CN108807127A - 上电极组件、反应腔室以及原子层沉积设备 - Google Patents

上电极组件、反应腔室以及原子层沉积设备 Download PDF

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Abstract

本公开提供了一种上电极组件、反应腔室以及原子层沉积设备，上电极组件包括进气结构和上电极板，所述上电极板开设有主管路，所述进气结构用于将工艺气体自所述主管路引入反应腔室，所述进气结构包括：绝缘组件，置于所述上电极板上；进气部件，置于所述绝缘组件上，并开设有第一进气管路，所述第一进气管路通过所述绝缘组件与所述主管路连通，且所述第一进气管路内壁通过所述绝缘组件与所述主管路内壁电气隔离。

Description

上电极组件、反应腔室以及原子层沉积设备
技术领域
本公开涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种上电极组件、反应腔室以及原子层沉积设备。
背景技术
目前，薄膜沉积反应工艺广泛应用于半导体制造，原子层沉积(Atomic LayerDeposition，ALD)工艺生成的薄膜非常薄，较其他工艺具有显著优点。
ALD工艺中的等离子体增强型ALD(Plasma Enhanced ALD，PE-ALD)工艺可以用于制备各种薄膜。其中，电容式等离子体增强型ALD将两种在通常情况下不反应的工艺气体一并通入其反应腔室中，并通过调节射频周期进行ALD工艺。
现有的电容式等离子体增强型ALD设备如图1所示，包括：反应腔室100和上电极组件，上电极组件包括喷淋板200和进气管路300等。电容式等离子体增强型ALD设备工作时，喷淋板200作为正极，反应腔室100的外壁接地，工艺气体经进气管路300、喷淋板200进入反应腔室100。
申请人在实现本公开的过程中，发现现有技术存在如下缺陷：
电容式等离子体增强型ALD设备的进气端口400接地，其与喷淋板200之间易产生电位差，电位差会导致在二者这之间产生等离子体，等离子体的存在会使得在进气管路300的内壁沉积导电薄膜，导电薄膜的沉积会使得进气端口400与喷淋板200之间产生电短路，从而容易出现打火现象。
发明内容
本公开旨在至少部分地解决现有技术中存在的技术问题，提出了一种上电极组件、反应腔室以及原子层沉积设备。
根据本公开的一个方面，提供了一种上电极组件，包括进气结构和上电极板，所述上电极板开设有主管路，所述进气结构用于将工艺气体自所述主管路引入反应腔室，其中，所述进气结构包括：绝缘组件，置于所述上电极板上；进气部件，置于所述绝缘组件上，并开设有第一进气管路，所述第一进气管路通过所述绝缘组件与所述主管路连通，且所述第一进气管路内壁通过所述绝缘组件与所述主管路内壁电气隔离。
在本公开的一些实施例中，所述绝缘组件包括：绝缘部件，置于所述上电极板上，并开设有与所述主管路连通的第二进气管路；进气隔离结构，置于所述第二进气管路内，用于连通所述第一进气管路和所述第二进气管路。
在本公开的一些实施例中，所述进气隔离结构为进气栅，所述进气栅的轴线与所述第二进气管路的轴线重合。
在本公开的一些实施例中，所述进气栅包括第一进气孔，所述第一进气孔沿所述进气栅的轴向延伸。
在本公开的一些实施例中，所述进气栅包括第二进气孔，所述第二进气孔的轴向与所述进气栅的轴向不平行，且二者成预设角度。
在本公开的一些实施例中，所述进气栅的进气孔包括：至少一个第一进气孔和至少一个第二进气孔，所述第一进气孔沿所述进气栅的轴向延伸，所述第二进气孔的轴向与所述进气栅的轴向呈预设角度。
在本公开的一些实施例中，所述预设角度的取值范围为30度至89度。
在本公开的一些实施例中，所述第一进气孔的垂直于所述进气栅轴向的第一横截面形状与所述第二进气孔的垂直于所述进气栅轴向的第二横截面不同。
在本公开的一些实施例中，所述第一横截面形状为圆形，所述第二横截面形状为矩形，所述矩形的长边方向沿所述进气栅径向延伸。
在本公开的一些实施例中，所述第一进气孔为多个，且多个所述第一进气孔围成多圈同心圆；所述第二进气孔为多个，且多个所述第二进气孔的垂直于所述进气栅轴向的横截面沿所述同心圆径向延伸。
在本公开的一些实施例中，位于所述多圈同心圆的所述第一进气孔的横截面积沿所述同心圆径向逐渐增大。
在本公开的一些实施例中，所述第一进气孔为多个，所述多个第一进气孔在所述进气栅横截面的投影呈阵列排布。
在本公开的一些实施例中，所述第二进气孔为多个，所述多个第二进气孔在所述进气栅横截面的投影呈阵列排布。
在本公开的一些实施例中，所述上电极板为喷淋板。在本公开的一些实施例中，所述喷淋板开设有喷孔，所述第一进气孔的轴线与所述喷孔的轴线相互错开，以增加所述工艺气体的气流均匀性。
根据本公开的另一个方面，提供了一种反应腔室，包括腔室本体以及上述任一上电极组件。
根据本公开的另一个方面，提供了一种原子层沉积设备，包括上述反应腔室。
本公开通过设置所述绝缘组件，阻断了进气部件与上电极板之间的直接接触路径，将第一进气管路的内壁与上电极板主管路的内壁电气隔离，避免了电势差的产生，有效避免了打火现象的产生。
附图说明
通过以下参照附图对本公开实施例的描述，本公开的上述以及其他目的、特征和优点将更为清楚，在附图中：
图1为现有技术的电容式等离子体增强型原子层沉积设备的示意图；
图2为本公开一实施例的上电极组件的剖面结构图；
图3为本公开一实施例的进气隔离结构的侧视图；
图4a和图4b分别为本公开一实施例进气隔离结构的立体结构图和俯视图；
图5为本公开另一实施例进气隔离结构的侧视图；
图6为本公开又一实施例的进气隔离结构的侧视图；
图7为本公开又一实施例的上电极组件的剖面结构图；
图8a和图8b分别为本公开又一实施例进气隔离结构的立体结构图和俯视图；
图9为本公开又一实施例进气隔离结构的透视图；
图10为本公开实施例反应腔室的剖面结构图。
符号说明
【现有技术】
100-反应腔室；200-喷淋板；300-进气管路；400-进气端口。
【本公开】
10-进气部件；101-第一进气管路；102-第一进气流道；103-第二进气流道；104-吹扫进气流道；105-进气集成块密封槽；
11-绝缘部件；111-第二进气管路；112-绝缘块密封槽；
12-进气隔离结构；121-第一进气孔；122-第二进气孔；θ-预设角度；
2-上电极板；21-主管路；22-射频发生器；
3-腔室本体；31-工艺反应区；32-工艺区匀流栅；33-支撑基座。
具体实施方式
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种上电极组件、反应腔室以及原子层沉积设备。为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本公开进一步详细说明。但是应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本公开的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本公开的概念。
本公开一实施例提供了一种上电极组件，其作为原子层沉积设备、尤其是作为电容式等离子体增强型原子层沉积设备的一个部件。如图2所示，上电极组件置于原子层沉积设备的反应腔室的顶端，包括：进气结构和上电极板2。
在本实施例中，上电极板2为喷淋板。喷淋板置于反应腔室顶端，并连接有射频发生器22。喷淋板开设有主管路21，该主管路21可以为沿喷淋板轴线延伸的中空管道，并与喷淋板的喷孔连通。
进气结构置于喷淋板上，包括绝缘组件和进气部件10，可将工艺气体自主管路21引入到反应腔室中。其中，绝缘组件置于喷淋板上，进气部件10置于绝缘组件上，该进气部件10开设有第一进气管路101，第一进气管路101通过绝缘组件与喷淋板的主管路21连通，且第一进气管路101的内壁通过绝缘组件与喷淋板的主管路21内壁电气隔离。
在本实施例中，绝缘组件包括：绝缘部件11和进气隔离结构12。绝缘部件11置于喷淋板上，并开设有第二进气管路111，第二进气管路111为沿绝缘部件11的轴线延伸的中空通道，并与喷淋板的主管路21连通。
进气部件10置于绝缘部件11上，其开设有第一进气管路101，第一进气管路101沿进气部件10的轴线延伸，并与第二进气管路111连通。优选地，进气部件10、绝缘部件11与喷淋板同轴设置，第一进气管路101、第二进气管路111、主管路21三者也同轴。
进气隔离结构12置于第二进气管路111内，其连通第一进气管路101和第二进气管路111。本实施例的进气隔离结构12采用进气栅，进气栅的轴线与第二进气管路111的轴线重合。进气栅置于第二进气管路111顶端、并与第二进气管路111内壁紧密接触，将喷淋板主管路21的内壁与第一进气管路101的内壁电气隔离，第一进气管路101通过进气栅与第二进气管路111以及喷淋板的主管路21连通。
参见图3所示，进气栅开设有多个第一进气孔121，多个第一进气孔121均沿所述进气栅的轴向延伸。当原子层沉积设备工艺时，首先，前驱物A和前驱物B进入第一进气管路101，前驱物A和前驱物B是两种在常态下不发生反应的工艺气体。A和B在第一进气管路101混合，经过进气栅的第一进气孔121进入第二进气管路111，再经第二进气管路111进入喷淋板，由喷淋板的喷孔进入反应腔室。
反应腔室工艺时，喷淋板作为正极，进气部件10作为负极，由于第一进气管路101和第二进气管路111连通，进气部件10与喷淋板之间存在直接接触的路径，即第一进气管路101的内壁与喷淋板主管路21的内壁之间没有被隔离开，所以二者之间易产生电势差。电势差可能导致产生等离子体，等离子体会使得在第一进气管路101和第二进气管路111内壁沉积导电薄膜，导电薄膜的沉积会使得进气部件与上电极板之间产生电短路，从而产生打火现象。本实施例通过设置进气栅于第二进气管路111，阻断了正极与负极之间直接接触的路径(图2中箭头所示)，将第一进气管路101的内壁与喷淋板主管路21的内壁电气隔离，避免电势差的产生，从而有效避免了打火现象的产生。同时，工艺气体可以通过进气栅进入第二进气管路111以及喷淋板，不影响气体流动。
本实施例的上电极组件，参见图4a和图4b所示，多个第一进气孔121在进气栅横截面的投影呈阵列排布，第一进气孔的数量优选约20至200个，更优选地，数量为80至170个。图4a和图4b所示的阵列排布中，每行和每列的第一进气孔数量根据进气栅的整体形状设置，可以相同也可以不同。
进一步地，在本实施例中，喷淋板喷孔的轴线与第一进气孔121的轴线是相互错开的，这样可以避免工艺气体由第一进气孔121直接从喷淋板喷孔流出，可以增加工艺气体的气流均匀性。
作为一个示例，第一进气孔121的垂直于进气栅轴向的横截面形状可以为圆形，也可以是其他形状，例如方形、椭圆形、多边形形等。进气栅的厚度约2mm至20mm，优选为5mm至15mm，如10mm。当第一进气孔121的垂直于进气栅轴向的横截面形状为圆形时，第一进气管路101和第二进气管路111垂直于各自轴向的横截面均为圆形。对于适用12inch直径的硅片工艺，第一进气管路101和第二进气管路111的内径约为6mm至约60mm，优选地，从约25mm至约45mm，更优选地，从约30mm至40mm，如约38mm。
本公开另一实施例的上电极组件，其与上一实施例相同或相似的特征不再重复描述，以下仅描述其不同于上一实施例的内容。
在本实施例的进气栅结构与上一实施例有所不同，如图5所示，进气栅开设有多个第二进气孔122，这些第二进气孔122不沿进气栅的轴向延伸，即第二进气孔122的轴向与进气栅的轴向不平行，而是与进气栅的轴向成预设角度θ。预设角度θ优选为30°至89°，更优选地为60°至80°。
通过设置与进气栅的轴向成预设角度θ的第二进气孔122，不仅可以有效地将第一进气管路101内壁与喷淋板主管路21内壁隔离，避免打火现象的产生，还使得工艺气体经过这些第二进气孔后产生盘环气流场，使工艺气体充分混合。
与上一实施例类似，多个第二进气孔在进气栅横截面的投影也呈阵列排布。本实施例中，第二进气孔数量优选约20至200个，更优选地，数量为80至170个。每行和每列的第二进气孔数量根据进气栅的整体形状设置，可以相同也可以不同。喷淋板喷孔的轴线与第二进气孔122的轴线也是相互错开的，这样可以避免工艺气体由第二进气孔122直接从喷淋板喷孔流出，可以增加工艺气体的气流均匀性。
本公开又一实施例的上电极组件，其与上述实施例相同或相似的特征不再重复描述，以下仅描述其不同于上述实施例的内容。
在本实施例的进气栅结构与上述实施例有所不同，如图6所示，进气栅开设有两种进气孔：第一进气孔121与第二进气孔122，其中，第一进气孔121沿进气栅的轴向延伸，而第二进气孔122的轴向与进气栅的轴向成预设角度θ。预设角度θ优选为30°至89°，更优选地为60°至80°。
通过设置延伸方向不同的两种进气孔，不仅可以有效地将第一进气管路101内壁与喷淋板主管路21内壁隔离，避免打火现象的产生，还使得工艺气体分别经过第一进气孔和第二进气孔后的气流方向不同，使工艺气体更加充分混合。
进一步地，本实施例的第一进气孔121的垂直于进气栅轴向的第一横截面形状与第二进气孔122的垂直于进气栅轴向的第二横截面不同。如图7、图8a、图8b所示，第一进气孔121的垂直于进气栅轴向的横截面为圆形，第二进气孔122的垂直于进气栅轴向的横截面的形状为矩形，该矩形的长边方向沿进气栅径向延伸。
通过设置不同形状的第一进气孔和第二进气孔，使得工艺气体分别经过第一进气孔和第二进气孔可以更加充分地混合。
以上只是示例性说明，本实施例只要采用不同形状的两种进气孔即可，即第一进气孔121垂直于进气栅轴向的横截面形状还可以是方形、椭圆形或多边形。第二进气孔122垂直于进气栅轴向的横截面形状还可以是细长椭圆形、或带有圆角的类矩形。
进一步地，在本实施例中，第一进气孔的数量为多个，这些第一进气孔121围成多圈同心圆，第二进气孔的数量也是多个，多个第二进气孔122的垂直于进气栅轴向的横截面沿同心圆的径向延伸。如图8a、图8b所示，多个第一进气孔121围成3圈同心圆，每圈同心圆由多个第一进气孔组成，内圈同心圆包括四个第一进气孔，其他两圈同心圆分别包括12个第一进气孔。沿进气栅径向由内至外分别为：内圈同心圆的内层第一进气孔、中间圈同心圆的中间层第一进气孔、以及外圈同心圆的外层第一进气孔。12个第二进气孔122的垂直于进气栅轴向的横截面沿同心圆径向延伸，内层第一进气孔位于第二进气孔122围成的中心区域，中间层第一进气孔中的每一个和外层第一进气孔中的每一个位于相邻两个第二进气孔之间的区域。
图8a、图8b中以垂直于进气栅轴向的横截面为圆形的第一进气孔121、垂直于进气栅轴向的横截面的形状为矩形的第二进气孔122为例进行说明，但第一进气孔121和第二进气孔122的形状并不限于此。
通过如此设置第一进气孔和第二进气孔，第一进气孔和第二进气孔交错排列，使工艺气体可以更加充分地混合。
在本实施例中，第一进气孔的数量优选为5至20个，更优选地，为8至15个；第一进气孔和第二进气孔的垂直于进气栅轴向的横截面面积优选为1mm2至20mm2，更优选地，为5mm2至15mm2。进一步地，如图8a、8b所示，位于多圈同心圆的第一进气孔的横截面积沿同心圆径向逐渐增大，即内层第一进气孔最小，中间层第一进气孔比内层第一进气孔大，外层第一进气孔最大，通过如此设置第一进气孔的尺寸，可以充分利用进气栅的空间，单位时间通过的工艺气体量更多，使工艺气体更快地通过进气栅。位于相邻两个第二进气孔之间的第一进气孔的数量可以不止一个，优选为1至4个。同心圆的圈数可以是两个以上的任何数量。
在本实施例中，第一进气孔121和第二进气孔122的轴向也可以均与进气栅的轴向成预设角度，如图9所示。第一进气孔121与第二进气孔122对应的预设角度可以相同也可以不同。其中，内层第一进气孔的数量优选为1至8个，更优选地，为2至6个；中间层第一进气孔和外层第一进气孔的数量优选为分别5至20个，更优选地，分别为8至15个。内层第一进气孔、中间层第一进气孔和外层第一进气孔与进气栅轴向的预设角度优选为30°至89°，更优选地，为60°至80°。当内层第一进气孔、中间层第一进气孔和外层第一进气孔的垂直于进气栅轴向的横截面为圆形时，三者的直径优选为0.5mm至4mm，更优选地，为0.8mm至3mm。
对于上述各个实施例的上电极组件，以图2和图3为例进行说明，进气栅嵌入在第二进气管路111内。沿由第一进气管路101至喷淋板主管路21的方向，第二进气管路111可分为入口段和与入口段连通的主体段，入口段的垂直于第二进气管路111轴向的横截面面积大于主体段的垂直于第二进气管路111轴向的横截面面积。进气栅沿其轴线分为第一段与第二段，第一段的垂直于进气栅轴向的横截面面积大于第二段的垂直于进气栅轴向的横截面面积。进气栅第一段的垂直于进气栅轴向的横截面与第二进气管路111入口段的垂直于第二进气管路111轴向的横截面相匹配，进气栅第二段的垂直于进气栅轴向的横截面与第二进气管路111主体段的垂直于第二进气管路111轴向的横截面相匹配。进气栅嵌入在第二进气管路111内，方便对进气栅进行定位，安装方便且便于拆卸清洗。第一进气管路101的垂直于其轴向的横截面面积小于进气栅的朝向进气部件10的端面的横截面面积，使得进气部件10向进气栅施加一压力以保持进气栅的固定，有利于提高安装的牢固性。
本公开另一实施例提供了一种反应腔室，包括腔室本体3以及上述任一实施例的上电极组件。
如图10所示，支撑基座33设置于腔室本体3的底部并接地，其具有加热功能，用于支撑并加热基片。
腔室本体3、上电极组件的喷淋板和支撑基座33围成工艺反应区31，用于实现原子层沉积过程。腔室本体3侧壁围成工艺反应区31的部分还设置有工艺区匀流栅32，用于提高工艺气体的气流均匀性。
进气部件10的侧壁开设有第一进气流道102、第二进气流道103和吹扫进气流道104，这些进气流道均与第一进气管路101连通。在一个示例中，第一进气流道102、第二进气流道103和吹扫进气流道104位于进气部件10侧壁的不同周向位置，并处于同一轴向位置。喷淋板上表面开有绝缘块密封槽112，绝缘部件11与喷淋板之间通过绝缘块密封槽112内的密封圈密封。进气部件10下表面开设有进气集成块密封槽105，进气部件10与绝缘块之间通过进气集成块密封槽105内的密封圈密封。
前驱物A通过第一进气流道102进入第一进气管路101，前驱物B通过第二进气流道103进入第一进气管路101，当前驱物A和B进入反应腔室后进入腔室本体3的工艺反应区31。在工艺反应区31，前驱物A吸附至基片表面。接着，惰性气体经吹扫进气流道104进入第一进气管路101，并经进气栅、第二进气管路111、喷淋板进入工艺反应区31，吹扫残留的前驱物A。最后，射频发生器22启动，产生前驱物B的等离子体，等离子体与基片表面的前驱物A发生反应以形成薄膜。整个工艺过程不断重复上述步骤，在基片上重复沉积薄膜，直到薄膜达到工艺所需的厚度。
本公开又一实施例提供了一种原子层沉积设备，更具体地是一种电容式等离子体增强型原子层沉积设备，其包括上述实施例的反应腔室。
以上所述的具体实施例，对本公开的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本公开的具体实施例而已，并不用于限制本公开，凡在本公开的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本公开的保护范围之内。
还需要说明的是，实施例中提到的方向用语，例如“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等，仅是参考附图的方向，并非用来限制本公开的保护范围。贯穿附图，相同的元素由相同或相近的附图标记来表示。在可能导致对本公开的理解造成混淆时，将省略常规结构或构造。
除非有所知名为相反之意，本说明书及所附权利要求中的数值参数是近似值，能够根据通过本公开的内容所得的所需特性改变。具体而言，所有使用于说明书及权利要求中表示组成的含量、反应条件等等的数字，应理解为在所有情况中是受到「约」的用语所修饰。一般情况下，其表达的含义是指包含由特定数量在一些实施例中±10％的变化、在一些实施例中±5％的变化、在一些实施例中±1％的变化、在一些实施例中±0.5％的变化。
再者，单词“包含”不排除存在未列在权利要求中的元件或步骤。位于元件之前的单词“一”或“一个”不排除存在多个这样的元件。
说明书与权利要求中所使用的序数例如“第一”、“第二”、“第三”等的用词，以修饰相应的元件，其本身并不意含及代表该元件有任何的序数，也不代表某一元件与另一元件的顺序、或是制造方法上的顺序，该些序数的使用仅用来使具有某命名的一元件得以和另一具有相同命名的元件能做出清楚区分。
类似地，应当理解，为了精简本公开并帮助理解各个公开方面中的一个或多个，在上面对本公开的示例性实施例的描述中，本公开的各个特征有时被一起分组到单个实施例、图、或者对其的描述中。然而，并不应将该公开的方法解释成反映如下意图：即所要求保护的本公开要求比在每个权利要求中所明确记载的特征更多的特征。更确切地说，如下面的权利要求书所反映的那样，公开方面在于少于前面公开的单个实施例的所有特征。因此，遵循具体实施方式的权利要求书由此明确地并入该具体实施方式，其中每个权利要求本身都作为本公开的单独实施例。

Claims (17)

1.一种上电极组件，包括进气结构和上电极板，所述上电极板开设有主管路，所述进气结构用于将工艺气体自所述主管路引入反应腔室，其中，所述进气结构包括：
绝缘组件，置于所述上电极板上；
进气部件，置于所述绝缘组件上，并开设有第一进气管路，所述第一进气管路通过所述绝缘组件与所述主管路连通，且所述第一进气管路内壁通过所述绝缘组件与所述主管路内壁电气隔离。
2.如权利要求1所述的上电极组件，其中，所述绝缘组件包括：
绝缘部件，置于所述上电极板上，并开设有与所述主管路连通的第二进气管路；
进气隔离结构，置于所述第二进气管路内，用于连通所述第一进气管路和所述第二进气管路。
3.如权利要求2所述的上电极组件，其中，所述进气隔离结构为进气栅，所述进气栅的轴线与所述第二进气管路的轴线重合。
4.如权利要求3所述的上电极组件，其中，所述进气栅包括第一进气孔，所述第一进气孔沿所述进气栅的轴向延伸。
5.如权利要求3所述的上电极组件，其中，所述进气栅包括第二进气孔，所述第二进气孔的轴向与所述进气栅的轴向不平行，且二者成预设角度。
6.如权利要求3所述的上电极组件，其中，所述进气栅的进气孔包括：至少一个第一进气孔和至少一个第二进气孔，所述第一进气孔沿所述进气栅的轴向延伸，所述第二进气孔的轴向与所述进气栅的轴向呈预设角度。
7.如权利要求5或6所述的上电极组件，其中，所述预设角度的取值范围为30度至89度。
8.如权利要求6所述的上电极组件，其中，所述第一进气孔的垂直于所述进气栅轴向的第一横截面形状与所述第二进气孔的垂直于所述进气栅轴向的第二横截面不同。
9.如权利要求8所述的上电极组件，其中，所述第一横截面形状为圆形，所述第二横截面形状为矩形，所述矩形的长边方向沿所述进气栅径向延伸。
10.如权利要求6所述的上电极组件，其中，所述第一进气孔为多个，且多个所述第一进气孔围成多圈同心圆；所述第二进气孔为多个，且多个所述第二进气孔的垂直于所述进气栅轴向的横截面沿所述同心圆径向延伸。
11.如权利要求10所述的上电极组件，其中，位于所述多圈同心圆的所述第一进气孔的横截面积沿所述同心圆径向逐渐增大。
12.如权利要求4所述的上电极组件，其中，所述第一进气孔为多个，所述多个第一进气孔在所述进气栅横截面的投影呈阵列排布。
13.如权利要求5所述的上电极组件，其中，所述第二进气孔为多个，所述多个第二进气孔在所述进气栅横截面的投影呈阵列排布。
14.如权利要求4所述的上电极组件，其中，所述上电极板为喷淋板。
15.如权利要求14所述的上电极组件，其中，所述喷淋板开设有喷孔，所述第一进气孔的轴线与所述喷孔的轴线相互错开，以增加所述工艺气体的气流均匀性。
16.一种反应腔室，包括腔室本体以及权利要求1至15任一项所述的上电极组件。
17.一种原子层沉积设备，包括权利要求16所述的反应腔室。
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