介在させた状態で熱分解させ
ることによって、両者を接合する。この場合において好
ましくは、平板状部およびサセプターが、窒化アルミニ
ウム質セラミックスからなる。

【００３９】この前駆体化合物としては、アルミニウム
−窒素結合を有する有機金属化合物または無機化合物を
使用できる。これには、Ｒ_３Ａｌとアンモニアやエチレ
ンジアミンの付加物（Ｒはメチル基、エチル基、プロピ
ル基、ブチル基）、ＡｌＨ_３とＮＨ_３との縮合生成物、
ポリアルキルイミノアラン［（ＨＡｌＮＲ）ｎ］を使用
できる。ポリアルキルイミノアランは、アルキルイミノ
アラン（ＨＡｌＮＲ）の重合体であり、いわゆるカゴ型
構造を有するもので、Ｒはアルキル基である。これを製
造するには、アルミニウムの水素化物を、アミンやアミ
ン塩酸塩と反応させる。Ｒがエチル基の場合には８量体
［（ＨＡｌＮＲ）８：Ｒはエチル基］が主として生成
し、イソプロピル基の場合には６量体［（ＨＡｌＮＲ）
６：Ｒはイソプロピル基］が主として生成する。Ｒがメ
チル基であると、不溶性の高分子が生成しやすい。

【００４０】アルミニウム−窒素結合を有する化合物の
熱分解温度は、好ましくは１６００℃以下である。接合
時の雰囲気は、アルゴン等の不活性ガスやアンモニア−
窒素等の還元性雰囲気が好ましく、熱分解時にアルミニ
ウム−窒素結合を有する化合物から発生する炭素を除去
するためには、アンモニア−不活性ガスの雰囲気が好ま
しい。

【００４１】接合時には、各接合面に対して略垂直の方
向に向かって加圧することが、接合強度を一層向上させ
る上で好ましい。加圧の効果は、実質的には０．１ｋｇ
／ｃｍ²の圧力で現れる。上限は５００ｋｇ／ｃｍ²で
ある。

【００４２】なお、アルミニウム−窒素結合を有する化
合物に加えて、珪素−窒素結合を有する化合物をも使用
できる。

【００４３】（２）平板状部とサセプター背面との間
に、サセプターを構成するセラミックスと支持部材を構
成するセラミックスとの少なくとも一方に対して有効な
焼結助剤を含む溶液を介在させ、次いで熱処理を行う。
例えば、セラミックスが窒化アルミニウムまたは窒化珪
素からなる場合には、イットリウム化合物、イッテルビ
ウム化合物およびアルカリ土類元素の化合物からなる群
より選ばれた一種以上の接合助剤が好ましく、イットリ
ウム化合物が特に好ましい。

【００４４】焼結助剤は、例えば塩化物、硫酸塩、リン
酸塩、硝酸塩、炭酸塩が濡れやすく、ハンドリング性が
良い。例えば塩化イットリウム、塩化イットリウム水和
物、硫酸イットリウム、酢酸イットリウムの水溶液や、
塩化イットリウム、塩化イットリウム水和物、酢酸イッ
トリウムの水溶液を使用することが好ましい。

【００４５】接合時の加熱方法としては、常圧での熱処
理、ホットプレス法、プラズマ活性化焼結、レーザーに
よる局部加熱法等がある。

【００４６】本発明においては、サセプター以外の他の
部材を、支持部材の平板状部に対して接合することがで
きる。この接合方法は限定されず、前述した接合方法を
利用可能である。また、サセプターを平板状部に対して
接合するのと同じ接合工程で、他の部材も平板状部に接
合することが好ましい。

【００４７】他の部材は特に限定されないが、好ましく
は、サセプターの側面の外側に設置する部材であり、特
に好ましくは環状部材である。この場合には、サセプタ
ーの側面と環状部材との間に気体通路を形成することが
できる。

【００４８】図７は、この実施形態に係る支持装置１Ｃ
を概略的に示す断面図であり、図８は、図７において矢
視方向に見た図である。本例においては、支持部材５Ｂ
の平板状部１１Ｂに対して、サセプター４Ｃの背面２ｂ
が接合されている。そして、サセプター４Ｃの外側に、
円環形状の部材２２が、サセプター４Ｃを包囲するよう
に設置されている。サセプター４Ｃと円環状部材２２と
の間には、円形の気体通路２１が形成されている。連通
孔７が空隙部２３の一端に連通しており、連通孔２３の
他端が気体通路２１に連通している。この気体通路は、
前述したように、パージガスなどの各種のガスの通路と
して利用できる。１２、２７は各接合面である。

【００４９】なお、本発明においては、支持装置内に、
バックサイドガスやパージガスを流すための気体通路
と、設置面側から気体を吸引するための気体吸引路との
双方を設けることができる。図９は、この実施形態に係
る支持装置１Ｄを概略的に示す断面図であり、図１０
は、図９の装置をＸ−Ｘ線に沿って矢視方向に見た図で
ある。

【００５０】本装置１Ｄにおいては、サセプター４Ｄに
空隙部２３と気体通路２５とが形成されている。空隙部
２３の一方の端部は連通孔７に連通しており、空隙部２
３の他方の端部は気体通路２５に連通している。これら
は、パージガスなどのガスの流通路として作用する。ま
た、サセプター４Ｄには貫通孔２４が形成されており、
この貫通孔２４が、支持部材６の連通孔７Ａに連通して
いる。貫通孔２４および連通孔７Ａから気体を吸引す
る。これによって、サセプターが、設置面上の半導体を
吸引して固定する真空ウエハーとして機能する。

【００５１】

【実施例】図１〜図３を参照しつつ説明した前記方法に
従って、支持装置１Ａを製造した。ただし、基体２は相
対密度９９．９％の窒化アルミニウム焼結体によって形
成した。この窒化アルミニウム焼結体の焼結温度は１８
００−２０００℃であり、焼結助剤として５ｍｏｌ％の
イットリウムを含有している。

【００５２】支持部材５Ａは、寒天を使用したゲルキャ
スト法によって成形し、１８００℃で焼成した。Ｍは８
０ｍｍであり、Ｌは３５０ｍｍであり、本体部分６の長
さは１５０ｍｍである。

【００５３】次いで、支持部材５Ａの平板状部１１Ａと
基体２の背面２ｂとを、それぞれ研磨加工した。各接合
面の間に、８量体［（ＨＡｌＮＣ２ｆＨ５）８］のゲル
を介在させ、アルゴン雰囲気内で、１６００℃で２時間
熱処理し、接合体を得た。空隙部９Ａの外径は３００ｍ
ｍであり、内径は６０ｍｍであり、深さは２ｍｍ
である。

【００５４】得られた接合体を切り出し、接合界面を光
学顕微鏡（１０００倍）で観察したところ、剥離、変
形、クラックは見られなかった。

【００５５】また、接合体の超音波探傷試験を行った。
即ち、接合体の寸法２０ｍｍ×４０ｍｍ×２０ｍｍ、プ
ローブ周波数２５ＭＨｚ、プローブ径０．２５秒、焦点
距離４秒の条件下において、接合面に対して実施した。
この結果、接合面に剥離は見られなかった。

【００５６】また、アルバック社製のヘリウムリークデ
ィテクターを使用して、リーク量を測定した。この結
果、ヘリームリーク量は１０^−８ｓｃｃｍ未満であっ
た。

【００５７】

【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、設
置面と背面とを備えるセラミックス製のサセプター、お
よびサセプターを支持するセラミックス製の支持部材を
備えている支持装置において、高い気密性をもって容易
に空隙部を形成可能な装置を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、本発明の一実施形態に係る支持装置１
Ａを示す断面図である。

【図２】図１の装置をＩＩ−ＩＩ線に沿って矢印の方向
に見た図である。

【図３】図１の装置をＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿って矢印の
方向に見た図である。

【図４】本発明の他の実施形態に係る支持装置１Ｂを示
す断面図である。

【図５】図４の装置をＶ−Ｖ線に沿って矢印の方向に見
た図である。

【図６】図４の装置をＶＩ−ＶＩ線に沿って矢印の方向
に見た図である。

【図７】本発明の他の実施形態に係る支持装置１Ｃを概
略的に示す断面図である。

【図８】図７の装置をＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に沿って矢
視方向に見た図である。

【図９】本発明の更に他の実施形態に係る支持装置１Ｄ
を概略的に示す断面図である。

【図１０】図９の装置をＸ−Ｘ線に沿って矢視方向に見
た図である。

【図１１】従来の支持装置を示す断面図である。

【符号の説明】

１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ支持装置２、２Ａ
基体２ａ設置面２ｂ背面２ｃ外周側
のリング状突起２ｄ内周側の円形突起３機能部材４
Ａ、４Ｂ、４Ｃ、４Ｄサセプター５Ａ、５Ｂ
支持部材６支持部材の本体部分７、７Ａ連通孔８本体部分６内の空間
９Ａ９Ｂ、２３空隙部１０基体内の
貫通孔１１Ａ、１１Ｂ平板状部１２
Ａ、１２Ｂ接合面１３電力供給部材
１４端子Ｌ接合面の外径Ｍ支持
部材の本体部分６の外径

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】設置面と背面とを備えるセラミックス製の
サセプター、および前記サセプターを支持するセラミッ
クス製の支持部材を備えている支持装置であって、前記支持部材が、内側空間の設けられた本体部分と、こ
の本体部分の端部に設けられた平板状部とを備えてお
り、前記平板状部と前記サセプターとが接合されている
ことを特徴とする、支持装置。
【請求項２】前記サセプターと前記平板状部との間に空
隙部が形成されていることを特徴とする、請求項１記載
の装置。
【請求項３】前記平板状部側に前記空隙部が形成されて
いることを特徴とする、請求項１または２記載の装置。
【請求項４】前記サセプターの前記背面側に前記空隙部
が形成されていることを特徴とする、請求項１〜３のい
ずれか一つの請求項に記載の装置。
【請求項５】前記空隙部がガス流路として機能すること
を特徴とする、請求項２〜４のいずれか一つの請求項に
記載の装置。
【請求項６】前記空隙部が、前記設置面側から気体を吸
引するための気体吸引路として機能することを特徴とす
る、請求項２〜４のいずれか一つの請求項に記載の装
置。
【請求項７】前記支持部材に、前記空隙部と連通する連
通孔が形成されていることを特徴とする、請求項２〜６
のいずれか一つの請求項に記載の装置。
【請求項８】前記サセプター内に抵抗発熱体が埋設され
ていることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか一つ
の請求項に記載の装置。
【請求項９】前記サセプター内に静電チャック電極が埋
設されていることを特徴とする、請求項１〜８のいずれ
か一つの請求項に記載の装置。
【請求項１０】前記サセプター内に高周波発生用電極が
埋設されていることを特徴とする、請求項１〜９のいず
れか一つの請求項に記載の装置。
【請求項１１】前記サセプターを構成するセラミックス
の熱伝導率が、前記支持部材を構成するセラミックスの
熱伝導率よりも高いことを特徴とする、請求項１〜１０
のいずれか一つの請求項に記載の装置。
【請求項１２】前記サセプターと前記支持部材とが固相
接合、固液接合、ろう付け、樹脂接着、または機械的接
合されていることを特徴とする、請求項１〜１１のいず
れか一つの請求項に記載の装置。
【請求項１３】前記サセプターと前記支持部材との接合
面の外径が、前記本体部分の外径の１．３倍以上である
ことを特徴とする、請求項１〜１２のいずれか一つの請
求項に記載の装置。
【請求項１４】前記支持部材が、ゲルキャスト法、コー
ルドアイソスタティックプレス法、イソシアネート法ま
たは型プレス法によって成形されていることを特徴とす
る、請求項１〜１３のいずれか一つの請求項に記載の装
置。
【請求項１５】前記平板状部に対して接合されている前
記サセプター以外の他の部材を備えていることを特徴と
する、請求項１〜１４のいずれか一つの請求項に記載の
装置。