JP2003124803A - 変調用半導体集積回路 - Google Patents

変調用半導体集積回路

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JP2003124803A JP2001320677A JP2001320677A JP2003124803A JP 2003124803 A JP2003124803 A JP 2003124803A JP 2001320677 A JP2001320677 A JP 2001320677A JP 2001320677 A JP2001320677 A JP 2001320677A JP 2003124803 A JP2003124803 A JP 2003124803A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 LC発振型VCO回路を用いオープン・ルー
プ方式で送信データに応じてVCO回路を制御して変調
を行なう周波数ホッピング方式の無線通信システムに使
用する変調用半導体集積回路における温度変化に伴なう
VCOの変調周波数の変動を低減する。 【解決手段】 LC発振型VCO(134)を送信デー
タに基づいて直接制御して変調を行なうとともに、キャ
リア周波数を切り替えてデータ送信を行なう周波数ホッ
ピング方式の変調用半導体集積回路において、VCOの
制御電圧を発生する回路(例えばDA変換回路)の基準
電流値に負の温度特性を与えて、正の温度特性を有する
VCOを制御する変調側制御入力電圧(Vcnt2)が負の
温度特性を有するようにする温度特性補正回路(14
4,443)を設けるようにした。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、LC発振型VCO
(電圧制御発振器)によりキャリア周波数信号を生成し
ながらLC発振型VCOを送信データに基づいて制御し
て周波数変調を行なうとともに、キャリア周波数をとび
とびに変化させてデータ送信を行なう周波数ホッピング
方式を採用した無線通信システムの送信系に用いられる
変調用半導体集積回路(RFモジュール)に適用して有
効な技術に関し、特にキャリア周波数を生成するPLL
ループをオープンにして変調動作を行なう際のVCOの
発振周波数の温度補償技術に関する。
【0002】
【従来の技術】無線通信の発展に伴ない、様々な通信方
式による信号が飛び交っている中でデータ通信を行なっ
た場合、信号同士の干渉やフェージングにより正しいデ
ータ送信が保証されなくなるおそれがある。そこで、キ
ャリア周波数信号を変化させて、隣接周波数帯の信号同
士の混信を防止する無線通信システムがある。例えばパ
ソコンやプリンタなどの周辺装置間での無線通信による
データ送信に関する規定を定めているブルートゥースと
呼ばれる規格では、送信方式として図13に示すよう
に、2.4GHz〜2.48GHzの周波数帯(以下、
2.4GHz帯と称する)において1MHzごとの周波
数ホッピングによるスペクトラム拡散方式を採用して、
隣接周波数帯の信号同士の混信を防止するようにしてい
る。また、ブルートゥース規格では、2.4GHz帯の
キャリア周波数信号に±160kHzで変調をかけてデ
ータを送信する周波数変調方式が採用されている。
【0003】このような周波数変調を行なう場合、送信
するデータにより直接VCO回路を制御して周波数を制
御する方式が考えられる。また、VCO回路には、制御
電圧で電流を変化させて発振周波数を制御する方式の回
路や制御電圧で可変容量の容量値を変化させて発振周波
数を制御するLC発振型VCOと呼ばれる回路が知られ
ている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】例えば周波数ホッピン
グ方式で送信データにより周波数変調をかける場合に
は、データによる周波数変調の他にキャリア周波数その
もののホッピング制御があるため、2つの制御系が必要
とされる。そこで、本発明者らは、上記無線通信システ
ムを採用した無線通信用LSI(大規模半導体集積回
路)の開発に当たって、図2に示すようなバラクタダイ
オードを使用したLC発振型VCOを用いるとともに、
ホッピングのキャリア周波数に応じて一方の制御電圧V
cnt1を変化させて周波数を切り換えてPLLループで周
波数を安定させ、変調をかける際には制御電圧Vcnt1を
ループフィルタに保持したままPLLループをオープン
状態にして送信データに応じた制御電圧Vcnt2でVCO
の発振周波数を変化させてキャリア周波数信号を変調さ
せる方式(以下、オープン・ループ方式と称する)につ
いて検討した。
【0005】LC発振型VCOを用いて送信データでV
CO直接制御して変調させる場合、PLLループをオー
プンにしないで変調を行なうクローズ・ループ方式で
は、VCOからの帰還発振信号と位相比較される基準ク
ロックとして温度変化に係わらず安定なものを使用すれ
ば、温度変化によってLC発振型VCOの容量値が変化
しても所望の周波数でVCOを発振させることができ
る。ところが、オープン・ループ方式を採用すると、温
度変化によってVCOの変調周波数が大きく変動してし
まい、許容範囲に対してマージンが著しく低下するとい
う不具合があることが明らかとなった。なお、オープン
・ループ方式は、クローズ・ループ方式に比べて回路構
成が簡単になり回路占有面積を小さくすることができる
という利点がある。
【0006】一方、例えば、ブルートゥース規格では、
2.4GHz帯のキャリア周波数信号に±160kHz
で変調をかけた信号を送信する場合に、±145〜17
5kHzの範囲で変調をかければ良いとされている。つ
まり、±15kHzのマージンが許容されているので、
これを満足できれば温度変化によって周波数の変動が多
少あっても構わない。ところが、温度変化によって周波
数のマージンが少なくなると、他の回路の設計にしわ寄
せが行ってしまい、規格を満足する特性を有する送信系
回路を設計することが非常に困難になる。
【0007】例えば、送信データに応じて同一の振幅で
変調をかけようとした場合、つまり図2のVCOにおい
てキャリア周波数にかかわらず制御電圧Vcnt2の振幅を
一定にして発振周波数を制御しようとした場合、周波数
ホッピングのための他方の制御電圧Vcnt1で周波数を切
り換えたときに一方のバラクタダイオードDv11,D
v12の容量のみでなく、他方のバラクタダイオードD
v21,Dv22との合成容量までもが変化して周波数
が変化し、これによって、VCOの変調利得が変化して
キャリア周波数に応じて変調周波数が偏移することが考
えられる。従って、温度変化に伴なう周波数の変動もで
きるだけ小さく抑えるのが望ましい。
【0008】上記温度変化による周波数の変動は次のよ
うな理由によることが明らかとなった。すなわち、図2
のようなLC発振型VCOにおいては、容量C11,C
12およびバラクタダイオードDv11,Dv12の合
成容量をC1、容量C21,C22およびバラクタダイ
オードDv21,Dv22の合成容量をC2とすると、
各合成容量C1,C2の電圧に対する特性は、図4
(A)に示すようになる。図4(A)より、合成容量C
1,C2は高温になるほど容量値が大きくなることが分
かる。
【0009】ここで、VCOの発振周波数foscは、fo
sc=1/{2π√(C1+C2)}で表わされる。この
式より、高温になって合成容量C1,C2の容量値が大
きくなるとVCOの発振周波数foscは低くなることが
分かる。このVCOの制御電圧Vcnt1に対する周波数特
性を調べたところ、図4(B)に示すようになることが
分かった。図4(B)より、高温になるほど周波数の変
化が大きくなるとともに、制御電圧範囲の上限と下限に
おける曲線の接線の傾きすなわちVCOの電圧−周波数
制御感度の差も大きくなることが分かる。2.402G
Hz〜2.480GHzの範囲で周波数ポッピングを行
なうブルートゥース規格の通信システムでは、VCOの
発振周波数foscは最大で2.480GHz、最小で
2.402GHzとその差が非常に大きいため、VCO
の電圧−周波数制御感度の差も大きくなると考えられ
る。
【0010】この発明の目的は、上記のような課題を解
決するためになされたもので、LC発振型VCO回路を
用いオープン・ループ方式で送信データに応じてVCO
回路を制御して変調を行なう周波数ホッピング方式の無
線通信システムに使用する変調用半導体集積回路におけ
る温度変化に伴なうVCOの変調周波数の変動を低減す
ることにある。
【0011】この発明の他の目的は、混信が少なくかつ
正確なデータ送信を行なえる無線通信システムを構成可
能な変調用半導体集積回路を提供することにある。
【0012】この発明の前記ならびにそのほかの目的と
新規な特徴については、本明細書の記述および添付図面
から明らかになるであろう。
【0013】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、下記のと
おりである。
【0014】すなわち、LC発振型VCOによりキャリ
ア周波数信号を生成しながらLC発振型VCOを送信デ
ータに基づいて制御して周波数変調を行なうとともに、
キャリア周波数をとびとびに変化させてデータ送信を行
なう変調用半導体集積回路において、VCOの制御電圧
を発生する回路(例えばDA変換回路)の基準電流値に
負の温度特性を与えることりよりVCOを制御する変調
側制御入力電圧(Vcnt2)が負の温度特性を有するよう
にする温度特性補正回路を設けるようにしたものであ
る。
【0015】上記した手段によれば、VCOが正の温度
特性を有していても、これを制御する電圧が負の温度特
性を有するようにされるため、温度補償された温度依存
性のない発振周波数が得られるようになり、これによっ
て周波数マージンを大きくすることができ、回路設計が
容易になる。また、上記のような構成を有する変調用半
導体集積回路を周波数ホッピング方式の無線通信システ
ムに適用した場合には、得られる発振周波数の精度が高
くなるため、混信が少なくかつ正確なデータ送信を行な
える無線通信システムを実現することができる。
【0016】なお、本発明は、電圧制御発振回路と、該
電圧制御発振回路の発振出力と基準クロック信号の位相
を比較する位相比較回路と、該位相比較回路で検出され
た位相差に応じて該位相差をなくすような電圧を発生し
て上記電圧制御発振回路に上記第1の制御電圧として印
加する制御電圧生成回路とを設け、上記電圧制御発振回
路と上記位相比較回路と上記制御電圧生成回路とにより
構成されるフェーズ・ルックド・ループにより、キャリ
ア周波数を与え、変調用の第2の制御電圧は、上記フェ
ーズ・ルックド・ループとは別個の経路から上記電圧制
御発振回路に供給されるように構成するとともに、第2
の制御電圧で変調動作を行なうときには上記フェーズ・
ルックド・ループをオープン状態にする場合に特に有効
である。
【0017】また、上記温度特性補正回路は、第2の制
御電圧を発生する回路がディジタル伝送データ信号をサ
ンプリングして演算を行なうディジタルフィルタと、該
ディジタルフィルタの出力をDA変換するDA変換回路
とから構成されている場合に、このDA変換回路の基準
電流が負の温度特性を有するように補正するものであっ
てもよいし、上記DA変換回路の基準電流の大きさを調
整するトリミング回路を備え該トリミング回路がトリミ
ング情報をDA変換してトリミング情報に応じた電流を
上記DA変換回路に基準電流として与える第2のDA変
換回路で構成されている場合には、このトリミング用の
第2のDA変換回路の基準電流が負の温度特性を有する
ように補正するものであってもよい。
【0018】さらに、上記温度特性補正回路は、温度依
存性のない電流を流す複数の第1電流源と、正の温度特
性を有する電流を流す複数の第2電流源と、上記複数の
第1電流源と上記複数の第2電流源の中からそれぞれ1
または2以上の電流源を選択する選択手段とを備え、選
択された電流源の合成電流を上記基準電流して出力する
ように構成することができる。
【0019】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施例を図
面に基づいて説明する。
【0020】図1には、本発明に係る変調用半導体集積
回路を利用して好適な無線通信システムの構成例が示さ
れている。
【0021】図1において、ATは信号電波の送受信用
アンテナ、SWは送受信切替え用のスイッチ、110は
アンテナATより受信された信号を中間周波数にダウン
コンバートしてから復調、増幅しベースバンド信号に変
換する受信系回路110、130はアンテナATより送
信するベースバンド信号を変調し周波数変換する送信系
回路である。
【0022】送信系回路130は、入力矩形波信号をサ
ンプリングして変調のためのコードを生成するガウスフ
ィルタ131と、該フィルタの出力をDA変換して階段
波形の信号を生成するDA変換回路132と、生成され
た階段波形の信号を滑らかな波形にするローパス・フィ
ルタ133と、電圧制御発振回路(VCO)からなりロ
ーパス・フィルタ133の出力電圧により発振周波数が
制御されることで変調を行なう周波数変換回路134
と、周波数変換された信号を受けてアンテナATを駆動
して信号電波の送信を行なうパワーアンプ135などか
ら構成される。
【0023】さらに、この実施例の送信系回路130に
は、上記VCO134の出力を分周するカウンタ136
と、該カウンタ136の出力の位相と例えば13MHz
のような基準クロックφcの位相とを比較して位相差に
応じた電圧を発生して上記VCO134の発振周波数を
制御する位相比較回路137とが設けられており、VC
O134とカウンタ136と位相比較回路137とでP
LL(フェーズ・ロックド・ループ)回路が構成され、
キャリア周波数信号を発生する。そして、送信データを
反映しているローパス・フィルタ133の出力電圧によ
りVCO134の発振周波数を変化させることでキャリ
ア周波数信号を変調させるように構成されている。
【0024】また、この実施例の無線通信システムで
は、上記カウンタ136に付随して設けられているレジ
スタに設定されているカウンタ136が計数すべきカウ
ント値をベースバンド回路350からの設定で変更する
ことにより、キャリア周波数を例えば1MHzのような
単位でずらして、いわゆる周波数ホッピングによるスペ
クトラム拡散方式のデータ送信を行なうことができるよ
うにされている。
【0025】この実施例では、上記ガウスフィルタ13
1として、入力データを順次取り込むシフトレジスタ
と、取り込まれたデータとフィルタ係数とを掛け算し順
次加算する積和演算器とから構成されたFIR(Finite
Impulse Response)型フィルタが用いられている。特
に制限されるものでないが、入力シフトレジスタは7段
であり、フィルタ係数は5ビット、フィルタ出力も5ビ
ットである。
【0026】受信系回路110は、アンテナATより受
信された信号を増幅する低雑音増幅回路(LNA)11
1と、増幅された受信信号と上記送信側VCOからの発
振信号とを合成することで中間周波数(例えば2MH
z)の信号にダウンコンバートするミクサ(MIX)1
12と、隣接チャネルからの漏洩信号を除去して当該チ
ャネルの信号成分を抽出するバンドパス・フィルタ11
3と、受信信号を所定の振幅まで増幅する利得可変なプ
ログラマブル・ゲイン・アンプ(AGC)114と、ア
ナログ信号をディジタル信号に変換するAD変換回路1
15と、受信データを復調する復調整回路116と、復
調された信号から高周波成分(ノイズ)を除去してベー
スバンド回路350へ受信データを渡すローパス・フィ
ルタ(LPF)117などから構成される。
【0027】図2には、上記送信系回路130を構成す
るVCO134として用いられるLC発振型発振回路の
一実施例を示す。この実施例の発振回路は、図2に示さ
れているように、エミッタ共通接続されかつ互いにベー
スとコレクタとが交差結合された一対のバイポーラ・ト
ランジスタQ11,Q12と、該トランジスタQ11,
Q12の共通エミッタと接地点との間に接続された定電
流源Icと、各トランジスタQ11,Q12のコレクタ
と電源電圧端子Vccとの間にそれぞれ接続されたイン
ダクタンスL1,L2と、上記トランジスタQ11,Q
12のコレクタ端子間に直列に接続された容量C11,
抵抗R11,R12,容量C12およびこれらと並列に
接続された容量C21,抵抗R21,R22,容量C2
2と、上記各容量C11,C12,C21,C22と抵
抗R11,R12,R21,R22との接続ノードn1
1,n12,n21,n22と接地点との間に接続され
たバラクタダイオードDv11,Dv12,Dv21,
Dv22とから構成されている。
【0028】そして、抵抗R11とR12との接続ノー
ドn10に、図1に示されている位相比較回路137か
らの制御電圧Vcnt1が印加されてキャリア周波数を決定
し、抵抗R21とR22との接続ノードn20に、図1
に示されているローパス・フィルタ133からの周波数
変調用制御電圧Vcnt2が印加されて変調周波数を制御す
るように構成されている。このように閉ループのPLL
回路で安定した正確なキャリア周波数信号を発生させ、
外から制御電圧を与えて周波数を変調させるように構成
することにより、PLL回路のループ内部に変調のため
の信号を与えて制御する方式に比べて回路構成が簡単に
なり回路面積を小さくすることができる。
【0029】なお、VCO134に周波数変調用制御電
圧Vcnt2を与える際には、PLL回路部のキャリア周波
数が安定した状態でチャージポンプ138からループフ
ィルタ139への電流経路を遮断し、直前の制御電圧V
cnt1をループフィルタ139の容量に保持させておくよ
うにすれば、キャリア周波数がずれるのを防止すること
ができる。また、変調が終了したら直ちにPLLのフィ
ードバックを復活させることで、再び所望の周波数で正
確な発振動作をさせることができる。
【0030】次に、VCO134におけるキャリア周波
数の切替えとそれに関連したDA変換回路132へ供給
される基準電流の温度補償の仕組みについて説明する。
図3は、図1に示されている送信系回路130の構成を
もう少し詳細に示したものである。図1と同一の回路ブ
ロックには同一の符号を付してある。
【0031】図1には示されていないが、位相比較回路
137とVCO134との間には、位相比較回路137
で検出された位相差に応じた電圧(正、負を含む)を発
生するチャージポンプ138と、該チャージポンプ13
8の出力を平滑するループフィルタ139とが設けられ
ており、VCO134と分周器としてのカウンタ136
と位相比較回路137とチャージポンプ138とループ
フィルタ139からなる閉ループにより、カウンタ13
6の出力の位相と基準クロックφ0との位相を一致させ
るようにフィードバックをかけ、所定の周波数で発振す
るPLL回路が構成される。この閉ループのPLL回路
で発生される発振信号がキャリア周波数信号とされる。
また、チャージポンプ138とループフィルタ139と
の間には、チャージポンプ138からループフィルタ1
39に供給される電流を遮断可能なスイッチ150が設
けられており、このスイッチ150によってPLLルー
プをオープン・ループとすることができるようにされて
いる。
【0032】さらに、この実施例においては、カウンタ
136に付随して、カウンタ136が計数すべきカウン
ト値をベースバンド回路350からの設定で変更するこ
とにより、キャリア周波数を1MHzのような単位でず
らすためのレジスタ141が設けられている。ブルート
ゥース規格の場合には、例えば2.402GHz〜2.
480GHzの間で1MHzおきに設定される79チャ
ネルのいずれのチャネルにもホッピングできるようにす
るため、レジスタ141は少なくとも7ビットで構成さ
れる。レジスタ141の値は、図1に示されているベー
スバンド回路350が直接書き替えることができるよう
に構成されている。
【0033】また、本実施例において、レジスタ141
はカウンタ136と双方向にデータを伝達できるように
構成されており、カウンタ136の計数値はレジスタ1
41を介して図示しない外部端子からチップ外へ読み出
せるようにされている。さらに、カウンタ136の前段
にはVCO134の発振出力を例えば1/64に分周す
る分周器140が設けられている。このように分周器1
40を設けておくことにより、レジスタ141への設定
によりカウンタ136の計数値を変更する回路構成が簡
単になる。さらに、DA変換回路132に流される基準
電流を供給する基準電流生成回路144とが設けられて
いる。そして、この実施例においては、基準電流生成回
路144によって生成される基準電流Iref負の温度特
性を有するように構成されている。
【0034】ここで、先ず本実施例の送信系回路におけ
る温度補償の原理を、図5を用いて説明する。一般に、
高精度のDA変換回路においては、バンドギャップリフ
ァランス回路のような温度依存性のない定電圧を発生す
る回路を用いてDA変換動作に必要な基準電流を生成す
る基準電流生成回路が設けられる。つまり、通常のDA
変換回路に流される基準電流を生成する基準電流生成回
路は、温度依存性がないように設計される。これに対
し、本実施例の送信系回路においては、DA変換回路に
供給される基準電流を生成する基準電流生成回路144
が負の温度特性を有するようにされている。これによっ
て、ローパス・フィルタ133を介してVCO134に
供給される変調用の制御電圧Vcnt2の変化率は図5
(b)のように負の温度特性を有するようにされる。一
方、VCO134の電圧−周波数制御感度は図5(a)
のような正の温度特性を有している。そのため、変調周
波数変化率は図5(c)のように温度依存性を有しない
ようにされる。
【0035】図6には、温度特性を調整可能な基準電流
生成回路144の具体的な回路例が示されている。
【0036】この実施例の基準電流生成回路144は、
バンドギャップリファランス回路のような定電圧回路4
41と電圧−電流変換回路442と温度特性補正回路4
43とを備えている。バンドギャップリファランス回路
は、互いにベースが共通接続されたバイポーラ・トラン
ジスタ(以下、単にトランジスタと呼ぶ)Q1,Q2を
有し、Q2はベースとコレクタが結合されQ2のコレク
タ電圧がQ1,Q2のベースに印加されると共に、トラ
ンジスタQ1のエミッタは抵抗R3を介して接地点GN
Dに、またトランジスタQ2のエミッタは直接接地点G
NDに接続され、Q1,Q2のコレクタは抵抗R1,R
2を介して互いに接続されている。
【0037】また、例えば5Vのような電源電圧Vcc
と接地点GNDとの間には定電流源(抵抗でも可)CC
0とトランジスタQ3とが直列形態に接続され、このト
ランジスタQ3のベースに上記トランジスタQ1のコレ
クタ電圧が印加され、このトランジスタQ3のコレクタ
電圧をベースに受けるトランジスタQ4が設けられ、Q
4のエミッタは前記抵抗R1とR2の接続ノードn0に
接続されてそのコレクタ電流が前記トランジスタQ1,
Q2に分配されている。そして、トランジスタQ4のコ
レクタと電源電圧Vccとの間にベースとコレクタが結
合されたいわゆるダイオード接続のトランジスタQ5と
抵抗R5が直列に接続されている。
【0038】この実施例の定電圧回路441は、ワイド
ラー形と呼ばれる公知のバンドギャップリファランス回
路であり、−2mV/℃の負の温度特性を有するバイポ
ーラ・トランジスタのベース・エミッタ間電圧をVbe、
温度をTとすると、接続ノードn0の電位V0は、次式 V0=Vbe+(R2/R3)・(kT/q)・ln(R2
/R1) で表わされる。以下、第2項の(R2/R3)・(kT
/q)・ln(R2/R1)をKVTと記す。
【0039】上記式において、第1項は負の温度特性を
有し、第2項は温度Tを含むので正の温度特性を有す
る。そこで、第1項のVbeの負の温度特性を打ち消すよ
うに第2項の抵抗R1,R2,R3の値を設定してやる
ことによって、接続ノードn0の電位V0は温度が変化
しても一定つまり温度依存性を有しないようにしたのが
ワイドラー形バンドギャップリファランス回路である。
【0040】この実施例の基準電流生成回路144は、
上記バンドギャップリファランス回路のトランジスタQ
4のベース電位と同一の電位V1をベースに受ける電圧
−電流変換用のトランジスタQ6を設けてこのトランジ
スタQ6に温度依存性を有しない電流I0を流すように
構成されている。上記トランジスタQ6のエミッタと接
地点との間には抵抗R6が接続され、Q6のコレクタと
電源電圧Vccとの間にはダイオード接続のpnpトラ
ンジスタQ7と抵抗R7が直列に接続されている。な
お、ここで抵抗R6等は正の温度特性を有するが、適当
な製造プロセスを使用することによりその変化はトラン
ジスタのベース・エミッタ間電圧Vbeの温度特性に比較
すると無視できる程度に小さくすることができる。従っ
て、トランジスタQ6に流れる電流I0も温度依存性を
有しない電流とすることができる。
【0041】そして、温度特性補正回路443には、上
記pnpトランジスタQ7とカレントミラー接続された
pnpトランジスタQ21が設けられている。従って、
トランジスタQ21にはQ7と同様に温度依存性のない
電流Iref’が流される。さらに、温度特性補正回路4
43には、上記pnpトランジスタQ21のベース電圧
と同一の電圧がスイッチSW11,SW10を介してベ
ースに印加されるようにされたpnpトランジスタQ2
2,Q23と、上記npnトランジスタQ6のエミッタ
電圧がスイッチSW21,SW20を介してベースに印
加されるようにされたnpnトランジスタQ24および
Q25が設けられ、上記各トランジスタQ21〜Q25
のコレクタは共通のノードn1に接続されているととも
に、各トランジスタQ21〜Q25のエミッタには電源
電圧Vccまたは接地点との間にそれぞれエミッタ抵抗
Re1〜Re5が接続されている。従って、上記トラン
ジスタQ21〜Q25のうちQ21〜Q23にはQ11
と同様に温度依存性のないコレクタ電流が流される。
【0042】一方、トランジスタQ6のベースにはQ4
のベース電圧と同一の電圧が印加されているためQ6の
エミッタ電圧はノードn0と同一電位V0(=Vbe+K
VT)となる。従って、トランジスタQ24,Q25の
ベースには温度依存性のない電圧Vbe+KVTが印加さ
れる。そのため、トランジスタQ24,Q25のエミッ
タの電位はベース電位よりもVbeだけ低い電位KVTと
される。従って、各抵抗Re4,Re5には正の温度特
性を有するKVTに比例した電流I21,I20が流さ
れることとなる。
【0043】さらに、この実施例の温度特性補正回路4
43は、上記エミッタ抵抗Re1〜Re5の抵抗比を適
当に設定することによって、トランジスタQ21に流れ
るコレクタ電流Irefを100とすると、Q22とQ2
3にはそれぞれ10と5の割合のコレクタ電流I11,
I10が流れるように、またトランジスタQ24とQ2
5にはそれぞれ常温(例えば25℃)でQ22とQ23
と同じコレクタ電流I21,I20が流されるように設
計されている。また、上記トランジスタQ22,Q23
のベースと電源電圧Vccとの間にはそれぞれスイッチ
SW11,SW10と相補的にオン、オフされるスイッ
チ/SW11,/SW10が、またトランジスタQ2
4,Q25のベースと接地点との間にはそれぞれスイッ
チSW21,SW20と相補的にオン、オフされるスイ
ッチ/SW21,/SW20が設けられている。
【0044】そして、この実施例においては、レジスタ
REG1に設定された制御データB1,B2をデコーダ
DEC1でデコードした信号により、上記スイッチSW
11〜SW20は、次の表1のようにオン、オフ制御さ
れるように構成されている。上記レジスタREG1への
制御データB1,B2は予め測定された結果に基づいて
例えばベースバンド回路350がシステムのイニシャラ
イズの際に設定することができる。また、レジスタRE
G1の代わりに不揮発性素子やヒューズを用いて所望の
レベルの信号がデコーダDEC1に入力されてスイッチ
SW11〜SW20のオン、オフ状態が所望の状態に設
定されるように構成するようにしても良い。
【0045】
【表1】
【0046】図7には上記温度特性補正回路443にお
ける補正の原理と、上記スイッチSW11〜SW20が
表1のようなオン、オフ状態に設定された場合において
当該基準電流生成回路144からそれぞれ出力される合
成基準電流Irefの特性を示す。図7に示されているよ
うに、本実施例の温度特性補正回路443はトランジス
タQ21に流れるコレクタ電流Iref’にトランジスタ
Q22またはQ23のコレクタ電流I11,I10を加
算し、さらにトランジスタQ24またはQ25のコレク
タ電流I21,I20を減算することで合成電流Iref
の温度特性を変更させるものである。
【0047】具体的には、制御データB1,B2が“0
0”にされてスイッチSW11〜SW20がすべてオフ
された状態では、合成電流はトランジスタQ21のコレ
クタ電流Iref’のみであるので、出力される基準電流
Irefは温度依存性を有しない図7(d)の直線aのよ
うな特性となる。一方、制御データB1,B2が“0
1”にされてスイッチ/SW11,SW10がオンさ
れ、スイッチ/SW21,SW20がオンされた状態で
は、合成電流はトランジスタQ21のコレクタ電流Ire
f’にトランジスタQ23のコレクタ電流I10を加算
し、さらにトランジスタQ25のコレクタ電流I20を
減算した電流(Iref’+I10−I20)であるの
で、出力される基準電流Irefは若干負の温度特性を有
する図7(d)の直線bのような特性となる。
【0048】また、制御データB1,B2が“10”に
されてスイッチSW11,/SW10がオンされ、スイ
ッチSW21,/SW20がオンされた状態では、合成
電流はトランジスタQ21のコレクタ電流Iref’にト
ランジスタQ22のコレクタ電流I11を加算し、さら
にトランジスタQ24のコレクタ電流I21を減算した
電流(Iref’+I11−I21)であるので、出力さ
れる基準電流Irefは中間の大きさの負の温度特性を有
する図7(d)の直線cのような特性となる。制御デー
タB1,B2が“11”にされてスイッチSW11,S
W10およびスイッチSW21,SW20がオンされた
状態では、合成電流はトランジスタQ21のコレクタ電
流Iref’にトランジスタQ22,Q23のコレクタ電
流I11,I10を加算し、さらにトランジスタQ2
4,Q25のコレクタ電流I21,I20を減算した電
流(Iref’+I11+I10−I21−I20)であ
るので、出力される基準電流Irefは最も大きな負の温
度特性を有する図7(d)の直線dのような特性とな
る。
【0049】従って、VCO134の温度特性(正)に
よる変調周波数のずれを測定して、その温度特性を打ち
消すのに最適な基準電流Irefを選択するようにレジス
タREG1に設定する制御コードB1,B2を決定して
やればよい。なお、上記実施例においては、温度特性補
正回路443にスイッチで選択可能な電流加算、減算用
のトランジスタを2組設けて出力される基準電流Iref
の温度特性を4段階に切り換えることができるように構
成されているものを示したが、電流加算、減算用のトラ
ンジスタの数をさらに多くして、切り換え可能な温度特
性の段数を増加させることも可能である。
【0050】次に、本発明の第2の実施例を、図8を用
いて説明する。
【0051】この実施例は、LC発振型VCO134の
変調周波数を調整するためのトリミング回路を設けたも
のである。LC発振型VCOは容量素子を使用してお
り、この容量素子は容量値の製造ばらつきが大きく容量
のばらつきでVCOの発振周波数も大きく変動するの
で、一般にトリミング回路を設けて発振周波数のばらつ
きを補正することが行われている。本実施例において
は、トリミング回路としてレジスタに設定された値に応
じてDA変換回路132に供給される基準電流IREFを
調整するトリミング用DA変換回路145を設けるとと
もに、このトリミング用DA変換回路145の基準電流
Irefを上記実施例の基準電流生成回路144で温度補
正することにより、VCOの変調周波数が温度変化で変
動しないようにしている。
【0052】さらに、本実施例では、周波数ポッピング
を行なうシステムに使用される変調用半導体集積回路で
は、周波数ポッピングを行なうためキャリア周波数を切
り換えたときに図4からも分かるように電圧−周波数制
御感度が大きく変化するので、キャリア周波数の切り換
えのためレジスタ141の設定値を書き換えるとそれに
応じて基準電流生成回路144内の温度特性補正回路4
43における補正電流特性(図7参照)も切り換えるよ
うにしている。従って、この実施例に適用される基準電
流生成回路144にあっては、図8に示されているレジ
スタ141が図6に示されているレジスタREG1に相
当することとなる。
【0053】具体的には、キャリア周波数が高い時は補
正電流特性を例えば図7(d)の直線bのように傾きの
小さな方へ切り換え、キャリア周波数が高い時は補正電
流特性を例えば図7(d)の直線dのように傾きの大き
な方へ切り換えると良い。ただし、レジスタ141はキ
ャリア周波数を79段階で切り換えられるだけの情報を
持つように7ビットで構成されているのに対し、図6の
基準電流生成回路144は4段階で基準電流の温度特性
を切り換える構成であるので、レジスタ141の例えば
上位2ビットのコードを用いて4段階で基準電流Iref
の温度特性を切り換えるようにするのが良い。なお、基
準電流Irefの温度特性は4段階に限定されるものでな
く、基準電流生成回路144の温度特性補正回路443
の加減算用の電流トランジスタの数を多くして、さらに
多くの段階で温度特性を切り換えるように構成すること
ができる。
【0054】図9には、上記トリミング用DA変換回路
145の一実施例を示す。この実施例のDA変換回路1
45には、図6に示されている基準電流生成回路144
から供給される基準電流Irefを流す基準電流源CS0
と、該基準電流源CS0を構成するダイオード接続のト
ランジスタとカレントミラー接続されそれぞれ基準電流
Irefの1/1024,1/512,……1/8,1/
4,1/2の電流を流す重み電流源Cw10〜Cw19
と、これらの重み電流源Cw10〜Cw19と直列に接
続された切替えスイッチSW10〜SW19とから構成
されている。上記スイッチSW10〜SW19の他方の
端子はそれぞれ接地点に接続されており、重み電流源C
w10〜Cw19の電流はスイッチSW10〜SW19
により、電流出力端子Ioutまたは電源電圧端子Vcc
のいずれかから流されるように構成されている。
【0055】このトリミング用DA変換回路145は、
トリミングレジスタREG2の出力b9〜b0によって
スイッチSW0〜SW9が切替え制御されることで、電
流出力端子Iout側へ切り替えられたスイッチを流れる
電流を合成した電流IREFが出力される(正確にはDA
変換回路132から引き抜かれる)。なお、トリミング
レジスタREG2の代わりに、ヒューズ素子や不揮発性
記憶素子などのプログラム要素とプローブを接触して電
圧を印加するためのパッドなどにより構成することがで
きる。
【0056】図10には、上記DA変換回路132の一
実施例を示す。この実施例のDA変換回路は、図9のよ
うな構成を有するトリミング用DA変換回路145から
供給される基準電流IREF(トリミング用DA変換回路
145を使用しない第1の実施例の場合には基準電流生
成回路144から供給される基準電流Iref)を流す基
準電流源CS0と、該基準電流源CS0と直列に接続さ
れた電流源CS1と、この電流源CS1とカレントミラ
ー接続されそれぞれ基準電流IREFの1/32,1/1
6,1/8,1/4,1/2の電流を流す重み電流源C
w0〜Cw4と、これらの重み電流源Cw0〜Cw4と
直列に接続された切替えスイッチSW0〜SW4と、こ
れらのスイッチSW0〜SW4の共通接続端子側に接続
された電流−電圧変換用抵抗Reとから構成されてい
る。上記スイッチSW0〜SW4の他方の端子はそれぞ
れ接地点に接続されており、重み電流源Cw0〜Cw4
の電流はスイッチSW0〜SW4により、電流−電圧変
換用抵抗Reまたは接地点のいずれかに流されるように
構成されている。
【0057】このDA変換回路132は、上記ガウスフ
ィルタ131の出力B4〜B0によってスイッチSW0
〜SW4が切替え制御されることで、抵抗側へ切り替え
られたスイッチを流れる電流を合成した電流が抵抗Re
に流されて電圧に変換され、これによってガウスフィル
タ131の出力B4〜B0に応じて25すなわち32段
階のいずれかの電圧DAVoutが出力される。
【0058】次に、上記トリミング回路(145)を用
いてDA変換回路132の基準電流IREFを調整する手
順を、図11を用いて説明する。
【0059】先ず、VCO134に適当な大きさの制御
電圧Vcnt1を印加してVCO134を発振動作させる
(ステップS1,S2)。次に、レジスタ141にイネ
ーブル信号ENを与えてVCO134の発振出力を所定
時間だけカウンタ136で計数させ、その計数値をレジ
スタ141を介して読み出してVCO134の発振周波
数を知る(ステップS3)。そして、VCO134が
2.44GHzで動作するように制御電圧Vcnt1の値を
変更して発振動作させる(ステップS4)。なお、この
ときの発振出力も所定時間だけカウンタ136で計数さ
せ、その計数値を記憶しておく。
【0060】それから、トリミング回路(145)を制
御してDA変換回路132の基準電流IREFを最大値
(2mA)に設定する(ステップS5)。そして、VC
O134の変調側制御端子(Vcnt2)にDA変換回路1
32の最大出力振幅(100mV)を印加させ、VCO
134を発振動作させる(ステップS6)。なお、この
とき制御電圧Vcnt1は、VCO134を2.44GHz
で発振させたときと同じ電圧にする。次に、この発振状
態でのVCO134の発振出力をカウンタ141で計数
し、その計数値とステップS4で得られた計数値との差
分を計算して変調周波数を求め、それに基づいて期待し
ている発振周波数(1600kHz)からのずれ量を算
出し、そのずれをなくすようにトリミング値を決定する
(ステップS7〜S9)。
【0061】その後、決定したトリミング値をトリミン
グ回路(145)のトリミングレジスタに設定して、ト
リミングされた電流値でDA変換回路132を動作さ
せ、DA変換回路からVCO134へ通常動作時と同一
のレベルの制御電圧Vcnt2を印加して発振動作させる
(ステップS10,S11)。それから、この発振状態
でのVCO134の発振出力をカウンタ141で計数
し、その計数値とステップS4で得られた計数値との差
分を計算して変調周波数を求め、期待している発振周波
数(160kHz)と一致しているか確認する(ステッ
プS12,S13)。そして、一致していればトリミン
グを終了し、一致していないときはステップS9へ戻っ
て再度トリミング値を決定し、設定し直すようにしても
よい。
【0062】図12は、前記実施例の無線通信用LSI
を応用した携帯電話器の全体構成を示すブロック図であ
る。
【0063】この実施例の携帯電話器は、表示部として
の液晶パネル200、送受信用のアンテナ321、音声
出力用のスピーカ322、音声入力用のマイクロホン3
23、上記液晶パネル200を駆動して表示を行なわせ
る液晶コントロールドライバ310、スピーカ322や
マイクロホンの信号の入出力を行なう音声インタフェー
ス330、アンテナ321を介してGSM方式で携帯電
話通信を行なう高周波インタフェース340、アンテナ
321を介してブルートゥース規格の方式で通信を行な
う本発明を適用した無線通信用LSI100、音声信号
や送受信信号に係る信号処理を行うDSP(Digital Si
gnal Processor)351、カスタム機能(ユーザ論理)
を提供するASIC(Application Specific Integra
ted Circuits)352、表示制御を含め装置全体の制
御を行なうマイクロプロセッサもしくはマイクロコンピ
ュータなどからなるシステム制御装置353およびデー
タやプログラムの記憶用メモリ360、発振回路(OS
C)370等を備えてなる。
【0064】上記DSP351、ASIC352および
システム制御装置としてのマイコン353により、いわ
ゆるベースバンド部350が構成される。図には、ベー
スバンド部350が1つだけ示されているが、高周波イ
ンタフェース340用のベースバンド部とブルートゥー
ス規格の無線通信用LSI100のためのベースバンド
部を別々に構成することも可能である。なお、図12に
おいて、371は水晶振動子のような振動子で、発振回
路370は例えば26MHzのような周波数のクロック
を発生する。
【0065】また、この実施例の携帯電話器システムで
は、GSM方式で携帯電話通信を行なう高周波インタフ
ェース340と、ブルートゥース規格の方式で通信を行
なう前記実施例の無線通信用LSI100とを備えてい
るが、現在のGSM方式の携帯電話通信システムでは高
周波用LSIの動作クロックとして26MHzのシステ
ムクロックを使用し、ベースバンド部にはそれを分周し
た13MHzのクロックを供給するようにしているもの
がある。一方、ブルートゥース規格の方式で通信を行な
う前記実施例の無線通信用LSI100も前述したよう
に13MHzのクロックを使用している。
【0066】そのため、共通の発振回路(OSC)37
0で発生されたシステムクロックφcを高周波インタフ
ェース340に供給し、この高周波インタフェース34
0からベースバンド部350に供給される13MHzの
クロックφsをブルートゥース規格の前記実施例の無線
通信用LSI100にも供給して動作させることができ
る。あるいは、発振回路370で発生された26MHz
のクロックをGSMの高周波インタフェース340に供
給して動作させる一方、上記26MHzのクロックを分
周した13MHzのクロックをベースバンド部350と
ブルートゥース規格の無線通信用LSI100とに供給
して動作させることができる。
【0067】これによって、ブルートゥース用に別の発
振回路を設ける必要がなく、既存の携帯電話器にブルー
トゥース規格の無線通信を行なうLSIを追加してもそ
れに伴なうハードウェアの追加量を極めて少なくするこ
とができる。そして、このように、ブルートゥース規格
の無線通信用LSI100を搭載することで、携帯電話
器をトランシーバとして利用したり、携帯電話で受信し
たデータをプリンタで出力させたり、携帯電話器にパソ
コンから画像データや音声データを送信するような多様
な機能を持たせることができるようになる。
【0068】また、上記高周波インタフェース340と
ブルートゥース規格の前記実施例の無線通信用LSI1
00とをノートパソコンやハンドヘルドPC、パームP
Cなどに搭載すれば、ブルートゥース規格のパソコンや
周辺装置とデータ送信する機能とインターネットに接続
できる機能とを持たせることができる。
【0069】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない。例えば、上
記実施例においては、データを周波数変調して送信する
ディジタルデータ伝送システムに使用されるVCOにつ
いて説明したが、2つの制御端子を備えそれぞれの制御
端子からの制御電圧によって発振周波数が制御されるよ
うに構成されたVCO一般に本発明を適用することがで
きる。また、実施例ではDA変換回路として5ビットの
ものが用いられているが、ビット数は5ビットに限定さ
れるものでないことはいうまでもない。また、重み電流
を用いたDA変換回路に限定されず、他の形式のDA変
換回路であっても良い。
【0070】上記実施例では、電圧制御発振回路が正の
温度特性を有する場合について説明したが、当該発振回
路が負の温度特性を有する場合には、温度特性補正回路
によって、当該発振回路に供給される制御電圧Vcnt2に
正の温度特性を与える様にすればよい。即ち、電圧制御
発振回路の温度特性に対して反対の温度特性を、当該発
振回路に供給される制御電圧に与える様にすればよい。
電圧制御回路に供給される制御電圧に正の温度特性を与
えるためには、例えば、図7(c)に示されている温度
特性が、負の温度特性を持つ様にすればよい。
【0071】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野である無線通
信システムに使用されるVCOに適用した場合について
説明したが、本発明はそれに限定されるものでなく、V
COを有するシステム一般に利用することができる。
【0072】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記
のとおりである。
【0073】すなわち、LC発振型VCO回路を用いオ
ープン・ループ方式で送信データに応じてVCO回路を
制御して変調を行なう周波数ホッピング方式の無線通信
システムに使用する変調用半導体集積回路における温度
変化に伴なうVCOの変調周波数の変動を低減すること
ができ、これによって、それを用いた周波数ホッピング
方式の無線通信システムでは混信が少なくかつ正確なデ
ータ送信を行なえるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る変調用半導体集積回路を利用して
好適な無線通信システムの構成例を示すブロック図であ
る。
【図2】本発明に係る変調用半導体集積回路に用いられ
るLC発振型VCOの一実施例を示す回路図である。
【図3】本発明に係る変調用半導体集積回路の送信系回
路の第1の実施例を示すブロック図である。
【図4】本発明に係る変調用半導体集積回路に用いられ
るLC発振型VCOにおける容量素子とVCOの発振周
波数の温度特性を示すグラフである。
【図5】本実施例の送信系回路における温度補償の原理
を示すグラフである。
【図6】温度特性を調整可能な基準電流生成回路の具体
的な回路例を示す回路図である。
【図7】温度特性補正回路における補正の原理を示すグ
ラフである。
【図8】本発明に係る変調用半導体集積回路の送信系回
路の第2の実施例を示すブロック図である。
【図9】トリミング回路の具体的な回路例を示す回路図
である。
【図10】本発明に係る変調用半導体集積回路に用いら
れるディジタル伝送データ信号をDA変換するDA変換
回路の一実施例を示す回路図である。
【図11】トリミング回路を用いてDA変換回路の基準
電流を調整する手順の一例を示すフローチャートであ
る。
【図12】実施例の無線通信用LSIを応用した携帯電
話器の全体構成を示すブロック図である。
【図13】本発明を適用して有効なブルートゥース規格
の無線通信における周波数ポッピングの様子を示す概念
図である。
【符号の説明】
110 受信系回路 111 ロウノイズアンプ 112 ミクサ 113 バンドパス・フィルタ 114 利得可変アンプ 115 AD変換回路 116 復調整回路 117 ローパス・フィルタ 130 送信系回路 131 ガウスフィルタ 132 DA変換回路 133 ローパス・フィルタ 134 電圧制御発振回路(VCO) 135 送信用パワーアンプ 136 カウンタ回路 137 位相比較回路 138 チャージポンプ 139 ループフィルタ 140 分周器 141 レジスタ 144 基準電流生成回路 145 トリミング用DA変換回路 441 バンドギャップリファランス回路 442 電圧−電流変換回路 443 温度特性補正回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松浦 達治 東京都小平市上水本町五丁目20番1号 株 式会社日立製作所半導体グループ内 (72)発明者 大崎 勝美 東京都小平市上水本町五丁目20番1号 株 式会社日立製作所半導体グループ内 Fターム(参考) 5J106 AA04 BB08 CC01 CC24 CC41 CC46 CC53 DD17 DD35 DD38 EE19 GG01 KK13

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 電圧制御発振回路と、該電圧制御発振回
    路の発振出力と基準クロック信号の位相を比較する位相
    比較回路と、該位相比較回路で検出された位相差に応じ
    て該位相差をなくすような電圧を発生して上記電圧制御
    発振回路に第1の制御電圧として印加する制御電圧生成
    回路とを備え、上記電圧制御発振回路と上記位相比較回
    路と上記制御電圧生成回路とがフェーズ・ルックド・ル
    ープを構成し、上記第1の制御電圧により上記電圧制御
    発振回路を制御して基本となる周波数信号を生成し、伝
    送データに基づく第2の制御電圧により上記電圧制御発
    振回路を制御して周波数を変化させてデータ送信を行な
    う変調用半導体集積回路であって、上記第2の制御電圧
    により周波数変調動作を行なうときは上記フェーズ・ル
    ックド・ループがオープン状態にされ、上記電圧制御発
    振回路が有する温度特性に対して反対の温度特性を上記
    第2の制御電圧に与える温度特性補正回路を設けてなる
    ことを特徴とする変調用半導体集積回路。
  2. 【請求項2】 上記フェーズ・ルックド・ループ内に上
    記電圧制御発振回路の発振出力を計数する可変カウンタ
    回路が設けられ、該可変カウンタの計数値が変更される
    ことにより上記基本となる周波数が変化されるように構
    成されていることを特徴とする請求項1に記載の変調用
    半導体集積回路。
  3. 【請求項3】 上記第2の制御電圧を発生する回路は、
    ディジタル伝送データ信号をサンプリングして演算を行
    なうディジタルフィルタと、該ディジタルフィルタの出
    力をDA変換するDA変換回路とからなり、上記温度特
    性補正回路は上記DA変換回路の基準電流が上記電圧制
    御発振回路が有する温度特性に対して反対の温度特性を
    有するように補正することを特徴とする請求項1または
    2に記載の変調用半導体集積回路。
  4. 【請求項4】 上記温度特性補正回路は、上記基準電流
    の温度特性を互いに異なる複数の特性のうち1つを選択
    して補正可能に構成されていることを特徴とする請求項
    3に記載の変調用半導体集積回路。
  5. 【請求項5】 上記温度特性補正回路は、温度依存性の
    少ない電流を流す複数の第1電流源と、正または負の温
    度特性を有する電流を流す複数の第2電流源と、上記複
    数の第1電流源と上記複数の第2電流源の中からそれぞ
    れ1または2以上の電流源を選択する選択手段とを備
    え、選択された電流源の合成電流を上記基準電流して出
    力可能に構成されていることを特徴とする請求項4に記
    載の変調用半導体集積回路。
  6. 【請求項6】 上記温度特性補正回路が上記基準電流の
    温度特性を互いに異なる複数の特性のうち1つを選択し
    て補正するための選択情報を設定可能な第1レジスタを
    備えていることを特徴とする請求項4または5に記載の
    変調用半導体集積回路。
  7. 【請求項7】 上記可変カウンタ回路が計数を行なう値
    を設定する第2レジスタを備え、該第2レジスタの設定
    値が変更されることにより上記基本周波数が変化され、
    上記第2レジスタの設定値に応じて上記基準電流の大き
    さが制御されるように構成されていることを特徴とする
    請求項4または5に記載の変調用半導体集積回路。
  8. 【請求項8】 上記DA変換回路の基準電流の大きさを
    調整するトリミング回路を備えていることを特徴とする
    請求項2〜7に記載の変調用半導体集積回路。
  9. 【請求項9】 上記トリミング回路は、トリミング情報
    をDA変換してトリミング情報に応じた電流を上記DA
    変換回路に基準電流として与える第2のDA変換回路で
    構成され、上記温度特性補正回路は上記第2のDA変換
    回路の基準電流が上記電圧制御発振回路が有する温度特
    性に対して反対の温度特性を有するように補正すること
    を特徴とする請求項8に記載の変調用半導体集積回路。
  10. 【請求項10】 上記電圧制御発振回路は、第1の可変
    容量手段および第2の可変容量手段を備え、上記第1の
    可変容量手段の容量値が上記第1の制御電圧により、ま
    た上記第2の可変容量の容量値が上記第2の制御電圧に
    より変化されることでそれぞれ発振周波数が変化される
    ように構成されていることを特徴とする請求項1〜9の
    いずれかに記載の変調用半導体集積回路。
  11. 【請求項11】 上記温度特性補正回路は、負の温度特
    性を上記第2の制御電圧に与えることを特徴とする請求
    項1に記載の変調用半導体集積回路。
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