JP7391294B2 - ヒータ - Google Patents
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Description
円板状の形状を有する基体と、
前記基体の内部に配置された高周波電極と、
前記基体の内部に配置された発熱体と、
筒状の形状を有する支持体と、を備え、
前記基体は、
加熱対象が載置される第一面と、
前記支持体の第一端部が取り付けられた第二面と、
前記第一面及び前記第二面につながる流路と、を備え、
前記流路は、
前記第一面側に設けられた吸気口を有する第一流路と、
前記第二面側における前記支持体の内側の領域に設けられた排気口を有する第二流路と、
前記第一流路と前記第二流路とをつなぐ第三流路と、を備え、
前記高周波電極、前記発熱体、及び前記第三流路の各々は、前記第一面に平行な面内に配置されており、
前記発熱体及び前記第三流路は、前記高周波電極よりも前記第二面側に配置されている。
加熱対象を全面にわたって均一に加熱することが望まれる。プラズマ処理による加熱対象への成膜のばらつきを抑制することが望まれる。特許文献1の技術では、加熱対象を均一に加熱すると共に、加熱対象に均一に成膜を施すという点で改善の余地がある。
本開示のヒータは、加熱対象を全面にわたって均一に加熱でき、かつ加熱対象への成膜のばらつきを抑制できる。
最初に本開示の実施態様を列記して説明する。
円板状の形状を有する基体と、
前記基体の内部に配置された高周波電極と、
前記基体の内部に配置された発熱体と、
筒状の形状を有する支持体と、を備え、
前記基体は、
加熱対象が載置される第一面と、
前記支持体の第一端部が取り付けられた第二面と、
前記第一面及び前記第二面につながる流路と、を備え、
前記流路は、
前記第一面側に設けられた吸気口を有する第一流路と、
前記第二面側における前記支持体の内側の領域に設けられた排気口を有する第二流路と、
前記第一流路と前記第二流路とをつなぐ第三流路と、を備え、
前記高周波電極、前記発熱体、及び前記第三流路の各々は、前記第一面に平行な面内に配置されており、
前記発熱体及び前記第三流路は、前記高周波電極よりも前記第二面側に配置されている。
本開示のヒータの実施形態を、図面を参照して説明する。図中の同一符号は、同一名称物を示す。なお、本発明はこれらの例示に限定されるものではなく、請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
図1から図3を参照して、実施形態のヒータ1を説明する。ヒータ1は、プラズマ処理によって加熱対象10の表面に薄膜を形成する成膜装置に利用される。ヒータ1は、図1に示すように、雰囲気ガスの制御ができるチャンバー8内に配置されている。チャンバー8内において、ヒータ1に向かい合う上面には、シャワーヘッド81が配置されている。プラズマ処理で用いられる反応ガスは、シャワーヘッド81からヒータ1に向かって噴射される。シャワーヘッド81には、図示しない高周波発信器が接続されている。シャワーヘッド81は、高周波電極を兼ねている。
図1から図3を参照して、実施形態1のヒータ1を説明する。実施形態1のヒータ1は、図1及び図2に示すように、基体2と、高周波電極3と、発熱体4と、支持体7と、を備える。実施形態1のヒータ1では、基体2の内部に第一面21側から第二面22側に向かって順に、高周波電極3、流路5の一部である第三流路53、及び発熱体4が配置されている。
基体2は、図3に示すように、円板状の形状を有する。基体2は、図2に示すように、第一面21と第二面22とを備える。第一面21と第二面22とは、互いに向かい合っている。第一面21には、加熱対象10が載置される。加熱対象10は、例えばシリコンや化合物半導体のウエハである。第二面22には、後述する支持体7の第一端部71が取り付けられている。第二面22側における支持体7の内側の領域には、後述する高周波電極3及び発熱体4の各々に接続された図示しない端子が嵌め込まれた複数の穴が設けられている。上記端子は第二面22から突出している。説明の便宜上、端子、及び端子が嵌め込まれた複数の穴は図示していない。
高周波電極3は、図1に示すシャワーヘッド81との間でプラズマを発生させる電極である。高周波電極3は接地されている。または、高周波電極3は、シャワーヘッド81に接続された高周波発信器とは別の高周波発信器に接続されている。高周波電極3は、図示しない電力線につながっている。電力線には接地線が含まれる。電力線は、後述する支持体7の内側に配置されている。図示しない高周波発信器からの高周波電力がシャワーヘッド81と高周波電極3との間に与えられる。シャワーヘッド81から噴射された反応ガスが高周波エネルギーによってイオン化してプラズマ状態を発生する。反応ガスのプラズマ状態によって第一面21に載置された加熱対象10で化学反応が生じ、反応ガスに応じて加熱対象10に薄膜が形成される。
発熱体4は、第一面21に載置された加熱対象10を加熱する熱源である。発熱体4は、基体2を介して上記加熱対象10を加熱する。発熱体4は、図示しない端子及び電力線につながっている。電力線は、後述する支持体7の内側に配置されている。発熱体4には、電力線を介して図示しない電源から電力が供給される。
流路5は、基体2の内部に設けられた空間である。流路5は、図2に示すように、第一面21及び第二面22につながるように設けられている。流路5は、第一流路51、第二流路52、及び第三流路53を備える。図2では、第三流路53を包括する外形が二点鎖線で示されている。図3は、図2に示す第三流路53を第一面21に平行な面で切断した断面図である。図3では、第一面21側に設けられた吸気口510が実線で示されている。図3では、第二面22側に設けられた排気口520が仮想的に破線で示されている。
第一流路51は、図2に示すように、第一面21側に設けられた吸気口510を備える。本例の吸気口510は、第一面21に設けられている。基体2に図示しないウエハポケットが設けられている場合、ウエハポケットの底面が第一面21であり、その第一面21に吸気口510が設けられている。第一面21に図示しない溝が設けられている場合、溝の底面に複数の吸気口510が設けられていてもよい。
第二流路52は、図2に示すように、第二面22における支持体7の内側の領域に設けられた排気口520を備える。本例の排気口520は、第二面22に設けられている。第二面22に支持体7の取付面から局所的に突出した凸部、又は局所的に窪んだ凹部が設けられている場合、凸部の端面又は凹部の底面に排気口520が設けられていてもよい。排気口520には、吸引管9が接続されている。吸引管9には、図示しない真空ポンプが接続されている。真空ポンプの吸引により、吸引管9を介して流路5内は減圧される。吸引管9は、後述する支持体7の内側に配置されている。
第三流路53は、図2に示すように、第一流路51と第二流路52とをつないでいる。第三流路53は、第一面21に平行な面内に配置されている。第三流路53は、第一面21に平行な面に沿って延びている。第三流路53は、高周波電極3よりも第二面22側に配置されている。高周波電極3と第三流路53との基体2の厚さ方向の間隔D2は、例えば2mm以上である。上記間隔D2が2mm以上であることで、プラズマ処理による加熱対象10への成膜時に、第三流路53を構成する空間で放電が生じることが抑制され易い。上記間隔D2は、例えば12mm以下である。上記間隔D2が12mm以下であることで、基体2の厚肉化が抑制され易い。上記間隔D2は、例えば2mm以上12mm以下、更に4mm以上8mm以下である。
支持体7は、図1及び図2に示すように、基体2を第二面22側から支持している。支持体7は、筒状の形状を有する。支持体7の形状は特に問わない。本例の支持体7は円筒状部材である。支持体7は、基体2と同心状に配置されている。本例では、円筒状の支持体7の中心と、円板状の基体2の中心とが同軸となるように、基体2と支持体7とが接続されている。支持体7は、高周波電極3につながる電力線、発熱体4につながる電力線、流路5につながる吸引管9を囲むように基体2に接続されている。
流路5の形態は、第一面21及び第二面22につながり、第一面21に載置された加熱対象10を第一面21に真空吸着できる範囲において適宜変更できる。例えば、以下に説明する変形例1から変形例6のように、主に第三流路53の形態を変更できる。第一流路51及び第二流路52は、第三流路53に対応して配置される。図4から図9は、図3と同様に、第三流路53を第一面21に平行な面で切断した断面図である。図4から図9では、図2に示す第一面21側に設けられた吸気口510が実線で示されている。図4から図9では、図2に示す第二面22側に設けられた排気口520が仮想的に破線で示されている。変形例1の説明では、必要に応じて図2も参照する。
変形例1の第三流路53は、図4に示すように、実施形態1の第三流路53と同様に、複数の分岐路532と円形路533とを備える。変形例1の第三流路53は、円形路533が図2に示す第一流路51につながっていない点が、実施形態1の第三流路53と異なる。各分岐路532の先端部には、図2に示す第一流路51がつながっている。本例では、吸気口510として、複数の第一吸気口511が設けられている。
変形例2の第三流路53は、図5に示すように、中心部531から放射状に延びる直線状の複数の分岐路532を備える。本例では、8本の分岐路532が配置されている。8本の分岐路532は、基体2の周方向に等間隔に並ぶように配置されている。各分岐路532の長さは同じである。各分岐路532の長さは、図2に示す加熱対象10の周縁部に届く長さである。中心部531には、図2に示す第二流路52がつながっている。各分岐路532の先端部には、図2に示す第一流路51がつながっている。本例では、吸気口510として、複数の第一吸気口511が設けられている。
変形例3の第三流路53は、図6に示すように、円形路533と連結路534とを備える。円形路533は、図2に示す加熱対象10の周縁部に向かい合うように設けられた円形状の流路である。連結路534は、中心部531と円形路533とをつなぐ。連結路534の数は一つである。
変形例4の第三流路53は、図7に示すように、径の異なる二つの円形路533と複数の連結路534とを備える。二つの円形路533のうち大径の円形路533は、図2に示す加熱対象10の周縁部に向かい合うように設けられた円形状の流路である。二つの円形路533のうち小径の円形路533は、図2に示す加熱対象10の中心部と周縁部との間の環状部分に向かい合うように設けられた円形状の流路である。複数の連結路534のうちの一つは、中心部531と小径の円形路533とをつなぐ。複数の連結路534のうちの残りの四つは、小径の円形路533と大径の円形路533とをつなぐ。
変形例5の第三流路53は、図8に示すように、図5に示す変形例2の第三流路53に更に円形路533を備える。円形路533は、複数の分岐路532の先端部をつなぐように設けられている。変形例5の流路5では、変形例2に比較して、第三流路53による気体の流通性が確保され易い。
変形例6の第三流路53は、図9に示すように、中心部531から放射状に延びる曲線状の複数の分岐路532を備える。変形例6の第三流路53は、変形例2の第三流路53と比較して、分岐路532が曲線状である点が異なり、その他の点は同じである。変形例6の流路5では、変形例2の流路5と同様に、加熱対象10の周縁部を第一面21の周方向に均一に真空吸着し易い。変形例6の流路5では、変形例2に比較して、曲線の曲がり具合で流通抵抗を調整し易い。
図10を参照して、実施形態2のヒータ1を説明する。実施形態2のヒータ1は、実施形態1のヒータ1と比較して、発熱体4と第三流路53との順序が入れ替わっている。実施形態1のヒータ1では、第三流路53は、発熱体4よりも第二面22側に配置されている。実施形態2のヒータ1では、基体2の内部に第一面21側から第二面22側に向かって順に、高周波電極3、発熱体4、及び第三流路53が配置されている。実施形態2のヒータ1において、実施形態1のヒータ1に対して、発熱体4と第三流路53との順序が入れ替わっている点以外の構成は同じである。
図11を参照して、実施形態3のヒータ1を説明する。実施形態3のヒータ1は、実施形態1のヒータ1に対して、基体2の内部に配置されたシールド電極6を更に備える。実施形態3のヒータ1において、実施形態1のヒータ1に対して、シールド電極6を更に備える点以外の構成は同じである。
シールド電極6は、第一面21に平行な面内であって、高周波電極3と第三流路53との間の面内に配置されている。本例では、基体2の内部に第一面21側から第二面22側に向かって順に、高周波電極3、シールド電極6、第三流路53、及び発熱体4が配置されている。基体2では、基体2の構成材料によっては発熱体4による加熱で基体2の体積抵抗率が低下し得ること、及び流路5内が減圧されることによって、第三流路53で放電が生じ易い。シールド電極6は、第三流路53内で放電が生じることを抑制する機能を備える。シールド電極6は、更に発熱体4への高周波ノイズの影響を抑制する機能も備える。シールド電極6は接地されている。シールド電極6は、図示しない電力線につながっている。電力線は、支持体7の内側を通ってチャンバー8の外部に引き出されている。
図12を参照して、実施形態4のヒータ1を説明する。実施形態4のヒータ1は、実施形態2のヒータ1に対して、基体2の内部に配置されたシールド電極6を更に備える。実施形態4のヒータ1において、実施形態2のヒータ1に対して、シールド電極6を更に備える点以外の構成は同じである。シールド電極6の構成は、実施形態3のヒータ1におけるシールド電極6と同じである。
図13を参照して、実施形態5のヒータ1を説明する。実施形態5のヒータ1は、実施形態4のヒータ1に対して、シールド電極6の位置が異なる。実施形態5のヒータ1は、シールド電極6の位置を除いて実施形態4のヒータ1と同じ構成を備える。
試験例1では、基体に流路を設け、その流路の配置が加熱対象への均熱性及び加熱対象への成膜性におよぼす影響を調べた。
以下の試験体1-1、1-2、1-3、及び1-4を準備した。いずれの試験体も、基体の内部に高周波電極及び発熱体を備える。試験体1-1、1-2、及び1-3は、基体の内部に更に流路を備える。試験体1-4は、基体の内部に流路を備えない。試験体1-1、1-2、及び1-3は、高周波電極、発熱体、及び流路の一部である第三流路の配置順序が異なる。いずれの試験体も、基体の材質、形状、及びサイズは同じである。いずれの試験体も、高周波電極の材質、形状、及びサイズは同じである。いずれの試験体も、発熱体の材質、形状、及びサイズは同じである。試験体1-1、1-2、及び1-3において、第三流路の形状及びサイズは同じである。各試験体における高周波電極、発熱体、及び第三流路の配置順序は、以下の通りである。
試験体1-2では、基体の第一面側から第二面側に向かって順に、高周波電極、発熱体、及び第三流路が配置されている。試験体1-2は、図10に示すヒータ1と同じである。
試験体1-3では、基体の第一面側から第二面側に向かって順に、第三流路、高周波電極、及び発熱体が配置されている。
試験体1-4では、基体の第一面側から第二面側に向かって順に、高周波電極、及び発熱体が配置されている。
表1に示す配置順序では、左側が第一面側、右側が第二面側として記載している。
発熱体に給電する条件は、常温から500℃まで昇温させ、5時間保持とした。その後、加熱対象に複数の測定点を設定し、各測定点の温度を求めた。上記複数の測定点は、加熱対象の中心点、及び加熱対象の周縁部を周方向に等間隔に設けた。複数の測定点における最も高い温度と最も低い温度との差を求めた。上記差が小さいほど、均熱性に優れる。表1に示す均熱性の評価は次の通りである。「AA」は、上記差が実質的にゼロであり、均熱性に非常に優れる。「A」は、上記差があるものの小さく、均熱性に優れる。「B」は、上記差が大きく、均熱性に劣る。「C」は、上記差が非常に大きく、均熱性に非常に劣る。均熱性の評価は、既知のウエハ温度計を用いて、例えば17点の測定点での測温値に基づいて評価できる。
プラズマ処理により加熱対象に薄膜を形成し、加熱対象の中心点、及び加熱対象の周縁部を周方向に等間隔に設けた複数の測定点における薄膜の最も厚い厚さと最も薄い厚さとの差を求める。上記差が小さいほど、成膜性に優れる。表1に示す成膜性の評価は次の通りである。「A」は、上記差が小さく、成膜性に優れる。「C」は、上記差が非常に大きく、成膜性に非常に劣る。成膜性の評価は、例えば49点の測定点について既知の膜厚計を用いて測定することができる。
表1に示すように、高周波電極が基体内の厚さ方向の最も第一面側に位置し、かつ流路を備える試験体1-1及び1-2は、均熱性に優れる。試験体1-1及び1-2では、流路によって加熱対象が基体の第一面に真空吸着されることで、加熱対象が全面にわたって第一面に接触することができたと考えられる。よって、試験体1-1及び1-2では、加熱対象を全面にわたって均一に加熱できたと考えられる。特に、試験体1-2では、第三流路が発熱体よりも第二面側に位置することで、均熱性に非常に優れる。試験体1-2では、発熱体と第一面との間に第三流路が存在しないので、第一面に載置された加熱対象と発熱体との間にある基体の厚さが均一に確保され、発熱体からの伝熱が第三流路で阻害され難いと考えられる。
表1に示すように、高周波電極が基体内の厚さ方向の最も第一面側に位置し、かつ流路を備える試験体1-1及び1-2は、成膜性に優れる。試験体1-1及び1-2では、流路によって加熱対象が基体の第一面に真空吸着されることで、加熱対象が全面にわたって第一面に接触することができると考えられる。高周波電極が第一面に平行な面内に配置されていることで、加熱対象と高周波電極との間にある基体の厚さが均一に確保される。シャワーヘッドは第一面に平行に配置されているため、加熱対象とシャワーヘッドとの間隔が均一に確保される。よって、試験体1-1及び1-2では、プラズマ処理による加熱対象への成膜のばらつきが抑制されると考えられる。
試験例2では、試験例1における試験体1-1及び1-2の各々に更にシールド電極を設け、シールド電極が加熱対象への成膜性及びヒータ寿命におよぼす影響を調べた。
以下の試験体2-1、2-2、2-3、2-4、及び2-5を準備した。試験体2-1は、試験体1-1と同じである。試験体2-2は、試験体1-2と同じである。試験体2-3は、試験体2-1に更にシールド電極を配置した。試験体2-4及び試験体2-5は、試験体2-2に更にシールド電極を配置した。試験体2-4と2-5は、シールド電極6の位置が異なる。試験体2-3、2-4、及び2-5において、シールド電極の材質、形状、及びサイズは同じである。試験体2-3、2-4、及び2-5は、高周波電極、発熱体、第三流路、及びシールド電極の配置順序が異なる。各試験体における高周波電極、発熱体、第三流路、及びシールド電極の配置順序は、以下の通りである。
試験体2-4では、基体の第一面側から第二面側に向かって順に、高周波電極、発熱体、シールド電極、及び第三流路が配置されている。試験体2-4は、図12に示すヒータ1と同じである。
試験体2-5では、基体の第一面側から第二面側に向かって順に、高周波電極、シールド電極、発熱体、及び第三流路が配置されている。試験体2-5は、図13に示すヒータ1と同じである。
表2に示す配置順序では、左側が第一面側、右側が第二面側として記載している。
プラズマ処理により加熱対象に薄膜を形成する。加熱対象に複数の測定点を設定し、各測定点における薄膜の厚さを評価する。上記複数の測定点は、加熱対象の中心点、及び加熱対象の周縁部を周方向に等間隔に設ける。所定時間でのプラズマ処理で各測定点における薄膜の厚さが所定の厚さになっているか否かを調べる。表2に示す成膜性の評価は次の通りである。「A」は、所定時間で所定の厚さの薄膜が得られており、成膜性に優れる。「B」は、所定時間で所定の厚さまで成膜できておらず、成膜性に劣る。
プラズマ処理により加熱対象に薄膜を形成する作業を10000回行い、基体に損傷が生じるか否かを確認する。表2に示すヒータ寿命の評価は次の通りである。「A」は、基体に損傷が見受けられない。「B」は、基体に若干の損傷が見受けられる。
表2に示すように、高周波電極と第三流路との間にシールド電極を備える試験体2-3、2-4、及び2-5は、成膜性に優れる。試験体2-3、2-4、及び2-5では、シールド電極によって第三流路を構成する空間で放電が生じることが抑制されると考えられる。よって、エネルギーロスが生じることなく、成膜が良好に行われると考えられる。一方、シールド電極を備えない試験体2-1及び2-2は、成膜性に劣る。試験体2-1及び2-2では、第三流路を構成する空間で放電が生じ、エネルギーロスによって成膜に悪影響がおよぶと考えられる。
表2に示すように、高周波電極と第三流路との間にシールド電極を備える試験体2-3、2-4、及び2-5は、基体に損傷が生じ難い。試験体2-3、2-4、及び2-5では、シールド電極によって第三流路を構成する空間で放電が生じることが抑制されると考えられる。よって、基体が損傷するような悪影響はないと考えられる。一方、シールド電極を備えない試験体2-1及び2-2は、基体に損傷が生じる。試験体2-1及び2-2では、第三流路を構成する空間で放電が生じ、放電によって基体が損傷するような悪影響がおよぶと考えられる。
2 基体、21 第一面、22 第二面
3 高周波電極
4 発熱体
5 流路
51 第一流路
510 吸気口、511 第一吸気口、512 第二吸気口、513 第三吸気口
52 第二流路、520 排気口
53 第三流路、
531 中心部、532 分岐路、533 円形路、534 連結路
6 シールド電極
7 支持体、71 第一端部、72 第二端部
8 チャンバー、80 貫通孔
81 シャワーヘッド
9 吸引管
10 加熱対象
D1,D2,D3 間隔
D5 深さ、W5 幅
Claims (10)
- 円板状の形状を有する基体と、
前記基体の内部に配置された高周波電極と、
前記基体の内部に配置された発熱体と、
筒状の形状を有する支持体と、を備え、
前記基体は、
加熱対象が載置される第一面と、
前記第一面に向かい合っている第二面と、
前記第一面及び前記第二面につながる流路と、を備え、
前記支持体は、
筒状をなす側壁部と、
前記側壁部に一体に設けられたフランジ状の第一端部と、を備え、
前記第一端部が前記第二面に取り付けられることで前記基体に固定されており、
前記流路は、
前記第一面に開口するように設けられた吸気口を有する第一流路と、
前記第二面において、前記側壁部の内周面で囲まれた内側空間に開口するように設けられた排気口を有する第二流路と、
前記第一流路と前記第二流路とをつなぐ第三流路と、を備え、
前記内側空間には、前記排気口に接続された吸引管を備え、
前記高周波電極、前記発熱体、及び前記第三流路の各々は、前記第一面と前記第二面とを含まない前記基体の内部であって、前記第一面に平行な面内に配置されており、
前記発熱体及び前記第三流路は、前記高周波電極よりも前記第二面側に配置されている、
ヒータ。 - 前記第三流路は、前記発熱体よりも前記第二面側に配置されている、請求項1に記載のヒータ。
- 前記第三流路は、前記高周波電極と前記発熱体との間の面内に配置されている、請求項1に記載のヒータ。
- 前記高周波電極と前記第三流路との前記基体の厚さ方向の間隔が2mm以上である、請求項1から請求項3のいずれか1項に記載のヒータ。
- 前記基体の内部に配置されたシールド電極を更に備え、
前記シールド電極は、前記第一面に平行な面内であって、前記高周波電極と前記第三流路との間の面内に配置されている、請求項1から請求項4のいずれか1項に記載のヒータ。 - 円板状の形状を有する基体と、
前記基体の内部に配置された高周波電極と、
前記基体の内部に配置された発熱体と、
前記基体の内部に配置されたシールド電極と、
筒状の形状を有する支持体と、を備え、
前記基体は、
加熱対象が載置される第一面と、
前記第一面に向かい合っている第二面と、
前記第一面及び前記第二面につながる流路と、を備え、
前記支持体は、
筒状をなす側壁部と、
前記側壁部に一体に設けられたフランジ状の第一端部と、を備え、
前記第一端部が前記第二面に取り付けられることで前記基体に固定されており、
前記流路は、
前記第一面に開口するように設けられた吸気口を有する第一流路と、
前記第二面において、前記側壁部の内周面で囲まれた内側空間に開口するように設けられた排気口を有する第二流路と、
前記第一流路と前記第二流路とをつなぐ第三流路と、を備え、
前記内側空間には、前記排気口に接続された吸引管を備え、
前記高周波電極、前記発熱体、前記シールド電極、及び前記第三流路の各々は、前記第一面と前記第二面とを含まない前記基体の内部であって、前記第一面に平行な面内に配置されており、
前記第一面側から前記第二面側に向かって順に、前記高周波電極、前記シールド電極、前記第三流路、及び前記発熱体が配置されている、
ヒータ。 - 前記第一流路の数は複数であり、
前記吸気口が、前記第一面において前記基体の周方向に並んで配置されている、請求項1から請求項6のいずれか1項に記載のヒータ。 - 前記第一流路の数は複数であり、
前記第二流路の数は一つであり、
前記第一面には、前記吸気口として複数の第一吸気口が設けられており、
前記複数の第一吸気口の各々から前記排気口までの前記第一流路、前記第二流路、及び前記第三流路に沿った長さが同じである、請求項1から請求項7のいずれか1項に記載のヒータ。 - 前記第一流路の数は複数であり、
前記第二流路の数は一つであり、
前記第一面には、前記吸気口として第二吸気口及び第三吸気口が設けられており、
前記第二吸気口及び前記第三吸気口の各々から前記排気口までの前記第一流路、前記第二流路、及び前記第三流路に沿った長さが異なる、請求項1から請求項8のいずれか1項に記載のヒータ。 - 前記第一流路の数は複数であり、
前記第三流路は、前記基体の中心側から放射状に延びる複数の分岐路を備え、
一つ又は複数の前記第二流路は、前記第三流路における前記基体の中心側につながっており、
複数の前記第一流路の少なくとも一つは、前記分岐路の先端部につながっている、請求項1から請求項9のいずれか1項に記載のヒータ。
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