JP2019521526A - 半導体後工程用のチャックプレート、これを有するチャック構造物及びチャック構造物を有するチップ分離装置 - Google Patents

半導体後工程用のチャックプレート、これを有するチャック構造物及びチャック構造物を有するチップ分離装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2019521526A
JP2019521526A JP2019500774A JP2019500774A JP2019521526A JP 2019521526 A JP2019521526 A JP 2019521526A JP 2019500774 A JP2019500774 A JP 2019500774A JP 2019500774 A JP2019500774 A JP 2019500774A JP 2019521526 A JP2019521526 A JP 2019521526A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chuck
plate
vacuum
heating plate
tape
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2019500774A
Other languages
English (en)
Inventor
コン チョン、ヨン
コン チョン、ヨン
ヨン ナム、ソン
ヨン ナム、ソン
キ キム、ミン
キ キム、ミン
ヨン チョン、イン
ヨン チョン、イン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mico Ltd
Original Assignee
Mico Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mico Ltd filed Critical Mico Ltd
Publication of JP2019521526A publication Critical patent/JP2019521526A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

半導体後工程用のチャック構造物は、外部から印加される電源によって熱を発生する発熱体を内蔵し、真空力を提供するために上面まで延びる第１真空ラインを有する加熱プレートと、前記加熱プレート上に設けられ、上面に複数のチップにダイシングされてテープに付着されたウエハーを支持し、前記チップが前記テープから分離されるように前記加熱プレートで発生した熱を前記ウエハーに伝達し、前記真空力で前記テープを吸着するために前記第１真空ラインと連結される第２真空ラインを有するチャックプレートと、を含み得る。したがって、前記チップを損傷なく前記テープから分離することができる。

Description

本発明は、半導体後工程用のチャックプレート、該チャックプレートを有するチャック構造物及びチャック構造物を有するチップ分離装置に関し、より詳しくは、複数のチップにダイシングされたチップをテープで付着した状態で支持するための半導体後工程用のチャックプレート、該チャックプレートを有するチャック構造物及びチャック構造物を有するチップ分離装置に関する。
通常、半導体の製造工程は、前工程と後工程に分けられる。
前記半導体前工程は、ウエハーを加工して半導体回路を作る過程であって、蒸着工程、フォトレジストコーティング工程、露光工程、現像工程、エッチング工程、洗浄工程、検査工程などを含み得る。
前記半導体後工程は、前記前工程によって半導体回路が形成されたウエハーを切断して個々のチップを一つの独立した半導体素子に作る過程であって、ダイシング工程、パッケージング工程、アセンブリー工程、洗浄工程、検査工程などの過程からなる。
前記半導体後工程において、前記パッケージング工程を行うために、チャックは、複数のチップに個別化したウエハーをテープに付着して支持した状態で前記チップを移送する。この際、前記チャックの下部に備えられたイジェクトピンで前記テープの後面を押圧して前記チップを前記テープから分離する。
しかし、前記チップが小型化して薄板化することにより、前記イジェクトピンの押圧力によって前記チップが損傷し得た。
本発明は、チップをテープから損傷なく分離することができる半導体後工程用のチャックプレートを提供する。
また、本発明は、前記半導体後工程用のチャックプレートを有するチャック構造物を提供する。
また、本発明は、前記チャック構造物を有するチップ分離装置を提供する。
本発明による半導体後工程用のチャックプレートは、加熱プレート上に設けられ、上面に複数のチップにダイシングされてテープに付着されたウエハーを支持し、前記チップが前記テープから分離されるように前記加熱プレートで発生した熱を前記ウエハーに伝達し、真空力で前記テープを吸着するために上下を貫通する複数の真空ホールを有し得る。
本発明の一実施例によれば、前記チャックプレートは、下面に前記真空ホールと連結される真空溝を有し得る。
本発明の一実施例によれば、前記チャックプレートの下面は、１０μｍ以下の平坦度を有し得る。
本発明によるチャック構造物は、外部から印加される電源によって熱を発生する発熱体を内蔵し、真空力を提供するために上面まで延びる第１真空ラインを有する加熱プレートと、前記加熱プレート上に設けられ、上面に複数のチップにダイシングされてテープに付着されたウエハーを支持し、前記チップが前記テープから分離されるように前記加熱プレートで発生した熱を前記ウエハーに伝達し、前記真空力で前記テープを吸着するために前記第１真空ラインと連結される第２真空ラインを有するチャックプレートと、を含み得る。
本発明の一実施例によれば、前記第２真空ラインは、前記チャックプレートの下面に前記第１真空ラインと連結されるように備えられ、前記チャックプレートの下面と前記加熱プレートの上面によって限定されて空間を形成する真空溝と、前記チャックプレートを貫通し、前記真空溝が形成された下面から前記チャックプレートの上面まで延びる複数の真空ホールと、を含み得る。
本発明の一実施例によれば、前記第１真空ラインは、前記加熱プレートの上面に前記第２真空ラインと連結されるように備えられ、前記チャックプレートの下面と前記加熱プレートの上面によって限定されて空間を形成する真空溝と、前記加熱プレートを貫通し、下面から前記真空溝が形成された上面まで延びる複数の真空ホールと、を含み得る。
本発明の一実施例によれば、前記加熱プレートの上面と前記チャックプレートの下面のうちいずれか一面には整列ピンが備えられ、残りの一面には前記整列ピンを収容して前記加熱プレート及び前記チャックプレートを整列するための収容溝が備えられ得る。
本発明の一実施例によれば、前記加熱プレートで発生した熱を均一に伝達し、前記チャックプレートの温度分布を均一にするために、前記加熱プレート及び前記チャックプレートは、窒化アルミニウム材質からなり得る。
本発明の一実施例によれば、前記チャック構造物は、前記加熱プレートの上面縁部に沿って形成された溝にかかり、前記加熱プレートの周りをガイドするガイドリングと、前記チャックプレートの上面縁部を覆った状態で前記ガイドリングに固定され、前記チャックプレートを前記加熱プレートに密着させて固定するクランプと、をさらに含み得る。
本発明の一実施例によれば、前記クランプの上面と前記チャックプレートの上面とが同じ高さに位置するよう、前記クランプは、前記チャックプレートの上面端部に沿って形成された溝に設けられ得る。
本発明の一実施例によれば、前記加熱プレート及び前記チャックプレートの側面による熱損失を防止するために、前記ガイドリング及び前記クランプは、酸化アルミニウム材質からなり得る。
本発明の一実施例によれば、前記加熱プレートと前記チャックプレートとの間を通して前記真空力が漏れることを防止するために、前記加熱プレートの上面及び前記チャックプレートの下面の平坦度は、各々１０μｍ以下であり得る。
本発明によるチップ分離装置は、外部から印加される電源によって熱が発生する発熱体を内蔵し、真空力を提供するために上面まで延びる第１真空ラインを有する加熱プレートと、前記加熱プレート上に設けられ、上面に複数のチップに個別化したウエハーをテープで付着した状態で支持し、前記チップが前記テープから分離されるように前記加熱プレートで発生した熱を前記ウエハーに伝達し、前記真空力で前記テープを吸着するために前記第１真空ラインと連結される第２真空ラインを有するチャックプレートと、を含むチャック構造物と、前記チャック構造物上に備えられ、前記テープから分離されたチップを順次ピックアップして後続工程のために移送するピッカーと、を含み得る。
本発明の一実施例によれば、前記ピッカーは、前記分離されたチップを加熱するためのヒーターをさらに含み得る。
本発明の一実施例によれば、前記チップの分離のために、前記ピッカーが待機中である状態で、前記加熱プレートが前記熱を発生して前記チップを前記テープから分離し得る。
本発明によるチャックプレートは、ウエハーを吸着するための真空力によって加熱プレートと密着可能である。したがって、前記チャックプレートを別の締結部材なく前記加熱プレートに固定することができる。
本発明によるチャック構造物は、ウエハーを吸着するための真空力によって加熱プレートとチャックプレートとを相互密着させることができる。したがって、前記加熱プレートと前記チャックプレートとを締結するための別の締結部材が不要である。
また、前記真空力を解除することだけで、前記加熱プレートと前記チャックプレートとを分離して交替することができる。そのため、前記チャック構造物のメインテナンスを容易かつ迅速に行うことができる。
そして、前記チャック構造物は、前記加熱プレートで発生した熱をチャックプレートを介してウエハーに伝達する。前記ウエハーにおいて、テープの接着剤は、熱によって接着力が弱くなるため、前記チャックプレートが伝達する熱によって前記チップが前記テープから分離可能となる。したがって、前記チップを損傷なく分離することができる。
本発明によるチップ分離装置は、前記チャック構造物を用いてチップを損傷なく分離して移送することができる。
本発明の一実施例による半導体後工程用のチャック構造物を説明するための断面図である。 図１に示したチャック構造物の平面図である。 図１に示したチャックプレートを説明するための底面図である。 図１に示したチャックプレートの他の例を説明するための底面図である。 図１におけるＡ部分を拡大した拡大断面図である。 本発明の一実施例によるチップ分離装置を説明するための概略的な断面図である。
本発明による半導体後工程用のチャックプレートは、加熱プレート上に設けられ、上面に複数のチップにダイシングされてテープに付着されたウエハーを支持し、前記チップが前記テープから分離されるように前記加熱プレートで発生した熱を前記ウエハーに伝達し、真空力で前記テープを吸着するために上下を貫通する複数の真空ホールを有し得る。
以下、添付された図面を参照して本発明の実施例による半導体後工程用のチャックプレート、前記チャックプレートを有するチャック構造物及びチャック構造物を有するチップ分離装置を詳しく説明する。本発明は多様に変更することができ、多様な形態を有することができるところ、特定の実施例を図面に例示して本文に詳細に説明する。しかし、これは、本発明を特定の開示形態に限定することではなく、本発明の思想及び技術範囲に含まれる全ての変更、均等物、乃至代替物を含むことを理解すべきである。各図面を説明において、類似の参照符号を類似の構成要素に対して付与した。添付の図面において、構造物の寸法は本発明の明確性のために実際よりも拡大して示した。
第１、第２等の用語は、多様な構成要素を説明するために使用することができるが、構成要素は用語によって限定されない。用語は一つの構成要素を他の構成要素から区別する目的としてのみ使用される。例えば、本発明の権利範囲から外れることなく、第１構成要素は第２構成要素と称され、同様に第２構成要素も第１構成要素と称され得る。
本明細書において使用する用語は、単に特定の実施例を説明するために用いられたことであって、本発明を限定しない。単数の表現は、文脈上、明白に異ならせて表現しない限り、複数の表現を含む。本明細書において、「含む」または「有する」等の用語は、明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品、又はこれらを組み合わせたものが存在することを意図するものであって、一つまたはそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部品、又はこれらの組合せの存在または付加の可能性を予め排除しないことを理解すべきである。
なお、異なるものとして定義しない限り、技術的であるか科学的な用語を含めてここで用いられる全ての用語は、本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者によって一般的に理解されるものと同一の意味を有している。一般的に用いられる辞典に定義されているもののような用語は、関連技術の文脈上で有する意味と一致する意味を有することと解釈すべきであり、本出願で明白に定義されない限り、理想的であるか過度に形式的な意味に解釈されない。
図１は、本発明の一実施例による半導体後工程用のチャック構造物を説明するための断面図であり、図２は、図１に示したチャック構造物の平面図である。図３は、図１に示したチャックプレートを説明するための底面図であり、図４は、図１に示したチャックプレートの他の例を説明するための底面図である。図５は、図１におけるＡ部分を拡大した拡大断面図である。
図１〜図５を参照すれば、チャック構造物１００は、複数のチップ１２にダイシングされ、テープ１４に付着されたウエハー１０を支持する。チャック構造物１００は、半導体後工程に用いられることから、半導体前工程の真空状態及び非活性ガス雰囲気で用いられるセラミックヒーターとは違って、チャック構造物１００は、大気状態及び酸化性ガス雰囲気で用いられ得る。
チャック構造物１００は、加熱プレート１１０、チャックプレート１２０、ガイドリング１３０、クランプ１４０、電源ケーブル１５０、温度センサー１６０及び軸１７０を含む。
加熱プレート１１０は、ほぼ円板形態を有し、外部から印加される電源によって熱を発生する発熱体１１２を内蔵する。
発熱体１１２は、加熱プレート１１０の内側面に一定のパターンをなすように備えられ得る。発熱体１１２の例には、電極層、発熱コイルなどが挙げられる。
加熱プレート１１０は、上面まで延びる第１真空ライン１１４を有する。第１真空ライン１１４は、加熱プレート１１０の下面または側面から前記上面まで延び得る。第１真空ライン１１４は、真空ポンプ（図示せず）と連結され、ウエハー１０を吸着するための真空力を提供する。
加熱プレート１１０は、上面に整列ピン１１６を有する。整列ピン１１６は、加熱プレート１１０及びチャックプレート１２０を整列するためのものであって、複数個が備えられ得る。整列ピン１１６は、加熱プレート１１０の上面縁部に配置され得る。
また、加熱プレート１１０は、上面縁部に沿って形成された溝１１８を有する。溝１１８は、ガイドリング１３０の固定に用いられ得る。
チャックプレート１２０は、ほぼ円板形態を有し、加熱プレート１１０上に設けられる。チャックプレート１２０は、上面にウエハー１０を支持する。
チャックプレート１２０は、前記真空力でウエハー１０のテープ１４を吸着するために、第１真空ライン１１４と連結される第２真空ライン１２２を有する。
第２真空ライン１２２は、真空溝１２２ａ及び複数の真空ホール１２２ｂを有する。
真空溝１２２ａは、チャックプレート１２０の下面に形成される。例えば、図３のように、真空溝１２２ａは、チャックプレート１２０の下面の中心を基準にして同心円の形態を有する溝と放射状で延びる溝とが結合した形状を有するか、図４のように、円形の溝形状を有し得る。この際、真空溝１１２ａは、前記真空力の漏洩を防止するためにチャックプレート１２０の下面縁部までは延びない。
チャックプレート１２０は、加熱プレート１１０上に設けられ、真空溝１２２ａは、加熱プレート１１０の上面とチャックプレート１２０の下面によって限定されて空間を形成する。また、真空溝１２２ａは、第１真空ライン１１４と連結される。
真空ホール１２２ｂは、チャックプレート１２０を貫通して真空溝１２２ａが形成された下面からチャックプレート１２０の上面まで延びる。真空ホール１２２ｂは、相互離隔するように配列される。例えば、真空ホール１２２ｂは、同心円の形状または放射状として配列され得る。
したがって、第２真空ライン１２２は、第１真空ライン１１４と連結され、第１真空ライン１１４によって提供される真空力によってウエハー１０のテープ１４を吸着することができる。
一方、図示していないが、本発明の他の実施例によれば、第２真空ライン１２２がチャックプレート１２０の上下を貫通する真空ホールからなり、第１真空ライン１１４が真空溝及び複数の真空ホールを有し得る。
この際、前記真空溝は、加熱プレート１１０の上面に第２真空ライン１２２と連結されるように備えられ、加熱プレート１１０の上面とチャックプレート１２０の下面によって限定されて空間を形成する。前記真空ホールは、加熱プレート１１０を貫通して前記真空溝が形成された上面まで延びる。前記真空溝の形態と前記真空ホールの配列についての説明は、第２真空ライン１２２における真空溝１２２ａの形態と真空ホール１２２ｂの配列についての説明と実質的に同一である。
また、図示していないが、本発明のまた他の実施例によれば、第１真空ライン１１４及び第２真空ライン１２２は、別の真空溝なく複数の真空ホールのみを各々含み得る。即ち、第１真空ライン１１４は、加熱プレート１１０の下面から上面まで貫通して形成された複数の第１真空ホールを含み、第２真空ライン１２２は、チャックプレート１２０の下面から上面まで貫通して形成された複数の第２真空ホールを含む。この際、前記第１真空ホール及び前記第２真空ホールは、別の真空溝なく相互直接接触して連結され得る。
そして、図示していないが、本発明のまた他の実施例によれば、第１真空ライン１１４及び第２真空ライン１２２が各々真空溝及び真空ホールを有し得る。即ち、第１真空ライン１１４が真空溝及び複数の真空ホールを有し、第２真空ライン１２２が、真空溝１２２ａ及び複数の真空ホール１２２ｂを有しても良い。この際、第１真空ライン１１４の真空溝と第２真空ライン１２２の真空溝１２２ａとは、相互連結され得る。
加熱プレート１１０の上面及びチャックプレート１２０の下面は、各々約１０μｍを超過する平坦度を有する場合、加熱プレート１１０とチャックプレート１２０との間に微細な間隔が存在し得る。したがって、加熱プレート１１０とチャックプレート１２０との間を通して前記真空力が漏洩し得る。
加熱プレート１１０の上面及びチャックプレート１２０の下面は、各々約１０μｍ以下、望ましくは７μｍ以下の平坦度を有する。この場合、加熱プレート１１０とチャックプレート１２０とが密着でき、加熱プレート１１０とチャックプレート１２０との間を通して前記真空力が漏れることを防止することができる。
加熱プレート１１０及びチャックプレート１２０は、第１真空ライン１１４及び第２真空ライン１２２によって提供される前記真空力によって密着した状態を維持することができる。そのため、加熱プレート１１０とチャックプレート１２０とを締結するための別の締結部材が不要である。
また、前記真空力を解除することだけで、加熱プレート１１０とチャックプレート１２０とを分離して交替することができる。これによって、チャック構造物１００のメインテナンスを迅速に行うことができる。
チャックプレート１２０は、加熱プレート１１０で発生した熱をウエハー１０に伝達する。テープ１４の接着剤は、熱によって接着力が弱化するので、チャックプレート１２０が伝達する熱によってチップ１２がテープ１４から分離可能となる。したがって、チップ１２の損傷なくチップ１２を分離することができる。
加熱プレート１１０及びチャックプレート１２０は、各々窒化アルミニウム（ＡｌＮ）材質で設けられ得る。前記窒化アルミニウムは、高い熱伝導率を有するため、発熱体１１２で発生した熱が加熱プレート１１０及びチャックプレート１２０に均一に伝達され得る。また、チャックプレート１２０の温度分布を均一にしてウエハー１０を均一に加熱することができる。
チャックプレート１２０は、整列ピン１１６を収容するための収容溝１２４を有する。収容溝１２４は、加熱プレート１１０の整列ピン１１６に対応する位置に形成され得る。例えば、収容溝１２４もチャックプレート１２０の縁部に配置され得る。
チャックプレート１２０が加熱プレート１１０の上面に設けられるとき、加熱プレート１１０の整列ピン１１６がチャックプレート１２０の収容溝１２４に挿入され得る。したがって、加熱プレート１１０とチャックプレート１２０とが正確に整列されることが可能である。
前記加熱プレート１１０に整列ピン１１６が備えられ、チャックプレート１２０に収容溝１２４が形成されることとして説明したが、加熱プレート１１０に収容溝が形成され、チャックプレート１２０に整列ピンが備えられてもよい。
また、チャックプレート１２０は、上面縁部に沿って形成された溝１２６を有する。溝１２６は、クランプ１４０が載置されるのに用いられ得る。
ガイドリング１３０は、加熱プレート１１０の上面縁部に沿って形成された溝１１８にかかり、加熱プレート１１０の周りをガイドする。
具体的に、ガイドリング１３０は、係止突起１３２を有し、係止突起１３２が溝１１８にかかることでガイドリング１３０が加熱プレート１１０に装着される。
一方、ガイドリング１３０の上面と加熱プレート１１０の上面とは、同じ高さに位置し得る。この場合、加熱プレート１１０にガイドリング１３０を装着した状態でチャックプレート１２０を加熱プレート１１０の上面に容易に載置することができる。
また、ガイドリング１３０の上面が加熱プレート１１０の上面よりも高く位置する場合、チャックプレート１２０を加熱プレート１１０の上面に載置するとき、ガイドリング１３０を整列基準として用いることができる。
クランプ１４０は、チャックプレート１２０の上面縁部を覆った状態でガイドリングに固定される。クランプ１４０は、締結ねじ１４２によってガイドリング１３０に固定され得る。
一例で、クランプ１４０は、複数個が備えられ、チャックプレート１２０の上面縁部を部分的に覆い得る。他の例で、クランプ１４０が略リング形態を有し、チャックプレート１２０の上面縁部を全体的に覆い得る。
クランプ１４０がチャックプレート１２０の上面縁部を覆った状態でガイドリング１３０に固定されるため、クランプ１４０がチャックプレート１２０を下方へ押圧し得る。したがって、クランプ１４０は、チャックプレート１２０を加熱プレート１１０に密着させることができる。そのため、加熱プレート１１０とチャックプレート１２０との間を通して前記真空力が漏れることを追加的に防止することができる。
クランプ１４０は係止突起１４４を有し、係止突起１４４がチャックプレート１２０の溝１２６に設けられ得る。したがって、クランプ１４０の上面とチャックプレート１２０の上面とを同じ高さに位置させることができる。そのため、クランプ１４０の干渉なくウエハー１０をチャックプレート１２０の上面へ安定的に移送して載置することができる。
ガイドリング１３０及びクランプ１４０は、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）材質からなり得る。前記酸化アルミニウムは断熱特性を有するため、ガイドリング１３０及びクランプ１４０は、加熱プレート１１０及びチャックプレート１２０の側面による熱損失を防止することができる。
電源ケーブル１５０は、加熱プレート１１０の内部まで延びて発熱体１１２と連結され、発熱体１１２が熱を発生させるための電源を提供する。
温度センサー１６０は、加熱プレート１１０の外部から内部まで延び、発熱体１１２の温度を測定する。温度センサー１６０で測定された温度は、発熱体１１２の温度制御に用いられ得る。
温度センサー１６０の例には、熱電対が挙げられる。
軸１７０は、加熱プレート１１０の下面に備えられ、加熱プレート１１０を支持する。例えば、軸１７０は、加熱プレート１１０にボルト締結され得る。
電源ケーブル１５０及び温度センサー１６０は、軸１７０を貫通して加熱プレート１１０に装着され得、軸１７０は、電源ケーブル１５０及び温度センサー１６０を固定する役割を果たし得る。
軸１７０は、加熱プレート１１０と相違する材質からなり得る。したがって、加熱プレート１１０で発生した熱が軸１７０によって損失することを防止することができる。
特に、軸１７０は、断熱特性を有する酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）材質からなり得る。したがって、加熱プレート１１０で発生した熱が軸１７０によって損失することをさらに抑制することができる。
前記チャック構造物１００は、ウエハー１０を吸着するための真空力で加熱プレート１１０とチャックプレート１２０とを相互密着させることができる。したがって、加熱プレート１１０とチャックプレート１２０とを締結するための別の締結部材が不要である。
また、前記真空力を解除することだけで加熱プレート１１０とチャックプレート１２０とを分離して交替することができる。これによって、チャック構造物１００のメインテナンスを迅速に行うことができる。
そして、前記チャック構造物１１０は、加熱プレート１１０で発生した熱をチャックプレート１２０を介してウエハー１０に伝達する。テープ１４の接着剤は、熱によって接着力が弱化するので、チャックプレート１２０が伝達する熱によってチップ１２がテープ１４から分離可能となる。したがって、チップ１２の損傷なくチップ１２を分離することができる。
図６は、本発明の一実施例によるチップ分離装置を説明するための概略的な断面図である。
図６を参照すれば、チップ分離装置３００は、チャック構造物１００及びピッカー２００を含む。
チャック構造物１００は、加熱プレート１１０、チャックプレート１２０、ガイドリング１３０、クランプ１４０、電源ケーブル１５０及び温度センサー１６０を含み、チャック構造物１００についての具体的な説明は、図１〜図５を参照した説明と実質的に同一であるので、省略する。
チャック構造物１００は、チップ１２のピックアップが行われる前、ピッカー２００が待機中である状態で加熱プレート１１０が熱を発生する。前記熱がチャックプレート１２０を介してウエハー１０に伝達され、チップ１２をテープ１４から分離する。チップ１２をテープ１４から分離するための時間を別に割り当てなくてもよいので、ピッカー２００が遅延なくチップ１２をピックアップすることができる。
ピッカー２００は、チャック構造物１００の上方に水平方向及び垂直方向へ移動可能に備えられる。ピッカー２００は、テープ１４から分離されたチップ１２を順次ピックアップして後続工程のために移送する。この際、ピッカー２００は、真空力を用いてチップ１２を固定することができる。
例えば、ピッカー２００は、チップ１２をバッファーステージに移送するか、チップ１２を基板に直接ボンディングし得る。
ピッカー２００がチップ１２をボンディングする場合、ピッカー２００は、内部にヒーター２１０を含み得る。
ヒーター２１０は、チップ１２を加熱してチップ１２が安定的に前記基板にボンディングされるようにする。
チップ分離装置３００は、チャック構造物１１０で発生した熱を用いてチップ１２をテープ１４から分離し、分離されたチップ１２はピッカー２００に移送する。そのため、チップ分離装置３００は、チップ１２を損傷なく分離して移送することができる。
上述のように、本発明による半導体後工程用のチャックプレート、これを有するチャック構造物及びチャック構造物を有するチップ分離装置は、ウエハーを吸着するための真空力で加熱プレートとチャックプレートとを密着させることができる。そして、前記真空力を解除することだけで前記加熱プレートと前記チャックプレートとを分離して修理または交替が可能であるため、前記チャック構造物のメインテナンスを迅速に行うことができる。
以上のように、本発明の望ましい実施例を参照して説明したが、本発明の技術分野における熟練した当業者が下記の特許請求の範囲に記載の本発明の思想及び領域から脱しない範囲内で多様な修正及び変形が可能であることは言うまでもない。

Claims (15)

  1. 加熱プレート上に設けられ、上面に複数のチップにダイシングされてテープに付着されたウエハーを支持し、前記チップが前記テープから分離されるように前記加熱プレートで発生した熱を前記ウエハーに伝達し、真空力で前記テープを吸着するために上下を貫通する複数の真空ホールを有することを特徴とする半導体後工程用のチャックプレート。
  2. 前記チャックプレートの下面に前記真空ホールと連結される真空溝を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体後工程用のチャックプレート。
  3. 前記チャックプレートの下面が、１０μｍ以下の平坦度を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体後工程用のチャックプレート。
  4. 外部から印加される電源によって熱を発生する発熱体を内蔵し、真空力を提供するために上面まで延びる第１真空ラインを有する加熱プレートと、
    前記加熱プレート上に設けられ、上面に複数のチップにダイシングされてテープに付着されたウエハーを支持し、前記チップが前記テープから分離されるように前記加熱プレートで発生した熱を前記ウエハーに伝達し、前記真空力で前記テープを吸着するために前記第１真空ラインと連結される第２真空ラインを有するチャックプレートと、を含むことを特徴とするチャック構造物。
  5. 前記第２真空ラインが、
    前記チャックプレートの下面に前記第１真空ラインと連結されるように備えられ、前記チャックプレートの下面と前記加熱プレートの上面によって限定されて空間を形成する真空溝と、
    前記チャックプレートを貫通し、前記真空溝が形成された下面から前記チャックプレートの上面まで延びる複数の真空ホールと、を含むことを特徴とする請求項４に記載のチャック構造物。
  6. 前記第１真空ラインが、
    前記加熱プレートの上面に前記第２真空ラインと連結されるように備えられ、前記チャックプレートの下面と前記加熱プレートの上面によって限定されて空間を形成する真空溝と、
    前記加熱プレートを貫通し、下面から前記真空溝が形成された上面まで延びる複数の真空ホールと、を含むことを特徴とする請求項４に記載のチャック構造物。
  7. 前記加熱プレートの上面と前記チャックプレートの下面のうちいずれか一面には整列ピンが備えられ、残りの一面には前記整列ピンを収容して前記加熱プレート及び前記チャックプレートを整列するための収容溝が備えられることを特徴とする請求項４に記載のチャック構造物。
  8. 前記加熱プレートで発生した熱を均一に伝達し、前記チャックプレートの温度分布を均一にするために、前記加熱プレート及び前記チャックプレートは、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）材質からなることを特徴とする請求項４に記載のチャック構造物。
  9. 前記加熱プレートの上面縁部に沿って形成された溝にかかり、前記加熱プレートの周りをガイドするガイドリングと、
    前記チャックプレートの上面縁部を覆った状態で前記ガイドリングに固定され、前記チャックプレートを前記加熱プレートに密着させて固定するクランプと、をさらに含むことを特徴とする請求項４に記載のチャック構造物。
  10. 前記クランプの上面と前記チャックプレートの上面とが同じ高さに位置するよう、前記クランプは、前記チャックプレートの上面端部に沿って形成された溝に設けられることを特徴とする請求項９に記載のチャック構造物。
  11. 前記加熱プレート及び前記チャックプレートの側面による熱損失を防止するために、前記ガイドリング及び前記クランプは、酸化アルミニウム材質からなることを特徴とする請求項９に記載のチャック構造物。
  12. 前記加熱プレートと前記チャックプレートとの間を通して前記真空力が漏れることを防止するために、前記加熱プレートの上面及び前記チャックプレートの下面の平坦度は、各々１０μｍ以下であることを特徴とする請求項４に記載のチャック構造物。
  13. 外部から印加される電源によって熱が発生する発熱体を内蔵し、真空力を提供するために上面まで延びる第１真空ラインを有する加熱プレートと、前記加熱プレート上に設けられ、上面に複数のチップに個別化したウエハーをテープで付着した状態で支持し、前記チップが前記テープから分離されるように前記加熱プレートで発生した熱を前記ウエハーに伝達し、前記真空力で前記テープを吸着するために前記第１真空ラインと連結される第２真空ラインを有するチャックプレートと、を含むチャック構造物と、
    前記チャック構造物上に備えられ、前記テープから分離されたチップを順次ピックアップして後続工程のために移送するピッカーと、を含むことを特徴とするチップ分離装置。
  14. 前記ピッカーは、前記分離されたチップを加熱するためのヒーターをさらに含むことを特徴とする請求項１３に記載のチップ分離装置。
  15. 前記チップの分離のために前記ピッカーが待機中である状態で前記加熱プレートが前記熱を発生して前記チップを前記テープから分離することを特徴とする請求項１３に記載のチップ分離装置。
JP2019500774A 2016-07-11 2017-07-04 半導体後工程用のチャックプレート、これを有するチャック構造物及びチャック構造物を有するチップ分離装置 Pending JP2019521526A (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2016-0087260 2016-07-11
KR1020160087260A KR102523850B1 (ko) 2016-07-11 2016-07-11 척 구조물 및 척 구조물을 갖는 칩 분리 장치
PCT/KR2017/007090 WO2018012783A1 (ko) 2016-07-11 2017-07-04 반도체 후공정용 척 플레이트, 상기 척 플레이트를 갖는 척 구조물 및 척 구조물을 갖는 칩 분리 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2019521526A true JP2019521526A (ja) 2019-07-25

Family

ID=60953110

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019500774A Pending JP2019521526A (ja) 2016-07-11 2017-07-04 半導体後工程用のチャックプレート、これを有するチャック構造物及びチャック構造物を有するチップ分離装置

Country Status (6)

Country Link
EP (1) EP3483925A4 (ja)
JP (1) JP2019521526A (ja)
KR (1) KR102523850B1 (ja)
CN (1) CN109417047A (ja)
TW (1) TWI665758B (ja)
WO (1) WO2018012783A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023119601A1 (ja) * 2021-12-23 2023-06-29 住友電気工業株式会社 ヒータ

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110124908B (zh) * 2019-06-21 2021-09-07 北京半导体专用设备研究所（中国电子科技集团公司第四十五研究所） 晶片真空吸附装置
CN114657536B (zh) * 2022-03-23 2024-04-16 广东省智能机器人研究院 一种ZnO薄膜生长用的MOCVD设备
US20230360950A1 (en) * 2022-05-05 2023-11-09 Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. Gang-flipping of dies prior to bonding

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6369250A (ja) * 1986-09-10 1988-03-29 Hitachi Electronics Eng Co Ltd 移動ステ−ジ機構
JPH04192348A (ja) * 1990-11-24 1992-07-10 Fuji Electric Co Ltd テープチップの剥離方法および装置
JPH09321123A (ja) * 1996-05-30 1997-12-12 Kaijo Corp 半導体部品供給装置
JP2011228745A (ja) * 2000-06-19 2011-11-10 Applied Materials Inc セラミック基体支持体
JP2012169548A (ja) * 2011-02-16 2012-09-06 Lintec Corp チップ状部品のピックアップ方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3955659B2 (ja) * 1997-06-12 2007-08-08 リンテック株式会社 電子部品のダイボンディング方法およびそれに使用されるダイボンディング装置
JP4386606B2 (ja) * 2001-11-08 2009-12-16 日本碍子株式会社 支持装置の製造方法
JP4137471B2 (ja) * 2002-03-04 2008-08-20 東京エレクトロン株式会社 ダイシング方法、集積回路チップの検査方法及び基板保持装置
KR20050113936A (ko) * 2004-05-31 2005-12-05 삼성전자주식회사 반도체 다이 픽업 장치 및 방법
JP2008103494A (ja) * 2006-10-18 2008-05-01 Lintec Corp 固定ジグおよびチップのピックアップ方法並びにピックアップ装置
US20090031955A1 (en) * 2007-07-30 2009-02-05 Applied Materials, Inc. Vacuum chucking heater of axisymmetrical and uniform thermal profile
KR101369437B1 (ko) * 2007-08-20 2014-03-04 세메스 주식회사 기판 가열 장치
US7989266B2 (en) * 2009-06-18 2011-08-02 Aptina Imaging Corporation Methods for separating individual semiconductor devices from a carrier
KR20120130849A (ko) * 2011-05-24 2012-12-04 엘지이노텍 주식회사 지지체와 웨이퍼를 분리하는 장치
KR101941489B1 (ko) * 2011-08-18 2019-01-23 세메스 주식회사 기판 가열 장치 및 방법
KR101534270B1 (ko) * 2015-02-23 2015-07-07 주식회사 엠피에스 기판 디스펜싱 장치

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6369250A (ja) * 1986-09-10 1988-03-29 Hitachi Electronics Eng Co Ltd 移動ステ−ジ機構
JPH04192348A (ja) * 1990-11-24 1992-07-10 Fuji Electric Co Ltd テープチップの剥離方法および装置
JPH09321123A (ja) * 1996-05-30 1997-12-12 Kaijo Corp 半導体部品供給装置
JP2011228745A (ja) * 2000-06-19 2011-11-10 Applied Materials Inc セラミック基体支持体
JP2012169548A (ja) * 2011-02-16 2012-09-06 Lintec Corp チップ状部品のピックアップ方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023119601A1 (ja) * 2021-12-23 2023-06-29 住友電気工業株式会社 ヒータ
JP7391294B2 (ja) 2021-12-23 2023-12-05 住友電気工業株式会社 ヒータ

Also Published As

Publication number Publication date
KR20180006647A (ko) 2018-01-19
CN109417047A (zh) 2019-03-01
TW201812983A (zh) 2018-04-01
EP3483925A4 (en) 2020-03-04
WO2018012783A1 (ko) 2018-01-18
KR102523850B1 (ko) 2023-04-21
EP3483925A1 (en) 2019-05-15
TWI665758B (zh) 2019-07-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2019521526A (ja) 半導体後工程用のチャックプレート、これを有するチャック構造物及びチャック構造物を有するチップ分離装置
JP6099347B2 (ja) ウエハ取り付け方法及びウエハ検査装置
JP5705873B2 (ja) 自動熱スライド剥離装置
JP6367084B2 (ja) 半導体チップの接合方法及び半導体チップの接合装置
JP6174059B2 (ja) 極薄ウェハーの仮接合の方法及び装置
US6791347B2 (en) Probe apparatus applicable to a wafer level burn-in screening
US20130153116A1 (en) Joint system, substrate processing system, and joint method
TWI559412B (zh) 熱壓鍵合過程中固定多個半導體器件的設備和鍵合方法
US20160190088A1 (en) Die Bonder and Methods of Using the Same
KR20230042124A (ko) 칩들을 본딩하기 위한 방법 및 디바이스
WO2010082094A2 (en) Method and apparatus for testing a semiconductor wafer
KR20160029867A (ko) 웨이퍼에 칩을 본딩하는 방법
KR20190052802A (ko) 척 플레이트, 상기 척 플레이트를 갖는 척 구조물 및 척 구조물을 갖는 본딩 장치
KR20190001271A (ko) 본딩 헤드 및 이를 갖는 본딩 장치
KR102347123B1 (ko) 본딩 헤드 및 이를 갖는 본딩 장치
JP6415328B2 (ja) 接合方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、接合装置及び接合システム
JP2015079832A (ja) 薄基板の矯正方法および矯正装置
KR102191517B1 (ko) 임시접합필름 라미네이션 장치 및 방법
JP2006005368A (ja) 半導体装置の製造方法
KR102556329B1 (ko) 반도체 기판을 지지하는 진공척
US8232183B2 (en) Process and apparatus for wafer-level flip-chip assembly
TW202347464A (zh) 晶片接合裝置、剝離治具及半導體裝置的製造方法
JP6616457B2 (ja) チップの接合方法及びチップの接合装置
JP2000216365A (ja) 半導体基板貼り合わせ方法とその装置
TWI408781B (zh) 形成保護膜於晶片級封裝上之裝置及其形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190110

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20191125

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20191210

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200306

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20200407

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20200527

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200820