JP2005293659A - メモリ装置とリファレンス電流設定方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 トリミングコードに基づいてデータを正確に読み出すことができる適切なリファレンス電流の設定を可能とし、良品を不良品として判定することが無いメモリ装置とリファレンス電流設定方法を提供する。
【解決手段】 コンピュータに内装されるメモリ装置であって、トリミングコードに基づいてメモリ装置のデータを読みだすためのリファレンス電流を設定するリファレンス電流設定部に設定するトリミングコードとして、データを「１」として読み出すのに有利な側のリファレンス電流の最小値に対応するコードは全てが「０」で構成され、データを「０」として読み出すのに有利な側のリファレンス電流の最大値に対応するコードは全てが「１」で構成される。デフォルトのトリミングコードでリファレンス電流を生成して適切なトリミングコードを読み出したときに読み出しの誤りが生じても、適切なリファレンス電流に設定できる。
【選択図】 図３

Description

本発明はメモリ装置のメモリセルに書き込まれたデータを読み出すセンスアンプで参照されるリファレンス電流を設定するリファレンス電流設定部を備えるメモリ装置とそのリファレンス電流設定方法に関するものである。

フラッシュメモリ等の不揮発性メモリセルで構成されるメモリ装置では、個々のメモリセルに書き込まれたデータを読み出すためにセンスアンプが用いられている。センスアンプはメモリセルから読み出した電流をリファレンス電流と比較することで当該メモリセルにデータが書き込まれているか否かを判定する。例えば、読み出したセル電流がリファレンス電流よりも大きい場合に、当該メモリセルにデータが書き込まれていたとして「１」が読み出され、小さい場合にデータが書き込まれていないとして「０」が読み出される。したがって、リファレンス電流を適切に設定しないとデータを正確に読み出すことができない。特許文献１では、本来使用するメモリセルに対して参照用のメモリセルを設けておき、この参照用のメモリセルに対してリファレンス電流を用いて読み出しを行った結果に基づいてリファレンス電流の値を制御する技術が開示されている。
特開２０００−１３２９８６号公報

このようなメモリ装置（以下、フラッシュメモリと称する）がコンピュータに組み込まれていた場合には、コンピュータの電源投入時やリセット時等において当該コンピュータを通常動作可能な状態に設定するために、いわゆるリセットシーケンスと称する動作、例えばＲＯＭに格納されている初期用プログラム等を読み出しに行く動作を行うのと同時に、センスアンプのリファレンス電流を適正な値に設定する動作が行われる。このリファレンス電流を設定するために個々のコンピュータのメモリ装置にはリファレンス電流設定部が設けられており、このリファレンス電流設定部にトリミングコードを設定することで対応するリファレンス電流を生成してセンスアンプに設定することが行われる。この場合、個々のコンピュータにおける製造ばらつきや電源バラツキ等によって同じトリミングコードでも生成されるリファレンス電流の値にばらつきが生じるため、コンピュータの出荷前に個々のコンピュータでのフラッシュメモリでの読み出しモニタ試験によって適切なリファレンス電流を生成すべく、対応する適切なトリミングコードをフラッシュメモリに書き込んでいる。

したがって、コンピュータのリセットシーケンス時にフラッシュメモリに書き込まれている適切なトリミングコードを読み出してリファレンス電流設定部に設定すればよいが、リセットシーケンス時にはリファレンス電流が生成されていないため直接フラッシュメモリに対するデータの読み出しを行うことができない。そのため、図４にフローチャートを示すように、最初にＲＯＭにアクセスしてデフォルトのトリミングコードを読み出し（Ｓ１０１）、このデフォルトのトリミングコードをリファレンス電流設定部にセットし、リファレンス電流設定部はこのセットされたデフォルトのトリミングコードに基づいてデフォルトのリファレンス電流を生成し、センスアンプに供給する（Ｓ１０２）。そして、このデフォルトのリファレンス電流によりフラッシュメモリの所定のアドレスに予め書き込まれている当該コンピュータに適切なトリミングコードを読み出し（Ｓ１０３）、読み出した適切なトリミングコードを改めてリファレンス電流設定部に置き換えて設定し、リファレンス電流設定部ではこの置き替えた適切なトリミングコードに基づいてリファレンス電流を設定する（Ｓ１０４）。以降はこの設定されたリファレンス電流によりセンスアンプでのデータの読み出しを行うことになる。

図５は従来におけるトリミングコードのコード配列とリファレンス電流との関係を示す図である。ここで、メモリセルに対して適切な読み出しを可能とするリファレンス電流の範囲として、コンピュータのリセットシーケンス時は２ＭＨｚ程度の比較的に低い周波数速度でメモリセルに対する読み出しを行うため、センスアンプでの読み出し時におけるリファレンス電流の冗長度は高く、読み出し可能なリファレンス電流の領域はＳ１となる。一方、コンピュータが起動された後の通常動作時には６６ＭＨｚ以上の高い周波数速度で読み出しを行うため、センスアンプでの読み出し時におけるリファレンス電流の冗長度は低く、読み出し可能なリファレンス電流の領域はＳ２となる。

また、ここではトリミングコードは図２に後述する実施例１のコード配列と比較しても示すように、３ビットのコードの配列として設定されており、各トリミングコードのそれぞれに対応したリファレンス電流が設定されている。ここで、最小のコード値「０００」のトリミングコードをデフォルトに設定し、これを基準にして２の補数のプラス方向に「１００」までリファレンス電流を増大させ、逆に２の補数のマイナス方向に「１０１」までリファレンス電流を減少させる配設としている。また、実際には、個々のコンピュータでの前述したようなばらつきにより、トミリングコードとリファレンス電流の関係にばらつきが生じる。例えば、Ａコンピュータではリファレンス電流特性ＩＡとなり、Ｂコンピュータではリファレンス電流特性ＩＢとなり、Ｃコンピュータではリファレンス電流特性ＩＣとなる。

このようなコード配列のトリミングコードに基づいて前述のようにリファレンス電流を設定すると、Ｂコンピュータではデフォルトのトリミングコード「０００」に対応するデフォルトのリファレンス電流ＩＢ０が領域Ｓ２に入っているので、このリファレンス電流を用いてフラッシュメモリに書き込んである適切なトリミングコードを読み出せば、そのトリミングコードは「０００」であり、これを適切なトリミングコードとしてリファレンス電流設定部に設定することで、フラッシュメモリからデータを正確に読み出すことが可能なリファレンス電流を設定することができる。すなわち、このリファレンス電流は領域Ｓ２に入っているので、コンピュータの通常動作においてもデータを正確に読み出すことが可能である。

一方、Ａコンピュータでは、デフォルトのトリミングコード「０００」ではリファレンス電流ＩＡ０が領域Ｓ１，Ｓ２よりも低電流であり、Ｃコンピュータでは同じデフォルトのトリミングコード「０００」ではリファレンス電流ＩＣ０が領域Ｓ１よりも高電流である。これらのコンピュータではそれぞれトリミングコード「０１１」，「１０１」に設定されれば領域Ｓ２に入ることになり、コンピュータの通常動作時おいてフラッシュメモリから正確なデータを読み出すことが可能である。そのため、フラッシュメモリには適切なトリミングコードとしてこれらのトリミングコードが書き込まれているはずである。

ところが、Ａコンピュータでは、デフォルトのトリミングコードで設定されるリファレンス電流ＩＡ０は領域Ｓ２よりも低過ぎるため、フラッシュメモリに書き込まれた適切なトリミングコードを正確に読み出すことができず、当該トリミングコードを構成している３ビットをそれぞれ「１」として読み出してしまうことになり、結局、適切なトリミングコードを「１１１」と誤って読み出してしまう。そのため、この誤って読み出したトリミングコード「１１１」をリファレンス電流設定部に設定し、同図に矢印Ａ１１で示すようにセンスアンプにリファレンス電流ＩＡ０１を設定してしまうことになる。逆にＣコンピュータの場合には、リファレンス電流ＩＣ０が領域Ｓ１よりも高過ぎるため、フラッシュメモリに書き込まれた適切なトリミングコードを正確に読み出すことができず、当該トリミングコード構成している３ビットをそれぞれ「０」として読み出してしまい、トリミングコードを「０００」として読み出すことになり、読み出したトリミングコード「０００」（デフォルトのトリミングコードと同じ）をリファレンス電流設定部に設定して同図に矢印Ｃ１１で示すようにセンスアンプにリファレンス電流ＩＣ０１（＝ＩＣ０）を設定してしまう。

この結果、ＡコンピュータとＣコンピュータとでは、設定されるリファレンス電流ＩＡ０１，ＩＣ０１は領域Ｓ１はもとより領域Ｓ２にも入らない状態となり、フラッシュメモリからデータを正確に読み出すことは困難になる。これにより、実際には前述のようにＡコンピュータではトリミングコードを「０１１」にすれば領域Ｓ２に入ることになり、Ｃコンピュータではトリミングコードを「１０１」にすれば領域Ｓ２に入ることになってそれぞれ正確な読み出しが可能であるのにも関わらず、これらのコンピュータは不良品として判定されてしまうことになる。

本発明の目的は、トリミングコードに基づいてデータを正確に読み出すことができる適切なリファレンス電流の設定を可能とし、良品を不良品として判定することが無いメモリ装置とリファレンス電流設定方法を提供するものである。

本発明は、コンピュータに内装されるメモリ装置であって、トリミングコードに基づいてメモリ装置のデータを読みだすためのリファレンス電流を設定するリファレンス電流設定部を備えており、当該トリミングコードは、データを「１」として読み出すのに有利な側のリファレンス電流の限界値、例えば最小電流値に対応するコードは全てが「０」で構成され、データを「０」として読み出すのに有利な側のリファレンス電流の限界値、例えば最大電流値に対応するコードは全てが「１」で構成されている。ここで、コード配列の中央若しくはその近傍のトリミングコードをデフォルトのトリミングコードとして設定する。

また、本発明のメモリ装置は、デフォルトのトリミングコードを格納する第１のメモリ手段と、コンピュータのリセットシーケンス時に第１のメモリ手段からデフォルトのトリミングコードを読み出す手段と、読み出したデフォルトのトリミングコードをリファレンス電流設定部に設定する手段と、当該コンピュータにおける適切なリファレンス電流を設定するための適切なトリミングコードを格納する第２のメモリ手段と、デフォルトのトリミングコードに基づいてリファレンス電流設定部で設定されたリファレンス電流により適切なトリミングコードを第２のメモリ手段から読み出す手段と、読み出した適切なトリミングコードをリファレンス電流設定部に置き換え設定する手段とを備える。第１のメモリ手段はリセットシーケンス時に自動的にデフォルト値が設定されるレジスタであってもよい。

本発明のリファレンス電流設定方法は、コンピュータに内装されるメモリ装置からデータを読み出すためのリファレンス電流を設定する方法であって、当該コンピュータのリセットシーケンス時に第１のメモリ手段に格納されているデフォルトのトリミングコードを読み出してリファレンス電流設定部に設定する工程と、設定されたトリミングコードに基づいて設定されるデフォルトのリファレンス電流により第２のメモリ手段に格納されている当該コンピュータに適切なトリミングコードを読み出して前記リファレンス電流設定部に置き換え設定する工程とを含み、各トリミングコードは、データを「１」として読み出すのに有利な側のリファレンス電流の限界値、例えば最小電流値に対応するコードは全てが「０」で構成され、データを「０」として読み出すのに有利な側のリファレンス電流の限界値、例えば最大電流値に対応するコードは全てが「１」で構成されている。

本発明のメモリ装置及びリファレンス電流設定方法によれば、リファレンス電流に対するトリミングコードがリファレンス電流値の一方の限界値のコードが全て「０」で構成され、他方の限界値のコードが全て「１」で構成されているので、デフォルトのトリミングコードに基づいて適切なトリミングコードを正確に読み出すことができない状況においても、コンピュータの通常動作においてメモリ装置からデータを正確に読み出すことが可能になり、良品を不良品として判定するようなことを未然に回避することが可能になる。

次に、本発明の実施例１について図面を参照して説明する。図１は本発明のコンピュータのフラッシュメモリを含む主要部のブロック構成図である。所定の演算処理を行うＣＰＵ１と、不揮発性メモリセルで構成されるフラッシュメモリ２と、コンピュータのリセットシーケンス時に当該コンピュータの起動に必要なデータや起動用プログラムを格納しているＲＯＭ３とを備えている。前記フラッシュメモリ２には、当該フラッシュメモリを構成しているメモリセルアレイ２１に書き込まれているデータを読み出すためのセンスアンプ２２と、このセンスアンプ２２でのデータの読み出しを行う際に必要なリファレンス電流を設定するためのリファレンス電流設定部２３を備えている。そして、前記リファレンス電流設定部２３においてリファレンス電流を設定するために、ＲＯＭ３内にはデフォルトのトリミングコードＴＣｘが書き込まれており、また前記フラッシュメモリ２のメモリセルアレイ２１内には当該フラッシュメモリ２でのデータ読み出しに適切なリファレンス電流に対応した適切なトリミングコードＴＣｃが書き込まれている。さらに、前記リファレンス電流設定部２３には前記ＲＯＭ３或いはフラッシュメモリ２のメモリセルアレイ２１から読み出されたデフォルト又は適切なトリミングコードＴＣｘ，ＴＣｃを格納するレジスタ２３１を備え、リファレンス電流設定部２３はこのレジスタ２３１に設定されたトリミングコードに基づいてリファレンス電流を生成して前記センスアンプ２２に設定するように構成されている。なお、リファレンス電流設定部２３においてトリミングコードに基づいてリファレンス電流を生成するための構成、作用については説明は省略する。

前記ＲＯＭ３に書き込まれるデフォルトのトリミングコードは、図２に示すリファレンス電流とトリミングコードのコード配列の相関に基づいて設定される。なお、図２は比較のために従来のトリミングコード配設を併せて示している。図２に示すように、実施例１ではデフォルトのトリミングコードを「０１１」とし、これを挟んでデータを「０」と読み出すのに有利な側の限界値であるリファレンス電流の最小電流に対応するコードを全ビットが「０」の「０００」とし、反対にデータを「１」と読み出すのに有利な側の限界値であるリファレンス電流の最大電流に対応するコードを全ビットが「１」の「１１１」とする。すなわち、これらコード「０００」から「１１１」の間は、単純に２進数が増加するコード、すなわち「００１」，「０１０」，「０１１」，「１００」，「１０１」，「１１０」と設定しているものである。

また、図３には従来技術で説明した図５と同様に、前記コード配列をリファレンス電流に対応させた相関特性を示しており、ここではＡ，Ｂ，Ｃの各コンピュータにおける製造ばらつき、電源（ＶＤＤ）ばらつき等によってリファレンス電流とトリミングコードの相関が異なるため、各コンピュータではそれぞれ出荷前のモニタ試験により適切なリファレンス電流特性ＩＡ，ＩＢ，ＩＣに設定した場合を示している。なお、図３において、領域Ｓ１はコンピュータのリセットシーケンス時にフラッシュメモリ２からデータを正確に読み出すことが可能なリファレンス電流の領域であり、領域Ｓ２はリセットシーケンス時よりも高速でＣＰＵ１が動作する通常動作時においてフラッシュメモリ２からデータを正確に読み出すことが可能なリファレンス電流の領域であることは図５の場合と同じである。

このコンピュータにおけるリセットシーケンス時のリファレンス電流の設定方法は、図４で説明した従来方法と基本的には同じであるので、図４のフローチャートを再度参照すると次の通りである。コンピュータの電源投入時あるいはリセット時におけるリセットシーケンス時には、ＣＰＵ１はＲＯＭ３内の起動用プログラムを読み出して起動を開始すると同時に、リファレンス電流を設定すべくＲＯＭ３内のデフォルトのトリミングコードＴＣｘを読み出す（Ｓ１０１）。次いで、読み出したデフォルトのトリミングコードＴＣｘをリファレンス電流設定部２３のレジスタ２３１に設定すると、リファレンス電流設定部２３はレジスタ２３１に設定されたデフォルトのトリミングコードＴＣｘに対応してデフォルトのリファレンス電流を生成し、センスアンプ２２に設定する（Ｓ１０２）。センスアンプ２２は設定されたデフォルトのリファレンス電流によりメモリセルアレイ２１の所定のアドレスに既に書き込まれている当該コンピュータに適切なトリミングコードＴＣｃを読み出す（Ｓ１０３）。そして、ＣＰＵ１は読み出した適切なトリミングコードＴＣｃを先に設定しているデフォルトのトリミングコードＴＣｘに置き換えてリファレンス電流設定部２３のレジスタ２３１に設定する。これによりリファレンス電流設定部２３はこの適切なトリミングコードＴＣｃに基づいてリファレンス電流を生成し、生成したリファレンス電流をセンスアンプのリファレンス電流として設定する（Ｓ１０４）。これにより、以降は新たに設定されたリファレンス電流に基づいてセンスアンプ２２がメモリセルアレイ２１からのデータの読み出しを行う。

このように、図３に示したトリミングコードのコード配列とリファレンス電流の相関に基づいて、図４に示したフローに従ってリファレンス電流を設定する場合、最初にデフォルトのトリミングコードＴＣｘに基づいてリファレンス電流設定部２３で設定されるデフォルトのリファレンス電流は、図３に示すようにＡ〜Ｃの各コンピュータにおいてはそれぞれＩＡ０，ＩＢ０，ＩＣ０のリファレンス電流になる。Ｂコンピュータではデフォルトのリファレンス電流ＩＢ０は領域Ｓ１に入っているのでフラッシュメモリから適切なトリミングコードとして「０１１」を正確に読み出すことができ、この適切なトリミングコードをリファレンス電流設定部２３に設定し直すことで、領域Ｓ２に入る適切なリファレンス電流ＩＢ１（＝ＩＢ０）を設定することができ、以降はＢコンピュータの通常動作においてもフラッシュメモリ２から正確にデータを読み出すことが可能になる。

一方、ＡコンピュータとＣコンピュータにおいて、図５に示した従来のトリミングコードのコード配列とリファレンス電流との相関では適切なリファレンス電流が設定できず、正確なデータの読み出しが困難であったことは前述した通りである。実施例１においても、Ａコンピュータの場合には、デフォルトのトリミングコードによるデフォルトのリファレンス電流ＩＡ０が領域Ｓ２よりも低過ぎており、したがってこのデフォルトのリファレンス電流ＩＡ０で読み出した適切なトリミングコードの３ビットについては正確な読み出しができず、各ビットをそれぞれ「１」として読み出してしまい、結果として「１１１」を読み出してしまうことは従来と同じである。しかしながら、実施例１では、この読み出したトリミングコード「１１１」をリファレンス電流設定部２３に設定すると、図３に矢印Ａ１で示すように、当該トリミングコード「１１１」に基づいてリファレンス電流設定部２３で生成されるリファレンス電流はＩＡ１となり、デフォルトのリファレンス電流ＩＡ０よりも高電流となり、領域Ｓ２に入ることになる。したがって、Ａコンピュータの通常動作においてもデータを正確に読み出すことが可能になる。

また、Ｃコンピュータの場合には、デフォルトのトリミングコードによるリファレンス電流ＩＣ０が領域Ｓ１よりも高過ぎており、したがってこのデフォルトのリファレンス電流ＩＣ０で読み出した適切なトリミングコードの３ビットについては正確な読み出しができず、各ビットをそれぞれ「０」として読み出してしまい、結果として「０００」を読み出してしまうことは従来と同じである。しかしながら、実施例１では、この読み出した適切なトリミングコード「０００」をリファレンス電流設定部２３に設定すると、図３に矢印Ｃ１で示すように、当該トリミングコード「０００」に基づいてリファレンス電流設定部２３で生成されるリファレンス電流はＩＣ１となり、デフォルトのリファレンス電流よりも低電流となり、領域Ｓ２に入ることになる。したがって、Ｃコンピュータの通常動作においてもデータを正確に読み出すことが可能になる。

以上のように、実施例１では、リファレンス電流に対するトリミングコードのコード配列を図２に示したようにデフォルトのトリミングコード「０１１」を中心にリファレンス電流の最小電流に対応するコード値を「０００」とし、最大電流値に対応するコード値を「１１１」としていることにより、従来において適切なリファレンス電流の設定が可能なＢコンピュータはもとより、従来では適切なリファレンス電流の設定が困難であったＡコンピュータ及びＣコンピュータについても、コンピュータの通常動作においてフラッシュメモリのデータを正確に読み出すことが可能になり、良品を不良品として判定するようなことを未然に回避することが可能になる。

ここで、前記実施例１におけるトリミングコードは３ビットの例であるが、リファレンス電流をより高い精度で設定することが要求される場合には４ビット以上のコードとして設定することも可能である。この場合にはトリミングコードはリファレンス電流の最小電流値に対応するコードを「００００」にし、反対にリファレンス電流の最大電流値に対応するコードを「１１１１」にしたコード配列にすればよい。また、データ電流がリファレンス電流よりも大きいときに「０」を読み出し、小さいときに「１」を読み出すメモリ装置の場合には、トリミングコードのコード配列とリファレンス電流との相関が実施例１とは逆の関係になり、最小電流値に対応するコード値が「１１１」若しくは「１１１１」となり、最大電流値に対応するコード値が「０００」若しくは「００００」となることは言うまでもない。

また、前記実施例１ではデフォルトのトリミングコードをＲＯＭに格納している例について説明したが、このＲＯＭに代えて、コンピュータのリセットシーケンス時に自動的にデフォルトのトリミングコードが設定されるレジスタを利用してもよい。例えば、コンピュータのリセットシーケンス時に、実施例１のリファレンス電流設定部のレジスタに自動的にデフォルトのトリミングコードが設定されるように構成しておけば、フラッシュメモリに対するトリミングコードの読み出しを迅速に行うことができるようになり、処理の高速化が可能になる。

なお、前記実施例１では本発明をフラッシュメモリにおけるデータ読み出しの例について説明したが、ＤＲＡＭとフラッシュメモリが混在しているデバイスにおいてＤＲＡＭ用のトリミングコードをフラッシュメモリに格納しておくような場合に適用することも可能である。

本発明のメモリ装置の要部のブロック回路図である。 本発明と従来のトリミングコードのコード配列を比較して示す図である。 実施例１のリファレンス電流とトリミングコードの相関を示す図である。 実施例１のリファレンス電流設定方法を示すフローチャートである。 従来のリファレンス電流とトリミングコードの相関を示す図である。

符号の説明

１ ＣＰＵ
２ フラッシメモリ
３ ＲＯＭ
２１ メモリセルアレイ
２２ センスアンプ
２３ リファレンス電流設定部
２３１ レジスタ

Claims (7)

1. コンピュータに内装されるメモリ装置であって、トリミングコードに基づいて当該メモリ装置のデータを読みだすためのリファレンス電流を設定するリファレンス電流設定部を備え、前記トリミングコードは、データを「１」として読み出すのに有利な側のリファレンス電流の限界値のコードは全てが「０」で構成され、データを「０」として読み出すのに有利な側のリファレンス電流の限界値のコードは全てが「１」で構成されていることを特徴とするメモリ装置。
2. 前記データ電流がリファレンス電流よりも大きいときに「１」を、小さいときに「０」を読み出すように構成されているときに、前記トリミングコードはリファレンス電流の最小電流値に対応するコードが全て「０」で構成され、前記リファレンス電流の最大電流値に対応するコードが全て「１」で構成されていることを特徴とする請求項１に記載のメモリ装置。
3. 前記コード配列の中央若しくはその近傍のトリミングコードをデフォルトのトリミングコードとして設定していることを特徴とする請求項１又は２に記載のメモリ装置。
4. 前記デフォルトのトリミングコードを格納する第１のメモリ手段と、コンピュータのリセットシーケンス時に前記第１のメモリ手段から前記デフォルトのトリミングコードを読み出す手段と、読み出した前記デフォルトのトリミングコードを前記リファレンス電流設定部に設定する手段と、当該コンピュータにおける適切なリファレンス電流を設定するための適切なトリミングコードを格納する第２のメモリ手段と、前記デフォルトのトリミングコードに基づいて前記リファレンス電流設定部で設定されたリファレンス電流により前記適切なトリミングコードを前記第２のメモリ手段から読み出す手段と、読み出した適切なトリミングコードを前記リファレンス電流設定部に置き換え設定する手段とを備えることを特徴とする請求項２に記載のメモリ装置。
5. 前記第１のメモリ手段はコンピュータのリセットシーケンス時に読み出し可能なＲＯＭであり、前記第２のメモリ手段はリファレンス電流を参照してデータの読み出しを行う不揮発性メモリであることを特徴とする請求項４に記載のメモリ装置。
6. 前記第１のメモリ手段はコンピュータのリセットシーケンス時に自動的にデフォルトのトリミングコードが設定されるレジスタであり、前記第２のメモリ手段はリファレンス電流を参照してデータの読み出しを行う不揮発性メモリであることを特徴とする請求項４に記載のメモリ装置。
7. コンピュータに内装されるメモリ装置からデータを読み出すためのリファレンス電流を設定する方法であって、当該コンピュータのリセットシーケンス時に第１のメモリ手段に格納されているデフォルトのトリミングコードを読み出してリファレンス電流設定部に設定する工程と、設定されたトリミングコードに基づいて設定されるデフォルトのリファレンス電流により第２のメモリ手段に格納されている当該コンピュータに適切なトリミングコードを読み出して前記リファレンス電流設定部に置き換え設定する工程とを含み、前記トリミングコードは、データを「１」として読み出すのに有利な側のリファレンス電流の限界値のコードは全てが「０」で構成され、データを「０」として読み出すのに有利な側のリファレンス電流の限界値のコードは全てが「１」で構成されていることを特徴とするリファレンス電流設定方法。
   
   

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