JP2003133693A - 配線形成方法、回路形成方法、配線形成装置、回路形成装置 - Google Patents
配線形成方法、回路形成方法、配線形成装置、回路形成装置Info
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】従来実装が不可能であった曲面形状を有するケ
ースの内側等の空間部分に配線や回路を形成するための
方法、およびそれを実現する装置を提供する。 【解決手段】配線形成面となる曲面６０ａを有する配線
形成対象物６０を、多自由度の対象物変位機構２０にセ
ットする。そして、金属の微粒子を噴出する微粒子噴出
部３５ａと対象物６０での配線形成部との距離Ｌを計測
しつつ、金属の微粒子を用いて、曲面６０ａに直接、配
線パターン６１を描画することにより配線を形成する。
ースの内側等の空間部分に配線や回路を形成するための
方法、およびそれを実現する装置を提供する。 【解決手段】配線形成面となる曲面６０ａを有する配線
形成対象物６０を、多自由度の対象物変位機構２０にセ
ットする。そして、金属の微粒子を噴出する微粒子噴出
部３５ａと対象物６０での配線形成部との距離Ｌを計測
しつつ、金属の微粒子を用いて、曲面６０ａに直接、配
線パターン６１を描画することにより配線を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、曲面に配線や回路
を形成するための技術に関するものである。
を形成するための技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、電子回路は、一般的に平面の配線
基板上に回路構成部品を表面に実装して形成されてお
り、回路の実装サイズは、搭載部品自体の占有面積（フ
ットプリント面積）でほぼ決定されるまでになってい
る。更なる小型化は、回路構成部品（ベアチップ）を縦
方向に積層した積層実装を用いる方法、これまで回路に
使わなかったケース等にも回路を形成する方法に大別で
きる。これらの方法は、”A Review of 3-D Packaging
Technology”IEEE Transactions on component packagi
ng and manufacturing technology-part B vol.21 No.1
Feb.1998に系統的にまとめられている。
基板上に回路構成部品を表面に実装して形成されてお
り、回路の実装サイズは、搭載部品自体の占有面積（フ
ットプリント面積）でほぼ決定されるまでになってい
る。更なる小型化は、回路構成部品（ベアチップ）を縦
方向に積層した積層実装を用いる方法、これまで回路に
使わなかったケース等にも回路を形成する方法に大別で
きる。これらの方法は、”A Review of 3-D Packaging
Technology”IEEE Transactions on component packagi
ng and manufacturing technology-part B vol.21 No.1
Feb.1998に系統的にまとめられている。
【０００３】補聴器等に代表されるウエアラブル機器に
おいては、回路部の小型化が非常に重要であるにもかか
わらず、ケース等の曲面形状部分には、回路、回路構成
部品を実装できず、デッドスペースが生じるという問題
があった。
おいては、回路部の小型化が非常に重要であるにもかか
わらず、ケース等の曲面形状部分には、回路、回路構成
部品を実装できず、デッドスペースが生じるという問題
があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような背
景の下になされたものであり、その目的は、従来実装が
不可能であった曲面形状を有するケースの内側等の空間
部分に配線や回路を形成するための方法、およびそれを
実現する装置を提供することにある。
景の下になされたものであり、その目的は、従来実装が
不可能であった曲面形状を有するケースの内側等の空間
部分に配線や回路を形成するための方法、およびそれを
実現する装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明に
よれば、配線形成面となる曲面を有する配線形成対象物
を、多自由度の対象物変位機構にセットする。そして、
金属の微粒子を噴出する微粒子噴出部と対象物での配線
形成部との距離を計測しつつ、金属の微粒子を用いて、
曲面に直接、配線パターンを描画することにより配線を
形成する。よって、従来実装が不可能であった曲面形状
を有するケースの内側等の空間部分に配線を形成するこ
とができる。
よれば、配線形成面となる曲面を有する配線形成対象物
を、多自由度の対象物変位機構にセットする。そして、
金属の微粒子を噴出する微粒子噴出部と対象物での配線
形成部との距離を計測しつつ、金属の微粒子を用いて、
曲面に直接、配線パターンを描画することにより配線を
形成する。よって、従来実装が不可能であった曲面形状
を有するケースの内側等の空間部分に配線を形成するこ
とができる。
【０００６】請求項２に記載のように、金属の微粒子と
して金微粒子を用いるとともに、配線パターンの描画の
際に対象物での配線形成部を１００℃以上に加熱して描
画と同時に微粒子を焼結させて導電性を持つ配線とする
と、実用上好ましいものとなる。
して金微粒子を用いるとともに、配線パターンの描画の
際に対象物での配線形成部を１００℃以上に加熱して描
画と同時に微粒子を焼結させて導電性を持つ配線とする
と、実用上好ましいものとなる。
【０００７】請求項３に記載の発明によれば、回路形成
面となる曲面を有する回路形成対象物を、多自由度の対
象物変位機構にセットする。そして、金属の微粒子を噴
出する微粒子噴出部と対象物での回路形成部との距離を
計測しつつ、金属の微粒子を用いて、曲面に直接、配線
パターンとバンプ電極を描画する。さらに、配線パター
ンとバンプ電極に対しベアチップをフリップチップ実装
することにより回路を形成する。よって、従来実装が不
可能であった曲面形状を有するケースの内側等の空間部
分に回路を形成することができる。
面となる曲面を有する回路形成対象物を、多自由度の対
象物変位機構にセットする。そして、金属の微粒子を噴
出する微粒子噴出部と対象物での回路形成部との距離を
計測しつつ、金属の微粒子を用いて、曲面に直接、配線
パターンとバンプ電極を描画する。さらに、配線パター
ンとバンプ電極に対しベアチップをフリップチップ実装
することにより回路を形成する。よって、従来実装が不
可能であった曲面形状を有するケースの内側等の空間部
分に回路を形成することができる。
【０００８】ハンダリフローによりフリップチップ実装
を行うことができない場合において、請求項４の記載の
ように、導電性ペーストを用いてベアチップをフリップ
チップ実装するとよい。
を行うことができない場合において、請求項４の記載の
ように、導電性ペーストを用いてベアチップをフリップ
チップ実装するとよい。
【０００９】請求項５に記載のように、ベアチップを実
装した後において樹脂モールドするようにしてもよい。
請求項６に記載の発明によれば、配線形成面となる曲面
を有する配線形成対象物を、多自由度の対象物変位機構
にセットする。そして、金属の微粒子を噴出する微粒子
噴出部と対象物での配線形成部との距離を計測しつつ、
金属の微粒子を用いて、曲面に直接、配線パターンと積
層実装のための層間接続電極を描画する。さらに、配線
パターンに対しチップ部品を実装した後、層間接続電極
が露出する程度に実装面を絶縁物で覆う。その後、金属
の微粒子を噴出する微粒子噴出部と対象物での絶縁物の
表面との距離を計測しつつ、金属の微粒子を用いて、絶
縁物の表面に直接、配線パターンを層間接続電極とつな
がるようにして描画する。よって、従来実装が不可能で
あった曲面形状を有するケースの内側等の空間部分にお
いて、多層構造の回路を形成することができる。
装した後において樹脂モールドするようにしてもよい。
請求項６に記載の発明によれば、配線形成面となる曲面
を有する配線形成対象物を、多自由度の対象物変位機構
にセットする。そして、金属の微粒子を噴出する微粒子
噴出部と対象物での配線形成部との距離を計測しつつ、
金属の微粒子を用いて、曲面に直接、配線パターンと積
層実装のための層間接続電極を描画する。さらに、配線
パターンに対しチップ部品を実装した後、層間接続電極
が露出する程度に実装面を絶縁物で覆う。その後、金属
の微粒子を噴出する微粒子噴出部と対象物での絶縁物の
表面との距離を計測しつつ、金属の微粒子を用いて、絶
縁物の表面に直接、配線パターンを層間接続電極とつな
がるようにして描画する。よって、従来実装が不可能で
あった曲面形状を有するケースの内側等の空間部分にお
いて、多層構造の回路を形成することができる。
【００１０】請求項７に記載のように、絶縁物として熱
硬化性樹脂を用いるとよい。請求項８に記載のように、
層間接続電極が露出する程度に実装面を絶縁物で覆う工
程として、層間接続電極を絶縁物で覆った後、研削にて
層間接続電極を露出させるようにするとよい。
硬化性樹脂を用いるとよい。請求項８に記載のように、
層間接続電極が露出する程度に実装面を絶縁物で覆う工
程として、層間接続電極を絶縁物で覆った後、研削にて
層間接続電極を露出させるようにするとよい。
【００１１】請求項９に記載のように、チップ部品の実
装は、曲面に直接、描画した配線パターンとバンプ電極
に対しベアチップをフリップチップ実装するものとする
ことができる。ここで、請求項１０に記載のように、ベ
アチップのフリップチップ実装を、導電性ペーストを用
いて行うようにしてもよい。さらに、請求項１１に記載
のように、ベアチップをフリップチップ実装した後にお
いて、樹脂モールドしてもよい。
装は、曲面に直接、描画した配線パターンとバンプ電極
に対しベアチップをフリップチップ実装するものとする
ことができる。ここで、請求項１０に記載のように、ベ
アチップのフリップチップ実装を、導電性ペーストを用
いて行うようにしてもよい。さらに、請求項１１に記載
のように、ベアチップをフリップチップ実装した後にお
いて、樹脂モールドしてもよい。
【００１２】配線形成装置として、請求項１２〜１６に
記載の装置を用いるとよい。また、回路形成装置とし
て、請求項１７〜２１に記載の装置を用いるとよい。
記載の装置を用いるとよい。また、回路形成装置とし
て、請求項１７〜２１に記載の装置を用いるとよい。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、この発明を具体化した実施
の形態を図面に従って説明する。図１には、実施形態に
おける製造装置（配線・回路形成装置）の概略構成を示
す。同装置は、対象物に配線パターン等を直接、描画す
ることができ、この直描するための対象物変位機構（直
描ステージ）を図２に示す。図４には、本製造装置の電
気的構成を示す。
の形態を図面に従って説明する。図１には、実施形態に
おける製造装置（配線・回路形成装置）の概略構成を示
す。同装置は、対象物に配線パターン等を直接、描画す
ることができ、この直描するための対象物変位機構（直
描ステージ）を図２に示す。図４には、本製造装置の電
気的構成を示す。
【００１４】本装置は、ＪＰＳ（Jet Printing Syste
m）、つまり、金属超微粒子をノズルから高速で基板の
所定の位置に吹き付けて直描する手法を用いている。図
１に示すように、本製造装置は、真空加熱装置１０と、
対象物変位機構２０と、微粒子噴出装置３０と、距離計
測機器４０と、図４に示す制御装置５０を備えている。
m）、つまり、金属超微粒子をノズルから高速で基板の
所定の位置に吹き付けて直描する手法を用いている。図
１に示すように、本製造装置は、真空加熱装置１０と、
対象物変位機構２０と、微粒子噴出装置３０と、距離計
測機器４０と、図４に示す制御装置５０を備えている。
【００１５】まず、図１の真空加熱装置１０に関して、
真空加熱装置１０はチャンバー１１を備え、このチャン
バー１１内に対象物６０が配置されることになる。対象
物６０は配線形成面（回路形成面）となる曲面６０ａを
有する。本例では対象物６０は、図５（ａ）に示すよう
に、お椀形をなす曲面基板を用いており、その内面（曲
面）６０ａに配線もしくは回路を形成するものである。
図１のチャンバー１１の内部はポンプ８１，８２を用い
て真空状態にすることができるようになっている。より
詳しくは、１Ｐａ程度にすることができる。また、チャ
ンバー１１内には対象物６０を加熱するためのヒータ１
２が設けられ、対象物６０を真空状態で加熱することが
できる。また、温度センサ１３により対象物６０の温度
が検出される。
真空加熱装置１０はチャンバー１１を備え、このチャン
バー１１内に対象物６０が配置されることになる。対象
物６０は配線形成面（回路形成面）となる曲面６０ａを
有する。本例では対象物６０は、図５（ａ）に示すよう
に、お椀形をなす曲面基板を用いており、その内面（曲
面）６０ａに配線もしくは回路を形成するものである。
図１のチャンバー１１の内部はポンプ８１，８２を用い
て真空状態にすることができるようになっている。より
詳しくは、１Ｐａ程度にすることができる。また、チャ
ンバー１１内には対象物６０を加熱するためのヒータ１
２が設けられ、対象物６０を真空状態で加熱することが
できる。また、温度センサ１３により対象物６０の温度
が検出される。
【００１６】対象物変位機構２０に関して、同機構２０
は真空加熱装置１０による真空加熱下（チャンバー１１
内）において保持した対象物６０に対し多自由度を有し
ている。詳しくは、図２に示すように、直交３軸方向
（Ｘ、Ｙ、Ｚ方向）に移動可能なシャフト２１が設けら
れ、このＸＹＺ軸に可動なシャフト２１の先端には取付
台座２２が固定されている。取付台座２２から一対のア
ーム２３ａ，２３ｂが下方に延びており、アーム２３
ａ，２３ｂの間には対象物ホルダ２４が回転軸Ｌ１を中
心にして回転可能に連結支持されている。対象物ホルダ
２４は四角板状をなし、中心部には円形の貫通孔２４ａ
が設けられている。この貫通孔２４ａに図３に示すよう
に対象物６０を挿入して保持することができるようにな
っている。また、図２において対象物ホルダ２４からは
アーム２５が延び、同アーム２５には回転軸支持プレー
ト２６が固定されている。このプレート２６にはチャッ
カ２７が回転軸Ｌ２を中心にして回転可能に連結支持さ
れ、かつ、チャッカ２７は軸方向（Ｌ２方向）に移動で
きるようになっている。このチャッカ２７により、図３
のごとくホルダ２４の貫通孔２４ａに配した対象物６０
を、回転軸Ｌ２を中心に回転可能に支持することができ
るようになっている。つまり、対象物ホルダ２４に保持
した対象物６０を軸Ｌ２を中心にして回転することがで
きる。また、図２に示すように、２つの回転軸Ｌ１，Ｌ
２はホルダ２４の貫通孔２４ａの中心（対象物６０を保
持する部位の中心）を通っている。
は真空加熱装置１０による真空加熱下（チャンバー１１
内）において保持した対象物６０に対し多自由度を有し
ている。詳しくは、図２に示すように、直交３軸方向
（Ｘ、Ｙ、Ｚ方向）に移動可能なシャフト２１が設けら
れ、このＸＹＺ軸に可動なシャフト２１の先端には取付
台座２２が固定されている。取付台座２２から一対のア
ーム２３ａ，２３ｂが下方に延びており、アーム２３
ａ，２３ｂの間には対象物ホルダ２４が回転軸Ｌ１を中
心にして回転可能に連結支持されている。対象物ホルダ
２４は四角板状をなし、中心部には円形の貫通孔２４ａ
が設けられている。この貫通孔２４ａに図３に示すよう
に対象物６０を挿入して保持することができるようにな
っている。また、図２において対象物ホルダ２４からは
アーム２５が延び、同アーム２５には回転軸支持プレー
ト２６が固定されている。このプレート２６にはチャッ
カ２７が回転軸Ｌ２を中心にして回転可能に連結支持さ
れ、かつ、チャッカ２７は軸方向（Ｌ２方向）に移動で
きるようになっている。このチャッカ２７により、図３
のごとくホルダ２４の貫通孔２４ａに配した対象物６０
を、回転軸Ｌ２を中心に回転可能に支持することができ
るようになっている。つまり、対象物ホルダ２４に保持
した対象物６０を軸Ｌ２を中心にして回転することがで
きる。また、図２に示すように、２つの回転軸Ｌ１，Ｌ
２はホルダ２４の貫通孔２４ａの中心（対象物６０を保
持する部位の中心）を通っている。
【００１７】また、各回転軸Ｌ１，Ｌ２を回転させるた
めのアクチュエータとしてのモータは、図１に示すよう
にチャンバー１１の外に配置され（図中のモータ２８，
２９）、フレックス・シャフトを用いて動力をチャンバ
ー１１内の各軸Ｌ１，Ｌ２に伝達するようになってい
る。これは、チャンバー１１内は加熱されるためモータ
を配置することができないからである。
めのアクチュエータとしてのモータは、図１に示すよう
にチャンバー１１の外に配置され（図中のモータ２８，
２９）、フレックス・シャフトを用いて動力をチャンバ
ー１１内の各軸Ｌ１，Ｌ２に伝達するようになってい
る。これは、チャンバー１１内は加熱されるためモータ
を配置することができないからである。
【００１８】このように、対象物変位機構２０は、ＸＹ
Ｚ軸に可動な部材２１（図２参照）に対し、２回転軸の
自由度を持ち、対象物を保持する第２の部材（符号２２
〜２７で示す部材）を連結したものとなっている。その
結果、対象物変位機構２０は、チャンバー（描画室）１
１内においてＸ、Ｙ、Ｚ方向と２回転方向の計５自由度
を有することになる。
Ｚ軸に可動な部材２１（図２参照）に対し、２回転軸の
自由度を持ち、対象物を保持する第２の部材（符号２２
〜２７で示す部材）を連結したものとなっている。その
結果、対象物変位機構２０は、チャンバー（描画室）１
１内においてＸ、Ｙ、Ｚ方向と２回転方向の計５自由度
を有することになる。
【００１９】図１の微粒子噴出装置３０は、チャンバー
３１を備えており、チャンバー３１内はポンプ８１，８
２により２００ｋＰａ程度にされるとともに、ポンプ８
３の駆動に伴ないながらのヘリウムの供給が行われる。
前述のチャンバー１１と本チャンバー３１とは搬送管３
５によって連通している。チャンバー３１内においてル
ツボ３２が配置されている。ルツボ３２内には金ソース
３４が配置され、誘導コイル３３による加熱により金が
蒸発し、搬送管３５に供給される。そして、前記チャン
バー１１内において搬送管３５の先端（ノズル先端）３
５ａから、金属の微粒子としての金微粒子が高速で噴出
して対象物６０に吹き付けられる。このとき、搬送管先
端３５ａと対象物６０との距離で、描画する配線パター
ン等の線の太さが変化する。また、対象物６０を所定時
間固定すればその時間によりバンプ電極や柱状電極が得
られる。
３１を備えており、チャンバー３１内はポンプ８１，８
２により２００ｋＰａ程度にされるとともに、ポンプ８
３の駆動に伴ないながらのヘリウムの供給が行われる。
前述のチャンバー１１と本チャンバー３１とは搬送管３
５によって連通している。チャンバー３１内においてル
ツボ３２が配置されている。ルツボ３２内には金ソース
３４が配置され、誘導コイル３３による加熱により金が
蒸発し、搬送管３５に供給される。そして、前記チャン
バー１１内において搬送管３５の先端（ノズル先端）３
５ａから、金属の微粒子としての金微粒子が高速で噴出
して対象物６０に吹き付けられる。このとき、搬送管先
端３５ａと対象物６０との距離で、描画する配線パター
ン等の線の太さが変化する。また、対象物６０を所定時
間固定すればその時間によりバンプ電極や柱状電極が得
られる。
【００２０】図１，２に示すように、搬送管（ノズル）
３５の先端部分には、距離計測機器としてのレーザ変位
計４０が設置されている。そして、レーザ変位計４０に
より微粒子噴出装置３０の噴出部３５ａと対象物６０で
の配線形成部（回路形成部）との距離Ｌを計測すること
ができるようになっている。レーザ変位計４０のレーザ
スポットは５０μｍとした。
３５の先端部分には、距離計測機器としてのレーザ変位
計４０が設置されている。そして、レーザ変位計４０に
より微粒子噴出装置３０の噴出部３５ａと対象物６０で
の配線形成部（回路形成部）との距離Ｌを計測すること
ができるようになっている。レーザ変位計４０のレーザ
スポットは５０μｍとした。
【００２１】図４において、制御装置５０はマイクロコ
ンピュータを中心に構成されている。制御装置５０はレ
ーザ変位計４０からの信号により微粒子噴出装置の噴出
部３５ａと対象物６０での配線・回路形成部との距離Ｌ
を検知する。また、制御装置５０は温度センサ１３から
の信号により対象物６０の温度を検知する。さらに、制
御装置５０は対象物６０の位置や向きを変えるためのア
クチュエータ、具体的には図１のモータ２８，２９等を
駆動制御する。また、制御装置５０は微粒子噴出装置３
０を制御して微粒子の噴出の開始や停止を制御する。さ
らに、制御装置５０はヒータ１２を制御して対象物６０
を所望の温度に制御する。
ンピュータを中心に構成されている。制御装置５０はレ
ーザ変位計４０からの信号により微粒子噴出装置の噴出
部３５ａと対象物６０での配線・回路形成部との距離Ｌ
を検知する。また、制御装置５０は温度センサ１３から
の信号により対象物６０の温度を検知する。さらに、制
御装置５０は対象物６０の位置や向きを変えるためのア
クチュエータ、具体的には図１のモータ２８，２９等を
駆動制御する。また、制御装置５０は微粒子噴出装置３
０を制御して微粒子の噴出の開始や停止を制御する。さ
らに、制御装置５０はヒータ１２を制御して対象物６０
を所望の温度に制御する。
【００２２】また、直描するためのデータ、例えば、配
線パターンに関するデータや電極形成のためのデータは
制御装置５０内に予め記憶されており、このデータを用
いて制御装置５０は所望の直描動作を行わせる。
線パターンに関するデータや電極形成のためのデータは
制御装置５０内に予め記憶されており、このデータを用
いて制御装置５０は所望の直描動作を行わせる。
【００２３】制御装置５０の動作に関して、描画の際に
は、レーザ変位計４０による計測結果、即ち、微粒子噴
出装置の噴出部３５ａと対象物６０での配線・回路形成
部との距離Ｌを常時モニタし、その距離情報を元に、距
離Ｌが一定になるように、対象物変位機構２０（モータ
等のアクチュエータ）を制御する。より詳しくは、搬送
管３５の内径が５０μｍの場合において、搬送管先端３
５ａと描画面との距離Ｌを１００μｍにする。また、描
画の際には、制御装置５０は微粒子噴出装置３０の噴出
部３５ａからの金属の微粒子を用いて対象物６０を変位
させつつ対象物６０の曲面６０ａに直接、配線パターン
やチップ実装用バンプ電極等を描画する。
は、レーザ変位計４０による計測結果、即ち、微粒子噴
出装置の噴出部３５ａと対象物６０での配線・回路形成
部との距離Ｌを常時モニタし、その距離情報を元に、距
離Ｌが一定になるように、対象物変位機構２０（モータ
等のアクチュエータ）を制御する。より詳しくは、搬送
管３５の内径が５０μｍの場合において、搬送管先端３
５ａと描画面との距離Ｌを１００μｍにする。また、描
画の際には、制御装置５０は微粒子噴出装置３０の噴出
部３５ａからの金属の微粒子を用いて対象物６０を変位
させつつ対象物６０の曲面６０ａに直接、配線パターン
やチップ実装用バンプ電極等を描画する。
【００２４】次に、曲面に対する配線形成方法、回路形
成方法について説明する。 （第１の形成方法）まず、図５（ａ）に示すように、回
路形成面（配線形成面）となる曲面６０ａを有する回路
形成対象物（配線形成対象物）６０を用意し、この対象
物６０を、図３に示すように、多自由度の対象物変位機
構２０にセットする。そして、対象物６０での曲面６０
ａ、即ち、回路形成部（配線形成部）を１００℃以上に
加熱する。
成方法について説明する。 （第１の形成方法）まず、図５（ａ）に示すように、回
路形成面（配線形成面）となる曲面６０ａを有する回路
形成対象物（配線形成対象物）６０を用意し、この対象
物６０を、図３に示すように、多自由度の対象物変位機
構２０にセットする。そして、対象物６０での曲面６０
ａ、即ち、回路形成部（配線形成部）を１００℃以上に
加熱する。
【００２５】この状態で、図５（ｂ）に示すように、金
属の微粒子を噴出する微粒子噴出部（ノズル先端）３５
ａと対象物６０での回路形成部（配線形成部）との距離
Ｌを計測して一定の間隔を維持しつつ金属の微粒子を用
いて、曲面６０ａに直接、配線パターン６１とバンプ電
極（円錐状の電極）６２を描画する。このとき、対象物
６０での曲面６０ａが１００℃以上に加熱されているの
で、描画と同時に微粒子が焼結して導電性を持つように
なる。配線パターン６１の厚さは数μｍ〜数十μｍ、バ
ンプ電極６２の高さは、２０〜１００μｍ程度である。
また、配線パターン６１およびバンプ電極６２の厚さ
は、描画速度を変更することで調整される。図５（ｃ）
には、曲面６０ａにおける必要な箇所に配線パターン６
１とバンプ電極６２を描画した後の状態を示す。
属の微粒子を噴出する微粒子噴出部（ノズル先端）３５
ａと対象物６０での回路形成部（配線形成部）との距離
Ｌを計測して一定の間隔を維持しつつ金属の微粒子を用
いて、曲面６０ａに直接、配線パターン６１とバンプ電
極（円錐状の電極）６２を描画する。このとき、対象物
６０での曲面６０ａが１００℃以上に加熱されているの
で、描画と同時に微粒子が焼結して導電性を持つように
なる。配線パターン６１の厚さは数μｍ〜数十μｍ、バ
ンプ電極６２の高さは、２０〜１００μｍ程度である。
また、配線パターン６１およびバンプ電極６２の厚さ
は、描画速度を変更することで調整される。図５（ｃ）
には、曲面６０ａにおける必要な箇所に配線パターン６
１とバンプ電極６２を描画した後の状態を示す。
【００２６】引き続き、対象物６０を変位機構２０から
取り外し、図６（ａ），（ｂ）に示すように、ベアチッ
プ６４をフリップチップ実装する。詳しくは、実装する
部分に異方導電性ペースト６３を塗布し、ベアチップ６
４を配置した後、図示していない加圧治具で１バンプあ
たり数十〜百数十ｇｆの荷重を加えながら異方導電性ペ
ースト６３を熱硬化させる。硬化温度は、１２０℃〜１
４０℃である。異方導電性ペースト６３を用いてフリッ
プチップ実装しているのは、バンプ電極６２が金で形成
されているためハンダリフローは使用することができな
いためである。
取り外し、図６（ａ），（ｂ）に示すように、ベアチッ
プ６４をフリップチップ実装する。詳しくは、実装する
部分に異方導電性ペースト６３を塗布し、ベアチップ６
４を配置した後、図示していない加圧治具で１バンプあ
たり数十〜百数十ｇｆの荷重を加えながら異方導電性ペ
ースト６３を熱硬化させる。硬化温度は、１２０℃〜１
４０℃である。異方導電性ペースト６３を用いてフリッ
プチップ実装しているのは、バンプ電極６２が金で形成
されているためハンダリフローは使用することができな
いためである。
【００２７】このようにして、配線パターン６１とバン
プ電極６２に対しベアチップ６４をフリップチップ実装
することにより回路を形成する。その結果、従来実装が
不可能であった曲面形状を有するケースの内側等の空間
部分に回路（配線）を形成することができる。なお、こ
の後に樹脂モールドしてもよい。 （第２の形成方法）次に、第２の形成方法を、第１の形
成方法との相違点を中心に説明する。
プ電極６２に対しベアチップ６４をフリップチップ実装
することにより回路を形成する。その結果、従来実装が
不可能であった曲面形状を有するケースの内側等の空間
部分に回路（配線）を形成することができる。なお、こ
の後に樹脂モールドしてもよい。 （第２の形成方法）次に、第２の形成方法を、第１の形
成方法との相違点を中心に説明する。
【００２８】図７〜図１０は本例での工程説明図であ
る。本例では、チップを樹脂層に埋め込み積層すること
で実装密度を向上させている。また、直描のとき、配線
およびバンプ電極に加えて層間接続のための柱状電極
（例えば、図７（ｂ）において符号６５で示す）も形成
する。さらに、対象物にベアチップを実装し、その上に
樹脂層を形成し、この後、ベアチップを更に積層してい
く。
る。本例では、チップを樹脂層に埋め込み積層すること
で実装密度を向上させている。また、直描のとき、配線
およびバンプ電極に加えて層間接続のための柱状電極
（例えば、図７（ｂ）において符号６５で示す）も形成
する。さらに、対象物にベアチップを実装し、その上に
樹脂層を形成し、この後、ベアチップを更に積層してい
く。
【００２９】以下に、工程を詳しく説明する。まず、図
７（ａ）に示すように、回路形成面（配線形成面）とな
る曲面６０ａを有する回路形成対象物（配線形成対象
物）６０を用意し、この対象物６０を、図３に示すよう
に、多自由度の対象物変位機構２０にセットする。
７（ａ）に示すように、回路形成面（配線形成面）とな
る曲面６０ａを有する回路形成対象物（配線形成対象
物）６０を用意し、この対象物６０を、図３に示すよう
に、多自由度の対象物変位機構２０にセットする。
【００３０】そして、図７（ｂ）に示すように、金属の
微粒子を噴出する微粒子噴出部（ノズル先端）３５ａと
対象物６０での回路形成部（配線形成部）との距離Ｌを
計測して一定の間隔を維持しつつ金属の微粒子を用い
て、曲面６０ａに直接、配線パターン６１とバンプ電極
（円錐状の電極）６２と積層実装のための層間接続電極
（柱状電極）６５を描画する。配線パターン６１とバン
プ電極６２と層間接続電極６５の厚さは、描画速度を変
更することで調整される。図７（ｃ）には、曲面６０ａ
における必要な箇所に配線パターン６１とバンプ電極６
２と層間接続電極６５を描画した後の状態を示す。
微粒子を噴出する微粒子噴出部（ノズル先端）３５ａと
対象物６０での回路形成部（配線形成部）との距離Ｌを
計測して一定の間隔を維持しつつ金属の微粒子を用い
て、曲面６０ａに直接、配線パターン６１とバンプ電極
（円錐状の電極）６２と積層実装のための層間接続電極
（柱状電極）６５を描画する。配線パターン６１とバン
プ電極６２と層間接続電極６５の厚さは、描画速度を変
更することで調整される。図７（ｃ）には、曲面６０ａ
における必要な箇所に配線パターン６１とバンプ電極６
２と層間接続電極６５を描画した後の状態を示す。
【００３１】さらに、対象物６０を変位機構２０から取
り外し、図８（ａ）に示すように、ベアチップを実装す
る部分に異方導電性ペースト６６を塗布し、図８（ｂ）
に示すように、その上にベアチップ６７を配置する。さ
らに、図示していない加圧治具で１バンプあたり数十〜
百数十ｇｆの荷重を加えながら異方導電性ペースト６６
を熱硬化させる。硬化温度は、１２０℃〜１５０℃とし
た。このように、ベアチップ６７を、バンプ電極６２を
用いてフリップチップ実装する（配線パターン６１に対
しチップ部品６７を実装する）。詳しくは、チップ部品
６７の実装は、曲面６０ａに直接、描画した配線パター
ン６１とバンプ電極６２に対しベアチップ６７をフリッ
プチップ実装することにより行う。
り外し、図８（ａ）に示すように、ベアチップを実装す
る部分に異方導電性ペースト６６を塗布し、図８（ｂ）
に示すように、その上にベアチップ６７を配置する。さ
らに、図示していない加圧治具で１バンプあたり数十〜
百数十ｇｆの荷重を加えながら異方導電性ペースト６６
を熱硬化させる。硬化温度は、１２０℃〜１５０℃とし
た。このように、ベアチップ６７を、バンプ電極６２を
用いてフリップチップ実装する（配線パターン６１に対
しチップ部品６７を実装する）。詳しくは、チップ部品
６７の実装は、曲面６０ａに直接、描画した配線パター
ン６１とバンプ電極６２に対しベアチップ６７をフリッ
プチップ実装することにより行う。
【００３２】その後、図８（ｃ）に示すように、チップ
部品を実装した面に、エポキシ系の熱硬化性樹脂６８を
塗布し、熱硬化させる。塗布は、エポキシ系熱硬化性樹
脂６８がベアチップ６７や層間接続電極６５を完全に覆
うよう行う。エポキシ系熱硬化性樹脂６８の材料は、積
層プロセス中の加圧・加熱に対して十分な耐性を持つも
のを選択する。具体的には、ガラス転移温度が１５０℃
以上の材料を用いる。そして、図９（ａ）に示すよう
に、樹脂層６８を研削機を用いて層間接続電極６５が露
出するまで研削する。このようにして、層間接続電極６
５が露出する程度に実装面を絶縁物６８で覆う。
部品を実装した面に、エポキシ系の熱硬化性樹脂６８を
塗布し、熱硬化させる。塗布は、エポキシ系熱硬化性樹
脂６８がベアチップ６７や層間接続電極６５を完全に覆
うよう行う。エポキシ系熱硬化性樹脂６８の材料は、積
層プロセス中の加圧・加熱に対して十分な耐性を持つも
のを選択する。具体的には、ガラス転移温度が１５０℃
以上の材料を用いる。そして、図９（ａ）に示すよう
に、樹脂層６８を研削機を用いて層間接続電極６５が露
出するまで研削する。このようにして、層間接続電極６
５が露出する程度に実装面を絶縁物６８で覆う。
【００３３】引き続き、再度、対象物６０を変位機構２
０にセットし、図９（ｂ）に示すように、２層目の配線
を形成すべく、金属の微粒子を噴出する微粒子噴出部
（ノズル先端）３５ａと対象物６０での絶縁物６８の表
面との距離Ｌを計測して一定距離を維持しつつ、金属の
微粒子を用いて、絶縁物６８の表面に直接、配線パター
ン６９とバンプ電極７０を描画する。このとき、配線パ
ターン６９と層間接続電極６５がとつながるように描画
する。
０にセットし、図９（ｂ）に示すように、２層目の配線
を形成すべく、金属の微粒子を噴出する微粒子噴出部
（ノズル先端）３５ａと対象物６０での絶縁物６８の表
面との距離Ｌを計測して一定距離を維持しつつ、金属の
微粒子を用いて、絶縁物６８の表面に直接、配線パター
ン６９とバンプ電極７０を描画する。このとき、配線パ
ターン６９と層間接続電極６５がとつながるように描画
する。
【００３４】そして、対象物６０を変位機構２０から取
り外し、図１０（ａ）に示すように、２層目のチップ部
品を実装すべく、第１層と同様に異方導電性ペースト７
１を塗布し、図１０（ｂ）に示すように、第２層目のベ
アチップ７２を配置し熱硬化させてチップ部品の実装を
行う。その結果、曲面６０ａにおいて多層構造の回路を
形成することができる。
り外し、図１０（ａ）に示すように、２層目のチップ部
品を実装すべく、第１層と同様に異方導電性ペースト７
１を塗布し、図１０（ｂ）に示すように、第２層目のベ
アチップ７２を配置し熱硬化させてチップ部品の実装を
行う。その結果、曲面６０ａにおいて多層構造の回路を
形成することができる。
【００３５】なお、最も表層側のチップを実装した後に
おいて樹脂モールドしてもよい。以上のように、樹脂層
６８にフリップチップ実装したベアチップ６７を埋め込
むが、層間接続は（チップ相互の電気的接続は）、樹脂
層６８に埋め込まれた層間接続電極６５と配線パターン
６１，６９で行うため、中継基板が不要となる。また、
バンプ電極６２を基板側に形成するため、チップ６７側
に特殊な電極を必要としない。さらに、バンプ電極６２
を基板側に形成するため、チップ６７側にバンプ電極６
２を形成する必要が無くベアチップ６７の適用が容易と
なる。
おいて樹脂モールドしてもよい。以上のように、樹脂層
６８にフリップチップ実装したベアチップ６７を埋め込
むが、層間接続は（チップ相互の電気的接続は）、樹脂
層６８に埋め込まれた層間接続電極６５と配線パターン
６１，６９で行うため、中継基板が不要となる。また、
バンプ電極６２を基板側に形成するため、チップ６７側
に特殊な電極を必要としない。さらに、バンプ電極６２
を基板側に形成するため、チップ６７側にバンプ電極６
２を形成する必要が無くベアチップ６７の適用が容易と
なる。
【００３６】また、積層したチップ相互の電気的接続の
ための層間接続用電極形成にビアホールの形成やその埋
込工程が不要で、プロセスを簡素化できる。さらに、局
所的に金属超微粒子を堆積させる方法を用いることでバ
ンプ電極（６２等）、配線パターン（６１等）、層間接
続電極６５の形成を完全にドライプロセス化できるため
プロセスが簡素化できる。また、微細配線を直描するた
め、マスクやスクリーンが不要で、プロセスを簡素化で
きる。
ための層間接続用電極形成にビアホールの形成やその埋
込工程が不要で、プロセスを簡素化できる。さらに、局
所的に金属超微粒子を堆積させる方法を用いることでバ
ンプ電極（６２等）、配線パターン（６１等）、層間接
続電極６５の形成を完全にドライプロセス化できるため
プロセスが簡素化できる。また、微細配線を直描するた
め、マスクやスクリーンが不要で、プロセスを簡素化で
きる。
【００３７】よって、従来の実装では困難であった、異
種異形のベアチップを自由曲面上に中継基板等を介さず
に積層実装し、回路モジュールの小型を図るとともに簡
便な積層実装プロセスで安価な回路モジュールを製造す
ることができる。
種異形のベアチップを自由曲面上に中継基板等を介さず
に積層実装し、回路モジュールの小型を図るとともに簡
便な積層実装プロセスで安価な回路モジュールを製造す
ることができる。
【００３８】つまり、ＪＰＳ（金属超微粒子を用いてパ
ターンを直描する手法）を用いた金微粒子の直描による
配線形成を利用し、曲面形状を有する対象物を真空中
で、加熱しながら５自由度に制御できる対象物変位機構
に装着し、かつ微粒子の噴出ノズル先端３５ａと対象物
の距離Ｌを一定に保ちながら描画することにより、自由
曲面上に金配線を形成することができる。また、対象物
を動かすと配線が形成され、止めると円錐状の金電極が
形成されることを利用し、配線、チップを実装するため
のバンプ電極、積層するためのフィードスルー電極（層
間接続電極）を同時に形成し、積層によりさらに回路の
小型化を達成することができる。
ターンを直描する手法）を用いた金微粒子の直描による
配線形成を利用し、曲面形状を有する対象物を真空中
で、加熱しながら５自由度に制御できる対象物変位機構
に装着し、かつ微粒子の噴出ノズル先端３５ａと対象物
の距離Ｌを一定に保ちながら描画することにより、自由
曲面上に金配線を形成することができる。また、対象物
を動かすと配線が形成され、止めると円錐状の金電極が
形成されることを利用し、配線、チップを実装するため
のバンプ電極、積層するためのフィードスルー電極（層
間接続電極）を同時に形成し、積層によりさらに回路の
小型化を達成することができる。
【図１】実施の形態における製造装置の概略構成図。
【図２】対象物変位機構を示す図。
【図３】対象物変位機構を示す図。
【図４】製造装置の電気的構成を示す図。
【図５】第１の形成方法における曲面にチップ部品を実
装する工程を示す図。
装する工程を示す図。
【図６】曲面にチップ部品を実装する工程を示す図。
【図７】第２の形成方法における曲面にチップ部品を実
装する工程を示す図。
装する工程を示す図。
【図８】曲面にチップ部品を実装する工程を示す図。
【図９】曲面にチップ部品を実装する工程を示す図。
【図１０】曲面にチップ部品を実装する工程を示す図。
１０…真空加熱装置、２０…対象物変位機構、２１…シ
ャフト、３０…微粒子噴出装置、３５…搬送管、３５ａ
…微粒子噴出部（ノズル先端）、４０…レーザ変位計、
５０…制御装置、６０…対象物（曲面基板）、６０ａ…
曲面、６１…配線パターン、６２…バンプ電極、６３…
異方導電性ペースト、６４…ベアチップ（チップ部
品）、６５…層間接続電極、６６…異方導電性ペース
ト、６７…ベアチップ（チップ部品）、６８…絶縁物
（熱硬化性樹脂）、６９…配線パターン。
ャフト、３０…微粒子噴出装置、３５…搬送管、３５ａ
…微粒子噴出部（ノズル先端）、４０…レーザ変位計、
５０…制御装置、６０…対象物（曲面基板）、６０ａ…
曲面、６１…配線パターン、６２…バンプ電極、６３…
異方導電性ペースト、６４…ベアチップ（チップ部
品）、６５…層間接続電極、６６…異方導電性ペース
ト、６７…ベアチップ（チップ部品）、６８…絶縁物
（熱硬化性樹脂）、６９…配線パターン。
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フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｌ 25/04 Ｈ０５Ｋ 3/32 Ｂ ５Ｆ０４４
25/18 3/40 Ｋ ５Ｆ０６１
Ｈ０５Ｋ 3/00 3/46 Ｂ
3/32 Ｎ
3/40 Ｑ
// Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｈ０１Ｌ 23/12 Ｎ
25/04 Ｚ
(72)発明者 安達 博
愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 株式会
社デンソー内
(72)発明者 伊藤 慎二
愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 株式会
社デンソー内
Ｆターム(参考） 4M109 AA01 BA03 CA10 DA01
5E317 AA24 BB13 CC60 CD21 GG17
5E319 AA03 AB06 BB16 CC12 CD26
GG15
5E343 BB23 BB78 DD71 ER32 FF05
GG11
5E346 AA15 AA43 CC38 DD03 DD33
DD50 EE31 FF35 HH21 HH32
5F044 KK07 KK16 KK19 LL09 RR18
RR19
5F061 AA01 BA03 CA10 CB13
Claims (21)
- 【請求項１】 配線形成面となる曲面（６０ａ）を有す
る配線形成対象物（６０）を、多自由度の対象物変位機
構（２０）にセットする工程と、 金属の微粒子を噴出する微粒子噴出部（３５ａ）と前記
対象物（６０）での配線形成部との距離（Ｌ）を計測し
つつ、金属の微粒子を用いて、前記曲面（６０ａ）に直
接、配線パターン（６１）を描画することにより配線を
形成する工程と、を備えたことを特徴とする配線形成方
法。 - 【請求項２】 前記金属の微粒子として金微粒子を用い
るとともに、前記配線パターン（６１）の描画の際に前
記対象物（６０）での配線形成部を１００℃以上に加熱
して描画と同時に微粒子を焼結させて導電性を持つ配線
とすることを特徴とする請求項１に記載の配線形成方
法。 - 【請求項３】 回路形成面となる曲面（６０ａ）を有す
る回路形成対象物（６０）を、多自由度の対象物変位機
構（２０）にセットする工程と、 金属の微粒子を噴出する微粒子噴出部（３５ａ）と前記
対象物（６０）での回路形成部との距離（Ｌ）を計測し
つつ、金属の微粒子を用いて、前記曲面（６０ａ）に直
接、配線パターン（６１）とバンプ電極（６２）を描画
する工程と、 前記配線パターン（６１）とバンプ電極（６２）に対し
ベアチップ（６４）をフリップチップ実装することによ
り回路を形成する工程と、を備えたことを特徴とする回
路形成方法。 - 【請求項４】 導電性ペースト（６３）を用いてベアチ
ップ（６４）をフリップチップ実装することを特徴とす
る請求項３に記載の回路形成方法。 - 【請求項５】 前記ベアチップ（６４）を実装した後に
おいて樹脂モールドする工程を有することを特徴とする
請求項３に記載の回路形成方法。 - 【請求項６】 配線形成面となる曲面（６０ａ）を有す
る配線形成対象物（６０）を、多自由度の対象物変位機
構（２０）にセットする工程と、 金属の微粒子を噴出する微粒子噴出部（３５ａ）と前記
対象物（６０）での配線形成部との距離（Ｌ）を計測し
つつ、金属の微粒子を用いて、前記曲面（６０ａ）に直
接、配線パターン（６１）と積層実装のための層間接続
電極（６５）を描画する工程と、 前記配線パターン（６１）に対しチップ部品（６７）を
実装した後、層間接続電極（６５）が露出する程度に実
装面を絶縁物（６８）で覆う工程と、 金属の微粒子を噴出する微粒子噴出部（３５ａ）と前記
対象物（６０）での前記絶縁物（６８）の表面との距離
（Ｌ）を計測しつつ、金属の微粒子を用いて、前記絶縁
物（６８）の表面に直接、配線パターン（６９）を前記
層間接続電極（６５）とつながるようにして描画する工
程と、を備えたことを特徴とする配線形成方法。 - 【請求項７】 前記絶縁物（６８）として熱硬化性樹脂
を用いたことを特徴とする請求項６に記載の配線形成方
法。 - 【請求項８】 前記層間接続電極（６５）が露出する程
度に実装面を絶縁物（６８）で覆う工程は、層間接続電
極（６５）を絶縁物（６８）で覆った後、研削にて層間
接続電極（６５）を露出させるものであることを特徴と
する請求項６に記載の配線形成方法。 - 【請求項９】 前記チップ部品（６７）の実装は、曲面
（６０ａ）に直接、描画した配線パターン（６１）とバ
ンプ電極（６２）に対しベアチップ（６７）をフリップ
チップ実装するものであることを特徴とする請求項６に
記載の配線形成方法。 - 【請求項１０】 前記ベアチップ（６７）のフリップチ
ップ実装を、導電性ペースト（６６）を用いて行うよう
にしたことを特徴とする請求項９に記載の配線形成方
法。 - 【請求項１１】 ベアチップをフリップチップ実装した
後において、樹脂モールドする工程を有することを特徴
とする請求項９に記載の配線形成方法。 - 【請求項１２】 配線形成面となる曲面（６０ａ）を有
する配線形成対象物（６０）を真空状態で加熱する真空
加熱装置（１０）と、 前記真空加熱装置（１０）による真空加熱下において保
持した前記配線形成対象物（６０）に対し多自由度を有
する対象物変位機構（２０）と、 金属の微粒子を噴出する微粒子噴出装置（３０）と、 前記微粒子噴出装置（３０）の噴出部（３５ａ）と前記
対象物（６０）での配線形成部との距離（Ｌ）を計測す
る距離計測機器（４０）と、 前記距離計測機器（４０）による計測結果に基づいて前
記微粒子噴出装置（３０）の噴出部（３５ａ）からの金
属の微粒子を用いて前記対象物（６０）を変位させつつ
当該対象物（６０）の曲面（６０ａ）に直接、配線パタ
ーンを描画する制御装置（５０）と、を備えたことを特
徴とする配線形成装置。 - 【請求項１３】 前記対象物変位機構（２０）は、ＸＹ
Ｚ軸に可動な部材（２１）に対し、２回転軸の自由度を
持ち、対象物を保持する第２の部材を連結したものであ
ることを特徴とする請求項１２に記載の配線形成装置。 - 【請求項１４】 第２の部材における２つの回転軸（Ｌ
１，Ｌ２）が配線形成対象物を保持する部位の中心を通
ることを特徴とする請求項１３に記載の配線形成装置。 - 【請求項１５】 距離計測機器としてレーザ変位計（４
０）を用いたことを特徴とする請求項１２に記載の配線
形成装置。 - 【請求項１６】 制御装置（５０）は、距離計測機器
（４０）の距離情報を用いて、微粒子噴出装置（３０）
の噴出部（３５ａ）と前記対象物（６０）での配線形成
部との距離（Ｌ）を一定に保つようにしたことを特徴と
する請求項１２に記載の配線形成装置。 - 【請求項１７】 回路形成面となる曲面（６０ａ）を有
する回路形成対象物（６０）を真空状態で加熱する真空
加熱装置（１０）と、 前記真空加熱装置（１０）による真空加熱下において保
持した前記回路形成対象物（６０）に対し多自由度を有
する対象物変位機構（２０）と、 金属の微粒子を噴出する微粒子噴出装置（３０）と、 前記微粒子噴出装置（３０）の噴出部（３５ａ）と前記
対象物（６０）での回路形成部との距離（Ｌ）を計測す
る距離計測機器（４０）と、 前記距離計測機器（４０）による計測結果に基づいて前
記微粒子噴出装置（３０）の噴出部（３５ａ）からの金
属の微粒子を用いて前記対象物（６０）を変位させつつ
当該対象物（６０）の曲面（６０ａ）に直接、配線パタ
ーン（６１）とチップ実装用バンプ電極（６２）を描画
する制御装置（５０）と、を備えたことを特徴とする回
路形成装置 - 【請求項１８】 前記対象物変位機構（２０）は、ＸＹ
Ｚ軸に可動な部材（２１）に対し、２回転軸の自由度を
持ち、対象物を保持する第２の部材を連結したものであ
ることを特徴とする請求項１７に記載の回路形成装置。 - 【請求項１９】 第２の部材における２つの回転軸（Ｌ
１，Ｌ２）が回路形成対象物を保持する部位の中心を通
ることを特徴とする請求項１８に記載の回路形成装置。 - 【請求項２０】 距離計測機器としてレーザ変位計（４
０）を用いたことを特徴とする請求項１７に記載の回路
形成装置。 - 【請求項２１】 制御装置（５０）は、距離計測機器
（４０）の距離情報を用いて、微粒子噴出装置（３０）
の噴出部（３５ａ）と前記対象物（６０）での回路形成
部との距離（Ｌ）を一定に保つようにしたことを特徴と
する請求項１７に記載の回路形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001331439A JP2003133693A (ja) | 2001-10-29 | 2001-10-29 | 配線形成方法、回路形成方法、配線形成装置、回路形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001331439A JP2003133693A (ja) | 2001-10-29 | 2001-10-29 | 配線形成方法、回路形成方法、配線形成装置、回路形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003133693A true JP2003133693A (ja) | 2003-05-09 |
Family
ID=19147018
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001331439A Pending JP2003133693A (ja) | 2001-10-29 | 2001-10-29 | 配線形成方法、回路形成方法、配線形成装置、回路形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003133693A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007058096A1 (ja) * | 2005-11-18 | 2007-05-24 | Nec Corporation | 実装基板および電子機器 |
| JP2008509549A (ja) * | 2004-08-05 | 2008-03-27 | イムベラ エレクトロニクス オサケユキチュア | 素子を含む層の形成 |
| JP2012511250A (ja) * | 2008-12-08 | 2012-05-17 | ネーデルランドセ・オルガニサティ・フォール・トゥーヘパスト−ナトゥールウェテンスハッペライク・オンデルズーク・テーエヌオー | 電気回路を備えたモールド体の作成 |
| WO2018131383A1 (ja) * | 2017-01-12 | 2018-07-19 | 株式会社村田製作所 | アンテナモジュール |
-
2001
- 2001-10-29 JP JP2001331439A patent/JP2003133693A/ja active Pending
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